JP2015022023A - 台座、及び、レーザモジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる台座を実現すること
【解決手段】上面１０ａに形成された第１のメタライズ層１２と、当該第１のメタライズ層１２の一辺から外側に向かって延伸する第２のメタライズ層１４と、を備え、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ以下であり、第２のメタライズ層１４は、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有している
【選択図】図１

Description

本発明は、光ファイバが固定される台座、及びレーザモジュールの製造方法に関する。

半導体レーザ（ＬＤ；Laser Diode）素子等のレーザ素子を用いたレーザ装置は商品化され、光通信の分野に普及している。このようなレーザ装置の一例として、レーザ素子と光ファイバとを組み合わせたレーザモジュール（laser module）がある。このようなレーザモジュールにおいては、レーザ素子と光ファイバとを高い光結合率で光結合するように組み合わせることが求められる。

このため、レーザモジュールにおいては、レーザ素子から出射されるレーザ光がより多く光ファイバに導入されるよう、レーザ素子の出射面（レーザ光を出射する面）と光ファイバの先端部とを正確に位置合わせすることが重要である。特に近年、加工用など高出力のレーザ素子が普及してきており、このようなレーザ素子は、光ファイバとの結合効率が低いと漏れ光によってレーザ装置が損傷を受けてしまうため、レーザ素子と光ファイバとの位置合わせが極めて重要である。

そこで、従来のレーザモジュールにおいては、レーザマウント上に実装されたレーザ素子に対して、光ファイバを位置合わせした後、当該光ファイバをファイバマウント（台座）上に接合する方法が用いられている。

（従来の接合方法）
ここで、図１０を参照して、従来用いられている光ファイバの接合方法について説明する。図１０は、従来の接合方法を用いた光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウントの支持構造の状態遷移図である。従来の接合方法によれば、図１０に図示されている以下の手順によって、光ファイバ９２０がファイバマウント９１２へ接合される。

（手順１）まず、ファイバマウント９１２を配置する。このとき、図１０（ａ）に示すように、ファイバマウント９１２の上面９１２ａが水平（すなわち、地平面９３０と平行）となるように、ファイバマウント９１２を水平な状態に配置する。上面９１２ａには、メタライズ層９１２ｂが形成されている。

（手順２）次に、上面９１２ａ上に光ファイバ９２０および半田９１４を配置する。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、ファイバマウント９１２の上面９１２ａに形成されたメタライズ層９１２ｂ上に、光ファイバ９２０および半田９１４を並べて配置する。このとき、図１０（ｂ）に示すように、断面が円形状の半田９１４を用いることが一般的である。より具体的には、半田９１４として、所定の長さに切断された糸半田を用いることが一般的である。

（手順３）次に、ファイバマウント９１２に対する光ファイバ９２０の位置を調整することにより、光ファイバ９２０のアライメント調整を行う。このアライメント調整工程において、光ファイバ９２０が半田９１４側へ移動したり、戻ったりした場合、光ファイバ９２０が、図１０（ｃ）に示すように、半田９１４を、メタライズ層９１２ｂの範囲外に押し出してしまうことがある。

このように、半田９１４がメタライズ層９１２ｂの範囲外に押し出された状況では、光ファイバ９２０を、ファイバマウント９１２に対して適切に接合することができない。このような状況で半田９１４を溶融させたとしても、溶融した半田が、メタライズ層９１２ｂ上に濡れ広がることができないからである。

（手順４）このため、第１の従来技術では、図１０（ｄ）に示すように、メタライズ層９１２ｂの範囲外に押し出されてしまった半田９１４を、メタライズ層９１２ｂ上に移動させる必要がある。

（手順５）そして、メタライズ層９１２ｂ上に半田９１４が載置されている状態で、ファイバマウント９１２の上面９１２ａに対して、レーザ光９４０を照射することにより、半田９１４を溶融し、溶融された半田９１４がメタライズ層９１２ｂ上を濡れ広がることによって、光ファイバ９２０がファイバマウント９１２の上面９１２ａに接合されることとなる。

このように、上述の従来の接合方法では、アライメント調整によりメタライズ層９１２ｂの範囲外に押し出されてしまった半田９１４を、メタライズ層９１２ｂ上に再度移動するための余分な手間がかかっていた。

そこで、光ファイバの接合時における、光ファイバの位置調整を効率化するための技術が考案されている。例えば、下記特許文献１には、光ファイバに沿って延伸する溝が形成された半田プリフォームが開示されている。特許文献１の技術を用いた場合、光ファイバのアライメント調整を行っても、半田がメタライズ層の範囲外に押し出されてしまうことはない。

特開２００５−１２２１２９号公報（２００５年５月１２日公開）

上記特許文献１の技術では、半田プリフォームに光ファイバに沿って延伸する溝を形成する必要があり、半田プリフォームの加工コストが増大する。また、半田プリフォームの素材にＡｕＳｎ２０のような非常に硬質かつ脆い素材を用いた場合、そもそも、このような加工を行うことは非常に困難であり現実的ではないという問題がある。

他の構成として、メタライズ層の面積を十分に拡大するとともに、半田の量を十分に増やす方法が考えられる。この方法によれば、半田の位置を再調整する必要はなくなるものの、半田接合時における半田の熱収縮によって、光ファイバの位置ずれが大きくなる、等といった問題が生じる虞がある。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる、台座、及び、レーザモジュールの製造方法を実現することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る台座は、上面に光ファイバが接合される台座であって、前記上面に形成された第１の金属層と、前記上面において前記第１の金属層の一辺から当該第１の金属層の外側に向かって延伸する第２の金属層と、を備え、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅の最大値は、前記第１の金属層の前記一辺の長さ以下であり、前記第２の金属層は、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における幅が前記第１の金属層の前記一辺の長さ未満となる領域を有していることを特徴とする。

上記台座は、第１の金属層および第２の金属層を形成するだけ（すなわち、金属層の形状を従来と異ならせるだけ）といった簡単な構成でよいため、比較的容易に実現することができる。また、前記第２の金属層が前記第１の金属層の一辺から延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅の最大値は、前記第１の金属層の前記一辺の長さ以下であり、前記第２の金属層は、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における幅が前記第１の金属層の前記一辺の長さ未満となる領域を有しているため、金属層の面積を単純に拡大した構成に比べて、使用する半田の量を抑制することができる。このため、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。このように、上記台座によれば、加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。

上記台座において、前記上面において、前記第１の金属層から当該第１の金属層の外側に向かって、且つ、前記第２の金属層が延伸する方向とは反対側の方向に向かって延伸する第３の金属層をさらに備えることが好ましい。特に、上記台座において、前記第２の金属層および前記第３の金属層は、前記第１の金属層上の対称軸に関して、互いに線対称な形状を有していることが好ましい。

上記構成によれば、第２の金属層および第３の金属層の双方に、溶融した半田を行き渡らせることができる。これにより、半田の熱収縮によって光ファイバに加わる圧力が、第２の金属層および第３の金属層の双方から均等に加わるため、光ファイバの位置ずれが更に抑制される。

上記台座において、前記第２の金属層は、前記第１の金属層側において、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅が前記第１の金属層に向かうにつれて徐々に広がるテーパ状の領域を有していることが好ましい。

上記構成によれば、前記第２の金属層は、前記第１の金属層側において、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅が前記第１の金属層に向かうにつれて徐々に広がるテーパ状の領域を有しているので、使用する半田の量を好適に抑制することができる。

また、本発明に係る製造方法は、上記台座を有するレーザモジュールの製造方法であって、前記第１の金属層の表面上に、光ファイバを配置する配置工程と、前記第２の金属層の表面上に、半田を載置する載置工程と、前記半田を溶融することによって、当該半田を前記第２の金属層を介して前記第１の金属層に流出させ、前記第１の金属層に流出した前記半田によって前記光ファイバを前記第１の金属層に接合する接合工程とを含むことを特徴とする。

上記製造方法によれば、前記第２の金属層の表面上に半田を載置する載置工程において、当該半田の位置を、第１の金属層から十分に遠ざけておくことができるので、光ファイバが半田に接触する可能性が低減される。このため、半田の位置を再調整する手間が低減される。

また、上記台座は、第１の金属層および第２の金属層を形成するだけ（すなわち、金属層の形状を従来と異ならせるだけ）といった簡単な構成でよいため、比較的容易に実現することができる。また、前記第２の金属層が前記第１の金属層の一辺から延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅の最大値は、前記第１の金属層の前記一辺の長さ以下であり、前記第２の金属層は、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における幅が前記第１の金属層の前記一辺の長さ未満となる領域を有しているため、金属層の面積を単純に拡大した構成に比べて、使用する半田の量を抑制することができる。このため、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。このように、上記製造方法によれば、加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。

また、本発明に係る他の製造方法は、上記台座を有するレーザモジュールの製造方法であって、前記第１の金属層の表面上に、光ファイバを配置する配置工程と、前記第２の金属層の表面上に、半田を載置する載置工程と、前記半田を溶融することによって、当該半田を前記第２の金属層を介して前記第１の金属層および前記第３の金属層に流出させ、前記第１の金属層に流出した前記半田によって前記光ファイバを前記第１の金属層に接合する接合工程とを含むことを特徴とする。

上記製造方法によれば、前記第２の金属層の表面上に半田を載置する載置工程において、当該半田の位置を、第１の金属層から十分に遠ざけておくことができるので、光ファイバが半田に接触する可能性が低減される。このため、半田の位置を再調整する手間が低減される。

また、上記台座は、第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を形成するだけ（すなわち、金属層の形状を従来と異ならせるだけ）といった簡単な構成でよいため、比較的容易に実現することができる。また、前記第２の金属層が前記第１の金属層の一辺から延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅の最大値は、前記第１の金属層の前記一辺の長さ以下であり、前記第２の金属層は、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における幅が前記第１の金属層の前記一辺の長さ未満となる領域を有しているため、金属層の面積を単純に拡大した構成に比べて、使用する半田の量を抑制することができる。このため、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。特に、上記製造方法によれば、第２の金属層および第３の金属層の双方に、溶融した半田を行き渡らせることができる。これにより、半田の熱収縮によって光ファイバに加わる圧力が、第２の金属層および第３の金属層の双方から均等に加わるため、光ファイバの位置ずれが更に抑制される。このように、上記製造方法によれば、加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを更に抑制することができる。

上記製造方法において、前記第１の金属層の領域内において、前記光ファイバの位置を調整する調整工程をさらに含むことが好ましい。

上記構成によれば、光ファイバの固定位置の精度を高めることができる。また、前記第２の金属層の表面上に半田を載置する際に、半田を第１の金属層から十分に遠ざけておくことができるので、上記調整工程において、光ファイバが半田に接触する可能性が低減される。このため、半田の位置を再調整する手間が低減される。

上記製造方法において、前記半田は、円柱形状を有することが好ましい。

上記構成によれば、一般的に利用されている円柱形状の半田プリフォームをそのまま利用することができるため、より簡単な構成で、光ファイバを接合することができる。

本発明によれば、加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる、台座、及び、レーザモジュールの製造方法を実現することができる。

本発明の実施形態１に係るファイバマウントの構成を示す。（ａ）は、本発明の実施形態１に係るファイバマウントの構成を示す平面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係るファイバマウントの構成を示す側面図である。 本発明の実施形態１に係る製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスの手順を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウントの状態遷移図である。 本発明の実施形態２に係るファイバマウントの構成を示す。（ａ）は、本発明の実施形態２に係るファイバマウントの構成を示す平面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態２に係るファイバマウントの構成を示す側面図である。 本発明の実施形態２に係る製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスの手順を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウントの状態遷移図である。 本実施形態の実施例１に係る光ファイバ接合システムの全体像を示す斜視図である。 本実施形態の実施例２に係る半導体レーザモジュールの全体像を示す斜視図である。 本発明に係るファイバマウントの変形例を示す平面図である。 従来の接合方法を用いた光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウントの状態遷移図である。

以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。

＜実施形態１＞
まず、図１〜図３を参照して、本発明の実施形態１について説明する。

〔ファイバマウントの構成〕
図１は、本発明の実施形態１に係るファイバマウント１０の構成を示す。図１（ａ）は、本発明の実施形態１に係るファイバマウント１０の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、本発明の実施形態１に係るファイバマウント１０の構成を示す側面図である。

（ファイバマウント１０）
図１に示すファイバマウント１０は、光ファイバの一部を支持および固定するために、光ファイバの経路上に設けられる台座である。ファイバマウント１０の上面１０ａは、平坦面となっている。図１に示す例では、上面１０ａの全体が平坦面となっているが、これに限らず、ファイバマウント１０は、その上面１０ａの少なくとも一部に平坦面を有していればよい。本書において「上面」とは、重力方向（すなわち、地平面に対する垂直方向）において、ファイバマウント１０の上側に形成された面のことを示す。

ファイバマウント１０は、当該ファイバマウント１０に照射されるレーザ光の波長を吸収し易い素材であることが好ましく、また、熱伝導率の低い素材であることが好ましい。そのような素材の例として、ＺｒＯ₂（ジルコニア）等を挙げることができる。このような熱伝導性の低い素材を用いることによって、半田固定を容易に行うことができるという利点がある。但し、ファイバマウント１０には、Ｃｕ（銅）やＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＣｕＷ（銅タングステン）等の熱伝導性の高い素材を用いることも可能である。このような熱伝導性の高い素材を用いた場合には、レーザモジュールを駆動させている時に生じる漏れ光を吸収して発生した熱を逃がし易いという利点がある。

（第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４）
ファイバマウント１０の上面１０ａには、第１のメタライズ層１２（第１の金属層）および第２のメタライズ層１４（第２の金属層）が形成されている。第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４は、金属の薄膜であり、例えば、スパッタリング法や無電解メッキなどを用いて形成される。第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４の材質には、例えば、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。

第１のメタライズ層１２は、半田によって光ファイバが接合される部分であり、比較的広い面積を有している。ファイバマウント１０の上面１０ａにおいては、第１のメタライズ層１２が形成されていることにより、溶融した半田が濡れ広がり易くなっている。これにより、上面１０ａにおいて、十分な接合面積を確保することが可能となっている。第２のメタライズ層１４は、半田を第１のメタライズ層１２へ供給するための部分であり、比較的狭い面積を有している。具体的には、第２のメタライズ層１４は、上面１０ａにおいて、第１のメタライズ層１２から当該第１のメタライズ層１２の外側に向かって直線状に延伸する部分である。第２のメタライズ層１４が延伸する方向（図中ｙ軸負方向）と直交する方向（図中ｘ軸方向）において、第２のメタライズ層１４の幅Ｗ２は、第１のメタライズ層１２の幅Ｗ１よりも狭くなっている。

より一般には、本明細書に記載の実施形態において、ファイバマウントは、第１のメタライズ層１２の一辺から第１のメタライズ層１２の外側に向かって延伸する第２のメタライズ層１４を備えており、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ以下であり、第２のメタライズ層１４は、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有している。

また、本明細書に記載の実施形態において、第２のメタライズ層１４の面積は、第１のメタライズ層１２の面積よりも小さい、これにより、使用する半田の量が好適に抑制される。

〔接合プロセスの手順〕
図２は、本発明の実施形態１に係るレーザモジュールの製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスの手順を示すフローチャートである。図３は、本発明の実施形態１に係るレーザモジュールの製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウント１０の状態遷移図である。本実施形態１の製造方法によれば、図２および図３に図示されている以下の手順によって、光ファイバ３５がファイバマウント１０へ接合され得る。

（ステップＳ２０２：用意工程）
上述のファイバマウント１０を用意する。すなわち、図３（ａ）に示すように、第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４が形成されたファイバマウント１０を用意する。このとき、図３（ａ）に示すように、ファイバマウント１０の上面１０ａが水平（すなわち、地平面３０と平行）となるように、ファイバマウント１０を水平状態としておく。

（ステップＳ２０４：配置工程）
ファイバマウント１０の上面１０ａに光ファイバ３５を配置する。具体的には、図３（ｂ）に示すように、ファイバマウント１０の上面１０ａに形成された第１のメタライズ層１２の表面上に、光ファイバ３５を配置する。このとき、光ファイバ３５を第１のメタライズ層１２の表面上の任意の位置に配置すればよく、この時点での光ファイバ３５の正確な位置合わせは不要である。また、光ファイバ３５と第１のメタライズ層１２との間に半田３７が回り込むように、図３（ｂ）に示すように、光ファイバ３５を、第１のメタライズ層１２からある程度離間させることが好ましい。

光ファイバ３５は、レーザ光を伝送するための光伝送媒体である。光ファイバ３５において、少なくとも第１のメタライズ層１２の上方を通過する部分の表面は、メタライズ層３５ａが形成されている。光ファイバ３５の表面においては、メタライズ層３５ａが形成されていることにより、溶融した半田が溶け広がり易くなっている。これにより、光ファイバ３５の表面においても、十分な接合面積を確保することが可能となっている。光ファイバ３５のメタライズ層３５ａには、第１のメタライズ層１２と同様の材質を用いることができる。光ファイバ３５は、メタライズ層３５ａが形成されている部分が、第１のメタライズ層１２の上方を通過するように配置される。光ファイバ３５は、このように配置された状態で、半田３７によってファイバマウント１０の上面１０ａに接合される。

（ステップＳ２０６：載置工程）
ファイバマウント１０の上面１０ａに半田３７（半田プリフォーム）を載置する。具体的には、図３（ｃ）に示すように、ファイバマウント１０の上面１０ａに形成された第２のメタライズ層１４の表面上に、半田３７を載置する。このとき、半田３７を第２のメタライズ層１４の表面上の任意の位置に載置すればよく、半田３７の正確な位置合わせは不要である。

半田３７は、光ファイバ３５をファイバマウント１０に接合するための接合剤である。半田３７としては、例えば、Ａｕ８０Ｓｎ２０（金８０錫２０）等の高融点鉛フリー半田を用いることができる。また、半田３７としては、フラックスレスの半田を用いることが好ましい。これにより、光ファイバ３５及びその周辺に配置され得る光学素子において、フラックスの吸着による半田接合力の低下を防止することができる。

本実施形態では、半田３７として、円柱形状を有する半田プリフォームを用いている。これにより、断面が円形状を有するワイヤ状の半田を切断することによって、容易に半田３７を作成することができる。

（ステップＳ２０８：調整工程）
半田３７が第２のメタライズ層１４に載置された状態において、ファイバマウント１０（第１のメタライズ層１２）に対する光ファイバ３５の位置を調整する。具体的には、光ファイバ３５を固定したまま、ファイバマウント１０を移動させる。ファイバマウント１０の移動は、例えば、ファイバマウント１０をステージ上に載置し、当該ステージを各方向（水平方向および垂直方向）に移動させることによって、実現することができる。図３（ｄ）に示すように、光ファイバ３５の位置が調整されている間、半田３７は、重力が加わることにより、ファイバマウント１０の移動に追従し、第２のメタライズ層１４に載置された状態を維持する。このため、半田３７の位置を再調整するための追加の工程は不要である。

（ステップＳ２１０：接合工程）
半田３７を溶融し、当該半田３７を第１のメタライズ層１２上に流出させることによって、光ファイバ３５を第１のメタライズ層１２に接合する。具体的には、図３（ｅ）に示すように、ファイバマウント１０の上面１０ａ（または第２のメタライズ層１４）に対して、レーザ光４０を照射する。これにより、第２のメタライズ層１４が加熱され、当該第２のメタライズ層１４からの熱伝導によって、半田３７の温度が上昇し、当該半田３７が溶融する。溶融した半田３７は、図３（ｆ）に示すように、第２のメタライズ層１４上を伝って、その殆どが、より面積が広い第１のメタライズ層１２上へ濡れ広がる。そして、第１のメタライズ層１２上に濡れ広がった半田３７は、図３（ｇ）に示すように、表面張力によって、上方に突出する半円球状となり、光ファイバ３５を確実に覆う。したがって、半田３７が温度低下に伴って凝固すると、光ファイバ３５は、ファイバマウント１０の上面１０ａに確実に固定されることとなる。また、光ファイバ３５の表面にはメタライズ層３５ａが形成されているため、光ファイバ３５と半田３７との間においても、高い接合強度を維持することができる。

（効果）
このように、本実施形態１の製造方法によれば、第２のメタライズ層１４を伝って、半田３７を第１のメタライズ層１２へ流出させる構成を採用したことにより、半田３７の位置を、第１のメタライズ層１２から十分に遠ざけておくことができるので、光ファイバ３５が溶融前の半田３７に接触する可能性が低減される。このため、半田の位置を再調整する手間が低減される。また、ファイバマウント１０は、第１のメタライズ層１２および第２のメタライズ層１４を形成するだけといった簡単な構成でよいため、比較的容易に実現することができる。また、ファイバマウント１０において、第２のメタライズ層１４が第１のメタライズ層１２の一辺から延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ以下であり、第２のメタライズ層１４は、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有しているため、使用する半田３７の量を抑制することができる。このため、半田３７の熱収縮によって光ファイバ３５に加わる圧力を抑制することができる。

また、本実施形態１の製造方法によれば、レーザ光４０を半田３７に直接照射することがないので、半田３７の酸化が抑制され、高い信頼性にて光ファイバ３５の固定を行うことができる。また、レーザ光４０を光ファイバ３５に誤って照射する可能性も低くなるため、光ファイバ３５を損傷させてしまうといったリスクを低減することができる。さらに、ファイバマウント１０からの熱伝導によって半田３７を溶融させるので、溶融温度の制御を容易に行うことができ、歩留まりを向上させることができる。さらに、ファイバマウント１０を加熱することで、半田３７の濡れ性を増加させることができ、これにより、フラックスレス半田を用いつつ安定的に半田固定を行うことができる。

＜実施形態２＞
次に、図４〜図６を参照して、本発明の実施形態２について説明する。

〔ファイバマウントの構成〕
図４は、本発明の実施形態２に係るファイバマウント２０の構成を示す。図４（ａ）は、本発明の実施形態２に係るファイバマウント２０の構成を示す平面図である。図４（ｂ）は、本発明の実施形態２に係るファイバマウント２０の構成を示す側面図である。

本実施形態２のファイバマウント２０は、その上面２０ａに、第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４が形成されている点で、実施形態１（図１）のファイバマウント１０と同様である。但し、本実施形態２のファイバマウント２０は、その上面２０ａに、さらに第３のメタライズ層１６が形成されている点で、実施形態１（図１）のファイバマウント１０と異なる。以下、実施形態１からの相違点について説明する。

（第３のメタライズ層１６）
第３のメタライズ層１６は、第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４と同様に、金属の薄膜であり、例えば、スパッタリング法や無電解メッキなどを用いて形成される。第３のメタライズ層１６の材質には、例えば、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。

第３のメタライズ層１６は、半田を、第２のメタライズ層１４から見て第１のメタライズ層１２の向こう側へ供給するための部分であり、比較的狭い面積を有している。具体的には、第３のメタライズ層１６は、上面１０ａにおいて、第１のメタライズ層１２から当該第１のメタライズ層１２の外側に向かって、且つ、第２のメタライズ層１４が延伸する方向（図中ｙ軸負方向）とは反対の方向（図中ｙ軸正方向）に延伸する部分である。第３のメタライズ層１６が延伸する方向（図中ｙ軸正方向）と直交する方向（図中ｘ軸方向）において、第３のメタライズ層１６の幅Ｗ３は、第１のメタライズ層１２の幅Ｗ１よりも狭くなっている。また、第２のメタライズ層１４および第３のメタライズ層１６は、第１のメタライズ層１２を間に挟んで、互いに対称的な形状を有している。

〔接合プロセスの手順〕
図５は、本発明の実施形態２に係るレーザモジュールの製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスの手順を示すフローチャートである。図６は、本発明の実施形態２に係るレーザモジュールの製造方法に含まれる光ファイバの接合プロセスにおける、ファイバマウント２０の状態遷移図である。本実施形態２の製造方法によれば、図５および図６に図示されている以下の手順によって、光ファイバ３５がファイバマウント２０へ接合され得る。

（ステップＳ５０２：用意工程）
上述のファイバマウント２０を用意する。すなわち、図６（ａ）に示すように、第１のメタライズ層１２，第２のメタライズ層１４，第３のメタライズ層１６が形成されたファイバマウント２０を用意する。このとき、図６（ａ）に示すように、ファイバマウント２０の上面２０ａが水平（すなわち、地平面３０と平行）となるように、ファイバマウント２０を水平状態としておく。

（ステップＳ５０４：配置工程）
ファイバマウント２０の上面２０ａに光ファイバ３５を配置する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、ファイバマウント２０の上面２０ａに形成された第１のメタライズ層１２の表面上に、光ファイバ３５を配置する。このとき、光ファイバ３５を第１のメタライズ層１２の表面上の任意の位置に配置すればよく、この時点での光ファイバ３５の正確な位置合わせは不要である。また、光ファイバ３５と第１のメタライズ層１２との間に半田３７が回り込むように、図６（ｂ）に示すように、光ファイバ３５を、第１のメタライズ層１２からある程度離間させることが好ましい。

（ステップＳ５０６：載置工程）
ファイバマウント２０の上面２０ａに半田３７（半田プリフォーム）を載置する。具体的には、図６（ｃ）に示すように、ファイバマウント２０の上面２０ａに形成された第２のメタライズ層１４の表面上に、半田３７を載置する。このとき、半田３７を第２のメタライズ層１４の表面上の任意の位置に載置すればよく、半田３７の正確な位置合わせは不要である。

（ステップＳ５０８：調整工程）
半田３７が第２のメタライズ層１４に載置された状態において、ファイバマウント２０（第１のメタライズ層１２）に対する光ファイバ３５の位置を調整する。具体的には、光ファイバ３５を固定したまま、ファイバマウント２０を移動させる。ファイバマウント２０の移動は、例えば、ファイバマウント２０をステージ上に載置し、当該ステージを各方向（水平方向および垂直方向）に移動させることによって、実現することができる。図６（ｄ）に示すように、光ファイバ３５の位置が調整されている間、半田３７は、重力が加わることにより、ファイバマウント２０の移動に追従し、第２のメタライズ層１４に載置された状態を維持する。このため、半田３７の位置を再調整するための追加の工程は不要である。

（ステップＳ５１０：接合工程）
半田３７を溶融し、当該半田３７を第１のメタライズ層１２上および第３のメタライズ層１６上に流出させることによって、光ファイバ３５を第１のメタライズ層１２に接合する。具体的には、図６（ｅ）に示すように、ファイバマウント２０の上面２０ａ（または第２のメタライズ層１４）に対して、レーザ光４０を照射する。これにより、第２のメタライズ層１４が加熱され、当該第２のメタライズ層１４からの熱伝導によって、半田３７の温度が上昇し、当該半田３７が溶融する。溶融した半田３７は、図６（ｆ）に示すように、第２のメタライズ層１４上を伝って、その殆どが、より面積が広い第１のメタライズ層１２上に濡れ広がる。そして、第１のメタライズ層１２上に濡れ広がった半田３７は、図６（ｇ）に示すように、表面張力によって、上方に突出する半円球状となり、光ファイバ３５を確実に覆う。したがって、半田３７が温度低下に伴って凝固すると、光ファイバ３５は、ファイバマウント２０の上面２０ａに確実に固定されることとなる。特に、光ファイバ３５の表面にはメタライズ層３５ａが形成されているため、光ファイバ３５と半田３７との間においても、高い接合強度を維持することができる。

また、溶融した半田３７の一部は、図６（ｇ）に示すように、第２のメタライズ層１４上および第３のメタライズ層１６上に、薄く濡れ広がった状態となる。このとき、図４（ａ）に示すように、第２のメタライズ層１４および第３のメタライズ層１６は、第１のメタライズ領域上に仮想的に設定された対称軸に関して、互いに線対称的な形状を有している。このため、図６（ｇ）に示すように、第２のメタライズ層１４上に広がった半田３７がなす形状と、第３のメタライズ層１６上に広がった半田３７がなす形状とは、第１のメタライズ層１２上における半円球状の半田３７を間に挟んで、互いに対称的なものとなる。これにより、半田３７が凝固する際、光ファイバ３５には、半田３７の熱収縮による圧力が、第２のメタライズ層１４方向および第３のメタライズ層１６方向の双方向から均等に加わるため、光ファイバ３５の位置ずれが更に抑制される。

（効果）
このように、本実施形態２の製造方法によれば、第２のメタライズ層１４を伝って、半田３７の殆どを第１のメタライズ層１２へ流出させる構成を採用したことにより、半田３７の位置を、第１のメタライズ層１２から十分に遠ざけておくことができるので、光ファイバ３５が溶融前の半田３７に接触する可能性が低減される。このため、半田の位置を再調整する手間が低減される。また、ファイバマウント２０は、第１のメタライズ層１２、第２のメタライズ層１４、及び第３のメタライズ層を形成するだけといった簡単な構成でよいため、比較的容易に実現することができる。また、ファイバマウント２０において、第２のメタライズ層１４が第１のメタライズ層１２の一辺から延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ以下であり、第２のメタライズ層１４は、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有しているため、使用する半田３７の量を抑制することができる。このため、半田３７の熱収縮によって光ファイバ３５に加わる圧力を抑制することができる。

特に、本実施形態２の製造方法によれば、互いに対称的な形状を有する第２のメタライズ層１４および第３のメタライズ層１６が形成されたファイバマウント２０を用いたため、半田３７が凝固する際、半田３７の熱収縮による光ファイバ３５の位置ずれが生じ難い。よって、本実施形態２の製造方法によれば、ファイバマウント２０に対して、より高い位置精度で光ファイバ３５を固定することができる。

なお、本実施形態において、第２のメタライズ層１４の面積及び第３のメタライズ層１６の面積は、それぞれ、第１のメタライズ層１２の面積よりも小さい。

以下、本発明に係るファイバマウントの実施例について説明する。本発明に係るファイバマウントは、例えば、以下実施例１〜２に例示するように、実施され得る。

＜実施例１＞
まず、本発明に係る光ファイバ支持構造体の実施例１について説明する。本実施例１では、図７を参照して、上述した実施形態に係る光ファイバ支持構造体の、光ファイバ接合システムへの適用例を説明する。

〔光ファイバ接合システム１００の構成〕
図７は、本発明の実施例１に係る光ファイバ接合システム１００の全体像を示す斜視図である。光ファイバ接合システム１００は、光ファイバ３５を筐体５０に接合するためのシステムである。光ファイバ接合システム１００は、図７に示すように、ステージ１１０、治具１２０、および、レーザ照射装置１３０を備えて構成されている。

（筐体５０）
筐体５０は、光ファイバ３５の接合対象物であり、光ファイバ３５の接合のため、ステージ１１０の上面１１２に取り付けられる。筐体５０の上面５２には、光ファイバ３５を支持するための、上述の実施形態１のファイバマウント１０が設置および固定されている。筐体５０としては、例えば、半導体レーザモジュールが挙げられるが、これに限らない。図７に示すファイバマウント１０は、上述した実施形態１のファイバマウント１０と同様であり、本実施例１において、ファイバマウント１０に対する光ファイバ３５の固定には、上述した実施形態１の接合プロセスが用いられる。

（ステージ１１０）
ステージ１１０は、平板状であり、その上面１１２は平坦面である。上面１１２には、筐体５０が取り付けられる。ステージ１１０は、地平面３０に対して水平方向（図中ｘ軸方向およびｙ軸方向）および垂直方向（図中ｚ軸方向）に移動可能である。これにより、ステージ１１０は、その上面１１２に取り付けられた筐体５０を水平移動および垂直移動させることが可能となっている。

（治具１２０）
治具１２０は、筐体５０上において予め定められた姿勢で配置された状態（図７に示す状態）にある、光ファイバ３５を固定するための器具である。治具１２０による光ファイバ３５の固定方法は、どのような方法によるものであってもよいが、例えば、光ファイバ３５をポンプによって吸着する方法や、光ファイバ３５を把持する方法等が採用し得る。

（レーザ照射装置１３０）
レーザ照射装置１３０は、レーザ光４０を照射する装置である。レーザ照射装置１３０は、レーザ光４０の照射方向および強度を任意に調整することが可能となっている。したがって、レーザ照射装置１３０は、レーザ光４０の照射方向および強度を調整することにより、例えば、ファイバマウント１０の上面１０ａ上の任意の位置に対して、任意の強度のレーザ光４０を照射することが可能となる。

〔光ファイバ接合プロセスの手順〕
このように構成された本実施例１の光ファイバ接合システム１００は、光ファイバ３５の接合プロセスとして、上述の実施形態１の接合プロセスを採用している。したがって、本実施例１の光ファイバ接合システム１００によれば、以下の手順によって、光ファイバ３５がファイバマウント１０へ接合され得る。

なお、本実施例１において、ファイバマウント１０、半田３７、および、光ファイバ３５に採用した各種設定値は以下のとおりである。但し、これらの設定値は、単なる例示的なものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

第１のメタライズ層１２の長さＬ１：０．２５ｍｍ
第１のメタライズ層１２の幅Ｗ１ ：０．８ｍｍ
第２のメタライズ層１４の長さＬ２：０．２７ｍｍ
第２のメタライズ層１４の幅Ｗ２ ：０．０８ｍｍ
半田３７の材料 ：ＡｕＳｎ２０
半田３７のサイズ ：直径０．４ｍｍ×長さ０．８ｍｍ
半田３７の重量 ：１．５ｍｇ
光ファイバ３５の直径 ：０．１２５ｍｍ
光ファイバ３５の中心が、第１のメタライズ層１２と第２のメタライズ層１４との境界まで調整できると仮定した場合、半田３７が第２のメタライズ層１４の表面上に載置された状態を維持し続けるためには、第２のメタライズ層１４の長さＬ２は、［Ｌ２＞（光ファイバ３５の直径／２）＋（半田３７の直径／２）]を満たす必要がある。本実施例１では、このような条件を満たすことができるように、第２のメタライズ層１４の長さＬ２を「０．２７ｍｍ」としている。また、第２のメタライズ層１４の幅Ｗ２（０．０８ｍｍ）は、第１のメタライズ層１２の幅Ｗ１（０．８ｍｍ）の１／１０とした。これにより、半田３７の使用量を十分に抑制することが可能となっている。

（手順１：取り付け工程）
ステージ１１０の上面１１２に、筐体５０を取り付ける。このとき、筐体５０の上面５２には、ファイバマウント１０が既に設置および固定されているものとする。また、ステージ１１０の上面１１２、筐体５０の上面５２、および、ファイバマウント１０の上面１０ａは、いずれも水平状態（地平面３０に対して平行な状態）になっているものとする。

（手順２：配置工程）
光ファイバ３５を配置および固定する。具体的には、光ファイバ３５を、そのメタライズ層３５ａが形成されている部分がファイバマウント１０の上面１０ａの上方を通過するように、上面１０ａと平行に配置し、その状態で、光ファイバ３５を、治具１２０によって固定する。このとき、光ファイバ３５の正確な位置合わせは不要である。

（手順３：載置工程）
ファイバマウント１０の上面１０ａに半田３７を載置する。具体的には、ファイバマウント１０の上面１０ａに形成された第２のメタライズ層１４の表面上に、半田３７を載置する。このとき、半田３７の正確な位置合わせは不要である。

（手順４：調整工程）
半田３７が第２のメタライズ層１４に載置された状態において、ファイバマウント１０（第１のメタライズ層１２）に対する光ファイバ３５の位置を調整する。具体的には、光ファイバ３５が治具１２０によって固定されたまま、ステージ１１０を移動させることによって、ファイバマウント１０を移動させる。これにより、相対的に、ファイバマウント１０に対する光ファイバ３５の位置が調整されることとなる。光ファイバ３５の位置が調整されている間、半田３７が第２のメタライズ層１４に載置された状態を維持し続けることは、実施形態で説明したとおりである。

（手順５：接合工程）
半田３７を溶融することによって、光ファイバ３５を上面１０ａに接合する。具体的には、レーザ照射装置１３０から、レーザ光４０をファイバマウント１０の上面１０ａに照射する。レーザ光４０の照射位置は、第２のメタライズ層１４の近傍の位置であってもよく、第２のメタライズ層１４上の位置であってもよい。これにより第２のメタライズ層１４が加熱され、当該第２のメタライズ層１４からの熱伝導によって、半田３７の温度が上昇し、当該半田３７が溶融する。これにより、半田３７が第１のメタライズ層１２に流出し、当該半田３７が半円球状となって、第１のメタライズ層１２に対して光ファイバを確実に固定することは、実施形態で説明したとおりである。

上述のとおり、本実施例１の光ファイバ接合システム１００は、光ファイバ３５を接合するための構成として、上述した実施形態１のファイバマウント１０を用いており、また、光ファイバ３５の接合プロセスとして、上述した実施形態１の接合プロセスを採用している。したがって、本実施例１の光ファイバ接合システム１００は、その製造過程において、より簡単な構成かつより少ない作業工程で、ファイバマウント１０の適正な位置に光ファイバ３５を接合することができる。

なお、本実施例１では、光ファイバ３５を支持するための台座として、実施形態１のファイバマウント１０を適用しているが、ファイバマウント１０の代わりに、上述の実施形態２のファイバマウント２０を適用することもできる。この場合、半田３７が凝固する際、光ファイバ３５に対し、両方向（第２のメタライズ層１４方向および第３のメタライズ層１６方向）から均等に圧力が加わるため、光ファイバ３５の位置ずれが生じ難い。このため、より高い精度で、ファイバマウント１０の適正な位置に光ファイバ３５を接合することができる。

＜実施例２＞
次に、本発明に係るファイバマウントの実施例２について説明する。本実施例２では、図８を参照して、本発明に係るファイバマウントの、半導体レーザモジュールへの適用例を説明する。

図８は、本発明の実施例２に係る半導体レーザモジュール２００の全体像を示す斜視図である。半導体レーザモジュール２００は、光ファイバ３５の一端に装着されるレーザモジュールである。半導体レーザモジュール２００は、図８に示すように、基板２１０、ＣｏＳ（Chip on Submount）２３０、ケース２５０、および、上述した実施形態１のファイバマウント１０を備えている。なお、図８においては、半導体レーザモジュール２００の内部構造を明らかにするために、ケース２５０の天板及び側板の一部を省略している。

図８に示すように、光ファイバ３５は、ケース２５０の側面に形成された挿通パイプ２５１内を通って、半導体レーザモジュール２００の内部に引き込まれている。半導体レーザモジュール２００内において、光ファイバ３５は、ファイバマウント１０の上面を通過しているとともに、半田３７によって、ファイバマウント１０の上面に固定されている。ファイバマウント１０の底面は、半田２６３によって、基板２１０の上面に接合されている。図８に示すファイバマウント１０は、上述した実施形態１のファイバマウント１０と同様であり、ファイバマウント１０に対する光ファイバ３５の固定には、上述した実施形態１の接合プロセスが用いられている。

光ファイバ３５の端部３５ｂは、半導体レーザチップ２３３の端面２３３ａに対向するように配置される。半導体レーザチップ２３３の端面２３３ａから発せられたレーザ光は、端部３５ｂから光ファイバ３５内に入射し、光ファイバ３５内を伝搬する。

基板２１０は、半導体レーザモジュール２００の底板を構成する、板状部材である。基板２１０は、半導体レーザモジュール２００の内部（特にＣｏＳ２３０）で発生した熱を半導体レーザモジュール２００の外部に放熱するためのヒートシンクとして機能する。このため、基板２１０は、熱伝導率の高い材料、例えば、例えばＣｕ（銅）によって形成される。

基板２１０の上面には、図８に示すように、ＣｏＳ２３０と、上述の実施形態１のファイバマウント１０とが設置される。基板２１０の上面において、ファイバマウント１０は、光ファイバ３５が引き出される側に配置され、ＣｏＳ２３０は、光ファイバ３５が引き出される側と反対側に配置される。

（ＣｏＳ２３０）
ＣｏＳ２３０は、レーザマウント２３１、ＣｕＷ（銅タングステン）層２３２、半導体レーザチップ２３３、および、ワイヤ２３４を備えている。レーザマウント２３１は、その上面においてＣｏＳ２３０が備える他の構成部材を支持する、立体形状の部材である。レーザマウント２３１の底面は、半田２６２によって、基板２１０の上面に接合されている。レーザマウント２３１の上面には、図８に示すように、ＣｕＷ（銅タングステン）層２３２が形成されており、当該ＣｕＷ層２３２の上面には、半導体レーザチップ２３３が実装されている。レーザマウント２３１、ＣｕＷ層２３２、および半導体レーザチップ２３３は、長手方向が互いに平行になるように、基板２１０上に配置されている。

（半導体レーザチップ２３３）
半導体レーザチップ２３３は、その端面２３３ａからレーザ光を発するレーザ光源である。本実施形態においては、半導体レーザチップ２３３として、主にＧａＡｓ（ガリウム砒素）からなる、３ｍｍ以上のキャビティ長を有する高出力半導体レーザを用いている。半導体レーザチップ２３３は、図８に示すように、レーザマウント２３１の上面に形成された回路（図示省略）に対して、ワイヤ２３４を介して接続されており、この回路から供給された電流によって駆動される。

上述のとおり、本実施例２の半導体レーザモジュール２００は、光ファイバ３５を接合するための構成として、上述した実施形態１のファイバマウント１０を用いている。また、本実施例２の半導体レーザモジュール２００は、光ファイバ３５の接合プロセスとして、上述した実施形態１の接合プロセスを採用している。したがって、本実施例２の半導体レーザモジュール２００は、その製造過程において、より簡単な構成かつより少ない作業工程で、ファイバマウント１０の適正な位置に光ファイバ３５を接合することができる。

なお、本実施例２では、光ファイバ３５を支持するための台座として、実施形態１のファイバマウント１０を適用しているが、ファイバマウント１０の代わりに、上述の実施形態２のファイバマウント２０を適用することもできる。この場合、半田３７が凝固する際、光ファイバ３５に対し、両方向（第２のメタライズ層１４方向および第３のメタライズ層１６方向）から均等に圧力が加わるため、光ファイバ３５の位置ずれが生じ難い。このため、より高い精度で、ファイバマウント２０の適正な位置に光ファイバ３５を接合することができる。

〔変形例１〕
上述の実施形態の各メタライズ層の形状は、単なる例示的なものであり、他の形状を有していてもよい。実施形態１，２のファイバマウント１０，２０において、例えば図９（ａ）〜（ｃ）に例示するように、第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２に近づくにつれ、徐々に線幅が広がる形状を有していてもよい。

図９（ａ）に示す例では、第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２側において、第１のメタライズ層に向かうにつれて徐々に幅が広がるテーパ状に形成されている。図９（ｂ）、（ｃ）に示す例では、第２のメタライズ層１４全体が、第１のメタライズ層１２に向かうにつれて徐々に幅が広がるテーパ状に形成されている。

本変形例において、第２のメタライズ層１４から第１のメタライズ層１２へ流入した半田３７は、光ファイバ３５の側面における広範囲に突き当たるため、光ファイバ３５の側面に加わる圧力が緩和され、光ファイバ３５の位置ずれを防止することができる。

〔変形例２〕
実施形態１，２のファイバマウント１０，２０において、例えば図９（ｄ）に例示するように、第２のメタライズ層１４が、第１のメタライズ層１２の片側に複数配置されていてもよい。図９（ｄ）に示す例では、より具体的には、第２のメタライズ層１４が、第１のメタライズ層１２の片側に２つ配置されている。

本変形例において、第２のメタライズ層１４から第１のメタライズ層１２へ流入した半田３７は、光ファイバ３５の側面における複数の位置に分散して突き当たるため、光ファイバ３５の側面に加わる圧力が緩和され、光ファイバ３５の位置ずれを防止することができる。

〔変形例３〕
実施形態１，２のファイバマウント１０，２０において、例えば図９（ｅ）に例示するように、第２のメタライズ層１４は、光ファイバ３５の延伸方向に対して斜め（非垂直）に延伸するものであってもよい。図９（ｅ）に示す例は、延伸する第２のメタライズ層１４が、第１のメタライズ層１２のある辺から、当該ある辺に対して非垂直に延伸していると表現することもできる。

本変形例において、第２のメタライズ層１４から第１のメタライズ層１２へ流入した半田３７は、光ファイバ３５の側面に対して斜めに突き当たるため、光ファイバ３５の側面に加わる圧力が緩和され、光ファイバ３５の位置ずれを防止することができる。

なお、上記変形例１〜３の何れの場合であっても、ファイバマウント１０，２０は、第１のメタライズ層１２の一辺から第１のメタライズ層１２の外側に向かって延伸する第２のメタライズ層１４を備えており、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ以下であり、第２のメタライズ層１４は、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有している。

〔変形例４〕
実施形態２のファイバマウント２０において、第３のメタライズ層１６と第２のメタライズ層１４とは、互いに非対称的な形状を有していてもよい。この場合でも、光ファイバ３５に加わる圧力を、第３のメタライズ層１６側と第２のメタライズ層１４側とに分散することができる。

〔変形例５〕
上述の実施形態では、半田３７として、円柱形状を有する半田プリフォームを用いているが、半田３７は、少なくとも上面１０ａ上に載置可能な形状を有していればよく、円柱形状を有する半田プリフォームに限らない。

〔変形例６〕
上述の実施形態では、ファイバマウントにレーザ光を照射することによって半田を加熱溶融する構成を採用しているが、それ以外の方法（例えば、加熱された媒体をファイバに接触させる方法等）によって半田を加熱溶融する構成を採用してもよい。

〔変形例７〕
上述の実施形態では、第１のメタライズ層１２として矩形状のものを例に挙げたが、これに限定されるものではなく、例えば、第１のメタライズ層１２を、楕円状、または円状に形成してもよい。このような場合であっても、第１のメタライズ層１２から外側に向かって延伸する第２のメタライズ層１４の延伸方向と直交する方向に沿った第２のメタライズ層１４の長さの最大値が、当該直交する方向に沿った第１のメタライズ層１２の長さの最大値以下であり、第２のメタライズ層１４が、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における幅が第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さ未満となる領域を有している構成とすることにより、使用する半田の量を抑制することができる。これにより、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。

〔変形例８〕
図９（ａ）〜（ｃ）には、ファイバマウント１０、２０が、第１のメタライズ層１２の一辺から第１のメタライズ層１２の外側に向かって延伸する第２のメタライズ層１４を備えており、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値が、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さよりも小さい場合が示されているが、これに限定されるものではなく、図９（ｆ）〜（ｈ）に示す構成を採用してもよい。

図９（ｆ）〜（ｈ）に示す例では、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値が、第１のメタライズ層１２の前記一辺の長さと等しい。また、第２のメタライズ層１４は、少なくとも第１のメタライズ層１２側において、第２のメタライズ層１４が延伸する方向と直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅が第１のメタライズ層１２に向かうにつれて徐々に広がるテーパ状の領域を有している。

図９（ｆ）〜（ｈ）に示す例においても、使用する半田の量を抑制することができる。このため、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができるので、従来に比べて加工コストの上昇を抑えつつ、半田の熱収縮による光ファイバの位置ずれを抑制することができる。

〔付記事項１〕
図９（ａ）〜（ｈ）において、第２のメタライズ層１４が延伸する方向を、一点鎖線Ｅによって示す。図９（ａ）〜（ｃ）、（ｆ）〜（ｈ）に示すように、第２のメタライズ層１４がテーパ状の領域を含んで形成されている構成において、第２のメタライズ層１４が延伸する方向は、第２のメタライズ層１４の対称軸に一致する。また、図９（ａ）〜（ｄ）、（ｆ）〜（ｈ）に示す例において、第２のメタライズ層１４が延伸する方向は、第１のメタライズ層１２における、第２のメタライズ層１４に対向する辺に垂直である。

また、図９（ａ）〜（ｈ）において、第１のメタライズ層１２と第２のメタライズ層１４との仮想的な境界を破線Ｂによって示す。ただし、破線Ｂは、第１のメタライズ層１２と第２のメタライズ層１４とが別体に形成されることを示すものではない。第１のメタライズ層１２と第２のメタライズ層１４とは、一体的に形成され得る。

図９（ａ）〜（ｃ）に示す例は、「第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２の一辺から延伸しており、第２のメタライズ層１４の対称軸に直交する方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の当該一辺の長さよりも小さい」と表現することもできるし、「第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２の一辺から延伸しており、第１のメタライズ層１２が有する複数の辺のうち第２のメタライズ層１４に対向する辺に平行な方向における第２のメタライズ層１４の幅の最大値は、第１のメタライズ層１２の当該一辺の長さよりも小さい」と表現することもできる。

また、図９（ｅ）に示す例は、「第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２の一辺から延伸しており、第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２が有する複数の辺のうち当該一辺に対向する辺に非垂直である」と表現することもできる。

また、図９（ｆ）〜（ｈ）に示す例は、「第２のメタライズ層１４は、第１のメタライズ層１２に向かうにつれて幅が徐々に広がるテーパ状の領域を有しており、当該テーパ状の領域の対称軸は、第１のメタライズ層１２における、第２のメタライズ層１４に対向する辺に垂直である」と表現することもできる。

〔付記事項２〕
図９（ａ）〜（ｈ）に示した第２のメタライズ層１４の各構成は、実施形態２における第３のメタライズ層１６に対して適用することもできる。

〔付記事項３〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、ファイバモジュールの台座、及びファイバモジュールの製造方法として、好適に適用することができる。

１０ ファイバマウント（台座）
１０ａ 上面
１２ 第１のメタライズ層（第１の金属層）
１４ 第２のメタライズ層（第２の金属層）
１６ 第３のメタライズ層（第３の金属層）
２０ ファイバマウント（台座）
２０ａ 上面
３０ 地平面
３５ 光ファイバ
３５ａ メタライズ層
３７ 半田
４０ レーザ光

Claims (8)

1. 上面に光ファイバが接合される台座であって、
   前記上面に形成された第１の金属層と、
   前記上面において前記第１の金属層の一辺から当該第１の金属層の外側に向かって延伸する第２の金属層と、
   を備え、
   前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅の最大値は、前記第１の金属層の前記一辺の長さ以下であり、
   前記第２の金属層は、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における幅が前記第１の金属層の前記一辺の長さ未満となる領域を有している
   ことを特徴とする台座。
2. 前記上面において、前記第１の金属層から当該第１の金属層の外側に向かって、且つ、前記第２の金属層が延伸する方向とは反対側の方向に向かって延伸する第３の金属層をさらに備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の台座。
3. 前記第２の金属層および前記第３の金属層は、前記第１の金属層上の対称軸に関して、互いに線対称な形状を有している
   ことを特徴とする請求項２に記載の台座。
4. 前記第２の金属層は、前記第１の金属層側において、前記第２の金属層が延伸する方向と直交する方向における前記第２の金属層の幅が前記第１の金属層に向かうにつれて徐々に広がるテーパ状の領域を有している
   ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の台座。
5. 請求項１に記載の台座を有するレーザモジュールの製造方法であって、
   前記第１の金属層の表面上に、光ファイバを配置する配置工程と、
   前記第２の金属層の表面上に、半田を載置する載置工程と、
   前記半田を溶融することによって、当該半田を前記第２の金属層を介して前記第１の金属層に流出させ、前記第１の金属層に流出した前記半田によって前記光ファイバを前記第１の金属層に接合する接合工程と
   を含むことを特徴とする製造方法。
6. 請求項２または３に記載の台座を有するレーザモジュールの製造方法であって、
   前記第１の金属層の表面上に、光ファイバを配置する配置工程と、
   前記第２の金属層の表面上に、半田を載置する載置工程と、
   前記半田を溶融することによって、当該半田を前記第２の金属層を介して前記第１の金属層および前記第３の金属層に流出させ、前記第１の金属層に流出した前記半田によって前記光ファイバを前記第１の金属層に接合する接合工程と
   を含むことを特徴とする製造方法。
7. 前記第１の金属層の領域内において、前記光ファイバの位置を調整する調整工程
   をさらに含むことを特徴とする請求項５または６に記載の製造方法。
8. 前記半田は、円柱形状を有する
   ことを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の製造方法。
   

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