JP2015079293A - Memory control device, memory control method, and information processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、冗長性を有するメモリを制御するメモリ制御装置等に関する。 The present invention relates to a memory control device and the like for controlling a memory having redundancy.
主記憶装置(以降、「メモリ」と表す。)とプロセッサとの間において、情報を送受信する性能は、コンピュータ(情報処理装置)に関する性能に影響を及ぼす。 The performance of transmitting and receiving information between the main storage device (hereinafter referred to as “memory”) and the processor affects the performance related to the computer (information processing device).
一方、メモリは、Dynamic Random Access Memory(以降、「DRAM」と表す。)等であることが多い。DRAMは、コンデンサに電荷を保持することにより情報を記憶するため、情報を記憶し続けるには、定期的に電荷を補充するリフレッシュが必要である。 On the other hand, the memory is often a Dynamic Random Access Memory (hereinafter referred to as “DRAM”). Since DRAM stores information by holding electric charge in a capacitor, refreshing that periodically replenishes electric charge is necessary to continue storing information.
しかし、メモリの容量が増大するのに伴い、メモリをリフレッシュする処理時間は増大する。プロセッサ等の装置は、メモリをリフレッシュする間、該メモリにおける情報にアクセスできない。この結果、メモリの容量が増大するにつれ、メモリにおける情報にアクセスできない時間は増大する。 However, as the memory capacity increases, the processing time for refreshing the memory increases. A device such as a processor cannot access information in the memory while refreshing the memory. As a result, as the memory capacity increases, the time during which information in the memory cannot be accessed increases.
一方、フォールトトレランスを提供する手段の一つとして、メモリミラーリングがある。メモリミラーリングは、情報処理装置が、一つの情報を、複数のメモリに重複して格納することにより、メモリの信頼性を向上する技術である。 On the other hand, there is memory mirroring as one means for providing fault tolerance. Memory mirroring is a technique for improving the reliability of a memory by allowing an information processing apparatus to store one piece of information redundantly in a plurality of memories.
このため、コンピュータは、情報を格納する場合に、複数のメモリに対して同じ処理を実行するロックステップを実行する。該コンピュータは、複数のメモリに対して同じ処理を実行するにもかかわらずに動作が異なる場合に、メモリが異常であると検知する。該コンピュータは、複数のメモリに対してロックステップを実行する場合に、同時期に、複数のメモリをリフレッシュする。 For this reason, when storing information, the computer executes a lock step for executing the same processing on a plurality of memories. The computer detects that the memory is abnormal when the operation is different even though the same processing is executed for a plurality of memories. The computer refreshes the plurality of memories at the same time when executing the lock step for the plurality of memories.
特許文献1は、ロックステップを用いてミラーリングを実現するミラーリング制御装置を開示する。該ミラーリング制御装置は、ロックステップを実行することにより、複数のメモリを同時期にリフレッシュする。
一方、特許文献2が開示するデータ制御方法は、情報を読み取るリードリクエストに応じて、ミラーリング状態にある複数のメモリのうち、リフレッシュを実行中でないメモリから情報を読み取る方法である。
On the other hand, the data control method disclosed in
コンピュータは、メモリをリフレッシュする間に、該メモリにおける情報にアクセスできない。 The computer cannot access information in the memory while refreshing the memory.
この状況は、コンピュータが複数のメモリを有する場合にも生じる。たとえば、特許文献1が開示するミラーリング制御装置は、上記のように同時期に複数のメモリをリフレッシュするため、該メモリにおける情報にアクセスできない。このため、情報処理装置は、複数のメモリを有する場合であっても、メモリにおける情報にアクセスできない。
This situation also occurs when the computer has multiple memories. For example, since the mirroring control device disclosed in
一方、特許文献2が開示するデータ制御方法は、上述のような制御方法であるため、リフレッシュする間にメモリにおける情報を読み取ることができる。しかし、該データ制御方法は、リフレッシュが完了した後に、メモリに情報を格納する。このため、該方法においては、リフレッシュを実行中に、メモリに情報を格納することができない。
On the other hand, since the data control method disclosed in
したがって、特許文献1及び特許文献2が開示する技術は、メモリが有する性能を十分に引き出すとは限らない。
Therefore, the techniques disclosed in
そこで、本発明の主たる目的は、メモリを高速に制御するメモリ制御装置等を提供することである。 Accordingly, a main object of the present invention is to provide a memory control device and the like for controlling the memory at high speed.
前述の目的を達成するために、本発明に係るメモリ制御装置は、以下の構成を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a memory control device according to the present invention comprises the following arrangement.
すなわち、本発明に係るメモリ制御装置は、
処理を要求するリクエストに応じて、冗長性を有する複数のメモリのうち、リフレッシュを実行中でなく、かつ、ライトバックを実行中でない第1状態にある第1メモリにおいて、前記処理を実行するリクエスト制御部
を備えることを特徴とする。
That is, the memory control device according to the present invention is
In response to a request for processing, a request for executing the processing in a first memory in a first state in which refresh is not being executed and write back is not being executed among a plurality of memories having redundancy A control unit is provided.
また、本発明の他の見地として、本発明に係るメモリ制御方法は、
情報処理装置を用いて、処理を要求するリクエストに応じて、冗長性を有する複数のメモリのうち、リフレッシュを実行中でなく、かつ、ライトバックを実行中でない第1状態にある第1メモリにおいて、前記処理を実行する
ことを特徴とする。
As another aspect of the present invention, a memory control method according to the present invention includes:
In response to a request for processing using an information processing device, in a first memory in a first state in which refresh is not being executed and write back is not being executed among a plurality of memories having redundancy The above process is executed.
本発明に係るメモリ制御装置等によれば、メモリを高速に制御することができる。 The memory control device and the like according to the present invention can control the memory at high speed.
次に、本発明を実施する実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 Next, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<第1の実施形態>
本発明の第1の実施形態に係るメモリ制御装置101が有する構成と、メモリ制御装置が行う処理とについて、図1と図2とを参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るメモリ制御装置101が有する構成を示すブロック図である。図2は、第1の実施形態に係るメモリ制御装置101における処理の流れを示すフローチャートである。
<First Embodiment>
The configuration of the
第1の実施形態に係るメモリ制御装置101は、リクエスト制御部102を有する。
The
説明の便宜上、メモリ制御装置101は、メモリ103、及び、メモリ104を制御するとする。しかし、メモリ制御装置101は、3つ以上のメモリを制御してもよい。
For convenience of explanation, it is assumed that the
また、メモリ103、及び、メモリ104は、冗長性を有するとする。この場合、「背景技術」に示したようなロックステップに基づいて、メモリ103とメモリ104とがミラーリングされていてもよいし、特許文献2が開示するような方法に基づいて、メモリ103とメモリ104とがミラーリングされていてもよい。すなわち、冗長性を達成する手段は上述した処理に限定されない。
Further, the
まず、リクエスト制御部102は、処理を要求するリクエスト105を受信し、受信した該リクエスト105に応じて、メモリ103、及び、メモリ104が、リフレッシュを実行中でなく、かつ、更新された情報をメモリに格納するライトバックを実行中でない第1状態であるか否かを調べる(ステップS201)。リクエスト制御部102は、第1状態メモリを選んでもよい。複数のメモリ(この例において、メモリ103、及び、メモリ104)は、ライトバックにより、冗長性を回復する。リクエスト105は、メモリ(メモリ103、及び、メモリ104)から情報を読み取る要求(以降、「リードリクエスト」と表す。)、及び、メモリに情報を格納する要求(以降、「ライトリクエスト」と表す。)等を含む。
First, the
説明の便宜上、以降、第1状態にあるメモリを第1メモリと表す。 For convenience of explanation, the memory in the first state is hereinafter referred to as a first memory.
次に、リクエスト制御部102は、メモリ103、及び、メモリ104のうち第1メモリにおいて、該リクエストに応じた処理を実行する(ステップS202)。
Next, the
すなわち、リクエストがリードリクエストであれば、リクエスト制御部102は、第1メモリから情報を読み取る。または、リクエストがライトリクエストであれば、リクエスト制御部102は、第1メモリに情報を格納する。
That is, if the request is a read request, the
メモリ制御装置101は、上述のように複数のメモリの中から、第1状態にある第1メモリにおいて、情報を読み取る、または、情報を格納する等の処理を実行する。メモリ103において、リフレッシュを実行中、または、ライトバックを実行中であるとしても、メモリ制御装置101は、メモリ104との間において情報をアクセスする。すなわち、メモリ制御装置101によれば、リフレッシュ等の処理によって、メモリにおける情報に対するアクセスが妨げられない。
As described above, the
一方、上述のように、特許文献1乃至特許文献2が開示する技術においては、リフレッシュ等によって、「発明が解決しようとする課題」に示したように、メモリにおける情報に対するアクセスが妨げられる。
On the other hand, as described above, in the technologies disclosed in
すなわち、第1の実施形態に係るメモリ制御装置101によれば、メモリを高速に制御することができる。
That is, according to the
尚、上述した説明において、リクエスト制御部102は、メモリ103、及び、メモリ104を制御するとしたが、図3に示す態様であってもよい。図3は、メモリ制御装置304が有する構成を示すブロック図である。
In the above description, the
すなわち、メモリ制御装置304は、リクエスト制御部102と、チャネル制御部301と、チャネル制御部302とを有してもよい。チャネル制御部301は、メモリ103を制御する。チャネル制御部302は、メモリ104を制御する。
That is, the
さらに、情報処理装置303は、メモリ制御装置304と、メモリ103と、メモリ104とを有する。リクエスト105は、情報処理装置303において要求されるリクエストである必要なく、異なる情報処理装置(不図示)から受信するリクエストであってもよい。
Further, the
この場合、メモリ制御装置304は、上述したような処理を、チャネル制御部301及びチャネル制御部302に指示する。
In this case, the
<第2の実施形態>
次に、上述した第1の実施形態を基本とする本発明の第2の実施形態について説明する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention based on the first embodiment described above will be described.
以下の説明においては、本実施形態に係る特徴的な部分を中心に説明すると共に、上述した第1の実施形態と同様な構成については、同一の参照番号を付すことにより、重複する説明を省略する。 In the following description, the characteristic part according to the present embodiment will be mainly described, and the same components as those in the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. To do.
図4と図5とを参照しながら、第2の実施形態に係るメモリ制御装置401が有する構成と、メモリ制御装置401が行う処理とについて説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係るメモリ制御装置401が有する構成を示すブロック図である。図5は、第2の実施形態に係るメモリ制御装置401における処理の流れを示すフローチャートである。
With reference to FIGS. 4 and 5, the configuration of the
メモリ制御装置401は、リクエスト制御部402を有する。
The
リクエスト制御部402は、第1メモリにおいて処理を実行した後(ステップS202)、複数のメモリのうち第1メモリ以外のメモリである第2メモリが第1状態になるのに応じて、第2メモリにおいて、リクエスト105に応じた処理を実行する(ステップS503)。
After executing the process in the first memory (step S202), the
リクエスト制御部402がステップS201を処理する際に、第2メモリにおいては、リフレッシュを実行中である、または、ライトバックを実行中である。リクエスト制御部402は、第2メモリにおけるリフレッシュ、または、ライトバックが終了するのに応じて、第2メモリにおいて、第1メモリにおいて実行した処理を実行する。
When the
第2の実施形態に係るメモリ制御装置401は、第1の実施形態と同様の構成を含むため、第2の実施形態は、第1の実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、第2の実施形態に係るメモリ制御装置401によれば、メモリを高速に制御することができる。
Since the
さらに、メモリ制御装置401がステップS503を実行した後、複数のメモリには、同じ情報が格納されている。すなわち、複数のメモリは、冗長性を有する。この結果、本実施形態に係るメモリ制御装置401によれば、一部のメモリが故障する場合に、他のメモリから情報を読み取ることができる。したがって、本実施形態に係るメモリ制御装置401によれば、さらに、情報処理装置(不図示)における信頼性が増す。
Further, after the
<第3の実施形態>
次に、上述した第1の実施形態を基本とする本発明の第3の実施形態について説明する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention based on the first embodiment described above will be described.
以下の説明においては、本実施形態に係る特徴的な部分を中心に説明すると共に、上述した第1の実施形態と同様な構成については、同一の参照番号を付すことにより、重複する説明を省略する。 In the following description, the characteristic part according to the present embodiment will be mainly described, and the same components as those in the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. To do.
図6を参照しながら、第3の実施形態に係るメモリ制御装置606が有する構成と、メモリ制御装置が行う処理とについて説明する。図6は、本発明の第3の実施形態に係るメモリ制御装置606が有する構成を示すブロック図である。
The configuration of the
第3の実施形態に係るメモリ制御装置606は、リクエスト制御部601を有する。リクエスト制御部601は、監視部602と、発行部603と、リプライ部604と、バッファ605とを有する。
The
メモリ制御装置606は、さらに、チャネル制御部301と、チャネル制御部302とを有してもよい。
The
監視部602は、メモリ103、及び、メモリ104における状態を監視する。すなわち、監視部602は、メモリ103及びメモリ104において、リフレッシュを実行中であるか、ライトバックを実行中であるか、または、第1状態であるかを監視する。
The
発行部603は、リクエスト105に応じて、監視部602が監視する状態に基づき、第1状態である第1メモリを選び、選んだ第1メモリにおいて、リクエスト105に応じた処理を実行する。これとともに、発行部603は、該リクエスト105をバッファ605に格納する。
In response to the
次に、発行部603は、監視部602が監視する状態を参照することにより、第2メモリにおける状態が第1状態になるのを検知する。発行部603は、第2メモリにおける状態が第1状態になるのに応じて、バッファ605からリクエスト105を読み取り、読み取ったリクエスト105に応じた処理を、第2メモリにおいて実行する。
Next, the
リプライ部604は、チャネル制御部301、または、チャネル制御部302がメモリ103及びメモリ104から読み取った情報に関するリードリプライを受信し、受信した情報を比較することにより、メモリ103及びメモリ104に関するエラーを検知する。リプライ部604は、情報が一致しない場合にエラーであると判定し、情報が一致する場合にエラーでないと判定する。
The
リプライ部604は、エラーであると判定する場合に、発行部603にエラーに関するエラー情報を送信する。発行部603は、該エラー情報を受信し、受信したエラー情報に基づき、エラーに関わるリードリクエストを特定する。次に、発行部603は、バッファ605から特定したリードリクエストを読み取り、読み取ったリードリクエストを、チャネル制御部301、または、チャネル制御部302に、再度、要求する。
When the
次に、「ケース1」乃至「ケース3」の場合において、図8を参照しながら、メモリ制御装置606が実行する処理について説明する。図8は、第3の実施形態に係るメモリ制御装置606における処理の流れを示すシーケンス図である。
Next, in the case of “
ケース1:メモリ103、及び、メモリ104は、第1状態である、
ケース2:メモリ103においてリフレッシュ(または、ライトバック)を実行中である。メモリ104は、第1状態である、
ケース3:メモリ103においてリフレッシュを実行中である。メモリ104においてライトバックを実行中である。
Case 1: The
Case 2: Refresh (or write back) is being executed in the
Case 3: Refresh is being executed in the
尚、メモリ103、及び、メモリ104は、同様に扱うことができるため、たとえば、「メモリ104においてライトバックを実行中である。メモリ103は、第1状態である。」という場合は、ケース2における処理と同様の処理である。すなわち、メモリ制御装置606における処理は、上述した場合分けに限定されない。
Since the
(ケース1の場合)
発行部603は、メモリ103及びメモリ104において、リクエストに応じた処理を実行する。リクエストがライトリクエスト(ライトリクエスト3)である場合、発行部603は、メモリ103及びメモリ104に情報を格納する(ステップS807、及び、ステップS813)。リクエストがリードリクエストである場合、発行部603は、メモリ103及びメモリ104の少なくとも一方から情報を読み取る。このため、メモリ103及びメモリ104は冗長性を有する。
(In case 1)
The
(ケース2の場合)
メモリ104が第1状態であるため、発行部603は、メモリ104において、リクエストに応じた処理を実行するとともに、バッファ605にリクエストを格納する。リクエストがライトリクエスト(ライトリクエスト1)である場合、発行部603は、メモリ104に情報を格納する(ステップS809)とともに、バッファ605にライトリクエストを格納する(ステップS801)。
(Case 2)
Since the
次に、発行部603は、メモリ103におけるリフレッシュ(ステップS803)が終了するのに応じて、バッファ605からライトリクエストを読み取り、該ライトリクエストに応じてメモリ103に情報を格納する。すなわち、発行部603は、メモリ103においてライトバックを実行する(ステップS804)。
Next, the
発行部603は、メモリ103においてライトバックを実行する前に他のリクエストを受け取る場合、ライトバックが完了するまで、処理を延期する。
If the
また、リクエストがリードリクエスト(リードリクエスト1、及び、リードリクエスト3)である場合、発行部603は、メモリ104から情報を読み取る(ステップS808、及び、ステップS810)。
When the request is a read request (read
(ケース3の場合)
メモリ103及びメモリ104における情報にアクセスできないため、発行部603は、複数のメモリのうち特定のメモリが第1状態になるまで、リクエストに応じた処理を延期する(図8においては不図示)。
(Case 3)
Since the information in the
尚、ケース2の場合に、メモリ104が第1状態であるとしたが、メモリ103が第1状態である場合にも同様の処理を行う。
In the
すなわち、メモリ103が第1状態であるため、発行部603は、メモリ103において、リクエストに応じた処理を実行するとともに、バッファ605にリクエストを格納する。リクエストがライトリクエスト(ライトリクエスト2)である場合、発行部603は、メモリ103に情報を格納する(ステップS805)とともに、バッファ605にライトリクエストを格納する(ステップS802)。
That is, since the
次に、発行部603は、メモリ104におけるリフレッシュ(ステップS811)が終了するのに応じて、バッファ605からライトリクエストを読み取り、該ライトリクエストに応じてメモリ103に情報を格納する。すなわち、発行部603は、メモリ103においてライトバックを実行する(ステップS812)。
Next, the
発行部603は、メモリ103においてライトバックを実行する前に他のリクエストを受け取る場合、ライトバックが完了するまで、処理を延期する。
If the
また、リクエストがリードリクエスト(リードリクエスト2)である場合、発行部603は、メモリ104から情報を読み取る(ステップS806)。
If the request is a read request (read request 2), the
次に、図7を参照しながらライトバックにおける処理について説明する。図7は、第3の実施形態に係るメモリ制御装置606における処理の流れを示すフローチャートである。
Next, processing in write back will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart showing a flow of processing in the
メモリにおいては、リフレッシュを実行した後、ライトバックを実行する。発行部603は、バッファ605にリクエストがあるか否かを判定する(ステップS901)。発行部603は、リクエストがあると判定する場合に(ステップS901にてYESと判定)、第2メモリにおける状態に基づき、第2メモリにおいてリクエストに応じた処理を行う(ステップS902)。
In the memory, after executing refresh, write back is executed. The
発行部603は、ステップS901及びステップS902を処理する間に、他のリクエストがある場合に、該リクエストをバッファ605に格納する。
The
発行部603は、リクエストがないと判定する場合に(ステップS901にてNOと判定)、ステップS902における処理を実行しない。
If the
第3の実施形態に係るメモリ制御装置は、第1の実施形態と同様の構成を含むため、第3の実施形態は、第1の実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、第3の実施形態に係るメモリ制御装置によれば、メモリを高速に制御することができる。 Since the memory control device according to the third embodiment includes the same configuration as that of the first embodiment, the third embodiment can enjoy the same effects as those of the first embodiment. That is, according to the memory control device according to the third embodiment, the memory can be controlled at high speed.
さらに、リクエストがリードリクエストである場合に、メモリ制御装置606は、複数のメモリのうち第1状態であるメモリから情報を読み取る。この場合、本実施形態に係るメモリ制御装置によれば、上述のように、ライトバックする処理は必要でないため、メモリを、さらに高速に制御することができる。
Further, when the request is a read request, the
尚、バッファ605は、リードリクエストを記憶可能なリードバッファと、ライトリクエストを記憶可能なライトバッファとを含んでもよい。この場合、メモリ制御装置606は、リードリクエストを受信する場合に、リードバッファにリードリクエストを格納し、ライトリクエストを受信する場合に、ライトバッファにリードリクエストを格納する。さらに、メモリ制御装置606は、ライトバッファ及びリードバッファにおける、ライトリクエスト及びリードリクエストに応じた処理をそれぞれ実行する。
The
101 メモリ制御装置
102 リクエスト制御部
103 メモリ
104 メモリ
105 リクエスト
301 チャネル制御部
302 チャネル制御部
303 情報処理装置
304 メモリ制御装置
401 メモリ制御装置
402 リクエスト制御部
601 リクエスト制御部
602 監視部
603 発行部
604 リプライ部
605 バッファ
606 メモリ制御装置
DESCRIPTION OF
Claims (10)
を備えるメモリ制御装置。 In response to a request for processing, a request for executing the processing in a first memory in a first state in which refresh is not being executed and write back is not being executed among a plurality of memories having redundancy A memory control device comprising a control unit.
請求項1に記載のメモリ制御装置。 The request control unit executes the processing in the second memory in response to a second memory being a memory other than the first memory among the plurality of memories being in the first state. 2. The memory control device according to 1.
前記リクエストを記憶可能なバッファと、
前記複数のメモリにおけるメモリの状態を監視する監視部と、
前記リクエストに応じて、前記状態に基づき、前記第1メモリを選び、前記第1メモリに前記処理を実行するとともに、前記リクエストを前記バッファに格納し、前記第2メモリが前記第1状態になるのに応じて、前記バッファから前記リクエストを読み取り、読み取った前記リクエストに応じた前記処理を、前記第2メモリおいて実行する発行部と
を含む請求項1または請求項2に記載のメモリ制御装置。 The request control unit
A buffer capable of storing the request;
A monitoring unit for monitoring a memory state in the plurality of memories;
In response to the request, the first memory is selected based on the state, the process is executed in the first memory, the request is stored in the buffer, and the second memory is in the first state. 3. The memory control device according to claim 1, further comprising: an issuing unit that reads the request from the buffer according to and executes the process according to the read request in the second memory. .
前記複数のメモリに対して、読み取る処理を要求するリードリクエストを記憶可能なリードバッファと、
前記複数のメモリに対して、格納する処理を要求するライトリクエストを記憶可能なライトバッファと
を含み、
前記発行部は、
前記リクエストが前記リードリクエストである場合に、前記リードリクエストを前記リードバッファに格納し、
前記リクエストが前記ライトリクエストである場合に、前記ライトリクエストを前記ライトバッファに格納し、
前記リードバッファから読み取る場合には、読み取る処理に応じた前記処理を実行し、
前記ライトバッファから読み取る場合には、格納する処理に応じた前記処理を実行する
請求項3に記載のメモリ制御装置。 The buffer is
A read buffer capable of storing a read request requesting a reading process for the plurality of memories;
A write buffer capable of storing a write request for requesting processing to be stored in the plurality of memories, and
The issuing unit
If the request is the read request, store the read request in the read buffer;
If the request is the write request, store the write request in the write buffer;
When reading from the read buffer, execute the process according to the read process,
The memory control device according to claim 3, wherein when reading from the write buffer, the processing according to the processing to be stored is executed.
請求項3または請求項4に記載のメモリ制御装置。 5. The memory control device according to claim 3, wherein, in the plurality of memories, when the first memory is not present, the issuing unit performs the processing according to the first state. 6.
請求項7に記載のメモリ制御方法。 The memory control according to claim 7, wherein the processing is executed in the second memory in response to a second memory being a memory other than the first memory being in the first state among the plurality of memories. Method.
前記複数のメモリにおけるメモリの状態を監視し、前記リクエストに応じて、前記状態に基づき、前記第1メモリを選び、前記第1メモリに前記処理を実行するとともに、前記リクエストを前記バッファに格納し、前記第2メモリが前記第1状態になるのに応じて、前記バッファから前記リクエストを読み取り、読み取った前記リクエストに応じた前記処理を、前記第2メモリおいて実行する
請求項7または請求項8に記載のメモリ制御方法。 The information processing apparatus includes a buffer capable of storing the request,
The memory states of the plurality of memories are monitored, and the first memory is selected based on the state according to the request, and the processing is executed in the first memory, and the request is stored in the buffer. 8. The request is read from the buffer in response to the second memory being in the first state, and the processing according to the read request is executed in the second memory. 9. The memory control method according to 8.
前記複数のメモリに対して、読み取る処理を要求するリードリクエストを記憶可能なリードバッファと、
前記複数のメモリに対して、格納する処理を要求するライトリクエストを記憶可能なライトバッファと
を含み、
前記リクエストが前記リードリクエストである場合に、前記リードリクエストを前記リードバッファに格納し、前記リクエストが前記ライトリクエストである場合に、前記ライトリクエストを前記ライトバッファに格納するとともに、前記リードバッファから読み取る場合には、読み取る処理に応じた前記処理を実行し、前記ライトバッファから読み取る場合には、格納する処理に応じた前記処理を実行する
請求項9に記載のメモリ制御方法。 The buffer is
A read buffer capable of storing a read request requesting a reading process for the plurality of memories;
A write buffer capable of storing a write request for requesting processing to be stored in the plurality of memories, and
When the request is the read request, the read request is stored in the read buffer, and when the request is the write request, the write request is stored in the write buffer and read from the read buffer. The memory control method according to claim 9, wherein the processing according to the reading process is executed, and the processing according to the storing process is executed when reading from the write buffer.
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