JP2015026862A - Heating module and bonding device - Google Patents

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重人 泉
Shigeto Izumi
重人 泉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that recently in tendency of enlargement in a diameter of a wafer, it becomes difficult uniform heating over each entire surface of the wafers to be overlapped.SOLUTION: A heating module for heating a wafer includes: a stage portion having a placing surface for placing a work to be heated; and a plurality of heater plates disposed on a surface to be heated which is opposite to the placing surface of the stage portion. The plurality of heater plates are disposed so as to cover at least a region, corresponding to the placing surface and be separated so that adjacent sides are parallel to each other.

Description

本発明は、加熱モジュールに関する。   The present invention relates to a heating module.

半導体装置の実効的な実装密度を向上させる技術のひとつとして、複数の半導体チップを積層させた立体構造がある。特に、半導体基板であるウェハの状態で複数枚を積層して、接合した後に個片化する手順により製造される半導体チップが、その生産性の高さから、近年注目を集めている。2枚のウェハを重ね合わせて接合する場合、互いの電極同士を接触させて加熱および加圧する(例えば、特許文献1を参照)。   One technique for improving the effective mounting density of semiconductor devices is a three-dimensional structure in which a plurality of semiconductor chips are stacked. In particular, a semiconductor chip manufactured by a procedure of laminating a plurality of wafers in the state of a wafer as a semiconductor substrate and joining them into individual pieces has recently attracted attention because of its high productivity. When two wafers are overlapped and joined, the electrodes are brought into contact with each other and heated and pressurized (see, for example, Patent Document 1).

特開2005−302858号公報JP 2005-302858 A

ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、重ねあわされる互いのウェハ全面において均一に加熱することが困難になってきている。ウェハに加えられる温度に分布が生じると回路領域ごとに接合条件が異なることになり、一部の領域では温度不足による接触不良を招く。特に、加熱部に変形が生じると、ウェハへの熱伝達経路に偏りが生じ、温度分布が著しくなる。   In recent years, when the diameter of the wafer tends to increase, it has become difficult to uniformly heat the entire wafer surface. When distribution occurs in the temperature applied to the wafer, the bonding conditions differ for each circuit region, and in some regions, contact failure occurs due to insufficient temperature. In particular, when the heating unit is deformed, the heat transfer path to the wafer is biased, and the temperature distribution becomes significant.

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様における加熱モジュールは、被加熱体を載置する載置面を有するステージ部と、ステージ部の載置面とは反対の被加熱面に配置される複数のヒータプレートとを備え、複数のヒータプレートは、少なくとも載置面に対応する領域を覆い、隣接する辺が互いに平行を保って離間して配置される。   In order to solve the above-described problem, the heating module according to the first aspect of the present invention includes a stage unit having a mounting surface on which a heated body is mounted, and a heated surface opposite to the mounting surface of the stage unit. And a plurality of heater plates, which cover at least a region corresponding to the placement surface, and are disposed so that adjacent sides are kept parallel to each other.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

貼り合わせ装置の全体構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the whole structure of a bonding apparatus. 基板ホルダを上方から見下ろした様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the substrate holder was looked down from upper direction. 基板ホルダを下方から見上げた様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the substrate holder was looked up from the downward direction. 加圧装置の全体構造を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows typically the whole structure of a pressurization apparatus. 下部加圧モジュールの構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a lower pressurization module roughly. ヒータプレートの形状および配置を示す下部ヒートモジュールの上面図である。It is a top view of the lower heat module which shows the shape and arrangement | positioning of a heater plate. ヒータプレート、フレームおよび支柱部の位置関係を示す下部ヒートモジュールの上面図である。It is a top view of the lower heat module which shows the positional relationship of a heater plate, a flame | frame, and a support | pillar part. ロードセルの上面図と正面図である。It is the upper side figure and front view of a load cell. 電熱ヒータの配線を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the wiring of an electric heater. 昇降モジュールの構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a raising / lowering module roughly. 下部サブルームの体積を増加させてメインピストンを上昇させた様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the volume of the lower subroom was increased and the main piston was raised.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、加圧装置240を含む貼り合わせ装置100の全体構造を模式的に示す平面図である。貼り合わせ装置100は、共通の筐体101の内部に形成された大気環境部102および真空環境部202を含む。   FIG. 1 is a plan view schematically showing the overall structure of the bonding apparatus 100 including the pressing apparatus 240. The bonding apparatus 100 includes an air environment unit 102 and a vacuum environment unit 202 formed inside a common housing 101.

大気環境部102は、筐体101の外部に面して、複数の基板カセット111、112、113と、制御盤120とを有する。貼り合わせ装置100に含まれる各装置の各要素は、貼り合わせ装置100全体の制御および演算を司る制御盤120、または要素ごとに設けられた制御演算部が、統合制御、協調制御を行うことにより動作する。また、制御盤120は、貼り合わせ装置100の電源投入、各種設定等をする場合にユーザが外部から操作する操作部を有する。更に、制御盤120は、配備された他の機器と接続する接続部を含む場合もある。   The atmospheric environment unit 102 has a plurality of substrate cassettes 111, 112, 113 and a control panel 120 facing the outside of the housing 101. Each element of each device included in the bonding apparatus 100 is obtained by performing integrated control and cooperative control by a control panel 120 that controls the entire bonding apparatus 100 or a control operation unit provided for each element. Operate. In addition, the control panel 120 has an operation unit that is operated by the user from the outside when the bonding apparatus 100 is turned on and various settings are made. Furthermore, the control panel 120 may include a connection unit that connects to other deployed devices.

基板カセット111、112、113は、貼り合わせ装置100において接合される基板180、あるいは、貼り合わせ装置100において接合された基板180を収容する。また、基板カセット111、112、113は、筐体101に対して脱着自在に装着される。これにより、複数の基板180を一括して貼り合わせ装置100に装填できる。また、貼り合わせ装置100において接合された基板180を一括して回収できる。   The substrate cassettes 111, 112, and 113 accommodate the substrate 180 bonded in the bonding apparatus 100 or the substrate 180 bonded in the bonding apparatus 100. The substrate cassettes 111, 112, and 113 are detachably attached to the housing 101. As a result, a plurality of substrates 180 can be loaded into the bonding apparatus 100 at once. Further, the substrates 180 bonded in the bonding apparatus 100 can be collected together.

大気環境部102は、筐体101の内側にそれぞれ配された、プリアライナ130、仮接合装置140、基板ホルダラック150および基板取り外し部160と、一対のロボットアーム171、172とを備える。筐体101の内部は、貼り合わせ装置100が設置された環境の室温と略同じ温度が維持されるように温度管理される。これにより、仮接合装置140の精度が安定するので、位置決めを精確にできる。   The atmospheric environment unit 102 includes a pre-aligner 130, a temporary bonding apparatus 140, a substrate holder rack 150 and a substrate removal unit 160, and a pair of robot arms 171 and 172, which are disposed inside the housing 101. The inside of the housing 101 is temperature-managed so that substantially the same temperature as the room temperature of the environment where the bonding apparatus 100 is installed is maintained. Thereby, since the precision of the temporary joining apparatus 140 is stabilized, positioning can be performed accurately.

仮接合装置140は、対向する2枚の基板180に対して精確に位置合わせを行い、互いに重ね合わせる装置であるので、その調整範囲は非常に狭い。そこで、仮接合装置140への搬入に先立ち、仮接合装置140の調整範囲に基板180の位置が収まるように、プリアライナ130で個々の基板180の位置をおよそ把握する。仮接合装置140へは、プリアライナ130でおよそ把握した位置に基づいて向きを調整しつつロボットアーム172へ搬入する。これにより、仮接合装置140における位置決めを確実にすることができる。   The temporary bonding apparatus 140 is an apparatus that accurately aligns two opposing substrates 180 and superimposes them on each other, so that the adjustment range is very narrow. Therefore, prior to loading into the temporary bonding apparatus 140, the prealigner 130 approximately grasps the positions of the individual substrates 180 so that the positions of the substrates 180 are within the adjustment range of the temporary bonding apparatus 140. The temporary joining device 140 is loaded into the robot arm 172 while adjusting the direction based on the position roughly grasped by the pre-aligner 130. Thereby, the positioning in the temporary joining apparatus 140 can be ensured.

基板ホルダラック150は、複数の基板ホルダ190を収容して待機させる。なお、基板ホルダ190は、静電吸着により基板180を保持するが、具体的な構成については後述する。   The substrate holder rack 150 accommodates a plurality of substrate holders 190 and makes them stand by. The substrate holder 190 holds the substrate 180 by electrostatic adsorption, and a specific configuration will be described later.

仮接合装置140は、固定ステージ141、移動ステージ142および干渉計144を含む。また、仮接合装置140を包囲して断熱壁145およびシャッタ146が設けられる。断熱壁145およびシャッタ146に包囲された空間は空調機等に連通して温度管理され、仮接合装置140における位置合わせ精度を維持する。   The temporary bonding apparatus 140 includes a fixed stage 141, a moving stage 142, and an interferometer 144. Further, a heat insulating wall 145 and a shutter 146 are provided so as to surround the temporary joining device 140. The space surrounded by the heat insulating wall 145 and the shutter 146 is communicated with an air conditioner or the like, and the temperature is controlled, so that the alignment accuracy in the temporary bonding apparatus 140 is maintained.

仮接合装置140において、移動ステージ142は、基板180または基板180を保持した基板ホルダ190を搬送する。これに対して、固定ステージ141は固定された状態で、基板ホルダ190および基板180を保持する。   In the temporary bonding apparatus 140, the moving stage 142 carries the substrate 180 or the substrate holder 190 that holds the substrate 180. In contrast, the fixed stage 141 holds the substrate holder 190 and the substrate 180 in a fixed state.

基板取り外し部160は、後述する加圧装置240から搬出された基板ホルダ190から、当該基板ホルダ190に挟まれて接合された基板180を取り出す。基板ホルダ190から取り出された基板180は、ロボットアーム172、171および移動ステージ142により基板カセット113に戻されて収容される。また、基板180を取り出された基板ホルダ190は、基板ホルダラック150に戻されて待機する。   The substrate removing unit 160 takes out the substrate 180 sandwiched and bonded by the substrate holder 190 from the substrate holder 190 carried out from the pressurizer 240 described later. The substrate 180 taken out from the substrate holder 190 is returned to and stored in the substrate cassette 113 by the robot arms 172 and 171 and the moving stage 142. The substrate holder 190 from which the substrate 180 has been taken out is returned to the substrate holder rack 150 and waits.

なお、貼り合わせ装置100に装填される基板180は、既に回路パターンが複数周期的に形成されている単体のシリコンウエハ、化合物半導体ウエハ等である。また、装填された基板180が、既に複数のウエハを積層して形成された積層基板である場合もある。   The substrate 180 loaded in the bonding apparatus 100 is a single silicon wafer, compound semiconductor wafer, or the like on which a plurality of circuit patterns are already formed periodically. In addition, the loaded substrate 180 may be a laminated substrate that is already formed by laminating a plurality of wafers.

一対のロボットアーム171、172のうち、基板カセット111、112、113に近い側に配置されたロボットアーム171は、基板カセット111、112、113、プリアライナ130および仮接合装置140の間で基板180を搬送する。また、ロボットアーム171は、接合する基板180の一方を裏返す機能も有する。これにより、基板180において回路、素子、端子等が形成された面を対向させて接合することができる。   Of the pair of robot arms 171, 172, the robot arm 171 disposed on the side closer to the substrate cassettes 111, 112, 113 moves the substrate 180 between the substrate cassettes 111, 112, 113, the pre-aligner 130, and the temporary bonding apparatus 140. Transport. The robot arm 171 also has a function of turning over one of the substrates 180 to be joined. Accordingly, the surfaces of the substrate 180 on which circuits, elements, terminals, and the like are formed can be opposed to each other.

一方、基板カセット111、112、113から遠い側に配置されたロボットアーム172は、仮接合装置140、基板ホルダラック150、基板取り外し部160、基板ホルダラック150およびエアロックチャンバ220の間で基板180および基板ホルダ190を搬送する。また、ロボットアーム172は、基板ホルダラック150に対する基板ホルダ190の搬入および搬出も担う。   On the other hand, the robot arm 172 disposed on the side far from the substrate cassettes 111, 112, 113 is a substrate 180 between the temporary bonding apparatus 140, the substrate holder rack 150, the substrate removing unit 160, the substrate holder rack 150, and the air lock chamber 220. And the substrate holder 190 is conveyed. The robot arm 172 is also responsible for loading and unloading the substrate holder 190 with respect to the substrate holder rack 150.

真空環境部202は、断熱壁210、エアロックチャンバ220、ロボットアーム230および複数の加圧装置240を有する。断熱壁210は、真空環境部202を包囲して、真空環境部202の高い内部温度を維持すると共に、真空環境部202の外部への熱輻射を遮断する。これにより、真空環境部202の熱が大気環境部102に及ぼす影響を抑制できる。   The vacuum environment unit 202 includes a heat insulating wall 210, an air lock chamber 220, a robot arm 230, and a plurality of pressure devices 240. The heat insulating wall 210 surrounds the vacuum environment unit 202 to maintain a high internal temperature of the vacuum environment unit 202 and to block heat radiation to the outside of the vacuum environment unit 202. Thereby, the influence which the heat of the vacuum environment part 202 has on the atmospheric environment part 102 can be suppressed.

ロボットアーム230は、加圧装置240のいずれかとエアロックチャンバ220との間で基板180および基板ホルダ190を搬送する。エアロックチャンバ220は、大気環境部102側と真空環境部202側とに、交互に開閉するシャッタ222、224を有する。   The robot arm 230 conveys the substrate 180 and the substrate holder 190 between any one of the pressurizing devices 240 and the air lock chamber 220. The air lock chamber 220 includes shutters 222 and 224 that open and close alternately on the atmosphere environment unit 102 side and the vacuum environment unit 202 side.

基板180および基板ホルダ190が大気環境部102から真空環境部202に搬入される場合、まず、大気環境部102側のシャッタ222が開かれ、ロボットアーム172が基板180および基板ホルダ190をエアロックチャンバ220に搬入する。次に、大気環境部102側のシャッタ222が閉じられ、真空環境部202側のシャッタ224が開かれる。   When the substrate 180 and the substrate holder 190 are carried into the vacuum environment unit 202 from the atmospheric environment unit 102, first, the shutter 222 on the atmospheric environment unit 102 side is opened, and the robot arm 172 moves the substrate 180 and the substrate holder 190 to the air lock chamber. Carry into 220. Next, the shutter 222 on the atmosphere environment unit 102 side is closed, and the shutter 224 on the vacuum environment unit 202 side is opened.

エアロックチャンバ220にはヒータ221が設けられており、搬入される基板180および基板ホルダ190は、加圧装置240で加圧加熱されるに先立って、ヒータ221で予備加熱される。すなわち、エアロックチャンバ220において雰囲気を交換する時間を利用して、加圧装置240に搬入される前に基板180および基板ホルダ190をある程度温めることで、加圧装置240のスループットを向上させる。なお、エアロックチャンバ220内の加熱は、基板180および基板ホルダ190がエアロックチャンバ220に搬入される前から行うことが好ましい。これにより、基板180および基板ホルダ190をエアロックチャンバ220に滞留させる時間を短縮できる。   The air lock chamber 220 is provided with a heater 221, and the substrate 180 and the substrate holder 190 to be loaded are preheated by the heater 221 before being pressurized and heated by the pressure device 240. That is, by using the time for exchanging the atmosphere in the air lock chamber 220, the substrate 180 and the substrate holder 190 are heated to some extent before being carried into the pressurizing device 240, thereby improving the throughput of the pressurizing device 240. Note that heating in the air lock chamber 220 is preferably performed before the substrate 180 and the substrate holder 190 are carried into the air lock chamber 220. Thereby, the time for the substrate 180 and the substrate holder 190 to stay in the air lock chamber 220 can be shortened.

続いて、ロボットアーム230が、エアロックチャンバ220から基板180および基板ホルダ190を搬出して、加圧装置240のいずれかに装入する。加圧装置240は、基板ホルダ190に挟まれた状態で加圧装置240に搬入された基板180を熱間で加圧する。これにより基板180は恒久的に接合される。具体的な処理及び構成については後述する。   Subsequently, the robot arm 230 unloads the substrate 180 and the substrate holder 190 from the air lock chamber 220 and loads them into one of the pressurizing devices 240. The pressurizing device 240 presses hot the substrate 180 carried into the pressurizing device 240 while being sandwiched between the substrate holders 190. Thereby, the substrate 180 is permanently bonded. Specific processing and configuration will be described later.

加圧装置240は、基板180および基板ホルダ190を加圧する本体と、本体を配置する加圧チャンバとを含む。また、ロボットアーム230は、ロボットアームチャンバに設置される。すなわち、真空環境部202を構成する複数の加圧チャンバ、ロボットアームチャンバ、エアロックチャンバ220は、それぞれ個別に仕切られ、別々に雰囲気を調整することができる。また、図に示すように、真空環境部202は、ロボットアームチャンバを中心として、複数の加圧チャンバとエアロックチャンバ220が円周方向に並べて配置されている。   The pressurizing apparatus 240 includes a main body that pressurizes the substrate 180 and the substrate holder 190 and a pressurization chamber in which the main body is disposed. The robot arm 230 is installed in the robot arm chamber. That is, the plurality of pressurizing chambers, robot arm chambers, and air lock chambers 220 constituting the vacuum environment unit 202 are individually partitioned and the atmosphere can be adjusted separately. As shown in the figure, the vacuum environment unit 202 includes a plurality of pressurization chambers and an air lock chamber 220 arranged in the circumferential direction with the robot arm chamber as the center.

真空環境部202から大気環境部102に基板180および基板ホルダ190を搬出する場合は、上記の一連の動作を逆順で実行する。これらの一連の動作により、真空環境部202の内部雰囲気を大気環境部102側に漏らすことなく、基板180および基板ホルダ190を真空環境部202に搬入または搬出できる。   When the substrate 180 and the substrate holder 190 are carried out from the vacuum environment unit 202 to the atmospheric environment unit 102, the above series of operations are executed in reverse order. Through a series of these operations, the substrate 180 and the substrate holder 190 can be carried into or out of the vacuum environment unit 202 without leaking the internal atmosphere of the vacuum environment unit 202 to the atmosphere environment unit 102 side.

なお、複数の加圧装置240の一つを冷却装置に置き換えることもできる。このとき、冷却装置を設置する冷却チャンバもロボットアームチャンバの周囲に配置される。冷却装置は、加圧装置240で熱せられた基板180および基板ホルダ190が搬入され、これらを一定の温度まで冷やす役割を担う。冷却装置は、熱せられた基板180および基板ホルダ190が搬入されるに先立って、冷却チャンバを予め冷却しておくことが好ましい。   One of the plurality of pressurizing devices 240 can be replaced with a cooling device. At this time, the cooling chamber in which the cooling device is installed is also arranged around the robot arm chamber. The cooling device is loaded with the substrate 180 and the substrate holder 190 heated by the pressurizing device 240, and plays a role of cooling them to a certain temperature. The cooling device preferably cools the cooling chamber in advance before the heated substrate 180 and substrate holder 190 are carried in.

ここで、2枚の基板180が重ね合わされて一体化されるまでの流れを簡単に説明する。貼り合わせ装置100が稼動を開始すると、ロボットアーム171により基板180が一枚ずつプリアライナ130に搬入され、プリアラインされる。このとき、まず、接合面が下向きとなる基板180からプリアラインを行う。プリアラインに並行して、ロボットアーム172は、基板180を保持する面を下向きにして収納されている基板ホルダ190を基板ホルダラック150から取り出し、載置面が下向きである固定ステージ141に搬送する。固定ステージ141は、搬送されてきた基板ホルダ190を真空吸着により固定する。なお、固定ステージ141は、移動ステージ142よりも上方に位置する。   Here, the flow until the two substrates 180 are overlapped and integrated will be briefly described. When the bonding apparatus 100 starts operating, the robot arm 171 carries the substrates 180 one by one into the pre-aligner 130 and pre-aligns them. At this time, first, pre-alignment is performed from the substrate 180 whose bonding surface faces downward. In parallel with the pre-alignment, the robot arm 172 takes out the substrate holder 190 stored with the surface holding the substrate 180 facing downward from the substrate holder rack 150, and transports it to the fixed stage 141 with the mounting surface facing downward. . The fixing stage 141 fixes the substrate holder 190 that has been transported by vacuum suction. Note that the fixed stage 141 is positioned above the moving stage 142.

その後、ロボットアーム171は、プリアラインされた基板180をプリアライナーから取り出し、搬送途中で反転機構を用いて接合面を下向きにして、移動ステージ142から突出された複数のプッシュアップピン上に仮置きする。プッシュアップピン上に仮置きされた基板180は、プッシュアップピンによって固定ステージ141側に持ち上げられて、既に固定ステージ141に固定されている基板ホルダ190の載置面に押し当てられる。基板ホルダ190は、固定ステージ141から電力を供給されて、基板180を静電吸着して固定する。   Thereafter, the robot arm 171 takes out the pre-aligned substrate 180 from the pre-aligner, and temporarily places it on a plurality of push-up pins protruding from the moving stage 142 with a reversing mechanism in the middle of conveyance and with the joint surface facing downward. To do. The substrate 180 temporarily placed on the push-up pin is lifted to the fixed stage 141 side by the push-up pin and pressed against the mounting surface of the substrate holder 190 that is already fixed to the fixed stage 141. The substrate holder 190 is supplied with electric power from the fixed stage 141 and electrostatically adsorbs and fixes the substrate 180.

次に接合面が上向きとなる基板180がプリアラインされる。これに並行して、ロボットアーム172は、基板180を保持する面が上向きである基板ホルダ190を基板ホルダラック150から取り出し、載置面が上向きである移動ステージ142に搬送する。移動ステージ142は、搬送されてきた基板ホルダ190を真空吸着により固定する。なお、基板180を保持する面が上向きである基板ホルダ190が移動ステージ142に搬送されるときには、プッシュアップピンは、移動ステージ142のステージ面から退避している。   Next, the substrate 180 with the bonding surface facing upward is pre-aligned. In parallel with this, the robot arm 172 takes out the substrate holder 190 whose surface holding the substrate 180 is upward from the substrate holder rack 150 and conveys it to the moving stage 142 whose mounting surface is upward. The moving stage 142 fixes the transported substrate holder 190 by vacuum suction. Note that when the substrate holder 190 whose surface holding the substrate 180 is upward is transported to the moving stage 142, the push-up pin is retracted from the stage surface of the moving stage 142.

その後、ロボットアーム171は、プリアラインされた基板180をプリアライナーから取り出し、既に移動ステージ142に固定されている基板ホルダ190の載置面に載置する。基板ホルダ190は、移動ステージ142から電力を供給されて、基板180を静電吸着して固定する。このようにして、それぞれのステージに基板ホルダ190と基板180が、互いの接合面が対向するように固定される。   Thereafter, the robot arm 171 takes out the pre-aligned substrate 180 from the pre-aligner and places it on the mounting surface of the substrate holder 190 that is already fixed to the moving stage 142. The substrate holder 190 is supplied with electric power from the moving stage 142 and electrostatically attracts and fixes the substrate 180. In this way, the substrate holder 190 and the substrate 180 are fixed to the respective stages so that their joint surfaces face each other.

互いの接合面が対向するように固定されると、移動ステージ142を、干渉計144によりその位置を監視しつつ精密に移動させて、載置された基板180の接合面を固定ステージ141に保持された基板180の接合面に対して位置合わせする。位置合わせが完了すると、移動ステージ142を固定ステージ141側へ移動させ、接合面同士を接触させて仮接合する。仮接合は、向かい合う2つの基板ホルダ190のそれぞれに設けられた吸着機構を作用させて一体化することにより実現する。   When the bonding surfaces are fixed so as to face each other, the moving stage 142 is moved precisely while monitoring the position by the interferometer 144, and the bonding surface of the substrate 180 placed is held on the fixed stage 141. Alignment is performed with respect to the bonded surface of the substrate 180 formed. When the alignment is completed, the moving stage 142 is moved to the fixed stage 141 side, and the joining surfaces are brought into contact with each other to temporarily join them. Temporary joining is realized by causing the suction mechanisms provided on each of the two substrate holders 190 facing to be integrated.

仮接合されて一体化された2つの基板180と2つの基板ホルダ190は、ロボットアーム172によりエアロックチャンバ220に搬送される。エアロックチャンバ220に搬送された基板180および基板ホルダ190は、ロボットアーム230により加圧装置240に装入される。   The two substrates 180 and the two substrate holders 190 that are temporarily joined and integrated are transferred to the air lock chamber 220 by the robot arm 172. The substrate 180 and the substrate holder 190 transferred to the air lock chamber 220 are loaded into the pressurizing device 240 by the robot arm 230.

加圧装置240において加熱および加圧されることにより、2つの基板180は互いに接合されて恒久的に一体となる。その後、基板180および基板ホルダ190は、真空環境部202から搬出されて、基板取り外し部160に運び込まれ、基板取り外し部160で基板180と基板ホルダ190は互いに分離される。   By being heated and pressurized in the pressurizing device 240, the two substrates 180 are bonded to each other and become permanently integrated. Thereafter, the substrate 180 and the substrate holder 190 are unloaded from the vacuum environment unit 202 and carried into the substrate removing unit 160, where the substrate 180 and the substrate holder 190 are separated from each other.

貼り合わされた基板180は、基板カセット113に搬送して収容される。この場合、移動ステージ142は、ロボットアーム172からロボットアーム171への搬送にも携わる。また、基板ホルダ190は、ロボットアーム172により基板ホルダラック150へ戻される。   The bonded substrate 180 is transferred to and stored in the substrate cassette 113. In this case, the moving stage 142 is also involved in the transfer from the robot arm 172 to the robot arm 171. The substrate holder 190 is returned to the substrate holder rack 150 by the robot arm 172.

次に、基板ホルダ190について説明する。図2は、基板ホルダ190を上方から見下ろした様子を示す斜視図である。図では、基板ホルダ190の上面に基板180が保持されている。また、図3は、基板ホルダ190を下方から見上げた様子を示す斜視図である。   Next, the substrate holder 190 will be described. FIG. 2 is a perspective view showing the substrate holder 190 as viewed from above. In the figure, the substrate 180 is held on the upper surface of the substrate holder 190. FIG. 3 is a perspective view showing the substrate holder 190 as viewed from below.

基板ホルダ190は、ホルダ本体191、吸着子192および電圧印加端子194を有して、全体としては基板180よりも径がひとまわり大きな円板状をなす。ホルダ本体191は、セラミックス、金属等の高剛性材料により一体成形される。吸着子192は、強磁性体により形成され、基板180を保持する保持面において、保持した基板180よりも外側である外周領域に複数配される。図の場合、2個を一組として120度毎に合計6個の吸着子192が配されている。電圧印加端子194は、基板180を保持する面の裏面に埋設される。   The substrate holder 190 has a holder main body 191, an adsorber 192, and a voltage application terminal 194, and has a disk shape whose diameter is slightly larger than that of the substrate 180 as a whole. The holder body 191 is integrally formed of a highly rigid material such as ceramic or metal. The adsorbers 192 are formed of a ferromagnetic material, and a plurality of adsorbers 192 are arranged in an outer peripheral region that is outside the held substrate 180 on the holding surface that holds the substrate 180. In the case of the figure, a total of six adsorbers 192 are arranged every 120 degrees with two as one set. The voltage application terminal 194 is embedded in the back surface of the surface holding the substrate 180.

ホルダ本体191は、その保持面において高い平面性を有する。また、ホルダ本体191は、保持した基板180を静電吸着する領域の外側に、ホルダ本体191を表裏に貫通して形成された、それぞれ複数の位置決め穴193を有する。更に、ホルダ本体191は、保持した基板180を静電吸着する領域の内側に、ホルダ本体191を表裏に貫通して形成された、複数の挿通孔195を有する。挿通孔195にはプッシュアップピンが挿通され、基板180を基板ホルダ190から離脱させることができる。   The holder main body 191 has high flatness on the holding surface. The holder main body 191 has a plurality of positioning holes 193 formed through the holder main body 191 on the front and back sides outside the region where the held substrate 180 is electrostatically attracted. Furthermore, the holder main body 191 has a plurality of insertion holes 195 formed through the holder main body 191 on the front and back sides inside the region where the held substrate 180 is electrostatically attracted. A push-up pin is inserted into the insertion hole 195 so that the substrate 180 can be detached from the substrate holder 190.

位置決め穴193は、固定ステージ141等に設けられている位置決めピンに嵌合して、基板ホルダ190の位置決めに利用される。吸着子192は、保持面と略同じ平面内に上面が位置するように、ホルダ本体191に形成された陥没領域に配設される。電圧印加端子194は、ホルダ本体191の裏面に埋め込まれる。電圧印加端子194を介して電圧を供給することにより、基板ホルダ190と基板180との間に電位差を生じさせて、基板180を基板ホルダ190に静電吸着する。固定ステージ141等にはそれぞれ電圧供給端子が設けられており、基板180と基板ホルダ190の静電吸着を維持できる。   The positioning hole 193 is used for positioning the substrate holder 190 by fitting with a positioning pin provided in the fixed stage 141 or the like. The adsorber 192 is disposed in a depressed region formed in the holder main body 191 so that the upper surface is located in substantially the same plane as the holding surface. The voltage application terminal 194 is embedded in the back surface of the holder body 191. By supplying a voltage via the voltage application terminal 194, a potential difference is generated between the substrate holder 190 and the substrate 180, and the substrate 180 is electrostatically attracted to the substrate holder 190. The fixed stage 141 and the like are provided with voltage supply terminals, respectively, so that electrostatic adsorption between the substrate 180 and the substrate holder 190 can be maintained.

移動ステージ142に載置する基板ホルダ190と、固定ステージ141に載置する基板ホルダ190は、若干構成が異なる。具体的には、吸着子192に替えて、吸着子192に対向するように複数のマグネットが配されている。吸着子192とマグネットが結合することにより、2枚の基板180を挟持して2つの基板ホルダ190が一体化される。以下、一体化された2枚の基板180と2つの基板ホルダ190を基板ホルダ対と呼ぶ。   The substrate holder 190 placed on the moving stage 142 and the substrate holder 190 placed on the fixed stage 141 have slightly different configurations. Specifically, instead of the adsorber 192, a plurality of magnets are arranged to face the adsorber 192. By combining the attractor 192 and the magnet, the two substrate holders 190 are integrated by sandwiching the two substrates 180. Hereinafter, the two integrated substrates 180 and the two substrate holders 190 are referred to as a substrate holder pair.

次に加圧装置240の構造について詳細に説明する。図4は、加圧装置240の全体構造を模式的に示す正面図である。加圧装置240は、上述のように真空環境下に調整された加圧チャンバ内に設置されている。加圧装置240は、天井側に設置される上部トッププレート31、上部ヒートモジュール41および上部圧力制御モジュール51と、床面側に設置される下部トッププレート32、下部ヒートモジュール42、下部圧力制御モジュール52および昇降モジュール60によって構成される。上部トッププレート31、上部ヒートモジュール41および上部圧力制御モジュール51は、上部加圧モジュールを形成し、下部トッププレート32、下部ヒートモジュール42および下部圧力制御モジュール52は、下部加圧モジュールを形成する。なお、本実施形態においては、上部ヒートモジュール41および下部ヒートモジュール42により、上部トッププレート31および下部トッププレート32を加熱する機能を有するので、上部加圧モジュールおよび下部加圧モジュールは、それぞれ加熱モジュールとしての役割も同時に担うことができる。   Next, the structure of the pressure device 240 will be described in detail. FIG. 4 is a front view schematically showing the entire structure of the pressurizing device 240. The pressurizing device 240 is installed in the pressurizing chamber adjusted in a vacuum environment as described above. The pressurizing device 240 includes an upper top plate 31, an upper heat module 41, and an upper pressure control module 51 installed on the ceiling side, a lower top plate 32, a lower heat module 42, and a lower pressure control module installed on the floor side. 52 and the lifting module 60. The upper top plate 31, the upper heat module 41, and the upper pressure control module 51 form an upper pressure module, and the lower top plate 32, the lower heat module 42, and the lower pressure control module 52 form a lower pressure module. In the present embodiment, since the upper heat plate 41 and the lower heat module 42 have a function of heating the upper top plate 31 and the lower top plate 32, the upper pressure module and the lower pressure module are respectively heating modules. Can also play a role as

下部トッププレート32には、2枚の基板180を挟持して2つの基板ホルダ190が一体化された基板ホルダ対が、ロボットアーム230によって搬入され、載置される。基板ホルダ対は、昇降モジュール60が上昇することにより上部トッププレート31と接触し、上部加圧モジュールと下部加圧モジュールに挟さまれて加圧、加熱される。   A pair of substrate holders in which the two substrate holders 190 are integrated by sandwiching the two substrates 180 are carried into and placed on the lower top plate 32 by the robot arm 230. The substrate holder pair is brought into contact with the upper top plate 31 as the elevating module 60 is raised, and is pressed and heated between the upper pressurizing module and the lower pressurizing module.

対向して設置される上部加圧モジュールと下部加圧モジュールは、同一の構造を備えるモジュールである。そこで、下部加圧モジュールを代表としてその構造を以下に説明する。   The upper pressurizing module and the lower pressurizing module installed opposite to each other are modules having the same structure. Therefore, the structure of the lower pressure module will be described below as a representative.

図5は、下部加圧モジュールの構造を概略的に示す断面図である。なお、図は主要な構造物を簡略化して一部を省略しつつ示す。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the lower pressure module. In the figure, the main structure is simplified and a part thereof is omitted.

基板ホルダ体を載置するステージ部としての役割を担う下部トッププレート32は、炭化珪素からなる円形状のプレートであり、周縁部において下部ヒートモジュール42にビス止めされる。下部ヒートモジュール42は、円筒形状の内部に、下部トッププレート32の基板ホルダ体を載置する面とは反対側の面において接する複数のヒータプレート401、402、403を備えて構成される。ヒータプレート401、402、403は、加熱部であり、例えば銅を素材として形成され、それぞれの内部に電熱ヒータ404が埋め込まれている。電熱ヒータ404は導線405により電力が供給されるが、その被覆としては高熱に耐えられるように、例えばセラミックにより形成されるビーズ406が用いられる。ビーズ406は、複数個連なって導線405を貫通させ、加熱空間から非加熱空間へ導出する。   The lower top plate 32 serving as a stage portion for placing the substrate holder body is a circular plate made of silicon carbide, and is screwed to the lower heat module 42 at the peripheral portion. The lower heat module 42 includes a plurality of heater plates 401, 402, and 403 that are in contact with each other on the surface opposite to the surface on which the substrate holder body of the lower top plate 32 is placed, in a cylindrical shape. The heater plates 401, 402, and 403 are heating units, which are made of, for example, copper, and an electric heater 404 is embedded in each of them. The electric heater 404 is supplied with electric power by a conductive wire 405, and a bead 406 made of ceramic, for example, is used as its coating so as to withstand high heat. A plurality of beads 406 are connected to penetrate the conductive wire 405 and are led from the heating space to the non-heating space.

ヒータプレート401、402、403は、加熱制御時には電熱ヒータ404により加熱されてその熱を下部トッププレート32へ伝達させる。また、加熱終了後の冷却制御時には、クーラとして機能する冷却管407により冷却される。ヒータプレート401、402、403は、下部トッププレート32の中心を通る中心軸から放射状に形成されたフレーム410により支持、固定されている。   The heater plates 401, 402, and 403 are heated by the electric heater 404 during the heating control and transmit the heat to the lower top plate 32. Further, at the time of cooling control after completion of heating, the cooling pipe 407 functioning as a cooler is used for cooling. The heater plates 401, 402, and 403 are supported and fixed by a frame 410 that is formed radially from a central axis that passes through the center of the lower top plate 32.

フレーム410は、複数の支柱部411によりその軸方向の一端に連結されて支持されている。そして、各々の支柱部411の他端は、それぞれロードセル412に連結されている。それぞれのロードセル412は、支柱部411が連結される面とは反対側の面において、下部圧力制御モジュール52の主要な要素である中空加圧部501の外側で接するように設置される。ロードセル412は、圧力検出部であり、中空加圧部501と支柱部411に介在して中空加圧部501が支柱部411を押圧する圧力を検出する。   The frame 410 is connected to and supported by one end in the axial direction by a plurality of support columns 411. The other end of each column portion 411 is connected to the load cell 412. Each load cell 412 is installed on the surface opposite to the surface to which the support column 411 is connected so as to be in contact with the outside of the hollow pressurizing unit 501 that is a main element of the lower pressure control module 52. The load cell 412 is a pressure detection unit, and detects the pressure at which the hollow pressure unit 501 presses the column part 411 through the hollow pressure unit 501 and the column unit 411.

下部ヒートモジュール42の内部空間は、下部トッププレート32の基板ホルダ対の載置面に対して平行に設置される遮熱プレート420により、上下に加熱空間と非加熱空間に分割される。遮熱プレート420は、ヒータプレート401、402、403によって熱せられる加熱空間の熱を、高温を嫌う中空加圧部501、ロードセル412等が設置される非加熱空間へできる限り伝えない機能を担う仕切り板である。遮熱プレート420には、支柱部411を貫通させる貫通孔が設けられている。すなわち、支柱部411は加熱空間と非加熱空間にまたがって存在する。また、遮熱プレート420には、導線405を貫通させる貫通孔も設けられており、その貫通孔の周囲には、導線405を貫通孔から引き出す方向とは異なる方向へ導出させるキャップ421が設置されている。   The internal space of the lower heat module 42 is divided into a heating space and a non-heating space by a heat shield plate 420 installed in parallel to the mounting surface of the substrate holder pair of the lower top plate 32. The heat shield plate 420 is a partition that performs a function of not transmitting the heat of the heating space heated by the heater plates 401, 402, and 403 to the non-heating space where the hollow pressurizing unit 501, load cell 412 and the like that dislike high temperatures are installed as much as possible. It is a board. The heat shield plate 420 is provided with a through-hole through which the support column 411 passes. That is, the support column 411 exists across the heating space and the non-heating space. The heat shield plate 420 is also provided with a through-hole through which the conducting wire 405 penetrates, and a cap 421 is provided around the through-hole to guide the conducting wire 405 in a direction different from the direction in which the conducting wire 405 is pulled out from the through-hole. ing.

遮熱プレート420と中空加圧部501の間には、遮熱プレート420と平行に、熱反射板422が互いに離間して複数設置される。熱反射板422にも、遮熱プレート420と同様に、支柱部411を貫通させる貫通孔が設けられている。これらの熱反射板422は、例えばアルミニウムなどの金属板により形成される。そして、少なくともその1枚の加熱空間側の表面には、下部トッププレート32の目標加熱温度近傍の輻射線の波長を反射する多層膜が形成される。下部トッププレート32の目標加熱温度は、例えばウェハである基板180を接合する場合には450℃〜500℃である。熱反射板422は、目標加熱温度に応じて取り替えられるように構成しても良い。これにより、ヒータプレート401、402、403から中空加圧部501への熱の伝達を緩和することができる。また、遮熱プレート420と平行に設けるだけでなく、支柱部411の軸方向と平行にも設けても良い。これにより下部ヒートモジュール42から外部への熱漏れも緩和することができる。   Between the heat shield plate 420 and the hollow pressure member 501, a plurality of heat reflecting plates 422 are provided in parallel with the heat shield plate 420 and spaced apart from each other. Similarly to the heat shield plate 420, the heat reflecting plate 422 is also provided with a through hole that allows the support column 411 to pass therethrough. These heat reflecting plates 422 are formed of a metal plate such as aluminum, for example. A multilayer film that reflects the wavelength of radiation near the target heating temperature of the lower top plate 32 is formed on at least the surface of the one heating space. The target heating temperature of the lower top plate 32 is, for example, 450 ° C. to 500 ° C. when the substrate 180 that is a wafer is bonded. The heat reflecting plate 422 may be configured to be replaced according to the target heating temperature. Thereby, the transfer of heat from the heater plates 401, 402, 403 to the hollow pressurizing unit 501 can be relaxed. In addition to being provided in parallel with the heat shield plate 420, it may be provided in parallel with the axial direction of the support column 411. As a result, heat leakage from the lower heat module 42 to the outside can be reduced.

中空加圧部501は、ゴムシート等から形成される袋状の圧力制御部であり、その内部は、流体により充填されている。流体としては、空気、水、オイルが用いられる。例えば、環境特性に優れたハイドロフルオロエーテルなどが用いられる。そして、内部に充填する流体量を、中空加圧部501と供給管503とに設置されたバルブ502を制御することにより調整する。具体的には、供給管503の他端は、図示しないポンプに接続されており、バルブ502と共にポンプを制御することで、中空加圧部501の内部の流体量を増減させる。中空加圧部501は、内部の流体量により膨張または収縮する。特に、下部圧力制御モジュール52が昇降モジュール60から受ける圧力との関係において、バルブ502を介して内部に流入出させる流体量を調整すると、複数のロードセル412と接する面を、フラットにしたり、周縁部を凸状にしたり、中心部を凸状にコントロールすることができる。   The hollow pressurizing unit 501 is a bag-shaped pressure control unit formed of a rubber sheet or the like, and the inside thereof is filled with a fluid. Air, water, or oil is used as the fluid. For example, hydrofluoroether having excellent environmental characteristics is used. Then, the amount of fluid filled therein is adjusted by controlling the valve 502 installed in the hollow pressurizing unit 501 and the supply pipe 503. Specifically, the other end of the supply pipe 503 is connected to a pump (not shown), and the amount of fluid inside the hollow pressurizing unit 501 is increased or decreased by controlling the pump together with the valve 502. The hollow pressurizing unit 501 expands or contracts depending on the amount of fluid inside. In particular, when the amount of fluid flowing in and out through the valve 502 is adjusted in relation to the pressure received by the lower pressure control module 52 from the elevating module 60, the surfaces in contact with the plurality of load cells 412 are made flat or the peripheral portion Can be made convex or the central part can be controlled to be convex.

中空加圧部501は、ゴムシートのような弾性素材により袋を形成するだけでなく、例えば、複数のロードセル412と接する面側を変形板とし、昇降モジュール60側と外周側を高剛性板として形成する箱状の形態であっても良い。このような形態であっても、内部を気密な袋状に保てば、外部から出入させる流体を制御して内圧を調整することができ、ロードセル412と接する面に対して圧力をコントロールすることができる。   The hollow pressurizing part 501 not only forms a bag with an elastic material such as a rubber sheet, but also uses, for example, a surface contacting the load cells 412 as a deformed plate, and a lifting module 60 side and an outer peripheral side as a highly rigid plate. It may be in the form of a box to be formed. Even in such a form, if the inside is kept in an airtight bag shape, the internal pressure can be adjusted by controlling the fluid that enters and exits from the outside, and the pressure is controlled with respect to the surface in contact with the load cell 412. Can do.

次に、ヒータプレート401、402、403の形状および配置について説明する。図6は、ヒータプレート401、402、403の形状および配置を示す下部ヒートモジュール42の上面図である。   Next, the shape and arrangement of the heater plates 401, 402, and 403 will be described. FIG. 6 is a top view of the lower heat module 42 showing the shape and arrangement of the heater plates 401, 402, 403.

図示するように、下部トッププレート32の中心を通る中心軸を中心として、真中に位置する円形のヒータプレート401が1個、その外周部に扇形のヒータプレート402が6個、さらにその外周部に扇形のヒータプレート403が12個配置されている。ヒータプレート402、403の扇形は、中心のヒータプレート401と同心円の弧を有する。   As shown in the figure, centering on the central axis passing through the center of the lower top plate 32, there is one circular heater plate 401 located in the middle, six fan-shaped heater plates 402 on the outer periphery thereof, and further on the outer periphery thereof. Twelve fan-shaped heater plates 403 are arranged. The sector shape of the heater plates 402 and 403 has a concentric arc with the central heater plate 401.

ヒータプレート401、402、403によって覆われる平面領域は、下部トッププレート32に載置される基板ホルダ190の載置面に対応する領域よりも広い。これにより、基板ホルダ190の裏面に対して均一に加熱することができる。また、ヒータプレート401、402、403のそれぞれは、互いに平行を保って離間して配置される。これにより、ヒータプレート401、402、403がそれぞれに埋め込まれている電熱ヒータ404により熱せられて膨張しても、互いに接触することを回避できる。互いの間隔は、目標加熱温度等によって予め設定されるが、例えば、ヒータプレート401、402、403が銅により形成され、下部トッププレート32の径が約330mmであって、目標加熱温度が450℃である場合には、1mm程度に設定される。   The planar area covered by the heater plates 401, 402, and 403 is wider than the area corresponding to the placement surface of the substrate holder 190 placed on the lower top plate 32. Thereby, the back surface of the substrate holder 190 can be heated uniformly. In addition, each of the heater plates 401, 402, and 403 is arranged to be spaced apart from each other while being parallel to each other. Thereby, even if the heater plates 401, 402, and 403 are heated and expanded by the electric heaters 404 embedded therein, it is possible to avoid contact with each other. The distance between each other is set in advance according to the target heating temperature or the like. For example, the heater plates 401, 402, 403 are made of copper, the diameter of the lower top plate 32 is about 330 mm, and the target heating temperature is 450 ° C. Is set to about 1 mm.

また、それぞれのヒータプレート401、402、403の加熱面は、互いに同じ面積を有する。したがって円形および扇形の形状は、互いに同じ面積となるように径、中心角等が設計される。また、図の例では径方向を3段に設定してそれぞれ個数を定めたが、径方向の段数も、一段あたりの個数も任意に設定することができる。さらにそれぞれのヒータプレート401、402、403の厚さも同一とすれば、それぞれの熱容量も同一となるので、より好ましい。   Further, the heating surfaces of the respective heater plates 401, 402, and 403 have the same area. Accordingly, the diameter, the central angle, etc. are designed so that the circular and sector shapes have the same area. Further, in the example of the figure, the radial direction is set to three steps and the number is determined, but the number of radial steps and the number per step can be arbitrarily set. Furthermore, if the thickness of each heater plate 401, 402, 403 is also the same, each heat capacity is also the same, which is more preferable.

クーラとして機能する冷却管407は、ヒータプレート401、402、403のひとつ以上を冷却するように配管される。例えば、図示するようにヒータプレート402、403のいずれかと接するように冷却管407としてのパイプが張り巡らされ、その中を冷媒が循環するように外部のポンプが制御される。パイプの素材としては、ヒータプレート401、402、403と同じ素材が好ましい。同じ素材でなくても、線膨張率が同じであれば、接触面において温度変化による熱摺動が生じないので、パイプの素材として適用できる。   A cooling pipe 407 functioning as a cooler is piped to cool one or more of the heater plates 401, 402, 403. For example, as shown in the drawing, a pipe as a cooling pipe 407 is stretched so as to be in contact with either of the heater plates 402 and 403, and an external pump is controlled so that the refrigerant circulates in the pipe. The material of the pipe is preferably the same material as the heater plates 401, 402, and 403. Even if they are not the same material, if the linear expansion coefficient is the same, thermal sliding due to a temperature change does not occur on the contact surface, so that it can be applied as a material for a pipe.

図7は、ヒータプレート401、402、403、フレーム410および支柱部411の位置関係を示す下部ヒートモジュール42の上面図である。フレーム410は、中心部分に設けられた円環部から放射状に複数の腕部を伸ばした形状をなす。そして、円環部でビス408によりヒータプレート401を固定し、腕部で同様にビス408によりヒータプレート402、403を固定している。ビス408は、図示するように、それぞれのヒータプレート401、402、403において中心線上、回転対称または左右対称となる位置に配置することが好ましい。   FIG. 7 is a top view of the lower heat module 42 showing the positional relationship among the heater plates 401, 402, 403, the frame 410 and the support column 411. The frame 410 has a shape in which a plurality of arm portions are radially extended from an annular portion provided at a central portion. The heater plate 401 is fixed with screws 408 at the annular portion, and the heater plates 402 and 403 are similarly fixed with screws 408 at the arm portions. As shown in the drawing, the screws 408 are preferably arranged at positions that are rotationally symmetric or bilaterally symmetric on the center line in each heater plate 401, 402, 403.

中空加圧部501からの圧力は、複数の支柱部411およびフレーム410を介してヒータプレート401、402、403に伝達される。そして、ヒータプレート401、402、403が下部トッププレート32を押圧すると共に加熱する。中空加圧部501を支柱部411の軸方向に押圧力を発生させるアクチュエータとみなせば、この押圧力は、例えば一つのヒータプレート402を押圧する支柱部411に着目すると、支柱部411→ヒータプレート402→下部トッププレート32の順に伝達される。そして、その押圧面の関係について言えば、支柱部411がヒータプレート402に対して押圧する押圧面は、ヒータプレート402が下部トッププレート32に対して押圧する押圧面よりも小さい。つまり、押圧力は伝達する方向に向かって広がりつつ伝えられる。換言すれば、局在的な圧力が、徐々に分散されて伝えられる。このようにして中空加圧部501で発生させた圧力を下部トッププレート32へ伝えることにより、下部トッププレート32上に均一な押圧力を発生させる、あるいは、基板180の全体を均一に加圧できるように下部トッププレート32上に意図的ななだらかな圧力分布を発生させることができる。なお、本実施形態においては、ヒータプレート401、402、403と支柱部411の間にはフレーム410が介在するが、それぞれの支柱部411近傍に着目すれば、局在的な圧力が徐々に分散されて伝えられることに変わりはない。   The pressure from the hollow pressurizing unit 501 is transmitted to the heater plates 401, 402, and 403 through the plurality of support columns 411 and the frame 410. The heater plates 401, 402, and 403 press and heat the lower top plate 32. If the hollow pressurizing unit 501 is regarded as an actuator that generates a pressing force in the axial direction of the support column 411, the pressing force is, for example, when focusing on the support column 411 that presses one heater plate 402, the support column 411 → the heater plate. It is transmitted in the order of 402 → lower top plate 32. Speaking of the relationship of the pressing surfaces, the pressing surface that the support column 411 presses against the heater plate 402 is smaller than the pressing surface that the heater plate 402 presses against the lower top plate 32. That is, the pressing force is transmitted while spreading in the transmitting direction. In other words, the localized pressure is transmitted in a gradually distributed manner. By transmitting the pressure generated by the hollow pressurizing unit 501 to the lower top plate 32 in this way, a uniform pressing force can be generated on the lower top plate 32, or the entire substrate 180 can be pressed uniformly. As described above, an intentional gentle pressure distribution can be generated on the lower top plate 32. In this embodiment, the frame 410 is interposed between the heater plates 401, 402, 403 and the column part 411, but if attention is paid to the vicinity of each column part 411, the localized pressure is gradually dispersed. There is no change in being conveyed.

また、本実施形態においては、内部の流体量を調整することにより膨張または収縮する単一の中空加圧部501を用いて複数の支柱部411を押圧する構成を説明するが、支柱部411のそれぞれを個別に押圧するアクチュエータを用いて構成する場合にも応用できる。すなわち、アクチュエータによって発生される押圧力が局在的であっても、徐々に押圧力を分散させて、広い面で下部トッププレート32を押圧することができる。   Moreover, in this embodiment, although the structure which presses the several support | pillar part 411 using the single hollow pressurization part 501 expanded or contracted by adjusting the amount of fluid inside is demonstrated, The present invention can also be applied to the case of using actuators that individually press each. That is, even if the pressing force generated by the actuator is localized, the lower top plate 32 can be pressed over a wide surface by gradually dispersing the pressing force.

次に、中空加圧部501の外側で接して、支柱部411との間に介在するロードセル412について説明する。図8は、ロードセル412の上面図と正面図である。ロードセル412の上面の2箇所に圧電素子である歪みゲージ413を貼着し、同様に下面にも2箇所に歪みゲージ413を貼着する。4箇所に貼着された歪みゲージの出力線は、側面の端子部414にまとめられて、導線415を介して外部へ接続される。   Next, the load cell 412 that is in contact with the outside of the hollow pressurizing unit 501 and interposed between the column unit 411 will be described. FIG. 8 is a top view and a front view of the load cell 412. Strain gauges 413, which are piezoelectric elements, are attached to two places on the upper surface of the load cell 412, and similarly, strain gauges 413 are attached to two places on the lower surface. The output lines of the strain gauges attached to the four places are gathered together at the side terminal portions 414 and connected to the outside via the lead wires 415.

上面の中心付近には、支柱部411を連結するビス穴416が設けられている。また、ビス穴416に対して対称となるように、2つのビス穴417が設けられている。このビス穴417を介して、ロードセル412を中空加圧部501に固定する。   Near the center of the upper surface, a screw hole 416 for connecting the support column 411 is provided. Further, two screw holes 417 are provided so as to be symmetric with respect to the screw hole 416. The load cell 412 is fixed to the hollow pressure part 501 through the screw hole 417.

このようにして設けられた複数のロードセル412の出力を監視することにより、それぞれの支柱部411に加えられる圧力を検出することができる。そして、検出された圧力に応じて、中空加圧部501の圧力を調整したり、昇降モジュール60の昇降を調整したりすることができる。また、想定される範囲を超える異常圧力を検出した場合には、加圧を停止する制御を行うこともできる。   By monitoring the outputs of the plurality of load cells 412 provided in this way, it is possible to detect the pressure applied to each column portion 411. And according to the detected pressure, the pressure of the hollow pressurization part 501 can be adjusted, and raising / lowering of the raising / lowering module 60 can be adjusted. Further, when an abnormal pressure exceeding an assumed range is detected, it is possible to perform control to stop pressurization.

また、圧電素子は、圧力が加えられるとその大きさに応じて電位差を生じるので加えられた圧力を検出することができる一方、逆に電力を加えると物理的な変形を生じさせることができる。そこで、支柱部411の圧力を検出しつつ、特定の領域に圧力分布が生じたときには、その領域またはその領域以外の領域のロードセル412の歪みゲージ413に電力を供給して、支柱部411に加えられる圧力を増加させるように制御できる。このようにロードセル412を補助アクチュエータとして作用させることにより、より精密な圧力制御を実現することができる。特に、下部トッププレート32に載置された基板ホルダ体を均等に押圧する場合に好適である。なお、ロードセル412の配置は上記の位置に限らず、例えば昇降モジュール60の上に複数設けて、下部圧力制御モジュールに加えれらる圧力に対して圧力を調整するように構成しても良い。   In addition, the piezoelectric element generates a potential difference according to its magnitude when pressure is applied, so that the applied pressure can be detected. On the contrary, when electric power is applied, physical deformation can be caused. Thus, when pressure distribution is generated in a specific region while detecting the pressure of the support column 411, power is supplied to the strain gauge 413 of the load cell 412 in that region or a region other than that region and applied to the support column 411. Can be controlled to increase the pressure produced. Thus, by causing the load cell 412 to act as an auxiliary actuator, more precise pressure control can be realized. In particular, it is suitable when the substrate holder body placed on the lower top plate 32 is pressed evenly. The arrangement of the load cell 412 is not limited to the above position, and a plurality of the load cells 412 may be provided on the elevating module 60, for example, and the pressure may be adjusted with respect to the pressure applied to the lower pressure control module.

図9は、電熱ヒータ404の配線を説明する断面図である。ここでは、ヒータプレート401を代表例として説明するが、ヒータプレート402、403の構成も同様である。   FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the wiring of the electric heater 404. Here, the heater plate 401 will be described as a representative example, but the configuration of the heater plates 402 and 403 is the same.

図示するように、ヒータプレート401に埋め込まれた電熱ヒータ404から導線405が引き出されている。それほど高温にならない環境下においては、導線は通常ビニール皮膜により保護されているが、本実施形態においては、ヒータプレート401は450℃〜500℃にまで熱せられるので、ビニール皮膜は用いることができない。また、導線周りの加熱空間および非加熱空間は真空雰囲気であるので、真空雰囲気下においてガスを発生する樹脂などの素材を用いることもできない。そこで、加熱空間の温度よりも高い融点を有し、かつ、真空雰囲気下でもガスを発生しない絶縁素材により形成されたビーズ406を、導線405の保護材として用いる。例えば、素材としてはセラミックが好適である。導線405を保護するビーズ406は、導線405が曲折できるように、導線405を貫通させて、加熱空間から非加熱空間に亘り複数個が連なって構成される。   As shown in the drawing, a conducting wire 405 is drawn from an electric heater 404 embedded in the heater plate 401. In an environment where the temperature is not so high, the conductive wire is usually protected by a vinyl film, but in this embodiment, the heater plate 401 is heated to 450 ° C. to 500 ° C., and therefore the vinyl film cannot be used. In addition, since the heating space and the non-heating space around the conducting wire are in a vacuum atmosphere, it is not possible to use a material such as a resin that generates gas in the vacuum atmosphere. Therefore, beads 406 formed of an insulating material that has a melting point higher than the temperature of the heating space and does not generate gas even in a vacuum atmosphere are used as a protective material for the conducting wire 405. For example, ceramic is suitable as the material. A plurality of beads 406 that protect the conducting wire 405 are configured so as to penetrate the conducting wire 405 from the heating space to the non-heating space so that the conducting wire 405 can be bent.

加熱空間と非加熱空間は遮熱プレート420により分割されているが、遮熱プレート420には、導線405を挿通させる貫通孔423が設けられている。そして、貫通孔423の周縁部には、フランジ424が設けられている。フランジ424は、導線405の挿通方向に折り曲げられて形成された立上部である。貫通孔423とフランジ424により貫通部を構成する。   The heating space and the non-heating space are divided by a heat shield plate 420, and the heat shield plate 420 is provided with a through hole 423 through which the conducting wire 405 is inserted. A flange 424 is provided on the peripheral edge of the through hole 423. The flange 424 is an upright portion formed by being bent in the insertion direction of the conducting wire 405. A through portion is formed by the through hole 423 and the flange 424.

ビーズ406は、導線405が曲折されるように、互いに若干の隙間を持って連なっている。つまり、ビーズ406は導線405に沿って移動できるよう、それぞれ可動量を有する。ここで、可動量が、貫通部の高さhよりも大きいと、導線405が直接貫通部に接触してしまう恐れがある。そこで、この可動量は、貫通部の高さhよりも小さくなるように設定されている。   The beads 406 are connected to each other with a slight gap so that the conducting wire 405 is bent. That is, each bead 406 has a movable amount so that it can move along the conducting wire 405. Here, if the movable amount is larger than the height h of the penetrating portion, the conductive wire 405 may directly contact the penetrating portion. Therefore, this movable amount is set to be smaller than the height h of the penetrating portion.

次に昇降モジュール60の構造について説明する。図10は、昇降モジュール60の構造を概略的に示す断面図である。なお、図は主要な構造物を簡略化して一部を省略しつつ示す。   Next, the structure of the lifting module 60 will be described. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the lifting module 60. In the figure, the main structure is simplified and a part thereof is omitted.

昇降モジュール60は、上下に2段の構造をとる。下部圧力制御モジュール52側のメインEV部610と床面側のサブEV部620である。メインEV部610は、ステージ611で下部圧力制御モジュール52に締結される。昇降モジュール60全体としては、このステージ611が床面に対して昇降することにより、下部圧力制御モジュール52を上下させ、ひいては基板ホルダ体に圧力を加えることができる。   The elevating module 60 has a two-stage structure up and down. A main EV section 610 on the lower pressure control module 52 side and a sub EV section 620 on the floor surface side. The main EV unit 610 is fastened to the lower pressure control module 52 at the stage 611. As the entire lifting module 60, the lower pressure control module 52 can be moved up and down by moving the stage 611 up and down with respect to the floor surface, so that pressure can be applied to the substrate holder body.

メインEV部610は、径の大きな1つのシリンダ−ピストン機構から構成され、サブEV部620は、径の小さな3つのシリンダ−ピストン機構が、上方から見たときに円周方向に120°間隔に配置されて構成される。ただし、メインEV部610とサブEV部620は、互いに独立して上下に積み重なったものではなく、相互に作用を及ぼしながらステージ611を昇降させるように工夫されている。以下にそれぞれの構造について説明する。   The main EV section 610 is composed of one cylinder-piston mechanism having a large diameter, and the sub EV section 620 is formed by three cylinder-piston mechanisms having a small diameter at intervals of 120 ° in the circumferential direction when viewed from above. Arranged and configured. However, the main EV unit 610 and the sub EV unit 620 are not stacked one above the other independently, but are devised to raise and lower the stage 611 while acting on each other. Each structure will be described below.

メインEV部610は、ステージ611をその上面とするメインピストン612、メインピストンに外嵌するメインシリンダ613、およびメインシリンダ613に接続されメインピストン612の昇降に追従するベローズ614を備える。メインシリンダ613とメインピストン612の間に形成される空間であるメインルーム615は、メインシリンダ613が昇降しても気密に保たれる。メインルーム615に対しては、メインバルブ616が接続されており、外部から流体が流入出される。メインルーム615は流体で満たされており、この流体の流入出をメインバルブ616を制御することにより、メインルーム615の流体量を変化させることができる。メインルーム615の流体量を変化させることにより、メインピストン612を上下させることができる。   The main EV unit 610 includes a main piston 612 having a stage 611 as an upper surface thereof, a main cylinder 613 that is externally fitted to the main piston, and a bellows 614 that is connected to the main cylinder 613 and follows up and down of the main piston 612. The main room 615, which is a space formed between the main cylinder 613 and the main piston 612, is kept airtight even when the main cylinder 613 moves up and down. A main valve 616 is connected to the main room 615, and fluid flows in and out from the outside. The main room 615 is filled with fluid, and the amount of fluid in the main room 615 can be changed by controlling the main valve 616 for the inflow and outflow of this fluid. The main piston 612 can be moved up and down by changing the amount of fluid in the main room 615.

サブEV部620は、本実施形態においては上述のように3つ備えるが、それぞれがサブピストン621、およびサブピストン621に外嵌するサブシリンダ624を備える。サブピストン621は、メインシリンダ613の外側からから、メインシリンダ613に設けられたピストンガイド617の内部に挿通され、メインルーム615内に到達している。そして、メインルーム615の内部に位置するサブピストン621の先端に、メインピストン612と固定する固定部622が設けられている。固定部622により、サブピストン621は、メインピストン612に締結されている。   The sub EV unit 620 includes three sub EV parts 620 as described above, but includes a sub piston 621 and a sub cylinder 624 that fits around the sub piston 621. The sub-piston 621 is inserted from the outside of the main cylinder 613 into the piston guide 617 provided in the main cylinder 613 and reaches the main room 615. A fixing portion 622 for fixing to the main piston 612 is provided at the tip of the sub-piston 621 located inside the main room 615. The sub piston 621 is fastened to the main piston 612 by the fixing portion 622.

サブピストン621は、固定部622が設けられる端とは反対の端に、サブシリンダ624と外嵌するピストンディスク623を備える。そして、サブシリンダ624内の空間は、ピストンディスク623により、メインシリンダ613側に位置する上部サブルーム625と、床面側に位置する下部サブルーム626とに分割される。   The sub-piston 621 includes a piston disk 623 that is fitted to the sub-cylinder 624 at the end opposite to the end where the fixing portion 622 is provided. The space in the sub cylinder 624 is divided by the piston disk 623 into an upper sub room 625 located on the main cylinder 613 side and a lower sub room 626 located on the floor surface side.

上部サブルーム625も下部サブルーム626も共に気密に保たれている。そして、上部サブルーム625に対しては、上部サブバルブ627が接続されており、外部から流体が流入出される。また、下部サブルームに626に対しては、下部サブバルブ628が接続されており、外部から流体が流入出される。上部サブルーム625と下部サブルーム626は流体で満たされている。また、上部サブルーム625と下部サブルーム626の体積の総和は常に一定であるので、上部サブバルブ627と下部サブバルブ628を協調制御して、上部サブルーム625と下部サブルーム626の体積比を変化させる。   Both the upper subroom 625 and the lower subroom 626 are kept airtight. An upper sub-valve 627 is connected to the upper sub-room 625, and fluid flows in and out from the outside. Further, a lower sub-valve 628 is connected to the lower sub-room 626 so that fluid flows in and out from the outside. The upper subroom 625 and the lower subroom 626 are filled with fluid. Also, since the total volume of the upper subroom 625 and the lower subroom 626 is always constant, the volume ratio of the upper subroom 625 and the lower subroom 626 is changed by cooperatively controlling the upper subvalve 627 and the lower subvalve 628.

上部サブルーム625の体積を増やせば、下部サブルーム626の体積が減少し、サブピストン621は下降する。そして、サブピストン621はメインピストン612に接続されているので、メインピストン612も下降する。このとき、メインバルブ616も協調制御され、メインピストン612の下降に伴うメインルーム615の体積減少分だけ流体が外部に放出される。   When the volume of the upper subroom 625 is increased, the volume of the lower subroom 626 is decreased and the sub piston 621 is lowered. Since the sub piston 621 is connected to the main piston 612, the main piston 612 is also lowered. At this time, the main valve 616 is also cooperatively controlled, and fluid is discharged to the outside by the volume reduction of the main room 615 accompanying the lowering of the main piston 612.

逆に、下部サブルーム626の体積を増やせば、上部サブルーム625の体積が減少し、サブピストン621は上昇する。そして、メインピストン612も上昇する。このとき、メインバルブ616も協調制御され、メインピストン612の上昇に伴うメインルーム615の体積増加分だけ流体をメインルーム615内へ流入させる。図11は、下部サブルーム626の体積を増加させてメインピストン612を上昇させた様子を示す断面図である。   Conversely, if the volume of the lower subroom 626 is increased, the volume of the upper subroom 625 is decreased and the sub piston 621 is raised. Then, the main piston 612 is also raised. At this time, the main valve 616 is also cooperatively controlled, and the fluid flows into the main room 615 by an amount corresponding to the volume increase of the main room 615 as the main piston 612 rises. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which the main piston 612 is raised by increasing the volume of the lower subroom 626.

なお、メインバルブ616を用いてメインルーム615内の流体量を調整してメインピストン612を昇降させるときにも、サブピストン621が追従する。したがって、このときにも、上部サブバルブ627と下部サブバルブ628を協調制御し、サブピストン621の追従に伴う上部サブルーム625と下部サブルーム626の体積変化を許容する。   The sub-piston 621 follows when the main piston 612 is moved up and down by adjusting the amount of fluid in the main room 615 using the main valve 616. Therefore, at this time as well, the upper sub-valve 627 and the lower sub-valve 628 are cooperatively controlled, and the volume change of the upper sub-room 625 and the lower sub-room 626 is allowed as the sub-piston 621 follows.

また、メインルーム615、上部サブルーム625および下部サブルーム626に充填される流体は、空気、水、オイルが用いられる。例えば、環境特性に優れたハイドロフルオロエーテルなどが用いられる。   Air, water, and oil are used as the fluid filled in the main room 615, the upper subroom 625, and the lower subroom 626. For example, hydrofluoroether having excellent environmental characteristics is used.

このように昇降モジュール60を、メインEV部610とサブEV部620の2段で構成することにより、ステージ611をどのように昇降させたいかにより制御を異ならせることができる。具体的には、所定の速度以上の速さで移動させたいときには、小体積の流入出により大きな変位が得られるサブEV部620の流体を制御し、所定の圧力以上の圧力を加えたいときには、大体積の流入出によっても僅かな変位に留まるメインEV部610の流体を制御する。また、所定の速度未満の速さで移動させたいときにも、メインEV部610の流体を制御すれば良い。   As described above, by configuring the elevating module 60 in two stages of the main EV unit 610 and the sub EV unit 620, the control can be varied depending on how the stage 611 is to be moved up and down. Specifically, when it is desired to move at a speed equal to or higher than a predetermined speed, the fluid of the sub EV unit 620 that can obtain a large displacement by inflow / outflow of a small volume is controlled, and when a pressure higher than a predetermined pressure is to be applied, The fluid of the main EV unit 610 that remains in a slight displacement even when the large volume flows in and out is controlled. Further, the fluid in the main EV unit 610 may be controlled when it is desired to move at a speed less than a predetermined speed.

以上の加圧装置240の実施形態によれば、詳細に説明した加圧モジュールと同一構造を備える上部加圧モジュールを互いに対向させて配置し、昇降モジュール60により、下部加圧モジュール上に載置された基板ホルダ体を上部加圧モジュールに接触させて、加圧加熱する。しかし、実施形態はこれに限らず、例えば天井側に上部加圧モジュールを設置する代わりに平面定盤を設置して、単に下方から上方へ押し付ける構造であっても、ある程度の圧力均一性を期待することができる。   According to the embodiment of the pressurizing device 240 described above, the upper pressurizing modules having the same structure as the pressurizing module described in detail are arranged facing each other, and placed on the lower pressurizing module by the lifting module 60. The substrate holder body thus made is brought into contact with the upper pressure module and heated under pressure. However, the embodiment is not limited to this. For example, even if the structure is such that a flat surface plate is installed instead of installing the upper pressure module on the ceiling side and the structure is simply pressed from below to above, a certain degree of pressure uniformity is expected. can do.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

31 上部トッププレート、32 下部トッププレート、41 上部ヒートモジュール、42 下部ヒートモジュール、51 上部圧力制御モジュール、52 下部圧力制御モジュール、60 昇降モジュール、100 貼り合わせ装置、101 筐体、102 大気環境部、111、112、113 基板カセット、120 制御盤、130 プリアライナ、140 仮接合装置、141 固定ステージ、142 移動ステージ、144 干渉計、145 断熱壁、146、222、224 シャッタ、150 基板ホルダラック、160 基板取り外し部、171、172、230 ロボットアーム、180 基板、190 基板ホルダ、191 ホルダ本体、192 吸着子、193 位置決め穴、194 電圧印加端子、195 挿通孔、202 真空環境部、210 断熱壁、220 エアロックチャンバ、221 ヒータ、240 加圧装置、401、402、403 ヒータプレート、404 電熱ヒータ、405 導線、406 ビーズ、407 冷却管、410 フレーム、411 支柱部、412 ロードセル、413 歪みゲージ、414 端子部、
415 導線、416、417 ビス穴、420 遮熱プレート、421 キャップ、422 熱反射板、423 貫通孔、424 フランジ、501 中空加圧部、502 バルブ、610 メインEV部、611 ステージ、612 メインピストン、613 メインシリンダ、614 ベローズ、615 メインルーム、616 メインバルブ、617 ピストンガイド、620 サブEV部、621 サブピストン、622 固定部、623 ピストンディスク、624 サブシリンダ、625 上部サブルーム、626 下部サブルーム、627 上部サブバルブ、628 下部サブバルブ
31 Upper top plate, 32 Lower top plate, 41 Upper heat module, 42 Lower heat module, 51 Upper pressure control module, 52 Lower pressure control module, 60 Lifting module, 100 Laminating apparatus, 101 Housing, 102 Air environment part, 111, 112, 113 Substrate cassette, 120 Control panel, 130 Pre-aligner, 140 Temporary joining device, 141 Fixed stage, 142 Moving stage, 144 Interferometer, 145 Thermal insulation wall, 146, 222, 224 Shutter, 150 Substrate holder rack, 160 Substrate Removal part, 171, 172, 230 Robot arm, 180 substrate, 190 substrate holder, 191 holder main body, 192 adsorption element, 193 positioning hole, 194 voltage application terminal, 195 insertion hole, 202 vacuum environment part, 210 heat insulation wall, 220 Air Lock Chamber, 221 Heater, 240 Pressurizer, 401, 402, 403 Heater Plate, 404 Electric Heater, 405 Conductor, 406 Beads, 407 Cooling Tube, 410 Frame, 411 Post, 412 Load Cell, 413 Strain Gauge, 414 Terminal part,
415 lead wire, 416, 417 screw hole, 420 heat shield plate, 421 cap, 422 heat reflecting plate, 423 through hole, 424 flange, 501 hollow pressurizing part, 502 valve, 610 main EV part, 611 stage, 612 main piston, 613 Main cylinder, 614 Bellows, 615 Main room, 616 Main valve, 617 Piston guide, 620 Sub EV part, 621 Sub piston, 622 Fixed part, 623 Piston disk, 624 Sub cylinder, 625 Upper sub room, 626 Lower sub room, 627 Upper part Sub valve, 628 Lower sub valve

Claims (8)

被加熱体を載置する載置面を有するステージ部と、
前記ステージ部の前記載置面とは反対の被加熱面に配置される複数のヒータプレートとを備え、
前記複数のヒータプレートは、少なくとも前記載置面に対応する領域を覆い、互いに同一の熱容量を有し、隣接する辺が互いに平行を保って離間して配置される加熱モジュール。
A stage portion having a placement surface on which the object to be heated is placed;
A plurality of heater plates disposed on a surface to be heated opposite to the placement surface of the stage part;
The heating module, wherein the plurality of heater plates cover at least a region corresponding to the mounting surface, have the same heat capacity, and are adjacently spaced apart from each other.
前記複数のヒータプレートは、各々の加熱面が互いに同じ面積を有し、互いに厚さが同一である請求項1に記載の加熱モジュール。   2. The heating module according to claim 1, wherein each of the plurality of heater plates has the same area and the same thickness. 前記複数のヒータプレートの素材は銅である請求項1または2に記載の加熱モジュール。   The heating module according to claim 1 or 2, wherein a material of the plurality of heater plates is copper. 前記載置面は円形であり、前記複数のヒータプレートの各々の外形は、前記円形の周方向及び径方向に沿って形成される扇形または円形である請求項1から3のいずれか1項に記載の加熱モジュール。   4. The device according to claim 1, wherein the mounting surface is circular, and an outer shape of each of the plurality of heater plates is a fan shape or a circular shape formed along a circumferential direction and a radial direction of the circular shape. The heating module as described. 前記複数のヒータプレートの少なくとも一つを冷却するクーラを更に備える請求項1から4のいずれか1項に記載の加熱モジュール。   The heating module according to claim 1, further comprising a cooler that cools at least one of the plurality of heater plates. 前記クーラは、前記複数のヒータプレートの少なくとも一つに接するパイプと、前記パイプに循環させる冷媒を備える請求項5に記載の加熱モジュール。   The heating module according to claim 5, wherein the cooler includes a pipe that is in contact with at least one of the plurality of heater plates, and a refrigerant that is circulated through the pipe. 前記パイプは、前記複数のヒータプレートと同じ線膨張率を有する素材からなる請求項6に記載の加熱モジュール。   The heating module according to claim 6, wherein the pipe is made of a material having the same linear expansion coefficient as the plurality of heater plates. 請求項1から7のいずれか1項に記載の加熱モジュールを備える、前記被加熱体としての複数のウエハを貼り合わせる貼り合わせ装置。   A laminating apparatus for laminating a plurality of wafers as the object to be heated, comprising the heating module according to claim 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016105939A (en) * 2016-03-18 2016-06-16 株式会社三洋物産 Game machine

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121598A (en) * 1997-01-29 1999-04-30 Sony Corp Composite material and its manufacture, base-processing equipment and its formation, base-mounting stage and its formation, and base-processing method
JPH11354528A (en) * 1998-06-11 1999-12-24 Toshiba Mach Co Ltd Heater for heating wafer
JPWO2008001626A1 (en) * 2006-06-29 2009-11-26 株式会社ニコン Wafer bonding equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121598A (en) * 1997-01-29 1999-04-30 Sony Corp Composite material and its manufacture, base-processing equipment and its formation, base-mounting stage and its formation, and base-processing method
JPH11354528A (en) * 1998-06-11 1999-12-24 Toshiba Mach Co Ltd Heater for heating wafer
JPWO2008001626A1 (en) * 2006-06-29 2009-11-26 株式会社ニコン Wafer bonding equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016105939A (en) * 2016-03-18 2016-06-16 株式会社三洋物産 Game machine

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