JP2014504006A

JP2014504006A - クリスクロス書き込み戦略

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Publication number: JP2014504006A
Application number: JP2013542535A
Authority: JP
Inventors: サンドストレム，トルビョエン
Original assignee: Micronic MyData AB
Current assignee: Mycronic AB
Priority date: 2010-12-07
Filing date: 2011-12-07
Publication date: 2014-02-13
Anticipated expiration: 2031-12-07
Also published as: CN103270453B; CN103270453A; KR101906538B1; US20120307219A1; KR20140027088A; US8767185B2; EP2649494A2; WO2012076629A2; EP2649494B1; JP5969496B2; WO2012076629A3

Abstract

一般に、説明される技術の一態様は、スイープ方向及びクロススイープ方向における異なる度合いのコヒーレンス相互作用から生じる非等方的書き込み特性を有する書き込み機構を適用する動作と、第１の書き込みと第２の書き込みとの間で加工片上に書き込まれるイメージパターンに対して回転される書き込み機構を用いてイメージパターンを加工片上に２回書き込む動作とを含み、回転された書き込み機構での書き込みが非等方的特性を平均する方法において具体化することができる。加工片と書き込み機構との間の第１及び第２の相対移動方向を分離するより小さい夾角は、本明細書に記載の条件下で２０度以上、又は若干これ以下であってもよい。
【選択図】図１Ａ

Description

関連出願
本出願は、２０１０年１２月７日に出願された「Ｃｒｉｓｓ−ｃｒｏｓｓｗｒｉｔｉｎｇｓｔｒａｔｅｇｙ」と題する米国特許仮出願第６１／４２０，４１６号の利益を主張するものである。これはまた、２０１０年１２月１５日に出願された「Ｄｉｒｅｃｔｗｒｉｔｉｎｇｏｆｐａｎｅｌｓ」と題する米国特許仮出願第６１／４２３，５０３号の利益を主張するものである。これはさらに、２０１１年１月１８日に出願された「ＡｌｔｅｒｎａｔｉｖｅＤｉｒｅｃｔＰａｎｅｌＷｒｉｔｉｎｇＳｙｓｔｅｍｓａｎｄＭｅｔｈｏｄ」と題する米国特許仮出願第６１／４３３，９２５号の利益を主張するものである。

本明細書は、スイープ方向及びクロススイープ方向の異なる度合いのコヒーレンスから結果的に生じる非等方的特性を有する書き込み機構からの書き込み特徴の改善された等方性をもつマイクロリソグラフィパターンのクリスクロス書き込みに関する。

重要な寸法精度に対する増加する要件は、スナップエラー及びバイアスのようなマイクロリソグラフィパターンにおける時折の不規則性と周期誤差との両方を減らす様々な書き込み戦略につながった。バイアスのうちの１つは、Ｘ及びＹと表記される軸を有する図４を参照して説明することができる。これは、Ｘ軸に沿って加工片と書き込み機構との間で相対移動が生じる際に、インターレースされた書き込みビームをＹ軸に平行にスイープするために、音響光学偏向器、回転ミラー、又は他のデフレクタを用いることを例証する。

多くの書き込みアーキテクチャでは、異なる方向のイメージ特性間に不整合が存在する。特に、これは、音響光学変調器によって変調されている走査されたレーザビームについて及び一次元回折ＳＬＭの走査されたイメージに基づくシステムについて当てはまる。理由は他のタイプのシステムについて同じである。この方向の２つの隣接するピクセルが異なる時点で形成され且つ光学的に干渉しないように、線形サブイメージの横方向追加によってイメージが順次に構築される第１の方向が存在する。典型的には第１の方向に垂直である、別の方向において、隣接するピクセルはおおよそ同時に形成される。これは明らかに、隣接するピクセル間で同じコヒーレンスを有するように照射される一次元ＳＬＭに伴うケースである。しかし音響光学変調器によって変調される走査レーザビームのケースにおいてでさえも、変調器における１つのピクセルから次のピクセルへの遷移モーメントが存在し、この場合、２つのピクセルの部分がビームを同時に変調し、これにより同じ量の干渉を引き起こす。現象は、音響光学変調器における音の有限速度によって引き起こされ、加工片の表面にわたるビームの音響光学、ホログラフィック、回転、振動、又は機械的走査を用いるシステムに種々の量で存在する場合がある。隣接するピクセル間の干渉は、普通は、適正に設計される場合には、イメージ品質にとって有益である。光学系が両方向に同じＮＡを有する場合、干渉するピクセルによって画定されるエッジをもつ線（すなわち第２の方向に垂直な線）は、より良好な解像度を有し、又はこの方向のＮＡが同じ解像度に関して調節される場合、これらの線は著しくより良好な焦点深度を有する。アイソフォーカル（ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ）線量、すなわち最良の実効焦点深度を与える線量の差異も存在する。両方向の印刷を等しく良好にする、例えば等方的アイソフォーカル線量挙動を有するようにする要望がある。最も小さい焦点深度をもつ方向がシステムの実際に有用な合焦緯度を決定するので、最良の方向及び最悪の方向の特性間の平均である等方的特性は全体としてより能力のあるシステムを与える。

上記で説明されているのは、長手方向／ビーム走査方向対横方向の異なる量のコヒーレンスによってもたらされる非等方性である。コヒーレンスの差異は、例えばアイソフォーカル線量に影響を及ぼすイメージ特性に対して甚大な影響を有する。他のシステムは他の非等方性の源を有する可能性があり、開示される技術はまた、それらを減らすのに有用である可能性がある。

エラーを減らすための１つの試みは、ＰＣＴ出願ＷＯ２０１０／１３１２３９である。該引用特許出願の図１１Ａでは、１０１０と表記される単一のスイープ方向を用いること、及び例示的な２×３アレイの矩形ビームレットをもたらすことを教示しており、この場合、４５度の矩形ビームレットの２つの行の主軸間の差異に関して、１つの行におけるビームレットは＋２２．５度回転されており、他の行におけるビームレットは−２２．５度回転されている。図２及び図１１Ａで例証されるように、ビームレットは、変調後の変調器出力をスプリットし、且つビームレットが加工片に到達する前にビームレットの相対位置及び配向を再配置する光学系によって、ＳＬＭ又はＤＭＤから生成される。図２では、光学系が再配置するビームレットは１８１〜１８４と表記される。図１１Ａでは、再配置され及び回転される矩形ビームレットは１０００〜１００５と表記され、この場合、１０００〜１００２は＋２２．５度回転され、１００３〜１００５は−２２．５度回転されている。該引用特許出願は、書き込み性能の問題が、クロス走査１０１１方向に沿った性能が悪くなる状態で所謂走査１０１０方向に沿った正確さに有利に働くバイアスについて述べていない。反対に、該引用特許出願は、初めにほぼ等方的なイメージを与える二次元空間変調器（ＤＭＤ）の使用を教示する。該引用特許出願のフィールドによって書かれるのは、移動に起因するピクセルのスメアリングに由来するが、両方の回転されたイメージは同じ方向にスメアされる、部分イメージにおける非等方性だけである。したがって、イメージの異方性は、組み合わされたイメージにおいては各部分イメージと同じである。

同じ出願人による同時係属出願において開示される所謂１．５ＤＳＬＭは、おおよそ横方向に走査された一次元ＳＬＭのイメージ特性の非等方性を減らすための別の方法である。開示された技術は、非等方性をより完全になくすために１．５ＤＳＬＭと一緒に用いることができる。

パターンの正確さを改善し、マイクロリソグラフィパターンにおける走査方向とクロス走査方向との間のバイアス及び非等方性を減らし又はなくすための機会が生じる。より良好な、より正確なシステムが結果として得られる可能性がある。

一般に、説明される技術の一態様は、スイープ方向及びクロススイープ方向における異なる度合いのコヒーレンス相互作用から結果的に生じる非等方的書き込み特性を有する書き込み機構を適用する動作と、第１の書き込みと第２の書き込みとの間で加工片上に書き込まれるイメージパターンに対して回転される書き込み機構を用いてイメージパターンを加工片上に２回書き込む動作とを含み、回転された書き込み機構での書き込みが非等方的特性を平均する方法において具体化することができる。この及び以下の他の実施形態は、随意的に、以下で説明される特徴のうちの１つ又は複数を含む又はこれによって修正することができる。

直線状に動く書き込み機構と共にステージ上のクリスクロス書き込みの例を示す図である。弧状にスイープする書き込み機構と共にステージ上のクリスクロス書き込みの例を示す図である。ＳＬＭからのパターンを加工片上にフラッシュする従来のＳＬＭライタを例証する図である。従来の走査されたビームのインターレースを例証する図である。Ｘ軸に沿って加工片と書き込み機構との間で相対移動が生じる際に、音響光学偏向器、回転ミラー、又は他のデフレクタがインターレースされた書き込みビームをＹ軸に平行に走査する、従来の回転されない走査を例証する図である。革新的な回転された走査の例を示す図である。クロス・クロス走査のパターンを例証する図である。加工片上に変調された放射線を投射することができる回転アームライタを例証する図である。２つの経路の同時書き込みを提供する開示される技術の２つの実施形態を示す図である。

以下の詳細な説明は図面を参照してなされる。好ましい実施形態は、請求項によって定義されるその範囲を制限するためではなく、開示された技術を例証するために説明される。当該技術分野の当業者は、以下の説明に対する種々の等価な変形を認識するであろう。

開示された技術の一態様は、より良い及び悪いイメージング方向を有する書き込みシステムが、２つの書き込み動作（経路）の間で加工片上のパターンに対して回転されているより良い方向及び悪い方向を画定する光学系で２回書き込むことによってほぼ等方性にされることである。２つの経路は、同じ書き込みハードウェアで又は２つの異なる書き込みハードウェアの組で書き込むことができ、それらは１つの物理的ストロークでほぼ同時に、又は時間において分離された２つのストロークで書き込むことができる。それらが時間において分離される場合、加工片を経路間で回転させることができ、又は光学系の部分、例えばレーザビーム走査線を画定するスキャナ又は一次元ＳＬＭを回転させることができる。

走査レーザビームでの現在の書き込み戦略に伴う主な欠点のうちの１つは、アイソフォーカル線量、線量対サイズ、線量感度、解像度、及びＣＤ直線性において測定される場合のＸ及びＹ書き込み性能の固有の差異である。原則として、Ｘにおける性能はＹにおける性能よりも常に悪い。重要な寸法に対するますます厳しい要件が少なくともダブルパス印刷を必要とするので、固有のＸ／Ｙ差を減らすための機会が存在する。走査を、Ｘ移動を補償するためだけでなく、２０〜４５度までの大きい角度で回転させることによって、Ｘ及びＹにおける特性をより一様に混合することができ、印刷性能がさらに等方的になるであろう。

図１Ａは、直線状に動く書き込み機構及び書き込みプロジェクタと共にステージ上のクリスクロス書き込みの例を示す。この例は、譲受人のＬＲＳシリーズのマスクライタのような走査ビームシステム、又は譲受人のＬＤＩ５シリーズのシステムのような図２で例証される場合の空間光変調器（ＳＬＭ）ベースのシステムのいずれかに当てはめることができる。この手法を適用することができる可能性があるステージ構成は、円筒走査、ロータ走査、スプリット軸高速ｙ走査、スプリット軸高速ｘ走査、単一ストローク走査、及びＸＹステージ走査を含む。円筒走査では、加工片がドラムの周りに巻きつけられる。ロータ走査では、加工片の表面を高速で走査するために平坦な加工片に垂直な回転軸をもつロータが用いられる。ドラムの回転軸に沿ったヘッドの動きと組み合わされたドラムの回転によって相対移動が生じる。スプリット軸高速ｙ走査では、インターレースが必要とされないように、投射要素がクロス走査方向に非常に高密度に実装される。複数の投射要素が単一パスで同じ領域にわたってスイープし、必要とされる経路の数を減らしてもよい。いずれの書き込み機構もステージの上のアームに対してＸ方向とＹ方向との両方に動いてもよい。スプリット軸高速ｘ走査では、書き込み要素は離間され及びインターレースされる。領域を埋めるためにインターレースされるビームに関して複数のスイープが必要とされる。ステージが第２の軸に沿って比較的ゆっくりと動く際に、書き込み機構を１つの軸に沿って比較的速く運ぶアームによって相対移動が生じる場合がある。単一ストローク走査では、コピー機又は紙スキャナが機能するのとほとんど同じに領域を埋めるのに書き込み機構が単一のスイープだけを必要とする、十分な書き込み要素が提供される。ＸＹステージでは、ステージは、Ｘ方向とＹ方向との両方に、他の方向よりも一方向により速く動く。一般に、図１Ａは、結果として得られるストリップが実質的に直線状に投射されるときの加工片と書き込み機構との間の相対移動に当てはまる。

図１Ａでは、加工片１００は、ステージ（図示されない）又はドラム上にある。加工片１００と書き込み機構との間の相対的な動きが、上記で説明された様態のうちのいずれかで生じる。第１の相対移動方向１１１は矢印１０１で示される。第２の相対移動方向１１２は矢印１０２で示される。この例証では、水平方向と相対的な動きの方向との間の方位角は４５度であり、そのため、矢印１０１、１０２間の夾角１１５は９０度である。２０〜４５度の範囲内の、相対的な動きの他の大きい方位角では、夾角のうちのより小さいものは、４０から９０度までの範囲にわたる。ｘ及びｙにおいて同じ格子サイズをもつ直交格子（Ｃａｒｔｅｓｉａｎｇｒｉｄ）に関する同一のピクセル格子（又は同一であるが例えばｘ及びｙにおいて単位の半分だけ経路間で変位される）を与える２つの経路間の９０度の回転角は、多くの場合において最適な場合がある。９０度よりも小さい回転角は、より広いスワス（ｓｗａｔｈ）を与える、すなわち、走査線又はＳＬＭはステージ移動方向に対してより垂直である。同時に、より小さい回転は、良い特性と悪い特性との間のあまり良くない平均を与える。一方、９０度よりも大きい回転は、より狭いスワスとあまり良くない平均との両方を与える。９０度とは異なる回転は、矩形、斜角形（ｏｂｌｉｑｕｅ）、又は六角形の格子による使用を強いる又はこれに強制されてもよい。したがって、最も有用な角度は９０度であるが、特定の場合の設計の考慮事項は、必要に応じて回転を６０度に下げ、極端な場合には４０度に下げる可能性がある。同様に、約１２０度までの回転が用いられてもよい。すべての場合において、理論値から＋／−２又はさらには＋／−４度だけ角度を調節することを命令するステージのｘ速度の補償のような二次考慮事項が存在する可能性がある。

加工片は、マンハッタンのスカイラインから取り入れた用語である、所謂マンハッタン・パターンで書き込まれるものとして例証される。パターンの第１の優勢な方向１４１と第２の優勢な方向１４２は実質的に垂直である又は直交する。他のパターンでは、付加的なパターン特徴が、水平に及び垂直にではなく、４５度及び１３５度の配向に沿ってレイアウトされてもよい。幾つかのタイプのパターンにおいて他の配向角が生じるが、それらはあまり一般的ではない。

上述のように、一方はスイープされたビームを使用し、他方はＳＬＭのような微小機械変調器からの投射ビームレットを使用する、２つの異なる書き込みプロジェクタが例証される。微小機械変調器の他の例は、ＤＭＤ、回折格子ライトバルブ（ＧＬＶ）、液晶シャッタ、及び微小機械シャッタを含む。書き込みプロジェクタは、両方のタイプのライタの相対移動の方向と実質的に垂直である。ビームをスイープする書き込みプロジェクタに関して、スイープ１２１、１２２の方向は、相対移動１１１、１１２の方向を示す矢印１０１、１０２とほぼ垂直１２５である。タイミング、アラインメント、及び他の考慮事項に応じて、角度は、垂直から２〜３度ほど外れていてもよく、依然としてほぼ垂直であると考えられる。微小機械変調器を用いる書き込みプロジェクタに関して、書き込みプロジェクタ１３１、１３２は、変調器（又は変調器からの放射をリレーする光学素子）の主軸が矢印１０１、１０２とほぼ垂直であるという意味ではほぼ垂直である。この配置は、相対移動中に比較的広い投射されたストリップをもたらす。幾つかの実装では、微小機械変調器は、高速のデジタル電子装置でさえも即時ではないので、変調器要素の一連のローディングをオフセットさせるために回転される。ロードタイミング、アラインメント、及び他の考慮事項に応じて、角度は、垂直から２〜３度ほどであってもよく、依然としてほぼ垂直であると考えられる。

図２は、ＳＬＭから加工片上にパターンをフラッシュする従来のＳＬＭライタを例証する。このシステムは、図１Ａに描かれるように相対移動をもたらすことができるステージを有する。露光されるべき加工片はステージ２１２上にある。ステージの位置は、対になった干渉計２１３のような精密位置決め装置によって制御される。

加工片は、レジスト又は他の露光に敏感な材料の層で、又は直接書き込みのためにマスクされてもよく、これは、レジスト又は他の露光に敏感な材料の層をもつ集積回路であってもよい。第１の方向において、ステージは連続的に動く。第１の方向に概して垂直な他の方向において、ステージは、スタンプのストライプが加工片上に露出されるようにゆっくりと動くか又は段階的に動くかのいずれかである。この実施形態では、レーザパルスを発生させるパルス化エキシマレーザ光源２０７でフラッシュコマンド２０８が受信される。このレーザパルスは、深紫外（ＤＵＶ）又は超紫外（ＥＵＶ）スペクトル範囲内であってもよい。レーザパルスは、ビームコンディショナ又はホモジナイザによって照射光２０６に変換される。本明細書で開示される技術を適用することで、説明される照射器での連続するレーザは、特に加工片トラッキング光学系を伴うときに、パルスレーザと置き換えることができる可能性がある。

ビームスプリッタ２０５は照射光の少なくとも一部をＳＬＭ２０４に誘導する。パルスは、短時間、例えばほんの２０ｎｓの長さであり、そのためフラッシュ中にあらゆるステージ移動がフリーズされる。ＳＬＭ２０４は、パターンラスタライザ２０２によって処理されるデータストリーム２０１に応答する。１つの構成では、ＳＬＭは、それぞれ１６×１６μｍである２０４８×５１２ミラーを有し、且つ８０×８０ｎｍの投射されるイメージを有する。これは、各ストレージノードの０．５ミクロン上に形成される微小機械ミラーと共にＣＭＯＳアナログメモリを含む。

ストレージノードとミラーとの間の静電気力がミラーを作動させる。デバイスは、鏡面反射ではなく回折モードで機能し、十分にオンの状態から十分にオフの状態に移行するのに波長の１／４（２４８ｎｍでの６２ｎｍ）だけミラーを偏向させる必要がある。微細アドレスグリッドをもたらすために、ミラーは、オン、オフ、及び６３の中間値に駆動される。パターンは、ＳＬＭチップの数百万のイメージから一緒にステッチされる。フラッシュ及びステッチは、１秒につき１０００スタンプの速度で進む。ステッチ及び他のエラーをなくすために、パターンは、オフセットグリッド及びフィールドで４回書き込まれる。そのうえ、フィールドは、エッジに沿ってブレンドされてもよい。

ミラーは個々に校正される。エキシマ光に対して敏感なＣＣＤカメラが、光路内の最後のレンズの下のイメージに等しい位置に配置される。ＳＬＭミラーは、一連の既知の電圧を通じて駆動され、応答がカメラによって測定される。校正機能は書き込み中のグレースケールデータのリアルタイム補正のために用いられるべき各ミラーに関して決定される。データ経路内で、ベクトルフォーマットパターンがグレースケールイメージにラスタライズされ、この場合、グレーレベルは、４つの書き込み経路における個々のピクセル上の線量レベルに対応する。このイメージは、次いで、画像処理を用いて処理することができる。最後のステップはイメージをＳＬＭに関する駆動電圧に変換することである。画像処理機能はプログラム可能論理を用いてリアルタイムでなされる。関連特許出願に開示されている種々のステップを通じて、ラスタライザパターンデータは、ＳＬＭ２０４を駆動するのに用いられる値２０３に変換される。

図１Ｂは、書き込み機構が回転する際に回転する書き込みプロジェクタを用いて弧をスイープする書き込み機構と共にステージ上のクリスクロス書き込みの例を示す。書き込み機構の下のステージの第１の相対移動方向は矢印１５１で示される。書き込みプロジェクタのスイープは、回転する書き込みアームによって描かれる弧１８２にほぼ沿っている。書き込みプロジェクタのミラーは、アームに平行な投射軸をもつアーム上にマウントされ、スイープ中に比較的広いストリップを投射する書き込みプロジェクタによってスイープされる弧１８２にほぼ垂直である。ロータにおける光学系の設計に起因して、投射されるイメージは、書き込みミラーが回転し且つ弧をスイープする際に概ね回転されないままである可能性がある。アラインメント、軸外光学系、及び他の考慮事項に応じて、ほぼ垂直とは、垂直から２〜３度以内である。書き込みプロジェクタが弧をスイープするときに、書き込みプロジェクタの動きは、加工片及び書き込み機構全体の相対的な動きとは異なる経路に沿っている。

図面は、加工片と書き込み機構との間の相対的な動きが矢印１５２と位置合わせされるようにする加工片の回転をさらに示す。相対移動の方向１５１、１５２は垂直である。加工片上のスイープされる弧のクロスするパターンはパターン形成される領域にわたって変化するが、投射された書き込みイメージ１８１Ａ〜Ｂと１８２Ａ〜Ｂとを比較すると、第１及び第２の書き込み経路における投射された書き込みイメージが実質的に垂直であることは明らかである。

図７は、図１Ｂによって描かれる相対移動を伴う加工片上に変調された放射線を投射することができる回転アームライタを例証する。この図は、３つのアームとハブ７４８の両側の書き込まれる一対の加工片７１１、７１２とを伴うロータ走査システムを描く。図示のような回転式プリンタは、加工片上に２Ｄイメージを印刷してもよい。このシステムは１００％のデューティサイクルを有してもよい。各ロータは、６０度の弧を通して書き込む。１つのアーム７４０だけが、一度に、代替的に２つの加工片７１１及び７１２上に書き込む。レーザエネルギーは、２つのＳＬＭ７４７及び７４９間の偏光制御部７３２によって切り換えられ、データストリームもまたＳＬＭ間で切り換えられる。レーザ７２０及びデータ経路７３５は書き込みマシンの中で最も高価なモジュールなので、この実施形態は、レーザ及びデータチャネルを１００％の時間使用するように設計されており、一方、アームにおけるＳＬＭ及び光学系はそれぞれ５０％及び３３％のより低いデューティサイクルを有する。これは、例えば、３つの回転アーム７４０Ａ〜Ｃをもつ書き込みシステムの例である可能性がある。これらのアーム及びリレー光学系に関する種々の代替的設計が存在する。図は、概念上は、レーザ７２０と、回転アームにリレー７３２、７４７、７４９されるパターンをもたらす２つのＳＬＭ７３０にデータを送信するコントローラ７３５とを描いている。これは、各アームが各ＳＬＭの前でどのように動くか及び加工片７１１、７１２上に一連の同軸スタンプをどのように書き込むかを示す。２つの加工片がこの図に示されているが、そのサイズに応じてより多くの加工片をロータの下に配置することができる可能性がある。この例は書き込みシステムとして説明されるが、リレーの方向は、加工片からレーザ７２０がある場所に及びどこか他に位置決めされる一対の検出器に戻るまでくらいの簡単なものである可能性がある。代替的構成では、１つの加工片が用いられてもよいし、又は例えば４つのアームが用いられてもよい。回転アームライタに関するさらなる詳細は、例えば出願人による米国特許出願第２０１０／０１４２７５７号又は他の特許出願において見出される可能性がある。

この技術の幾つかの特に有用な用途は、ウェハの正面及び裏面、ＰＣＢ、ビルドアップ基板、インターポーザ基板、及びフレキシブル相互接続基板、並びにマスク、ステンシル、テンプレート、及び他のマスターのような電子基板上にパターンを書き込むことを含む。同様に、ロータライタは、ディスプレイにおけるパネル、電子ペーパ、プラスチック・ロジック、及び光電池にパターン形成するのに用いることができる。パターン形成は、フォトレジストの露光によって行うことができるが、熱又は光化学プロセス、溶融、蒸着、アブレーション、熱溶着、レーザ誘起パターン転写、アニーリング、熱分解、及び光誘起エッチング及び堆積のような光の他の作用を通じて行うこともできる。

このロータシステムは、カルテシアン・フラットベッド（Ｃａｒｔｅｓｉａｎｆｌａｔｂｅｄ）ｘｙステージの慣例的な動きを極性の走査する動き（ｐｏｌａｒｓｃａｎｎｉｎｇｍｏｔｉｏｎ）と置き換える。可能性ある利点は、高スループット、低コスト、及び機械的簡素さを含む。走査挙動は、直線の動きよりも高精度に構築するのが機械的により簡単である、回転する動きによってなされる。ロータの周縁上の点の位置の正確さは、ベアリングの品質及び角度エンコーダの正確さによって決定される。これらのコンポーネントの両方は、高品質で供給することができる。回転は、走査中の及び走査ストローク間の振動及び過渡的な力を減らす。良くバランスのとれたロータは、それらのモーメントを１ストロークにつき２回反転させる必要がある及びそうするときに強い外乱をもたらす往復直線運動をしながら、振動又は支持構造体への反力を本質的に生じない。ロータは、より少ない機械的オーバーヘッドと共により高い走査速度を有してもよい。幾つかのアームをもつロータは、書き込みのためにほぼ全円を用いる。例えば、４つのアームをもつロータは、８０度の弧を通して走査してもよい。円における３６０度から外れて、ロータは４×８０＝３２０度にわたって走査する。往復移動は、より多くの機械的オーバーヘッドを必要とする。往復移動に関するオーバーヘッドは、増加した走査速度と共により大きくなる。

ロータシステムは、非常に高いデータ転送速度及びスループットを有する可能性があり、これらの特徴が有用である他のタイプのパターン形成、すなわち、光硬化、印刷、エングレービング、セキュリティマーキングなどのために用いられてもよい。ロータは、高い回転速度、例えば６０、１２０、３００、６００ｒ．ｐ．ｍ以上であってもスムーズな移動及び小さい機械的オーバーヘッドを有する。ロータの周速度である走査速度は、比較できる往復システムよりも高い可能性があり、例えば２、４、８、２０ｍ／ｓ以上である可能性がある。

実際的な条件では、１つの実装は、２０ｇの求心加速度で１秒につき３．３周回る直径１メートルのロータを有するであろう。加速力は、重さ５０グラムのレンズが外方に１０Ｎの一定の力を感じることになるように、回転コンポーネントに対して一定の力を与える。４つのアーム及び回転速度により、システムは、往復ステージでは実際的ではない機械的速度である１０ｍ／ｓの周速度で１秒につき１３ストロークを書き込む。さらに、ベアリングの適正なバランス及び設計により、動きはスムーズとなり、高い機械的精度を有し、持続するのに小さいパワーを必要とするであろう。イメージジェネレータが、加工片上に１Ｄ部分イメージを生じるのに用いられる一定の２ＭＨｚフレームレートをもつ微小機械１ＤＳＬＭである場合、走査方向に沿って５ミクロン毎にＳＬＭの再ロードが行われることになり、ピクセルサイズは、１５ミクロン未満の線幅が書き込まれることを可能にする５×５ミクロンとすることができる可能性がある。８０００×１ピクセルを効果的に有する微小機械１ＤＳＬＭにより、各ストロークは、パターンで幅４０ｍｍのストライプを埋め、非直線走査に関する幾らかの減少を伴って、１秒につき０．３平方メートル又は１分につき２０平方メートルをカバーするであろう。これは他の書き込み技術に比べて非常に高いカバー率である。

開示される方法は、出願人が１．５ＤＳＬＭとして言及する１つ又は複数のＳＬＭを用いるロータシステム又は非回転システムにおいて実装されてもよい。このＳＬＭに関するさらなる詳細は、米国特許出願第２０１１／０２４２５１４号Ａ１において見出される可能性がある。従来の１ＤＳＬＭはＮ×１ピクセルを有する可能性があり、従来の２ＤＳＬＭは２０００×５００又は１０２４×７６８ピクセルを有する可能性がある。出願人は、デバイスをＮ×Ｍピクセルをもつ１．５ＤＳＬＭと呼び、ここでのＮは、１０２４、２０４８、４０９６、８１９２、又は１６３８４のような大きい数であり、Ｍは、２０以下のかなり小さい数であり、例えば２、３、４、５、６、８、１０、１５、又は２０ピクセルである。

ピクセルとは、データ経路において１つのユニットとして取り扱われ且つピクセル値を割り当てられる１．５ＤＳＬＭの領域を意味する。幾つかの場合、ピクセルは、単一のマイクロミラーであってもよく、他の場合には、ピクセルは、同じピクセル値によって制御されるミラーの集合体であってもよい。多くの小さいミラーが存在し、それらのクラスタがピクセルを形成する。回折動作に関して、ミラーは、アナログ様式で制御することができる、すなわち、それらはピクセル値によって決まる場合の多くの状態のうちの１つに設定することができる。別の重要な態様は、それらが回折によって、すなわち光の位相を制御し、ミラー内及びミラー間の干渉によりピクセルの強度を間接的に変調することによって機能することである。ミラーが予測可能な方法で互いに干渉するのに十分なだけ正確に作製されるならば、複数のミラーを１つのピクセルとして使用し、加工片上に依然として単一の回折が制限されたスポットを形成することができる。

１．５ＤＳＬＭの１つのピクセル内のミラーは同じピクセル値によって制御される。しかしながら、ミラーは全く同様に制御される必要はなく、例えば幾つかのミラーは左に傾けられ、他のミラーは右に傾けられてもよい。デバイスは、１．５ＤＳＬＭの長さ（水平）方向の幾つかのピクセル及び短い方向のデバイスの全幅にわたる領域の上を本質的にコヒーレントなレーザビームによって照射される。

１．５ＤＳＬＭは、従来技術とは異なり、好ましくは、長さ方向に部分的にコヒーレントな光によって、及び１つよりも多いピクセルにわたるコヒーレンスを伴う、短い方向のコヒーレント光分布によって照射される。特に、コヒーレンスは、短い方向にデバイス全体（又はその照射される部分）にわたってもよい。代替的に、短い方向の照射は、少数のコヒーレントであるがそれぞれが１つよりも多いピクセル又はデバイスの全幅にわたる相互にインコヒーレントの光分布からなってもよい。

１．５ＤＳＬＭの使用は、１ＤＳＬＭが悩まされる短い方向及び長さ方向の異なる特性を解像する一助となる。１ＤＳＬＭは、単位時間当たりに走査されたピクセルの数と少なくとも同じ高さの周波数で作動する、時には数十又は数百メガヘルツ範囲内の連続するレーザ又はパルスレーザをこれに照射することができるので、システム設計者にとって魅力的である。１ＤＳＬＭは光学場を効率よく使用し、これはアレイに垂直に又は或る角度をなしてのいずれかでスイープされることが可能である。これは直線又は曲線経路に沿ってスイープされることが可能である。

１．５ＤＳＬＭがイメージの非等方性をどのようにして緩和するかを説明するには、イメージング理論を考えることが有用である。長さ方向において、ＳＬＭは、部分的にコヒーレントな光によって照らされる。部分的コヒーレンスは、点が互いに近い場合に２つの点における電界が相互に関連付けられ、点が幾らかの距離だけ分離される場合に相互に関連付けられないことを意味する。相関の大きさは、分離距離の関数である。大きさは、コヒーレンス関数と呼ばれる。コヒーレンス関数は、コヒーレンス理論におけるＶａｎＣｉｔｔｅｒｔ−Ｚｅｒｎｉｋｅ定理によりＳＬＭを照射する光の角分布によって求められる。これは、その上に高コヒーレンスが存在する領域が３〜４ピクセルにわたるように選ばれるリソグラフィにおいては一般的ではない。コヒーレンス関数が分かれば、市販のソフトウェアを用いてイメージ特性を計算する又はシミュレートすることができる。イメージを計算するための１つの方法は、光源を相互にインコヒーレントなソース点のクラウドに分割し、各ソース点からの光によって生じるイメージを計算し、すべてのイメージを総和することである。

走査方向の１ＤＳＬＭからイメージを計算するために、１つには、走査中に各位置に対するコヒーレンスを呈するイメージを計算し、すべてのイメージを総和する。各イメージに関係するたった１つのピクセルが存在するので、隣接するピクセル間に干渉は存在しない。異なるピクセルのイメージが異なる時点で印刷される。

１．５ＤＳＬＭに関して、照射は短い方向に依然としてコヒーレントであるが、各イメージに対して２つ以上のピクセルが用いられ、それらは互いに干渉してもよい。１つのピクセルユニットによって動かされる加工片で次のイメージが計算され、ＳＬＭにロードされるデータがそれに応じて修正される。イメージは、イメージ線にわたって走査される間に生じたイメージの和である。若干驚くことに、これは、長さ方向に部分的にコヒーレントな照射によって生じた特性と同様の特性をもつイメージを与える。ＳＬＭにわたる照射の強度プロフィールは、長さ方向のコヒーレンス関数の関数を有する。小さい非対称性を得るために、短い方向の照射される領域は、長さ方向のコヒーレンス関数のサイズとほぼ同じサイズであるべきである。イメージは、コヒーレントイメージの和として容易に計算され、照射プロフィールは、イメージ特性を微調整するために例えばフーリエ平面内のフィルタで修正されてもよい。

開示される方法はまた、１つ又は複数の一次元ＳＬＭを、１．５Ｄ光学系とは対照的に、アナモルフィック光学系と組み合わせて用いるロータシステム又は非回転走査システムにおいて実装されてもよい。この構成に関するさらなる詳細は、米国特許出願第２０１０／０２０８３２９号Ａ１で見出される。少なくとも１つの一次元ＳＬＭを照射するために光源（アーク灯、ガス放電、レーザ、レーザのアレイ、レーザプラズマ、ＬＥＤ、ＬＥＤのアレイなど）が用いられてもよい。反射された（又は一般的なケースでは透過された）放射線が、加工片上に線セグメントとして投射される。ＳＬＭを駆動するデータは、露光されたイメージを構築するために加工片が走査される際に変化する。強くアナモルフィックな光学系は、列（又は行）における複数のミラーからのエネルギーをイメージの中の点に集中させ、二次元の照射されたアレイ全体が加工片にわたってスイープされる細い線セグメントを形成する。一次元において、アナモルフィック光学系は、照射された領域を例えば２ｘ〜５ｘだけ縮小し、そのため、ＳＬＭ、例えば幅およそ６０ミリメートルのＳＬＭは、長さ３０〜１２ｍｍの線セグメント上にイメージングするであろう。ＳＬＭの短い寸法に沿って、アナモルフィック光学系は、幅３ミクロンのような細い領域、すなわち本質的に単一の解像された線上に合焦するために、ミラーの列を強く縮小する。代替的に、領域は、幅１又は５ミクロン、若しくは幅１０ミクロン未満とすることができる可能性がある。幅３ミクロンの領域上への合焦は、およそ２４０ミクロンから３ミクロンへの８０ｘ縮小を含むことができる可能性がある。アナモルフィック光路は、個々のミラーが組み合わされ且つイメージ平面で解像されない程度にミラーの行を縮小する。関連出願で説明されるように、ＳＬＭは、ＳＬＭの１つの寸法に沿って鋭い合焦状態にあり且つ他の寸法に沿って焦点を外される平面内に配置することができる可能性がある。これはレンズ系の重要度を減少させるであろう。

アナモルフィック光学系は、多くの方法で設計することができる。１つの設計は、ＳＬＭの２つの軸方向の間の大きい倍率の差（典型的には縮小）を伴って少なくとも１つのＳＬＭから加工片にイメージを投射する。これは設計し及び作製することが光学的に難しく、２つの軸方向の倍率の差をより大きくすることはさらに難しい。こうしたシステムは、２つの軸方向の両方に関する焦点をＳＬＭ表面に位置付けることになるが、第１の方向における縮小率はとても高く、ＳＬＭ上の二次元の照射された領域が１つの線につぶれる、すなわちＳＬＭの第１の方向のすべての照射された点がイメージの第２の方向の１つの解像されたスポット内に入ることになる。光学系を説明するための別の方法は、ミラーを一方向に解像するが他の方向には解像しないイメージを形成することである。イメージ平面における解像度は、２つの軸方向の間でほぼ同じであるが、ＳＬＭ平面においては大きい解像度の差が存在し、これにより、第１の軸方向の解像されるスポットは典型的に１．５〜２ミラーであり、第２の軸方向では、これは照射された領域よりも大きい。

対照的に、上記で説明された少なくとも１つの１．５ＤＳＬＭは、あまりアナモルフィックでない光学系と組み合わせて用いられるであろう。マイクロミラーがそれぞれ１０ミクロンの長軸に沿って投射された幅を有する１つの実装では、５行のマイクロミラーは、イメージにおけるピクセルの２つの寸法が本質的に等しい又は１：２〜２：１の範囲内であることを意味する、イメージ平面上に投射されたミラーを本質的に四角形にする、５０ミクロンの細いアクセスに沿って投射された高さを有する可能性がある。このさらに制限された縮小により、単一のピクセルとして機能するミラーの個々の一団は、場所が重なり合う場合には個別に投射されるであろう。したがって、細い軸に沿った干渉及び回折効果は、コヒーレント効果をもたらすであろう。すなわち、整合する位相をもつ隣接するミラーからの重なり合う投射は、加法的振幅を有するであろう。反対の位相をもつ重なり合う投射は、減法的振幅を有するであろう。

図３は、走査されたビームの従来のインターレースを例証する。１５のビームが図に行３１１、３１２、及び３１３で描かれる。ビームは、例証される行アラインメントにほぼ垂直な方向に走査３２１、３２２、３２３する。ビームは、隣接するビーム間の干渉を引き起こすことなくクロス走査水平方向のビーム分離を減少させるために、ｄ−ｐｌａｔｅと表記された距離だけ水平方向と垂直方向の両方に離間される。これは、クロス走査方向の比較的密接した間隔と共に、コヒーレント源及び部分的にコヒーレント源を使用できるようにする。

図４〜図５は、従来のビームのインターレースされた走査を回転された走査と対比させる。両方の例は、どのようにして４つの連続した走査がインターレースされ、次の走査ストライプと整列されるかを示す。図４の回転されない走査では、ＳＬは走査長さであり、且つまたストライプ幅ＳＷは、すべてのビームを含む走査の全幅であり、ＳＳは２つの走査間のＸにおける距離である。

図４は、Ｘ軸に沿って加工片と書き込み機構との間で相対移動が生じる際に、音響光学偏向器、回転ミラー、又は他のデフレクタがインターレースされた書き込みビームをＹ軸に平行に走査する、従来の回転されない走査を例証する。ビームは、ＳＳと表記された距離だけ離間される。空間的に分離されたビームのアレイは、ＳＷと表記された幅にわたる。走査機構は、ビームをＳＬと表記された距離にわたって走査する。この矩形の回転されない走査では、スイープされた面積は、ＳＷ^＊ＳＬに等しく計算することができる。

図５は、革新的な回転された走査の例を示す。この例となる例証では、「ａ」と表記された角度はおよそ４５度である。２０〜４５度の範囲内の他の角度が用いられてもよい。代替的に、２０〜３０度の範囲内の角度が用いられてもよく、これは０、４５、９０、及び１３５度の配向に沿ってレイアウトされたパターンを含むパターンにとって有用である可能性がある。最も一般的には、５度以上回転された角度及びパターンにおける最も近い優勢な方向から１０度以上の角度が、回転された走査にとって有用である可能性がある。

図の比較は、各走査によってカバーされる面積が、走査が回転されるか又は回転されないかに関係なく同じであること、すなわち、加速及び遅延のようなオーバーヘッドなしの書き込み速度が同じであることを示す。しかしながら、有効走査長さ（ＳＬａ）は、回転される場合には短くなり、これにより、１／ｃｏｓ（ａ）の係数で走査ストライプの数が増加するであろう。加えて、露光速度は、２つの走査間のＸにおける距離が回転された走査（ＳＳａ）では増加するので同じ係数で増加するであろう。結果は、数パーセントのスループットの僅かな減少である。

図５は、回転された走査がストリップの重なりをよりかなり大きい領域にわたってどのように分布させるかをさらに例証する。回転されない場合、重なり領域は、１つのＹ座標に沿って位置し、一方、回転された場合、Ｘ及びＹの両方に分布される。斜め書き込みは、すべてのビームをすべてのエッジに寄与させることになり、エッジ粗度の位相は、繰り返しパターンにおける各特徴に関してランダム化される。結果は、結果的に或るタイプのムラ、特に「数学的な」及び「汚い（ｄｉｒｔ）」ムラの顕著な減少をもたらす可能性が高い。他のタイプのムラも同様に減少される可能性が高い。

図６は、クロス・クロス走査のパターンを例証する。左から右に上昇するストリップ６５１は、左から右に下降するストリップ６５２とほぼ垂直である。ストリップは単一の線６５３において始まるように示されるが、それらはクロス走査方向の密度を増加させるために図３及び図６で例証されるように互い違いにすることができる。

図８は、２つの経路の同時書き込みでの開示された技術の２つの実施形態を示す。図８Ａは、幾つかの一次元（又は１．５Ｄ）ＳＬＭからのイメージ８１４、８１６が同じ光学場８１０、例えば単一のレンズ系からの光学場に位置する実施形態を示す。光学場が加工片の表面にわたって動く８１２ときに、各ＳＬＭが１つのスワス８１８、８２０を書き込む。左に傾けられたＳＬＭからのスワス８１４は、時計の１：３０／７：３０方向の高コヒーレンス方向でスワス８１６を書き込む。反対に傾けられたＳＬＭ８１６は、１０：３０／４：３０の方向の高コヒーレンスでスワス又はストライプを書き込む。絵が示すように、スワスは書き込み後に重なり合い、イメージにおける点各は１：３０、４：３０、７：３０、及び１０：３０の方向の高コヒーレンスで及び同じ方向の低コヒーレンスで書き込まれる。したがって、イメージの光学特性、例えばアイソフォーカル線量及び焦点深度は、ほぼ等方性である。開示される技術は、所望の場合に、より多くの経路及びより大きい角度に一般化することができる。

図８Ｂは、システムを通る加工片８５０の１回の物理的通過で両方の経路を書き込むように構成されるロータスキャナを示す。これは、加工片が回転される代替的実施形態よりもより高いスループット及びより少ないオーバーヘッド時間を与える。ロータ８５０は、反対に回転されるＳＬＭイメージと共に２つのアーム８５６及び８４２を有する。ロータが回るときに、ＳＬＭのイメージは加工片の表面の上を動く。例となる実施形態では、ＳＬＭイメージ８４２は、ある範囲の場所、例えば８４４及び８４６を通した移動中に平行移動するが回転しない。したがって、ＳＬＭイメージは、湾曲したストライプ又はスワス８４８及び８５４を描く。加工片８５０は、段階的に又は連続的に動かされ８５６、加工片の領域が十分に書き込まれる８５８ように付加的なストライプが書き込まれる。加工片は、ロータを通過した後で、ＳＬＭイメージの異なる回転及びイメージ結果における非等方性の減少を伴って２回書き込まれている。例となる実施形態では、ＳＬＭイメージ間の角度は垂直ではなく、ロータの中心は加工片の中心からオフセットされる。ロータのオフセットは、ＳＬＭイメージが加工片８５８の移動方向に平行ではないときに変化するスワス幅の問題を解決する。方向８５８とＳＬＭ８５６、８４２のイメージとの間の角度は４５度未満である。これは、スワスの幅を異なる角度に関してほぼ一定に維持することができるので、イメージにあまり完全ではない等方性を与えるが、より高いスループットを与える。４５度を用いることは、より良好な光学的等方性を与えることになるが、ＳＬＭの方向は光学場の平行移動方向に対してより平行となる可能性があるため、スワスは一方の端においてより狭くなる可能性があるので、ＳＬＭに関するあまり効率的でない使用を与えることになる。実施形態は、２つだけのアームをもつ又はより多い数、例えば４、６、又は８のアームをもつように設計することができる。図８Ｂは、１８０度分離されていない光学場８５６及び８４２と共に説明されている。これは単に例証の目的のためである。光学場は、８５６及び８４４として又はそれらの間に他の角度をもって位置決めされてもよい。

データは、少なくとも２つの書き込み又は経路間で同一であってもよいし、又は同一でなくてもよい。グリッドは変位されてもよく、及び／又はストライプはシフトされてもよい。各経路におけるパターンのラスタ化は、経路がどのようにして書き込まれていくかに対する認識でなされてもよい。経路認識ラスタ化は、各経路における同一のデータに比べて品質を改善し、アーチファクトを減らす可能性がある。

本発明に係る方法は、例えばパターンデータを或る書き込み戦略又は経路に適合させることによって、及び／又は該特定の書き込み経路に関連するサブパターンに関する認識で、少なくとも２つの書き込み又は書き込み経路のうちの１つ、複数、又はそれぞれに関するパターンデータをラスタ化する動作、及び／又はどのようにして最後のイメージパターンが加工片、例えば少なくとも２つの書き込み又は書き込み経路によって生じる最後のイメージパターンのエッジ及び／又は特徴上に現れるべきかを認識している１つの書き込み経路に関連するサブパターンデータをラスタ化する動作をさらに含んでもよい。

幾つかの特定の実施形態
説明される技術は、スイープ方向及びクロススイープ方向の異なる度合いのコヒーレンスから結果として生じる非等方的特性を有する書き込み機構を適用する動作と、第１の書き込みと第２の書き込みとの間で加工片上に書き込まれるイメージパターンに対して回転される書き込み機構を用いてイメージパターンを加工片上に２回書き込む動作とを含み、回転された書き込み機構での書き込みが非等方的特性を平均する方法において具体化することができる。

この及び以下の他の実施形態は、随意的に、以下で説明される特徴のうちの１つ又は複数を含む又はこれによって修正することができる。

説明される技術の一態様は、少なくとも第１及び第２の書き込み経路において走査された放射エネルギービームを用いて加工片上に書き込む動作を含み、第１及び第２の書き込み経路が実質的に直交する第１及び第２の書き込み経路のレーザスイープ方向で配向される方法において具体化することができる。この及び以下の他の実施形態は、随意的に、以下で説明される特徴のうちの１つ又は複数を含む又はこれによって修正することができる。

別の例は、加工片上にマイクロリソグラフィパターンを書き込む方法であって、加工片に対する第１の方向の加工片と書き込み機構との間の第１の相対移動をもたらすこと、書き込みプロジェクタ及び加工片の相対的な動きにほぼ垂直な第１の角度で配向される書き込みプロジェクタで第１の相対移動中にマイクロリソグラフィパターンの第１の経路を書き込むこと、加工片に対する第２の方向の加工片と書き込み機構との間の第２の相対移動をもたらすこと、及び書き込みプロジェクタ及び加工片の相対的な動きにほぼ垂直な第２の角度で配向される書き込みプロジェクタで第２の相対移動中にマイクロリソグラフィパターンの第２の経路を書き込むことを含み、第１及び第２の方向が少なくとも２０度の最小夾角を画定する、方法である。代替的に、加工片及び書き込みプロジェクタの相対的な動きに垂直に配向されている書き込みプロジェクタの代わりに、投射されるイメージ（１８１Ａ〜Ｂ、１８２Ａ〜Ｂ）は、加工片及び書き込み機構の相対的な動きに垂直に配向されてもよい。

随意的に、第１の方向又は第２の方向のいずれも第１及び第２の通過中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に平行又は垂直ではない。

随意的に、第１の方向と第２の方向はほぼ垂直である。

随意的に、第１の方向と第１の書き込み通過中の書き込みプロジェクタ及び加工片の相対的な動きは平行である。

随意的に、書き込みプロジェクタは、第１の方向にほぼ垂直な方向の第１の書き込み通過中にエネルギービームを走査する。

随意的に、方法は、書き込み機構においてＳＬＭを用いることをさらに含み、書き込みプロジェクタにおいてレーザビームスキャナを用いること及び／又は書き込み機構において複数のレーザビームを用いることをさらに含む。

随意的に、第１の方向は、第１及び第２の通過中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に対しておよそ４５度＋／−２度の範囲内であり、第２の方向は、第１の方向に対しておよそ９０度＋／−４度の範囲内である。

随意的に、第１の方向は、第１及び第２の通過中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に２５度から６５度までの間であり、第２の方向は一次線配向に平行又は垂直に概して反射される。

随意的に、方法は、複数の放射エネルギービームで各経路を書き込むこと、送達される最大放射エネルギーが加工片にわたって変化し、且つストリップの中央よりもストリップのエッジにおいてより少ないように、複数の放射エネルギービームのうちの幾つかの開始点及び終了点を加工片に対して互い違いにすること、及び隣接する書き込みスイープの重なり合うストリップを書き込み、隣接するストリップの重なり領域において複数の放射エネルギービームを変調するときに複数の放射エネルギービームを互い違いにすることを考慮に入れることをさらに含む。

Claims

加工片上にマイクロリソグラフィパターンを書き込む方法であって、
スイープ方向及びクロススイープ方向における異なる度合いのコヒーレンス相互作用から生じる非等方的書き込み特性を有する書き込み機構を適用すること、
第１の書き込みと第２の書き込みとの間で加工片上に書き込まれるイメージパターンに対して回転される前記書き込み機構でイメージパターンを加工片上に２回書き込むこと、
を含み、前記回転された書き込み機構での書き込みが非等方的特性を平均する、
方法。
前記２つの書き込みの間の前記パターンに対する前記書き込み機構の回転が４０〜１２０度の範囲内である、請求項１に記載の方法。
前記２つの書き込み間の前記書き込み機構の移動方向に対する前記書き込み機構の回転が４０〜１２０度の範囲内である、請求項１に記載の方法。
前記第１及び第２の書き込みが第１及び第２の方向に進み、前記第１の方向又は前記第２の方向のいずれも前記第１及び第２の書き込み中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に平行又は垂直ではない、請求項１に記載の方法。
前記第１及び第２の書き込みが第１及び第２の方向に進み、前記第１の方向と第２の方向がほぼ垂直である、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の方法。
前記書き込み機構においてＳＬＭを用いることをさらに含む、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の方法。
前記書き込みプロジェクタと前記加工片との間の相対的な動きの第１の方向にほぼ垂直な方向の前記第１の書き込み中に書き込みプロジェクタがエネルギービームを走査する、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の方法。
前記書き込み機構においてレーザビームスキャナを用いることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
前記書き込み機構において複数のレーザビームを用いることをさらに含む、請求項１から請求項８までのいずれかに記載の方法。
前記第１及び第２の書き込みが第１及び第２の方向に進み、前記第１の方向が前記第１及び第２の書き込み中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に対しておよそ４５度＋／−２度の範囲内であり、前記第２の方向が前記第１の方向に対しておよそ９０度＋／−４度の範囲内である、請求項１から請求項９までのいずれかに記載の方法。
前記第１及び第２の書き込みが第１及び第２の方向に進み、前記第１の方向が前記第１及び第２の書き込み中に形成されるマイクロリソグラフィパターンにおける第１の優勢な方向に２５度から６５度までの間であり、前記第２の方向が一次線配向に平行又は垂直に概して反射される、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の方法。
複数の放射エネルギービームで各書き込み経路を書き込むこと、
送達される最大放射エネルギーが前記加工片にわたって変化し、且つ前記ストリップの中央よりも前記ストリップのエッジにおいてより少ないように、前記複数の放射エネルギービームのうちの幾つかの開始点及び終了点を前記加工片に対して互い違いにすること、
隣接する書き込みスイープの重なり合うストリップを書き込み、隣接するストリップの重なり領域において複数の放射エネルギービームを変調するときに複数の放射エネルギービームを互い違いにすることを考慮に入れること、
をさらに含む、請求項１から請求項１１までのいずれかに記載の方法。
請求項１から請求項１１までに記載の方法のいずれかを用いて加工片上に書き込む走査制御ハードウェア及びソフトウェアを含むマイクロリソグラフィ書き込みシステム。