JP2015045590A - Device and method for measuring electromagnetic wave loss using electromagnetic wave absorption layer - Google Patents

Device and method for measuring electromagnetic wave loss using electromagnetic wave absorption layer Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a measuring device capable of measuring a loss relating to an electromagnetic wave in a frequency band exceeding 1 GHz.SOLUTION: A measuring device 1 includes: an emission waveguide 11 having a region that becomes wider in cross-section opening along an advancing direction of an electromagnetic wave between a power supply terminal and an emission opening; a first ridge 14 arranged inside the waveguide 11; an incident waveguide 12 having a region that becomes narrower in cross-section opening along the advancing direction of the electromagnetic wave between an emission opening and a detection terminal; a second ridge 15 arranged inside the waveguide 12; and an electromagnetic wave absorption layer including a material for absorbing the electromagnetic wave and covering inner surfaces of the emission waveguide 11 and the incident wave guide 12. The electromagnetic wave absorption layer preferably has a layer thickness distribution in which a layer thickness of a layer portion covering the inner surface of the emission opening becomes larger than the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the power supply terminal. Thereby, resonance of the electromagnetic wave in the emission waveguide 11 is suppressed so as to allow a shield effect in a high frequency band to be measured.

Description

本発明は、電磁波シールド材等の試料における電磁波に係る損失特性を測定する技術に関するものである。   The present invention relates to a technique for measuring loss characteristics related to electromagnetic waves in a sample such as an electromagnetic shielding material.

近年、社会の高度情報化に伴い、無線通信では高周波帯域の電磁波が広く利用されている。また、様々な場面で使用される種々の電子機器もその動作に伴い高周波電磁波を放射する。このように環境に遍満する電磁波による電子機器の誤動作や回路破壊、さらには人体等への悪影響を防止するため、現在種々の電磁波シールド材が利用されている。特に、電子機器にはEMC(Electro-Magnetic Compatibility)対策として電磁波シールド材を適用することが不可欠である。   In recent years, with the advancement of sophistication in society, electromagnetic waves in a high frequency band are widely used in wireless communication. Also, various electronic devices used in various scenes radiate high-frequency electromagnetic waves along with their operations. In this way, various electromagnetic shielding materials are currently used in order to prevent malfunction of electronic devices, circuit destruction, and adverse effects on human bodies and the like due to electromagnetic waves that are full of environment. In particular, it is indispensable to apply an electromagnetic shielding material as an EMC (Electro-Magnetic Compatibility) measure for electronic equipment.

この電磁波シールド材として、現在、軽量化および低コスト化の要請から、伝統的材料である金属材に代わって導電性繊維や導電性高分子材等の種々の材料が開発されている。この際、用途に適したシールド性能を発揮させるためにも、これらの電磁波シールド材の有するシールド効果を予め正確に把握しておくことが重要となる。従来、このシールド効果の測定方法として、たとえば非特許文献1に記載されたKEC(Kansai Electronic industry development Center)法が広く利用されてきた。   As the electromagnetic shielding material, various materials such as conductive fibers and conductive polymer materials have been developed in place of metal materials, which are traditional materials, due to demands for weight reduction and cost reduction. At this time, it is important to accurately grasp the shielding effect of these electromagnetic wave shielding materials in advance in order to exhibit shielding performance suitable for the application. Conventionally, for example, a KEC (Kansai Electronic industry development Center) method described in Non-Patent Document 1 has been widely used as a method for measuring the shielding effect.

KEC法によるシールド効果測定装置は、電磁波送信用の治具と電磁波受信用の治具とを有し、両治具の間に測定試料(電磁波シールド材)を配置し、送信された電磁波信号が受信側でどの程度減衰したかを計測する。すなわち、この装置は電磁波の透過損失を測定した上で、その結果から測定試料のシールド効果を導出する。   The shield effect measuring device by the KEC method has an electromagnetic wave transmitting jig and an electromagnetic wave receiving jig, a measurement sample (electromagnetic wave shielding material) is arranged between both jigs, and the transmitted electromagnetic wave signal is transmitted. Measure how much it has attenuated on the receiving side. That is, this apparatus measures the transmission loss of electromagnetic waves and derives the shielding effect of the measurement sample from the result.

佐藤利三郎他、「EMC電磁環境学ハンドブック」、科学技術出版株式会社、2009年9月発行、597〜607ページRisaburo Sato et al., "EMC Electromagnetic Environment Handbook", Science and Technology Publishing Co., Ltd., September 2009, 597-607 pages

現在、利用される電磁波の更なる高周波化が進んでいる。たとえば、携帯電話網で使用される電磁波の周波数は約0.7ないし2ギガヘルツ(GHz)に至っており、さらに無線LANでは約5GHzの周波数も使用されている。このような事情から、実際に電磁波シールド材に対し、たとえば10GHzを超える周波数帯でのシールド効果の保証が要請される場合も多い。   At present, the frequency of electromagnetic waves used is further increased. For example, the frequency of electromagnetic waves used in mobile phone networks has reached about 0.7 to 2 gigahertz (GHz), and a frequency of about 5 GHz is also used in wireless LANs. Under such circumstances, there are many cases where an electromagnetic shielding material is actually required to guarantee a shielding effect in a frequency band exceeding 10 GHz, for example.

しかしながら、従来のシールド効果測定装置では、1GHzを超える周波数帯域でのシールド効果を測定することが困難である。実際、このような高周波電磁波を従来の装置内に励起して測定試料に照射しようとすると、励起された高周波電磁波と送信用治具および受信用治具との間で強い共振が発生してしまう。これにより、出力として得られた高周波電力が大きく変動してノイズを多量に含み、結果として正確なシールド効果を算出することができなくなる。   However, it is difficult for the conventional shield effect measuring apparatus to measure the shield effect in a frequency band exceeding 1 GHz. In fact, when such a high-frequency electromagnetic wave is excited in a conventional apparatus to irradiate the measurement sample, strong resonance occurs between the excited high-frequency electromagnetic wave and the transmitting jig and the receiving jig. . As a result, the high-frequency power obtained as an output fluctuates greatly and contains a large amount of noise, and as a result, an accurate shielding effect cannot be calculated.

本発明はこのような課題に鑑み、1GHzを超える周波数帯域での電磁波に係る損失を測定することができる測定装置および測定方法を提供することを目的とする。   In view of such a problem, an object of the present invention is to provide a measuring apparatus and a measuring method capable of measuring a loss related to an electromagnetic wave in a frequency band exceeding 1 GHz.

本発明は上述の課題を解決するために、電力を供給する側の給電端と電磁波が出射する出射開口との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が広くなる部位を有する出射導波管と、出射導波管の内表面から突出して配設された第1のリッジと、出射導波管の出射開口と対向していてこの出射開口との間に試料を設置可能な入射開口を有し、この入射開口と電磁波を検出する側の検出端との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が狭くなる部位を有する入射導波管と、入射導波管の内表面から突出して配設された第2のリッジと、電磁波を吸収する材料を含み、出射導波管および入射導波管の内表面を覆う電磁波吸収層とを有する測定装置を提供する。   In order to solve the above-described problem, the present invention provides an output waveguide having a portion in which a cross-sectional opening is widened along an electromagnetic wave traveling direction between a power supply end on a power supply side and an output opening from which an electromagnetic wave is output. A first ridge that protrudes from the inner surface of the output waveguide, and an incident opening that faces the output opening of the output waveguide and allows a sample to be placed between the output opening. An incident waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes narrower along the electromagnetic wave traveling direction between the incident opening and the detection end on the electromagnetic wave detecting side, and is arranged to protrude from the inner surface of the incident waveguide A measuring device having a second ridge and an electromagnetic wave absorbing layer that includes a material that absorbs electromagnetic waves and covers the inner surfaces of the outgoing waveguide and the incoming waveguide is provided.

ここで、電磁波吸収層は、少なくとも第1のリッジの根元にある互いに対向する導波管内表面上で、出射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚が、給電端部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有することが好ましい。   Here, in the electromagnetic wave absorption layer, the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the exit opening portion covers the inner surface of the feeding end portion on at least the waveguide inner surfaces facing each other at the base of the first ridge. It is preferable to have a layer thickness distribution that is greater than the layer thickness of the layer portion.

本発明によれば、さらに、試料の電磁波に係る損失の測定方法であって、内部に第1のリッジが配設され、電力を供給する側の給電端と電磁波が出射する出射開口との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が広くなる部位を有する出射導波管における内表面と、内部に第2のリッジが配設され、出射開口に対向する入射開口と電磁波を検出する側の検出端との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が狭くなる部位を有する入射導波管における内表面とを、電磁波を吸収する材料を含む電磁波吸収層で覆い、出射開口と入射開口との間に試料を設置し、給電端側から電力を供給して励起した電磁波を試料に照射し、この試料を透過した電磁波によって発生する電力を検出端側から検出する測定方法が提供される。   According to the present invention, there is further provided a method for measuring a loss related to an electromagnetic wave of a sample, in which a first ridge is disposed between a feeding end on a power supply side and an emission opening from which the electromagnetic wave is emitted. The inner surface of the output waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes wider along the traveling direction of the electromagnetic wave, the second ridge is disposed inside, and the detection of the incident opening facing the output opening and the side detecting the electromagnetic wave Cover the inner surface of the incident waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes narrower along the traveling direction of the electromagnetic wave with the end with an electromagnetic wave absorbing layer containing a material that absorbs the electromagnetic wave, and between the outgoing opening and the incident opening. A measurement method is provided in which a sample is placed on the sample, and the sample is irradiated with electromagnetic waves excited by supplying power from the power supply end side, and the power generated by the electromagnetic waves transmitted through the sample is detected from the detection end side.

本発明によれば、1GHzを超える周波数帯域での電磁波に係る損失を測定することができる。   According to the present invention, it is possible to measure a loss related to an electromagnetic wave in a frequency band exceeding 1 GHz.

本発明によるシールド効果測定装置の一実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example of the shielding effect measuring apparatus by this invention. 図1に示す出射ホーンのyz面による斜視断面図である。It is a perspective sectional view by the yz plane of the outgoing horn shown in FIG. 図1に示す出射ホーンの上面図である。It is a top view of the radiation | emission horn shown in FIG. 図1に示す出射ホーン内に配設された出射リッジを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the output ridge arrange | positioned in the output horn shown in FIG. 電磁波吸収層がない測定装置の出射ホーンを示すyz面の斜視断面図である。It is a perspective sectional view of the yz plane which shows the outgoing horn of a measuring device without an electromagnetic wave absorption layer. 電磁波吸収層が設置された測定装置の出射ホーンを示すyz面の斜視断面図である。It is a perspective sectional view of the yz plane showing an output horn of a measuring device provided with an electromagnetic wave absorption layer. 電磁波吸収層がない場合における測定装置内の電流密度分布図である。It is a current density distribution figure in a measuring device in case there is no electromagnetic wave absorption layer. 電磁波吸収層が設置された場合における測定装置内の電流密度分布図である。It is a current density distribution figure in a measuring device in case an electromagnetic wave absorption layer is installed. 図2および図3に示した電磁波吸収層を説明するための出射ホーンのyz面断面図である。FIG. 4 is a yz-plane cross-sectional view of an output horn for explaining the electromagnetic wave absorbing layer shown in FIGS. 2 and 3. 本発明に係る電磁波吸収層の他の実施例を示す出射ホーンのyz面断面図である。It is yz surface sectional drawing of the output horn which shows the other Example of the electromagnetic wave absorption layer which concerns on this invention. 本発明に係る電磁波吸収層のさらに他の実施例を示す出射ホーンのyz面断面図である。It is yz surface sectional drawing of the output horn which shows other Example of the electromagnetic wave absorption layer which concerns on this invention. 本発明に係る電磁波吸収層のさらに他の実施例を示す出射ホーンの上面図である。It is a top view of the radiation | emission horn which shows other Example of the electromagnetic wave absorption layer which concerns on this invention. シールド効果測定のシミュレーション実験を実施したシールド効果測定装置の装置モデルを示す正面図である。It is a front view which shows the apparatus model of the shield effect measuring apparatus which implemented the simulation experiment of the shield effect measurement. 図6に示した層厚一定の電磁波吸収層を設置した場合におけるシールド効果測定のシミュレーション実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation experiment result of the shield effect measurement at the time of installing the electromagnetic wave absorption layer with the constant layer thickness shown in FIG. 以下のシールド効果測定の実施例に用いたパンチングメタルを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the punching metal used for the Example of the following shield effect measurement. 層厚一定の電磁波吸収層を設置した場合および層厚分布を持たせた電磁波吸収層を設置した場合におけるシールド効果測定のシミュレーション実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation experiment result of the shield effect measurement in the case where the electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness is installed and the electromagnetic wave absorbing layer having a layer thickness distribution is installed. ガイド導波部がない装置モデルおよび設置された装置モデルによる励起電磁波が3GHzでのシールド効果測定のシミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result of the shield effect measurement in case the excitation electromagnetic waves by the apparatus model without a guide waveguide part and the installed apparatus model are 3 GHz. ガイド導波部がない装置モデルおよび設置された装置モデルによる励起電磁波が9GHzでのシールド効果測定のシミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result of the shield effect measurement in case the excitation electromagnetic waves by the apparatus model which does not have a guide waveguide part, and the installed apparatus model is 9 GHz.

次に添付図面を参照して本発明を実施するための形態を詳細に説明する。
[シールド効果測定装置]
図1は、本発明によるシールド効果測定装置の一実施例を示す斜視図である。なお、以後の図面では必要に応じて図示された対象の向きを示すxyz軸座標系が表示される。ここで、z軸は装置内を伝播する電磁波の進行方向を向いた軸として設定される。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Next, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[Shielding effect measuring device]
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a shield effect measuring apparatus according to the present invention. In the subsequent drawings, an xyz axis coordinate system indicating the orientation of the object shown is displayed as necessary. Here, the z-axis is set as an axis facing the traveling direction of the electromagnetic wave propagating in the apparatus.

図1によれば、本発明によるシールド効果測定装置1は、出射ホーン11および入射ホーン12を含み、両ホーンの間に配置された測定試料における電磁波の透過損失を測定することができる。本実施例では、測定試料を挟持しつつ出射ホーン11と入射ホーン12とを中継するガイド導波部13が更に配設されている。ここで、狭持される測定試料は、透過損失を測定しやすいように板状またはシート状であることが好ましい。   According to FIG. 1, a shield effect measuring apparatus 1 according to the present invention includes an output horn 11 and an input horn 12, and can measure the transmission loss of electromagnetic waves in a measurement sample disposed between both horns. In this embodiment, a guide waveguide section 13 is further provided that relays the output horn 11 and the incident horn 12 while sandwiching the measurement sample. Here, it is preferable that the measurement sample to be held has a plate shape or a sheet shape so that the transmission loss can be easily measured.

出射ホーン11は、電力を供給する側の給電端112と電磁波が出射する出射開口111との間に、電磁波進行方向(z軸方向)に沿って(z軸に垂直な断面での)断面開口が広くなる部位を有する出射導波管である。出射ホーン11の管内には、第1のリッジである出射リッジ14が出射ホーン11の内表面から突出する形で配設されている。一方、入射ホーン12は、電磁波が入射する入射開口121と電磁波を検出する側の検出端122との間に、電磁波進行方向(z軸方向)に沿って(z軸に垂直な断面での)断面開口が狭くなる部位を有する入射導波管である。入射ホーン12の管内には、第2のリッジである入射リッジ15が入射ホーン12の内表面から突出する形で配設されている。出射ホーン11の出射開口111と入射ホーン12の入射開口121とはガイド導波部13を介して対向しており、測定試料はガイド導波部13に狭持され、出射開口111と入射開口121との間に設置される。   The exit horn 11 has a cross-sectional opening (in a cross section perpendicular to the z-axis) along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction) between the feeding end 112 on the power supply side and the exit opening 111 from which the electromagnetic wave exits. Is an output waveguide having a widened area. In the tube of the output horn 11, an output ridge 14 as a first ridge is disposed so as to protrude from the inner surface of the output horn 11. On the other hand, the incident horn 12 is disposed along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction) between the incident opening 121 where the electromagnetic wave is incident and the detection end 122 on the electromagnetic wave detection side (in a cross section perpendicular to the z-axis). It is an incident waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes narrow. In the tube of the incident horn 12, an incident ridge 15 as a second ridge is disposed so as to protrude from the inner surface of the incident horn 12. The exit aperture 111 of the exit horn 11 and the entrance aperture 121 of the entrance horn 12 are opposed to each other via the guide waveguide portion 13, and the measurement sample is held between the guide waveguide portion 13. It is installed between.

出射ホーン11(および出射リッジ14)と入射ホーン12(および入射リッジ15)とはそれぞれ、本実施例において1ないし18GHzの周波数帯域を有する角錐状のリッジホーンアンテナを構成する。出射ホーン11の給電端112側に取り付けられたRF入力コネクタ17から高周波電力が供給されて高周波電磁波が励起される。高周波電磁波は、出射ホーン11内を測定試料位置まで伝播して測定試料を透過し、その後入射ホーン12内を伝播して、入射ホーン12の検出端122側に取り付けられたRF入力コネクタ18から高周波電力として取り出される。   The exit horn 11 (and the exit ridge 14) and the entrance horn 12 (and the entrance ridge 15) each constitute a pyramid-shaped ridge horn antenna having a frequency band of 1 to 18 GHz in this embodiment. High frequency power is supplied from an RF input connector 17 attached to the feeding end 112 side of the output horn 11, and high frequency electromagnetic waves are excited. The high-frequency electromagnetic wave propagates through the output horn 11 to the position of the measurement sample, passes through the measurement sample, and then propagates through the incident horn 12 and then from the RF input connector 18 attached to the detection end 122 side of the incident horn 12. It is taken out as electric power.

図2は、出射ホーン11のyz面による斜視断面図である。また、図3は、出射ホーン11の上面図である。   FIG. 2 is a perspective sectional view of the output horn 11 taken along the yz plane. FIG. 3 is a top view of the output horn 11.

図2および図3によれば、電磁波を吸収する特性を有する電磁波吸収層161および162が、出射ホーン11の導波管(ホーン)内表面を覆うように設置されている。電磁波吸収層161は、出射リッジ14の根元にある互いに対向するホーン内表面の各々の上に設置され、一方、電磁波吸収層162は、出射リッジ14を間に置いて互いに対向するホーン内表面の各々の上に設置されている。   2 and 3, the electromagnetic wave absorption layers 161 and 162 having the characteristic of absorbing electromagnetic waves are provided so as to cover the inner surface of the waveguide (horn) of the output horn 11. The electromagnetic wave absorbing layer 161 is disposed on each of the horn inner surfaces facing each other at the root of the output ridge 14, while the electromagnetic wave absorbing layer 162 is disposed on the horn inner surface facing each other with the output ridge 14 therebetween. It is installed on each.

このうち、電磁波吸収層161は、出射開口111部位の内表面を覆う層部分の層厚が、給電端112部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有する。本実施例の電磁波吸収層161は、さらに、電磁波進行方向(z軸方向)に沿って増加する層厚分布を示し、この方向に平行であって且つ互いに平行な層表面を有する。   Among these, the electromagnetic wave absorption layer 161 has a layer thickness distribution in which the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the exit opening 111 site is larger than the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the feeding end 112 site. The electromagnetic wave absorbing layer 161 of the present embodiment further exhibits a layer thickness distribution that increases along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction), and has layer surfaces that are parallel to this direction and parallel to each other.

一方、電磁波吸収層162は、本実施例において一定の層厚分布を有するが、電磁波吸収層161と同様に層厚が電磁波進行方向(z軸方向)に沿って増加する分布を有していてもよい。ここで、出射ホーン11のホーン内表面のすべてが電磁波吸収層で覆われていることが好ましい。これは、ホーン内表面に露出部分が存在するとその位置で電磁波の共振が発生しやすくなってしまうことによる。なお、電磁波吸収層161および162の層厚は、出射ホーン11のホーン内表面の法線方向での厚さとする。ここで、出射開口111側の層端面位置で層が斜断された形となっている場合、この層端面位置での厚さを層厚とはしない。   On the other hand, the electromagnetic wave absorption layer 162 has a constant layer thickness distribution in the present embodiment, but has a distribution in which the layer thickness increases along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction) as with the electromagnetic wave absorption layer 161. Also good. Here, it is preferable that the entire horn inner surface of the output horn 11 is covered with the electromagnetic wave absorbing layer. This is because if an exposed portion is present on the inner surface of the horn, electromagnetic wave resonance tends to occur at that position. The layer thicknesses of the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 are the thicknesses in the normal direction of the inner surface of the output horn 11. Here, when the layer is obliquely cut at the layer end face position on the emission opening 111 side, the thickness at the layer end face position is not regarded as the layer thickness.

電磁波吸収層161および162はともに、たとえばカーボン粒を含浸させたウレタン型電波吸収体を含む層とすることができる。たとえば、ホーン内表面上にウレタン型電波吸収シートを貼付して電磁波吸収層161および162としてもよい。なお、当然に他の種類の電波吸収体、たとえばフェライト等の磁性体粉末または導電性繊維等を混合させたものや、ポリスチロールまたはゴム等のマトリックスを用いた吸収体を用いて電磁波吸収層161および162を構成することも可能である。さらには、誘電体粉末もしくは繊維、導電体粉末もしくは繊維、または磁性体粉末もしくは繊維を拡散させた所定の液体を固化させて電磁波吸収層161および162としてもよい。   Both the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 can be a layer including a urethane type wave absorber impregnated with carbon particles, for example. For example, the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 may be formed by attaching a urethane type electromagnetic wave absorbing sheet on the inner surface of the horn. Of course, other types of electromagnetic wave absorbers, such as those obtained by mixing magnetic powder such as ferrite or conductive fibers, etc., or absorbers using a matrix such as polystyrene or rubber are used. And 162 can be configured. Further, the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 may be formed by solidifying a predetermined liquid obtained by diffusing dielectric powder or fiber, conductor powder or fiber, or magnetic powder or fiber.

また、電磁波吸収層161および162を互いに誘電率の異なる層による2層以上の多層構造として、層全体の厚みを小さくしたり高周波電磁波の吸収性能を向上させたりしてもよい。各層の誘電率は、たとえばカーボンの含浸量を変化させることによって調整することができる。または、異なる種類の電波吸収体からなる層を積層させてもよい。このような多層構造の場合、層数および各層の誘電率は、多層構造全体の見かけの誘電率が測定で使用される電磁波の周波数範囲に適した値となるように決定される。   Further, the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 may have a multilayer structure of two or more layers having different dielectric constants, and the thickness of the entire layer may be reduced or the high frequency electromagnetic wave absorbing performance may be improved. The dielectric constant of each layer can be adjusted, for example, by changing the amount of carbon impregnation. Or you may laminate | stack the layer which consists of a different kind of electromagnetic wave absorber. In the case of such a multilayer structure, the number of layers and the dielectric constant of each layer are determined so that the apparent dielectric constant of the entire multilayer structure is a value suitable for the frequency range of the electromagnetic wave used in the measurement.

さらに、電磁波吸収層161および162は、層厚方向について層内の誘電率が変化する誘電率分布を有していてもよい。これによっても、層全体の厚みを小さくしたり高周波電磁波の吸収性能を向上させたりすることができる。このような誘電率の分布は、たとえばカーボンの含浸量を層厚方向について変化させることによって実現することができる。   Further, the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 may have a dielectric constant distribution in which the dielectric constant in the layer changes in the layer thickness direction. This also makes it possible to reduce the thickness of the entire layer and improve the absorption performance of high-frequency electromagnetic waves. Such a dielectric constant distribution can be realized, for example, by changing the carbon impregnation amount in the layer thickness direction.

また、入射ホーン12および入射リッジ15、さらには入射ホーン12のホーン内表面上の電磁波吸収層も、図2および図3と同様の構成とすることができる。同一の構造を有する2つのリッジホーンアンテナを突き合わせて、出射ホーン11および出射リッジ14ならびに入射ホーン12および入射リッジ15としてもよい。   In addition, the incident horn 12 and the incident ridge 15, and the electromagnetic wave absorbing layer on the inner surface of the incident horn 12 can also have the same configuration as that shown in FIGS. Two ridge horn antennas having the same structure may be matched to form an output horn 11 and an output ridge 14, and an input horn 12 and an input ridge 15.

図4は、出射ホーン11内に配設された出射リッジ14を示す模式図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the output ridge 14 disposed in the output horn 11.

図4ならびに図2および図3によれば、出射リッジ14は、出射ホーン11における互いに対向するホーン内表面の各々の中央から突出し、電磁波進行方向(z軸方向)に沿って互いの間隔を広げるように伸長した形で配設された2枚の羽根状金属板である。また、これらの金属板の間に高周波電力を供給するための同軸給電部141が設けられている。同軸給電部141は、RF入力コネクタ17に接続され、外部からRF入力コネクタ17を介して高周波電力を取り込む。   According to FIGS. 4, 2, and 3, the output ridge 14 protrudes from the center of each of the horn inner surfaces facing each other in the output horn 11 and widens the distance between each other along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction). It is two blade-shaped metal plates arrange | positioned in the extended form. Further, a coaxial power feeding portion 141 for supplying high frequency power is provided between these metal plates. The coaxial power feeding unit 141 is connected to the RF input connector 17 and takes in high-frequency power from the outside via the RF input connector 17.

同軸給電部141から高周波電力を供給することによって、出射リッジ14と出射ホーン11との間で電界が発生し、出射ホーン11内に高周波電磁波が励起される。励起された高周波電磁波は、TEM波(Transverse Electro-Magnetic Wave)がTEMセル内を電界および磁界に垂直な方向に進むのと同様の原理でz軸方向(測定試料に向かう方向)に伝播する。測定試料に入射した電磁波はその一部が吸収されたり反射されたりするが、測定試料を透過した電磁波は、入射リッジ15と入射ホーン12との間に電界を発生させ、入射ホーン12内をz軸方向に伝播して、RF出力コネクタ18から出力電力として取り出される。   By supplying high-frequency power from the coaxial power feeding section 141, an electric field is generated between the output ridge 14 and the output horn 11, and high-frequency electromagnetic waves are excited in the output horn 11. The excited high-frequency electromagnetic wave propagates in the z-axis direction (direction toward the measurement sample) on the same principle as a TEM wave (Transverse Electro-Magnetic Wave) travels in the TEM cell in a direction perpendicular to the electric field and magnetic field. A part of the electromagnetic wave incident on the measurement sample is absorbed or reflected, but the electromagnetic wave transmitted through the measurement sample generates an electric field between the incident ridge 15 and the incident horn 12 and z in the incident horn 12 It propagates in the axial direction and is taken out as output power from the RF output connector 18.

なお、入射リッジ15も図4と同様の構造を有するものとすることができる。この場合は、図4の同軸給電部141が電力の取り出し口となる。
[電磁波吸収層]
図5および図6は、それぞれ電磁波吸収層がない測定装置および電磁波吸収層が設置された測定装置の出射ホーンを示すyz面の斜視断面図である。また、図7および図8は、それぞれ電磁波吸収層がない場合および設置された場合における測定装置内の電流密度分布図である。さらに、図9は、図2および図3に示した電磁波吸収層161を説明するための出射ホーン11のyz面断面図である。
The incident ridge 15 can also have the same structure as in FIG. In this case, the coaxial power feeding unit 141 in FIG. 4 serves as a power outlet.
[Electromagnetic wave absorption layer]
FIG. 5 and FIG. 6 are perspective sectional views of the yz plane showing the output horn of the measuring device without the electromagnetic wave absorbing layer and the measuring device provided with the electromagnetic wave absorbing layer, respectively. FIGS. 7 and 8 are current density distribution diagrams in the measuring apparatus when there is no electromagnetic wave absorbing layer and when it is installed. Further, FIG. 9 is a yz plane cross-sectional view of the output horn 11 for explaining the electromagnetic wave absorbing layer 161 shown in FIGS.

図7の電流密度分布図は、図5に示した電磁波吸収層がない場合における、8GHzの高周波電磁波をホーン内に励起させた際のホーン内表面およびリッジ表面での電流密度の分布を示している。一方、図8の電流密度分布図は、図6に示した一定の層厚分布を有する電磁波吸収層が設置された場合における、8GHzの高周波電磁波をホーン内に励起させた際のホーン内表面およびリッジ表面での電流密度の分布を示している。図7および図8の分布図において、同じ明度の部分は同一の電流密度を有する部分であり、明度が高いほど高い電流密度を示す。   The current density distribution diagram of FIG. 7 shows the current density distribution on the horn inner surface and the ridge surface when an 8 GHz high frequency electromagnetic wave is excited in the horn without the electromagnetic wave absorbing layer shown in FIG. Yes. On the other hand, the current density distribution diagram of FIG. 8 shows the inner surface of the horn when an electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness distribution shown in FIG. The current density distribution on the ridge surface is shown. In the distribution diagrams of FIG. 7 and FIG. 8, portions having the same lightness are portions having the same current density, and the higher the lightness, the higher the current density.

図7によれば、電磁波吸収層がない場合、励起された電磁波がホーンおよびリッジの全体で反射し共振して電流が広範囲で発生していることが分かる。一方、図8によれば、電磁波吸収層が設置された場合、電流の発生は全体的に抑制されるが、ホーンの出射開口および入射開口付近のリッジ根元部分にはなお電流が発生し、この部分に係る共振が残存している。このように、一定の層厚分布を有する電磁波吸収層を設置することによって、ホーンおよびリッジの形状に起因する電磁波の共振は相当に低減されることが分かる。また、その一方で、電磁波吸収層を設置しても、出射開口および入射開口付近のリッジ根元部分に係る共振が残存することも理解される。   According to FIG. 7, it can be seen that when there is no electromagnetic wave absorbing layer, the excited electromagnetic wave is reflected by the entire horn and ridge and resonates to generate a current in a wide range. On the other hand, according to FIG. 8, when the electromagnetic wave absorption layer is installed, the generation of current is suppressed as a whole, but current is still generated in the ridge root portion near the exit opening and the entrance opening of the horn. Resonance related to the portion remains. Thus, it can be seen that by installing the electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness distribution, the resonance of the electromagnetic wave due to the shape of the horn and the ridge is considerably reduced. On the other hand, it is understood that even when the electromagnetic wave absorbing layer is provided, the resonance related to the root portion of the ridge near the exit aperture and the entrance aperture remains.

この残存する共振を押さえ込むべく、図9に示したように、出射開口111付近での電磁波吸収層161の層厚をより大きくする。具体的には、電磁波吸収層161に電磁波進行方向(z軸方向)に沿って最小層厚tminから最大層厚tmaxまで変化する層厚分布を設定する。このような電磁波吸収層161の層厚分布を実現することによって、電磁波吸収層161の対向する最大層厚tmax部分の間に位置する電磁波は、図9に示した出射開口111におけるリッジ間の中央Fに集中し、図8に示したような電流密度分布の集中が解消される。これにより電磁波の共振を十分に抑制することができる。 In order to suppress this remaining resonance, the layer thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 161 near the emission opening 111 is increased as shown in FIG. Specifically, a layer thickness distribution that changes from the minimum layer thickness t min to the maximum layer thickness t max is set in the electromagnetic wave absorption layer 161 along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction). By realizing such a layer thickness distribution of the electromagnetic wave absorbing layer 161, an electromagnetic wave positioned between the opposing maximum layer thickness t max portions of the electromagnetic wave absorbing layer 161 is caused between the ridges in the emission opening 111 shown in FIG. Concentration at the center F eliminates the concentration of the current density distribution as shown in FIG. Thereby, resonance of electromagnetic waves can be sufficiently suppressed.

特に、電磁波吸収層161において、出射開口111部位の内表面を覆う層部分の層厚を大きくすることによって、上述した電流密度分布の集中がより効果的に解消されるのである。このように、電磁波吸収層161の層厚分布は、出射ホーン11のホーン内表面および出射リッジの表面での電流密度の極大値を低減させるように決定することが好ましい。   In particular, in the electromagnetic wave absorption layer 161, by increasing the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the exit opening 111, the above-described concentration of the current density distribution is more effectively eliminated. Thus, the layer thickness distribution of the electromagnetic wave absorbing layer 161 is preferably determined so as to reduce the maximum value of the current density on the inner horn surface of the output horn 11 and the surface of the output ridge.

ここで、入射ホーン12の入射開口121付近での電磁波吸収層の層厚をより大きくすることも好ましい。これにより、入射ホーン12内においても電磁波の共振を十分に抑制することができる。すなわち、入射ホーン12内においても、ホーン内表面および出射リッジの表面での電流密度の極大値を低減させるように電磁波吸収層の層厚分布を決定することが好ましい。   Here, it is also preferable to increase the thickness of the electromagnetic wave absorption layer in the vicinity of the incident aperture 121 of the incident horn 12. Thereby, the resonance of the electromagnetic wave can be sufficiently suppressed even in the incident horn 12. That is, also in the incident horn 12, it is preferable to determine the layer thickness distribution of the electromagnetic wave absorbing layer so as to reduce the maximum value of the current density on the inner surface of the horn and the surface of the output ridge.

なお、以上に説明した電磁波吸収層を有するシールド効果測定装置1の出射ホーン側を取り出して、出射ホーンの出射開口から出射した電磁波を測定試料に照射することも可能である。この場合、共振ノイズの抑制された電磁波を照射するので、たとえば測定試料の高周波帯域での反射損失(反射係数)を従来よりも正確に測定することができる。   It is also possible to take out the output horn side of the shield effect measuring apparatus 1 having the electromagnetic wave absorption layer described above and irradiate the measurement sample with the electromagnetic wave emitted from the exit opening of the exit horn. In this case, since the electromagnetic wave in which the resonance noise is suppressed is irradiated, for example, the reflection loss (reflection coefficient) in the high frequency band of the measurement sample can be measured more accurately than before.

図10および図11は、本発明に係る電磁波吸収層の他の実施例を示す出射ホーンのyz面断面図であり、図12は、本発明に係る電磁波吸収層のさらに他の実施例を示す出射ホーンの上面図である。   FIGS. 10 and 11 are yz-plane cross-sectional views of an output horn showing another embodiment of the electromagnetic wave absorption layer according to the present invention, and FIG. 12 shows still another embodiment of the electromagnetic wave absorption layer according to the present invention. It is a top view of an output horn.

図10によれば、電磁波吸収層163は、出射リッジの根元にある互いに対向するホーン内表面の各々の上に設置されている。電磁波吸収層163の層厚は電磁波進行方向(z軸方向)に沿って増加しているが、対向する層表面同士は電磁波進行方向(z軸方向)に沿ってその間隔を狭めている。一方、図11によれば、電磁波吸収層164も、出射リッジの根元にある互いに対向するホーン内表面の各々の上に設置されている。また、電磁波吸収層164の層厚も電磁波進行方向(z軸方向)に沿って増加しているが、対向する層表面同士は電磁波進行方向(z軸方向)に沿ってその間隔を広げている。これらの態様の電磁波吸収層によっても、励起した電磁波を出射開口におけるリッジ間の中央に集中させ、電磁波の共振を十分に抑制することができる。   According to FIG. 10, the electromagnetic wave absorbing layer 163 is disposed on each of the horn inner surfaces facing each other at the base of the emission ridge. The layer thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 163 increases along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction), but the distance between the opposing layer surfaces is narrowed along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction). On the other hand, according to FIG. 11, the electromagnetic wave absorbing layer 164 is also disposed on each of the horn inner surfaces facing each other at the base of the emission ridge. Further, the layer thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 164 also increases along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction), but the interval between the opposing layer surfaces is increased along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction). . Also with the electromagnetic wave absorbing layer of these embodiments, the excited electromagnetic wave can be concentrated at the center between the ridges in the emission opening, and the resonance of the electromagnetic wave can be sufficiently suppressed.

図12によれば、電磁波吸収層166は、電磁波吸収層165と同様に、層厚が電磁波進行方向(z軸方向)に沿って増加する層厚分布を有している。すなわち、出射リッジの根元にある互いに対向するホーン内表面上に設置された電磁波吸収層165だけでなく、出射リッジを間に置いて互いに対向するホーン内表面上に設置されている電磁波吸収層166も、出射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚が、給電端部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有している。このような態様の電磁波吸収層によっても、励起した電磁波を出射開口におけるリッジ間の中央により集中させ、電磁波の共振を十分に抑制することができる。
[シールド効果測定]
以下、本発明のシールド効果測定装置によるシールド効果測定の実施例を示す。最初にシールド効果について説明する。シールド効果SEは、一般に次式(1)で算出される。
According to FIG. 12, the electromagnetic wave absorption layer 166 has a layer thickness distribution in which the layer thickness increases along the electromagnetic wave traveling direction (z-axis direction), like the electromagnetic wave absorption layer 165. That is, not only the electromagnetic wave absorbing layer 165 disposed on the inner surface of the horn facing each other at the base of the outgoing ridge, but also the electromagnetic wave absorbing layer 166 installed on the inner surface of the horn facing each other with the outgoing ridge interposed therebetween. In addition, the layer thickness distribution of the layer portion covering the inner surface of the exit opening portion is larger than the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the feeding end portion. The electromagnetic wave absorbing layer having such an aspect can also concentrate the excited electromagnetic wave at the center between the ridges in the emission opening, and sufficiently suppress the resonance of the electromagnetic wave.
[Shield effect measurement]
Examples of shield effect measurement by the shield effect measuring apparatus of the present invention will be described below. First, the shielding effect will be described. The shield effect SE is generally calculated by the following equation (1).

ここで、E0は測定試料を装置1に設置していない場合(ブランクの場合)の入射ホーン12での電界強度(伝送レベル)であり、ESは測定試料を装置1に設置した場合の(試料を透過した電磁波における)入射ホーン12での電界強度(伝送レベル)である。また、P0はブランクの場合の入射ホーン12のRF出力コネクタ18(図1)から出力される電力であり、PSは測定試料を装置1に設置した場合のRF出力コネクタ18から出力される電力である。 Here, E 0 is the electric field strength (transmission level) at the incident horn 12 when the measurement sample is not installed in the apparatus 1 (in the case of a blank), and ES is when the measurement sample is installed in the apparatus 1. The electric field strength (transmission level) at the incident horn 12 (in the electromagnetic wave transmitted through the sample). P 0 is the power output from the RF output connector 18 (FIG. 1) of the incident horn 12 in the case of a blank, and P S is output from the RF output connector 18 when the measurement sample is installed in the apparatus 1. Electric power.

図13は、シールド効果測定のシミュレーション実験を実施したシールド効果測定装置1の装置モデルを示す正面図である。   FIG. 13 is a front view showing a device model of the shield effect measuring device 1 in which a simulation experiment for shield effect measurement was performed.

図13に示すように、以下に示す実施例では、特にことわりのない限り、測定試料はシールド効果測定装置1の装置モデルのガイド導波部13に狭持されて設置されていた。また、測定モデルの出射ホーン11および入射ホーン12のz軸方向での長さLzは152mmであった。ガイド導波部13のz軸方向での長さ2Lgは100mm(Lg=50mm)であった。さらに、出射開口のx軸方向での幅Wx(図3)は240mmであり、出射開口のy軸方向での高さHy(図3)は139mmであった。また、出射リッジ14および入射リッジ15の厚みは8.6mmであった。 As shown in FIG. 13, in the embodiment shown below, unless otherwise specified, the measurement sample is sandwiched and installed in the guide waveguide portion 13 of the device model of the shield effect measuring device 1. Further, the length L z in the z-axis direction of the output horn 11 and the incident horn 12 of the measurement model was 152 mm. The length 2L g in the z-axis direction of the guide waveguide portion 13 was 100 mm (L g = 50 mm). Further, the width W x (FIG. 3) in the x-axis direction of the exit aperture was 240 mm, and the height H y (FIG. 3) in the y-axis direction of the exit aperture was 139 mm. The thicknesses of the exit ridge 14 and the entrance ridge 15 were 8.6 mm.

図14は、図6に示した層厚一定の電磁波吸収層を設置した場合におけるシールド効果測定のシミュレーション実験結果を示すグラフである。   FIG. 14 is a graph showing the results of a simulation experiment for measuring the shielding effect when the electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness shown in FIG. 6 is installed.

本実施例では、図6に示した層厚一定の電磁波吸収層を設置した装置モデルを用いて、シールド効果を測定するシミュレーション実験を行った。測定試料は、比誘電率が9であり、厚みが0.5マイクロメートル(μm)であって、導電率σがそれぞれ5.8×104S/m、5.8×105S/m、5.8×106S/mおよび5.8×107S/mである4種類であった。図14のグラフは、励起した電磁波の周波数(GHz)を横軸にとり、測定されたシールド効果(dB)を縦軸にとっている。グラフ中の実線は、シールド効果のシミュレーション値に対しスプライン補間を行った結果得られたものである。また、破線は、平面波近似された等価伝送路法を用いて計算されたシールド効果の理論値を示す。 In this example, a simulation experiment for measuring the shielding effect was performed using the apparatus model in which the electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness shown in FIG. 6 was installed. The measurement sample has a relative dielectric constant of 9, a thickness of 0.5 micrometers (μm), and conductivity σ of 5.8 × 10 4 S / m, 5.8 × 10 5 S / m, and 5.8 × 10 6 S, respectively. There were 4 types of / m and 5.8 × 10 7 S / m. In the graph of FIG. 14, the frequency (GHz) of the excited electromagnetic wave is plotted on the horizontal axis, and the measured shielding effect (dB) is plotted on the vertical axis. The solid line in the graph is obtained as a result of performing spline interpolation on the simulation value of the shielding effect. The broken line indicates the theoretical value of the shielding effect calculated using the equivalent transmission path method approximated by plane waves.

図14によれば、シールド効果は、いずれの測定試料においても理論値に近い値を示す。すなわち、電磁波吸収層を設置することによって、導電率σが5.8×104S/mないし5.8×107S/mの範囲の測定試料について1〜13GHzの周波数範囲で理論値に近いシールド効果の測定値を得ることができる。しかしながら、横軸(周波数)に沿ってシールド効果の変動が見られる。この変動は、図8を用いて説明したように層厚一定の電磁波吸収層を設置しても残存する共振に起因するものである。 According to FIG. 14, the shielding effect shows a value close to the theoretical value in any measurement sample. That is, by installing an electromagnetic wave absorbing layer, the shielding effect close to the theoretical value is obtained in the frequency range of 1 to 13 GHz for a measurement sample having an electrical conductivity σ ranging from 5.8 × 10 4 S / m to 5.8 × 10 7 S / m. Measurements can be obtained. However, fluctuations in the shielding effect can be seen along the horizontal axis (frequency). As described with reference to FIG. 8, this variation is caused by resonance that remains even if an electromagnetic wave absorption layer having a constant layer thickness is provided.

図15は、以下のシールド効果測定の実施例に用いたパンチングメタルを示す模式図である。   FIG. 15 is a schematic diagram showing a punching metal used in Examples of the following shielding effect measurement.

図15に示すように、パンチングメタルは、直径dの貫通孔をピッチaで正方格子状に配置させた厚さtの金属板である。パンチングメタルのシールド効果SEの理論値は、次式(2)で算出される。   As shown in FIG. 15, the punching metal is a metal plate having a thickness t in which through holes having a diameter d are arranged in a square lattice pattern with a pitch a. The theoretical value of the shielding effect SE of the punching metal is calculated by the following equation (2).

ここで、λ0はパンチングメタルに照射された電磁波の波長である。式(2)のシールド効果の理論値は、無限大の表面を有するパンチングメタルに平面波が垂直に照射された場合の値である。 Here, λ 0 is the wavelength of the electromagnetic wave irradiated to the punching metal. The theoretical value of the shielding effect of the formula (2) is a value when a plane wave is vertically irradiated onto a punching metal having an infinite surface.

以下、シールド効果SEの理論値が導出されたパンチングメタルを用いて、シールド効果測定のシミュレーション実験を行った2つの実施例を示す。   Hereinafter, two examples in which a simulation experiment of shield effect measurement was performed using a punching metal from which a theoretical value of the shield effect SE was derived will be described.

ここで、一方の実施例では、図6に示した層厚一定の電磁波吸収層167を含む装置モデルによって、パンチングメタルのシールド効果を測定するシミュレーション実験を実施した。また、他方の実施例では、図2に示した層厚分布を有する電磁波吸収層161および層厚一定の電磁波吸収層162を含む装置モデルによって、パンチングメタルのシールド効果を測定するシミュレーション実験を実施した。パンチングメタルは、ピッチaが3ミリメートル(mm)であって厚さが0.5mmであり、貫通孔の直径dがそれぞれ1mm、2mmおよび3mmである3種類を用いた。   Here, in one example, a simulation experiment for measuring the shielding effect of punching metal was performed using an apparatus model including the electromagnetic wave absorbing layer 167 having a constant layer thickness shown in FIG. In the other embodiment, a simulation experiment for measuring the shielding effect of the punching metal was carried out by the apparatus model including the electromagnetic wave absorbing layer 161 having the layer thickness distribution shown in FIG. 2 and the electromagnetic wave absorbing layer 162 having a constant layer thickness. . Three types of punching metal having a pitch a of 3 millimeters (mm), a thickness of 0.5 mm, and through-hole diameters d of 1 mm, 2 mm, and 3 mm were used.

また、電磁波吸収層167の一定の層厚は10mmであった。一方、電磁波吸収層161は、最大層厚tmax(図9)が36mmであり最小層厚tmin(図9)が1mmである層厚分布を有していた。また、電磁波吸収層162の一定の層厚は10mmであった。さらに、電磁波吸収層167ならびに電磁波吸収層161および162の比誘電率は2であり、導電率は0.8S/mであった。 The constant thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 167 was 10 mm. On the other hand, the electromagnetic wave absorbing layer 161 had a layer thickness distribution in which the maximum layer thickness t max (FIG. 9) was 36 mm and the minimum layer thickness t min (FIG. 9) was 1 mm. The constant thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 162 was 10 mm. Furthermore, the relative dielectric constant of the electromagnetic wave absorbing layer 167 and the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 was 2, and the conductivity was 0.8 S / m.

図16は、層厚一定の電磁波吸収層を設置した場合および層厚分布を持たせた電磁波吸収層を設置した場合におけるシールド効果測定のシミュレーション実験結果を示すグラフである。   FIG. 16 is a graph showing the results of a simulation experiment for measuring the shielding effect when an electromagnetic wave absorbing layer having a constant layer thickness is installed and when an electromagnetic wave absorbing layer having a layer thickness distribution is installed.

図16のグラフは、励起した電磁波の周波数(GHz)を横軸にとり、測定されたシールド効果(dB)を縦軸にとっている。また、グラフ中の実線および点線は、それぞれ層厚一定の電磁波吸収層の場合および層厚分布を持たせた電磁波吸収層の場合でのシールド効果のシミュレーション値に対しスプライン補間を行った結果得られたものである。   In the graph of FIG. 16, the horizontal axis represents the frequency (GHz) of the excited electromagnetic wave, and the vertical axis represents the measured shielding effect (dB). The solid and dotted lines in the graph are obtained as a result of performing spline interpolation on the simulation value of the shielding effect in the case of an electromagnetic wave absorption layer having a constant layer thickness and in the case of an electromagnetic wave absorption layer having a layer thickness distribution, respectively. It is a thing.

図16によれば、層厚一定の電磁波吸収層の場合では、d=1、2および3(mm)のいずれにおいても、測定された2ないし10GHzの周波数範囲で共振を示す変動が見られる。特に、周波数が3.1GHz当たりで強い共振を示すピークが出現する。これは、図8で説明したホーンの出射開口および入射開口付近のリッジ根元部分に集中した電流密度分布に対応する共振に相当する。   According to FIG. 16, in the case of an electromagnetic wave absorption layer having a constant layer thickness, fluctuations showing resonance are observed in the measured frequency range of 2 to 10 GHz at any of d = 1, 2 and 3 (mm). In particular, a peak showing strong resonance appears at a frequency of around 3.1 GHz. This corresponds to the resonance corresponding to the current density distribution concentrated at the root portion of the ridge near the exit opening and the entrance opening of the horn described in FIG.

一方、層厚分布を持たせた電磁波吸収層の場合では、層厚一定の電磁波吸収層の場合と比較して、2ないし10GHzの周波数範囲で共振に対応する変動が抑制され、安定した測定結果が得られることが分かる。ちなみに、図16のグラフにおいて、層厚一定の場合(点線)ではスムージング処理によって多数発生したリップルを除去しているが、層厚分布を持たせた場合(実線)ではスムージング処理は実施されておらず、それでもリップルの抑制された出力が得られている。   On the other hand, in the case of an electromagnetic wave absorption layer having a layer thickness distribution, compared to the case of an electromagnetic wave absorption layer with a constant layer thickness, fluctuations corresponding to resonance are suppressed in the frequency range of 2 to 10 GHz, and stable measurement results are obtained. It can be seen that Incidentally, in the graph of FIG. 16, when the layer thickness is constant (dotted line), many ripples generated by the smoothing process are removed, but when the layer thickness distribution is given (solid line), the smoothing process is not performed. Nevertheless, an output with suppressed ripples is obtained.

次いで、ガイド導波部13を設置することのシールド効果測定に対する影響を検討する。   Next, the influence of the guide waveguide unit 13 on the shield effect measurement will be examined.

図17は、ガイド導波部13がない装置モデルおよび設置された装置モデルによる励起電磁波が3GHzでのシールド効果測定のシミュレーション結果を示すグラフである。また、図18は、ガイド導波部13がない装置モデルおよび設置された装置モデルによる励起電磁波が9GHzでのシールド効果測定のシミュレーション結果を示すグラフである。   FIG. 17 is a graph showing a simulation result of the shielding effect measurement when the excitation electromagnetic wave is 3 GHz by the device model without the guide waveguide portion 13 and the installed device model. FIG. 18 is a graph showing a simulation result of the shield effect measurement when the excitation electromagnetic wave is 9 GHz by the device model without the guide waveguide section 13 and the installed device model.

なお、両装置モデルに設置された電磁波吸収層は図2の電磁波吸収層161および162であった。電磁波吸収層161は、最大層厚tmax(図9)が36mmであり最小層厚tmin(図9)が1mmである層厚分布を有していた。また、電磁波吸収層162の一定の層厚は10mmであった。さらに、電磁波吸収層161および162の比誘電率は2であり、導電率は0.8S/mであった。 The electromagnetic wave absorbing layers installed in both device models were the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 in FIG. The electromagnetic wave absorbing layer 161 had a layer thickness distribution in which the maximum layer thickness t max (FIG. 9) was 36 mm and the minimum layer thickness t min (FIG. 9) was 1 mm. The constant thickness of the electromagnetic wave absorbing layer 162 was 10 mm. Furthermore, the relative dielectric constants of the electromagnetic wave absorbing layers 161 and 162 were 2, and the electrical conductivity was 0.8 S / m.

図17および図18のグラフでは、横軸が測定試料であるパンチングメタルのピッチa(mm)であり、縦軸がシールド効果(dB)である。ここで、シールド効果(dB)は縦軸下向きに値が増加するようにプロットされている。また、ガイド導波部がない装置モデルによるパンチングメタルのシールド効果の測定をシミュレーションした結果を三角印で示し、一方、ガイド導波部13を含む装置モデルによるパンチングメタルのシールド効果の測定をシミュレーションした結果を点線で示す。   In the graphs of FIGS. 17 and 18, the horizontal axis represents the pitch a (mm) of the punching metal as the measurement sample, and the vertical axis represents the shielding effect (dB). Here, the shielding effect (dB) is plotted so that the value increases downward on the vertical axis. In addition, the simulation result of the measurement of the shielding effect of the punching metal by the device model without the guide waveguide portion is indicated by a triangle mark, while the measurement of the shielding effect of the punching metal by the device model including the guide waveguide portion 13 is simulated. The result is shown by a dotted line.

図17によれば、励起電磁波の周波数が3GHzでは、ガイド導波部13がない場合も設置された場合もともにおおむね理論値通りの値を示すが、ガイド導波部13が設置された場合の方がより理論値に近い結果となる。一方、図18によれば、励起電磁波の周波数が9GHzでは、ガイド導波部13がない場合も設置された場合もともにおおむね理論値に近い値を示し、両者の結果はほぼ一致する。   According to FIG. 17, when the frequency of the excitation electromagnetic wave is 3 GHz, both the case where the guide waveguide unit 13 is not provided and the case where the guide waveguide unit 13 is installed generally show values as theoretical values. The result is closer to the theoretical value. On the other hand, according to FIG. 18, when the frequency of the excitation electromagnetic wave is 9 GHz, both the case where the guide waveguide portion 13 is not provided and the case where the guide waveguide portion 13 is installed generally show values close to the theoretical values, and the results of both are almost the same.

このように、ガイド導波部13を設置した場合でも、おおむね理論値通りのシールド効果が測定結果として得られる。ちなみに、シールド効果の測定値が理論値に一致するということは、本測定装置(モデル)における測定試料に照射される電磁波は、おおむね平面波であって測定試料に垂直に入射していることを示している。   As described above, even when the guide waveguide unit 13 is installed, a shielding effect almost as the theoretical value is obtained as a measurement result. Incidentally, the fact that the measured value of the shielding effect matches the theoretical value indicates that the electromagnetic wave irradiated to the measurement sample in this measurement device (model) is almost a plane wave and is incident on the measurement sample perpendicularly. ing.

以上、本発明によれば、ホーン内表面に電磁波吸収層を設置することによって、測定試料の電磁波に係る損失、特にシールド効果を、1GHzを超える周波数帯域においても測定することができる。これにより、たとえば、今後ますます需要の増加が見込まれる電磁波シールド材における高周波帯域でのシールド性能を適切に評価することが可能となる。   As described above, according to the present invention, the electromagnetic wave loss of the measurement sample, particularly the shielding effect, can be measured even in a frequency band exceeding 1 GHz by installing the electromagnetic wave absorption layer on the inner surface of the horn. Thereby, for example, it becomes possible to appropriately evaluate the shielding performance in the high-frequency band of the electromagnetic shielding material that is expected to increase in demand in the future.

なお、ホーンの出射開口部位および入射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚がより大きくなっている層厚分布を有する電磁波吸収層を用いることによって、上限が10GHzを超える周波数帯域、たとえば1ないし18GHzの範囲におけるシールド効果の正確な測定も可能となる。   In addition, by using an electromagnetic wave absorption layer having a layer thickness distribution in which the layer thickness of the layer portion that covers the inner surface of the exit opening portion and the entrance opening portion of the horn is larger, a frequency band whose upper limit exceeds 10 GHz, for example, 1 In addition, accurate measurement of shielding effect in the range of 18GHz is also possible.

1 シールド効果測定装置
11 出射ホーン(出射導波管)
111 出射開口
112 給電端
12 入射ホーン(入射導波管)
121 入射開口
122 検出端
13 ガイド導波部
14 出射リッジ(第1のリッジ)
141 同軸給電部
15 入射リッジ(第2のリッジ)
161、162、163、164、165、166、167 電磁波吸収層
17 RF入力コネクタ
18 RF出力コネクタ
1 Shielding effect measuring device
11 Output horn (output waveguide)
111 Outgoing aperture
112 Feeding end
12 Incident horn (incident waveguide)
121 Entrance aperture
122 Detection end
13 Guide waveguide
14 Outgoing ridge (first ridge)
141 Coaxial feeder
15 Incident ridge (second ridge)
161, 162, 163, 164, 165, 166, 167 Electromagnetic wave absorbing layer
17 RF input connector
18 RF output connector

Claims (10)

試料の電磁波に係る損失を測定可能な測定装置であって、
電力を供給する側の給電端と電磁波が出射する出射開口との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が広くなる部位を有する出射導波管と、
該出射導波管の内表面から突出して配設された第1のリッジと、
前記出射開口と対向していて該出射開口との間に試料を設置可能な入射開口を有し、該入射開口と電磁波を検出する側の検出端との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が狭くなる部位を有する入射導波管と、
該入射導波管の内表面から突出して配設された第2のリッジと、
電磁波を吸収する材料を含み、前記出射導波管および前記入射導波管の内表面を覆う電磁波吸収層とを有することを特徴とする測定装置。
A measuring device capable of measuring a loss related to an electromagnetic wave of a sample,
An output waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes wider along the electromagnetic wave traveling direction between the power supply end on the power supply side and the output opening from which the electromagnetic wave is output;
A first ridge disposed to protrude from the inner surface of the exit waveguide;
A cross-sectional opening along the electromagnetic wave traveling direction between the incident opening and a detection end on the side for detecting the electromagnetic wave is provided. An incident waveguide having a narrowed portion;
A second ridge disposed protruding from the inner surface of the incident waveguide;
A measuring device comprising a material that absorbs electromagnetic waves, and an electromagnetic wave absorbing layer that covers an inner surface of the outgoing waveguide and the incoming waveguide.
請求項1に記載の測定装置において、前記電磁波吸収層は、少なくとも前記第1のリッジの根元にある互いに対向する導波管内表面上で、前記出射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚が、前記給電端部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有することを特徴とする測定装置。   2. The measurement apparatus according to claim 1, wherein the electromagnetic wave absorbing layer has a layer thickness of a layer portion that covers the inner surface of the exit opening portion on at least the waveguide inner surfaces facing each other at the base of the first ridge. Has a layer thickness distribution which is larger than the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the feeding end portion. 請求項2に記載の測定装置において、前記電磁波吸収層は、前記第1のリッジを間に置いて互いに対向する導波管内表面上でも、前記出射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚が、前記給電端部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有することを特徴とする測定装置。   3. The measurement apparatus according to claim 2, wherein the electromagnetic wave absorbing layer has a layer thickness of a layer portion covering an inner surface of the emission opening portion even on an inner surface of the waveguide facing each other with the first ridge interposed therebetween. Has a layer thickness distribution which is larger than the layer thickness of the layer portion covering the inner surface of the feeding end portion. 請求項2または3に記載の測定装置において、前記電磁波吸収層は、前記第2のリッジの根元にある互いに対向する導波管内表面上でも、前記入射開口部位の内表面を覆う層部分の層厚が、前記検出端部位の内表面を覆う層部分の層厚よりも大きくなる層厚分布を有することを特徴とする測定装置。   4. The measuring apparatus according to claim 2, wherein the electromagnetic wave absorbing layer is a layer portion layer that covers the inner surface of the incident opening portion even on the inner surfaces of the waveguides facing each other at the base of the second ridge. A measuring apparatus having a layer thickness distribution in which a thickness is larger than a layer thickness of a layer portion covering an inner surface of the detection end portion. 請求項2ないし4のいずれかに記載の測定装置において、前記電磁波吸収層は、少なくとも前記第1のリッジの根元にある互いに対向する導波管内表面上で、電磁波進行方向に平行であり且つ互いに平行な層表面を有することを特徴とする測定装置。   5. The measuring device according to claim 2, wherein the electromagnetic wave absorption layers are parallel to the traveling direction of the electromagnetic wave and are parallel to each other on at least the waveguide inner surfaces facing each other at the base of the first ridge. A measuring apparatus having parallel layer surfaces. 請求項2ないし5のいずれかに記載の測定装置において、前記電磁波吸収層は、前記出射導波管の内表面および前記第1のリッジの表面での電流密度の極大値を低減させるように決定された層厚分布を有することを特徴とする測定装置。   6. The measuring apparatus according to claim 2, wherein the electromagnetic wave absorbing layer is determined so as to reduce a maximum value of current density on an inner surface of the output waveguide and a surface of the first ridge. Measuring device having a distributed layer thickness distribution. 請求項1ないし6のいずれかに記載の測定装置において、前記出射導波管および前記入射導波管は角錐状のホーンであり、前記第1のリッジおよび前記第2のリッジは、それぞれ該出射導波管および該入射導波管における互いに対向する内表面の各々の中央から突出し、電磁波進行方向に沿って伸長した形で配設されていることを特徴とする測定装置。   7. The measurement apparatus according to claim 1, wherein the exit waveguide and the entrance waveguide are pyramid-shaped horns, and the first ridge and the second ridge are respectively provided with the exit ridge. A measuring apparatus, characterized in that it is arranged in such a manner that it protrudes from the center of each of the waveguide and the inner surface facing each other in the incident waveguide and extends along the traveling direction of the electromagnetic wave. 請求項1ないし7のいずれかに記載の測定装置において、該装置は、前記出射導波管と前記入射導波管とを中継して接続するガイド導波部をさらに有することを特徴とする測定装置。   8. The measurement apparatus according to claim 1, further comprising a guide waveguide section that relays and connects the exit waveguide and the entrance waveguide. apparatus. 試料の電磁波に係る損失を測定可能な測定装置であって、
電力を供給する側の給電端と電磁波が出射する出射開口との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が広くなる部位を有する出射導波管と、
該出射導波管の内表面から突出して配設されたリッジと、
電磁波を吸収する材料を含み、前記出射導波管の内表面を覆う電磁波吸収層と
を有することを特徴とする測定装置。
A measuring device capable of measuring a loss related to an electromagnetic wave of a sample,
An output waveguide having a portion where the cross-sectional opening becomes wider along the electromagnetic wave traveling direction between the power supply end on the power supply side and the output opening from which the electromagnetic wave is output;
A ridge disposed to protrude from the inner surface of the output waveguide;
A measuring apparatus comprising: an electromagnetic wave absorbing layer that includes a material that absorbs electromagnetic waves and covers an inner surface of the output waveguide.
試料の電磁波に係る損失の測定方法であって、
内部に第1のリッジが配設され、電力を供給する側の給電端と電磁波が出射する出射開口との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が広くなる部位を有する出射導波管における内表面と、内部に第2のリッジが配設され、前記出射開口に対向する入射開口と電磁波を検出する側の検出端との間で電磁波進行方向に沿って断面開口が狭くなる部位を有する入射導波管における内表面とを、電磁波を吸収する材料を含む電磁波吸収層で覆い、
前記出射開口と前記入射開口との間に試料を設置し、
前記給電端側から電力を供給して励起した電磁波を前記試料に照射し、該試料を透過した電磁波によって発生する電力を前記検出端側から検出することを特徴とする測定方法。
A method for measuring a loss related to an electromagnetic wave of a sample,
A first ridge is disposed therein, and an inner portion of an output waveguide having a portion where a cross-sectional opening is widened along an electromagnetic wave traveling direction between a feeding end on a power supply side and an output opening from which the electromagnetic wave is emitted. Incidence having a surface and a second ridge disposed therein, and a portion where the cross-sectional opening becomes narrower along the electromagnetic wave traveling direction between the incident opening facing the emission opening and the detection end on the side for detecting the electromagnetic wave Cover the inner surface of the waveguide with an electromagnetic wave absorbing layer containing a material that absorbs electromagnetic waves,
A sample is placed between the exit aperture and the entrance aperture,
A measurement method comprising: irradiating the sample with an electromagnetic wave excited by supplying power from the power supply end side; and detecting the power generated by the electromagnetic wave transmitted through the sample from the detection end side.
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