JP2015068644A - Radiation detection device and radiation detection system - Google Patents

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陽平 石田
Yohei Ishida
陽平 石田
中山 明哉
Akiya Nakayama
明哉 中山
野村 慶一
Keiichi Nomura
慶一 野村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detection device capable of responding to various photographing conditions.SOLUTION: The radiation detection device 1 includes: a base 112 including a plurality of regions having a sensor substrate 103 on which photoelectric conversion elements 113 are arranged in a matrix shape, and a scintillator section 101 integrally overlaid on the sensor substrate 103; a storage unit 108 for storing the plurality of regions; a driving/winding unit 107 for moving the plurality of regions; and a positioning mechanism for positioning the plurality of regions. The pitch of the arrangement of the photoelectric conversion elements 113 differs between the plurality of regions.

Description

本発明は、放射線撮影等に用いられる放射線検出装置および放射線検出システムに関する。特には、医療画像診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線検出装置と、この放射線検出装置を用いた放射線検出システムに関する。   The present invention relates to a radiation detection apparatus and a radiation detection system used for radiation imaging and the like. In particular, the present invention relates to a radiation detection apparatus used in medical diagnostic imaging equipment, non-destructive inspection equipment, and the like, and a radiation detection system using this radiation detection equipment.

特許文献1には、放射線検出装置を湾曲させることで収納可能にし、必要に応じて収納部のセンサを出し入れする構成が開示されている。特許文献1に記載の構成では、放射線連続照射に伴う放射線検出器の性能低下を、照射領域を適宜変更することで回避しようとしている。   Patent Document 1 discloses a configuration in which a radiation detection device can be housed by bending, and a sensor in a housing portion is taken in and out as necessary. In the configuration described in Patent Document 1, a decrease in the performance of the radiation detector due to continuous radiation irradiation is attempted to be avoided by appropriately changing the irradiation region.

特開2011−227045号公報JP 2011-227045 A

ところで、デジタルラジオグラフィ(Digital Radiography:DR)において、撮影環境の多様化により、1台で様々な撮影条件に対応可能な装置が求められている。特許文献1に記載の構成では、放射線検出部の撮影領域を選択することができる。しかしながら、どの撮影領域も一様の特性を有しているため、撮影条件の多様化に対応できない。そこで、更なる撮影条件の多様化に対応可能な放射線検出装置、具体的には管電圧等の撮影条件が変化しても装置を取り換えることなく、1台で種々の撮影条件に対応可能な放射線検出装置が望まれている。上記実情に鑑み、本発明は、1台で多様な撮影条件に対応可能な放射線検出装置および放射線検出システムを提供することを目的とする。   By the way, in digital radiography (DR), there is a demand for an apparatus that can cope with various photographing conditions by a single device due to diversification of photographing environments. In the configuration described in Patent Document 1, the imaging region of the radiation detection unit can be selected. However, since any shooting area has uniform characteristics, it cannot cope with diversification of shooting conditions. Therefore, a radiation detection device that can cope with further diversification of imaging conditions, specifically, radiation that can respond to various imaging conditions without changing the device even if imaging conditions such as tube voltage change. A detection device is desired. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a radiation detection apparatus and a radiation detection system that can cope with various imaging conditions with a single device.

上記課題を鑑み、本発明は、センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と前記センサ部に重ねて一体に配置されるシンチレータ部とを有する複数の領域が配置される基台と、前記複数の領域を収納する収納部と、前記複数の領域を移動させる駆動機構と、前記複数の領域を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記センサの配列のピッチは、前記複数の領域ごとに異なることを特徴とする。また、本発明は、センサがマトリクス状に配列される複数のセンサ部が配置される基台と、複数のシンチレータ部が配置され、前記基台とは別体の他の基台と、前記複数のセンサ部を収納する第1の収納部と、前記複数のシンチレータ部を収納する第2の収納部と、前記複数のセンサ部を移動させる第1の駆動機構と、前記複数のシンチレータ部を移動させる第2の駆動機構と、前記シンチレータ部および前記センサ部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記複数のシンチレータ部は互いに膜厚が異なり、前記センサの配列のピッチは、前記複数のセンサ部ごとに異なることを特徴とする。また、本発明は、筺体の内部に配置されたセンサ部と、基台に配置された複数のシンチレータ部と、前記シンチレータ部を収納する収納部と、前記シンチレータ部を移動させる駆動機構と、前記シンチレータ部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記複数のシンチレータ部はたがいに膜厚が異なることを特徴とする。また、本発明は、センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて一体に形成されるシンチレータ部とを有する複数の領域が配置される基台と、前記基台とは別体で、複数の反射層部が配置される他の基台と、前記複数の領域を収納する第1の収納部と、前記複数の反射層部を収納する第2の収納部と、前記複数の領域を移動させる第1の駆動機構と、前記複数の反射層部を移動させる第2の駆動機構と、前記複数の領域および前記複数の反射層部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記シンチレータ部の膜厚は、前記複数の領域ごとに異なり、前記複数の反射層部は、それぞれ反射率が異なることを特徴とする。   In view of the above problems, the present invention provides a base on which a plurality of regions having a sensor unit in which sensors are arranged in a matrix and a scintillator unit that is arranged integrally with the sensor unit are arranged; A storage unit that stores the region; a drive mechanism that moves the plurality of regions; and a positioning mechanism that positions the plurality of regions, and the pitch of the sensor array is different for each of the plurality of regions. It is characterized by. Further, the present invention provides a base on which a plurality of sensor units in which sensors are arranged in a matrix, a plurality of scintillator units are arranged, another base separate from the base, and the plurality A first storage section for storing the sensor section, a second storage section for storing the plurality of scintillator sections, a first drive mechanism for moving the plurality of sensor sections, and moving the plurality of scintillator sections. A plurality of scintillator portions having different film thicknesses, and the pitch of the sensor arrangement is determined by the plurality of sensors. It is different for each part. In addition, the present invention provides a sensor unit disposed inside a housing, a plurality of scintillator units disposed on a base, a storage unit that stores the scintillator unit, a drive mechanism that moves the scintillator unit, A positioning mechanism for positioning the scintillator portion, wherein the plurality of scintillator portions have different film thicknesses. According to the present invention, there is provided a base on which a plurality of regions having a sensor unit in which sensors are arranged in a matrix and a scintillator unit formed integrally with the sensor unit are disposed, and the base Separately, another base on which a plurality of reflection layer portions are arranged, a first storage portion that stores the plurality of regions, a second storage portion that stores the plurality of reflection layer portions, A first drive mechanism for moving a plurality of regions; a second drive mechanism for moving the plurality of reflective layer portions; and a positioning mechanism for positioning the plurality of regions and the plurality of reflective layer portions. The film thickness of the scintillator portion is different for each of the plurality of regions, and the plurality of reflective layer portions have different reflectances.

本発明によれば、1台の放射線検出装置で、複数の撮影条件に対応可能な放射線検出装置および放射線検出システムを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiation detection apparatus and radiation detection system which can respond | correspond to several imaging conditions with one radiation detection apparatus can be provided.

第1の実施形態を説明するための断面および表面概念図である。It is the cross section and surface conceptual diagram for demonstrating 1st Embodiment. 第1の実施形態のセンサおよびシンチレータの形態を説明するための断面概念図である。It is a section conceptual diagram for explaining the form of the sensor and scintillator of a 1st embodiment. 第2の実施形態を説明するための断面概念図である。It is a cross-sectional conceptual diagram for demonstrating 2nd Embodiment. 第3の実施形態を説明するための断面概念図である。It is a section conceptual diagram for explaining a 3rd embodiment. 第4の実施形態を説明するための断面概念図である。It is a section conceptual diagram for explaining a 4th embodiment. 第4の実施形態の反射層部を説明するための断面概念図である。It is a cross-sectional conceptual diagram for demonstrating the reflective layer part of 4th Embodiment. 放射線検出装置を用いた放射線検出システムへの応用例の説明図である。It is explanatory drawing of the example of application to the radiation detection system using a radiation detection apparatus.

以下、本発明の放射線検出装置の各実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の各実施形態にかかる放射線検出装置は、シンチレータ部と、センサ部としてのセンサ基板とが組み合わされた装置である。シンチレータ部は、患者や被検者の撮影対象部位を透過した放射線を可視光に変換する。センサ部の例であるセンサ基板には、センサの例である光電変換素子とスイッチング素子とがマトリクス状に配列されてセンサアレイ(光電変換素子アレイ)が形成され、シンチレータ部によって放射線から変換された可視光を検出する。なお、本発明においては、放射線には、X線のみならず、α線、β線、γ線等の電磁波も含まれるものとする。また、各図において、矢印Xは放射線の入射方向を示す。   Hereinafter, embodiments of the radiation detection apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The radiation detection apparatus according to each embodiment of the present invention is an apparatus in which a scintillator unit and a sensor substrate as a sensor unit are combined. The scintillator unit converts the radiation that has passed through the imaging target region of the patient or the subject into visible light. On the sensor substrate which is an example of the sensor unit, photoelectric conversion elements and switching elements which are examples of the sensor are arranged in a matrix to form a sensor array (photoelectric conversion element array), which is converted from radiation by the scintillator unit. Detect visible light. In the present invention, radiation includes not only X-rays but also electromagnetic waves such as α rays, β rays, and γ rays. Moreover, in each figure, the arrow X shows the incident direction of a radiation.

<放射線検出装置について>
<第1の実施形態>
図1(a)(b)は、第1の実施形態にかかる放射線検出装置1の概略構成を示す模式図である。図1(a)は、放射線の入射方向の側方から見た図であり、図1(b)は、入射線の照射方向から見た図である。第1の実施形態は、1つの基台112に、複数のシンチレータ部101とセンサ基板103が配置される形態である。すなわち、フィルム状の基台112の表面に、センサ部の例であるセンサ基板103が配置され、さらにシンチレータ部101が、センサ基板103に重ねて一体に設けられる領域114が形成される。そして、1つのフィルム状の基台112には、センサ基板103とシンチレータ部101とが重ねて一体に形成される領域114が、複数配置される。なお、それぞれの領域114には、さらにシンチレータ部101を保護するシンチレータ保護層102が形成されてもよい。
<About radiation detector>
<First Embodiment>
FIG. 1A and FIG. 1B are schematic views showing a schematic configuration of a radiation detection apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 1A is a view seen from the side of the incident direction of radiation, and FIG. 1B is a view seen from the irradiation direction of the incident line. In the first embodiment, a plurality of scintillator units 101 and a sensor substrate 103 are arranged on one base 112. That is, the sensor substrate 103 as an example of the sensor unit is disposed on the surface of the film-like base 112, and further, a region 114 in which the scintillator unit 101 is provided integrally with the sensor substrate 103 is formed. A plurality of regions 114 in which the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 are integrally formed are overlapped on one film-like base 112. In each region 114, a scintillator protective layer 102 that further protects the scintillator unit 101 may be formed.

基台112には、センサ基板103とシンチレータ部101が重ねて一体に形成される領域114が複数配置される。このような構成の基台112は、後述する収納部108の内部に、湾曲した状態(ロールに巻かれた状態)で収納される。そして、使用時においては、基台112が収納部108から引き出されて移動し、複数のうちの所定の領域114が選択されて、放射線照射領域110に位置決めされる。放射線照射領域110は、撮影時において、患者または被検者の撮影対象部位を透過した放射線が入射する領域である。   A plurality of regions 114 in which the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 are integrally formed are stacked on the base 112. The base 112 having such a configuration is accommodated in a curved state (a state wound around a roll) inside a storage unit 108 to be described later. In use, the base 112 is pulled out of the storage unit 108 and moved, and a predetermined region 114 out of a plurality of the bases 112 is selected and positioned in the radiation irradiation region 110. The radiation irradiation region 110 is a region where radiation transmitted through a region to be imaged by a patient or a subject is incident during imaging.

シンチレータ部101は、照射された放射線を、センサ基板103によって検出可能な波長の光に変換する。シンチレータ部101には、たとえばタリウム(Tl)が微量添加されたヨウ化セシウム(CsI:Tl)ならなる針状結晶シンチレータが好適に用いられる。さらにシンチレータ部101は、収納状態または移動時において破損を抑制できる構成を有していてもよい。たとえば、シンチレータ部101は、センサ基板103上に設置された光電変換素子113(後述。図2参照)の画素単位で区画されて切断されていてもよい。具体的には、シンチレータ部101は、光電変換素子113と同様に、マトリクス状に区画されていてもよい。この場合には、基台112が収納部108に収納されている状態(ロールに巻かれた状態)においては、シンチレータ部101がセンサ基板103に対して外側に位置するように湾曲する構成が適用される。シンチレータ部101がマトリクス状に区画された構成であると、収納状態においてより容易に湾曲でき、かつ湾曲した状態での破損を防止または抑制できる。   The scintillator unit 101 converts the irradiated radiation into light having a wavelength that can be detected by the sensor substrate 103. For the scintillator unit 101, for example, a needle crystal scintillator made of cesium iodide (CsI: Tl) to which a small amount of thallium (Tl) is added is preferably used. Furthermore, the scintillator unit 101 may have a configuration capable of suppressing damage in the housed state or during movement. For example, the scintillator unit 101 may be partitioned and cut in units of pixels of a photoelectric conversion element 113 (described later, see FIG. 2) installed on the sensor substrate 103. Specifically, the scintillator unit 101 may be partitioned in a matrix like the photoelectric conversion element 113. In this case, in a state in which the base 112 is stored in the storage unit 108 (a state wound on a roll), a configuration in which the scintillator unit 101 is curved so as to be positioned outside the sensor substrate 103 is applied. Is done. When the scintillator portion 101 has a configuration partitioned in a matrix, it can be bent more easily in the housed state, and damage in the bent state can be prevented or suppressed.

シンチレータ部101に外部環境の影響によって劣化する材料が含まれる場合には、シンチレータ部101を覆うように、シンチレータ保護層102が設けられることが好ましい。外部環境の影響により劣化する材料としては、たとえば、ヨウ化セシウム等の潮解性材料などが挙げられる。なお、シンチレータ保護層102は、収納状態や移動時の湾曲に耐えうる材料と構造であればよく、具体的な材料や構造は限定されない。シンチレータ保護層102に使用可能な材料としては、たとえば、アルミニウム箔、マグネシウム箔、銅箔等の金属フィルム等が適用できる。このほか、水蒸気透過性が低い高分子フィルムが適用できる。水蒸気透過性が低い高分子フィルムとしては、たとえば、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)、ポリパラキシリレン(パリレン)等の塩素系樹脂や、ポリフッ化ビニル(PVF)、三フッ化塩化エチレン(PCTFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、フッ化エチレンポリマー(FEP)、パーフルオロアルコシキル(PFA)等のフッ素系樹脂、ポリ尿素等の樹脂のフィルムが好適である。なお、これらのフィルムの水蒸気透過率は、10g/(m2・day)以下であることが好ましく、5g/(m2・day)以下であることがより好ましい。また、シンチレータ保護層102は、防湿性能を維持できる厚さを有する。このためたとえば、シンチレータ保護層102の厚さは12μm以上であることが好ましく、25μm以上であることがより好ましい。なお、シンチレータ保護層102は、ベースフィルムに防湿性の高いフィルムが貼り合わせられる構成であってもよい。たとえば、シンチレータ保護層102は、ベースフィルムとしてのPETフィルムに、防湿性の高いフィルムであるAl箔等の金属箔が接合された構成であってもよい。 When the scintillator unit 101 includes a material that deteriorates due to the influence of the external environment, the scintillator protective layer 102 is preferably provided so as to cover the scintillator unit 101. Examples of materials that deteriorate due to the influence of the external environment include deliquescent materials such as cesium iodide. Note that the scintillator protective layer 102 may be any material and structure that can withstand bending during movement and movement, and the specific material and structure are not limited. As a material that can be used for the scintillator protective layer 102, for example, a metal film such as an aluminum foil, a magnesium foil, or a copper foil can be applied. In addition, a polymer film having low water vapor permeability can be applied. Examples of the polymer film having low water vapor permeability include chlorinated resins such as polyvinyl chloride (PVC), polyvinylidene chloride (PVDC), and polyparaxylylene (parylene), polyvinyl fluoride (PVF), Films of fluororesins such as chloroethylene chloride (PCTFE), polyvinylidene fluoride (PVDF), fluorinated ethylene polymer (FEP), and perfluoroalkoxyl (PFA), and resins such as polyurea are suitable. Incidentally, the water vapor permeability of these films, it is more preferable is preferably at most 10g / (m 2 · day) , at 5g / (m 2 · day) or less. The scintillator protective layer 102 has a thickness that can maintain moisture-proof performance. Therefore, for example, the thickness of the scintillator protective layer 102 is preferably 12 μm or more, and more preferably 25 μm or more. Note that the scintillator protective layer 102 may have a structure in which a highly moisture-proof film is bonded to the base film. For example, the scintillator protective layer 102 may have a configuration in which a metal foil such as an Al foil that is a highly moisture-proof film is bonded to a PET film as a base film.

センサ部の例であるセンサ基板103は、巻き取り可能な可撓性を有する基板が適用される。そしてこのセンサ基板103には、センサの例である複数の光電変換素子113(図2(a)参照)やスイッチング素子(図略)がマトリクス状に配列される。さらにセンサ基板103には、これらの光電変換素子113やスイッチング素子を保護する保護層(図略)が形成される。可撓性を有する基板には、例えば、PET(polyethylene terephthalate)基板等といった、プラスチック基板が好適に用いられる。また十分な可撓性が得られるのであれば、薄層化したガラス基板が用いられる構成であってもよい。この場合には、ガラス基板の破損防止の目的で、光電変換素子113が形成される面とは反対側に、補強フィルムが設けられることが好ましい。光電変換素子113は、シンチレータ部101によって放射線(患者情報を有するX線等)から変換された可視光を検知する。各々の光電変換素子113には、スイッチング素子と配線(図略)が接続される。そして、センサ基板103は、光電変換素子113で可視光から変換された電気信号を、収納部108に設けられる信号処理回路基板(図略)へ送信する。光電変換素子113やスイッチング素子には、湾曲に耐えられるものが適用される。たとえば、アモルファスシリコン(a−Si)半導体、非晶質酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等が好適に用いられる。非晶質酸化物半導体としては、たとえばIn−Ga−Zn−O系の非晶質酸化物半導体が適用できる。有機半導体としては、たとえば、フタロシアニン化合物、ペンタセン化合物、ポリチオフェン化合物等が適用できる。また、光電変換素子113やスイッチング素子は、シンチレータ部101の形成工程により変質や破壊されないような材料が適用される。   As the sensor substrate 103 as an example of the sensor unit, a flexible substrate that can be wound is applied. On the sensor substrate 103, a plurality of photoelectric conversion elements 113 (see FIG. 2A), which are examples of sensors, and switching elements (not shown) are arranged in a matrix. Further, a protective layer (not shown) for protecting the photoelectric conversion elements 113 and the switching elements is formed on the sensor substrate 103. For the flexible substrate, for example, a plastic substrate such as a PET (polyethylene terephthalate) substrate is preferably used. Moreover, as long as sufficient flexibility is obtained, a configuration in which a thin glass substrate is used may be used. In this case, for the purpose of preventing damage to the glass substrate, it is preferable that a reinforcing film is provided on the side opposite to the surface on which the photoelectric conversion element 113 is formed. The photoelectric conversion element 113 detects visible light converted from radiation (such as X-ray having patient information) by the scintillator unit 101. Each photoelectric conversion element 113 is connected to a switching element and wiring (not shown). Then, the sensor substrate 103 transmits an electrical signal converted from visible light by the photoelectric conversion element 113 to a signal processing circuit substrate (not shown) provided in the storage unit 108. As the photoelectric conversion element 113 and the switching element, those that can withstand bending are applied. For example, an amorphous silicon (a-Si) semiconductor, an amorphous oxide semiconductor, an organic semiconductor, a carbon nanotube, or the like is preferably used. As the amorphous oxide semiconductor, for example, an In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide semiconductor can be used. As the organic semiconductor, for example, a phthalocyanine compound, a pentacene compound, a polythiophene compound, or the like can be applied. For the photoelectric conversion element 113 and the switching element, a material that is not altered or destroyed by the formation process of the scintillator portion 101 is applied.

センサ基板103には、光電変換素子113等を保護する保護層(図略)が設けられていてもよい。特に、シンチレータ部101の材料により腐食等の劣化が発生する場合には、保護層が形成されることが好ましい。保護層には、例えば、SiO2、Al23等の無機保護層や、ポリイミド等の有機保護層が適用できる。ただし、保護層の材料は特に限定されるものではなく、収納状態の湾曲により劣化や破壊されないのであればよい。 The sensor substrate 103 may be provided with a protective layer (not shown) that protects the photoelectric conversion element 113 and the like. In particular, when deterioration such as corrosion occurs due to the material of the scintillator portion 101, it is preferable to form a protective layer. As the protective layer, for example, an inorganic protective layer such as SiO 2 or Al 2 O 3 or an organic protective layer such as polyimide can be applied. However, the material of the protective layer is not particularly limited as long as it is not deteriorated or destroyed by the curved state of the storage state.

本実施形態においては、1つの基台112に複数のセンサ基板103が設けられ、それぞれのセンサ基板103に一体に重ねてシンチレータ部101が設けられる。さらに、それぞれのシンチレータ部101を覆うように、シンチレータ保護層102が形成される。すなわち、センサ基板103とシンチレータ部101とシンチレータ保護層102とが重ねて一体に形成される領域114が、1つの基台112に複数配置される。そして、それぞれの領域114が、互いに異なる特性を有する。   In the present embodiment, a plurality of sensor substrates 103 are provided on one base 112, and the scintillator unit 101 is provided so as to be superimposed on each sensor substrate 103. Further, a scintillator protective layer 102 is formed so as to cover each scintillator portion 101. That is, a plurality of regions 114 in which the sensor substrate 103, the scintillator unit 101, and the scintillator protection layer 102 are integrally formed are overlapped on one base 112. And each area | region 114 has a mutually different characteristic.

図2は、基台112に配置される領域114の構成を模式的に示す図である。図2(a)に示すように、1つの基台112に領域Aと領域Bの2つの領域114が形成される構成の例について説明する。領域Aと領域Bのシンチレータ部101は、膜厚、解像度、感度特性などといった特性が同一である。これに対し、センサ基板103にマトリクス状に配列される光電変換素子113は、領域Aと領域Bとで配列のピッチが異なる。たとえば、領域Aにおける配列のピッチP1は50μmに設定され、領域Bにおける配列のピッチP2は150μmに設定される。このように、センサ基板103の特性が、領域114ごとに異なる。このような構成であれば、高精細な画像が要求される場合には領域Aを使用して撮影を行い、通常時は領域Bを使用して撮影を行う、といった使用方法を、1台の放射線検出装置1で行うことが可能となる。したがって、1台の放射線検出装置1で、多様な撮影条件に対応できる。   FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the region 114 arranged on the base 112. As shown in FIG. 2A, an example of a configuration in which two regions 114 of region A and region B are formed on one base 112 will be described. The scintillator portions 101 in the region A and the region B have the same characteristics such as film thickness, resolution, and sensitivity characteristics. In contrast, the photoelectric conversion elements 113 arranged in a matrix on the sensor substrate 103 have different arrangement pitches in the area A and the area B. For example, the array pitch P1 in the region A is set to 50 μm, and the array pitch P2 in the region B is set to 150 μm. Thus, the characteristics of the sensor substrate 103 are different for each region 114. In such a configuration, when a high-definition image is required, shooting is performed using the area A, and shooting is normally performed using the area B. This can be performed by the radiation detection apparatus 1. Therefore, one radiation detection apparatus 1 can cope with various imaging conditions.

図2(b)に示すように、1つの基台112に領域Cと領域Dの2つの領域が設けられる構成の例について説明する。センサ基板103の光電変換素子113の配列のピッチは、領域Cと領域Dとで同じである。これに対し、シンチレータ部101の膜厚は、領域Cと領域Dとで異なる。たとえば、領域Cのシンチレータ部101の膜厚T1は500μmに設定され、領域Dのシンチレータ部101の膜厚T2は1000μmに設定される。このように、1つの基台112に、複数のセンサ基板103が配置されるとともに、それぞれのセンサ基板103には、膜厚T1,T2が互いに異なるシンチレータ部101が重ねて一体に形成される。このような構成であると、たとえば、通常の撮影には、領域Cを使用し、高い管電圧での撮影が必要な場合には領域Dを使用する、といった使用方法を、1台の放射線検出装置1で行うことができる。したがって、1台の放射線検出装置1で多様な撮影条件に対応できる。   An example of a configuration in which two regions of region C and region D are provided on one base 112 as shown in FIG. The pitch of the arrangement of the photoelectric conversion elements 113 on the sensor substrate 103 is the same in the region C and the region D. On the other hand, the film thickness of the scintillator unit 101 differs between the region C and the region D. For example, the film thickness T1 of the scintillator portion 101 in the region C is set to 500 μm, and the film thickness T2 of the scintillator portion 101 in the region D is set to 1000 μm. As described above, a plurality of sensor substrates 103 are arranged on one base 112, and the scintillator portions 101 having different film thicknesses T1 and T2 are integrally formed on each sensor substrate 103 so as to overlap each other. With such a configuration, for example, the region C is used for normal imaging, and the region D is used when imaging with a high tube voltage is required. This can be done with the device 1. Therefore, one radiation detection apparatus 1 can cope with various imaging conditions.

なお、前記説明では、マトリクス状に配列される光電変換素子113の配列のピッチと、シンチレータ部101の膜厚とが個別に設定される構成を示したが、これらが組み合わせて設定されてもよい。また、前記説明では、1つの基台112に2つの特性が異なる領域114が配置される構成を示したが、配置される領域114の数、すなわち特性の種類は2つに限定されるものではない。   In the above description, the configuration in which the pitch of the photoelectric conversion elements 113 arranged in a matrix and the film thickness of the scintillator unit 101 are individually set has been described, but these may be set in combination. . In the above description, the configuration in which two regions 114 having different characteristics are arranged on one base 112 is shown. However, the number of regions 114 to be arranged, that is, the types of characteristics is not limited to two. Absent.

次に、放射線検出装置1のその他の部分の構成について、図1を参照して説明する。放射線検出装置1は筺体109を有し、この筺体109の内部に、基台112と後述する各部や各機構が配置される。   Next, the structure of the other part of the radiation detection apparatus 1 is demonstrated with reference to FIG. The radiation detection apparatus 1 includes a housing 109, and a base 112 and each part and each mechanism described later are disposed inside the housing 109.

収納部108には、基台112が湾曲した状態(ロールに巻かれた状態)で収納される。すなわち、収納部108には、基台112が巻かれたロールが回転可能に収納される。収納部108は、基台112が巻かれたロールを回転可能に収納できる構成であればよく、具体的な構成は限定されない。たとえば、収納部108は、筒状または箱状の容器が適用できる。また、収納部108には、センサ基板103を動作させるための信号処理回路基板(図略)が設けられる。信号処理回路基板には、駆動回路部、画像信号処理回路部、データ転送回路部などが設けられる。駆動回路部は、センサ基板103を駆動する。画像信号処理回路部は、センサ基板103が生成した画像信号(電気信号)を読み出して増幅するなど、画像信号に対して所定の画像処理を行う。データ転送回路部は、画像信号を外部装置へ出力する。外部装置とは、たとえば、画像像処理装置やデータ保管装置などである。なお、駆動回路部、画像信号処理回路部、データ転送回路部の一部または全部が、基台112に設けられる構成であってもよい。   The storage unit 108 stores the base 112 in a curved state (a state wound around a roll). That is, a roll around which the base 112 is wound is rotatably stored in the storage unit 108. The storage unit 108 may be configured to be able to rotatably store the roll around which the base 112 is wound, and the specific configuration is not limited. For example, the storage unit 108 can be a cylindrical or box-shaped container. The storage unit 108 is provided with a signal processing circuit board (not shown) for operating the sensor board 103. The signal processing circuit board is provided with a drive circuit unit, an image signal processing circuit unit, a data transfer circuit unit, and the like. The drive circuit unit drives the sensor substrate 103. The image signal processing circuit unit performs predetermined image processing on the image signal such as reading and amplifying the image signal (electric signal) generated by the sensor substrate 103. The data transfer circuit unit outputs the image signal to an external device. The external device is, for example, an image image processing device or a data storage device. Note that a part or all of the drive circuit unit, the image signal processing circuit unit, and the data transfer circuit unit may be provided on the base 112.

収納部108には、取出部106が設けられる。取出部106は、領域114が複数配置された基台112が、収納部108の内部と外部との間で移動する際に通過する部分である。取出部106には、領域114が配置された基台112の移動方向を変更するためのガイド等が設置されてもよい。図1に示す例では、取出部106において基台112の進行方向を約60°変えている。このような機構は、放射線検出装置1の小型化に寄与する。また、取出部106には、静電気を除去する除電機構が設けられてもよい。この除電機構の設置により、基台112が取出部106に接触する部分で生じる摩擦静電気を除去することができる。したがって、より安定した状態での撮影(画像信号の取得)が可能となる。なお、除電機構は、公知の構成が適用できる。要は、基台112のシンチレータ部101とセンサ基板103にたまった静電気を除去できる構成であればよい。さらに、取出部106には、前記の除電機構と併せて、除塵機構が設置されてもよい。このような機構によれば、基台112の領域114に付着した塵埃を除去できる。このため、放射線検出装置1の耐久性および信頼性を向上させることができる。なお、除塵機構は、基台112の領域114に付着した塵埃を除去できる構成であればよく、構成は限定されない。除塵機構には、公知の各種除塵機構が適用できる。   The storage unit 108 is provided with an extraction unit 106. The take-out part 106 is a part through which the base 112 on which a plurality of regions 114 are arranged moves between the inside and the outside of the storage part 108. The take-out unit 106 may be provided with a guide or the like for changing the moving direction of the base 112 on which the region 114 is arranged. In the example shown in FIG. 1, the traveling direction of the base 112 is changed by about 60 ° in the take-out portion 106. Such a mechanism contributes to miniaturization of the radiation detection apparatus 1. The take-out unit 106 may be provided with a static elimination mechanism that removes static electricity. By installing this static elimination mechanism, it is possible to remove frictional static electricity generated at the portion where the base 112 contacts the extraction portion 106. Therefore, shooting in a more stable state (acquisition of an image signal) is possible. A known configuration can be applied to the static elimination mechanism. In short, any configuration that can remove static electricity accumulated on the scintillator unit 101 and the sensor substrate 103 of the base 112 may be used. Furthermore, a dust removal mechanism may be installed in the extraction unit 106 in addition to the above-described charge removal mechanism. According to such a mechanism, dust attached to the region 114 of the base 112 can be removed. For this reason, durability and reliability of the radiation detection apparatus 1 can be improved. The dust removal mechanism may be configured to remove dust attached to the region 114 of the base 112, and the configuration is not limited. Various known dust removal mechanisms can be applied to the dust removal mechanism.

駆動機構の例である駆動/巻取部107は、基台112が巻かれたロールを回転駆動する。これにより、基台112に配置された複数の領域114うちの所定のものを放射線照射領域110へ移動させる。駆動/巻取部107は、基台112が巻かれたロールを回転駆動する駆動用のモータ(図略)を有する。本実施形態においては、駆動用のモータとして、たとえば、サーボモーターやステッピングモーター等といった比較的精密に位置決めを行うことが可能なモータが適用されることが好ましい。さらに収納部108には、駆動/巻取部107の駆動用のモータを駆動するモータ駆動回路部が設けられる。領域114の位置を検出する位置決めセンサ105(後述)を有する場合には、モータ駆動回路部は、位置決めセンサ105から位置情報のフィードバックを得て領域114の位置決定をするフィードバック制御を行う。   A driving / winding unit 107, which is an example of a driving mechanism, rotationally drives a roll around which the base 112 is wound. As a result, a predetermined one of the plurality of regions 114 arranged on the base 112 is moved to the radiation irradiation region 110. The driving / winding unit 107 has a driving motor (not shown) that rotationally drives a roll around which the base 112 is wound. In the present embodiment, it is preferable that a motor capable of relatively precise positioning, such as a servo motor or a stepping motor, is applied as the driving motor. Further, the storage unit 108 is provided with a motor drive circuit unit that drives a motor for driving the drive / winding unit 107. When a positioning sensor 105 (described later) for detecting the position of the area 114 is provided, the motor drive circuit unit performs feedback control for obtaining position information feedback from the positioning sensor 105 and determining the position of the area 114.

放射線検出装置1には、領域114を固定する固定機構として、押し当て機構104と、この押し当て機構104を駆動制御する押し当て機構駆動部(図略)が設けられる構成であることが好ましい。押し当て機構104は、基台112に配置される複数の領域114のうちの撮影に使用する1つを放射線照射領域110に移動させた後において、放射線照射領域110に領域114を固定する。押し当て機構104は、少なくとも領域114のシンチレータ保護層102に当接する側は平面に形成される。そして、押し当て機構駆動部は、押し当て機構104を領域114のシンチレータ保護層102に押し当てることによって、シンチレータ部101とセンサ基板103とが形成される領域114を、放射線照射領域110に固定する。したがって、シンチレータ部101とセンサ基板103が安定した状態での撮影が可能となる。図1に例示する押し当て機構104は、筺体109に着脱可能でかつ移動可能な機構である。押し当て機構駆動部は、押し当て機構104を往復動させることができる。たとえば、押し当て機構駆動部は、押し当て機構104を駆動する駆動力源(モータやアクチュエータなど)と、この駆動力源を制御する制御回路が実装された回路基板(制御回路部)などを有する。そして、押し当て機構駆動部は、使用する領域114を移動や変更する際には、押し当て機構104を、領域114のシンチレータ保護層102から離間させる。移動が完了して撮影を行う際には、押し当て機構駆動部は、押し当て機構104を、使用する領域114のシンチレータ保護層102に押し当てる。なお、センサ基板103とシンチレータ部101からなる領域114の固定が十分に行えるのであれば、押し当て機構104を用いない構成であってもよい。例えば駆動/巻取部107の駆動力によって基台112を引張り、張力をかけた状態を維持することによって移動しないように固定する構成であってもよい。   The radiation detection apparatus 1 preferably has a configuration in which a pressing mechanism 104 and a pressing mechanism driving unit (not shown) for driving and controlling the pressing mechanism 104 are provided as a fixing mechanism for fixing the region 114. The pressing mechanism 104 fixes the region 114 to the radiation irradiation region 110 after moving one of the plurality of regions 114 arranged on the base 112 used for imaging to the radiation irradiation region 110. In the pressing mechanism 104, at least the side of the region 114 that comes into contact with the scintillator protective layer 102 is formed into a flat surface. The pressing mechanism driving unit fixes the region 114 where the scintillator unit 101 and the sensor substrate 103 are formed to the radiation irradiation region 110 by pressing the pressing mechanism 104 against the scintillator protective layer 102 in the region 114. . Therefore, it is possible to perform imaging in a state where the scintillator unit 101 and the sensor substrate 103 are stable. The pressing mechanism 104 illustrated in FIG. 1 is a mechanism that can be attached to and detached from the housing 109 and is movable. The pressing mechanism driving unit can reciprocate the pressing mechanism 104. For example, the pressing mechanism driving unit includes a driving force source (such as a motor or an actuator) that drives the pressing mechanism 104 and a circuit board (control circuit unit) on which a control circuit that controls the driving force source is mounted. . The pressing mechanism drive unit moves the pressing mechanism 104 away from the scintillator protection layer 102 in the region 114 when moving or changing the region 114 to be used. When shooting is performed after the movement is completed, the pressing mechanism driving unit presses the pressing mechanism 104 against the scintillator protection layer 102 in the region 114 to be used. Note that the pressing mechanism 104 may not be used as long as the region 114 including the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 can be sufficiently fixed. For example, the base 112 may be pulled by the driving force of the driving / winding unit 107 and may be fixed so as not to move by maintaining the tensioned state.

また、放射線検出装置1は、撮影に使用する領域114を精度よく放射線照射領域110に移動させるための位置決め機構を有していてもよい。位置決め機構として、基台112に設けられるマーカー111を検出できる位置決めセンサ105が適用できる。具体的には、位置決めセンサ105は、押し当て機構104の外周であって、放射線照射領域110の外側の複数の箇所に設けられる。マーカー111は、使用する領域114が放射線照射領域110に位置した場合に、位置決めセンサ105により検出される位置に設けられる。このような構成によれば、撮影に使用する領域114を、放射線照射領域110に正確に位置決めすることができる。位置決めセンサ105は、例えば光検出方式、レーザー検出方式(透過型、反射型)、磁気方式(例えばホール素子等)、赤外線検出方式、等の非接触型センサを用いることができる。マーカー111は、位置決めセンサ105で検出可能な構成であればよい。なお、基台112に位置決めセンサ105が設けられ、押し当て機構104にマーカー111が設けられる構成であってもよい。また、センサ基板103の駆動/巻取部107が基台112の送り量を精密に制御することで、使用する領域114の位置決めを行うこともできる。この場合には、前述の位置決めセンサ105(位置決め機構)などは特に必要ない。   Moreover, the radiation detection apparatus 1 may have a positioning mechanism for moving the region 114 used for imaging to the radiation irradiation region 110 with high accuracy. As the positioning mechanism, a positioning sensor 105 that can detect the marker 111 provided on the base 112 is applicable. Specifically, the positioning sensors 105 are provided at a plurality of locations on the outer periphery of the pressing mechanism 104 and outside the radiation irradiation region 110. The marker 111 is provided at a position detected by the positioning sensor 105 when the area 114 to be used is located in the radiation irradiation area 110. According to such a configuration, the region 114 used for imaging can be accurately positioned in the radiation irradiation region 110. As the positioning sensor 105, for example, a non-contact type sensor such as a light detection method, a laser detection method (transmission type, reflection type), a magnetic method (eg, a Hall element), an infrared detection method, or the like can be used. The marker 111 may have any configuration that can be detected by the positioning sensor 105. Note that the positioning sensor 105 may be provided on the base 112 and the marker 111 may be provided on the pressing mechanism 104. In addition, the driving / winding unit 107 of the sensor substrate 103 can precisely control the feed amount of the base 112, thereby positioning the region 114 to be used. In this case, the positioning sensor 105 (positioning mechanism) described above is not particularly necessary.

このほか、放射線検出装置1には、使用者(検者)が放射線検出装置1を操作するための操作部が設けられる。操作部には、放射線検出装置1の操作や設定を行うための操作部材(たとえば、スイッチや操作パネルなど)が設けられる。使用者(検者)は、操作部の操作部材を操作することによって、撮影に使用する領域114を選択する。使用者による領域114の選択の操作を操作部が検出すると、まず、押し当て機構駆動部は、押し当て機構104を、現時点で放射線照射領域110に位置している領域114のシンチレータ保護層102から離す。そして、モータ駆動回路部は、駆動/巻取部107の駆動用のモータを駆動して、選択された領域114を放射線照射領域110に移動させる。この際、位置決めセンサ105が設けられる構成であれば、モータ駆動回路部は、駆動/巻取部107を、位置決めセンサ105の検出結果を用いてフィードバック制御する。選択された領域114が放射線照射領域110に位置決めされると、押し当て機構駆動部(図略)は、押し当て機構104を移動させて、位置決めされた領域114のシンチレータ保護層102に押し当てる。なお、操作部において使用者が撮影に使用する領域114を直接的に選択し、モータ駆動回路部は、選択された領域114を、放射線照射領域110に移動させる構成であってもよい。また、操作部において、使用者が撮影条件を入力する操作を行い、モータ駆動回路部は、入力された撮影条件に適した領域114を選択し、放射線照射領域110に移動させる構成であってもよい。   In addition, the radiation detection apparatus 1 is provided with an operation unit for a user (examiner) to operate the radiation detection apparatus 1. The operation unit is provided with operation members (for example, a switch and an operation panel) for operating and setting the radiation detection apparatus 1. The user (examiner) selects the region 114 to be used for imaging by operating the operation member of the operation unit. When the operation unit detects an operation of selecting the region 114 by the user, first, the pressing mechanism driving unit moves the pressing mechanism 104 from the scintillator protective layer 102 in the region 114 currently located in the radiation irradiation region 110. Release. Then, the motor driving circuit unit drives the driving motor of the driving / winding unit 107 to move the selected region 114 to the radiation irradiation region 110. At this time, if the positioning sensor 105 is provided, the motor driving circuit unit feedback-controls the driving / winding unit 107 using the detection result of the positioning sensor 105. When the selected area 114 is positioned in the radiation irradiation area 110, the pressing mechanism driving unit (not shown) moves the pressing mechanism 104 and presses it against the scintillator protective layer 102 in the positioned area 114. Note that the user may directly select the region 114 used for imaging in the operation unit, and the motor driving circuit unit may move the selected region 114 to the radiation irradiation region 110. In addition, even if the user performs an operation of inputting imaging conditions in the operation unit, the motor drive circuit unit selects the area 114 suitable for the input imaging conditions and moves it to the radiation irradiation area 110. Good.

なお、本実施形態にかかる放射線検出装置1は、CPUとROMとRAMとインターフェースを備えるコンピュータを有していてもよい。この場合には、放射線検出装置1を制御するためのコンピュータプログラムが、あらかじめROMに格納されている。そして、CPUは、ROMに格納されるこのコンピュータプログラムを読出し、RAMに展開して実行する。これによりコンピュータが放射線検出装置1の各部として機能し、前記の動作が実現される。   In addition, the radiation detection apparatus 1 concerning this embodiment may have a computer provided with CPU, ROM, RAM, and an interface. In this case, a computer program for controlling the radiation detection apparatus 1 is stored in the ROM in advance. Then, the CPU reads out the computer program stored in the ROM, expands it in the RAM, and executes it. Thus, the computer functions as each part of the radiation detection apparatus 1 and the above-described operation is realized.

以上のように、モータ駆動回路部と信号処理回路基板とが、駆動/巻取部107を制御、駆動し、設定した撮影条件に対して適切な特性を有する領域114を選択して放射線照射領域110へ移動させる。   As described above, the motor drive circuit unit and the signal processing circuit board control and drive the drive / winding unit 107, select the region 114 having appropriate characteristics for the set imaging conditions, and select the radiation irradiation region. Move to 110.

このほか、収納部108には、ヒーター等といった、シンチレータ部101を加熱する加熱機構が設けられてもよい。加熱機構は、シンチレータ部101が複数回の放射線照射により劣化した場合に、回復処理を行う。なお加熱機構は、シンチレータ部101を加熱できる構成であればよく、構成は限定されるものではない。加熱機構には、公知の各種ヒーターが適用できる。   In addition, the storage unit 108 may be provided with a heating mechanism for heating the scintillator unit 101 such as a heater. The heating mechanism performs a recovery process when the scintillator unit 101 has deteriorated due to multiple irradiations of radiation. The heating mechanism may be any configuration that can heat the scintillator unit 101, and the configuration is not limited. Various known heaters can be applied to the heating mechanism.

<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態と共通の構成については同じ符号を付し、説明を省略する。図3(a)(b)は、第2の実施形態にかかる放射線検出装置1の概略構成を断面模式図である。なお、図3(a)は基台112の移動時の状態を示し、図3(b)は撮影時の状態を示す。第2の実施形態は、センサ基板203とシンチレータ部101とが別体に形成される形態である。基台112には、シンチレータ部101とこのシンチレータ部101を保護するシンチレータ保護層102が形成された領域214が、複数配置される。また、1つのセンサ基板203が、放射線検出装置1の筺体109に設けられる。第2の実施形態では、撮影時において、センサ基板203と基台112の領域214のシンチレータ保護層102とを接触させる。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same structure as 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted. 3A and 3B are schematic cross-sectional views of the schematic configuration of the radiation detection apparatus 1 according to the second embodiment. 3A shows a state when the base 112 is moved, and FIG. 3B shows a state when photographing. In the second embodiment, the sensor substrate 203 and the scintillator unit 101 are formed separately. A plurality of regions 214 in which the scintillator unit 101 and the scintillator protective layer 102 that protects the scintillator unit 101 are formed are arranged on the base 112. One sensor substrate 203 is provided on the housing 109 of the radiation detection apparatus 1. In the second embodiment, the sensor substrate 203 and the scintillator protection layer 102 in the region 214 of the base 112 are brought into contact with each other during photographing.

センサ基板203は、第1の実施形態と異なり、基台112と別体に形成される。そしてセンサ基板203は、筺体109の内部に設置される。第2の実施形態のセンサ基板203は、第1の実施形態のように可撓性を有する構成であってもよく、可撓性を有さない構成であってもよい。たとえば、センサ基板203が、ガラス板により形成される構成であってもよい。センサ基板203が可撓性を有さない構成である場合には、センサ基板203には、第1の実施形態と共通の材料のほか、多結晶シリコンや結晶シリコン等の半導体材料も使用することができる。   Unlike the first embodiment, the sensor substrate 203 is formed separately from the base 112. The sensor substrate 203 is installed inside the housing 109. The sensor substrate 203 of the second embodiment may have a configuration having flexibility as in the first embodiment, or may have a configuration without flexibility. For example, the sensor substrate 203 may be configured by a glass plate. In the case where the sensor substrate 203 has a configuration that does not have flexibility, in addition to the same material as that of the first embodiment, a semiconductor material such as polycrystalline silicon or crystalline silicon is used for the sensor substrate 203. Can do.

センサ基板203は、押し当て支持基台213等の部材によって筺体109の内部に支持される。押し当て支持基台213は、センサ基板203を固定するための基台である。照射放射線がセンサ基板203の側から放射線照射領域110に入射する場合には、押し当て支持基台213は、放射線透過性の材料により形成されることが好ましい。放射線透過性の高い材料としては、一般的なプラスチック材料(例えばPMMA等のアクリル樹脂、PET樹脂、テフロン(登録商標)、ABS樹脂等)、アモルファスカーボン、CFRP等が好適である。そして撮影時には、図3(b)に示すように、押し当て機構104と押し当て支持基台213とが、センサ基板203と、基台112に配置された領域214のシンチレータ部101およびシンチレータ保護層102とを挟み込む。そして、押し当て機構104は、領域214のシンチレータ部101とシンチレータ保護層102を傷つけないように圧力を印加する。なお、放射線検出装置1は、押し当て機構104と押し当て支持基台213を駆動する押し当て機構駆動部(図略)を有する。押し当て機構駆動部は、押し当て機構104と押し当て支持基台213の駆動源(たとえばモータやアクチュエータ)と、この駆動源を制御する制御部(たとえば、制御回路が構築された回路基板)とを有する。なお、図3(a)(b)においては、押し当て機構104と押し当て支持基台213の両方が駆動される構成を示すが、少なくとも一方(例えば、押し当て機構104のみ)が駆動される構成であればよい。   The sensor substrate 203 is supported inside the housing 109 by a member such as a pressing support base 213. The pressing support base 213 is a base for fixing the sensor substrate 203. When irradiation radiation enters the radiation irradiation region 110 from the sensor substrate 203 side, the pressing support base 213 is preferably formed of a radiation transmissive material. As the material having high radiation transparency, a general plastic material (for example, acrylic resin such as PMMA, PET resin, Teflon (registered trademark), ABS resin, etc.), amorphous carbon, CFRP, or the like is preferable. At the time of photographing, as shown in FIG. 3B, the pressing mechanism 104 and the pressing support base 213 include the sensor substrate 203 and the scintillator portion 101 and the scintillator protective layer in the region 214 disposed on the base 112. 102. The pressing mechanism 104 applies pressure so as not to damage the scintillator unit 101 and the scintillator protective layer 102 in the region 214. The radiation detection apparatus 1 includes a pressing mechanism drive unit (not shown) that drives the pressing mechanism 104 and the pressing support base 213. The pressing mechanism driving unit includes a driving source (for example, a motor or an actuator) for the pressing mechanism 104 and the pressing support base 213, and a control unit (for example, a circuit board on which a control circuit is constructed) that controls the driving source. Have 3A and 3B show a configuration in which both the pressing mechanism 104 and the pressing support base 213 are driven, at least one (for example, only the pressing mechanism 104) is driven. Any configuration may be used.

基台112は、第1の実施形態と同様に、可撓性を有する。基台112は、実施形態1と共通の構成が適用できる。基台112に配置される領域214のシンチレータ部101とシンチレータ保護層102も、第1の実施形態と同じものが適用される。すなわち、基台112には、シンチレータ部101とシンチレータ保護層102とが形成される領域214が、複数配置される。シンチレータ部101の膜厚は、領域214ごとに異なる。そして、駆動/巻取部107は、操作部に対する操作に応じて、複数の領域214のうちから1つを選択し、選択した領域214をセンサ基板203に重なる位置に移動させて位置決めする。
このような構成によれば、複数の領域214から、特性が撮影条件に適したシンチレータ部101を有する1つを選択して撮影を行うことができる。したがって、第1の実施形態と同様に、多様な撮影条件に対応できる。
The base 112 has flexibility as in the first embodiment. A configuration common to that of the first embodiment can be applied to the base 112. The same scintillator unit 101 and scintillator protection layer 102 in the region 214 disposed on the base 112 are applied as in the first embodiment. That is, the base 112 is provided with a plurality of regions 214 where the scintillator unit 101 and the scintillator protective layer 102 are formed. The film thickness of the scintillator unit 101 differs for each region 214. Then, the driving / winding unit 107 selects one of the plurality of regions 214 in accordance with an operation on the operation unit, and moves the selected region 214 to a position overlapping the sensor substrate 203 for positioning.
According to such a configuration, it is possible to perform imaging by selecting one of the plurality of regions 214 having the scintillator unit 101 whose characteristics are suitable for imaging conditions. Accordingly, it is possible to deal with various shooting conditions as in the first embodiment.

<第3の実施形態>
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、センサ基板が設けられる第1の領域が複数配置される第1の基台と、シンチレータ部が設けられる第2の領域が複数配置される第2の基台とが別体に形成される形態である。さらに、第2の実施形態にかかる放射線検出装置1は、第1の基台を収納する第1の収納部と、第1の基台を移動させる第1の駆動機構と、第2の基台を収納する第2の収納部と、第2の基台を移動させる第2の駆動機構とを有する。そして、第1の基台と第2の基台とを別個独立して移動させることができる。図4は、第3の実施形態にかかる放射線検出装置1の概略構成を示す模式図である。図4(a)はシンチレータ部101とセンサ基板103の移動時の状態を示し、図4(b)は撮影時の状態を示す。なお、第1または第2の実施形態と共通の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。第1の基台の例である一方の基台312には、センサ基板103が設けられる第1の領域の例である領域314が複数配置される。センサ基板103は、第1の実施形態と同様の構成を有するものであり、特に可撓性を有する。そしてセンサ基板103の光電変換素子113の配列のピッチは、領域314ごとに異なる。第2の基台の例であるもう一方の基台112には、シンチレータ部101とシンチレータ保護層102とが形成される第2の領域の例である領域214が、複数配置される。シンチレータ部101は、領域214ごとに膜厚(すなわち特性)が異なる。この基台112は、第2の実施形態の基台112と共通の構成を有する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the third embodiment, a first base on which a plurality of first regions on which sensor substrates are provided is arranged is different from a second base on which a plurality of second regions on which scintillator units are provided are arranged. It is a form formed in the body. Furthermore, the radiation detection apparatus 1 according to the second embodiment includes a first storage unit that stores the first base, a first drive mechanism that moves the first base, and a second base. And a second drive mechanism for moving the second base. And a 1st base and a 2nd base can be moved separately independently. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the radiation detection apparatus 1 according to the third embodiment. FIG. 4A shows a state when the scintillator unit 101 and the sensor substrate 103 are moved, and FIG. 4B shows a state when photographing. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as 1st or 2nd embodiment, and description is abbreviate | omitted. On one base 312 which is an example of the first base, a plurality of regions 314 which are examples of the first region where the sensor substrate 103 is provided are arranged. The sensor substrate 103 has the same configuration as that of the first embodiment, and is particularly flexible. The arrangement pitch of the photoelectric conversion elements 113 on the sensor substrate 103 is different for each region 314. On the other base 112 that is an example of the second base, a plurality of regions 214 that are examples of the second region in which the scintillator portion 101 and the scintillator protective layer 102 are formed are arranged. The scintillator unit 101 has a different film thickness (ie, characteristic) for each region 214. The base 112 has a common configuration with the base 112 of the second embodiment.

本実施形態にかかる放射線検出装置1には、複数の収納部108が設けられる。そして、複数のうち、一方の基台312を収納する収納部108が第1の収納部の例であり、もう一方の基台112を収納する収納部108が第2の収納部の例である。本実施形態においては、一方の基台312を収納する収納部108と、もう一方の基台112を収納する収納部108は、個別に設けられる。それぞれの収納部108には、ロールを回転駆動する駆動/巻取部107が設けられる。このうち、一方の基台312が巻かれたロールを駆動する駆動/巻取部107が、第1の駆動機構の例である。もう一方の基台112が巻かれたロールを駆動する駆動/巻取部107が、第2の駆動機構の例である。これらの駆動/巻取部107は、別個独立してロールを回転駆動することができる。したがって、一方の基台312ともう一方の基台112とを別個独立して移動させることができる。   The radiation detection apparatus 1 according to the present embodiment is provided with a plurality of storage units 108. Of the plurality, the storage unit 108 that stores one base 312 is an example of the first storage unit, and the storage unit 108 that stores the other base 112 is an example of the second storage unit. . In the present embodiment, the storage unit 108 that stores one base 312 and the storage unit 108 that stores the other base 112 are provided separately. Each storage unit 108 is provided with a driving / winding unit 107 that rotationally drives the roll. Of these, the drive / winding unit 107 that drives the roll around which one base 312 is wound is an example of the first drive mechanism. The driving / winding unit 107 that drives the roll around which the other base 112 is wound is an example of the second driving mechanism. These drive / winding units 107 can independently rotate the roll. Therefore, one base 312 and the other base 112 can be moved separately and independently.

図4(b)に示すように、撮影時には、一方の基台312の領域314のセンサ基板103と、もう一方の基台112の領域214のシンチレータ保護層102とが、放射線照射領域110に位置決めされて接触した状態となる。この状態を作り出すため、押し当て支持基台213と押し当て機構104とが、一方の基台312の領域314のシンチレータ部101と、もう一方の基台112の領域214のセンサ基板103とを挟持する。押し当て支持基台213と押し当て機構104とを駆動するための構成は、第2の実施形態と共通の構成が適用できる。それぞれの駆動/巻取部107は、操作部に対する操作に応じて、2つの基台112、312のそれぞれに配置される複数の領域214、314のうちから1つずつを選択する。そして、選択した領域214、314を放射線照射領域110に移動させて位置決めする。なお、領域214、314の位置決め機構には、実施形態1と共通の構成が適用できる。このような構成によれば、互いに異なる特性のシンチレータ部101とセンサ基板103とを撮影条件に応じて組み合わせることができる。したがって、多様な撮影条件に応じて撮影を行うことができる。また、収納部108には、基台112,312を除塵する除塵機構が設けられる。さらに、もう一方の基台112を収納する収納部108には、シンチレータ部101にたまった静電気を除去する除電機構が設けられる。除塵機構と除電機構は、第1の実施形態と共通である。   As shown in FIG. 4B, at the time of imaging, the sensor substrate 103 in the region 314 of one base 312 and the scintillator protection layer 102 in the region 214 of the other base 112 are positioned in the radiation irradiation region 110. To be in contact. In order to create this state, the pressing support base 213 and the pressing mechanism 104 sandwich the scintillator portion 101 in the region 314 of one base 312 and the sensor substrate 103 in the region 214 of the other base 112. To do. The configuration for driving the pressing support base 213 and the pressing mechanism 104 can be the same as that of the second embodiment. Each drive / winding unit 107 selects one of a plurality of regions 214 and 314 arranged on each of the two bases 112 and 312 according to an operation on the operation unit. Then, the selected areas 214 and 314 are moved to the radiation irradiation area 110 and positioned. Note that the same configuration as that of the first embodiment can be applied to the positioning mechanisms of the regions 214 and 314. According to such a configuration, the scintillator unit 101 and the sensor substrate 103 having different characteristics can be combined according to the photographing conditions. Therefore, shooting can be performed according to various shooting conditions. Further, the storage unit 108 is provided with a dust removal mechanism for removing dust from the bases 112 and 312. Further, the storage unit 108 that stores the other base 112 is provided with a static elimination mechanism that removes static electricity accumulated in the scintillator unit 101. The dust removal mechanism and the charge removal mechanism are the same as those in the first embodiment.

<第4の実施形態>
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、センサ基板およびシンチレータ部が設けられる第1の領域が複数配置される第1の基台と、反射層部が設けられる第2の領域が複数配置される第2の基台とが別体に形成される形態である。さらに、第2の実施形態にかかる放射線検出装置1は、第1の基台を収納する第1の収納部と、第1の基台を移動させる第1の駆動機構と、第2の基台を収納する第2の収納部と、第2の基台を移動させる第2の駆動機構とを有する。そして、第1の基台と第2の基台とを別個独立して移動させることができる。図5は、第4の実施形態にかかる放射線検出装置1の概略構成を示す模式図である。図5(a)は、2つの基台112、412の移動時の状態を示し、図5(b)は、撮影時の状態を示す。なお、第1から第3の実施形態のいずれかと共通の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。第4の実施形態は、別体に形成される2つの基台112,412が適用される形態である。第1の基台の例である一方の基台112には、センサ基板103とシンチレータ部101とが重ねて一体に形成される領域214が、複数配置される。第2の基台の例であるもう一方の基台412には、シンチレータ反射層部417が形成される領域414が、複数配置される。
<Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the fourth embodiment, a first base in which a plurality of first regions in which sensor substrates and scintillator portions are provided is arranged, and a second base in which a plurality of second regions in which reflective layer portions are provided are arranged. In this form, the base is formed separately. Furthermore, the radiation detection apparatus 1 according to the second embodiment includes a first storage unit that stores the first base, a first drive mechanism that moves the first base, and a second base. And a second drive mechanism for moving the second base. And a 1st base and a 2nd base can be moved separately independently. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the radiation detection apparatus 1 according to the fourth embodiment. FIG. 5A shows a state when the two bases 112 and 412 are moved, and FIG. 5B shows a state when photographing. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as either of the 1st to 3rd embodiment, and description is abbreviate | omitted. In the fourth embodiment, two bases 112 and 412 formed separately are applied. On one base 112 that is an example of the first base, a plurality of regions 214 in which the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 are integrally formed are arranged. On the other base 412 that is an example of the second base, a plurality of regions 414 where the scintillator reflection layer portions 417 are formed are arranged.

図5(a)に示すように、放射線検出装置1には、複数の収納部108が設けられる。一方の基台112を収納する収納部108が、第1の収納部の例である。もう一方の基台412を収納する収納部108が、第2の収納部の例である。本実施形態では、一方の基台112を収納する収納部108と、もう一方の基台412を収納する収納部108とが、個別に設けられる。そして、それぞれの収納部108には、駆動/巻取部107が設けられる。このうち、一方の基台112が巻かれたロールを駆動する駆動/巻取部107が、第1の駆動機構の例である。もう一方の基台412が巻かれたロールを駆動する駆動/巻取部107が、第2の駆動機構の例である。これらの駆動/巻取部107は、別個独立してロールを回転駆動することができる。したがって、一方の基台112ともう一方の基台412とを別個独立して移動させることができる。それぞれの収納部108には、一方の基台112ともう一方の基台412のそれぞれを除塵する除塵機構が設けられる。さらに、一方の基台412が収納される収納部108には、シンチレータ部101を加熱する加熱機構が設けられる。これらの除塵機構と加熱機構は、第1の実施形態と共通の構成が適用できる。   As shown in FIG. 5A, the radiation detection apparatus 1 is provided with a plurality of storage units 108. The storage unit 108 that stores the one base 112 is an example of the first storage unit. The storage unit 108 that stores the other base 412 is an example of the second storage unit. In the present embodiment, a storage unit 108 that stores one base 112 and a storage unit 108 that stores the other base 412 are provided separately. Each storage unit 108 is provided with a driving / winding unit 107. Among these, the drive / winding unit 107 that drives the roll around which the one base 112 is wound is an example of the first drive mechanism. The driving / winding unit 107 that drives the roll on which the other base 412 is wound is an example of the second driving mechanism. These drive / winding units 107 can independently rotate the roll. Therefore, one base 112 and the other base 412 can be moved separately and independently. Each storage unit 108 is provided with a dust removal mechanism for removing dust from one base 112 and the other base 412. Further, the storage unit 108 in which one base 412 is stored is provided with a heating mechanism for heating the scintillator unit 101. These dust removal mechanism and heating mechanism can be applied with the same configuration as in the first embodiment.

図5(a)に示すように、一方の基台112には、センサ基板103とシンチレータ部101とシンチレータ保護層102とが重ねて一体に形成される領域214が、複数配置される。一方の基台112は、収納部108の内部に、湾曲した状態で(ロールに巻かれた状態で)収納される。駆動/巻取部107は、ロールを駆動することによって、基台112に複数配置された領域214を、選択的に放射線照射領域110に移動させることができる。なお、これらの構成は、第2の実施形態と共通である。もう一方の基台412には、シンチレータ反射層部417が形成される領域414が複数配置される。この基台412は、収納部108の内部に、湾曲した状態で(ロールに巻かれた状態で)収納される。駆動/巻取部107は、ロールを駆動することによって、基台412に複数配置された領域414を、選択的に放射線照射領域110に移動させることができる。これらの構成は、一方の基台112と共通の構成が適用できる。図5(b)に示すように、撮影時には、押し当て支持基台213と押し当て機構104が、一方の基台112に複数配置される領域214から選択された1つと、もう一方の基台412に複数配置される領域414から選択された1つとを挟持して接触させる。   As shown in FIG. 5A, a plurality of regions 214 in which the sensor substrate 103, the scintillator unit 101, and the scintillator protection layer 102 are integrally formed are arranged on one base 112. One base 112 is stored in the storage unit 108 in a curved state (in a state wound around a roll). The drive / winding unit 107 can selectively move the plurality of regions 214 arranged on the base 112 to the radiation irradiation region 110 by driving the roll. These configurations are the same as those in the second embodiment. On the other base 412, a plurality of regions 414 where the scintillator reflection layer portions 417 are formed are arranged. The base 412 is stored in the storage unit 108 in a curved state (in a state wound on a roll). The drive / winding unit 107 can selectively move the plurality of regions 414 arranged on the base 412 to the radiation irradiation region 110 by driving the roll. As these configurations, configurations common to the one base 112 can be applied. As shown in FIG. 5B, at the time of shooting, the pressing support base 213 and the pressing mechanism 104 are selected from a plurality of areas 214 arranged on one base 112 and the other base. One selected from a plurality of regions 414 arranged in 412 is sandwiched and brought into contact.

図6は、基台412の構成を模式的に示す図である。図6に示すように、基台412には、シンチレータ反射層部417が形成される領域414が複数配置される。シンチレータ反射層部417の特性は、領域414ごとに異なる。シンチレータ反射層部417の特性としては、たとえば反射率が挙げられる。この場合には、シンチレータ反射層部417の反射率は、領域414ごとに異なる。なお、図6では、2つの領域414が配置される構成の例(すなわち、反射率が2種類の例)を示すが、領域414の数(反射率の種類)は限定されるものではない。それぞれの駆動/巻取部107は、操作部への操作に応じて、基台112,412に配置される複数の領域214、414のうちからそれぞれ1つずつを選択し、放射線照射領域110に移動させる。そして、選択した2つの基台112,412の2つの領域214、414を重ね合わせて撮影を行う。このような構成によれば、シンチレータ反射層部417が形成される領域414と、シンチレータ部101およびセンサ基板103が一体に形成される領域214とを、撮影条件に適した組み合わせにできる。したがって、多様な撮影条件に対応できる。   FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of the base 412. As shown in FIG. 6, the base 412 has a plurality of regions 414 where the scintillator reflection layer portions 417 are formed. The characteristics of the scintillator reflection layer portion 417 are different for each region 414. An example of the characteristic of the scintillator reflection layer portion 417 is reflectance. In this case, the reflectivity of the scintillator reflection layer portion 417 is different for each region 414. FIG. 6 shows an example of a configuration in which two regions 414 are arranged (that is, an example in which there are two types of reflectivity), but the number of regions 414 (types of reflectivity) is not limited. Each drive / winding unit 107 selects one of a plurality of regions 214 and 414 arranged on the bases 112 and 412 in accordance with an operation on the operation unit, and sets the radiation irradiation region 110 as one. Move. Then, the two regions 214 and 414 of the two selected bases 112 and 412 are overlapped to perform photographing. According to such a configuration, the region 414 in which the scintillator reflection layer portion 417 is formed and the region 214 in which the scintillator portion 101 and the sensor substrate 103 are integrally formed can be combined in a combination suitable for imaging conditions. Therefore, it can cope with various photographing conditions.

[第1の実施例]
第1の実施例は、図1に記載の放射線検出装置の実施例である。
[First embodiment]
The first embodiment is an embodiment of the radiation detection apparatus shown in FIG.

まず、基台112である厚さ200μmのポリイミドシート上に、センサ基板103を形成する。基台112であるポリイミドシートは、幅が380mmで長さが1500mmである。センサ基板103の形成方法としては、まず、アモルファスシリコンを用いて光電変換素子とTFTを形成し、最後に厚さ5μmのポリイミドを用いてセンサ保護層を形成するという方法が適用される。光電変換素子113の配列のピッチは100μmである。センサ基板103が形成される領域を、前記のポリイミドシート上に3か所(領域A、領域B、領域C)配置する。それぞれの領域の寸法は360×440mmとする。また、位置決めセンサ105を設置する場所にセンサ駆動用の配線を形成する。次に、センサ保護層に重ねるように、シンチレータ部101としてタリウム添加ヨウ化セシウム(CsI:Tl)を蒸着にて形成する。タリウム添加ヨウ化セシウムの膜厚は、領域Aでは200μm、領域Bでは500μm、領域Cでは800μmに設定される。また、タリウム添加ヨウ化セシウムは、湾曲された状態での破壊を防止するため、一定の間隔で切断されてマトリクス状に区画される。シンチレータ部101の形成後、領域A〜Cの各領域のシンチレータ部101を覆うように、シンチレータ保護層102として厚さ15μmのポリパラキシリレンを形成する。その後、シンチレータ保護層102の表面に、厚さ12μmのAl箔からなるシンチレータ反射層部を接着する。次に、基台112の所定の位置に、位置決めセンサ105として複数のホール素子を設置する。次に、基台112であるポリイミドシートの両端部に、センサ基板103を駆動する駆動回路部と、位置決めセンサ105を駆動するためのセンサ駆動回路部が設けられる。そして、以上の工程を経た基台112(シンチレータ部101、センサ基板103およびその他回路部が形成された基台112)を、ロールにて巻き取る。その後、基台112が巻かれたロールを収納部108に収納する。基台112を取り出す取出部106には、除電機構および除塵機構として、除電・除塵機能を備えた除電ブローを設置する。また、収納部108には、シンチレータ部101の特性回復を目的とした加熱機構が設けられる。加熱機構は、取出部106の近傍に、取出部106の形状に倣ってセラミックヒータが設置される。本実施例では、最も高温で約200℃まで加熱可能なセラミックヒータを、加熱機構として設置する。シンチレータ部101およびセンサ基板103からなる領域114が複数配置された基台112を、筺体109の内部の所定に位置に設置されたガイドを介して固定する。さらに、筺体109の内部には、押し当て機構104と押し当て機構駆動部が配置される。押し当て機構104は、厚さが約50mm、面方向寸法が350×430mmの板状の部材である。押し当て機構104の表面には、厚さが約5mmのシリコンゴムが設けられる。以上の工程を経て、第1の実施例にかかる放射線検出装置1が製造される。   First, the sensor substrate 103 is formed on a polyimide sheet having a thickness of 200 μm as the base 112. The polyimide sheet as the base 112 has a width of 380 mm and a length of 1500 mm. As a method for forming the sensor substrate 103, first, a method of forming a photoelectric conversion element and a TFT using amorphous silicon, and finally forming a sensor protective layer using polyimide having a thickness of 5 μm is applied. The pitch of the arrangement of the photoelectric conversion elements 113 is 100 μm. Three regions (region A, region B, region C) where the sensor substrate 103 is formed are arranged on the polyimide sheet. The size of each region is 360 × 440 mm. Further, a wiring for driving the sensor is formed at a place where the positioning sensor 105 is installed. Next, thallium-added cesium iodide (CsI: Tl) is formed by vapor deposition as the scintillator portion 101 so as to overlap the sensor protective layer. The film thickness of thallium-added cesium iodide is set to 200 μm in region A, 500 μm in region B, and 800 μm in region C. Further, the thallium-added cesium iodide is cut at regular intervals and partitioned into a matrix in order to prevent destruction in a curved state. After the formation of the scintillator portion 101, polyparaxylylene having a thickness of 15 μm is formed as the scintillator protection layer 102 so as to cover the scintillator portions 101 in the regions A to C. Thereafter, a scintillator reflection layer portion made of an Al foil having a thickness of 12 μm is adhered to the surface of the scintillator protection layer 102. Next, a plurality of Hall elements are installed as positioning sensors 105 at predetermined positions on the base 112. Next, a drive circuit unit for driving the sensor substrate 103 and a sensor drive circuit unit for driving the positioning sensor 105 are provided at both ends of the polyimide sheet as the base 112. And the base 112 (base 112 in which the scintillator part 101, the sensor board | substrate 103, and other circuit parts were formed) which passed through the above process is wound up with a roll. Thereafter, the roll around which the base 112 is wound is stored in the storage unit 108. The take-out unit 106 for taking out the base 112 is provided with a charge removal blow having a charge removal / dust removal function as a charge removal mechanism and a dust removal mechanism. In addition, the storage unit 108 is provided with a heating mechanism for the purpose of restoring the characteristics of the scintillator unit 101. In the heating mechanism, a ceramic heater is installed in the vicinity of the extraction unit 106 in accordance with the shape of the extraction unit 106. In this embodiment, a ceramic heater capable of heating up to about 200 ° C. at the highest temperature is installed as a heating mechanism. A base 112 on which a plurality of regions 114 composed of the scintillator section 101 and the sensor substrate 103 are arranged is fixed via a guide installed at a predetermined position inside the housing 109. Further, a pressing mechanism 104 and a pressing mechanism driving unit are disposed inside the housing 109. The pressing mechanism 104 is a plate-like member having a thickness of about 50 mm and a surface direction dimension of 350 × 430 mm. Silicon rubber having a thickness of about 5 mm is provided on the surface of the pressing mechanism 104. The radiation detection apparatus 1 according to the first embodiment is manufactured through the above steps.

第1の実施例にかかる放射線検出装置1によれば、複数の照射条件で撮影領域を変更して撮影を行うことができる。第1の実施例においては、放射線照射領域110に放射線(X線)の照射範囲を絞り、センサ基板103とシンチレータ保護層102とを通過させて、放射線をシンチレータ部101に入射させる。低管電圧(たとえば30kVp程度)での高精細な画像が要求される場合には、シンチレータ部101の膜厚が200μmである領域Aが選択される。この領域Aを使用することで、非撮影領域の微細組織を反映した画像が取得できる。中程度の管電圧(たとえば70kVp程度)では、シンチレータ部101の膜厚が500μmの領域Bが選択される。この領域Bでは一般的な撮影に用いることができ、感度と鮮鋭度がバランスよく両立した画像が取得できる。高管電圧(たとえば130kVp程度)では、シンチレータ部101の膜厚が800μmの領域Cが選択される。この領域Cは、厚さが大きい被検物質等へ好適に適用される。   According to the radiation detection apparatus 1 according to the first embodiment, it is possible to perform imaging while changing the imaging region under a plurality of irradiation conditions. In the first embodiment, the radiation (X-ray) irradiation range is narrowed down to the radiation irradiation region 110, and the sensor substrate 103 and the scintillator protection layer 102 are allowed to pass through so that the radiation is incident on the scintillator unit 101. When a high-definition image at a low tube voltage (for example, about 30 kVp) is required, the region A in which the film thickness of the scintillator unit 101 is 200 μm is selected. By using this area A, an image reflecting the fine structure of the non-imaging area can be acquired. At an intermediate tube voltage (for example, about 70 kVp), the region B where the film thickness of the scintillator portion 101 is 500 μm is selected. In this region B, it can be used for general photographing, and an image in which sensitivity and sharpness are balanced can be acquired. At a high tube voltage (for example, about 130 kVp), the region C where the film thickness of the scintillator unit 101 is 800 μm is selected. This region C is preferably applied to a test substance having a large thickness.

[第2の実施例]
第2の実施例は、第1の実施例の領域A〜Cにおいてシンチレータ部101の膜厚を一定に設定し、光電変換素子113の配列のピッチを異ならせた例である。領域A〜Cにおいて、シンチレータ部101の膜厚をいずれも500μmに設定する。一方、光電変換素子113の配列のピッチを、領域Aでは50μm、領域Bでは100μm、領域Cでは200μmに設定する。その他の構成は、第1の実施例と同じである。第2の実施例にかかる放射線検出装置1によれば、通常は領域Bで撮影を行い、解像度が要求される用途には領域Aを使用し、感度が要求される用途では領域Cを使用する。このように、1台の放射線検出装置1で、複数の撮影条件に対応できる。
[Second embodiment]
The second example is an example in which the film thickness of the scintillator unit 101 is set constant in the areas A to C of the first example, and the pitch of the arrangement of the photoelectric conversion elements 113 is varied. In the areas A to C, the film thickness of the scintillator unit 101 is set to 500 μm. On the other hand, the pitch of the arrangement of the photoelectric conversion elements 113 is set to 50 μm in the region A, 100 μm in the region B, and 200 μm in the region C. Other configurations are the same as those of the first embodiment. According to the radiation detection apparatus 1 according to the second embodiment, imaging is normally performed in the area B, the area A is used for applications that require resolution, and the area C is used for applications that require sensitivity. . Thus, the single radiation detection apparatus 1 can cope with a plurality of imaging conditions.

[第3の実施例]
第3の実施例は、図3に示すように、1つのセンサ基板203と、シート状の基台112に配置された複数のシンチレータ部101とを有する実施例である。そして、複数のシンチレータ部101のいずれかを選択してセンサ基板203に接触させて撮影を行う。なお、ここでは、第1の実施例と異なる部分についてのみ説明する。まず、ガラス基板の表面に、光電変換素子113とTFTとを形成する。また、光電変換素子113とTFTが形成される領域の周辺には、光電変換素子113とTFTを駆動する駆動回路部を設ける。そして、光電変換素子113とTFTの表面に、厚さ5μmのポリイミド樹脂を形成する。次に、基台112に、シンチレータおよびシンチレータ保護層102を形成する。本実施例では、基台112として、厚さ200μmのポリイミドシートを用いる。そして、基台112であるポリイミドシートの表面に、厚さ12μmのAl箔を耐熱エポキシ接着剤(たとえば、太陽金網社製 耐熱エポキシ接着剤 デュラルコ7050)を介して接着する。次に、第1の実施例と同様の方法を用いて、複数のシンチレータ部101を形成する。これにより、基台112上に、領域A、領域B、領域Cの3領域が配置される。シンチレータ部101として、CsI:Tlを形成する。シンチレータ部101の膜厚は、領域Aでは200μm、領域Bでは500μm、領域Cでは800μmとする。そして、シンチレータ部101の形成後に、厚さが15μmのポリパラキシリレン膜を形成する。また、位置決めセンサをシンチレータ支持基台に設置し、押し当て機構に設置された位置決めセンサと共にシンチレータ位置を決定する。その後の工程は、第1の実施例と同様である。第2の実施例にかかる放射線検出装置1は、実施例1と同様の効果を奏する。ただし、センサ基板103は1つのみでよく、また、センサ基板103をフィルム状の基台112に配置しなくてもよいため、部品構成や製造工程の簡略化を図ることができる。
[Third embodiment]
As shown in FIG. 3, the third embodiment is an embodiment having one sensor substrate 203 and a plurality of scintillator portions 101 arranged on a sheet-like base 112. Then, one of the plurality of scintillator units 101 is selected and brought into contact with the sensor substrate 203 to perform photographing. Only the parts different from the first embodiment will be described here. First, the photoelectric conversion element 113 and the TFT are formed on the surface of the glass substrate. In addition, a drive circuit portion for driving the photoelectric conversion element 113 and the TFT is provided around the area where the photoelectric conversion element 113 and the TFT are formed. Then, a polyimide resin having a thickness of 5 μm is formed on the surfaces of the photoelectric conversion element 113 and the TFT. Next, the scintillator and the scintillator protective layer 102 are formed on the base 112. In this embodiment, a polyimide sheet having a thickness of 200 μm is used as the base 112. Then, an Al foil having a thickness of 12 μm is bonded to the surface of the polyimide sheet as the base 112 via a heat-resistant epoxy adhesive (for example, a heat-resistant epoxy adhesive Durarco 7050 manufactured by Taiyo Wire Mesh Co., Ltd.). Next, a plurality of scintillator portions 101 are formed using the same method as in the first embodiment. As a result, three areas of area A, area B, and area C are arranged on the base 112. CsI: Tl is formed as the scintillator unit 101. The film thickness of the scintillator section 101 is 200 μm in the region A, 500 μm in the region B, and 800 μm in the region C. Then, after the scintillator portion 101 is formed, a polyparaxylylene film having a thickness of 15 μm is formed. Further, the positioning sensor is installed on the scintillator support base, and the scintillator position is determined together with the positioning sensor installed on the pressing mechanism. The subsequent steps are the same as in the first embodiment. The radiation detection apparatus 1 according to the second embodiment has the same effects as the first embodiment. However, since only one sensor substrate 103 is required and the sensor substrate 103 does not have to be disposed on the film-like base 112, the component configuration and the manufacturing process can be simplified.

[第4の実施例]
第4の実施例は、図4に示すように、センサ基板103とシンチレータ部101とが別体であり、それぞれを別個独立して変更可能な例である。なお、ここでは、第1〜第3の実施例と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。センサ基板103は、第1の実施例と同様に、可撓性を有する基板が適用される。また、シンチレータ部101とシンチレータ保護層102は、第3の実施例と共通の構成が適用される。センサ基板103を支持する基台312と、シンチレータ部101を支持する基台112のそれぞれに、位置決めセンサ105が設置される。また、押し当て支持基台213と押し当て機構104は、第3の実施例と共通の構成が適用される。第4の実施例にかかる放射線検出装置1は、撮影条件に適したセンサ基板103とシンチレータ部101の組み合わせを選定することができる。
[Fourth embodiment]
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 4, the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 are separate bodies, and each can be changed separately and independently. Here, only the configuration different from the first to third embodiments will be described, and the description of the common configuration will be omitted. As the sensor substrate 103, a flexible substrate is applied as in the first embodiment. The scintillator unit 101 and the scintillator protective layer 102 have the same configuration as that of the third embodiment. The positioning sensor 105 is installed on each of the base 312 that supports the sensor substrate 103 and the base 112 that supports the scintillator unit 101. The pressing support base 213 and the pressing mechanism 104 have the same configuration as that of the third embodiment. The radiation detection apparatus 1 according to the fourth embodiment can select a combination of the sensor substrate 103 and the scintillator unit 101 suitable for imaging conditions.

[第5の実施例]
次に、前記いずれかの実施例にかかる放射線検出装置が適用された放射線検出システムの実施例について説明する。図7は、本発明の実施例にかかる放射線検出システムの構成を模式的に示す図である。
放射線発生手段の例であるX線チューブ6050はX線6060を発生させる。そしてX線6060は、患者または被検者6061の撮影対象部位(ここでは胸部6062示す)を透過し、前記いずれかの実施形態にかかる放射線検出装置1に入射する。放射線検出装置1に入射したX線には、患者または被検者6061の体の内部の情報が含まれている。シンチレータ部101は、X線の入射に対応して発光する。センサ基板103の光電変換素子113は、シンチレータ部101がX線に応じて発した光を光電変換する。これにより、患者または被検者6061の体の内部の情報を、電気信号として得られる。放射線検出装置1の信号処理回路は、この電気信号をデジタル形式に変換し、信号処理手段となるイメージプロセッサ6070に送信する。イメージプロセッサ6070は、送信された電気信号に画像処理を施し、制御室に設けられる表示手段の例であるディスプレイ6080に出力して表示させる。このため、検者等は、患者または被検者6061の体の内部の情報を画像として観察できる。また、イメージプロセッサ6070は、この電気信号を、電話、LAN、インターネットなどのネットワーク6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送できる。たとえば、イメージプロセッサ6070は、この電気信号を、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ6081に送信して表示させることができる。または光ディスク等の記録手段に保存することができる。このため、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。さらに、イメージプロセッサ6070は、この電気信号をフィルムプロセッサ6100に送信することもできる。フィルムプロセッサ6100は、受信した電気信号から、レーザープリンタを用いて、患者または被検者6061の体の内部の情報を含むフィルム6110を作成することができる。
[Fifth embodiment]
Next, an embodiment of a radiation detection system to which the radiation detection apparatus according to any one of the above embodiments is applied will be described. FIG. 7 is a diagram schematically showing the configuration of the radiation detection system according to the example of the present invention.
An X-ray tube 6050, which is an example of a radiation generating means, generates X-rays 6060. The X-ray 6060 passes through the imaging target region (shown here as the chest 6062) of the patient or the subject 6061 and enters the radiation detection apparatus 1 according to any one of the above embodiments. The X-ray incident on the radiation detection apparatus 1 includes information on the inside of the patient or the subject 6061 body. The scintillator unit 101 emits light corresponding to the incidence of X-rays. The photoelectric conversion element 113 of the sensor substrate 103 photoelectrically converts light emitted from the scintillator unit 101 in response to X-rays. Thereby, information inside the body of the patient or subject 6061 can be obtained as an electrical signal. The signal processing circuit of the radiation detection apparatus 1 converts this electrical signal into a digital format and transmits it to an image processor 6070 serving as a signal processing means. The image processor 6070 performs image processing on the transmitted electrical signal, and outputs and displays it on a display 6080 which is an example of display means provided in the control room. For this reason, the examiner or the like can observe information inside the body of the patient or the subject 6061 as an image. Further, the image processor 6070 can transfer this electric signal to a remote place by transmission processing means such as a network 6090 such as a telephone, a LAN, and the Internet. For example, the image processor 6070 can transmit the electric signal to a display 6081 serving as a display unit such as a doctor room in another place to display the electric signal. Or it can preserve | save in recording means, such as an optical disk. For this reason, it is possible for a remote doctor to make a diagnosis. Moreover, it can also record on the film 6110 by the film processor 6100 used as a recording means. Further, the image processor 6070 can transmit this electrical signal to the film processor 6100. The film processor 6100 can create a film 6110 that includes information inside the body of the patient or subject 6061 from the received electrical signal using a laser printer.

本発明の放射線検出装置は、医療用の放射線検出装置や、非破壊検査装置等の放射線を利用した医療用以外の分析・検査用途の装置への応用が可能である。   The radiation detection apparatus according to the present invention can be applied to a medical radiation detection apparatus or a non-medical analysis / inspection apparatus using radiation, such as a nondestructive inspection apparatus.

Claims (13)

センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて配置されるシンチレータ部と、を有する領域が複数配置される基台と、
前記基台を収納する収納部と、
前記基台を移動させる駆動機構と、
前記領域を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記センサの配列のピッチは、前記領域ごとに異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
A base on which a plurality of regions each having a sensor unit in which sensors are arranged in a matrix and a scintillator unit arranged to overlap the sensor unit are arranged;
A storage section for storing the base;
A drive mechanism for moving the base;
A positioning mechanism for positioning the region in a region where radiation is incident;
Have
The radiation detector according to claim 1, wherein a pitch of the sensor array is different for each region.
筺体の内部に配置されるセンサ部と、
シンチレータ部が設けられる領域が複数配置される基台と、
前記基台を収納する収納部と、
前記基台を移動させる駆動機構と、
前記シンチレータ部を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記シンチレータ部は前記領域ごとに膜厚が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
A sensor unit disposed inside the housing;
A base on which a plurality of regions where the scintillator portion is provided are arranged;
A storage section for storing the base;
A drive mechanism for moving the base;
A positioning mechanism for positioning the scintillator portion in a region where radiation is incident;
Have
The radiation detector according to claim 1, wherein the scintillator section has a different film thickness for each region.
センサがマトリクス状に配列されるセンサ部が設けられる第1の領域が複数配置される第1の基台と、
シンチレータ部が設けられる第2の領域が複数配置され、前記第1の基台とは別体の第2の基台と、
前記第1の基台を収納する第1の収納部と、
前記第2の基台を収納する第2の収納部と、
前記第1の基台を移動させる第1の駆動機構と、
前記第2の基台を移動させる第2の駆動機構と、
前記第1の領域と前記第2の領域を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記センサの配列のピッチは前記第1の領域ごとに異なり、
前記シンチレータ部は前記第2の領域ごとに膜厚が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
A first base on which a plurality of first regions provided with sensor parts in which sensors are arranged in a matrix are arranged;
A plurality of second regions in which scintillator portions are provided, a second base separate from the first base;
A first storage section for storing the first base;
A second storage portion for storing the second base;
A first drive mechanism for moving the first base;
A second drive mechanism for moving the second base;
A positioning mechanism for positioning the first region and the second region in a region where radiation is incident;
Have
The pitch of the sensor array is different for each of the first regions,
The scintillator section has a different film thickness for each of the second regions.
センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて形成されるシンチレータ部と、が設けられる第1の領域が複数配置される第1の基台と、
前記第1の基台とは別体で、反射層部が設けられる第2の領域が複数配置される第2の基台と、
前記第1の基台を収納する第1の収納部と、
前記第2の基台を収納する第2の収納部と、
前記第1の基台を移動させる第1の駆動機構と、
前記第2の基台を移動させる第2の駆動機構と、
前記第1の領域と前記第2の領域を位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記シンチレータ部の膜厚は前記第1の領域ごとに異なり、
前記反射層部は前記第2の領域ごとに反射率が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
A first base on which a plurality of first regions in which a sensor unit in which sensors are arranged in a matrix and a scintillator unit formed to overlap the sensor unit are provided are arranged;
A second base that is separate from the first base and in which a plurality of second regions in which the reflective layer portion is provided are disposed;
A first storage section for storing the first base;
A second storage portion for storing the second base;
A first drive mechanism for moving the first base;
A second drive mechanism for moving the second base;
A positioning mechanism for positioning the first region and the second region;
Have
The film thickness of the scintillator portion is different for each first region,
The radiation detector according to claim 1, wherein the reflection layer portion has a different reflectance for each of the second regions.
前記収納部には、前記基台の静電気を除去する除電機構が設けられる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出装置。
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the storage unit is provided with a static elimination mechanism that removes static electricity from the base.
前記第1の収納部には、前記第1の基台の静電気を除去する除電機構が設けられ、
前記第2の収納部には、前記第2の基台の静電気を除去する除電機構が設けられる
ことを特徴とする請求項3または4に記載の放射線検出装置。
The first storage unit is provided with a static elimination mechanism for removing static electricity from the first base,
The radiation detection apparatus according to claim 3, wherein the second storage unit is provided with a static elimination mechanism that removes static electricity from the second base.
前記収納部には、前記基台を除塵する除塵機構が設けられる
ことを特徴とする請求項1、2、5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the storage unit is provided with a dust removal mechanism for removing dust from the base.
前記第1の収納部には、前記第1の基台を除塵する除塵機構が設けられ、
前記第2の収納部には、前記第2の基台を除塵する除塵機構が設けられる
ことを特徴とする請求項3、4、6のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
The first storage unit is provided with a dust removal mechanism for removing dust from the first base,
The radiation detection apparatus according to claim 3, wherein the second storage unit is provided with a dust removal mechanism that removes dust from the second base.
前記収納部には、前記シンチレータ部を加熱する加熱機構を有する
ことを特徴とする請求項1、2、5、7のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the storage unit includes a heating mechanism that heats the scintillator unit.
前記第1の収納部と前記第2の収納部のいずれかには、前記シンチレータ部を加熱する加熱機構を有する
ことを特徴とする請求項3、4、6、8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
9. The heating mechanism for heating the scintillator section is provided in any one of the first storage section and the second storage section. 9. Radiation detection equipment.
前記シンチレータ部はヨウ化セシウムを含む
ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the scintillator section includes cesium iodide.
前記シンチレータ部には、シンチレータ保護層が配置される
ことを特徴とする請求項11に記載の放射線検出装置。
The radiation detection apparatus according to claim 11, wherein a scintillator protective layer is disposed in the scintillator section.
放射線を検出する放射線検出手段と、
前記放射線検出手段からの信号を処理する信号処理手段と、
を有し、
前記放射線検出手段には、請求項1から12のいずれか1項に記載の放射線検出装置が適用されることを特徴とする放射線検出システム。
Radiation detection means for detecting radiation;
Signal processing means for processing signals from the radiation detection means;
Have
The radiation detection system according to claim 1, wherein the radiation detection apparatus according to claim 1 is applied to the radiation detection unit.
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