JP2015075719A - Electrophoresis apparatus, driving method of electrophoresis apparatus, control circuit of electrophoresis apparatus, and electronic equipment - Google Patents

Electrophoresis apparatus, driving method of electrophoresis apparatus, control circuit of electrophoresis apparatus, and electronic equipment Download PDF

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敬 青木
宮坂 光敏
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a driving method of an electrophoresis apparatus that enables high-quality display.SOLUTION: An electrophoresis apparatus 150 includes a selection transistor 21, an N-type first transistor 26N connected to a first line 551, a P-type second transistor 26P connected to a second line 552, an N-type third transistor 27N connected to a third line 553, a P-type fourth transistor 27P connected to a fourth line 554, a ring oscillator element 28, a pixel electrode 22, a common electrode 23, and an electrophoretic material 24. Since first particles and second particles are efficiently separated from each other, an electrophoresis apparatus 150 having a high contrast ratio and showing high image quality can be achieved.

Description

本発明は、電気泳動装置、電気泳動装置の駆動方法、電気泳動装置の制御回路、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electrophoresis apparatus, a method for driving the electrophoresis apparatus, a control circuit for the electrophoresis apparatus, and an electronic apparatus.

電気泳動装置では、特許文献1に記載されている様に、電気泳動材料を挟んで対向する画素電極及び共通電極間に電圧を印加して、黒色帯電粒子や白色帯電粒子等の電気泳動粒子を移動させる事で表示部に画像を形成している。こうした電気泳動装置の駆動方法としては、一枚の画像を形成するのに複数個のフレーム期間を設け、各フレーム期間で共通電極には共通電位を供給し、画素電極には第1電位(VH)又は第1電位よりも低い第2電位(VL)を供給していた。この際に、一つのフレーム期間内では、共通電位は第3電位(VH)又は第3電位よりも低い第4電位(VL)に固定されていた。   In the electrophoretic device, as described in Patent Document 1, a voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode facing each other with the electrophoretic material interposed therebetween, and electrophoretic particles such as black charged particles and white charged particles are applied. By moving it, an image is formed on the display unit. As a driving method of such an electrophoretic device, a plurality of frame periods are provided to form one image, a common potential is supplied to the common electrode in each frame period, and a first potential (VH) is supplied to the pixel electrode. ) Or a second potential (VL) lower than the first potential. At this time, the common potential is fixed to the third potential (VH) or the fourth potential (VL) lower than the third potential within one frame period.

特開2009−175492号公報JP 2009-175492 A

しかしながら、従来の電気泳動装置の駆動方法では、コントラスト比が低いという課題が有った。具体的に従来の電気泳動装置では、白表示を行う際の反射率(白反射率)が42%程度で、黒表示を行う際の反射率(黒反射率)が7%程度で、その結果、白反射率と黒反射率との比であるコントラスト比は6程度と低かった。換言すると、従来の電気泳動装置の駆動方法では、コントラスト比が高く、高い画像品位を示す電気泳動装置を実現する事が困難であるという課題が有った。   However, the conventional method for driving an electrophoresis apparatus has a problem that the contrast ratio is low. Specifically, in the conventional electrophoresis apparatus, the reflectance (white reflectance) when performing white display is about 42%, and the reflectance (black reflectance) when performing black display is about 7%. The contrast ratio, which is the ratio between the white reflectance and the black reflectance, was as low as about 6. In other words, the conventional method for driving an electrophoresis apparatus has a problem that it is difficult to realize an electrophoresis apparatus having a high contrast ratio and high image quality.

本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

(適用例1) 本適用例に係わる電気泳動装置は、走査線と信号線との交差点に配置された選択トランジスターと、第一配線にソースが電気的に接続された第一トランジスターと、第二配線にソースが電気的に接続された第二トランジスターと、第三配線にソースが電気的に接続された第三トランジスターと、第四配線にソースが電気的に接続された第四トランジスターと、リングオシレーター素子と、画素電極と、共通電極と、画素電極と共通電極との間に発生する電界が印加される電気泳動材料と、を備え、選択トランジスターのソースとドレインとの一方は信号線に電気的に接続され、選択トランジスターのソースとドレインとの他方は第一トランジスターのゲートと第二トランジスターのゲートと第三トランジスターのゲートと第四トランジスターのゲートとに電気的に接続され(この接続点を第一ノードと称する)、選択トランジスターのゲートは走査線に電気的に接続され、第一トランジスターのドレインと第二トランジスターのドレインとはリングオシレーター素子の正電源部に電気的に接続され、第三トランジスターのドレインと第四トランジスターのドレインとはリングオシレーター素子の負電源部に電気的に接続され、画素電極はリングオシレーター素子の出力部に電気的に接続され、第一トランジスターと第三トランジスターとはN型トランジスターであり、第二トランジスターと第四トランジスターとはP型トランジスターである事を特徴とする。
この構成によれば、電気泳動材料に含まれる第一粒子と第二粒子とが効率的に分離されるので、コントラスト比が高く、残像が抑制された高い画像品位を示す電気泳動装置を実現できる。
Application Example 1 An electrophoretic device according to this application example includes a selection transistor disposed at an intersection of a scanning line and a signal line, a first transistor having a source electrically connected to a first wiring, and a second transistor. A second transistor whose source is electrically connected to the wiring, a third transistor whose source is electrically connected to the third wiring, a fourth transistor whose source is electrically connected to the fourth wiring, and a ring An oscillator element, a pixel electrode, a common electrode, and an electrophoretic material to which an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode is applied. One of the source and the drain of the selection transistor is electrically connected to the signal line. The other of the source and drain of the selection transistor is connected to the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, and the fourth transistor. It is electrically connected to the gate of the transistor (this connection point is called the first node), the gate of the selection transistor is electrically connected to the scanning line, and the drain of the first transistor and the drain of the second transistor are The drain of the third transistor and the drain of the fourth transistor are electrically connected to the negative power supply of the ring oscillator element, and the pixel electrode is the output of the ring oscillator element. The first transistor and the third transistor are N-type transistors, and the second transistor and the fourth transistor are P-type transistors.
According to this configuration, since the first particles and the second particles contained in the electrophoretic material are efficiently separated, it is possible to realize an electrophoretic device that exhibits high image quality with a high contrast ratio and suppressed afterimages. .

(適用例2) 本適用例に係わる電気泳動装置の駆動方法は、上記適用例1に記載の電気泳動装置の駆動方法であって、第一配線には第二低電位が供給され、第二配線には第一高電位が供給され、第三配線には第一低電位が供給され、第四配線には第二高電位が供給され、共通電極には共通電位が供給され、第一低電位よりも第二低電位は高電位であり、第一高電位よりも第二高電位は低電位であり、第一高電位と第二高電位との平均電位(高平均電位)は、第一低電位と第二低電位との平均電位(低平均電位)よりも高電位であり、共通電位は高平均電位と低平均電位との間の電位値である事を特徴とする。
この方法によれば、電気泳動材料に含まれる第一粒子と第二粒子とが効率的に分離されるので、コントラスト比が高く、高い画像品位を示す電気泳動装置を実現できる。
Application Example 2 The driving method of the electrophoresis apparatus according to this application example is the driving method of the electrophoresis apparatus according to Application Example 1, in which a second low potential is supplied to the first wiring, The first high potential is supplied to the wiring, the first low potential is supplied to the third wiring, the second high potential is supplied to the fourth wiring, the common potential is supplied to the common electrode, and the first low potential is supplied. The second low potential is higher than the first potential, the second high potential is lower than the first high potential, and the average potential (high average potential) between the first high potential and the second high potential is The potential is higher than the average potential (low average potential) of the first low potential and the second low potential, and the common potential is a potential value between the high average potential and the low average potential.
According to this method, since the first particles and the second particles contained in the electrophoretic material are efficiently separated, an electrophoretic device having a high contrast ratio and high image quality can be realized.

(適用例3) 上記適用例2に記載の電気泳動装置の駆動方法に於いて、第二低電位は共通電位よりも高電位であり、第二高電位は共通電位よりも低電位である事が好ましい。
この方法によれば、電気泳動材料に含まれる第一粒子と第二粒子とがより効率的に分離されるので、よりコントラスト比が高く、より高い画像品位を示す電気泳動装置を実現できる。
Application Example 3 In the method for driving an electrophoresis apparatus according to Application Example 2, the second low potential is higher than the common potential, and the second high potential is lower than the common potential. Is preferred.
According to this method, since the first particles and the second particles contained in the electrophoretic material are more efficiently separated, an electrophoretic apparatus having a higher contrast ratio and higher image quality can be realized.

(適用例4) 上記適用例2又は3に記載の電気泳動装置の駆動方法に於いて、信号線には高電位データと低電位データとが供給され、高電位データは第一高電位以上の値であり、低電位データは第一低電位以下の値である事が好ましい。
第一トランジスターと第三トランジスターとはN型で、第二トランジスターと第四トランジスターとはP型である。第二トランジスターと第四トランジスターとのソースに供給される最高電位が第一高電位である。従って、高電位データを第一高電位以上の値とすると、N型の第一トランジスターと第三トランジスターとはオン状態となり、P型の第二トランジスターと第四トランジスターとは、ゲート電位がソース電位よりも高くなり、オフ状態となる。この結果、リングオシレーター素子の正電源部には第二低電位が供給され、負電源部には第一低電位が供給される事になる。即ち、リングオシレーター素子からは第一低電位と第二低電位との間で振動する交番電位が出力される(第一交番電位と称する)。リングオシレーター素子の出力部は画素電極に電気的に接続されているので、この方法によれば、画素電極の電位(画素電位)を第一交番電位とする事ができる。
又、N型の第一トランジスターと第三トランジスターとのソースに供給される最低電位は第一低電位である。従って、低電位データを第一低電位以下の値とする事で、第一トランジスターと第三トランジスターとは、ゲート電位がソース電位よりも低くなり、オフ状態となる。一方、P型の第二トランジスターと第四トランジスターとはオン状態となる。この結果、リングオシレーター素子の正電源部には第一高電位が供給され、負電源部には第二高電位が供給される事になる。即ち、リングオシレーター素子からは第二高電位と第一高電位との間で振動する交番電位が出力される(第二交番電位と称する)。リングオシレーター素子の出力部は画素電極に電気的に接続されているので、画素電位を第二交番電位とする事ができる。
Application Example 4 In the method for driving an electrophoretic device according to Application Example 2 or 3, high potential data and low potential data are supplied to the signal line, and the high potential data is equal to or higher than the first high potential. It is preferable that the low potential data is a value equal to or lower than the first low potential.
The first transistor and the third transistor are N-type, and the second transistor and the fourth transistor are P-type. The highest potential supplied to the sources of the second transistor and the fourth transistor is the first high potential. Accordingly, when the high potential data is a value equal to or higher than the first high potential, the N-type first transistor and the third transistor are turned on, and the P-type second transistor and the fourth transistor have a gate potential of the source potential. It becomes higher and becomes an OFF state. As a result, the second low potential is supplied to the positive power supply portion of the ring oscillator element, and the first low potential is supplied to the negative power supply portion. That is, the ring oscillator element outputs an alternating potential that oscillates between the first low potential and the second low potential (referred to as the first alternating potential). Since the output portion of the ring oscillator element is electrically connected to the pixel electrode, according to this method, the potential of the pixel electrode (pixel potential) can be set to the first alternating potential.
The lowest potential supplied to the sources of the N-type first transistor and the third transistor is the first low potential. Therefore, by setting the low potential data to a value equal to or lower than the first low potential, the first transistor and the third transistor have the gate potential lower than the source potential and are turned off. On the other hand, the P-type second transistor and the fourth transistor are turned on. As a result, the first high potential is supplied to the positive power supply portion of the ring oscillator element, and the second high potential is supplied to the negative power supply portion. That is, the ring oscillator element outputs an alternating potential that oscillates between the second high potential and the first high potential (referred to as a second alternating potential). Since the output portion of the ring oscillator element is electrically connected to the pixel electrode, the pixel potential can be set to the second alternating potential.

(適用例5) 上記適用例2乃至4のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法に於いて、走査線には高走査電位と低走査電位とが供給され、高走査電位は高電位データ以上の値であり、低走査電位は低電位データ以下の値である事が好ましい。
走査線は、高走査電位の際に選択状態となり、低走査電位の際に非選択状態となる。従って、この方法によれば、高走査電位が高電位データ以上の値であるので、選択状態の際に第一ノードの電位を高電位データにも低電位データにもする事ができる。即ち、選択状態の際に、信号線に供給される電位を第一ノードに書き込む事ができる。又、低走査電位が低電位データ以下の値であるので、非選択状態の際に第一ノードの電位が低電位データであっても高電位データであってもこれを維持する事ができる。
Application Example 5 In the method for driving an electrophoretic device according to any one of Application Examples 2 to 4, the scanning line is supplied with a high scanning potential and a low scanning potential, and the high scanning potential is high. The value is more than the potential data, and the low scanning potential is preferably less than the lower potential data.
The scanning line is selected when the scanning potential is high, and is not selected when the scanning potential is low. Therefore, according to this method, since the high scanning potential is equal to or higher than the high potential data, the potential of the first node can be changed to high potential data or low potential data in the selected state. That is, in the selected state, the potential supplied to the signal line can be written to the first node. Further, since the low scanning potential is equal to or lower than the low potential data, it can be maintained regardless of whether the potential of the first node is low potential data or high potential data in the non-selected state.

(適用例6) 上記適用例2乃至5のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法に於いて、高平均電位と低電位平均との平均値が共通電位とほぼ一致し、第二低電位と第一低電位との差と、第一高電位と第二高電位との差と、がほぼ等しい事が好ましい。
電気泳動材料は第一色表示に寄与する第一粒子と第二色表示に寄与する第二粒子とを含んでいる。この方法によれば、第一粒子に対する電界と第二粒子に対する電界とが対称となるので、美しい表示を実現する事ができると共に、電気泳動材料の寿命を長く保つ事ができる。
Application Example 6 In the method for driving an electrophoresis apparatus according to any one of Application Examples 2 to 5, the average value of the high average potential and the low potential average substantially coincide with the common potential, and the second It is preferable that the difference between the low potential and the first low potential is substantially equal to the difference between the first high potential and the second high potential.
The electrophoretic material includes first particles that contribute to the first color display and second particles that contribute to the second color display. According to this method, the electric field with respect to the first particles and the electric field with respect to the second particles are symmetric, so that a beautiful display can be realized and the lifetime of the electrophoretic material can be kept long.

(適用例7) 上記適用例2乃至6のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法に於いて、一枚のフレーム画像を形成する期間をフレーム周期とした際に、リングオシレーター素子の発振周期はフレーム周期よりも短い事が好ましい。
この方法によれば、電気泳動材料に含まれる第一粒子と第二粒子とが効率的に分離されるうえ、リングオシレーター素子の発振周期が短い為に、画面のちらつき(フリッカー)が発生し難い。即ち、コントラスト比が高く、高品位な画像を表示する電気泳動装置を実現できる。
Application Example 7 In the method of driving an electrophoretic device according to any one of Application Examples 2 to 6, when the period for forming one frame image is a frame period, the ring oscillator element The oscillation period is preferably shorter than the frame period.
According to this method, the first particles and the second particles contained in the electrophoretic material are efficiently separated, and the oscillation cycle of the ring oscillator element is short, so that screen flicker is not likely to occur. . That is, it is possible to realize an electrophoresis apparatus that displays a high-quality image with a high contrast ratio.

(適用例8) 適用例2乃至7のいずれか一項に記載の駆動方法を行う事を特徴とする電気泳動装置の制御回路。
この構成によれば、コントラスト比が高い高品位な画像を電気泳動装置に表示する制御回路を提供できる。
Application Example 8 A control circuit for an electrophoretic device, wherein the driving method according to any one of Application Examples 2 to 7 is performed.
According to this configuration, it is possible to provide a control circuit that displays a high-quality image with a high contrast ratio on the electrophoresis apparatus.

(適用例9) 適用例8に記載の制御回路を備えた事を特徴とする電気泳動装置。
この構成によれば、コントラスト比が高い高品位な画像を表示する電気泳動装置を提供できる。
Application Example 9 An electrophoretic device including the control circuit according to Application Example 8.
According to this configuration, it is possible to provide an electrophoresis apparatus that displays a high-quality image with a high contrast ratio.

(適用例10) 適用例9に記載の電気泳動装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、コントラスト比が高い高品位な画像を表示する電気泳動装置を備えた電子機器を提供できる。
Application Example 10 An electronic apparatus comprising the electrophoresis apparatus according to Application Example 9.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including an electrophoresis device that displays a high-quality image with a high contrast ratio.

本発明における電子機器の斜視図。The perspective view of the electronic device in this invention. 本実施形態に係る電子機器を、機能ブロック毎に表したブロック図。The block diagram showing the electronic device which concerns on this embodiment for every functional block. 本実施形態に係る電気泳動装置の回路図。The circuit diagram of the electrophoresis device concerning this embodiment. 本実施形態に係る電気泳動装置の画素の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a pixel of the electrophoresis apparatus according to the embodiment. 画素の断面構造を説明する図。FIG. 9 illustrates a cross-sectional structure of a pixel. 電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図。The figure explaining an example of the drive method of an electrophoresis apparatus. 電子ペーパーの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of electronic paper. 電子ノートの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of an electronic notebook. 実施形態2に係わる電気泳動装置の画素の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of a pixel of the electrophoresis apparatus according to the second embodiment. 実施形態2に係わる電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a method for driving an electrophoresis apparatus according to a second embodiment. 実施形態3に係わる電気泳動装置の画素の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of a pixel of the electrophoresis apparatus according to the third embodiment. 実施形態3に係わる電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a method for driving an electrophoresis apparatus according to a third embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each layer and each member is made different from the actual scale so that each layer and each member can be recognized.

(実施形態1)
「電子機器の概要」
図1は、本発明における電子機器の斜視図である。先ず、実施形態1に係る電子機器の全体構成(概要)について、図1を参照して説明する。
(Embodiment 1)
"Outline of electronic equipment"
FIG. 1 is a perspective view of an electronic apparatus according to the present invention. First, the overall configuration (outline) of the electronic apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

本発明に係る電子機器100は、電気泳動装置150(図2参照)と、電子機器100を操作するためのインターフェイスとを備えている。インターフェイスとは、具体的には操作部120で、スイッチなどから構成される。電気泳動装置150は表示部10を有するディスプレイモジュールである。表示部10は複数の画素20(図3参照)から成り、これらの画素20が電気的に制御される事で表示部10に画像が表示される。電気泳動装置150では、電気泳動材料24(図4参照)を用いて表示がなされる。   The electronic device 100 according to the present invention includes an electrophoresis apparatus 150 (see FIG. 2) and an interface for operating the electronic device 100. Specifically, the interface is the operation unit 120 and includes a switch and the like. The electrophoretic device 150 is a display module having the display unit 10. The display unit 10 includes a plurality of pixels 20 (see FIG. 3), and an image is displayed on the display unit 10 by electrically controlling these pixels 20. In the electrophoretic device 150, display is performed using the electrophoretic material 24 (see FIG. 4).

「電子機器の基本構成」
図2は本実施形態に係る電子機器を、機能ブロック毎に表したブロック図である。次に、電子機器の基本構成を、図2を参照して、説明する。
"Basic configuration of electronic equipment"
FIG. 2 is a block diagram illustrating the electronic apparatus according to the present embodiment for each functional block. Next, a basic configuration of the electronic device will be described with reference to FIG.

電子機器100は、電気泳動装置150と操作部120とを有している。場合によっては更に画像信号供給回路130を電子機器100が備えていても良い。操作部120は使用者が電子機器100を操作する部位である。電気泳動装置150は、表示部10と制御回路140とを有している。更には、操作部120などを電気泳動装置150が備えていても良い。制御回路140は、好適例として、駆動回路70と制御部60と記憶部90と画像信号処理部80とフレームメモリー110とを含んで構成されている。駆動回路70は走査信号や画像信号等の各種信号を表示部10に供給する。記憶部90は表示部に表示するための画像データ等を記憶する。画像信号処理部80は駆動回路70に画像信号等の各種信号を供給する。制御部60はこれらを制御する。尚、本実施形態に係わる電子機器の基本構成は、上述の構成に限定される物ではなく、本実施形態に係る駆動方法を実現可能な回路構成であれば良い。   The electronic device 100 includes an electrophoresis device 150 and an operation unit 120. In some cases, the electronic device 100 may further include an image signal supply circuit 130. The operation unit 120 is a part where the user operates the electronic device 100. The electrophoresis device 150 includes the display unit 10 and a control circuit 140. Furthermore, the electrophoretic device 150 may include the operation unit 120 and the like. As a preferred example, the control circuit 140 includes a drive circuit 70, a control unit 60, a storage unit 90, an image signal processing unit 80, and a frame memory 110. The drive circuit 70 supplies various signals such as scanning signals and image signals to the display unit 10. The storage unit 90 stores image data to be displayed on the display unit. The image signal processing unit 80 supplies various signals such as an image signal to the drive circuit 70. The control unit 60 controls these. The basic configuration of the electronic device according to the present embodiment is not limited to the above-described configuration, and may be a circuit configuration that can realize the driving method according to the present embodiment.

制御部60は、CPU(Central Processing Unit)であり、各部の動作を制御する。また、制御部60には記憶部90が付随している。記憶部90は、例えば、フラッシュメモリーなどの不揮発性記憶装置により構成されている。記憶部90には表示部10に表示する各種画像データや、電子機器100の動作を定める各種プログラム或いはルックアップテーブル、などが記憶されている。これらのデータは、外部の画像信号供給回路130から入力され、必要に応じて入れ替えられる。尚、画像信号供給回路130は、主に入れ替えられるデータが画像信号で有る為に、この様に命名されているが、前述の各種プログラムやルックアップテーブル等も画像信号供給回路130を介して入れ替える事が可能である。画像信号供給回路130は、インターネットに接続するパーソナルコンピューターや携帯電話、或いはUSBメモリーやSDカードなどに備えられ、新たなデータを電子機器100に供給する。前述の如く、画像信号供給回路130を電子機器100が備えており、電子機器100単体でインターネットや携帯電話網などに接続する様にしても良い。   The control unit 60 is a CPU (Central Processing Unit) and controls the operation of each unit. The control unit 60 is accompanied by a storage unit 90. The storage unit 90 is configured by a nonvolatile storage device such as a flash memory, for example. The storage unit 90 stores various image data to be displayed on the display unit 10, various programs or lookup tables that determine the operation of the electronic device 100, and the like. These data are input from the external image signal supply circuit 130 and are exchanged as necessary. The image signal supply circuit 130 is named in this way because mainly the data to be replaced is an image signal. However, the above-described various programs and lookup tables are also replaced through the image signal supply circuit 130. Things are possible. The image signal supply circuit 130 is provided in a personal computer or a mobile phone connected to the Internet, a USB memory, an SD card, or the like, and supplies new data to the electronic device 100. As described above, the electronic device 100 includes the image signal supply circuit 130, and the electronic device 100 alone may be connected to the Internet, a mobile phone network, or the like.

画像信号処理部80は、フレームメモリー110を付随しており、記憶部90から取り出した画像データに応じて画像信号を作製し、これを駆動回路70に供給する。具体的には、フレームメモリー110に収納されている第一の画像(現在表示されている画像)に対応する画像信号と記憶部90に収納されている第二の画像(次に表示される画像)のデータとから、画像信号処理部80と制御部60とが第二の画像に対応する画像信号を生成する。画像信号処理部80は、こうして得られた画像信号を駆動回路70に供給して第二の画像を表示部10に表示する。尚、フレームメモリー110は、表示部10の少なくとも1フレーム分以上の画像データを記憶可能なメモリー容量を備えたVRAM(Video Random Access Memory)である。メモリー容量は2フレーム分以上有る事が望ましい。   The image signal processing unit 80 is accompanied by a frame memory 110, generates an image signal according to the image data extracted from the storage unit 90, and supplies the image signal to the drive circuit 70. Specifically, an image signal corresponding to the first image (currently displayed image) stored in the frame memory 110 and the second image (next displayed image) stored in the storage unit 90. ), The image signal processing unit 80 and the control unit 60 generate an image signal corresponding to the second image. The image signal processing unit 80 supplies the image signal thus obtained to the drive circuit 70 and displays the second image on the display unit 10. The frame memory 110 is a VRAM (Video Random Access Memory) having a memory capacity capable of storing image data of at least one frame of the display unit 10. The memory capacity is preferably more than 2 frames.

操作部120は、複数の操作ボタン(図1参照)を含んで構成されており、当該操作ボタンによって、使用者は電子機器100に、表示を切り換えるためのトリガー信号を与える。   The operation unit 120 includes a plurality of operation buttons (see FIG. 1), and the user gives a trigger signal for switching the display to the electronic device 100 by the operation buttons.

「回路、構造」
図3は本実施形態に係る電気泳動装置の回路図である。図4は本実施形態に係る電気泳動装置の画素の回路図である。又、図5は画素の断面構造を説明する図である。次に、図3乃至5を参照して、本実施形態に係る電気泳動装置の表示部と駆動回路との回路構成と断面構造とを説明する。尚、説明を分かり易くする為に、図4には各種電位の一例を具体的な数値で記載してあるが、以下に説明する電位関係が満たされれば、無論、他の数値の電位であっても構わない。
"Circuit, structure"
FIG. 3 is a circuit diagram of the electrophoresis apparatus according to the present embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram of a pixel of the electrophoresis apparatus according to this embodiment. FIG. 5 is a diagram for explaining a cross-sectional structure of a pixel. Next, a circuit configuration and a cross-sectional structure of the display unit and the drive circuit of the electrophoresis apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. For ease of explanation, FIG. 4 shows examples of various potentials with specific numerical values. However, if the potential relation described below is satisfied, it is needless to say that other potentials are used. It doesn't matter.

図3に示されている様に、表示部10には、m行×n列分の画素20が行列状(二次元平面的)に配列されている。又、表示部10には、m本の走査線30(即ち、走査線Y1、Y2、…、Ym)と、n本の信号線40(即ち、信号線X1、X2、…、Xn)とが互いに交差するように設けられている。具体的には、m本の走査線30は行方向(即ち、X方向)に延在し、n本の信号線40は列方向(即ち、Y方向)に延在している。m本の走査線30とn本の信号線40との交差点に対応して画素20が配置されている。   As shown in FIG. 3, the display unit 10 includes m rows × n columns of pixels 20 arranged in a matrix (two-dimensional plane). The display unit 10 includes m scanning lines 30 (that is, scanning lines Y1, Y2,..., Ym) and n signal lines 40 (that is, signal lines X1, X2,..., Xn). It is provided so as to cross each other. Specifically, m scanning lines 30 extend in the row direction (that is, the X direction), and n signal lines 40 extend in the column direction (that is, the Y direction). Pixels 20 are arranged corresponding to the intersections of m scanning lines 30 and n signal lines 40.

表示部10には駆動回路70が付属している。駆動回路70は、コントローラー71や走査線駆動回路72、信号線駆動回路73、電位供給回路74などから構成されている。コントローラー71は、走査線駆動回路72と信号線駆動回路73、及び電位供給回路74の動作を制御し、クロック信号やタイミング信号等の各種信号をこれらの各回路に供給する。   A drive circuit 70 is attached to the display unit 10. The drive circuit 70 includes a controller 71, a scanning line drive circuit 72, a signal line drive circuit 73, a potential supply circuit 74, and the like. The controller 71 controls the operations of the scanning line driving circuit 72, the signal line driving circuit 73, and the potential supply circuit 74, and supplies various signals such as a clock signal and a timing signal to these circuits.

走査線駆動回路72は、コントローラー71から供給されるタイミング信号に基づいて、走査線Y1、Y2、…、Ymの各々に走査信号を供給する。走査線30に供給される走査信号は高走査電位SH(例えば、SH=36V)と低走査電位SL(例えば、SL=0V)とが含まれている。走査線30は、高走査電位SHの際に選択状態となり、低走査電位SLの際に非選択状態となる。信号線駆動回路73は、コントローラー71から供給されるタイミング信号に基づいて、信号線X1、X2、…、Xnに画像信号を供給する。信号線に供給される画像信号は、高電位データDH(例えば、DH=35V)と低電位データDL(例えば、DL=1V)とのいずれかとなる。これに応じて、各画素20の画素電極22の電位(画素電位Vpx)は第一交番電位又は第二交番電位のいずれかとなる。第一交番電位と第二交番電位とに関しては、詳細は後述するが、本実施形態では、一例として、第一色(例えば白)を表示する画素20の画素電位Vpxは第一交番電位(例えば、2Vと20Vとの間で振動する電位)となり、第二色(例えば黒)を表示する画素20の画素電位Vpxは第二交番電位(例えば、16Vと34Vとの間で振動する電位)となる。 Based on the timing signal supplied from the controller 71, the scanning line driving circuit 72 supplies a scanning signal to each of the scanning lines Y1, Y2,. The scanning signal supplied to the scanning line 30 includes a high scanning potential SH (for example, SH = 36V) and a low scanning potential SL (for example, SL = 0V). The scanning line 30 is selected when the scanning potential is high, and is not selected when the scanning potential is low. The signal line driving circuit 73 supplies an image signal to the signal lines X1, X2,..., Xn based on the timing signal supplied from the controller 71. The image signal supplied to the signal line is either high potential data DH (for example, DH = 35V) or low potential data DL (for example, DL = 1V). In response to this, the potential of the pixel electrode 22 (pixel potential V px ) of each pixel 20 is either the first alternating potential or the second alternating potential. Although details will be described later regarding the first alternating potential and the second alternating potential, in the present embodiment, as an example, the pixel potential V px of the pixel 20 displaying the first color (for example, white) is the first alternating potential ( For example, the pixel potential V px of the pixel 20 that displays the second color (for example, black) is the second alternating potential (for example, a potential that oscillates between 16 V and 34 V). )

第一交番電位は第一交番周期T1を有し、一フレーム画像を形成するフレーム期間内に第一低電位L1(例えば、L1=2V)と第二低電位L2(例えば、L2=20V)との間で振動する。第一低電位L1と第二低電位L2とでは、第二低電位L2が第一低電位L1よりも高電位となっている。第二交番電位は第二交番周期T2を有し、一フレーム画像を形成するフレーム期間内に第一高電位H1(例えば、H1=34V)と第二高電位H2(例えば、H2=16V)との間で振動する。第一高電位H1と第二高電位H2とでは、第二高電位H2が第一高電位H1よりも低電位となっている。第一高電位H1と第二高電位H2との平均電位(高平均電位HMと称する、今の例では、HM=25V)は、第一低電位L1と第二低電位L2との平均電位(低平均電位LMと称する、今の例では、LM=11V)よりも高電位である。尚、第一交番周期T1と第二交番周期T2とは、異なった周期でも良いが、本実施形態では同一としている。後述する様に、第一交番電位と第二交番電位とは、画素20に設けられたリングオシレーター素子28(図4参照)にて形成される。従って、第一交番周期T1と第二交番周期T2とはリングオシレーター素子28に供給される電源電圧(正電源電位と負電源電位との差)に応じて定まる。本実施形態では、第一交番電位を形成する際にリングオシレーター素子28に供給される電源電圧と、第二交番電位を形成する際にリングオシレーター素子28に供給される電源電圧と、を同一としているので、第一交番周期T1と第二交番周期T2とは同一の値となる。即ち、第二低電位L2と第一低電位L1との差が、第一高電位H1と第二高電位H2との差とほぼ等しくなる様にしている(│L2−L1│=│H1−H2│)。従って、第一交番周期T1と第二交番周期T2とは同一の値となる。以降、特に第一交番周期T1と第二交番周期T2とを区別する必要がない場合、これらを交番周期TAと称す。 The first alternating potential has a first alternating period T 1 , and a first low potential L 1 (for example, L 1 = 2V) and a second low potential L 2 (for example, L 1 ) within a frame period for forming one frame image. 2 = 20V). In the first low potential L 1 and the second low potential L 2 , the second low potential L 2 is higher than the first low potential L 1 . The second alternating potential has a second alternating period T 2 , and the first high potential H 1 (for example, H 1 = 34V) and the second high potential H 2 (for example, H 2 ) within a frame period for forming one frame image. 2 = 16V). In the first high potential H 1 and the second high potential H 2 , the second high potential H 2 is lower than the first high potential H 1 . The average potential of the first high potential H 1 and the second high potential H 2 (referred to as the high average potential HM, in this example, HM = 25V) is the first low potential L 1 , the second low potential L 2 , Higher than the average potential (referred to as the low average potential LM, in this example, LM = 11 V). The first alternating cycle T 1 and the second alternating cycle T 2 may be different, but are the same in this embodiment. As will be described later, the first alternating potential and the second alternating potential are formed by a ring oscillator element 28 (see FIG. 4) provided in the pixel 20. Therefore, the first alternating cycle T 1 and the second alternating cycle T 2 are determined according to the power supply voltage (difference between the positive power supply potential and the negative power supply potential) supplied to the ring oscillator element 28. In the present embodiment, the power supply voltage supplied to the ring oscillator element 28 when the first alternating potential is formed is the same as the power supply voltage supplied to the ring oscillator element 28 when the second alternating potential is formed. Therefore, the first alternating cycle T 1 and the second alternating cycle T 2 have the same value. That is, the difference between the second low potential L 2 and the first low potential L 1 is made substantially equal to the difference between the first high potential H 1 and the second high potential H 2 (| L 2 −L 1 │ = │H 1 -H 2 │). Accordingly, the first alternating cycle T 1 and the second alternating cycle T 2 have the same value. Later, particularly if the first alternating cycle T 1 is not necessary to distinguish between the second alternating period T 2, these will be called the alternating period T A.

電位供給回路74は、共通電位線50に共通電位Vcomを供給し、共通電位線50は共通電極23に電気的に接続する。従って、電位供給回路74は共通電極23に共通電位Vcomを供給する。共通電極23に供給される共通電位Vcomは、高平均電位HMと低平均電位LMとの間の電位値である(例えば、Vcom=18V)。更に、電位供給回路74から各画素20には各種電位線55が配線されている。各種電位線55としては、第一配線551(図4参照)や第二配線552(図4参照)、第三配線553(図4参照)、第四配線554(図4参照)、固定電位線55F(図4参照)等が含まれる。図3では、これらを纏めて各種電位線55として描いてある。第一配線551には第二低電位L2が供給され、第二配線552には第一高電位H1が供給され、第三配線553には第一低電位L1が供給され、第四配線554には第二高電位H2が供給され、固定電位線55Fには適当な固定電位VFが供給される(例えば、VF=0V)。図4に示す様に、固定電位線55Fは容量素子25Dの第二電極252に電気的に接続する。後述する様に、固定電位線55Fを用いない構成も可能である。尚、コントローラー71、走査線駆動回路72、信号線駆動回路73及び電位供給回路74には、各種の信号が入出力されるが、本実施形態と特に関係のない物については説明を省略している。 The potential supply circuit 74 supplies the common potential V com to the common potential line 50, and the common potential line 50 is electrically connected to the common electrode 23. Accordingly, the potential supply circuit 74 supplies the common potential V com to the common electrode 23. The common potential V com supplied to the common electrode 23 is a potential value between the high average potential HM and the low average potential LM (for example, V com = 18V). Further, various potential lines 55 are wired from the potential supply circuit 74 to each pixel 20. The various potential lines 55 include a first wiring 551 (see FIG. 4), a second wiring 552 (see FIG. 4), a third wiring 553 (see FIG. 4), a fourth wiring 554 (see FIG. 4), a fixed potential line. 55F (see FIG. 4) and the like are included. In FIG. 3, these are collectively drawn as various potential lines 55. The second low potential L 2 is supplied to the first wiring 551, the first high potential H 1 is supplied to the second wiring 552, the first low potential L 1 is supplied to the third wiring 553, and the fourth A second high potential H 2 is supplied to the wiring 554, and an appropriate fixed potential V F is supplied to the fixed potential line 55F (for example, V F = 0V). As shown in FIG. 4, the fixed potential line 55F is electrically connected to the second electrode 252 of the capacitor 25D. As will be described later, a configuration in which the fixed potential line 55F is not used is also possible. Various signals are input / output to / from the controller 71, the scanning line driving circuit 72, the signal line driving circuit 73, and the potential supply circuit 74, but descriptions of those that are not particularly related to the present embodiment are omitted. Yes.

図4の画素回路図に示される様に、走査線と信号線との交差点に配置された画素20は、選択トランジスター21と第一トランジスター26Nと第二トランジスター26Pと第三トランジスター27Nと第四トランジスター27Pとリングオシレーター素子と画素電極22と共通電極23と電気泳動材料24と容量素子25Dとを備えている。電気泳動材料24は画素電極22と共通電極23との間に配置され、画素電極22と共通電極23と電気泳動材料24とで容量を形成する。この様にして、電気泳動材料24には画素電極22と共通電極23との間に発生する電界が印加される。   As shown in the pixel circuit diagram of FIG. 4, the pixel 20 arranged at the intersection of the scanning line and the signal line includes a selection transistor 21, a first transistor 26N, a second transistor 26P, a third transistor 27N, and a fourth transistor. 27P, a ring oscillator element, a pixel electrode 22, a common electrode 23, an electrophoretic material 24, and a capacitive element 25D. The electrophoretic material 24 is disposed between the pixel electrode 22 and the common electrode 23, and the pixel electrode 22, the common electrode 23, and the electrophoretic material 24 form a capacitance. In this way, an electric field generated between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 is applied to the electrophoretic material 24.

第一トランジスター26Nと第二トランジスター26Pとは相補的であり、一方が第一導電型であれば、他方は第一導電型とは異なる第二導電型である。又、第三トランジスター27Nと第四トランジスター27Pとは相補的であり、一方が第一導電型であれば、他方は第一導電型とは異なる第二導電型である。更に、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとは同一導電型であり、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとは同一導電型である。本実施形態では、第一トランジスター26NがN型で、第二トランジスター26PがP型で、第三トランジスター27NがN型で、第四トランジスター27PがP型である。   The first transistor 26N and the second transistor 26P are complementary, and if one is a first conductivity type, the other is a second conductivity type different from the first conductivity type. The third transistor 27N and the fourth transistor 27P are complementary, and if one is a first conductivity type, the other is a second conductivity type different from the first conductivity type. Further, the first transistor 26N and the third transistor 27N have the same conductivity type, and the second transistor 26P and the fourth transistor 27P have the same conductivity type. In the present embodiment, the first transistor 26N is N-type, the second transistor 26P is P-type, the third transistor 27N is N-type, and the fourth transistor 27P is P-type.

第一トランジスター26Nのソースは第一配線551に電気的に接続されており、第二トランジスター26Pのソースは第二配線552に電気的に接続されており、第三トランジスター27Nのソースは第三配線553に電気的に接続されており、第四トランジスター27Pのソースは第四配線554に電気的に接続されている。第一トランジスター26Nのドレインと第二トランジスター26Pのドレインとはリングオシレーター素子28の正電源部ROVDDに電気的に接続され、第三トランジスター27Nのドレインと第四トランジスター27Pのドレインとはリングオシレーター素子28の負電源部ROVSSに電気的に接続されている。前述の如く、第一配線551には第二低電位L2が供給され、第二配線552には第一高電位H1が供給され、第二低電位L2よりも第一高電位H1の方が高電位である為に、リングオシレーター素子28の正電源部ROVDDに電気的に接続されるのが、第一トランジスター26Nのドレインと第二トランジスター26Pのドレインとになる。同様に、第三配線553には第一低電位L1が供給され、第四配線554には第二高電位H2が供給され、第二高電位H2よりも第一低電位L1の方が低電位である為に、リングオシレーター素子28の負電源部ROVSSに電気的に接続されるのが、第三トランジスター27Nのドレインと第四トランジスター27Pのドレインとになる。 The source of the first transistor 26N is electrically connected to the first wiring 551, the source of the second transistor 26P is electrically connected to the second wiring 552, and the source of the third transistor 27N is the third wiring. The source of the fourth transistor 27 </ b> P is electrically connected to the fourth wiring 554. The drain of the first transistor 26N and the drain of the second transistor 26P are electrically connected to the positive power supply portion ROVDD of the ring oscillator element 28, and the drain of the third transistor 27N and the drain of the fourth transistor 27P are connected to the ring oscillator element 28. The negative power supply unit ROVSS is electrically connected. As described above, the first wiring 551 is supplied the second low potential L 2, the second wiring 552 is supplied first high potential H 1, second low potential L 2 first high potential H 1 than Since this has a higher potential, the drain of the first transistor 26N and the drain of the second transistor 26P are electrically connected to the positive power supply portion ROVDD of the ring oscillator element 28. Similarly, the first low potential L 1 is supplied to the third wiring 553, the second high potential H 2 is supplied to the fourth wiring 554, and the first low potential L 1 is higher than the second high potential H 2 . Since the potential is lower, the drain of the third transistor 27N and the drain of the fourth transistor 27P are electrically connected to the negative power supply portion ROVSS of the ring oscillator element 28.

選択トランジスター21は、例えばN型トランジスターで構成されている。選択トランジスター21は、そのソースとドレインとの一方が信号線40に電気的に接続されており、ソースとドレインとの他方は第一トランジスター26Nのゲートと第二トランジスター26Pのゲートと第三トランジスター27Nのゲートと第四トランジスター27Pのゲートと容量素子25Dの第一電極251とに電気的に接続されている。この接続点を第一ノードn1と称する。選択トランジスター21のゲートは走査線30に電気的に接続されている。選択トランジスター21は、信号線駆動回路73から信号線40を介して供給される画像信号を、走査線駆動回路72から走査線30を介して供給される走査信号に応じて、第一ノードn1に出力する。図5に示す様に、本実施形態では、選択トランジスター21と第一トランジスター26N(図示省略)と第二トランジスター26P(図示省略)と第三トランジスター27N(図示省略)と第四トランジスター27P(図示省略)とリングオシレーター素子28を構成するトランジスターは、上ゲート型の薄膜トランジスターが採用されているが、これらのトランジスターは下ゲート型の薄膜トランジスターで有っても構わない。尚、回路動作を確実とする為には、これらのトランジスターは、いずれも、ゲート電圧(ソース電位を基準にしたゲート電位Vgs)が0Vの際にオフ状態となるノーマリーオフ型(エンハンスメントタイプトランジスター)である事が好ましい。 The selection transistor 21 is composed of, for example, an N-type transistor. One of the source and drain of the selection transistor 21 is electrically connected to the signal line 40, and the other of the source and drain is the gate of the first transistor 26N, the gate of the second transistor 26P, and the third transistor 27N. , The gate of the fourth transistor 27P, and the first electrode 251 of the capacitive element 25D. This connection point is referred to as a first node n1. The gate of the selection transistor 21 is electrically connected to the scanning line 30. The selection transistor 21 supplies the image signal supplied from the signal line driving circuit 73 via the signal line 40 to the first node n1 in accordance with the scanning signal supplied from the scanning line driving circuit 72 via the scanning line 30. Output. As shown in FIG. 5, in this embodiment, the selection transistor 21, the first transistor 26N (not shown), the second transistor 26P (not shown), the third transistor 27N (not shown), and the fourth transistor 27P (not shown). The transistors constituting the ring oscillator element 28 are upper gate type thin film transistors, but these transistors may be lower gate type thin film transistors. In order to ensure the circuit operation, all of these transistors are normally off type (enhancement type) which is turned off when the gate voltage (gate potential V gs based on the source potential) is 0V. Transistor) is preferable.

リングオシレーター素子28は奇数個のインバーター回路が直列に電気的に接続されている。本実施形態では、一例としてリングオシレーター(以降、ROともいう)用第一インバーター回路281とRO用第二インバーター回路282とRO用第三インバーター回路283との3個のインバーター回路が用いられている。以降、これらを特に区別する必要のない場合、RO用インバーター回路と総称する。RO用インバーター回路では、P型トランジスターが正電源部ROVDDにソース接続し、N型トランジスターが負電源部ROVSSにソース接続し、P型トランジスターのゲートとN型トランジスターのゲートとがRO用インバーター回路の入力部となり、P型トランジスターのドレインとN型トランジスターのドレインとがRO用インバーター回路の出力部となっている。あるRO用インバーター回路の出力部は次段のRO用インバーター回路の入力部に電気的に接続され、最終段のRO用インバーター回路(本実施形態では、RO用第三インバーター回路283)の出力部は初段のRO用インバーター回路(本実施形態では、RO用第一インバーター回路281)の入力部に電気的に接続される。最終段のRO用インバーター回路の出力部はリングオシレーター素子28の出力部ROOUTで、リングオシレーター素子28の出力部ROOUTは画素電極に電気的に接続される。   In the ring oscillator element 28, an odd number of inverter circuits are electrically connected in series. In the present embodiment, as an example, three inverter circuits of a ring oscillator (hereinafter also referred to as RO) first inverter circuit 281, a second RO inverter circuit 282, and a third RO inverter circuit 283 are used. . Hereinafter, when it is not necessary to distinguish between them, they are collectively referred to as an RO inverter circuit. In the RO inverter circuit, the P-type transistor is connected to the positive power source ROVDD, the N-type transistor is connected to the negative power source ROVSS, and the gate of the P-type transistor and the gate of the N-type transistor are connected to the RO inverter circuit. The drain of the P-type transistor and the drain of the N-type transistor are the output section of the RO inverter circuit. The output part of a certain RO inverter circuit is electrically connected to the input part of the next-stage RO inverter circuit, and the output part of the final-stage RO inverter circuit (in this embodiment, the third RO inverter circuit 283). Is electrically connected to the input of the first-stage RO inverter circuit (in this embodiment, the first RO inverter circuit 281). The output part of the RO inverter circuit at the final stage is the output part ROOUT of the ring oscillator element 28, and the output part ROOUT of the ring oscillator element 28 is electrically connected to the pixel electrode.

リングオシレーター素子28に於けるRO用インバーター回路の数や、これらRO用インバーター回路を構成するトランジスターのサイズは、リングオシレーター素子28の交番周期TAを定める。後述する様に交番周期TAには好ましい範囲があるので、この範囲に適する様にRO用インバーター回路の数や、これらRO用インバーター回路を構成するトランジスターのサイズを定める。更に、この範囲に適する様にリングオシレーター素子28を構成するRO用インバーター回路の出力部に負荷容量を接続しても良い。又、本実施形態ではCMOS型のインバーター回路をRO用インバーター回路に用いているが、RO用インバーター回路は片チャネル型であっても良い。 And the number of ring oscillators element 28 in RO for inverter circuits, the size of the transistor constituting the inverter circuit for these RO defines an alternating period T A of the ring oscillator element 28. Since the alternating period T A as described below is the preferred range, and the number of inverter circuits for RO as suitable for this range defines the size of the transistor constituting the inverter circuit for these RO. Further, a load capacity may be connected to the output part of the RO inverter circuit constituting the ring oscillator element 28 so as to be suitable for this range. In this embodiment, the CMOS type inverter circuit is used for the RO inverter circuit, but the RO inverter circuit may be a single channel type.

RO用インバーター回路の論理転換電位VTRROは正電源電位と負電源電位との平均値程度としておく。即ち、RO用インバーター回路の論理転換電位VTRROが、RO用インバーター回路に供給される正電源電位と負電源電位との平均値程度の電位値となる様に、RO用インバーター回路を構成するトランジスターのサイズを定める。具体的にはゲート電圧Vgsとドレイン電圧Vdsとが電源電圧の半分の際に、RO用インバーター回路を構成するP型トランジスターのドレイン電流の絶対値とRO用インバーター回路を構成するN型トランジスターのドレイン電流の絶対値とが等しくなる様に、其々のトランジスターサイズを定める。尚、インバーター回路の論理転換電位VTRとはインバーター回路の出力論理が反転する入力電位で、負電源電位と論理転換電圧(負電源電位が0Vの際に論理転換する電位)との和である。 The logical conversion potential V TRRO of the inverter circuit for RO is set to about the average value of the positive power supply potential and the negative power supply potential. That is, the transistors that constitute the RO inverter circuit so that the logical conversion potential V TRRO of the RO inverter circuit is approximately equal to the average value of the positive power supply potential and the negative power supply potential supplied to the RO inverter circuit. Determine the size of the. Specifically, when the gate voltage V gs and the drain voltage V ds are half of the power supply voltage, the absolute value of the drain current of the P-type transistor constituting the RO inverter circuit and the N-type transistor constituting the RO inverter circuit The transistor sizes are determined so that the absolute values of the drain currents of the transistors are equal. Note that the logic conversion potential V TR of the inverter circuit is an input potential at which the output logic of the inverter circuit is inverted, and is the sum of the negative power supply potential and the logic conversion voltage (the potential at which the logic conversion occurs when the negative power supply potential is 0V). .

容量素子25Dは、誘電体膜を介して対向配置された一対の電極、即ち、第一電極251と第二電極252とを有する。第一電極251は、第一ノードn1に電気的に接続され、第二電極252は、前述の如く、固定電位線55Fに電気的に接続されている。固定電位線55Fには固定電位VF(例えば0V)が供給される。尚、第二電極252の電位は固定電位であれば、どんな電位でも構わないので、固定電位線55Fを省いて、第二電極252を他の配線に電気的に接続しても良い。例えば、第二電極252は第一配線551や、第二配線552、第三配線553、第四配線554、等に電気的に接続する事が可能である。 The capacitive element 25D has a pair of electrodes, that is, a first electrode 251 and a second electrode 252 that are arranged to face each other with a dielectric film interposed therebetween. The first electrode 251 is electrically connected to the first node n1, and the second electrode 252 is electrically connected to the fixed potential line 55F as described above. A fixed potential V F (for example, 0 V) is supplied to the fixed potential line 55F. The potential of the second electrode 252 may be any potential as long as it is a fixed potential. Therefore, the second electrode 252 may be electrically connected to another wiring by omitting the fixed potential line 55F. For example, the second electrode 252 can be electrically connected to the first wiring 551, the second wiring 552, the third wiring 553, the fourth wiring 554, and the like.

尚、本明細書にて、端子1と端子2とが電気的に接続されているとは、端子1と端子2とが同じ論理状態になり得る事を意味している。具体的には、端子1と端子2とが配線により直に接続されている場合の他に、抵抗素子やスイッチング素子、容量素子、バッファー回路等を介して接続されている場合を含む。即ち、端子1での電位と端子2での電位とが多少異なっていても、回路上で同じ論理を持たせる場合、端子1と端子2とは電気的に接続されている事になる。従って、例えば、図4に示す様に、信号線40の画像信号を遮断させたり通過させたりする為の選択トランジスター21を信号線40と第一ノードn1との間に設けた場合も、選択トランジスター21がオン状態では、信号線40の画像信号が第一ノードn1に供給されるので、両者は電気的に接続されている事になる。   In this specification, that the terminal 1 and the terminal 2 are electrically connected means that the terminal 1 and the terminal 2 can be in the same logic state. Specifically, in addition to the case where the terminal 1 and the terminal 2 are directly connected by wiring, the case where they are connected via a resistance element, a switching element, a capacitive element, a buffer circuit, or the like is included. That is, even if the potential at the terminal 1 and the potential at the terminal 2 are slightly different, if the same logic is given on the circuit, the terminal 1 and the terminal 2 are electrically connected. Therefore, for example, as shown in FIG. 4, even when the selection transistor 21 for blocking or passing the image signal of the signal line 40 is provided between the signal line 40 and the first node n1, the selection transistor When 21 is in the on state, the image signal of the signal line 40 is supplied to the first node n1, so that both are electrically connected.

第一ノードn1には、信号線駆動回路73から信号線40及び選択トランジスター21を介して、画像信号が供給され、第一トランジスター26Nと第二トランジスター26Pと第三トランジスター27Nと第四トランジスター27Pとの動作が制御される。具体的には、画像信号が高電位データDHであると、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとがオン状態になり、リングオシレーター素子28には正電源電位として第二低電位L2が供給され、負電源電位として第一低電位L1が供給される。この結果、リングオシレーター素子28は第一低電位L1と第二低電位L2との間で振動する第一交番電位を画素電極22に供給する事になる。又、画像信号が低電位データDLであると、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとがオン状態になり、リングオシレーター素子28には正電源電位として第一高電位H1が供給され、負電源電位として第二高電位H2が供給される。この結果、リングオシレーター素子28は第二高電位H2と第一高電位H1との間で振動する第二交番電位を画素電極22に供給する事になる。この様に、画像信号に応じて、画素電位Vpxは第一交番電位と第二交番電位とのいずれかとなる。図5に示す様に、画素電極22は、電気泳動材料24を介して共通電極23と互いに対向するように配置されている。共通電極23は、共通電位Vcomが供給される共通電位線50に電気的に接続されている。本実施形態では、共通電極23は、画素電極22が形成された基板に対向する基板に設けられ、電気泳動粒子は図5に示す断面図の上下方向で電気泳動する。尚、共通電極23を画素電極22が形成された基板に設けて、電気泳動粒子が図5の断面図の水平方向(図5の左右方向)に電気泳動する構成としても良い。 An image signal is supplied to the first node n1 from the signal line driving circuit 73 through the signal line 40 and the selection transistor 21, and the first transistor 26N, the second transistor 26P, the third transistor 27N, and the fourth transistor 27P Is controlled. Specifically, when the image signal is the high potential data DH, the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on, and the second low potential L 2 is supplied to the ring oscillator element 28 as a positive power supply potential. Then, the first low potential L 1 is supplied as the negative power supply potential. As a result, the ring oscillator element 28 supplies the pixel electrode 22 with the first alternating potential that oscillates between the first low potential L 1 and the second low potential L 2 . When the image signal is the low potential data DL, the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on, and the first high potential H 1 is supplied to the ring oscillator element 28 as a positive power supply potential. A second high potential H 2 is supplied as a power supply potential. As a result, the ring oscillator element 28 supplies the pixel electrode 22 with a second alternating potential that oscillates between the second high potential H 2 and the first high potential H 1 . Thus, the pixel potential V px is either the first alternating potential or the second alternating potential according to the image signal. As shown in FIG. 5, the pixel electrode 22 is disposed so as to face the common electrode 23 with the electrophoretic material 24 interposed therebetween. The common electrode 23 is electrically connected to a common potential line 50 to which a common potential V com is supplied. In the present embodiment, the common electrode 23 is provided on a substrate facing the substrate on which the pixel electrode 22 is formed, and the electrophoretic particles are electrophoresed in the vertical direction of the cross-sectional view shown in FIG. Note that the common electrode 23 may be provided on the substrate on which the pixel electrode 22 is formed, and the electrophoretic particles may be electrophoresed in the horizontal direction (the left-right direction in FIG. 5) of the cross-sectional view of FIG.

電気泳動材料24は、第一色を呈した第一粒子と、第二色を呈した第二粒子と、を含んでいる。第一粒子と第二粒子とは電気泳動粒子と呼ばれ、これらの電気泳動粒子はマイクロカプセルや隔壁で区画された微小セル等に、分散液に分散された状態で、閉じ込められている。第一粒子と第二粒子との少なくともいずれか一方は、正極性又は負極性に帯電しており、画素電極22と共通電極23との間に発生する電界に応じて電気泳動を行う。本実施形態では、一例として、第一色を白色とし、第二色を黒色とし、第一粒子は第二粒子よりも負極性に帯電しているものとする。第一粒子の方が第二粒子よりも負極性に帯電しているとは、第一粒子が強く負極性に帯電すると共に第二粒子が弱く負極性に帯電する場合と、第一粒子が負極性に帯電すると共に第二粒子が中性である場合と、第一粒子が負極性に帯電すると共に第二粒子が正極性に帯電する場合と、第一粒子が中性であると共に第二粒子が正極性に帯電する場合と、第一粒子が弱く正極性に帯電すると共に第二粒子が強く正極性に帯電する場合と、の5つの場合のいずれかである事を意味する。   The electrophoretic material 24 includes first particles exhibiting a first color and second particles exhibiting a second color. The first particles and the second particles are referred to as electrophoretic particles, and these electrophoretic particles are confined in a state of being dispersed in a dispersion liquid in microcells or microcells partitioned by partition walls. At least one of the first particles and the second particles is charged positively or negatively, and performs electrophoresis according to an electric field generated between the pixel electrode 22 and the common electrode 23. In this embodiment, as an example, the first color is white, the second color is black, and the first particles are more negatively charged than the second particles. The first particles are more negatively charged than the second particles. The first particles are strongly negatively charged and the second particles are weakly negatively charged. And the second particles are neutral, the first particles are negatively charged and the second particles are positively charged, the first particles are neutral and the second particles Is positively charged, and the first particle is weakly positively charged and the second particle is strongly positively charged.

更に、電気泳動粒子の帯電が強いとは、分散液中で、ある電界強度下においてその電気泳動粒子がより早く電気泳動する事を意味する。反対に、電気泳動粒子の帯電が弱いとは、分散液中で、ある電界強度下においてその電気泳動粒子がより遅く電気泳動する事を意味する。その為、第一粒子と第二粒子が正極性同士もしくは負極性同士といった様に同極性であっても、帯電の強さが異なる事により電気泳動速度に差が生じ、電気泳動粒子の分布状態を変化させ、表示を変化させる事ができる。この帯電の強さを表す具体的な数値としては、例えばゼータ電位や電気泳動移動度という指標を参照する事ができる。ゼータ電位と電気泳動移動度とは、理論的には、比例関係にある。   Furthermore, the fact that the electrophoretic particles are strongly charged means that the electrophoretic particles are electrophoresed earlier in the dispersion under a certain electric field strength. On the contrary, the fact that the electrophoretic particles are weakly charged means that the electrophoretic particles are electrophoresed more slowly in the dispersion under a certain electric field strength. Therefore, even if the first and second particles have the same polarity, such as positive polarity or negative polarity, a difference in electrophoretic velocity occurs due to different charging strengths, and the distribution state of the electrophoretic particles You can change the display. As specific numerical values representing the strength of charging, for example, indices such as zeta potential and electrophoretic mobility can be referred to. The zeta potential and the electrophoretic mobility are theoretically proportional.

本実施形態では、白色の第一粒子は負に帯電しており、黒色の第二粒子は正に帯電しており、使用者は共通電極23側から表示を見るものとし、画素電極22には第一交番電位が供給される場合を考える。第一交番電位の中心電位、即ち、低平均電位LM(例えば、LM=11V)は、固定電位である共通電位Vcom(例えば、Vcom=18V)よりも低電位であるので、図5に示す様に、正に帯電している黒色の第二粒子は画素電極22の近くに引き寄せられ、負に帯電している白色の第一粒子は共通電極23の近く引き寄せられる。従って電気泳動装置150を共通電極23側から(図5の上方から)見ると、その画素20は白表示している事になる。この様にして、電気泳動装置150は、第一色と第二色とを少なくとも表示する事が可能となる。尚、第一色と第二色とは白黒に限らず、色相環(color circle)で正反対に位置する関係の色(相補的な色)の組み合わせとしても良い。例えば赤色微粒子と緑色微粒子との組み合わせや、黄色微粒子と紫色微粒子との組み合わせ、青色微粒子と橙色微粒子との組み合わせ、等にしても良い。その他にも赤色と緑色と青色との加法混色の三原色から適当な二色を組み合わせにしても良いし、或いは、シアンとマゼンタとイエローとの減法混色の三原色から適当な二色を組み合わせにしても良いし、更にはこれらの六色から適当な二色を組み合わせても良い。又、電気泳動粒子はマイクロカプセルに閉じ込められる必要もなく、例えば、隔壁を設けてその内部に収納しても良い。 In the present embodiment, the white first particles are negatively charged, the black second particles are positively charged, and the user views the display from the common electrode 23 side. Consider the case where the first alternating potential is supplied. Since the central potential of the first alternating potential, that is, the low average potential LM (for example, LM = 11V) is lower than the common potential V com (for example, V com = 18V) which is a fixed potential, FIG. As shown, the positively charged black second particles are attracted near the pixel electrode 22, and the negatively charged white first particles are attracted near the common electrode 23. Therefore, when the electrophoretic device 150 is viewed from the common electrode 23 side (from the upper side of FIG. 5), the pixel 20 displays white. In this way, the electrophoresis apparatus 150 can display at least the first color and the second color. Note that the first color and the second color are not limited to black and white, and may be a combination of colors (complementary colors) in the opposite positions in the color circle. For example, a combination of red fine particles and green fine particles, a combination of yellow fine particles and purple fine particles, a combination of blue fine particles and orange fine particles, or the like may be used. In addition, an appropriate two colors may be combined from the three primary colors of additive color mixture of red, green and blue, or an appropriate two colors may be combined from the three primary colors of subtractive color mixture of cyan, magenta and yellow. It is also possible to combine two colors from these six colors. Further, the electrophoretic particles do not need to be confined in the microcapsule, and for example, a partition wall may be provided and housed therein.

「電気泳動装置の駆動方法」
図6は電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図で、横軸は時間を表し、縦軸は電位を表している。以下、本実施形態に係る制御回路、及び電気泳動装置の駆動方法について説明する。
"Driving method of electrophoresis device"
FIG. 6 is a diagram for explaining an example of a method for driving the electrophoresis apparatus, in which the horizontal axis represents time and the vertical axis represents potential. Hereinafter, a control circuit according to the present embodiment and a method for driving the electrophoresis apparatus will be described.

以降の説明では、一例として、第一色を白表示とし、第二色を黒表示とする。図6には、共通電位Vcomと、第一色表示画素(白表示画素)の画素電位Vpx(W)と、第二色表示画素(黒表示画素)の画素電位Vpx(B)と、の関係が描かれている。尚、1枚の画像が形成される期間がフレーム期間(Frame)である。又、第一の方向を共通電極23から画素電極22を向いた方向(図6では下向き矢印で表示)とし、第一の方向とは反対の第二の方向を画素電極22から共通電極23を向いた方向(図6では上向き矢印で表示)としている。電界が第一の方向を向いている際に電界の向きを負とし、電界が第二の方向を向いている際に電界の向きを正とする。更に、図6で、電界の強さは矢印の長さで表されている。 In the following description, as an example, the first color is white display and the second color is black display. FIG. 6 shows the common potential V com , the pixel potential V px (W) of the first color display pixel (white display pixel), and the pixel potential V px (B) of the second color display pixel (black display pixel). , The relationship is drawn. A period during which one image is formed is a frame period (Frame). The first direction is the direction from the common electrode 23 toward the pixel electrode 22 (indicated by a downward arrow in FIG. 6), and the second direction opposite to the first direction is the pixel electrode 22 to the common electrode 23. The direction is indicated (indicated by an upward arrow in FIG. 6). The direction of the electric field is negative when the electric field is in the first direction, and the direction of the electric field is positive when the electric field is in the second direction. Furthermore, in FIG. 6, the strength of the electric field is represented by the length of the arrow.

第一色表示画素(白表示画素)で、第一粒子を第二粒子よりも共通電極23側に分布させるには(第一粒子を第二粒子よりも共通電極23の近傍に分布させるには)、図6のVpx(W)(図6の実線)に描かれている様に、画素電極22と共通電極23との間に発生する電界を、第一の方向を向いた強い第一の電界(以降、分かり易くする為に、この電界を第一強電界FSFと称する)と、第一強電界FSFよりも弱い第二の電界(以降、分かり易くする為に、この電界を第二弱電界SWFと称する)と、が交番周期TAにて交互に繰り返される交番電界とする。同様に、第二色表示画素(黒表示画素)で、第二粒子を第一粒子よりも共通電極23側に分布させるには(第二粒子を第一粒子よりも共通電極23の近傍に分布させるには)、図6のVpx(B)(図6の破線)に描かれている様に、画素電極22と共通電極23との間に発生する電界を、第一の方向とは反対の第二の方向を向いた強い第三の電界(以降、分かり易くする為に、この電界を第二強電界SSFと称する)と、第二強電界SSFよりも弱い第四の電界(以降、分かり易くする為に、この電界を第一弱電界FWFと称する)と、が交番周期TAにて交互に繰り返される交番電界とする。 In the first color display pixel (white display pixel), the first particles are distributed closer to the common electrode 23 than the second particles (the first particles are distributed closer to the common electrode 23 than the second particles). ), As depicted by V px (W) in FIG. 6 (solid line in FIG. 6), the electric field generated between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 has a strong first in the first direction. And the second electric field weaker than the first strong electric field FSF (hereinafter referred to as the second strong electric field FSF for the sake of clarity). referred to as a weak electric field SWF), but the alternating electric field to be repeated alternately at alternating periods T a. Similarly, in the second color display pixel (black display pixel), the second particles are distributed closer to the common electrode 23 than the first particles (the second particles are distributed closer to the common electrode 23 than the first particles). 6), the electric field generated between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 is opposite to the first direction, as depicted in V px (B) in FIG. 6 (broken line in FIG. 6). A strong third electric field (hereinafter referred to as a second strong electric field SSF for the sake of clarity) and a fourth electric field weaker than the second strong electric field SSF (hereinafter referred to as the second strong electric field SSF). for clarity, the this electric field is referred to as a first weak electric field FWF), but the alternating electric field to be repeated alternately at alternating periods T a.

交番電界を構成する第一強電界FSFと第二弱電界SWFとは、容量素子25Dの第二電極252の電位を固定電位VF(例えば0V)とし、画素電極22に第一交番電位を供給する事で形成する。又、交番電界を構成する第二強電界SSFと第一弱電界FWFとは、容量素子25Dの第二電極252の電位を固定電位VF(例えば0V)とし、画素電極22に第二交番電位を供給する事で形成する。第一交番電位は、低平均電位LMに対して振幅が第一振幅VA1となる。又、第二交番電位は、高平均電位HMに対して振幅が第二振幅VA2となる。第一振幅VA1と第二振幅VA2とは異なった値でも構わないが、本実施形態では同一としている。第一振幅VA1と第二振幅VA2とはリングオシレーター素子28に供給される電源電圧(正電源電位と負電源電位との差)に応じて定まる。本実施形態では、第一交番電位を形成する際にリングオシレーター素子28に供給される電源電圧(L2−L1、今の例では18V)と、第二交番電位を形成する際にリングオシレーター素子28に供給される電源電圧(H1−H2、今の例では18V)と、を同一としているので、第一振幅VA1と第二振幅VA2とは同一の値となる。以降、第一振幅VA1と第二振幅VA2とを特に区別する必要のない場合、これらを単に振幅VAと称する。後に詳述する様に、各フレーム期間内で複数回の交番電界が電気泳動材料24に印加されるので、電気泳動粒子は、フレーム期間よりも長い時間のオーダーでは、交番電界の平均電界に応じて電気泳動を行う。具体的には、電気泳動粒子は、共通電位Vcomと画素電位Vpxの中心電位との電位差で規定される電界に応じた電気泳動を行い、第一色や第二色の表示を行う事が可能になる。 The first strong electric field FSF and the second weak electric field SWF constituting the alternating electric field supply the first alternating electric potential to the pixel electrode 22 by setting the electric potential of the second electrode 252 of the capacitive element 25D to a fixed electric potential V F (for example, 0 V). Form by doing. The second strong electric field SSF and the first weak electric field FWF constituting the alternating electric field have a fixed potential V F (for example, 0 V) as the potential of the second electrode 252 of the capacitive element 25D, and the second alternating electric potential is applied to the pixel electrode 22. Form by supplying. The first alternating potential has a first amplitude V A1 with respect to the low average potential LM. The second alternating potential has a second amplitude V A2 with respect to the high average potential HM. The first amplitude V A1 and the second amplitude V A2 may be different values, but are the same in this embodiment. The first amplitude V A1 and the second amplitude V A2 are determined according to the power supply voltage (difference between the positive power supply potential and the negative power supply potential) supplied to the ring oscillator element 28. In the present embodiment, the power supply voltage (L 2 -L 1 , 18 V in this example) supplied to the ring oscillator element 28 when forming the first alternating potential and the ring oscillator when forming the second alternating potential. Since the power supply voltage (H 1 −H 2 , 18 V in this example) supplied to the element 28 is the same, the first amplitude V A1 and the second amplitude V A2 have the same value. Hereinafter, when it is not necessary to particularly distinguish the first amplitude V A1 and the second amplitude V A2 , these are simply referred to as the amplitude V A. As will be described in detail later, since the alternating electric field is applied to the electrophoretic material 24 a plurality of times within each frame period, the electrophoretic particles are in accordance with the average electric field of the alternating electric field in the order of longer time than the frame period. Perform electrophoresis. Specifically, the electrophoretic particles perform electrophoresis according to the electric field defined by the potential difference between the common potential V com and the central potential of the pixel potential V px and display the first color or the second color. Is possible.

第一粒子と第二粒子とはクーロン力やファンデルワールス力等で、互いにカップリングしがちであるが、電気泳動材料24に交番電界を印加する事で、第一粒子と第二粒子とは効率的に分離される。本願発明者が鋭意研究したところに依ると、従来の電気泳動装置でコントラスト比が低かったのは、第一粒子と第二粒子との分離が不十分であった為である。これに対して、本実施形態では、交番電界で第一粒子と第二粒子との分離を促進するので、コントラスト比が高く、優れた画像品位を示す電気泳動装置が実現される。交番電界に依り電気泳動粒子は強い力を受けたり、弱い力を受けたり、或いは場合によっては弱い力が強い力と反対方向であったり、と揺動されるので、第一粒子と第二粒子との分離が促進されると考えられる。その結果、残像は抑制され、コントラスト比は向上する。   The first particle and the second particle tend to be coupled to each other by Coulomb force, van der Waals force, etc., but by applying an alternating electric field to the electrophoretic material 24, the first particle and the second particle are Efficiently separated. According to the earnest study by the present inventor, the contrast ratio was low in the conventional electrophoresis apparatus because the separation between the first particles and the second particles was insufficient. On the other hand, in this embodiment, since the separation between the first particles and the second particles is promoted by an alternating electric field, an electrophoretic device having a high contrast ratio and excellent image quality is realized. Depending on the alternating electric field, the electrophoretic particles receive a strong force, a weak force, or in some cases, the weak force is swung in the opposite direction to the strong force. It is thought that separation from As a result, the afterimage is suppressed and the contrast ratio is improved.

次に、交番電界の周期(交番周期TA)に関して説明する。図6に示す様に、一枚のフレーム画像を形成する期間をフレーム周期TFとした際に、交番周期TA、即ち、リングオシレーター素子の発振周期、はフレーム周期TFよりも短い事が好ましい。電気泳動装置150のフレーム周期TFは30ミリ秒(30ms)程度から1秒(1s)程度であり、このフレーム周期TFに応じて、電気泳動材料24の応答時間はフレーム周期よりも短い10ミリ秒(ms)程度から500ミリ秒(ms)程度である。大雑把に言って、フレーム周期TFの1/5から1倍程度が電気泳動材料24の応答時間になる様に設計される。電気泳動材料24の応答時間とは、電気泳動材料24に駆動時の電界を印加した場合に、電気泳動粒子が画素電極22と共通電極23との間を移動するのに費やす時間である。 Next, the period of the alternating electric field (alternating period T A ) will be described. As shown in FIG. 6, when the period for forming one frame image is a frame period T F , the alternating period T A , that is, the oscillation period of the ring oscillator element, may be shorter than the frame period T F. preferable. The frame period T F of the electrophoresis apparatus 150 is about 30 milliseconds (30 ms) to about 1 second (1 s), and the response time of the electrophoretic material 24 is shorter than the frame period according to the frame period T F. It is about milliseconds (ms) to about 500 milliseconds (ms). Roughly speaking, the response time of the electrophoretic material 24 is designed to be about 1/5 to 1 times the frame period TF . The response time of the electrophoretic material 24 is the time spent for the electrophoretic particles to move between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 when an electric field at the time of driving is applied to the electrophoretic material 24.

交番電界を電気泳動材料24に印加する目的は、第一粒子と第二粒子との分離を促進する事である。もし第一粒子と第二粒子とが交番電界により画素電極22と共通電極23との間を実際に移動してしまうと、画面のちらつき(フリッカー)が発生する恐れがある。又、第一色の表示と第二色の表示とを使用者は時分割で目にする事になるので、第一色と第二色が混じり合う様に感じ、コントラスト比が低下する様に感じられてしまう。こうした理由により、交番周期TAは、第一粒子と第二粒子とが交番電界により分離は促進されるものの、画素電極22と共通電極23との間を移動し得ない周期とするのが好ましい。一方、交番周期TAが余りにも短いと第一粒子と第二粒子とは分離され難くなるので、交番周期TAは、電気泳動材料24の応答時間の1/10程度から1倍程度の範囲に入る様にするのが好ましい。こうすると、第一強電界FSFが第二弱電界SWFよりも強く、第二強電界SSFが第一弱電界FWFよりも強いので、第一粒子と第二粒子との移動距離は最大でも画素電極22と共通電極23との間の距離の1/10程度から1倍程度となり、画面のちらつき(フリッカー)は抑制される。先に述べた様に、電気泳動材料24の応答時間はフレーム周期TFの1/5から1倍程度であるので、交番周期TAは、フレーム周期TFの1/50から1倍程度とされるのが好ましい。言い換えると、1フレーム期間TFの間に1回程度から50回程度の交番電界が電気泳動材料24に印加される様にすると、フリッカーが抑制され、コントラスト比も高い高品位な画像が表示される事になる。 The purpose of applying an alternating electric field to the electrophoretic material 24 is to promote separation of the first and second particles. If the first particles and the second particles actually move between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 due to an alternating electric field, screen flicker may occur. In addition, since the user sees the display of the first color and the display of the second color in a time-sharing manner, the first color and the second color are mixed and the contrast ratio is lowered. I feel it. For these reasons, the alternating period T A, although the first particles and the second particles separated by the alternating electric field is promoted, preferably in the period which can not move between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 . On the other hand, if the alternating period T A is too short, the first particles and the second particles are difficult to be separated. Therefore, the alternating period T A ranges from about 1/10 to about 1 time the response time of the electrophoretic material 24. It is preferable to enter. In this case, since the first strong electric field FSF is stronger than the second weak electric field SWF and the second strong electric field SSF is stronger than the first weak electric field FWF, the movement distance between the first particle and the second particle is at most the pixel electrode. The distance between the common electrode 23 and the common electrode 23 is about 1/10 to about 1 time, and flickering of the screen is suppressed. As mentioned above, since the response time of the electrophoretic material 24 is 1/5 of about 1 times the frame period T F, the alternating period T A is a 1 times from 1/50 of the frame period T F Preferably it is done. In other words, when an alternating electric field of about 1 to 50 times is applied to the electrophoretic material 24 during one frame period T F , flicker is suppressed and a high-quality image with a high contrast ratio is displayed. It will be.

本実施形態では、表示部10のサイズは15.24cm×11.43cmで、画素数は2400(信号線40の数n)×1800(走査線30の数m)で、解像度は400ドットパーインチ(dpi)である。信号線駆動回路73では、一つの選択信号で8本の信号線40に画像信号を導入する8相展開駆動が採用されている。一つの画素20当たりの選択時間は1マイクロ秒(μs)とされており、従って、水平走査期間は300マイクロ秒(μs)、フレーム周期TFは0.54秒(s)である。図6に示す様に、本実施形態では、交番周期TAを108ミリ秒(108ms)程度とし、電気泳動材料24には、1フレーム期間TFに5回程度の交番電界が印加される様にリングオシレーター素子28は設計されている。尚、電気泳動材料24の応答時間は300ミリ秒(ms)程度であるので、交番周期TAは電気泳動材料24の応答時間の0.36倍とされている。後述する様に、第二弱電界SWFの向きは第一強電界FSFの向きの反対で、その強さは、第一強電界FSFの強さの1/8であるので、電気泳動粒子が交番電界により、表示すべき方向と反対方向に移動する距離は、画素電極22と共通電極23との間の距離の4.5%(=0.36×1/8、本実施形態の場合、2.25マイクロメーター(μm))程度となる。従って、フリッカーが発生する事もなく、第一粒子と第二粒子とは効率的に分離される。即ち、コントラスト比が高く、高品位な画像を表示する電気泳動装置150が実現される。一般に、第二弱電界SWFの向きが第一強電界FSFの向きと反対の場合、第二弱電界SWFにより電気泳動粒子が移動し得る距離が画素電極22と共通電極23との距離の10%程度未満となる様に交番周期と第二弱電界SWFの強度とを設定する。同様に、第一弱電界FWFの向きが第二強電界SSFの向きと反対の場合、第一弱電界FWFにより電気泳動粒子が移動し得る距離が画素電極22と共通電極23との距離の10%程度未満となる様に交番周期と第一弱電界FWFの強度とを設定する。斯うする事でコントラスト比が高く、フリッカーが発生しない、高品位な画像が表示される様になる。 In this embodiment, the size of the display unit 10 is 15.24 cm × 11.43 cm, the number of pixels is 2400 (number n of signal lines 40) × 1800 (number m of scanning lines 30), and the resolution is 400 dot per inch. (Dpi). The signal line driving circuit 73 employs 8-phase development driving in which image signals are introduced into the eight signal lines 40 with one selection signal. The selection time per pixel 20 is 1 microsecond (μs). Therefore, the horizontal scanning period is 300 microseconds (μs), and the frame period TF is 0.54 seconds (s). As shown in FIG. 6, in this embodiment, the alternating period T A of 108 milliseconds (108 ms) extent, the electrophoretic material 24, such that 5 times about the alternating electric field to one frame period T F is applied The ring oscillator element 28 is designed. Since the response time of the electrophoretic material 24 is about 300 milliseconds (ms), the alternating period T A is set to 0.36 times the response time of the electrophoretic material 24. As will be described later, the direction of the second weak electric field SWF is opposite to the direction of the first strong electric field FSF, and its strength is 1/8 of the strength of the first strong electric field FSF. The distance moved in the direction opposite to the display direction due to the electric field is 4.5% of the distance between the pixel electrode 22 and the common electrode 23 (= 0.36 × 1/8, 2 in this embodiment). .25 micrometers (μm)). Accordingly, the first particles and the second particles are efficiently separated without generating flicker. That is, the electrophoresis apparatus 150 that displays a high-quality image with a high contrast ratio is realized. In general, when the direction of the second weak electric field SWF is opposite to the direction of the first strong electric field FSF, the distance that the electrophoretic particles can move by the second weak electric field SWF is 10% of the distance between the pixel electrode 22 and the common electrode 23. The alternating period and the intensity of the second weak electric field SWF are set so as to be less than about. Similarly, when the direction of the first weak electric field FWF is opposite to the direction of the second strong electric field SSF, the distance that the electrophoretic particles can move by the first weak electric field FWF is 10 as the distance between the pixel electrode 22 and the common electrode 23. The alternating period and the strength of the first weak electric field FWF are set so as to be less than about%. By doing so, a high-quality image with a high contrast ratio and no flicker is displayed.

「電位関係」
次に、共通電位Vcomや画素電位Vpxの関係を、図6を参照して説明する。尚、説明を分かり易くする為に、図6には各種電位の一例を具体的な数値で記載してあるが、以下に説明する電位関係が満たされれば、無論、他の数値の電位であっても構わない。
"Potential relationship"
Next, the relationship between the common potential V com and the pixel potential V px will be described with reference to FIG. For ease of explanation, FIG. 6 shows examples of various potentials with specific numerical values. However, if the potential relation described below is satisfied, it is needless to say that the potentials are other numerical values. It doesn't matter.

先にも述べた様に、本実施形態では、第一粒子が第二粒子よりも負極性に帯電している例を用いて各種の電位関係を説明する。図6に示す様に、第一色(白)を表示する画素20の画素電位Vpx(W)は第一交番電位で、図6では実線にて描かれている。又、第二色(黒)を表示する画素20の画素電位Vpx(B)は第二交番電位で、図6では破線にて描かれている。図6では、共通電位Vcomは一点鎖線にて描かれている。尚、本実施形態では、VHという電位がVLという電位より高電位とは、VHがVLよりも正の方向に大きい事を意味する。即ち、高電位とは正の方向に大きい値の電位を意味し、低電位とは負の方向に大きい値の電位を意味する。 As described above, in this embodiment, various potential relationships will be described using an example in which the first particles are more negatively charged than the second particles. As shown in FIG. 6, the pixel potential V px (W) of the pixel 20 displaying the first color (white) is the first alternating potential, and is drawn with a solid line in FIG. Further, the pixel potential V px (B) of the pixel 20 displaying the second color (black) is a second alternating potential, which is depicted by a broken line in FIG. In FIG. 6, the common potential V com is drawn with a one-dot chain line. In the present embodiment, the potential V H being higher than the potential V L means that V H is larger in the positive direction than V L. That is, a high potential means a large potential in the positive direction, and a low potential means a large potential in the negative direction.

図6のVpx(W)に示す様に、第一交番電位の最低値が第一低電位L1である(L1≡LM−VA、例えば、L1=2V)。又、第一交番電位の最高値が第二低電位L2である(L2≡LM+VA、例えば、L2=20V)。又、図6のVpx(B)に示す様に、第二交番電位の最高値が第一高電位H1である(H1≡HM+VA、例えば、H1=34V)。又、第二交番電位の最低値が第二高電位H2である(H2≡HM−VA、例えば、H2=16V)。共通電位Vcomは、低平均電位LMより高電位で、高平均電位HMより低電位である(LM<Vcom<HM)。又、共通電位Vcomと第一低電位L1との差は、第二低電位L2と共通電位Vcomとの差よりも大きい(│Vcom−L1│>│L2−Vcom│)。斯うすると、第一強電界FSFが第二弱電界SWFよりも強くなるので、第一色(白)を表示する事ができる。同様に、第一高電位H1と共通電位Vcomとの差は、共通電位Vcomと第二高電位H2との差よりも大きい(│H1−Vcom│>│Vcom−H2│)。斯うすると、第二強電界SSFが第一弱電界FWFよりも強くなるので、第二色(黒)を表示する事ができる。 As indicated by V px (W) in FIG. 6, the lowest value of the first alternating potential is the first low potential L 1 (L 1 ≡LM−V A , for example, L 1 = 2V). The maximum value of the first alternating potential is the second low potential L 2 (L 2 ≡LM + V A , for example, L 2 = 20 V). Further, as shown by V px (B) in FIG. 6, the highest value of the second alternating potential is the first high potential H 1 (H 1 ≡HM + V A , for example, H 1 = 34 V). The lowest value of the second alternating potential is the second high potential H 2 (H 2 ≡HM−V A , for example, H 2 = 16 V). The common potential V com is higher than the low average potential LM and lower than the high average potential HM (LM <V com <HM). Also, the difference between the common potential V com and the first low potential L 1 is greater than the difference between the second low potential L 2 and the common potential V com (│V com -L 1 │ > │L 2 -V com │). In this case, the first strong electric field FSF is stronger than the second weak electric field SWF, so that the first color (white) can be displayed. Similarly, the difference between the first high potential H 1 and the common potential V com is larger than the difference between the common potential V com and the second high potential H 2 (| H 1 −V com |> | V com −H 2 │). In this case, the second strong electric field SSF is stronger than the first weak electric field FWF, so that the second color (black) can be displayed.

第一交番電位は第一低電位L1と第二低電位L2との間で振動し、第二低電位L2は共通電位Vcomよりも高電位である(L2≡LM+VA>Vcom)。斯うすると、第一色(白)を表示する画素20では、第一強電界FSFよりも電界強度が弱く、電界の向きが反対の第二弱電界SWFが生ずる。同様に、第二交番電位は第一高電位H1と第二高電位H2との間で振動し、第二高電位H2は共通電位Vcomよりも低電位である(H2≡HM−VA<Vcom)。斯うすると、第一色(白)を表示する画素20では、第一強電界FSFよりも電界強度が弱く、電界の向きが反対の第二弱電界SWFが生じ、第二色(黒)を表示する画素20では、第二強電界SSFよりも電界強度が弱く、電界の向きが反対の第一弱電界FWFが生ずるので、電気泳動材料に含まれる第一粒子と第二粒子とが効率的に分離される。従って、コントラスト比が高く、高い画像品位を示す電気泳動装置150が実現される。尚、第二低電位L2を共通電位Vcomよりも低電位とし(L2≡LM+VA<Vcom)、第二高電位H2を共通電位Vcomよりも高電位としても良い(H2≡HM−VA>Vcom)。この場合、第二弱電界SWFの向きが第一強電界FSFの向きと同じになり、第一弱電界FWFの向きが第二強電界SSFの向きと同じになるので、上述の例ほど効率的に粒子分離を促進できないが、それでもコントラスト比の改善につながる。又、斯うすると反対電界が消失するので、白表示や黒表示に飽和する迄の時間を短くする事ができる。即ち、表示切り替えを高速に行う事ができる。 The first alternating potential oscillates between the first low potential L 1 and the second low potential L 2, and the second low potential L 2 is higher than the common potential V com (L 2 ≡LM + V A > V com ). Thus, in the pixel 20 displaying the first color (white), the second weak electric field SWF having the electric field strength weaker than the first strong electric field FSF and having the opposite electric field direction is generated. Similarly, the second alternating potential oscillates between the first high potential H 1 and the second high potential H 2, and the second high potential H 2 is lower than the common potential V com (H 2 ≡HM). −V A <V com ). In this case, in the pixel 20 displaying the first color (white), the second weak electric field SWF having the electric field strength weaker than the first strong electric field FSF and having the opposite electric field direction is generated, and the second color (black) is generated. In the pixel 20 to be displayed, a first weak electric field FWF having a field strength weaker than the second strong electric field SSF and having an opposite electric field direction is generated, so that the first particles and the second particles contained in the electrophoretic material are efficiently used. Separated. Therefore, the electrophoresis apparatus 150 having a high contrast ratio and high image quality is realized. The second low potential L 2 may be lower than the common potential V com (L 2 ≡LM + V A <V com ), and the second high potential H 2 may be higher than the common potential V com (H 2 ≡HM−V A > V com ). In this case, the direction of the second weak electric field SWF is the same as the direction of the first strong electric field FSF, and the direction of the first weak electric field FWF is the same as the direction of the second strong electric field SSF. Particle separation cannot be promoted, but it still leads to improved contrast ratio. In addition, since the opposite electric field disappears in this way, it is possible to shorten the time until the white display or the black display is saturated. That is, display switching can be performed at high speed.

次に、図4を参照して、画素電位Vpxを第一交番電位や第二交番電位とする為の条件を示す。第一色(白)を表示する画素20の画素電位Vpxを第一交番電位とするには、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとをオン状態とし、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとをオフ状態とする。第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとをオフ状態とする為には、第一ノードn1の電位を高電位データDH(例えば、DH=35V)とし、この値を第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pのソースに供給される最高電位、即ち、第一高電位H1(例えば、H1=34V)以上の値とする(DH≧H1)。高電位データDHを第一高電位H1以上の値とする事で、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとはオン状態となり、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとは、ゲート電位がソース電位よりも高くなり、オフ状態となる。この結果、リングオシレーター素子28の正電源部ROVDDには第二低電位L2が供給され、負電源部ROVSSには第一低電位L1が供給される事になる。即ち、リングオシレーター素子28からは第一低電位L1と第二低電位L2との間で振動する第一交番電位が出力される。リングオシレーター素子28の出力部ROOUTは画素電極22に電気的に接続されているので、画素電位Vpxを第一交番電位とする事ができる。 Next, referring to FIG. 4, conditions for setting the pixel potential V px to the first alternating potential or the second alternating potential are shown. In order to set the pixel potential V px of the pixel 20 displaying the first color (white) to the first alternating potential, the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on, and the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on. Are turned off. In order to turn off the second transistor 26P and the fourth transistor 27P, the potential of the first node n1 is set to the high potential data DH (for example, DH = 35V), and this value is set to the second transistor 26P and the fourth transistor. The maximum potential supplied to the source of 27P, that is, a value equal to or higher than the first high potential H 1 (for example, H 1 = 34 V) (DH ≧ H 1 ). By setting the high potential data DH to a value equal to or higher than the first high potential H 1 , the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on, and the gate potential of the second transistor 26P and the fourth transistor 27P is the source It becomes higher than the potential, and it is turned off. As a result, the second low potential L 2 is supplied to the positive power supply portion ROVDD of the ring oscillator element 28 and the first low potential L 1 is supplied to the negative power supply portion ROVSS. That is, the ring oscillator element 28 outputs a first alternating potential that oscillates between the first low potential L 1 and the second low potential L 2 . Since the output portion ROOUT of the ring oscillator element 28 is electrically connected to the pixel electrode 22, the pixel potential V px can be set to the first alternating potential.

第二色(黒)を表示する画素20の画素電位Vpxを第二交番電位とするには、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pをオン状態とし、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとをオフ状態とする。第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとをオフ状態とする為には、第一ノードn1の電位を低電位データDL(例えば、DL=1V)とし、この値を第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとのソースに供給される最低電位、即ち、第一低電位L1(例えば、L1=2V)以下の値とする(L1≧DL)。低電位データDLを第一低電位L1以下の値とする事で、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pはオン状態となり、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとは、ゲート電位がソース電位よりも低くなり、オフ状態となる。この結果、リングオシレーター素子28の正電源部ROVDDには第一高電位H1が供給され、負電源部ROVSSには第二高電位H2が供給される事になる。即ち、リングオシレーター素子28からは第二高電位H2と第一高電位H1との間で振動する第二交番電位が出力される。リングオシレーター素子28の出力部ROOUTは画素電極22に電気的に接続されているので、画素電位Vpxを第二交番電位とする事ができる。 In order to set the pixel potential V px of the pixel 20 displaying the second color (black) to the second alternating potential, the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on, and the first transistor 26N, the third transistor 27N, Is turned off. In order to turn off the first transistor 26N and the third transistor 27N, the potential of the first node n1 is set to the low potential data DL (for example, DL = 1V), and this value is set to the first transistor 26N and the third transistor. The minimum potential supplied to the source of 27N, that is, a value equal to or lower than the first low potential L 1 (for example, L 1 = 2V) (L 1 ≧ DL). By setting the low potential data DL to a value equal to or lower than the first low potential L 1 , the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on, and the gate potential of the first transistor 26N and the third transistor 27N is the source potential. Becomes lower and becomes an off state. As a result, the first high potential H 1 is supplied to the positive power supply portion ROVDD of the ring oscillator element 28 and the second high potential H 2 is supplied to the negative power supply portion ROVSS. That is, the ring oscillator element 28 outputs a second alternating potential that oscillates between the second high potential H 2 and the first high potential H 1 . Since the output portion ROOUT of the ring oscillator element 28 is electrically connected to the pixel electrode 22, the pixel potential V px can be set to the second alternating potential.

次に、第一ノードn1を低電位データDLや高電位データDHとしたり、或いはこれらのデータを維持したりする為の条件を示す。まず、第一ノードn1を低電位データDLや高電位データDHとするには、走査線30に高走査電位SHが供給されて選択トランジスター21がオン状態とされた際に、第一ノードn1の電位を高電位データDHにも低電位データDLにもせねばならない。この為には、高走査電位SH(例えば、SH=36V)を高電位データDH(例えば、DH=35V)以上の電位値とする(SH≧DH)。斯うすれば、選択状態の際に、信号線40に供給される電位が高電位データDHであっても、第一ノードn1に高電位データDHを書き込む事ができる。高速に画像信号を第一ノードn1に書き込むには、高走査電位SHを高電位データDHと選択トランジスター21の閾値電圧Vth21との和以上の電位値とする(SH≧DH+Vth21)。斯うすると、画像信号が高電位データDHであっても、選択トランジスター21はオン状態となるので、短期間に画像信号を第一ノードn1に書き込む事が可能となる。 Next, conditions for setting the first node n1 to the low potential data DL and the high potential data DH or maintaining these data are shown. First, in order to set the first node n1 to the low potential data DL and the high potential data DH, when the high scanning potential SH is supplied to the scanning line 30 and the selection transistor 21 is turned on, the first node n1 The potential must be set to the high potential data DH or the low potential data DL. For this purpose, the high scanning potential SH (for example, SH = 36V) is set to a potential value higher than the high potential data DH (for example, DH = 35V) (SH ≧ DH). Thus, even when the potential supplied to the signal line 40 is the high potential data DH in the selected state, the high potential data DH can be written to the first node n1. In order to write an image signal to the first node n1 at high speed, the high scanning potential SH is set to a potential value equal to or higher than the sum of the high potential data DH and the threshold voltage Vth 21 of the selection transistor 21 (SH ≧ DH + Vth 21 ). In this case, even if the image signal is the high potential data DH, the selection transistor 21 is turned on, so that the image signal can be written to the first node n1 in a short time.

第一ノードn1で画像信号(低電位データDLや高電位データDH)を維持するには、低走査電位SL(例えば、SL=0V)を低電位データDL(例えば、DL=1V)以下の電位値とする事が好ましい(SL≦DL)。低走査電位SLが低電位データDL以下の値であるので、非選択状態の際に第一ノードn1の電位が低電位データDLであっても高電位データDHであっても、選択トランジスター21はオフ状態となる。斯うして、第一ノードn1にて画像信号を維持する事ができる事になる。   In order to maintain the image signal (low potential data DL or high potential data DH) at the first node n1, the low scanning potential SL (for example, SL = 0V) is set to a potential equal to or lower than the low potential data DL (for example, DL = 1V). A value is preferable (SL ≦ DL). Since the low scanning potential SL is a value equal to or lower than the low potential data DL, the selection transistor 21 is in the non-selected state regardless of whether the potential of the first node n1 is the low potential data DL or the high potential data DH. Turns off. Thus, the image signal can be maintained at the first node n1.

図6に示す様に、高平均電位HMと低電位平均LMとの平均値を共通電位Vcomとほぼ一致させ(Vcom=(HM+LM)/2)、第一交番電位の第一振幅VA1と第二交番電位の第二振幅VA2とがほぼ等しい事(VA1=VA2=VA)が好ましい。実際、本実施形態では、一例として、HM=25V、LM=11V、Vcom=18V、VA1=VA2=VA=9Vとなり、これらの関係を満たしている。斯うすると、第一強電界FSFの強度と第二強電界SSFの強度とが等しくなり、同時に、第二弱電界SWFの強度と第一弱電界FWFの強度とが等しくなる。即ち、第一粒子に対する電界と第二粒子に対する電界とが対称となるので、美しい表示を実現する事ができると共に、電気泳動材料の寿命を長く保つ事ができる。尚、本明細書にて、「AとBとがほぼ等しい」とか「AとBとはほぼ一致している」と表現した場合、これは設計概念上等しいとの意味で、多少の誤差を含んで異なっていても構わない。言い換えれば、AとBとを設計概念上意図的に異ならせた場合を除いて、その他の場合は、「AとBとがほぼ等しい」或いは、「AとBとはほぼ一致している」と言える。具体的には、電位や電圧等の数値の有効数字が一致している場合、「AとBとがほぼ等しい」とか「AとBとはほぼ一致している」と言える。例えば、上述の例では有効数字は一桁で、VA1=8.5VとVA2=9.4Vとは共にVA1=VA2=9Vと言える。 As shown in FIG. 6, the average value of the high average potential HM and the low potential average LM is substantially matched with the common potential V com (V com = (HM + LM) / 2), and the first amplitude V A1 of the first alternating potential is set. And the second amplitude V A2 of the second alternating potential are preferably substantially equal (V A1 = V A2 = V A ). Actually, in the present embodiment, as an example, HM = 25V, LM = 11V, Vcom = 18V, and V A1 = V A2 = V A = 9V, which satisfy these relationships. Thus, the strength of the first strong electric field FSF and the strength of the second strong electric field SSF are equal, and at the same time, the strength of the second weak electric field SWF and the strength of the first weak electric field FWF are equal. That is, since the electric field with respect to the first particles and the electric field with respect to the second particles are symmetric, a beautiful display can be realized and the lifetime of the electrophoretic material can be kept long. In the present specification, when “A and B are substantially equal” or “A and B are substantially equal”, this means that they are equal in terms of design concept, and some errors are present. It may be different. In other words, except that A and B are intentionally different from each other in design concept, “A and B are substantially equal” or “A and B are substantially identical” in other cases. It can be said. Specifically, when the significant figures of the potential and voltage are the same, it can be said that “A and B are substantially equal” or “A and B are substantially identical”. For example, in the above example, the significant number is one digit, and it can be said that V A1 = 8.5V and V A2 = 9.4V are both V A1 = V A2 = 9V.

「電子機器」
次に、前述した電気泳動装置を適用した電子機器について、図7及び図8を参照して説明する。以下では、前述した電気泳動装置を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
"Electronics"
Next, electronic devices to which the above-described electrophoresis apparatus is applied will be described with reference to FIGS. Hereinafter, a case where the above-described electrophoresis apparatus is applied to electronic paper and an electronic notebook is taken as an example.

図7は、電子ペーパーの構成を示す斜視図である。図7に示す様に、電子ペーパー400は、本実施形態に係る電気泳動装置を表示部10として備えている。電子ペーパー400は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体410を備えて構成されている。   FIG. 7 is a perspective view illustrating a configuration of electronic paper. As shown in FIG. 7, the electronic paper 400 includes the electrophoresis apparatus according to the present embodiment as the display unit 10. The electronic paper 400 has flexibility, and includes a main body 410 made of a rewritable sheet having the same texture and flexibility as conventional paper.

図8は、電子ノートの構成を示す斜視図である。図8に示す様に、電子ノート500は、図7で示した電子ペーパー400が複数枚束ねられ、カバー501に挟まれているものである。カバー501は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する為の表示データ入力手段(画像信号供給回路130)を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。   FIG. 8 is a perspective view showing the configuration of the electronic notebook. As shown in FIG. 8, the electronic notebook 500 is one in which a plurality of electronic papers 400 shown in FIG. 7 are bundled and sandwiched between covers 501. The cover 501 includes display data input means (image signal supply circuit 130) for inputting display data sent from an external device, for example. Thereby, according to the display data, the display content can be changed or updated while the electronic paper is bundled.

前述した電子ペーパー400及び電子ノート500は、本実施形態に係る電気泳動装置を備えるので、高品質な画像表示を行うことが可能である。尚、これらの他に、腕時計や携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部に、本実施形態に係る電気泳動装置を適用することができる。   Since the electronic paper 400 and the electronic notebook 500 described above include the electrophoresis device according to the present embodiment, high-quality image display can be performed. In addition to these, the electrophoretic device according to the present embodiment can be applied to a display unit of an electronic device such as a wristwatch, a mobile phone, or a portable audio device.

本実施形態では、第一ノードn1に容量素子25Dが設けられている。これにより、走査線30の非選択期間に第一ノードn1にて画像信号が維持されるが、容量素子25Dを省く事も可能である。第一トランジスター26Nのゲートリーク電流や第二トランジスター26Pのゲートリーク電流が小さく、且つ選択トランジスター21のオフリーク電流が小さければ、第一ノードn1では、第一トランジスター26Nのゲート容量や第二トランジスター26Pのゲート容量にて画像信号を維持する事ができる。斯うした場合、容量素子25Dを省いても良い。   In the present embodiment, a capacitive element 25D is provided at the first node n1. As a result, the image signal is maintained at the first node n1 during the non-selection period of the scanning line 30, but the capacitive element 25D can be omitted. If the gate leakage current of the first transistor 26N and the gate leakage current of the second transistor 26P are small and the off-leakage current of the selection transistor 21 is small, the gate capacitance of the first transistor 26N and the second transistor 26P The image signal can be maintained by the gate capacitance. In such a case, the capacitive element 25D may be omitted.

尚、本実施形態では電気泳動装置150の一例として電気泳動粒子が液体に分散している電気泳動材料24を用いたが、これ以外の電気泳動材料を用いた電気泳動装置150にも適用可能である。即ち、本実施形態は、画素電極22と対向電極との間に電圧を印加して帯電した電気泳動粒子の分布状態を変える電気泳動装置150全般に適応する事ができる。具体的には帯電微粉末を気相で移動させる電気粉流表示装置などにも適応できる。   In this embodiment, the electrophoretic material 24 in which electrophoretic particles are dispersed in a liquid is used as an example of the electrophoretic device 150. However, the electrophoretic device 150 using other electrophoretic materials can be applied. is there. In other words, this embodiment can be applied to the entire electrophoretic device 150 that changes the distribution state of charged electrophoretic particles by applying a voltage between the pixel electrode 22 and the counter electrode. Specifically, the present invention can be applied to an electric powder flow display device that moves charged fine powder in a gas phase.

以上述べたように、本実施形態に係る電子機器100(駆動方法)によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の駆動方法によれば、コントラスト比が高く、フリッカーも生ぜぬ高品位画像を表示する事ができる。又、高品位画像が得られる制御回路140、電気泳動装置150、及び電子機器を提供する事ができる。
As described above, according to the electronic device 100 (driving method) according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
According to the driving method of the present embodiment, it is possible to display a high-quality image with a high contrast ratio and no flicker. In addition, the control circuit 140, the electrophoresis apparatus 150, and the electronic device that can obtain a high-quality image can be provided.

(実施形態2)
「容量素子に代わり記憶回路を有する形態1」
図9は、実施形態2に係わる電気泳動装置の画素の電気的な構成を示す等価回路図である。又、図10は実施形態2に係わる電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図で、横軸は時間を表し、縦軸は電位を表している。以下、実施形態2に係わる電気泳動装置の画素構成及び駆動方法について説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
(Embodiment 2)
Mode 1 having a memory circuit instead of a capacitor”
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of a pixel of the electrophoresis apparatus according to the second embodiment. FIG. 10 is a diagram for explaining an example of the driving method of the electrophoresis apparatus according to the second embodiment. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents potential. Hereinafter, the pixel configuration and driving method of the electrophoresis apparatus according to the second embodiment will be described. In addition, about the component same as Embodiment 1, the same number is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.

本実施形態(図9)は実施形態1(図4)と比べて、画素構成が異なっている。これに伴い、図10に示す様に電位関係も実施形態1(図6)から僅かに異なって来る。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。実施形態1では、画素20に容量素子25Dが設けられており、これにより第一ノードn1では、走査線30の非選択期間に画像信号が維持された。本実施形態では、図9に示す様に、第一ノードn1に記憶回路25Sが設けられている。この記憶回路25Sにより、走査線30の非選択期間に第一ノードn1にて画像信号が維持される。   This embodiment (FIG. 9) differs from the first embodiment (FIG. 4) in pixel configuration. Accordingly, as shown in FIG. 10, the potential relation slightly differs from that of the first embodiment (FIG. 6). Other configurations are almost the same as those of the first embodiment. In the first embodiment, the capacitive element 25 </ b> D is provided in the pixel 20, whereby the image signal is maintained in the non-selection period of the scanning line 30 at the first node n <b> 1. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, a storage circuit 25S is provided at the first node n1. The memory circuit 25S maintains the image signal at the first node n1 during the non-selection period of the scanning line 30.

記憶回路25SはMC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とを含んでいる。MC用第一インバーター回路253の出力はMC用第二インバーター回路254の入力に電気的に接続されており、MC用第二インバーター回路254の出力とMC用第一インバーター回路253の入力とが電気的に接続されている。MC用第一インバーター回路253の入力が第一ノードn1である。斯うする事で、走査線30の非選択期間にも第一ノードn1で画像信号を安定的に維持する事ができる。   The memory circuit 25S includes a first inverter circuit 253 for MC and a second inverter circuit 254 for MC. The output of the MC first inverter circuit 253 is electrically connected to the input of the MC second inverter circuit 254, and the output of the MC second inverter circuit 254 and the input of the first MC inverter circuit 253 are electrically connected. Connected. The input of the first inverter circuit for MC 253 is the first node n1. Thus, the image signal can be stably maintained at the first node n1 even during the non-selection period of the scanning line 30.

図9に示す様に、MC用第二インバーター回路254の出力とMC用第一インバーター回路253の入力との間にメモリコントロラー255を備えていても良い。メモリコントロラー255は選択トランジスター21と相補的な動作を行う様に設定される。一例としては、メモリコントロラー255を選択トランジスターとは異なった導電型のトランジスターとし、メモリコントロラー255のゲートと選択トランジスターのゲートとには同一の信号を供給する。本実施形態では、選択トランジスター21がN型であるので、メモリコントロラー255はP型となり、両トランジスターのゲートは走査線30に電気的に接続されている。その結果、メモリコントロラー255は、走査信号に応じて、記憶回路25Sへのデータの書き換えを容易にすると共に確実にデータを維持する事が可能になる。具体的に走査線30に高走査電位SHが供給された際には、メモリコントロラー255はMC用第二インバーター回路254の出力を遮断するので、第一ノードn1に於ける画像信号の書き換えが容易となる。又、走査線30に低走査電位SLが供給された際には、メモリコントロラー255はオン状態となるので、MC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とは静的な記憶装置として機能する。   As shown in FIG. 9, a memory controller 255 may be provided between the output of the MC second inverter circuit 254 and the input of the MC first inverter circuit 253. The memory controller 255 is set to perform a complementary operation with the selection transistor 21. As an example, the memory controller 255 is a transistor having a conductivity type different from that of the selection transistor, and the same signal is supplied to the gate of the memory controller 255 and the gate of the selection transistor. In this embodiment, since the selection transistor 21 is N-type, the memory controller 255 is P-type, and the gates of both transistors are electrically connected to the scanning line 30. As a result, the memory controller 255 can easily rewrite data in the storage circuit 25S and reliably maintain data in accordance with the scanning signal. Specifically, when the high scanning potential SH is supplied to the scanning line 30, the memory controller 255 cuts off the output of the MC second inverter circuit 254, so that the rewriting of the image signal at the first node n1 is performed. It becomes easy. Further, when the low scanning potential SL is supplied to the scanning line 30, the memory controller 255 is turned on, so that the MC first inverter circuit 253 and the MC second inverter circuit 254 are static memories. Functions as a device.

画素20には第五配線555と第六配線556とが電位供給回路74から配線される。従って、本実施形態では、各種電位線55は第五配線555と第六配線556とを含んでいる。MC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とは、第五配線555や第六配線556に電気的に接続されている。第五配線555には固定電位の第三低電位L3が供給され、第六配線556には固定電位の第三高電位H3が供給されている。従って、MC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とには、第三低電位L3が負電源電位として供給され、第三高電位H3が正電源電位として供給される。第一ノードn1で画像信号を書き換える為には、高電位データDHはMC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253よりも大きい電位値とし(DH>VTR253)、低電位データDLはMC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253よりも小さい電位値とする(DL<VTR253)。論理転換電位VTRとはインバーターの出力論理が反転する入力電位で、負電源電位と論理転換電圧(負電源電位が0Vの際に論理転換する電位)との和である。論理転換電位VTRは、通常、インバーターに供給される正電源電位と負電源電位との平均値程度の電位値とされる。本実施形態では、MC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253とMC用第二インバーター回路254の論理転換電位VTR254は、共通電位Vcomとほぼ同じで、一例として、凡そ18Vである(VTR253=VTR254=Vcom=18V)。尚、MC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253とMC用第二インバーター回路254の論理転換電位VTR254とが等しい場合、これらをMC用インバーター回路論理転換電位VTRMCと称する。高電位データDHは、一例として、DH=23Vであり、低電位データDLは、一例として、DL=13Vである。画素20がメモリコントロラー255を有する記憶回路25Sを備えている為に、この様に、実施形態1に比べて高電位データDHの電位を下げ、低電位データDLの電位を上げる事が可能となる。 A fifth wiring 555 and a sixth wiring 556 are wired from the potential supply circuit 74 to the pixel 20. Therefore, in the present embodiment, the various potential lines 55 include the fifth wiring 555 and the sixth wiring 556. The MC first inverter circuit 253 and the MC second inverter circuit 254 are electrically connected to the fifth wiring 555 and the sixth wiring 556. The fifth wiring 555 is supplied with a fixed third low potential L 3 , and the sixth wiring 556 is supplied with a fixed third potential H 3 . Therefore, the third low potential L 3 is supplied as the negative power source potential and the third high potential H 3 is supplied as the positive power source potential to the first inverter circuit 253 for MC and the second inverter circuit 254 for MC. In order to rewrite the image signal at the first node n1, the high potential data DH is set to a potential value larger than the logic conversion potential V TR253 of the first inverter circuit 253 for MC (DH> V TR253 ), and the low potential data DL is MC The potential value is smaller than the logic conversion potential V TR253 of the first inverter circuit 253 (DL <V TR253 ). The logic conversion potential V TR is an input potential at which the output logic of the inverter is inverted, and is the sum of a negative power supply potential and a logic conversion voltage (a potential that undergoes logic conversion when the negative power supply potential is 0V). The logic conversion potential V TR is generally a potential value that is about the average value of the positive power supply potential and the negative power supply potential supplied to the inverter. In this embodiment, the logic conversion potential V TR254 logical conversion potential V TR253 and MC for the second inverter circuit 254 of the first inverter circuit 253 for MC is almost the same as the common potential V com, as an example, is approximately 18V (V TR253 = V TR254 = V com = 18V). In the case the logical transformation potential V TR254 logical conversion potential V TR253 and MC for the second inverter circuit 254 of the first inverter circuit 253 for MC are equal, referred to these as MC for inverter circuit logic conversion potential V TRMC. The high potential data DH is DH = 23V as an example, and the low potential data DL is DL = 13V as an example. Since the pixel 20 includes the memory circuit 25S having the memory controller 255, the potential of the high potential data DH can be lowered and the potential of the low potential data DL can be raised as compared with the first embodiment. Become.

実施形態1に比べて高電位データDHの電位を下げ、低電位データDLの電位を上げて、第一ノードn1に画像信号を書き込んでも、走査線30が非選択期間に入ると、メモリコントロラー255がオン状態となって、MC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とが静的な記憶装置として機能する。その結果、第一ノードn1の電位は、高電位データDHが書き込まれた際には、非選択期間に第三高電位H3となる。同様に、低電位データDLが書き込まれた際には、非選択期間に第一ノードn1の電位は第三低電位L3となる。反対に、たとえ高電位データDHとして第三高電位H3よりも高電位のデータが第一ノードn1に書き込まれたとしても、非選択期間に第一ノードn1の電位は、矢張り第三高電位H3となる。従って、高電位データDHを第三高電位H3よりも大きい電位値にしても、その効果は得られない。同様に、たとえ低電位データDLとして第三低電位L3よりも低電位のデータが第一ノードn1に書き込まれたとしても、非選択期間に第一ノードn1の電位は、矢張り第三低電位L3となる。従って、低電位データDLを第三低電位L3よりも小さい電位値にしても、その効果は得られない。この様に、本実施形態に於いては、高電位データDHはMC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253よりも大きく、第三高電位H3以下の電位値とする(VTR253<DH≦H3)。又、低電位データDLはMC用第一インバーター回路253の論理転換電位VTR253よりも小さく、第三低電位L3以上の電位値とする(L3≦DL<VTR253)。 Even if the potential of the high potential data DH is lowered and the potential of the low potential data DL is increased and the image signal is written to the first node n1 as compared with the first embodiment, if the scanning line 30 enters the non-selection period, the memory controller 255 is turned on, and the first inverter circuit for MC 253 and the second inverter circuit for MC 254 function as static storage devices. As a result, the potential of the first node n1 becomes the third high potential H 3 during the non-selection period when the high potential data DH is written. Similarly, when the low potential data DL is written, the potential of the first node n1 becomes the third low potential L 3 during the non-selection period. On the contrary, even if data having a higher potential than the third high potential H 3 is written as the high potential data DH to the first node n1, the potential of the first node n1 during the non-selection period is The potential is H 3 . Therefore, even if the high potential data DH is set to a potential value larger than the third high potential H 3 , the effect cannot be obtained. Similarly, even than the third low potential L 3 as a low-potential data DL as data in the low potential is written to the first node n1, the potential of the first node n1 to the non-selection period, the third low arrows tension The potential is L 3 . Therefore, even if the low potential data DL is set to a potential value smaller than the third low potential L 3 , the effect cannot be obtained. In this way, in the present embodiment, the high potential data DH is set to a potential value that is greater than the logic conversion potential V TR253 of the first inverter circuit 253 for MC and equal to or less than the third high potential H 3 (V TR253 < DH ≦ H 3 ). The low potential data DL is smaller than the logic conversion potential V TR253 of the first inverter circuit 253 for MC and is set to a potential value equal to or higher than the third low potential L 3 (L 3 ≦ DL <V TR253 ).

第一色(白)を表示する画素20の画素電位Vpxを第一交番電位とするには、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとをオン状態とし、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとをオフ状態とする。第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとをオフ状態とする為には、第一ノードn1の電位を第三高電位H3(例えば、H3=36V)とし、この値を第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとに供給されるソースの最高電位、即ち、第一高電位H1(例えば、H1=34V)以上の値とする(H3≧H1)。第三高電位H3を第一高電位H1以上の値とする事で、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nはオン状態となり、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとは、ゲート電位がソース電位よりも高くなり、オフ状態となる。 In order to set the pixel potential V px of the pixel 20 displaying the first color (white) to the first alternating potential, the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on, and the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on. Are turned off. In order to turn off the second transistor 26P and the fourth transistor 27P, the potential of the first node n1 is set to the third high potential H 3 (for example, H 3 = 36V), and this value is set to the second transistor 26P. The highest potential of the source supplied to the fourth transistor 27P, that is, a value equal to or higher than the first high potential H 1 (for example, H 1 = 34 V) (H 3 ≧ H 1 ). By setting the third high potential H 3 to a value equal to or higher than the first high potential H 1 , the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on, and the gate potentials of the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are It becomes higher than the source potential and is turned off.

第二色(黒)を表示する画素20の画素電位Vpxを第二交番電位とするには、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとをオン状態とし、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nをオフ状態とする。第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nをオフ状態とする為には、第一ノードn1の電位を第三低電位L3(例えば、L3=0V)とし、この値を第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nのソースに供給される最低電位、即ち、第一低電位L1(例えば、L1=2V)以下の値とする(L1≧L3)。第三低電位L3を第一低電位L1以下の値とする事で、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとはオン状態となり、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nは、ゲート電位がソース電位よりも低くなり、オフ状態となる。 In order to set the pixel potential V px of the pixel 20 displaying the second color (black) to the second alternating potential, the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on, and the first transistor 26N and the third transistor 27N are turned on. Is turned off. In order to turn off the first transistor 26N and the third transistor 27N, the potential of the first node n1 is set to the third low potential L 3 (for example, L 3 = 0V), and this value is set to the first transistor 26N and the third transistor 27N. The lowest potential supplied to the sources of the three transistors 27N, that is, the first low potential L 1 (for example, L 1 = 2V) or less (L 1 ≧ L 3 ). By setting the third low potential L 3 to a value equal to or lower than the first low potential L 1 , the second transistor 26P and the fourth transistor 27P are turned on, and the gate potentials of the first transistor 26N and the third transistor 27N are It becomes lower than the source potential and is turned off.

走査信号の電位と画像信号の電位との関係は実施形態1と同じであるが、電源の数を減らすとの視点からは、高走査電位SHと第三高電位H3とを同一とし(SH=H3)、低走査電位SLと第三低電位L3とを同一としても良い(SL=L3)。 The relationship between the potential of the scanning signal and the potential of the image signal is the same as in the first embodiment, but from the viewpoint of reducing the number of power supplies, the high scanning potential SH and the third high potential H 3 are made the same (SH). = H 3 ), the low scanning potential SL and the third low potential L 3 may be the same (SL = L 3 ).

図10に示す様に、上述の電位関係としても、実施形態1と同様な駆動が実現する。本実施形態では、実施形態1にて得られる効果に加えて、高電位データDHの電位を実施形態1に比べて下げる事ができるので、高走査電位SHが実施形態1と同じであれば、実施形態1よりも高速に第一ノードn1の画像信号を書き換える事が可能になる。即ち、実施形態1よりも高速動作が実現する。更に、画像信号の維持が静的な記憶回路25Sによってなされるので、実施形態1に比べて長時間のデータ維持が可能となる。   As shown in FIG. 10, the same driving as in the first embodiment is realized even with the above-described potential relationship. In the present embodiment, in addition to the effects obtained in the first embodiment, the potential of the high potential data DH can be lowered as compared with the first embodiment. Therefore, if the high scanning potential SH is the same as that in the first embodiment, It becomes possible to rewrite the image signal of the first node n1 faster than in the first embodiment. That is, a higher speed operation than that of the first embodiment is realized. Furthermore, since the image signal is maintained by the static storage circuit 25S, data can be maintained for a longer time than in the first embodiment.

(実施形態3)
「容量素子に代わり記憶回路を有する形態2」
図11は、実施形態3に係わる電気泳動装置の画素の電気的な構成を示す等価回路図である。又、図12は実施形態3に係わる電気泳動装置の駆動方法の一例を説明した図で、横軸は時間を表し、縦軸は電位を表している。以下、実施形態3に係わる電気泳動装置の画素構成及び駆動方法について説明する。尚、実施形態2と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
(Embodiment 3)
Mode 2 having a memory circuit instead of a capacitor”
FIG. 11 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of a pixel of the electrophoresis apparatus according to the third embodiment. FIG. 12 is a diagram for explaining an example of a method for driving the electrophoresis apparatus according to the third embodiment. The horizontal axis represents time and the vertical axis represents potential. Hereinafter, the pixel configuration and driving method of the electrophoresis apparatus according to the third embodiment will be described. In addition, about the same component as Embodiment 2, the same number is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.

本実施形態(図11)は実施形態2(図9)と比べて、画素構成が異なっている。これに伴い、図12に示す様に電位関係も実施形態2(図10)から僅かに異なって来る。それ以外の構成は、実施形態2とほぼ同様である。実施形態2では、第一配線551から第六配線556迄の6本の配線が用いられていた。これに対して、本実施形態では、図11に示す様に、第一配線551から第四配線554迄の4本の配線で実施形態2と同様な効果を示す事ができる。   This embodiment (FIG. 11) differs from the second embodiment (FIG. 9) in pixel configuration. Accordingly, as shown in FIG. 12, the potential relation slightly differs from that of the second embodiment (FIG. 10). Other configurations are almost the same as those of the second embodiment. In the second embodiment, six wires from the first wire 551 to the sixth wire 556 are used. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, the same effect as in the second embodiment can be exhibited by four wirings from the first wiring 551 to the fourth wiring 554.

電位供給回路74から画素20には第一配線551から第四配線554迄の4本の配線設けられる。第二配線552は実施形態2の第六配線556を兼ね、第一高電位H1と第三高電位H3とを同一とする(例えば、H1=H3=32V)。又、第三配線553は実施形態2の第五配線555を兼ね、第一低電位L1と第三低電位L3とを同一とする(例えば、L1=L3=0V)。即ち、記憶回路25Sを構成するMC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とは、第三配線553や第二配線552に電気的に接続され、MC用第一インバーター回路253とMC用第二インバーター回路254とには、第一低電位L1が負電源電位として供給され、第一高電位H1が正電源電位として供給される。 Four wires from the first wire 551 to the fourth wire 554 are provided from the potential supply circuit 74 to the pixel 20. The second wiring 552 also serves as the sixth wiring 556 of the second embodiment, and the first high potential H 1 and the third high potential H 3 are the same (for example, H 1 = H 3 = 32 V). The third wiring 553 also serves as the fifth wiring 555 of the second embodiment, and the first low potential L 1 and the third low potential L 3 are the same (for example, L 1 = L 3 = 0V). That is, the MC first inverter circuit 253 and the MC second inverter circuit 254 constituting the memory circuit 25S are electrically connected to the third wiring 553 and the second wiring 552, and the MC first inverter circuit 253 The first low potential L 1 is supplied as a negative power supply potential and the first high potential H 1 is supplied as a positive power supply potential to the second inverter circuit 254 for MC.

図12に示す様に、斯うすると、第一ノードn1に高電位データDH(例えば、DH=21V)が書き込まれた際に、記憶回路25Sは第一ノードn1の電位を第一高電位H1(例えば、H1=32V)に維持する。ゲート電位が第一高電位H1だと、第一トランジスター26Nと第三トランジスター27Nとは問題なくオン状態となる。一方、第四トランジスター27Pでは、ソース電位(この例の場合、H2=14V)よりもゲート電位(この例の場合、H1=32V)の方が高くなるので(この例の場合、Vgs=+18V)、第四トランジスター27Pはオフ状態となる。第二トランジスター26Pでは、ソース電位(この例の場合、H1=32V)とゲート電位(この例の場合、H1=32V)とが等しくなるが(この例の場合、Vgs=0V)、第四トランジスター27Pはエンハンスメントタイプであるので、矢張りオフ状態となる。斯うして、リングオシレーター素子28は画素電極22に第一低電位L1(例えば、L1=0V)と第二低電位L2(例えば、L2=18V)との間で振動する第一交番電位を供給する事になる。 As shown in FIG. 12, when the high potential data DH (for example, DH = 21V) is written to the first node n1, the storage circuit 25S changes the potential of the first node n1 to the first high potential H. 1 (for example, H 1 = 32V). When the gate potential is's first high potential H 1, it turned on without problems and the first transistor 26N and the third transistor 27N. On the other hand, in the fourth transistor 27P, the gate potential (in this example, H 1 = 32V) is higher than the source potential (in this example, H 2 = 14V) (in this example, V gs = + 18V), the fourth transistor 27P is turned off. In the second transistor 26P, the source potential (H 1 = 32V in this example) is equal to the gate potential (H 1 = 32V in this example) (in this example, V gs = 0V), Since the fourth transistor 27P is an enhancement type, the arrow is turned off. Thus, the ring oscillator element 28 oscillates between the first low potential L 1 (for example, L 1 = 0 V) and the second low potential L 2 (for example, L 2 = 18 V) at the pixel electrode 22. An alternating potential will be supplied.

第一ノードn1に低電位データDL(例えば、DL=11V)が書き込まれた際に、記憶回路25Sは第一ノードn1の電位を第一低電位L1(例えば、L1=0V)に維持する。ゲート電位が第一低電位L1だと、第二トランジスター26Pと第四トランジスター27Pとは問題なくオン状態となる。一方、第一トランジスター26Nでは、ソース電位(この例の場合、L2=18V)よりもゲート電位(この例の場合、L1=0V)の方が低くなるのでとなるので(この例の場合、Vgs=−18V)、第一トランジスター26Nはオフ状態となる。第三トランジスター27Nでは、ソース電位(この例の場合、L1=0V)とゲート電位(この例の場合、L1=0V)とが等しくなるが(この例の場合、Vgs=0V)、第三トランジスター27Nはエンハンスメントタイプであるので、矢張りオフ状態となる。斯うして、リングオシレーター素子28は画素電極22に第二高電位H2(例えば、H2=14V)と第一高電位H1(例えば、H1=32V)との間で振動する第二交番電位を供給する事になる。その他の構成は実施形態2と同様である。 When the low potential data DL (for example, DL = 11V) is written to the first node n1, the memory circuit 25S maintains the potential of the first node n1 at the first low potential L 1 (for example, L 1 = 0V). To do. When the gate potential is's first low potential L 1, it turned on without problems and the second transistor 26P and the fourth transistor 27P. On the other hand, in the first transistor 26N, the gate potential (L 1 = 0V in this example) is lower than the source potential (L 2 = 18V in this example) (in this example). , V gs = −18 V), the first transistor 26N is turned off. In the third transistor 27N, the source potential (L 1 = 0V in this example) and the gate potential (L 1 = 0V in this example) are equal (in this example, V gs = 0V), Since the third transistor 27N is an enhancement type, it is turned off. Thus, the ring oscillator element 28 oscillates between the second high potential H 2 (eg, H 2 = 14V) and the first high potential H 1 (eg, H 1 = 32V) at the pixel electrode 22. An alternating potential will be supplied. Other configurations are the same as those of the second embodiment.

走査信号の電位と画像信号の電位との関係は実施形態2と同じであるが、電源の数を減らすとの視点からは、高走査電位SHと第三高電位H3とを同一とし(SH=H3)、低走査電位SLと第三低電位L3とを同一としても良い(SL=L3)。 The relationship between the potential of the scanning signal and the potential of the image signal is the same as that in the second embodiment. However, from the viewpoint of reducing the number of power supplies, the high scanning potential SH and the third high potential H 3 are the same (SH). = H 3 ), the low scanning potential SL and the third low potential L 3 may be the same (SL = L 3 ).

図12に示す様に、上述の電位関係としても、実施形態2と同様な駆動が実現する。本実施形態では、実施形態2にて得られる効果に加えて、配線数を減らす事ができ、更に、最高電位を実施形態2のH3=36V(図10参照)から、本実施形態ではH1=32Vへと下げる事ができる。 As shown in FIG. 12, the same driving as in the second embodiment is realized even with the above-described potential relationship. In the present embodiment, in addition to the effects obtained in the second embodiment, the number of wirings can be reduced, and the maximum potential is changed from H 3 = 36 V (see FIG. 10) in the second embodiment to H in the present embodiment. 1 = Can be lowered to 32V.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.

(変形例1)
「バッファー回路を備える形態」
本変形例は実施形態1乃至3と比べて、画素20にバッファー回路が設けられている点が異なっている。それ以外の構成は、実施形態1及び実施形態3とほぼ同様である。実施形態1乃至3では、リングオシレーター素子28の出力部ROOUTが直接画素電極22に接続されていた。リングオシレーター素子28からの発振波形は常に矩形波になるとは限らず、また、その振幅も電源電圧(正電源電位と負電源電位との差)に一致するとは限らない。例えば、発振波形は、台形波や正弦波、三角波、のこぎり波、等になりうる。これらの交番電界をそのまま画素電極22に供給しても良いが、斯うした場合、リングオシレーター素子28の出力部ROOUTと画素電極22との間にバッファー回路を備えても良い。バッファー回路の正電源部はリングオシレーター素子28の正電源部ROVDDに電気的に接続され、バッファー回路の負電源部はリングオシレーター素子28の負電源部ROVSSに電気的に接続される。バッファー回路の一例としては、インバーター回路を偶数個直列に接続したものである。リングオシレーター素子28からの発振波形が正弦波や三角波、のこぎり波、等の場合、振幅が電源電圧よりも小さくなる事がある。バッファー回路をリングオシレーター素子28の出力部ROOUTと画素電極22との間に設ける事で、画素電位Vpxの振幅は電源電圧に一致し、上述の実施形態の効果を得る事が可能となる。
(Modification 1)
"Equipped with buffer circuit"
This modification is different from the first to third embodiments in that a buffer circuit is provided in the pixel 20. Other configurations are almost the same as those of the first and third embodiments. In the first to third embodiments, the output portion ROOUT of the ring oscillator element 28 is directly connected to the pixel electrode 22. The oscillation waveform from the ring oscillator element 28 is not always a rectangular wave, and the amplitude thereof does not always match the power supply voltage (difference between the positive power supply potential and the negative power supply potential). For example, the oscillation waveform can be a trapezoidal wave, a sine wave, a triangular wave, a sawtooth wave, or the like. These alternating electric fields may be supplied to the pixel electrode 22 as they are. In such a case, a buffer circuit may be provided between the output portion ROOUT of the ring oscillator element 28 and the pixel electrode 22. The positive power supply unit of the buffer circuit is electrically connected to the positive power supply unit ROVDD of the ring oscillator element 28, and the negative power supply unit of the buffer circuit is electrically connected to the negative power supply unit ROVSS of the ring oscillator element 28. As an example of the buffer circuit, an even number of inverter circuits are connected in series. When the oscillation waveform from the ring oscillator element 28 is a sine wave, a triangular wave, a sawtooth wave, or the like, the amplitude may be smaller than the power supply voltage. By providing the buffer circuit between the output portion ROOUT of the ring oscillator element 28 and the pixel electrode 22, the amplitude of the pixel potential V px matches the power supply voltage, and the effects of the above-described embodiments can be obtained.

FSF…第一強電界、FWF…第一弱電界、SSF…第二強電界、SWF…第二弱電界、10…表示部、20…画素、21…選択トランジスター、22…画素電極、23…共通電極、24…電気泳動材料、25D…容量素子、25S…記憶回路、26N…第一トランジスター、26P…第二トランジスター、27N…第三トランジスター、27P…第四トランジスター、28…リングオシレーター素子、30…走査線、40…信号線、50…共通電位線、55…各種電位線、55F…固定電位線、60…制御部、70…駆動回路、71…コントローラー、72…走査線駆動回路、73…信号線駆動回路、74…電位供給回路、80…画像信号処理部、90…記憶部、100…電子機器、110…フレームメモリー、120…操作部、130…画像信号供給回路、140…制御回路、150…電気泳動装置、251…第一電極、252…第二電極、253…MC用第一インバーター回路、254…MC用第二インバーター回路、255…メモリコントロラー、281…RO用第一インバーター回路、282…RO用第二インバーター回路、283…RO用第三インバーター回路、400…電子ペーパー、410…本体、500…電子ノート、501…カバー、551…第一配線、552…第二配線、553…第三配線、554…第四配線、555…第五配線、556…第六配線。   FSF ... first strong electric field, FWF ... first weak electric field, SSF ... second strong electric field, SWF ... second weak electric field, 10 ... display unit, 20 ... pixel, 21 ... select transistor, 22 ... pixel electrode, 23 ... common Electrode, 24 ... electrophoretic material, 25D ... capacitance element, 25S ... memory circuit, 26N ... first transistor, 26P ... second transistor, 27N ... third transistor, 27P ... fourth transistor, 28 ... ring oscillator element, 30 ... Scanning line, 40 ... signal line, 50 ... common potential line, 55 ... various potential lines, 55F ... fixed potential line, 60 ... control unit, 70 ... drive circuit, 71 ... controller, 72 ... scan line drive circuit, 73 ... signal Line drive circuit, 74 ... potential supply circuit, 80 ... image signal processing unit, 90 ... storage unit, 100 ... electronic device, 110 ... frame memory, 120 ... operation unit, 130 ... Image signal supply circuit, 140 ... control circuit, 150 ... electrophoresis device, 251 ... first electrode, 252 ... second electrode, 253 ... MC first inverter circuit, 254 ... MC second inverter circuit, 255 ... memory controller 281 ... RO first inverter circuit, 282 ... RO second inverter circuit, 283 ... RO third inverter circuit, 400 ... electronic paper, 410 ... main body, 500 ... electronic notebook, 501 ... cover, 551 ... first One wiring, 552... Second wiring, 553. Third wiring, 554. Fourth wiring, 555. Fifth wiring, 556.

Claims (10)

走査線と信号線との交差点に配置された選択トランジスターと、第一配線にソースが電気的に接続された第一トランジスターと、第二配線にソースが電気的に接続された第二トランジスターと、第三配線にソースが電気的に接続された第三トランジスターと、第四配線にソースが電気的に接続された第四トランジスターと、リングオシレーター素子と、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界が印加される電気泳動材料と、を備え、
前記選択トランジスターのソースとドレインとの一方は前記信号線に電気的に接続され、
前記選択トランジスターのソースとドレインとの他方は前記第一トランジスターのゲートと前記第二トランジスターのゲートと前記第三トランジスターのゲートと前記第四トランジスターのゲートとに電気的に接続され、
前記選択トランジスターのゲートは前記走査線に電気的に接続され、
前記第一トランジスターのドレインと前記第二トランジスターのドレインとは前記リングオシレーター素子の正電源部に電気的に接続され、
前記第三トランジスターのドレインと前記第四トランジスターのドレインとは前記リングオシレーター素子の負電源部に電気的に接続され、
前記画素電極は前記リングオシレーター素子の出力部に電気的に接続され、
前記第一トランジスターと前記第三トランジスターとはN型トランジスターであり、
前記第二トランジスターと前記第四トランジスターとはP型トランジスターである事を特徴とする電気泳動装置。
A selection transistor disposed at the intersection of the scanning line and the signal line, a first transistor whose source is electrically connected to the first wiring, and a second transistor whose source is electrically connected to the second wiring; A third transistor having a source electrically connected to a third wiring; a fourth transistor having a source electrically connected to a fourth wiring; a ring oscillator element; a pixel electrode; a common electrode; and the pixel electrode. And an electrophoretic material to which an electric field generated between the common electrode and the common electrode is applied,
One of the source and the drain of the selection transistor is electrically connected to the signal line,
The other of the source and drain of the selection transistor is electrically connected to the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, and the gate of the fourth transistor,
A gate of the selection transistor is electrically connected to the scanning line;
The drain of the first transistor and the drain of the second transistor are electrically connected to a positive power supply unit of the ring oscillator element,
The drain of the third transistor and the drain of the fourth transistor are electrically connected to the negative power source of the ring oscillator element,
The pixel electrode is electrically connected to an output of the ring oscillator element;
The first transistor and the third transistor are N-type transistors,
The electrophoretic device, wherein the second transistor and the fourth transistor are P-type transistors.
請求項1に記載の電気泳動装置の駆動方法であって、
前記第一配線には第二低電位が供給され、
前記第二配線には第一高電位が供給され、
前記第三配線には第一低電位が供給され、
前記第四配線には第二高電位が供給され、
前記共通電極には共通電位が供給され、
前記第一低電位よりも前記第二低電位は高電位であり、
前記第一高電位よりも前記第二高電位は低電位であり、
前記第一高電位と前記第二高電位との平均電位(高平均電位)は、前記第一低電位と前記第二低電位との平均電位(低平均電位)よりも高電位であり、
前記共通電位は前記高平均電位と前記低平均電位との間の電位値である事を特徴とする電気泳動装置の駆動方法。
A method for driving an electrophoretic device according to claim 1,
A second low potential is supplied to the first wiring,
A first high potential is supplied to the second wiring,
A first low potential is supplied to the third wiring,
A second high potential is supplied to the fourth wiring,
A common potential is supplied to the common electrode,
The second low potential is higher than the first low potential,
The second high potential is lower than the first high potential,
The average potential of the first high potential and the second high potential (high average potential) is higher than the average potential of the first low potential and the second low potential (low average potential),
The method of driving an electrophoresis apparatus, wherein the common potential is a potential value between the high average potential and the low average potential.
前記第二低電位は前記共通電位よりも高電位であり、
前記第二高電位は前記共通電位よりも低電位である事を特徴とする請求項2に記載の電気泳動装置の駆動方法。
The second low potential is higher than the common potential;
The method for driving an electrophoresis apparatus according to claim 2, wherein the second high potential is lower than the common potential.
前記信号線には高電位データと低電位データとが供給され、
前記高電位データは前記第一高電位以上の値であり、
前記低電位データは前記第一低電位以下の値である事を特徴とする請求項2又は3に記載の電気泳動装置の駆動方法。
High potential data and low potential data are supplied to the signal line,
The high potential data is a value equal to or higher than the first high potential,
4. The method for driving an electrophoresis apparatus according to claim 2, wherein the low potential data is a value equal to or lower than the first low potential.
前記走査線には高走査電位と低走査電位とが供給され、
前記高走査電位は前記高電位データ以上の値であり、
前記低走査電位は前記低電位データ以下の値である事を特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法。
The scanning line is supplied with a high scanning potential and a low scanning potential,
The high scanning potential is a value equal to or higher than the high potential data.
5. The method for driving an electrophoretic device according to claim 2, wherein the low scanning potential is a value equal to or lower than the low potential data.
前記高平均電位と前記低電位平均との平均値が前記共通電位とほぼ一致し、
前記第二低電位と前記第一低電位との差と、前記第一高電位と前記第二高電位との差と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法。
The average value of the high average potential and the low potential average substantially coincides with the common potential,
6. The difference between the second low potential and the first low potential and the difference between the first high potential and the second high potential are substantially equal. 6. A driving method of the electrophoresis apparatus according to claim 1.
一枚のフレーム画像を形成する期間をフレーム周期とした際に、前記リングオシレーター素子の発振周期は前記フレーム周期よりも短い事を特徴とする請求項2乃至6のいずれか一項に記載の電気泳動装置の駆動方法。   7. The electricity according to claim 2, wherein an oscillation period of the ring oscillator element is shorter than the frame period when a period for forming one frame image is a frame period. Driving method of electrophoresis apparatus. 請求項2乃至7のいずれか一項に記載の駆動方法を行う事を特徴とする電気泳動装置の制御回路。   A control circuit for an electrophoretic device, wherein the driving method according to claim 2 is performed. 請求項8に記載の制御回路を備えた事を特徴とする電気泳動装置。   An electrophoresis apparatus comprising the control circuit according to claim 8. 請求項9に記載の電気泳動装置を備えた事を特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electrophoresis apparatus according to claim 9.
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