JP2015080038A - Piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関し、特に低コスト、低背及び小型を特徴とする圧電デバイスに関する。 The present invention relates to a piezoelectric device used in electronic equipment and the like, and more particularly to a piezoelectric device characterized by low cost, low profile, and small size.
近年、圧電デバイスは使用される電子機器の小型化に伴い、小型化及び低背化が求められ、さらには、低価格な製品の需要も増している。このため、圧電デバイスは、圧電振動片と集積素子との配置、配線方法、蓋体、または、基板の構造を変化させている。 In recent years, with the downsizing of electronic devices used for piezoelectric devices, miniaturization and low profile are demanded, and further, demand for low-priced products is increasing. For this reason, the piezoelectric device changes the arrangement of the piezoelectric vibrating piece and the integrated element, the wiring method, the lid, or the structure of the substrate.
特許文献１及び特許文献２の圧電デバイスは、いずれも圧電デバイスに内蔵する集積素子に圧電振動片を導電性接着剤で接続して片持ち支持している。特許文献１においては集積素子の下面（電極成形面）に接続している。特許文献２においては集積素子の上面（電極成形面の反対面）に接続し、その接続部は集積素子の端部と圧電振動片の端部で、互いの主面が離れるように接合されている。 In each of the piezoelectric devices of Patent Literature 1 and Patent Literature 2, a piezoelectric vibrating piece is connected to an integrated element built in the piezoelectric device with a conductive adhesive and cantilevered. In patent document 1, it connects with the lower surface (electrode molding surface) of an integrated element. In patent document 2, it connects with the upper surface (opposite surface of an electrode shaping | molding surface) of an integrated element, The connection part is joined so that a mutual mutual main surface may leave | separate with the edge part of an integrated element, and the edge part of a piezoelectric vibrating piece. Yes.
しかし、特許文献１の圧電デバイスは圧電振動片が集積素子の下面（電極成形面）の電極パット間に接続しているため、よい圧電振動を保つには、集積素子の電極パット間の面積を大きくする必要がある。そのため、集積素子の外形が大きくなり、ウェハー単位の取り数が減り、集積素子のコストが高くなる。 However, in the piezoelectric device of Patent Document 1, since the piezoelectric vibrating piece is connected between the electrode pads on the lower surface (electrode forming surface) of the integrated element, in order to maintain good piezoelectric vibration, the area between the electrode pads of the integrated element is reduced. It needs to be bigger. As a result, the outer shape of the integrated device is increased, the number of wafers taken is reduced, and the cost of the integrated device is increased.
特許文献２の圧電デバイスは集積素子の上面（電極成形面の反対面）の電極と基板の電極とをワイヤボンディングで接続するために、集積素子と圧電振動片との主面を離すよう形成する必要がある。このため、圧電デバイスの外形を小さくするのが困難である。
そこで本発明は、小型で低背な外形の圧電デバイスを低コストで提供する。
The piezoelectric device of Patent Document 2 is formed so that the main surfaces of the integrated element and the piezoelectric vibrating piece are separated in order to connect the electrode on the upper surface (opposite surface of the electrode forming surface) of the integrated element and the electrode of the substrate by wire bonding. There is a need. For this reason, it is difficult to reduce the outer shape of the piezoelectric device.
Accordingly, the present invention provides a piezoelectric device having a small and low profile at a low cost.
第１の観点の圧電デバイスは、第１面とこの第１面の反対側の第２面とを有し、所定の周波数で振動する圧電振動片と、圧電振動片を搭載するための電極パッドを第３面に有するとともに、第３面の反対側の第４面に端子を有し、圧電振動片を発振させる発振回路又は圧電振動片の周囲の温度を計測するサーミスタを内蔵し絶縁体で覆われた集積回路素子と、配線が形成された第５面に集積回路素子を搭載するとともに、第５面の反対側の第６面に外部端子を有し、第５面から第６面方向に見て長方形状配線基板と、圧電振動片及び集積回路素子を気密封止する箱形状の蓋体と、を備える。そして集積回路素子は、第４面の端子から第３面の電極パッドに導通する貫通電極を有し、圧電振動片と電極パッドとは導電体で固定されている。 A piezoelectric device according to a first aspect has a first surface and a second surface opposite to the first surface, vibrates at a predetermined frequency, and an electrode pad for mounting the piezoelectric resonator element On the third surface and a terminal on the fourth surface opposite to the third surface, and an oscillation circuit that oscillates the piezoelectric vibrating piece or a thermistor that measures the temperature around the piezoelectric vibrating piece is built in as an insulator. The integrated circuit element is mounted on the covered integrated circuit element and the fifth surface on which the wiring is formed, and has an external terminal on the sixth surface opposite to the fifth surface, and the fifth surface to the sixth surface direction. And a box-shaped lid that hermetically seals the piezoelectric vibrating piece and the integrated circuit element. The integrated circuit element has a through electrode that conducts from the terminal on the fourth surface to the electrode pad on the third surface, and the piezoelectric vibrating piece and the electrode pad are fixed by a conductor.
第２の観点の圧電デバイスは、第１の観点に記載の圧電デバイスにおいて、配線基板が、第５面と第６面とをつなぐ側面に圧電振動片の振動を検査する検査端子を有する。 A piezoelectric device according to a second aspect is the piezoelectric device according to the first aspect, wherein the wiring board has an inspection terminal for inspecting vibration of the piezoelectric vibrating piece on a side surface connecting the fifth surface and the sixth surface.
第３の観点の圧電デバイスは、第１の観点又は第２の観点に記載の圧電デバイスにおいて、集積回路素子が、第３面から第４面方向に見て長方形状であり、第３面の電極パッドは、長方形の片側に並んで形成される。 A piezoelectric device according to a third aspect is the piezoelectric device according to the first aspect or the second aspect, wherein the integrated circuit element is rectangular when viewed from the third surface to the fourth surface, The electrode pads are formed side by side on a rectangular side.
第４の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第３の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、蓋体が金属材料で且つ外側に伸びるフランジが形成されている。そして配線基板はセラミック材料で形成されており、第５面の周囲には枠状のシールリングが形成され、フランジとシールリングとがシーム溶接により封止されている。 The piezoelectric device according to a fourth aspect is the piezoelectric device according to any one of the first to third aspects, wherein the lid is made of a metal material and has a flange extending outward. The wiring board is made of a ceramic material, a frame-shaped seal ring is formed around the fifth surface, and the flange and the seal ring are sealed by seam welding.
第５の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第３の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、蓋体が金属材料で形成されており、配線基板がセラミック材料で形成されており、金属材料の蓋体の縁部と前記セラミック材料の配線基板とがガラス又は樹脂からなる封止材で封止されている。 A piezoelectric device according to a fifth aspect is the piezoelectric device according to any one of the first to third aspects, wherein the lid is made of a metal material and the wiring board is made of a ceramic material. The edge of the lid made of a metal material and the wiring board made of the ceramic material are sealed with a sealing material made of glass or resin.
第６の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第４の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、第５面の配線と第６面の外部端子とが、貫通配線で接続されている。 A piezoelectric device according to a sixth aspect is the piezoelectric device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the wiring on the fifth surface and the external terminal on the sixth surface are through wiring. It is connected.
本発明の圧電デバイスによれば、小型で低背な外形の圧電デバイスを低コストで提供することができる。 According to the piezoelectric device of the present invention, a small and low profile piezoelectric device can be provided at low cost.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各実施形態において、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each embodiment, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(First embodiment)
第１実施形態は図１から図５を使用して説明する。図１は本発明の実施形態にかかる圧電デバイス１００の分解斜視図である。図１では圧電デバイス１００の構成が分かりやすいよう蓋体４０及び圧電振動片１０を離して図示している。図２（ａ）は集積回路素子２０の上面を図示してある。図２（ｂ）は集積回路素子２０の下面を図示してある。図３（ａ）は基板３０の上面を図示してある。図３（ａ）の破線で示した領域は説明し易いように、その上部に載置される圧電振動片１０、集積回路素子２０、及びその接続端子２１の位置を示している。図３（ｂ）は基板３０の下面を図示してある。図４は図３（ａ）の基板３０におけるＡ−Ａ断面の圧電デバイス１００を示した図である。図５は図３（ａ）の基板３０におけるＢ−Ｂ断面の圧電デバイス１００を示した図である。 The first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 100 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the lid 40 and the piezoelectric vibrating piece 10 are separated from each other so that the configuration of the piezoelectric device 100 can be easily understood. FIG. 2A illustrates the upper surface of the integrated circuit element 20. FIG. 2B illustrates the lower surface of the integrated circuit element 20. FIG. 3A illustrates the upper surface of the substrate 30. For easy explanation, the area indicated by the broken line in FIG. 3A shows the positions of the piezoelectric vibrating piece 10, the integrated circuit element 20, and the connection terminal 21 placed thereon. FIG. 3B illustrates the lower surface of the substrate 30. FIG. 4 is a view showing the piezoelectric device 100 taken along the line AA of the substrate 30 in FIG. FIG. 5 is a view showing the piezoelectric device 100 in the BB cross section of the substrate 30 in FIG.
図１に示されるように、圧電デバイス１００は、圧電振動片１０と集積回路素子２０とを配置して保持する基板３０と、基板３０に配置保持した圧電振動片１０と集積回路素子２０とを気密封止する蓋体４０と、で構成している。 As shown in FIG. 1, the piezoelectric device 100 includes a substrate 30 on which the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 20 are arranged and held, and the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 20 arranged and held on the substrate 30. And a lid 40 hermetically sealed.
圧電デバイス１００の製造は、例えばシート上に複数の圧電デバイス１００を形成していくシート工法により形成される。シート工法では、まず、セラミック材料等で構成され複数の基板３０が連結して形成されたシート（不図示）の各基板３０上に集積回路素子２０を配置し、さらにその上に圧電振動片１０を重ねて配置して電気的に接続する。その後、圧電デバイス１００は蓋体４０が圧電振動片１０と集積回路素子２０とを覆うように配置し、内部を気密にして封止する。最後に、シートが切断されて、個々の圧電デバイス１００に分割される。 The piezoelectric device 100 is manufactured by, for example, a sheet method in which a plurality of piezoelectric devices 100 are formed on a sheet. In the sheet construction method, first, the integrated circuit element 20 is arranged on each substrate 30 of a sheet (not shown) made of a ceramic material or the like and formed by connecting a plurality of substrates 30, and the piezoelectric vibrating piece 10 is further formed thereon. Are stacked and electrically connected. Thereafter, the piezoelectric device 100 is disposed so that the lid 40 covers the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 20, and the inside is hermetically sealed. Finally, the sheet is cut and divided into individual piezoelectric devices 100.
圧電振動片１０は、例えば厚みすべり振動のＡＴカットの水晶片からなり、平面視で矩形状の一枚平板に切りだされている。水晶のみならず、例えばタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなど又は圧電セラミックを含む圧電材を使用することもできる。この圧電振動片１０の両主面には、それぞれ振動を励振する励振電極１１と、接続電極１２と、励振電極１１から接続電極１２まで引き出す引出電極１３とが成形されている。圧電振動片１０の励振電極１１、接続電極１２及び引出電極１３は、真空蒸着法やスパッタリング法により成形する。 The piezoelectric vibrating piece 10 is made of, for example, an AT-cut crystal piece of thickness-shear vibration, and is cut into a single rectangular plate in plan view. Not only quartz, but also piezoelectric materials including, for example, lithium tantalate and lithium niobate, or piezoelectric ceramics can be used. On both main surfaces of the piezoelectric vibrating piece 10, an excitation electrode 11 that excites vibration, a connection electrode 12, and an extraction electrode 13 that leads from the excitation electrode 11 to the connection electrode 12 are formed. The excitation electrode 11, the connection electrode 12, and the extraction electrode 13 of the piezoelectric vibrating piece 10 are formed by a vacuum deposition method or a sputtering method.
２個の接続電極１２ａ、１２ｂの片面は、その下部に配置した集積回路素子２０の上面に成形された一対の第１貫通電極２２（図２、図４を参照）に対して電気的に接合する。 One side of the two connection electrodes 12a and 12b is electrically bonded to a pair of first through electrodes 22 (see FIGS. 2 and 4) formed on the upper surface of the integrated circuit element 20 disposed below the connection electrodes 12a and 12b. To do.
圧電振動片１０の接続電極１２は、図面の−Ｙ軸方向の端部に成形され、後述する集積回路素子２０の−Ｙ軸方向の端部に成形された第１貫通電極２２に接合する。接続電極１２と第１貫通電極２２との電気的な接続は、第１貫通電極２２に第１導電体Ｄ１としての導電性接着剤（図４を参照）を盛り付け、その上に接続電極１２を載置し、熱処理することで圧電振動片１０を固定する。これにより、圧電振動片１０はＹ軸方向で片持ち支持される。圧電振動片１０は下部に配置した集積回路素子２０の全面を覆う。 The connection electrode 12 of the piezoelectric vibrating piece 10 is formed at the end portion in the −Y axis direction of the drawing, and is joined to the first through electrode 22 formed at the end portion in the −Y axis direction of the integrated circuit element 20 described later. The electrical connection between the connection electrode 12 and the first through electrode 22 is performed by placing a conductive adhesive (see FIG. 4) as the first conductor D1 on the first through electrode 22 and placing the connection electrode 12 thereon. The piezoelectric vibrating piece 10 is fixed by mounting and heat treatment. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 10 is cantilevered in the Y-axis direction. The piezoelectric vibrating piece 10 covers the entire surface of the integrated circuit element 20 disposed below.
また、第１導電体Ｄ１は、導電性シリコン系樹脂、導電性ウレタン系樹脂などである。第１導電体Ｄ１は、Ａｕなどの金属バンプ、ＡｕもしくはＡｕ−Ｓｎ合金、半田等の金属から成るロウ材であってもよい。 The first conductor D1 is a conductive silicon resin, a conductive urethane resin, or the like. The first conductor D1 may be a brazing material made of a metal bump such as Au, a metal such as Au or Au—Sn alloy, or solder.
集積回路素子２０は、絶縁膜により保護されており、一対の第１貫通電極２２ａ及び第１貫通電極２２ｂのみが導体として上面に現れている。第１貫通電極２２ａ及び第１貫通電極２２ｂは、集積回路素子２０の上面の−Ｙ軸側の端部から、集積回路素子２０の上面の貫通位置２２ｅ及び貫通位置２２ｆを通って−Ｚ軸方向に集積回路素子２０を貫通して伸び、集積回路素子２０の下面に形成される接続端子２１ｅ及び接続端子２１ｆ（図２（ｂ）参照）に電気的に接続されている。集積回路素子２０は、ベアチップの場合には、一対の第１貫通電極２２以外は上面が絶縁シート等で覆われる。集積回路素子２０は、平面視で矩形状の直方体に成形された１チップ素子である。 The integrated circuit element 20 is protected by an insulating film, and only the pair of first through electrodes 22a and first through electrodes 22b appear on the upper surface as conductors. The first through-electrode 22a and the first through-electrode 22b pass from the end portion on the −Y axis side of the upper surface of the integrated circuit element 20 through the through position 22e and the through position 22f on the upper surface of the integrated circuit element 20 in the −Z axis direction. The connection terminal 21e and the connection terminal 21f (see FIG. 2B) formed on the lower surface of the integrated circuit element 20 are electrically connected to each other. When the integrated circuit element 20 is a bare chip, the upper surface except the pair of first through electrodes 22 is covered with an insulating sheet or the like. The integrated circuit element 20 is a one-chip element molded into a rectangular parallelepiped in plan view.
集積回路素子２０内には、周囲の温度状態を検知する感温素子、圧電振動片１０の温度特性を補償する温度補償データを格納するとともに該温度補償データに基づいて圧電振動片１０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、又は圧電振動片１０を発振させる発振回路の少なくとも１つの電子回路が設けられている。 In the integrated circuit element 20, temperature sensing data for detecting the ambient temperature state, temperature compensation data for compensating the temperature characteristics of the piezoelectric vibrating piece 10, and vibration characteristics of the piezoelectric vibrating piece 10 based on the temperature compensation data are stored. Is provided with at least one electronic circuit of a temperature compensation circuit that corrects the temperature according to a temperature change or an oscillation circuit that oscillates the piezoelectric vibrating piece 10.
集積回路素子２０の上面は図２（ａ）に示されるように、２個の第１貫通電極２２ａ、２２ｂが−Ｙ軸方向の端部に並んで配置する。端部に配置されることで、平面視で面積が大きな圧電振動片１０を配置することができる。第１貫通電極２２ａ、２２ｂは、図４に示されるように、集積回路素子２０の上面から下面まで貫通するシリコン貫通電極（ＴＳＶ電極：through-silicon via電極）である。そして第１貫通電極２２ａ、２２ｂは、集積回路素子２０の下面にある接続端子２１e、２１ｆに電気的に接続されている。 On the upper surface of the integrated circuit element 20, as shown in FIG. 2A, two first through electrodes 22a and 22b are arranged side by side at the end in the -Y axis direction. By disposing at the end, the piezoelectric vibrating piece 10 having a large area in plan view can be disposed. As shown in FIG. 4, the first through electrodes 22 a and 22 b are silicon through electrodes (TSV electrodes: through-silicon via electrodes) that penetrate from the upper surface to the lower surface of the integrated circuit element 20. The first through electrodes 22 a and 22 b are electrically connected to connection terminals 21 e and 21 f on the lower surface of the integrated circuit element 20.
集積回路素子２０の下面は図２（ｂ）に示されるように、６個の接続端子２１ａ〜２１ｆと、が成形されている。 As shown in FIG. 2B, the bottom surface of the integrated circuit element 20 is formed with six connection terminals 21a to 21f.
集積回路素子２０の上面に成形された第１貫通電極２２には、第１導電体Ｄ１を盛り付け、その上に圧電振動片１０の接続電極１２を載置して電気的に接続する。具体的に第１貫通電極２２ａは第１導電体Ｄ１を介して接続電極１２ａと接合し、第１貫通電極２２ｂは第１導電体Ｄ１を介して接続電極１２ｂと接合する。これにより、圧電振動片１０は集積回路素子２０の上面の−Ｙ軸方向で片持ち支持される。 A first conductor D1 is placed on the first through electrode 22 formed on the upper surface of the integrated circuit element 20, and the connection electrode 12 of the piezoelectric vibrating piece 10 is placed thereon and electrically connected. Specifically, the first through electrode 22a is joined to the connection electrode 12a through the first conductor D1, and the first through electrode 22b is joined to the connection electrode 12b through the first conductor D1. As a result, the piezoelectric vibrating piece 10 is cantilevered in the −Y-axis direction on the upper surface of the integrated circuit element 20.
集積回路素子２０の下面に成形された接続端子２１は、下方に配置された基板３０の上面にフリップチップボンディングの手法で接続する。具体的な接続経路は後述する。 The connection terminals 21 formed on the lower surface of the integrated circuit element 20 are connected to the upper surface of the substrate 30 disposed below by a flip chip bonding technique. A specific connection path will be described later.
基板３０の主構造材は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料や樹脂等の有機材料から成形されている。図１及び図３に示されるように、基板３０は単一平面に成形し、その表面等に電極パッド３３、電極パターン３５、メタライズ層３９ａ、及びシールリング３９ｂが成形され、さらに、基板３０の上面から下面を貫通する第２貫通電極３２が成形されている。 The main structural material of the substrate 30 is formed from, for example, a ceramic material such as glass-ceramic or alumina ceramic, or an organic material such as resin. As shown in FIGS. 1 and 3, the substrate 30 is formed into a single plane, and the electrode pad 33, the electrode pattern 35, the metallized layer 39a, and the seal ring 39b are formed on the surface thereof. A second through electrode 32 penetrating from the upper surface to the lower surface is formed.
基板３０の上面は、図３（ａ）に示されるように、５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅ、６個の電極パッド３３ａ〜３３ｆ、電極パターン３５を成形する。また、基板３０の外周にはメタライズ層３９ａが形成され、メタライズ層３９ａ上にはシールリング３９ｂが配置される。さらに、基板３０の四隅の側面には基板３０の内側に凹むようにキャスタレーション３８ａが形成され、＋Ｙ軸側、−Ｙ軸側の側面の中央の側面には基板３０の内側に凹むようにキャスタレーション３８ｂが形成されている。キャスタレーション３８ｂには側面電極３７ａ、３７ｂが形成され、−Ｘ軸側の＋Ｙ軸側のキャスタレーション３８ａには側面電極３７ｃが形成されている。 As shown in FIG. 3A, five second through electrodes 32 a to 32 e, six electrode pads 33 a to 33 f and an electrode pattern 35 are formed on the upper surface of the substrate 30. A metallized layer 39a is formed on the outer periphery of the substrate 30, and a seal ring 39b is disposed on the metallized layer 39a. Further, casters 38a are formed on the side surfaces of the four corners of the substrate 30 so as to be recessed inside the substrate 30, and casters are formed so as to be recessed on the inside of the substrate 30 on the central side surface of the + Y axis side and the −Y axis side. 38b is formed. Side electrodes 37a and 37b are formed on the castellation 38b, and side electrodes 37c are formed on the + Y-axis side castellation 38a on the -X-axis side.
６個の電極パッド３３は、第２導電体Ｄ２を用いて、図４で示されるように、その上部に載置する集積回路素子２０の６個の接続端子２１と接合する。例えば、フリップチップボンディングは金バンプを用いたＡｕ−Ａｕ接合方式で電極パッド３３と接続端子２１及び第１貫通電極２２とを融着・接合する。なお、フリップチップボンディングに用いられる金属はＡｕが代表的であるが、用いられる金属はＡｕに限られない。図４の断面図は、図３におけるＡ−Ａ断面であり、第１貫通電極２２ｂ、及び電極パッド３３ｃ、３３ｄの断面と３３ｆ外形が示されている。 As shown in FIG. 4, the six electrode pads 33 are bonded to the six connection terminals 21 of the integrated circuit element 20 placed thereon using the second conductor D2. For example, in flip chip bonding, the electrode pad 33, the connection terminal 21, and the first through electrode 22 are fused and bonded by an Au—Au bonding method using gold bumps. The metal used for flip chip bonding is typically Au, but the metal used is not limited to Au. The cross-sectional view of FIG. 4 is the AA cross-section in FIG.
５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅは、図５で示されるように、基板３０の上面から下面を貫通し、基板３０の上面の電極パターン３５と基板３０の下面の電極パターン３５とを接続する。なお、図５の断面図は、図３におけるＢ−Ｂ断面であり、第２貫通電極３２ｄ、３２ｅの断面が示されている。 As shown in FIG. 5, the five second through electrodes 32 a to 32 e penetrate the lower surface from the upper surface of the substrate 30 and connect the electrode pattern 35 on the upper surface of the substrate 30 and the electrode pattern 35 on the lower surface of the substrate 30. To do. The cross-sectional view of FIG. 5 is a cross section taken along the line BB in FIG. 3, and shows cross sections of the second through electrodes 32d and 32e.
電極パターン３５は、シールリング３９ｂ内の電極パッド３３と第２貫通電極３２とを電気的に接続するための内部接続用のパターンと、電極パッド３３からシールリング３９ｂ外の基板３０のキャスタレーション３８ａの側面に形成した側面電極３７ｃ（図１を参照）に接続するための外部接続用のパターンとが成形されている。 The electrode pattern 35 includes an internal connection pattern for electrically connecting the electrode pad 33 in the seal ring 39b and the second through electrode 32, and a castellation 38a of the substrate 30 outside the seal ring 39b from the electrode pad 33. A pattern for external connection for connecting to a side electrode 37c (see FIG. 1) formed on the side surface of the substrate is formed.
上述した電極パッド３３、電極パターン３５、側面電極３７、及び外部接続用電極端子は、例えばタングステンやモリブデンのメタライズ層の上部にニッケルメッキと金メッキで成形する。 The electrode pad 33, the electrode pattern 35, the side surface electrode 37, and the external connection electrode terminal described above are formed by nickel plating and gold plating on the upper part of a metallized layer of tungsten or molybdenum, for example.
シールリング３９ｂは、電極パッド３３及び電極パターン３５の成形時に同時、又は別工程で成形する。シールリング３９ｂは、基板３０の外周に設けられたメタライズ層３９ａに銀ろう付けした後、シームウエルド法によって金属製のリッド（金属蓋）をシールリング３９ｂにシーム溶接する。 The seal ring 39b is formed simultaneously with the formation of the electrode pad 33 and the electrode pattern 35 or in a separate process. The seal ring 39b is obtained by brazing silver to a metallized layer 39a provided on the outer periphery of the substrate 30, and then seam welding a metal lid (metal lid) to the seal ring 39b by a seam weld method.
基板３０の下面は、図３（ｂ）で示されるように、上述した５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅ、４個の外部接続用電極端子及び電極パターン３５を成形する。外部接続用電極端子の四隅の４個の外部接続用電極端子は、それぞれ電源電圧端子３４ａ、発振出力端子３４ｂ、発振制御端子３４ｃ、アース端子３４ｄ、として機能する。気密封止された圧電デバイス１００の側面に形成される側面電極３７ａ、３７ｂでは圧電振動片１０の振動特性を検査することが可能となっている。 As shown in FIG. 3B, the five second through electrodes 32 a to 32 e, the four external connection electrode terminals, and the electrode pattern 35 are formed on the lower surface of the substrate 30. The four external connection electrode terminals at the four corners of the external connection electrode terminal function as a power supply voltage terminal 34a, an oscillation output terminal 34b, an oscillation control terminal 34c, and a ground terminal 34d, respectively. The side surface electrodes 37 a and 37 b formed on the side surfaces of the hermetically sealed piezoelectric device 100 can inspect the vibration characteristics of the piezoelectric vibrating piece 10.
基板３０のキャスタレーション３８ａ又はキャスタレーション３８ｂの側面には、図１に示されるように、基板３０の外周に３個の側面電極３７ａ〜３７ｃが形成される。側面電極３７ｃは基板３０の上面のシールリング３９ｂと接続し、図３（ｂ）に示された基板３０の下面のアース端子３４ｄと接続する。図５に示されるように、側面電極３７ａ、３７ｂは基板３０の下面の電極パターン３５とそれぞれ接続し、基板３０の上面のシールリング３９ｂと接続しないよう成形する。 As shown in FIG. 1, three side electrodes 37 a to 37 c are formed on the outer periphery of the substrate 30 on the side surface of the castellation 38 a or the castellation 38 b of the substrate 30. The side electrode 37c is connected to the seal ring 39b on the upper surface of the substrate 30 and is connected to the ground terminal 34d on the lower surface of the substrate 30 shown in FIG. As shown in FIG. 5, the side electrodes 37 a and 37 b are formed so as to be connected to the electrode pattern 35 on the lower surface of the substrate 30 and not to be connected to the seal ring 39 b on the upper surface of the substrate 30.
基板３０の上面の接続経路は次の通りである。接続端子２１ａが電極パッド３３ａ、電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ａへ接続する。接続端子２１ｂが電極パッド３３ｂ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｂへ接続し、接続端子２１ｃが電極パッド３３ｃ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｃへ接続する。接続端子２１ｄが、電極パッド３３ｄ及び電極パターン３５を通りシールリング３９ｂ及び側面電極３７ｃに接続する。接続端子２１ｅは、電極パッド３３ｅ及び電極パターン３５を通り、第２貫通電極３２ｄへ接続する。接続端子２１ｆが、電極パッド３３ｆ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｅへ接続する。 The connection path on the upper surface of the substrate 30 is as follows. The connection terminal 21a passes through the electrode pad 33a and the electrode pattern 35 and is connected to the second through electrode 32a. The connection terminal 21b is connected to the second through electrode 32b through the electrode pad 33b and the electrode pattern 35, and the connection terminal 21c is connected to the second through electrode 32c through the electrode pad 33c and the electrode pattern 35. The connection terminal 21d passes through the electrode pad 33d and the electrode pattern 35 and is connected to the seal ring 39b and the side electrode 37c. The connection terminal 21e passes through the electrode pad 33e and the electrode pattern 35 and is connected to the second through electrode 32d. The connection terminal 21f connects to the second through electrode 32e through the electrode pad 33f and the electrode pattern 35.
基板３０の下面の接続経路は次の通りである。第２貫通電極３２ａが電源電圧端子３４ａへ直接接続する。第２貫通電極３２ｂは発振出力端子３４ｂへ直接接続する。第２貫通電極３２ｃも発振制御端子３４ｃへ直接接続する。第２貫通電極３２ｄは電極パターン３５を通り側面電極３７ａへ接続する。第２貫通電極３２ｅは電極パターン３５を通り側面電極３７ｂへ接続する。側面電極３７ｃは電極パターン３５を通りアース端子３４ｄへ接続する。 The connection path on the lower surface of the substrate 30 is as follows. The second through electrode 32a is directly connected to the power supply voltage terminal 34a. The second through electrode 32b is directly connected to the oscillation output terminal 34b. The second through electrode 32c is also directly connected to the oscillation control terminal 34c. The second through electrode 32d passes through the electrode pattern 35 and is connected to the side electrode 37a. The second through electrode 32e passes through the electrode pattern 35 and is connected to the side electrode 37b. The side electrode 37c passes through the electrode pattern 35 and is connected to the ground terminal 34d.
図１、図４及び図５で示されるように、蓋体４０は金属平板をプレス加工等によって箱形状の凹状に成形され、開口面を下にして配置する。蓋体４０は、例えば、４２アロイやコバール、リン青銅等の金属から成る厚さ０．１ｍｍ以下の金属平板を材料である。 As shown in FIGS. 1, 4 and 5, the lid body 40 is formed by pressing a metal flat plate into a box-shaped concave shape by pressing or the like, and is arranged with the opening face down. The lid 40 is made of, for example, a metal flat plate made of metal such as 42 alloy, Kovar, phosphor bronze or the like and having a thickness of 0.1 mm or less.
蓋体４０はシールリング３９ｂに載置され気密封止する。蓋体４０は気密封止の際にシールリング３９ｂと電気的に接続する。シールリング３９ｂは、メタライズ層３９ａ及び側面電極３７ｃを介してアース端子３４ｄと接続するため蓋体４０に発生した電位はアース電位に保持され、蓋体４０の電磁シールド効果によって圧電振動片１０が外部からの不要な電気的作用、例えばノイズ等から良好に保護する。 The lid 40 is placed on the seal ring 39b and hermetically sealed. The lid body 40 is electrically connected to the seal ring 39b during hermetic sealing. Since the seal ring 39b is connected to the ground terminal 34d via the metallized layer 39a and the side electrode 37c, the potential generated in the lid 40 is held at the ground potential, and the piezoelectric vibrating reed 10 is externally connected by the electromagnetic shielding effect of the lid 40. Good protection from unwanted electrical effects such as noise.
蓋体４０は、基板３０に圧電振動片１０及び集積回路素子２０が接合された後、窒素雰囲気、または真空中でシールリング３９ｂに蓋体４０を載置して気密封止する。蓋体４０の気密封止はパラレルシーム接合等のシーム溶接をする。なお、気密封止はその他のビーム溶接、雰囲気加熱等の手法を用いてもよい。すなわち、シーム溶接の代わりに、シールリングを用いないダイレクトシーム、又はレーザ、高周波加熱等を用いたＡｕ−Ｓｎなどのロウ材による封止が行われても良い。 After the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 20 are bonded to the substrate 30, the lid 40 is hermetically sealed by placing the lid 40 on the seal ring 39 b in a nitrogen atmosphere or vacuum. The lid 40 is hermetically sealed by seam welding such as parallel seam bonding. The hermetic sealing may use other methods such as beam welding and atmosphere heating. That is, instead of seam welding, sealing may be performed using a direct seam that does not use a seal ring, or a brazing material such as Au—Sn that uses laser, high-frequency heating, or the like.
（第２実施形態）
本実施形態の圧電デバイス２００は基板１３０に貫通した電極を用いない。以下に、図６から図８を使用して説明する。
(Second Embodiment)
The piezoelectric device 200 of the present embodiment does not use an electrode penetrating the substrate 130. This will be described below with reference to FIGS.
図６は第２実施形態にかかる圧電デバイス２００の分解斜視図である。図６では圧電デバイス２００の構成が分かりやすいよう蓋体１４０及び圧電振動片１０を離して図示している。図７（ａ）は基板１３０の上面を図示してある。図７（ａ）の破線で示した領域は、その上部に載置する圧電振動片１０、集積回路素子１２０、及びその接続端子２１の位置を示している。図７（ｂ）は基板１３０の下面を図示してある。図８は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面の圧電デバイス２００を示した図である。 FIG. 6 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 200 according to the second embodiment. In FIG. 6, the lid 140 and the piezoelectric vibrating piece 10 are separated from each other so that the configuration of the piezoelectric device 200 can be easily understood. FIG. 7A illustrates the upper surface of the substrate 130. A region indicated by a broken line in FIG. 7A indicates the positions of the piezoelectric vibrating piece 10, the integrated circuit element 120, and the connection terminal 21 placed thereon. FIG. 7B illustrates the lower surface of the substrate 130. FIG. 8 is a view showing a piezoelectric device 200 having a CC cross section in FIG.
図６に示されるように、圧電デバイス２００は、圧電振動片１０と集積回路素子１２０とを配置して保持する基板１３０と、基板１３０に配置保持した圧電振動片１０と集積回路素子１２０とを気密封止する蓋体１４０と、で構成している。また、基板１３０は、第２貫通電極を有さない点で、第１実施形態の集積回路素子２０と異なる。 As shown in FIG. 6, the piezoelectric device 200 includes a substrate 130 on which the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 120 are arranged and held, and the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 120 arranged and held on the substrate 130. And a lid 140 hermetically sealed. The substrate 130 is different from the integrated circuit element 20 of the first embodiment in that it does not have the second through electrode.
圧電デバイス２００は、本体筐体の基板１３０上に集積回路素子１２０を配置し、さらにその上に圧電振動片１０を重ねて配置して電気的に接続する。その後、圧電デバイス２００は蓋体１４０が圧電振動片１０及び集積回路素子１２０を覆うように配置される。 In the piezoelectric device 200, the integrated circuit element 120 is disposed on the substrate 130 of the main body housing, and the piezoelectric vibrating reed 10 is disposed on the integrated circuit element 120 so as to be electrically connected. Thereafter, the piezoelectric device 200 is disposed so that the lid 140 covers the piezoelectric vibrating piece 10 and the integrated circuit element 120.
集積回路素子１２０は、第１実施形態と同様に接続端子２１を下向き（基板１３０側）にして基板１３０にフリップチップボンディングの手法で接続する。具体的に、集積回路素子１２０の６個の接続端子２１ａ〜２１ｆは基板１３０に成形された６個の電極パッド１３３ａ〜１３３ｆ（図７（ａ）を参照）に対応する。 Similarly to the first embodiment, the integrated circuit element 120 is connected to the substrate 130 by the flip chip bonding method with the connection terminal 21 facing downward (substrate 130 side). Specifically, the six connection terminals 21a to 21f of the integrated circuit element 120 correspond to the six electrode pads 133a to 133f formed on the substrate 130 (see FIG. 7A).
基板１３０の主な構造材は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料やガラス又は水晶等である。 The main structural material of the substrate 130 is, for example, a ceramic material such as glass-ceramic or alumina ceramic, glass, crystal, or the like.
基板１３０の上面は、図７（ａ）に示されるように、６個の電極パッド１３３ａ〜１３３ｆ、電極パターン１３５を成形する。また、基板１３０の上面の外周には第１封止材１３９ａを塗布する。 As shown in FIG. 7A, six electrode pads 133 a to 133 f and an electrode pattern 135 are formed on the upper surface of the substrate 130. In addition, a first sealing material 139 a is applied to the outer periphery of the upper surface of the substrate 130.
６個の電極パッド１３３は、図８で示されるように、その上部に載置する集積回路素子１２０の６個の接続端子２１と第２導電体Ｄ２を用いて接合する。第２実施形態の第２導電体Ｄ２は、第１実施形態と同様に金バンプを用いてフリップチップボンディングの手法で電気的に接続する。図８の断面図は、図７（ａ）におけるＣ−Ｃ断面であり、電極パターン１３５、電極パッド１３３ｃ、１３３ｄ、１３３ｆ、及び第１封止材１３９ａ等の断面が示されている。 As shown in FIG. 8, the six electrode pads 133 are bonded to the six connection terminals 21 of the integrated circuit element 120 mounted thereon using the second conductor D2. The second conductor D2 of the second embodiment is electrically connected by a flip chip bonding method using gold bumps as in the first embodiment. The cross-sectional view of FIG. 8 is a CC cross section in FIG. 7A, and shows cross sections of the electrode pattern 135, electrode pads 133 c, 133 d, 133 f, the first sealing material 139 a, and the like.
第１封止材１３９ａは、基板１３０の外周を帯状の矩形形状で成形されている。図８で示されたように、第１封止材１３９ａは非導電性のポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、または低融点ガラスを塗布することで、その下層を通過する電極パターン１３５を絶縁処理する。 The first sealing material 139a is formed in a belt-like rectangular shape on the outer periphery of the substrate 130. As shown in FIG. 8, the first sealing material 139a is coated with a non-conductive polyimide resin, epoxy resin, or low melting point glass to insulate the electrode pattern 135 passing through the lower layer. .
電極パターン１３５は、電極パッド１３３から第１封止材１３９ａ外の基板３０のキャスタレーション３８ａ又はキャスタレーション３８ｂの側面に形成した側面電極１３７ａ〜１３７ｆ（図６及び図７を参照）に接続するための外部接続用のパターンとして成形されている。 The electrode pattern 135 is connected to the side electrodes 137a to 137f (see FIGS. 6 and 7) formed on the side surface of the castellation 38a or the castellation 38b of the substrate 30 outside the first sealing material 139a from the electrode pad 133. It is molded as a pattern for external connection.
基板１３０の下面は、図７（ｂ）で示されるように、６個の側面電極１３７、６個の外部接続用電極端子及び電極パターン１３５を成形する。外部接続用電極端子のうち四隅の４個の外部接続用電極端子は、それぞれ電源電圧端子１３４ａ、発振出力端子１３４ｂ、発振制御端子１３４ｃ、アース端子１３４ｄ、として機能する。短辺の両端中央部の外部接続用電極端子は、検査用端子１３６ａ、１３６ｂとして機能する。気密封止後の圧電振動片１０の振動特性の検査は、検査用端子１３６に接続する側面電極１３７ｅ、１３７ｆで検査する。上述した電極パッド１３３、電極パターン１３５、側面電極１３７及び外部接続用電極端子は、例えばタングステンやモリブデンのメタライズ層の上部にニッケルメッキと金メッキで成形する。 As shown in FIG. 7B, six side electrodes 137, six external connection electrode terminals and an electrode pattern 135 are formed on the lower surface of the substrate 130. Of the external connection electrode terminals, the four external connection electrode terminals at the four corners function as a power supply voltage terminal 134a, an oscillation output terminal 134b, an oscillation control terminal 134c, and a ground terminal 134d, respectively. The external connection electrode terminals at the center of both ends of the short side function as inspection terminals 136a and 136b. The vibration characteristics of the piezoelectric vibrating piece 10 after hermetic sealing are inspected by the side electrodes 137e and 137f connected to the inspection terminal 136. The electrode pad 133, the electrode pattern 135, the side electrode 137, and the external connection electrode terminal described above are formed by nickel plating and gold plating, for example, on the upper part of a metallized layer of tungsten or molybdenum.
基板１３０の側面は、図６及び図７に示されるように、基板１３０の外周に６個の側面電極１３７ａ〜１３７ｆを成形する。６個の側面電極１３７は基板１３０の上面の電極パターン１３５から下面の電極パターン１３５を接続する電極として機能する。 As shown in FIGS. 6 and 7, the side surface of the substrate 130 is formed with six side electrodes 137 a to 137 f on the outer periphery of the substrate 130. The six side electrodes 137 function as electrodes that connect the electrode pattern 135 on the upper surface of the substrate 130 to the electrode pattern 135 on the lower surface.
基板１３０の上面の接続経路は次の通りである。接続端子２１ａが、電極パッド１３３ａ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ａへ接続する。接続端子２１ｂが電極パッド１３３ｂ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ｂに接続する。接続端子２１ｃが、電極パッド１３３ｃを通り側面電極１３７ｃに接続する。接続端子２１ｄが、電極パッド１３３ｄ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ｄに接続する。接続端子２１ｅは、電極パッド１３３ｅ及び電極パターン１３５を通り、側面電極１３７ｅに接続する。接続端子２１ｆは、電極パッド１３３ｆ及び電極パターン１３５を通り、側面電極１３７ｆに接続する。 The connection path on the upper surface of the substrate 130 is as follows. The connection terminal 21a connects to the side electrode 137a through the electrode pad 133a and the electrode pattern 135. The connection terminal 21b passes through the electrode pad 133b and the electrode pattern 135 and is connected to the side electrode 137b. The connection terminal 21c passes through the electrode pad 133c and is connected to the side electrode 137c. The connection terminal 21d passes through the electrode pad 133d and the electrode pattern 135 and is connected to the side electrode 137d. The connection terminal 21e passes through the electrode pad 133e and the electrode pattern 135 and is connected to the side electrode 137e. The connection terminal 21f passes through the electrode pad 133f and the electrode pattern 135 and is connected to the side electrode 137f.
基板１３０の下面の接続経路は次の通りである。側面電極１３７ａが電極パターン１３５を通り電源電圧端子１３４ａへ接続する。側面電極１３７ｂが、電極パターン１３５を通り発振出力端子１３４ｂに接続する。側面電極１３７ｃが電極パターン１３５を通り発振制御端子１３４ｃに接続する。側面電極１３７ｄが、電極パターン１３５を通りアース端子１３４ｄに接続する。側面電極１３７ｅが検査用端子１３６ａに、及び側面電極１３７ｆが検査用端子１３６ｂに接続する。 The connection path on the lower surface of the substrate 130 is as follows. The side electrode 137a passes through the electrode pattern 135 and is connected to the power supply voltage terminal 134a. The side electrode 137b passes through the electrode pattern 135 and is connected to the oscillation output terminal 134b. The side electrode 137c passes through the electrode pattern 135 and is connected to the oscillation control terminal 134c. The side electrode 137d passes through the electrode pattern 135 and is connected to the ground terminal 134d. The side electrode 137e is connected to the inspection terminal 136a, and the side electrode 137f is connected to the inspection terminal 136b.
基板１３０の上面に成形した電極パターン１３５は、集積回路素子１２０の上面に搭載された圧電振動片１０の励振電極１１が成形された領域の下をできるだけ通過しない状態で引き出されている。 The electrode pattern 135 formed on the upper surface of the substrate 130 is drawn out so as not to pass as much as possible below the region where the excitation electrode 11 of the piezoelectric vibrating piece 10 mounted on the upper surface of the integrated circuit element 120 is formed.
蓋体１４０は、金属平板をプレス加工等によって箱状の凹状に成形され、開口面を下にして配置する。蓋体１４０は、例えば、４２アロイやコバール、リン青銅等の金属から成る厚さ０．１ｍｍ以下の金属平板を材料である。開口面の断端は金属平板の厚さと同じ又は、フランジを成形してもよい。フランジがないと、蓋体１４０は基板１３０の利用面積を増やすことができる。 The lid 140 is formed by pressing a metal flat plate into a box-like concave shape by pressing or the like, and is arranged with the opening surface down. The lid 140 is made of, for example, a metal flat plate made of metal such as 42 alloy, Kovar, or phosphor bronze and having a thickness of 0.1 mm or less. The stump of the opening surface may be the same as the thickness of the metal flat plate, or a flange may be formed. Without the flange, the lid 140 can increase the area of use of the substrate 130.
図８に示されるように、基板１３０の第１封止材１３９ａの上部にペースト状の第２封止材１３９ｂを塗布する。そして、窒素雰囲気、または真空中で蓋体１４０を載置して押圧して、気密封止する。 As shown in FIG. 8, a paste-like second sealing material 139 b is applied on top of the first sealing material 139 a of the substrate 130. Then, the lid 140 is placed and pressed in a nitrogen atmosphere or a vacuum to be hermetically sealed.
第２封止材１３９ｂは、非導電性のポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、又は低融点ガラスを使用し、ホットプレートや赤外線ランプ、各種レーザ等の光源による加熱により接合する。 The second sealing material 139b uses a non-conductive polyimide resin, epoxy resin, or low-melting glass, and is bonded by heating with a light source such as a hot plate, an infrared lamp, or various lasers.
１０ … 圧電振動片
１１ … 励振電極
１２(１２ａ、１２ｂ） … 接続電極
１３ … 引出電極
２０，１２０ … 集積回路素子
２１ … 接続端子
２２ … 第１貫通電極
３０、１３０ … 基板
３２ … 第２貫通電極
３３、１３３ … 電極パッド
３４ａ、１３４ａ … 電源電圧端子
３４ｂ、１３４ｂ … 発振出力端子
３４ｃ、１３４ｃ … 発振制御端子
３４ｄ、１３４ｄ … アース端子
３５、１３５ … 電極パターン
３７、１３７ … 側面電極
３８ａ、３８ｂ … キャスタレーション
３９ａ … メタライズ層
３９ｂ … シールリング
４０、１４０ … 蓋体
４１ … フランジ
１００、２００ … 圧電デバイス
１３６ … 検査用端子
１３９ａ … 第１封止材
１３９ｂ … 第２封止材
Ｄ１ … 第１導電体
Ｄ２ … 第２導電体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Piezoelectric vibration piece 11 ... Excitation electrode 12 (12a, 12b) ... Connection electrode 13 ... Extraction electrode 20, 120 ... Integrated circuit element 21 ... Connection terminal 22 ... 1st penetration electrode 30, 130 ... Substrate 32 ... 2nd penetration electrode 33, 133 ... electrode pads 34a, 134a ... power supply voltage terminals 34b, 134b ... oscillation output terminals 34c, 134c ... oscillation control terminals 34d, 134d ... ground terminals 35, 135 ... electrode patterns 37, 137 ... side electrodes 38a, 38b ... casters 39a ... Metallized layer 39b ... Seal ring 40, 140 ... Cover 41 ... Flange 100, 200 ... Piezoelectric device 136 ... Inspection terminal 139a ... First sealing material 139b ... Second sealing material D1 ... First conductor D2 ... Second conductor
Claims (6)
前記圧電振動片を搭載するための電極パッドを第３面に有するとともに、前記第３面の反対側の第４面に端子を有し、前記圧電振動片を発振させる発振回路又は前記圧電振動片の周囲の温度を計測するサーミスタを内蔵し絶縁体で覆われた集積回路素子と、
配線が形成された第５面に前記集積回路素子を搭載するとともに、前記第５面の反対側の第６面に外部端子を有し、前記第５面から前記第６面方向に見て長方形状配線基板と、
前記圧電振動片及び前記集積回路素子を気密封止する箱形状の蓋体と、を備え、
前記集積回路素子は、前記第４面の端子から前記第３面の電極パッドに導通する電極を有し、
前記圧電振動片と前記電極パッドとは導電体で固定されている圧電デバイス。 A piezoelectric vibrating piece having a first surface and a second surface opposite to the first surface and vibrating at a predetermined frequency;
An oscillation circuit that has an electrode pad for mounting the piezoelectric resonator element on the third surface and a terminal on the fourth surface opposite to the third surface, and oscillates the piezoelectric resonator element, or the piezoelectric resonator element An integrated circuit element with a built-in thermistor that measures the ambient temperature and covered with an insulator;
The integrated circuit element is mounted on the fifth surface on which the wiring is formed, and has an external terminal on the sixth surface opposite to the fifth surface, and is rectangular when viewed from the fifth surface toward the sixth surface. A wiring board;
A box-shaped lid for hermetically sealing the piezoelectric vibrating piece and the integrated circuit element,
The integrated circuit element has an electrode that conducts from the terminal on the fourth surface to the electrode pad on the third surface,
The piezoelectric device in which the piezoelectric vibrating piece and the electrode pad are fixed with a conductor.
前記配線基板はセラミック材料で形成されており、前記第５面の周囲には枠状のシールリングが形成され、
前記フランジと前記シールリングとがシーム溶接により封止されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。 The lid is made of a metal material and has a flange extending outwardly.
The wiring board is formed of a ceramic material, and a frame-shaped seal ring is formed around the fifth surface.
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 3, wherein the flange and the seal ring are sealed by seam welding.
前記配線基板はセラミック材料で形成されており、
前記金属材料の蓋体の縁部と前記前記セラミック材料の配線基板とがガラス又は樹脂からなる封止材で封止されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。 The lid is formed of a metal material,
The wiring board is formed of a ceramic material,
4. The piezoelectric device according to claim 1, wherein an edge portion of the lid made of the metal material and the wiring substrate made of the ceramic material are sealed with a sealing material made of glass or resin. 5. .
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