JP2014504937A - 偏極移行を使用する高静磁場(b0)における広帯域幅磁気共鳴分光法 - Google Patents

偏極移行を使用する高静磁場(b0)における広帯域幅磁気共鳴分光法 Download PDF

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Abstract

5テスラ以上の静磁場B0を生成する磁気共鳴MRコントローラは、対象の選択された空間的領域において1H偏極を励起するようにMRスキャナにより生成された前記静磁場B0内に配置された前記対象に対して励起/局所化サブシーケンス30を実行することと、前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンス32を実行することと、前記対象の前記選択された空間的領域において前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することとを含むMRシーケンス14を実行するように前記MRスキャナを制御する。前記偏極移行サブシーケンスは、前記選択された種の非陽子核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対を含む。

Description

以下は、磁気共鳴分野、磁気共鳴分光法分野、磁気共鳴撮像分野、医療撮像分野、及び関連する分野に関する。
磁気共鳴(MR)は、医療診断、獣医の仕事、法医科学、及び考古学等において有用である既知の技術である。最も一般的には、MR画像は、1H磁気共鳴信号を励起、空間符号化、及び読み出しすることにより生成される。より多くの情報は、MR応答のスペクトルが取得され、分析される磁気共鳴分光法(MRS)によって得られることができる。医療又は獣医学的応用に対して、MRS信号が単一のボクセル(SV MRS)に局所化(localized)されるか、又は空間的にボクセルの二又は三次元のグリッド(磁気共鳴分光イメージング又はMRSI)に符号化される局所化インビボMRSを実行することが望ましい。更に、一部のMRS応用は1Hスペクトルをプローブするが、他の核をプローブすることも有用な情報を解明することができる。例えば、13C MRSは、大きな化学シフト分散を提供し、局所化された生物学的な代謝をプローブするのに有用である。
しかしながら、局所化されたインビボ13Cスペクトルを得ることは難しい。13C核の広い化学シフト分布は、スペクトル的に広い13C MRSスペクトルに対応し、これは、広帯域励起パルスを要求する。この問題は、より高いB0磁場において増大する。例えば、7テスラB0磁場の場合に、前記励起パルスは、16kHzの帯域幅を持つべきである。このような励起に対する合計無線周波数(RF)パワーは、生成するのが難しく、適用可能な比吸収率(SAR)制限を潜在的に超過するような安全性の問題を引き起こしうる。
局所化されたインビボ13C MRSの他の困難は、有用な"薄い"スライス又は十分に局所化された単一ボクセル若しくはグリッドボクセルを選択するのに高い磁場勾配強度を使用することを要求することである。この問題は、広い13Cスペクトルの異なる部分に対して異なるスライス局所化を生じる広い化学シフト分布及び必要な広帯域励起と相互関係を持つ。高解像度で空間的局所化を得るこの困難は、空間的局所化に対する磁場勾配の有効性を低減させる13C核の低いジャイロメトリック(gyrometric)比により増大される。
局所化されたインビボ13C MRSの他の困難は、断熱RFパルスにより引き起こされる13C MRSスペクトルの位相歪である。高いB0磁場において、振幅及び位相の両方が変調される断熱励起パルスは、B1磁場変化及び周波数オフセットに対するロバスト性を提供するのに使用される。断熱RFパルス励起は、13Cスペクトルの大きな帯域幅に対するロバスト性を提供するので、13C MRSに対して特に有用である。しかしながら、断熱RFパルス励起の使用は、データ処理及び分析を複雑化させる位相歪を引き起こす。
これらの困難の観点から、1H→13C偏極移行(polarization transfer)の使用が、13C MRSに対して提案されている。Klomp et al., "Polarization transfer for sensitivity enhanced MRS using a single radio frequency transmit channel", NMR Biomed. vol. 21 pp. 444 452 (2007)を参照する。このアプローチは、1H磁気共鳴を励起し、空間的に局所化し、空間的に局所化された1H偏極を13C核に移行するのにJ結合を使用する。MRパルスシーケンスは、1Hスピンに対して作用する画像選択インビボ分光(ISIS)による空間的局所化、及び後に続く偏極移行の歪なし強調(DEPT)による1H→13C偏極移行を含む。前記シーケンスのDEPT部分において、断熱又は"半断熱"BIR4パルスが、13C核操作に使用された。Klomp et al.は、3テスラのB0磁場における結果を報告している。
以下は、ここに開示される新しい改良された装置及び方法を提供する。
開示された一態様によると、方法は、対象の選択された空間領域において局所化された1H偏極を励起するように前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行することと、前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンスを実行することであって、前記偏極移行サブシーケンスが、前記選択された種の非陽子核に対して作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対を含むことと、前記対象の前記選択された空間領域における前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することとを含む磁気共鳴(MR)シーケンスを実行することを有する。
他の開示された態様によると、装置は、5テスラ又はそれより高い静磁場(B0)を生成する磁気共鳴(MR)スキャナと、対象の選択された空間領域において1H偏極を励起するように前記MRスキャナにより生成された前記静磁場(B0)内に配置された前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行することと、前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンスを実行することと、前記対象の前記選択された空間領域における前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することとを含むMRシーケンスを実行するように前記MRスキャナを制御するMRコントローラとを有する。
他の開示された態様によると、記憶媒体は、対象の選択された空間領域において局所化された1H偏極を励起するように前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行することと、前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンスを実行することであって、前記偏極移行サブシーケンスが、前記選択された種の非陽子核に対して作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対を含むことと、前記対象の前記選択された空間領域における前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することとを含む磁気共鳴(MR)シーケンスを実行するように磁気共鳴(MR)スキャナを制御するようにプロセッサにより実行可能な命令を記憶する。
1つの利点は、高磁場(例えば、B0=5テスラ以上、又はB0=7テスラ以上)で13C又は他の非陽子MRSを提供することにある。
他の利点は、改良されたスペクトル帯域幅で偏極移行により13C又は他の非陽子MRSを提供することにある。
他の利点は、低減された位相歪で偏極移行により13C又は他の非陽子MRSを提供することにある。
他の利点は、以下の詳細な説明を読み、理解すると当業者に明らかである。
ここに開示される磁気共鳴分光法(MRS)を実行する磁気共鳴(MR)システムを概略的に示す。 図1のMRシステムにより使用されるMRS取得シーケンスに対するパルスシーケンス図を概略的に示す。 広帯域デカップリングなしで取得される13CMRSスペクトルをプロットする。 広帯域デカップリングを用いて取得される13CMRSスペクトルをプロットする。
図1を参照すると、磁気共鳴システムは、図示されたAchieva(登録商標)MRスキャナ(オランダ、アインドーフェン、Koninklijke Philips Electronics N.V.から市販されている)又はIntera(登録商標)若しくはPanorama(登録商標)MRスキャナ(両方ともKoninklijke Philips Electronics N.V.から市販されている)のような磁気共鳴(MR)スキャナ10、若しくは他の市販されているMRスキャナ、又は非営利MRスキャナ等を含む。典型的な実施例において、前記MRスキャナは、静磁場(B0)を生成する超伝導又は抵抗主磁石と、前記静磁場に選択された磁場勾配を重畳する磁場勾配コイル巻線のセットと、磁気共鳴(典型的には1H磁気共鳴であるが、他の磁気共鳴核又は複数の磁気共鳴核の励起も考えられる)を励起するように選択された周波数で無線周波数(B1)磁場を生成する無線周波数励起システムと、前記対象から発せられる磁気共鳴信号を検出する、無線周波数受信コイルアレイ又は複数の受信コイルを含む無線周波数受信システムとを含む。
図1を参照し続けると、MRスキャナ10は、磁気共鳴(MR)制御モジュール12の制御下で、1H偏極を励起及び局所化し、当該偏極の少なくとも一部を13C核に移行することにより動作するMRパルスシーケンス14を使用して磁気共鳴分光法(MRS)を実行するように動作する。MRパルスシーケンス14は、1H核を操作する陽子部分14Hと、13C核を操作する炭素部分14Cとを含む。MRパルスシーケンス14は、参照により全体的にここに組み込まれるKlomp et al., "Polarization transfer for sensitivity enhanced MRS using a single radio frequency transmit channel", NMR Biomed. vol. 21 pp. 444 452 (2007) (以下、"Klomp")のものと同様であり、陽子部分14Hによる1H核の励起及び空間的局所化、及び後に続く陽子部分14H及び炭素部分14Cの動作的結合による1H→13C偏極移行に基づいて動作する。しかしながら、ここに開示されるように、KlompのMRパルスシーケンスは、より高い磁場、例えばB0>3テスラにおいて有効性を低減させる又は全体的に除去する特定の欠陥を持つ。ここに開示されるMRパルスシーケンス14は、他方で、より高い磁場、例えばB0=5テスラ又はB0=7テスラで有効に作用することができる。MRパルスシーケンス14は、MR分光イメージング(MRSI)又は単一ボクセル(SV)取得に対して適切に使用される。
MRデータメモリ16は、MRパルスシーケンス14により取得されたデータを蓄積する。MRSデータ分析及び提示モジュール18は、有用な情報を生成するように前記MRSデータを処理する。例えば、MRSデータ分析及び提示モジュール18は、周波数(又は波数又は他のスペクトル計量)の関数としてボクセルに対する取得された13Cスペクトルを適切にプロットし、画素又はボクセル強度が関心のあるMRSスペクトルピークのピーク値に対応する画像を表示する、又は機能的情報を抽出するように時間に対して単一のボクセルに対する関心のあるMRSスペクトルピークのピーク値をプロットする。
様々な計算又はメモリコンポーネント12、16、18は、MRパルスシーケンス14を使用することを含むMRSデータ取得をMRスキャナ10に実行させるように、マルチコアプロセッサ若しくは他の並列プロセッサ、シングルコアプロセッサ、グラフィック処理ユニット、すなわちGPU等を使用し、MRスキャナ10との通信バス又は他の動作接続を持つ説明用のコンピュータ20又は他のデジタル処理装置により適切に実施される。前記デジタル処理装置は、デジタルプロセッサを使用するが、前記デジタル処理装置が、アナログ又はハイブリッドデジタル/アナログ特定用途向け集積回路(ASIC)のような何らかのアナログ回路を含む又はアクセスを持つことも考えられる。開示されたMRS技術は、デジタル処理装置20のプロセッサにより実行される場合に開示された動作を実行する命令を記憶する記憶媒体としても実施されうる。例えば、前記記憶媒体は、ハードドライブ、光学ドライブ、ランダムアクセスメモリ(RAM)、FLASHメモリ、又は他の静電メモリ、これらの様々な組み合わせ、又は他の適切な記憶媒体を有しうる。これらのタイプの記憶媒体は、MRデータメモリ16として使用されることもできる。実際に、実施例によっては、共通の記憶媒体(例えば、前記コンピュータのハードディスクドライブ)は、MRデータメモリ16を実施すること、及びデジタル処理装置20のプロセッサにより実行される場合に開示された動作を実行する命令を記憶することの両方を行うことができる。前記MRシステムは、典型的には、前記MRS取得、データ処理、及び/又はデータ提示を開始及び制御するためにユーザがコマンド又はパラメータ等を入力する説明用のキーボード22又は他のユーザ入力装置(例えば、マウス、トラックボール、又は他のポインティングデバイス)をも含む。MRSスペクトル、MRSデータ分析及び提示モジュール18により出力されるMRSI画像又は他のMRSデータ提示は、説明用のコンピュータ22の説明用の表示装置24のような表示装置に適切に表示される。様々な処理コンポーネント12、18、データメモリ16、及びユーザインタフェースコンポーネント22、24が、単一の説明用のコンピュータ20に一体化又は結合されて図示されるが、これらの様々なコンポーネント及び/又はメモリは、代わりに異なるコンピュータ、ネットワークサーバ、インターネットベースプロセッサ、又はクラウドコンピューティングネットワークのコンポーネント等により様々に実施されることができる。
MRパルスシーケンス14は、MRコントローラ12と一体化されて示されている。例えば、MRパルスシーケンス14は、MRコントローラ12のメモリ又は記憶媒体に記憶されることができる。代替的なアプローチにおいて、MRSパルスシーケンス14は、MRコントローラ12とは異なるが、動作的に通信する記憶媒体に記憶されてもよい。MRSパルスシーケンス14は、MRコントローラ12により実行される命令として、又はMRコントローラ12により操作されるデータとして記憶されることができる。後者の例として、各パルスは、MRSパルスシーケンス14においてソース(例えば、無線周波数コイル、磁場勾配コイル、又は他の発生器)及びパルス振幅、持続時間又は周波数等のようなパルスパラメータにより表されることができる。
図2を参照すると、説明用のMRパルスシーケンス14は、追加のラベルを用いて拡大図で示される。図2は、ここに記載される目立ったフィーチャを含むMRSパルスシーケンス14の概略的表現を示すと理解されるべきである。MRSパルスシーケンス14は、図2に示されていない追加の又は他のパルスを含むことができる。例えば、MRSI取得に使用される場合、MRSパルスシーケンス14は、典型的には、図2に示されていない適切な空間符号化磁場勾配パルスを含む。
MRパルスシーケンス14は、以下のコンポーネントを含む。1H励起/局所化サブシーケンス30は、1H磁気共鳴を励起及び局所化するのに使用される。Klompのアプローチに従って、説明用の例における1H励起/局所化サブシーケンス30は、画像選択インビボ分光法(ISIS)による空間的局所化を含むが、しかしながら、他の励起及び空間的局所化パルス(サブ)シーケンスが採用されてもよい。概略的な図2において、1H励起/局所化サブシーケンス30は、RF振幅−時間プロットにおける概略的ボックスとして示されているが、しかしながら、1H励起/局所化サブシーケンス30は、空間的局所化を提供する様々な空間的勾配を含むことができると理解されるべきである。
1H励起/局所化サブシーケンス30の後に、1H→X偏極移行サブシーケンス32が続く。この表記において、シンボル"X"は、1H偏極が、偏極移行サブシーケンス32によりJ結合によって移行される目標非陽子同位体を示す。説明用の実施例において、"X"は、13C同位体であるが、しかしながら、他の実施例において、"X"は、15N又は31P等のような他の種の非陽子核であってもよい。X=13Cである説明用の例は、13C MRSが脳、筋肉、肝臓又は他の関心のあるインビボ組織に関する代謝情報を提供することができる限りにおいて、大きな医学的及び獣医学的関心がある。
再びKlompに従って、説明用の偏極移行サブシーケンス32は、偏極移行の歪なし強調(DEPT)を採用する。しかしながら、偏極移行サブシーケンス32は、ここに開示される特定の改良を含む。KlompのDEPTシーケンスにおいて、断熱又は"半断熱"BIR4パルスは、13C核操作に対して使用された。このようなパルスは、3テスラにおいて満足のいく性能を提供することがKlompにおいて報告されている。しかしながら、ここに開示されるように、これらのBIR4パルスのブロッホシミュレーションは、約±2kHz(すなわち、約4kHz帯域幅)のみにわたり一定のフリップ角を提供することを示す。対照的に、7テスラのB0磁場において、13Cスペクトルは、約16kHzの帯域幅を持つ。ここで、BIR4パルスの帯域幅制限が位相歪の結果であり、これは、BIR4パルスが約4kHzより大きい帯域幅に対して一様なフリップ角を提供することを防ぐことが、認識される。
ここに開示されるように、位相歪問題は、180°リフォーカスパルスを、位相歪が相殺する2つのリフォーカスパルスに分割することにより克服されることができる。結果的に、説明用の偏極サブシーケンス32は、陽子部分14Hにおいて2つの180°リフォーカスパルス34、35を含み、炭素部分14C(又は、より一般的に、非陽子"X"部分)において2つの180°リフォーカスパルス36、37を含む。
位相歪相殺を提供するのに加えて、リフォーカスパルス34、35、36、37は、断熱的であり、大きな帯域幅、例えば一部の実施例において16kHzにわたり一定のフリップ角を提供するようにも設計される。BIR4パルスの複雑な形状とは対照的に、これらの断熱的及び広帯域幅性能の目的は、単純な台形形状の対にされたリフォーカスパルス34、35、36、37で達成される。オフセット独立台形(OIT)断熱反転パルスとしてのリフォーカスパルス34、35、36、37の適切な設計は、以下の通りである。
リフォーカスパルス34、35、36、37の設計において、周波数変調が、断熱スピン反転を作成するのに使用される。このプロセスの便利な記載は、周波数が前記パルス中の瞬間的RF周波数とマッチする第2の回転フレームを使用する。このフレームにおいて、磁化ベクトルは、+Z軸に沿って出発し、スピンを、前記RF振幅及び前記RF周波数の変調により作成された瞬間的に印加された磁場に閉じ込める。前記RF振幅を0→ω1→0に変調しながら前記RF周波数をある値+ω0から−ω0までスイープすることは、磁化が効果磁場ωeに沿ってスピンロックされたままであることを可能にするように十分にゆっくりと前記変調が実行されるという条件で、−ω0≦Ω≦+ω0の範囲の周波数領域の一部にわたりスピン反転を作成する。αが、ωeが+Z軸に作る角度である場合、以下の条件、
Figure 2014504937
は、スピンロックが共鳴周波数Ωを持つスピンのグループに対して維持されることを保証する。ここで、
Figure 2014504937
である。関数F1(t)及びF2(t)は、パルス間隔中に加えられた振幅及び周波数変調の正規化された時間依存性を記述する。任意のRF振幅変調F1(t)に対する明確に定義された周波数範囲、すなわち−ω0≦Ω≦+ω0に対する完全なスピン反転を実行するためのF1(t)とF2(t)との間の関係は、
Figure 2014504937
である(例えば、Tannus et al., J. Magn. Reson, 120, 133 -137 (1996)を参照)。
低い最大RF磁場強度(ω1)を用いる幅広い周波数スイープ(ω0)をカバーするスピン反転は、+ω0から−ω0まで前記周波数をスイープしながら一定のRF磁場を印加することにより提供される(すなわち、線形チャープ)。このアプローチは、ほとんど如何なる所望の範囲の共鳴オフセット(Ω)をもカバーすることができる。更に、前記設計が、前記RF磁場の強度(ω1)により制限される場合、この方法は、このような反転を実行するのに効率的な方法であることができる。Ωの増加する値が、前記スイープの終了時に断熱条件を破たんさせるので、この線形スイープ方法は、スライス選択的ではない。OITパルスは、前記RF振幅が、線形周波数スイープが開始する前に増加され、前記線形スイープが終了した後に減少されることを可能にすることにより、この問題を防ぐ。前記断熱条件は、RF傾斜及び周波数スイープ動作の両方の間、維持される。前記OITパルスの中心間隔(Tc)において、前記RF振幅は一定であり(F1(t)=1)、前記間隔のある点において、関数、すなわち、(ω02(t)−Ω)=0である。線形周波数スイープに対して、スピンロック状態は、
Figure 2014504937
に帰着する。Ωにおいて共鳴するスピンに対するこの点において、スピンロック磁場の強度は、最小値まで落ち、すなわち、ωe=ω1である。最大周波数スイープレートが選択される場合、前記スピンロック状態は、この点において等式になり、台形反転パルスに対する中心間隔は、
Tc≧ω0/(2ω1 2)
であるように選択されることができる。前記RFパルスの開始時に、前記RF周波数は一定に保たれるのに対し、前記RF振幅は、間隔(Tr)にわたり増加される。前記スピンロック状態は、
ω1/(Tr(ω0−Ω)2)<<1
になる。前記パルスが、領域、
Figure 2014504937
にわたり信号を一様に反転することが望ましく、ここで、
Figure 2014504937
は、スライスプロファイルに対する台形ゾーンの周波数幅を表す。前記スピンロック状態は、
Figure 2014504937
の場合に決定的になる。スライス遷移ゾーンの幅を最大RF振幅に比例するように選択し、すなわち、
Figure 2014504937
である。前記スピンロック状態は、単純化されることができ、傾斜間隔は、
Tr=1/(k2ω1)
であるように選択される。OITパルスに対して選択されるkの値は√2である。間隔Tr及びTcの情報は、ここで、前記OITパルスを完全に規定するように直接的に関数F1(t)及びF2(t)の構築を可能にする。このような設計アプローチを使用して、13C(又は、より一般的に、種Xの非陽子核)に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルス36、37の対は、少なくとも10kHzの帯域幅にわたり、より好ましくは13C核の場合に16kHzの帯域幅にわたり、一定のフリップ角を提供するように設計されることができる。
180°リフォーカスパルス34、35、36、37が、ここに記載されたようにOITパルスであるのに対し、1H及び13Cに対する90°及びα°励起パルスは、適切にブロックRFパルスである。
説明用の偏極移行サブシーケンス32は、DEPTを使用する。しかしながら、断熱的及び広帯域幅性能を提供するように対にされたOITパルスを再び組み込む、偏極移行により強調された非感知核(INEPT)のような、他の偏極移行アプローチが使用されることができる。
偏極移行サブシーケンス32の後に、MRパルスシーケンス14の炭素部分14Cは、磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンス40を含む。オプションとして、MRパルスシーケンス14の陽子部分14Hは、陽子共鳴を13C(又は、より一般的に、X)磁気共鳴から分離するように読み出しサブシーケンス40と同時に使用される1H−13Cデカップリング(又は、より一般的に、1H−Xデカップリング)サブシーケンス42を含むことができる。一部の実施例において、1H−13Cデカップリングサブシーケンス42は、WALTZ16シーケンスである。
13C MRSは、MRパルスシーケンス14を使用して実行されている。前記13C MRSは、40mT/mの最大磁場勾配強度及び200mT/m/secのスルーレート、4kWの最大RF出力を持つ2つの広帯域RM増幅器、(20μTの1H励起に対するB1磁場及び186μTの13C励起に対するB1磁場を生成する)デュアルチューン1H/13C部分体積コイルを持つフィリップス7T全身MRスキャナで実行された。炭素部分14Cに対するパラメータは以下の通りであり、90°パルス長は0.128msであり、励起帯域幅は7812Hzであり、180°OITパルスは4.9msの長さ及び21777Hzの帯域幅を持つ。陽子部分14Hに対するパラメータは以下の通りであり、90°パルス長は0.326msであり、励起帯域幅は3063Hzであり、180°OITパルスは、4.2msの長さ及び2325Hzの帯域幅を持つ。図2におけるMRパルスシーケンス14に対して示される遅延時間τ1、τ2、τ3は、それぞれ2.8ms、3.75ms及び2.75msである。MRパルスシーケンス14において使用される他のスキャンパラメータは、10secのTR、13msecのTE、16kHzの取得帯域幅及び1024のデータ点を含む。WALTZ16パルストレイン42は、1Hデカップリングに対して使用され、B1値は、100%のデューティサイクルで18μTであった。
図3は、陽子ISIS及びデュアルエコーDEPTでのファントム(800mL H2O、3.0g/L NaL、100mL DMSO、100mL D6−アセトンを有するフィリップス7T炭素SNRファントム)スキャンの結果を示す。信号強調は約2であり、ゼロ次位相補正のみが使用された。CD3の信号は、位相循環により全て取り除かれる。
図4は、図3と類似しているが、広帯域デカップリング(WALTZ16パルストレイン42)をオンにされた結果を示す。
開示されたMRS技術は、如何なる有生又は無生対象にも適用可能である。一部の応用において、前記対象は、医療患者、又は生きている獣医学的対象等のようなインビボ対象である。他の応用において、前記対象は、考古学的ミイラ、又は考古学的人工物等のような無生対象であることができる。
本出願は、1つ又は複数の好適な実施例を記載している。修正例及び変更例は、先行する詳細な説明を読み、理解すると他者が思いつきうる。本出願は、添付の請求項又はその同等物の範囲内に入る限り、全てのこのような修正例及び変更例を含むと解釈されることを意図される。

Claims (22)

  1. 対象の選択された空間的領域において局所化された1H偏極を励起するように前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行するステップと、
    前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンスを実行するステップであって、前記偏極移行サブシーケンスが前記選択された種の非陽子核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対を含むステップと、
    前記対象の前記選択された空間的領域において前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行するステップと、
    を含む磁気共鳴(MR)シーケンスを実行するステップ、
    を有する方法。
  2. 前記選択された種の非陽子核が13Cである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記対象がインビボ人間又は獣医学的対象である、請求項1ないし2のいずれか一項に記載の方法。
  4. 前記励起/局所化サブシーケンスが、画像選択インビボ分光(ISIS)による空間的局所化を含む、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記偏極移行サブシーケンスが、偏極移行の歪なし強調(DEPT)を使用する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記選択された種の非陽子核に作用する前記位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、少なくとも10kHzの帯域幅にわたり前記選択された種の非陽子核に対して一定のフリップ角を提供する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記選択された種の非陽子核に作用する前記位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、台形リフォーカスパルスを有する、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記選択された種の非陽子核に作用する前記位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、オフセット独立台形(OIT)断熱反転パルスを有する、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記偏極移行サブシーケンスが、1H核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対を含む、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記1H核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、少なくとも6kHzの帯域幅にわたり1Hに対して一定のフリップ角を提供する、請求項9に記載の方法。
  11. 前記1H核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、台形リフォーカスパルスを有する、請求項9ないし10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記1H核に作用する位相歪相殺180°リフォーカスパルスの対が、オフセット独立台形(OIT)断熱反転パルスを有する、請求項9ないし10のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記磁気共鳴(MR)シーケンスが、5テスラ以上の強度を持つ静磁場(B0)において前記対象に対して実行される、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記磁気共鳴(MR)シーケンスが、7テスラ以上の強度を持つ静磁場(B0)において前記対象に対して実行される、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記磁気共鳴(MR)シーケンスが、前記選択された種の非陽子核の偏極から1H偏極を分離するように前記読み出しサブシーケンスと同時に使用されるデカップリングサブシーケンスを実行することを含む、請求項1ないし14のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記対象の前記選択された空間的領域内の前記選択された種の非陽子核に対する前記取得されたMRSデータから磁気共鳴分光(MRS)スペクトル及び磁気共鳴分光イメージング(MRSI)画像の少なくとも1つを生成するステップと、
    前記MRSスペクトル又はMRSI画像を表示するステップと、
    を有する、請求項1ないし15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 5テスラ以上の静磁場(B0)を生成する磁気共鳴(MR)スキャナ、及び
    対象の選択された空間的領域において局所化された1H偏極を励起するように前記MRスキャナにより生成された前記静磁場(B0)内に配置された前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行することと、
    前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行する偏極移行サブシーケンスを実行することと、
    前記対象の前記選択された空間的領域において前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することと、
    を含むMRシーケンスを実行するように前記MRスキャナを制御するMRコントローラ、
    を有する装置。
  18. 前記MRスキャナが、7テスラ以上の静磁場(B0)を生成する、請求項17に記載の装置。
  19. 前記偏極移行サブシーケンスが、前記選択された種の非陽子核に作用する台形リフォーカスパルスを含む、請求項17ないし18のいずれか一項に記載の装置。
  20. 前記偏極移行サブシーケンスが、前記選択された種の非陽子に作用する台形断熱反転パルスの対を含む、請求項17ないし18のいずれか一項に記載の装置。
  21. 対象の選択された空間的領域において局所化される1H偏極を励起するように前記対象に対して励起/局所化サブシーケンスを実行することと、
    前記励起/局所化サブシーケンスにより生成された局所化された1H偏極を選択された種の非陽子核に移行するように偏極移行サブシーケンスを実行することであって、前記偏極移行サブシーケンスが前記選択された種の非陽子核に作用する少なくとも1つの台形180°リフォーカスパルスを含むことと、
    前記対象の前記選択された空間的領域において前記選択された種の非陽子核に対するMRSデータを取得するように磁気共鳴分光(MRS)読み出しサブシーケンスを実行することと、
    を含むMRシーケンスを実行するように磁気共鳴(MR)スキャナを制御するようにプロセッサにより実行可能な命令を記憶する記憶媒体。
  22. 前記偏極移行サブシーケンスが、前記選択された種の非陽子核に作用する台形180°リフォーカスパルスの対を含む、請求項21に記載の記憶媒体。
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