JP2015082630A - Soldering method by powder solder, and fluxless continuous reflow furnace - Google Patents

Soldering method by powder solder, and fluxless continuous reflow furnace Download PDF

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Hachiji Yokota
八治 横田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a soldering method by powder solder which enables the optimization of soldering by solder powder.SOLUTION: A fluxless continuous reflow furnace for soldering an electronic component to a substrate through a solder paste including solder powder and a binder comprises: first and second preliminary heating zones 2A and 2B and a regularly heating zone 3. The substrate 7 is passed through the first and second preliminary heating zones 2A and 2B, which are put almost in an atmospheric pressure condition and then, sent to the regular heating zone 3. The regular heating zone 3 has a closed chamber 5. In the closed chamber 5, the substrate is subjected to a heat treatment. The closed chamber 5 communicates with evacuation means and therefore, the inside of the closed chamber 5 can be decompressed until reaching a substantial vacuum condition. On receipt of the substrate 7, the closed chamber 5 is decompressed until reaching the substantial vacuum condition. Subsequently, a formic acid (HCOOH) is filled in the closed chamber 5 while using an inactive atmospheric gas (Ngas) as a carrier gas. As a result, the pressure inside the closed chamber 5 rises to 70 KPa at one stroke.

Description

本発明は、粉末半田を使った半田付け方法及びフラックスレス連続リフロー炉に関する。   The present invention relates to a soldering method using powder solder and a fluxless continuous reflow furnace.

近時の高密度実装基板に対応するために、リフロー半田付けの後にフラックス残渣が残らないソルダペーストの開発が進んでいる。特許文献1は、粉末半田と、沸点が粉末半田の固相線と液相線との間にある多価アルコールからなるバインダとを混合したソルダペースト(「クリーム半田」とも呼ばれている)を開示している。このソルダペーストは還元雰囲気でリフローされる。   In order to cope with recent high-density mounting boards, development of solder paste that does not leave a flux residue after reflow soldering is in progress. Patent Document 1 discloses a solder paste (also called “cream solder”) in which powder solder and a binder made of a polyhydric alcohol having a boiling point between the solid phase line and the liquid phase line of the powder solder are mixed. Disclosure. This solder paste is reflowed in a reducing atmosphere.

特許文献2は、粉末半田と、有機多価ヒドロキシ化合物(蒸発温度が170℃以上)とを混合したソルダペーストを開示している。   Patent Document 2 discloses a solder paste in which powder solder and an organic polyvalent hydroxy compound (evaporation temperature is 170 ° C. or higher) are mixed.

特許文献3は、ロジンを含有していないフラックスであってリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の固体溶剤と、常温で高粘性流体であり且つリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の高粘性溶剤と、常温で液体であり且つリフロー温度で蒸発する少なくとも1種類の液体溶剤と、粉末半田とを混合したソルダペーストを開示している。   Patent Document 3 is a flux that does not contain rosin and evaporates at a reflow temperature, and at least one high-viscosity solvent that is a high-viscosity fluid at room temperature and evaporates at a reflow temperature. A solder paste is disclosed in which at least one liquid solvent that is liquid at normal temperature and evaporates at a reflow temperature and powder solder are mixed.

この種のソルダペーストを使った半田付けに適したリフロー炉が提案されている(例えば特許文献4)。このリフロー炉は、フラックスの代わりにギ酸の還元力を利用して金属表面の酸化皮膜を除去する構成が採用され、業界では、「フラックスレスリフロー炉」と呼ばれている。このフラックスレスリフロー炉では、ギ酸の代わりに水素ガスを還元剤として使用するタイプも存在している(特許文献5)。   A reflow furnace suitable for soldering using this type of solder paste has been proposed (for example, Patent Document 4). This reflow furnace employs a configuration in which the oxide film on the metal surface is removed using the reducing power of formic acid instead of the flux, and is referred to as a “fluxless reflow furnace” in the industry. In this fluxless reflow furnace, there is also a type that uses hydrogen gas as a reducing agent instead of formic acid (Patent Document 5).

特開平2−25291号公報JP-A-2-25291 特開平9−94691号公報JP-A-9-94691 特開2004−25305号公報JP 2004-25305 A 特開2007−125578号公報JP 2007-125578 A 特開2004−111607号公報JP 2004-111607 A

図6は、従来のフラックスレスリフロー炉の典型的な制御例を示す。図示のフラックスレスリフロー炉は連続式であり、その長手方向の一端に入り口を有し、他端に出口を有する。入り口から入った基板はリフロー炉の中を間欠的に移動しながら予備加熱ゾーンを通過した後に本加熱ゾーンに入り、この本加熱ゾーンで半田付けが実行される。次いで、冷却ゾーンで冷やされた後に出口から出る。   FIG. 6 shows a typical control example of a conventional fluxless reflow furnace. The illustrated fluxless reflow furnace is continuous, and has an inlet at one end in the longitudinal direction and an outlet at the other end. The substrate entering from the entrance passes through the preheating zone while moving intermittently in the reflow furnace, and then enters the main heating zone, where soldering is performed. Then exit from the outlet after being cooled in the cooling zone.

従来のフラックスレス連続リフロー炉は、第1予備加熱ゾーンに入る前に減圧される。また、従来のフラックスレス連続リフロー炉は、第1予備加熱ゾーンの入り口の近傍にガス供給口を有し、このガス供給口からギ酸が第1予備加熱ゾーンに注入される。典型的にはフラックスレス連続リフロー炉の、第1、第2の予備加熱ゾーン及び本加熱ゾーン、そして冷却ゾーンは窒素ガスで満たされて、ほぼ大気圧状態が維持される。   A conventional fluxless continuous reflow furnace is depressurized before entering the first preheating zone. Further, the conventional fluxless continuous reflow furnace has a gas supply port in the vicinity of the entrance of the first preheating zone, and formic acid is injected into the first preheating zone from the gas supply port. Typically, the first and second preheating zones, the main heating zone, and the cooling zone of the fluxless continuous reflow furnace are filled with nitrogen gas to maintain a substantially atmospheric pressure state.

ギ酸は150℃から還元力を発揮することが知られていることから、第1及び第2予備加熱ゾーンでギ酸は還元力を発揮すると共にソルダペーストに含まれる溶剤(バインダ)が気化する。そして、本加熱ゾーンの加熱温度は、粉末半田が溶融する温度に設定されていることから、この本加熱ゾーンで半田付けが行われる。   Since formic acid is known to exhibit reducing power from 150 ° C., formic acid exhibits reducing power in the first and second preheating zones, and the solvent (binder) contained in the solder paste is vaporized. Since the heating temperature in the main heating zone is set to a temperature at which the powder solder melts, soldering is performed in the main heating zone.

本発明の目的は、半田粉末による半田付けを最適化することのできる半田付け方法及びフラックスレス連続リフロー炉を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a soldering method and a fluxless continuous reflow furnace that can optimize soldering with solder powder.

上記の技術的課題は、本発明の第1の観点によれば、
半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けする方法であって、
前記半田粉末が溶融する温度よりも低く且つ前記バインダが気化する温度以上の高い温度で前記電子部品を搭載した基板を加熱する予備加熱工程と、
該予備加熱工程に続いて、密閉室において前記電子部品と前記基板との間のガスを取り除くために真空引きするガス抜き工程と、
該ガス抜き工程の次に、前記密閉室に還元剤と不活性雰囲気ガスとを導入して該密閉室の圧力を上昇させて、前記電子部品と前記基板との間に前記還元剤を侵入させる還元ガス侵入工程と、
前記還元ガス侵入工程に続いて、前記密閉室において、前記半田粉末が溶融する温度まで該半田粉末を加熱する半田付け工程とを有することを特徴とする粉末半田を使った半田付け方法を提供することにより達成される。
The above technical problem is, according to the first aspect of the present invention,
A method of soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder,
A preheating step of heating the substrate on which the electronic component is mounted at a temperature lower than a temperature at which the solder powder melts and higher than a temperature at which the binder vaporizes;
Subsequent to the preheating step, a degassing step of evacuating the sealed chamber to remove gas between the electronic component and the substrate;
Next to the degassing step, a reducing agent and an inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber so that the reducing agent enters between the electronic component and the substrate. A reducing gas intrusion process;
There is provided a soldering method using powder solder, comprising: a soldering step of heating the solder powder to a temperature at which the solder powder melts in the sealed chamber following the reducing gas intrusion step. Is achieved.

上記の技術的課題は、本発明の第2の観点によれば、
半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けするためのフラックスレス連続リフロー炉であって、前記基板を予備的に加熱する予備加熱ゾーン及びこれに続く本加熱ゾーンを有するフラックスレス連続リフロー炉において、
前記予備加熱ゾーンが大気圧状態であり、該予備加熱ゾーンでは、半田粉末が溶融しない温度であって前記ソルダペーストのバインダが気化する温度に設定され、
該本加熱ゾーンは、開放状態と密閉状態とをとることのできる密閉室を有し、
該密閉室が、該密閉室を真空引きする減圧手段に接続され、
該密閉室には、該密閉室に通じる供給口を通じて還元剤と不活性雰囲気ガスが供給可能であり、
前記密閉室に前記基板を受け取った後に該密閉室を真空引きし、次いで、該密閉室に前記還元剤を供給すると共に該還元剤と一緒又は該還元剤よりも前又は該還元剤よりも後に前記不活性雰囲気ガスを前記密閉室に供給して該密閉室の圧力を上昇させ、
該密閉室において前記半田粉末を加熱することを特徴とするフラックスレス連続リフロー炉を提供することにより達成される。
The above technical problem is, according to the second aspect of the present invention,
A fluxless continuous reflow furnace for soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder, the preheating zone for preheating the substrate, and a main heating zone following the preheating zone In a fluxless continuous reflow furnace with
The preheating zone is in an atmospheric pressure state, the preheating zone is set to a temperature at which the solder powder does not melt and the solder paste binder is vaporized,
The main heating zone has a sealed chamber capable of taking an open state and a sealed state,
The sealed chamber is connected to a decompression means for evacuating the sealed chamber;
The closed chamber can be supplied with a reducing agent and an inert atmosphere gas through a supply port leading to the closed chamber,
After the substrate is received in the sealed chamber, the sealed chamber is evacuated, and then the reducing agent is supplied to the sealed chamber and together with the reducing agent or before or after the reducing agent. Supplying the inert gas to the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber;
This is achieved by providing a fluxless continuous reflow furnace characterized in that the solder powder is heated in the sealed chamber.

本発明の他の目的及び本発明の作用効果は、次に説明する本発明の好ましい実施形態の詳しい説明から明らかになろう。   Other objects and operational effects of the present invention will become apparent from the following detailed description of the preferred embodiments of the present invention.

実施例の連続式フラックスレスリフロー炉の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the continuous-type fluxless reflow furnace of an Example. 図1に図示のリフロー炉での各ゾーン及び密閉室の圧力状態及び温度状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the pressure state and temperature state of each zone and sealed chamber in the reflow furnace shown in FIG. 図1に図示のリフロー炉での各ゾーン及び密閉室の圧力状態及び温度状態の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the pressure state and temperature state of each zone and sealed chamber in the reflow furnace shown in FIG. 予備加熱工程での処理の作用説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the process in a preheating process. 密閉室での処理の作用説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the process in a sealed chamber. 従来のフラックスレス連続リフロー炉での各ゾーン及び密閉室の圧力状態及び温度状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the pressure state and temperature state of each zone and sealed room in the conventional fluxless continuous reflow furnace.

以下に、添付の図面に基づいて本発明の好ましい実施例を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は実施例のフラックスレスリフロー炉1を示す。図示のフラックスレスリフロー炉1は連続式リフロー炉である。フラックスレスリフロー炉1は、図1に示されているように、ワーク搬送方向に区画された直列に並んだ複数のゾーンを有する。以下の説明では、フラックスレスリフロー炉1を「リフロー炉」又は「炉」と呼ぶ。具体的には、リフロー炉1は、ワーク搬送方向に順に、図面右側に位置する第1、第2の2つの予備加熱ゾーン2A、2Bと、図面中央に位置する本加熱ゾーン3と、図面左側に位置する1つの冷却ゾーン4を有する。本加熱ゾーン3は、その内部に密閉室5を有している。   FIG. 1 shows a fluxless reflow furnace 1 of the embodiment. The illustrated fluxless reflow furnace 1 is a continuous reflow furnace. As shown in FIG. 1, the fluxless reflow furnace 1 has a plurality of zones arranged in series that are partitioned in the workpiece conveyance direction. In the following description, the fluxless reflow furnace 1 is referred to as “reflow furnace” or “furnace”. Specifically, the reflow furnace 1 includes, in order in the workpiece transfer direction, first and second preheating zones 2A and 2B located on the right side of the drawing, a main heating zone 3 located in the center of the drawing, and a left side of the drawing. One cooling zone 4. The main heating zone 3 has a sealed chamber 5 therein.

参照符号6は、各室を仕切る仕切壁である。リフロー炉1内の各ゾーン2A、2B、3、4では、雰囲気ガスとして、半田の酸化を防止するために不活性ガス(本実施形態では窒素ガス)が循環される。   Reference numeral 6 is a partition wall for partitioning each chamber. In each of the zones 2A, 2B, 3, and 4 in the reflow furnace 1, an inert gas (nitrogen gas in the present embodiment) is circulated as an atmospheric gas to prevent solder oxidation.

プリント配線基板7(以下、単に「基板」という。)は、リフロー炉1内を間欠的に搬送される。この基板7には半田粉末、溶剤(バインダ)を含むソルダペーストを介して電子部品が搭載されている。第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2B、本加熱ゾーン3、冷却ゾーン4に順次送り込まれた基板7は、各ゾーンで所定時間、滞在する。   The printed wiring board 7 (hereinafter simply referred to as “substrate”) is intermittently conveyed in the reflow furnace 1. Electronic components are mounted on the substrate 7 via a solder paste containing solder powder and a solvent (binder). The substrate 7 sequentially fed into the first and second preheating zones 2A and 2B, the main heating zone 3 and the cooling zone 4 stays in each zone for a predetermined time.

本加熱ゾーン3の密閉室5は上下に分割された上側筐体5Aと下側筐体5Bとを有する。下側筐体5Bは本加熱ゾーン3に固定されている。他方、上側筐体5Aはアクチュエータ、具体的にはシリンダ装置(図示せず)によって上下に移動可能である。   The sealed chamber 5 of the main heating zone 3 has an upper housing 5A and a lower housing 5B which are divided into upper and lower portions. The lower housing 5B is fixed to the main heating zone 3. On the other hand, the upper housing 5A can be moved up and down by an actuator, specifically, a cylinder device (not shown).

密閉室5は、上側筐体5Aが下降して下側筐体5Bに密接する密閉状態と、上側筐体5Aが上昇した開放状態の2つの状態をとることができる。密閉室5は、上側筐体5Aが上昇した開放状態で、密閉室5に対する基板7の出し入れが行われる。第2予備加熱ゾーン2Bから密閉室5に基板7が送り込まれると、上側筐体5Aが下降して密閉室5は密閉状態になる。そして、この密閉室5での処理が完了すると、上側筐体5Aが上昇して密閉室5は開放状態となり、この密閉室5内で処理された基板7が密閉室5から取り出される。密閉室5から取り出された基板7は、次の冷却ゾーン4に搬送される。   The sealed chamber 5 can take two states: a sealed state in which the upper housing 5A is lowered and in close contact with the lower housing 5B, and an open state in which the upper housing 5A is lifted. In the sealed chamber 5, the substrate 7 is taken in and out of the sealed chamber 5 with the upper housing 5 </ b> A raised. When the substrate 7 is fed into the sealed chamber 5 from the second preheating zone 2B, the upper housing 5A is lowered and the sealed chamber 5 is sealed. When the processing in the sealed chamber 5 is completed, the upper housing 5A is raised and the sealed chamber 5 is opened, and the substrate 7 processed in the sealed chamber 5 is taken out from the sealed chamber 5. The substrate 7 taken out from the sealed chamber 5 is transferred to the next cooling zone 4.

冷却ゾーン4では、冷却装置8により基板7が一定時間冷却されて、これにより半田が固化される。基板7はその後、冷却ゾーン4から炉1の出口12を通って外部に搬出される。   In the cooling zone 4, the substrate 7 is cooled for a certain time by the cooling device 8, thereby solidifying the solder. Thereafter, the substrate 7 is unloaded from the cooling zone 4 through the outlet 12 of the furnace 1.

リフロー炉1内での加熱について、再度、説明すると、基板7は炉1の入口11から、先ず、最初の第1予備加熱ゾーン2Aに搬送される。この第1の予備加熱ゾーン2Aでは、ヒータ14で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されており、この不活性雰囲気ガス(N2ガス)によって一定時間、基板7が加熱される。 The heating in the reflow furnace 1 will be described again. The substrate 7 is first transferred from the inlet 11 of the furnace 1 to the first first preheating zone 2A. In the first preheating zone 2A, an inert atmosphere gas (N 2 gas) heated by the heater 14 is circulated, and the substrate 7 is heated by the inert atmosphere gas (N 2 gas) for a certain period of time. The

基板7は、次に第2予備加熱ゾーン2Bに送られ、この第2の予備加熱ゾーン2Bでも、ヒータ15で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されており、この不活性雰囲気ガス(N2ガス)によって一定時間加熱される。勿論、第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2Bでの加熱方法として、熱風(不活性雰囲気ガス)による加熱方法に限られず、遠赤外線加熱(輻射熱)や熱プレート(伝導)よる加熱方法又はこれらの組み合わせによる加熱方法を採用してもよい。 The substrate 7 is then sent to the second preheating zone 2B, and the inert gas (N 2 gas) heated by the heater 15 is also circulated in the second preheating zone 2B. It is heated for a certain period of time by atmospheric gas (N 2 gas). Of course, the heating method in the first and second preheating zones 2A and 2B is not limited to the heating method using hot air (inert atmosphere gas), or the heating method using far infrared heating (radiant heat) or heat plate (conduction) or You may employ | adopt the heating method by these combination.

基板7は次に、本加熱ゾーン3に送られる。この本加熱ゾーン3はヒータ16で加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が循環されている。また、密閉室5にもヒータ17が配置され、このヒータ17によって加熱された不活性雰囲気ガス(N2ガス)が密閉室5で循環される。密閉室5に収容された基板7の半田粉末は、この密閉室5の中で溶融状態になる。勿論、密閉室5での加熱方法として、熱風(不活性雰囲気ガス)による加熱方法に限られず、遠赤外線加熱(輻射熱)や熱プレート(伝導)よる加熱方法又はこれらの組み合わせによる加熱方法を採用してもよい。 The substrate 7 is then sent to the main heating zone 3. In the main heating zone 3, an inert atmosphere gas (N 2 gas) heated by the heater 16 is circulated. A heater 17 is also disposed in the sealed chamber 5, and an inert atmosphere gas (N 2 gas) heated by the heater 17 is circulated in the sealed chamber 5. The solder powder of the substrate 7 accommodated in the sealed chamber 5 is in a molten state in the sealed chamber 5. Of course, the heating method in the sealed chamber 5 is not limited to a heating method using hot air (inert atmosphere gas), but a heating method using far infrared heating (radiant heat), a heating plate (conduction), or a combination thereof is adopted. May be.

密閉室5は、この密閉室5内の圧力を下げるために減圧手段(この実施例では真空源)に通じており、密閉室5内をほぼ真空状態まで減圧することができる。また、密閉室5はガス供給口18を有し、このガス供給口18を通じて、不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとして還元剤であるギ酸を密閉室5内に供給することができる。 The sealed chamber 5 communicates with a decompression means (a vacuum source in this embodiment) in order to lower the pressure in the sealed chamber 5, and the inside of the sealed chamber 5 can be decompressed to a substantially vacuum state. The sealed chamber 5 has a gas supply port 18, and formic acid as a reducing agent can be supplied into the sealed chamber 5 through the gas supply port 18 using an inert atmosphere gas (N 2 gas) as a carrier gas. .

図2は、リフロー炉1の温度プロファイル及び炉1内の第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2B、密閉室5、冷却ゾーン4の圧力制御を説明するための図である。リフロー炉1の入口11から第2予備加熱ゾーン2Bまでほぼ大気圧状態が維持される。   FIG. 2 is a diagram for explaining the temperature control of the reflow furnace 1 and the pressure control of the first and second preheating zones 2A and 2B, the sealed chamber 5, and the cooling zone 4 in the furnace 1. A substantially atmospheric pressure state is maintained from the inlet 11 of the reflow furnace 1 to the second preheating zone 2B.

密閉室5は、基板7を受け入れて密閉状態になると減圧され、ほぼ真空状態になる。また、密閉室5内のヒータ17がONされる。この真空状態を生成した直後又は真空状態を例えば数秒乃至数分間、継続した後に、不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとしてギ酸(HCOOH)が密閉室5内に充填される。これにより、密閉室5内の圧力はこの実施例では70KPaまで一気に上昇する。この不活性雰囲気ガスは、基板7と電子部品22との間に介在する半田粉末24を加熱するための熱媒体として機能する。したがって、密閉室5に充填する不活性雰囲気ガスの量は、経済性を念頭に置いて不活性雰囲気ガスが熱媒体として機能するのに足りる量が設定される。これを密閉室5の圧力状態で説明すれば、好ましくは25KPa〜110KPaである。密閉室5の圧力状態を大気圧(100KPa)よりも低圧(負圧)にするのが不活性雰囲気ガスやギ酸(還元ガス)の外部への漏れを抑制し易い。「負圧」の具体例としては、60KPa〜90KPa、好ましくは65〜85KPaである。勿論、密閉室5の圧力状態を大気圧(100KPa)又は大気圧よりも高圧(正圧)にすることで、半田粉末の間に還元ガスが入り込み易くなる。 When the sealed chamber 5 receives the substrate 7 and is in a sealed state, the sealed chamber 5 is depressurized and almost in a vacuum state. Further, the heater 17 in the sealed chamber 5 is turned on. Immediately after the vacuum state is generated or after the vacuum state is continued for several seconds to several minutes, formic acid (HCOOH) is filled in the sealed chamber 5 using an inert atmosphere gas (N 2 gas) as a carrier gas. Thereby, the pressure in the sealed chamber 5 rises at once to 70 KPa in this embodiment. This inert atmosphere gas functions as a heat medium for heating the solder powder 24 interposed between the substrate 7 and the electronic component 22. Accordingly, the amount of the inert atmosphere gas filled in the sealed chamber 5 is set to an amount sufficient for the inert atmosphere gas to function as a heat medium in consideration of economy. If this is described in the pressure state of the sealed chamber 5, it is preferably 25 to 110 KPa. Setting the pressure state of the sealed chamber 5 to a pressure (negative pressure) lower than the atmospheric pressure (100 KPa) can easily suppress leakage of the inert atmosphere gas and formic acid (reducing gas) to the outside. Specific examples of the “negative pressure” are 60 KPa to 90 KPa, preferably 65 to 85 KPa. Of course, when the pressure state of the sealed chamber 5 is set to atmospheric pressure (100 KPa) or higher than atmospheric pressure (positive pressure), the reducing gas easily enters between the solder powders.

上記の処理により、先ず、密閉室5をほぼ真空状態まで減圧することにより、大気圧状態の予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)が電子部品22と基板7との間から強制的に吸い出され、この電子部品22と基板7との間は負圧状態になる。次いで、密閉室5内に不活性雰囲気ガス(N2ガス)をキャリアガスとしたギ酸(HCOOH)が導入され、これにより密閉室5内の圧力が大気圧に近い圧力状態まで急上昇することにより、電子部品22と基板7との間にギ酸(HCOOH)が吸い込まれる。つまり、密閉室5を先ず真空状態まで減圧し、次に、ギ酸を密閉室5に導入すると共に不活性雰囲気ガス(N2ガス)で密閉室5の圧力を急上昇させることで、予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)が密閉室5においてギ酸に強制的に置換される。 By the above process, first, the sealed chamber 5 is depressurized to a substantially vacuum state, so that the solvent (binder) gasified in the preheating zones 2A and 2B in the atmospheric pressure state is forced from between the electronic component 22 and the substrate 7. The electronic component 22 and the substrate 7 are in a negative pressure state. Next, formic acid (HCOOH) using an inert atmosphere gas (N 2 gas) as a carrier gas is introduced into the sealed chamber 5, whereby the pressure in the sealed chamber 5 rapidly rises to a pressure state close to atmospheric pressure, Formic acid (HCOOH) is sucked between the electronic component 22 and the substrate 7. That is, the pressure in the sealed chamber 5 is first reduced to a vacuum state, and then the formic acid is introduced into the sealed chamber 5 and the pressure in the sealed chamber 5 is rapidly increased with an inert atmosphere gas (N 2 gas). The solvent (binder) gasified in 2B is forcibly replaced with formic acid in the sealed chamber 5.

密閉室5を減圧した後の操作の変形例として、先ず、不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に導入し、次いで、気化したギ酸を密閉室5に導入するようにしてもよい。他の変形例として、先ず、気化したギ酸を密閉室5に導入し、次いで不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に導入してもよい。 As a modification of the operation after decompressing the sealed chamber 5, first, an inert atmosphere gas (N 2 gas) may be introduced into the sealed chamber 5, and then vaporized formic acid may be introduced into the sealed chamber 5. . As another modification, first, vaporized formic acid may be introduced into the sealed chamber 5, and then an inert atmosphere gas (N 2 gas) may be introduced into the sealed chamber 5.

密閉室5は不活性雰囲気ガスが循環しており、そして、この不活性雰囲気ガスの温度が、半田が溶融する温度に設定されている。この温度は150℃以上であることから、密閉室5に充填したギ酸は直ちに還元力を発揮する。   An inert atmosphere gas circulates in the sealed chamber 5, and the temperature of the inert atmosphere gas is set to a temperature at which the solder melts. Since this temperature is 150 ° C. or higher, formic acid filled in the sealed chamber 5 immediately exhibits a reducing power.

上述した還元剤としてギ酸(HCOOH)を用いたウェットケミカル還元方式に代えて、還元ガスである水素ガス(H2)を用いたガス還元方式を採用してもよい。 Instead of the wet chemical reduction method using formic acid (HCOOH) as the reducing agent, a gas reduction method using hydrogen gas (H 2 ) as a reducing gas may be employed.

不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5内に供給して密閉室5内の圧力を大気圧に近い70KPaまで急上昇させることで、ソルダペースト中のガス化した溶剤(バインダ)はギ酸に強制的に置換される。勿論、加熱した不活性雰囲気ガスによって密閉室5の中で半田粉末も加熱され、半田粉末は溶融する。 By supplying an inert atmosphere gas (N 2 gas) into the sealed chamber 5 and rapidly increasing the pressure in the sealed chamber 5 to 70 KPa close to atmospheric pressure, the gasified solvent (binder) in the solder paste is converted into formic acid. Forced replacement. Of course, the solder powder is also heated in the sealed chamber 5 by the heated inert atmosphere gas, and the solder powder is melted.

図3を参照して、密閉室5の上記の制御の変形例を説明すると、密閉室5での加熱によって半田粉末が溶け出した後に第2回目の減圧を行って密閉室5を再び真空状態にしてもよい。この第2回目の減圧によって半田のボイドの発生を抑制することができる。この第2回目の減圧を行ったら、次に再び不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5内に供給するのがよい。この不活性雰囲気ガスは密閉室5の中で循環される。 With reference to FIG. 3, a modified example of the above-described control of the sealed chamber 5 will be described. After the solder powder is melted by the heating in the sealed chamber 5, the second decompression is performed to evacuate the sealed chamber 5 again. It may be. This second decompression can suppress the generation of solder voids. After the second decompression, the inert atmosphere gas (N 2 gas) is preferably supplied again into the sealed chamber 5. This inert atmosphere gas is circulated in the sealed chamber 5.

図4は半田粉末による半田付けの準備工程を説明するための図である。図4の(I)は、ソルダペースト20を介して電子部品22を搭載した基板7を示す。ソルダペースト20は半田粉末24と溶剤(バインダ)26とを含む。図4の(II)は、溶剤(バインダ)26を気化させる工程を示す。気化した溶剤(バインダ)をドットで図示すると共に参照符号26Gで示してある。この図4の(II)の状態つまり溶剤26の気化は第1、第2の予備加熱ゾーン2A、2Bで発生する。   FIG. 4 is a view for explaining a preparation process for soldering with solder powder. FIG. 4I shows the substrate 7 on which the electronic component 22 is mounted via the solder paste 20. The solder paste 20 includes a solder powder 24 and a solvent (binder) 26. FIG. 4 (II) shows a step of vaporizing the solvent (binder) 26. The vaporized solvent (binder) is indicated by dots and indicated by reference numeral 26G. The state of (II) in FIG. 4, that is, the vaporization of the solvent 26 occurs in the first and second preheating zones 2A and 2B.

予備加熱ゾーン2A、2Bでの予備加熱によってガス化した溶剤26Gを電子部品22と基板7との間から強制的に除去するために、上述したように密閉室5を先ず真空状態まで減圧するガス抜き工程が実行される。次いで、ギ酸と共に又はギ酸よりも前に又はギ酸よりも後に不活性雰囲気ガスを密閉室5の中に充填することにより、密閉室5内の圧力を一気に、この実施例では例えば70KPaまで上昇することにより電子部品22と基板7との間に還元剤(この実施例ではギ酸)が流入する還元ガス侵入工程が実行される。この還元ガス侵入工程はギ酸が還元作用を行う温度以上の温度で実行される。次いで、密閉室5の中で、電子部品22と基板7との間に存在する半田粉末24が溶融する温度で当該半田粉末24を加熱する半田付け工程が実行される。   In order to forcibly remove the solvent 26G gasified by the preheating in the preheating zones 2A and 2B from between the electronic component 22 and the substrate 7, as described above, the gas that first depressurizes the sealed chamber 5 to a vacuum state. A punching process is performed. Next, the pressure in the sealed chamber 5 is increased at once, for example, up to 70 KPa in this embodiment, by filling the sealed chamber 5 with an inert atmosphere gas together with formic acid or before or after formic acid. Thus, a reducing gas intrusion step in which a reducing agent (formic acid in this embodiment) flows between the electronic component 22 and the substrate 7 is executed. This reducing gas intrusion step is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which formic acid performs the reducing action. Next, in the sealed chamber 5, a soldering process is performed in which the solder powder 24 is heated at a temperature at which the solder powder 24 existing between the electronic component 22 and the substrate 7 is melted.

すなわち、予備加熱ゾーン2A、2Bで溶剤(バインダ)26を気化させ、そして、半田粉末24が溶融する温度で加熱する密閉室5を真空引きすることで、半田粉末24が溶け出す前に、基板7と電子部品22との間から気化した溶剤(バインダ)26Gを強制的に抜き去る。これにより、基板7と電子部品22との間に存在する半田粉末24の間のガス化した溶剤(バインダ)26Gが除去され、半田粉末24の間に空所28(図5の(II))が生成される。次いで、密閉室5にギ酸30を充填すると共に不活性雰囲ガスを導入して密閉室5の圧力を大気圧に近い圧力状態まで急上昇させることで、上記の負圧の空所28にギ酸30が一気に侵入する。すなわち、予備加熱ゾーン2A、2Bでガス化した溶剤(バインダ)26Gがギ酸によって強制的に置換される。そして、半田粉末24が溶け出す。   That is, the solvent (binder) 26 is vaporized in the preheating zones 2A and 2B, and the sealed chamber 5 heated at a temperature at which the solder powder 24 is melted is evacuated, so that the solder powder 24 is dissolved before 7 and the electronic component 22 are forcibly removed from the solvent (binder) 26G. As a result, the gasified solvent (binder) 26G between the solder powder 24 existing between the substrate 7 and the electronic component 22 is removed, and a void 28 ((II) in FIG. 5) is formed between the solder powders 24. Is generated. Next, the formic acid 30 is filled in the sealed chamber 5 and an inert atmosphere gas is introduced to rapidly increase the pressure in the sealed chamber 5 to a pressure state close to the atmospheric pressure. Invades at once. That is, the solvent (binder) 26G gasified in the preheating zones 2A and 2B is forcibly replaced by formic acid. Then, the solder powder 24 is melted.

図5は、密閉室5での処理を説明するための図である。前述したように、密閉室5は、基板7を受け入れると直ちにほぼ真空状態になるまで減圧される。このときの状態を図5の(I)、(II)に示す。前述した図4(II)に図示の溶剤ガス26Gが、密閉室5を真空状態まで減圧することで、基板7と電子部品22との間から抜き取られる(図5の(I))。その結果、基板7と電子部品22との間に残留する半田粉末24の間が空所28(真空状態)になる(図5の(II))。   FIG. 5 is a diagram for explaining the processing in the sealed chamber 5. As described above, when the closed chamber 5 is received, the sealed chamber 5 is immediately decompressed to a substantially vacuum state. The state at this time is shown in (I) and (II) of FIG. The solvent gas 26G shown in FIG. 4 (II) described above is extracted from between the substrate 7 and the electronic component 22 by reducing the pressure in the sealed chamber 5 to a vacuum state ((I) in FIG. 5). As a result, a space 28 (vacuum state) is formed between the solder powder 24 remaining between the substrate 7 and the electronic component 22 ((II) in FIG. 5).

次いで密閉室5にギ酸30を充填し、また、これと同時又はその前又はその後で不活性雰囲気ガス(N2ガス)を密閉室5に充填すると、密閉室5内の圧力が70KPaに急上昇し、密閉室5内に充填されたギ酸30が、半田粉末24の間の真空状態の空所28に一気に侵入する(図5の(III)、(IV))。空所28に侵入したギ酸30は直ちに還元力を発揮することになる。次いで、半田粉末24が溶け始める。 Next, when the closed chamber 5 is filled with formic acid 30, and at the same time, before or after that, the closed chamber 5 is filled with an inert atmosphere gas (N 2 gas), the pressure in the closed chamber 5 rapidly rises to 70 KPa. The formic acid 30 filled in the sealed chamber 5 enters the vacuum space 28 between the solder powders 24 at once ((III), (IV) in FIG. 5). The formic acid 30 that has entered the space 28 immediately exhibits a reducing power. Next, the solder powder 24 starts to melt.

図5を参照した以上の説明から、ギ酸による還元作用を必要とする要所が強制的にギ酸で置換されることが理解できるであろう。これにより半田粉末による半田付けを最適化することができる。   From the above description with reference to FIG. 5, it will be understood that the essential points requiring formic acid reduction are forcibly replaced with formic acid. Thereby, soldering with solder powder can be optimized.

本発明は、上記実施例で説明した連続式のリフロー炉に限定されずバッチ式のリフロー炉にも適用できる。   The present invention is not limited to the continuous reflow furnace described in the above embodiment, but can be applied to a batch reflow furnace.

1 フラックスレスリフロー炉
2A 第1の予備加熱ゾーン
2B 第2の予備加熱ゾーン
3 本加熱ゾーン
5 密閉室
7 プリント配線基板
17 密閉室内に配置したヒータ
18 ガス供給口(窒素ガス、ギ酸を密閉室に供給)
20 ソルダペースト
22 電子部品
24 半田粉末
26 溶剤(バインダ)
26G 予備加熱工程でガス化した溶剤(バインダ)
30 ギ酸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fluxless reflow furnace 2A 1st preheating zone 2B 2nd preheating zone 3 Main heating zone 5 Sealed chamber 7 Printed wiring board 17 Heater arrange | positioned in sealed chamber 18 Gas supply port (nitrogen gas and formic acid to sealed chamber Supply)
20 Solder paste 22 Electronic component 24 Solder powder 26 Solvent (binder)
26G Solvent gasified in the preheating process (binder)
30 formic acid

Claims (9)

半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けする方法であって、
前記半田粉末が溶融する温度よりも低く且つ前記バインダが気化する温度以上の高い温度で前記電子部品を搭載した基板を加熱する予備加熱工程と、
該予備加熱工程に続いて、密閉室において前記電子部品と前記基板との間のガスを取り除くために真空引きするガス抜き工程と、
該ガス抜き工程の次に、前記密閉室に還元剤と不活性雰囲気ガスとを導入して該密閉室の圧力を上昇させて、前記電子部品と前記基板との間に前記還元剤を侵入させる還元ガス侵入工程と、
前記還元ガス侵入工程に続いて、前記密閉室において、前記半田粉末が溶融する温度まで該半田粉末を加熱する半田付け工程とを有することを特徴とする粉末半田を使った半田付け方法。
A method of soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder,
A preheating step of heating the substrate on which the electronic component is mounted at a temperature lower than a temperature at which the solder powder melts and higher than a temperature at which the binder vaporizes;
Subsequent to the preheating step, a degassing step of evacuating the sealed chamber to remove gas between the electronic component and the substrate;
Next to the degassing step, a reducing agent and an inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber so that the reducing agent enters between the electronic component and the substrate. A reducing gas intrusion process;
A soldering method using powder solder, comprising: a soldering step of heating the solder powder to a temperature at which the solder powder melts in the sealed chamber following the reducing gas intrusion step.
前記半田付け方法がフラックスレス連続リフロー炉で行われ、
該フラックスレス連続リフロー炉が、大気圧状態の予備加熱ゾーンと、前記密閉室を備えた本加熱ゾーンとを有し、
前記予備加熱ゾーンで前記予備加熱工程が実行される、請求項1に記載の半田付け方法。
The soldering method is performed in a fluxless continuous reflow furnace,
The fluxless continuous reflow furnace has a preheating zone in an atmospheric pressure state and a main heating zone including the sealed chamber,
The soldering method according to claim 1, wherein the preheating step is performed in the preheating zone.
前記還元剤がギ酸であり、
該ギ酸が前記不活性雰囲気ガスと一緒に前記密閉室に導入される、請求項2に記載の半田付け方法。
The reducing agent is formic acid;
The soldering method according to claim 2, wherein the formic acid is introduced into the sealed chamber together with the inert atmosphere gas.
前記還元ガス侵入工程において、前記還元剤と前記不活性雰囲気ガスとを前記密閉室に導入したときの該密閉室の圧力が25KPa〜110KPaである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半田付け方法。   The pressure of the sealed chamber when the reducing agent and the inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber in the reducing gas intrusion step is 25 KPa to 110 KPa. Soldering method. 半田粉末とバインダとを含むソルダペーストを介して基板に電子部品を半田付けするためのフラックスレス連続リフロー炉であって、前記基板を予備的に加熱する予備加熱ゾーン及びこれに続く本加熱ゾーンを有するフラックスレス連続リフロー炉において、
前記予備加熱ゾーンが大気圧状態であり、該予備加熱ゾーンでは、半田粉末が溶融しない温度であって前記ソルダペーストのバインダが気化する温度に設定され、
該本加熱ゾーンは、開放状態と密閉状態とをとることのできる密閉室を有し、
該密閉室が、該密閉室を真空引きする減圧手段に接続され、
該密閉室には、該密閉室に通じる供給口を通じて還元剤と不活性雰囲気ガスが供給可能であり、
前記密閉室に前記基板を受け取った後に該密閉室を真空引きし、次いで、該密閉室に前記還元剤を供給すると共に該還元剤と一緒又は該還元剤よりも前又は該還元剤よりも後に前記不活性雰囲気ガスを前記密閉室に供給して該密閉室の圧力を上昇させ、
該密閉室において前記半田粉末を加熱することを特徴とするフラックスレス連続リフロー炉。
A fluxless continuous reflow furnace for soldering an electronic component to a substrate via a solder paste containing solder powder and a binder, the preheating zone for preheating the substrate, and a main heating zone following the preheating zone In a fluxless continuous reflow furnace with
The preheating zone is in an atmospheric pressure state, the preheating zone is set to a temperature at which the solder powder does not melt and the solder paste binder is vaporized,
The main heating zone has a sealed chamber capable of taking an open state and a sealed state,
The sealed chamber is connected to a decompression means for evacuating the sealed chamber;
The closed chamber can be supplied with a reducing agent and an inert atmosphere gas through a supply port leading to the closed chamber,
After the substrate is received in the sealed chamber, the sealed chamber is evacuated, and then the reducing agent is supplied to the sealed chamber and together with the reducing agent or before or after the reducing agent. Supplying the inert gas to the sealed chamber to increase the pressure in the sealed chamber;
A fluxless continuous reflow furnace, wherein the solder powder is heated in the sealed chamber.
前記密閉室に、前記還元剤が前記不活性雰囲気ガスと一緒に供給される、請求項5に記載のフラックスレス連続リフロー炉。   The fluxless continuous reflow furnace according to claim 5, wherein the reducing agent is supplied to the sealed chamber together with the inert atmosphere gas. 前記還元剤がギ酸である、請求項5又は6に記載のフラックスレス連続リフロー炉。   The fluxless continuous reflow furnace according to claim 5 or 6, wherein the reducing agent is formic acid. 前記密閉室内にヒータが設置され、
該密閉室内で前記不活性雰囲気ガスが循環される、請求項5〜7のいずれか一項に記載のフラックスレス連続リフロー炉。
A heater is installed in the sealed chamber,
The fluxless continuous reflow furnace according to any one of claims 5 to 7, wherein the inert atmosphere gas is circulated in the sealed chamber.
前記還元ガス侵入工程において、前記還元剤と前記不活性雰囲気ガスとを前記密閉室に導入したときの該密閉室の圧力が25KPa〜110KPaである、請求項5〜8のいずれか一項に記載のフラックスレス連続リフロー炉。   9. The pressure in the sealed chamber when the reducing agent and the inert atmosphere gas are introduced into the sealed chamber in the reducing gas intrusion step is 25 KPa to 110 KPa. 9. Fluxless continuous reflow furnace.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016203228A (en) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社ケーヒン Manufacturing method of power converter
KR20190077574A (en) * 2016-11-22 2019-07-03 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 Soldering method
WO2020069294A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 Boston Process Technologies, Inc. Multiple module chip manufacturing arrangement
CN113543514A (en) * 2020-04-15 2021-10-22 昆山达菲乐电子产品有限公司 Reflow furnace

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016203228A (en) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社ケーヒン Manufacturing method of power converter
KR20190077574A (en) * 2016-11-22 2019-07-03 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 Soldering method
KR102045186B1 (en) * 2016-11-22 2019-11-14 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 Soldering method
US20190373741A1 (en) * 2016-11-22 2019-12-05 Senju Metal Industry Co., Ltd. Soldering Method
US10645818B2 (en) 2016-11-22 2020-05-05 Senju Metal Industry Co., Ltd. Soldering method
EP3547809A4 (en) * 2016-11-22 2020-07-08 Senju Metal Industry Co., Ltd Soldering method
WO2020069294A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 Boston Process Technologies, Inc. Multiple module chip manufacturing arrangement
CN112789705A (en) * 2018-09-28 2021-05-11 波士顿制程技术有限公司 Multi-module chip manufacturing device
EP3857592A4 (en) * 2018-09-28 2022-07-13 Boston Process Technologies, Inc. Multiple module chip manufacturing arrangement
CN113543514A (en) * 2020-04-15 2021-10-22 昆山达菲乐电子产品有限公司 Reflow furnace

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