JP2015060009A - Optical scanning device, light source emission method of optical scanning device, and image formation device - Google Patents

Optical scanning device, light source emission method of optical scanning device, and image formation device Download PDF

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PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain a same print quality even if light quantity changes by preventing surface stain and improving reproducibility of pulse width.SOLUTION: An optical scanning device 40 includes: a light source; a light source emission device 101 which makes the light source illuminate; and a scanning optical system which deflects, for scanning, the light emitted from the light source on a scanned surface of a photosensitive body. It includes: a first bias current control part 50(1); a modulation current control part 50(3); and a second bias current control part 50(2). A bias current that is inputted in the light source includes a first bias current and a second bias current. A first bias current value is a constant value, and the second bias current has a feature in which a total value of the first bias current and the second bias current is changed according to a target light emission amount within a range of less than a threshold value current of the light source so that reproducibility of pulse width is maintained regardless of the target light quantity.

Description

本発明は、光走査装置、光走査装置の光源発光方法及び画像形成装置に関する。   The present invention relates to an optical scanning device, a light source emission method of the optical scanning device, and an image forming apparatus.

電子写真方式の画像形成装置、例えば、レーザプリンタ、デジタル複写機、ファクシミリ装置等では、画像の書込みを光ビーム走査方式によって行っている。この光ビーム走査方式では、光源として、例えば半導体レーザを用い、半導体レーザから照射されるレーザ光をポリゴンミラー等の走査手段により、画像書込みの対象となる感光体の被走査面上で主走査方向に走査して感光体上に1ライン分ずつ画像を書込む。この場合、感光体に照射するレーザ光の光量は、例えば、感光体の回転速度或いは感光体の経年変化による劣化などに応じて変更する。   In an electrophotographic image forming apparatus such as a laser printer, a digital copying machine, and a facsimile apparatus, an image is written by a light beam scanning method. In this light beam scanning method, for example, a semiconductor laser is used as a light source, and a laser beam emitted from the semiconductor laser is scanned in a main scanning direction on a scanned surface of a photoconductor to be image-written by a scanning means such as a polygon mirror. To write an image line by line on the photoreceptor. In this case, the light quantity of the laser beam irradiated to the photoconductor is changed according to, for example, the rotation speed of the photoconductor or deterioration due to aging of the photoconductor.

ところで、半導体レーザの光量を変更する際に、半導体レーザの駆動電流が低い、つまり発光量が小さい場合は、発光量が大きい場合に比べて半導体レーザ光の立上りが遅くなることが知られている。このような半導体レーザの現象は、発振ディレイといわれる。
発光した複数のレーザ光のパルス波形間で発振ディレイが起きると、半導体レーザのパルス波形におけるパルス幅に差が生し、パルス幅の再現率(ここでは、発光信号の理想の波形のパルス幅に対する実際に得られる光量のパルス幅の比率をいう)に差異が生じる。
発光量の違いに応じてパルス幅の再現率に差異が出ると、同じ線幅で印刷できない、即ち同じ印刷品質が維持できないという問題が生じる。
By the way, when changing the light quantity of the semiconductor laser, it is known that when the driving current of the semiconductor laser is low, that is, the light emission amount is small, the rise of the semiconductor laser light is delayed as compared with the case where the light emission amount is large. . Such a phenomenon of the semiconductor laser is called an oscillation delay.
When an oscillation delay occurs between the pulse waveforms of a plurality of emitted laser beams, a difference occurs in the pulse width in the pulse waveform of the semiconductor laser, and the pulse width reproducibility (here, the pulse width of the ideal waveform of the emission signal) A difference occurs in the ratio of the pulse width of the actually obtained light amount).
If the pulse width reproducibility varies depending on the amount of light emission, there arises a problem that printing cannot be performed with the same line width, that is, the same print quality cannot be maintained.

この発振ディレイ又はパルス幅の再現率を改善する方法として、半導体レーザを駆動する装置(半導体レーザ発光装置という)において、半導体レーザを発光させる前に、その閾値電流を超えない電流(バイアス電流という)を半導体レーザ発光装置に印加しておき、駆動電流を変調電流とバイアス電流で構成することで駆動電流を高くする方法が知られている。   As a method for improving the repetition rate of the oscillation delay or pulse width, in a device for driving a semiconductor laser (referred to as a semiconductor laser light emitting device), a current that does not exceed the threshold current before the semiconductor laser emits light (referred to as a bias current). Is known to be applied to a semiconductor laser light emitting device and the drive current is made up of a modulation current and a bias current to increase the drive current.

ただ、この方法では、半導体レーザ発光装置に、変調電流以外に閾値電流に近いバイアス電流を入力する。そのため、そのバイアス電流により半導体レーザが自然発光(バイアス発光)を起こし、その発光により感光体に潜像が形成され、いわゆる地汚れが発生するという別の問題が発生する。   However, in this method, a bias current close to the threshold current is input to the semiconductor laser light emitting device in addition to the modulation current. For this reason, the semiconductor laser emits light spontaneously (bias light emission) due to the bias current, and a latent image is formed on the photosensitive member due to the light emission, which causes another problem of so-called scumming.

ここで、地汚れの問題については、例えば、特許文献1(特開2004−153118号公報)には、半導体レーザ起動装置等において、バイアス電流を二段に構成し、第一のバイアス電流は地汚れが発生しない程度の閾値電流より小さい一定の電流値とし、これに第二のバイアス電流を半導体レーザの発光直前に短時間重畳して出力することが記載されている。この場合、第一と第二のバイアス電流値の合算値は閾値電流を超えないようにして、発振ディレイの問題とバイアス電流による地汚れの問題を軽減している。
しかし、特許文献1に記載された半導体レーザ発光装置では、第一及び第二のバイアス電流は、半導体レーザ起動装置光量に拘らず一定であるため、発振ディレイに起因するパルス幅の再現率に差が出る問題は解決できない。
Here, regarding the problem of soiling, for example, in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-153118), the bias current is configured in two stages in a semiconductor laser starting device or the like, and the first bias current is grounded. It is described that a constant current value smaller than a threshold current at which no contamination occurs is generated, and a second bias current is superimposed and output for a short time immediately before light emission of the semiconductor laser. In this case, the sum of the first and second bias current values does not exceed the threshold current, so that the problem of oscillation delay and the problem of soiling due to the bias current are reduced.
However, in the semiconductor laser light emitting device described in Patent Document 1, the first and second bias currents are constant regardless of the light amount of the semiconductor laser activation device, and therefore, there is a difference in the pulse width recall due to the oscillation delay. The problem that appears can not be solved.

他方、この問題に関連して、例えば、特許文献2(特開2004−268436号公報)に記載された画像形成装置が知られている。
この画像形成装置では、一つのバイアス電流を調整して半導体レーザの光量が変化しても安定した中間調の諧調性を確保をすることがその目的であり、同文献には、発振ディレイあるいはパルス幅の再現性という表現はないが発振ディレイ等の改善を図ったものと解される。
ただ、この画像形成装置では、一つのバイアス電流を調整する都合上、その電流値は閾値電流に近いものとならざるを得ず、バイアス発光による地汚れの発生を抑えるのは難しい。
On the other hand, in relation to this problem, for example, an image forming apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-268436 is known.
The purpose of this image forming apparatus is to ensure a stable halftone gradation even if the amount of light of the semiconductor laser is changed by adjusting one bias current. Although there is no expression of width reproducibility, it is understood that the oscillation delay has been improved.
However, in this image forming apparatus, for the purpose of adjusting one bias current, the current value has to be close to the threshold current, and it is difficult to suppress the occurrence of soiling due to bias emission.

このように、発振ディレイの問題と、地汚れ防止の問題が知られ、それぞれの解決策も知られているが、従来の半導体レーザ装置を備えた光走査装置において、これらの問題を同時に解決したものはない。   As described above, the problem of oscillation delay and the problem of preventing scumming are known, and the respective solutions are also known. However, in the optical scanning device equipped with the conventional semiconductor laser device, these problems were solved at the same time. There is nothing.

本発明は、前記従来の問題を鑑みてなされたものであって、その目的は、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現性を向上させることにより、光量が変化しても、同じ印刷品質を維持することである。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to prevent scumming and improve the reproducibility of the pulse width, so that the same print quality can be obtained even if the amount of light changes. Is to maintain.

本発明は、光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置であって、前記光源発光装置が、第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流制御部と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流制御部と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流制御部と、を備え、前記光源に入力されるバイアス電流が前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流により構成され、前記第一バイアス電流値は一定値であり、前記第二バイアス電流は、目標光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更されることを特徴とする光走査装置である。   The present invention is an optical scanning device comprising: a light source; a light source light emitting device that emits the light source; and a scanning optical system that deflects and scans light irradiated from the light source on a scanned surface of a photoreceptor. A light source light emitting device generates a first bias current and outputs the light source according to a light emission signal input to the light source light emitting device, and outputs the first bias current control unit to the light source before emitting light. A modulation current control unit that generates a modulation current and outputs it to the light source; a second current that generates a second bias current and outputs the first bias current to the light source and then outputs the modulation current to the light source A bias current control unit, wherein a bias current input to the light source is configured by the first bias current and the second bias current, the first bias current value is a constant value, and the second bias current Depending on the target light emission amount, the sum of the first bias current and the second bias current is less than the threshold current of the light source so that the pulse width reproduction rate is maintained regardless of the target light amount. The optical scanning device is characterized by being changed.

本発明によれば、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現性を向上させることにより、光量が変化しても同じ印刷品質を維持することができる。   According to the present invention, it is possible to maintain the same print quality even when the amount of light is changed by preventing the background stain and improving the reproducibility of the pulse width.

本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically illustrating an image forming apparatus including an optical scanning device according to an embodiment. 図1に示した光走査装置の構成について示す図である。It is a figure shown about the structure of the optical scanning device shown in FIG. 光走査装置の制御部を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematically the control part of an optical scanning device. 第二バイアス電流及び第二バイアス電流印加時間の出力手順を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the output procedure of a 2nd bias current and 2nd bias current application time. 目標発光量と第二バイアス電流値係数及び第二バイアス電流印加時間係数との関係を示す表である。It is a table | surface which shows the relationship between target light emission amount, a 2nd bias current value coefficient, and a 2nd bias current application time coefficient. パルス幅再現率の結果を、各目標発光量毎に表した図である。It is the figure which represented the result of the pulse width reproduction rate for every target luminescence amount. パルス幅再現率の結果を、各目標発光量毎に表した図である。It is the figure which represented the result of the pulse width reproduction rate for every target luminescence amount. パルス幅の再現率を説明するためのパルス幅を示す図である。It is a figure which shows the pulse width for demonstrating the reproduction rate of a pulse width. 異なる目標発光量P1、P2に対する駆動電流の時間変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the drive current with respect to different target light emission amount P1, P2. 異なる目標発光量P1、P2に対して時間変化するそれぞれの駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the emitted light amount of a semiconductor laser when each drive current which changes with time with respect to different target emitted light amount P1, P2 is applied to a semiconductor laser light-emitting device. 環境温度が異なる場合における同じ目標発光量P2の駆動電流の時間変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the drive current of the same target light emission amount P2 in case environmental temperature differs. 環境温度が異なる場合における同じ目標発光量P2における時間変化する駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the emitted light amount of a semiconductor laser when the drive current which changes with time in the same target emitted light amount P2 in case environmental temperature differs is applied to a semiconductor laser light-emitting device. 従来の、半導体レーザの発光量によらず、変調電流出力直前の第二バイアス電流が一定とする方法の駆動電流による、半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the emitted light amount of a semiconductor laser by the drive current of the method of making the 2nd bias current immediately before the modulation current output constant, irrespective of the emitted light amount of the conventional semiconductor laser.

次に、本発明の光走査装置をその実施形態について図面を参照して説明する。
ここでは、まず、本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置全体について概略的に説明する。
図1は、本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置を概略的に示す図である。
この画像形成装置は、感光体ドラム10と、帯電ユニット12と、現像ユニットのトナーカートリッジ14と、転写ローラ16と、感光体ドラム10上のトナーを除去する図示しないクリーナーとから構成されている。さらに、中間転写ベルト20と、中間転写ローラ22と、中間転写ベルトクリーニング装置24と、転写装置26と、給紙レジストセンサ28と、定着装置30と、排紙ローラ32と、光走査装置40とから構成されている。
Next, an embodiment of the optical scanning device of the present invention will be described with reference to the drawings.
Here, first, the entire image forming apparatus including the optical scanning device according to the present embodiment will be schematically described.
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an image forming apparatus including an optical scanning device according to the present embodiment.
The image forming apparatus includes a photosensitive drum 10, a charging unit 12, a toner cartridge 14 of a developing unit, a transfer roller 16, and a cleaner (not shown) that removes toner on the photosensitive drum 10. Further, the intermediate transfer belt 20, the intermediate transfer roller 22, the intermediate transfer belt cleaning device 24, the transfer device 26, the paper feed registration sensor 28, the fixing device 30, the paper discharge roller 32, and the optical scanning device 40. It is composed of

この画像形成装置において、光走査装置40は、動作時に、タイミング制御した光ビームを感光体ドラム10上に露光して静電潜像を形成する。形成された静電潜像は、トナーカートリッジ14から供給されるトナーにより現像される。感光体ドラム10上のトナー像は、転写ローラ16により中間転写ベルト20上に転写される。   In this image forming apparatus, during operation, the optical scanning device 40 exposes a timing-controlled light beam onto the photosensitive drum 10 to form an electrostatic latent image. The formed electrostatic latent image is developed with toner supplied from the toner cartridge 14. The toner image on the photosensitive drum 10 is transferred onto the intermediate transfer belt 20 by the transfer roller 16.

一方、中間転写ベルト20上のトナー画像の搬送にタイミングを合わせ、中間転写ベルト20と転写装置26との間に転写紙Sが送り込まれる。ここで、転写装置26は、転写紙Sへトナー画像を転写し、定着装置30は、トナー画像が転写された転写紙Sに熱と圧力を加えて定着させる。定着後、転写紙Sは、排紙装置に取り付けられた排紙ローラ32により排出され、図示しない排紙トレイ上にスタックされる。   On the other hand, the transfer sheet S is fed between the intermediate transfer belt 20 and the transfer device 26 in synchronization with the conveyance of the toner image on the intermediate transfer belt 20. Here, the transfer device 26 transfers the toner image onto the transfer paper S, and the fixing device 30 applies heat and pressure to the transfer paper S on which the toner image is transferred to fix it. After fixing, the transfer paper S is discharged by a paper discharge roller 32 attached to a paper discharge device and stacked on a paper discharge tray (not shown).

図2は、図1に示した光走査装置40の構成について示す図である。
この光走査装置40は、半導体レーザ(光源)発光装置101、カップリングレンズ102、アパーチャ103、シリンドリカルレンズ104、ポリゴンミラー105、レンズ106、107、ミラー108を有する。また、感光媒体としての感光体109、同期ミラー110、同期レンズ111、同期センサ112、制御部60を有する。これらは、半導体レーザから照射される光を偏向し、感光体109に導く走査光学系を構成する。
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the optical scanning device 40 shown in FIG.
The optical scanning device 40 includes a semiconductor laser (light source) light emitting device 101, a coupling lens 102, an aperture 103, a cylindrical lens 104, a polygon mirror 105, lenses 106 and 107, and a mirror 108. In addition, a photosensitive member 109 as a photosensitive medium, a synchronous mirror 110, a synchronous lens 111, a synchronous sensor 112, and a control unit 60 are included. These constitute a scanning optical system that deflects the light emitted from the semiconductor laser and guides it to the photoreceptor 109.

光源発光装置101は、光走査のための光ビームを発する半導体レーザ素子であり、制御部60により画像データに応じて駆動される。カップリングレンズ102を通過した光ビームは、アパーチャ103の開口部を通過する際に、光束周辺部の光強度の小さい部分が遮断、即ちビーム整形されて、線形結像光学系であるシリンドリカルレンズ104に入射する。
シリンドリカルレンズ104は、入射してくる光ビームを副走査方向に集光させ、光偏向器であるポリゴンミラー105の偏向反射面近傍に集光する。
The light source light emitting device 101 is a semiconductor laser element that emits a light beam for optical scanning, and is driven by the control unit 60 according to image data. When the light beam that has passed through the coupling lens 102 passes through the opening of the aperture 103, a portion having a low light intensity at the periphery of the light beam is blocked, that is, the beam is shaped, and the cylindrical lens 104 that is a linear imaging optical system. Is incident on.
The cylindrical lens 104 condenses the incident light beam in the sub-scanning direction, and condenses it in the vicinity of the deflection reflection surface of the polygon mirror 105 that is an optical deflector.

ポリゴンミラー105の偏向反射面によって反射された光ビームは、ポリゴンミラー105の等速回転に伴い、等角速度的に偏向されつつ、走査光学系をなす2枚のレンズ106、107を通過する。さらに、ミラー108によって光路が折り曲げられ、被走査面をなす光導電性の感光体109の感光面である表面に光スポットとして集光し走査する。これによって、感光体109上には静電潜像が形成される。
光ビームは、走査に先立って同期ミラー110に入射して反射され、同期レンズ111によって受光素子である同期センサ112に集光される。感光体109に対する上記光ビームによる光書き込みのタイミングは、同期センサ112の出力信号に基づいて後述する半導体レーザ発光装置により決定される。
The light beam reflected by the deflecting and reflecting surface of the polygon mirror 105 passes through the two lenses 106 and 107 constituting the scanning optical system while being deflected at a constant angular velocity as the polygon mirror 105 rotates at a constant speed. Further, the optical path is bent by the mirror 108, and the light is condensed and scanned as a light spot on the surface that is the photosensitive surface of the photoconductive photosensitive member 109 that forms the surface to be scanned. As a result, an electrostatic latent image is formed on the photoconductor 109.
Prior to scanning, the light beam enters the reflection mirror 110 and is reflected, and is collected by the synchronization lens 111 onto the synchronization sensor 112, which is a light receiving element. The timing of optical writing with the light beam to the photoconductor 109 is determined by a semiconductor laser light emitting device to be described later based on the output signal of the synchronization sensor 112.

次に、本実施形態に係る光走査装置における第二バイアス電流制御について概略的に説明し、その後に、その制御を行うための構成要素について説明する。
本光走査装置を備えた画像形成装置は、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現率の差をなくすこと(再現性の向上という)により、光量が変化しても、同じ印刷品質を維持することを目的とするもので、概略以下のとおりである。
Next, the second bias current control in the optical scanning device according to the present embodiment will be schematically described, and then components for performing the control will be described.
The image forming apparatus equipped with this optical scanning device maintains the same print quality even when the amount of light changes, by preventing smudges and eliminating the difference in pulse width recall (referred to as improved reproducibility). The purpose of this is as follows.

即ち本光走査装置は、目標発光量(その時点における感光体に最適な光量)と半導体レーザの環境温度に基づき、目標発光量にしたがって半導体レーザを発光させるときに、そのレーザパルスのパルス幅が一定に維持できるように制御する。つまり、パルス幅の良好な再現性が得られるようにする。
そのため、ここでは、半導体レーザ発光装置101にバイアス電流を印加する際に、バイアス電流値が当該半導体レーザの閾値電流値を超えないように、また地汚れの発生を最小限に抑えるようにする。しかもパルス幅の良好な再現性が得られるよう第二バイアス電流値を調整する。
その調整は、後述するように、まず、常に一定の値をとる第一バイアス電流の電流値を決定し、次に、第二バイアス電流を半導体レーザ発光装置の発光量に応じて決定する。
第二バイアス電流は、後述する手法で基準となる電流値、基準第二バイアス電流値を決定し、この基準第二バアイス電流値に対して、半導体レーザ発光装置が出力するレーザの光量、環境温度で決まるパラメータで変更を加えて求める。
この基準第二バイアス電流値及びパラメータを求める方法については後述する。
In other words, this optical scanning device has a pulse width of the laser pulse when the semiconductor laser emits light according to the target light emission amount based on the target light emission amount (the optimum light amount for the photosensitive member at that time) and the ambient temperature of the semiconductor laser. Control so that it can be kept constant. That is, good reproducibility of the pulse width is obtained.
For this reason, here, when a bias current is applied to the semiconductor laser light emitting device 101, the bias current value does not exceed the threshold current value of the semiconductor laser, and the occurrence of soiling is minimized. In addition, the second bias current value is adjusted so that good reproducibility of the pulse width can be obtained.
As will be described later, the adjustment first determines the current value of the first bias current that always takes a constant value, and then determines the second bias current according to the light emission amount of the semiconductor laser light emitting device.
For the second bias current, a reference current value and a reference second bias current value are determined by a method to be described later, and the amount of laser light output from the semiconductor laser light emitting device and the environmental temperature with respect to the reference second baice current value. Change the parameter determined by
A method of obtaining the reference second bias current value and parameters will be described later.

図3は、光走査装置の制御部を概略的に示すブロック図である。
光走査装置の制御部60は、半導体レーザ発光回路(LDドライバ)50を構成するASIC(Application Specific Integrated Circuit)と、半導体レーザ(LD)発光装置101と、温度センサ53と、CPU51とからなる。また、画像入力装置52が接続される。LDドライバ50は、第一バイアス電流制御部50(1)、第二バイアス電流制御部50(2)、変調電流制御部50(3)及び駆動電流制御部50(4)を備えている。
FIG. 3 is a block diagram schematically illustrating a control unit of the optical scanning device.
The control unit 60 of the optical scanning device includes an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) constituting a semiconductor laser light emitting circuit (LD driver) 50, a semiconductor laser (LD) light emitting device 101, a temperature sensor 53, and a CPU 51. An image input device 52 is connected. The LD driver 50 includes a first bias current control unit 50 (1), a second bias current control unit 50 (2), a modulation current control unit 50 (3), and a drive current control unit 50 (4).

第一バイアス電流制御部50(1)は、常に一定(又は所定)の電流値(第一バイアス電流Ib1という)を生成し、第二バイアス電流制御部50(2)は、発光量又は環境温度に応じて所定の電流値(第二バイアス電流Ib2という)を生成する。
また、変調電流制御部50(3)は、画像入力装置52からの発光指令信号に応じて変調電流Imを生成する。
駆動電流制御部50(4)には、第一バイアス電流Ib1、第二バイアス電流及Ib2及び変調電流Imが入力され、それらの電流を合算し駆動電流として半導体レーザ発光装置101に出力する。
The first bias current control unit 50 (1) always generates a constant (or predetermined) current value (referred to as the first bias current Ib1), and the second bias current control unit 50 (2) determines the light emission amount or the environmental temperature. In response to this, a predetermined current value (referred to as second bias current Ib2) is generated.
Further, the modulation current control unit 50 (3) generates the modulation current Im according to the light emission command signal from the image input device 52.
The drive current controller 50 (4) receives the first bias current Ib 1, the second bias current and Ib 2, and the modulation current Im, and sums these currents and outputs them as a drive current to the semiconductor laser light emitting device 101.

CPU51は、LDドライバ50に制御信号(イニシャライズ指令信号)を出力し、画像入力装置52は、発光指令信号(発光信号)、バイアス電流設定信号等の各種信号をLDドライバ50に出力する。また、温度センサ53から半導体レーザの使用環境の温度(環境温度)を検知する温度情報がCPU51に入力される。
LDには、半導体レーザ発光装置101の発光量を検出する図示しないモニタフォトダイオード(PD)が備えられている。また、CPU51が実行するプログラムや第二バイアス電流値等を求める表(テーブル)(図5)を記憶する図示しない記憶部を備える。
The CPU 51 outputs a control signal (initialization command signal) to the LD driver 50, and the image input device 52 outputs various signals such as a light emission command signal (light emission signal) and a bias current setting signal to the LD driver 50. Further, temperature information for detecting the temperature (environment temperature) of the semiconductor laser usage environment is input from the temperature sensor 53 to the CPU 51.
The LD is provided with a monitor photodiode (PD) (not shown) that detects the light emission amount of the semiconductor laser light emitting device 101. Further, a storage unit (not shown) is provided for storing a table (table) (FIG. 5) for obtaining a program executed by the CPU 51, a second bias current value, and the like.

次に本光走査装置の制御部60によるレーザ発光を行う第二バイアス電流の設定方法について説明する。
図4は、第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間の出力手順を示すフロー図である。
光走査装置の制御部60(のCPU51)は、LDドライバ50に、目標発光量(その時点の感光体109の感度に最適なレーザ光量)を出力する(S101)。
Next, a method for setting a second bias current for performing laser emission by the control unit 60 of the present optical scanning device will be described.
FIG. 4 is a flowchart showing an output procedure of the second bias current value and the second bias current application time.
The control unit 60 (CPU 51) of the optical scanning device outputs a target light emission amount (laser light amount optimum for the sensitivity of the photosensitive member 109 at that time) to the LD driver 50 (S101).

次に、CPU51は、温度センサ53から温度情報を読み取り、半導体レーザの環境温度を図示しない記憶部に記憶する(S102)。
また、CPU51は、目標発光量と環境温度に応じた後述するテーブル(目標発光量に対応した、第二バイアス電流値と第二バイアス電流値の印加時間を決定するためのパラメータを記録したテーブル;図5A、B)を読み込む(S103)。
読み込んだテーブルのパラメータ(係数)と基準第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間から、第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間を算出する(S104)。
算出した第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間をLDドライバに出力する(S105)
Next, the CPU 51 reads temperature information from the temperature sensor 53 and stores the ambient temperature of the semiconductor laser in a storage unit (not shown) (S102).
In addition, the CPU 51 stores a table (to be described later) corresponding to the target light emission amount and the environmental temperature (a table recording parameters for determining the application time of the second bias current value and the second bias current value corresponding to the target light emission amount; 5A and 5B are read (S103).
The second bias current value and the second bias current application time are calculated from the parameters (coefficients) of the read table, the reference second bias current value, and the reference second bias current application time (S104).
The calculated second bias current value and second bias current application time are output to the LD driver (S105).

次に、前記テーブルの各パラメータの決定方法について、説明する。
まず、本実施形態の基準第二バイアス電流値を求める方法について説明する。
ここでは、本光走査装置(半導体レーザ発光装置101)において使用する最も発光量が少ない時の発光光量をP0とし、このときの第二バイアス電流値を基準第二バイアス電流値とする。
この基準第二バイアス電流値は、発光光量が最少の場合であるため最大値となる。ここで、第一バイアス電流と第二バイアス電流は、その合算値が閾値電流を超えるとレーザ光による地汚れが発生する。そのため、第二バイアス電流値は、当該半導体レーザの閾値電流値から一定値である第一バイアス電流値を引いた値を超えない(閾値電流未満)値とする必要がある。
その場合、基準第二バイアス電流値の最大値は、当該半導体レーザ発光装置101の閾値電流値から一定値である第一バイアス電流値を引いた値となる。この値は、当該半導体レーザ発光装置101の閾値電流値と第一バイアス電流値が一定であるため一義的に決定することができる。
なお、本光走査装置内のプログラムの実行による処理で、閾値電流値から算出した基準第二バイアス電流値の端数を切り捨てて、基準第二バイアス電流値としてもよい。
Next, a method for determining each parameter of the table will be described.
First, a method for obtaining the reference second bias current value of the present embodiment will be described.
Here, the light emission amount when the light emission amount used in the present optical scanning device (semiconductor laser light emitting device 101) is the smallest is P0, and the second bias current value at this time is the reference second bias current value.
The reference second bias current value is the maximum value because the light emission amount is the minimum. Here, if the sum of the first bias current and the second bias current exceeds the threshold current, the background is contaminated with laser light. Therefore, the second bias current value needs to be a value that does not exceed a value obtained by subtracting the first bias current value that is a constant value from the threshold current value of the semiconductor laser (less than the threshold current).
In this case, the maximum value of the reference second bias current value is a value obtained by subtracting a first bias current value that is a constant value from the threshold current value of the semiconductor laser light emitting device 101. This value can be uniquely determined because the threshold current value and the first bias current value of the semiconductor laser light emitting device 101 are constant.
It should be noted that in the processing by the execution of the program in the optical scanning device, the reference second bias current value calculated from the threshold current value may be rounded down to be the reference second bias current value.

次に、発光光量P0のときのレーザ光のパルス波形の幅と理想値である矩形波におけるパルス波形の幅との比(ハルス幅の再現率)を求め、これを当該半導体レーザ発光装置101における目標再現率Nとする。
このようにして、当該半導体レーザ発光装置101の目標再現率Nを求めた上で、次に、当該半導体レーザ発光装置101における基準発光光量P0以外の目標発光量P1、P2・・・Pnのときに、目標再現率Nを得るに必要な第二バイアス電流値を求める。
Next, a ratio (Harus width reproduction ratio) between the pulse waveform width of the laser beam at the light emission amount P0 and the pulse waveform width in the rectangular wave which is an ideal value is obtained, and this is obtained in the semiconductor laser light emitting device 101. The target recall rate is N.
In this way, after obtaining the target reproducibility N of the semiconductor laser light emitting device 101, next, when the target light emission amounts P1, P2,... Pn other than the reference light emission amount P0 in the semiconductor laser light emitting device 101 are obtained. In addition, a second bias current value necessary to obtain the target recall N is obtained.

即ち、ここでは、まず、常温(例えば25℃)において、第二バイアス電流値の半導体レーザ発光装置101への印加時間を一定にして、目標発光量(P1、P2・・・Pn)毎に、第二バイアス電流値を変化させて、その時得られるパルス幅再現率を求める(パルス幅再現率の具体的な求め方については後述する)。
図6A.Bは、その結果を各目標発光量毎に表したグラフであり、パルス幅再現率(%)を縦軸に、第二バイアス電流値を横軸にとって、その両者の関係から、パルス幅再現率が目標再現率N(例えばN=96%)に達したときの第二バイアス電流値を求める。
次に、各光量(P1、P2・・・Pn)時における第二バイアス電流値と、基準第二バイアス電流値との比を求める。
That is, here, at room temperature (for example, 25 ° C.), the application time of the second bias current value to the semiconductor laser light emitting device 101 is constant, and for each target light emission amount (P1, P2,... Pn), The pulse width reproduction rate obtained at that time is obtained by changing the second bias current value (a specific method for obtaining the pulse width reproduction rate will be described later).
FIG. 6A. B is a graph showing the results for each target light emission amount. The pulse width recall rate (%) is on the vertical axis and the second bias current value is on the horizontal axis. Is the second bias current value when the target reproduction ratio N (for example, N = 96%) is reached.
Next, the ratio of the second bias current value at each light quantity (P1, P2,... Pn) and the reference second bias current value is obtained.

次に、同様に、常温(例えば25℃)において、第二バイアス電流値の半導体レーザ発光装置101へ印加する第二バイアス電流値を一定にして、目標発光量(P1、P2・・・Pn)毎に、第二バイアス電流印加時間を変化させて、その時得られるパルス幅再現率を求める。
図7A.Bは、その結果を、各目標発光量毎に表したグラフであり、パルス幅再現率(%)を縦軸に、第二バイアス電流印加時間を横軸にとって、その両者の関係から、パルス幅再現率が目標再現率N(例えばN=96%)に達したときの第二バイアス電流印加時間を求める。
次に、各光量(P1、P2・・・Pn)時における第二バイアス電流印加時間と、基準第二バイアス電流印加時間との比を求める。
なお、基準第二バアイス電流印加時間は、基準第二バイアス電流を印加して、目標再現率Nが得られたときの基準第二バアイス電流の印加時間である。
この各光量時における、第二バイアス電流値と、基準第二バイアス電流値との比、及び各光量時における第二バイアス電流印加時間と、基準第二バイアス電流印加時間との比をまとめてテーブル(図5Aの表)を作成する。
Next, similarly, at a normal temperature (for example, 25 ° C.), the second bias current value applied to the semiconductor laser light emitting device 101 having the second bias current value is made constant, and the target light emission amount (P1, P2,... Pn). Each time the second bias current application time is changed, the pulse width recall obtained at that time is obtained.
FIG. 7A. B is a graph showing the result for each target light emission amount. The pulse width recall rate (%) is on the vertical axis and the second bias current application time is on the horizontal axis. A second bias current application time when the recall reaches a target recall N (for example, N = 96%) is obtained.
Next, a ratio between the second bias current application time and the reference second bias current application time at each light amount (P1, P2,... Pn) is obtained.
The reference second baice current application time is the application time of the reference second baice current when the reference second bias current is applied and the target recall N is obtained.
A table summarizing the ratio between the second bias current value and the reference second bias current value at each light quantity, and the ratio between the second bias current application time and the reference second bias current application time at each light quantity. (Table of FIG. 5A) is created.

また、図5Bの表は、図5Aの表を求め、温度が上昇した状態(表1の状態よりも20℃温度上昇した状態)で、同様の実験を繰り返して得たものである。
ここで、パルス幅再現率(%)は、例えば、目標発光量をP1とし、第一バイアス電流、第二バイアス電流印加時間を固定とし、1ドットのパルス幅の画像データで、一定の温度環境の下でレーザを点灯させる。得られたレーザ光のパルス波形の幅を測定し、その測定値と理想の光パルス波形のハルス幅との比として算出される。
図8は、パルス幅の再現率を説明するためのパルス幅を示す図である。
測定して得られたパルス幅は図8Bにおけるt1であり、これを図8Aの光量P1の時の理想の波形である矩形波における時間t0との比(t1/t0)として得られる。
The table of FIG. 5B is obtained by repeating the same experiment in a state where the table of FIG. 5A is obtained and the temperature is increased (the temperature is increased by 20 ° C. from the state of Table 1).
Here, the pulse width reproducibility (%) is, for example, that the target light emission amount is P1, the first bias current and the second bias current application time are fixed, and image data with a pulse width of 1 dot and a constant temperature environment. Turn on the laser under. The width of the pulse waveform of the obtained laser beam is measured and calculated as a ratio between the measured value and the Halth width of the ideal optical pulse waveform.
FIG. 8 is a diagram showing a pulse width for explaining the recall ratio of the pulse width.
The pulse width obtained by measurement is t1 in FIG. 8B, which is obtained as a ratio (t1 / t0) to the time t0 in the rectangular wave that is an ideal waveform at the light amount P1 in FIG. 8A.

次に、このようにして求めた図5A及びBのテーブルに基づき、実際に、目標発光量に対応して第二バイアス電流を調整した結果について説明する。図5A及びBの係数は、目標発光量の増加に伴い所定の比率で低減している。
図9は、異なる目標発光量P1、P2(P1<P2)に対する駆動電流の時間変化を示す図である。
図9A、Bは、目標発光量P1、P2のとき、常に印加される第一バイアス電流Ib1に対して第二バイアス電流Ib2が重畳され、その後変調電流Imが重畳されることを示している。この図9A、Bを対比すれば明らかなように、目標発光量P1に対して、それよりも大きいP2の場合は、第二バイアス電流値は大きく、かつ、第二バイアス電流値の印加時間も長い。
Next, a result of actually adjusting the second bias current corresponding to the target light emission amount will be described based on the tables of FIGS. 5A and 5B thus obtained. The coefficients in FIGS. 5A and 5B decrease at a predetermined ratio as the target light emission amount increases.
FIG. 9 is a diagram showing the change over time in the drive current for different target light emission amounts P1 and P2 (P1 <P2).
9A and 9B show that when the target light emission amounts P1 and P2, the second bias current Ib2 is superimposed on the first bias current Ib1 that is always applied, and then the modulation current Im is superimposed. 9A and 9B, as is clear from the comparison with FIGS. 9A and 9B, in the case of P2 larger than the target light emission amount P1, the second bias current value is large and the application time of the second bias current value is also long. long.

図10は、異なる目標発光量P1、P2に対して時間変化するそれぞれの駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示すものである。
図10に示すように、第二バイアス電流値と第二バイアス電流値印加時間を目標発光量に応じて変更することにより、発光光量によらず、そのレーザ光のパルス幅がほぼ一定になる。
FIG. 10 shows temporal changes in the light emission amount of the semiconductor laser when the drive currents varying with time for different target light emission amounts P1 and P2 are applied to the semiconductor laser light emitting device.
As shown in FIG. 10, by changing the second bias current value and the second bias current value application time according to the target light emission amount, the pulse width of the laser light becomes substantially constant regardless of the light emission amount.

図11は、環境温度が異なる場合における、同じ目標発光量P2に対する駆動電流の時間変化を示す図である。
図11A、11Bは、目標発光量P2のとき、温度が高いとき(ここでは60℃)は、温度が低いとき(ここでは25℃)よりも、印加すべき第二バイアス電流値が大きく、また、印加時間が長いことを示している。
図12は、環境温度が異なる場合における同じ目標発光量P2における時間変化する駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示すものである。
図12に示すように、第二バイアス電流値とその印加時間を調整することにより、レーザ光の波形のパルス幅はほぼ完全に一致し、本実施形態によれば、温度が変化してもハルス幅の再現性がきわめて良好であることを示している。
FIG. 11 is a diagram illustrating a change over time of the drive current with respect to the same target light emission amount P2 when the environmental temperatures are different.
11A and 11B show that when the target light emission amount P2, the second bias current value to be applied is larger when the temperature is high (here, 60 ° C.) than when the temperature is low (here, 25 ° C.). This indicates that the application time is long.
FIG. 12 shows a temporal change in the light emission amount of the semiconductor laser when a time-varying drive current at the same target light emission amount P2 is applied to the semiconductor laser light emitting device when the ambient temperature is different.
As shown in FIG. 12, by adjusting the second bias current value and the application time thereof, the pulse width of the laser light waveform almost completely matches. The reproducibility of the width is very good.

図13は、従来の、半導体レーザの発光量によらず、変調電流出力直前の第二バイアス電流を一定とした場合における、駆動電流による半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。
図13に示す従来の半導体レーザの第二バイアス電流は、目標発光量P1、P2のいずれの場合にも同じ電流値、同じ電流印加時間である。そのため、図13では、低い目標発光量P1の場合には、高い目標発光量P2に比べて発光量のパルス幅が短くなる(目標発光量P2の立上り波形と比較)。即ち時間差Δt2が発生し、発光量のパルス波形のパルス幅が短くなる。
一方、図10は、従来例で示した図13と比較すると明らかなように、図13と比べ時間差は小さく、パルス幅の再現性が良好であることを示している。
FIG. 13 is a diagram illustrating a temporal change in the light emission amount of the semiconductor laser due to the drive current when the second bias current immediately before the modulation current output is constant regardless of the light emission amount of the conventional semiconductor laser.
The second bias current of the conventional semiconductor laser shown in FIG. 13 has the same current value and the same current application time in both cases of the target light emission amounts P1 and P2. Therefore, in FIG. 13, when the target light emission amount P1 is low, the pulse width of the light emission amount is shorter than that of the high target light emission amount P2 (compared with the rising waveform of the target light emission amount P2). That is, a time difference Δt2 is generated, and the pulse width of the pulse waveform of the light emission amount is shortened.
On the other hand, FIG. 10 shows that the time difference is small compared to FIG. 13 and the reproducibility of the pulse width is good as is clear when compared with FIG. 13 shown in the conventional example.

本実施形態では、第二バイアス電流値と第二バイアス電流印加時間tb2を目標発光量によって変更することで、図6に示すような発光量のパルス波形のパルス幅が実現できる。目標発光量が異なっても、即ち、低い光量でも、高い発光量の場合と同じような発光量のパルス波形の立上りを示し、低光量で使用する場合のパルス幅の再現性を向上することができる。
パルス幅の再現性を向上させることにより、例えば、印字速度の変更または感光体の更新等の理由で目標発光量が変化しても、発光されるレーザ光のパルス幅を一定に維持することで、印刷品質を維持することができる。
In the present embodiment, by changing the second bias current value and the second bias current application time tb2 according to the target light emission amount, the pulse width of the pulse waveform of the light emission amount as shown in FIG. 6 can be realized. Even if the target light emission amount is different, that is, even when the light intensity is low, the rise of the pulse waveform of the light emission amount is the same as in the case of the high light emission amount, and the reproducibility of the pulse width when used with a low light amount can be improved. it can.
By improving the reproducibility of the pulse width, it is possible to maintain the pulse width of the emitted laser light constant even if the target light emission amount changes due to, for example, changing the printing speed or updating the photoreceptor. Can maintain the print quality.

50・・・LDドライバ、50(1)・・・第一バイアス電流制御部、50(2)・・・第二バイアス電流制御部、50(3)・・・変調電流制御部、50(4)・・・駆動電流制御部、51・・・CPU、52・・・画像入力装置、53・・・温度センサ、60・・・制御部、101・・・半導体レーザ(LD)発光装置、Ith・・・閾値電流、Iη・・・発光電流、Ib・・・バイアス電流、Ib1・・・第一バイアス電流、Ib2・・・第二バイアス電流、Im・・・変調電流、tb2・・・第二バイアス電流印加時間、LD・・・半導体レーザ(PD:フォトダイオードを含む)   50 ... LD driver, 50 (1) ... first bias current control unit, 50 (2) ... second bias current control unit, 50 (3) ... modulation current control unit, 50 (4 ) ... Driving current control unit, 51 ... CPU, 52 ... Image input device, 53 ... Temperature sensor, 60 ... Control unit, 101 ... Semiconductor laser (LD) light emitting device, Ith ... threshold current, Iη ... light emission current, Ib ... bias current, Ib1 ... first bias current, Ib2 ... second bias current, Im ... modulation current, tb2 ... first Two bias current application time, LD ... Semiconductor laser (PD: Including photodiode)

特開2004−153118号公報JP 2004-153118 A 特開2004−268436号公報JP 2004-268436 A

Claims (6)

光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置であって、
前記光源発光装置が、第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流制御部と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流制御部と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流制御部と、
を備え、
前記光源に入力されるバイアス電流が前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流により構成され、前記第一バイアス電流値は一定値であり、前記第二バイアス電流は、目標発光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更されることを特徴とする光走査装置。
An optical scanning device comprising: a light source; a light source light emitting device that emits light from the light source; and a scanning optical system that deflects and scans light irradiated from the light source on a surface to be scanned of a photoreceptor.
The light source light emitting device generates a first bias current and outputs the light source according to a light emission signal input to the light source light emitting device, and outputs the first bias current control unit to the light source before emitting light. A modulation current control unit that generates and outputs a modulation current to the light source, and a second bias current that is generated and output to the light source after the first bias current is output to the light source and before the modulation current is output. A two-bias current control unit;
With
The bias current input to the light source is composed of the first bias current and the second bias current, the first bias current value is a constant value, and the second bias current is independent of the target light emission amount. The sum of the first bias current and the second bias current is changed in accordance with a target light emission amount within a range in which the sum of the first bias current and the second bias current is less than a threshold current of the light source so that a pulse width reproduction rate is maintained. Optical scanning device.
請求項1に記載された光走査装置であって、
前記第二バイアス電流は、前記光源の最も少ない目標発光量の場合に閾値電流値から第一バイアス電流を減じた電流値を基準第二バイアス電流値とし、また、基準第二バイアス電流値の印加時間を基準第二バイアス電流印加時間として、前記光源の目標発光量に基づき前記基準第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間を所定の比率で低減させる光走査装置。
The optical scanning device according to claim 1,
The second bias current is defined as a reference second bias current value obtained by subtracting the first bias current from the threshold current value when the light source has the smallest target light emission amount, and the reference second bias current value is applied. An optical scanning device that reduces the reference second bias current value and the reference second bias current application time at a predetermined ratio based on a target light emission amount of the light source, with time being a reference second bias current application time.
請求項1又は2に記載された光走査装置であって、
前記基準第二バイアス電流値に対する前記第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間に対する第二バイアス電流印加時間のそれぞれの所定の比率を目標発光量毎に定めて記憶するテーブルを備えた光走査装置。
The optical scanning device according to claim 1 or 2,
A light having a table that stores predetermined ratios of the second bias current value with respect to the reference second bias current value and the second bias current application time with respect to the reference second bias current application time for each target light emission amount. Scanning device.
請求項3に記載された光走査装置であって、
前記テーブルは前記光源の環境温度毎に作成されたものである光走査装置。
The optical scanning device according to claim 3,
The optical scanning device, wherein the table is created for each environmental temperature of the light source.
請求項1乃至3のいずれかに記載された光走査装置を備える画像形成装置。   An image forming apparatus comprising the optical scanning device according to claim 1. 光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置の光源発光制御方法であって、
第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流出力工程と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流生成工程と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流出力工程と、
を有し、
前記第一バイアス電流値を一定値にし、前記第二バイアス電流を、目標発光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように、前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更するよう制御する光源発光制御方法。
A light source emission control method for an optical scanning device having a light source, a light source light emitting device that emits light from the light source, and a scanning optical system that deflects and scans light irradiated from the light source on a scanned surface of a photoreceptor,
A first bias current output step of generating a first bias current and outputting to the light source before emitting light; and generating a second bias current and outputting the first bias current to the light source; A second bias current generating step for outputting to the light source before outputting; a modulation current outputting step for generating a modulated current for causing the light source to emit light in accordance with a light emission signal input to the light source light emitting device and outputting the modulated current to the light source; ,
Have
The first bias current value is set to a constant value, and the second bias current is a sum of the first bias current and the second bias current so that the pulse width reproducibility is maintained regardless of the target light emission amount. A light source emission control method for controlling to change according to a target emission amount within a range in which a value is less than a threshold current of the light source.
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