JP2015000222A - パチンコ遊技機の磁石検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 パチンコ遊技機において不正使用される磁石を精度よく検出する。
【解決手段】 パチンコ遊技機内に、フロントカバーと垂直な平面内に所定距離を隔てて磁気検出器２３，２４を設ける。磁気検出器２３は、フロントカバーに直交する第１方向の磁界強さＨx1と、フロントカバー１１に平行な第２方向の磁界強さＨy1とを検出する。磁気検出器２４は、前記第１方向の磁界強さＨx2と、前記第２方向の磁界強さＨy2を検出する。コンピュータ装置２５は、前記磁界の強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy2を用いて、磁力発生源の位置を計算する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、パチンコ遊技機において不正に使用される磁石を検出するパチンコ遊技機の磁石検出装置に関する。

従来から、パチンコ遊技機においては、不正に使用される磁石を検出するために、パチンコ遊技機内に磁気検出装置を組み込むことが行われていた。この磁気検出装置は、例えば下記特許文献１，２に示されているように、パチンコ遊技機に内蔵されたソレノイド、ステッピングモータなどの駆動によって生じる磁場と、不正に使用される磁石によるパチンコ遊技機の外部からの磁場を識別するために、ガラス製のフロントカバーの面に直交する一直線上において、同一方向の磁界の変化に対して出力値を変化させる２つの磁気センサを位置をずらして配置するようにしている。

特開２０１１−２１７９５１号公報 特開２０１２−３４８３５号公報

しかしながら、同一方向の磁界の変化に対して出力値を変化させる２つの磁気センサでは、湾曲している磁石からの磁力線は磁石の向きにより大きく出力値が異なる。また、磁石の近傍にソレノイド、ステッピングモータなどの磁力発生源が存在する場合には、磁気センサと磁石との物理的な距離が離れても、必ずしても磁力が弱くなるとは限らない。したがって、上記従来の装置では、不正使用される磁石を精度よく検出することは困難であると同時に、パチンコ遊技機に内蔵されているソレノイド、ステッピングモータなどの磁力発生源を誤検出してしまうこともある。

本発明は上記問題に対処するためになされたもので、その目的は、不正使用される磁石を精度よく検出することが可能なパチンコ遊技機の磁石検出装置を提供することにある。なお、下記本発明の各構成要件の記載においては、本発明の理解を容易にするために、実施形態の対応箇所の符号を括弧内に記載しているが、本発明の各構成要件は、実施形態の符号によって示された対応箇所の構成に限定解釈されるべきものではない。

上記目的を達成するために、本発明の特徴は、パチンコ遊技機において不正使用される磁石（ＭＧ）を検出するためのパチンコ遊技機の磁石検出装置であって、パチンコ遊技機内の第１位置に配置され、第１位置におけるパチンコ遊技機のフロントカバー（１１）に直交する第１方向の磁界強さ（Ｈx1，Ｈx1’）を検出する第１磁気センサ（２３−３３，３３ａ，３３ｂ，３４，３４ａ，３４ｂ）と、第１位置に配置され、第１位置におけるフロントカバーに平行な第２方向の磁界強さ（Ｈy1，Ｈy1’）を検出する第２磁気センサ（２３−３５，３５ａ，３５ｂ，３６，３６ａ，３６ｂ）と、パチンコ遊技機内であって第１位置を含みフロントカバーに垂直な平面内であって第１位置から所定距離だけ隔てた第２位置に配置され、第２位置における第１方向の磁界強さ（Ｈx2，Ｈx2’）を検出する第３磁気センサ（２４−３３，３３ａ，３３ｂ，３４，３４ａ，３４ｂ）と、第２位置に配置され、第２位置における第２方向の磁界強さ（Ｈy2，Ｈy2’）を検出する第４磁気センサ（２４−３５，３５ａ，３５ｂ，３６，３６ａ，３６ｂ）と、第１磁気センサ、第２磁気センサ、第３磁気センサ及び第４磁気センサによってそれぞれ検出された磁界強さを用いて、磁力発生源の位置を計算する計算手段（２５，Ｓ１６，Ｓ１６’，Ｓ１８，Ｓ２２，Ｓ３６，Ｓ３８，Ｓ４８）とを備えたことにある。

この場合、第１位置及び第２位置は、例えばフロントカバーに直交する一つの直線上にあるとよい。また、第１位置及び第２位置は、フロントカバーに平行な一つの直線上にあってもよい。

上記のように構成した本発明においては、第１磁気センサ及び第２磁気センサはフロントカバーに垂直な平面内の第１位置に配置され、第３磁気センサ及び第４磁気センサは前記平面内であって第１位置とは離れた第２位置に配置される。そして、第１磁気センサ及び第３磁気センサはフロントカバーに直交する第１方向の磁界強さを検出し、第２磁気センサ及び第４磁気センサはフロントカバーに平行な第２方向の磁界強さを検出する。したがって、第１位置の前記平面内における磁界の方向及び磁界の強さ（すなわち、磁気ベクトル）が検出されるとともに、第２位置の前記平面内における磁界の方向及び磁界の強さ（すなわち、磁気ベクトル）が検出される。これにより、前記平面内における磁力発生源の位置が、第１乃至第４磁気センサによって検出される磁界の強さにより特定されることなり、計算手段が、第１乃至第４磁気センサによって検出される磁界の強さを用いて、前記特定される磁力発生源の位置を計算する。その結果、本発明によれば、前記平面内及び前記平面の近傍位置に存在する磁力発生源の位置がほぼ特定されるので、不正使用される磁石を精度よく検出することができるようになる。

また、第１位置及び第２位置がフロントカバーに直交する一つの直線上にある場合には、第２方向における第１及び第２位置が共通となり、計算手段による磁力発生源の位置の計算が簡単になる。また、第１位置及び第２位置がフロントカバーに平行な一つの直線上にある場合には、第１方向における第１及び第２位置が共通となり、この場合も、計算手段による磁力発生源の位置の計算が簡単になる。

また、本発明の他の特徴は、第１磁気センサ、第２磁気センサ、第３磁気センサ及び第４磁気センサは、一つのケース（２１）内に組み込まれていることにある。これによれば、第１乃至第４磁気センサをパチンコ遊技機に組付ける作業が簡単になる。

また、本発明の他の特徴は、計算手段はフロントカバーに直交する方向の位置を含む磁力発生源の位置を計算し、さらに、計算手段により計算されたフロントカバーに直交する方向の位置を用いて不正使用される磁石を判定する判定手段（２５，Ｓ２０，Ｓ５０）を設けたことにある。これによれば、磁石の不正使用が、フロントカバーに直交する方向の磁力発生源の位置に応じて判定されるので、磁石の不正使用が的確に判定されるようになる。

また、本発明の他の特徴は、さらに、第１磁気センサ、第２磁気センサ、第３磁気センサ及び第４磁気センサの近傍位置に配置され、前記近傍位置における第１方向と第２方向とに直交する第３方向の磁界強さ（Ｈz1，Ｈz1’，Ｈz2，Ｈz2’）を検出する少なくとも１つの第５磁気センサ（２３’，２４’）を設け、計算手段は、第１磁気センサ、第２磁気センサ、第３磁気センサ及び第４磁気センサによってそれぞれ検出された磁界強さに加え、第５磁気センサによって検出された磁界強さをも用いて、磁力発生源の位置を計算するようにしたことにある。これによれば、第１方向及び第2方向で構成される平面、すなわちフロントカバーの垂直な平面に直交する方向の磁界強さも検出されて、この磁界強さも磁力発生源の位置の計算に利用される。その結果、前記垂直な平面から多少離れた位置の磁力発生源の位置も特定できるようになり、不正使用の磁石を広範囲に渡って検出できるようになる。

また、本発明の他の特徴は、第１磁気センサ、第２磁気センサ、第３磁気センサ及び第４磁気センサからそれぞれなる複数組の磁気センサセット（２０）をパチンコ遊技機内の異なる位置にそれぞれ設けたことことにある。これによれば、パチンコ遊技機において、不正使用の磁石を広範囲に渡って検出できるようになる。

さらに、本発明の実施にあたっては、パチンコ遊技機において不正使用される磁石の検出方法の発明としても実施し得るものである。

本発明の第１実施形態に係るパチンコ遊技機の部分側断面図である。 図１の磁気検出器の内部を示す概略図である。 (ａ)は磁気検出器の概略斜視図であり、(ｂ)は磁気検出器内の異方性磁気抵抗効果素子の接続図であり、(ｃ)は磁気検出器によってＸ方向の外部磁界強さが検出されることを説明するための説明図であり、(ｄ)は磁気検出器によってＹ方向の外部磁界強さが検出されることを説明するための説明図であり、(ｅ)は磁気検出器を構成する異方性磁気抵抗効果素子の特性図である。 第１実施形態に係る磁気検出器、コンピュータ装置などの電気回路図である。 図４のコンピュータ装置によって実行されるプログラムを示すフローチャートである。 第１実施形態に係り、不正使用される磁石の位置の検出動作を説明するための説明図である。 (ａ)は前記第１実施形態の第２変形例に係る磁気検出器の概略斜視図であり、(ｂ)は磁気検出器内の異方性磁気抵抗効果素子の接続図である。 前記第１実施形態の第２変形例に係る電気回路図である。 前記第1実施形態において、不正に使用される磁石の掲出範囲を示す図である。 前記第１実施形態の第３変形例におけるコンピュータ装置によって実行されるプログラムを示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る磁気検出器、コンピュータ装置などの電気回路図である。 図１１のコンピュータ装置によって実行されるプログラムを示すフローチャートである。 第２実施形態に係り、不正使用される磁石の位置の検出動作を説明するための説明図である。 (ａ)(ｂ)は、Ｙ方向において磁石が２つの磁気検出器間にある場合に、不正使用される磁石の位置の検出動作を説明するための説明図である。 (ａ)(ｂ)は、Ｙ方向において磁石が２つの磁気検出器の外側にある場合に、不正使用される磁石の位置の検出動作を説明するための説明図である。

ａ．第１実施形態
本発明の第１実施形態について図面を用いて説明すると、図１は、本発明の第１実施形態に係るパチンコ遊技機の部分側断面図である。パチンコ遊技機は、前面をガラス製のフロントカバー１１で覆われた樹脂製の遊技盤１２を備えている。本明細書においては、フロントカバー１１の前面によって形成される平面に直交する方向をＸ方向とし、前記平面内における上下方向をＹ方向とし、かつ前記平面内における左右方向をＺ方向とする。これらのＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する。遊技盤１２には、複数の釘１３が埋め込まれている。遊技盤１２の複数箇所にはＸ方向に延設された貫通孔１２ａがそれぞれ形成され、複数の貫通孔１２ａ内には磁気検出装置２０がそれぞれ挿入されている。遊技盤１２の後面には樹脂製のべースプレート１４が組付けられ、複数の磁気検出装置２０はべースプレート１４によって遊技盤１２にそれぞれ固定されている。

磁気検出装置２０は、図２に示すように、内部に空間を形成した直方体状の基部２１ａ及び前記基部２１ａの側面から突出された前記空間と連通する空間を形成した長尺状かつ直方体状の突出部２１ｂからなるケース２１を有する。そして、ケース２１の突出部２１ｂがＸ方向に延設されている。ケース２１内にはプリント基板２２が組み込まれており、プリント基板２２上には、磁気検出器２３，２４、コンピュータ装置２５及びコネクタ２６に加えて、図示省略した各種電気回路素子及び接続線が配置されている。

磁気検出器２３，２４は、Ｘ方向及びＹ方向の磁界強さを検出するもので、Ｙ方向位置及びＺ方向位置をそれぞれ同じにし、Ｘ方向において所定距離（例えば、１０数ミリメートル〜数１０ミリメートル）だけ離間されている。磁気検出器２３，２４は同じで構成であり、図３(ａ)に示すように、それぞれ、永久磁石からなるバイアス磁石３１と、Ｓｉ、ガラスなどで構成された平板状の基板３２と、基板３２上にスパッタリングなどにより形成されて、Ｎｉ，Ｆｅ等の強磁性金属を主成分とする合金の薄膜からなる異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６とからなるＡＭＲセンサである。バイアス磁石３１は、円柱状に薄く形成され、Ｎ極及びＳ極が軸線方向になるように磁化されて、軸線方向がＺ方向になるように配置されている。基板３２は、その中心Ｏがバイアス磁石３１の磁極面の中心と一致するように、バイアス磁石３１に対向して配置され、すなわちＸ−Ｙ平面内に配置されている。

異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６は、基板３２の中心ＯからＹ方向及びＸ方向に同一距離の位置にそれぞれ配置されている。また、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６は、それらの長尺状部分を平行に折り返して延伸させている。異方性磁気抵抗効果素子３３の長尺状部分の延伸方向はＸ方向（Ｙ方向）に対して４５度（１３５度）だけ傾いた方向であり、異方性磁気抵抗効果素子３４の長尺状部分の延伸方向は異方性磁気抵抗効果素子３３の長尺状部分の延伸方向と直交する方向、すなわちＸ方向（Ｙ方向）に対して１３５度（４５度）だけ傾いた方向である。異方性磁気抵抗効果素子３５の長尺状部分の延伸方向はＸ方向（Ｙ方向）に対して１３５度（４５度）だけ傾いた方向（異方性磁気抵抗効果素子３４の長尺状部分の延伸方向と同じ方向）であり、異方性磁気抵抗効果素子３６の長尺状部分の延伸方向は異方性磁気抵抗効果素子３５の長尺状部分の延伸方向と直交する方向、すなわちＸ方向（Ｙ方向）に対して４５度（１３５度）だけ傾いた方向（異方性磁気抵抗効果素子３３の長尺状部分の延伸方向と同じ方向）である。

このように構成した磁気検出器２３，２４は、プリント基板２２上に設けた配線により、ハーフブリッジ接続されている。具体的には、図３(ｂ)に示すように、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４が直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の接続点から出力電圧outＡが取出される。また、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６も直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の接続点から出力電圧outＢが取出される。

ここで、出力電圧outＡがＸ方向の外部磁界強さＨｘを表し、出力電圧outＢがＹ方向の外部磁界強さＨｙを表すことを、図３(ｃ)(ｄ)を用いて説明しておく。図３(ｃ)(ｄ)においては、Ｘ−Ｙ平面内における外部磁界Ｈout、そのＸ方向成分Ｈoutx及びＹ方向成分Ｈouty、並びにバイアス磁石３１による異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６に対するバイアス磁界Ｈｂを、それぞれベクトル表示で表している。なお、基板３２に対向するバイアス磁石３１の磁極はＮ極であるものとする。この場合、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６の位置におけるバイアス磁界Ｈｂの強さは全て同じであり、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の位置におけるバイアス磁界Ｈｂの方向はそれぞれＸ方向であって中心Ｏに対して外側方向であり、かつ異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の位置におけるバイアス磁界Ｈｂの方向はそれぞれＹ方向であって中心Ｏに対して外側方向である。

まず、外部磁界ＨoutのＸ方向成Ｈoutxの検出について、図３(ｃ)を用いて説明する。異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の位置におけるバイアス磁界Ｈｂ，Ｈｂは、図示のように、Ｘ軸方向において中心Ｏから右方向及び左方向にそれぞれ向き、それらの大きさは同じである。この場合、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂとの合成磁界Ｈ33y，Ｈ34yの方向は、右上位置及び左上位置に図示するように、Ｙ軸方向に対して対称であり、かつそれらの大きさは同じである。また、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の長尺状部の延設方向も、Ｙ軸方向に対して対称である。したがって、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の長尺状部分に直交する方向の合成磁界Ｈ33y，Ｈ34yの大きさは共に同じになる。これにより、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyによってもたらされる異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の抵抗値の変化は同じであって相殺されるので、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyは出力電圧outＡには影響しない。

一方、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxとバイアス外部磁界Ｈoutとの合成磁界Ｈ33x，Ｈ34xの方向は、右下位置及び左下位置に図示するように、共にＸ軸方向である。そして、図示のように、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxが右方向を向いていれば、異方性磁気抵抗効果素子３３の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ33xは、Ｘ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂとを加算したものとなる。また、異方性磁気抵抗効果素子３４の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ34xは、バイアス磁界ＨｂからＸ方向成分Ｈoutxを減算したものとなる。前記とは逆に、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxが左方向を向いていれば、異方性磁気抵抗効果素子３３の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ33xは、バイアス磁界ＨｂからＸ方向成分Ｈoutxを減算したものとなる。また、異方性磁気抵抗効果素子３４の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ34xは、Ｘ方向成分Ｈoutxとバイアス磁界Ｈｂとを加算したものとなる。そして、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の長尺状部の延設方向は、Ｙ軸方向に対して対称である。したがって、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の長尺状部分に直交する方向の合成磁界Ｈ33x，Ｈ34xの大きさには、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxの大きさに応じた差が生じる。これにより、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４の抵抗値は外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxの大きさに応じて変化し、出力電圧outＡは外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxに応じて変化する。その結果、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４からなるハーフブリッジ回路の出力電圧outＡはＸ−Ｙ平面内におけるＸ方向の外部磁界強さＨoutxを表すことになり、異方性磁気抵抗効果素子３３，３４はＸ方向の磁界強さHoutxを検出する磁気センサとして機能する。

次に、外部磁界ＨoutのＹ方向成Ｈoutyの検出について、図３(ｄ)を用いて説明する。異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の位置におけるバイアス磁界Ｈｂ，Ｈｂは、図示のように、Ｙ軸方向において中心Ｏから上方向及び下方向にそれぞれ向き、それらの大きさは同じである。この場合、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の位置における外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂとの合成磁界Ｈ35x，Ｈ36xの方向は、左上位置及び左下位置に図示するように、Ｘ軸方向に対して対称であり、かつそれらの大きさは同じである。また、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の長尺状部の延設方向も、Ｘ軸方向に対して対称である。したがって、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の長尺状部分に直交する方向の合成磁界Ｈ35x，Ｈ36xの大きさは共に同じになる。これにより、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxによってもたらされる異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の抵抗値の変化は同じであって相殺されるので、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxは出力電圧outＢには影響しない。

一方、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス外部磁界Ｈoutとの合成磁界Ｈ35y，Ｈ36yの方向は、右上位置及び右下位置に図示するように、共にＹ軸方向である。そして、図示のように、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyが上方向を向いていれば、異方性磁気抵抗効果素子３５の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ35yは、Ｙ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂとを加算したものとなる。また、異方性磁気抵抗効果素子３６の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ36yは、バイアス磁界ＨｂからＹ方向成分Ｈoutyを減算したものとなる。前記とは逆に、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyが下方向を向いていれば、前記とは逆に、異方性磁気抵抗効果素子３５の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ35yは、バイアス磁界ＨｂからＹ方向成分Ｈoutyを減算したものとなる。また、異方性磁気抵抗効果素子３６の位置における外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂの合成磁界Ｈ36yは、Ｙ方向成分Ｈoutyとバイアス磁界Ｈｂとを加算したものとなる。そして、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の長尺状部の延設方向は、Ｘ軸方向に対して対称である。したがって、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の長尺状部分に直交する方向の合成磁界Ｈ35y，Ｈ36yの大きさには、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyの大きさに応じた差が生じる。これにより、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６の抵抗値は外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyの大きさに応じて変化し、出力電圧outＢは外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyに応じて変化する。その結果、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６からなるハーフブリッジ回路の出力電圧outＢは、Ｘ−Ｙ平面内におけるＹ方向の外部磁界強さＨoutyを表すことになり、異方性磁気抵抗効果素子３５，３６はＹ方向の磁界強さＨoutyを検出する磁気センサとして機能する。

次に、プリント基板２２上に配置された磁気検出器２３，２４、コンピュータ装置２５、コネクタ２６、各種電気回路素子などからなる電気回路について図４を用いて説明する。磁気検出器２３，２４は、Ａ／Ｄ変換器２７に接続され、磁気検出器２３，２４の各出力電圧outＡ，outＢはそれぞれＡ／Ｄ変換器２７に供給される。すなわち、磁気検出器２３によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さＨx1，Ｈy1及び磁気検出器２４によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さＨx2，Ｈy2が、それぞれＡ／Ｄ変換器２７に供給される。Ａ／Ｄ変換器２７は、これらの磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy2を表す出力電圧outＡ，outＢをそれぞれディジタル変換して、コンピュータ装置２５に供給する。

コンピュータ装置２５は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，その他のメモリ装置からなり、図５に示すプログラムを実行して、入力した磁界強さＨx1，Hy1，Ｈx2，Hy2を用いて不正に使用される磁石ＭＧを検出する。コンピュータ装置２５の出力は、コネクタ２６を介して警報器２８に接続されるとともに、パチンコ遊技機を管理する管理室に接続されている。警報器２８は、パチンコ遊技機内に設けられた警報表示器又は警報音発生器であり、コンピュータ装置２５によって不正使用の磁石ＭＧが発見されたとき、不正使用者に対して警告する。管理室には磁石ＭＧの不正使用を管理者に知らせる通知装置が設けられている。

上記のように構成した第１実施形態に係る磁石検出装置の動作を説明する前に、この第１実施形態における不正使用の磁石ＭＧの検出原理について説明しておく。図６は不正使用される磁石ＭＧの検出動作を説明するための説明図であり、Ｘ−Ｙ平面における磁気検出器２３，２４及び不正使用の磁石ＭＧの位置を示している。この場合、磁気検出器２３及び磁気検出器２４はフロントカバー１１の内側にてＸＹ座標位置（ｂ，０），（−ｂ，０）にそれぞれ位置し、磁石ＭＧはフロントカバー１１に近接した外部位置であるＸＹ座標位置（ｘ_m，ｙ_m）にあるものとする。なお、紙面に垂直方向であるＺ方向位置に関しては、全て同一であるものとする。

ここで、磁石ＭＧの磁気量をＭとするとともに、空気の透磁率をμとすれば、磁石ＭＧから距離ｒだけ離れた磁界強さＨは下記数１のように表される。

この場合、値４・π・μは定数であるので、前記数１の簡略化のために、値１／(４・π・μ)を値ａ（定数）とすると、前記数１は下記数２のように変形される。また、半径ｒは下記数３のように表される。

ここで、ある位置におけるＸ方向及びＹ方向の磁界強さをそれぞれＨｘ，Ｈｙとすれば、前記位置の磁界強さＨは下記数４のように表される。

ここで、磁気検出器２３によってそれぞれ検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さをＨx1，Ｈy1とするとともに、磁気検出器２４によってそれぞれ検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さをＨx2，Ｈy2とすれば、磁気検出器２３，２４の位置における磁界強さＨ１，Ｈ２は下記数５，６で表される。

また、磁気検出器２３，２４から磁石ＭＧまでの距離をそれぞれｒ１，ｒ２とすれば、前記数３より下記数７，８が成立する。

そして、前記数７，８より下記数９が成立し、下記数９を解くと、磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_mが下記数１０によって表される。

この場合、磁気検出器２３，２４の位置における磁界強さＨ１，Ｈ２は、前記数５，６のとおりであるので、磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_mが推定されることになる。

一方、磁気検出器２３，２４から磁石ＭＧまでの距離ｒ１，ｒ２は、前記数３からそれぞれ下記数１１，１２のように表される。

また、前記数１０〜１２を用いて、磁石ＭＧのＸ座標値ｘを距離ｒ１、ｒ２を用いて表しておくと、Ｘ座標値ｘ_mは下記数１３のように表される。

ここで、前記磁化量Ｍとは異なる磁化量Ｍ’の磁石ＭＧが不正使用された場合を想定する。この場合の磁気検出器２３，２４の位置における磁界強さＨ１，Ｈ２は、前記数２に基づき、下記数１４，１５となる。

この磁界強さＨ１，Ｈ２と磁気量Ｍ’を数１０に代入することにより、この場合の磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_m’は下記数１６のようになる。

この数１６によれば、磁化量Ｍ’が磁化量Ｍよりも大きいときには、磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_m’は前記Ｘ座標値ｘ_mよりも小さい値になる。すなわち、磁化量Ｍが予め決められた値に設定されているとき、磁化量Ｍよりも大きな磁化量Ｍ’の磁石ＭＧが不正使用されると、パチンコ遊技機の正面にてより近くの位置に磁石ＭＧが存在していることになる。この発明は、基本的にはフロントカバー１１の外側近くで磁石ＭＧが不正使用されることを防止するもので、前記数１６の演算結果はフロントカバー１１に近づく側で磁石ＭＧが不正使用されたことを意味するので、後述するプログラム処理における磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mの計算においては、磁石ＭＧの磁化量を適当な所定値に定めることにより、磁石ＭＧの不正使用を防止する点では適当である。

次に、前記のようにして計算される磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_m及び磁気検出器２３までの距離ｒ１を用いて磁石ＭＧの不正使用を防止する前記構成の第１実施形態の動作について、図５のプログラムに沿って説明する。コンピュータ装置２５は電源のオンにより作動を開始して図５のステップＳ１０にてプログラムの実行を開始する。このプログラムの実行開始後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ１２にて磁気検出器２３，２４からのＸ方向及びＹ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2をＡ／Ｄ変換器２７を介して所定時間（例えば、１ｍｓ）に渡って所定の短時間ごとに入力する。そして、ステップＳ１４にて、入力した各複数の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2の平均値をそれぞれ計算して、その後、各複数の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2の平均値を各種演算に利用する。なお、以降の演算処理においては、前記計算した平均値を磁気検出器２３，２４によって検出されたＸ方向及びＹ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2として表記する。

前記ステップＳ１４の処理後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ１６にて、Ｘ方向及びＹ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2を用いて前記数５，６に従って磁界強さＨ１，Ｈ２を計算する。次に、コンピュータ装置２５は、ステップＳ１８にて、前記計算した磁界強さＨ１，Ｈ２を用いて前記数１０に従って磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mを計算する。この場合、数１０中において、値ａは前述したように予め決められた固定値１／(４・π・μ)であり、値ｂはパチンコ遊技機内にて予め決められた中心位置Ｏから磁気検出器２３，２４までの予め決められた距離である。また、値Ｍも予め適当に決められた磁化量であり、例えば、不正使用される可能性が高い磁石ＭＧの磁化量よりも若干だけ小さな磁化量である。

前記ステップＳ１８の処理後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２０にて、前記計算したＸ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０よりも大きく、かつ所定距離Ｘ１よりも小さいか（Ｘ０＜ｘ_m＜Ｘ１）を判定する。この場合、所定距離Ｘ０は、パチンコ遊技機内のソレノイド、ステッピングモータなどの磁界発生源を誤検出しないようにするための予め決められたＸ方向の距離であり、図６のＸ−Ｙ座標の中心Ｏからフロントカバー１１までのＸ方向距離よりも若干短い距離である。また、所定距離Ｘ１は、磁石ＭＧの不正使用を検出するために予め決められたＸ方向の距離であり、前記中心Ｏから不正使用者が使用する磁石ＭＧがパチンコ遊技機に影響を及ぼす可能性のあるＸ方向の最大距離である。

Ｘ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０以下又は所定距離Ｘ１以上であれば、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２０にて「Ｎｏ」と判定して前述したステップＳ１２〜Ｓ２０からなる処理を繰返し実行する。一方、Ｘ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０よりも大きく、かつ所定距離Ｘ１よりも小さければ、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２０にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２２にて、前記計算した磁界強さＨ１を用いて前記数１１に従って磁気検出器２３から磁石ＭＧまでの距離ｒ１を計算する。この数１１においても、値ａ，Ｍは前述した磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mの計算に用いた値である。

前記ステップＳ２２の処理後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２４にて、前記計算した距離ｒ１が所定距離Ｒ１よりも小さいか（ｒ１＜Ｒ１）を判定する。この場合、所定距離Ｒ１は、磁石ＭＧの不正使用を検出するために磁気検出器２３から磁石ＭＧまでの予め決められた距離であり、磁気検出器２３から不正使用者が使用する磁石ＭＧがパチンコ遊技機に影響を及ぼす可能性のある最大距離である。

距離ｒ１が所定距離Ｒ１以上であれば、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２４にて「Ｎｏ」と判定して前述したステップＳ１２〜Ｓ２４からなる処理を繰返し実行する。一方、距離ｒ１が所定距離Ｒ１よりも小さければ、コンピュータ装置２５は、ステップＳ２４にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２６に進む。ステップＳ２６においては、警報器２８及び管理室に対して不正使用の磁石ＭＧを表す信号を出力する。警報器２８は、表示又は音により不正使用者に対して警告する。また、管理室内においては、管理室に設置されたコンピュータ装置を介して、磁石ＭＧの不正使用が管理者に知らされる。

なお、パチンコ遊技機の電気回路装置及び動作においては、１対の磁気検出器２３，２４からなる１つの磁気検出装置２０のみについて説明した。しかし、パチンコ遊技機内には、図１を用いて説明したように、１対の磁気検出器２３，２４をそれぞれ有する複数の磁気検出装置２０が設けられている。この場合、複数の磁気検出装置２０はそれぞれ同様に構成されるとともに、同様に動作するので、各磁気検出装置２０に対して前述した電気回路装置及び動作の説明が適用される。この場合、各磁気検出装置２０の電気回路装置及び動作は基本的には同じでもよいが、磁気検出装置２０が設けられているパチンコ遊技機内の位置に応じて、前述した図５のステップＳ２０，Ｓ２４の処理における所定距離Ｘ０，Ｘ１，Ｒ１を、パチンコ遊技機内のソレノイド、ステッピングモータなどの磁力発生源及びその他の部品の位置と、磁気検出装置２０との相対位置関係に応じて種々に変更するようにするとよい。

上記のように動作する第1実施形態に係るパチンコ遊技機においては、磁気検出器２３内の磁気センサ３３，３４が磁気検出器２３の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1を検出するとともに、磁気検出器２３内の磁気センサ３５，３６が磁気検出器２３の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy1を検出する。また、磁気検出器２３内の磁気センサ３３，３４が磁気検出器２４の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx2を検出するとともに、磁気検出器２４内の磁気センサ３５，３６が磁気検出器２４の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy2を検出する。そして、コンピュータ装置２５が、図５のプログラムの実行により、磁石ＭＧの位置を計算して、計算された位置に応じて磁石ＭＧの不正使用を判定して警報を発生する。したがって、この第１実施形態によれば、磁石ＭＧの位置が精度よく特定され、磁石ＭＧの不正使用が的確に防止される。

また、磁気検出器２３，２４のＹ方向位置は共通であるので、磁石ＭＧの位置の計算が簡単になる。また、磁気検出器２３，２４は一つのケース２１内に組込まれているので、磁気検出器２３，２４のパチンコ遊技機に対する組み付け作業が簡単になる。さらに、パチンコ遊技機には、磁気検出器２３，２４を有する複数の磁気検出装置２０が異なる箇所に配置されているので、磁石ＭＧの不正使用を広範囲に渡って検出できるようになる。

ａ１．第１変形例
上記第１実施形態においては、図５のステップＳ１８の処理により磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mを計算して、ステップＳ２０にて前記計算したＸ座標値ｘ_mと所定値Ｘ０，Ｘ１と比較するとともに、ステップＳ２２の処理により磁気検出器２３から磁石ＭＧまでの距離ｒ１を計算して、ステップＳ２４にて前記計算した距離ｒ１と所定距離Ｒ１とを比較することにより不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにした。しかし、この距離ｒ１は磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mと合わせて磁石ＭＢのパチンコ遊技機に対するＸ−Ｙ平面内の位置を表すものであるので、距離ｒ１に代え又は加えて、前記数１２を用いて距離ｒ２を計算して不正使用されている磁石ＭＧを検出してもよい。また、計算したＸ座標値ｘ_mを用いて、前記数８又は数９に従って磁石ＭＧのＹ座標値ｙ_mを計算して不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにしてもよい。さらには、前記計算したＸ座標値ｘ_m及びＹ座標値ｙ_mを用いて、Ｘ−Ｙ座標の中心位置Ｏ（磁気検出器２３，２４の中央位置）から磁石ＭＧまでの距離ｒを計算して不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにしてもよい。これらの場合も、計算された距離ｒ２、Ｙ座標値ｙ_m及び距離ｒをそれぞれ予め決められた所定距離と比較して、磁石ＭＧの不正使用を検出するとよい。

ａ２．第２変形例
上記第１実施形態では、磁気検出装置２０内の磁気検出器２３，２４として異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６をハーフブリッジ接続した磁気センサを用いるようにした。しかし、これらの磁気検出器２３，２４として異方性磁気抵抗効果素子をフルブリッジ接続した磁気センサを用いるようにしてもよい。この場合も、磁気検出器２３，２４は同じで構成であり、図７(ａ)に示すように、それぞれ、バイアス磁石３１と、基板３２と、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂとからなるＡＭＲセンサである。バイアス磁石３１及び基板３２は、上記第１実施形態の場合と同じである。異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａは上記第１実施形態の異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６と同じ位置にて同じ方向にそれぞれ延伸されており、異方性磁気抵抗効果素子３３ｂ，３４ｂ，３５ｂ，３６ｂは異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａ，３５ａ，３５ａのそれぞれ外側位置に配置されて、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａの延伸方向とそれぞれ直交するに延伸されている。なお、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａの延伸方向を異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａの延伸方向とそれぞれ同じ方向に延伸させるようにしてもよいが、前述の直交する方向の方が検出誤差を小さくできる傾向にある。

そして、これらの異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂは、図７(ｂ)に示すように、フルブリッジ接続されている。すなわち、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａが直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３４ａの接続点から出力電圧outＡ（Ｘ方向の磁界強さＨｘに対応）が取出される。異方性磁気抵抗効果素子３４ｂ，３３ｂが直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３４ｂ，３３ｂの接続点から出力電圧outＡ’（Ｘ方向の磁界強さＨｘ’に対応）が取出される。この場合も、前述したハーフブリッジ接続の場合と同様に、出力電圧outＡ，outＡ’は、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxに応じてそれぞれ変化する。ただし、出力電圧outＡ’は、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxに対して、出力電圧outＡとは正負逆方向に変化する。これは、後述する差動増幅器４１，４３（図８参照）による差電圧outＡ−outＡ’の出力により、前記ハーフブリッジ回路の場合の約２倍の出力を得ることができるようにするためである。

また、異方性磁気抵抗効果素子３５ａ，３６ａが直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３５ａ，３６ａの接続点から出力電圧outＢ（Ｙ方向の磁界強さＨｙに対応）が取出される。異方性磁気抵抗効果素子３６ｂ，３５ｂが直列接続されるとともに、その両端に電圧Ｖccが印加されて、異方性磁気抵抗効果素子３６ｂ，３５ｂの接続点から出力電圧outＢ’（Ｙ方向の磁界強さＨｙ’に対応）が取出される。この場合も、前述したハーフブリッジ接続の場合と同様に、出力電圧outＢ，outＢ’は、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyに応じてそれぞれ変化する。ただし、出力電圧outＢ’は、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyに対して、出力電圧outＢとは正負逆方向に変化する。これは、後述する差動増幅器４２，４４（図８参照）による差電圧outＢ−ouＢ’の出力により、前記ハーフブリッジ回路の場合の約２倍の出力を得ることができるようにするためである。

次に、異方性磁気抵抗効果素子３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂをフルブリッジ接続した磁気検出器２３，２４を用いた磁石検出装置の電気回路装置について図８を用いて説明する。この場合、磁気検出器２３は、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxに関する出力電圧outＡ，outＡ’をそれぞれ出力するとともに、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyに関する出力電圧outＢ，outＢ’をそれぞれ出力する。この場合の出力電圧outＡ，outＡ’は磁気検出器２３の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1，Ｈx1 ’をそれぞれ表し、出力電圧outＢ，outＢ’は 磁気検出器２３の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy1 ’をそれぞれ表すものとする。また、磁気検出器２４は、外部磁界ＨoutのＸ方向成分Ｈoutxに関する出力電圧outＡ，outＡ’をそれぞれ出力するとともに、外部磁界ＨoutのＹ方向成分Ｈoutyに関する出力電圧outＢ，outＢ’をそれぞれ出力する。この場合の出力電圧outＡ，outＡ’は磁気検出器２４の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx2，Ｈx2 ’をそれぞれ表し、出力電圧outＢ，outＢ’は 磁気検出器２４の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy2，Ｈy2 ’をそれぞれ表すものとする。

磁気検出器２３からの出力電圧outＡ，outＡ’は差動増幅器４１の正負入力にそれぞれ供給されるとともに、磁気検出器２３からの出力電圧outＢ，outＢ’は差動増幅器４２の正負入力にそれぞれ供給される。差動増幅器４１は出力電圧outＡ，outＡ’の差電圧outＡ−outＡ’をＡ／Ｄ変換器２７に出力し、差動増幅器４２は出力電圧outＢ，outＢ’の差電圧outＢ−outＢ’をＡ／Ｄ変換器２７に出力するので、Ａ／Ｄ変換器２７には、フルブリッジ回路からなる磁気検出器２３によって検出された磁気検出器２３の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1を表す信号と、フルブリッジ回路からなる磁気検出器２３によって検出された磁気検出器２３の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy1を表す信号とが供給されることになる。

磁気検出器２４からの出力電圧outＡ，outＡ’は差動増幅器４３の正負入力にそれぞれ供給されるとともに、磁気検出器２４からの出力電圧outＢ，outＢ’は差動増幅器４４の正負入力にそれぞれ供給される。差動増幅器４３は出力電圧outＡ，outＡ’の差電圧outＡ−outＡ’をＡ／Ｄ変換器２７に出力し、差動増幅器４４は出力電圧outＢ，outＢ’の差電圧outＢ−outＢ’をＡ／Ｄ変換器２７に出力するので、Ａ／Ｄ変換器２７には、フルブリッジ回路からなる磁気検出器２４によって検出された磁気検出器２４の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx2を表す信号と、フルブリッジ回路からなる磁気検出器２４によって検出された磁気検出器２４の位置におけるＹ方向の磁界強さＨy2を表す信号とが供給されることになる。その結果、Ａ／Ｄ変換器２７には、上記第１実施形態の場合と同様に、磁気検出器２３，２４によって検出された磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy2を表す信号が供給されることになる。ただし、磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy2を表す信号がフルブリッジ回路からなる磁気検出器２３，２４によって検出されたものである点で、上記第１実施形態の場合とは異なる。

そして、Ａ／Ｄ変換器２７、コンピュータ装置２５、コネクタ２６及び警報器２８に関しては、上記第１実施形態と同様に構成されているので、上記第１実施形態と同様な符号を付して、それらの説明を省略する。

上記のように構成したこの第２変形例に係る磁石検出装置は、磁気検出器２３，２４及び差動増幅器４１，４２，４３，４４の構成が異なる以外には、上記第１実施形態と同様であるので、上記第１実施形態の場合と同様に、不正使用による磁石ＭＧが検出される。ただし、この変形例に係る磁石検出装置における磁気検出器２３，２４及び差動増幅器４１，４２，４３，４４からなる磁気検出装置２０は、上記第１実施形態の場合に比べて、高精度で磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy2を検出するので、不正使用される磁石ＭＧの検出精度が良好となる。

ａ３．第３変形例
次に、上記第1実施形態の第３変形例について説明する。上記第1実施形態においては、２つの位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2及びＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy2をそれぞれ検出して、２つの位置の磁界強さＨ１，Ｈ２を導出し、不正使用される磁石ＭＧを検出するようにした。しかし、上記第１実施形態においては、Ｚ方向の磁界強さを検出していないために、磁石ＭＧの検出範囲は、図９に示すようになる。図９において、(ａ)はフロントカバー１１の正面側から見た磁石ＭＧの検出範囲を破線で示すものであり、フロントカバー１１の正面に対して磁気検出器２３，２４を中心にして８の字状となる。(ｂ)はフロントカバー１１の側方側すなわち(ａ)のｂ−ｂ線に沿って見た磁石ＭＧの検出範囲を破線で示すものであり、フロントカバー１１の前面上にて磁気検出器２３，２４を中心に楕円状になる。(ｃ)はフロントカバー１１の上方側すなわち(ａ)のｃ−ｃ線に沿って見た磁石ＭＧの検出範囲を破線で示すものであり、フロントカバー１１の前面上にて磁気検出器２３，２４を中心に略円形状になる。

この第３変形例においては、図４に破線で示すように、磁気検出器２３，２４に加え、磁気検出器２３，２４とほぼ同一位置にＺ方向の磁界強さＨz1、Ｈz2をそれぞれ検出する磁気検出器２３’，２４’を設ける。この磁気検出器２３’，２４’においては、前述した図３と同様なバイアス磁石３１、基板３２及び異方性磁気低効果素子３３，３４とにより構成される。なお、異方性磁気低効果素子３５，３６に関しては、存在してもよいが、特に必要としない。そして、磁気検出面（基板３２の面）をＸ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面と平行、かつ異方性磁気抵抗効果素子３３，３４をＺ方向の同一直線上に位置するように、磁気検出器２３’，２４’を磁気検出器２３，２４とほぼ同一位置に配置する。このように構成すれば、磁気検出器２３’，２４’は、前述した磁気検出器２３，２４によるＸ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2及びＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy2と同様に、磁気検出器２３’，２４’の位置における磁界強さＨz1，Ｈz2を検出するようになる。そして、図４に破線で示すように、この検出された磁界強さＨz1，Ｈz2を表す信号がＡ／Ｄ変換器２７に供給されるように、磁気検出器２３’，２４’をＡ／Ｄ変換器２７に接続する。

上記のように構成した第３変形例に係る磁石検出装置の動作を説明する前に、この第３変形例において不正使用される磁石ＭＧの検出原理について説明しておく。この場合も、図６を用いて前述したように、磁石ＭＧはＸＹ座標位置（ｘ_m，ｙ_m）に位置し、磁気検出器２３，２３’はＸＹ座標位置（ｂ，０）に位置し、かつ磁気検出器２４，２４’はＸＹ座標位置（−ｂ，０）に位置する。また、この場合には、Ｚ方向の磁界Ｈｚも考慮しているので、磁石ＭＧのＺ座標はｚ_mであり、磁気検出器２３，２４及び磁気検出器２３’，２４’のＺ座標は「０」である。なお、この場合も、磁気検出器２３，２３’の位置の磁界強さをＨ１とし、磁気検出器２３，２３’から磁石ＭＧまでの距離をｒ１とする。また、磁気検出器２４，２４’の位置の磁界強さをＨ２とし、磁気検出器２４，２４’から磁石ＭＧまでの距離をｒ２とする。

この場合も、前述した数１〜数３は成立し、磁界強さＨに関しては、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の磁界強さをＨｘ，Ｈｙ，Ｈｚとすると、下記数１７が成立する。

したがって、磁気検出器２３，２３’の位置における磁界強さＨ１は、磁気検出器２３，２３’によって検出された磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈz1を用いて表すと下記数１８のようになる。

また、磁気検出器２４，２４’の位置における磁界強さＨ２は、磁気検出器２４，２４’によって検出された磁界強さＨx2，Ｈy2，Ｈz2を用いて表すと下記数１９のようになる。

一方、距離ｒ１，ｒ２に関しては、前述した数３により、下記数２０，２１が成立する。

そして、前記数２０，２１より下記数２２が成立し、下記数２２を解くと、磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_mが下記数２３によって表される。

この数２３における磁界強さＨ１，Ｈ２は前記数１８，１９のとおりであるので、磁石ＭＧのＸ座標位置ｘ_mが推定されることになる。

また、磁気検出器２３，２３’から磁石ＭＧまでの距離ｒ１及び磁気検出器２４，２４’から磁石ＭＧまでの距離ｒ２は、前述した数３からそれぞれ下記数２４，２５のように表される。

この場合、前記数２３〜２５は前記数１０〜１２と全く同じであり、異なる点は、磁気検出器２３，２３’の位置における磁界強さＨ１及び磁気検出器２４，２４’の位置における磁界強さＨ２が、磁気検出器２３’２４’によって検出された磁界強さＨz1，Ｈz2を含む前記数１８，１９に従って計算されることのみである。

次に、この第３変形例の動作について説明すると、コンピュータ装置２５は、図５のプログラムに代えて図５のプログラムを一部変形した図１０のプログラムを実行する。この第３変形例においても、コンピュータ装置２５は、電源のオンにより、ステップＳ１０にてプログラムの実行を開始し、ステップＳ１２’にて、前述した磁気検出器２３，２４からの磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2を入力するのに加えて、磁気検出器２３’，２４’からの磁界強さＨz1，Ｈz2もＡ／Ｄ変換器２７を介して所定時間（例えば、１ｍｓ）に渡って所定の短時間ごとに入力する。そして、ステップＳ１４’にて、各複数の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2の平均値の計算に加えて、各複数の磁界強さＨz1，Ｈz2の平均値も計算する。

前記ステップＳ１４’の処理後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ１６’にて、前記計算した平均値である磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2，Ｈz1，Ｈz2を用いて、前記数１８，１９に従って、磁気検出器２３，２３’の位置における磁界強さＨ１と、磁気検出器２４，２４’の位置における磁界強さＨ２を計算する。

その後、コンピュータ装置２５は、上記第１実施形態の場合と同様に、ステップＳ１８にて前記計算した磁界強さＨ１，Ｈ２を用いた前記数２３（前記数１０と同じ）の演算の実行により磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mを計算するとともに、ステップＳ２２にて前記計算した磁界強さＨ１を用いた前記数２４（前記数１１と同じ）の演算の実行により磁気検出器２３，２３’から磁石ＭＧまでの距離ｒ１を計算する。また、上記第１実施形態の場合と同様なステップＳ２０，Ｓ２４，Ｓ２６の処理により、Ｘ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０よりも大きくかつ所定距離Ｘ１よりも小さく（Ｘ０＜ｘ＜Ｘ１）、さらに距離ｒ１が所定距離Ｒ１より小さい場合には、警報器を駆動するとともに、不正磁石ＭＧの発見を管理室に通知する。

したがって、この第３変形例によれば、上記第１実施形態と同様に、不正に使用される磁石ＭＧが検出されるとともに、磁石ＭＧの検出時には、警報器の駆動及び管理室への通知により、不正磁石ＭＧの使用が防止される。また、この第３変形例によれば、Ｘ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2及びＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy2の検出に加えて、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2も検出し、これらの磁界強さＨx1，Ｈx2，Ｈy1，Ｈy2，Ｈz1，Ｈz2を用いて磁石ＭＧの位置を検出するようにしたので、Ｙ−Ｚ平面における磁石ＭＧの検出範囲は前述した第１実施形態の「８」の字状ではなく、円形となり、検出範囲が拡大される。

なお、この第３変形例は、前記第１変形例における距離ｒ２の計算においても適用され得る。この場合、前記数２５にステップＳ１６’で計算した磁界強さＨ２を代入すればよい。

また、この第３変形例は、前記第２変形例におけるフルブリッジ回路を用いた磁気検出器２３，２４の場合にも適用され得る。この場合、図８に破線で示すように、磁気検出器２３とほぼ同一位置にＺ方向の磁界強さＨz1、Ｈz1’を検出する磁気検出器２３’を設けるとともに、磁気検出器２４とほぼ同一位置にＺ方向の磁界強さＨz2，Ｈz2’を検出する磁気検出器２４’を設ける。そして、磁気検出器２３’からの磁界強さＨz1，Ｈz1’を表す信号は前記差動増幅器４１〜４４と同様な差動増幅器４５に供給され、差動増幅器４５は磁界強さＨz1、Ｈz1’の差Ｈz1−Ｈz1’を表す信号をＡ／Ｄ変換器２７に供給するようにする。磁気検出器２４’からの磁界強さＨz2、Ｈz2’を表す信号は前記差動増幅器４１〜４４と同様な差動増幅器４６に供給され、差動増幅器４６は磁界強さＨz2、Ｈz2’の差Ｈz2−Ｈz2’を表す信号をＡ／Ｄ変換器２７に供給するようにする。Ａ／Ｄ変換器２７は、前述した差動増幅器４１〜４４からの信号に加えて、差動増幅器４５，４６からの信号をＡ／Ｄ変換してコンピュータ装置２５に供給する。したがって、コンピュータ装置２５は、前述した図１０のプログラムを実行することにより、磁石ＭＧのＸ座標値x_m及び距離ｒ１を検出するとともに、この検出結果に応じて磁石ＭＧの不正使用を検出することになる。

さらに、この第３変形例においては、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2をそれぞれ検出する２つの磁気検出器２３’，２４’を磁気検出器２３，２４とほぼ同一位置に設けるようにした。しかし、これに代えて、検出精度は多少悪化するが、１つの磁気検出器２３’のみを設けて、磁気検出器２３’によって検出される磁界強さＨz1を前記磁界強さＨz1，Ｈz２に共通に用いるようにしてもよい。この場合、磁気検出器２３’を磁気検出器２３，２４の近傍位置に設けて、Ｚ方向の磁界強さＨz1を検出するようにするとよい。例えば、磁気検出器２３，２４を結ぶ線の中間位置、特に中央位置に設けて、Ｚ方向の磁界強さＨz1を検出するようにするとよい。

ｂ．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について図面を用いて説明する。図１１は、この第２実施形態に係る磁石検出装置の電気回路図である。この第２実施形態においても、上記第１実施形態の場合と同様な１つ又は複数の磁気検出装置２０が遊技盤１２に組み付けられる。ただし、この場合には、１つ又は複数の磁気検出装置２０は、Ｘ−Ｙ平面内において、２つの磁気検出器２３，２４からフロントカバー１１までのＸ方向距離が同一になるように、遊技盤１２に組み付けられている。すなわち、この場合の磁気検出器２３，２４においては、Ｘ方向位置及びＺ方向位置が同一であり、Ｙ方向位置のみが異なる。そして、磁気検出器２３が、磁気検出器２３の位置におけるＸ−Ｙ平面内のＸ方向の磁界強さＨx1及びＹ方向の磁界強さＨy1を検出する点、及び磁気検出器２４が磁気検出器２４の位置におけるＸ−Ｙ平面内のＸ方向の磁界強さＨx2及びＹ方向の磁界強さＨy2を検出する点では一致する。

また、電気回路装置を構成するＡ／Ｄ変換器２７、コンピュータ装置２５、コネクタ２６及び警報器２８も、上記第１実施形態の場合と同様に構成されているので、上記第１実施形態と同様な符号を付して、それらの説明を省略する。ただし、コンピュータ装置２５は、上記第１実施形態の場合とは異なる図１２に示すプログラムを実行する。

上記のように構成した第２実施形態に係る磁石検出装置の動作を説明する前に、この第２実施形態において不正使用される磁石ＭＧの検出原理について説明しておく。図１３(ａ)(ｂ)は不正に使用される磁石の検出動作を説明するための説明図であり、Ｘ−Ｙ平面における磁気検出器２３，２４及び不正使用の磁石ＭＧの位置を示している。まず、磁気検出器２３，２４がＸ−Ｙ平面内においてフロントカバー１１の内側に位置する一般例について説明する。この場合、図１３(ａ)において、磁気検出器２３，２４はＸＹ座標位置（０，０），（ｘ１，ｙ１）にそれぞれ位置し、磁石ＭＧはフロントカバー１１の外部に近接した位置であるＸＹ座標位置（ｘ_m，ｙ_m）にあるものとする。また、磁気検出器２３，２４から磁石ＭＧまでの距離をそれぞれｒ１，ｒ２とする。なお、紙面に垂直方向であるＺ方向位置に関しては、全て同一であるものとする。

この場合も、上記第１実施形態で説明した数１〜数４は成立し、以下の説明ではこの数１〜数４に基づく説明を行う。また、この場合も、磁気検出器２３によってそれぞれ検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さをＨx1，Ｈy1とするとともに、磁気検出器２４によってそれぞれ検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さをＨx2，Ｈy2とし、磁気検出器２３，２４の位置における磁界強さの絶対値をＨ１，Ｈ２とすれば、下記数２６〜２９が成立する。

前記２８から前記数２９を減算すれば下記数３０が成立し、この数３０を変形すれば、下記数３１及び数３２が成立する。

ここで、前記数３２中の(ｘ１²＋ｙ１²＋ｒ１²−ｒ２²)／２を下記数３３のように値ｃとすれば、前記数３２は、下記数３４のように表される。

そして、前記数２８（又は数２９）及び数３４の連立方程式を解けば、磁石ＭＧのＸＹ座標値（ｘ_m，ｙ_m）は、下記数３５，３６で表される。

なお、前記式３３〜３６において、値ｘ１，ｙ１は磁気検出器２４のＸＹ座標位置を表すもので既知であり、距離ｒ１、ｒ２は検出される磁界強さＨ１，Ｈ２によって計算される値である（数２８，２９参照）。

これらの数３５，３６によれば、磁気検出器２３の位置における磁界強さＨ１のＸ方向成分Ｈx1及びＹ方向成分Ｈy1と、磁気センサ２４の位置における磁界強さＨ２のＸ方向成分Ｈx2及びＹ方向成分Ｈy2とを検出することにより、磁石のＸＹ座標値（ｘ_m，ｙ_m）すなわち磁石ＭＧの位置は検出することができることが分かる。この数３５，３６は磁気検出器２３，２４の位置を特定しない場合における磁石ＭＧの一般的なＸＹ座標値（ｘ_m，ｙ_m）を示すものであり、この方法でも磁石ＭＧの位置を特定できる。

しかし、計算処理の簡単化を図るために、前記第２実施形態の構成例（図１１参照）で説明するとともに図１３(ｂ)に示すように、磁気検出器２３，２４のＸ方向の位置を一致させると、ｘ１は「０」となり、前記数３５，３６は下記数３７，３８のようになり、簡単な計算処理により、磁石ＭＧのＸＹ座標値（ｘ_m，ｙ_m）を特定できる。なお、この場合の値ｃは数３９で表される。以下の説明では、磁気検出器２３，２４のＸ方向の位置が一致していることを想定して説明を続ける。

ただし、この場合には、前記数３５〜３８からも分かるように、パチンコ遊技機の内部に磁力発生源（例えば、ソレノイド、ステッピングモータなど）が存在する場合にも、前記磁力発生源が不正使用される磁石ＭＧと同様に検出されてしまう。すなわち、前記数２８は図１３(ａ)(ｂ)の円Ｅ１を表すものであり、前記数２９は図１３(ａ)(ｂ)の円Ｅ２を表すものであり、前記数２８、数２９及び数３４の方程式を解いた結果は、円Ｅ１，Ｅ２の２つの交点のＸＹ座標値を表すものとなる。したがって、この第２実施形態においては、磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_mが少なくとも正、すなわち磁石ＭＧが図１３(ａ)(ｂ)にて磁気検出器２３，２４の右側に位置することを検出して、不正使用の磁石ＭＧの存在を特定する必要がある。

次に、磁石ＭＧが図１３(ａ)(ｂ)にて磁気検出器２３，２４の右側に位置することを検出する原理について説明する。まず、磁石ＭＧがフロントカバー１１の外側すなわち磁気検出器２３，２４の右側にあり、かつ磁石ＭＧのＹ方向位置が磁気検出器２３のＹ方向位置０と磁気検出器２４のＹ方向位置ｙ１の間にある状態について説明すると、図１４(ａ)はこの状態を示している。この状態では、磁石ＭＧから発生され、かつ磁気検出器２３を通過する磁力線円Ｅ１の接線であって磁気検出器２３を通過する直線Ｌ１の傾きａ１は下記数４０で表される。したがって、直線Ｌ１は下記数４１の関数式で表されることになる。なお、下記数４０中のＨx1，Ｈy1は磁気検出器２３によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さである。

一方、磁石ＭＧから発生され、かつ磁気検出器２４を通過する磁力線円Ｅ２の接線であって磁気検出器２４を通過する直線Ｌ２の傾きａ２は下記数４２で表される。したがって、直線Ｌ２は下記数４３の関数式で表されることになる。なお、下記数４２中のＨx2，Ｈy2は磁気検出器２４によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さであり、下記数４３中の値ｙ１は磁気検出器２４のＹ座標値である。

ここで、前記数４１，４３の連立方程式を解くことにより、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点のＸ座標値ｘ_pを求めると、Ｘ座標値ｘ_pは下記数４４で表される。そして、この場合には、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点は磁気検出器２３，２４の図１４(ａ)に示すように右側に位置し、Ｘ座標値ｘ_pは正となる。これは、磁気検出器２３，２４を通過する磁力線円Ｅ１，Ｅ２において、磁気検出器２３，２４の位置における磁力線のＹ方向成分Ｈy1，Ｈy2が互いに反対方向を向き、磁気検出器２３，２４は磁力線円Ｅ１，Ｅ２の中心に対して図示左側に位置し、かつ磁気検出器２３，２４間のＹ方向距離が磁気検出器２３，２４から磁石ＭＧまでのＸ方向距離に対してそれ程大きくないからである。

逆に、図１４(ｂ)に示すように、磁石ＭＧがパチンコ遊技機の内側すなわち磁気検出器２３，２４の図示左側に位置する場合には、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点は磁気検出器２３，２４の図示左側に位置し、Ｘ座標値ｘ_pは負となる。これにより、磁石ＭＧがＹ方向において磁気検出器２３，２４間にある状態では、Ｘ座標値ｘ_pの正負を判別することにより、磁石ＭＧが磁気検出器２３，２４の図示左側及び右側に位置することを検出できることが分かる。なお、図１４(ａ)(ｂ)においては、磁石ＭＧの両磁極方向（Ｎ極とＳ極を結ぶ方向）をフロントカバー１１に対して垂直方向にした状態を示しているが、これはパチンコ遊技機において、磁石ＭＧを不正使用する場合、磁石ＭＧを前記方向に向けるためである。そして、この磁石ＭＧの向きが多少変更されても、前記Ｘ座標値ｘ_pの正負の判別条件は成立する。

次に、磁石ＭＧがフロントカバー１１の外側すなわち磁気検出器２３，２４の右側にあり、かつ磁石ＭＧのＹ方向位置が磁気検出器２３のＹ方向位置０と磁気検出器２４のＹ方向位置ｙ１との外側にある状態について説明すると、図１５(ａ)はこの状態を示している。この状態では、磁石ＭＧから発生され、かつ磁気検出器２３を通過する磁力線円Ｅ１の中心と磁気検出器２３の位置とを結ぶ直線Ｌ１（すなわち、磁気検出器２３を通過する磁力線円Ｅ１の接線であって磁気検出器２３を通過する直線に垂直な直線Ｌ１）の傾きａ１は下記数４５で表される。したがって、直線Ｌ１は下記数４６の関数式で表されることになる。なお、下記数４５中のＨx1，Ｈy1は磁気検出器２３によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さである。

一方、磁石ＭＧから発生され、かつ磁気検出器２４を通過する磁力線円Ｅ１の中心と磁気検出器２４の位置とを結ぶ直線Ｌ２（すなわち、磁気検出器２４を通過する磁力線円Ｅ１の接線であって磁気検出器２４を通過する直線に垂直な直線Ｌ２）の傾きａ２は下記数４７で表される。したがって、直線Ｌ２は下記数４８の関数式で表されることになる。なお、下記数４７中のＨx2，Ｈy2は磁気検出器２４によって検出されるＸ方向及びＹ方向の磁界強さであり、下記数４８中の値ｙ１は磁気検出器２４のＹ座標値である。

ここで、前記数４６，４８の連立方程式を解くことにより、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点のＸ座標値ｘ_pを求めると、Ｘ座標値ｘ_pは下記数４９で表される。そして、この場合にも、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点は磁気検出器２３，２４の図１５(ａ)に示すように右側に位置し、Ｘ座標値ｘ_pは正となる。これは、磁気検出器２３，２４を通過する磁力線円Ｅ１において、磁気検出器２３，２４の位置における磁力線のＹ方向成分Ｈy1，Ｈy2が互いに同一方向を向き、磁気検出器２３，２４は磁力線円Ｅ１の中心に対して図示左側に位置するからである。

逆に、図１５(ｂ)に示すように、磁石ＭＧがパチンコ遊技機の内側すなわち磁気検出器２３，２４の図示左側に位置する場合には、直線Ｌ１と直線Ｌ２の交点は磁気検出器２３，２４の図示左側に位置し、Ｘ座標値ｘ_pは負となる。これにより、磁石ＭＧがＹ方向において磁気検出器２３，２４間にある状態では、Ｘ座標値ｘ_pの正負を判別することにより、磁石ＭＧが磁気検出器２３，２４の図示左側及び右側に位置することを検出できることが分かる。なお、この場合も、図１５(ａ)(ｂ)においては、磁石ＭＧの両磁極方向（Ｎ極とＳ極を結ぶ方向）をフロントカバー１１に対して垂直方向にした状態を示しているが、これはパチンコ遊技機において、磁石ＭＧを不正使用する場合、磁石ＭＧを前記方向に向けるためである。そして、この磁石ＭＧの向きが多少変更されても、前記Ｘ座標値ｘ_pの正負を判別条件は成立する。

次に、前記のようにして計算される磁石ＭＧのＸ座標値ｘ_m及び磁気検出器２３までの距離ｒ１を用いて磁石ＭＧの不正使用を防止する前記構成の第２実施形態の動作について、図１２のプログラムに沿って説明する。コンピュータ装置２５は電源のオンにより作動を開始して図１２のステップＳ３０にてプログラムの実行を開始する。このプログラムの実行開始後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ３２〜Ｓ３６にて、上述した図５のステップＳ１２〜Ｓ１６と同様にして、数２６，２７により定義された磁界強さＨ１，Ｈ２を計算する。次に、コンピュータ装置２５は、ステップＳ３８にて、前記計算した磁界強さＨ１，Ｈ２を用いて前記数２８，２９に従って距離ｒ１，ｒ２を計算するとともに、前記計算した距離ｒ１，ｒ２及び磁気検出器２４のＹ座標値ｙ１を用いて前記数３９に従って値ｃを計算する。

前記ステップＳ３８の処理後、コンピュータ装置２５は、ステップＳ４０にて、前記計算した磁界強さＨy1，Ｈy2が異符合であるか、すなわちＹ方向において磁石ＭＧが磁気検出器２３，２４の間にあるかを判定する。磁界強さＨy1，Ｈy2が異符合であれば、コンピュータ装置２５は、ステップＳ４０にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ４２にて、磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy２及び磁気検出器２４のＹ座標値ｙ１を用いて、前記数４０，４２，４４に従って交点のＸ座標値ｘ_pを計算する。一方、磁界強さＨy1，Ｈy2が異符合でなければ、コンピュータ装置２５は、ステップＳ４０にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ４４にて、磁界強さＨx1，Ｈy1，Ｈx2，Ｈy２及び磁気検出器２４のＹ座標値ｙ１を用いて、前記数４５，４７，４９に従って交点のＸ座標値ｘ_pを計算する。そして、ステップＳ４６にて、前記ステップＳ４２で計算したＸ座標値ｘ_p又は前記ステップＳ４４で計算したＸ座標値ｘ_pが正であるかを判定する。

この場合、前述したように、図１４及び図１５において磁石ＭＧが磁気検出器２３，２４より右側すなわち磁石ＭＧがパチンコ遊技機の外部にあれば、前記ステップＳ４２で計算したＸ座標値ｘ_p又は前記ステップＳ４４で計算したＸ座標値ｘ_pはそれぞれ正である。一方、図１４及び図１５において磁石ＭＧが磁気検出器２３，２４より左側すなわち磁石ＭＧがパチンコ遊技機の内部にある場合には、前記ステップＳ４２で計算したＸ座標値ｘ_p又は前記ステップＳ４４で計算したＸ座標値ｘ_pはそれぞれ負である。したがって、前記ステップＳ４２で計算したＸ座標値ｘ_p又は前記ステップＳ４４で計算したＸ座標値ｘ_pが負であって、磁石ＭＧがパチンコ遊技機の内部にある場合には、不正使用の磁石ＭＧの位置の検出が不要であるので、コンピュータ装置２５は、ステップＳ４６に「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ３２に戻る。

一方、前記ステップＳ４２で計算したＸ座標値ｘ_p又は前記ステップＳ４４で計算したＸ座標値ｘ_pが正であって、磁石ＭＧがパチンコ遊技機の外部にある場合には、コンピュータ装置２５は、ステップＳ４６に「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ４８以降の処理を実行する。ステップＳ４８においては、前記計算した距離ｒ１、値ｃ及び磁気検出器２４のＹ座標位置ｙ１を用いて、前記数３７に従って、磁石ＭＧの正のＸ座標値ｘ_ｍを計算する。そして、ステップＳ５０にて、上述した第１実施形態の図５のステップＳ２０と同様に、前記計算したＸ座標値ｘ_ｍが所定距離Ｘ０よりも大きく、かつ所定距離Ｘ１よりも小さいか（Ｘ０＜ｘ_ｍ＜Ｘ１）を判定する。なお、値Ｘ０，Ｘ１は上記第１実施形態の場合と同じである。

この場合も、Ｘ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０以下又は所定距離Ｘ１以上であれば、コンピュータ装置２５は、ステップＳ５０にて「Ｎｏ」と判定して前述したステップＳ３２〜Ｓ５０からなる処理を繰返し実行する。一方、Ｘ座標値ｘ_mが所定距離Ｘ０よりも大きく、かつ所定距離Ｘ１よりも小さければ、コンピュータ装置２５は、上記第１実施形態の図５のステップＳ２４と同様に、ステップＳ５０にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５２にて前記ステップＳ３８で計算した距離ｒ１が所定距離Ｒ１未満であるかを判定する。この所定距離Ｒ１も、上記第１実施形態の場合と同じである。そして、距離ｒ１が所定距離Ｒ１以上であれば、コンピュータ装置２５は、ステップＳ５２にて「Ｎｏ」と判定して前述したステップＳ３２〜Ｓ５２からなる処理を繰返し実行する。一方、距離ｒ１が所定距離Ｒ１よりも小さければ、コンピュータ装置２５は、ステップＳ５２にて「Ｙｅｓ」と判定し、第１実施形態の図５のステップＳ２６と同様に、ステップＳ５４にて警報器２８及び管理室に対して不正使用の磁石ＭＧを表す信号を出力して、不正使用者に対して警告したり、磁石ＭＧの不正使用を管理者に知らせたりする。

なお、この第２実施形態においても、パチンコ遊技機の電気回路装置及び動作においては、１対の磁気検出器２３，２４からなる１つの磁気検出装置２０のみについて説明したが、上述した場合と同様に、複数の磁気検出装置２０ごとに前述した動作が実行されるように、電回路装置を構成するとよい。また、この場合も、磁気検出装置２０が設けられているパチンコ遊技機内の位置に応じて、前述した図１２のステップＳ５０，Ｓ５２の処理における所定距離Ｘ０，Ｘ１，Ｒ１を、パチンコ遊技機内のソレノイド、ステッピングモータなどの磁力発生源及びその他の部品の位置と、磁気検出装置２０との相対位置関係に応じて種々に変更するようにしてもよい。

上記のように動作する第２実施形態に係るパチンコ遊技機においても、磁気検出器２３によって磁気検出器２３の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1及びＹ方向の磁界強さＨy1が検出されるとともに、磁気検出器２４によって磁気検出器２４の位置におけるＸ方向の磁界強さＨx2及びＹ方向の磁界強さＨy2が検出される。そして、コンピュータ装置２５が、図１２のプログラムの実行により、磁石ＭＧの位置を計算して、計算された位置に応じて磁石ＭＧの不正使用を判定して警報を発生する。したがって、この第２実施形態によっても、磁石ＭＧの位置が精度よく特定され、磁石ＭＧの不正使用が的確に防止される。

また、この第２実施形態では、磁気検出器２３，２４のＸ方向位置は共通であるので、この場合も、磁石ＭＧの位置の計算が簡単になる。また、この第２実施形態でも、磁気検出器２３，２４は一つのケース２１内に組込まれているので、磁気検出器２３，２４のパチンコ遊技機に対する組み付け作業が簡単になる。さらに、パチンコ遊技機には、磁気検出器２３，２４を有する複数の磁気検出装置２０が異なる箇所に配置されているので、磁石ＭＧの不正使用を広範囲に渡って検出できるようになる。

ｂ１．変形例
上記第２実施形態においては、計算処理の簡略化のために、磁気検出器２３及び磁気検出器２４のＸ方向位置を一致させて、すなわち磁気検出器２４のＸ座標値ｘ１を「０」として、磁石ＭＧの位置を前記数２６〜２９，３７，３９を用いて計算するようにした。しかし、磁気検出器２３及び磁気検出器２４のＸ方向を一致させずに、すなわち磁気検出器２４のＸ座標値ｘ１を「０」に特定しないで、磁石ＭＧの位置を計算するようにしてもよい。この場合、前記数２６〜２９及び一般式である数３３，３５を用いて、磁石ＭＧの位置を計算するようにすればよい。これによれば、Ｘ−Ｙ平面内において、磁気検出器２３，２４を任意の位置に配置した状態においても、磁石ＭＧの位置を計算できるようになる。

また、上記第２実施形態においては、図１２のステップＳ４８の処理により磁気検出器２３のＸ座標値ｘ_mを計算して、ステップＳ５０にて計算したＸ座標値ｘ_mと所定値Ｘ０，Ｘ１と比較するとともに、ステップＳ３８の処理により磁気検出器２３から磁石ＭＧまでの距離ｒ１を計算して、ステップＳ５２にて計算した距離ｒ１と所定距離Ｒ１とを比較することにより不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにした。しかし、上記第１実施形態の第１変形例のように、距離ｒ１に代え又は加えて、ステップＳ３８で計算した距離ｒ２を用いて不正使用されている磁石ＭＧを検出してもよい。また、前記数３６又は数３８に従って磁石ＭＧのＹ座標値ｙ_mを計算して不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにしてもよい。さらには、前記計算したＸ座標値ｘ_m及びＹ座標値ｙ_mを用いて、磁気検出器２３，２４間の中央位置から磁石ＭＧまでの距離ｒを計算して不正使用されている磁石ＭＧを検出するようにしてもよい。これらの場合も、計算された距離ｒ２、Ｙ座標値ｙ_m及び距離ｒをそれぞれ予め決められた所定距離と比較して、磁石ＭＧの不正使用を検出するとよい。

また、上記第２実施形態においても、磁気検出装置２０内の磁気検出器２３，２４として異方性磁気抵抗効果素子３３，３４，３５，３６をハーフブリッジ接続した磁気センサを用いるようにした。しかし、これに代えて、上記第１実施形態の第２変形例のように、磁気検出器２３，２４として異方性磁気抵抗効果素子をフルブリッジ接続した磁気センサを用いるようにしてもよい。

さらに、上記第２実施形態においても、２つの位置におけるＸ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2及びＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy2をそれぞれ検出して、２つの位置の磁界強さＨ１，Ｈ２を計算し、不正使用される磁石ＭＧを検出するようにした。しかし、この第２実施形態においても、上記第１実施形態の第３変形例と同様に、磁気検出器２３，２４とほぼ同一位置にＺ方向の磁界強さＨz1、Ｈz2をそれぞれ検出する磁気検出器２３’，２４’を設けて、Ｚ方向の磁界強さＨz1、Ｈz2を考慮するようにしてもよい。この場合も、磁気検出器２３’，２４’を上記第１実施形態の第３変形例の場合と同様に構成し、図１１に破線で示すように、検出された磁界強さＨz1，Ｈz2を表す信号がＡ／Ｄ変換器２７に供給されるように、磁気検出器２３’，２４’をＡ／Ｄ変換器２７に接続する。

そして、コンピュータ装置２５は、上記第１実施形態の第３変形例の場合のように、図１２のプログラムを一部変更したプログラムを実行する。すなわち、図１２のステップＳ３２の処理を、前述した磁気検出器２３，２４からの磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2を入力するのに加えて、磁気検出器２３’，２４’からの磁界強さＨz1，Ｈz2もＡ／Ｄ変換器２７を介して所定時間（例えば、１ｍｓ）に渡って所定の短時間ごとに入力するように変更する。そして、ステップＳ３４の処理を、各複数の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2の平均値の計算に加えて、各複数の磁界強さＨz1，Ｈz2の平均値も計算するように変更する。さらに、ステップＳ３６の処理を、上記第１実施形態の場合と同様に、前記計算した平均値である磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2，Ｈz1，Ｈz2を用いて、前記数１８，１９に従って、磁気検出器２３，２３’の位置における磁界強さＨ１と、磁気検出器２４，２４’の位置における磁界強さＨ２を計算する。図１２のステップＳ３８以降の処理は、前記磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2，Ｈz1，Ｈz2を用いて計算した磁界強さＨ１，Ｈ２を用いる点以外は、上記第２実施形態と同じである。

したがって、この変形例によれば、上記第２実施形態と同様に、不正に使用される磁石ＭＧが検出されるとともに、磁石ＭＧの検出時には、警報器の駆動及び管理室への通知により、不正磁石ＭＧの使用が防止される。また、この変形例によれば、上記第１実施形態の第３変形例の場合と同様に、Ｘ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2及びＹ方向の磁界強さＨy1，Ｈy2の検出に加えて、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2も検出し、これらの磁界強さＨx1，Ｈx2，Ｈy1，Ｈy2，Ｈz1，Ｈz2を用いて磁石ＭＧの位置を検出するようにしたので、Ｙ−Ｚ平面における磁石ＭＧの検出範囲は前述した第１実施形態の「８」の字状ではなく、円形となり、検出範囲が拡大される。

また、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2を考慮した変形例は、前述した磁石ＭＧのＹ座標値ｙ_mの計算、及び磁気検出器２３，２４間の中央位置から磁石ＭＧまでの距離ｒの計算にも適用され得る。また、フルブリッジ回路を用いた磁気検出器２３，２４の場合にも適用され得る。

また、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2を考慮した変形例においても、上記第１実施形態の第３変形例と同様に、Ｚ方向の磁界強さＨz1，Ｈz2をそれぞれ検出する２つの磁気検出器２３’，２４’に代えて、１つの磁気検出器２３’のみを磁気検出器２３，２４の近傍位置に設けて、Ｚ方向の磁界強さＨz1を検出するようにしてもよい。例えば、磁気検出器２３，２４を結ぶ線の中間位置、特に中央位置に設けて、Ｚ方向の磁界強さＨz1を検出するようにするとよい。

以上、本発明の第１及び第２実施形態、並びにそれらの各種変形例について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記第１及び第２実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。

ｃ．他の変形例
上記各種実施形態及び各種変形例では、磁気検出器２３，２４をフロントカバー１１に垂直なＸ−Ｙ平面内に配置するようにした。しかし、これに代えて、磁気検出器２３，２４をフロントカバー１１に垂直な平面であって、前記平面とフロントカバー１１とが交差する直線が水平方向に延設される平面、すなわちフロントカバー１１に垂直なＸ−Ｚ平面内に配置するようにしてもよい。この場合、上記各種実施形態及び各種変形例のＹ方向とＺ方向の関係が変わるだけであるので、磁気検出器２３，２４は、Ｘ方向の磁界強さＨx1, Ｈx1’，Ｈx2, Ｈx2’と、Ｙ方向の磁界強さＨy1, Ｈy1’，Ｈy1, Ｈy1’に代わるＺ方向の磁界強さＨz1, Ｈz1’，Ｈz2, Ｈz2’とを検出するようにする。そして、Ｘ方向の変数及び所定値を上記各種実施形態及び各種変形例における変数及び所定値と同一に扱い、上記各種実施形態及び各種変形例におけるＹ方向の変数及び所定値をＺ方向の変数及び所定値に変更して、上述した各種演算を行うようにする。

これによれば、Ｘ−Ｚ平面の近傍に位置する磁石ＭＧの位置がＸ座標値、Ｚ座標値及び距離ｒ１，ｒ２により表わされるようになり、この場合も、磁石ＭＧの位置が検出可能となる。すなわち、上記各種実施形態及び各種変形例では、磁気検出器２３，２４に対して主に上下方向（Ｙ方向）にある磁石ＭＧが検出されるが、この場合には、磁気検出器２３，２４に対して主に左右方向（Ｚ方向）にある磁石ＭＧが検出されるようになる。

また、この場合には、上記各種実施形態及び各種変形例における磁気検出器２３’，２４’は、Ｚ方向の磁界強さＨz1, Ｈz1’，Ｈz2, Ｈz2’に代えてＹ方向の磁界強さＨy1, Ｈy1’，Ｈy1, Ｈy1’を検出するようにする。そして、上記各種実施形態及び各種変形例におけるＺ方向の変数及び所定値をＹ方向の変数及び所定値に変更して、上述した各種演算を行うようにする。また、この場合も、２つの磁気検出器２３’，２４’のうちの一方を磁気検出器２３，２４の近傍に設けるようにしてもよい。

さらに、一般的には、磁気検出器２３，２４がフロントカバー１１に垂直な平面内にあれば、磁気検出器２３，２４をＸ方向及びＹ方向に対して傾いた平面内に配置するようにしてもよい。この場合には、上記各種実施形態及び各種変形例のＹ方向が、前記平面内であってＸ方向に直交する方向（すなわちフロントカバー１１に平行な方向）に変更される。したがって、この場合の磁気検出器２３，２４は、Ｘ方向の磁界強さＨx1, Ｈx1’，Ｈx2, Ｈx2’と、Ｙ方向の磁界強さＨy1, Ｈy1’，Ｈy1, Ｈy1’に代わる前記フロントカバー１１に平行な方向の磁界強さとを検出するようにする。そして、Ｘ方向の変数及び所定値を上記各種実施形態及び各種変形例における変数及び所定値と同一に扱い、上記各種実施形態及び各種変形例におけるＹ方向の変数及び所定値を前記フロントカバー１１に平行な方向の変数及び所定値に変更して、上述した各種演算を行うようにする。

これによっても、前記Ｘ方向及びＹ方向に対して傾いた平面の近傍に位置する磁石ＭＧの位置がＸ座標値、前記フロントカバー１１に平行な方向の座標値及び距離ｒ１，ｒ２により表わされるようになり、この場合も、磁石ＭＧの位置が検出可能となる。すなわち、上記各種実施形態及び各種変形例では、磁気検出器２３，２４に対して主に上下方向（Ｙ方向）にある磁石ＭＧが検出されるが、この場合には、磁気検出器２３，２４に対して主に斜め方向（Ｙ方向及びＺ方向から傾いた方向）にある磁石ＭＧが検出されるようになる。

また、この場合には、上記各種実施形態及び各種変形例における磁気検出器２３’，２４’は、Ｚ方向の磁界強さＨz1, Ｈz1’，Ｈz2, Ｈz2’に代えて、前記フロントカバー１１に垂直な平面内であって、前記フロントカバー１１に平行な方向と直交する方向の磁界強さを検出するようにする。そして、上記各種実施形態及び各種変形例におけるＺ方向の変数及び所定値を、前記フロントカバー１１に垂直な平面内であって、前記フロントカバー１１に平行な方向と直交する方向の変数及び所定値に変更して、上述した各種演算を行うようにする。また、この場合も、２つの磁気検出器２３’，２４’のうちの一方を磁気検出器２３，２４の近傍に設けるようにしてもよい。

また、上記各種実施形態及び各種変形例では、瞬間的な磁石ＭＧの位置に基づいて磁石ＭＧの不正使用を検出するようにした。しかし、これに代え又は加えて、所定時間ごとの磁石ＭＧの位置（Ｘ座標位置、Ｙ座標位置、Ｚ座標位置、距離ｒ１，ｒ２など）を時間経過にしたがって順次検出するとともに記憶しておき、磁石ＭＧの移動軌跡を検出するようにしてもよい。そして、磁石ＭＧの移動軌跡に基づいて、不正使用者による磁石ＭＧの使用を検出するようにする。これによれば、パチンコ遊技機内のソレノイド、ステッピングモータなどによる磁界はソレノイド、ステッピングモータのオン動作によって発生し、磁力発生源が移動するわけでないので、磁石ＭＧの不正使用を精度よく検出できるようになる。

さらに、上記各種実施形態及び各種変形例では、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1，Hy2，Ｈz1，Ｈz2を検出するために異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲセンサ）を用いた。しかし、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の磁界強さＨx1，Ｈx2，Hy1， Hy2，Ｈz1，Ｈz2を検出することができれば、異方性タイプのＧＭＲセンサ、ホール効果素子、磁気インピーダンス効果センサ（ＭＩセンサ）などを用いてもよい。

１１…フロントカバー、１２…遊技盤、１３…釘、１４…ベースプレート、２０…磁気検出器、２１…ケース、２２…プリント基板、２３，２３’，２４，２４’…磁気検出器、２５…コンピュータ装置、２６…コネクタ、２７…Ａ／Ｄ変換器、２８…警報器、３１…バイアス磁石、３２…基板、３３，３３ａ，３３ｂ，３４，３４ａ，３４ｂ，３５，３５ａ，３５ｂ，３６，３６ａ，３６ｂ…異方性磁気抵抗効果素子、４１，４２，４３，４４，４５，４６…差動増幅器、ＭＧ…磁石

Claims (7)

1. パチンコ遊技機において不正使用される磁石を検出するためのパチンコ遊技機の磁石検出装置であって、
   パチンコ遊技機内の第１位置に配置され、前記第１位置におけるパチンコ遊技機のフロントカバーに直交する第１方向の磁界強さを検出する第１磁気センサと、
   前記第１位置に配置され、前記第１位置における前記フロントカバーに平行な第２方向の磁界強さを検出する第２磁気センサと、
   パチンコ遊技機内であって前記第１位置を含み前記フロントカバーに垂直な平面内であって前記第１位置から所定距離だけ隔てた第２位置に配置され、前記第２位置における前記第１方向の磁界強さを検出する第３磁気センサと、
   前記第２位置に配置され、前記第２位置における前記第２方向の磁界強さを検出する第４磁気センサと、
   前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記第３磁気センサ及び前記第４磁気センサによってそれぞれ検出された磁界強さを用いて、磁力発生源の位置を計算する計算手段とを備えたことを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
2. 請求項１に記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、
   前記第１位置及び前記第２位置は前記フロントカバーに直交する一つの直線上にあることを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
3. 請求項１に記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、
   前記第１位置及び前記第２位置は前記フロントカバーに平行な一つの直線上にあることを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
4. 。
   請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、
   前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記第３磁気センサ及び前記第４磁気センサは一つのケース内に組み込まれていることを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
5. 請求項１乃至４のうちのいずれか一つに記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、
   前記計算手段は、前記フロントカバーに直交する方向の位置を含む前記磁力発生源の位置を計算し、さらに、
   前記計算手段により計算された前記フロントカバーに直交する方向の位置を用いて不正使用される磁石を判定する判定手段を設けたことを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
6. 請求項１乃至５のうちのいずれか一つに記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、さらに、
   前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記第３磁気センサ及び前記第４磁気センサの近傍位置に配置され、前記近傍位置における前記第１方向と前記第２方向とに直交する第３方向の磁界強さを検出する少なくとも１つの第５磁気センサを設け、
   前記計算手段は、前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記第３磁気センサ及び前記第４磁気センサによってそれぞれ検出された磁界強さに加え、前記第５磁気センサによって検出された磁界強さをも用いて、磁力発生源の位置を計算するようにした
   ことを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。
7. 請求項１乃至６のうちのいずれか一つに記載したパチンコ遊技機の磁石検出装置において、
   前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記第３磁気センサ及び前記第４磁気センサからそれぞれなる複数組の磁気センサセットをパチンコ遊技機内の異なる位置にそれぞれ設けたことを特徴とするパチンコ遊技機の磁石検出装置。

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