JP2014239086A - Process of manufacturing organic thin-film solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特に、塗布法を用いて有機薄膜太陽電池を製造する際に好適に用いられる有機薄膜太陽電池の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and particularly relates to a method for manufacturing an organic thin film solar cell that is suitably used when an organic thin film solar cell is manufactured using a coating method.
有機薄膜太陽電池は、一般的に複数の単位セル(以下、光電変換素子と称す場合がある)から構成されているが、その製造工程において、単位セルを形成するために各層を成膜した後にレーザースクライブによりパターニングを行う方法やマスクを用いて、各層を成膜する方法が採用されている。
特許文献1には、マスクを用いて下部の電極を形成し、複数の光電変換素子が直列接続した有機太陽電池の製造例が記載されている。また特許文献2では、下部の透明電極をレーザーにより加工し、直列接続を行う方法が提案されている。これらの方法は、その手段は異なるが、いずれも活性層である有機層が成膜される前に、セルを構成する下部の電極が隣り合うセルの下部電極と、完全に電気的に絶縁される。
Organic thin-film solar cells are generally composed of a plurality of unit cells (hereinafter sometimes referred to as photoelectric conversion elements). In the manufacturing process, after forming each layer to form a unit cell A method of patterning by laser scribing or a method of forming each layer using a mask is employed.
本発明者らが検討したところ、特許文献1や特許文献2に記載される方法で有機薄膜太陽電池を作製した場合、基板上に成膜・パターニングされた下部電極がそれぞれ帯電してしまうことが判明した。下部電極への帯電は、下部電極上に有機層やその他の層を積層する際に、均一な膜形成を著しく妨げる。不均一な膜が形成されると、外観を損ねるだけでなく、有機薄膜太陽電池自体が本来の性能を発揮できなくなる。また、塗布法により、活性層として有機層を形成する場合には、引火性のある有機溶剤を用い、かつ、ドライルーム環境下において塗布が行われることから、下部電極の帯電により静電気爆発等が起こる可能性があり、安全性も懸念される。
本発明は、上記問題を解決するものであり、変換効率と生産性に優れた有機薄膜太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。
When the present inventors examined, when the organic thin film solar cell was produced by the method described in
This invention solves the said problem, and makes it a subject to provide the manufacturing method of the organic thin-film solar cell excellent in conversion efficiency and productivity.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ね、光電変換素子が直列に接続されたモノリシック構造を有する有機薄膜太陽電池を製造する工程において、各光電変換素子を構成する下部電極が、互いに電気的に接続された状態で、活性層の成膜を行うことで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。 The inventors of the present invention have made extensive studies to solve the above problems, and in the process of manufacturing an organic thin film solar cell having a monolithic structure in which photoelectric conversion elements are connected in series, the lower electrodes constituting each photoelectric conversion element are The inventors have found that the above problem can be solved by forming an active layer while being electrically connected to each other, and have completed the present invention.
本発明は、基板上に、少なくとも下部電極、活性層、及び上部電極により構成される、複数の光電変換素子を有する有機薄膜太陽電池の製造方法であって、
各光電変換素子を構成する下部電極が、互いに電気的に接続された状態で、前記活性層を塗布法により成膜することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法である。
また、前記上部電極を成膜した後に、前記下部電極をパターニングすることにより、前記下部電極を互いに分離することが好ましい。
また、前記パターニングをレーザースクライブで行なうことが好ましい。
The present invention is a method for producing an organic thin-film solar cell having a plurality of photoelectric conversion elements composed of at least a lower electrode, an active layer, and an upper electrode on a substrate,
In the organic thin film solar cell manufacturing method, the active layer is formed by a coating method in a state where lower electrodes constituting each photoelectric conversion element are electrically connected to each other.
The lower electrodes are preferably separated from each other by patterning the lower electrode after forming the upper electrode.
The patterning is preferably performed by laser scribe.
本発明によると、モノリシック構造を有する有機薄膜太陽電池を製造する際において、基板上に成膜した下部電極の帯電を大きく減らすことができ、ムラなく均一に、下部電極上に活性層を形成することが可能となる。その結果、変換効率と歩留まりの向上した有機薄膜太陽電池を提供できる。加えて、作業安全性の向上も実現できる。 According to the present invention, when manufacturing an organic thin film solar cell having a monolithic structure, the charging of the lower electrode formed on the substrate can be greatly reduced, and the active layer is formed uniformly on the lower electrode without unevenness. It becomes possible. As a result, an organic thin-film solar cell with improved conversion efficiency and yield can be provided. In addition, work safety can be improved.
以下、本発明について、具体的な態様を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨、及びその範囲から逸脱することなく、その形態、及び詳細を様々に変更し得ることを当業者は容易に理解する。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分、又は同様な機能を有する部分には、同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法は、基板を枚葉として個別に扱ってもよいし、ロール・ツー・ロールによる連続搬送作業にて取り扱ってもよい。どちらの場合も塗布成膜時には下部電極のアースを取ることが好ましい。生産性の面からはロール・ツー・ロール形式が好ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail while showing specific embodiments. However, the present invention is not limited to the following description, and those skilled in the art will readily understand that the form and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Note that in the structures of the present invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated.
In the method for producing an organic thin film solar cell of the present invention, the substrate may be handled individually as a single wafer, or may be handled by a roll-to-roll continuous conveyance operation. In either case, it is preferable to ground the lower electrode during coating film formation. From the viewpoint of productivity, the roll-to-roll method is preferable.
本発明の実施態様に係る有機薄膜太陽電池の製造方法は、各光電変換素子が有する下部電極が電気的に接続された状態で活性層を塗布法により成膜する工程を含む。
本実施態様により製造される有機薄膜太陽電池は、複数の光電変換素子が直列接続したモノリシック構造の直列アレイを1つ以上有する。モノリシック構造を有する有機薄膜太陽電池は、上記基板上に少なくとも下部電極、活性層及び上部電極を成膜する工程と、成膜された膜を分割する工程を経て、製造することができる。なお、このようなモノリシック構造を形成するためには、隣り合う光電変換素子を直列に接続させるために必要な部分に開溝を形成するための下部電極のパターニングに加えて、直列アレイを形成するための絶縁開溝を形成する下部電極のパターニングも必要となる。なお、一枚の基板に一つの直列アレイを形成してもよいし、複数の直接アレイを形成してもよい。複数の直列アレイは、該パターニングにより、複数の直列アレイがそれぞれ電気的に絶縁させるように絶縁開溝を設けて、形成することができる。
The manufacturing method of the organic thin-film solar cell which concerns on the embodiment of this invention includes the process of forming an active layer into a film by the apply | coating method in the state in which the lower electrode which each photoelectric conversion element has was electrically connected.
The organic thin-film solar cell manufactured by this embodiment has one or more series arrays of a monolithic structure in which a plurality of photoelectric conversion elements are connected in series. An organic thin film solar cell having a monolithic structure can be manufactured through a step of forming at least a lower electrode, an active layer, and an upper electrode on the substrate, and a step of dividing the formed film. In order to form such a monolithic structure, a series array is formed in addition to patterning of the lower electrode for forming an open groove in a portion necessary for connecting adjacent photoelectric conversion elements in series. Therefore, it is necessary to pattern the lower electrode for forming an insulating groove for the purpose. One serial array may be formed on one substrate, or a plurality of direct arrays may be formed. The plurality of series arrays can be formed by providing an insulating groove so that the plurality of series arrays are electrically insulated from each other by the patterning.
従来の薄膜太陽電池の製造方法における下部電極のパターニングについて、図1及び図3を用いて説明する。
図1は、複数の単位セルが直列接続したモノリシック構造を有する、従来技術に係る直列アレイの上面模式図である。図1(a)は、基板上に積層された下部電極のパターニン
グを示す。図1(a)の上下方向に、光電変換素子を直列に接続させるため、下部電極は、直列接続方向に対して垂直方向にパターニングが施される。このパターニングにより第1の開溝41が形成される。同様に、直列アレイを形成するために、下部電極のパターニングを行い、絶縁開溝46が形成される。
なお、絶縁開溝46は、直列接続方向に対して垂直方向だけではなく、平行方向にも形成される。そして、第1の開溝41及び絶縁開溝46により、各光電変換素子を構成する下部電極は、他の下部電極と完全に分離され(下部電極のアイランド化)、互いに電気的に絶縁された状態(以下、電気的に接続されていない状態と称す場合がある。)となる。その後、活性層及び上部電極を成膜しパターニングを行うことで、図1(b)に示すように、直列アレイ30、30´が製造される。
The patterning of the lower electrode in the conventional method for manufacturing a thin film solar cell will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic top view of a conventional serial array having a monolithic structure in which a plurality of unit cells are connected in series. FIG. 1 (a) shows patterning of the lower electrode laminated on the substrate. In order to connect the photoelectric conversion elements in series in the vertical direction of FIG. 1A, the lower electrode is patterned in a direction perpendicular to the series connection direction. A first
The insulating
また、図1におけるA−A´方向断面図を図3に示す。
図3(a)は、図1(a)におけるA−A´方向の断面図であり、基板上に下部電極を形成した後に行う下部電極のパターニング工程を示し、図3(e)は、図1(b)におけるA−A´方向の断面図であり、上部電極形成後のパターニング工程を示す。
FIG. 3 shows a cross-sectional view in the AA ′ direction in FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view in the AA ′ direction in FIG. 1A, showing a patterning process of the lower electrode performed after forming the lower electrode on the substrate, and FIG. It is sectional drawing of the AA 'direction in 1 (b), and shows the patterning process after upper electrode formation.
このように、従来の有機薄膜太陽電池の製造方法においては、各光電変換素子を構成する下部電極が、形成される直列アレイ間でも互いに分離され、電気的に絶縁された状態で、下部電極上に活性層が成膜されていた。しかしながら、各光電変換素子を構成する下部電極が互いに分離され、電気的に接続されていない状態で、下部電極上に有機材料を塗布成膜し、活性層を形成しようとすると、活性層を均一に成膜することができず、ムラが発生してしまうことが判明した。
すなわち従来の方法では、光電変換素子を構成する各下部電極が互いに分離され、電気的に絶縁されているために、静電気等の発生により、下部電極が帯電してしまう。そして、下部電極が帯電した状態で、下部電極上に活性層やその他の層を塗布成膜すると、下部電極の帯電により、塗布成膜用のインクを弾いてしまい、均一な膜を形成することができなくなり、ムラが発生してしまう。また、活性層にムラが発生してしまうと、有機薄膜太陽電池の外観を損ねるだけでなく、各光電変換素子自体が本来の性能を発揮できなくなる。さらに、塗布法により有機薄膜太陽電池を構成する光電変換素子を製造する場合には、引火性のある有機溶剤を用い、かつ、ドライルーム環境下において塗布が行われることから、下部電極の帯電により静電気爆発等が起こる可能性があり、安全性も懸念される。
As described above, in the conventional method for manufacturing an organic thin film solar cell, the lower electrodes constituting the photoelectric conversion elements are separated from each other even between the formed series arrays, and are electrically insulated from each other. An active layer was formed. However, when the lower electrode constituting each photoelectric conversion element is separated from each other and not electrically connected, an organic material is applied on the lower electrode to form an active layer. It was found that the film could not be formed and unevenness occurred.
That is, in the conventional method, since the lower electrodes constituting the photoelectric conversion element are separated from each other and electrically insulated, the lower electrode is charged due to generation of static electricity or the like. Then, when an active layer or other layer is coated on the lower electrode while the lower electrode is charged, the lower electrode is charged to repel the ink for coating and form a uniform film. Will not be possible and unevenness will occur. Further, if the active layer becomes uneven, not only the appearance of the organic thin film solar cell is impaired, but each photoelectric conversion element itself cannot exhibit its original performance. Furthermore, when manufacturing a photoelectric conversion element constituting an organic thin-film solar cell by a coating method, a flammable organic solvent is used and coating is performed in a dry room environment. There is a possibility that an electrostatic explosion may occur, and there is a concern about safety.
一方で、本発明の実施態様を示す図2(a)では、活性層を塗布法により成膜する工程の前には、光電変換素子を直列に接続するための第1の開溝41のみを形成するように下部電極のパターニングを行い、直列アレイを形成するためのパターニングは行わない。そのため、光電変換素子を構成するそれぞれの下部電極は、形成される直列アレイ間で互いに分離することなく、電気的に接続されているために、静電気等が発生しても、除電されて下部電極への帯電が生じなくなる。そのため、下部電極上に活性層を塗布成膜しても、インクが電荷により弾かれることがなく、活性層を均一に成膜することができ、変換効率と歩留まりの向上した光電変換素子を提供できる。なお、本発明において、各光電変換素子を構成する下部電極が、互いに電気的に接続された状態とは、図2(a)に示すように、直列アレイを形成するための下部電極のパターニングを行う前の状態で、各光電変換素子を構成する下部電極が互いに分離されていない(アイランド化されていない)状態、又は、互いに分離された、各光電変換素子を構成する下部電極が、表面抵抗率が100Ω/sq以下の部材を介して、互いに接続されている状態を意味する。例えば、パターニングにより互いに完全に分離された、各光電変換素子を構成する下部電極が、表面抵抗率が100Ω/sq以上である酸化亜鉛層を介して、互いに接続している場合は、各光電変換素子を構成する下部電極が、互いに電気的に接続するとはみなさない。
そして、図2(b)及び(c)に示すように、上部電極が成膜された後に、下部電極のパターニングを再度行い、絶縁開溝45を形成する。こうして、下部電極は、完全に他の
下部電極と分離された状態となり、直列アレイが形成される。
On the other hand, in FIG. 2A showing the embodiment of the present invention, only the
Then, as shown in FIGS. 2B and 2C, after the upper electrode is formed, the lower electrode is patterned again to form the insulating
以下、本発明の具体的な実施態様について図面を用いて更に説明する。
<1.パターニング>
図4は、本実施態様に係る複数の光電変換素子を有する有機薄膜太陽電池の製造工程を示す。一方で図3は、従来技術に係る有機薄膜太陽電池の製造方法について示した図である。
光電変換素子を構成するそれぞれの層をパターニングする方法は、一様な層の成膜後に、レーザースクライブやメカニカルスクライブなどで加工する方法が挙げられる。また、マスク成膜やスクリーン印刷を用いて特定のパターン形状を有する層を形成してもよく、本発明は例示する実施形態に限定されない。しかしながら、有効素子面積をより広く確保するために、微細加工が可能なレーザースクライブによりパターニングを行うことが好ましい。以下に、レーザースクライブによりパターニングし、単位セルを直列化した直列アレイを有する有機薄膜太陽電池の製造方法を例示する。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be further described with reference to the drawings.
<1. Patterning>
FIG. 4 shows a manufacturing process of an organic thin film solar cell having a plurality of photoelectric conversion elements according to this embodiment. On the other hand, FIG. 3 is the figure shown about the manufacturing method of the organic thin-film solar cell based on a prior art.
Examples of a method of patterning each layer constituting the photoelectric conversion element include a method of processing with a laser scriber or a mechanical scribe after the formation of a uniform layer. Further, a layer having a specific pattern shape may be formed using mask film formation or screen printing, and the present invention is not limited to the illustrated embodiment. However, in order to secure a wider effective element area, it is preferable to perform patterning by laser scribe capable of fine processing. Below, the manufacturing method of the organic thin-film solar cell which has the serial array which patterned by the laser scribe and serialized the unit cell is illustrated.
図4(a)の工程において、基板と下部電極が積層された積層体の下部電極表面をレーザースクライブによりパターニングすることで、開溝を形成する。
図4(a)の工程により、基板31の上に第1の開溝41を持つ下部電極32の直列接続部分を形成することができる。第1の開溝41の幅は通常5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは25μm以上であり、通常1000μm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは300μm以下、更に好ましくは100μm以下である。第1の開溝41の形成方法はレーザースクライブに限定されず、その他の方法としては、メカニカルスクライブ等が挙げられる。また、リフトオフ、マスク成膜、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット等の方法を用いて、第1の開溝41を設けるように下部電極32を形成してもよい。この際に、単位セルの直列接続に必要な部分のみの第1の開溝41を形成し、直列アレイを形成するためのパターニングは行わずに、光電変換素子を構成する下部電極32が他の下部電極と電気的に接続された状態にしておくことが重要である。
In the step of FIG. 4A, an open groove is formed by patterning the surface of the lower electrode of the laminate in which the substrate and the lower electrode are laminated by laser scribing.
4A, a serial connection portion of the
次に、図4(b)のとおり、下部電極32の上に下部バッファ層33、活性層34および上部バッファ層35を順次成膜する(以下、下部バッファ層33、活性層34および上部バッファ層35をまとめて光電変換層と呼ぶ場合もある)。下部バッファ層33を下部電極32の全面に形成する場合には、第1の開溝41は下部バッファ層33の材料で埋められる。また、下部バッファ層33を下部電極32上にパターン形成する場合には、第1の開溝41は下部バッファ層33の材料によって埋められないこともある。なお、本実施態様では、下部バッファ層33、活性層34及びバッファ層35をそれぞれ成膜する例を示すが、本実施態様はこれに限定されない。すなわち、本発明に係る有機薄膜太陽電池を構成する各光電変換素子は、上述の層の中でも、少なくとも活性層34のみを設けていればよく、下部バッファ層33及び上部バッファ層35は設けなくてもよい。
Next, as shown in FIG. 4B, the
次いで、図4(c)のとおり、下部バッファ層33の上に形成された活性層34、上部バッファ層35に、第1の開溝41と重ならないように、その近傍に数十μm〜1mm程度離れて下部電極32に達する第2の開溝42を形成する。第2の開溝42の形成方法は、レーザースクライブ法に限定されず、メカニカルスクライブ等の方法により行なってもよい。また、リフトオフ、マスク成膜、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット等の方法により第2の開溝42を設けるように下部バッファ層33、活性層34、及び上部バッファ層35を成膜してもよい。第2の開溝42の幅は通常5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは25μm以上、更に好ましくは50μm以上であり、通常1000μm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは200μm以下、更に好ましくは100μm以下である。第2の開溝42を形成するレーザーの波長は、通常20
0nm以上であり、250nm以上が好ましく、上限は、通常1200nm以下であり、900nm以下が好ましく、600nm以下がより好ましい。これにより下部バッファ層33、活性層34および上部バッファ層35は短冊状の形状に分離される。
Next, as shown in FIG. 4C, the
The upper limit is usually 1200 nm or less, preferably 900 nm or less, and more preferably 600 nm or less. As a result, the
次に、図4(d)のとおり、上部電極36を形成する。第2の開溝42は上部電極36の材料で埋められる。第2の開溝42は、単位セルの上部電極を隣接する単位セルの下部電極32と接続するためのものであるから、隣接する単位セルの下部電極32に達する深さに達していなければならない。第2の開溝42において下部電極は存在しなくてもよい。
Next, as shown in FIG. 4D, the
その後、図4(e)のとおり、上部電極36、上部バッファ層35、活性層34及び下部バッファ層33に第3の開溝43を形成して、単位セルに分割する。第3の開溝43の形成方法は、レーザースクライブに限定されず、メカニカルスクライブ等を用いてもよい。また、上部電極36をリフトオフ、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット等の方法により特定の箇所のみに形成し、隣り合う単位セルの下部電極32と電気的に接続させることもできる。第3の開溝43は隣接する単位セルの上部電極36を分割するものであるから、活性層34を突き抜けずに活性層34の途中で止まってもよく、活性層34からさらに下部バッファ層33を突き抜けて下部電極32に入り込んでもよい。各単位セルの上部電極36は、第2の開溝42内を埋める上部電極36の材料によって隣接する単位セルの下部電極32と導通しているので、各単位セルが直列に接続された直列アレイが得られる。
Thereafter, as shown in FIG. 4E, a third
このとき、直列アレイを形成するために、上部電極36、上部バッファ層35、活性層34、下部バッファ層33及び下部電極32に、絶縁開溝45を形成する。絶縁開溝45の形成方法は、レーザースクライブによるパターニングに限定されず、メカニカルスクライブ等の方法を用いることができる。
なお、図4(e)は、図2に示すように、直列アレイを構成する複数の単位セルの直列接続方向に対して平行方向の断面を示し、直列接続方法に対して垂直方向に絶縁開溝45を形成しているが、平行方向にも、絶縁開溝45を形成するようにパターニングを行う。これにより、単位セルを構成する下部電極は、他の単位セルを構成する下部電極と分離され、直列アレイが形成される。なお、上述の通り、本実施態様では、上部電極36を成膜した後に、絶縁開溝45を形成し、直列アレイを形成するためのパターニングを行ったが、該パターニングを行う順番は、上部電極形成後に限定されるわけではない。例えば、活性層34又は上部バッファ層35を形成した後に、該パターニングを行い、その後、上部電極36を形成してもよい。すなわち、該パターニングを行う工程順は、活性層34の成膜後であれば、最終的に直列アレイを製造することが可能である限りにおいて、限定されない。しかしながら、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層及び上部電極36を一度にパターニングすることが可能ために、上部電極を形成した後に、該パターニングを行うことが好ましい。
At this time,
As shown in FIG. 2, FIG. 4 (e) shows a cross section in a direction parallel to the series connection direction of a plurality of unit cells constituting the series array, and insulation is opened in a direction perpendicular to the series connection method. Although the
なお、絶縁開溝45は、図4(e)に示されるように、一度のレーザースクライブにより一連の開溝として形成してもよく、例えば図5に示されるように2段の開溝として形成されてもよい。
図5に示す2段の開溝の態様では、図5(a)のように下部電極32以外の光電変換層及び上部電極36に開溝を形成し(第1の開溝形成ステップ)、その後、図5(b)のように、下部電極32にも開溝を形成する(第2の開溝形成ステップ)ことで、絶縁開溝45を形成する。
The insulating
In the two-stage groove mode shown in FIG. 5, grooves are formed in the photoelectric conversion layer other than the
一度のレーザースクライブにより絶縁開溝45を形成する場合には、パターニングの対象とする層に対して、レーザーの強度を上げる必要があるが、レーザースクライブの際に
バリが生じたり、チリが生じたりする場合がある。しかしながら、第1の開溝形成ステップ及び第2の開溝形成ステップにより、絶縁開溝45を形成することで、各層に合ったレーザー強度を選択することができ、バリやチリの発生を抑制することができる。
また、第1の開溝形成ステップ及び第2の開溝形成ステップに分けて、絶縁開溝45を形成することで、例えば、下部電極における開溝の幅と活性層における開溝の幅を自由に調整することができる。そのため、活性層と下部電極の硬度を考慮して、各開溝の幅を調製することにより、曲げ強度、引っ張り強度等を調節することができる。
また、このように、第1の開溝形成ステップ及び第2の開溝形成ステップにより、絶縁開溝45を形成することで、絶縁開溝45において、光電変換層又は上部電極36における開溝の幅に対して、下部電極32における開溝の幅を小さくする限りにおいて、下部電極36における開溝部の幅を自由に調節することができる。そのため、下部電極32を着色し、上部電極36側から入射光が入る構造の有機薄膜太陽電池である場合、上部電極36側から観察した際に、着色した下部電極32と透過性のある活性層とで新たな意匠性を付与することができる。
When the insulating
Further, by forming the insulating
In addition, in this way, by forming the insulating
また、第1の開溝形成ステップにおいて、予め、第2の開溝形成ステップにより形成する予定の下部電極32における開溝の幅よりも、光電変換層又は上部電極における開溝の幅を大きくしておくことで、第2の開溝形成ステップにおけるレーザースクライブのブレに対応することが可能となり有機薄膜太陽電池の製造歩留りを向上させることができる。この観点から、光電変換層又は上部電極36における開溝の幅は、下部電極32における開溝の幅よりも小さいことが好ましい。特に、下部電極の開溝の幅が、有機層の開溝の幅よりも小さいことが好ましい。
Further, in the first groove forming step, the width of the groove in the photoelectric conversion layer or the upper electrode is made larger in advance than the width of the groove in the
また、下部電極32に形成される開溝の幅は通常、5μm以上であり、25μm以上であることが好ましく、50μm以上であることが特に好ましく、通常1000μm以下であり、500μm以下であることがさらに好ましく、150μm以下であることが特に好ましい。一方で、活性層34等の光電変換層又は上部電極36における開溝の幅は通常、25μm以上であり、50μm以上であることが好ましく、150μm以上であることが特に好ましく、通常2000μm以下であり、1000μm以下であることがさらに好ましく、500μm以下であることが特に好ましい。また、下部電極32における開溝の幅に対する光電変換層又は上部電極36における開溝の幅の比率は、1より大きいことが好ましく、2以上であることがさらに好ましく、5以上であることが特に好ましく、一方で、200以下であることが好ましく、100以下であることがさらに好ましく、10以下であることが特に好ましい。
なお、図5(b)に示す絶縁開溝45の形状(2つのステップによる開溝の形成方法)は、図2(c)における単位セルの直列接続方向と平行方向の絶縁開溝にのみ適用してもよく、直列接続方向と垂直方向の絶縁開溝にのみ適用してもよく、これら両方向の絶縁開溝に適用してもよい。
The width of the groove formed in the
Note that the shape of the insulating
下部電極のレーザースクライブは、基板上に電極及び/または活性層を積層した積層体に対し、基板の積層面側から行ってもよいし、積層面の反対側、すなわち基板側からレーザー照射して、行ってもよい。焦点深度との関係から、基板の積層面側から下部電極のレーザースクライブを行うことが好ましい。
こうして、単位セルが直列に接続された直列アレイ(有機薄膜太陽電池)を得ることができる。得られた直列アレイは、図4(f)に示すように上部電極36上に集電線37を設置して、発電した電気を取り出すことができる。
Laser scribing of the lower electrode may be performed from the laminated surface side of the substrate on the laminated body in which the electrode and / or active layer is laminated on the substrate, or by laser irradiation from the opposite side of the laminated surface, that is, the substrate side. , You may go. From the relationship with the depth of focus, it is preferable to perform laser scribing of the lower electrode from the laminated surface side of the substrate.
Thus, a series array (organic thin film solar cell) in which unit cells are connected in series can be obtained. As shown in FIG. 4 (f), the obtained series array can take out the generated electricity by installing a
なお、有機薄膜太陽電池を構成する光電変換素子の製造における各層の成膜方法は、通常、ドライプロセス又は塗布法により成膜される。ドライプロセスとしては、蒸着、スパッタ、CVDなどによる方法があげられる。塗布法とは、材料を溶液に溶解又は分散させ
、溶媒を除去して膜を形成するプロセスを意味する。
これらの成膜方法は、成膜しようとする層の種類により適宜選択することができるが、本発明においては、下部電極の帯電を極力抑えることができるために、少なくとも活性層34は塗布法により成膜されることが好ましい。なお、活性層34の成膜に用いられる塗布法に特段の制限はないが、具体的には、ワイヤーバーコート法、ブレードコート法、ダイコート法、スリットダイコート法、リバースロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、ロールブラッシュ法、スプレーコート法、エアナイフコート法、パイプドクター法、含浸・コート法、カーテンコート法、フレキソ印刷、インクジェット等が挙げられる。また下部バッファ層33も塗布法により成膜することで、本発明に係る効果が得られるために好ましい。下部バッファ層33、活性層34及び上部バッファ層が全て塗布法により成膜されることがさらに好ましい。
成膜手段は上記成膜方法を行うことができる公知手段を用いることができ、ドライプロセスであればスパッタリング装置、蒸着装置、CVD装置などがあげられる。塗布法としては、塗布装置、印刷装置などがあげられる。本実施態様に係る成膜手段が塗布法である場合には、成膜手段は塗布装置に加え乾燥装置を含むことが好ましい。
In addition, the film-forming method of each layer in manufacture of the photoelectric conversion element which comprises an organic thin film solar cell is normally formed into a film by the dry process or the apply | coating method. Examples of the dry process include vapor deposition, sputtering, and CVD. The coating method means a process in which a film is formed by dissolving or dispersing a material in a solution and removing the solvent.
These film forming methods can be appropriately selected depending on the type of layer to be formed. In the present invention, at least the
As the film forming means, known means capable of performing the above-described film forming method can be used. Examples of the dry process include a sputtering apparatus, a vapor deposition apparatus, and a CVD apparatus. Examples of the coating method include a coating device and a printing device. When the film forming means according to this embodiment is a coating method, the film forming means preferably includes a drying device in addition to the coating device.
各層の成膜方法として塗布法を用いた場合には塗布溶液に有機溶剤を用いる。有機溶剤は静電気を帯びやすく、また、静電気により発火する恐れがある。本発明は、製造プロセスにおいて下部電極が帯電しても、電気を逃がすことができるため、塗布法を用いる場合に好適である。また、ドライルームのような静電気が生じやすい環雰囲気において製造する場合にも好適である。
なお、ドライルームとは、通常露点が−30℃以下、より好ましくは−35℃以下、中でも好ましくは−38℃以下、更に好ましくは−40℃以下である。
When a coating method is used as a method for forming each layer, an organic solvent is used for the coating solution. Organic solvents are easily charged with static electricity and may ignite due to static electricity. The present invention is suitable when a coating method is used because electricity can be released even if the lower electrode is charged in the manufacturing process. It is also suitable for manufacturing in a ring atmosphere where static electricity is likely to occur, such as in a dry room.
The dry room usually has a dew point of −30 ° C. or lower, more preferably −35 ° C. or lower, particularly preferably −38 ° C. or lower, and further preferably −40 ° C. or lower.
<2.ロール・ツー・ロール方式>
本実施態様では、ロール・ツー・ロール方式を採用することが生産性から好ましく、一部のみをロール・ツー・ロール方式で実施してもよい。
ロール・ツー・ロール方式とは、ロール状に巻かれたフレキシブルな基板を繰り出して、間欠的、或いは連続的に搬送しながら、巻き取りロールにより巻き取られるまでの間に加工を行う方式である。キロメートルオーダーの長尺基板を一括処理することが可能であるため、簡易に量産が可能である。
<2. Roll-to-roll system>
In the present embodiment, it is preferable from the viewpoint of productivity to adopt the roll-to-roll method, and only a part may be implemented by the roll-to-roll method.
The roll-to-roll method is a method in which a flexible substrate wound in a roll shape is fed out and processed intermittently or continuously while being wound up by a take-up roll. . Since it is possible to batch-process long substrates of kilometer order, mass production can be easily performed.
ロール・ツー・ロール方式は、これまでシート・ツー・シート(枚葉)方式によって生産されてきた電子デバイスを効率よく量産する方法として注目されており、近年では様々な用途に展開されつつある。ロール・ツー・ロール方式は、シート・ツー・シートプロセスと比較して低コスト化、さらには、高生産性を実現可能にする製造技術面の利点が挙げられる。具体的には、ロール・ツー・ロール方式では、フレキシブルな基板が装置の間を連続的に流れることになるため、製造プロセスのエネルギー、人員、工場スペース、物流等々の大幅コストダウンが期待でき、環境とエネルギーにも配慮した、より汎用性のある生産技術である。 The roll-to-roll method has attracted attention as a method for efficiently mass-producing electronic devices that have been produced by the sheet-to-sheet (sheet-fed) method so far, and has recently been developed for various uses. The roll-to-roll method has advantages in terms of manufacturing technology that enables cost reduction and high productivity compared to the sheet-to-sheet process. Specifically, in the roll-to-roll system, flexible substrates flow continuously between devices, so we can expect significant cost reductions in manufacturing process energy, personnel, factory space, logistics, etc. It is a more versatile production technology that takes the environment and energy into consideration.
ロール・ツー・ロール方式による機能付与の方法や処理、材料等は目的によって多種多様な方法が存在する。機能付与には表面処理(機械的処理)、レーザー加工(パターニング)、ラミネート(機能フィルムラミネート)、コーティング(ウエット・ドライ)、印刷(フレキソ、グラビア、凸版、インクジェット、インクプリント)などである。このうち、コーティングにはウエットコートとドライコートがあり、特にウエットコートは、モノマーやポリマー(高分子)の溶液を基板上に塗布して乾燥・硬化させる製造方法であり、反射防止膜や、耐薬品性・耐熱性・低摩擦性といった機能を発現するためのフッ素系コーティング、導電性・IRカット・帯電防止などを目的とした導電膜のコーティングが既に実用化されている。これらは機能を基材全面に均一に塗布する必要があるため、ロール
・ツー・ロール方式に最も適したプロセスである。
There are various methods for imparting functions, processes, materials, etc. according to the roll-to-roll method, depending on the purpose. For the functionalization, surface treatment (mechanical treatment), laser processing (patterning), laminating (functional film laminating), coating (wet / dry), printing (flexo, gravure, letterpress, ink jet, ink printing) and the like. Among these, there are wet coating and dry coating, and wet coating is a manufacturing method in which a monomer or polymer (polymer) solution is applied on a substrate and dried and cured. Fluorine-based coatings for developing functions such as chemical properties, heat resistance, and low friction properties, and conductive film coatings for the purpose of conductivity, IR cut, antistatic, etc. have already been put into practical use. These are the most suitable processes for the roll-to-roll method because the function needs to be uniformly applied to the entire surface of the substrate.
なお、ロール・ツー・ロール方式に用いることのできるロールの大きさは、ロール・ツー・ロール方式の製造装置で扱える限り特に限定されないが、外径は、通常5m以下、好ましくは3m以下、より好ましくは1m以下であり、通常10cm以上、好ましくは20cm以上、より好ましくは30cm以上である。ロール芯の外径は、通常4m以下、好ましくは3m以下、より好ましくは0.5m以下であり、通常1cm以上、好ましくは3cm以上、より好ましくは5cm以上、更に好ましくは10cm以上、特に好ましくは20cm以上である。これらの径が上記上限以下であるとロールの取り扱い性が高い点で好ましく、下限以上であると、以下の各工程で成膜される層が、曲げ応力により破壊される可能性が低くなる点で好ましい。ロールの幅は、通常5cm以上、好ましくは10cm以上、より好ましくは20cm以上であり、通常5m以下、好ましくは3m以下、より好ましくは2m以下である。幅が上限以下であるとロールの取り扱い性が高い点で好ましく、下限以上であると光電変換素子の大きさの自由度が高くなるため好ましい。 The size of the roll that can be used in the roll-to-roll method is not particularly limited as long as it can be handled by a roll-to-roll manufacturing apparatus, but the outer diameter is usually 5 m or less, preferably 3 m or less. Preferably, it is 1 m or less, usually 10 cm or more, preferably 20 cm or more, more preferably 30 cm or more. The outer diameter of the roll core is usually 4 m or less, preferably 3 m or less, more preferably 0.5 m or less, usually 1 cm or more, preferably 3 cm or more, more preferably 5 cm or more, still more preferably 10 cm or more, particularly preferably 20 cm or more. When these diameters are not more than the above upper limit, it is preferable in terms of high handleability of the roll, and when it is more than the lower limit, the layer formed in each of the following steps is less likely to be broken by bending stress. Is preferable. The width of the roll is usually 5 cm or more, preferably 10 cm or more, more preferably 20 cm or more, and is usually 5 m or less, preferably 3 m or less, more preferably 2 m or less. When the width is not more than the upper limit, it is preferable from the viewpoint of high handleability of the roll, and when the width is not less than the lower limit, the degree of freedom of the size of the photoelectric conversion element is preferable.
<3.光電変換層>
次に、本発明の実施態様に係る光電変換素子の構成について説明する。
本実施態様に用いる光電変換素子は、通常、少なくとも一対の電極と、該電極間に存在する活性層と、該活性層と該電極の一方との間に存在する電子取り出し層とを有する。図6は、光電変換素子の一般的な層構成を示す。図6に示される光電変換素子107は、光電変換素子基板106、カソードである下部電極101、電子取り出し層102、活性層103(p型半導体化合物とn型半導体材料とを含む層)、正孔取り出し層104、アノードである上部電極105が順次形成された層構造を有する。なお、図6において下部電極101は上部電極105よりも上部に存在するが、本明細書において上部電極、下部電極とは、光電変換素子基板106をボトムとした際に上部に存在する電極、下部に存在する電極を意味するものとし、太陽電池素子基板に積層される電極を下部電極と称する。また、電子取り出し層102、活性層103、正孔取り出し層104をまとめて光電変換層と称する場合がある。
<3. Photoelectric conversion layer>
Next, the configuration of the photoelectric conversion element according to the embodiment of the present invention will be described.
The photoelectric conversion element used in this embodiment usually has at least a pair of electrodes, an active layer that exists between the electrodes, and an electron extraction layer that exists between the active layer and one of the electrodes. FIG. 6 shows a general layer structure of the photoelectric conversion element. A
光電変換素子は、支持体となる太陽電池素子基板(以下、単に素子基板とも称する)を有する。すなわち、素子基板上に、電極と、活性層とが形成される。
素子基板の材料は、フィルム基板である限り特に限定されない。素子基板の材料の好適な例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル又はポリエチレン等のポリオレフィン;セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネン又はエポキシ樹脂等の有機材料;紙又は合成紙等の紙材料;ステンレス、チタン又はアルミニウム等の金属に、絶縁性を付与するために表面をコート又はラミネートしたもの等の複合材料等が挙げられる。
The photoelectric conversion element has a solar cell element substrate (hereinafter also simply referred to as an element substrate) serving as a support. That is, an electrode and an active layer are formed on the element substrate.
The material of the element substrate is not particularly limited as long as it is a film substrate. Preferable examples of the material of the element substrate include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyimide, nylon, polystyrene, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol copolymer, fluororesin film, polyolefin such as vinyl chloride or polyethylene; Insulating organic materials such as cellulose, polyvinylidene chloride, aramid, polyphenylene sulfide, polyurethane, polycarbonate, polyarylate, polynorbornene or epoxy resin; paper materials such as paper or synthetic paper; metals such as stainless steel, titanium or aluminum Examples thereof include composite materials such as those coated or laminated on the surface.
これらの材料の中でも耐熱性の観点から、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、フッ素樹脂フィルム、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、若しくはステンレス、チタン又はアルミニウム等の金属に、絶縁性を付与するために表面をコート又はラミネートしたもの等の複合材料等が特に好ましい。 Among these materials, from the viewpoint of heat resistance, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyimide, fluororesin film, polyphenylene sulfide, polyarylate, or surface for imparting insulating properties to metals such as stainless steel, titanium or aluminum. Particularly preferred are composite materials such as those coated or laminated.
素子基板の形状はフィルム状である。また、素子基板の膜厚に制限はないが、通常5μm以上、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上であり、一方、通常1mm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは200μm以下である。基材の膜厚が5μm以上であることは、光電変換素子の強度が不足する可能性が低くなるために好ま
しい。素子基板の膜厚が1mm以下であることは、コストが抑えられ、かつ重量が重くならないために好ましい。
The shape of the element substrate is a film. Moreover, although there is no restriction | limiting in the film thickness of an element substrate, Usually, 5 micrometers or more, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more, On the other hand, it is 1 mm or less normally, Preferably it is 500 micrometers or less, More preferably, it is 200 micrometers or less. It is preferable that the thickness of the substrate is 5 μm or more because the possibility that the strength of the photoelectric conversion element is insufficient is reduced. The film thickness of the element substrate is preferably 1 mm or less because the cost is suppressed and the weight does not increase.
電極は、光吸収により生じた正孔及び電子を捕集する機能を有する。したがって、一対の電極には、正孔の捕集に適した電極(以下、アノードと記載する場合もある)と、電子の捕集に適した電極(以下、カソードと記載する場合もある)とを用いることが好ましい。一対の電極は、いずれか一方が透光性であればよく、両方が透光性であっても構わないが、本発明の好ましい実施態様であるシースルー型の太陽電池である場合には、両方が透光性であり、かつ、透視性を有する必要がある。透光性があるとは、太陽光が40%以上透過することを指す。また、透明電極の太陽光線透過率は70%以上であることが、透明電極を透過させて活性層に光を到達させるために好ましい。光の透過率は、通常の分光光度計で測定できる。 The electrode has a function of collecting holes and electrons generated by light absorption. Therefore, the pair of electrodes includes an electrode suitable for collecting holes (hereinafter also referred to as an anode) and an electrode suitable for collecting electrons (hereinafter also referred to as a cathode). Is preferably used. Any one of the pair of electrodes may be translucent, and both may be translucent. However, in the case of a see-through solar cell which is a preferred embodiment of the present invention, both Must be translucent and have transparency. Translucency means that sunlight passes through 40% or more. Further, the solar light transmittance of the transparent electrode is preferably 70% or more in order to allow light to reach the active layer through the transparent electrode. The light transmittance can be measured with a normal spectrophotometer.
アノードとは、一般には仕事関数がカソードよりも高い導電性材料で構成され、活性層で発生した正孔をスムーズに取り出す機能を有する電極である。 The anode is an electrode generally made of a conductive material having a work function higher than that of the cathode and having a function of smoothly extracting holes generated in the active layer.
アノードの材料を挙げると、例えば、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、インジウム−ジルコニウム酸化物(IZO)、酸化チタン、酸化インジウム又は酸化亜鉛等の導電性金属酸化物;金、白金、銀、クロム又はコバルト等の金属あるいはその合金が挙げられる。これらの物質は高い仕事関数を有するため、好ましく、さらに、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルホン酸をドーピングしたPEDOT:PSSで代表されるような導電性高分子材料を積層することができるため、好ましい。このような導電性高分子を積層する場合には、この導電性高分子材料の仕事関数が高いことから、上記のような高い仕事関数の材料でなくとも、AlやMg等のカソードに適した金属も広く用いることが可能である。ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルホン酸をドーピングしたPEDOT:PSSや、ポリピロール又はポリアニリン等にヨウ素等をドーピングした導電性高分子材料を、アノードの材料として使用することもできる。アノードが透明電極である場合には、ITO、酸化亜鉛又は酸化スズ等の透光性がある導電性金属酸化物を用いることが好ましく、特にITOが好ましい。 Examples of materials for the anode include conductive metal oxides such as nickel oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium-zirconium oxide (IZO), titanium oxide, indium oxide, and zinc oxide; Examples thereof include metals such as gold, platinum, silver, chromium and cobalt, or alloys thereof. These substances are preferable because they have a high work function, and further, a conductive polymer material represented by PEDOT: PSS in which a polythiophene derivative is doped with polystyrene sulfonic acid can be stacked. When laminating such a conductive polymer, the work function of this conductive polymer material is high, so even if it is not a material with a high work function as described above, it is suitable for cathodes such as Al and Mg. Metals can also be widely used. PEDOT: PSS in which a polythiophene derivative is doped with polystyrene sulfonic acid, or a conductive polymer material in which polypyrrole, polyaniline, or the like is doped with iodine or the like can also be used as an anode material. When the anode is a transparent electrode, it is preferable to use a light-transmitting conductive metal oxide such as ITO, zinc oxide or tin oxide, and ITO is particularly preferable.
アノードの膜厚は特に制限は無いが、通常10nm以上、好ましくは20nm以上、さらに好ましくは、50nm以上である。一方、通常10μm以下、好ましくは1μm以下、さらに好ましくは500nm以下である。アノードの膜厚が10nm以上であることにより、シート抵抗が抑えられ、アノードの膜厚が10μm以下であることにより、光透過率を低下させずに効率よく光を電気に変換することができる。アノードが透明電極である場合には、光透過率とシート抵抗とを両立できる膜厚を選ぶ必要がある。 The film thickness of the anode is not particularly limited, but is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and more preferably 50 nm or more. On the other hand, it is usually 10 μm or less, preferably 1 μm or less, more preferably 500 nm or less. When the thickness of the anode is 10 nm or more, the sheet resistance is suppressed, and when the thickness of the anode is 10 μm or less, light can be efficiently converted into electricity without decreasing the light transmittance. When the anode is a transparent electrode, it is necessary to select a film thickness that can achieve both light transmittance and sheet resistance.
アノードのシート抵抗は、特段の制限はないが、通常1Ω/□以上、一方、1000Ω/□以下、好ましくは500Ω/□以下、さらに好ましくは100Ω/□以下である。 The sheet resistance of the anode is not particularly limited, but is usually 1Ω / □ or more, on the other hand, 1000Ω / □ or less, preferably 500Ω / □ or less, more preferably 100Ω / □ or less.
アノードの形成方法としては、蒸着法若しくはスパッタ法等の真空成膜方法、又はナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する湿式塗布法が挙げられる。 Examples of the anode forming method include a vacuum film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, or a wet coating method in which an ink containing nanoparticles or a precursor is applied to form a film.
カソードは、一般には仕事関数が低い値を有する導電性材料で構成され、活性層で発生した電子をスムーズに取り出す機能を有する電極である。カソードは、電子取り出し層と隣接している。 The cathode is generally an electrode made of a conductive material having a low work function and having a function of smoothly extracting electrons generated in the active layer. The cathode is adjacent to the electron extraction layer.
カソードの材料を挙げると、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、スズ、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム又はマグネシウム等の金属及びその合金;フッ化リチウムやフッ化セシウム等の無機塩;酸化
ニッケル、酸化アルミニウム、酸化リチウム又は酸化セシウムのような金属酸化物等が挙げられる。これらの材料は低い仕事関数を有する材料であるため、好ましい。カソードについてもアノードと同様に、電子取り出し層としてチタニアのようなn型半導体で導電性を有するものを用いることにより、高い仕事関数を有する材料を用いることもできる。電極保護の観点から、カソードの材料として好ましくは、白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウム、カルシウム若しくはインジウム等の金属、又は酸化インジウムスズ等のこれらの金属を用いた合金である。
Examples of cathode materials include platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, and magnesium, and alloys thereof; lithium fluoride And inorganic salts such as cesium fluoride and metal oxides such as nickel oxide, aluminum oxide, lithium oxide, and cesium oxide. These materials are preferable because they are materials having a low work function. Similarly to the anode, a material having a high work function can be used for the cathode by using an n-type semiconductor such as titania having conductivity as the electron extraction layer. From the viewpoint of electrode protection, the cathode material is preferably a metal such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, calcium or indium, or an alloy using these metals such as indium tin oxide.
カソードの膜厚は特に制限は無いが、通常10nm以上、好ましくは20nm以上、より好ましくは50nm以上である。一方、通常10μm以下、好ましくは1μm以下、より好ましくは500nm以下である。カソードの膜厚が10nm以上であることにより、シート抵抗が抑えられ、カソードの膜厚が10μm以下であることにより、光透過率を低下させずに効率よく光を電気に変換することができる。カソードが透明電極である場合には、光透過率とシート抵抗を両立する膜厚を選ぶ必要がある。 The film thickness of the cathode is not particularly limited, but is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 50 nm or more. On the other hand, it is usually 10 μm or less, preferably 1 μm or less, more preferably 500 nm or less. When the film thickness of the cathode is 10 nm or more, the sheet resistance is suppressed, and when the film thickness of the cathode is 10 μm or less, light can be efficiently converted into electricity without decreasing the light transmittance. When the cathode is a transparent electrode, it is necessary to select a film thickness that achieves both light transmittance and sheet resistance.
カソードのシート抵抗は、特に制限は無いが、通常1000Ω/□以下、好ましくは500Ω/□以下、さらに好ましくは100Ω/□以下である。下限に制限は無いが、通常は1Ω/□以上である。 The sheet resistance of the cathode is not particularly limited, but is usually 1000Ω / □ or less, preferably 500Ω / □ or less, and more preferably 100Ω / □ or less. Although there is no restriction on the lower limit, it is usually 1Ω / □ or more.
カソードの形成方法としては、蒸着法若しくはスパッタ法等の真空成膜方法、又はナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する湿式塗布法等がある。 As a method for forming the cathode, there are a vacuum film formation method such as a vapor deposition method or a sputtering method, or a wet coating method in which an ink containing nanoparticles or a precursor is applied to form a film.
さらに、アノード及びカソードは、2層以上の積層構造を有していてもよい。また、アノード及びカソードに対して表面処理を行うことにより、特性(電気特性やぬれ特性等)を改良してもよい。 Furthermore, the anode and the cathode may have a laminated structure of two or more layers. In addition, characteristics (electric characteristics, wetting characteristics, etc.) may be improved by performing surface treatment on the anode and the cathode.
アノード及びカソードを積層した後に、光電変換素子を通常50℃以上、好ましくは80℃以上、一方、通常300℃以下、好ましくは280℃以下、より好ましくは250℃以下の温度範囲において、加熱することが好ましい(この工程をアニーリング処理工程と称する場合がある)。アニーリング処理工程を50℃以上の温度で行うことにより、光電変換素子の各層間の密着性、例えば電子取り出し層とカソード及び/又は電子取り出し層と活性層の密着性が向上する効果が得られるため、好ましい。各層間の密着性が向上することにより、光電変換素子の熱安定性や耐久性等が向上しうる。アニーリング処理工程の温度を300℃以下にすることは、活性層内の有機化合物が熱分解する可能性が低くなるため、好ましい。アニーリング処理工程においては、上記の温度範囲内で段階的な加熱を行ってもよい。 After laminating the anode and cathode, the photoelectric conversion element is usually heated in a temperature range of 50 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher, and usually 300 ° C. or lower, preferably 280 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower. Is preferable (this step may be referred to as an annealing treatment step). By performing the annealing process at a temperature of 50 ° C. or higher, an effect of improving the adhesion between the layers of the photoelectric conversion element, for example, the adhesion between the electron extraction layer and the cathode and / or the electron extraction layer and the active layer is obtained. ,preferable. By improving the adhesion between the layers, the thermal stability and durability of the photoelectric conversion element can be improved. It is preferable to set the temperature of the annealing treatment step to 300 ° C. or lower because the possibility that the organic compound in the active layer is thermally decomposed is reduced. In the annealing treatment step, stepwise heating may be performed within the above temperature range.
加熱する時間としては、通常1分以上、好ましくは3分以上、一方、通常3時間以下、好ましくは1時間以下である。アニーリング処理工程は、太陽電池性能のパラメータである開放電圧、短絡電流及びフィルファクターが一定の値になったところで終了させることが好ましい。また、アニーリング処理工程は、常圧下、かつ不活性ガス雰囲気中で実施することが好ましい。 The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 3 minutes or longer, and usually 3 hours or shorter, preferably 1 hour or shorter. The annealing treatment step is preferably terminated when the open-circuit voltage, the short-circuit current, and the fill factor, which are parameters of the solar cell performance, reach a constant value. Further, the annealing treatment step is preferably performed under normal pressure and in an inert gas atmosphere.
加熱する方法としては、特に限定されないが、熱風による加熱、遠赤外線および/または近赤外線の照射による方法が好ましく挙げられ、ホットプレート等の熱源に有機光電変換素子を載せてもよいし、オーブン等の加熱雰囲気中に有機光電変換素子を入れてもよい。また、加熱はバッチ式で行っても連続方式で行ってもよいが、連続方式で行うのが好ましい。 The method for heating is not particularly limited, but preferred is a method using heating with hot air, irradiation with far infrared rays and / or near infrared rays, and an organic photoelectric conversion element may be placed on a heat source such as a hot plate, an oven or the like. You may put an organic photoelectric conversion element in the heating atmosphere. The heating may be performed batchwise or continuously, but is preferably performed continuously.
本発明の実施態様に係る光電変換素子は、通常、カソードと活性層との間に電子取り出
し層を有する。また光電変換素子は、活性層とアノードとの間に正孔取り出し層を有する。なお、電子取り出し層および正孔取り出し層は必須の構成ではない。
The photoelectric conversion element according to the embodiment of the present invention usually has an electron extraction layer between the cathode and the active layer. The photoelectric conversion element has a hole extraction layer between the active layer and the anode. Note that the electron extraction layer and the hole extraction layer are not essential components.
電子取り出し層と正孔取り出し層とは、一対の電極間に、活性層を挟むように配置されることが好ましい。すなわち、光電変換素子が電子取り出し層と正孔取り出し層の両者を含む場合、上部電極、正孔取り出し層、活性層、電子取り出し層、及び下部電極をこの順に配置することができる。なお、この場合、前述の上部バッファ層が、正孔取り出し層に該当し、下部バッファ層が電子取り出し層に該当する。光電変換素子が電子取り出し層を含み正孔取り出し層を含まない場合は、上部電極、活性層、電子取り出し層、及び下部電極をこの順に配置することができる。電子取り出し層と正孔取り出し層とは積層順序が逆であってもよいし、また電子取り出し層と正孔取り出し層の少なくとも一方が異なる複数の膜により構成されていてもよい。
電子取り出し層及び正孔取り出し層の材料や、膜厚、形成方法の例としては、例えば国際公開WO2012/102390に記載された電子取り出し層及び正孔取り出し層に用いられる材料が挙げられる。
The electron extraction layer and the hole extraction layer are preferably disposed so as to sandwich the active layer between the pair of electrodes. That is, when the photoelectric conversion element includes both an electron extraction layer and a hole extraction layer, the upper electrode, the hole extraction layer, the active layer, the electron extraction layer, and the lower electrode can be arranged in this order. In this case, the upper buffer layer described above corresponds to the hole extraction layer, and the lower buffer layer corresponds to the electron extraction layer. When the photoelectric conversion element includes an electron extraction layer and does not include a hole extraction layer, the upper electrode, the active layer, the electron extraction layer, and the lower electrode can be arranged in this order. The stacking order of the electron extraction layer and the hole extraction layer may be reversed, or at least one of the electron extraction layer and the hole extraction layer may be composed of a plurality of different films.
Examples of the material, film thickness, and formation method of the electron extraction layer and the hole extraction layer include materials used for the electron extraction layer and the hole extraction layer described in International Publication WO2012 / 102390, for example.
活性層は光電変換が行われる層を指し、通常、p型半導体化合物とn型半導体化合物とを含む、または色素及びヨウ素イオンを含む電解液を含む。
p型半導体化合物とは、p型半導体材料として働く化合物であり、n型半導体化合物とは、n型半導体材料として働く化合物である。光電変換素子が光を受けると、光が活性層に吸収され、p型半導体化合物とn型半導体化合物との界面で電気が発生し、発生した電気が電極から取り出される。
The active layer refers to a layer in which photoelectric conversion is performed, and usually includes an electrolytic solution containing a p-type semiconductor compound and an n-type semiconductor compound, or containing a dye and iodine ions.
The p-type semiconductor compound is a compound that works as a p-type semiconductor material, and the n-type semiconductor compound is a compound that works as an n-type semiconductor material. When the photoelectric conversion element receives light, the light is absorbed by the active layer, electricity is generated at the interface between the p-type semiconductor compound and the n-type semiconductor compound, and the generated electricity is extracted from the electrode.
活性層の層構成としては、p型半導体化合物層とn型半導体化合物層とが積層された薄膜積層型、p型半導体化合物とn型半導体化合物とが混合した層を有するバルクヘテロ接合型、p型半導体化合物層と、p型半導体化合物とn型半導体化合物とが混合した層(i層)と、n型半導体化合物層とが積層されたもの、等が挙げられる。なかでも、p型半導体化合物とn型半導体化合物が混合した層を有するバルクヘテロ接合型が好ましい。 As the layer structure of the active layer, a thin film stacked type in which a p-type semiconductor compound layer and an n-type semiconductor compound layer are stacked, a bulk heterojunction type having a layer in which a p-type semiconductor compound and an n-type semiconductor compound are mixed, and p-type Examples thereof include a semiconductor compound layer, a layer (i layer) in which a p-type semiconductor compound and an n-type semiconductor compound are mixed, and an n-type semiconductor compound layer laminated. Among these, a bulk heterojunction type having a layer in which a p-type semiconductor compound and an n-type semiconductor compound are mixed is preferable.
活性層の膜厚は特に限定されないが、通常10nm以上、好ましくは50nm以上であり、一方通常2000nm以下、好ましくは1500nm以下、より好ましくは700nm以下である。活性層の膜厚が上記下限以上であることは、膜の均一性が保たれ、短絡を起こしにくくなるため、好ましい。また、活性層の厚さが上記上限以下であることは、内部抵抗が小さくなる点、及び電極間が離れすぎず電荷の拡散が良好となる点で、好ましい。 The thickness of the active layer is not particularly limited, but is usually 10 nm or more, preferably 50 nm or more, and is usually 2000 nm or less, preferably 1500 nm or less, more preferably 700 nm or less. It is preferable that the thickness of the active layer is equal to or more than the above lower limit because the uniformity of the film is maintained and short circuit is hardly caused. Moreover, it is preferable that the thickness of the active layer is not more than the above upper limit in that the internal resistance is reduced and the diffusion of charges is good without the electrodes being separated too much.
活性層の作成方法としては、特段に制限はないが、塗布法より成膜することが好ましい。塗布法としては、任意の方法を用いることができるが、例えば、ワイヤーバーコート法、ブレードコート法、ダイコート法、スリットダイコート法、リバースロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、ロールブラッシュ法、スプレーコート法、エアナイフコート法、パイプドクター法、含浸・コート法、カーテンコート法、フレキソ印刷、インクジェット等が挙げられる。 A method for forming the active layer is not particularly limited, but it is preferable to form a film by a coating method. As the coating method, any method can be used. For example, wire bar coating method, blade coating method, die coating method, slit die coating method, reverse roll coating method, gravure coating method, kiss coating method, roll brush method, spray Examples thereof include a coating method, an air knife coating method, a pipe doctor method, an impregnation / coating method, a curtain coating method, flexographic printing, and an inkjet.
例えば、p型半導体化合物層及びn型半導体化合物層は、p型半導体化合物又はn型半導体化合物を含む塗布液を塗布することにより作製しうる。また、p型半導体化合物とn型半導体化合物とが混合した層は、p型半導体化合物及びn型半導体化合物を含む塗布液を塗布することにより作製しうる。後述するように、半導体化合物前駆体を含む塗布液を塗布した後で、半導体化合物前駆体を半導体化合物へと変換してもよい。
活性層が含むp型半導体化合物としては、特に限定はないが、低分子有機半導体化合物と高分子有機半導体化合物とが挙げられる。その具体的な例としては、例えば国際公開W
O2012/102390に記載されたp型半導体化合物が挙げられる。また、活性層が含むn型半導体化合物の具体的な例についても、同様に国際公開WO2012/102390に記載されたn型半導体化合物が挙げられる。
For example, the p-type semiconductor compound layer and the n-type semiconductor compound layer can be produced by applying a coating liquid containing a p-type semiconductor compound or an n-type semiconductor compound. Moreover, the layer in which the p-type semiconductor compound and the n-type semiconductor compound are mixed can be prepared by applying a coating solution containing the p-type semiconductor compound and the n-type semiconductor compound. As will be described later, the semiconductor compound precursor may be converted into a semiconductor compound after the coating liquid containing the semiconductor compound precursor is applied.
The p-type semiconductor compound included in the active layer is not particularly limited, and examples thereof include a low molecular organic semiconductor compound and a high molecular organic semiconductor compound. As a concrete example, for example, International Publication W
The p-type semiconductor compound described in O2012 / 102390 is mentioned. Further, specific examples of the n-type semiconductor compound contained in the active layer include the n-type semiconductor compound described in International Publication WO2012 / 102390.
光電変換素子の光電変換特性は次のようにして求めることができる。光電変換素子にソーラシュミレーターでAM1.5G条件の光を照射強度100mW/cm2で照射して、
電流−電圧特性を測定する。得られた電流−電圧曲線から、光電変換効率(PCE)、短絡電流密度(Jsc)、開放電圧(Voc)、フィルファクター(FF)、直列抵抗、シャント抵抗といった光電変換特性を求めることができる。
The photoelectric conversion characteristics of the photoelectric conversion element can be obtained as follows. Irradiate the photoelectric conversion element with light of AM1.5G with a solar simulator at an irradiation intensity of 100 mW / cm 2 ,
Measure current-voltage characteristics. From the obtained current-voltage curve, photoelectric conversion characteristics such as photoelectric conversion efficiency (PCE), short circuit current density (Jsc), open circuit voltage (Voc), fill factor (FF), series resistance, and shunt resistance can be obtained.
光電変換素子の光電変換効率は、特段の制限はないが、通常1%以上、好ましくは1.5%以上、より好ましくは2%以上である。一方、上限に特段の制限はなく、高ければ高いほどよい。 Although there is no special restriction | limiting, the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion element is 1% or more normally, Preferably it is 1.5% or more, More preferably, it is 2% or more. On the other hand, there is no particular limitation on the upper limit, and the higher the better.
また、光電変換素子の耐久性を測定する方法としては、光電変換素子を大気暴露する前後での、光電変換効率の維持率を求める方法が挙げられる。
(維持率)=(大気暴露N時間後の光電変換効率)/(大気暴露直前の光電変換効率)
Moreover, as a method for measuring the durability of the photoelectric conversion element, a method for obtaining a maintenance ratio of the photoelectric conversion efficiency before and after exposing the photoelectric conversion element to the atmosphere can be mentioned.
(Maintenance rate) = (Photoelectric conversion efficiency after N hours of atmospheric exposure) / (Photoelectric conversion efficiency immediately before atmospheric exposure)
光電変換素子を実用化するには、製造が簡便かつ安価であること以外に、高い光電変換効率及び高い耐久性を有することが重要である。この観点から、1週間大気暴露する前後での光電変換効率の維持率は、60%以上が好ましく、80%以上がより好ましく、高ければ高いほどよい。 In order to put a photoelectric conversion element into practical use, it is important to have high photoelectric conversion efficiency and high durability in addition to simple and inexpensive manufacture. From this viewpoint, the maintenance rate of photoelectric conversion efficiency before and after exposure to the atmosphere for one week is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and the higher the better.
<4.太陽電池>
本発明の光電変換素子107は、太陽電池素子として、薄膜太陽電池において使用されることが好ましい。
図7は本発明の一実施形態としての薄膜太陽電池の構成を模式的に示す断面図である。図7に示すように、本実施形態の薄膜太陽電池14は、耐候性保護フィルム1と、紫外線カットフィルム2と、ガスバリアフィルム3と、ゲッター材フィルム4と、封止材5と、光電変換素子6と、封止材7と、ゲッター材フィルム8と、ガスバリアフィルム9と、バックシート10とをこの順に備える。そして、耐候性保護フィルム1が形成された側(図中下方)から光が照射されて、光電変換素子6が発電するようになっている。なお、後述するバックシート10としてアルミ箔の両面にフッ素系樹脂フィルムを接着したシートなどの防水性の高いシートを用いる場合は、用途によりゲッター材フィルム8及び/又はガスバリアフィルム9を用いなくてもよい。
これらの封止材5、バックシート10及び各種フィルムの材料、形状、性能及び積層方法等については、いずれも国際公開第2011/016430号又は特開2012−191194号公報等に記載の通りである。
<4. Solar cell>
The
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a thin film solar cell as one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the thin-film
The materials, shapes, performances, and lamination methods of these encapsulant 5,
<5.用途>
上述した薄膜太陽電池14の用途に制限はなく任意である。例えば、図8に模式的に示すように、何らかの基材12上に薄膜太陽電池14を設けた太陽電池モジュール13を用意し、これを使用場所に設置して用いればよい。具定例を挙げると、基材12として建材用板材を使用した場合、この板材の表面に薄膜太陽電池14を設けて太陽電池モジュール13として太陽電池パネルを作製し、この太陽電池パネルを建物の外壁などに設置して使用すればよい。
基材12は光電変換素子6を支持する支持部材である。基材12を形成する材料としては、例えば、ガラス、サファイア又はチタニアなどの無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィ
ルム、塩化ビニル、ポリエチレン、セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネンなどの有機材料;紙又は合成紙などの紙材料;ステンレス、チタン又はアルミニウムなどの金属に絶縁性を付与するために表面をコート又はラミネートしたものなどの複合材料などが挙げられる。なお、基材の材料は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、これら有機材料あるいは紙材料に炭素繊維を含ませ、機械的強度を補強させてもよい。
本発明の薄膜太陽電池を適用する分野の例を挙げると、例えば、国際公開第2011/016430号又は特開2012−191194号公報にあるように、建材用太陽電池、自動車用太陽電池、インテリア用太陽電池、鉄道用太陽電池、船舶用太陽電池、飛行機用太陽電池、宇宙機用太陽電池、家電用太陽電池、携帯電話用太陽電池又は玩具用太陽電池などに用いて好適である。
<5. Application>
There is no restriction | limiting in the use of the thin film
The
When the example of the field | area which applies the thin film solar cell of this invention is given, as it exists in international publication 2011/016430 or Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-191194, for example, it is a solar cell for building materials, a solar cell for motor vehicles, and interior use. It is suitable for use in solar cells, railroad solar cells, marine solar cells, airplane solar cells, spacecraft solar cells, home appliance solar cells, mobile phone solar cells, toy solar cells, and the like.
以下、実施例により、本発明を更に具体的に説明するが、本発明の技術的範囲が当該実施例のみに限定されないことは、いうまでもない。
<実施例1>
10列の単位セルが直列に接続されたモノリシック構造の直列アレイ(有機薄膜太陽電池(B5サイズ))を以下の方法で製造した。
厚さ125μmのPEN基板として、下部電極(ITO−Ag−ITO)を積層させたPEN−下部電極積層体を用いた(透過率80%以上でシート抵抗15Ω/□以下)。この積層体表面に対し、ビーム形状を矩形にし、かつ、エネルギー分布をフラットに変換したレーザーを用いて、積層体の下部電極側から、レーザー加工を施した(波長532nm、エネルギー密度1.8J/cm2、レーザーショットの重ね率10%、パルス幅20ナ
ノ秒)。レーザー加工の際、単位セルの直列接続に必要な部分のみの開溝を形成し、下部電極がアイランド化しない構造、すなわち各光電変換素子を構成する下部電極が形成される直列アレイ間で互いに電気的に接続している構造とした。
その上に、下部バッファ層(酸化亜鉛)、活性層(P3HT:C60(ind)2)、および上部バッファ層(PEDOT:PSS)(厚み100nm)を塗布成膜によりそれぞれ積層し、積層体のバッファ層側からレーザー加工を施した(波長532nm、エネルギー密度1.8J/cm2、レーザーショットの重ね率10%、パルス幅20ナノ秒)。こ
こで、下部バッファ層、活性層および上部バッファ層を短冊状の形状となるように分離した。
さらに、上部電極(銀/100nm)を積層し、積層体の上部電極側からレーザー加工を施した(波長266nm、エネルギー密度0.5J/cm2、レーザーショットの重ね
率10%、パルス幅20ナノ秒)。この過程で上部電極、上部バッファ層、活性層、および下部バッファ層に開溝を形成し、単位セルに分割した。続いて、隣接する直列アレイを形成するために、上部電極、上部バッファ層、活性層、下部バッファ層、及び下部電極に、絶縁開溝を形成した。
こうして得られた有機薄膜太陽電池の各光電変換素子は、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層いずれもレーザー開溝部、およびその周辺ともに均一に成膜され、太陽電池として動作することを確認した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, it cannot be overemphasized that the technical scope of this invention is not limited only to the said Example.
<Example 1>
A serial array (organic thin-film solar cell (B5 size)) having a monolithic structure in which 10 columns of unit cells are connected in series was manufactured by the following method.
A PEN-lower electrode laminate in which a lower electrode (ITO-Ag-ITO) was laminated was used as a PEN substrate having a thickness of 125 μm (transmittance of 80% or more and sheet resistance of 15Ω / □ or less). Laser processing was performed on the surface of the multilayer body from the lower electrode side of the multilayer body using a laser whose beam shape was rectangular and the energy distribution was converted to flat (wavelength 532 nm, energy density 1.8 J / cm 2 , laser shot
On top of this, a lower buffer layer (zinc oxide), an active layer (P3HT: C60 (ind) 2), and an upper buffer layer (PEDOT: PSS) (thickness 100 nm) are laminated by coating film formation, respectively. Laser processing was performed from the layer side (wavelength 532 nm, energy density 1.8 J / cm 2 , laser shot
Further, an upper electrode (silver / 100 nm) was laminated, and laser processing was performed from the upper electrode side of the laminate (wavelength 266 nm, energy density 0.5 J / cm 2 , laser shot
Each photoelectric conversion element of the organic thin-film solar cell obtained in this way was confirmed that the lower buffer layer, the active layer, and the upper buffer layer were uniformly formed in the laser groove and the surrounding area, and operated as a solar cell. did.
<比較例1>
最初に各光電変換素子の下部電極が形成される直列アレイ間で分離するようにパターニングを行った以外は、実施例1と同様に有機薄膜太陽電池を製造した。製造された有機薄膜太陽電池を観察したところ、特に活性層の成膜において、下部電極のレーザー開溝部周辺における塗布ムラが顕著にみられ、薄膜化している様子が確認された。また、動作を確認したところ、短絡しており太陽電池として動作しなかった。
以上の通り、本発明に係る製造方法により、膜を均一に成膜することができ、さらには
太陽電池として使用可能な光電変換素子を製造することができる。
<Comparative Example 1>
An organic thin-film solar cell was manufactured in the same manner as in Example 1 except that patterning was performed so as to first separate the series arrays where the lower electrodes of the photoelectric conversion elements were formed. Observation of the manufactured organic thin-film solar cell revealed that coating unevenness around the laser groove portion of the lower electrode was noticeable especially in the formation of the active layer, and the state of thinning was confirmed. Moreover, when operation | movement was confirmed, it short-circuited and it did not operate | move as a solar cell.
As described above, a film can be uniformly formed by the manufacturing method according to the present invention, and further, a photoelectric conversion element that can be used as a solar cell can be manufactured.
1 耐候性保護フィルム
2 紫外線カットフィルム
3,9 ガスバリアフィルム
4,8 ゲッター材フィルム
5,7 封止材
6 光電変換素子
10 バックシート
12 基材
13 太陽電池モジュール
14 薄膜太陽電池
101 下部電極
102 電子取り出し層
103 活性層
104 正孔取り出し層
105 上部電極
106 光電変換素子基板
107 光電変換素子
31 太陽電池素子基板(単に基板ともいう。)
32 下部電極
33 下部バッファ層
34 活性層
35 上部バッファ層
36 上部電極
37 集電線
41 第1の開溝
42 第2の開溝
43 第3の開溝
44、45、46 絶縁開溝
DESCRIPTION OF
32
Claims (3)
各光電変換素子を構成する下部電極が、互いに電気的に接続された状態で、前記活性層を塗布法により成膜することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。 A method for producing an organic thin-film solar cell having a plurality of photoelectric conversion elements, comprising at least a lower electrode, an active layer, and an upper electrode on a substrate,
A method for producing an organic thin-film solar cell, comprising forming the active layer by a coating method in a state where lower electrodes constituting each photoelectric conversion element are electrically connected to each other.
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