JP2015012115A - Wiring board manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board used for mounting a semiconductor element.
従来、図12(a),(b)に示すように、下面外周部に電極端子Tがペリフェラル配置された半導体素子Sをフリップチップ接続により搭載する配線基板40は、多数のスルーホール22を有する樹脂系絶縁材料から成るコア用の絶縁層21の上面から下面にかけて銅から成る複数のコア用の配線導体23を被着させて成るとともに、さらにその上下面に樹脂系絶縁材料から成るビルドアップ用の絶縁層24と銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体25を積層してなり、さらにその上下面に配線導体25の一部を露出させるようにしてソルダーレジスト層26が被着されている。なお、図12(b)においては、上面側の配線導体25を破線にて示している。
Conventionally, as shown in FIGS. 12A and 12B, a
配線基板40の上面中央部には、半導体素子Sを搭載するための搭載部が設けられており、この搭載部には半導体素子Sの電極Tと接続するための多数の半導体素子接続パッド27が配線導体25の一部により形成されている。そして、この半導体素子接続パッド27上に半導体素子Sの電極Tを当接させるとともに、両者間を半田を介して接続することにより半導体素子Sが配線基板40に搭載される。
A mounting portion for mounting the semiconductor element S is provided at the center of the upper surface of the
また、配線基板40の下面は、外部の電気回路基板と接続するための外部接続面となっており、この外部接続面には外部の電気回路基板と接続するための多数の外部接続パッド28が配線導体25の一部により形成されている。そして、この外部接続パッド28と外部電気回路基板とを半田を介して接続することにより配線基板40が外部の電気回路基板に実装される。
The lower surface of the
ところで、このような配線基板40においては、半導体素子接続パッド27の酸化を防止するとともに半導体素子Sの電極Tとの接続を良好なものとするために、半導体素子接続パッド27の露出表面に、ニッケルめっき層と金めっき層とを電解めっきにより順次被着させたニッケル−金めっき層29を被着させておく場合がある。
By the way, in such a
ここで、従来の配線基板40において、半導体素子接続パッド27の表面にニッケル−金めっき層29を電解めっき法により被着させる方法を図13〜20を参照して説明する。
Here, a method of depositing the nickel-
まず、図13(a),(b)に示すように、配線基板40となる製品領域Xがその周囲に捨て代領域Yを介して多数一体的に配列形成されて成る配線基板用パネル40Pを準備する。各製品領域Xには、上面に半導体素子接続パッド27が形成されている。なお、図13〜19においては、簡便のため、1個の製品領域Xおよびその周囲の捨て代領域Yを部分的に示している。
First, as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b), a
配線基板用パネル40Pには、上面側の絶縁層24上に、製品領域Xの配線導体25のいくつかから捨て代領域Yに延びるとともに捨て代領域Yにおいて電気的に共通に接続された銅から成るめっき導通線30を設けておく。捨て代領域Yにおけるめっき導通線30は、ソルダーレジスト層26から露出させる。また、製品領域Xにおける異なる配線導体25同士のいくつかをめっき導通線31により接続しておき、そのめっき導通線31の一部をソルダーレジスト層26から露出させておく。
The
次に、図14(a),(b)に示すように、配線基板用パネル40Pの上下面に、めっきマスクM1を形成する。上面側のめっきマスクM1は、半導体素子接続パッド27を露出させるとともに、めっき導通線30,31を覆っている。下面側のめっきマスクM1は、外部接続パッド28を覆っている。
Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, a plating mask M1 is formed on the upper and lower surfaces of the
次に、図15(a),(b)に示すように、マスクM1から露出する半導体素子接続パッド27の表面に電解めっき法によりニッケルめっき層および金めっき層を順次被着してニッケル−金めっき層29を形成する。なお、この場合、めっき導通線30,31を介して電解めっきのための電荷を各半導体素子接続パッド27に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、めっきマスクM1で被覆された外部接続パッド28およびめっき導通線30,31には、ニッケル−金めっき層29は被着されない。
Next, as shown in FIGS. 15A and 15B, a nickel plating layer and a gold plating layer are sequentially deposited on the surface of the semiconductor
次に、図16(a),(b)に示すように、めっきマスクM1を除去する。これにより半導体素子接続パッド27にのみにニッケル−金めっき層29が被着された配線基板用パネル40Pが得られる。
Next, as shown in FIGS. 16A and 16B, the plating mask M1 is removed. As a result, a
次に、図17(a),(b)に示すように、配線基板用パネル40Pの上下面に、エッチングマスクM2を形成する。上面側のエッチングマスクM2は、めっき導通線30,31を露出させるとともに半導体素子接続パッド27を覆っている。また、下面側のエッチングマスクM2は、外部接続パッド28を覆っている。
Next, as shown in FIGS. 17A and 17B, an etching mask M2 is formed on the upper and lower surfaces of the
次に、図18(a),(b)に示すように、エッチングマスクM2から露出するめっき導通線30,31をエッチング除去する。これにより、各半導体素子接続パッド27の所定のもの同士が電気的に独立することとなる。
Next, as shown in FIGS. 18A and 18B, the plating
最後に、図19(a),(b)に示すように、エッチングマスクM2を除去し、その後、配線基板用パネル40Pを各製品領域Xの境界に沿って切断することによって図12(a),(b)に示したような配線基板40が得られる。なお、めっきマスクM1やエッチングマスクM2は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル40Pの上下面に圧着するとともに、それをフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光および現像することによって形成される。
Finally, as shown in FIGS. 19A and 19B, the etching mask M2 is removed, and then the
しかしながら、このような従来の配線基板40の製造方法によると、エッチングマスクM2から露出するめっき導通線30,31をエッチング除去する際に、半導体素子接続パッド27を覆っているエッチングマスクM2に破れや剥がれが発生することが稀にある。このような破れや剥がれが発生すると、図20に示すように、エッチング液Eが半導体素子接続パッド27上に漏れ出して、それが図中に矢印で示す半導体素子接続パッド27とソルダーレジスト層26との境界部の配線導体25を局部的にエッチングしてしまうことがある。このような半導体素子接続パッド27とソルダーレジスト層26との境界部における配線導体25のエッチング部は、その上がニッケル−金めっき層29およびソルダーレジスト層26で覆われているため、外観上、見分けることができない。また、エッチングにより半導体素子接続パッド27とソルダーレジスト層26との境界部が完全に断線していない限り、電気的な導通チェックを行っても発見することは困難である。そして、このようなエッチング部が配線導体25に発生していると、その部分に大きな電流が流れたり、熱応力が繰り返し加えられたりした場合に、その部分が断線してしまう危険性が高くなり、そのため配線基板40の電気的な接続信頼性が大きく損なわれてしまう。
However, according to such a conventional method of manufacturing the
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子接続パッドとソルダーレジスト層との境界部の配線導体に局所的なエッチングの発生がなく、それにより配線導体に断線が発生する危険性が低く電気的な接続信頼性に優れる配線基板の製造方法を提供することにある。 The problem to be solved by the present invention is that there is no local etching on the wiring conductor at the boundary between the semiconductor element connection pad and the solder resist layer, thereby reducing the risk of occurrence of disconnection in the wiring conductor. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board having excellent connection reliability.
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層の表面に、半導体素子接続パッドを有する銅から成る複数の配線導体および該複数の配線導体を電気的に共通に接続する銅から成るめっき導通線を形成する工程と、前記絶縁層および前記導体層の表面に、前記半導体素子接続パッドおよび前記めっき導通線を露出させるとともに前記配線導体を半導体素子接続パッドの近傍まで被覆する下層のソルダーレジスト層を被着する工程と、前記下層のソルダーレジスト層上に前記半導体素子接続パッドおよびその近傍の前記配線導体を露出させるとともに前記めっき導通線を被覆するめっきマスクを形成する工程と、前記めっきマスクから露出する前記配線導体の露出部に、銅とは異なる金属から成る電解めっき層を被着する工程と、前記下層のソルダーレジスト層から前記めっきマスクを除去する工程と、前記下層のソルダーレジスト層およびその周囲の前記絶縁層および前記配線導体上に前記半導体素子接続パッドおよび前記めっき導通線を露出させるとともに前記半導体素子接続パッド近傍の前記配線導体に被着された前記電解めっき属を被覆する上層のソルダーレジスト層を被着する工程と、前記上層のソルダーレジスト層上に、該上層のソルダーレジスト層から露出する前記配線導体を覆うとともに前記めっき導通線を露出させるエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクから露出する前記めっき導通線をエッチング除去する工程と、前記上層のソルダーレジスト層上から前記エッチングマスクを除去する工程と、を行うことを特徴とするものである。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a plurality of wiring conductors made of copper having semiconductor element connection pads and a plating conduction wire made of copper for electrically connecting the plurality of wiring conductors are formed on the surface of the insulating layer. And forming a lower layer solder resist layer that exposes the semiconductor element connection pads and the plating conductive lines on the surfaces of the insulating layer and the conductor layer and covers the wiring conductors to the vicinity of the semiconductor element connection pads. Exposing the semiconductor element connection pad and the wiring conductor in the vicinity thereof on the lower solder resist layer and forming a plating mask for covering the plating conductive line, and exposing from the plating mask A step of depositing an electrolytic plating layer made of a metal different from copper on the exposed portion of the wiring conductor; Removing the plating mask from the strike layer; exposing the semiconductor element connection pad and the plating conductive line on the lower solder resist layer and the surrounding insulating layer and the wiring conductor; and the semiconductor element connection pad A step of depositing an upper solder resist layer covering the electroplating genus deposited on the wiring conductor in the vicinity; and the wiring conductor exposed from the upper solder resist layer on the upper solder resist layer Forming an etching mask that covers the plating conduction line and exposing the plating conduction line, etching and removing the plating conduction line exposed from the etching mask, and removing the etching mask from the upper solder resist layer And performing the above.
本発明の配線基板の製造方法によれば、エッチングマスクから露出するめっき導通線をエッチング除去する際に、エッチングマスクの破れや剥がれに起因して半導体素子接続パッドと上層のソルダーレジスト層との境界部にエッチング液が浸入したとしても、配線導体における半導体素子接続パッドと上層のソルダーレジスト層との境界部およびその近傍は電解めっき層で覆われて保護されているので、この境界部分の配線導体が局部的にエッチングされることはない。したがって、配線導体に断線が発生する危険性が低い電気的な接続信頼性に優れる配線基板の製造方法を提供することができる。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, when the plating conductive line exposed from the etching mask is removed by etching, the boundary between the semiconductor element connection pad and the upper solder resist layer due to tearing or peeling of the etching mask. Even if the etching solution penetrates into the area, the boundary between the semiconductor element connection pad and the upper solder resist layer in the wiring conductor and the vicinity thereof are covered and protected by the electrolytic plating layer. Is not etched locally. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a wiring board that has a low risk of disconnection in the wiring conductor and is excellent in electrical connection reliability.
次に、本発明の配線基板の製造方法を添付の図面を参照して説明する。図1(a),(b)は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板20を示す断面図および上面図である。配線基板20は、多数のスルーホール2を有する樹脂系絶縁材料から成るコア用の絶縁層1の上面から下面にかけて銅から成る複数のコア用の配線導体3を被着させて成るとともに、さらにその上下面に樹脂系絶縁材料から成るビルドアップ用の絶縁層4と銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体5を積層してなり、さらにその上面には順次積層されたソルダーレジスト層6a,6cが被着されており、下面には6bが被着されている。なお、図1(b)においては、上面側の配線導体25を破線にて示している。
Next, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are a cross-sectional view and a top view showing a
配線基板20の上面中央部には、半導体素子Sを搭載するための搭載部が設けられており、この搭載部には半導体素子Sの電極Tと接続するための多数の半導体素子接続パッド7が配線導体5の一部により形成されている。そして、この半導体素子接続パッド7上に半導体素子Sの電極Tを当接させるとともに、両者間を半田を介して接続することにより半導体素子Sが配線基板20に搭載される。
A mounting portion for mounting the semiconductor element S is provided in the central portion of the upper surface of the
また、配線基板20の下面は、外部の電気回路基板と接続するための外部接続面となっており、この外部接続面には外部の電気回路基板と接続するための多数の外部接続パッド8が配線導体5の一部により形成されている。そして、この外部接続パッド8と外部電気回路基板とを半田を介して接続することにより配線基板20が外部の電気回路基板に実装される。
The lower surface of the
さらに、この配線基板20においては、半導体素子接続パッド7の酸化を防止するとともに半導体素子Sの電極Tとの接続を良好なものとするために、半導体素子接続パッド7の露出表面にニッケルめっきおよび金めっきを電解めっき法により順次析出させたニッケル−金めっき層9が被着されている。
Further, in this
ここで、この配線基板20を本発明の製造方法に従って製造する実施形態例を図2〜図11を参照して説明する。
Now, an embodiment in which the
まず、図2(a),(b)に示すように、配線基板20となる製品領域Xがその周囲に捨て代領域Yを介して多数一体的に配列形成されて成る配線基板用パネル20Pを準備する。配線基板用パネル20Pは、コア用の絶縁層1とコア用の配線導体3およびビルドアップ用の絶縁層4とビルドアップ用の配線導体5を含んでいる。各製品領域Xには、上面側の絶縁層4の表面に半導体素子接続パッド7を有する配線導体5を形成するとともに下面側の絶縁層4の表面に外部接続パッド8を有する配線導体5を形成する。さらに、上面側の絶縁層4の表面に製品領域Xの配線導体5のいくつかから捨て代領域Yに延びるとともに捨て代領域Yにおいて電気的に共通に接続された銅から成るめっき導通線10および製品領域Xにおける異なる配線導体5同士のいくつかを接続するめっき導通線11を形成する。なお、図2〜図9においては、簡便のため、1個の製品領域Xおよびその周囲の捨て代領域Yを部分的に示している。
First, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), a
次に図3(a),(b)に示すように、上面側の絶縁層4および配線導体5の表面にソルダーレジスト層6aを形成するとともに、下面側の絶縁層4および配線導体5の表面にソルダーレジスト層6bを形成する。上面側のソルダーレジスト層6aは、半導体素子接続パッド7およびめっき導通線10,11を露出させるとともに配線導体5を半導体素子接続パッド7の近傍まで被覆している。このソルダーレジスト層6aの厚みは、配線導体5の上で5〜10μm程度である。また、下面側のソルダーレジスト層6bは、外部接続パッド8を露出させるとともに残余の部分を被覆している。ソルダーレジスト層6bの厚みは、配線導体5の上で10〜20μm程度である。
Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, a solder resist
次に、図4(a),(b)に示すように、配線基板用パネル20Pの上下面に、めっきマスクM1を形成する。上面側のめっきマスクM1は、半導体素子接続パッド7を露出させるとともに、めっき導通線10,11を覆っている。下面側のめっきマスクM1は、外部接続パッド8を覆っている。このようなめっきマスクM1は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル20Pの上下面に真空プレスにより熱圧着するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, a plating mask M1 is formed on the upper and lower surfaces of the
次に、図5(a),(b)に示すように、めっきマスクM1から露出する半導体素子接続パッド7の表面に電解めっき法によりニッケルめっき層および金めっき層を順次被着してニッケル−金めっき層9を形成する。なお、この場合、めっき導通線10,11を介して電解めっきのための電荷を各半導体素子接続パッド7に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、めっきマスクM1で被覆されためっき導通線10,11および外部接続パッド8には、ニッケル−金めっき層9は被着されない。
Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a nickel plating layer and a gold plating layer are sequentially deposited on the surface of the semiconductor
次に、図6(a),(b)に示すように、めっきマスクM1を除去する。これにより半導体素子接続パッド7およびその近傍の配線導体5のみにニッケル−金めっき層9が被着された配線基板用パネル20Pが得られる。なお、めっきマスクM1の除去は、アルカリ性の剥離液を用いて行なう。
Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the plating mask M1 is removed. As a result, a
次に、図7(a),(b)に示すように、ソルダーレジスト層6aおよびその周囲の絶縁層4および配線導体5上にソルダーレジスト層6cを形成する。ソルダーレジスト層6cは、半導体素子接続パッド7およびめっき導通線10,11を露出させるとともに半導体素子接続パッド7近傍の配線導体5に被着されたニッケル−金めっき層9を被覆している。ソルダーレジスト層6cの厚みは、ソルダーレジスト層6a上で5〜10μm程度である。また、半導体素子接続パッド7近傍の配線導体5に被着されたニッケル−金めっき層9がソルダーレジスト層6cで覆われる長さLは5〜100μm程度とする。
Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, a solder resist
次に、図8(a),(b)に示すように、配線基板用パネル20Pの上下面に、エッチングマスクM2を形成する。エッチングマスクM2は、半導体素子接続パッド7および外部接続パッド8を被覆するとともに、めっき導通線10,11を露出させるようにする。なお、エッチングマスクM2は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル20Pの上下面に真空プレスにより熱圧着するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
Next, as shown in FIGS. 8A and 8B, an etching mask M2 is formed on the upper and lower surfaces of the
次に、図9(a),(b)に示すように、エッチングマスクM2から露出するめっき導通線10,11をエッチング除去する。エッチング液には、銅のみをエッチングし、ニッケル−金めっき層はエッチングしないエッチング液を用いる。これにより、各半導体素子接続パッド7の所定のもの同士が電気的に独立することとなる。このとき、図10に示すように、エッチングマスクM2の破れや剥がれに起因して半導体素子接続パッド7とソルダーレジスト層6cとの境界部にエッチング液Eが浸入したとしても、配線導体5における半導体素子接続パッド7とソルダーレジスト層6cとの境界部およびその近傍はニッケル−金めっき層9で覆われて保護されていることから、半導体素子接続パッド7とソルダーレジスト層6cとの境界部の配線導体5が局部的にエッチングされることはない。したがって、配線導体5に断線が発生する危険性が低い電気的な接続信頼性に優れる配線基板20の製造方法を提供することができる。なお、半導体素子接続パッド7近傍の配線導体に被着されたニッケル−金めっき層9がソルダーレジスト層6cで覆われる長さLが5μm未満では、半導体素子接続パッド7とソルダーレジスト層6cとの境界部の配線導体5が局部的にエッチングされる危険性が大きくなり、100μmを超えると、ニッケル−金めっき層9が無駄に被着されて配線基板20の製造コストが高いものとなってしまう。したがって、半導体素子接続パッド7近傍の配線導体に被着されたニッケル−金めっき層9がソルダーレジスト層6cで覆われる長さLは5〜100μmの範囲が好ましい。
Next, as shown in FIGS. 9A and 9B, the plating
最後に、図11(a),(b)に示すように、エッチングマスクM2を除去し、その後、配線基板用パネル20Pを各製品領域Xの境界に沿って切断することによって図1に示したような配線基板20が得られる。なお、エッチングマスクM2の除去は、アルカリ性の剥離液を用いる。なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態例では、配線導体5における半導体素子接続パッド7およびその近傍にニッケル−金めっき層9を被着したが、ニッケル−金めっき層9に代えて電解錫めっき等の他の金属から成る電解めっき層を被着させてもよい。
Finally, as shown in FIGS. 11A and 11B, the etching mask M2 is removed, and then the
1,4・・・・・絶縁層
3,5・・・・・配線導体
6a〜6c・・・ソルダーレジスト層
7・・・・・・・半導体素子接続パッド
9・・・・・・・電解めっき層
10,11・・・めっき導通線
M1・・・・・・めっきマスク
M2・・・・・・エッチングマスク
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