JP2015001683A - High-flatness pellicle for lithography - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置又は液晶表示板を製造する際のリソグラフィ用マスクのゴミよけとして使用されるリソグラフィ用ペリクルに関する。 The present invention relates to a lithography pellicle used as a dust mask for a lithography mask when manufacturing a semiconductor device such as an LSI or a VLSI or a liquid crystal display panel.
ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体製造又は液晶表示板などの製造においては、半導体ウエハー又は液晶用原板に光を照射してパターン作製するが、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。なお、本発明において、「露光原版」とは、リソグラフィ用マスク及びレチクルの総称である。 In the manufacture of semiconductors such as LSI and VLSI or the manufacture of liquid crystal display panels, patterns are produced by irradiating a semiconductor wafer or liquid crystal master plate with light, and if dust adheres to the exposure master used in this case, Because this dust absorbs light or bends it, the transferred pattern may be deformed, the edges may be rough, and the ground may become black, resulting in damage to dimensions, quality, appearance, etc. There was a problem of being. In the present invention, the “exposure master” is a general term for a lithography mask and a reticle.
これらの作業は、通常クリーンルームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクルを貼着する方法が取られている。この場合、ゴミは、露光原版の表面上には直接付着せず、ペリクル膜上に付着するために、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル膜上のゴミは転写に無関係となる。 These operations are normally performed in a clean room, but it is difficult to always keep the exposure original plate clean even in this clean room. Therefore, a pellicle that allows exposure light for dust prevention to pass through the surface of the exposure original plate well. The method of sticking is taken. In this case, dust does not directly adhere to the surface of the exposure original plate, but adheres to the pellicle film. Therefore, if the focus is set on the pattern of the exposure original plate during lithography, the dust on the pellicle film is transferred. It becomes irrelevant.
そして、このようなペリクルの基本的な構成は、ペリクルフレーム及びこれに張設されてペリクル膜からなる。このペリクル膜は、露光に用いる光（ｇ線、ｉ線、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ等）をよく透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなり、ペリクルフレームは、黒色アルマイト処理等を施したＡ７０７５、Ａ６０６１、Ａ５０５２などのアルミニウム合金、ステンレス、ポリエチレンなどからなる。 The basic structure of such a pellicle includes a pellicle frame and a pellicle film stretched on the pellicle frame. This pellicle film is made of nitrocellulose, cellulose acetate, a fluorine-based polymer or the like that well transmits light used for exposure (g-line, i-line, 248 nm, 193 nm, etc.). , A6061, A5052, etc., stainless steel, polyethylene, etc.
また、ペリクルフレームの上部には、ペリクル膜の良溶媒が塗布され、ペリクル膜を風乾して接着されるか、又は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂やフッ素樹脂などの接着剤で接着される。さらに、ペリクルフレームの下部には、露光原版を装着するために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂等からなる粘着層及び粘着層の保護を目的としたレチクル粘着剤保護用ライナーが設けられる。 Further, a good solvent for the pellicle film is applied to the upper part of the pellicle frame, and the pellicle film is air-dried or bonded, or is bonded with an adhesive such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a fluorine resin. Further, an adhesive layer made of polybutene resin, polyvinyl acetate resin, acrylic resin, silicone resin, or the like for mounting the exposure original plate on the lower part of the pellicle frame, and a reticle adhesive protective liner for protecting the adhesive layer Is provided.
このように構成されたペリクルは、露光原版の表面に形成されたパターン領域を囲むように設置され、露光原版上にゴミが付着するのを防止するために設けられるから、このパターン領域とペリクル外部とはペリクル外部の塵埃がパターン面に付着しないように隔離されている。 The pellicle configured in this way is installed so as to surround the pattern area formed on the surface of the exposure original plate, and is provided to prevent dust from adhering to the exposure original plate. Is isolated so that dust outside the pellicle does not adhere to the pattern surface.
ところで、近年、ＬＳＩのデザインルールは、サブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴い、露光光源の短波長化が進んでいる、即ち、これまで主流であったＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）液浸露光などに移行しつつある。 By the way, in recent years, the LSI design rule has been miniaturized to sub-quarter microns, and accordingly, the wavelength of the exposure light source has been shortened, that is, the KrF excimer laser (248 nm), which has been the mainstream until now. To ArF excimer laser (193 nm), ArF excimer laser (193 nm) immersion exposure, and the like.
このように、露光の短波長化が進んで露光解像度が高くなると、これまで問題とならなかったパターンの歪みや変形までもが歩留まりに影響を及ぼすことが懸念されている。このパターンの歪みや変形は、露光原版自体の歪みや変形に拠るところが大きく、その不具合の主な原因として、ペリクル貼り付け時に伴う歪み変形が挙げられており、ペリクル自体の変形や歪みが露光原版に悪影響を与えることが分かっている。 As described above, when the exposure wavelength is shortened and the exposure resolution is increased, there is a concern that the distortion and deformation of the pattern, which has not been a problem until now, affect the yield. The distortion and deformation of this pattern largely depends on the distortion and deformation of the exposure original plate itself, and the main cause of the defect is distortion deformation accompanying the pellicle attachment, and the deformation and distortion of the pellicle itself is caused by the exposure original plate. Has been shown to adversely affect
そこで、露光原版に与える影響を少なくする試みがなされており、特許文献１には、ペリクルの接着剤層の表面の平坦度を１０μｍ以下とするリソグラフィ用ペリクルが記載され、また、特許文献２にも、ペリクルの粘着層の表面の平坦度を１５μｍ以下とするリソグラフィ用ペリクルが記載されている。しかし、このようなペリクルの接着剤層などの平坦度を管理しても、その効果の安定性が十分でないという問題がある。 Therefore, attempts have been made to reduce the influence on the exposure original plate. Patent Document 1 describes a lithography pellicle in which the flatness of the surface of the adhesive layer of the pellicle is 10 μm or less. In addition, a pellicle for lithography is described in which the flatness of the surface of the adhesive layer of the pellicle is 15 μm or less. However, there is a problem that even if the flatness of such an adhesive layer of the pellicle is managed, the stability of the effect is not sufficient.
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、露光原版の変形や歪みを安定して低減することができる平坦度の高いリソグラフィ用ペリクルを提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a lithography pellicle with high flatness that can stably reduce deformation and distortion of an exposure original plate.
従来から、矩形のペリクルフレーム（以下、単に「フレーム」ともいう。）の平坦度を管理して平坦度の高いリソグラフィペリクル（以下、単に「高平坦ペリクル」ともいう。）が製造されているが、本発明者らは、矩形のペリクルフレームの剛性等を考慮して実験を繰り返した結果、同じ程度の平坦度に管理したペリクルフレームのペリクルを作成し、これにマスクを貼り付けても、マスクに与える歪みの影響が異なることを見出した。 Conventionally, a lithography pellicle with high flatness (hereinafter also simply referred to as “high flat pellicle”) is manufactured by managing the flatness of a rectangular pellicle frame (hereinafter also simply referred to as “frame”). As a result of repeating the experiment in consideration of the rigidity of the rectangular pellicle frame, the present inventors created a pellicle of a pellicle frame managed with the same degree of flatness, and pasted the mask on the mask. It was found that the effect of distortion on the difference was different.
そして、本発明者らは、さらにその原因について考察を行ったところ、ペリクルフレームのコーナー部分の歪みがフレームの辺部分の歪みと比較して、マスクに与える歪みの影響が軽微であること、また、矩形のペリクルフレームの平坦度が同じ値であっても、4つの辺の直線部の平坦度の値が小さければ、ペリクル貼り付け時のマスクの歪みが小さくなることを知見し、本発明に至ったものである。 Then, the present inventors further examined the cause, and the distortion of the corner portion of the pellicle frame is less affected by the distortion on the mask than the distortion of the side portion of the frame. Even if the flatness of the rectangular pellicle frame is the same value, if the flatness values of the straight portions of the four sides are small, it is found that the distortion of the mask when the pellicle is affixed is reduced. It has come.
すなわち、本発明のリソグラフィ用ペリクルは、矩形のペリクルフレームの平坦度が15μｍ以下に、ペリクルフレーム直線部の平坦度が10μｍ以下に、それぞれ加工されていることを特徴とするものであり、好ましくは、矩形のペリクルフレームの平坦度は、5〜15μｍであり、ペリクルフレーム直線部の平坦度は、3〜10μｍである。 That is, the pellicle for lithography according to the present invention is characterized in that the flatness of the rectangular pellicle frame is processed to 15 μm or less, and the flatness of the pellicle frame linear portion is processed to 10 μm or less, preferably The flatness of the rectangular pellicle frame is 5 to 15 μm, and the flatness of the pellicle frame straight line portion is 3 to 10 μm.
本発明によれば、ペリクルフレームの平坦度とペリクルフレーム直線部の平坦度を管理することで、ペリクル貼り付け時のマスクの歪みを小さく抑えることができる高平坦リソグラフィ用ペリクルを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a pellicle for high flat lithography that can suppress mask distortion at the time of attaching a pellicle to a small size by managing the flatness of the pellicle frame and the flatness of the pellicle frame linear portion. .
以下、本発明の一実施形態について具体的に説明するが、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。本発明のリソグラフィ用ペリクルは、矩形のペリクルフレームを２つの異なる規定によって定める平坦度によって管理することを特徴とするものである。
ここで、本発明のフレーム形状の平坦度とは、図１に示すように、実際のフレーム形状１から仮想平面２を求め、この仮想平面２からの乖離を測定してその範囲のフレーム平坦度と定義するものである。そして、本発明の１つ目の規定のフレーム平坦度とは、フレームの全ての範囲で求めるものであり、また、２つ目の規定のフレーム直線部の平坦度とは、それぞれの直線部の範囲だけで求めるものである。
Hereinafter, although one embodiment of the present invention is described concretely, the present invention is not limited to this embodiment. The pellicle for lithography of the present invention is characterized in that a rectangular pellicle frame is managed by flatness determined by two different rules.
Here, the flatness of the frame shape of the present invention means that, as shown in FIG. 1, the virtual plane 2 is obtained from the actual frame shape 1, the deviation from the virtual plane 2 is measured, and the frame flatness in that range is obtained. Is defined as The first specified frame flatness of the present invention is obtained over the entire range of the frame, and the second specified frame straight line flatness is the flatness of each straight line portion. It is determined only by the range.
すなわち、１つ目の規定の平坦度とは、矩形のペリクルフレームについて規定する平坦度であり、矩形フレームの4つのコーナー部と4つの辺の中央部からなる8カ所の測定部からペリクルフレームの平均仮想平面を作成し、それぞれ8カ所の測定部が仮想平面からどの程度乖離しているかを測定して求めるペリクルフレームの平坦度である。 In other words, the first specified flatness is the flatness specified for a rectangular pellicle frame, and the pellicle frame is measured from eight measuring parts consisting of four corners and four sides of the rectangular frame. This is the flatness of the pellicle frame obtained by creating an average virtual plane and measuring how far each of the eight measurement units deviates from the virtual plane.
また、２つ目の規定の平坦度とは、ペリクルフレーム直線部について規定する平坦度であり、矩形のペリクルフレームのコーナー部分を除いた4つの辺に着目して、それぞれ4つの辺ごとにほぼ均等間隔に測定カ所を最低5個以上設けて、高さ方向の歪みを測定し、辺ごとの仮想直線を作成する。そして、辺ごとのそれぞれの測定カ所がこの仮想直線からどの程度乖離しているかを測定して求めるペリクルフレーム直線部の平坦度である。そして、この際に、4つの辺のフレーム直線部の平坦度で最も値の大きなものをそのペリクルフレーム直線部の平坦度と定義するものである。 The second specified flatness is the flatness specified for the straight part of the pellicle frame. Focusing on the four sides excluding the corners of the rectangular pellicle frame, each of the four sides is almost the same. Establish at least five measurement points at equal intervals, measure distortion in the height direction, and create virtual straight lines for each side. Then, the flatness of the pellicle frame straight line portion is obtained by measuring how far each measurement point for each side is deviated from the virtual straight line. At this time, the flatness of the straight part of the frame on the four sides is defined as the flatness of the straight part of the pellicle frame.
本発明では、このような2つの規定の平坦度を併せて管理することで、ペリクルをマスクに貼り付けた時のマスクの歪みを安定的に小さい値に低減させることができる。特に、ペリクルフレーム直線部の平坦度を管理することで、ペリクル貼り付け時のマスクの歪みに対する効果を安定的かつ飛躍的に高めることができる。 In the present invention, by managing the two specified flatnesses together, the distortion of the mask when the pellicle is attached to the mask can be stably reduced to a small value. In particular, by managing the flatness of the pellicle frame straight line portion, it is possible to stably and dramatically increase the effect on the mask distortion when the pellicle is attached.
本発明のリソグラフィ用ペリクルでは、矩形のペリクルフレームの平坦度を15μｍ以下に、また、ペリクルフレーム直線部の平坦度を10μｍ以下にそれぞれ加工して、その平坦度を高くしているが、好ましくは、矩形のペリクルフレームの平坦度を5〜1５μｍに、ペリクルフレーム直線部の平坦度を3〜10μｍにするのがよい。それぞれの下限値を5μｍ、3μｍに設定したのは、ペリクルフレーム量産加工時の精度の限界によるもので、これより小さい値に平坦度を高めても、加工負担が増えるだけで十分なフレームを確保することも厳しく、費用対効果が望めないからである。 In the lithography pellicle of the present invention, the flatness of the rectangular pellicle frame is processed to be 15 μm or less, and the flatness of the linear part of the pellicle frame is processed to 10 μm or less to increase the flatness. The flatness of the rectangular pellicle frame is preferably 5 to 15 μm, and the flatness of the pellicle frame linear part is preferably 3 to 10 μm. The reason why each lower limit is set to 5μm and 3μm is due to the limit of accuracy during mass production processing of the pellicle frame. Even if the flatness is increased to a value smaller than this, a sufficient frame is ensured only by increasing the processing load. This is because it is difficult to achieve cost effectiveness.
以上のように、本発明では、ペリクルフレームの平坦度を２つの異なる規定によって上記のように管理するので、ペリクル貼り付け前・後のマスク基板の歪み差（ｎｍ）を20〜40ｎｍの範囲内に抑えることができる。 As described above, in the present invention, since the flatness of the pellicle frame is managed as described above according to two different regulations, the distortion difference (nm) of the mask substrate before and after the pellicle attachment is within a range of 20 to 40 nm. Can be suppressed.
本発明のペリクルフレーム平坦度を求める場合は、フレーム端面を測定する必要があるが、この測定は、レーザー測定器を用いて実施することができる。例えば、対象のペリクルフレームを6025（6インチ□の大きさの厚さ0.25インチ）のマスク基板の上に設置して、任意のフレーム端面の高さを測定することができる。 When obtaining the pellicle frame flatness of the present invention, it is necessary to measure the frame end face, and this measurement can be performed using a laser measuring instrument. For example, a target pellicle frame can be placed on a 6025 (6 inch square size, 0.25 inch thick) mask substrate, and the height of any frame end face can be measured.
また、本発明では、高平坦フレームを用いて作成されたペリクルをマスク基板に貼り付けた後にマスク基板の歪みを測定して、その効果を評価する必要があるが、その評価は、先ず、貼り付けに使用するマスク基板の平坦度をTropel社のFlatMasterで測定し、次に、準備した高平坦ペリクルをこのマスク基板に貼り付けて、貼り付け前と貼り付け後のマスク歪みの差を測定して実施することができる。 Further, in the present invention, it is necessary to measure the distortion of the mask substrate after the pellicle formed using the high flat frame is attached to the mask substrate, and evaluate the effect. The flatness of the mask substrate used for attachment is measured with Tropel's FlatMaster, then the prepared high flat pellicle is attached to this mask substrate, and the difference in mask distortion before and after attachment is measured. Can be implemented.
次に、本発明の実施例について具体的に説明するが、実施例及び比較例のマスクは、「露光原版」の例であり、レチクルについても同様に適用できることはいうまでもない。 Next, examples of the present invention will be described in detail. Needless to say, the masks of the examples and comparative examples are examples of “exposure original plates” and can be applied to reticles as well.
〈実施例１〉
実施例１では、ペリクルフレームとして、フレーム外寸１４９ｍｍ×１１５ｍｍ×３．１５ｍｍで、フレーム厚さが２ｍｍであり、その4つのコーナー部分の形状が外Ｒ５、内Ｒ３の形状に黒色アルマイトを施したフレームを用意した。このフレームのフレーム平坦度が14μｍであり、フレーム直線部の平坦度が10μｍのフレームを用いて、高平坦ペリクルを作成した。
<Example 1>
In Example 1, as a pellicle frame, the outer dimensions of the frame are 149 mm × 115 mm × 3.15 mm, the frame thickness is 2 mm, and the shape of the four corner portions is the outer R5 and the inner R3 with black anodized. A frame was prepared. A highly flat pellicle was prepared using a frame having a frame flatness of 14 μm and a flatness of the straight portion of the frame of 10 μm.
次に、準備したマスクの平坦度をTropel社のFlatMasterで測定したところ、マスクの平坦度は305ｎｍであり、このマスク基板に上記のペリクルを５ｋｇ30秒の条件で貼り付けて再びマスク平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、36ｎｍであった。
った。
Next, when the flatness of the prepared mask was measured with Tropel's FlatMaster, the flatness of the mask was 305 nm. The above-mentioned pellicle was affixed to this mask substrate under the conditions of 5 kg 30 seconds and the mask flatness was measured again. As a result, the difference in distortion of the mask substrate before and after bonding was 36 nm.
It was.
〈実施例２〉
実施例１と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線部の平坦度を測定したところ、それぞれ14μｍと8μｍであった。また、準備した平坦度296ｎｍのマスク基板に実施例１と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、32ｎｍであった。
<Example 2>
A frame having the same shape as in Example 1 was prepared, and the flatness of the frame and the flatness of the straight portion of the frame were measured, and were 14 μm and 8 μm, respectively. Further, when the pellicle was attached to the prepared mask substrate of 296 nm in the same manner as in Example 1 at 5 kg for 30 seconds and the flatness of the mask substrate was measured again, the distortion difference between the mask substrate before and after attachment was 32 nm. there were.
〈実施例３〉
実施例１、２と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ15μｍと5μｍであった。また、準備した平坦度301ｎｍのマスク基板に実施例１、２と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、平坦度は37μｍであり、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、29ｎｍであった。
<Example 3>
Frames having the same shape as those in Examples 1 and 2 were prepared, and the frame flatness and the frame linear flatness were measured. As a result, they were 15 μm and 5 μm, respectively. Further, when the pellicle was attached to the prepared mask substrate with a thickness of 301 nm at 5 kg 30 seconds and the flatness of the mask substrate was measured again in the same manner as in Examples 1 and 2, the flatness was 37 μm. The difference in strain of the mask substrate was 29 nm.
〈実施例４〉
実施例１−３と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ10μｍと10μｍであった。また、準備した平坦度311ｎｍのマスク基板に実施例１−３と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、37ｎｍであった。
<Example 4>
A frame having the same shape as that of Example 1-3 was prepared, and the frame flatness and the frame linear flatness were measured and found to be 10 μm and 10 μm, respectively. Further, when the pellicle was attached to the prepared mask substrate with a flatness of 311 nm at 5 kg 30 seconds and the flatness of the mask substrate was measured again in the same manner as in Example 1-3, the distortion difference between the mask substrate before and after attachment was It was 37 nm.
〈実施例５〉
実施例１−４と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ10μｍと5μｍであった。また、準備した平坦度303ｎｍのマスク基板に実施例１−４と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、27ｎｍであった。
<Example 5>
A frame having the same shape as that of Example 1-4 was prepared, and the frame flatness and the frame linear flatness were measured and found to be 10 μm and 5 μm, respectively. Further, as in Example 1-4, the pellicle was attached to the prepared mask substrate with a flatness of 303 nm at 5 kg for 30 seconds, and the flatness of the mask substrate was measured again. It was 27 nm.
〈実施例６〉
実施例１−５と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ6μｍと3μｍであった。また、準備した平坦度299ｎｍのマスク基板に実施例１−５と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、24ｎｍであった。
<Example 6>
A frame having the same shape as that of Example 1-5 was prepared, and when the frame flatness and the frame linear flatness were measured, they were 6 μm and 3 μm, respectively. Further, as in Example 1-5, the pellicle was attached to the prepared mask substrate with a flatness of 299 nm at 5 kg for 30 seconds, and the flatness of the mask substrate was measured again. It was 24 nm.
〈比較例１〉
実施例１−６と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ14μｍと14μｍであった。また、準備した平坦度307ｎｍのマスク基板に実施例１−６と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、51ｎｍであった。
<Comparative example 1>
A frame having the same shape as that of Example 1-6 was prepared, and the frame flatness and the frame linear flatness were measured and found to be 14 μm and 14 μm, respectively. In addition, as in Example 1-6, the pellicle was attached to the prepared mask substrate with a flatness of 307 nm at 5 kg 30 seconds and the flatness of the mask substrate was measured again. It was 51 nm.
〈比較例２〉
実施例１−６と同じ形状のフレームを準備し、このフレーム平坦度とフレーム直線平坦度を測定したところ、それぞれ19μｍと12μｍであった。また、準備した平坦度305ｎｍのマスク基板に実施例１−６と同様に、５ｋｇ30秒でペリクルを貼り付けて再びマスク基板の平坦度を測定したところ、貼り付け前後のマスク基板の歪み差は、48ｎｍであった。
<Comparative example 2>
A frame having the same shape as that of Example 1-6 was prepared, and the frame flatness and the frame linear flatness were measured and found to be 19 μm and 12 μm, respectively. Further, as in Example 1-6, a pellicle was attached to the prepared mask substrate with a flatness of 305 nm at 5 kg for 30 seconds and the flatness of the mask substrate was measured again. It was 48 nm.
次の表１は、以上の結果をまとめて示したものである。
実施例１−６の結果から、ペリクルフレームの平坦度よりもペリクルフレーム直線部の平坦度の方が貼り付け時のマスク歪みに対する影響が大きいことが判明した。すなわち、実施例１と実施例２、実施例４と実施例５の結果を比較すると、ペリクルフレームの平坦度が同じ数値の場合に、ペリクルフレーム直線部の平坦度が小さい方が貼り付け前・後のマスク基板の歪み差（ｎｍ）が小さくなっている。一方、実施例１と実施例４の結果を比較すると、ペリクルフレーム直線部の平坦度が同じ数値の場合には、ペリクルフレームの平坦度が異なっていても貼り付け前・後のマスク基板の歪み差（ｎｍ）はほとんど差異がないことが分かった。この結果から、ペリクルフレーム直線部の平坦度の値を小さくすれば、ペリクル貼り付け時のマスクの歪みを小さく抑えることが可能であることが確認された。 From the results of Example 1-6, it has been found that the flatness of the pellicle frame linear portion has a greater influence on the mask distortion during the pasting than the flatness of the pellicle frame. That is, when the results of Example 1 and Example 2 and Example 4 and Example 5 are compared, when the flatness of the pellicle frame is the same value, the flatness of the pellicle frame linear portion is smaller before the attachment. The strain difference (nm) of the subsequent mask substrate is small. On the other hand, when the results of Example 1 and Example 4 are compared, when the flatness of the pellicle frame straight line part is the same, even if the flatness of the pellicle frame is different, the distortion of the mask substrate before and after attachment It was found that there was almost no difference in the difference (nm). From this result, it was confirmed that if the flatness value of the linear part of the pellicle frame is reduced, the distortion of the mask when the pellicle is attached can be reduced.
この理由としては、矩形のペリクルフレームの剛性を考慮した場合、コーナー部分は剛性が低く比較的容易に変形するために、この部分が多少歪んでいてもペリクル貼り付け時にマスクにかける応力は小さくなる。これに対して、フレーム直線部が歪んでいた場合に、その形状変化を平坦性良く変形しようとすると、コーナー部分の修正と比較して非常に大きな力が必要になるために、フレーム直線部の平坦度の悪いフレームで製造したペリクルをマスクに貼り付けた時に、フレーム直線部の歪んだ部分がマスクに与える応力は非常に大きなものとなって、マスク歪みに対して非常に大きな影響を与えてしまうからと考えられる。 The reason for this is that when the rigidity of the rectangular pellicle frame is taken into account, the corner portion has a low rigidity and can be deformed relatively easily. Therefore, even if this portion is slightly distorted, the stress applied to the mask when the pellicle is attached is small. . On the other hand, if the straight line part of the frame is distorted, trying to deform the shape change with good flatness requires a very large force compared to the correction of the corner part. When a pellicle manufactured with a frame with poor flatness is affixed to the mask, the stress applied to the mask by the distorted part of the straight part of the frame becomes very large, which has a great influence on the mask distortion. It is thought that it will end.
したがって、ペリクルフレームの平坦度に加えて、特にペリクルフレーム直線部の平坦度を管理することで、ペリクル貼り付け時にマスクを歪ませることのない高平坦リソグラフィ用ペリクルを得ることが可能になる。 Therefore, in addition to the flatness of the pellicle frame, in particular, by managing the flatness of the pellicle frame linear portion, it is possible to obtain a highly flat lithography pellicle that does not distort the mask when the pellicle is attached.
１ フレーム形状
２ 仮想平面
1 Frame shape 2 Virtual plane
Claims (3)
3. The pellicle for lithography according to claim 1, wherein the pellicle frame linear portion has a flatness of 3 to 10 μm.
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