JP2015043564A - Radiation detection element substrate, inspection device for radiation detection element substrate and method for inspecting radiation detection element substrate - Google Patents

Radiation detection element substrate, inspection device for radiation detection element substrate and method for inspecting radiation detection element substrate Download PDF

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孝明 伊藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detection element substrate capable of inspecting a radiation detection element substrate having a plurality of channel terminals in one control pad without drastically adding or changing of the inspection device for the radiation detection element substrate having one transistor in one pixel, an inspection device for the radiation detection element substrate, and a method for inspecting the radiation detection element substrate.SOLUTION: A control pad 28 for inspection having first control terminals 22 for inspection in which control wirings M extend to the outside than a mounting substrate and are connected to each other, and control wirings G extend from first control terminals 14, is provided. The gate off voltage is applied to wiring terminals 24 at one time in which control wirings M are connected to each other, to perform the inspection.

Description

本発明は、放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法に関する。   The present invention relates to a radiation detection element substrate, a radiation detection element substrate inspection apparatus, and a radiation detection element substrate inspection method.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板(以下、単にTFT基板と称するが、放射線検出器に使用されるTFT基板を特に放射線検出素子基板と称する場合がある。)上に放射線感応層を配置し、放射線量をデジタルデータ(電気信号)に変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器(「電子カセッテ」等という場合がある)が実用化されている。また、この放射線検出器を用いて、照射された放射線量により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置も実用化されている。   In recent years, a radiation sensitive layer is disposed on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate (hereinafter simply referred to as a TFT substrate, but a TFT substrate used in a radiation detector may be particularly referred to as a radiation detection element substrate). However, radiation detectors (sometimes referred to as “electronic cassettes”, etc.) such as FPD (Flat Panel Detector) that can convert radiation dose into digital data (electrical signals) have been put into practical use. In addition, a radiation image capturing apparatus that captures a radiation image represented by the amount of irradiated radiation using this radiation detector has been put into practical use.

また、上述のような電子カセッテに使用されるTFT基板においては、画素内に複数のトランジスタを接続することで高機能化する動きが広がっている。   Moreover, in the TFT substrate used for the electronic cassette as described above, there is a trend toward higher functionality by connecting a plurality of transistors in a pixel.

例えば、特許文献1においては、従来の1画素毎の読み出しを行う1×1読み出し以外に2×2の4画素をアナログ値としてまとめ読みをする2×2読み出しを可能としている。   For example, in Patent Document 1, in addition to the conventional 1 × 1 reading in which reading is performed for each pixel, 2 × 2 reading in which 4 × 2 × 2 pixels are collectively read as analog values is possible.

また、特許文献2においては、読み出し用のトランジスタとリセット用トランジスタとをそれぞれ設けて、リセットの高速化を実現している。   In Patent Document 2, a read transistor and a reset transistor are provided, respectively, to achieve a high speed reset.

一方、ポータブル用途に用いられる電子カセッテでは、狭額縁化が進んでおり、複数のトランジスタを1つのゲートパッド(以下、制御パッドという)に接続する技術も開発されている。この技術では、1つの制御パッドに複数のチャンネル(機能)の端子を隣接して配列することができ、使用する用途に応じて動作させるチャンネル(機能)を使い分けることができる。   On the other hand, electronic cassettes used for portable applications are becoming narrower, and a technique for connecting a plurality of transistors to one gate pad (hereinafter referred to as a control pad) has also been developed. In this technique, terminals of a plurality of channels (functions) can be adjacently arranged on one control pad, and channels (functions) to be operated can be selectively used according to the usage to be used.

特開2012-130656号公報JP 2012-130656 A 特開2013-033945号公報JP 2013-033945 A

TFT基板の検査装置は、液晶用TFTの検査装置を流用することが多いが、液晶用TFTは1画素に1つのトランジスタ(スイッチング素子)を有する構造が一般的である。特許文献1、2のように1画素に対して複数のトランジスタを有するTFT基板で、上述したように1つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する場合には、検査の際にチャンネル毎に高度な制御を行う必要がある。一般的な検査装置では、このような高度な制御は想定していないので、高度な制御を可能にするためには検査装置の改造に多額の費用が必要となる。   A TFT substrate inspection apparatus often uses a liquid crystal TFT inspection apparatus, but the liquid crystal TFT generally has a structure having one transistor (switching element) per pixel. When a TFT substrate having a plurality of transistors for one pixel as in Patent Documents 1 and 2 and a terminal having a plurality of channels on one control pad as described above, an advanced level is provided for each channel during inspection. It is necessary to control. Since a general inspection apparatus does not assume such advanced control, a large amount of cost is required for remodeling the inspection apparatus to enable advanced control.

本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、1画素に1つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、1つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above-described facts, and it is possible to perform one control without making a large additional change to an inspection apparatus for inspecting a radiation detection element substrate having one switching element per pixel. An object of the present invention is to provide a radiation detection element substrate, a radiation detection element substrate inspection apparatus, and a radiation detection element substrate inspection method capable of inspecting a radiation detection element substrate having a plurality of channel terminals on a pad.

上記目的を達成するために本発明の放射線検出素子基板は、複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、第1制御端子と並んで配列されると共に、第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域と、第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、を含み、第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、を備えている。   In order to achieve the above object, a radiation detection element substrate of the present invention is provided corresponding to one pixel among a plurality of pixels, and includes a plurality of first switching elements and a plurality of switching elements for reading out charges generated according to radiation. First control connected to the control terminal of one or more second switching elements, the first switching elements provided for one or more of the pixels, and having a use different from the use of the first switching elements A first control terminal connected to the first switching element via the first wiring, and a first control terminal arranged side by side with the first control terminal, and the second control wiring connected to the control end of the second switching element via the second control wiring A first region including a second control terminal connected to the two switching elements and a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to the output terminal of the first switching element; An inspection connection wiring section connected to the second control terminal; and an inspection first control terminal connected to the first control terminal, and provided in a portion adjacent to the first region and removed after the inspection is completed. And a second region.

本発明の放射線検出素子基板によれば、放射線に応じて発生した1画素に対応する電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の少なくとも1つ以上の第2スイッチング素子、第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、第1制御端子と並んで配列されると共に、第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域備えた放射線検出素子基板に対して、第1領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域に、第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第1制御端子に接続された検査用第1制御端子が設けられている。   According to the radiation detection element substrate of the present invention, a plurality of first switching elements for reading out charges corresponding to one pixel generated in response to radiation, provided corresponding to one or more pixels among the plurality of pixels. The first switching element is connected to the first switching element via the first control wiring connected to the control terminal of the first switching element, at least one second switching element having a use different from that of the first switching element. A first control terminal, a second control terminal arranged side by side with the first control terminal, and connected to the second switching element via a second control wiring connected to the control end of the second switching element; and A radiation detection element substrate including a first region including a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to an output end of the one switching element; The inspection connecting wiring connected to the second control terminal and the inspection first control terminal connected to the first control terminal are provided in the second region provided in the portion removed after the inspection adjacent to the first control terminal. ing.

このように第1領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域に、検査用接続配線部及び検査用第1制御端子を設けることによって、基板の機能検査の際に検査用接続配線部に第2スイッチング素子をオフする電圧を印加することで、従来の検査装置を用いて、1つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能となる。   Thus, by providing the inspection connection wiring portion and the first control terminal for inspection in the second region provided in the portion to be removed after completion of the inspection adjacent to the first region, for inspection during the functional inspection of the substrate. By applying a voltage for turning off the second switching element to the connection wiring portion, it is possible to inspect a radiation detection element substrate having a plurality of channel terminals on one control pad using a conventional inspection apparatus. .

なお、第2領域は、第1制御端子及び第2制御端子側の第1領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含むようにしてもよい。この場合、結線端子は、第1制御端子及び第2制御端子に並んで配列するように配置するようにしてもよい。   The second region may be provided adjacent to the first control terminal and the first region on the second control terminal side, and may further include a connection terminal connected to the inspection connection wiring part. In this case, the connection terminals may be arranged so as to be arranged side by side with the first control terminal and the second control terminal.

また、第2スイッチング素子としては、解像度変換するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷をリセットするためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷を蓄積するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよい。   In addition, as the second switching element, a switching element for converting the resolution may be applied, a switching element for resetting the charge may be applied, or the charge may be accumulated. A switching element may be applied.

また、検査用接続配線部に、検査が行われる場合に、第2スイッチング素子をオフする電圧が印加されることにより、第2スイッチング素子を無効化して従来の検査装置で検査が可能となる。   In addition, when a test is performed on the test connection wiring portion, a voltage for turning off the second switching element is applied, so that the second switching element can be invalidated and a test can be performed using a conventional test apparatus.

また、第2領域は、第1制御端子及び第2制御端子側の第1領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子と、第2制御端子に接続された検査用第2制御端子と、結線端子と検査用第2制御端子との間に設けられ、結線端子に印加された電圧により第2スイッチング素子をオフする第3スイッチング素子と、を更に含むようにしてもよい。   The second region is provided adjacent to the first control terminal and the first region on the second control terminal side, and connected to the connection terminal connected to the inspection connection wiring portion and the second control terminal. A second control terminal for inspection, and a third switching element that is provided between the connection terminal and the second control terminal for inspection and that turns off the second switching element by a voltage applied to the connection terminal. Good.

第2領域は、第1制御端子及び第2制御端子側の第1領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子と、第2制御端子に接続された検査用第2制御端子と、結線端子に印加された電圧によりオフするスイッチング素子を第1スイッチング素子または第2スイッチング素子に切り換える切換部と、を更に含むようにしてもよい。   The second area is provided adjacent to the first control terminal and the first area on the second control terminal side, and is connected to the connection wiring portion for inspection and to the inspection terminal connected to the second control terminal. You may make it further include a 2nd control terminal and the switching part which switches the switching element turned off by the voltage applied to the connection terminal to a 1st switching element or a 2nd switching element.

また、第1制御端子及び第2制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されるようにしてもよい。   Further, the first control terminal and the second control terminal may be arranged at positions shifted in a direction intersecting with the arrangement direction according to the order of arrangement.

また、検査用第1制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されるようにしてもよい。   The first control terminal for inspection may be arranged at a position shifted in a direction intersecting with the arrangement direction according to the order of arrangement.

一方、本発明の放射線検出素子基板の検査装置は、複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、第1制御端子と並んで配列されると共に、第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域と、前記第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、を含み、第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、を備えた放射線検出素子基板における検査用第1制御端子に接触させるための第1プローブユニットと、信号端子に接触させるための第2プローブユニットと、検査用接続配線部に第2スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、を備えている。   On the other hand, the inspection apparatus for a radiation detection element substrate according to the present invention is provided corresponding to each one of a plurality of pixels, and includes a plurality of first switching elements and a plurality of pixels for reading out charges generated according to radiation. First control wiring connected to the control terminal of the first switching element, one or more second switching elements provided in correspondence with one or more pixels of the first switching element. A first control terminal connected to the first switching element via the first switching terminal, and a second switching line arranged via the second control wiring connected to the control end of the second switching element. A first region including a second control terminal connected to the element and a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to the output end of the first switching element; A second connecting portion including a connecting wiring portion for inspection connected to the control terminal and a first control terminal for inspection connected to the first control terminal; A first probe unit for contacting the first control terminal for inspection on the radiation detection element substrate including the region, a second probe unit for contacting the signal terminal, and second switching to the connection wiring section for inspection And a voltage application unit for applying a voltage for turning off the element.

本発明の放射線検出素子基板の検査装置によれば、検査用接続配線部に第2スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部を、従来の検査装置(1画素に1つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査装置)に対して設けている。これによって、検査用第1制御端子に第1プローブユニットを接触させると共に信号端子に第2プローブユニットを接触させることで、従来と同様に、1つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。   According to the radiation detection element substrate inspection apparatus of the present invention, a voltage application unit for applying a voltage for turning off the second switching element to the inspection connection wiring part is replaced with a conventional inspection apparatus (one switching element per pixel). The radiation detection element substrate inspection apparatus having the above. Accordingly, the radiation detection element having a plurality of channel terminals on one control pad, as in the prior art, by bringing the first probe unit into contact with the first control terminal for inspection and bringing the second probe unit into contact with the signal terminal. The substrate can be inspected.

なお、電圧印加部は、第1プローブユニット又は第2プローブユニットの空き端子から第2スイッチング素子をオフする電圧を印加するようにしてもよい。   Note that the voltage application unit may apply a voltage for turning off the second switching element from an empty terminal of the first probe unit or the second probe unit.

さらに、本発明の放射線検出素子基板の検査方法は、複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、第1制御端子と並んで配列されると共に、第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域と、前記第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、を含み、第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、を備えた放射線検出素子基板における検査用接続配線部に、第2スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、検査用第1制御端子から第1スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、電圧印加ステップで第1スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、検査用第1制御端子から第1スイッチング素子をオフする電圧を印加して、蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、検査用第1制御端子から第1スイッチング素子をオンする電圧を印加して、保持ステップで保持した電荷を信号端子より読み出す読出ステップと、を行うことにより、放射線検出素子基板の検査を実施する。   Furthermore, in the inspection method for a radiation detection element substrate of the present invention, a plurality of first switching elements, a plurality of pixels, which are provided corresponding to each one of a plurality of pixels and read out charges generated according to radiation. First control wiring connected to the control terminal of the first switching element, one or more second switching elements provided in correspondence with one or more pixels of the first switching element. A first control terminal connected to the first switching element via the first switching terminal, and a second switching line arranged via the second control wiring connected to the control end of the second switching element. A first region including a second control terminal connected to the element and a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to the output end of the first switching element; The inspection wiring line connected to the second control terminal and the first control terminal for inspection connected to the first control terminal, and is provided in a portion adjacent to the first area and removed after completion of the inspection. A voltage for turning on the first switching element is applied from the first control terminal for inspection to a connection wiring portion for inspection in the radiation detection element substrate having two regions in a state where the voltage for turning off the second switching element is applied. A voltage applying step, a storage step of applying a constant voltage from the signal terminal in a state in which a voltage for turning on the first switching element is applied in the voltage applying step, and accumulating charges in each pixel, and a first control terminal for inspection Applying a voltage to turn off the first switching element to hold the charge accumulation of each pixel in the accumulation step for a certain period of time, and a first switch from the first control terminal for inspection. By applying a voltage that turns on the quenching device, a reading step of reading the charges held by the holding step from the signal terminal, by performing, for an inspection of the radiation detecting element substrate.

本発明の放射線検出素子基板の検査方法によれば、第2スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加した状態で、従来の検査(1画素に1つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査)と同様に、検査を行うようにしている。従って、第2スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加するだけで、第2スイッチング素子を無効化し、検査用第1制御端子を利用して、従来と同様に、1画素に複数のスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。   According to the method for inspecting a radiation detection element substrate of the present invention, a conventional inspection (radiation detection element having one switching element per pixel) in a state where a voltage for turning off the second switching element is applied to the inspection connection wiring portion. The inspection is performed in the same manner as the inspection of the substrate. Therefore, just by applying a voltage for turning off the second switching element to the inspection connection wiring portion, the second switching element is invalidated, and a plurality of signals are applied to one pixel using the first control terminal for inspection. It is possible to inspect the radiation detection element substrate having the switching elements.

以上説明した如く本発明では、1画素に1つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、1つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することができる、という優れた効果を有する。   As described above, according to the present invention, a single control pad has a plurality of channel terminals without significant additional changes to the inspection apparatus for inspecting a radiation detection element substrate having one switching element per pixel. The radiation detection element substrate capable of inspecting the radiation detection element substrate, the radiation detection element substrate inspection apparatus, and the radiation detection element substrate inspection method can be provided.

本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。It is a schematic block diagram of an example of the radiographic imaging system which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第1領域の一例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an example of the 1st area | region of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 1つの画素に1つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional test | inspection apparatus which test | inspects the radiation detection element board | substrate with which one transistor was provided in one pixel. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の一例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an example of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the test | inspection apparatus which performs the conduction | electrical_connection test of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置による検査シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows an example of the test | inspection sequence by the test | inspection apparatus which performs the conduction | electrical_connection test of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の構成の第1変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of a structure of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出素子基板の構成の第2変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of a structure of the radiation detection element board | substrate which concerns on this Embodiment. 画素に接続されるトランジスタが3つの場合の一例を示す図である。It is a figure which shows an example in case the number of transistors connected to a pixel is three. 第1制御端子及び第2制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして2列に配置した場合の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification at the time of shifting and arrange | positioning a 1st control terminal and a 2nd control terminal in 2 rows according to the sequence of an arrangement | sequence. 第1制御端子及び第2制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして3列に配置した場合の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification at the time of shifting and arrange | positioning a 1st control terminal and a 2nd control terminal in 3 rows according to the sequence of an arrangement | sequence. 第1制御端子及び第2制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして2列に配置した場合のその他の変形例を示す図である。It is a figure which shows the other modification at the time of shifting and arrange | positioning a 1st control terminal and a 2nd control terminal in 2 rows according to the sequence of an arrangement | sequence. 検査用第1制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして2列に配置した場合の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification when the 1st control terminal for a test | inspection is shifted and arrange | positioned according to the order of arrangement | sequence in 2 rows.

まず、本実施の形態に係る放射線検出素子基板を含む放射線画像撮影装置を用いた放射線画像撮影システムの概略構成について説明する。図1は、本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。   First, a schematic configuration of a radiographic imaging system using a radiographic imaging apparatus including a radiation detection element substrate according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of a radiographic image capturing system according to the present embodiment.

放射線画像撮影システム100は、放射線(例えばエックス線(X線)等)を被検体102に照射する放射線照射装置104と、放射線照射装置104から照射され、被検体102を透過した放射線を検出する放射線検出器106を備えた放射線画像撮影装置108と、放射線画像の撮影を指示すると共に、放射線画像撮影装置108から放射画像を取得する制御装置110と、を備えている。制御装置110の制御に基づいたタイミングで、放射線照射装置104から照射され撮影位置に位置している被検体102を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線画像撮影装置108に照射される。   The radiographic imaging system 100 includes a radiation irradiation device 104 that irradiates a subject 102 with radiation (for example, X-ray (X-ray), etc.), and radiation detection that detects radiation irradiated from the radiation irradiation device 104 and transmitted through the subject 102. A radiographic image capturing apparatus 108 including a device 106, and a control apparatus 110 for instructing radiographic image capturing and acquiring a radiographic image from the radiographic image capturing apparatus 108. At the timing based on the control of the control device 110, the radiation carrying the image information by passing through the subject 102 irradiated from the radiation irradiation device 104 and positioned at the imaging position is irradiated to the radiographic imaging device 108.

なお、放射線画像撮影システム100は、静止画撮影及び動画撮影を行う機能を有しており、制御装置110は、ユーザの指示、または、放射線照射装置104の制御に基づいて、静止画撮影及び動画撮影のいずれを行うかを切り換え、その旨を放射線画像撮影装置108に指示する。   The radiographic image capturing system 100 has a function of performing still image capturing and moving image capturing, and the control device 110 performs still image capturing and moving image based on a user instruction or control of the radiation irradiation device 104. The radiographing apparatus 108 is instructed to switch which radiographing is performed.

放射線画像撮影装置108は、放射線検出器106を備えている。放射線検出器106は、被検体102を透過した放射線の線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷の電荷量に基づいて、放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有する。   The radiographic imaging device 108 includes a radiation detector 106. The radiation detector 106 has a function of generating charges according to the amount of radiation transmitted through the subject 102, and generating and outputting image information indicating a radiation image based on the charge amount of the generated charges.

続いて、本実施の形態に係る放射線検出器106に適用される放射線検出素子基板について説明する。本実施の形態の放射線検出素子基板は、第1領域と、第2領域と、を備える。図2は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第1領域の構成を示す図である。本実施の形態では、X線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子基板を一例として説明するが、放射線に応じた電荷を発生する直接変換方式の放射線検出素子基板を用いるようにしてもよい。なお、本実施の形態において第1領域とは、いわゆる実装基板と称されることがある基板に対応する領域のことをいう。   Subsequently, a radiation detection element substrate applied to the radiation detector 106 according to the present exemplary embodiment will be described. The radiation detection element substrate according to the present embodiment includes a first region and a second region. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the first region of the radiation detection element substrate according to the present embodiment. In the present embodiment, an indirect conversion type radiation detection element substrate that once converts radiation such as X-rays into light and converts the converted light into electric charge will be described as an example. A conversion type radiation detection element substrate may be used. In the present embodiment, the first region refers to a region corresponding to a substrate that may be referred to as a so-called mounting substrate.

本実施の形態に係る放射線検出器に適用される放射線検出素子基板10の第1領域11には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部12と、センサ部12に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である2つのトランジスタTr1、Tr2と、を含む複数の画素20がマトリクス状に配置されている。なお、本実施の形態では、シンチレータによって放射線から変換された光が、センサ部12に照射されることにより、センサ部12が電荷を発生する。   In the first region 11 of the radiation detection element substrate 10 applied to the radiation detector according to the present exemplary embodiment, the sensor unit 12 that receives light to generate charges and accumulates the generated charges is included in the sensor unit 12. A plurality of pixels 20 including two transistors Tr1 and Tr2 which are switching elements for reading out the accumulated charges are arranged in a matrix. In the present embodiment, the sensor unit 12 generates electric charges by irradiating the sensor unit 12 with light converted from radiation by the scintillator.

画素20は、一方向(図2の横方向に対応する制御配線方向、以下「行方向」ともいう)及び行方向に対する交差方向(図2の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう)にマトリクス状に複数配置されている。図2では、画素20の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素20は行方向及び列方向に1024×1024個配置される。   The pixel 20 has one direction (control wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 2, hereinafter also referred to as “row direction”) and a cross direction with respect to the row direction (signal wiring direction corresponding to the vertical direction in FIG. 2, hereinafter referred to as “column direction”. Are also arranged in a matrix. In FIG. 2, the arrangement of the pixels 20 is simplified, but for example, 1024 × 1024 pixels 20 are arranged in the row direction and the column direction.

また、放射線検出素子基板10には、トランジスタTr1のオン/オフを制御するための複数の制御配線G(図2では、G1〜G8)及びトランジスタTr2のオン/オフを制御するための複数の制御配線M(図2では、M1〜M4)と、上記センサ部12に蓄積された電荷を読み出すための画素20の列毎に備えられた複数の信号配線D(図2では、D1〜D5)と、が互いに交差して設けられている。   The radiation detection element substrate 10 includes a plurality of control wirings G (G1 to G8 in FIG. 2) for controlling on / off of the transistor Tr1 and a plurality of controls for controlling on / off of the transistor Tr2. A wiring M (M1 to M4 in FIG. 2) and a plurality of signal wirings D (D1 to D5 in FIG. 2) provided for each column of the pixels 20 for reading out the charges accumulated in the sensor unit 12. Are provided so as to cross each other.

なお、各画素20のセンサ部12は、図示を省略した共通配線に接続され、共通配線を介して電源(図示省略)からバイアス電圧が印加される。   The sensor unit 12 of each pixel 20 is connected to a common wiring (not shown), and a bias voltage is applied from a power source (not shown) via the common wiring.

制御配線Gには、各トランジスタTr1の制御端が接続されており、各トランジスタTr1をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Gに流れることによって、各トランジスタTr1がスイッチングされる。また、制御配線Mには、各トランジスタTr2の制御端が接続されており、各トランジスタTr2をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Mに流れることによって、各トランジスタTr2がスイッチングされる。   A control terminal of each transistor Tr1 is connected to the control wiring G, and a control signal for switching each transistor Tr1 flows. Thus, when the control signal flows through each control wiring G, each transistor Tr1 is switched. The control wiring M is connected to the control terminal of each transistor Tr2, and a control signal for switching each transistor Tr2 flows. As described above, when the control signal flows through each control wiring M, each transistor Tr2 is switched.

信号配線Dには、各画素20のトランジスタTr1の出力端及びトランジスタTr2の出力端が接続されている。信号配線Dには、トランジスタTr1のスイッチング状態及びトランジスタTr2のスイッチング状態に応じて、各画素20に蓄積された電荷量に応じた電気信号がトランジスタTr1またはトランジスタTr2を介して流れる。   To the signal wiring D, the output terminal of the transistor Tr1 and the output terminal of the transistor Tr2 of each pixel 20 are connected. In the signal wiring D, an electrical signal corresponding to the amount of charge accumulated in each pixel 20 flows through the transistor Tr1 or the transistor Tr2 in accordance with the switching state of the transistor Tr1 and the switching state of the transistor Tr2.

本実施形態では、図2に示すように、制御配線Gの偶数ラインと、奇数ラインとで、トランジスタTr1、トランジスタTr2、及びセンサ部12の配置関係が反転(図2の上下反転)する。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the arrangement relationship of the transistor Tr1, the transistor Tr2, and the sensor unit 12 is inverted between the even lines and the odd lines of the control wiring G (upside down in FIG. 2).

また、制御配線Gには、第1制御端子14が接続され、制御配線Mには、第2制御端子16が接続され、信号配線Dには、信号端子18が接続されている。本実施の形態では、第1制御端子14と第2制御端子16は、同じ制御パッド26に設けられ、放射線検出素子基板10の一辺側に制御パッド26が配置されている。   The control wiring G is connected to the first control terminal 14, the control wiring M is connected to the second control terminal 16, and the signal wiring D is connected to the signal terminal 18. In the present embodiment, the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are provided on the same control pad 26, and the control pad 26 is disposed on one side of the radiation detection element substrate 10.

本実施の形態に係る放射線検出素子基板10では、異なる2種類の解像度での撮影が可能とされている。なお、以下では、2種類の解像度のうち解像度が高い方を高解像度、低い方を低解像度という。   In the radiation detection element substrate 10 according to the present exemplary embodiment, imaging with two different resolutions is possible. In the following, the higher resolution of the two resolutions is referred to as high resolution, and the lower resolution is referred to as low resolution.

すなわち、高解像度の撮影を行う場合には、トランジスタTr2をオフするように、制御配線Mに第2制御端子16を介して制御信号を入力し、一方、トランジスタTr1をオンするように、順次、制御配線Gに第1制御端子14を介して制御信号を入力する。トランジスタTr1がオン状態の画素20では、センサ部12から電荷が読み出され、信号配線Dに1つの画素20の電荷が順次出力される。   That is, when performing high-resolution imaging, a control signal is input to the control wiring M via the second control terminal 16 so as to turn off the transistor Tr2, while sequentially turning on the transistor Tr1. A control signal is input to the control wiring G via the first control terminal 14. In the pixel 20 in which the transistor Tr1 is on, the charge is read from the sensor unit 12, and the charge of one pixel 20 is sequentially output to the signal wiring D.

また、低解像度の撮影を行う場合には、トランジスタTr1をオフするように、制御配線Gに第1制御端子14を介して制御信号を入力し、一方、各トランジスタTr2をオンするよう、順次、制御配線Mに第2制御端子16を介して制御信号を入力する。トランジスタTr2がオン状態の画素20では、センサ部12から電荷が読み出され、信号配線Dに電荷が出力される。ここで、1つの信号配線Dに出力される電荷は、4つの画素20の電荷が纏めて出力されることになり、トランジスタTr2をオフして、トランジスタTr1をオンする場合よりも低解像度となる。   When performing low-resolution imaging, a control signal is input to the control wiring G via the first control terminal 14 so as to turn off the transistor Tr1, while sequentially turning on each transistor Tr2. A control signal is input to the control wiring M via the second control terminal 16. In the pixel 20 in which the transistor Tr2 is turned on, the charge is read from the sensor unit 12, and the charge is output to the signal wiring D. Here, the charges output to one signal wiring D are output collectively from the charges of the four pixels 20, and the resolution is lower than when the transistor Tr2 is turned off and the transistor Tr1 is turned on. .

ところで、放射線検出素子基板10では、1つの画素20に複数のトランジスタTr1、Tr2が設けられているので、1つの画素20に1つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置では、検査を行うことができない。   By the way, in the radiation detection element substrate 10, since a plurality of transistors Tr1 and Tr2 are provided in one pixel 20, a conventional inspection apparatus that inspects a radiation detection element substrate in which one transistor 20 is provided. Then, you can not perform the inspection.

ここで、1つの画素に1つのトランジスタが設けられた従来の放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置について説明する。図3は、1つの画素に1つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置を示す図である。なお、本実施の形態では、検査の具体例として、導通検査を行う場合について詳細に説明する。   Here, a conventional inspection apparatus for inspecting a conventional radiation detection element substrate in which one transistor is provided in one pixel will be described. FIG. 3 is a diagram showing a conventional inspection apparatus for inspecting a radiation detection element substrate in which one transistor is provided in one pixel. In this embodiment, a case where a continuity test is performed will be described in detail as a specific example of the test.

従来の検査装置は、図3に示すように、制御配線を動作させるための第1プローブユニット30と、信号線から画像読み出しをする第2プローブユニット32と、第1プローブユニット30及び第2プローブユニット32を制御する制御ユニット34と、を備える。   As shown in FIG. 3, the conventional inspection apparatus includes a first probe unit 30 for operating a control wiring, a second probe unit 32 for reading an image from a signal line, a first probe unit 30 and a second probe. And a control unit 34 for controlling the unit 32.

第1プローブユニット30及び第2プローブユニット32はそれぞれ針状のコンタクト端子(プローブピン)を備えており、第1プローブユニット30を放射線検出素子基板の電荷を読み出す画素を選択する制御端子GTに、第2プローブユニット32を放射線検出素子基板の電荷を読み出す信号端子DTにそれぞれ接触させて動作させる。   Each of the first probe unit 30 and the second probe unit 32 includes a needle-like contact terminal (probe pin), and the first probe unit 30 is used as a control terminal GT for selecting a pixel for reading out the charge of the radiation detection element substrate. The second probe unit 32 is operated by being brought into contact with the signal terminals DT for reading out the charges of the radiation detection element substrate.

検査シーケンスは、第1プローブユニット30より1行毎にゲートオン電圧を印加して電荷を読み出す画素を選択するトランジスタをオン状態にし、第2プローブユニット32より一定電圧を印加して各画素20に電荷を蓄積させる。次に、第1プローブユニット30よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタをオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第1プローブユニット30より1行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタをオン状態とし、第2プローブユニット32で画像読み出しを行って2次元画像を制御ユニット34に出力する。これにより、2次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット34によって判定される。   The inspection sequence applies a gate-on voltage for each row from the first probe unit 30 to turn on a transistor that selects a pixel from which charges are read, and applies a constant voltage from the second probe unit 32 to charge each pixel 20. To accumulate. Next, a gate-off voltage is applied from the first probe unit 30 to turn off the transistor and hold it for a certain time. Subsequently, a gate-on voltage is applied to each row from the first probe unit 30 to turn on the transistors, and the second probe unit 32 reads an image and outputs a two-dimensional image to the control unit 34. Thereby, defects such as point defects and line defects are determined by the control unit 34 from the two-dimensional image.

本実施の形態の放射線検出素子基板10の第1領域11のように、1画素に複数のトランジスタを有する放射線検出素子基板において、各トランジスタを個別に制御することができない検査装置を用いて検査を行った場合、トランジスタTr1をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタTr2を介して漏れ出てしまい、欠陥でなくても欠陥として判定されてしまう。また、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の第1領域11のように、一辺側(同一の制御パッド上)に2チャンネル制御端子(第1制御端子14及び第2制御端子16)が配置されている放射線検出素子基板では、1行毎の読み出しを行う場合に正しく読み出しを行うことができない、といった不具合が発生し、基板の検査を行うことができない。   In the radiation detection element substrate having a plurality of transistors in one pixel as in the first region 11 of the radiation detection element substrate 10 of the present embodiment, inspection is performed using an inspection apparatus that cannot individually control each transistor. If it is performed, the accumulated charge leaks through the transistor Tr2 while the transistor Tr1 is turned off and held for a certain time, and even if it is not a defect, it is determined as a defect. Further, as in the first region 11 of the radiation detection element substrate 10 according to the present embodiment, two channel control terminals (the first control terminal 14 and the second control terminal 16) are provided on one side (on the same control pad). In the radiation detection element substrate that is arranged, there is a problem in that reading cannot be performed correctly when reading is performed for each row, and the substrate cannot be inspected.

そこで、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10は、図4に示す一点鎖線で囲われた領域である第1領域11よりも外側の領域まで制御配線Mを延長して、互いに結線する検査用接続配線部25を第2領域21に設けている。また、第1制御端子14から制御配線Gも延長して検査用第1制御端子22を設けた検査用制御パッド28を第2領域21に設けている。具体的には、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10は、図4に示すように、第1領域11に隣接して、検査用接続配線部25、検査用制御パッド28、及び結線端子24を含む第2領域21を備えている。そして、導通検査を行う場合は、制御配線Mが互いに結線された結線端子24にゲートオフ電圧を一括して印加するようにしている。なお、本実施の形態において「隣接」とは、隣り合う位置に間隔を開けずに配置される場合の他、隣り合った位置に間隔を開けて配置される場合も含む。例えば、第1領域11と第2領域21との間に、別の領域が設けられていてもよい。   Therefore, the radiation detection element substrate 10 according to the present exemplary embodiment extends the control wiring M to a region outside the first region 11 that is a region surrounded by a one-dot chain line shown in FIG. The connection wiring portion 25 is provided in the second region 21. In addition, an inspection control pad 28 provided with the inspection first control terminal 22 by extending the control wiring G from the first control terminal 14 is provided in the second region 21. Specifically, as shown in FIG. 4, the radiation detection element substrate 10 according to the present exemplary embodiment is adjacent to the first region 11, the inspection connection wiring portion 25, the inspection control pad 28, and the connection terminal. A second region 21 including 24 is provided. When conducting the continuity test, the gate-off voltage is collectively applied to the connection terminals 24 where the control wirings M are connected to each other. In the present embodiment, “adjacent” includes not only the case where the adjacent positions are arranged without any gap but also the case where the adjacent positions are arranged with a gap. For example, another region may be provided between the first region 11 and the second region 21.

すなわち、結線端子24にゲートオフ電圧を一括して印加することにより、トランジスタTr2がオフ状態となるので、トランジスタTr1をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタTr2を介して漏れることがなくなる。従って、従来の検査シーケンスで画素の欠陥を検出することが可能となる。   That is, since the transistor Tr2 is turned off by collectively applying the gate-off voltage to the connection terminal 24, the accumulated charge is transferred to the transistor while the transistor Tr1 is turned off and held for a certain time. There is no leakage through Tr2. Therefore, it is possible to detect a pixel defect by a conventional inspection sequence.

また、検査用制御パッド28には、検査用第1制御端子22のみを設けたので、従来の第1プローブユニット30をそのまま使用することが可能となる。   Further, since only the inspection first control terminal 22 is provided in the inspection control pad 28, the conventional first probe unit 30 can be used as it is.

また、検査用制御パッド28は、第1領域11の外側の第2領域21に設けられているので、導通検査が終了した後に、切り離し等を行い除去することにより、実装上の問題はない。さらに、検査用制御パッド28を第1領域11と切り離して設けることにより、検査の実施によりダメージを受ける懸念のある検査用第1制御端子22を切り離して、ダメージのない第1制御端子14を放射線画像の撮影に活用することができる。   In addition, since the inspection control pad 28 is provided in the second region 21 outside the first region 11, there is no problem in mounting by removing it after the continuity inspection is completed by removing it. Further, by providing the inspection control pad 28 separately from the first region 11, the inspection first control terminal 22, which may be damaged by the inspection, is separated, and the first control terminal 14 without damage is radiated. It can be used for taking images.

なお、結線端子24は、図4に示すように、第1領域11の第2制御端子16と並べて、第1領域11の外側の第2領域21内に配列するようにしてもよい。また、結線端子24は、第1領域11の第1制御端子14と並べて、第1領域11の外側の第2領域21内に配列するようにしてもよい。これによって、検査を行う場合に第1制御端子14または第2制御端子16に接触させるプローブユニットの空き端子を利用してゲートオフ電圧を印加することが可能となる。   As shown in FIG. 4, the connection terminals 24 may be arranged in the second region 21 outside the first region 11 side by side with the second control terminal 16 in the first region 11. Further, the connection terminals 24 may be arranged in the second region 21 outside the first region 11 along with the first control terminals 14 in the first region 11. Accordingly, it is possible to apply the gate-off voltage using the empty terminal of the probe unit that is brought into contact with the first control terminal 14 or the second control terminal 16 when performing inspection.

なお、結線端子24は、第1領域11の、検査用制御パッド28(検査用第1制御端子22)と別個の領域に設けられていてもよい。この場合は、第2領域21が、複数の領域を含む領域とすればよい。例えば、第2領域21は、チャンネル毎に領域を設けてもよい。具体例としては、第2領域21は、検査用制御パッド28が設けられた領域と、検査用接続配線部25及び結線端子24の少なくとも一方が設けられた領域としてもよい。なお、このように、第2領域21に複数の領域を設けた場合は、全ての領域を第1領域11の一辺側(図4では、制御パッド26が設けられている側)に隣接させて設けずともよい。例えば、検査用制御パッド28が設けられた領域、及び検査用接続配線部25及び結線端子24の少なくとも一方が設けられた領域のいずれか一方の領域を、第1領域11の制御パッド26が設けられている側(辺)に設け、他方の領域を、第1領域11の対向する側(辺)に設けてもよい。   The connection terminal 24 may be provided in a region separate from the inspection control pad 28 (the inspection first control terminal 22) in the first region 11. In this case, the second region 21 may be a region including a plurality of regions. For example, the second region 21 may be provided for each channel. As a specific example, the second region 21 may be a region where the inspection control pad 28 is provided and a region where at least one of the inspection connection wiring portion 25 and the connection terminal 24 is provided. When a plurality of areas are provided in the second area 21 as described above, all the areas are adjacent to one side of the first area 11 (the side where the control pad 26 is provided in FIG. 4). It is not necessary to provide it. For example, the control pad 26 of the first region 11 is provided in any one of the region in which the inspection control pad 28 is provided and the region in which at least one of the inspection connection wiring portion 25 and the connection terminal 24 is provided. The other region may be provided on the opposite side (side) of the first region 11.

図5は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an inspection apparatus that performs continuity inspection of the radiation detection element substrate 10 according to the present embodiment.

本実施の形態に係る放射線検出素子基板10を検査する検査装置50は、図3で示した従来の検査装置に対して結線端子24に固定電位(ゲートオフ電圧)を印加する固定電位印加部36が追加されている。   The inspection apparatus 50 for inspecting the radiation detection element substrate 10 according to the present embodiment includes a fixed potential application unit 36 that applies a fixed potential (gate off voltage) to the connection terminal 24 with respect to the conventional inspection apparatus shown in FIG. Have been added.

固定電位印加部36による固定電位の印加方法としては、従来の検査装置の第1プローブユニット30や第2プローブユニット32に空き端子がある場合には、空き端子を用いてゲートオフ電圧を印加することで、従来の検査装置をそのまま使用すること可能となる。   As a method of applying a fixed potential by the fixed potential application unit 36, when the first probe unit 30 or the second probe unit 32 of the conventional inspection apparatus has an empty terminal, a gate-off voltage is applied using the empty terminal. Therefore, the conventional inspection apparatus can be used as it is.

また、第1プローブユニット30や第2プローブユニット32に空き端子がない場合には、固定電位印加部36として簡単な電源を追加することで、従来の検査装置をそのまま使用することができる。   When the first probe unit 30 and the second probe unit 32 do not have a vacant terminal, a conventional power supply can be added as the fixed potential application unit 36 to use a conventional inspection apparatus as it is.

なお、図5では、図示を簡略化するため、固定電位印加部36から結線端子24に直接、固定電位を印加した状態を図示省略している。   In FIG. 5, in order to simplify the illustration, a state in which a fixed potential is directly applied from the fixed potential application unit 36 to the connection terminal 24 is not illustrated.

続いて、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の導通検査を行う検査装置50による検査シーケンスについて説明する。図6は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の導通検査を行う検査装置50による検査シーケンスを示すタイミングチャートである。   Next, an inspection sequence by the inspection apparatus 50 that performs the continuity inspection of the radiation detection element substrate 10 according to the present embodiment will be described. FIG. 6 is a timing chart showing an inspection sequence by the inspection apparatus 50 that conducts a continuity inspection of the radiation detection element substrate 10 according to the present embodiment.

本実施の形態では、第1プローブユニット30を放射線検出素子基板10の検査用制御パッド28の検査用制御端子22に、第2プローブユニットを放射線検出素子基板10の信号端子18にそれぞれ接触させると共に、固定電位36を結線端子24に接続して動作させる。すなわち、固定電位36から結線端子24を介して全ての第2制御端子16にゲートオフ電圧が一括して印加された状態で導通検査が行われる。   In the present embodiment, the first probe unit 30 is brought into contact with the inspection control terminal 22 of the inspection control pad 28 of the radiation detection element substrate 10, and the second probe unit is brought into contact with the signal terminal 18 of the radiation detection element substrate 10. The fixed potential 36 is connected to the connection terminal 24 to operate. That is, the continuity test is performed in a state where the gate-off voltage is applied from the fixed potential 36 to all the second control terminals 16 through the connection terminals 24 at once.

本実施の形態では、全ての第2制御端子16に一括してゲートオフ電圧が印加されることにより、トランジスタTr2がオフ状態とされて無効化された上で導通検査が行われる。導通検査は、上述の従来の検査シーケンスと同様に行われる。   In the present embodiment, a gate-off voltage is applied to all the second control terminals 16 at once, whereby the transistor Tr2 is turned off and invalidated, and then a continuity test is performed. The continuity test is performed in the same manner as the conventional test sequence described above.

すなわち、第1プローブユニット30より1行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタTr1をオン状態にして、第2プローブユニット32より一定電圧を印加して各画素20に電荷を蓄積させる。次に、第1プローブユニット30よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタTr1をオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第1プローブユニット30より1行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタTr1をオン状態とし、第2プローブユニット32で画像読み出しを行って2次元画像を制御ユニット34に出力する。これにより、2次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット34によって判定される。   That is, the gate-on voltage is applied to each row from the first probe unit 30 to turn on the transistor Tr1, and a constant voltage is applied from the second probe unit 32 to accumulate charges in each pixel 20. Next, a gate-off voltage is applied from the first probe unit 30 to turn off the transistor Tr1 and hold it for a certain time. Subsequently, a gate-on voltage is applied to each row from the first probe unit 30 to turn on the transistor Tr1, and image reading is performed by the second probe unit 32 to output a two-dimensional image to the control unit 34. Thereby, defects such as point defects and line defects are determined by the control unit 34 from the two-dimensional image.

ここで、信号配線D、制御配線G、及びトランジスタTr1に断線やショート等の不良が発生した場合には、従来検査と同様に2次元画像から不良箇所を特定することができる。また、制御配線MやトランジスタTr2に断線やショート等の不良が発生した場合も、トランジスタTr2を正常に動作させることができないため、関連する画素の信号を正確に読み出すことができなくなり、出力された2次元画像からその不良を検出することができる。   Here, when a defect such as a disconnection or a short circuit occurs in the signal wiring D, the control wiring G, and the transistor Tr1, a defective portion can be identified from the two-dimensional image as in the conventional inspection. In addition, even when a defect such as a disconnection or a short circuit occurs in the control wiring M or the transistor Tr2, the transistor Tr2 cannot be operated normally, so that the signal of the related pixel cannot be read accurately and output. The defect can be detected from the two-dimensional image.

従来技術では専用プローブユニットの作製と制御用ソフトウェアの開発に多額の費用が発生し、基板開発のネックとなっていたが、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の構成を適用して検査することにより、従来の検査装置をそのまま流用することが可能となり、大幅なコストダウンが実現できる。   In the prior art, a large amount of cost was generated for the production of the dedicated probe unit and the development of the control software, which had become a bottleneck in the development of the substrate. By doing so, it becomes possible to divert the conventional inspection apparatus as it is, and a significant cost reduction can be realized.

続いて、本実施の形態に係る放射線検出素子基板10の変形例について説明する。図7は、本実施の形態に係る第1領域11及び第2領域21を備えた放射線検出素子基板10の構成の第1変形例を示す図である。   Then, the modification of the radiation detection element board | substrate 10 which concerns on this Embodiment is demonstrated. FIG. 7 is a diagram illustrating a first modification of the configuration of the radiation detection element substrate 10 including the first region 11 and the second region 21 according to the present embodiment.

上記の実施の形態では、図4の一点鎖線で実装基板よりも外側の領域まで制御配線Mを延長して、互いに結線すると共に、第1制御端子14から制御配線Gも延長して検査用第1制御端子22を設けた検査用制御パッド28を設けた例を説明したが、変形例では、第2制御端子16から制御配線Mも更に延長して検査用第2制御端子23を検査用制御パッド28に更に設けると共に、トランジスタTr3によって検査用制御パッド28から検査用第2制御端子23を電気的に分離可能にしたものである。   In the above-described embodiment, the control wiring M is extended to a region outside the mounting substrate by the one-dot chain line in FIG. 4 and connected to each other, and the control wiring G is also extended from the first control terminal 14 to be inspected. Although the example in which the inspection control pad 28 having the first control terminal 22 is provided has been described, in the modification, the control wiring M is further extended from the second control terminal 16 to control the inspection second control terminal 23. In addition to being provided on the pad 28, the inspection second control terminal 23 can be electrically separated from the inspection control pad 28 by the transistor Tr3.

具体的には、制御配線Mが第1領域11に隣接する第2領域21まで延長されて検査用第2制御端子23が検査用制御パッド28に設けられている。そして、第2制御端子16と検査用第2制御端子23間にトランジスタTr3が設けられ、トランジスタTr3を介して制御配線Mがそれぞれ結線端子24に接続されている。   Specifically, the control wiring M is extended to the second region 21 adjacent to the first region 11, and the inspection second control terminal 23 is provided on the inspection control pad 28. A transistor Tr3 is provided between the second control terminal 16 and the inspection second control terminal 23, and the control wiring M is connected to the connection terminal 24 via the transistor Tr3.

第1変形例の放射線検出素子基板10では、結線端子24にゲートオフ電圧を印加することにより、上記の実施の形態と同様に動作させることができる。   The radiation detection element substrate 10 according to the first modification can be operated in the same manner as in the above embodiment by applying a gate-off voltage to the connection terminal 24.

図8は、本実施の形態に係る第1領域11及び第2領域21を備えた放射線検出素子基板10の構成の第2変形例を示す図である。   FIG. 8 is a diagram illustrating a second modification of the configuration of the radiation detection element substrate 10 including the first region 11 and the second region 21 according to the present embodiment.

第1変形例では、上記の図4に示した放射線検出組織版10に対してトランジスタTr3を介して検査用第2制御端子23を検査用制御パッド28に設けて、検査用第2制御端子23を電気的に分離可能にしたが、第2変形例では、検査対象のチャンネル(第1制御端子14又は第2制御端子16)を切換可能にした検査用制御パッド28を設けている。   In the first modification, the inspection second control terminal 23 is provided on the inspection control pad 28 via the transistor Tr3 with respect to the radiation detection tissue plate 10 shown in FIG. However, in the second modified example, the inspection control pad 28 is provided in which the channel to be inspected (the first control terminal 14 or the second control terminal 16) can be switched.

具体的には、図8に示すように、各制御端子(第1制御端子14及び第2制御端子16)と各検査用制御端子間に2つのトランジスタTr4、Tr5を設ける。すなわち、一方のトランジスタTr4のソース−ドレインには、一括してゲートオフ電圧を印加するための結線端子24と、各制御端子(第1制御端子14及び第2制御端子16)とが接続されている。そして、第1制御端子14に接続されたトランジスタTr4のゲートは、切換部の一例であるスイッチSW2に接続され、第2制御端子16に接続されたトランジスタTr4のゲートは、切換部の一例であるスイッチSW1に接続されている。   Specifically, as shown in FIG. 8, two transistors Tr4 and Tr5 are provided between each control terminal (first control terminal 14 and second control terminal 16) and each inspection control terminal. That is, the connection terminal 24 for collectively applying the gate-off voltage and each control terminal (the first control terminal 14 and the second control terminal 16) are connected to the source-drain of one transistor Tr4. . The gate of the transistor Tr4 connected to the first control terminal 14 is connected to a switch SW2 that is an example of a switching unit, and the gate of the transistor Tr4 connected to the second control terminal 16 is an example of a switching unit. Connected to the switch SW1.

一方、他方のトランジスタTr5のソース−ドレインには、各制御端子(第1制御端子14及び第2制御端子16)と、各検査用制御端子(検査用第1制御端子22及び検査用第2制御端子23)とが接続されている。そして、第1制御端子14に接続されたトランジスタTr5のゲートは、スイッチSW1に接続され、第2制御端子16に接続されたトランジスタTr5のゲートは、スイッチSW2に接続されている。   On the other hand, the source-drain of the other transistor Tr5 has control terminals (first control terminal 14 and second control terminal 16) and test control terminals (test first control terminal 22 and test second control). Terminal 23). The gate of the transistor Tr5 connected to the first control terminal 14 is connected to the switch SW1, and the gate of the transistor Tr5 connected to the second control terminal 16 is connected to the switch SW2.

これにより、スイッチSW1、SW2の切換を行うことで片方のチャンネルは一括してゲートオフ電圧を印加し、他方のチャンネルは検査用制御端子を用いて検査を行うことができる。   Thus, by switching the switches SW1 and SW2, a gate-off voltage is applied to one channel at a time, and the other channel can be inspected using the inspection control terminal.

例えば、第1制御端子14側のチャンネルの検査を行う場合には、スイッチSW1にゲートオン電圧を印加し、スイッチSW2にゲートオフ電圧を印加することにより、第2制御端子16側のチャンネルを電気的に分離して、結線端子24にゲートオフ電圧を印加することにより、第1制御端子14側のチャンネルの導通検査を従来と同様に行うことができる。また、第2制御端子16側のチャンネルを検査する際には、スイッチSW1にゲートオフ電圧を印加し、スイッチSW2にゲートオン電圧を印加することで、第2制御端子16側のチャンネルの検査が可能となる。このとき、先に述べたように検査装置は1ライン毎に読み出しを行うため、動作させないチャンネル部分は断線として出力されてしまう不具合がある。しかし、動作させないチャンネルの座標は既知であるため、画像処理により必要な画像のみを抽出することが可能であり、画像判定を行うことによって不具合を解消することができる。   For example, when a channel on the first control terminal 14 side is inspected, a gate-on voltage is applied to the switch SW1 and a gate-off voltage is applied to the switch SW2, thereby electrically connecting the channel on the second control terminal 16 side. By separating and applying a gate-off voltage to the connection terminal 24, the continuity test of the channel on the first control terminal 14 side can be performed as in the conventional case. Further, when inspecting the channel on the second control terminal 16 side, it is possible to inspect the channel on the second control terminal 16 side by applying a gate-off voltage to the switch SW1 and applying a gate-on voltage to the switch SW2. Become. At this time, as described above, since the inspection apparatus performs reading for each line, there is a problem that a channel portion that is not operated is output as a disconnection. However, since the coordinates of the channels not to be operated are known, it is possible to extract only the necessary images by image processing, and it is possible to eliminate the problem by performing image determination.

また、図8に示した放射線検出組織版10では、スイッチSW1をオンしてスイッチSW2をオフすれば、製品となった場合の動作をさせることが可能である。この場合、第1領域11の外側ではなく、第1領域11内にこれらの構成を設けるようにしてもよい。   Further, in the radiation detection tissue plate 10 shown in FIG. 8, when the switch SW1 is turned on and the switch SW2 is turned off, the operation in the case of a product can be performed. In this case, these configurations may be provided not in the first region 11 but in the first region 11.

なお、上記第1変形例及び第2変形例では、第2領域21上に、トランジスタTr3、またはトランジスタTr4、Tr5、及びスイッチSW1、SW2を設けているが、上述した結線端子24と同様に、検査用制御パッド28(検査用第1制御端子22)等と別個の領域に設けられていてもよいことはいうまでもない。また、結線端子24や制御パッド26等と別個の領域に設けられていてもよいことはいうまでもない。   In the first modification and the second modification, the transistor Tr3 or the transistors Tr4 and Tr5 and the switches SW1 and SW2 are provided on the second region 21, but like the connection terminal 24 described above, Needless to say, it may be provided in a separate area from the inspection control pad 28 (inspection first control terminal 22) and the like. Needless to say, it may be provided in a separate area from the connection terminal 24, the control pad 26, and the like.

なお、本実施の形態では、解像度変更用のトランジスタを1画素内に備える放射線検出素子基板10を例に挙げて説明したが、画素に接続されているトランジスタの機能には制限はなく、他の機能(例えば、電荷リセット用のリセットトランジスタや電荷蓄積用の蓄積トランジスタ等)のトランジスタを備えるものを適用するようにしてもよい。   In the present embodiment, the radiation detection element substrate 10 having a resolution change transistor in one pixel has been described as an example. However, the function of the transistor connected to the pixel is not limited. A device having a transistor with a function (for example, a reset transistor for charge resetting or a storage transistor for charge storage) may be applied.

また、本実施の形態では、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている例を説明したが、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている必要はなく、少なくとも1以上の特定画素のみトランジスタが複数(例えば、2つ)、その他画素にはトランジスタが1つといったような放射線検出素子基板に適用するようにしてもよい。また、1画素に接続されるトランジスタの数に上限はなく3つ以上であってもよい。例えば、図9に示すように、センサ部12の電荷をリセットするリセットトランジスタTrAと、センサ部に発生した電荷を蓄積する蓄積トランジスタTrBと、蓄積トランジスタに蓄積された電荷を読み出す読み出しトランジスタTrCと、を1画素に備える放射線検出素子基板を適用するようにしてもよい。ただし、3つ以上のトランジスタを備える場合には、導通検査を行う際に、1x1画像読み出し用トランジスタ以外にはゲートオフ信号を一括して印加して分離する。   In this embodiment, an example in which a plurality of transistors are connected to all the pixels has been described. However, a plurality of transistors need not be connected to all the pixels, and only at least one specific pixel is a transistor. May be applied to a radiation detection element substrate in which there are a plurality of (for example, two), and other pixels have one transistor. Further, there is no upper limit to the number of transistors connected to one pixel, and it may be three or more. For example, as shown in FIG. 9, a reset transistor TrA that resets the charge of the sensor unit 12, a storage transistor TrB that stores the charge generated in the sensor unit, a read transistor TrC that reads the charge stored in the storage transistor, May be applied to a radiation detection element substrate having one pixel. However, when three or more transistors are provided, when conducting a continuity test, a gate-off signal other than the 1 × 1 image reading transistor is collectively applied and separated.

また、上記の実施の形態では、全画素にトランジスタTr2を設けて、低解像度で読み出す際に、トランジスタTr1をオフし、トランジスタTr2をオンすることで、4画素を纏めて読み出すことで低解像度の読み出しを行う例について説明したが、トランジスタTr2による解像度の変換方法は、これに限るものではない。例えば、トランジスタTr2を全画素ではなく、4画素に1つのように、複数画素に対して1つの割合で設けて、トランジスタTr1をオフし、トランジスタTr2をオンすることで、低解像度の読み出しを行うようにしてもよい。   Further, in the above embodiment, when all the pixels are provided with the transistor Tr2 and read out at a low resolution, the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr2 is turned on to read out the four pixels all together. Although an example of performing reading has been described, the resolution conversion method by the transistor Tr2 is not limited to this. For example, the transistor Tr2 is provided for each of a plurality of pixels, such as one for every four pixels, instead of all the pixels, and the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr2 is turned on to perform low-resolution reading. You may do it.

また、上記の実施の形態では、第1制御端子14及び第2制御端子16を、第1領域11の辺に沿って一列に並ぶように、制御パッド26に設けているが、第1制御端子14及び第2制御端子16の配列は、上記の実施の形態に限らない。第1制御端子14及び第2制御端子16の配列の変形例について、図10〜12に示す。図10〜12は、第1制御端子14及び第2制御端子16を、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずらして配置した場合を示している。図10に示した制御パッド26は、第1制御端子14及び第2制御端子16を2列に配置した場合の一例を示している。図10に示した変形例の場合では、全体の配列順が、偶数番目の第1制御端子14または第2制御端子16と、奇数番目の第1制御端子14または第2制御端子16とで、配列が異なる。また、図11に示した制御パッド26は、第1制御端子14及び第2制御端子16を3列に配置した場合の一例を示している。図11に示した変形例の場合では、全体の配列順が、3で割り切れる順番にある第1制御端子14または第2制御端子16と、3で割ると2余る順番にある第1制御端子14または第2制御端子16と、3で割ると1余る順番にある第1制御端子14または第2制御端子16とで配列が異なる。また、図13に示した制御パッド26は、第1制御端子14及び第2制御端子16を2列に配置した場合のその他の一例を示している。図13に示した変形例の場合では、第1制御端子14と第2制御端子16とで、異なる配列としている。なお、検査用第2制御端子23を設ける場合の配列についても同様にしてもよいことは、いうまでもない。このように、第1制御端子14及び第2制御端子16を並べて設ける場合に、複数の配列によって設けることにより、単一の配列によって設ける場合よりも隣接する制御端子(第1制御端子14または第2制御端子16)間の間隔を広げることができる。そのため、制御端子の面積を大きくすることができる。なお、制御パッド26に、第1制御端子14及び第2制御端子16を複数の配列により設ける変形例は、図10〜12に例示したものに限らないことはいうまでもない。変形例としては、例えば、4列以上に配列してもよい。   In the above embodiment, the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are provided on the control pad 26 so as to be arranged in a line along the side of the first region 11. The arrangement of 14 and the second control terminal 16 is not limited to the above embodiment. Variations of the arrangement of the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are shown in FIGS. 10 to 12 show a case where the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are arranged so as to be shifted in a direction crossing the arrangement direction according to the arrangement order. The control pad 26 shown in FIG. 10 shows an example when the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are arranged in two rows. In the case of the modification shown in FIG. 10, the entire arrangement order is the even-numbered first control terminal 14 or the second control terminal 16 and the odd-numbered first control terminal 14 or the second control terminal 16. The sequence is different. Moreover, the control pad 26 shown in FIG. 11 shows an example when the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are arranged in three rows. In the case of the modification shown in FIG. 11, the first control terminal 14 or the second control terminal 16 in the order in which the entire arrangement order is divisible by 3 and the first control terminal 14 in the order in which the remainder is divided by 3 are obtained. Alternatively, the arrangement differs between the second control terminal 16 and the first control terminal 14 or the second control terminal 16 in the order of one surplus when divided by 3. Further, the control pad 26 shown in FIG. 13 shows another example when the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are arranged in two rows. In the modification shown in FIG. 13, the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are arranged differently. Needless to say, the same arrangement may be applied when the inspection second control terminal 23 is provided. As described above, when the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are provided side by side, by providing the first control terminal 14 and the second control terminal 16 in a plurality of arrangements, the adjacent control terminals (the first control terminal 14 or the first control terminal 14 or the first control terminal 14 or The distance between the two control terminals 16) can be increased. Therefore, the area of the control terminal can be increased. Needless to say, the modification in which the first control terminal 14 and the second control terminal 16 are provided on the control pad 26 in a plurality of arrangements is not limited to that illustrated in FIGS. As a modification, for example, it may be arranged in four or more rows.

また、検査用第1制御端子22の配置についても第1制御端子14及び第2制御端子16と同様である。上記の実施の形態では、検査用第1制御端子22を、第2領域21の辺に沿って一列に並ぶように、検査用制御パッド28に設けているが、検査用第1制御端子22の配列は、上記の実施の形態に限らない。例えば、検査用第1制御端子22も、上述した第1制御端子14及び第2制御端子16と同様に、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずらして配置してもよい。検査用第1制御端子22の配列の変形例について、図13に示す。図13に示した検査用制御パッド28は、検査用第1制御端子22を2列に配置した場合の一例を示している。図13に示した変形例の場合では、全体の配列順が、偶数番目の検査用第1制御端子22と、奇数番目の検査用第1制御端子22とで、配列が異なる。なお、検査用制御パッド28に、検査用第1制御端子22を複数の配列により設ける変形例は、図13に例示したものに限らないことはいうまでもない。変形例としては、例えば、3列以上に配列してもよい。   The arrangement of the first control terminal 22 for inspection is the same as that of the first control terminal 14 and the second control terminal 16. In the above embodiment, the inspection first control terminals 22 are provided on the inspection control pad 28 so as to be arranged in a line along the side of the second region 21. The arrangement is not limited to the above embodiment. For example, the inspection first control terminal 22 may also be arranged shifted in a direction intersecting the arrangement direction according to the arrangement order, similarly to the first control terminal 14 and the second control terminal 16 described above. A modification of the arrangement of the inspection first control terminals 22 is shown in FIG. The inspection control pad 28 shown in FIG. 13 shows an example when the inspection first control terminals 22 are arranged in two rows. In the modification shown in FIG. 13, the entire arrangement order is different between the even-numbered first inspection control terminals 22 and the odd-numbered first control terminals 22 for inspection. Needless to say, the modification in which the inspection control pads 28 are provided with the inspection first control terminals 22 in a plurality of arrangements is not limited to that illustrated in FIG. 13. As a modification, for example, it may be arranged in three or more rows.

また、本実施の形態では、放射線検出素子基板10に対して行う検査として、導通検査を行う検査装置について詳細に説明したが、これに限らず、その他の検査を行う検査装置についても本実施の形態と同様に、機能検査(ファンクションテスト)を行う検査装置についても適用できることはいうまでもない。   Moreover, in this Embodiment, although the inspection apparatus which performs a conduction | electrical_connection inspection was demonstrated in detail as a test | inspection performed with respect to the radiation detection element board | substrate 10, it is not limited to this, and this embodiment also applies to an inspection apparatus that performs other inspections. Needless to say, the present invention can also be applied to an inspection apparatus that performs a function inspection (function test), as in the embodiment.

また、図2に示した第2領域21の除去後の放射検出素子基板10では、制御配線Gが第1制御端子14まで設けられており、制御配線Mが、第2制御端子16まで設けられている状態を示しているが、制御配線G及びMの状態は、図2に示した状態に限らない。例えば、制御配線G及びMは、上述したように、それぞれ第1制御端子14または第2制御端子16を通過し、第1領域11の外側、すなわち第2領域21まで延長されているため、第2領域21の除去後も、第1制御端子14または第2制御端子16を通過し、第1領域11の端部の辺まで延長された状態であってもよい。この場合は、延長された制御配線G及びMの端部が第1領域11の断面(切り離された面)に露出しないように、制御配線G及びMの端部の処理を行うことが好ましい。   In the radiation detection element substrate 10 after the removal of the second region 21 shown in FIG. 2, the control wiring G is provided up to the first control terminal 14, and the control wiring M is provided up to the second control terminal 16. However, the state of the control wirings G and M is not limited to the state shown in FIG. For example, as described above, the control lines G and M pass through the first control terminal 14 or the second control terminal 16 and extend to the outside of the first region 11, that is, the second region 21. Even after the removal of the second region 21, the first region may pass through the first control terminal 14 or the second control terminal 16 and extend to the edge of the first region 11. In this case, it is preferable to perform the processing of the end portions of the control wirings G and M so that the end portions of the extended control wirings G and M are not exposed to the cross section (separated surface) of the first region 11.

また、本実施の形態における放射線は、特に限定されるものではなく、X線やγ線等を適用することができる。   Moreover, the radiation in this Embodiment is not specifically limited, X-rays, a gamma ray, etc. can be applied.

その他、本実施の形態で説明した放射線検出素子基板10等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。   In addition, the configuration, operation, and the like of the radiation detection element substrate 10 and the like described in this embodiment are merely examples, and it goes without saying that they can be changed according to the situation without departing from the gist of the present invention.

10 放射線検出素子基板
11 第1領域
12 センサ部
14 第1制御端子
16 第2制御端子
18 信号端子
20 画素
21 第2領域
22 検査用接続配線部
24 結線端子
25 検査用接続配線部
30 第1プローブユニット
32 第2プローブユニット
34 制御ユニット
36 固定電位印加部
D 信号配線
G、M 制御配線
SW1、SW2 スイッチ
Tr1、Tr2 トランジスタ
TrA リセットトランジスタ
TrB 蓄積トランジスタ
TrC 読み出しトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Radiation detection element board | substrate 11 1st area | region 12 Sensor part 14 1st control terminal 16 2nd control terminal 18 Signal terminal 20 Pixel 21 2nd area | region 22 Inspection connection wiring part 24 Connection terminal 25 Inspection connection wiring part 30 1st probe Unit 32 Second probe unit 34 Control unit 36 Fixed potential application section D Signal wiring G, M Control wiring SW1, SW2 Switch Tr1, Tr2 Transistor TrA Reset transistor TrB Storage transistor TrC Read transistor

Claims (14)

複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、
前記複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、前記第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、
前記第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、
前記第1制御端子と並んで配列されると共に、前記第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して前記第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、
及び前記第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された信号端子、
を含む第1領域と、
前記第2制御端子に接続された検査用接続配線部、
及び前記第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、
を含み、前記第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、
を備えた放射線検出素子基板。
A plurality of first switching elements provided corresponding to each one of the plurality of pixels and for reading out charges generated in response to radiation;
One or more second switching elements provided corresponding to one or more pixels of the plurality of pixels and having a use different from the use of the first switching element;
A first control terminal connected to the first switching element via a first control wiring connected to a control end of the first switching element;
A second control terminal arranged side by side with the first control terminal and connected to the second switching element via a second control wiring connected to a control end of the second switching element;
And a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to the output end of the first switching element,
A first region including:
A connection wiring portion for inspection connected to the second control terminal;
And a first control terminal for inspection connected to the first control terminal,
A second region provided in a portion adjacent to the first region, which is removed after completion of the inspection,
A radiation detection element substrate.
前記第2領域は、前記第1制御端子及び前記第2制御端子側の前記第1領域に隣接して設けられると共に、前記検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含む請求項1に記載の放射線検出素子基板。   The second region further includes a connection terminal provided adjacent to the first region on the first control terminal and the second control terminal side and connected to the inspection connection wiring portion. The radiation detection element substrate as described. 前記結線端子は、前記第1制御端子及び前記第2制御端子に並んで配列するように配置した請求項2に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to claim 2, wherein the connection terminals are arranged so as to be arranged side by side with the first control terminal and the second control terminal. 前記第2スイッチング素子は、解像度変換するためのものである請求項1〜3の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to claim 1, wherein the second switching element is for resolution conversion. 前記第2スイッチング素子は、前記電荷をリセットするためのものである請求項1〜3の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to claim 1, wherein the second switching element is for resetting the electric charge. 前記第2スイッチング素子は、前記電荷を蓄積するためのものである請求項1〜3の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to claim 1, wherein the second switching element is for accumulating the electric charge. 前記検査用接続配線部には、前記検査が行われる場合に、前記第2スイッチング素子をオフする電圧が印加される請求項1〜6の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein a voltage for turning off the second switching element is applied to the inspection connection wiring portion when the inspection is performed. 前記第2領域は、前記第1制御端子及び前記第2制御端子側の前記第1領域に隣接して設けられると共に、
前記検査用接続配線部に接続された結線端子と、
前記第2制御端子に接続された検査用第2制御端子と、
前記結線端子と前記検査用第2制御端子との間に設けられ、前記結線端子に印加された電圧により前記第2スイッチング素子をオフする第3スイッチング素子と、
を更に含む請求項1に記載の放射線検出素子基板。
The second region is provided adjacent to the first region on the first control terminal and the second control terminal side, and
A connection terminal connected to the inspection connection wiring portion;
A second control terminal for inspection connected to the second control terminal;
A third switching element that is provided between the connection terminal and the second control terminal for inspection, and turns off the second switching element by a voltage applied to the connection terminal;
The radiation detection element substrate according to claim 1, further comprising:
前記第2領域は、前記第1制御端子及び前記第2制御端子側の前記第1領域に隣接して設けられると共に、
前記検査用接続配線部に接続された結線端子と、
前記第2制御端子に接続された検査用第2制御端子と、
前記結線端子に印加された電圧によりオフするスイッチング素子を前記第1スイッチング素子または前記第2スイッチング素子に切り換える切換部と、
を更に含む請求項1に記載の放射線検出素子基板。
The second region is provided adjacent to the first region on the first control terminal and the second control terminal side, and
A connection terminal connected to the inspection connection wiring portion;
A second control terminal for inspection connected to the second control terminal;
A switching unit that switches a switching element that is turned off by a voltage applied to the connection terminal to the first switching element or the second switching element;
The radiation detection element substrate according to claim 1, further comprising:
前記第1制御端子及び前記第2制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されている、
請求項1〜9の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。
The first control terminal and the second control terminal are arranged at positions shifted in a direction intersecting the arrangement direction according to the order of arrangement.
The radiation detection element board | substrate of any one of Claims 1-9.
前記検査用第1制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されている請求項1〜10の何れか1項に記載の放射線検出素子基板。   The radiation detection element substrate according to claim 1, wherein the first control terminal for inspection is arranged at a position shifted in a direction intersecting with the arrangement direction according to the order of arrangement. 複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、前記複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、前記第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、前記第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、前記第1制御端子と並んで配列されると共に、前記第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して前記第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び前記第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域と、前記第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び前記第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、を含み、前記第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記検査用第1制御端子に接触させるための第1プローブユニットと、
前記信号端子に接触させるための第2プローブユニットと、
前記検査用接続配線部に前記第2スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、
を備えた、放射線検出素子基板の検査装置。
A plurality of first switching elements are provided corresponding to one pixel among the plurality of pixels, and are provided corresponding to one or more pixels among the plurality of pixels, for reading out charges generated in response to radiation. One or more second switching elements having different uses from the first switching element, and connected to the first switching element via a first control wiring connected to a control end of the first switching element. The first control terminal is arranged side by side with the first control terminal, and the second control terminal is connected to the second switching element via the second control wiring connected to the control end of the second switching element. A first region including a control terminal and a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to an output end of the first switching element; and the second control terminal A second region provided in a portion to be removed after completion of the inspection, including the connected inspection connection wiring portion and the first control terminal for inspection connected to the first control terminal; A first probe unit for making contact with the first control terminal for inspection in a radiation detection element substrate comprising:
A second probe unit for contacting the signal terminal;
A voltage application unit for applying a voltage to turn off the second switching element to the inspection connection wiring unit;
An inspection apparatus for a radiation detection element substrate, comprising:
前記電圧印加部は、前記第1プローブユニット又は前記第2プローブユニットの空き端子から前記第2スイッチング素子をオフする電圧を印加する請求項12に記載の放射線検出素子基板の検査装置。   The radiation detection element substrate inspection apparatus according to claim 12, wherein the voltage application unit applies a voltage for turning off the second switching element from an empty terminal of the first probe unit or the second probe unit. 複数の画素のうち各々1画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第1スイッチング素子、前記複数の画素のうち1つ以上の画素に対応して設けられ、前記第1スイッチング素子の用途とは異なる用途の1つ以上の第2スイッチング素子、前記第1スイッチング素子の制御端に接続された第1制御用配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された第1制御端子、前記第1制御端子と並んで配列されると共に、前記第2スイッチング素子の制御端に接続された第2制御用配線を介して前記第2スイッチング素子に接続された第2制御端子、及び前記第1スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第1スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第1領域と、前記第2制御端子に接続された検査用接続配線部、及び前記第1制御端子に接続された検査用第1制御端子、を含み、前記第1領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第2領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記検査用接続配線部に、前記第2スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、
前記検査用第1制御端子から前記第1スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、
前記電圧印加ステップで前記第1スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で前記信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、
前記検査用第1制御端子から前記第1スイッチング素子をオフする電圧を印加して、前記蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、
前記検査用第1制御端子から前記第1スイッチング素子をオンする電圧を印加して、前記保持ステップで保持した電荷を前記信号端子より読み出す読出ステップと、
を行うことにより、前記放射線検出素子基板の検査を実施する、放射線検出素子基板の検査方法。
A plurality of first switching elements are provided corresponding to one pixel among the plurality of pixels, and are provided corresponding to one or more pixels among the plurality of pixels, for reading out charges generated in response to radiation. One or more second switching elements having different uses from the first switching element, and connected to the first switching element via a first control wiring connected to a control end of the first switching element. The first control terminal is arranged side by side with the first control terminal, and the second control terminal is connected to the second switching element via the second control wiring connected to the control end of the second switching element. A first region including a control terminal and a signal terminal connected to the first switching element via a signal wiring connected to an output end of the first switching element; and the second control terminal A second region provided in a portion to be removed after completion of the inspection, including the connected inspection connection wiring portion and the first control terminal for inspection connected to the first control terminal; In a state in which a voltage for turning off the second switching element is applied to the inspection connection wiring part in the radiation detection element substrate comprising:
A voltage applying step of applying a voltage for turning on the first switching element from the first control terminal for inspection;
An accumulation step of accumulating charges in each pixel by applying a constant voltage from the signal terminal in a state where a voltage for turning on the first switching element is applied in the voltage application step;
A holding step of applying a voltage for turning off the first switching element from the first control terminal for inspection to hold the charge accumulation of each pixel in the accumulation step for a certain period of time;
A reading step of applying a voltage for turning on the first switching element from the first control terminal for inspection and reading out the charge held in the holding step from the signal terminal;
A method for inspecting a radiation detection element substrate, wherein the inspection of the radiation detection element substrate is carried out.
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