JP2015056552A - Luminous body and lighting device - Google Patents

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高原　雄一郎
Yuichiro Takahara
雄一郎 高原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminous body using a metal substrate of high reflection aluminum, and having high luminous efficiency and necessary and sufficient insulation performance for general lighting, and to provide a lighting device including the luminous body.SOLUTION: A luminous body 1 includes a metal substrate 2 having one surface 2a of high reflection formed integrally, a plurality of face-up LED chips 3 mounted directly on one surface 2a of the substrate 2, a first translucent resin 4 containing a phosphor 18 performing wavelength conversion of a part of radiation light from the LED chip 3, and provided to cover the LED chip 3, and an electrically insulating second translucent resin 5 not containing the phosphor 18 and filling the one surface 2a of the substrate 2 so as to bury the periphery of the LED chip 3, on the side closer to the LED chip 3 than the first translucent resin 4.

Description

本発明の実施形態は、複数個のＬＥＤチップを光源とする発光体およびこの発光体を配設している照明装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a light emitter that uses a plurality of LED chips as light sources, and an illumination device that includes the light emitter.

この種の発光体は、発光モジュールとも称され、基板の一面側に実装された複数個のＬＥＤチップがボンディングワイヤにより直列接続され、ＬＥＤチップおよびボンディングワイヤを封止する透光性の封止部材が基板の一面側に充填されている。そして、基板は、熱伝導率が比較的大きい金属板例えばアルミニウム板が用いられ、ＬＥＤチップは、金属基板に塗布された絶縁層またはこの絶縁層上に形成された金属層にダイボンド材を用いて実装されている（例えば特許文献１参照。）。   This type of light emitter is also called a light emitting module, and a plurality of LED chips mounted on one side of a substrate are connected in series by bonding wires, and a translucent sealing member that seals the LED chips and the bonding wires Is filled on one side of the substrate. For the substrate, a metal plate having a relatively high thermal conductivity, such as an aluminum plate, is used. For the LED chip, a die bond material is used for an insulating layer applied to the metal substrate or a metal layer formed on the insulating layer. It is mounted (for example, refer to Patent Document 1).

また、金属基板に高反射アルミニウムを用いて、この高反射アルミニウムの表面に直接的にＬＥＤ素子（ＬＥＤチップ）を実装する発光体（ＬＥＤ基板）が提案されている（特許文献２参照。）。高反射アルミニウムは、金属アルミニウムの表面を鏡面に仕上げたうえで、その表面に反射率の高い酸化被膜を形成したものであり、ＬＥＤ素子からの放射光を高効率で反射でき、放熱性も高いものである。これにより、発光体は、高い発光効率とともに高放熱性が実現されている。   Further, a light emitting body (LED substrate) has been proposed in which a highly reflective aluminum is used for a metal substrate and an LED element (LED chip) is directly mounted on the surface of the highly reflective aluminum (see Patent Document 2). High-reflective aluminum has a mirror finish on the surface of metal aluminum, and an oxide film with high reflectivity is formed on the surface. It can reflect light emitted from the LED element with high efficiency and has high heat dissipation. Is. As a result, the light emitter has high heat dissipation and high heat dissipation.

そして、発光体は、照明光として白色光を得るために、ＬＥＤチップが例えば青色光を放射するものが使用され、封止部材が青色光の一部を例えば黄色光に波長変換する蛍光体を混入している。すなわち、発光体は、補色関係にある青色光および黄色光が混合することによって白色光を放射している。   In order to obtain white light as illumination light, the light emitting body is an LED chip that emits blue light, for example, and the sealing member is a phosphor that converts a part of the blue light into, for example, yellow light. It is mixed. That is, the light emitter emits white light by mixing blue light and yellow light in a complementary color relationship.

特開２０１０−２２６０９９号公報（第７，１０頁、第２図）JP 2010-226099 (7th, 10th page, FIG. 2) 特許第５１８６７０９号公報（第３頁、第１図）Japanese Patent No. 5186709 (page 3, Fig. 1)

蛍光体を含有する封止部材は、気泡が存在することにより、また、蛍光体の表面に導電経路が形成されることなどにより電気絶縁性が低下するので、金属基板に直接的にＬＥＤチップを実装する発光体においては、ＬＥＤチップの電極およびボンディングワイヤと金属基板との間の絶縁性能が低下し、別に絶縁構造を設けないと、必要かつ十分な電気絶縁性を確保できないということが分かった。   The sealing member containing the phosphor has a reduced electrical insulation due to the presence of air bubbles and the formation of a conductive path on the surface of the phosphor. Therefore, the LED chip is directly attached to the metal substrate. In the light emitting body to be mounted, it was found that the insulation performance between the LED chip electrode and the bonding wire and the metal substrate was lowered, and it was impossible to ensure the necessary and sufficient electrical insulation unless a separate insulation structure was provided. .

本発明は、高反射アルミニウムの金属基板を使用し、一般照明用として高い発光効率と必要かつ十分な絶縁性能を有する発光体およびこの発光体を具備する照明装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a light emitting body that uses a highly reflective aluminum metal substrate and has high luminous efficiency and necessary and sufficient insulation performance for general lighting, and an illumination device including the light emitting body.

本実施形態の発光体は、基板、ＬＥＤチップ、第１の透光性樹脂および第２の透光性樹脂を有して構成される。   The light emitter of this embodiment includes a substrate, an LED chip, a first translucent resin, and a second translucent resin.

基板は、高反射の一面が一体に形成された金属製であり、当該一面にフェイスアップ型の複数個のＬＥＤチップを直接的に実装している。ここで、「直接的に」とは、ＬＥＤチップが接着剤等で基板の一面に実装されるものを含むことを意味する。   The substrate is made of a metal having one highly reflective surface integrally formed, and a plurality of face-up LED chips are directly mounted on the one surface. Here, “directly” means that the LED chip includes an LED chip mounted on one surface of the substrate with an adhesive or the like.

第１の透光性樹脂は、ＬＥＤチップの放射光の一部を波長変換する蛍光体を含有しており、ＬＥＤチップを覆うように設けられている。第２の透光性樹脂は、蛍光体を含有していないものであり、電気絶縁性を有する。そして、第２の透光性樹脂は、第１の透光性樹脂よりもＬＥＤチップ側であって、ＬＥＤチップの周囲を埋めるように基板の一面側に充填されている。   The 1st translucent resin contains the fluorescent substance which wavelength-converts a part of emitted light of an LED chip, and is provided so that a LED chip may be covered. The second translucent resin does not contain a phosphor and has electrical insulation. The second translucent resin is filled on the LED chip side of the first translucent resin and on one side of the substrate so as to fill the periphery of the LED chip.

本実施形態の発光体によれば、金属製の基板は、その一面が高反射に形成され、ＬＥＤチップの周囲を埋める第２の透光性樹脂は、蛍光体を含有しないので、ＬＥＤチップの放射光のうち基板の一面に入射され反射された放射光を第１の透光性樹脂側に効率的に透過させるとともに、ＬＥＤチップの絶縁性能が低下しなく、これにより、高い発光効率と必要かつ十分な絶縁性能を有することが期待できる。   According to the light emitter of the present embodiment, the metal substrate is formed so that one surface thereof is highly reflective, and the second translucent resin filling the periphery of the LED chip does not contain a phosphor. Of the radiated light, the radiated light that is incident on and reflected from one surface of the substrate is efficiently transmitted to the first translucent resin side, and the insulation performance of the LED chip is not deteriorated. In addition, it can be expected to have sufficient insulation performance.

本発明の第１の実施形態を示す発光体の第１および第２の透光性樹脂を透視した概略上面図である。It is the schematic top view which saw through the 1st and 2nd translucent resin of the light-emitting body which shows the 1st Embodiment of this invention. 同じく、図１のＡ−Ａ矢視方向における発光体の概略断面図である。Similarly, it is a schematic sectional drawing of the light-emitting body in the AA arrow direction of FIG. 同じく、図２のＢ部分の拡大概略断面図である。Similarly, it is an expansion schematic sectional drawing of the B section of FIG. 本発明の第２の実施形態を示す照明装置の一部切り欠き概略側面図である。It is a partially cut away schematic side view of the illuminating device which shows the 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、本発明の第１の実施形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, a first embodiment of the present invention will be described.

本実施形態の発光体１は、図１ないし図３に示すように構成される。図２において、発光体１は、金属製の基板２、ＬＥＤチップ３、第１の透光性樹脂４および第２の透光性樹脂５を有して形成されている。   The light emitter 1 of the present embodiment is configured as shown in FIGS. In FIG. 2, the light emitter 1 is formed by including a metal substrate 2, an LED chip 3, a first translucent resin 4, and a second translucent resin 5.

基板２は、例えば長方形に形成された厚さ１ｍｍの板状の高反射アルミニウムの金属板からなっている。すなわち、基板２は、その両面２ａ，２ｂが平面状に形成され、一面２ａが可視光を高い反射率で反射する高反射面に形成されている。基板２は、アルミニウム板の一方の表面を鏡面に仕上げたうえで、その表面に反射率の高い酸化被膜が形成されたものである。こうして、基板２は、高反射の一面２ａが一体に形成されている。   The substrate 2 is made of, for example, a rectangular plate-shaped highly reflective aluminum metal plate having a thickness of 1 mm. That is, the substrate 2 has both surfaces 2a and 2b formed in a planar shape, and the one surface 2a is formed on a highly reflective surface that reflects visible light with a high reflectance. The substrate 2 is one in which one surface of an aluminum plate is mirror-finished and an oxide film having a high reflectance is formed on the surface. Thus, the substrate 2 is integrally formed with a highly reflective surface 2a.

そして、基板２は、その一面２ａに、ＬＥＤチップ３の実装領域６を除いて、例えばガラスエポキシ材からなる保護膜７が比較的大きい膜厚で平面状に塗布されている。保護膜７は、図１に示すように、実装領域６が基板２の中央部において、本実施形態では正四角形となるように形成されている。そして、保護膜７の表面７ａには、基板２の長手方向に沿う実装領域６の両側に一対の配線パターン８，８が形成されている。   And the board | substrate 2 is apply | coated to the surface 2a in the planar form with the comparatively big film thickness of the protective film 7 which consists of glass epoxy materials, for example except the mounting area | region 6 of the LED chip 3. FIG. As shown in FIG. 1, the protective film 7 is formed so that the mounting region 6 is a regular square in the center of the substrate 2 in the present embodiment. A pair of wiring patterns 8 and 8 are formed on the surface 7 a of the protective film 7 on both sides of the mounting region 6 along the longitudinal direction of the substrate 2.

配線パターン８，８は、例えば厚さ１０μｍの銅（Ｃｕ）箔からなり、基板２の長手方向の一端側２ｃの保護膜７の表面７ａ上に設けられた接続端子９，９に接続されている。この接続端子９，９は、ＬＥＤチップ３に電力を供給する図示しない点灯装置に接続されるものである。   The wiring patterns 8, 8 are made of, for example, a copper (Cu) foil having a thickness of 10 μm, and are connected to connection terminals 9, 9 provided on the surface 7 a of the protective film 7 on one end side 2 c in the longitudinal direction of the substrate 2. Yes. The connection terminals 9 and 9 are connected to a lighting device (not shown) that supplies power to the LED chip 3.

また、保護膜７の表面７ａには、配線パターン８，８を内側にして、実装領域６を囲む枠部１０が形成されている。枠部１０は、バンクまたは土手とも称されており、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂例えばシリコーン樹脂からなり、所定の厚さおよび絶縁膜７の表面７ａから所定の高さ（突出長）３００〜６００μｍ例えば５００μｍを有する正四角形に形成されている。枠部１０は、例えば印刷により形成されている。   Further, a frame portion 10 surrounding the mounting region 6 is formed on the surface 7a of the protective film 7 with the wiring patterns 8 and 8 inside. The frame portion 10 is also referred to as a bank or a bank, and is made of a thermosetting resin having electrical insulation properties, for example, a silicone resin. The frame portion 10 has a predetermined thickness and a predetermined height (projection length) 300 from the surface 7a of the insulating film 7. It is formed in a regular square having ˜600 μm, for example, 500 μm. The frame part 10 is formed by printing, for example.

また、保護膜７の表面７ａには、枠部１０の外側において、白色レジスト１１が塗布されている。白色レジスト１１は、例えば電気絶縁性を有するシリコーン製であり、接続端子９，９が露出するようにして、保護膜７の表面７ａに例えば３０μｍ以上の膜厚に形成されている。   A white resist 11 is applied to the surface 7 a of the protective film 7 on the outside of the frame portion 10. The white resist 11 is made of, for example, silicone having electrical insulation, and is formed on the surface 7a of the protective film 7 with a film thickness of, for example, 30 μm or more so that the connection terminals 9 are exposed.

そして、実装領域６の基板２の一面２ａに複数個のＬＥＤチップ３が直接的に実装されている。ＬＥＤチップ３は、基板２の短手方向に直線状に複数個、本実施形態では５個が設けられているとともに複数列、本実施形態では５列に設けられている。複数個のＬＥＤチップ３は、隣り合うＬＥＤチップ３，３同士が所定の間隔を有するようにして基板２の一面２ａに実装されている。   A plurality of LED chips 3 are directly mounted on one surface 2 a of the substrate 2 in the mounting area 6. A plurality of LED chips 3 are provided in a straight line in the short direction of the substrate 2. In this embodiment, five LED chips 3 are provided and in a plurality of rows, in this embodiment, five rows. The plurality of LED chips 3 are mounted on the one surface 2a of the substrate 2 so that the adjacent LED chips 3, 3 have a predetermined interval.

ＬＥＤチップ３は、図３に示すように、直方体に形成されたサファイア１２の表面に発光層１３が形成され、この発光層１３の上面１３ａに電極１４，１５が設けられている。すなわち、ＬＥＤチップ３は、フェイスアップ型に形成されている。サファイア１２は、基板２の一面２ａに透明シリコーンからなるダイボンド材１６により接着されている。発光層１３は、例えば、紫外光から青色光の領域の光を放射する発光材料例えばＩｎＧａＮを有して形成され、通電により青色光を放射する。ＬＥＤチップ３の上面１３ａにおける基板２の一面２ａからの高さＨ１は、例えば２００μｍである。   As shown in FIG. 3, the LED chip 3 has a light emitting layer 13 formed on the surface of a sapphire 12 formed in a rectangular parallelepiped, and electrodes 14 and 15 are provided on an upper surface 13 a of the light emitting layer 13. That is, the LED chip 3 is formed in a face-up type. The sapphire 12 is bonded to the one surface 2a of the substrate 2 with a die bond material 16 made of transparent silicone. The light emitting layer 13 is formed of, for example, a light emitting material that emits light in the ultraviolet to blue light region, for example, InGaN, and emits blue light when energized. The height H1 of the upper surface 13a of the LED chip 3 from the one surface 2a of the substrate 2 is, for example, 200 μm.

ＬＥＤチップ３の電極１４，１５は、図２に示すように、直列状に設けられた左隣りのＬＥＤチップ３の電極１５および右隣りのＬＥＤチップ３の電極１４にそれぞれワイヤボンディングされている。また、直列状の図中最左側のＬＥＤチップ３の電極１４は、一対の配線パターン８，８の一方にワイヤボンディングされ、直列状の図中最右側のＬＥＤチップ３の電極１５は、一対の配線パターン８，８の他方にワイヤボンディングされている。すなわち、図１に示すように、複数個のＬＥＤチップ３は、列毎にボンディングワイヤ１７により直列接続されて、一対の配線パターン８，８に電気接続されている。電極１４は、ＬＥＤチップ３の負極側となり、電極１５は、ＬＥＤチップ３の正極側となっている。そして、ＬＥＤチップ３およびボンディングワイヤ１７は、枠部１０の内側に充填された第１の透光性樹脂４および第２の透光性樹脂５により封止されている。   As shown in FIG. 2, the electrodes 14 and 15 of the LED chip 3 are wire bonded to the electrode 15 of the LED chip 3 on the left side and the electrode 14 of the LED chip 3 on the right side provided in series, respectively. Further, the electrode 14 of the leftmost LED chip 3 in the series diagram is wire-bonded to one of the pair of wiring patterns 8, 8, and the electrode 15 of the rightmost LED chip 3 in the series diagram is a pair of wiring patterns 8, 8. Wire bonding is performed on the other of the wiring patterns 8 and 8. That is, as shown in FIG. 1, the plurality of LED chips 3 are connected in series by the bonding wires 17 for each column and electrically connected to the pair of wiring patterns 8 and 8. The electrode 14 is on the negative electrode side of the LED chip 3, and the electrode 15 is on the positive electrode side of the LED chip 3. The LED chip 3 and the bonding wire 17 are sealed with a first light-transmitting resin 4 and a second light-transmitting resin 5 filled inside the frame portion 10.

第１の透光性樹脂４は、例えば電気絶縁性を有する透光性のシリコーン樹脂からなり、図２に示すように、その表面４ａが枠部１０の上面１０ａと面一となるように、枠部１０の内側に充填されている。すなわち、第１の透光性樹脂４は、ＬＥＤチップ３およびボンディングワイヤ１７を覆って封止するように、第２の透光性樹脂５の表面５ａ上に設けられている。第１の透光性樹脂４は、第２の透光性樹脂５が設けられた後に、例えば印刷により形成され、その表面４ａが平坦状となっている。   The first translucent resin 4 is made of, for example, a translucent silicone resin having electrical insulation, and as shown in FIG. 2, the surface 4 a thereof is flush with the upper surface 10 a of the frame portion 10. The inside of the frame part 10 is filled. That is, the first translucent resin 4 is provided on the surface 5 a of the second translucent resin 5 so as to cover and seal the LED chip 3 and the bonding wires 17. The first translucent resin 4 is formed, for example, by printing after the second translucent resin 5 is provided, and the surface 4a thereof is flat.

そして、第１の透光性樹脂４は、蛍光体としてのＹＡＧ蛍光体１８を所定の濃度で含有している。ＹＡＧ蛍光体１８は、ＬＥＤチップ３から放射された青色光が入射されると、その青色光を黄色光に波長変換する。すなわち、ＹＡＧ蛍光体１８は、ＬＥＤチップ３の放射光の一部を波長変換する。この波長変換された黄色光と、ＬＥＤチップ３から放射された青色光とが混合して第１の透光性樹脂４の表面４ａから外方に出射されることにより、発光体１から白色光が放射しているように見える。第１の透光性樹脂４の表面４ａは、発光体１の発光面となっている。第１の透光性樹脂４は、そのシリコーン樹脂が約２０ｋＶ／ｍｍの絶縁耐電圧を有している。   The first translucent resin 4 contains a YAG phosphor 18 as a phosphor at a predetermined concentration. When the blue light emitted from the LED chip 3 is incident, the YAG phosphor 18 converts the wavelength of the blue light into yellow light. In other words, the YAG phosphor 18 converts the wavelength of part of the emitted light from the LED chip 3. The yellow light subjected to wavelength conversion and the blue light emitted from the LED chip 3 are mixed and emitted outward from the surface 4a of the first light-transmitting resin 4, whereby white light is emitted from the light emitter 1. Appears to radiate. The surface 4 a of the first translucent resin 4 is a light emitting surface of the light emitter 1. As for the 1st translucent resin 4, the silicone resin has an insulation withstand voltage of about 20 kV / mm.

第１の透光性樹脂４は、例えばシリコーン樹脂にＹＡＧ蛍光体１８を所定の濃度となるように混入し、ＹＡＧ蛍光体１８が均一に混ざり合うようにシリコーン樹脂が練り込まれて形成されている。この練り込みのときに、シリコーン樹脂内に空気が取り込まれて、シリコーン樹脂内でＹＡＧ蛍光体１８および空気が練り込まれることがある。これにより、第１の透光性樹脂４内には、気泡１９が存在していることがある。   The first translucent resin 4 is formed, for example, by mixing the YAG phosphor 18 to a predetermined concentration in a silicone resin and kneading the silicone resin so that the YAG phosphor 18 is uniformly mixed. Yes. During this kneading, air may be taken into the silicone resin, and the YAG phosphor 18 and air may be kneaded in the silicone resin. Thereby, bubbles 19 may exist in the first translucent resin 4.

第２の透光性樹脂５は、例えば電気絶縁性を有する透明なシリコーン樹脂であり、蛍光体としてのＹＡＧ蛍光体１８を含有しない純粋な素材からなっている。これにより、第２の透光性樹脂５は、通常、その内部に空気が混入していなく、気泡１９が存在しないものである。そして、第２の透光性樹脂５は、基板２の一面２ａの実装領域６上に設けられており、第１の透光性樹脂４よりもＬＥＤチップ３側であって、ＬＥＤチップ３の周囲を埋めるように基板２の一面２ａ側に充填されている。   The second translucent resin 5 is, for example, a transparent silicone resin having electrical insulation, and is made of a pure material that does not contain the YAG phosphor 18 as a phosphor. As a result, the second translucent resin 5 is normally one in which air is not mixed and bubbles 19 do not exist. The second translucent resin 5 is provided on the mounting region 6 of the one surface 2a of the substrate 2 and is closer to the LED chip 3 than the first translucent resin 4 and The substrate 2 is filled on the one surface 2a side so as to fill the periphery.

また、第２の透光性樹脂５は、図３に示すように、その表面５ａがＬＥＤチップ３の上面１３ａまたは上面１３ａの近傍に位置するように実装領域６に充填されている。すなわち、第２の透光性樹脂５は、その表面５ａにおける基板２の一面２ａからの厚さＤ１がＬＥＤチップ３の上面１３ａとほぼ同等となるように設けられている。ここで、「ほぼ同等」とは、前記厚さＤ１の±５％を許容するものである。そして、前記厚さＤ１は、例えば２００μｍであり、例えば印刷により前記厚さＤ１が形成されている。そして、前記厚さＤ１は、第２の透光性樹脂５がＬＥＤチップ３の両電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、金属製の基板２との間で所定の絶縁耐電圧を有するものである。第２の透光性樹脂５は、約２０ｋＶ／ｍｍの絶縁耐電圧を有している。
次に、本発明の第１の実施形態の作用について述べる。 Further, as shown in FIG. 3, the second translucent resin 5 is filled in the mounting region 6 so that the surface 5 a thereof is located in the upper surface 13 a of the LED chip 3 or in the vicinity of the upper surface 13 a. That is, the second translucent resin 5 is provided so that the thickness D1 from the one surface 2a of the substrate 2 on the surface 5a thereof is substantially equal to the upper surface 13a of the LED chip 3. Here, “substantially equivalent” allows ± 5% of the thickness D1. The thickness D1 is, for example, 200 μm, and the thickness D1 is formed by printing, for example. The thickness D1 is such that the second translucent resin 5 has a predetermined insulation withstand voltage between the electrodes 14 and 15 and the bonding wires 17 of the LED chip 3 and the metal substrate 2. is there. The second translucent resin 5 has an insulation withstand voltage of about 20 kV / mm.
Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be described.

発光体１は、照明装置に配設されて、接続端子９，９に点灯装置からの出力線が接続される。そして、発光体１に点灯装置から電力が供給されると、ＬＥＤチップ３に所定の電流が流れる。ＬＥＤチップ３は、発熱し、発光層１３から青色光を放射する。   The light emitter 1 is disposed in a lighting device, and an output line from the lighting device is connected to the connection terminals 9 and 9. Then, when electric power is supplied to the light emitter 1 from the lighting device, a predetermined current flows through the LED chip 3. The LED chip 3 generates heat and emits blue light from the light emitting layer 13.

発光層１３から放射された青色光の一部は、直接的に、第１の透光性樹脂４内に入射する。また、青色光の一部は、第２の透光性樹脂５を透過して基板２の一面２ａに入射し、また、サファイア１２およびダイボンド材１６を透過して基板２の一面２ａに入射する。   Part of the blue light emitted from the light emitting layer 13 is directly incident on the first translucent resin 4. Part of the blue light is transmitted through the second translucent resin 5 and incident on the first surface 2 a of the substrate 2, and transmitted through the sapphire 12 and the die bond material 16 and incident on the first surface 2 a of the substrate 2. .

基板２の一面２ａは、高い反射率を有する高反射面に形成されているので、基板２の一面２ａに入射した青色光は、高い反射率で反射される。反射された青色光は、第２の透光性樹脂５を透過し、また、ダイボンド材１６およびサファイア１２を透過して、第２の透光性樹脂５の表面５ａから第１の透光性樹脂４内に入射する。   Since the one surface 2a of the substrate 2 is formed on a highly reflective surface having a high reflectance, the blue light incident on the one surface 2a of the substrate 2 is reflected with a high reflectance. The reflected blue light is transmitted through the second translucent resin 5, transmitted through the die bond material 16 and sapphire 12, and is transmitted from the surface 5 a of the second translucent resin 5 to the first translucent resin. Incident into the resin 4.

第２の透光性樹脂５は、ＹＡＧ蛍光体１８および他の粒子（物質）を含有しないので、第２の透光性樹脂５を透過する青色光は、ＹＡＧ蛍光体１８および他の粒子に入射してこれらでの吸収や乱反射等による光損失がなく、第１の透光性樹脂４内に入射する。すなわち、発光層１３から放射されて基板２の一面２ａに入射する青色光は、第２の透光性樹脂５内における光損失が小さく、基板２の一面２ａが高反射面であることにより、高効率で第１の透光性樹脂４内に入射する。   Since the second translucent resin 5 does not contain the YAG phosphor 18 and other particles (substances), the blue light transmitted through the second translucent resin 5 is transmitted to the YAG phosphor 18 and other particles. There is no light loss due to absorption or irregular reflection due to the incident light, and the light enters the first translucent resin 4. That is, the blue light emitted from the light emitting layer 13 and incident on the surface 2a of the substrate 2 has a small light loss in the second translucent resin 5, and the surface 2a of the substrate 2 is a highly reflective surface. The light enters the first translucent resin 4 with high efficiency.

そして、第１の透光性樹脂４内に入射した青色光は、その一部が第１の透光性樹脂４を透過して表面４ａから外方に出射される。また、当該青色光の一部は、第１の透光性樹脂４に含有されたＹＡＧ蛍光体１８により黄色光に波長変換されて、第１の透光性樹脂４の表面４ａから外方に出射される。そして、第１の透光性樹脂４の表面４ａから出射される青色光と黄色光とが混合（混色）することにより、白色光が得られる。すなわち、発光体１から白色光が放射される。   A part of the blue light incident on the first translucent resin 4 passes through the first translucent resin 4 and is emitted outward from the surface 4a. In addition, a part of the blue light is wavelength-converted to yellow light by the YAG phosphor 18 contained in the first translucent resin 4, and outward from the surface 4 a of the first translucent resin 4. Emitted. Then, white light is obtained by mixing (mixing) blue light and yellow light emitted from the surface 4a of the first translucent resin 4. That is, white light is emitted from the light emitter 1.

発光体１は、上述したように、第２の透光性樹脂５がＹＡＧ蛍光体１８や他の粒子を含有していなく、基板２の一面２ａが高反射面に形成されていることにより、ＬＥＤチップ３の発光層１３から放射された青色光は、高い効率で第１の透光性樹脂４内に入射される。これにより、発光体１は、高い発光効率を有するものである。   As described above, the light-emitting body 1 includes the second translucent resin 5 that does not contain the YAG phosphor 18 and other particles, and the one surface 2a of the substrate 2 is formed on the highly reflective surface. Blue light emitted from the light emitting layer 13 of the LED chip 3 is incident on the first translucent resin 4 with high efficiency. Thereby, the light-emitting body 1 has high luminous efficiency.

そして、ＬＥＤチップ３の発熱による熱は、ＬＥＤチップ３がダイボンド材１６により基板２の一面２ａに接着されて設けられており、かつ基板２が金属アルニウムであることにより、迅速に基板２に熱伝導されて基板２から放熱される。また、前記熱は、第１および第２の透光性樹脂４，５に熱伝導されて、第１の透光性樹脂４の表面４ａなどから外部空間に放熱される。これにより、ＬＥＤチップ３の温度上昇が抑制される。   The heat generated by the heat generated by the LED chip 3 is quickly applied to the substrate 2 because the LED chip 3 is bonded to the one surface 2a of the substrate 2 by the die bonding material 16 and the substrate 2 is metallic aluminum. Conducted and radiated from the substrate 2. The heat is conducted to the first and second translucent resins 4 and 5 and is radiated from the surface 4a of the first translucent resin 4 to the external space. Thereby, the temperature rise of the LED chip 3 is suppressed.

ところで、蛍光体を含有する封止部材は、その素材に蛍光体を混入して練り合わせるときに、空気も混入して練り合わせやすい。これにより、蛍光体を含有する封止部材は、気泡１９が存在しやすくなっており、大量生産の中では気泡１９の存在が避けられないものとなっている。   By the way, the sealing member containing the phosphor is easy to knead with air when the phosphor is mixed into the material and kneaded. Thereby, the sealing member containing a phosphor easily has bubbles 19, and the presence of bubbles 19 is unavoidable in mass production.

封止部材として使用されるシリコーン樹脂は、通常、２０ｋＶ／ｍｍ程度の絶縁性能を有し、ボンディングワイヤ１７と高反射アルミニウムの金属製の基板２との間は、ＬＥＤチップ３の高さＨ１以上の間隔、すなわち、ＬＥＤチップ３の高さＨ１が少なくとも０．１ｍｍであることにより０．１ｍｍ以上の間隔を有するので、基板２の表面２ａに封止部材が確実に充填されていれば２ｋＶ以上の絶縁耐電圧が確保される。しかしながら、封止部材に気泡１９が存在すると、気泡１９の絶縁耐電圧がシリコーン樹脂の絶縁耐電圧よりも非常に低いので、その分、封止部材の厚さが実質的に減少することになり、絶縁性能の低い発光体となるものである。   The silicone resin used as the sealing member usually has an insulation performance of about 20 kV / mm, and the height between the bonding wire 17 and the highly reflective aluminum metal substrate 2 is not less than the height H1 of the LED chip 3. , That is, when the height H1 of the LED chip 3 is at least 0.1 mm, it has a distance of 0.1 mm or more. Therefore, if the surface 2a of the substrate 2 is reliably filled with the sealing member, it is 2 kV or more. Insulation withstand voltage is ensured. However, if the bubbles 19 are present in the sealing member, the insulation withstand voltage of the bubbles 19 is much lower than that of the silicone resin, so that the thickness of the sealing member is substantially reduced accordingly. It becomes a light-emitting body with low insulation performance.

また、蛍光体を含有する封止部材は、気泡１９が存在していなくても、蛍光体を含有していない封止部材に比べて絶縁性能が低下することが知られている。これは、蛍光体粒子の表面に沿って導電経路が形成されることによると説明されている。したがって、高反射アルミニウムの基板２において、蛍光体を含有する封止部材でＬＥＤチップ３を封止する発光体は、発光効率が高くても絶縁性能が低くなる。また、蛍光体粒子に限らず、一般に、封止部材に粒子状の物質が含有されている場合でも絶縁性能が低下することが知られている。これも、蛍光体粒子と同様に、粒子状の物質の表面に沿って導電経路が形成されることによると説明されている。   Further, it is known that the sealing member containing the phosphor has a lower insulating performance than the sealing member not containing the phosphor even if the bubbles 19 are not present. This is explained by the fact that a conductive path is formed along the surface of the phosphor particles. Therefore, in the highly reflective aluminum substrate 2, the light emitting body that seals the LED chip 3 with the sealing member containing the phosphor has low insulation performance even if the light emission efficiency is high. In addition to the phosphor particles, it is generally known that the insulating performance is lowered even when the sealing member contains a particulate substance. It is also explained that this is due to the formation of a conductive path along the surface of the particulate substance, similarly to the phosphor particles.

本実施形態のＬＥＤチップ３は、フェイスアップ型であるので、その電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、基板２の一面２ａとの絶縁距離は、ＬＥＤチップ３の高さＨ１以上を有している。そして、第２の透光性樹脂５は、約２０ｋＶ／ｍｍを有するシリコーン樹脂からなり、ＹＡＧ蛍光体１８や他の粒子を含有しないので、ＬＥＤチップ３の絶縁耐電圧は、ＬＥＤチップ３の高さＨ１が２００μｍであることにより、約４ｋＶとなっている。これは、発光体１が照明装置に使用されるのに必要かつ十分な絶縁耐電圧（絶縁性能）となっている。   Since the LED chip 3 of the present embodiment is a face-up type, the insulation distance between the electrodes 14 and 15 and the bonding wires 17 and the one surface 2a of the substrate 2 has a height H1 or more of the LED chip 3. Yes. And since the 2nd translucent resin 5 consists of a silicone resin which has about 20 kV / mm, and does not contain the YAG fluorescent substance 18 and other particle | grains, the insulation withstand voltage of LED chip 3 is the high voltage of LED chip 3. Since the height H1 is 200 μm, it is about 4 kV. This is an insulation withstand voltage (insulation performance) necessary and sufficient for the light emitter 1 to be used in a lighting device.

仮に、第２の透光性樹脂５にＹＡＧ蛍光体１８や他の粒子が含有していると、ＬＥＤチップ３が給電されて、電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、基板２との間に電位差が発生しているときに、ＹＡＧ蛍光体１８や他の粒子の表面が導電経路となって、第２の透光性樹脂５における絶縁耐電圧が低下する。これにより、発光体１の絶縁性能が低下するものである。   If the second translucent resin 5 contains the YAG phosphor 18 and other particles, the LED chip 3 is supplied with power, and between the electrodes 14 and 15 and the bonding wire 17 and the substrate 2. When a potential difference is generated, the surface of the YAG phosphor 18 or other particles serves as a conductive path, and the dielectric strength voltage in the second translucent resin 5 decreases. Thereby, the insulation performance of the light-emitting body 1 falls.

また、ＬＥＤチップ３およびボンディングワイヤ１７が第１の透光性樹脂４のみで封止されていると、ＹＡＧ蛍光体１８の表面が導電経路となって、電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、基板２の一面２ａとの絶縁耐電圧が低下するものである。また、第１の透光性樹脂４は、気泡１９が存在していることが多く、気泡１９が存在していると、気泡１９の絶縁耐電圧は、シリコーン樹脂の絶縁耐電圧よりも非常に小さいので、電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、基板２の一面２ａとの絶縁耐電圧が低下するものである。これらによって、発光体１の絶縁性能が低下するものである。   Further, when the LED chip 3 and the bonding wire 17 are sealed only with the first translucent resin 4, the surface of the YAG phosphor 18 becomes a conductive path, and the electrodes 14, 15 and the bonding wire 17, The dielectric strength voltage with respect to the one surface 2a of the substrate 2 is reduced. In addition, the first translucent resin 4 often has bubbles 19, and when the bubbles 19 are present, the insulation withstand voltage of the bubbles 19 is much higher than the insulation withstand voltage of the silicone resin. Since it is small, the dielectric strength voltage between the electrodes 14 and 15 and the bonding wire 17 and the one surface 2a of the substrate 2 is lowered. By these, the insulation performance of the light-emitting body 1 falls.

本実施形態の発光体１によれば、基板２は、その一面２ａが高反射に形成され、第２の透光性樹脂５は、ＹＡＧ蛍光体１８および他の粒子を含有しないので、ＬＥＤチップ３から放射された放射光のうち基板２の一面２ａに入射して反射された放射光を第１の透光性樹脂４側に効率的に透過させるとともに、ＬＥＤチップ３の絶縁性能が低下しなく、これにより、高い発光効率と必要かつ十分な絶縁性能を確保できるという効果を有する。   According to the light emitter 1 of the present embodiment, the substrate 2 is formed so that one surface 2a thereof is highly reflective, and the second translucent resin 5 does not contain the YAG phosphor 18 and other particles. Among the radiated light radiated from 3, the radiated light incident on the surface 2 a of the substrate 2 and reflected is efficiently transmitted to the first translucent resin 4 side, and the insulation performance of the LED chip 3 is reduced. This has the effect of ensuring high luminous efficiency and necessary and sufficient insulation performance.

そして、第２の透光性樹脂５は、その表面５ａにおける基板２の一面２ａからの厚さＤ１が所定の絶縁耐圧を有するように設けらることにより、ＬＥＤチップ３の高さＨ１に係わらず、ＬＥＤチップ３の電極１４，１５およびボンディングワイヤ１７と、高反射アルミニウムの基板２の一面２ａとの間の絶縁耐電圧を一般照明用として必要かつ十分に確保できるという効果を有する。   The second translucent resin 5 is related to the height H1 of the LED chip 3 by providing the thickness D1 of the surface 5a from the one surface 2a of the substrate 2 to have a predetermined withstand voltage. In other words, there is an effect that the insulation withstand voltage between the electrodes 14 and 15 and the bonding wires 17 of the LED chip 3 and the one surface 2a of the highly reflective aluminum substrate 2 can be ensured as necessary and sufficient for general illumination.

また、第２の透光性樹脂５は、前記厚さＤ１がＬＥＤチップ３の上面１３ａとほぼ同等となるように設けられているので、基板２の一面２ａに容易に設けることができ、これにより、第２の透光性樹脂５が設けられることによる発光体１のコストアップを抑制できるという効果を有する。   Further, since the second translucent resin 5 is provided so that the thickness D1 is substantially equal to the upper surface 13a of the LED chip 3, it can be easily provided on the first surface 2a of the substrate 2. Thus, there is an effect that an increase in cost of the light emitter 1 due to the provision of the second translucent resin 5 can be suppressed.

なお、本実施形態の第２の透光性樹脂５は、その表面５ａにおける基板２の一面２ａからの厚さＤ１が１００〜３００μｍに形成されていてもよい。厚さＤ１が１００μｍ以上であれば、約２０ｋＶ／ｍｍの絶縁耐電圧を有するシリコーン樹脂において、約２ｋＶ以上の絶縁耐電圧が確保されるので、発光体１は、照明装置に使用されても、必要かつ十分な絶縁性能を確保できる。厚さＤ１が３００μｍを超えると、基板２の一面２ａで反射された放射光の第２の透光性樹脂５での透過率が減少して発光体１の発光効率が低下し、また、第２の透光性樹脂５の充填量が多くなって発光体１をコストアップさせるので好ましくない。したがって、厚さＤ１は、３００μｍ以下とするものである。
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
本実施形態の照明装置２１は、図４に示すように構成される。なお、図４において、図１と同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。 In addition, as for the 2nd translucent resin 5 of this embodiment, thickness D1 from the one surface 2a of the board | substrate 2 in the surface 5a may be formed in 100-300 micrometers. If the thickness D1 is 100 μm or more, in the silicone resin having an insulation withstand voltage of about 20 kV / mm, an insulation withstand voltage of about 2 kV or more is ensured. Therefore, even when the light emitter 1 is used in a lighting device, Necessary and sufficient insulation performance can be secured. When the thickness D1 exceeds 300 μm, the transmittance of the radiated light reflected by the one surface 2a of the substrate 2 through the second light-transmitting resin 5 decreases, and the luminous efficiency of the light emitter 1 decreases. Since the filling amount of the translucent resin 5 of 2 increases the cost of the light emitter 1, it is not preferable. Accordingly, the thickness D1 is set to 300 μm or less.
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The illumination device 21 of this embodiment is configured as shown in FIG. In FIG. 4, the same parts as those in FIG.

照明装置２１は、天井面等に埋設されるダウンライトであり、略円筒状の装置本体２２の下端側２２ａに円形の化粧枠２３がリベット２４により取り付けられ、この化粧枠２３に透光性カバー２４が配設されている。化粧枠２３は、その外面２３ａに補強片２５が設けられている。   The lighting device 21 is a downlight embedded in a ceiling surface or the like, and a circular decorative frame 23 is attached to a lower end side 22a of a substantially cylindrical device body 22 by a rivet 24, and a translucent cover is attached to the decorative frame 23. 24 is arranged. The decorative frame 23 is provided with a reinforcing piece 25 on its outer surface 23a.

そして、装置本体２２は、左右両側に装置本体２２を天井面等に固定するための一対の取付けばね２６，２６をリベット２７により取り付けている。また、装置本体２２は、下端側２２ａの内部に図１に示す発光体１を回転対称に４個配設している。   The apparatus main body 22 has a pair of attachment springs 26 and 26 for fixing the apparatus main body 22 to the ceiling surface or the like on both the left and right sides by means of rivets 27. Further, the apparatus main body 22 has four light emitters 1 shown in FIG. 1 disposed rotationally symmetrically in the lower end side 22a.

また、装置本体２２は、その中間側２２ｂの内部に点灯装置２８が配設されている。点灯装置２８は、交流電源を直流電源に変換し、発光体１のＬＥＤチップ３に定電流（電力）を供給するように形成されている。すなわち、点灯装置２８は、発光体１のＬＥＤチップ３を点灯するように形成されている。そして、装置本体２２の上面側２２ｃには、交流電源からの図示しない電源線を接続する端子台２９が配設されている。   Further, the lighting device 28 is disposed inside the intermediate side 22b of the device body 22. The lighting device 28 is formed to convert an AC power source into a DC power source and supply a constant current (electric power) to the LED chip 3 of the light emitter 1. That is, the lighting device 28 is formed to light the LED chip 3 of the light emitter 1. A terminal block 29 for connecting a power line (not shown) from the AC power source is disposed on the upper surface side 22c of the apparatus main body 22.

本実施形態の照明装置２１は、高反射アルミニウムの基板２を使用して高い発光効率を有する発光体１を具備しているので、器具効率が向上して、照明空間を明るく照明することができるという効果を有する。   Since the illumination device 21 of the present embodiment includes the light emitter 1 having high luminous efficiency using the substrate 2 made of highly reflective aluminum, the instrument efficiency is improved and the illumination space can be illuminated brightly. It has the effect.

なお、照明装置２１は、埋込型のダウンライトに形成したが、これに限らず、長尺形の基板を用いて図１のように発光体を形成し、当該発光体を具備する長形の埋込型、直付け型や吊り下げ型などの照明装置に形成されたものであってもよい。
また、本実施形態の照明装置は、発光体１を光源として使用するＥ形、ＧＸ５３形やＧ２３形等の口金を有するＬＥＤランプであってもよい。 The lighting device 21 is formed as an embedded downlight. However, the lighting device 21 is not limited to this, and a light emitter is formed as shown in FIG. 1 using a long substrate, and the elongated device includes the light emitter. It may be formed in an illuminating device such as an embedded type, a direct attachment type, or a hanging type.
Moreover, the illuminating device of this embodiment may be an LED lamp having a base such as an E shape, a GX53 shape, or a G23 shape that uses the light emitter 1 as a light source.

また、本発明の上述した実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Further, the above-described embodiment of the present invention is presented as an example, and is not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１…発光体、 ２…基板、 ３…ＬＥＤチップ、 ４…第１の透光性樹脂、 ５…第２の透光性樹脂、 ２１…照明装置、 ２２…装置本体、 ２８…点灯装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting body, 2 ... Board | substrate, 3 ... LED chip, 4 ... 1st translucent resin, 5 ... 2nd translucent resin, 21 ... Illuminating device, 22 ... Apparatus main body, 28 ... Lighting device

Claims (5)

高反射の一面が一体に形成された金属製の基板と；
この基板の一面に直接的に実装されたフェイスアップ型の複数個のＬＥＤチップと；
このＬＥＤチップの放射光の一部を波長変換する蛍光体を含有し、前記ＬＥＤチップを覆うように設けられた第１の透光性樹脂と；
この第１の透光性樹脂よりも前記ＬＥＤチップ側であって、前記ＬＥＤチップの周囲を埋めるように前記基板の一面側に充填され、前記蛍光体を含有しない電気絶縁性の第２の透光性樹脂と；
を具備していることを特徴とする発光体。 A metal substrate on which a highly reflective surface is integrally formed;
A plurality of face-up type LED chips mounted directly on one surface of the substrate;
A first translucent resin that contains a phosphor that converts a part of the emitted light of the LED chip and that covers the LED chip;
An electrically insulating second transparent material which is filled on the one surface side of the substrate so as to fill the periphery of the LED chip and closer to the LED chip than the first light transmissive resin. A photo-resin;
A light emitter characterized by comprising: 前記第２の透光性樹脂は、その表面における前記基板の一面からの厚さが所定の絶縁耐圧を有するように設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光体。   The light emitting body according to claim 1, wherein the second translucent resin is provided such that a thickness of the second translucent resin from one surface of the substrate has a predetermined withstand voltage. 前記第２の透光性樹脂は、前記厚さが前記ＬＥＤチップの上面とほぼ同等となるように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の発光体。   3. The light emitting body according to claim 1, wherein the second translucent resin is provided so that the thickness is substantially equal to an upper surface of the LED chip. 前記第２の透光性樹脂は、１００〜３００μｍの前記厚さを有することを特徴とする請求項１ないし３いずれか一記載の発光体。   4. The light emitter according to claim 1, wherein the second translucent resin has the thickness of 100 to 300 μm. 請求項１ないし４いずれか一記載の発光体と；
この発光体を配設している装置本体と；
前記発光体のＬＥＤチップを点灯する点灯装置と；
を具備していることを特徴とする照明装置。 A light emitter according to any one of claims 1 to 4;
An apparatus main body in which the light emitter is disposed;
A lighting device for lighting the LED chip of the light emitter;
An illumination device comprising:
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194404A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2017062931A (en) * 2015-09-24 2017-03-30 東芝ライテック株式会社 Light emitting module, lamp device, and lighting device
JP2017112288A (en) * 2015-12-18 2017-06-22 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JPWO2019093339A1 (en) * 2017-11-13 2020-12-17 デンカ株式会社 Lighting device with mounting board for LED lighting

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194404A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
CN107615497A (en) * 2015-05-29 2018-01-19 西铁城电子株式会社 Light-emitting device and its manufacture method
JPWO2016194404A1 (en) * 2015-05-29 2018-03-22 シチズン電子株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
CN107615497B (en) * 2015-05-29 2019-05-21 西铁城电子株式会社 Light emitting device and its manufacturing method
US10714460B2 (en) 2015-05-29 2020-07-14 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2017062931A (en) * 2015-09-24 2017-03-30 東芝ライテック株式会社 Light emitting module, lamp device, and lighting device
JP2017112288A (en) * 2015-12-18 2017-06-22 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JPWO2019093339A1 (en) * 2017-11-13 2020-12-17 デンカ株式会社 Lighting device with mounting board for LED lighting

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