JP2015082630A - Soldering method by powder solder, and fluxless continuous reflow furnace - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、粉末半田を使った半田付け方法及びフラックスレス連続リフロー炉に関する。 The present invention relates to a soldering method using powder solder and a fluxless continuous reflow furnace.
近時の高密度実装基板に対応するために、リフロー半田付けの後にフラックス残渣が残らないソルダペーストの開発が進んでいる。特許文献1は、粉末半田と、沸点が粉末半田の固相線と液相線との間にある多価アルコールからなるバインダとを混合したソルダペースト(「クリーム半田」とも呼ばれている)を開示している。このソルダペーストは還元雰囲気でリフローされる。 In order to cope with recent high-density mounting boards, development of solder paste that does not leave a flux residue after reflow soldering is in progress. Patent Document 1 discloses a solder paste (also called “cream solder”) in which powder solder and a binder made of a polyhydric alcohol having a boiling point between the solid phase line and the liquid phase line of the powder solder are mixed. Disclosure. This solder paste is reflowed in a reducing atmosphere.
特許文献2は、粉末半田と、有機多価ヒドロキシ化合物(蒸発温度が170℃以上)とを混合したソルダペーストを開示している。
特許文献3は、ロジンを含有していないフラックスであってリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の固体溶剤と、常温で高粘性流体であり且つリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の高粘性溶剤と、常温で液体であり且つリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の液体溶剤と、粉末半田とを混合したソルダペーストを開示している。
この種のソルダペーストを使った半田付けに適したリフロー炉が提案されている(例えば特許文献4)。このリフロー炉は、フラックスの代わりにギ酸の還元力を利用して金属表面の酸化皮膜を除去する構成が採用され、業界では、「フラックスレスリフロー炉」と呼ばれている。このフラックスレスリフロー炉では、ギ酸の代わりに水素ガスを還元剤として使用するタイプも存在している(特許文献5)。 A reflow furnace suitable for soldering using this type of solder paste has been proposed (for example, Patent Document 4). This reflow furnace employs a configuration in which the oxide film on the metal surface is removed using the reducing power of formic acid instead of the flux, and is referred to as a “fluxless reflow furnace” in the industry. In this fluxless reflow furnace, there is also a type that uses hydrogen gas as a reducing agent instead of formic acid (Patent Document 5).
図6は、従来のフラックスレスリフロー炉の典型的な制御例を示す。図示のフラックスレスリフロー炉は連続式であり、その長手方向の一端に入り口を有し、他端に出口を有する。入り口から入った基板はリフロー炉の中を間欠的に移動しながら予備加熱ゾーンを通過した後に本加熱ゾーンに入り、この本加熱ゾーンで半田付けが実行される。次いで、冷却ゾーンで冷やされた後に出口から出る。 FIG. 6 shows a typical control example of a conventional fluxless reflow furnace. The illustrated fluxless reflow furnace is continuous, and has an inlet at one end in the longitudinal direction and an outlet at the other end. The substrate entering from the entrance passes through the preheating zone while moving intermittently in the reflow furnace, and then enters the main heating zone, where soldering is performed. Then exit from the outlet after being cooled in the cooling zone.
従来のフラックスレス連続リフロー炉は、第1予備加熱ゾーンに入る前に減圧される。また、従来のフラックスレス連続リフロー炉は、第1予備加熱ゾーンの入り口の近傍にガス供給口を有し、このガス供給口からギ酸が第1予備加熱ゾーンに注入される。典型的にはフラックスレス連続リフロー炉の、第1、第2の予備加熱ゾーン及び本加熱ゾーン、そして冷却ゾーンは窒素ガスで満たされて、ほぼ大気圧状態が維持される。 A conventional fluxless continuous reflow furnace is depressurized before entering the first preheating zone. Further, the conventional fluxless continuous reflow furnace has a gas supply port in the vicinity of the entrance of the first preheating zone, and formic acid is injected into the first preheating zone from the gas supply port. Typically, the first and second preheating zones, the main heating zone, and the cooling zone of the fluxless continuous reflow furnace are filled with nitrogen gas to maintain a substantially atmospheric pressure state.
ギ酸は150℃から還元力を発揮することが知られていることから、第1及び第2予備加熱ゾーンでギ酸は還元力を発揮すると共にソルダペーストに含まれる溶剤(バインダ)が気化する。そして、本加熱ゾーンの加熱温度は、粉末半田が溶融する温度に設定されていることから、この本加熱ゾーンで半田付けが行われる。 Since formic acid is known to exhibit reducing power from 150 ° C., formic acid exhibits reducing power in the first and second preheating zones, and the solvent (binder) contained in the solder paste is vaporized. Since the heating temperature in the main heating zone is set to a temperature at which the powder solder melts, soldering is performed in the main heating zone.
本発明の目的は、半田粉末による半田付けを最適化することのできる半田付け方法及びフラックスレス連続リフロー炉を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a soldering method and a fluxless continuous reflow furnace that can optimize soldering with solder powder.
上記の技術的課題は、本発明の第1の観点によれば、
半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けする方法であって、
前記半田粉末が溶融する温度よりも低く且つ前記バインダが気化する温度以上の高い温度で前記電子部品を搭載した基板を加熱する予備加熱工程と、
該予備加熱工程に続いて、密閉室において前記電子部品と前記基板との間のガスを取り除くために真空引きするガス抜き工程と、
該ガス抜き工程の次に、前記密閉室に還元剤と不活性雰囲気ガスとを導入して該密閉室の圧力を上昇させて、前記電子部品と前記基板との間に前記還元剤を侵入させる還元ガス侵入工程と、
前記還元ガス侵入工程に続いて、前記密閉室において、前記半田粉末が溶融する温度まで該半田粉末を加熱する半田付け工程とを有することを特徴とする粉末半田を使った半田付け方法を提供することにより達成される。
The above technical problem is, according to the first aspect of the present invention,
A method of soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder,
A preheating step of heating the substrate on which the electronic component is mounted at a temperature lower than a temperature at which the solder powder melts and higher than a temperature at which the binder vaporizes;
Subsequent to the preheating step, a degassing step of evacuating the sealed chamber to remove gas between the electronic component and the substrate;
Next to the degassing step, a reducing agent and an inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber so that the reducing agent enters between the electronic component and the substrate. A reducing gas intrusion process;
There is provided a soldering method using powder solder, comprising: a soldering step of heating the solder powder to a temperature at which the solder powder melts in the sealed chamber following the reducing gas intrusion step. Is achieved.
上記の技術的課題は、本発明の第2の観点によれば、
半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けするためのフラックスレス連続リフロー炉であって、前記基板を予備的に加熱する予備加熱ゾーン及びこれに続く本加熱ゾーンを有するフラックスレス連続リフロー炉において、
前記予備加熱ゾーンが大気圧状態であり、該予備加熱ゾーンでは、半田粉末が溶融しない温度であって前記ソルダペーストのバインダが気化する温度に設定され、
該本加熱ゾーンは、開放状態と密閉状態とをとることのできる密閉室を有し、
該密閉室が、該密閉室を真空引きする減圧手段に接続され、
該密閉室には、該密閉室に通じる供給口を通じて還元剤と不活性雰囲気ガスが供給可能であり、
前記密閉室に前記基板を受け取った後に該密閉室を真空引きし、次いで、該密閉室に前記還元剤を供給すると共に該還元剤と一緒又は該還元剤よりも前又は該還元剤よりも後に前記不活性雰囲気ガスを前記密閉室に供給して該密閉室の圧力を上昇させ、
該密閉室において前記半田粉末を加熱することを特徴とするフラックスレス連続リフロー炉を提供することにより達成される。
The above technical problem is, according to the second aspect of the present invention,
A fluxless continuous reflow furnace for soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder, the preheating zone for preheating the substrate, and a main heating zone following the preheating zone In a fluxless continuous reflow furnace with
The preheating zone is in an atmospheric pressure state, the preheating zone is set to a temperature at which the solder powder does not melt and the solder paste binder is vaporized,
The main heating zone has a sealed chamber capable of taking an open state and a sealed state,
The sealed chamber is connected to a decompression means for evacuating the sealed chamber;
The closed chamber can be supplied with a reducing agent and an inert atmosphere gas through a supply port leading to the closed chamber,
After the substrate is received in the sealed chamber, the sealed chamber is evacuated, and then the reducing agent is supplied to the sealed chamber and together with the reducing agent or before or after the reducing agent. Supplying the inert gas to the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber;
This is achieved by providing a fluxless continuous reflow furnace characterized in that the solder powder is heated in the sealed chamber.
本発明の他の目的及び本発明の作用効果は、次に説明する本発明の好ましい実施形態の詳しい説明から明らかになろう。 Other objects and operational effects of the present invention will become apparent from the following detailed description of the preferred embodiments of the present invention.
以下に、添付の図面に基づいて本発明の好ましい実施例を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は実施例のフラックスレスリフロー炉1を示す。図示のフラックスレスリフロー炉1は連続式リフロー炉である。フラックスレスリフロー炉1は、図1に示されているように、ワーク搬送方向に区画された直列に並んだ複数のゾーンを有する。以下の説明では、フラックスレスリフロー炉1を「リフロー炉」又は「炉」と呼ぶ。具体的には、リフロー炉1は、ワーク搬送方向に順に、図面右側に位置する第1、第2の2つの予備加熱ゾーン2A、2Bと、図面中央に位置する本加熱ゾーン3と、図面左側に位置する1つの冷却ゾーン4を有する。本加熱ゾーン3は、その内部に密閉室5を有している。
FIG. 1 shows a fluxless reflow furnace 1 of the embodiment. The illustrated fluxless reflow furnace 1 is a continuous reflow furnace. As shown in FIG. 1, the fluxless reflow furnace 1 has a plurality of zones arranged in series that are partitioned in the workpiece conveyance direction. In the following description, the fluxless reflow furnace 1 is referred to as “reflow furnace” or “furnace”. Specifically, the reflow furnace 1 includes, in order in the workpiece transfer direction, first and
参照符号6は、各室を仕切る仕切壁である。リフロー炉1内の各ゾーン2A、2B、3、4では、雰囲気ガスとして、半田の酸化を防止するために不活性ガス(本実施形態では窒素ガス)が循環される。
プリント配線基板7(以下、単に「基板」という。)は、リフロー炉1内を間欠的に搬送される。この基板7には半田粉末、溶剤(バインダ)を含むソルダペーストを介して電子部品が搭載されている。第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2B、本加熱ゾーン3、冷却ゾーン4に順次送り込まれた基板7は、各ゾーンで所定時間、滞在する。
The printed wiring board 7 (hereinafter simply referred to as “substrate”) is intermittently conveyed in the reflow furnace 1. Electronic components are mounted on the
本加熱ゾーン3の密閉室5は上下に分割された上側筐体5Aと下側筐体5Bとを有する。下側筐体5Bは本加熱ゾーン3に固定されている。他方、上側筐体5Aはアクチュエータ、具体的にはシリンダ装置(図示せず)によって上下に移動可能である。
The sealed
密閉室5は、上側筐体5Aが下降して下側筐体5Bに密接する密閉状態と、上側筐体5Aが上昇した開放状態の2つの状態をとることができる。密閉室5は、上側筐体5Aが上昇した開放状態で、密閉室5に対する基板7の出し入れが行われる。第2予備加熱ゾーン2Bから密閉室5に基板7が送り込まれると、上側筐体5Aが下降して密閉室5は密閉状態になる。そして、この密閉室5での処理が完了すると、上側筐体5Aが上昇して密閉室5は開放状態となり、この密閉室5内で処理された基板7が密閉室5から取り出される。密閉室5から取り出された基板7は、次の冷却ゾーン4に搬送される。
The sealed
冷却ゾーン4では、冷却装置8により基板7が一定時間冷却されて、これにより半田が固化される。基板7はその後、冷却ゾーン4から炉1の出口12を通って外部に搬出される。
In the cooling zone 4, the
リフロー炉1内での加熱について、再度、説明すると、基板7は炉1の入口11から、先ず、最初の第1予備加熱ゾーン2Aに搬送される。この第1の予備加熱ゾーン2Aでは、ヒータ14で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されており、この不活性雰囲気ガス(N2ガス)によって一定時間、基板7が加熱される。
The heating in the reflow furnace 1 will be described again. The
基板7は、次に第2予備加熱ゾーン2Bに送られ、この第2の予備加熱ゾーン2Bでも、ヒータ15で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されており、この不活性雰囲気ガス(N2ガス)によって一定時間加熱される。勿論、第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2Bでの加熱方法として、熱風(不活性雰囲気ガス)による加熱方法に限られず、遠赤外線加熱(輻射熱)や熱プレート(伝導)よる加熱方法又はこれらの組み合わせによる加熱方法を採用してもよい。
The
基板7は次に、本加熱ゾーン3に送られる。この本加熱ゾーン3はヒータ16で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されている。また、密閉室5にもヒータ17が配置され、このヒータ17によって加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が密閉室5で循環される。密閉室5に収容された基板7の半田粉末は、この密閉室5の中で溶融状態になる。勿論、密閉室5での加熱方法として、熱風(不活性雰囲気ガス)による加熱方法に限られず、遠赤外線加熱(輻射熱)や熱プレート(伝導)よる加熱方法又はこれらの組み合わせによる加熱方法を採用してもよい。
The
密閉室5は、この密閉室5内の圧力を下げるために減圧手段(この実施例では真空源)に通じており、密閉室5内をほぼ真空状態まで減圧することができる。また、密閉室5はガス供給口18を有し、このガス供給口18を通じて、不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとして還元剤であるギ酸を密閉室5内に供給することができる。
The sealed
図2は、リフロー炉1の温度プロファイル及び炉1内の第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2B、密閉室5、冷却ゾーン4の圧力制御を説明するための図である。リフロー炉1の入口11から第2予備加熱ゾーン2Bまでほぼ大気圧状態が維持される。
FIG. 2 is a diagram for explaining the temperature control of the reflow furnace 1 and the pressure control of the first and
密閉室5は、基板7を受け入れて密閉状態になると減圧され、ほぼ真空状態になる。また、密閉室5内のヒータ17がONされる。この真空状態を生成した直後又は真空状態を例えば数秒乃至数分間、継続した後に、不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとしてギ酸(HCOOH)が密閉室5内に充填される。これにより、密閉室5内の圧力はこの実施例では70KPaまで一気に上昇する。この不活性雰囲気ガスは、基板7と電子部品22との間に介在する半田粉末24を加熱するための熱媒体として機能する。したがって、密閉室5に充填する不活性雰囲気ガスの量は、経済性を念頭に置いて不活性雰囲気ガスが熱媒体として機能するのに足りる量が設定される。これを密閉室5の圧力状態で説明すれば、好ましくは25KPa〜110KPaである。密閉室5の圧力状態を大気圧(100KPa)よりも低圧(負圧)にするのが不活性雰囲気ガスやギ酸(還元ガス)の外部への漏れを抑制し易い。「負圧」の具体例としては、60KPa〜90KPa、好ましくは65〜85KPaである。勿論、密閉室5の圧力状態を大気圧(100KPa)又は大気圧よりも高圧(正圧)にすることで、半田粉末の間に還元ガスが入り込み易くなる。
When the sealed
上記の処理により、先ず、密閉室5をほぼ真空状態まで減圧することにより、大気圧状態の予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)が電子部品22と基板7との間から強制的に吸い出され、この電子部品22と基板7との間は負圧状態になる。次いで、密閉室5内に不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとしたギ酸(HCOOH)が導入され、これにより密閉室5内の圧力が大気圧に近い圧力状態まで急上昇することにより、電子部品22と基板7との間にギ酸(HCOOH)が吸い込まれる。つまり、密閉室5を先ず真空状態まで減圧し、次に、ギ酸を密閉室5に導入すると共に不活性雰囲気ガス(N2ガス)で密閉室5の圧力を急上昇させることで、予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)が密閉室5においてギ酸に強制的に置換される。
By the above process, first, the sealed
密閉室5を減圧した後の操作の変形例として、先ず、不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に導入し、次いで、気化したギ酸を密閉室5に導入するようにしてもよい。他の変形例として、先ず、気化したギ酸を密閉室5に導入し、次いで不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に導入してもよい。
As a modification of the operation after decompressing the sealed
密閉室5は不活性雰囲気ガスが循環しており、そして、この不活性雰囲気ガスの温度が、半田が溶融する温度に設定されている。この温度は150℃以上であることから、密閉室5に充填したギ酸は直ちに還元力を発揮する。
An inert atmosphere gas circulates in the sealed
上述した還元剤としてギ酸(HCOOH)を用いたウェットケミカル還元方式に代えて、還元ガスである水素ガス(H2)を用いたガス還元方式を採用してもよい。 Instead of the wet chemical reduction method using formic acid (HCOOH) as the reducing agent, a gas reduction method using hydrogen gas (H 2 ) as a reducing gas may be employed.
不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5内に供給して密閉室5内の圧力を大気圧に近い70KPaまで急上昇させることで、ソルダペースト中のガス化した溶剤(バインダ)はギ酸に強制的に置換される。勿論、加熱した不活性雰囲気ガスによって密閉室5の中で半田粉末も加熱され、半田粉末は溶融する。
By supplying an inert atmosphere gas (N 2 gas) into the sealed
図3を参照して、密閉室5の上記の制御の変形例を説明すると、密閉室5での加熱によって半田粉末が溶け出した後に第2回目の減圧を行って密閉室5を再び真空状態にしてもよい。この第2回目の減圧によって半田のボイドの発生を抑制することができる。この第2回目の減圧を行ったら、次に再び不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5内に供給するのがよい。この不活性雰囲気ガスは密閉室5の中で循環される。
With reference to FIG. 3, a modified example of the above-described control of the sealed
図4は半田粉末による半田付けの準備工程を説明するための図である。図4の(I)は、ソルダペースト20を介して電子部品22を搭載した基板7を示す。ソルダペースト20は半田粉末24と溶剤(バインダ)26とを含む。図4の(II)は、溶剤(バインダ)26を気化させる工程を示す。気化した溶剤(バインダ)をドットで図示すると共に参照符号26Gで示してある。この図4の(II)の状態つまり溶剤26の気化は第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2Bで発生する。
FIG. 4 is a view for explaining a preparation process for soldering with solder powder. FIG. 4I shows the
予備加熱ゾーン2A、2Bでの予備加熱によってガス化した溶剤26Gを電子部品22と基板7との間から強制的に除去するために、上述したように密閉室5を先ず真空状態まで減圧するガス抜き工程が実行される。次いで、ギ酸と共に又はギ酸よりも前に又はギ酸よりも後に不活性雰囲気ガスを密閉室5の中に充填することにより、密閉室5内の圧力を一気に、この実施例では例えば70KPaまで上昇することにより電子部品22と基板7との間に還元剤(この実施例ではギ酸)が流入する還元ガス侵入工程が実行される。この還元ガス侵入工程はギ酸が還元作用を行う温度以上の温度で実行される。次いで、密閉室5の中で、電子部品22と基板7との間に存在する半田粉末24が溶融する温度で当該半田粉末24を加熱する半田付け工程が実行される。
In order to forcibly remove the solvent 26G gasified by the preheating in the preheating
すなわち、予備加熱ゾーン2A、2Bで溶剤(バインダ)26を気化させ、そして、半田粉末24が溶融する温度で加熱する密閉室5を真空引きすることで、半田粉末24が溶け出す前に、基板7と電子部品22との間から気化した溶剤(バインダ)26Gを強制的に抜き去る。これにより、基板7と電子部品22との間に存在する半田粉末24の間のガス化した溶剤(バインダ)26Gが除去され、半田粉末24の間に空所28(図5の(II))が生成される。次いで、密閉室5にギ酸30を充填すると共に不活性雰囲ガスを導入して密閉室5の圧力を大気圧に近い圧力状態まで急上昇させることで、上記の負圧の空所28にギ酸30が一気に侵入する。すなわち、予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)26Gがギ酸によって強制的に置換される。そして、半田粉末24が溶け出す。
That is, the solvent (binder) 26 is vaporized in the preheating
図5は、密閉室5での処理を説明するための図である。前述したように、密閉室5は、基板7を受け入れると直ちにほぼ真空状態になるまで減圧される。このときの状態を図5の(I)、(II)に示す。前述した図4(II)に図示の溶剤ガス26Gが、密閉室5を真空状態まで減圧することで、基板7と電子部品22との間から抜き取られる(図5の(I))。その結果、基板7と電子部品22との間に残留する半田粉末24の間が空所28(真空状態)になる(図5の(II))。
FIG. 5 is a diagram for explaining the processing in the sealed
次いで密閉室5にギ酸30を充填し、また、これと同時又はその前又はその後で不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に充填すると、密閉室5内の圧力が70KPaに急上昇し、密閉室5内に充填されたギ酸30が、半田粉末24の間の真空状態の空所28に一気に侵入する(図5の(III)、(IV))。空所28に侵入したギ酸30は直ちに還元力を発揮することになる。次いで、半田粉末24が溶け始める。
Next, when the
図5を参照した以上の説明から、ギ酸による還元作用を必要とする要所が強制的にギ酸で置換されることが理解できるであろう。これにより半田粉末による半田付けを最適化することができる。 From the above description with reference to FIG. 5, it will be understood that the essential points requiring formic acid reduction are forcibly replaced with formic acid. Thereby, soldering with solder powder can be optimized.
本発明は、上記実施例で説明した連続式のリフロー炉に限定されずバッチ式のリフロー炉にも適用できる。 The present invention is not limited to the continuous reflow furnace described in the above embodiment, but can be applied to a batch reflow furnace.
1 フラックスレスリフロー炉
2A 第1の予備加熱ゾーン
2B 第2の予備加熱ゾーン
3 本加熱ゾーン
5 密閉室
7 プリント配線基板
17 密閉室内に配置したヒータ
18 ガス供給口(窒素ガス、ギ酸を密閉室に供給)
20 ソルダペースト
22 電子部品
24 半田粉末
26 溶剤(バインダ)
26G 予備加熱工程でガス化した溶剤(バインダ)
30 ギ酸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
20
26G Solvent gasified in the preheating process (binder)
30 formic acid
Claims (9)
前記半田粉末が溶融する温度よりも低く且つ前記バインダが気化する温度以上の高い温度で前記電子部品を搭載した基板を加熱する予備加熱工程と、
該予備加熱工程に続いて、密閉室において前記電子部品と前記基板との間のガスを取り除くために真空引きするガス抜き工程と、
該ガス抜き工程の次に、前記密閉室に還元剤と不活性雰囲気ガスとを導入して該密閉室の圧力を上昇させて、前記電子部品と前記基板との間に前記還元剤を侵入させる還元ガス侵入工程と、
前記還元ガス侵入工程に続いて、前記密閉室において、前記半田粉末が溶融する温度まで該半田粉末を加熱する半田付け工程とを有することを特徴とする粉末半田を使った半田付け方法。 A method of soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder,
A preheating step of heating the substrate on which the electronic component is mounted at a temperature lower than a temperature at which the solder powder melts and higher than a temperature at which the binder vaporizes;
Subsequent to the preheating step, a degassing step of evacuating the sealed chamber to remove gas between the electronic component and the substrate;
Next to the degassing step, a reducing agent and an inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber so that the reducing agent enters between the electronic component and the substrate. A reducing gas intrusion process;
A soldering method using powder solder, comprising: a soldering step of heating the solder powder to a temperature at which the solder powder melts in the sealed chamber following the reducing gas intrusion step.
該フラックスレス連続リフロー炉が、大気圧状態の予備加熱ゾーンと、前記密閉室を備えた本加熱ゾーンとを有し、
前記予備加熱ゾーンで前記予備加熱工程が実行される、請求項1に記載の半田付け方法。 The soldering method is performed in a fluxless continuous reflow furnace,
The fluxless continuous reflow furnace has a preheating zone in an atmospheric pressure state and a main heating zone including the sealed chamber,
The soldering method according to claim 1, wherein the preheating step is performed in the preheating zone.
該ギ酸が前記不活性雰囲気ガスと一緒に前記密閉室に導入される、請求項2に記載の半田付け方法。 The reducing agent is formic acid;
The soldering method according to claim 2, wherein the formic acid is introduced into the sealed chamber together with the inert atmosphere gas.
前記予備加熱ゾーンが大気圧状態であり、該予備加熱ゾーンでは、半田粉末が溶融しない温度であって前記ソルダペーストのバインダが気化する温度に設定され、
該本加熱ゾーンは、開放状態と密閉状態とをとることのできる密閉室を有し、
該密閉室が、該密閉室を真空引きする減圧手段に接続され、
該密閉室には、該密閉室に通じる供給口を通じて還元剤と不活性雰囲気ガスが供給可能であり、
前記密閉室に前記基板を受け取った後に該密閉室を真空引きし、次いで、該密閉室に前記還元剤を供給すると共に該還元剤と一緒又は該還元剤よりも前又は該還元剤よりも後に前記不活性雰囲気ガスを前記密閉室に供給して該密閉室の圧力を上昇させ、
該密閉室において前記半田粉末を加熱することを特徴とするフラックスレス連続リフロー炉。 A fluxless continuous reflow furnace for soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder, the preheating zone for preheating the substrate, and a main heating zone following the preheating zone In a fluxless continuous reflow furnace with
The preheating zone is in an atmospheric pressure state, the preheating zone is set to a temperature at which the solder powder does not melt and the solder paste binder is vaporized,
The main heating zone has a sealed chamber capable of taking an open state and a sealed state,
The sealed chamber is connected to a decompression means for evacuating the sealed chamber;
The closed chamber can be supplied with a reducing agent and an inert atmosphere gas through a supply port leading to the closed chamber,
After the substrate is received in the sealed chamber, the sealed chamber is evacuated, and then the reducing agent is supplied to the sealed chamber and together with the reducing agent or before or after the reducing agent. Supplying the inert gas to the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber;
A fluxless continuous reflow furnace, wherein the solder powder is heated in the sealed chamber.
該密閉室内で前記不活性雰囲気ガスが循環される、請求項5〜7のいずれか一項に記載のフラックスレス連続リフロー炉。 A heater is installed in the sealed chamber,
The fluxless continuous reflow furnace according to any one of claims 5 to 7, wherein the inert atmosphere gas is circulated in the sealed chamber.
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