JP2015038903A - Semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体モジュールに係り、特に、半導体チップと、その半導体チップが載置されるヒートスプレッダと、そのヒートスプレッダの半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設され、半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する放熱体と、ヒートスプレッダと放熱体との間に介在し、そのヒートスプレッダとその放熱体とを接着結合する樹脂シートと、を備える半導体モジュールに関する。 The present invention relates to a semiconductor module, and in particular, a semiconductor chip, a heat spreader on which the semiconductor chip is placed, and a surface opposite to the placement surface on which the semiconductor chip of the heat spreader is placed. The present invention relates to a semiconductor module comprising: a heat radiating body that releases heat generated in a semiconductor chip to the outside; and a resin sheet that is interposed between the heat spreader and the heat radiating body and adhesively bonds the heat spreader and the heat radiating body.
従来、半導体チップが載置されるヒートスプレッダと放熱体とを樹脂シートを用いて接着結合させた半導体モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。上記の樹脂シートは、熱と圧力とを加えることでヒートスプレッダと放熱体とを接着結合させる接着力を発生する。従って、ヒートスプレッダと放熱体との接着結合は、ヒートスプレッダと放熱体との間に樹脂シートを介在させながらその樹脂シートに熱と圧力とを加えることにより実現される。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor module is known in which a heat spreader on which a semiconductor chip is placed and a heat radiating body are bonded and bonded using a resin sheet (for example, see Patent Document 1). The resin sheet generates an adhesive force that adheres and bonds the heat spreader and the radiator by applying heat and pressure. Therefore, the adhesive bond between the heat spreader and the heat radiating body is realized by applying heat and pressure to the resin sheet while the resin sheet is interposed between the heat spreader and the heat radiating body.
また、上記の半導体モジュールにおいて、放熱体は、ヒートスプレッダの半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設されており、半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する機能を有している。この放熱体には、樹脂シートを介してヒートスプレッダと接着結合される接着面とは反対側の非接着面にフィンが設けられている。フィンは、空気や液体の冷却流体との熱交換を促進することにより放熱体の放熱性能を高める機能を有している。 Further, in the above semiconductor module, the heat dissipator is disposed on the surface opposite to the mounting surface on which the semiconductor chip of the heat spreader is mounted, and has a function of releasing heat generated in the semiconductor chip to the outside. have. The heat dissipating body is provided with fins on the non-adhesive surface opposite to the adhesive surface that is adhesively bonded to the heat spreader via the resin sheet. The fin has a function of enhancing the heat dissipation performance of the radiator by promoting heat exchange with air or liquid cooling fluid.
ところで、上記の如く、ヒートスプレッダと放熱体とを接着結合させるためには、ヒートスプレッダと放熱体との間に介在する樹脂シートに圧力を加えることが必要である。この樹脂シートへの圧力印加は、ヒートスプレッダ上に載置された半導体チップを傷つけることのないようにそのヒートスプレッダの半導体チップが載置されていない周辺箇所を放熱体側へ向けて加圧することにより実現される。 Incidentally, as described above, in order to adhesively bond the heat spreader and the heat radiator, it is necessary to apply pressure to the resin sheet interposed between the heat spreader and the heat radiator. The application of pressure to the resin sheet is realized by pressurizing the peripheral portion of the heat spreader where the semiconductor chip is not placed so as not to damage the semiconductor chip placed on the heat spreader toward the heat dissipator. The
一方、上記した特許文献１記載の半導体モジュールの構造では、放熱体の非接着面においてフィンの占める領域が、ヒートスプレッダの外縁の外側にまで及んでいるため（特に図１参照）、樹脂シートへの圧力印加が行われる際、ヒートスプレッダの加圧が放熱部のフィンが設けられた箇所を支持中心にして行われることとなる。しかし、放熱部のフィンは、ヒートスプレッダの加圧時における支持部材として十分な耐圧性を有しないため、上記した半導体モジュールの構造では、放熱体に設けられたフィンの機能を確保することはできる一方で、ヒートスプレッダの加圧により放熱体の本体に反りが発生し、樹脂シートへの圧力印加が十分に行われず、その結果として、ヒートスプレッダと放熱体とを樹脂シートを介して接着結合させるのに十分な接着力が得られない可能性がある。 On the other hand, in the structure of the semiconductor module described in Patent Document 1 described above, the area occupied by the fins on the non-adhesive surface of the heat radiating body extends to the outside of the outer edge of the heat spreader (see particularly FIG. 1). When pressure is applied, the heat spreader is pressed around the place where the fin of the heat radiating portion is provided as a support center. However, since the fins of the heat radiating part do not have sufficient pressure resistance as a support member when the heat spreader is pressed, the structure of the semiconductor module described above can ensure the function of the fins provided in the heat radiating body. Therefore, the heat spreader is warped by the pressurization of the heat spreader, and the pressure is not sufficiently applied to the resin sheet. As a result, the heat spreader and the heat dissipator are sufficiently bonded to each other via the resin sheet. There is a possibility that a sufficient adhesive force cannot be obtained.
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、放熱体に設けられたフィンの機能を損なうことなく、ヒートスプレッダとフィンが設けられた放熱体との間に介在する樹脂シートへの圧力印加を十分に行うことが可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and without impairing the function of the fins provided on the radiator, pressure applied to the resin sheet interposed between the heat spreader and the radiator provided with the fins An object of the present invention is to provide a semiconductor module that can be sufficiently applied.
上記の目的は、半導体チップと、前記半導体チップが載置されるヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダの前記半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設され、前記半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する放熱体と、前記ヒートスプレッダと前記放熱体との間に介在し、該ヒートスプレッダと該放熱体とを接着結合する樹脂シートと、を備え、前記放熱体は、前記樹脂シートを介して前記ヒートスプレッダと接着結合される接着面とは反対側の非接着面に設けられたフィンを有し、前記半導体チップは、前記ヒートスプレッダ上において、該ヒートスプレッダ、前記樹脂シート、及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して、前記フィンが占めるフィン領域に重なるように位置し、かつ、前記ヒートスプレッダは、前記樹脂シート上において、該樹脂シート及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して前記フィン領域の外側に位置するフィン領域外端部を有する半導体モジュールにより達成される。 The object is to provide a semiconductor chip, a heat spreader on which the semiconductor chip is mounted, and a surface of the heat spreader opposite to the mounting surface on which the semiconductor chip is mounted. A heat dissipating body that releases generated heat to the outside, and a resin sheet that is interposed between the heat spreader and the heat dissipating member and adhesively bonds the heat spreader and the heat dissipating member, and the heat dissipating member includes the resin A fin provided on a non-adhesive surface opposite to an adhesive surface that is adhesively bonded to the heat spreader via a sheet, and the semiconductor chip is disposed on the heat spreader, the heat spreader, the resin sheet, and the heat dissipation The heat spray is positioned so as to overlap the fin region occupied by the fin with respect to the non-adhesive surface with the body being separated. Da, on the resin sheet, separates the resin sheet and the heat radiating body, wherein is achieved by a semiconductor module having a fin region outer end located outside the fin region with respect to the non-adhesive surface.
本発明によれば、放熱体に設けられたフィンの機能を損なうことなく、ヒートスプレッダとフィンが設けられた放熱体との間に介在する樹脂シートへの圧力印加を十分に行うことができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the pressure application to the resin sheet interposed between a heat spreader and the heat radiator provided with the fin can fully be performed, without impairing the function of the fin provided in the heat radiator.
以下、図面を用いて、本発明に係る半導体モジュールの具体的な実施の形態について説明する。 Hereinafter, specific embodiments of a semiconductor module according to the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の一実施例である半導体モジュール２０の構成図を示す。図２は、図１に示す半導体モジュール２０の各部における断面図を示す。尚、図２（Ａ）にはＡ−Ａ断面を、図２（Ｂ）にはＢ−Ｂ断面を、図２（Ｃ）にはＣ−Ｃ断面を、図２（Ｄ）にはＤ−Ｄ断面を、また、図２（Ｅ）にはＥ−Ｅ断面を、それぞれ示す。図３は、本実施例の半導体モジュール２０を上部と下部とで分解した構成を斜め上方から見た際の斜視図を示す。また、図４は、本実施例の半導体モジュール２０を上部と下部とで分解した構成を斜め下方から見た際の斜視図を示す。 FIG. 1 shows a configuration diagram of a semiconductor module 20 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of each part of the semiconductor module 20 shown in FIG. 2A is a cross section taken along the line AA, FIG. 2B is a cross section taken along the line BB, FIG. 2C is a cross section taken along the line C-C, and FIG. A cross section D is shown, and FIG. 2E shows a cross section EE. FIG. 3 is a perspective view of the structure obtained by disassembling the semiconductor module 20 of the present embodiment at the upper part and the lower part when viewed obliquely from above. FIG. 4 is a perspective view of the structure obtained by disassembling the semiconductor module 20 of the present embodiment at the upper part and the lower part when viewed obliquely from below.
本実施例の半導体モジュール２０は、例えばハイブリッド自動車や電気自動車等に搭載されており、電力変換を行うインバータなどのモータ制御装置に用いられるパワーモジュールである。 The semiconductor module 20 of the present embodiment is a power module that is mounted on, for example, a hybrid vehicle or an electric vehicle, and is used in a motor control device such as an inverter that performs power conversion.
半導体モジュール２０は、半導体からなる半導体チップ２２を備えている。半導体チップ２２は、例えば三相モータの各相に対応して複数設けられている。半導体モジュール２０は、複数の半導体チップ２２を一つのパッケージに纏めたものである。半導体チップ２２は、スイッチング素子であるＩＧＢＴやパワーＭＯＳ−ＦＥＴ、或いは、そのスイッチング素子に並列接続されるダイオードなどである。尚、本実施例においては、半導体モジュール２０が１２個の半導体チップ２２を備えているものとする。 The semiconductor module 20 includes a semiconductor chip 22 made of a semiconductor. A plurality of semiconductor chips 22 are provided corresponding to each phase of a three-phase motor, for example. The semiconductor module 20 is a combination of a plurality of semiconductor chips 22 in one package. The semiconductor chip 22 is a switching element such as an IGBT or a power MOS-FET, or a diode connected in parallel to the switching element. In the present embodiment, it is assumed that the semiconductor module 20 includes 12 semiconductor chips 22.
半導体モジュール２０は、また、半導体チップ２２が載置されるヒートスプレッダ２４を備えている。ヒートスプレッダ２４は、例えば銅やアルミニウム或いはそれらの金属を主成分とする合金などからなる矩形状の部材である。ヒートスプレッダ２４は、複数設けられている。各ヒートスプレッダ２４にはそれぞれ、一個以上の半導体チップ２２が載置される。ヒートスプレッダ２４上における半導体チップ２２の載置位置は、そのヒートスプレッダ２４の表面上の中央付近である。 The semiconductor module 20 also includes a heat spreader 24 on which the semiconductor chip 22 is placed. The heat spreader 24 is a rectangular member made of, for example, copper, aluminum, or an alloy mainly composed of these metals. A plurality of heat spreaders 24 are provided. Each heat spreader 24 has one or more semiconductor chips 22 mounted thereon. The mounting position of the semiconductor chip 22 on the heat spreader 24 is near the center on the surface of the heat spreader 24.
尚、本実施例においては、半導体モジュール２０が６個のヒートスプレッダ２４を備えているものとし、一個のヒートスプレッダ２４に２個の半導体チップ２２（具体的には、一個のスイッチング素子からなる半導体チップ２２と一個のダイオードからなる半導体チップ２２との組み合わせ）が載置されるものとする。 In this embodiment, it is assumed that the semiconductor module 20 includes six heat spreaders 24, and one heat spreader 24 includes two semiconductor chips 22 (specifically, a semiconductor chip 22 including one switching element). And a semiconductor chip 22 composed of a single diode).
半導体モジュール２０は、また、半導体チップ２２において発生した熱を外部へ放出する放熱体（ヒートシンク）２６を備えている。放熱体２６は、ヒートスプレッダ２４の、半導体チップ２２が載置される載置面とは反対側の面側に配設されている。６個のヒートスプレッダ２４は、放熱体２６の載置面上において、直列に並んで配置されている。放熱体２６は、例えば銅やアルミニウム或いはそれらの金属を主成分とする合金などからなる部材である。 The semiconductor module 20 also includes a heat radiating body (heat sink) 26 that releases heat generated in the semiconductor chip 22 to the outside. The radiator 26 is disposed on the surface of the heat spreader 24 opposite to the mounting surface on which the semiconductor chip 22 is mounted. The six heat spreaders 24 are arranged in series on the mounting surface of the radiator 26. The radiator 26 is a member made of, for example, copper, aluminum, or an alloy mainly composed of those metals.
放熱体２６は、平板状に形成された平板部２６ａと、剣山状に形成されたフィン２６ｂと、を有している。平板部２６ａは、６個のヒートスプレッダ２４を水平に並べるのに必要十分な大きさ（面積）を有している。６個のヒートスプレッダ２４は、平板部２６ａ上において所定方向に互いに隣接して配置されている。互いに隣接する２つのヒートスプレッダ２４の間には、隙間２８が形成されている。 The radiator 26 has a flat plate portion 26a formed in a flat plate shape and fins 26b formed in a sword mountain shape. The flat plate portion 26a has a size (area) necessary and sufficient for arranging the six heat spreaders 24 horizontally. The six heat spreaders 24 are arranged adjacent to each other in a predetermined direction on the flat plate portion 26a. A gap 28 is formed between the two heat spreaders 24 adjacent to each other.
半導体モジュール２０は、また、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０を備えている。樹脂シート３０は、柔軟性及び絶縁性を有するエポキシ樹脂などからなる部材であって、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させる機能を有している。樹脂シート３０は、所定温度の熱と所定の圧力（例えば３ＭＰａ）とが加わることによりヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させる。尚、樹脂シート３０の表面には、ヒートスプレッダ２４から放熱体２６への放熱性を高めるため、シリコングリスなどが塗布されていてもよい。樹脂シート３０は、６個のヒートスプレッダ２４を水平に並べるのに必要十分な大きさ（面積）を有している。この樹脂シート３０の大きさは、放熱体２６の平板部２６ａの大きさよりも小さくなるように設定されている。 The semiconductor module 20 further includes a resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the heat radiator 26. The resin sheet 30 is a member made of an epoxy resin or the like having flexibility and insulation, and has a function of bonding the heat spreader 24 and the radiator 26 to each other. The resin sheet 30 adheres and bonds the heat spreader 24 and the radiator 26 by applying heat at a predetermined temperature and a predetermined pressure (for example, 3 MPa). In addition, in order to improve the heat dissipation from the heat spreader 24 to the heat radiating body 26, silicon grease or the like may be applied to the surface of the resin sheet 30. The resin sheet 30 has a size (area) necessary and sufficient for horizontally arranging the six heat spreaders 24. The size of the resin sheet 30 is set to be smaller than the size of the flat plate portion 26 a of the radiator 26.
また、放熱体のフィン２６ｂは、平板部２６ａの、ヒートスプレッダ２４が配設される面とは反対側の面、すなわち、樹脂シート３０を介してヒートスプレッダ２４と接着結合される接着面３２とは反対側の非接着面３４に設けられている。この非接着面３４は、略平面状に形成されている。フィン２６ｂは、放熱体２６の表面積を増加させることで、半導体チップ２２から伝達された熱を外部へ放出する放熱体２６としての放熱性能を高める機能を有している。 Further, the fin 26b of the radiator is opposite to the surface of the flat plate portion 26a opposite to the surface on which the heat spreader 24 is disposed, that is, the adhesive surface 32 that is adhesively bonded to the heat spreader 24 via the resin sheet 30. It is provided on the non-bonding surface 34 on the side. The non-bonding surface 34 is formed in a substantially flat shape. The fins 26 b have a function of improving the heat dissipation performance as the heat dissipating body 26 that releases the heat transmitted from the semiconductor chip 22 to the outside by increasing the surface area of the heat dissipating body 26.
フィン２６ｂは、平板部２６ａの非接着面３４からそれぞれ円柱状に突起した複数のピン３６からなる。ピン３６は、平板部２６ａの非接着面３４において規則的に並ぶように設けられており、各ピン３６はそれぞれ、隣接するピン３６と所定距離離れて配置されている。平板部２６ａの非接着面３４には、フィン２６ｂが占める領域（以下、フィン領域と称す）４０が形成されている。このフィン領域４０は、平板部２６ａの非接着面３４全体の大きさよりも小さい大きさ（面積）を有している。 The fin 26b includes a plurality of pins 36 each protruding in a cylindrical shape from the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a. The pins 36 are provided so as to be regularly arranged on the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a, and each pin 36 is disposed at a predetermined distance from the adjacent pin 36. A region (hereinafter referred to as a fin region) 40 occupied by the fins 26b is formed on the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a. The fin region 40 has a size (area) smaller than the entire size of the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a.
尚、フィン領域４０は、半導体チップ２２において発生した熱の外部への放出をフィン２６ｂを用いて効果的に行うべく、平板部２６ａの非接着面３４において、少なくともヒートスプレッダ２４の半導体チップ２２が載置される部位の直下にある領域を含み、その非接着面３４でフィン２６ｂにより放熱性能を高める必要のある領域のことであって、例えばすべてのピン３６のうち最も外側（最外郭）のピン３６を結んで得られる略矩形状の領域のことである。 In the fin region 40, at least the semiconductor chip 22 of the heat spreader 24 is mounted on the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a so that the heat generated in the semiconductor chip 22 can be effectively released to the outside using the fin 26b. The region including the region directly under the portion to be placed, and the region where the heat dissipation performance needs to be improved by the fins 26b on the non-adhesive surface 34, for example, the outermost pin of all the pins 36 It is a substantially rectangular region obtained by connecting 36.
放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４は、上記したフィン領域４０と、そのフィン領域４０外の非フィン領域４２と、を有している。フィン領域４０は、平板部２６ａの非接着面３４の略中央部を占めている。また、非フィン領域４２は、フィン領域４０の外周側においてそのフィン領域４０を囲むように平板部２６ａの非接着面３４の周縁部を占めている。非フィン領域４２は、放熱体２６の非接着面３４のうちフィン領域４０を除いた領域である。 The non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26 a of the radiator 26 has the fin region 40 described above and a non-fin region 42 outside the fin region 40. The fin region 40 occupies a substantially central portion of the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a. Further, the non-fin region 42 occupies the peripheral portion of the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26 a so as to surround the fin region 40 on the outer peripheral side of the fin region 40. The non-fin region 42 is a region obtained by removing the fin region 40 from the non-adhesion surface 34 of the radiator 26.
放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４には、流路ケース４４が接着固定されている。流路ケース４４は、略断面コの字状に形成されている。流路ケース４４は、その平板部２６ａの非接着面３４との間で、冷却流体（水や空気など）を導く冷却流路４６を形成する。冷却流路４６内には、フィン２６ｂが露出される。冷却流路４６には、上記したフィン領域４０において略均一に具体的には平行に並んだ６個のヒートスプレッダ２４に対して略均一に冷却流体が流れる。冷却流体は、冷却流路４６の入口に流入した後、放熱体２６（主にフィン２６ｂ）との間で熱交換を行い、その後、冷却流路４６の出口から排出される。 A flow path case 44 is bonded and fixed to the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26. The flow path case 44 is formed in a substantially U-shaped cross section. The flow path case 44 forms a cooling flow path 46 for guiding a cooling fluid (water, air, etc.) between the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26a. The fins 26 b are exposed in the cooling flow path 46. In the cooling channel 46, the cooling fluid flows substantially uniformly with respect to the six heat spreaders 24 arranged substantially uniformly in parallel in the fin region 40. After the cooling fluid flows into the inlet of the cooling channel 46, the cooling fluid exchanges heat with the radiator 26 (mainly the fins 26 b), and is then discharged from the outlet of the cooling channel 46.
上記した半導体モジュール２０において、半導体チップ２２としてのスイッチング素子のオン／オフが繰り返されると、そのスイッチング素子やダイオードからなる半導体チップ２２が発熱する。半導体チップ２２において発生した熱は、ヒートスプレッダ２４及び樹脂シート３０を介して放熱体２６に伝達された後、その放熱体２６から外部へ放出される。特に、冷却流路４６内に導かれた冷却流体が放熱体２６のフィン２６ｂのピン３６間を流通してその放熱体２６との間で熱交換を行うことにより、半導体チップ２２において発生した熱が冷却流路４６から外部へ放熱される。従って、本実施例の半導体モジュール２０によれば、放熱体２６の下方に形成された冷却流路４６内に冷却流体を導くことにより、放熱体２６の放熱性能を高めることが可能である。 In the semiconductor module 20 described above, when the switching element as the semiconductor chip 22 is repeatedly turned on / off, the semiconductor chip 22 including the switching element and the diode generates heat. The heat generated in the semiconductor chip 22 is transmitted to the heat radiating body 26 through the heat spreader 24 and the resin sheet 30, and then released from the heat radiating body 26 to the outside. In particular, the cooling fluid introduced into the cooling flow path 46 flows between the pins 36 of the fins 26 b of the radiator 26 and exchanges heat with the radiator 26, thereby generating heat generated in the semiconductor chip 22. Is radiated from the cooling channel 46 to the outside. Therefore, according to the semiconductor module 20 of the present embodiment, it is possible to improve the heat radiation performance of the heat radiator 26 by introducing the cooling fluid into the cooling flow path 46 formed below the heat radiator 26.
また、上記した半導体モジュール２０において、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とは、樹脂シート３０を介して接着結合される。半導体モジュール２０の製造時、樹脂シート３０がヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在された後、その樹脂シート３０に所定温度の熱と所定の圧力（例えば３ＭＰａ）とが加えられる。ヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０に所定温度の熱と所定の圧力とが加えられると、その樹脂シート３０にヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合する接着力が発生する。従って、本実施例によれば、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０に所定温度の熱と所定の圧力とを加えることにより、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを樹脂シート３０を介して接着結合させることが可能である。 Further, in the semiconductor module 20 described above, the heat spreader 24 and the heat radiating body 26 are adhesively bonded via the resin sheet 30. At the time of manufacturing the semiconductor module 20, after the resin sheet 30 is interposed between the heat spreader 24 and the radiator 26, heat at a predetermined temperature and a predetermined pressure (for example, 3 MPa) are applied to the resin sheet 30. When heat at a predetermined temperature and a predetermined pressure are applied to the resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the heat radiating body 26, an adhesive force for bonding the heat spreader 24 and the heat radiating body 26 to the resin sheet 30 is generated. To do. Therefore, according to the present embodiment, the heat spreader 24 and the radiator 26 are connected to the resin sheet 30 by applying heat and a predetermined pressure to the resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the radiator 26. It is possible to adhesively bond via
ところで、上記したヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０への圧力印加は、ヒートスプレッダ２４を放熱体２６側へ向けて加圧することにより実現されるのが一般的である。しかし、ヒートスプレッダ２４上には半導体チップ２２が載置されるので、ヒートスプレッダ２４の放熱体２６側への加圧をヒートスプレッダ２４の載置面全体に対して行うことは、そのヒートスプレッダ２４上の半導体チップ２２を損傷させ得る点で適切でない。従って、ヒートスプレッダ２４の放熱体２６側への加圧については、ヒートスプレッダ２４上の半導体チップ２２を傷つけることのないようにそのヒートスプレッダ２４の半導体チップ２２が載置されていない周辺箇所を加圧するのが適切である。 By the way, the application of pressure to the resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the heat radiator 26 is generally realized by pressurizing the heat spreader 24 toward the heat radiator 26 side. However, since the semiconductor chip 22 is mounted on the heat spreader 24, applying the pressure to the heat radiator 26 side of the heat spreader 24 on the entire mounting surface of the heat spreader 24 means that the semiconductor chip on the heat spreader 24. It is not appropriate in that it can damage 22. Accordingly, with respect to the pressurization of the heat spreader 24 toward the heat radiating body 26, the peripheral portion of the heat spreader 24 where the semiconductor chip 22 is not placed is pressed so as not to damage the semiconductor chip 22 on the heat spreader 24. Is appropriate.
図５は、本実施例の半導体モジュール２０の上部、及び、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを樹脂シート３０を介して接着結合するうえで必要な支持部材である冶具５０を斜め上方から見た際の斜視図を示す。図６は、本実施例の半導体モジュール２０の上部、及び、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを樹脂シート３０を介して接着結合するうえで必要な冶具５０を斜め下方から見た際の斜視図を示す。図７は、本実施例の半導体モジュール２０の上部を冶具５０に設置した際の構成図を示す。また、図８は、図７に示す構成の各部における断面図を示す。尚、図８（Ａ）にはＦ−Ｆ断面を、図８（Ｂ）にはＧ−Ｇ断面を、また、図８（Ｃ）にはＨ−Ｈ断面を、それぞれ示す。 FIG. 5 shows an upper part of the semiconductor module 20 of the present embodiment, and a jig 50 that is a support member necessary for adhesively bonding the heat spreader 24 and the radiator 26 via the resin sheet 30 when viewed obliquely from above. FIG. FIG. 6 is a perspective view of the upper part of the semiconductor module 20 of the present embodiment and a jig 50 necessary for adhesively bonding the heat spreader 24 and the radiator 26 via the resin sheet 30 when viewed obliquely from below. Show. FIG. 7 shows a configuration diagram when the upper part of the semiconductor module 20 of the present embodiment is installed in the jig 50. FIG. 8 is a cross-sectional view of each part of the configuration shown in FIG. 8A shows a FF cross section, FIG. 8B shows a GG cross section, and FIG. 8C shows a HH cross section.
本実施例において、半導体モジュール２０は、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に流路ケース４４が接着固定される前において、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とが樹脂シート３０を介して接着結合される工程で冶具５０により支持される。冶具５０は、ヒートスプレッダ２４が放熱体２６側へ向けて加圧される際すなわち樹脂シート３０がヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させるべく加圧される際に半導体モジュール２０（特に放熱体２６）を支持する支持部材である。 In the present embodiment, the semiconductor module 20 has the heat spreader 24 and the radiator 26 bonded via the resin sheet 30 before the flow path case 44 is bonded and fixed to the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26 a of the radiator 26. It is supported by the jig 50 in the combined process. When the heat spreader 24 is pressed toward the radiator 26, that is, when the resin sheet 30 is pressed to adhesively bond the heat spreader 24 and the radiator 26, the jig 50 is provided with the semiconductor module 20 (particularly the radiator 26. ).
冶具５０は、半導体モジュール２０において放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に流路ケース４４が接着固定される前、その半導体モジュール２０の非接着面３４の下方に設置される。そして、冶具５０は、ヒートスプレッダ２４が放熱体２６側へ向けて加圧される際すなわち樹脂シート３０がヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させるべく加圧される際にその平板部２６ａの非接着面３４に接触される。 The jig 50 is installed below the non-adhesion surface 34 of the semiconductor module 20 before the flow path case 44 is bonded and fixed to the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a of the heat radiator 26 in the semiconductor module 20. When the heat spreader 24 is pressed toward the radiator 26, that is, when the resin sheet 30 is pressed to adhesively bond the heat spreader 24 and the radiator 26, the jig 50 has a non-flat plate 26 a. The adhesive surface 34 is contacted.
冶具５０は、略平板状に形成されており、放熱体２６の平板部２６ａの大きさと略同一の大きさ（面積）を有しかつ所定厚を有している。冶具５０は、平板部２６ａの非接着面３４に接触する接触部５２と、中心に開いた穴５４と、を有している。穴５４は、放熱体２６の非接着面３４においてフィン２６ｂが占めるフィン領域４０に対応した形状を有している。また、接触部５２は、フィン領域４０の外側にある非フィン領域４２に対応した形状を有している。 The jig 50 is formed in a substantially flat plate shape, has substantially the same size (area) as the flat plate portion 26a of the radiator 26, and has a predetermined thickness. The jig 50 includes a contact portion 52 that contacts the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a, and a hole 54 that is open at the center. The hole 54 has a shape corresponding to the fin region 40 occupied by the fins 26 b on the non-bonding surface 34 of the radiator 26. Further, the contact portion 52 has a shape corresponding to the non-fin region 42 outside the fin region 40.
半導体モジュール２０は、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に冶具５０の接触部５２が接触するように冶具５０に設置される。この場合には、冶具５０の穴５４内に放熱体２６のフィン２６ｂが進入した状態で半導体モジュール２０が冶具５０の接触部５２に支持されることとなる。放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４において冶具５０の接触部５２が接触する領域は、その冶具５０により半導体モジュール２０を支持する支持領域であって、上記した非フィン領域４２と略一致する。 The semiconductor module 20 is installed in the jig 50 such that the contact portion 52 of the jig 50 contacts the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26. In this case, the semiconductor module 20 is supported by the contact portion 52 of the jig 50 in a state where the fins 26 b of the radiator 26 have entered the holes 54 of the jig 50. The region where the contact portion 52 of the jig 50 contacts on the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26 is a support region for supporting the semiconductor module 20 with the jig 50 and substantially coincides with the non-fin region 42 described above. To do.
図９は、半導体モジュール２０において樹脂シート３０を介して放熱体２６と接着結合されるヒートスプレッダ２４の加圧箇所を表した平面図を示す。図１０は、本実施例の半導体モジュール２０の要部構造を表した断面図を示す。図１１は、本実施例の半導体モジュール２０と対比される対比構造１００を表した断面図を示す。また、図１２は、本実施例の半導体モジュール２０と冶具５０との相対位置関係を表した平面図を示す。 FIG. 9 is a plan view showing a pressurizing portion of the heat spreader 24 that is adhesively bonded to the radiator 26 via the resin sheet 30 in the semiconductor module 20. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the main structure of the semiconductor module 20 of this embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the contrast structure 100 compared with the semiconductor module 20 of the present embodiment. FIG. 12 is a plan view showing the relative positional relationship between the semiconductor module 20 and the jig 50 according to this embodiment.
本実施例において、半導体モジュール２０の製造工程におけるヒートスプレッダ２４の放熱体２６側への加圧は、ヒートスプレッダ２４上の半導体チップ２２を傷つけることのないようにそのヒートスプレッダ２４の半導体チップ２２が載置されていない周辺箇所（図９において網掛けで示された領域）を放熱体２６側へ向けて加圧することにより実現される。 In the present embodiment, the semiconductor chip 22 of the heat spreader 24 is placed so that the heat spreader 24 is pressed against the radiator 26 in the manufacturing process of the semiconductor module 20 so as not to damage the semiconductor chip 22 on the heat spreader 24. This is realized by pressurizing a peripheral portion (a region indicated by hatching in FIG. 9) that is not directed toward the radiator 26 side.
本実施例の半導体モジュール２０において、半導体チップ２２は、ヒートスプレッダ２４上において、そのヒートスプレッダ２４、樹脂シート３０、及び放熱体２６を隔てて、その放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に対して、フィン２６ｂが占めるフィン領域４０に重なるように位置している。すなわち、放熱体２６におけるフィン領域４０は、平板部２６ａの非接着面３４において、少なくともヒートスプレッダ２４の半導体チップ２２が載置される部位の直下にある領域を含んでいる。半導体チップ２２と放熱体２６のフィン領域４０とを面に垂直な方向から見たときの両者の平面的な相対関係は、半導体チップ２２の全体がフィン領域４０内に位置するように規定されている。 In the semiconductor module 20 of the present embodiment, the semiconductor chip 22 is separated from the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26 with the heat spreader 24, the resin sheet 30, and the radiator 26 separated on the heat spreader 24. The fin 26b is located so as to overlap the fin region 40. That is, the fin region 40 in the heat radiator 26 includes at least a region on the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a that is directly below the portion where the semiconductor chip 22 of the heat spreader 24 is placed. The planar relative relationship between the semiconductor chip 22 and the fin region 40 of the radiator 26 when viewed from the direction perpendicular to the surface is defined so that the entire semiconductor chip 22 is located in the fin region 40. Yes.
このようなヒートスプレッダ２４の半導体チップ２２が載置される部位の直下にある非接着面３４の領域が、フィン２６ｂが占められたフィン領域４０である構造においては、その非接着面３４の領域がフィン２６ｂが設けられていない非フィン領域４２である構造に比べて、半導体チップ２２において発生した熱がヒートスプレッダ２４及び樹脂シート３０を介して放熱体２６のフィン２６ｂに伝達され易くなる。このため、本実施例の半導体モジュール２０によれば、半導体チップ２２がヒートスプレッダ２４上において放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に対してフィン領域４０に重なるように位置することで、半導体チップ２２において発生した熱を放熱体２６のフィン２６ｂを通じて効果的に外部へ排出するうえで放熱性能が低下するのを回避することが可能である。 In the structure in which the region of the non-adhesion surface 34 just below the portion where the semiconductor chip 22 of the heat spreader 24 is placed is the fin region 40 occupied by the fins 26b, the region of the non-adhesion surface 34 is Compared to the structure of the non-fin region 42 in which the fins 26 b are not provided, the heat generated in the semiconductor chip 22 is easily transmitted to the fins 26 b of the radiator 26 via the heat spreader 24 and the resin sheet 30. For this reason, according to the semiconductor module 20 of the present embodiment, the semiconductor chip 22 is positioned on the heat spreader 24 so as to overlap the fin region 40 with respect to the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26. When the heat generated in the chip 22 is effectively discharged to the outside through the fins 26b of the heat radiating body 26, it is possible to avoid a decrease in heat radiating performance.
また、本実施例の半導体モジュール２０において、ヒートスプレッダ２４は、樹脂シート３０上において、その樹脂シート３０及び放熱体２６を隔てて、その放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に対してフィン領域４０の外側（すなわち、非フィン領域４２）に位置する端部（以下、フィン領域外端部と称す）２４ａを有している。すなわち、ヒートスプレッダ２４の一部である周縁には、樹脂シート３０及び放熱体２６の平板部２６ａを隔てて放熱体２６の非接着面３４の非フィン領域４２に対向するフィン領域外端部２４ａが形成されている。 Further, in the semiconductor module 20 of the present embodiment, the heat spreader 24 has a fin on the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26a of the heat radiator 26 with the resin sheet 30 and the heat radiator 26 separated on the resin sheet 30. An end portion (hereinafter referred to as a fin region outer end portion) 24a located outside the region 40 (that is, the non-fin region 42) is provided. That is, a fin region outer end portion 24 a facing the non-fin region 42 of the non-adhesive surface 34 of the heat dissipating body 26 with the resin sheet 30 and the flat plate portion 26 a of the heat dissipating member 26 being separated from each other at the periphery which is a part of the heat spreader 24 Is formed.
尚、上記したフィン領域外端部２４ａは、ヒートスプレッダ２４の周縁全周に亘って形成されていることが望ましいが、その周縁全周の一部のみ形成されていることとしてもよい。例えば、そのフィン領域外端部２４ａは、図１２に示す如く、ヒートスプレッダ２４の四隅にのみ形成されることとしてもよいし、或いは、ヒートスプレッダ２４の、隣接して配置されたヒートスプレッダ２４と対向する辺部分を除く周縁部分にのみ形成されることとしてもよい。 The fin region outer end 24a is preferably formed over the entire periphery of the heat spreader 24, but only a part of the entire periphery of the heat spreader 24 may be formed. For example, the fin region outer end 24a may be formed only at the four corners of the heat spreader 24, as shown in FIG. 12, or the side of the heat spreader 24 facing the adjacent heat spreader 24. It is good also as forming only in the peripheral part except a part.
ヒートスプレッダ２４は、矩形状の部材である。一方、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４において、フィン２６ｂが占めるフィン領域４０は、略矩形状に形成されているが、更に詳細には、矩形に対してフィン２６ｂが設けられていない切り欠きが設けられた切欠部４０ａを有している。フィン領域４０の切欠部４０ａは、ヒートスプレッダ２４のフィン領域外端部２４ａを含む四隅それぞれに対向する位置に設けられており、例えばテーパ状又は三角形状に形成されている。このフィン領域４０の切欠部４０ａは、樹脂シート３０上において互いに隣接するヒートスプレッダ２４の間の領域（隙間２８）に対してそれら２つのヒートスプレッダ２４が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように、又は、樹脂シート３０上において両端のヒートスプレッダ２４の外側の領域に対して２つのヒートスプレッダ２４が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように形成されている。 The heat spreader 24 is a rectangular member. On the other hand, in the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26, the fin region 40 occupied by the fin 26b is formed in a substantially rectangular shape, but more specifically, the fin 26b is provided for the rectangle. It has a notch 40a provided with no notch. The notch 40a of the fin region 40 is provided at a position facing each of the four corners including the fin region outer end 24a of the heat spreader 24, and is formed in a tapered shape or a triangular shape, for example. The notch 40a of the fin region 40 extends from the outside to the inside in the direction orthogonal to the adjacent direction in which the two heat spreaders 24 are adjacent to the region (gap 28) between the heat spreaders 24 adjacent to each other on the resin sheet 30. The width in the adjacent direction is gradually narrowed, or the two heat spreaders 24 are arranged on the resin sheet 30 from the outer side to the inner side in the direction perpendicular to the adjacent adjacent direction with respect to the outer region of the heat spreader 24 at both ends. It is formed so that the width in the adjacent direction is gradually narrowed.
また、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４において、フィン２６ｂが設けられていない非フィン領域４２は、上記した切欠部４０ａに対応する領域を含む。更に、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４において、冶具５０により半導体モジュール２０が支持される支持領域は、上記した非フィン領域４２と略一致し、上記した切欠部４０ａに対応する領域を含む。 In addition, in the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26, the non-fin region 42 where the fins 26b are not provided includes a region corresponding to the notch 40a described above. Further, on the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26, the support region where the semiconductor module 20 is supported by the jig 50 substantially coincides with the above-described non-fin region 42 and corresponds to the above-described notch portion 40a. including.
上記した非接着面３４において、冶具５０により半導体モジュール２０が支持される支持領域の一部は、フィン領域４０の外側である非フィン領域４２において、互いに隣接するヒートスプレッダ２４の間の領域（隙間２８）に対してそれら２つのヒートスプレッダ２４が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように、又は、樹脂シート３０上における両端のヒートスプレッダ２４の外側の領域に対して２つのヒートスプレッダ２４が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように形成されている。 In the non-bonding surface 34 described above, a part of the support region where the semiconductor module 20 is supported by the jig 50 is a region (gap 28) between the heat spreaders 24 adjacent to each other in the non-fin region 42 outside the fin region 40. ) So that the width in the adjacent direction gradually decreases from the outside to the inside in the direction orthogonal to the adjacent adjacent direction, or outside the heat spreader 24 at both ends on the resin sheet 30. Two heat spreaders 24 with respect to the region are formed such that the width in the adjacent direction gradually decreases from the outside to the inside in the direction orthogonal to the adjacent adjacent direction.
冶具５０の接触部５２は、フィン領域４０の外側にある非フィン領域４２に対応した形状を有している。接触部５２は、上記した切欠部４０ａに対応して穴５４の中央寄りに向けて突出する突起５６を有している。突起５６は、ヒートスプレッダ２４の四隅それぞれに対向する位置に設けられており、例えばテーパ状や三角形状に形成されている。この接触部５２の突起５６は、根元側から先端側にかけてその幅が徐々に狭くなるように形成されている。 The contact portion 52 of the jig 50 has a shape corresponding to the non-fin region 42 outside the fin region 40. The contact portion 52 has a protrusion 56 that protrudes toward the center of the hole 54 corresponding to the above-described notch portion 40a. The protrusions 56 are provided at positions facing the four corners of the heat spreader 24, and are formed in a tapered shape or a triangular shape, for example. The protrusion 56 of the contact portion 52 is formed so that its width gradually decreases from the root side to the tip side.
ここで、仮に、図１１に示す如く、放熱体２６の非接着面３４におけるフィン領域４０がヒートスプレッダ２４の外縁の外側にまで及び、かつ、その状況がヒートスプレッダ２４の周縁全周に亘っている対比構造では、ヒートスプレッダ２４が放熱体２６側へ向けて加圧されると、その加圧が、支持部材として十分でないフィン２６ｂが設けられたフィン領域４０を支持中心にして行われるため、その加圧により放熱体２６の平板部２６ａに反りが発生し、冶具５０による半導体モジュール２０の支持が不安定となる。 Here, as shown in FIG. 11, the fin region 40 on the non-adhesive surface 34 of the radiator 26 extends to the outside of the outer edge of the heat spreader 24, and the situation extends over the entire periphery of the periphery of the heat spreader 24. In the structure, when the heat spreader 24 is pressurized toward the radiator 26 side, the pressurization is performed with the fin region 40 provided with the fins 26b that are not sufficient as a support member as the support center. As a result, the flat plate portion 26a of the radiator 26 is warped, and the support of the semiconductor module 20 by the jig 50 becomes unstable.
これに対して、上記した本実施例の構造においては、半導体モジュール２０の製造時におけるヒートスプレッダ２４と放熱体２６とが樹脂シート３０を介して接着結合される工程において半導体モジュール２０が冶具５０により支持される際、冶具５０の接触部５２の突起５６が、放熱体２６の非接着面３４の非フィン領域４２のうち切欠部４０ａに対応する領域に接触する。この切欠部４０ａは、上記の如く、ヒートスプレッダ２４のフィン領域外端部２４ａを含む四隅それぞれに対向する位置に設けられている。 On the other hand, in the structure of the above-described embodiment, the semiconductor module 20 is supported by the jig 50 in the process in which the heat spreader 24 and the radiator 26 are bonded and bonded via the resin sheet 30 when the semiconductor module 20 is manufactured. In doing so, the protrusion 56 of the contact portion 52 of the jig 50 comes into contact with a region corresponding to the notch 40 a in the non-fin region 42 of the non-adhesive surface 34 of the radiator 26. As described above, the notch 40a is provided at a position facing each of the four corners including the fin region outer end 24a of the heat spreader 24.
このため、本実施例の半導体モジュール２０の構造によれば、半導体モジュール２０の製造時において、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０への圧力印加のためにヒートスプレッダ２４が放熱体２６側へ向けて加圧される際、ヒートスプレッダ２４のフィン領域外端部２４ａと冶具５０の接触部５２の突起５６とが放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に垂直な方向において互いに対向して重なり合うので、その半導体モジュール２０（特に放熱体２６）が冶具５０の接触部５２により確実に支持され、放熱体２６の平板部２６ａにヒートスプレッダ２４への加圧による反りが発生することが回避される。 For this reason, according to the structure of the semiconductor module 20 of the present embodiment, the heat spreader 24 radiates heat in order to apply pressure to the resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the radiator 26 during the manufacture of the semiconductor module 20. When pressurized toward the body 26 side, the fin region outer end 24a of the heat spreader 24 and the protrusion 56 of the contact portion 52 of the jig 50 are in a direction perpendicular to the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26. Since they overlap each other, the semiconductor module 20 (particularly the radiator 26) is reliably supported by the contact portion 52 of the jig 50, and the flat plate portion 26a of the radiator 26 is warped due to the pressure applied to the heat spreader 24. Is avoided.
従って、本実施例の半導体モジュール２０によれば、放熱体２６に設けられたフィン２６ｂの機能（具体的には、半導体チップ２２において発生した熱の外部への効果的な排出機能）を損なうことなく、ヒートスプレッダ２４とフィン２６ｂが設けられた放熱体２６との間に介在する樹脂シート３０への圧力印加を十分に行うことができ、樹脂シート３０を用いてヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させるのに十分な接着力を得ることができる。 Therefore, according to the semiconductor module 20 of the present embodiment, the function of the fins 26b provided in the radiator 26 (specifically, the function of effectively discharging the heat generated in the semiconductor chip 22 to the outside) is impaired. In addition, it is possible to sufficiently apply pressure to the resin sheet 30 interposed between the heat spreader 24 and the heat dissipating body 26 provided with the fins 26b, and the heat spreader 24 and the heat dissipating body 26 are bonded using the resin sheet 30. Adhesive strength sufficient for bonding can be obtained.
尚、本実施例において、放熱体２６の非接着面３４においてフィン２６ｂが設けられていない切欠部４０ａは、ヒートスプレッダ２４の周縁近傍に対応する領域においてフィン領域４０の周縁側から中央側にかけて幅が徐々に狭くなるように先細り形状を有している。また、冶具５０の接触部５２の突起５６は、その切欠部４０ａの形状に合わせて、根元側から先端側にかけてその幅が徐々に狭くなるように形成されている。 In this embodiment, the notch 40a where the fins 26b are not provided on the non-adhesive surface 34 of the radiator 26 has a width from the peripheral side to the center side of the fin region 40 in the region corresponding to the vicinity of the peripheral edge of the heat spreader 24. It has a tapered shape so that it gradually becomes narrower. Further, the protrusion 56 of the contact portion 52 of the jig 50 is formed so that its width gradually decreases from the root side to the tip side in accordance with the shape of the notch 40a.
このため、本実施例においては、放熱体２６の非接着面３４について、半導体チップ２２の載置付近の領域にできるだけフィン２６ｂ（フィン領域４０）を残しつつ、非フィン領域４２をできるだけフィン領域４０の中央側付近にまで拡大することができるので、フィン２６ｂによる放熱性能を維持しつつ、ヒートスプレッダ２４への加圧ひいては樹脂シート３０への圧力印加をフィン領域４０の中央寄りにまで行うことができる。従って、本実施例の半導体モジュール２０によれば、ヒートスプレッダ２４が複数並べられるときにも、互いに隣接するヒートスプレッダ２４が対向する辺側（すなわち樹脂シート３０の中央寄り）でも十分な圧力印加を行うことができ、ヒートスプレッダ２４への加圧をその略全周に亘って十分に行うことができ、ヒートスプレッダ２４と放熱体２６とを接着結合させる接着力を上げることが可能である。 For this reason, in the present embodiment, the non-bonding surface 34 of the heat radiating body 26 is left in the region near the placement of the semiconductor chip 22 as much as possible while leaving the non-fin region 42 in the fin region 40 as much as possible. Since the heat radiation performance by the fins 26b can be maintained, the pressure to the heat spreader 24 and the pressure application to the resin sheet 30 can be performed closer to the center of the fin region 40. . Therefore, according to the semiconductor module 20 of the present embodiment, even when a plurality of heat spreaders 24 are arranged, sufficient pressure is applied even on the side where the adjacent heat spreaders 24 face each other (that is, near the center of the resin sheet 30). Thus, the heat spreader 24 can be fully pressurized over substantially the entire circumference, and the adhesive force for bonding the heat spreader 24 and the radiator 26 can be increased.
図１３は、本実施例の半導体モジュール２０における冷却流体の流れを表した図を示す。また、図１４は、本実施例の半導体モジュール２０と対比される対比構造における冷却流体の流れを表した図を示す。尚、図１３及び図１４にはそれぞれ、半導体モジュール２０と流路ケース４４との相対位置関係を表した平面図を示している。 FIG. 13 is a diagram showing the flow of the cooling fluid in the semiconductor module 20 of the present embodiment. FIG. 14 is a view showing the flow of the cooling fluid in the comparison structure compared with the semiconductor module 20 of the present embodiment. 13 and 14 are plan views showing the relative positional relationship between the semiconductor module 20 and the flow path case 44, respectively.
本実施例において、放熱体２６の非接着面３４においてフィン２６ｂが占められたフィン領域４０は、上記の如く、フィン２６ｂが設けられていない切欠部４０ａを有している。この切欠部４０ａは、樹脂シート３０上において互いに隣接するヒートスプレッダ２４の間の領域（隙間２８）に対向する位置に設けられている。また、製造完成後の半導体モジュール２０においては、冷却流体を導く冷却流路４６が形成されるように、放熱体２６の非接着面３４に流路ケース４４が接着固定されている。 In the present embodiment, the fin region 40 in which the fins 26b are occupied on the non-adhesive surface 34 of the radiator 26 has the cutout portions 40a where the fins 26b are not provided as described above. The notch 40 a is provided at a position facing the region (gap 28) between the heat spreaders 24 adjacent to each other on the resin sheet 30. Further, in the semiconductor module 20 after the manufacture is completed, a flow path case 44 is bonded and fixed to the non-bonding surface 34 of the radiator 26 so that a cooling flow path 46 for guiding a cooling fluid is formed.
ここで、仮に、図１４に示す如く、冷却流路４６の入口や出口に何ら冷却流体の流れを遮るものが無い構造では、上記した切欠部４０ａに対応する箇所に冷却流体が集中し易くなるので、半導体チップ２２の直下にある箇所での冷却流体の流速が下がり、放熱性能が低下する可能性がある。 Here, as shown in FIG. 14, if there is no structure that obstructs the flow of the cooling fluid at the inlet or the outlet of the cooling flow path 46, the cooling fluid is likely to concentrate on the portion corresponding to the notch 40 a described above. Therefore, there is a possibility that the flow rate of the cooling fluid at a location immediately below the semiconductor chip 22 decreases, and the heat dissipation performance decreases.
これに対して、本実施例の半導体モジュール２０においては、流路ケース４４に、冷却流路４６の入口又は出口での冷却流体の流れを遮るブロック部材６０が設けられている。ブロック部材６０は、放熱体２６の非接着面３４の非フィン領域４２における上記の切欠部４０ａに対応する平面形状（テーパ状又は三角形状）を有し、かつ、非接着面３４と流路ケース４４とで形成される冷却流路４６の高さと略一致する高さを有している。尚、ブロック部材６０は、上記の切欠部４０ａの占める領域が閉じられるように壁が立設されるものであってもよい。ブロック部材６０は、流路ケース４４において、切欠部４０ａごとに、対応する切欠部４０ａに対応する領域に対向する位置に設けられている。各ブロック部材６０はそれぞれ、放熱体２６と流路ケース４４との接着固定後、上記の切欠部４０ａに対応する領域に対向する。 In contrast, in the semiconductor module 20 of the present embodiment, the flow path case 44 is provided with a block member 60 that blocks the flow of the cooling fluid at the inlet or outlet of the cooling flow path 46. The block member 60 has a planar shape (tapered or triangular) corresponding to the notch 40a in the non-fin region 42 of the non-adhesive surface 34 of the radiator 26, and the non-adhesive surface 34 and the flow path case. 44 and the height of the cooling flow path 46 formed by 44. Note that the block member 60 may have a wall erected so that the region occupied by the notch 40a is closed. In the flow path case 44, the block member 60 is provided for each notch 40a at a position facing a region corresponding to the corresponding notch 40a. Each block member 60 faces the region corresponding to the notch 40a after the heat radiator 26 and the flow path case 44 are bonded and fixed.
かかる構造においては、流路ケース４４が放熱体２６の非接着面３４に接着固定された後、冷却流路４６の入口及び出口の切欠部４０ａに対応する箇所にブロック部材６０が配置されるので、図１３に示す如く、冷却流路４６の入口に流入した冷却流体はブロック部材６０に遮られ、冷却流路４６の切欠部４０ａに対応する箇所への冷却流体の流れは阻止される。このため、冷却流路４６の入口に流入した冷却流体は、ブロック部材６０の両側に分かれ、互いに隣接する２つのブロック部材６０の間に集中し易くなる。 In such a structure, after the flow path case 44 is bonded and fixed to the non-adhesive surface 34 of the radiator 26, the block member 60 is disposed at locations corresponding to the inlet and outlet cutout portions 40 a of the cooling flow path 46. As shown in FIG. 13, the cooling fluid flowing into the inlet of the cooling flow path 46 is blocked by the block member 60, and the flow of the cooling fluid to the portion corresponding to the notch 40 a of the cooling flow path 46 is blocked. For this reason, the cooling fluid that has flowed into the inlet of the cooling flow path 46 is divided on both sides of the block member 60, and is easily concentrated between the two adjacent block members 60.
ブロック部材６０は上記の切欠部４０ａに対応する領域に対向し、切欠部４０ａはヒートスプレッダ２４の四隅それぞれに対向し、かつ、半導体チップ２２はヒートスプレッダ２４の表面上の中央付近に載置される。この点、冷却流路４６の入口で互いに隣接する２つのブロック部材６０の間に流入した冷却流体は、半導体チップ２２の直下を出口へ向けて流通する。そして、冷却流路４６の出口まで流通した冷却流体は、ブロック部材６０に遮られることで、その出口全体に亘って広がることなくブロック部材６０の両側に分かれて外部へ排出される。 The block member 60 faces a region corresponding to the notch 40 a, the notch 40 a faces each of the four corners of the heat spreader 24, and the semiconductor chip 22 is placed near the center on the surface of the heat spreader 24. In this regard, the cooling fluid that has flowed in between the two block members 60 adjacent to each other at the inlet of the cooling flow path 46 circulates directly under the semiconductor chip 22 toward the outlet. And the cooling fluid which distribute | circulated to the exit of the cooling flow path 46 is interrupted | blocked by the block member 60, is divided | segmented into the both sides of the block member 60, without being spread over the whole exit, and is discharged | emitted outside.
このため、本実施例の半導体モジュール２０の構造によれば、冷却流体が半導体チップ２２の直下を流通し易くなり、その流速を高めることができるので、半導体チップ２２の温度低下を促進することができ、放熱体２６から冷却流体を経由した外部への放熱性能を高めることが可能である。 For this reason, according to the structure of the semiconductor module 20 of the present embodiment, it becomes easy for the cooling fluid to flow directly under the semiconductor chip 22 and the flow velocity thereof can be increased, so that the temperature drop of the semiconductor chip 22 can be promoted. It is possible to improve the heat dissipation performance from the radiator 26 to the outside via the cooling fluid.
尚、上記の実施例においては、ブロック部材６０が特許請求の範囲に記載した「流通阻止手段」に相当している。 In the above-described embodiment, the block member 60 corresponds to “distribution prevention means” recited in the claims.
ところで、上記の実施例においては、一つの放熱体２６に対して複数のヒートスプレッダ２４を配置することとしたが、一つの放熱体２６に対して一つずつヒートスプレッダ２４を配置することとしてもよい。 In the above embodiment, a plurality of heat spreaders 24 are arranged for one radiator 26, but one heat spreader 24 may be arranged for each radiator 26 one by one.
また、上記の実施例においては、複数（６個）のヒートスプレッダ２４を、放熱体２６の載置面上において直列に並んで配置することとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、２行２列以上のマトリクス状に配置することとしてもよい。この場合、複数のヒートスプレッダ２４の配置位置に合わせて、放熱体２６の非接着面３４におけるフィン領域４０と非フィン領域４２とを設定し、かつ、冶具５０やブロック部材６０の形状や配置位置を設定することとすればよい。 In the above embodiment, a plurality (six) of heat spreaders 24 are arranged in series on the mounting surface of the radiator 26, but the present invention is not limited to this. It may be arranged in a matrix of 2 rows and 2 columns. In this case, the fin area 40 and the non-fin area 42 on the non-adhesive surface 34 of the radiator 26 are set in accordance with the arrangement positions of the plurality of heat spreaders 24, and the shapes and arrangement positions of the jig 50 and the block member 60 are set. It should be set.
また、上記の実施例においては、非フィン領域４２並びに冶具５０により半導体モジュール２０を支持する支持領域は、放熱体２６に平板状に形成された平板部２６ａの非接着面３４上の領域であるので平面であるが、冶具５０を支持できる形状であれば、例えば、曲面であることとしてもよいし、また、フィン２６ｂの互いに隣接するピン３６間の離間距離よりも短い距離離れた複数のピンからなる面であることとしてもよい。 In the above-described embodiment, the non-fin region 42 and the support region for supporting the semiconductor module 20 with the jig 50 are regions on the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26 a formed in the flat plate shape on the radiator 26. Therefore, if it is a shape that can support the jig 50, it may be, for example, a curved surface, or a plurality of pins that are separated by a distance shorter than the separation distance between adjacent pins 36 of the fin 26b. It is good also as the surface which consists of.
また、上記の実施例においては、放熱体２６であるフィン２６ｂを、平板部２６ａの非接着面３４からそれぞれ円柱状に突起した複数のピン３６からなるものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の平板がそれぞれ立設したストレート形状としてもよいし、また、複数の蛇行した板がそれぞれ立設したジグザグ形状としてもよい。かかる変形例においては、フィン領域４０は、フィン２６ｂが占める領域であればよく、フィン２６ｂを構成するすべての板のうち最も外側（最外郭）の板を囲むような略矩形状の領域であってもよい。 In the above embodiment, the fin 26b, which is the heat dissipating body 26, is composed of a plurality of pins 36 each protruding in a cylindrical shape from the non-adhesive surface 34 of the flat plate portion 26a. However, the present invention is not limited to this. Instead, it may be a straight shape in which a plurality of flat plates are erected, or a zigzag shape in which a plurality of meandering plates are erected. In such a modification, the fin region 40 may be a region occupied by the fin 26b, and is a substantially rectangular region surrounding the outermost (outermost) plate among all the plates constituting the fin 26b. May be.
また、上記の実施例においては、冷却流路４６の入口又は出口での冷却流体の流れを遮るブロック部材６０を流路ケース４４に設けることとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４に設けることとしてもよい。 In the above embodiment, the block member 60 that blocks the flow of the cooling fluid at the inlet or outlet of the cooling channel 46 is provided in the channel case 44. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, it may be provided on the non-adhesion surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26.
また、上記の実施例においては、放熱体２６の平板部２６ａの非接着面３４におけるフィン領域４０外の非フィン領域４２と、冶具５０により半導体モジュール２０を支持する支持領域と、が略一致するものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、その支持領域は非フィン領域４２内に含まれるものとすればよく、非フィン領域４２は冶具５０が接触しない領域を含んでいてもよい。 Further, in the above embodiment, the non-fin region 42 outside the fin region 40 on the non-bonding surface 34 of the flat plate portion 26a of the radiator 26 and the support region for supporting the semiconductor module 20 with the jig 50 substantially coincide. However, the present invention is not limited to this, and the supporting region may be included in the non-fin region 42. The non-fin region 42 includes a region where the jig 50 does not contact. Also good.
更に、上記の実施例においては、冷却流路４６を流通する冷却流体を図１３に示す如く複数のヒートスプレッダ２４が隣接する隣接方向に直交する方向に流れるものとしているが、その隣接方向に流れるものとしてもよい。 Further, in the above embodiment, the cooling fluid flowing through the cooling flow path 46 flows in the direction orthogonal to the adjacent direction in which the plurality of heat spreaders 24 are adjacent as shown in FIG. It is good.
２０ 半導体モジュール
２２ 半導体チップ
２４ ヒートスプレッダ
２６ 放熱体
２６ｂ フィン
３０ 樹脂シート
３２ 接着面
３４ 非接着面
３６ ピン
４０ フィン領域
４２ 非フィン領域
４４ 流路ケース
５０ 冶具
５２ 接触部
５６ 突起
６０ ブロック部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Semiconductor module 22 Semiconductor chip 24 Heat spreader 26 Radiator 26b Fin 30 Resin sheet 32 Adhesion surface 34 Non-adhesion surface 36 Pin 40 Fin area 42 Non-fin area 44 Flow path case 50 Jig 52 Contact part 56 Protrusion 60 Block member
Claims (7)
前記半導体チップが載置されるヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダの前記半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設され、前記半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する放熱体と、
前記ヒートスプレッダと前記放熱体との間に介在し、該ヒートスプレッダと該放熱体とを接着結合する樹脂シートと、を備え、
前記放熱体は、前記樹脂シートを介して前記ヒートスプレッダと接着結合される接着面とは反対側の非接着面に設けられたフィンを有し、
前記半導体チップは、前記ヒートスプレッダ上において、該ヒートスプレッダ、前記樹脂シート、及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して、前記フィンが占めるフィン領域に重なるように位置し、かつ、
前記ヒートスプレッダは、前記樹脂シート上において、該樹脂シート及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して前記フィン領域の外側に位置するフィン領域外端部を有することを特徴とする半導体モジュール。 A semiconductor chip;
A heat spreader on which the semiconductor chip is placed;
A heat dissipator that is disposed on the surface of the heat spreader opposite to the mounting surface on which the semiconductor chip is mounted, and that releases heat generated in the semiconductor chip to the outside;
A resin sheet interposed between the heat spreader and the heat dissipator, and adhesively bonding the heat spreader and the heat dissipator,
The radiator has fins provided on a non-adhesive surface opposite to an adhesive surface bonded and bonded to the heat spreader via the resin sheet,
The semiconductor chip is located on the heat spreader so as to overlap the fin region occupied by the fins with respect to the non-adhesive surface, with the heat spreader, the resin sheet, and the heat radiating member separated.
The heat spreader has a fin region outer end located on the outside of the fin region with respect to the non-bonding surface with the resin sheet and the heat radiating member being separated on the resin sheet. .
前記非接着面において前記フィン領域の外側にある非フィン領域の少なくとも一部は、互いに隣接する前記ヒートスプレッダの間の領域及び該ヒートスプレッダの前記フィン領域外端部が対向するように設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。 A plurality of the heat spreaders are provided on the resin sheet,
At least a part of the non-fin region outside the fin region on the non-bonding surface is provided so that a region between the heat spreaders adjacent to each other and an outer end portion of the fin region of the heat spreader face each other. The semiconductor module according to claim 1.
前記非フィン領域の前記一部は、前記切欠部に対応する領域であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体モジュール。 The fin region has a cutout portion provided with a cutout with respect to a rectangle;
The semiconductor module according to claim 1, wherein the part of the non-fin region is a region corresponding to the notch.
The semiconductor module according to claim 1, further comprising a fluid blocking unit that blocks a flow of a cooling fluid to the part of the non-fin region.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018032744A (en) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | Semiconductor device |
| JP7380417B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-11-15 | 株式会社デンソー | power converter |
| WO2021240764A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 三菱電機株式会社 | Cooler and semiconductor device |
| JPWO2021240764A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ||
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