JP2015070311A - Oscillation circuit and crystal oscillator - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To oscillate at a desired frequency, while suppressing the drive level.SOLUTION: An oscillation circuit 1 includes a crystal oscillator X, a first resistor Rx connected in series with the crystal oscillator X, an inductor Lx connected in series with the crystal oscillator X and first resistor Rx, a first capacitor C1 provided between one end of a series circuit SC including the crystal oscillator X, first resistor Rx and inductor Lx and the ground, a second capacitor C2 provided between the other end of the series circuit SC and the ground, and an amplifier circuit A provided in parallel with the series circuit SC.

Description

本発明は、発振回路及び水晶発振器に関する。   The present invention relates to an oscillation circuit and a crystal oscillator.

従来、水晶振動子を用いた発振回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。図7は、従来の発振回路100の電気回路図である。
発振回路100は、水晶振動子101と、第1キャパシタ102と、第2キャパシタ103と、増幅回路104と、帰還抵抗105と、制限抵抗106と、出力端子107を有する。
Conventionally, an oscillation circuit using a crystal resonator is known (for example, see Patent Document 1). FIG. 7 is an electric circuit diagram of the conventional oscillation circuit 100.
The oscillation circuit 100 includes a crystal resonator 101, a first capacitor 102, a second capacitor 103, an amplifier circuit 104, a feedback resistor 105, a limiting resistor 106, and an output terminal 107.

水晶振動子101の第1端子とグランドとの間には、第1キャパシタ102が接続され、水晶振動子101の第2端子とグランドとの間には、第2キャパシタ103が接続されている。水晶振動子101と、増幅回路104と、帰還抵抗105とは、並列に接続されている。制限抵抗106は、水晶振動子101と、増幅回路104との間に設けられている。   A first capacitor 102 is connected between the first terminal of the crystal unit 101 and the ground, and a second capacitor 103 is connected between the second terminal of the crystal unit 101 and the ground. The crystal resonator 101, the amplifier circuit 104, and the feedback resistor 105 are connected in parallel. The limiting resistor 106 is provided between the crystal unit 101 and the amplifier circuit 104.

実開平6−54308号公報Japanese Utility Model Publication No. 6-54308

ところで、発振回路100において、振動による水晶振動子101の破壊を防止するために、水晶振動子101に対して直列に抵抗を接続し、ドライブレベルを抑制することが行われている。しかしながら、水晶振動子101に対して直列に抵抗を接続しても、ドライブレベルが十分に抑制しきれない場合がある。   Incidentally, in the oscillation circuit 100, in order to prevent destruction of the crystal resonator 101 due to vibration, a resistor is connected in series with the crystal resonator 101 to suppress the drive level. However, even if a resistor is connected in series to the crystal unit 101, the drive level may not be sufficiently suppressed.

この場合、第1キャパシタ102及び第2キャパシタ103の負荷容量を小さくすることで、ドライブレベルをさらに抑制することが考えられるが、第1キャパシタ102及び第2キャパシタ103の容量を小さくすると、発振周波数が高くなるという問題がある。   In this case, it may be possible to further suppress the drive level by reducing the load capacitances of the first capacitor 102 and the second capacitor 103. However, if the capacitances of the first capacitor 102 and the second capacitor 103 are reduced, the oscillation frequency There is a problem that becomes high.

そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、ドライブレベルを抑制しつつ、所望の発振周波数で発振させることができる発振回路及び当該発振回路を備える水晶発振器を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide an oscillation circuit that can oscillate at a desired oscillation frequency while suppressing a drive level, and a crystal oscillator including the oscillation circuit. And

本発明の第1の態様に係る発振回路は、水晶振動子と、前記水晶振動子と直列接続された第1抵抗と、前記水晶振動子及び前記第1抵抗と直列接続されたインダクタと、前記水晶振動子、前記第1抵抗及び前記インダクタを含む直列回路の一端とグランドとの間に設けられた第1キャパシタと、前記直列回路の他端とグランドとの間に設けられた第2キャパシタと、前記直列回路と並列に設けられた増幅回路と、を備えることを特徴とする。上記の発振回路は、前記増幅回路と前記直列回路との間に設けられた第2抵抗をさらに備えていてもよい。   An oscillation circuit according to a first aspect of the present invention includes a crystal resonator, a first resistor connected in series with the crystal resonator, an inductor connected in series with the crystal resonator and the first resistor, A first capacitor provided between one end of a series circuit including a crystal resonator, the first resistor, and the inductor and the ground; a second capacitor provided between the other end of the series circuit and the ground; And an amplifier circuit provided in parallel with the series circuit. The oscillation circuit may further include a second resistor provided between the amplifier circuit and the series circuit.

また、前記増幅回路、第1抵抗、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタが、単一の半導体集積回路に設けられており、前記水晶振動子及び前記インダクタが、前記半導体集積回路の外部に設けられていてもよい。前記半導体集積回路が、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタの容量を調整する調整部を有していてもよい。   The amplifier circuit, the first resistor, the first capacitor, and the second capacitor are provided in a single semiconductor integrated circuit, and the crystal resonator and the inductor are provided outside the semiconductor integrated circuit. It may be done. The semiconductor integrated circuit may include an adjustment unit that adjusts capacitances of the first capacitor and the second capacitor.

また、上記の発振回路は、前記水晶振動子を着脱可能に接続する接続部をさらに備えていてもよい。   In addition, the oscillation circuit may further include a connection unit that detachably connects the crystal resonator.

本発明の第2の態様に係る水晶発振器は、上記の発振回路と、前記発振回路が設けられた基板と、前記基板を収容する筐体と、を備える。   A crystal oscillator according to a second aspect of the present invention includes the above oscillation circuit, a substrate on which the oscillation circuit is provided, and a housing that houses the substrate.

本発明によれば、ドライブレベルを抑制しつつ、所望の発振周波数で発振させることができるという効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to oscillate at a desired oscillation frequency while suppressing the drive level.

第1の実施形態に係る発振回路の電気回路図である。FIG. 3 is an electric circuit diagram of the oscillation circuit according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る発振回路における各素子の値と、負性抵抗、ドライブレベル及び周波数の周波数偏差の測定結果とを示す図である。It is a figure which shows the value of each element in the oscillation circuit which concerns on 1st Embodiment, and the measurement result of the frequency deviation of a negative resistance, a drive level, and a frequency. 従来の発振回路の電気回路図である。It is an electric circuit diagram of a conventional oscillation circuit. 従来の発振回路における各素子の値と、負性抵抗、ドライブレベル及び周波数の周波数偏差の測定結果とを示す図である。It is a figure which shows the value of each element in the conventional oscillation circuit, and the measurement result of the frequency deviation of a negative resistance, a drive level, and a frequency. 第2の実施形態に係る発振回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the oscillation circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る発振回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the oscillation circuit which concerns on 3rd Embodiment. 従来の発振回路の電気回路図である。It is an electric circuit diagram of a conventional oscillation circuit.

<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態に係る発振回路1の電気回路図である。
発振回路1は、水晶振動子Xと、第1抵抗Rxと、インダクタLxと、第1キャパシタC1と、第2キャパシタC2と、第3キャパシタC3と、第4キャパシタC4と、増幅回路Aと、第2抵抗Rdと、第3抵抗Rfと、出力端子Tを備える。水晶振動子Xは、例えば、ATカット水晶片を用いた水晶振動子(ATカット水晶振動子)である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is an electric circuit diagram of the oscillation circuit 1 according to the first embodiment.
The oscillation circuit 1 includes a crystal resonator X, a first resistor Rx, an inductor Lx, a first capacitor C1, a second capacitor C2, a third capacitor C3, a fourth capacitor C4, an amplifier circuit A, A second resistor Rd, a third resistor Rf, and an output terminal T are provided. The crystal resonator X is, for example, a crystal resonator (AT cut crystal resonator) using an AT cut crystal piece.

第1抵抗Rxは、水晶振動子Xと直列に接続されている。第1抵抗Rxは、水晶振動子Xの等価抵抗の値が変動し、発振回路1の発振周波数が変化する場合に、発振周波数の変化量を抑制することができる。例えば、水晶振動子Xの等価抵抗が、周囲温度の変化に伴い50Ωから100Ωの範囲で変化する場合には、等価抵抗の変化率は100%である。これに対して、100Ωの第1抵抗Rxが水晶振動子Xと直列に設けられている場合、第1抵抗Rxと水晶振動子Xの等価抵抗とを合わせた抵抗値は、150Ωから200Ωの範囲で変化するので、抵抗値の変化率は33%である。このように、抵抗値の変化率が小さくなることにより、発振周波数の変化量を抑制することができる。   The first resistor Rx is connected in series with the crystal unit X. The first resistor Rx can suppress the amount of change in the oscillation frequency when the value of the equivalent resistance of the crystal unit X varies and the oscillation frequency of the oscillation circuit 1 changes. For example, when the equivalent resistance of the crystal unit X changes in the range of 50Ω to 100Ω with changes in the ambient temperature, the change rate of the equivalent resistance is 100%. On the other hand, when the first resistance Rx of 100Ω is provided in series with the crystal unit X, the resistance value of the first resistor Rx and the equivalent resistance of the crystal unit X ranges from 150Ω to 200Ω. Therefore, the change rate of the resistance value is 33%. As described above, the change rate of the oscillation value can be suppressed by reducing the change rate of the resistance value.

また、第1抵抗Rxは、水晶振動子Xに流れる電流量を抑制することができる。したがって、第1抵抗Rxを水晶振動子Xと直列に設けることにより、ドライブレベルを抑制することができる。   Further, the first resistor Rx can suppress the amount of current flowing through the crystal resonator X. Therefore, the drive level can be suppressed by providing the first resistor Rx in series with the crystal unit X.

インダクタLxは、水晶振動子X及び第1抵抗Rxと直列に接続されている。発振回路1がインダクタLxを備えることにより、発振回路1の共振周波数は、インダクタLxを備えない場合に比べて低くなる。   The inductor Lx is connected in series with the crystal unit X and the first resistor Rx. Since the oscillation circuit 1 includes the inductor Lx, the resonance frequency of the oscillation circuit 1 is lower than that in the case where the inductor Lx is not included.

水晶振動子X、インダクタLx及び第1抵抗Rxは、直列回路SCを構成している。
第1キャパシタC1は、直列回路SCの一端と、グランドとの間に接続されている。
第2キャパシタC2は、直列回路SCの他端と、グランドとの間に接続されている。
第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の容量に基づいて、発振回路1の発振周波数及びドライブレベルが定められる。
The crystal resonator X, the inductor Lx, and the first resistor Rx constitute a series circuit SC.
The first capacitor C1 is connected between one end of the series circuit SC and the ground.
The second capacitor C2 is connected between the other end of the series circuit SC and the ground.
Based on the capacitance of the first capacitor C1 and the second capacitor C2, the oscillation frequency and drive level of the oscillation circuit 1 are determined.

第3キャパシタC3及び第4キャパシタC4は、直列に接続されている。第3キャパシタC3は、直列回路SCの他端と、第4キャパシタC4との間に接続されている。第4キャパシタC4は、第3キャパシタC3と、グランドとの間に接続されている。第4キャパシタC4は、トリマコンデンサであり、主に発振周波数の調整に用いられる。   The third capacitor C3 and the fourth capacitor C4 are connected in series. The third capacitor C3 is connected between the other end of the series circuit SC and the fourth capacitor C4. The fourth capacitor C4 is connected between the third capacitor C3 and the ground. The fourth capacitor C4 is a trimmer capacitor and is mainly used for adjusting the oscillation frequency.

増幅回路Aは、例えばインバータであり、直列回路14と並列に接続されている。増幅回路Aは、発振回路1において発振した発振信号を増幅して出力端子Tに出力する。
第2抵抗Rdは、増幅回路Aと直列回路SCとの間に設けられており、ドライブレベルを調整するために用いられる。第2抵抗Rdは、水晶振動子Xに過大電流が流入し、水晶振動子Xが破壊されることを防止する。
第3抵抗Rfは、増幅回路Aと並列に接続されており、増幅回路Aから出力される電流を帰還させて、発振を持続させる。
The amplifier circuit A is an inverter, for example, and is connected in parallel with the series circuit 14. The amplifier circuit A amplifies the oscillation signal oscillated in the oscillation circuit 1 and outputs the amplified signal to the output terminal T.
The second resistor Rd is provided between the amplifier circuit A and the series circuit SC, and is used to adjust the drive level. The second resistor Rd prevents an excessive current from flowing into the crystal unit X and destroying the crystal unit X.
The third resistor Rf is connected in parallel with the amplifier circuit A, and feeds back the current output from the amplifier circuit A to maintain oscillation.

[調整手順]
続いて、発振回路1の調整手順について説明する。
まず、ドライブレベルを所定の目標範囲の値とするべく、第1抵抗Rxの値を調整する。 続いて、第1抵抗Rxの調整により、ドライブレベルが十分に抑制できていない場合、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の容量を小さくすることで、発振回路1のインピーダンスを増加させ、ドライブレベルをさらに抑制させる。
[Adjustment procedure]
Subsequently, an adjustment procedure of the oscillation circuit 1 will be described.
First, the value of the first resistor Rx is adjusted so that the drive level is within a predetermined target range. Subsequently, when the drive level is not sufficiently suppressed by adjusting the first resistance Rx, the impedance of the oscillation circuit 1 is increased by reducing the capacitance of the first capacitor C1 and the second capacitor C2, and the drive level Is further suppressed.

ところが、第1キャパシタC1、及び第2キャパシタC2の容量を小さくすることにより、発振周波数が高くシフトする。発振周波数が目標とする発振周波数に比べて高い場合、インダクタLxのインダクタンスを高くすることで、発振周波数を低くシフトさせる。これにより、発振回路1のドライブレベルを抑制しつつ、所望の発振周波数で発振させることができる。   However, by reducing the capacitance of the first capacitor C1 and the second capacitor C2, the oscillation frequency shifts higher. When the oscillation frequency is higher than the target oscillation frequency, the oscillation frequency is shifted low by increasing the inductance of the inductor Lx. Thereby, it is possible to oscillate at a desired oscillation frequency while suppressing the drive level of the oscillation circuit 1.

[実測結果]
続いて、本実施形態に係る発振回路1において負性抵抗及びドライブレベル特性の調整を行った場合の実測結果を示す。図2は、本実施形態に係る発振回路1における各素子の値と、負性抵抗(−R)、ドライブレベル(DL)及び周波数偏差(dF/F)の測定結果とを示す図である。
[Measurement results]
Subsequently, an actual measurement result when the negative resistance and the drive level characteristic are adjusted in the oscillation circuit 1 according to the present embodiment is shown. FIG. 2 is a diagram illustrating the values of each element in the oscillation circuit 1 according to the present embodiment and the measurement results of the negative resistance (−R), the drive level (DL), and the frequency deviation (dF / F).

ここでは、負性抵抗の目標値を100Ω以上、ドライブレベルの目標値を100μW以下とした。ドライブレベルを抑制するために、Rdを1500Ω、Rxを470Ωとした。また、従来の発振回路に比べて、第1キャパシタC1及び第3キャパシタの容量を低くした。また、第4キャパシタC4については、最大値を10pFとし、3.5pFから10pFの間で調整を行った。第1キャパシタC1及び第3キャパシタの容量を低くした状態での周波数偏差を十分に小さくするために、Lxのインダクタンスを2.2μHとした。   Here, the target value of the negative resistance is set to 100Ω or more, and the target value of the drive level is set to 100 μW or less. In order to suppress the drive level, Rd was set to 1500Ω and Rx was set to 470Ω. Further, the capacities of the first capacitor C1 and the third capacitor are made lower than those of the conventional oscillation circuit. For the fourth capacitor C4, the maximum value was 10 pF, and adjustment was performed between 3.5 pF and 10 pF. In order to sufficiently reduce the frequency deviation when the capacitances of the first capacitor C1 and the third capacitor are low, the inductance of Lx is set to 2.2 μH.

測定の結果、周波数偏差が0ppm、負性抵抗が340Ω、ドライブレベルが70.0μWとなり、所望の発振周波数で発振させつつ、負性抵抗及びドライブレベルを目標範囲の値にすることができた。   As a result of the measurement, the frequency deviation was 0 ppm, the negative resistance was 340Ω, and the drive level was 70.0 μW, and the negative resistance and the drive level were able to be within the target range while oscillating at a desired oscillation frequency.

[比較例]
続いて、従来の発振回路200において負性抵抗及びドライブレベル特性の調整を行った場合の実測結果を示す。図3は、従来の発振回路200の電気回路図である。従来の発振回路200は、図3に示すように、本実施形態の発振回路1からインダクタLxを除いた回路である。図4は、従来の発振回路2における各素子の値と、負性抵抗、ドライブレベル及び周波数偏差の測定結果とを示す図である。
[Comparative example]
Next, an actual measurement result when the negative resistance and the drive level characteristic are adjusted in the conventional oscillation circuit 200 is shown. FIG. 3 is an electric circuit diagram of the conventional oscillation circuit 200. As shown in FIG. 3, the conventional oscillation circuit 200 is a circuit obtained by removing the inductor Lx from the oscillation circuit 1 of the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the values of each element in the conventional oscillation circuit 2 and the measurement results of the negative resistance, the drive level, and the frequency deviation.

図4に示すように、従来の発振回路200の測定では、発振回路200における各素子の値を変更し、4つのパターンについて測定を行った。
測定の結果、いずれのパターンについても周波数偏差が少なくとも30ppmを超え、所望の発振周波数で発振させることができなかった。さらに、負性抵抗及びドライブレベルの両方を同時に目標範囲内の値にすることができなかった。
As shown in FIG. 4, in the measurement of the conventional oscillation circuit 200, the value of each element in the oscillation circuit 200 was changed and the measurement was performed for four patterns.
As a result of the measurement, the frequency deviation of each pattern exceeded at least 30 ppm, and it was not possible to oscillate at the desired oscillation frequency. In addition, both the negative resistance and the drive level could not be simultaneously within the target range.

[本実施形態の効果]
以上、本実施形態によれば、発振回路1は、水晶振動子Xと、水晶振動子Xと直列接続された第1抵抗Rxと、水晶振動子X及び第1抵抗Rxと直列接続されたインダクタLxと、水晶振動子X、第1抵抗Rx及びインダクタLxを含む直列回路SCの一端とグランドとの間に設けられた第1キャパシタC1と、直列回路SCの他端とグランドとの間に設けられた第2キャパシタC2と、直列回路SCと並列に設けられた増幅回路Aと、を備える。
[Effect of this embodiment]
As described above, according to the present embodiment, the oscillation circuit 1 includes the crystal resonator X, the first resistor Rx connected in series with the crystal resonator X, and the inductor connected in series with the crystal resonator X and the first resistor Rx. Lx, a first capacitor C1 provided between one end of the series circuit SC including the crystal resonator X, the first resistor Rx, and the inductor Lx and the ground, and provided between the other end of the series circuit SC and the ground. The second capacitor C2 and the amplifier circuit A provided in parallel with the series circuit SC.

このようにすることで、発振回路1は、第1抵抗Rxを調整することで、ドライブレベルを抑制するとともに、水晶振動子Xの等価抵抗の変化に伴う周波数変化を抑制することができる。そして、発振回路1は、第1抵抗Rxによるドライブレベルの抑制後、ドライブレベルをさらに抑制させるために、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の容量を小さくして発振周波数が高くシフトしても、インダクタLxのインダクタンスを調整することで、発振周波数を低くシフトさせることができる。よって、発振回路1は、ドライブレベルを抑制しつつ、所望の発振周波数で発振させることができる。   By doing in this way, the oscillation circuit 1 can suppress the drive level and the frequency change accompanying the change of the equivalent resistance of the crystal resonator X by adjusting the first resistance Rx. Then, after the drive level is suppressed by the first resistor Rx, the oscillation circuit 1 reduces the capacitance of the first capacitor C1 and the second capacitor C2 and further shifts the oscillation frequency to further suppress the drive level. The oscillation frequency can be shifted low by adjusting the inductance of the inductor Lx. Therefore, the oscillation circuit 1 can oscillate at a desired oscillation frequency while suppressing the drive level.

<第2の実施形態>
図5は、第2の実施形態に係る発振回路2の構成を示す図である。発振回路2は、一部の回路が半導体集積回路20に設けられている点で、第1の実施形態に係る発振回路1と異なり、他の点で同じである。具体的には、図5に示すように、増幅回路A、第1抵抗Rx、第2抵抗Rd、第3抵抗Rf、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2が、単一の半導体集積回路20に設けられている。また、水晶振動子X及びインダクタLxは、半導体集積回路20の外部に設けられている。
<Second Embodiment>
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of the oscillation circuit 2 according to the second embodiment. Unlike the oscillation circuit 1 according to the first embodiment, the oscillation circuit 2 is the same in other respects in that a part of the circuit is provided in the semiconductor integrated circuit 20. Specifically, as shown in FIG. 5, the amplifier circuit A, the first resistor Rx, the second resistor Rd, the third resistor Rf, the first capacitor C1, and the second capacitor C2 are combined into a single semiconductor integrated circuit 20. Is provided. Further, the crystal resonator X and the inductor Lx are provided outside the semiconductor integrated circuit 20.

半導体集積回路20において、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2は、キャパシタアレイ又はバリキャップダイオードによって構成されている。また、半導体集積回路20は、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の少なくともいずれかの容量を調整する調整部21を有する。   In the semiconductor integrated circuit 20, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are configured by a capacitor array or a varicap diode. In addition, the semiconductor integrated circuit 20 includes an adjustment unit 21 that adjusts the capacitance of at least one of the first capacitor C1 and the second capacitor C2.

調整部21は、例えば、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2が、それぞれ複数のキャパシタを有するキャパシタアレイから構成される場合に、複数のキャパシタのうちの一部のキャパシタを選択するセレクタを有する。調整部21は、半導体集積回路20の外部から入力される制御信号に応じて、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の少なくともいずれかのセレクタを切り替えることにより、容量を調整する。   For example, when the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are each composed of a capacitor array having a plurality of capacitors, the adjustment unit 21 includes a selector that selects some of the plurality of capacitors. The adjustment unit 21 adjusts the capacitance by switching at least one of the selectors of the first capacitor C1 and the second capacitor C2 in accordance with a control signal input from the outside of the semiconductor integrated circuit 20.

調整部21は、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2が、バリキャップダイオードにより構成される場合に、半導体集積回路20の外部から入力される制御信号に応じた電圧をバリキャップダイオードに印加することにより、容量を調整する。   When the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are configured by varicap diodes, the adjustment unit 21 applies a voltage according to a control signal input from the outside of the semiconductor integrated circuit 20 to the varicap diodes. To adjust the capacity.

上記のとおり、発振回路2は、増幅回路A、第1抵抗Rx、第2抵抗Rd、第3抵抗Rf、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2を半導体集積回路20に内蔵することにより、小型化が可能になる。また、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2を半導体集積回路20に内蔵することにより、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2としてキャパシタアレイやバリキャップダイオードを用いることができる。その結果、調整部21が、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2の容量を外部からの制御信号により微調整できるので、発振回路2によれば、回路構成を変更することなく発振周波数を調整することができる。   As described above, the oscillation circuit 2 is reduced in size by incorporating the amplifier circuit A, the first resistor Rx, the second resistor Rd, the third resistor Rf, the first capacitor C1, and the second capacitor C2 in the semiconductor integrated circuit 20. Is possible. Also, by incorporating the first capacitor C1 and the second capacitor C2 in the semiconductor integrated circuit 20, a capacitor array or a varicap diode can be used as the first capacitor C1 and the second capacitor C2. As a result, the adjustment unit 21 can finely adjust the capacitances of the first capacitor C1 and the second capacitor C2 by an external control signal. Therefore, according to the oscillation circuit 2, the oscillation frequency is adjusted without changing the circuit configuration. be able to.

なお、本実施形態においては、調整部21がキャパシタの容量を調整する例について説明したが、調整部21は、第1抵抗Rx、第2抵抗Rd及び第3抵抗Rfのいずれかを調整してもよい。   In the present embodiment, the example in which the adjustment unit 21 adjusts the capacitance of the capacitor has been described. However, the adjustment unit 21 adjusts any one of the first resistor Rx, the second resistor Rd, and the third resistor Rf. Also good.

<第3の実施形態>
図6は、第3の実施形態に係る発振回路3の構成を示す図である。発振回路3は、水晶振動子Xを着脱可能に接続する接続部30を備える点で、第1の実施形態に係る発振回路1と異なり、他の点で同じである。接続部30は、水晶振動子Xの両端と、発振回路3における水晶振動子X以外の素子との接続点に設けられている。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of the oscillation circuit 3 according to the third embodiment. Unlike the oscillation circuit 1 according to the first embodiment, the oscillation circuit 3 is the same in other respects in that the oscillation circuit 3 includes a connection unit 30 that detachably connects the crystal resonator X. The connection unit 30 is provided at a connection point between both ends of the crystal unit X and elements other than the crystal unit X in the oscillation circuit 3.

接続部30は、例えば、水晶振動子Xの両端を他の素子に接続するソケットである。発振回路3が備える増幅回路A、第1抵抗Rx、第2抵抗Rd、第3抵抗Rf、第1キャパシタC1、第2キャパシタC2、第3キャパシタC3、第4キャパシタC4及び接続部30は、例えばプリント基板に半田付けにより固定されている。水晶振動子Xを接続部30に挿入することで、発振回路3として機能する。   The connection unit 30 is, for example, a socket that connects both ends of the crystal unit X to other elements. The amplifier circuit A, the first resistor Rx, the second resistor Rd, the third resistor Rf, the first capacitor C1, the second capacitor C2, the third capacitor C3, the fourth capacitor C4, and the connection unit 30 included in the oscillation circuit 3 are, for example, It is fixed to the printed circuit board by soldering. By inserting the crystal unit X into the connection unit 30, the crystal unit functions as the oscillation circuit 3.

発振回路3が接続部30を備えることにより、発振回路3のユーザは、水晶振動子Xを交換することで、発振信号の周波数を始めとする電気的特性を容易に変更することができる。   Since the oscillation circuit 3 includes the connection unit 30, the user of the oscillation circuit 3 can easily change the electrical characteristics including the frequency of the oscillation signal by exchanging the crystal unit X.

発振回路3において、第2の実施形態に係る発振回路2と同様に、発振回路3は、増幅回路A、第1抵抗Rx、第2抵抗Rd、第3抵抗Rf、第1キャパシタC1及び第2キャパシタC2及び調整部21を半導体集積回路20に内蔵させてもよい。このようにすることで、水晶振動子Xを交換した場合に、外部からの制御信号により、所望の周波数に容易に調整することができる。   In the oscillation circuit 3, as in the oscillation circuit 2 according to the second embodiment, the oscillation circuit 3 includes an amplifier circuit A, a first resistor Rx, a second resistor Rd, a third resistor Rf, a first capacitor C1, and a second capacitor. The capacitor C2 and the adjustment unit 21 may be built in the semiconductor integrated circuit 20. In this way, when the crystal unit X is replaced, it can be easily adjusted to a desired frequency by an external control signal.

<第4の実施形態>
第4の実施形態に係る水晶発振器は、上記の実施形態に係る発振回路1、発振回路2又は発振回路3が実装されたプリント基板と、当該プリント基板を収容する筐体とを備える。筐体には、上記の発振回路のグランドに接続されるグランド端子、上記の発振回路の増幅回路Aに供給される電源を入力するための電源端子、及び上記の発振回路から出力される発振信号を出力するための出力端子が設けられている。
<Fourth Embodiment>
A crystal oscillator according to the fourth embodiment includes a printed circuit board on which the oscillation circuit 1, the oscillation circuit 2, or the oscillation circuit 3 according to the above-described embodiment is mounted, and a housing that houses the printed circuit board. The casing has a ground terminal connected to the ground of the oscillation circuit, a power supply terminal for inputting power supplied to the amplification circuit A of the oscillation circuit, and an oscillation signal output from the oscillation circuit Is output.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

例えば、上記の実施形態においては、インダクタLx、水晶振動子X及び第1抵抗Rxがこの順序で直列に接続されている例について説明したが、これらの素子の接続順序は任意である。例えば、水晶振動子X、インダクタLx、第1抵抗Rxの順に接続されていてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the example in which the inductor Lx, the crystal unit X, and the first resistor Rx are connected in series in this order has been described, but the connection order of these elements is arbitrary. For example, the crystal unit X, the inductor Lx, and the first resistor Rx may be connected in this order.

1・・・発振回路、2・・・発振回路、3・・・発振回路、20・・・半導体集積回路、21・・・調整部、30・・・接続部、A・・・増幅回路、C1・・・第1キャパシタ、C2・・・第2キャパシタ、C3・・・第3キャパシタ、C4・・・第4キャパシタ、Lx・・・インダクタ、Rx・・・第1抵抗、Rd・・・第2抵抗、Rf・・・第3抵抗、T・・・出力端子、X・・・水晶振動子、100・・・従来の発振回路、101・・・水晶振動子、102・・・第1キャパシタ、103・・・第2キャパシタ、104・・・増幅回路、105・・・帰還抵抗、106・・・制限抵抗、107・・・出力端子、200・・・発振回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Oscillation circuit, 2 ... Oscillation circuit, 3 ... Oscillation circuit, 20 ... Semiconductor integrated circuit, 21 ... Adjustment part, 30 ... Connection part, A ... Amplification circuit, C1 ... 1st capacitor, C2 ... 2nd capacitor, C3 ... 3rd capacitor, C4 ... 4th capacitor, Lx ... Inductor, Rx ... 1st resistance, Rd ... 2nd resistance, Rf ... 3rd resistance, T ... Output terminal, X ... Crystal oscillator, 100 ... Conventional oscillation circuit, 101 ... Crystal oscillator, 102 ... 1st Capacitor 103 ... Second capacitor 104 ... Amplifier circuit 105 ... Feedback resistor 106 ... Limit resistor 107 ... Output terminal 200 ... Oscillator circuit

Claims (6)

水晶振動子と、
前記水晶振動子と直列接続された第1抵抗と、
前記水晶振動子及び前記第1抵抗と直列接続されたインダクタと、
前記水晶振動子、前記第1抵抗及び前記インダクタを含む直列回路の一端とグランドとの間に設けられた第1キャパシタと、
前記直列回路の他端とグランドとの間に設けられた第2キャパシタと、
前記直列回路と並列に設けられた増幅回路と、
を備える発振回路。
A crystal unit,
A first resistor connected in series with the crystal resonator;
An inductor connected in series with the crystal resonator and the first resistor;
A first capacitor provided between one end of a series circuit including the crystal resonator, the first resistor, and the inductor and a ground;
A second capacitor provided between the other end of the series circuit and the ground;
An amplifier circuit provided in parallel with the series circuit;
An oscillation circuit comprising:
前記増幅回路と前記直列回路との間に設けられた第2抵抗をさらに備える、
請求項1に記載の発振回路。
A second resistor provided between the amplifier circuit and the series circuit;
The oscillation circuit according to claim 1.
前記増幅回路、第1抵抗、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタが、単一の半導体集積回路に設けられており、
前記水晶振動子及び前記インダクタが、前記半導体集積回路の外部に設けられている、
請求項1又は2に記載の発振回路。
The amplifier circuit, the first resistor, the first capacitor, and the second capacitor are provided in a single semiconductor integrated circuit;
The crystal resonator and the inductor are provided outside the semiconductor integrated circuit,
The oscillation circuit according to claim 1 or 2.
前記半導体集積回路が、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタの容量を調整する調整部を有する、
請求項3に記載の発振回路。
The semiconductor integrated circuit includes an adjustment unit that adjusts capacitances of the first capacitor and the second capacitor.
The oscillation circuit according to claim 3.
前記水晶振動子を着脱可能に接続する接続部をさらに備える、
請求項1から4のいずれか1項に記載の発振回路。
It further comprises a connection part for detachably connecting the crystal unit,
The oscillation circuit according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から5のいずれか1項に記載の発振回路と、
前記発振回路が設けられた基板と、
前記基板を収容する筐体と、
を備える水晶発振器。
The oscillation circuit according to any one of claims 1 to 5,
A substrate provided with the oscillation circuit;
A housing for housing the substrate;
A crystal oscillator comprising:
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