JP2014236082A - Test schedule creation method, testing method, test schedule creation device, and substrate processing device - Google Patents

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JP2014236082A JP2013116048A JP2013116048A JP2014236082A JP 2014236082 A JP2014236082 A JP 2014236082A JP 2013116048 A JP2013116048 A JP 2013116048A JP 2013116048 A JP2013116048 A JP 2013116048A JP 2014236082 A JP2014236082 A JP 2014236082A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a test schedule creation method capable of efficiently performing a test for measuring a temperature of treatment by a heat treatment plate, a testing method, a test schedule creation device and a substrate processing device.SOLUTION: The test schedule creation method is configured to create test schedule information relating to a schedule of a plurality of tests before performing the plurality of tests for measuring a temperature of treatment by a heat treatment plate while changing at least any one of the heat treatment plate and a test temperature that is a target value of the treatment temperature. The test schedule creation method includes a first test creation step (steps S12 and S13) of allocating a "first order" that is a first turn, to any one of tests, and a second and subsequent test creation step (steps S14 and S15) of allocating a "second order" and an order subsequent to the "second order" to any of non-allocated tests to which the turns have not been allocated yet, and creates the test schedule information by repeating the second and subsequent test creation step (steps S14 and S15) until the turns are allocated to all the tests.

Description

この発明は、熱処理プレートによる処理温度を測定する試験に関する試験予定作成方法、試験方法、試験予定作成装置および基板処理装置に関する。   The present invention relates to a test schedule creation method, a test method, a test schedule creation apparatus, and a substrate processing apparatus relating to a test for measuring a processing temperature by a heat treatment plate.

従来、熱処理プレートと、検温素子が取り付けられた基板とを備え、熱処理プレートに基板を載置して基板の温度を測定する方法がある。検温素子は水晶振動子等によって構成されている。水晶振動子から放出された電磁波を受信して、電磁波の周波数に基づいて基板の温度を測定する(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, there is a method in which a heat treatment plate and a substrate to which a temperature measuring element is attached are provided, and the temperature of the substrate is measured by placing the substrate on the heat treatment plate. The temperature measuring element is constituted by a crystal resonator or the like. The electromagnetic wave emitted from the quartz oscillator is received, and the temperature of the substrate is measured based on the frequency of the electromagnetic wave (see, for example, Patent Document 1).

特開2007−19155号公報JP 2007-19155 A

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、熱処理プレートが2以上の処理温度で基板を処理可能である場合、温度を変えて複数の測定を行うことがある。また、基板処理装置が複数の熱処理プレートを備えている場合、熱処理プレートを変えて複数の測定を行うことがある。このように、複数の測定を行う方法については、従来例にない。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, when the heat treatment plate can process a substrate at two or more processing temperatures, a plurality of measurements may be performed at different temperatures. When the substrate processing apparatus includes a plurality of heat treatment plates, a plurality of measurements may be performed by changing the heat treatment plates. Thus, there is no conventional method for performing a plurality of measurements.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理プレートによる処理温度を測定する試験を効率良く行うことができる試験予定作成方法、試験方法、試験予定作成装置および基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a test schedule creation method, a test method, a test schedule creation apparatus, and a substrate processing apparatus capable of efficiently performing a test for measuring a processing temperature by a heat treatment plate The purpose is to provide.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、熱処理プレートによる処理温度を測定する試験を、熱処理プレートおよび処理温度の目標値である試験温度の少なくともいずれかを変えて複数行う前に、複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する試験予定作成方法であって、いずれかの試験に、最初の順番である「1番目」を割り当てる1番目作成過程と、未だ順番が割り当てられていない未割当試験のいずれかに、「2番目」以降の順番を割り当てる2番目以降作成過程と、を備え、2番目以降作成過程を、全ての試験に順番を割り当てるまで繰り返すことによって試験予定情報を作成する試験予定作成方法である。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the present invention, before performing a plurality of tests for measuring the processing temperature by the heat treatment plate by changing at least one of the heat treatment plate and the test temperature which is the target value of the processing temperature, the test schedule information regarding the schedule of the plurality of tests. In any one of the first preparation process in which the first order “first” is assigned to any test and the unassigned test in which the order is not yet assigned, And a second and subsequent creation processes for assigning the order after the “second”, and a test schedule creation method for creating test schedule information by repeating the second and subsequent creation processes until the order is assigned to all tests.

[作用・効果]本発明に係る試験予定作成方法によれば、1番目作成過程は、いずれかの試験に「1番目」を割り当てる。2番目以降作成過程は、「1番目」が割り当てられた試験以外の試験に「2番目」以降の順番を割り当てる。このような1番目作成過程と2番目以降作成過程を備えているので、試験を実際に行う前に試験予定情報を作成できる。作成した試験予定情報に従って試験を実施すれば、複数の試験を効率良く実施できる。   [Operation / Effect] According to the test schedule preparation method according to the present invention, the first preparation process assigns "first" to any test. In the second and subsequent creation processes, the order after “second” is assigned to tests other than the test to which “first” is assigned. Since the first creation process and the second and subsequent creation processes are provided, the test schedule information can be created before the test is actually performed. If tests are performed according to the created test schedule information, a plurality of tests can be performed efficiently.

本発明において、2番目以降作成過程は、既に順番が割り当てられた割当済試験を全て行うと仮定したときに、割当済試験の終了後に最も早く開始できる未割当試験を推定するタイミング推定過程と、タイミング推定過程によって推定された未割当試験に、次の順番を割り当てる2番目以降割当過程と、を備えていることが好ましい。総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。特に、タイミング推定過程は、割当済試験の終了後に最も早く開始できる未割当試験を推定するので、試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。   In the present invention, the second and subsequent creation processes are timing estimation processes for estimating an unassigned test that can be started earliest after the assigned test ends, assuming that all assigned tests that have already been assigned an order are performed. It is preferable to include a second and subsequent allocation process in which the next order is allocated to the unallocated test estimated by the timing estimation process. Test schedule information with a relatively short total test time can be created. In particular, the timing estimation process estimates the unassigned test that can be started earliest after the assigned test ends, thereby minimizing the waiting time between tests.

本発明において、タイミング推定過程は、各熱処理プレートの性能を考慮して、各未割当試験を開始できるタイミングをそれぞれ計算することが好ましい。熱処理プレートの性能によって生じる試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。ここで、熱処理プレートの性能は、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを含む。   In the present invention, the timing estimation process preferably calculates the timing at which each unassigned test can be started in consideration of the performance of each heat treatment plate. The waiting time between tests caused by the performance of the heat treated plate can be minimized. Here, the performance of the heat treatment plate includes at least one of a change time required to change the plate temperature and a temperature change rate of the plate temperature.

本発明において、2番目以降作成過程は、さらに、タイミング推定過程の推定結果に、異なる熱処理プレートを対象とする複数の未割当試験が含まれているか否かを判定する推定結果判定過程と、含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、タイミング推定過程が推定した未割当試験の対象となっている複数の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する補助推定過程と、を備え、補助推定過程が熱処理プレートを推定した場合には、2番目以降割当過程は、タイミング推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当て、残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であることが好ましい。タイミング推定過程が、異なる熱処理プレートを対象とする複数の未割当試験を推定した場合には、複数の未割当試験の中で残負担量がより大きな熱処理プレートに対する未割当試験を補助推定過程が選別し、2番目以降割当過程は選別された未割当試験に次の順番を割り当てる。このため、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, the second and subsequent creation processes further include an estimation result determination process for determining whether or not the estimation result of the timing estimation process includes a plurality of unallocated tests for different heat treatment plates. If the estimation result determination process determines that the heat treatment plate has the largest remaining load among the heat treatment plates subject to the unallocated test estimated by the timing estimation process, And when the auxiliary estimation process estimates the heat treatment plate, the second and subsequent allocation processes use the heat treatment plate estimated by the auxiliary estimation process regardless of the estimation result of the timing estimation process. The following order is assigned to the target unassigned test, and the remaining burden is a numerical value representing the burden that the unassigned test gives to each heat treatment plate. The number of remaining unassigned test for physical plate, changing time required to change the plate temperature, and is preferably a numerical value based on at least one of the temperature change rate of the plate temperature. If the timing estimation process estimates multiple unallocated tests for different heat-treated plates, the auxiliary estimation process selects unallocated tests for heat-treated plates with a larger remaining load among multiple unallocated tests. In the second and subsequent allocation processes, the next order is allocated to the selected unallocated test. For this reason, test schedule information with a shorter total test time can be created.

本発明において、2番目以降作成過程は、さらに、直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートとは異なる熱処理プレートを対象とする未割当試験を異プレート未割当試験として、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する未割当試験判定過程と、存在すると未割当試験判定過程が判定した場合には、次の順番を割り当てる試験の候補を、異プレート未割当試験に限定する候補限定過程と、を備え、候補限定過程が候補を限定した場合には、タイミング推定過程は、限定された候補の中から、最も早く開始できる試験を推定することが好ましい。これによれば、異プレート未割当試験が存在する場合には、異プレート未割当試験以外の未割当試験(「同プレート未割当試験」という)を候補から外す。これにより、同プレート未割当試験よりも異プレート未割当試験に優先的に次の順番を割り当てる。このため、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を効率良く作成できる。   In the present invention, in the second and subsequent creation processes, an unassigned test for a heat-treated plate that is different from the heat-treated plate that is the object of the assigned test that has been assigned the most recent order is designated as a different plate unassigned test. If the unassigned test determination process determines whether or not a plate unassigned test exists, and the unassigned test determination process determines that there is a plate unassigned test, the candidate for the test to be assigned the next order is designated as a different plate unassigned test. When the candidate limiting process limits candidates, it is preferable that the timing estimation process estimates a test that can be started earliest from the limited candidates. According to this, when a different plate unassigned test exists, an unassigned test other than the different plate unassigned test (referred to as “same plate unassigned test”) is excluded from the candidates. As a result, the next order is preferentially assigned to the different plate unassigned test over the same plate unassigned test. Therefore, test schedule information with a relatively short total test time can be created efficiently.

なお、同プレート未割当試験は、直近に順番が割り当てられた割当済試験と同じ熱処理プレートを対象とする未割当試験である。「直近に順番が割り当てられた割当済試験」とは、割当済試験の中で、最後に順番が割り当たられた割当済試験をいう。   The plate unassigned test is an unassigned test for the same heat treatment plate as the assigned test to which the order has been assigned most recently. The “assigned test assigned the most recent order” refers to the assigned test assigned the last order in the assigned tests.

本発明において、2番目以降作成過程は、熱処理プレートの残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する残負担量推定過程と、残負担量推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当てる2番目以降割当過程と、を備え、残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であることが好ましい。残負担量が比較的に大きい熱処理プレートに対する試験には、残負担量が比較的に小さい熱処理プレートに対する試験に比べて、前の方の順番を割り当てる。これにより、一部の熱処理プレートのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートに対する試験を実施できる状況を作りやすくなる。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, the second and subsequent preparation processes include a remaining load amount estimation process for estimating the heat treatment plate having the largest remaining load amount of the heat treatment plate, and an unallocated test for the heat treatment plate estimated by the remaining load amount estimation process. And the second and subsequent allocation processes for allocating the next order to the remaining number, and the remaining burden amount is a numerical value representing the burden given to each heat treatment plate by the unallocated test, and the remaining number of unallocated tests for the heat treatment plate, the plate temperature It is preferably a numerical value based on at least one of a change time required to change the temperature and a temperature change rate of the plate temperature. The test for the heat treatment plate having a relatively large remaining load is assigned the earlier order compared to the test for the heat treatment plate having a relatively small remaining load. This makes it easy to create a situation in which tests on other heat treatment plates can be performed while changing the plate temperature of some heat treatment plates. Therefore, test schedule information with a relatively short total test time can be created.

本発明において、残負担量推定過程の推定結果に、2以上の熱処理プレートが含まれているか否かを判定する推定結果判定過程と、含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、残負担量推定過程が推定した2以上の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの補助残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する補助推定過程と、を備え、補助推定過程が熱処理プレートを推定した場合には、2番目以降割当過程は、残負担量推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当て、補助残負担量は、未割当試験が熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であり、補助残負担量の基礎は、残負担量の基礎と異なることが好ましい。残負担量が最も大きい熱処理プレートが2以上存在する場合には、それらの熱処理プレートのうち、補助残負担量がより大きな熱処理プレートを対象とする試験に次の順番を割り当てる。よって、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, when the estimation result determination process determines whether or not two or more heat treatment plates are included in the estimation result of the remaining burden amount estimation process, and the estimation result determination process determines that it is included A heat estimation plate that estimates the heat treatment plate having the largest auxiliary residual load amount among the two or more heat treatment plates estimated by the residual load estimation process, and the auxiliary estimation process estimated the heat treatment plate In this case, the second and subsequent allocation processes allocate the following order to the unallocated test for the heat-treated plate estimated by the auxiliary estimation process, regardless of the estimation result of the remaining burden estimation process. Is a numerical value that represents the burden of the unallocated test on the heat-treated plate, the remaining number of unallocated tests for the heat-treated plate, the change time required to change the plate temperature, A numerical value based on at least one of the temperature change rate of over preparative temperature, the basis of the auxiliary residual burden amount is preferably different from the basis for the remaining burden amount. When there are two or more heat treatment plates having the largest remaining burden amount, the next order is assigned to a test targeting heat treatment plates having a larger auxiliary remaining burden amount among the heat treatment plates. Therefore, test schedule information with a shorter total test time can be created.

本発明において、2番目以降作成過程は、さらに、直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートとは異なる熱処理プレートを対象とする未割当試験を異プレート未割当試験として、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する未割当試験判定過程と、存在すると未割当試験判定過程が判定した場合には、次の順番を割り当てる試験の候補を、異プレート未割当試験に限定する候補限定過程と、を備え、候補限定過程が候補を限定した場合には、残負担量推定過程は、異プレート未割当試験の対象である熱処理プレートの中から、残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定することが好ましい。これによれば、同プレート未割当試験よりも異プレート未割当試験に優先的に次の順番を割り当てることができる。このため、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, in the second and subsequent creation processes, an unassigned test for a heat-treated plate that is different from the heat-treated plate that is the object of the assigned test that has been assigned the most recent order is designated as a different plate unassigned test. If the unassigned test determination process determines whether or not a plate unassigned test exists, and the unassigned test determination process determines that there is a plate unassigned test, the candidate for the test to be assigned the next order is designated as a different plate unassigned test. If the candidate limitation process limits the candidates, the remaining burden amount estimation process has the largest remaining burden amount among the heat treatment plates that are subject to the different plate unassigned test. It is preferable to estimate the heat treated plate. According to this, the next order can be preferentially assigned to the different plate unassigned test over the same plate unassigned test. For this reason, test schedule information with a shorter total test time can be created.

本発明において、残負担量は、残数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。このような残負担量によれば、残負担量の大小関係によって熱処理プレートの負担を好適に判断できる。   In the present invention, it is preferable that the remaining burden amount shows at least one of a tendency to increase as the remaining number increases, a tendency to increase as the change time increases, and a tendency to increase as the temperature change rate decreases. According to such a remaining load amount, the load on the heat treatment plate can be suitably determined based on the magnitude relationship of the remaining load amount.

本発明において、1番目作成過程は、熱処理プレートの初期負担量が最も大きな熱処理プレートを特定する負担量比較過程と、負担量比較過程によって特定された熱処理プレートを対象とする試験に「1番目」を割り当てる1番目割当過程と、を備え、初期負担量は、全ての試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値であることが好ましい。初期負担量が最も大きい熱処理プレートに対する試験に「1番目」を割り当てる。これにより、初期負担量が最も大きい熱処理プレートのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートに対する試験を実施できる状況が生じやすくなる。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, the first preparation process is “first” in a burden comparison process for identifying a heat treatment plate having the largest initial burden of the heat treatment plate and a test for the heat treatment plate identified by the burden comparison process. And the initial burden amount is a numerical value representing the burden given to each heat treatment plate by all tests, the number of tests for the heat treatment plate, the change time required to change the plate temperature, It is also preferable that the numerical value is based on at least one of the temperature change rates of the plate temperature. “First” is assigned to the test for the heat-treated plate having the largest initial burden. As a result, a situation in which a test for another heat treatment plate can be performed while changing the plate temperature of the heat treatment plate having the largest initial burden is likely to occur. Therefore, test schedule information with a relatively short total test time can be created.

本発明において、負担量比較過程の処理結果に、2以上の熱処理プレートが含まれているか否かを判定する特定結果判定過程と、含まれていると特定結果判定過程が判定した場合には、負担量比較過程が特定した2以上の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの補助初期負担量が最も大きな熱処理プレートを特定する補助比較過程と、を備え、補助比較過程が熱処理プレートを特定した場合には、1番目割当過程は、負担量比較過程の処理結果に関わらず、補助比較過程が特定した熱処理プレートを対象とする未割当試験に「1番目」を割り当て、補助初期負担量は、全ての試験が熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であり、補助負担量の基礎は、初期負担量の基礎と異なることが好ましい。初期負担量が最も大きい熱処理プレートが2以上存在する場合には、補助初期負担量がより大きな熱処理プレートを対象とする試験に「1番目」を割り当てる。よって、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   In the present invention, when the specific result determination process for determining whether or not two or more heat treatment plates are included in the processing result of the burden comparison process, and when the specific result determination process determines that it is included, When the auxiliary comparison process identifies a heat treatment plate, the auxiliary comparison process identifies the heat treatment plate having the largest auxiliary initial burden amount among the two or more heat treatment plates identified by the burden comparison process. In the first allocation process, regardless of the processing result of the burden comparison process, “first” is allocated to the unassigned test for the heat treatment plate specified by the auxiliary comparison process, and the auxiliary initial burden amount is This is a numerical value that represents the load that the test places on the heat-treated plate, including the number of tests on the heat-treated plate, the change time required to change the plate temperature, and the temperature of the plate temperature. A numerical value based on at least one of the change rate, the basis of the auxiliary load amount is preferably different from the basis for the initial load weight. When there are two or more heat treatment plates having the largest initial burden amount, “first” is assigned to a test for a heat treatment plate having a larger auxiliary initial burden amount. Therefore, test schedule information with a shorter total test time can be created.

本発明において、初期負担量は、試験数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。このような初期負担量によれば、初期負担量の大小関係によって熱処理プレートの負担を判断できる。   In the present invention, it is preferable that the initial burden amount exhibits at least one of a tendency to increase as the number of tests increases, a tendency to increase as the change time increases, and a tendency to increase as the temperature change rate decreases. According to such an initial burden amount, the burden on the heat treatment plate can be determined based on the magnitude relationship of the initial burden amount.

また、本発明は、熱処理プレートによる処理温度を測定する試験を、熱処理プレートおよび処理温度の目標値である試験温度の少なくともいずれかを変えて行う試験方法であって、複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する試験予定作成過程と、試験予定作成過程によって作成された試験予定情報に規定される一連の試験を実際に行う試験連続実施過程と、を備え、試験予定作成過程は、いずれかの試験に、最初の順番である「1番目」を割り当てる1番目作成過程と、未だ順番が割り当てられていない未割当試験のいずれかに、「2番目」以降の順番を割り当てる2番目以降作成過程と、を備え、2番目以降作成過程を、全ての試験に順番を割り当てるまで繰り返すことによって試験予定情報を作成する試験方法である。   Further, the present invention is a test method for performing a test for measuring a processing temperature using a heat treatment plate by changing at least one of the heat treatment plate and a test temperature which is a target value of the processing temperature, and a test related to a plurality of test schedules. A test schedule creation process that creates schedule information, and a test continuous execution process that actually performs a series of tests specified in the test schedule information created by the test schedule creation process. The second and subsequent creation processes in which the second and subsequent orders are assigned to either the first creation process in which the first order “first” is assigned to the test or the unassigned test in which the order is not yet assigned. And the second and subsequent creation processes are repeated until the order is assigned to all tests, thereby creating test schedule information.

[作用・効果]本発明に係る試験方法によれば、試験予定作成過程を備えているので、試験を実際に行う前に試験予定情報を作成できる。また、試験連続実施過程を備えているので、試験予定情報に従って複数の試験を自動的に実行できる。これにより、複数の試験を効率良く実施できる。   [Operation / Effect] Since the test method according to the present invention includes the test schedule creation process, the test schedule information can be created before the test is actually performed. Moreover, since the test continuous execution process is provided, a plurality of tests can be automatically executed according to the test schedule information. Thereby, a plurality of tests can be performed efficiently.

また、本発明は、試験予定作成装置であって、熱処理プレートによる処理温度を測定する試験が複数規定されている試験リスト情報を記憶する記憶部と、試験を実際に行う前に、試験リスト情報に規定されている複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する順番設定部と、を備えている試験予定作成装置である。   Further, the present invention is a test schedule creation device, a storage unit for storing test list information in which a plurality of tests for measuring a processing temperature by a heat treatment plate are stored, and test list information before the test is actually performed. And an order setting unit for creating test schedule information related to a plurality of test schedules defined in the above.

[作用・効果]本発明に係る試験予定作成装置によれば、記憶部と順番設定部を備えているので、試験予定情報を好適に作成できる。この試験予定情報に従えば、複数の試験を効率良く実施できる。   [Operation / Effect] The test schedule creation device according to the present invention includes the storage unit and the order setting unit, so that the test schedule information can be suitably created. According to this test schedule information, a plurality of tests can be performed efficiently.

本発明において、記憶部は、熱処理プレートの性能に関する情報が規定されているプレート性能情報を記憶し、順番設定部は、プレート性能情報を参照して試験予定情報を作成することが好ましい。各熱処理プレートの性能を考慮することによって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。   In this invention, it is preferable that a memory | storage part memorize | stores the plate performance information in which the information regarding the performance of a heat processing plate is prescribed | regulated, and an order setting part produces test schedule information with reference to plate performance information. By considering the performance of each heat treatment plate, it is possible to create test schedule information with a relatively short total test time.

また、本発明は、上記した試験予定作成装置と、複数の熱処理プレートと、熱処理プレートを制御し、試験予定情報に従って複数の試験を行う試験実行部と、を備えている基板処理装置である。   In addition, the present invention is a substrate processing apparatus including the above-described test schedule creation apparatus, a plurality of heat treatment plates, and a test execution unit that controls the heat treatment plates and performs a plurality of tests according to the test schedule information.

[作用・効果]本発明に係る基板処理装置によれば、試験予定作成装置を備えているので、試験予定情報を好適に作成できる。また、試験実行部を備えているので、試験予定情報に従って複数の試験を自動的に実行できる。これにより、複数の試験を効率良く実施できる。   [Operation / Effect] Since the substrate processing apparatus according to the present invention includes the test schedule creation device, the test schedule information can be suitably created. Moreover, since the test execution unit is provided, a plurality of tests can be automatically executed according to the test schedule information. Thereby, a plurality of tests can be performed efficiently.

本発明において、複数の熱処理プレートに温度測定用基板を搬送する搬送部と、を備え、試験実行部は、搬送部を制御して、試験予定情報に従って温度測定用基板を各熱処理プレートに搬送させることが好ましい。搬送部を備えているので、複数の熱処理プレートに温度測定用基板を円滑に搬送できる。   In the present invention, a transport unit that transports the temperature measurement substrate to a plurality of heat treatment plates, and the test execution unit controls the transport unit to transport the temperature measurement substrate to each heat treatment plate according to the test schedule information. It is preferable. Since the transfer unit is provided, the temperature measurement substrate can be smoothly transferred to the plurality of heat treatment plates.

本発明において、搬送部は、温度測定用基板を格納するための格納スペースから温度測定用基板を搬出し、かつ、格納スペースに温度測定用基板を搬入し、試験実行部は、搬送部を制御して、試験を行う前に温度測定用基板を格納スペースから搬出させ、試験予定情報に定められた試験の全てが終了すると温度測定用基板を格納スペースに搬入させることが好ましい。試験の実施に伴い、温度測定用基板の搬出および格納も自動的に行うことができる。   In the present invention, the transfer unit carries out the temperature measurement substrate from the storage space for storing the temperature measurement substrate, and loads the temperature measurement substrate into the storage space, and the test execution unit controls the transfer unit. Then, it is preferable that the temperature measurement substrate is unloaded from the storage space before the test is performed, and the temperature measurement substrate is loaded into the storage space when all the tests defined in the test schedule information are completed. As the test is performed, the temperature measurement substrate can be automatically taken out and stored.

本発明に係る試験予定作成方法、試験方法、試験予定作成装置および基板処理装置によれば、試験を行う前に試験予定情報を作成するので、複数の試験を効率良く実施できる。   According to the test schedule creation method, the test method, the test schedule creation apparatus, and the substrate processing apparatus according to the present invention, the test schedule information is created before the test is performed, so that a plurality of tests can be performed efficiently.

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on an Example. 基板処理装置の内部を側方からみたときの液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。It is a schematic side view of the substrate processing apparatus which shows arrangement | positioning of a liquid processing unit when the inside of a substrate processing apparatus is seen from the side. 熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。It is a schematic side view of the substrate processing apparatus which shows arrangement | positioning of the heat processing unit. 基板処理装置の内部を側方からみたときの搬送機構の配置を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows arrangement | positioning of the conveyance mechanism when the inside of a substrate processing apparatus is seen from the side. 処理部内搬送機構の斜視図である。It is a perspective view of the conveyance mechanism in a process part. インターフェイス部の正面図である。It is a front view of an interface part. 図7(a)は、加熱冷却処理ユニットの平面図であり、図7(b)、(c)はそれぞれ、加熱冷却ユニットの側面図である。FIG. 7A is a plan view of the heating / cooling processing unit, and FIGS. 7B and 7C are side views of the heating / cooling unit, respectively. 熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図である。It is a top view of the substrate for temperature measurement mounted in the heat processing plate. 図9(a)は、エッジ露光ユニットの側面図であり、図9(b)は、エッジ露光ユニットの平面図である。FIG. 9A is a side view of the edge exposure unit, and FIG. 9B is a plan view of the edge exposure unit. 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。It is a control block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on an Example. 熱処理プレートの試験の概略的な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the schematic procedure of the test of a heat processing plate. 試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detailed procedure of a test schedule preparation process. 試験リスト情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of test list information. プレート性能情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of plate performance information. 図15(a)は、ケース1における試験リスト情報であり、図15(b)は、ケース1におけるプレート性能情報である。FIG. 15A shows the test list information in case 1, and FIG. 15B shows the plate performance information in case 1. ケース1における試験予定情報を例示する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating test schedule information in case 1. 図17(a)は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表であり、図17(b)は、比較例の工程表である。FIG. 17A is a process chart based on test schedule information created by the present embodiment, and FIG. 17B is a process chart of a comparative example. 図18(a)は、ケース2における試験リスト情報であり、図18(b)は、ケース2におけるプレート性能情報である。FIG. 18A shows the test list information in case 2, and FIG. 18B shows the plate performance information in case 2. ケース2における試験予定情報を例示する模式図である。6 is a schematic diagram illustrating test schedule information in case 2. FIG. 図20(a)は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表であり、図20(b)は、比較例の工程表である。FIG. 20A is a process chart based on the test schedule information created by the present embodiment, and FIG. 20B is a process chart of a comparative example. 変形実施例にかかる試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detailed procedure of the test schedule preparation process concerning a modification. 試験連続実施過程の詳細な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detailed procedure of a test continuous implementation process. 温度測定用基板の搬送経路の一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the conveyance path | route of the board | substrate for temperature measurement. 目標方向情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of target direction information. 図25(a)、(b)、(c)は、エッジ露光ユニットにおける温度測定用基板の向きと、熱処理プレートにおける温度測定用基板の向きとの関係を模式的に示す図である。25A, 25B, and 25C are diagrams schematically showing the relationship between the direction of the temperature measurement substrate in the edge exposure unit and the direction of the temperature measurement substrate in the heat treatment plate. 受け渡し位置情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of delivery position information. 図27(a)、27(b)、27(c)は、比較例における温度測定用基板の向きの関係を模式的に示す図である。27 (a), 27 (b), and 27 (c) are diagrams schematically illustrating the relationship of the orientation of the temperature measurement substrate in the comparative example. 試験の詳細な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detailed procedure of a test. 図29(a)は、熱処理プレートのプレート温度の経時変化を示すグラフであり、図29(b)は、温度測定用基板の処理温度(総合平均値)の経時変化を示すグラフである。FIG. 29A is a graph showing the change over time of the plate temperature of the heat treatment plate, and FIG. 29B is a graph showing the change over time of the processing temperature (total average value) of the temperature measurement substrate. 試験レシピ情報を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates test recipe information. 分析の詳細な手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detailed procedure of an analysis. 図32(a)は熱処理プレート上に付着する異物を模式的に示す図であり、図32(b)は温度測定用基板の裏面に付着する異物を模式的に示す図である。FIG. 32A is a diagram schematically showing foreign matter adhering to the heat treatment plate, and FIG. 32B is a diagram schematically showing foreign matter adhering to the back surface of the temperature measurement substrate. 気流形成設備情報の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of airflow formation installation information. 図34(a)は熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図であり、図34(b)は温度分布である。FIG. 34A is a plan view of the temperature measurement substrate placed on the heat treatment plate, and FIG. 34B shows the temperature distribution. 図35(a)は熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図であり、図35(b)は温度分布である。FIG. 35A is a plan view of a temperature measurement substrate placed on the heat treatment plate, and FIG. 35B is a temperature distribution. 変形実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the substrate processing system which concerns on a modified example.

以下、図面を参照して本発明に係る実施例を説明する。まず、実施例に係る基板処理装置の基本的な構成および動作を説明した後、熱処理プレートの試験に関連する構成および動作を説明する。   Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. First, after describing the basic configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment, the configuration and operation related to the heat treatment plate test will be described.

なお、以下の説明において、「基板」とは、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、光磁気ディスク用の基板など(以下、単に基板と称する)をいう。   In the following description, “substrate” refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a magneto-optical substrate. A disk substrate or the like (hereinafter simply referred to as a substrate).

[1.基板処理装置の基本的な構成]
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図2は、基板処理装置の内部を側方(y方向)からみたときの液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。図3は、熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。図4は、基板処理装置の内部を側方(y方向)からみたときの搬送機構の配置を示す概略側面図である。
[1. Basic configuration of substrate processing apparatus]
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus showing the arrangement of the liquid processing units when the inside of the substrate processing apparatus is viewed from the side (y direction). FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus showing the arrangement of the heat treatment units. FIG. 4 is a schematic side view showing the arrangement of the transport mechanism when the inside of the substrate processing apparatus is viewed from the side (y direction).

基板処理装置1は、基板Wに処理を行う。本実施例では、基板処理装置1は、基板Wにレジスト膜を形成し、かつ、基板Wを現像する処理を行う。   The substrate processing apparatus 1 processes the substrate W. In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 performs a process of forming a resist film on the substrate W and developing the substrate W.

基板処理装置1は、インデクサ部(以下、「ID部」と記載する)11と処理部13とインターフェイス部(以下、「IF部」と記載する)17とを備える。処理部13は、ID部11およびIF部17とそれぞれ接している。IF部17はさらに、基板処理装置1とは別体の露光機EXPと接している。ID部11、処理部13、IF部17及び露光機EXPは、水平な一方向(図では「x」方向である)に並ぶように配置されている。なお、x方向と直交する水平方向を「y」方向とし、上下方向を「z」方向とする。以下、ID部11、処理部13、IF部17に分けて説明する。   The substrate processing apparatus 1 includes an indexer unit (hereinafter referred to as “ID unit”) 11, a processing unit 13, and an interface unit (hereinafter referred to as “IF unit”) 17. The processing unit 13 is in contact with the ID unit 11 and the IF unit 17. The IF unit 17 is further in contact with an exposure machine EXP that is separate from the substrate processing apparatus 1. The ID unit 11, the processing unit 13, the IF unit 17, and the exposure device EXP are arranged so as to be aligned in one horizontal direction (in the figure, “x” direction). The horizontal direction orthogonal to the x direction is the “y” direction, and the vertical direction is the “z” direction. Hereinafter, description will be made by dividing into the ID unit 11, the processing unit 13 and the IF unit 17.

[1−1 ID部11]
ID部11は、キャリア載置部21と搬送スペース22を備えている。
[1-1 ID section 11]
The ID unit 11 includes a carrier placement unit 21 and a conveyance space 22.

キャリア載置部21にはキャリアCが載置される。キャリアCは、例えば不図示の外部搬送機構によって搬送される。キャリアCは、複数枚の基板Wを収容する。キャリアCとしては、FOUP(front opening unified pod)が例示される。キャリアCは、本発明における収容器に相当する。   The carrier C is placed on the carrier placement unit 21. The carrier C is conveyed by an external conveyance mechanism (not shown), for example. The carrier C accommodates a plurality of substrates W. As the carrier C, FOUP (front opening unified pod) is exemplified. The carrier C corresponds to a container in the present invention.

搬送スペース22には、ID部内搬送機構(以下では、適宜に「搬送機構」と略記する)TAが設置されている。搬送機構TAは、キャリアCから基板Wを搬出し、かつ、キャリアCに基板Wを搬入する。また、搬送機構TAは、処理部13に基板Wを渡し、かつ、処理部13から基板Wを受け取る。   In the transport space 22, an ID internal transport mechanism (hereinafter abbreviated as “transport mechanism”) TA is installed. The transport mechanism TA unloads the substrate W from the carrier C and loads the substrate W into the carrier C. The transport mechanism TA passes the substrate W to the processing unit 13 and receives the substrate W from the processing unit 13.

搬送機構TAは、いわゆる搬送ロボットである。具体的には、搬送機構TAは、基板Wを保持する1又は2以上のハンドHと、ハンドHを移動させるための各種の駆動機構(不図示)を備えている。各種駆動機構によって、ハンドHは、y方向に平行移動可能であり、z方向に昇降可能であり、搬送機構TAの縦軸心回りに回転移動可能であり、縦軸心の径方向に前進・後退移動可能である。これらの移動によって、ハンドH(搬送機構TA)の位置が変わる。   The transport mechanism TA is a so-called transport robot. Specifically, the transport mechanism TA includes one or more hands H that hold the substrate W and various drive mechanisms (not shown) for moving the hands H. By various drive mechanisms, the hand H can be translated in the y direction, can be moved up and down in the z direction, can be rotated around the longitudinal axis of the transport mechanism TA, and can be advanced in the radial direction of the longitudinal axis. It is possible to move backward. These movements change the position of the hand H (transport mechanism TA).

[1−2 処理部13]
処理部13は、第1ブロック14と第2ブロック15に分離可能に構成されている。第1ブロック14と第2ブロック15は、x方向に並ぶように配置されている。ID部11には第1ブロック14が接しており、IF部17には第2ブロック15が接している。以下では、第1ブロック14と第2ブロック15に分けて説明する。
[1-2 Processing Unit 13]
The processing unit 13 is configured to be separable into a first block 14 and a second block 15. The first block 14 and the second block 15 are arranged in the x direction. The ID block 11 is in contact with the first block 14, and the IF block 17 is in contact with the second block 15. Hereinafter, the first block 14 and the second block 15 will be described separately.

[1−2−1 処理部13〜第1ブロック14]
第1ブロック14は、搬送スペース30と液処理部40と熱処理部50を備えている。搬送スペース30は、平面視で第1ブロック14のy方向(幅方向)における略中央を通り、x方向に延びる帯状の領域である。搬送スペース30の両端はそれぞれ、ID部11および第2ブロック15に面している。搬送スペース30のy方向一側方には液処理部40が配置されており、搬送スペース30のy方向他側方には熱処理部50が配置されている。
[1-2-1 Processing Unit 13 to First Block 14]
The first block 14 includes a conveyance space 30, a liquid processing unit 40, and a heat treatment unit 50. The conveyance space 30 is a band-like region that extends in the x direction through the approximate center in the y direction (width direction) of the first block 14 in plan view. Both ends of the conveyance space 30 face the ID unit 11 and the second block 15, respectively. A liquid processing unit 40 is disposed on one side of the conveyance space 30 in the y direction, and a heat treatment unit 50 is disposed on the other side of the conveyance space 30 in the y direction.

図4に示すように、搬送スペース30は、搬送スペース30の上部にあたる上部搬送スペース31と、搬送スペース30の下部にあたる下部搬送スペース32を有する。上部搬送スペース31には、処理部内搬送機構(以下では、適宜に「搬送機構」と略記する)TB1cが設置されている。下部搬送スペース32には、処理部内搬送機構(以下では、適宜に「搬送機構」と略記する)TB2cが設置されている。搬送機構TB1cの可動域は、上部搬送スペース31に限られ、搬送機構TB2cの可動域は下部搬送スペース32の下部に限られている。   As illustrated in FIG. 4, the transport space 30 includes an upper transport space 31 that is an upper portion of the transport space 30 and a lower transport space 32 that is a lower portion of the transport space 30. In the upper transfer space 31, an in-process transfer mechanism (hereinafter abbreviated as “transfer mechanism” as appropriate) TB1c is installed. In the lower transfer space 32, an in-process transfer mechanism (hereinafter abbreviated as “transfer mechanism”) TB2c is installed. The movable range of the transport mechanism TB1c is limited to the upper transport space 31, and the movable range of the transport mechanism TB2c is limited to the lower portion of the lower transport space 32.

ID部11と上部搬送スペース31との間には、載置部P1S、P1Rが設置されている。ID部11と下部搬送スペース32との間には、載置部P2S、P2Rが設置されている。載置部P1S、P1R、P2S、P2Rは、上下方向(z方向)に並ぶように配置されている。   Between the ID part 11 and the upper conveyance space 31, placement parts P1S and P1R are installed. Between the ID unit 11 and the lower conveyance space 32, placement units P2S and P2R are installed. The placement parts P1S, P1R, P2S, and P2R are arranged in the vertical direction (z direction).

載置部P1S、P1Rは、搬送機構TAと搬送機構TB1cとの間で基板Wを双方向に送るために使用される。載置部P2S、P2Rは、搬送機構TAと搬送機構TB2cとの間で基板Wを双方向に送るために使用される。たとえば、搬送機構TAから搬送機構TB1cに基板Wを送るときは、搬送機構TAが基板Wを載置部P1Sに載置し、載置部P1Sに載置された基板Wを搬送機構TB1cが受け取る。逆に、搬送機構TB1cから搬送機構TAに基板Wを送るときは、搬送機構TB1cが基板Wを載置部P1Rに載置し、載置部P1Rに載置された基板Wを搬送機構TAが受け取る。   The placement units P1S and P1R are used to send the substrate W bidirectionally between the transport mechanism TA and the transport mechanism TB1c. The placement units P2S and P2R are used to send the substrate W bidirectionally between the transport mechanism TA and the transport mechanism TB2c. For example, when the substrate W is sent from the transport mechanism TA to the transport mechanism TB1c, the transport mechanism TA places the substrate W on the placement unit P1S, and the transport mechanism TB1c receives the substrate W placed on the placement unit P1S. . Conversely, when the substrate W is sent from the transport mechanism TB1c to the transport mechanism TA, the transport mechanism TB1c places the substrate W on the placement part P1R, and the transport mechanism TA places the substrate W placed on the placement part P1R. receive.

図2を参照する。液処理部40には、4つの塗布処理室41、42、43、44が設置されている。これら塗布処理室41乃至44は、上下方向(z方向)に並ぶように配置されている。各塗布処理室41乃至44内の雰囲気は、隔壁等によって互いに遮断されている。上側の塗布処理室41、42はそれぞれ、上部搬送スペース31に面している。塗布処理室41、42に対しては、搬送機構TB1cが基板Wを搬入、搬出する。下側の塗布処理室43、44はそれぞれ、下部搬送スペース32に面している。塗布処理室43、44に対しては、搬送機構TB2cが基板Wを搬入、搬出する。   Please refer to FIG. The liquid processing unit 40 is provided with four coating processing chambers 41, 42, 43, and 44. These coating processing chambers 41 to 44 are arranged in the vertical direction (z direction). The atmosphere in each of the coating processing chambers 41 to 44 is blocked from each other by a partition wall or the like. Each of the upper coating processing chambers 41 and 42 faces the upper transfer space 31. The transport mechanism TB1c carries the substrate W in and out of the coating processing chambers 41 and 42. Each of the lower coating processing chambers 43 and 44 faces the lower transfer space 32. The transport mechanism TB2c carries the substrate W into and out of the coating processing chambers 43 and 44.

各塗布処理室41乃至44には、複数の塗布処理ユニット60が搬送スペース30に沿って一列に並ぶように設置されている。各塗布処理ユニット60はそれぞれ、保持部61とカップ62とノズル63とノズル搬送機構64を備える。ノズル63とノズル搬送機構64は、図1に示される。搬送機構TB1c/TB2cは、保持部61上に基板Wを載置する。保持部61は載置された基板Wを水平姿勢で保持する。保持部61は不図示のモータに連結されており、回転可能である。カップ62は保持部61の周囲に配置され、基板Wから飛散する処理液を回収する。複数のノズル63は、平面視でカップ62の側方の待機位置に設置されている。各ノズル63はそれぞれ、処理液供給源に連通接続されており、処理液を吐出可能である。ノズル搬送機構64は、いずれかのノズル63を保持して、待機位置と基板Wの上方にあたる処理位置との間にわたって搬送する。   In each of the coating processing chambers 41 to 44, a plurality of coating processing units 60 are installed in a line along the transfer space 30. Each coating processing unit 60 includes a holding unit 61, a cup 62, a nozzle 63, and a nozzle transport mechanism 64. The nozzle 63 and the nozzle transport mechanism 64 are shown in FIG. The transport mechanisms TB1c / TB2c place the substrate W on the holding unit 61. The holding unit 61 holds the placed substrate W in a horizontal posture. The holding part 61 is connected to a motor (not shown) and is rotatable. The cup 62 is disposed around the holding unit 61 and collects the processing liquid scattered from the substrate W. The plurality of nozzles 63 are installed at standby positions on the side of the cup 62 in plan view. Each nozzle 63 is connected in communication with a processing liquid supply source and can discharge the processing liquid. The nozzle transport mechanism 64 holds one of the nozzles 63 and transports it between the standby position and the processing position above the substrate W.

塗布処理室41、43内の各塗布処理ユニット60は、レジスト塗布処理ユニットREである。レジスト塗布処理ユニットREは、ノズル63からレジスト膜用の処理液を基板Wに塗布し、基板W上にレジスト膜を形成する処理を行う。塗布処理室42、44内の各塗布処理ユニット60は、反射防止膜材料塗布処理ユニットBAである。塗布処理ユニットBAは、ノズル63から反射防止膜用の処理液を基板Wに塗布し、基板W上に反射防止膜を形成する処理を行う。   Each coating processing unit 60 in the coating processing chambers 41 and 43 is a resist coating processing unit RE. The resist coating processing unit RE performs a process of applying a resist film processing liquid to the substrate W from the nozzle 63 and forming a resist film on the substrate W. Each coating processing unit 60 in the coating processing chambers 42 and 44 is an antireflection film material coating processing unit BA. The coating processing unit BA performs a process of applying an antireflection film processing liquid to the substrate W from the nozzle 63 and forming an antireflection film on the substrate W.

図3を参照する。熱処理部50には、複数の熱処理ユニットHUが設置されている。各熱処理ユニットHUは、側面視で行列状(例えば、x方向に3列、z方向に10段)に配置されている。ここで、上側5段に配置される複数の熱処理ユニットHUを熱処理ユニット群51と呼び、下側5段に配置される複数の熱処理ユニットHUを熱処理ユニット群52と呼ぶ。上側の熱処理ユニット群51は、上部搬送スペース31に面している。熱処理ユニット群51に対しては、搬送機構TB1cが基板Wを搬入、搬出する。下側の熱処理ユニット群52は、下部搬送スペース32に面している。熱処理ユニット群52に対しては、搬送機構TB2cが基板Wを搬入、搬出する。   Please refer to FIG. The heat treatment unit 50 is provided with a plurality of heat treatment units HU. Each heat treatment unit HU is arranged in a matrix (for example, three rows in the x direction and ten steps in the z direction) in a side view. Here, the plurality of heat treatment units HU arranged in the upper five stages is referred to as a heat treatment unit group 51, and the plurality of heat treatment units HU arranged in the lower five stages is referred to as a heat treatment unit group 52. The upper heat treatment unit group 51 faces the upper transfer space 31. The transport mechanism TB1c carries the substrate W into and out of the heat treatment unit group 51. The lower heat treatment unit group 52 faces the lower transfer space 32. The transport mechanism TB2c carries the substrate W into and out of the heat treatment unit group 52.

各熱処理ユニットHUは、複数のカテゴリー(種類)に分類される。一部の熱処理ユニットHUは、加熱冷却ユニットPHPであり、他の熱処理ユニットHUは冷却ユニットCPである。加熱冷却ユニットPHPは、加熱処理と冷却処理を続けて行う。冷却ユニットCPは冷却処理を行う。熱処理ユニット群51、52の間で、加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPの数および配置は、略同じである。   Each heat treatment unit HU is classified into a plurality of categories (types). Some heat treatment units HU are heating / cooling units PHP, and other heat treatment units HU are cooling units CP. The heating / cooling unit PHP performs the heating process and the cooling process continuously. The cooling unit CP performs a cooling process. Between the heat treatment unit groups 51 and 52, the number and arrangement of the heating / cooling unit PHP and the cooling unit CP are substantially the same.

本明細書では、各熱処理ユニットHUを区別するときには、図3に示す符号を用いて、「熱処理ユニットHU01」等と記載する。 In this specification, when distinguishing the thermal processing unit HU, using the code shown in FIG. 3, referred to as "thermal processing unit HU 01" or the like.

搬送機構TB1cを具体的に説明する。図5を参照する。図5は、搬送機構TB1cの斜視図である。なお、搬送機構TB2cも搬送機構TB1cと同様に構成されている。   The transport mechanism TB1c will be specifically described. Please refer to FIG. FIG. 5 is a perspective view of the transport mechanism TB1c. The transport mechanism TB2c is configured similarly to the transport mechanism TB1c.

搬送機構TB1cは、一対の第1ガイドレール81と、第2ガイドレール82と、ベース部83と、回転台84と、2つのハンドHを備えている。   The transport mechanism TB1c includes a pair of first guide rails 81, a second guide rail 82, a base portion 83, a turntable 84, and two hands H.

第1ガイドレール81は、上部搬送スペース31の四隅のうち、液処理部40側の2つの角隅部にそれぞれ固定されている(図1参照)。第1ガイドレール81はそれぞれ、上下方向(z方向)に延びるように設置されている。各第1ガイドレール81には、第2ガイドレール82の両端部がそれぞれ摺動可能に接続されている。第1ガイドレール81は第2ガイドレール82をz方向に案内する。   The first guide rails 81 are respectively fixed to two corners on the liquid processing unit 40 side among the four corners of the upper conveyance space 31 (see FIG. 1). Each of the first guide rails 81 is installed so as to extend in the vertical direction (z direction). Both end portions of the second guide rail 82 are slidably connected to each first guide rail 81. The first guide rail 81 guides the second guide rail 82 in the z direction.

第2ガイドレール82は、x方向に延びるように設置されている。第2ガイドレール82には、ベース部83が摺動可能に接続されている。第2ガイドレール82はベース部83をx方向に案内する。   The second guide rail 82 is installed so as to extend in the x direction. A base portion 83 is slidably connected to the second guide rail 82. The second guide rail 82 guides the base portion 83 in the x direction.

ベース部83には回転台84が接続されている。回転台84は、ベース部83に対して縦軸心Q周りに回転可能である。   A turntable 84 is connected to the base portion 83. The turntable 84 can rotate around the vertical axis Q with respect to the base portion 83.

2本のハンドHは、回転台84に接続されている。各ハンドHはそれぞれ、回転台84に対して水平1方向に前進後退移動可能である。   The two hands H are connected to the turntable 84. Each hand H can move forward and backward in one horizontal direction with respect to the turntable 84.

搬送機構TB1cはさらに、第2ガイドレール82、ベース部83、回転台84およびハンドHをそれぞれ移動させるための各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、搬送機構TB1cの位置が変わる。すなわち、第2ガイドレール82はz方向に昇降し、ベース部83はx方向に移動し、回転台84は縦軸心Q回りに回転する。これらの移動に伴って、ハンドHおよびハンドHに保持された基板Wは、z方向およびx方向に平行移動し、縦軸心Q回りに旋回する。さらに、各ハンドHが回転台84に対して進退移動することによって、ハンドHに保持された基板Wは縦軸心Qの径方向に平行移動する。   The transport mechanism TB1c further includes various drive mechanisms for moving the second guide rail 82, the base portion 83, the turntable 84, and the hand H, respectively. The position of the transport mechanism TB1c is changed by these various drive mechanisms. That is, the second guide rail 82 moves up and down in the z direction, the base portion 83 moves in the x direction, and the turntable 84 rotates about the vertical axis Q. With these movements, the hand H and the substrate W held by the hand H move in parallel in the z direction and the x direction, and turn around the vertical axis Q. Further, as each hand H moves forward and backward with respect to the turntable 84, the substrate W held by the hand H moves in parallel in the radial direction of the vertical axis Q.

搬送スペース30の他の設備について説明する。搬送スペース30内には、給気ユニット85、86と排気ユニット87、88が配置されている。給気ユニット85は、上部搬送スペース31に清浄な気体を供給する。排気ユニット87は、上部搬送スペース31から気体を排出する。給気ユニット86は、下部搬送スペース32に清浄な気体を供給する。排気ユニット88は、下部搬送スペース32から気体を排出する。   Other equipment of the conveyance space 30 will be described. In the transfer space 30, air supply units 85 and 86 and exhaust units 87 and 88 are arranged. The air supply unit 85 supplies clean gas to the upper conveyance space 31. The exhaust unit 87 exhausts gas from the upper conveyance space 31. The air supply unit 86 supplies clean gas to the lower transfer space 32. The exhaust unit 88 discharges gas from the lower conveyance space 32.

図5では、排気ユニット87が有する複数の排気口eoを図示する。排気口eoは、排気ユニット87の上面に形成されている。排気口eoを通じて、排気ユニット87の上方の気体は排気ユニット87内に吸引される。   In FIG. 5, the several exhaust port eo which the exhaust unit 87 has is shown in figure. The exhaust port eo is formed on the upper surface of the exhaust unit 87. The gas above the exhaust unit 87 is sucked into the exhaust unit 87 through the exhaust port eo.

また、排気ユニット87と給気ユニット86とは、上部搬送スペース31の雰囲気と下部搬送スペース32の雰囲気を遮断している。   Further, the exhaust unit 87 and the air supply unit 86 block the atmosphere of the upper transfer space 31 and the atmosphere of the lower transfer space 32.

[1−2−2 処理部13〜第2ブロック15]
第2ブロック15の構成について説明する。なお、第1ブロック14と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
[1-2-2 Processing Unit 13 to Second Block 15]
The configuration of the second block 15 will be described. In addition, about the same structure as the 1st block 14, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting a same sign.

図1を参照する。第2ブロック15は、搬送スペース35と液処理部45と熱処理部55を備えている。これらのレイアウトは、基本的に第1ブロック14と同様である。   Please refer to FIG. The second block 15 includes a conveyance space 35, a liquid processing unit 45, and a heat treatment unit 55. These layouts are basically the same as those of the first block 14.

図4を参照する。搬送スペース35は、上部搬送スペース36と下部搬送スペース37を有する。上部搬送スペース36には、処理部内搬送機構(以下では、適宜に「搬送機構」と略記する)TB1dが設置されている。下部搬送スペース37には、処理部内搬送機構(以下では、適宜に「搬送機構」と略記する)TB2dが設置されている。搬送機構TB1d、TB2dは、搬送機構TB1c、TB2cと同様に構成されている。   Please refer to FIG. The transfer space 35 has an upper transfer space 36 and a lower transfer space 37. In the upper transfer space 36, an in-process transfer mechanism (hereinafter abbreviated as “transfer mechanism”) TB1d is installed. In the lower transfer space 37, an in-process transfer mechanism (hereinafter abbreviated as “transport mechanism”) TB2d is installed. The transport mechanisms TB1d and TB2d are configured similarly to the transport mechanisms TB1c and TB2c.

上部搬送スペース36の一端は、上部搬送スペース31に面している。上部搬送スペース31、36の間には載置部P3S、P3Rが設置されている。搬送機構TB1dは、載置部P3Rを介して、搬送機構TB1cに基板Wを渡す。また、搬送機構TB1dは、載置部P3Sを介して、搬送機構TB1cから基板Wを受け取る。   One end of the upper conveyance space 36 faces the upper conveyance space 31. Between the upper conveyance spaces 31 and 36, placement units P3S and P3R are installed. The transport mechanism TB1d passes the substrate W to the transport mechanism TB1c via the placement unit P3R. Further, the transport mechanism TB1d receives the substrate W from the transport mechanism TB1c via the placement unit P3S.

同様に、下部搬送スペース37の一端は、下部搬送スペース32に面している。下部搬送スペース32、37の間には載置部P4S、P4Rが設置されている。搬送機構TB2dは、載置部P4S/P4Rを介して、搬送機構TB2cに基板Wを渡し、かつ、搬送機構TB2cから基板Wを受け取る。   Similarly, one end of the lower transfer space 37 faces the lower transfer space 32. Between the lower conveyance spaces 32 and 37, placement units P4S and P4R are installed. The transport mechanism TB2d passes the substrate W to the transport mechanism TB2c via the placement unit P4S / P4R, and receives the substrate W from the transport mechanism TB2c.

図2を参照する。液処理部45は、4つの現像処理室46、47、48、49を備えている。これら現像処理室46乃至49は、上下方向(z方向)に並ぶように配置されている。現像処理室46、47は上側に配置され、現像処理室48、49は下側に配置されている。現像処理室46、47はそれぞれ、上部搬送スペース36に面している。現像処理室46、47に対しては、搬送機構TB1dが基板Wを搬入、搬出する。現像処理室48、49はそれぞれ、下部搬送スペース37に面している。現像処理室48、49に対しては、搬送機構TB2dが基板Wを搬入、搬出する。   Please refer to FIG. The liquid processing unit 45 includes four development processing chambers 46, 47, 48, and 49. These development processing chambers 46 to 49 are arranged in the vertical direction (z direction). The development processing chambers 46 and 47 are disposed on the upper side, and the development processing chambers 48 and 49 are disposed on the lower side. The development processing chambers 46 and 47 face the upper transfer space 36, respectively. The transport mechanism TB1d carries the substrate W into and out of the development processing chambers 46 and 47. The development processing chambers 48 and 49 each face the lower transfer space 37. The transport mechanism TB2d carries the substrate W into and out of the development processing chambers 48 and 49.

各現像処理室46乃至49には、それぞれ複数の現像処理ユニット65が搬送スペース35に沿って一列に並ぶように設置されている。各現像処理ユニット65は、保持部66とカップ67とノズル68とノズル搬送機構69を備える。搬送機構TB1d/TB2dは、保持部66上に基板Wを載置する。保持部66は載置された基板Wを水平姿勢で保持する。保持部66は不図示のモータに連結されており、回転可能である。カップ67は保持部66の周囲に配置され、基板Wから飛散する現像液を回収する。ノズル68は基板Wに現像液を吐出する。ノズル68は、ノズル移動機構69に接続されており、x方向に移動可能である。ノズル移動機構69は、基板Wの上方の位置と基板Wの上方から外れた位置との間にわたってノズル68を移動させる。   In each of the development processing chambers 46 to 49, a plurality of development processing units 65 are installed in a line along the transport space 35. Each development processing unit 65 includes a holding unit 66, a cup 67, a nozzle 68, and a nozzle transport mechanism 69. The transport mechanisms TB1d / TB2d place the substrate W on the holding unit 66. The holding unit 66 holds the placed substrate W in a horizontal posture. The holding part 66 is connected to a motor (not shown) and is rotatable. The cup 67 is disposed around the holding unit 66 and collects the developer scattered from the substrate W. The nozzle 68 discharges the developer onto the substrate W. The nozzle 68 is connected to a nozzle moving mechanism 69 and can move in the x direction. The nozzle moving mechanism 69 moves the nozzle 68 between a position above the substrate W and a position deviated from above the substrate W.

図3を参照する。熱処理部55には、複数の熱処理ユニットHUとエッジ露光ユニットEEWと載置部P5S、P5R、P6S、P6Rが設置されている。これら熱処理ユニット等は、行列状に配置されている。ここで、上側に配置される熱処理ユニット等を熱処理ユニット群56と呼ぶ。下側に配置される熱処理ユニット等を熱処理ユニット群57と呼ぶ。   Please refer to FIG. In the heat treatment unit 55, a plurality of heat treatment units HU, an edge exposure unit EEW, and placement units P5S, P5R, P6S, and P6R are installed. These heat treatment units and the like are arranged in a matrix. Here, the heat treatment unit or the like disposed on the upper side is referred to as a heat treatment unit group 56. A heat treatment unit or the like disposed on the lower side is referred to as a heat treatment unit group 57.

熱処理ユニット群56に含まれる熱処理ユニットHUは、加熱冷却ユニットPHPと、冷却ユニットCPと、露光後加熱処理ユニットPEBである。熱処理ユニット群56の加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPに対しては、搬送機構TB1dが基板Wを搬送する。露光後加熱処理ユニットPEBに対しては、IF部17が基板Wを搬入・搬出する。   The heat treatment units HU included in the heat treatment unit group 56 are a heating / cooling unit PHP, a cooling unit CP, and a post-exposure heat treatment unit PEB. The transport mechanism TB1d transports the substrate W to the heating / cooling unit PHP and the cooling unit CP of the heat treatment unit group 56. The IF unit 17 carries the substrate W in and out of the post-exposure heat processing unit PEB.

熱処理ユニット群57に含まれる熱処理ユニットHUは、加熱冷却ユニットPHPと、冷却ユニットCPと、露光後加熱処理ユニットPEBである。熱処理ユニット群57の加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPに対しては、搬送機構TB2dが基板Wを搬送する。露光後加熱処理ユニットPEBに対しては、IF部17が基板Wを搬入・搬出する。   The heat treatment units HU included in the heat treatment unit group 57 are a heating / cooling unit PHP, a cooling unit CP, and a post-exposure heat treatment unit PEB. The transport mechanism TB2d transports the substrate W to the heating / cooling unit PHP and the cooling unit CP of the heat treatment unit group 57. The IF unit 17 carries the substrate W in and out of the post-exposure heat processing unit PEB.

露光後加熱処理ユニットPEBは、熱処理ユニット群56、57の列のうち、最もIF部17側の列のみに配置されている。露光後加熱処理ユニットPEBは、加熱冷却ユニットPHPと同じ構造である。露光後加熱処理ユニットPEBは、露光処理後の基板Wに露光後熱処理(Post Exposure Bake)を行う。   The post-exposure heat treatment unit PEB is arranged only in the row closest to the IF unit 17 among the rows of the heat treatment unit groups 56 and 57. The post-exposure heat treatment unit PEB has the same structure as the heating / cooling unit PHP. The post-exposure heat processing unit PEB performs post-exposure heat treatment (Post Exposure Bake) on the substrate W after the exposure processing.

エッジ露光ユニットEEWは、基板Wの周縁部を露光する。熱処理ユニット群56のエッジ露光ユニットEEW01に対しては、搬送機構TB1dが基板Wを搬送する。熱処理ユニット群57のエッジ露光ユニットEEW02に対しては、搬送機構TB2dが基板Wを搬送する。 The edge exposure unit EEW exposes the peripheral edge of the substrate W. For edge exposing unit EEW 01 of the thermal processing unit group 56, the transport mechanism TB1d transports the substrate W. For edge exposing unit EEW 02 of the thermal processing unit group 57, the transport mechanism TB2d transports the substrate W.

載置部P5S、P5R、P6S、P6Rは、それぞれ露光後加熱処理ユニットPEBの上方に積層されている。載置部P5S/P5Rは、搬送機構TB1dとIF部17の間で基板Wを搬送するときに使用される。載置部P6S/P6Rは、搬送機構TB2dとIF部17の間で基板Wを搬送するときに使用される。   The placement portions P5S, P5R, P6S, and P6R are stacked above the post-exposure heat treatment unit PEB, respectively. The placement units P5S / P5R are used when the substrate W is transported between the transport mechanism TB1d and the IF unit 17. The placement units P6S / P6R are used when the substrate W is transported between the transport mechanism TB2d and the IF unit 17.

上述した処理部13の構造によれば、処理部13は、基板Wを処理する複数の階層K1、K2を備えていると考えることができる。ここで、上側の階層である上層K1は、上部搬送スペース31、36と、塗布処理室41、42と、現像処理室46、47と、熱処理ユニット群51、56等によって構成されている。下側の階層である下層K2は、下部搬送スペース32、37と、塗布処理室43、44と、現像処理室48、49と、熱処理ユニット群52、57等によって構成されている。   According to the structure of the processing unit 13 described above, it can be considered that the processing unit 13 includes a plurality of layers K1 and K2 for processing the substrate W. Here, the upper layer K1, which is the upper layer, includes upper transport spaces 31, 36, coating processing chambers 41, 42, development processing chambers 46, 47, heat treatment unit groups 51, 56, and the like. The lower layer K2, which is the lower layer, includes lower transfer spaces 32 and 37, coating processing chambers 43 and 44, development processing chambers 48 and 49, heat treatment unit groups 52 and 57, and the like.

[1−3 IF部17]
図1を参照する。IF部17は基板Wを搬送するIF部内搬送機構(以下、適宜に「搬送機構」と略記する)TCを備えている。本実施例では、搬送機構TCは、2基の搬送機構TCa、TCbで構成されている。搬送機構TCaは、z方向に昇降可能であり、搬送機構TCaの縦軸心回りに回転移動可能であり、縦軸心の径方向に前進・後退移動可能である。搬送機構TCbも、搬送機構TCaと同様に構成されている。
[1-3 IF unit 17]
Please refer to FIG. The IF unit 17 includes an intra-IF unit transport mechanism (hereinafter abbreviated as “transport mechanism”) TC for transporting the substrate W. In the present embodiment, the transport mechanism TC includes two transport mechanisms TCa and TCb. The transport mechanism TCa can move up and down in the z direction, can rotate around the longitudinal axis of the transport mechanism TCa, and can move forward and backward in the radial direction of the longitudinal axis. The transport mechanism TCb is configured similarly to the transport mechanism TCa.

搬送機構TCaは、載置部P5Sを介して搬送機構TB1dから基板Wを受け取り、載置部P5Rを介して搬送機構TB1dに基板Wを渡す。搬送機構TCaは、載置部P6Sを介して搬送機構TB2dから基板Wを受け取り、載置部P6Rを介して搬送機構TB2dに基板Wを渡す。また、各搬送機構TCaは、熱処理ユニット群56/57の両方に設けられる露光後加熱処理ユニットPEBに対して基板Wを搬入、搬出する。搬送機構TCaは、さらに、搬送機構TCbに基板Wを渡し、搬送機構TCbから基板Wを受け取る。搬送機構TCbは、さらに、基板Wを露光機EXPに搬送し、かつ、露光機EXPから基板Wを受け取る。   The transport mechanism TCa receives the substrate W from the transport mechanism TB1d through the placement unit P5S, and passes the substrate W to the transport mechanism TB1d through the placement unit P5R. The transport mechanism TCa receives the substrate W from the transport mechanism TB2d through the placement unit P6S, and passes the substrate W to the transport mechanism TB2d through the placement unit P6R. Each transport mechanism TCa carries the substrate W in and out of the post-exposure heat treatment unit PEB provided in both the heat treatment unit groups 56/57. The transport mechanism TCa further transfers the substrate W to the transport mechanism TCb and receives the substrate W from the transport mechanism TCb. The transport mechanism TCb further transports the substrate W to the exposure machine EXP and receives the substrate W from the exposure machine EXP.

図6を参照する。図6は、IF部17の内部をx方向から見た正面図である。搬送機構TCaと搬送機構TCbとの間には、載置部PASS−CPと、載置部P7Rと、バッファ部BFが設けられている。これら載置部PASS−CP等は、上下に並ぶように積層されている。載置部PASS−CPは基板Wを載置し、かつ、基板Wを冷却する。載置部PASS−CPは、搬送機構TCaが搬送機構TCbに基板Wを渡すときに使用される。載置部P7Rは、搬送機構TCbが搬送機構TCaに基板Wを渡すときに使用される。バッファ部BFは複数枚の基板Wを載置可能である。   Please refer to FIG. FIG. 6 is a front view of the inside of the IF unit 17 as viewed from the x direction. Between the transport mechanism TCa and the transport mechanism TCb, a placement unit PASS-CP, a placement unit P7R, and a buffer unit BF are provided. These placement parts PASS-CP and the like are stacked so as to be lined up and down. The placement unit PASS-CP places the substrate W and cools the substrate W. The placement unit PASS-CP is used when the transport mechanism TCa transfers the substrate W to the transport mechanism TCb. The placement portion P7R is used when the transport mechanism TCb passes the substrate W to the transport mechanism TCa. The buffer unit BF can mount a plurality of substrates W.

[1−4 制御系の構成]
図1を参照する。基板処理装置1は、制御部91と記憶部93と入出力部95を備えている。
[1-4 Configuration of control system]
Please refer to FIG. The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 91, a storage unit 93, and an input / output unit 95.

制御部91は、例えば、ID部11に設置されている。制御部91は、ID部11、処理部13およびIF部17を統括的に制御する。具体的には、各種の搬送機構および各種の処理ユニットの動作を制御する。   The control unit 91 is installed in the ID unit 11, for example. The control unit 91 comprehensively controls the ID unit 11, the processing unit 13, and the IF unit 17. Specifically, operations of various transport mechanisms and various processing units are controlled.

記憶部93も、例えば、ID部11に設置されている。記憶部93は、処理レシピ(処理プログラム)など各種情報を記憶している。   The storage unit 93 is also installed in the ID unit 11, for example. The storage unit 93 stores various information such as a processing recipe (processing program).

入出力部95は、ID部11の外壁面に取り付けられている。入出力部95には、ユーザーが各種の命令や情報を入力することができる。また、入出力部95は、ユーザーに各種の情報を表示する。入出力部95は、例えば、タッチパネルディスプレイである。入出力部95は、本発明における出力部に相当する。   The input / output unit 95 is attached to the outer wall surface of the ID unit 11. A user can input various commands and information into the input / output unit 95. The input / output unit 95 displays various information to the user. The input / output unit 95 is, for example, a touch panel display. The input / output unit 95 corresponds to the output unit in the present invention.

[2.基板処理装置1の動作]
次に、実施例に係る基板処理装置1の動作について説明する。以下では、ID部11からIF部17への搬送と、IF部17からID部11への搬送とに分けて説明する。
[2. Operation of substrate processing apparatus 1]
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described. In the following description, the conveyance from the ID unit 11 to the IF unit 17 and the conveyance from the IF unit 17 to the ID unit 11 will be described separately.

[2−1 ID部11からIF部17への搬送]
搬送機構TAは、キャリアCから基板Wを搬出し、搬出した基板Wを搬送機構TB1c、TB2cに交互に搬送する。すなわち、ID部11は、上層K1、下層K2に交互に基板Wを渡す。
[2-1 Transport from ID unit 11 to IF unit 17]
The transport mechanism TA unloads the substrate W from the carrier C, and alternately transports the unloaded substrate W to the transport mechanisms TB1c and TB2c. That is, the ID unit 11 passes the substrate W alternately to the upper layer K1 and the lower layer K2.

上層K1では、次のように動作する。搬送機構TB1cは、搬送機構TAから基板Wを受け取り、塗布処理室41、42および熱処理ユニット群51に設置される各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCP、反射防止膜用の塗布処理ユニットBA(60)、加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCP、レジスト膜用の塗布処理ユニットRE(60)、加熱冷却ユニットPHPの順番に基板Wを搬送する。これにより、基板Wに各種の処理が連続的に施され、基板W上に反射防止膜およびレジスト膜が形成される。搬送機構TB1cは、一連の処理が施された基板Wを搬送機構TB1dに渡す。   The upper layer K1 operates as follows. The transport mechanism TB1c receives the substrate W from the transport mechanism TA and transports the substrate W to the various processing units installed in the coating processing chambers 41 and 42 and the heat treatment unit group 51 in a predetermined order. For example, the heating / cooling unit PHP, the cooling unit CP, the coating processing unit BA (60) for the antireflection film, the heating / cooling unit PHP, the cooling unit CP, the coating processing unit RE (60) for the resist film, and the heating / cooling unit PHP. The substrates W are transferred in order. As a result, various processes are continuously performed on the substrate W, and an antireflection film and a resist film are formed on the substrate W. The transport mechanism TB1c passes the substrate W that has undergone a series of processes to the transport mechanism TB1d.

搬送機構TB1dは、搬送機構TB1cから基板Wを受け取って、熱処理ユニット群56に設置されるエッジ露光ユニットEEW01に搬送する。これにより、基板Wの周縁部が露光される。搬送機構TB1dは、処理が施された基板Wを搬送機構TCaに渡す。すなわち、上層K1はIF部17に基板Wを渡す。 Conveying mechanism TB1d receives the substrate W from the conveying mechanism TB1c, conveys the edge exposing unit EEW 01 installed in the thermal processing unit group 56. Thereby, the peripheral portion of the substrate W is exposed. The transport mechanism TB1d transfers the processed substrate W to the transport mechanism TCa. That is, the upper layer K1 passes the substrate W to the IF unit 17.

下層K2では、上層K1と同様に動作する。搬送機構TB2cは、搬送機構TAから基板Wを受け取り、塗布処理室43、44および熱処理ユニット群52における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。その後、基板Wを搬送機構TB2dに渡す。搬送機構TB2dは、搬送機構TB2cから基板Wを受け取って、熱処理ユニット群57に設置されるエッジ露光ユニットEEW02に搬送する。その後、搬送機構TB2dは、基板Wを搬送機構TCaに渡す。すなわち、下層K2はIF部17に基板Wを渡す。 The lower layer K2 operates in the same manner as the upper layer K1. The transport mechanism TB2c receives the substrate W from the transport mechanism TA and transports the substrate W to the various processing units in the coating processing chambers 43 and 44 and the heat treatment unit group 52 in a predetermined order. Thereafter, the substrate W is transferred to the transport mechanism TB2d. Conveying mechanism TB2d receives the substrate W from the conveying mechanism TB2c, conveys the edge exposing unit EEW 02 installed in the thermal processing unit group 57. Thereafter, the transport mechanism TB2d transfers the substrate W to the transport mechanism TCa. That is, the lower layer K <b> 2 passes the substrate W to the IF unit 17.

搬送機構TCaは、搬送機構TB1d、TB2dから基板Wを交互に受け取って、搬送機構TCbに渡す。搬送機構TCbは、搬送機構TCaから基板Wを受け取って、露光機EXPに送る。露光機EXPは基板Wに露光処理を行う。   The transport mechanism TCa alternately receives the substrates W from the transport mechanisms TB1d and TB2d and passes them to the transport mechanism TCb. The transport mechanism TCb receives the substrate W from the transport mechanism TCa and sends it to the exposure apparatus EXP. The exposure machine EXP performs an exposure process on the substrate W.

[2−2 ID部11からIF部17への搬送]
搬送機構TCbは、露光機EXPから基板Wを受け取って搬送機構TCaに渡す。
[2-2 Transport from ID unit 11 to IF unit 17]
The transport mechanism TCb receives the substrate W from the exposure machine EXP and passes it to the transport mechanism TCa.

搬送機構TCaは、搬送機構TCbから基板Wを受け取って、露光後加熱処理ユニットPEBに搬送する。これにより、基板Wに露光後加熱処理を行う。その後、搬送機構TCaは、露光後加熱処理が行われた基板Wを搬送機構TB1d、TB2dに渡す。すなわち、IF部17は上層K1および下層K2に基板Wを渡す。   The transport mechanism TCa receives the substrate W from the transport mechanism TCb and transports it to the post-exposure heat treatment unit PEB. Thereby, the post-exposure heat treatment is performed on the substrate W. Thereafter, the transport mechanism TCa passes the substrate W on which the post-exposure heat treatment has been performed to the transport mechanisms TB1d and TB2d. That is, the IF unit 17 passes the substrate W to the upper layer K1 and the lower layer K2.

ここで、搬送機構TB1dからIF部17に払い出された基板Wについては、熱処理ユニット群56に設置される露光後加熱処理ユニットPEBで処理し、搬送機構TB1dに渡すようにしてもよい。また、搬送機構TB2dからIF部17に払い出された基板Wについては、熱処理ユニット群57に設置される露光後加熱処理ユニットPEBで処理し、搬送機構TB2dに渡すようにしてもよい。   Here, the substrate W discharged from the transport mechanism TB1d to the IF unit 17 may be processed by the post-exposure heat treatment unit PEB installed in the heat treatment unit group 56 and transferred to the transport mechanism TB1d. Further, the substrate W delivered to the IF unit 17 from the transport mechanism TB2d may be processed by the post-exposure heat processing unit PEB installed in the heat treatment unit group 57 and transferred to the transport mechanism TB2d.

上層K1では、次のように動作する。すなわち、搬送機構TB1dは、搬送機構TCaから基板Wを受け取って、現像処理室46、47および熱処理ユニット群56における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、冷却ユニットCP、現像処理ユニット65、加熱冷却ユニットPHPの順番で基板Wを搬送する。これにより、基板Wを現像する。その後、搬送機構TB1dは、現像された基板Wを搬送機構TB1cに渡す。搬送機構TB1cは、搬送機構TB1dから基板Wを受け取り、搬送機構TAに渡す。すなわち、上層K1はID部11に基板Wを渡す。   The upper layer K1 operates as follows. That is, the transport mechanism TB1d receives the substrate W from the transport mechanism TCa and transports the substrate W to the various processing units in the development processing chambers 46 and 47 and the heat treatment unit group 56 in a predetermined order. For example, the substrate W is transported in the order of the cooling unit CP, the development processing unit 65, and the heating / cooling unit PHP. Thereby, the substrate W is developed. Thereafter, the transport mechanism TB1d transfers the developed substrate W to the transport mechanism TB1c. The transport mechanism TB1c receives the substrate W from the transport mechanism TB1d and passes it to the transport mechanism TA. That is, the upper layer K1 passes the substrate W to the ID unit 11.

下層K2では、上層K1と同様に動作する。搬送機構TB2dは、搬送機構TCaから基板Wを受け取って、現像処理室48、49および熱処理ユニット群57における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。そして、搬送機構TB2dは、現像された基板Wを搬送機構TB2cに渡す。搬送機構TB2cは、搬送機構TB2dから基板Wを受け取り、搬送機構TAに渡す。すなわち、下層K2はID部11に基板Wを渡す。   The lower layer K2 operates in the same manner as the upper layer K1. The transport mechanism TB2d receives the substrate W from the transport mechanism TCa and transports the substrate W to the various processing units in the development processing chambers 48 and 49 and the heat treatment unit group 57 in a predetermined order. Then, the transport mechanism TB2d passes the developed substrate W to the transport mechanism TB2c. The transport mechanism TB2c receives the substrate W from the transport mechanism TB2d and passes it to the transport mechanism TA. That is, the lower layer K <b> 2 passes the substrate W to the ID unit 11.

搬送機構TAは、搬送機構TB1c、TB2cから基板Wを受け取って、キャリアCに搬入する。   The transport mechanism TA receives the substrate W from the transport mechanisms TB1c and TB2c and loads it into the carrier C.

このように、ID部11とIF部17との間で基板Wを往復搬送させる。処理部13においては、基板Wを往復搬送させながら、基板Wにレジスト膜を形成し、かつ、基板Wを現像する。   Thus, the substrate W is reciprocated between the ID unit 11 and the IF unit 17. In the processing unit 13, a resist film is formed on the substrate W while the substrate W is reciprocated and the substrate W is developed.

特に、処理部13では、上層K1および下層K2が互いに独立して基板Wを搬送し、基板Wを処理する。これにより、処理部13における処理能力を約倍増させることができる。   In particular, in the processing unit 13, the upper layer K <b> 1 and the lower layer K <b> 2 transport the substrate W independently of each other and process the substrate W. Thereby, the processing capability in the processing unit 13 can be approximately doubled.

[3.熱処理プレートPLを試験するための構成]
次に、本実施例の特徴的な構成を説明する。
[3. Configuration for testing heat treatment plate PL]
Next, a characteristic configuration of the present embodiment will be described.

[3−1 熱処理ユニットHUの構成]
カテゴリーが同じ熱処理ユニットHU同士であっても、その構成が同じであるとは限らない。以下では、加熱冷却ユニットPHPの一構成例を説明し、その後、加熱冷却ユニットPHPのバリエーションを説明する。
[3-1 Configuration of heat treatment unit HU]
Even if the heat treatment units HU are in the same category, the configuration is not necessarily the same. Hereinafter, a configuration example of the heating / cooling unit PHP will be described, and then variations of the heating / cooling unit PHP will be described.

図7(a)乃至7(c)を参照する。図7(a)は、加熱冷却ユニットPHPの平面図であり、図7(b)、(c)はそれぞれ、加熱冷却ユニットPHPの内部をy方向から見た側面図である。図7(b)は、ローカル搬送機構が熱処理プレートの上方に位置しているときを示している。図7(c)は、熱処理プレートが熱処理を行っているときを示している。なお、図7(b)、(c)において、熱処理プレートについては断面図で示す。   Please refer to FIGS. 7A to 7C. FIG. 7A is a plan view of the heating / cooling unit PHP, and FIGS. 7B and 7C are side views of the inside of the heating / cooling unit PHP as viewed from the y direction. FIG. 7B shows a time when the local transport mechanism is located above the heat treatment plate. FIG. 7C shows the case where the heat treatment plate is performing heat treatment. 7B and 7C, the heat treatment plate is shown in a sectional view.

加熱冷却ユニットPHPは、載置部PAとローカル搬送機構TLと熱処理プレートPLとを備えている。   The heating / cooling unit PHP includes a placement part PA, a local transport mechanism TL, and a heat treatment plate PL.

載置部PAと熱処理プレートPLはy方向に並ぶように配置されている。載置部PAは、搬送スペース30/35に面するように設置され、熱処理プレートPLと搬送スペース30/35の間に位置する。   The placement part PA and the heat treatment plate PL are arranged in the y direction. The placement portion PA is installed so as to face the transfer space 30/35, and is positioned between the heat treatment plate PL and the transfer space 30/35.

載置部PAは、基板Wを支持する支持ピン103を備える。支持ピン103は、上下動可能である。支持ピン103が上下動することによって、支持ピン103は搬送機構TB1c/TB2c/TB1d/TB2d(以下、これらを「搬送機構TB」と総称する)から基板Wを受け取ったり、搬送機構TBに基板Wを渡す。また、支持ピン103が上下動することによって、支持ピン103はローカル搬送機構TLに基板Wを渡したり、ローカル搬送機構TLから基板Wを受け取る。   The placement portion PA includes support pins 103 that support the substrate W. The support pin 103 can move up and down. As the support pin 103 moves up and down, the support pin 103 receives the substrate W from the transport mechanism TB1c / TB2c / TB1d / TB2d (hereinafter collectively referred to as “transport mechanism TB”) or receives the substrate W from the transport mechanism TB. give. Further, when the support pins 103 move up and down, the support pins 103 pass the substrate W to the local transport mechanism TL or receive the substrate W from the local transport mechanism TL.

ローカル搬送機構TLは、載置部PAと熱処理プレートPLとの間で基板Wを搬送する。ローカル搬送機構TLは、ハンドHと駆動部104とを備えている。ハンドHは、基板Wを載置する。駆動部104はハンドHをy方向に平行移動させる。   The local transport mechanism TL transports the substrate W between the placement unit PA and the heat treatment plate PL. The local transport mechanism TL includes a hand H and a drive unit 104. The hand H places the substrate W thereon. The drive unit 104 translates the hand H in the y direction.

ハンドHは、その内部に形成される流路(不図示)を有している。この流路に冷却水を流すことによって、ローカル搬送機構TLは、ハンドHに載置された基板Wを冷却する。   The hand H has a flow path (not shown) formed therein. By flowing cooling water through the flow path, the local transport mechanism TL cools the substrate W placed on the hand H.

熱処理プレートPLは、基板Wを載置するための上面Fを有する。上面Fは略平坦である。上面Fは、平面視で基板Wより若干大きい円形状を有する。   The heat treatment plate PL has an upper surface F on which the substrate W is placed. The upper surface F is substantially flat. The upper surface F has a circular shape slightly larger than the substrate W in plan view.

加熱冷却ユニットPHPは、さらに、昇降ピン105と支持部材107とヒータ109と温度センサ111とユニット側アンテナAUと上蓋115を備えている。   The heating / cooling unit PHP further includes an elevating pin 105, a support member 107, a heater 109, a temperature sensor 111, a unit-side antenna AU, and an upper lid 115.

昇降ピン105は、熱処理プレートPLに形成された貫通孔に上下動可能に挿入されている。昇降ピン105が上下動することによって、ローカル搬送機構TLから基板Wを取って熱処理プレートPLに載置したり、熱処理プレートPLから基板Wを取ってローカル搬送機構TLに渡す。図7(b)、(c)では、退避位置にある昇降ピン105を実線で示している。昇降ピン105が退避位置に位置するとき、昇降ピン105の先端は熱処理プレートPLの上面Fよりも低い。図7(b)では、突出位置にある昇降ピン105を破線で示している。また、図7(b)では、突出位置にある昇降ピン105によって支持される基板Wを破線で示している。昇降ピン105が突出位置に位置するとき、昇降ピン105の先端はローカル搬送機構TLのハンドHよりも高い。   The elevating pins 105 are inserted into the through holes formed in the heat treatment plate PL so as to be movable up and down. As the elevating pins 105 move up and down, the substrate W is taken from the local transport mechanism TL and placed on the heat treatment plate PL, or the substrate W is taken from the heat treatment plate PL and transferred to the local transport mechanism TL. In FIGS. 7B and 7C, the lifting pins 105 in the retracted position are indicated by solid lines. When the elevating pin 105 is located at the retracted position, the tip of the elevating pin 105 is lower than the upper surface F of the heat treatment plate PL. In FIG.7 (b), the raising / lowering pin 105 in a protrusion position is shown with the broken line. Moreover, in FIG.7 (b), the board | substrate W supported by the raising / lowering pin 105 in a protrusion position is shown with the broken line. When the lifting pin 105 is located at the protruding position, the tip of the lifting pin 105 is higher than the hand H of the local transport mechanism TL.

支持部材107は、熱処理プレートPLに載置される基板Wの裏面と直接的に接し、基板Wと熱処理プレートPLの上面Fとの間に僅かな隙間(空間)を形成する。この隙間を通じて熱処理プレートPLから基板Wに熱が伝達される。支持部材107は、熱処理プレートPLの上面Fに固定されている。支持部材107は、例えば、球形状を有する。   Support member 107 directly contacts the back surface of substrate W placed on heat treatment plate PL, and forms a slight gap (space) between substrate W and upper surface F of heat treatment plate PL. Heat is transferred from the heat treatment plate PL to the substrate W through this gap. Support member 107 is fixed to upper surface F of heat treatment plate PL. The support member 107 has, for example, a spherical shape.

ヒータ109は、熱処理プレートPLの内部又は下部に設置され、熱処理プレートPLを加熱する。熱処理プレートPLは、ヒータ109の熱を基板Wに伝達する。   The heater 109 is installed inside or below the heat treatment plate PL and heats the heat treatment plate PL. The heat treatment plate PL transfers the heat of the heater 109 to the substrate W.

温度センサ111は、熱処理プレートPLの温度(以下、「プレート温度」という)を測定する。温度センサ111は、加熱プレートPLの上面F付近に埋め込まれている。   The temperature sensor 111 measures the temperature of the heat treatment plate PL (hereinafter referred to as “plate temperature”). The temperature sensor 111 is embedded near the upper surface F of the heating plate PL.

ユニット側アンテナAUは、アーム113を介して、熱処理プレートPLに固定されている。ユニット側アンテナAUは、熱処理プレートPLの上方かつ側方の位置に配置されている。熱処理プレートPLに基板Wが載置されたとき、その基板Wの周縁部の側方が、ユニット側アンテナAUに近接する。   The unit side antenna AU is fixed to the heat treatment plate PL via the arm 113. The unit side antenna AU is disposed above and on the side of the heat treatment plate PL. When the substrate W is placed on the heat treatment plate PL, the side of the peripheral portion of the substrate W is close to the unit-side antenna AU.

図8を参照する。図8は、熱処理プレートPLに載置される温度測定用基板WTの平面図である。図示するように、ユニット側アンテナAUは、複数のユニット側コイルUCを備えている。各ユニット側コイルUCはそれぞれ、所定の位置に所定の向きでそれぞれ配置されている。   Please refer to FIG. FIG. 8 is a plan view of the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL. As illustrated, the unit-side antenna AU includes a plurality of unit-side coils UC. Each unit side coil UC is arranged in a predetermined direction at a predetermined position.

再び、図7(a)乃至7(c)を参照する。上蓋115は、上下動可能に熱処理プレートPLの上方に設置されている。上蓋115は、熱処理プレートPLの上方を覆う。上蓋115は、下方に向かって広がる円錐形状(傘形状)を有する。   Reference is again made to FIGS. 7 (a) to 7 (c). The upper lid 115 is installed above the heat treatment plate PL so as to be movable up and down. Upper lid 115 covers the upper part of heat treatment plate PL. The upper lid 115 has a conical shape (an umbrella shape) that extends downward.

加熱冷却ユニットPHPは、上述した各構成を収容するためのチャンバー117を備えている。さらに、加熱冷却ユニットPHPは、上部排気管121と圧力計122と側部給気ダクト123と側部排気ダクト125と排気用ダンパー126を備えている。   The heating / cooling unit PHP includes a chamber 117 for accommodating the above-described components. Further, the heating / cooling unit PHP includes an upper exhaust pipe 121, a pressure gauge 122, a side air supply duct 123, a side exhaust duct 125, and an exhaust damper 126.

上部排気管121は、チャンバー117内の気体をチャンバー117外に強制的に排出する。上部排気管121の一端は、上蓋115の上部中央に連通接続されている。上部排気管121が気体を排出することによって、熱処理プレートPLの上方には、熱処理プレートPLの周縁部から中央部に上昇しながら進む気流が形成される。図7(c)では、この気流を1点鎖線で示す。上蓋115および上部排気管121により、基板Wから昇華物が発生する場合であっても、昇華物は的確に回収され、チャンバー117外に捨てられる。   The upper exhaust pipe 121 forcibly exhausts the gas in the chamber 117 out of the chamber 117. One end of the upper exhaust pipe 121 is connected in communication with the upper center of the upper lid 115. As the upper exhaust pipe 121 discharges the gas, an air flow is formed above the heat treatment plate PL while moving upward from the peripheral portion of the heat treatment plate PL to the center portion. In FIG.7 (c), this airflow is shown with a dashed-dotted line. Even if sublimates are generated from the substrate W by the upper lid 115 and the upper exhaust pipe 121, the sublimates are accurately collected and discarded outside the chamber 117.

圧力計122は、上部排気管121の途中に設置されている。圧力計122は、上部排気管121内の流量を監視する。   The pressure gauge 122 is installed in the middle of the upper exhaust pipe 121. The pressure gauge 122 monitors the flow rate in the upper exhaust pipe 121.

側部給気ダクト123は、チャンバー117内に気体を供給する。側部給気ダクト123は供給口123aを有する。供給口123aは、チャンバー117内の一側部に配置され、横方向に気体を吹き出す。   The side air supply duct 123 supplies gas into the chamber 117. The side air supply duct 123 has a supply port 123a. The supply port 123a is disposed on one side of the chamber 117 and blows gas in the lateral direction.

側部排気ダクト125は、チャンバー117内の気体をチャンバー117外へ排出する。側部排気ダクト125は排気口125aを有する。排気口125aは、平面視で熱処理プレートPLを挟んで供給口123aと向かい合う位置に配置されている。排気口125aは、横方向から気体を吸い込む。   The side exhaust duct 125 exhausts the gas in the chamber 117 to the outside of the chamber 117. The side exhaust duct 125 has an exhaust port 125a. The exhaust port 125a is disposed at a position facing the supply port 123a across the heat treatment plate PL in plan view. The exhaust port 125a sucks in gas from the lateral direction.

これら側部給気ダクト123および側部排気ダクト125によって、熱処理プレートPLの上方を略水平方向(x方向)に流れる気流が形成される。図7(a)、(c)では、この気流を2点鎖線で示す。側部給気ダクト123および側部排気ダクト125によって、チャンバー117内は換気され、熱処理プレートPLから放出された熱もチャンバー117外に排出される。   The side air supply duct 123 and the side exhaust duct 125 form an airflow that flows in an approximately horizontal direction (x direction) above the heat treatment plate PL. In FIG. 7 (a), (c), this air flow is shown with a dashed-two dotted line. The inside of the chamber 117 is ventilated by the side air supply duct 123 and the side air exhaust duct 125, and the heat released from the heat treatment plate PL is also discharged outside the chamber 117.

排気用ダンパー126は、側部排気ダクト125の途中に設置されている。排気用ダンパー126は、側部排気ダクト125内の流量を調節する。   The exhaust damper 126 is installed in the middle of the side exhaust duct 125. The exhaust damper 126 adjusts the flow rate in the side exhaust duct 125.

以上が、加熱冷却ユニットPHPの一構成例である。ただし、加熱冷却ユニットPHPの中には、上蓋115や上部排気管121を備えていないものもある。また、加熱冷却ユニットPHPの中には、側部給気ダクト123や側部排気ダクト125を備えていないものもある。このため、加熱冷却ユニットPHP同士であっても、熱処理プレートPLの上方や周囲に形成される気流が同じとは限らない。   The above is one configuration example of the heating / cooling unit PHP. However, some heating / cooling units PHP are not provided with the upper lid 115 or the upper exhaust pipe 121. Some heating / cooling units PHP do not include the side air supply duct 123 and the side air exhaust duct 125. For this reason, even between the heating and cooling units PHP, the airflow formed above and around the heat treatment plate PL is not necessarily the same.

ここで、上部排気管121、側部給気ダクト123、および、側部排気ダクト125をそれぞれ、「気流形成設備」と呼ぶ。気流形成設備は、気流を強制的に形成する。また、圧力計122を、「気流監視設備」と呼ぶ。気流監視設備は、気流形成設備の流量を監視する。排気用ダンパー126を、「気流調節設備」と呼ぶ。気流調節設備は、気流監視設備の流量を調節する。   Here, each of the upper exhaust pipe 121, the side air supply duct 123, and the side exhaust duct 125 is referred to as “air flow forming equipment”. The air flow forming facility forcibly forms an air flow. The pressure gauge 122 is referred to as “airflow monitoring equipment”. The airflow monitoring facility monitors the flow rate of the airflow forming facility. The exhaust damper 126 is referred to as “air flow control equipment”. The airflow adjustment facility adjusts the flow rate of the airflow monitoring facility.

また、加熱冷却ユニットPHP同士で、ユニット側アンテナAUの位置が同じとは限らない。例えば、加熱冷却ユニットPHP間で、ユニット側アンテナAUのレイアウトを意図的に変えている場合がある。また、レイアウトが共通する加熱冷却ユニットPHP間であっても、取付誤差等によりユニット側アンテナAUの位置が多少ずれている場合がある。   Moreover, the position of the unit side antenna AU is not necessarily the same between the heating and cooling units PHP. For example, the layout of the unit-side antenna AU may be intentionally changed between the heating and cooling units PHP. Further, even between the heating and cooling units PHP having a common layout, the position of the unit side antenna AU may be slightly shifted due to an attachment error or the like.

上述した同一カテゴリーの熱処理ユニットHU間における違いは、加熱冷却ユニットPHPだけではなく、他のカテゴリーCP、PEBについても存在する。ちなみに、冷却ユニットCPは、上述した載置部PAやローカル搬送機構TL等を備えていない。また、冷却ユニットCPは、ヒータ109に代えて熱処理プレートPLを冷却するための温調器具等を備えている。   The difference between the heat treatment units HU of the same category mentioned above exists not only for the heating / cooling unit PHP but also for other categories CP and PEB. Incidentally, the cooling unit CP does not include the mounting portion PA and the local transport mechanism TL described above. In addition, the cooling unit CP includes a temperature control device for cooling the heat treatment plate PL instead of the heater 109.

なお、以下では、各熱処理ユニットHUに設置される載置部PA、熱処理プレートPL、ローカル搬送機構TLまたはユニット側アンテナAUを区別する場合には、各熱処理ユニットHUを識別する番号(図3参照)と同じ番号を使う。例えば、「熱処理プレートPL01」と記載したときは、熱処理ユニットHU01に設置されている熱処理プレートPLを指す。 In the following, in order to distinguish between the placement part PA, the heat treatment plate PL, the local transport mechanism TL, or the unit side antenna AU installed in each heat treatment unit HU, a number for identifying each heat treatment unit HU (see FIG. 3). Use the same number as). For example, “heat treatment plate PL 01 ” refers to the heat treatment plate PL installed in the heat treatment unit HU 01 .

[3−2 温度測定用基板WTの構成]
図8を参照する。温度測定用基板WTは、通常の生産処理に使用される基板Wを模擬したものであり、熱処理プレートPLによる処理温度を検出する。温度測定用基板WTは、基板本体BWと、複数のセンサユニットSUと、センサ側アンテナASとを備えている。
[3-2 Configuration of Temperature Measurement Substrate WT]
Please refer to FIG. The temperature measurement substrate WT simulates the substrate W used for normal production processing, and detects the processing temperature by the heat treatment plate PL. The temperature measurement substrate WT includes a substrate body BW, a plurality of sensor units SU, and a sensor-side antenna AS.

基板本体BWの材質は、基板Wと同じ(例えば、シリコン)であり、基板Wと同じ形状を有する。   The material of the substrate body BW is the same as the substrate W (for example, silicon), and has the same shape as the substrate W.

センサユニットSUは、基板本体BWの温度を検出する。各センサユニットSUは、基板本体BWの上面に設置されている。各センサユニットSUは、基板本体BWの各位置の温度を検出する。   The sensor unit SU detects the temperature of the substrate body BW. Each sensor unit SU is installed on the upper surface of the substrate body BW. Each sensor unit SU detects the temperature at each position of the substrate body BW.

本実施例では、16個のセンサユニットSUが基板本体BWに設置されている。1のセンサユニットSUは、基板本体BWの中心に配置されている。他の8のセンサユニットSUは、温度測定用基板WTの半径の約2分の1の半径を有し、基板本体BWの中心軸Pcと同心の円周上に、周方向に一定の間隔を空けて配置されている。残りの7のセンサユニットSUは、温度測定用基板WTの周縁部に、周方向に一定の間隔を空けて配置されている。   In the present embodiment, 16 sensor units SU are installed on the substrate body BW. One sensor unit SU is disposed at the center of the substrate body BW. The other eight sensor units SU have a radius that is about one half of the radius of the temperature measurement substrate WT, and have a constant interval in the circumferential direction on a circumference concentric with the central axis Pc of the substrate body BW. It is arranged in the space. The remaining seven sensor units SU are arranged on the peripheral portion of the temperature measurement substrate WT with a certain interval in the circumferential direction.

センサ側アンテナASは、ユニット側アンテナAUと非接触で(無線で)通信する。センサ側アンテナASは、ブロック131と複数のセンサ側コイルSCを備えている。   The sensor-side antenna AS communicates with the unit-side antenna AU in a contactless manner (wirelessly). The sensor side antenna AS includes a block 131 and a plurality of sensor side coils SC.

ブロック131は、基板本体BWの上面の周縁部に固定されている。ブロック131の材質は、例えば、石英である。本実施例では、ブロック131(センサ側アンテナAS)を、基板本体BWの周縁部の全周ではなく、一部のみに設置している。具体的には、センサ側アンテナASの周方向の長さは、基板本体BWの全周の4分の1以下である。このようにセンサ側アンテナASの外形をコンパクトにすることによって、センサ側アンテナASの熱容量を低減している。その結果、センサ側アンテナASが基板本体BWの温度に与える影響を小さくでき、温度測定用基板WTの検出結果の信頼性を高めることができる。   The block 131 is fixed to the peripheral edge of the upper surface of the substrate body BW. The material of the block 131 is, for example, quartz. In the present embodiment, the block 131 (sensor-side antenna AS) is installed not only on the entire periphery of the peripheral portion of the substrate body BW but only on a part thereof. Specifically, the length in the circumferential direction of the sensor-side antenna AS is equal to or less than a quarter of the entire circumference of the substrate body BW. Thus, the heat capacity of the sensor-side antenna AS is reduced by making the outer shape of the sensor-side antenna AS compact. As a result, the influence of the sensor-side antenna AS on the temperature of the substrate body BW can be reduced, and the reliability of the detection result of the temperature measurement substrate WT can be increased.

各センサ側コイルSCは、ブロック131の内部に設置されている。各センサ側コイルSCには、1のセンサユニットSUが電気的に接続されている。各センサ側コイルSCはそれぞれ、1のセンサユニットSUによって得られた検出信号を送信する。各センサ側コイルSCはそれぞれ、所定の位置に所定の向きで配置されている。   Each sensor-side coil SC is installed inside the block 131. One sensor unit SU is electrically connected to each sensor-side coil SC. Each sensor-side coil SC transmits a detection signal obtained by one sensor unit SU. Each sensor-side coil SC is arranged in a predetermined direction at a predetermined position.

温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置されているとき、温度測定用基板WTの向きが所定方向であれば、各センサ側コイルSCの軸心がそれぞれ1のユニット側コイルUCの軸心と完全に一致する。すなわち、ユニット側アンテナAUはそれぞれ1のセンサ側アンテナASと正対する。本明細書では、この所定方向を、「第1目標方向」という。なお、温度測定用基板WTの向きは、温度測定用基板WTの中心軸Pc回りにおける温度測定用基板WTの向き(角度)をいう。第1目標方向は、360度に対して1つ存在し、90度ごとや180度ごとに存在する方向ではない。第1目標方向は、熱処理プレートPLとユニット側アンテナAUの位置関係に依存するので、熱処理プレートPLごとに固有の値をとる。   When the temperature measurement substrate WT is placed on the heat treatment plate PL, if the direction of the temperature measurement substrate WT is a predetermined direction, the axis of each sensor side coil SC is the axis of one unit side coil UC. And exactly match. That is, each unit-side antenna AU faces one sensor-side antenna AS. In this specification, this predetermined direction is referred to as a “first target direction”. The direction of the temperature measurement substrate WT refers to the direction (angle) of the temperature measurement substrate WT around the central axis Pc of the temperature measurement substrate WT. There is one first target direction for 360 degrees, not a direction that exists every 90 degrees or every 180 degrees. Since the first target direction depends on the positional relationship between the heat treatment plate PL and the unit-side antenna AU, the first target direction has a unique value for each heat treatment plate PL.

このように構成される温度測定用基板WTは、平面視では基板Wと略同じ外形状を有する。すなわち、温度測定用基板WTと基板Wとで、平面視における輪郭の寸法は略同じである。センサ側アンテナAS等は、平面視で基板本体BW内に収まっており、基板本体BWからはみ出していない。温度測定用基板WTは非接触型であり、温度測定用基板WTにケーブルや機器等を接続しない。よって、温度測定用基板WTを搬送したり、載置する際、温度測定用基板WTを、基板Wと同様に取り扱うことができる。   The temperature measurement substrate WT configured as described above has substantially the same outer shape as the substrate W in plan view. In other words, the temperature measurement substrate WT and the substrate W have substantially the same outline dimensions in plan view. The sensor-side antenna AS or the like is contained in the substrate body BW in a plan view and does not protrude from the substrate body BW. The temperature measurement substrate WT is a non-contact type, and no cable or device is connected to the temperature measurement substrate WT. Therefore, the temperature measurement substrate WT can be handled in the same manner as the substrate W when the temperature measurement substrate WT is transported or placed.

本実施例では、各センサユニットSUはそれぞれ、水晶振動子と容器(いずれも不図示)とを備えている。水晶振動子は、温度に応じて水晶振動子の固有振動数が変化する。水晶振動子は、適宜な切り出し角度でカットされている。容器は、水晶振動子を気密に封止している。容器の材質は、例えばセラミックである。   In this embodiment, each sensor unit SU includes a crystal resonator and a container (both not shown). In the crystal resonator, the natural frequency of the crystal resonator changes depending on the temperature. The crystal resonator is cut at an appropriate cutting angle. The container hermetically seals the crystal unit. The material of the container is, for example, ceramic.

温度を検出する際には、まず、ユニット側コイルUCに所定周波数の電流を流す。センサ側コイルSCには電磁誘導によって起電力が生じる。この起電力によって水晶振動子が共振する。その後、ユニット側コイルUCの電流を停止する。水晶振動子が減衰振動する。センサ側コイルSCが減衰振動に応じた周波数を含む検出信号を送信する。この検出信号をユニット側コイルUCが受信する。   When detecting the temperature, first, a current having a predetermined frequency is supplied to the unit side coil UC. An electromotive force is generated in the sensor side coil SC by electromagnetic induction. This electromotive force causes the crystal resonator to resonate. Thereafter, the current of the unit side coil UC is stopped. The quartz crystal vibrates damped. The sensor side coil SC transmits a detection signal including a frequency corresponding to the damped vibration. The unit side coil UC receives this detection signal.

このようにセンサユニットSUが水晶振動子で構成され、ユニット側アンテナAUがセンサユニットSUに電磁誘導により無線で給電する。給電は、検出信号を受信する都度、行えば足りる。このため、温度測定用基板WT自体は電源部を備えなくてもよいし、蓄電部を備えなくてもよい。また、温度測定用基板WTを給電したり充電するための設備を別途に準備しなくてもよい。   In this way, the sensor unit SU is constituted by a crystal resonator, and the unit-side antenna AU feeds power to the sensor unit SU wirelessly by electromagnetic induction. It is sufficient to supply power each time a detection signal is received. For this reason, the temperature measurement substrate WT itself may not include a power supply unit and may not include a power storage unit. Further, it is not necessary to separately prepare equipment for supplying power to or charging the temperature measurement substrate WT.

温度測定用基板WTの格納スペースは、たとえばキャリアC内や基板処理装置1内である。基板処理装置1内の場合、熱処理部50、55内の一画を格納スペースとして活用してもよいし、バッファ部BF内の1つの棚に温度測定用基板WTを載置してもよい。格納スペースに充電設備を設置しなくてもよいので、いずれの場所であっても温度測定用基板WTを適切に保管することができる。   The storage space for the temperature measurement substrate WT is, for example, in the carrier C or the substrate processing apparatus 1. In the case of the substrate processing apparatus 1, a portion of the heat treatment units 50 and 55 may be used as a storage space, or the temperature measurement substrate WT may be mounted on one shelf in the buffer unit BF. Since it is not necessary to install a charging facility in the storage space, the temperature measurement substrate WT can be appropriately stored at any location.

[3−3 エッジ露光ユニットEEWの構成]
図9(a)、(b)を参照する。図9(a)は、エッジ露光ユニットの側面図であり、図9(b)は、エッジ露光ユニットの平面図である。
[3-3 Configuration of Edge Exposure Unit EEW]
Refer to FIGS. 9A and 9B. FIG. 9A is a side view of the edge exposure unit, and FIG. 9B is a plan view of the edge exposure unit.

エッジ露光ユニットEEWは、保持部141とモータ143と露光ヘッド145とエッジ検出部147(アンテナ位置検出センサ)とを有する。   The edge exposure unit EEW includes a holding unit 141, a motor 143, an exposure head 145, and an edge detection unit 147 (antenna position detection sensor).

保持部141は載置された基板Wを水平姿勢で保持する。なお、図9(a)、9(b)では、温度測定用基板WTを図示している。モータ143は、保持部141と連結しており、保持部141を回転させる。これにより、保持部141に保持されている基板Wは、基板Wの中心軸Pc回りに回転する。モータ143にはエンコーダやポテンショメータ(いずれも不図示)が取り付けられており、モータ143の回転位置や回転量を検出可能に構成されている。   The holding unit 141 holds the placed substrate W in a horizontal posture. 9A and 9B show a temperature measurement substrate WT. The motor 143 is connected to the holding unit 141 and rotates the holding unit 141. As a result, the substrate W held by the holding portion 141 rotates around the central axis Pc of the substrate W. An encoder and a potentiometer (both not shown) are attached to the motor 143 so that the rotational position and amount of rotation of the motor 143 can be detected.

露光ヘッド145は、基板Wの周縁部に露光用の光(例えば紫外線)を照射して、基板W上に形成されたレジスト膜を露光する。露光ヘッド145は、保持部141に保持された基板Wの周縁部の上方に配置される。露光ヘッド145は、不図示の露光ヘッド用駆動機構によって水平方向(x方向およびy方向)に移動可能である。   The exposure head 145 exposes the resist film formed on the substrate W by irradiating the periphery of the substrate W with exposure light (for example, ultraviolet rays). The exposure head 145 is disposed above the peripheral edge of the substrate W held by the holding unit 141. The exposure head 145 is movable in the horizontal direction (x direction and y direction) by an exposure head drive mechanism (not shown).

エッジ検出部147は、基板Wの周縁部(輪郭)の位置を検出する。エッジ検出部147は、光照射部148と受光部149と備える。   The edge detection unit 147 detects the position of the peripheral edge (contour) of the substrate W. The edge detection unit 147 includes a light irradiation unit 148 and a light receiving unit 149.

光照射部148は、保持部141に保持された基板Wの周縁部の上方に配置される。受光部149は、基板Wの周縁部を挟んで光照射部148と対向する位置に配置される。   The light irradiation unit 148 is disposed above the peripheral edge of the substrate W held by the holding unit 141. The light receiving unit 149 is disposed at a position facing the light irradiation unit 148 across the peripheral edge of the substrate W.

光照射部148は、下方に向けてエッジ検出用の光を照射する。光照射部148の光の一部は基板Wの周縁部に遮られ、その他は受光部149に入射する。すなわち、受光部149には、基板Wの周縁部が投影される。エッジ検出用の光は、平行光であることが好ましい。   The light irradiation unit 148 emits light for edge detection downward. A part of the light of the light irradiation unit 148 is blocked by the peripheral edge of the substrate W, and the other is incident on the light receiving unit 149. That is, the periphery of the substrate W is projected onto the light receiving unit 149. The edge detection light is preferably parallel light.

受光部149は、光を受光し、受光した光の光量(受光量)に応じた検出信号を出力する。すなわち、受光部149は、基板Wの周縁部を撮像する。受光部149は、たとえば、CCD(電荷結合素子)ラインセンサである。   The light receiving unit 149 receives light and outputs a detection signal corresponding to the amount of light (the amount of received light). That is, the light receiving unit 149 images the peripheral edge of the substrate W. The light receiving unit 149 is, for example, a CCD (charge coupled device) line sensor.

上述した保持部141、モータ143、露光ヘッド145、エッジ検出部147等は制御部91によって制御される。   The holding unit 141, the motor 143, the exposure head 145, the edge detection unit 147, and the like described above are controlled by the control unit 91.

エッジ露光ユニットEEWが基板Wの周縁部を露光する動作は、次の通りである。   The operation in which the edge exposure unit EEW exposes the peripheral edge of the substrate W is as follows.

搬送機構TB1d/TB2dが基板Wを保持部141に載置する。保持部141が基板Wを水平姿勢で保持する。モータ143が基板Wを回転し、エッジ検出部147が基板Wの周縁部の位置を検出する。エッジ検出部147が基板Wの周縁部全周の位置を検出すると、モータ143が停止する。   The transport mechanisms TB1d / TB2d place the substrate W on the holding unit 141. The holding unit 141 holds the substrate W in a horizontal posture. The motor 143 rotates the substrate W, and the edge detection unit 147 detects the position of the peripheral portion of the substrate W. When the edge detection unit 147 detects the position of the entire peripheral edge of the substrate W, the motor 143 stops.

制御部91は、エッジ検出部147の検出結果(受光部149の検出信号)に基づいて、基板Wの周縁部の位置を計算する。基板Wの周縁部の位置は、具体的には、基板Wの向きや基板Wの偏心量である。ここで、基板Wの向きは、基板Wの中心軸Pc回りの基板Wの角度である。基板Wの向きは適宜に定義できる。例えば、基板Wの向きを、基板Wの中心軸Pcから基板Wの周縁部に形成されている切り欠きVに向かう方向としてもよい。切り欠きVは、たとえば、ノッチまたはオリエンテーションフラットである。   The control unit 91 calculates the position of the peripheral portion of the substrate W based on the detection result of the edge detection unit 147 (detection signal of the light receiving unit 149). Specifically, the position of the peripheral portion of the substrate W is the direction of the substrate W or the amount of eccentricity of the substrate W. Here, the orientation of the substrate W is an angle of the substrate W around the central axis Pc of the substrate W. The direction of the substrate W can be appropriately defined. For example, the direction of the substrate W may be a direction from the central axis Pc of the substrate W toward the notch V formed at the peripheral edge of the substrate W. The notch V is, for example, a notch or an orientation flat.

制御部91は、モータ143を制御して基板Wを回転させ、エッジ露光処理のために予め決められている方向に基板Wの向きを調整する。また、制御部91は、基板Wの偏心量に基づいて露光ヘッド用駆動機構を制御し、露光ヘッド145の位置を調整する。   The controller 91 controls the motor 143 to rotate the substrate W, and adjusts the orientation of the substrate W in a predetermined direction for edge exposure processing. Further, the controller 91 controls the exposure head drive mechanism based on the amount of eccentricity of the substrate W to adjust the position of the exposure head 145.

続いて、モータ143が基板Wを回転させながら、露光ヘッド145が露光用の光を基板Wの周縁部に照射する。これにより、基板Wにエッジ露光処理が行われる。   Subsequently, the exposure head 145 irradiates the peripheral edge of the substrate W with the exposure light while the motor 143 rotates the substrate W. Thereby, an edge exposure process is performed on the substrate W.

エッジ露光処理が終了すると、搬送機構TB1d/TB2dは保持部141に保持された基板Wを取り、エッジ露光ユニットEEWから搬出する。   When the edge exposure process is completed, the transport mechanism TB1d / TB2d takes the substrate W held by the holding unit 141 and carries it out from the edge exposure unit EEW.

このように、エッジ露光ユニットEEWは、エッジ検出部147を備えているので、基板Wの向きを適切に調整した上で、エッジ露光処理を行うことができる。   Thus, since the edge exposure unit EEW includes the edge detection unit 147, the edge exposure processing can be performed after the orientation of the substrate W is appropriately adjusted.

[3−4 制御系の構成]
図10を参照する。図10は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
[3-4 Configuration of control system]
Please refer to FIG. FIG. 10 is a control block diagram of the substrate processing apparatus according to the embodiment.

制御部91は、順番設定部161と、試験実行部163と、分析処理部169とに機能的に分けられる。   The control unit 91 is functionally divided into an order setting unit 161, a test execution unit 163, and an analysis processing unit 169.

順番設定部161は、試験を実際に行う前に、複数の試験の予定(スケジュール)に関する試験予定情報を作成する。試験実行部163は、試験予定情報に従って複数の試験を行う。分析処理部169は、試験結果を分析する。試験実行部163は、さらに、搬送制御部164と、向き制御部165と、熱処理ユニット制御部166と、温度計測部167とに機能的に分けられる。以下、詳細に説明する。   The order setting unit 161 creates test schedule information related to a plurality of test schedules (schedules) before actually performing the test. The test execution unit 163 performs a plurality of tests according to the test schedule information. The analysis processing unit 169 analyzes the test result. The test execution unit 163 is further functionally divided into a transfer control unit 164, an orientation control unit 165, a heat treatment unit control unit 166, and a temperature measurement unit 167. Details will be described below.

順番設定部161は、試験予定情報を作成する。試験予定情報は、具体的には、各試験に一連の順番を関連づけたテーブルである。順番は、具体的には、「1番目」、「2番目」、…、「n番目」である。試験予定情報を生成するタイミングは、試験を実際に行う前である。   The order setting unit 161 creates test schedule information. Specifically, the test schedule information is a table in which a series of orders are associated with each test. Specifically, the order is “first”, “second”,..., “N”. The test schedule information is generated before the test is actually performed.

順番を設定すべき複数の試験は、試験リスト情報に規定されている。試験リスト情報は、記憶部93に予め記憶されている。また、試験リスト情報は、入出力部95を操作することによって、新規に作成されたり、修正される。このような試験リスト情報を順番設定部161が参照することによって、順番設定部161は複数の試験を特定する。   A plurality of tests to be set in order are specified in the test list information. The test list information is stored in the storage unit 93 in advance. Also, the test list information is newly created or corrected by operating the input / output unit 95. By referring to such test list information by the order setting unit 161, the order setting unit 161 identifies a plurality of tests.

ここで、試験とは、熱処理プレートPLによって処理されている基板Wの温度(以下、「処理温度」という)を測定することである。熱処理ユニットPHP、CPおよびPEBに設置される任意の熱処理プレートPLを試験の対象とすることができる。   Here, the test is to measure the temperature of the substrate W being processed by the heat treatment plate PL (hereinafter referred to as “processing temperature”). Any heat treatment plate PL installed in the heat treatment units PHP, CP and PEB can be the subject of the test.

試験では、温度測定用基板WTを使用する。すなわち、熱処理プレートPLに載置された温度測定用基板WTの処理温度を測定し、測定された処理温度を熱処理プレートPLによる基板Wの処理温度とみなす。試験予定情報は、同じ温度測定用基板WTを使う複数の試験に対して、1つ生成される。1つの温度測定用基板WTを用いて複数の試験を同時に行うことができず、1つの試験が終了しなければ、他の試験を始められない。   In the test, a temperature measurement substrate WT is used. That is, the processing temperature of the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL is measured, and the measured processing temperature is regarded as the processing temperature of the substrate W by the heat treatment plate PL. One test schedule information is generated for a plurality of tests using the same temperature measurement substrate WT. A plurality of tests cannot be performed simultaneously using one temperature measurement substrate WT, and another test cannot be started unless one test is completed.

試験は、熱処理プレートPLと試験温度を定めて行われる。より具体的には、試験は、熱処理プレートPLによる処理温度が試験温度となるように、試験の対象である熱処理プレートPLのプレート温度を所定の目標値に制御した状態で行われる。なお、試験温度は、基板Wの処理温度の目標値であり、プレート温度の目標値とは厳密には異なる。本明細書では、プレート温度の目標値を、「設定温度」と呼び、試験温度と区別する。   The test is performed by setting the heat treatment plate PL and the test temperature. More specifically, the test is performed in a state where the plate temperature of the heat treatment plate PL to be tested is controlled to a predetermined target value so that the treatment temperature by the heat treatment plate PL becomes the test temperature. The test temperature is a target value for the processing temperature of the substrate W, and is strictly different from the target value for the plate temperature. In this specification, the target value of the plate temperature is referred to as “set temperature” and is distinguished from the test temperature.

1回の試験につき、試験温度は1つに限られる。たとえば、同じ熱処理プレートPLにおいて2以上の試験温度で試験を行った場合、2回以上の試験を行ったとことになる。   There is only one test temperature per test. For example, when the test is performed at two or more test temperatures on the same heat treatment plate PL, the test is performed twice or more.

搬送制御部164は、各搬送機構TA、TB1c、TB1d、TB2c、TB2d、TC1a、TC1b、ローカル搬送機構TLを制御し、温度測定用基板WTを搬送させる。   The transport controller 164 controls the transport mechanisms TA, TB1c, TB1d, TB2c, TB2d, TC1a, TC1b, and the local transport mechanism TL, and transports the temperature measurement substrate WT.

本明細書では、各搬送機構TA、TB1c、TB1d、TB2c、TB2d、TC1a、TC1b、ローカル搬送機構TLを、「搬送部」と総称する。搬送部は、温度測定用基板WTを搬送する。   In this specification, the transport mechanisms TA, TB1c, TB1d, TB2c, TB2d, TC1a, TC1b, and the local transport mechanism TL are collectively referred to as a “transport section”. The transport unit transports the temperature measurement substrate WT.

向き制御部165は、温度測定用基板WTの向きを調整する。具体的には、温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置されたときに温度測定用基板WTが第1目標方向を向くように温度測定用基板WTの向きを調整する。この調整を「プレート用調整」と呼ぶ。   The orientation control unit 165 adjusts the orientation of the temperature measurement substrate WT. Specifically, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted so that the temperature measurement substrate WT faces the first target direction when the temperature measurement substrate WT is placed on the heat treatment plate PL. This adjustment is called “plate adjustment”.

また、温度測定用基板WTが格納スペースに搬入されたときに温度測定用基板WTの向きが第2目標方向となるように、温度測定用基板WTの向きを調整する。この調整を「格納用調整」と呼ぶ。ここで、第2目標方向は、格納スペースにおける温度測定用基板WTの適切な向きであり、予め設定されている。第2目標方向については、後述する。   Further, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted so that the orientation of the temperature measurement substrate WT becomes the second target direction when the temperature measurement substrate WT is carried into the storage space. This adjustment is called “storage adjustment”. Here, the second target direction is an appropriate direction of the temperature measurement substrate WT in the storage space, and is set in advance. The second target direction will be described later.

調整は、エッジ露光ユニットEEWに設置されている保持部141、モータ143およびエッジ検出部147を制御することによって行う。これら保持部141、モータ143およびエッジ検出部147は、基板Wの向きのみならず、温度測定用基板WTの向きを変更できる。すなわち、保持部141、モータ143およびエッジ検出部147は、温度測定用基板WTの向きを変える調整機構MDを構成する。なお、エッジ露光ユニットEEW01、EEW02に設置される各調整機構MDを区別するときには、「調整機構MD01」、「調整機構MD02」と記載する。 The adjustment is performed by controlling the holding unit 141, the motor 143, and the edge detection unit 147 installed in the edge exposure unit EEW. The holding unit 141, the motor 143, and the edge detection unit 147 can change not only the orientation of the substrate W but also the orientation of the temperature measurement substrate WT. That is, the holding unit 141, the motor 143, and the edge detection unit 147 constitute an adjustment mechanism MD that changes the orientation of the temperature measurement substrate WT. Note that when the adjustment mechanisms MD installed in the edge exposure units EEW 01 and EEW 02 are distinguished from each other, they are described as “adjustment mechanisms MD 01 ” and “adjustment mechanisms MD 02 ”.

熱処理ユニット制御部166は、各熱処理ユニットHUのヒータ109等を制御する。なお、ローカル搬送機構TLは熱処理ユニットHUの一要素であるが、本実施例では、ローカル搬送機構TLについては、熱処理ユニット制御部166ではなく、搬送制御部164が制御する。   The heat treatment unit control unit 166 controls the heater 109 and the like of each heat treatment unit HU. Note that the local transport mechanism TL is an element of the heat treatment unit HU, but in this embodiment, the transport control unit 164 controls the local transport mechanism TL instead of the heat treatment unit control unit 166.

温度計測部167は、温度測定用基板WTの検出信号を処理する。具体的には、温度計測部167は、ユニット側アンテナAUと有線で電気的に接続されている。温度計測部167は、ユニット側アンテナAUが受信した検出信号に基づいて、複数(例えば16)の温度データTDを生成する。   The temperature measurement unit 167 processes the detection signal of the temperature measurement substrate WT. Specifically, the temperature measurement unit 167 is electrically connected to the unit side antenna AU by wire. The temperature measurement unit 167 generates a plurality (for example, 16) of temperature data TD based on the detection signal received by the unit-side antenna AU.

分析処理部169は、温度計測部167によって生成された温度データTDを分析する。   The analysis processing unit 169 analyzes the temperature data TD generated by the temperature measurement unit 167.

記憶部93は、上述した試験リスト情報のほか、プレート性能情報、試験レシピ情報、受け渡し位置情報、目標方向情報、気流形成設備情報、分析用情報等を予め記憶している。プレート性能情報は、熱処理プレートPLの性能に関する情報が規定されている。試験レシピ情報は、試験の要領(条件)に関する情報が規定されている。受け渡し位置情報は、搬送部の位置に関する情報が規定されている。目標方向情報は、第1目標方向および第2目標方向に関する情報が規定されている。気流形成設備情報は、気流形成設備に関する情報が規定されている。分析用情報は、原因および対策に関する情報が規定されている。   In addition to the above-described test list information, the storage unit 93 stores in advance plate performance information, test recipe information, delivery position information, target direction information, airflow forming facility information, analysis information, and the like. In the plate performance information, information on the performance of the heat treatment plate PL is defined. In the test recipe information, information on the test procedure (conditions) is defined. In the delivery position information, information on the position of the transport unit is defined. In the target direction information, information on the first target direction and the second target direction is defined. In the airflow forming facility information, information on the airflow forming facility is defined. In the information for analysis, information on causes and countermeasures are defined.

また、記憶部93は、順番設定部161が生成した試験予定情報を適宜に記憶する。   The storage unit 93 appropriately stores the test schedule information generated by the order setting unit 161.

入出力部95は、試験リスト情報の作成や修正に関する命令を受け付ける。その際、入出力部95は、試験リスト情報を編集するための編集画面を表示してもよい。また、入出力部95は、試験結果や、分析処理部169による分析結果等を表示する。   The input / output unit 95 accepts instructions related to creation and correction of test list information. At this time, the input / output unit 95 may display an edit screen for editing the test list information. The input / output unit 95 displays test results, analysis results by the analysis processing unit 169, and the like.

基板処理装置1は、本発明における基板処理装置に相当するのみならず、本発明における分析装置に相当し、本発明における試験予定作成装置に相当する。   The substrate processing apparatus 1 not only corresponds to the substrate processing apparatus in the present invention but also corresponds to the analysis apparatus in the present invention and corresponds to the test schedule creation apparatus in the present invention.

[4. 熱処理プレートPLを試験するための動作]
次に、基板処理装置1の熱処理プレートPLを試験する動作について説明する。図11は、熱処理プレートの試験の概略的な手順を示すフローチャートである。
[4. Operation for testing the heat treatment plate PL]
Next, an operation for testing the heat treatment plate PL of the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 11 is a flowchart showing a schematic procedure of the heat treatment plate test.

<ステップS1> 試験予定作成過程
試験の実施に先立って、試験予定情報を生成する。試験予定作成過程は、本発明における試験予定作成方法に相当する。
<Step S1> Test Schedule Creation Process Prior to conducting the test, test schedule information is generated. The test schedule creation process corresponds to the test schedule creation method in the present invention.

<ステップS2、S3> 試験連続実施過程
試験予定情報に規定される一連の試験を実施する。具体的には、試験予定情報に従って温度測定用基板WTを熱処理プレートPLに搬送し、1番目の試験から順に試験を1つずつ行う。このようにして一連の試験を全て終了するまで試験を連続的に行う。なお、ステップS3の過程は、ステップS2の過程に含まれる1つ1つの試験のみを意味する。
<Steps S2 and S3> Continuous test execution process A series of tests specified in the test schedule information is performed. Specifically, the temperature measurement substrate WT is transferred to the heat treatment plate PL according to the test schedule information, and tests are performed one by one in order from the first test. In this way, the test is continuously performed until all the series of tests are completed. In addition, the process of step S3 means only each test included in the process of step S2.

<ステップS4> 分析
試験の結果を分析する。
<Step S4> Analysis The result of the test is analyzed.

<ステップS5> 出力
試験の結果および/または分析の結果を出力する。
<Step S5> Output Output test results and / or analysis results.

以下では、ステップS1乃至S4の各動作について詳細に説明する。   Below, each operation | movement of step S1 thru | or S4 is demonstrated in detail.

[4−1 S1(試験予定作成過程の作成)の詳細な動作例]
図12は、試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。
[4-1 Detailed operation example of S1 (preparation of test schedule creation process)]
FIG. 12 is a flowchart showing a detailed procedure of the test schedule creation process.

<ステップS11> 試験特定過程
順番設定部161は、記憶部93に記憶されている試験リスト情報または入出力部95に入力された試験リスト情報を参照し、順番を割り当てるべき試験を特定する。試験リスト情報には、複数の試験が規定されている。試験リスト情報は、試験対象である熱処理プレートPLや試験温度を特定するための情報を含む。
<Step S11> Test Specifying Process The order setting unit 161 refers to the test list information stored in the storage unit 93 or the test list information input to the input / output unit 95, and specifies the test to which the order should be assigned. The test list information defines a plurality of tests. The test list information includes information for specifying the heat treatment plate PL to be tested and the test temperature.

図13は、試験リスト情報の一例を示す模式図である。図13に示す試験リスト情報は、試験識別情報とユニット識別情報とカテゴリー識別情報とプレート識別情報と試験温度とを関連付けたテーブルである。この試験リスト情報には、7つの試験(TeA乃至TeG)が規定されている。ここで、試験識別情報は、各試験を識別するための情報である。ユニット識別情報は、熱処理ユニットHUを識別するための情報である。カテゴリー識別情報は、熱処理ユニットHUのカテゴリーを識別するための情報である。プレート識別情報は、熱処理プレートPLを識別するための情報である。   FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example of test list information. The test list information shown in FIG. 13 is a table that associates test identification information, unit identification information, category identification information, plate identification information, and test temperature. In the test list information, seven tests (TeA to TeG) are defined. Here, the test identification information is information for identifying each test. The unit identification information is information for identifying the heat treatment unit HU. The category identification information is information for identifying the category of the heat treatment unit HU. The plate identification information is information for identifying the heat treatment plate PL.

<ステップS12> 負担量比較過程
順番設定部161は、各熱処理プレートPLの初期負担量を比較し、初期負担量が最も大きな熱処理プレートPLを特定する。
<Step S12> Burden amount comparison process The order setting unit 161 compares the initial burden amount of each heat treatment plate PL, and identifies the heat treatment plate PL having the largest initial burden amount.

初期負担量は、試験特定過程によって特定された全ての試験が各熱処理プレートPLに与える負担を数値化したものである。初期負担量は、熱処理プレートPLに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値である。   The initial burden amount is obtained by quantifying the burden given to each heat treatment plate PL by all the tests specified by the test specifying process. The initial burden amount is a numerical value based on at least one of the number of tests for the heat treatment plate PL, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change rate of the plate temperature.

試験数は、試験リスト情報によって与えられる。同じ熱処理プレートPLに対して2以上の試験温度が設定されている場合、その熱処理プレートPLの試験数は2以上になる。図13の試験リスト情報では、熱処理プレートPL03、PL11の試験数はそれぞれ「2」であり、熱処理プレートPL18の試験数は「3」である。 The number of tests is given by the test list information. When two or more test temperatures are set for the same heat treatment plate PL, the number of tests of the heat treatment plate PL is two or more. In the test list information of FIG. 13, the number of tests of the heat treatment plates PL 03 and PL 11 is “2”, and the number of tests of the heat treatment plate PL 18 is “3”.

変更時間と温度変化速度はそれぞれ、熱処理プレートPLの性能を示す指標であり、熱処理プレートPLの材質、使用温度域または使用環境等に依存する。これら変更時間や温度変化速度のような熱処理プレートPLの性能に関する情報は、プレート性能情報に規定されている。プレート性能情報は、記憶部93に予め記憶されている。   The change time and the temperature change rate are indexes indicating the performance of the heat treatment plate PL, and depend on the material of the heat treatment plate PL, the use temperature range, the use environment, or the like. Information on the performance of the heat treatment plate PL such as the change time and the temperature change rate is defined in the plate performance information. The plate performance information is stored in advance in the storage unit 93.

図14は、プレート性能情報の一例を示す模式図である。図14に示すプレート性能情報は、プレート識別情報と変更時間とを関連付けたテーブルである。図14では変更時間の欄が空欄になっているが、実際には各欄に一つの値、具体的には、各熱処理プレートPLの変更時間を代表する値が設定されている。なお、熱処理プレートPLごとに設定されている1つの変更時間のみによっても、各熱処理プレートPLの性能の相対的な関係(性能比)を十分に表すことができる。このため、このような変更時間を基礎とする場合であっても適切な初期負担量を算出できる。   FIG. 14 is a schematic diagram illustrating an example of plate performance information. The plate performance information shown in FIG. 14 is a table in which plate identification information is associated with a change time. In FIG. 14, the change time column is blank, but in reality, one value is set in each column, specifically, a value representative of the change time of each heat treatment plate PL is set. It should be noted that the relative relationship (performance ratio) of the performance of each heat treatment plate PL can be sufficiently expressed by only one change time set for each heat treatment plate PL. For this reason, even if it is a case where it is based on such change time, an appropriate initial burden amount can be calculated.

初期負担量は、負担が大きいほど大きな値をとるように定義することが好ましい。具体的には、初期負担量は、試験数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。   It is preferable to define the initial burden amount so that the larger the burden, the larger the initial burden amount. Specifically, the initial burden amount preferably shows at least one of a tendency to increase as the number of tests increases, a tendency to increase as the change time increases, and a tendency to increase as the temperature change rate decreases.

初期負担量は、例えば、試験数そのものであってもよい。これによれば、試験リスト情報のみに基づいて各熱処理プレートPLの初期負担量を特定できる。また、初期負担量は、各熱処理プレートPLの変更時間を基準となる時間で除した値でもよい。これによれば、その後の演算処理において扱い易い数値に整えることができる。あるいは、初期負担量は、例えば、試験数と変更時間の積でもよい。この場合、順番設定部161は、試験リスト情報とプレート性能情報を参照することによって、各熱処理プレートPLの初期負担量を算出する。   The initial burden amount may be, for example, the number of tests itself. According to this, the initial burden amount of each heat treatment plate PL can be specified based only on the test list information. The initial burden amount may be a value obtained by dividing the change time of each heat treatment plate PL by the reference time. According to this, it can be adjusted to a numerical value that is easy to handle in the subsequent arithmetic processing. Alternatively, the initial burden amount may be, for example, the product of the number of tests and the change time. In this case, the order setting unit 161 calculates the initial burden amount of each heat treatment plate PL by referring to the test list information and the plate performance information.

<ステップS13> 1番目割当過程
順番設定部161は、負担量比較過程によって特定された熱処理プレートPLに対する1の試験に、「1番目」の順番を割り当てる。「1番目」は最初の順番である。「1番目」の順番が割り当てられた試験は、割当済試験となる。なお、「割当済試験」以外の試験、すなわち、未だ順番が割り当てられていない試験を「未割当試験」と呼ぶ。
<Step S13> First Assignment Process The order setting unit 161 assigns the “first” order to one test for the heat treatment plate PL specified by the burden amount comparison process. “First” is the first order. The test assigned the “first” order is the assigned test. A test other than the “assigned test”, that is, a test for which the order is not yet assigned is referred to as an “unassigned test”.

特定された熱処理プレートPLの試験数が2以上である場合、いずれの試験に順番を割り当ててもよい。   When the number of tests of the specified heat treatment plate PL is 2 or more, the order may be assigned to any test.

<ステップS14> タイミング推定過程
順番設定部161は、割当済試験の全てを行う場合を仮想する。本ステップS14を開始する時点を基準とすると、既にいずれかの試験に「1番目」が割り当てられているので、少なくとも1以上の割当済試験が必ず存在する。このような仮定のもとで、割当済試験を行った後に、未割当試験の中で最も早く開始できる未割当試験を推定する。推定をする際、順番設定部161はプレート性能情報を参照し、各熱処理プレートPLの性能を考慮する。そして、割当済試験の終了時を基準として、各未割当試験を開始できるタイミング(時刻)をそれぞれ計算する。
<Step S14> Timing Estimation Process The order setting unit 161 virtually assumes a case where all assigned tests are performed. If the time point at which this step S14 is started is used as a reference, since “first” is already assigned to any test, at least one or more assigned tests always exist. Under such an assumption, after an assigned test is performed, an unassigned test that can be started earliest among unassigned tests is estimated. When making the estimation, the order setting unit 161 refers to the plate performance information and considers the performance of each heat treatment plate PL. Then, the timing (time) at which each unassigned test can be started is calculated based on the end of the assigned test.

<ステップS15> 2番目以降割当過程
タイミング推定過程によって推定された未割当試験に、次の順番を割り当てる。なお、「次の順番」は、割当済試験の数をnとすると、「(n+1)番目」である。これにより、「2番目」、「3番目」等、「2番目」以降の順番を未割当試験に割り当てる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes The following order is allocated to the unallocated test estimated by the timing estimation process. The “next order” is “(n + 1) th” where n is the number of assigned tests. Thereby, the order after “second” such as “second”, “third”, etc. is assigned to the unassigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
順番設定部161は、全ての試験に順番を割り当てたか否かを判断する。割り当てたと判断した場合には、試験予定情報が完成したことになり、終了する。そうでないと判断した場合には、ステップS14に戻る。これにより、全ての試験に順番を割り当てるまでステップS14、S15の処理を繰り返す。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
The order setting unit 161 determines whether or not an order has been assigned to all tests. If it is determined that the test has been assigned, the test schedule information has been completed and the process ends. If it is determined that this is not the case, the process returns to step S14. Thereby, the processes of steps S14 and S15 are repeated until the order is assigned to all the tests.

完成した試験予定情報は、記憶部93に適宜に記憶される。また、完成した試験予定情報は、試験実行部163に与えられる。   The completed test schedule information is appropriately stored in the storage unit 93. The completed test schedule information is given to the test execution unit 163.

上述したステップS12、S13は、本発明における1番目作成過程に相当する。また、ステップS14、S15は、本発明における2番目以降作成過程に相当する。   Steps S12 and S13 described above correspond to the first creation process in the present invention. Steps S14 and S15 correspond to the second and subsequent creation processes in the present invention.

ここで、2つのケースを例にとって、ステップS1(試験予定情報の作成)の処理を具体的に説明する。   Here, taking the two cases as an example, the processing of step S1 (creation of test schedule information) will be specifically described.

[ケース1]
図15(a)は、ケース1における試験リスト情報であり、図15(b)は、ケース1におけるプレート性能情報である。図15(a)では、ユニット識別情報等が省略された簡素な試験リスト情報を例示している。なお、初期負担量は、試験数と変更時間の積とする。各試験の試験時間を10分と仮定する。
[Case 1]
FIG. 15A shows the test list information in case 1, and FIG. 15B shows the plate performance information in case 1. FIG. 15A illustrates simple test list information in which unit identification information and the like are omitted. The initial burden is the product of the number of tests and the change time. Assume that the test time for each test is 10 minutes.

<ステップS11> 試験特定過程
試験リスト情報を参照して、試験TeA、TeB、TeCを特定する。
<Step S11> Test identification process The test TeA, TeB, and TeC are identified with reference to the test list information.

<ステップS12> 負担量比較過程
試験リスト情報およびプレート性能情報を参照して、以下の事項を特定する。
・(熱処理プレートPL01に対する試験数)=1
・(熱処理プレートPL02に対する試験数)=2
・(熱処理プレートPL01の変更時間)=3[min]
・(熱処理プレートPL02の変更時間)=3[min]
・(熱処理プレートPL01の初期負担量)=3
・(熱処理プレートPL02の初期負担量)=6
・(熱処理プレートPL01の初期負担量)<(熱処理プレートPL02の初期負担量)
・(初期負担量が最も大きな熱処理プレートPL)=熱処理プレートPL02
<Step S12> Load comparison process The following items are specified with reference to the test list information and the plate performance information.
・ (Number of tests for heat-treated plate PL 01 ) = 1
・ (Number of tests for heat-treated plate PL 02 ) = 2
・ (Change time of heat treatment plate PL 01 ) = 3 [min]
・ (Change time of heat treatment plate PL 02 ) = 3 [min]
・ (Initial burden amount of heat treatment plate PL 01 ) = 3
・ (Initial burden amount of heat treatment plate PL 02 ) = 6
・ (Initial burden amount of heat treatment plate PL 01 ) <(Initial burden amount of heat treatment plate PL 02 )
・ (Heat treatment plate PL with the largest initial burden) = Heat treatment plate PL 02

<ステップS13> 1番目割当過程
熱処理プレートPL02に対する1の試験に「1番目」を割り当てる。このとき、試験TeB、TeCのいずれに「1番目」を割り当ててもよい。ここでは、試験TeBを1番目に割り当てたとする。試験TeBは、割当済試験になる。
Assign "first" to the first test for <Step S13> The first allocation step heat treatment plate PL 02. At this time, “first” may be assigned to either of the tests TeB and TeC. Here, it is assumed that the test TeB is assigned first. Test TeB becomes the assigned test.

<ステップS14> タイミング推定過程(1回目)
試験TeBを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・未割当試験=試験TeA、TeC
・(試験TeAの開始タイミング)=試験TeBの終了時から0分後
・(試験TeCの開始タイミング)=試験TeBの終了時から3分後
・(試験TeBの終了後に最も早く開始できる未割当試験)=試験TeA
<Step S14> Timing estimation process (first time)
Assuming that test TeB is performed, the following items are estimated.
・ Unassigned test = Test TeA, TeC
-(Test TeA start timing) = 0 minutes after the end of test TeB-(Test TeC start timing) = 3 minutes after the end of test TeB-(Unassigned test that can be started earliest after the end of test TeB) ) = Test TeA

ここでは、試験TeBの終了時までに熱処理プレートPL01のプレート温度を約100度に変更し終えるものとして、試験TeAの開始タイミングを推定している。また、試験TeBの終了時に、熱処理プレートPL02のプレート温度を約100度から約150度に変更し始めるものとして、試験TeCの開始タイミングを推定している。なお、熱処理プレートPL02から熱処理プレートPL01に温度測定用基板WTを搬送する時間については無視している。 Here, assuming that finishes changing the plate temperature of the thermal processing plate PL 01 to about 100 degrees by the end of the test TEB, estimates the start timing of the test TEA. Also, at the end of the test TEB, as begin to change the plate temperature of the thermal processing plate PL 02 to about 100 degrees to about 150 degrees, and estimating the start timing of the test TeC. The time for transporting the temperature measurement substrate WT from the heat treatment plate PL 02 to the heat treatment plate PL 01 is ignored.

<ステップS15> 2番目以降割当過程(1回目)
試験TeAに「2番目」を割り当てる。試験TeAは割当済試験となる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes (first time)
Assign “second” to test TeA. Test TeA is an assigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
未割当試験TeCが残っているので、ステップS14に戻る。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
Since the unallocated test TeC remains, the process returns to step S14.

<ステップS14> タイミング推定過程(2回目)
試験TeB、TeAを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・未割当試験=試験TeC
・(試験TeCの開始タイミング)=試験TeAの終了時から0分後
・(試験TeB、TeAの終了後に最も早く開始できる未割当試験)=試験TeC
<Step S14> Timing estimation process (second time)
Assuming that tests TeB and TeA are performed, the following matters are estimated.
・ Unassigned test = Test TeC
-(Test TeC start timing) = 0 minutes after the end of test TeA-(Test TeB, unassigned test that can be started earliest after the end of TeA) = Test TeC

<ステップS15> 2番目以降割当過程(2回目)
試験TeCに「3番目」を割当てる。試験TeCは割当済試験となる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes (second time)
Assign “third” to test TeC. Test TeC is an assigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
全ての試験が割当済試験であるので、ステップS1(試験予定作成過程)の処理を終了する。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
Since all the tests are assigned tests, the process of step S1 (test schedule creation process) is terminated.

これにより、図16に例示するような試験予定情報が作成される。図16は、ケース1における試験予定情報を例示する模式図である。   Thereby, test schedule information as illustrated in FIG. 16 is created. FIG. 16 is a schematic view illustrating test schedule information in case 1.

図17(a)、(b)を参照する。図17(a)、(b)は、ケース1における一連の試験の工程表である。図17(a)は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表である。図17(b)は、試験TeA、TeB、TeCの順に試験を行う場合(比較例)の工程表である。なお、図17(a)、(b)では、温度測定用基板WTを熱処理プレートPL01、PL02間で搬送するための時間を無視している。 Refer to FIGS. 17A and 17B. FIGS. 17A and 17B are process charts of a series of tests in Case 1. FIG. FIG. 17A is a process chart based on the test schedule information created by the present embodiment. FIG. 17B is a process chart in the case where tests are performed in the order of tests TeA, TeB, and TeC (comparative example). In FIGS. 17A and 17B, the time for transporting the temperature measurement substrate WT between the heat treatment plates PL 01 and PL 02 is ignored.

一連の試験の開始時から終了時までの期間を、「総試験時間」とする。図17(a)に示すように、本実施例では、総試験時間が30分である。図17(b)に示すように、比較例では、総試験時間が33分である。このように、本実施例によれば、比較例よりも総試験時間を3分短縮できる。   The period from the start to the end of a series of tests is the “total test time”. As shown in FIG. 17A, in this example, the total test time is 30 minutes. As shown in FIG. 17B, in the comparative example, the total test time is 33 minutes. Thus, according to this example, the total test time can be shortened by 3 minutes compared to the comparative example.

[ケース2]
図18(a)は、ケース2における試験リスト情報であり、図18(b)は、ケース2におけるプレート性能情報である。なお、初期負担量は、試験数と変更時間の積とする。各試験の試験時間を10分と仮定する。
[Case 2]
FIG. 18A shows the test list information in case 2, and FIG. 18B shows the plate performance information in case 2. The initial burden is the product of the number of tests and the change time. Assume that the test time for each test is 10 minutes.

<ステップS11> 試験特定過程
試験リスト情報を参照して、試験TeA、TeB、TeC、TeDを特定する。
<Step S11> Test identification process The test TeA, TeB, TeC, and TeD are identified with reference to the test list information.

<ステップS12> 負担量比較過程
リスト情報およびプレート性能情報を参照して、以下の事項を特定する。
・(熱処理プレートPL01の初期負担量)=6
・(熱処理プレートPL03の初期負担量)=60
・(熱処理プレートPL01の初期負担量)<(熱処理プレートPL03の初期負担量)
・(初期負担量が最も大きな熱処理プレートPL)=熱処理プレートPL03
<Step S12> Load amount comparison process The following items are specified with reference to the list information and the plate performance information.
・ (Initial burden of heat treatment plate PL 01 ) = 6
・ (Initial burden of heat treatment plate PL 03 ) = 60
・ (Initial burden amount of heat treatment plate PL 01 ) <(Initial burden amount of heat treatment plate PL 03 )
・ (Heat treatment plate PL with the largest initial burden) = Heat treatment plate PL 03

<ステップS13> 1番目割当過程
熱処理プレートPL03に対する1の試験に「1番目」を割り当てる。ここでは、試験TeCを「1番目」に割り当てたとする。試験TeCは割当済試験になる。
<Step S13> First Allocation Process “First” is allocated to one test for the heat treatment plate PL 03 . Here, it is assumed that the test TeC is assigned to “first”. Test TeC becomes the assigned test.

<ステップS14> タイミング推定過程(1回目)
試験TeCを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・(試験TeAの開始タイミング)=試験TeCの終了時から0分後
・(試験TeBの開始タイミング)=試験TeCの終了時から0分後
・(試験TeDの開始タイミング)=試験TeCの終了時から30分後
・(試験TeAの終了後に最も早く開始できる未割当試験)=試験TeA、TeB
<Step S14> Timing estimation process (first time)
Assuming that a test TeC is performed, the following items are estimated.
-(Test TeA start timing) = 0 minutes after the end of the test TeC-(Test TeB start timing) = 0 minutes after the end of the test TeC-(Test TeD start timing) = At the end of the test TeC 30 minutes after (unassigned test that can be started earliest after the end of test TeA) = test TeA, TeB

<ステップS15> 2番目以降割当過程(1回目)
試験TeA、TeBのいずれかに「2番目」を割り当てる。ここでは、試験TeAに「2番目」を割り当てたとする。試験TeAは割当済試験となる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes (first time)
“Second” is assigned to either test TeA or TeB. Here, it is assumed that “second” is assigned to the test TeA. Test TeA is an assigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
未割当試験TeB、TeDが残っているので、ステップS14に戻る。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
Since the unallocated tests TeB and TeD remain, the process returns to step S14.

<ステップS14> タイミング推定過程(2回目)
試験TeC、TeAを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・(試験TeBの開始タイミング)=試験TeAの終了時から3分後
・(試験TeDの開始タイミング)=試験TeAの終了時から20分後
・(試験TeAの終了後に最も早く開始できる未割当試験)=試験TeB
<Step S14> Timing estimation process (second time)
Assuming that tests TeC and TeA are performed, the following matters are estimated.
-(Test TeB start timing) = 3 minutes after the end of test TeA-(Test TeD start timing) = 20 minutes after the end of test TeA-(Unassigned test that can be started earliest after test TeA ends) ) = Test TeB

<ステップS15> 2番目以降割当過程(2回目)
試験TeBに「3番目」を割り当てる。試験TeBは割当済試験となる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes (second time)
Assign “third” to test TeB. Test TeB is an assigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
未割当試験TeDが残っているので、ステップS14に戻る。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
Since the unallocated test TeD remains, the process returns to step S14.

<ステップS14> タイミング推定過程(3回目)
試験TeC、TeA、TeBを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・(試験TeDの開始タイミング)=試験TeBの終了時から7分後
・(試験TeBの終了後に最も早く開始できる未割当試験)=試験TeD
<Step S14> Timing estimation process (third time)
Assuming that tests TeC, TeA, and TeB are performed, the following items are estimated.
(Start timing of test TeD) = 7 minutes after the end of test TeB (Unassigned test that can be started earliest after the end of test TeB) = Test TeD

<ステップS15> 2番目以降割当過程(3回目)
試験TeDに「4番目」を割り当てる。試験TeDは割当済試験となる。
<Step S15> Second and subsequent allocation processes (third time)
Assign "4th" to test TeD. The test TeD is an assigned test.

<ステップS16> 全ての試験に順番を割り当てたか?
全ての試験が割当済試験であるので、ステップS1(試験予定作成過程)の処理を終了する。
<Step S16> Have all the tests been assigned an order?
Since all the tests are assigned tests, the process of step S1 (test schedule creation process) is terminated.

これにより、図19に例示するような試験予定情報が作成される。図19は、ケース2における試験予定情報を例示する模式図である。   Thereby, test schedule information as illustrated in FIG. 19 is created. FIG. 19 is a schematic view illustrating test schedule information in case 2.

図20(a)、(b)を参照する。図20(a)、(b)は、ケース2における一連の試験の工程表である。図20(a)は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表である。図20(b)は、試験TeA、TeC、TeB、TeDの順に試験を行う場合(比較例)の工程表である。なお、図20(a)、(b)では、温度測定用基板WTを熱処理プレートPL01、PL03間で搬送するための時間を無視している。 Reference is made to FIGS. 20A and 20B are process charts for a series of tests in Case 2. FIG. FIG. 20A is a process chart based on the test schedule information created by this example. FIG. 20B is a process chart in the case where tests are performed in the order of tests TeA, TeC, TeB, and TeD (comparative example). 20A and 20B, the time for transporting the temperature measurement substrate WT between the heat treatment plates PL 01 and PL 03 is ignored.

図20(a)、(b)に示すように、本実施例では、総試験時間は50分である。比較例では総試験時間は60分である。このように、本実施例によれば、比較例よりも総試験時間を10分短縮できる。   As shown in FIGS. 20A and 20B, in this example, the total test time is 50 minutes. In the comparative example, the total test time is 60 minutes. Thus, according to this example, the total test time can be shortened by 10 minutes compared to the comparative example.

ステップS1(試験予定作成過程)の効果
試験予定作成過程は、1番目作成過程と2番目以降作成過程を備えているので、試験を実際に行う前に試験予定情報を好適に作成できる。すなわち、各試験に最適な順番をそれぞれ設定することができる。この試験予定情報に従えば、複数の試験を効率良く実施できる。
Effect of Step S1 (Test Schedule Creation Process) Since the test schedule creation process includes the first creation process and the second and subsequent creation processes, the test schedule information can be suitably created before the test is actually performed. That is, the optimal order for each test can be set. According to this test schedule information, a plurality of tests can be performed efficiently.

また、1番目作成過程は、負担量比較過程と1番目割当過程を備え、初期負担量が最も大きい熱処理プレートPLに対する試験を「1番目」とする。これにより、「1番目」が割り当てられた試験の対象である熱処理プレートPLに対して試験温度を変えて複数の試験を行う場合であっても、その熱処理プレートPLのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートPLに対する試験を行うようなスケジュールを作成し易い。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。   The first preparation process includes a burden comparison process and a first allocation process, and the test for the heat treatment plate PL having the largest initial burden is defined as “first”. As a result, even when a plurality of tests are performed by changing the test temperature for the heat treatment plate PL to which the “first” is assigned, the plate temperature of the heat treatment plate PL is changed. It is easy to create a schedule for performing tests on other heat treatment plates PL in the meantime. Therefore, test schedule information with a relatively short total test time can be created.

また、2番目以降作成過程は、タイミング推定過程と2番目以降割当過程を備えているので、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。特に、タイミング推定過程を備えているので、試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。   Further, since the second and subsequent creation processes include a timing estimation process and a second and subsequent allocation process, it is possible to create test schedule information with a relatively short total test time. In particular, since a timing estimation process is provided, the waiting time between tests can be minimized.

また、タイミング推定過程は変更時間を考慮して未割当試験の開始タイミングを推定するので、変更時間に起因する試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。   Further, since the timing estimation process estimates the start timing of the unallocated test in consideration of the change time, the waiting time between tests due to the change time can be minimized.

ステップS1(試験予定作成過程)の変形実施例
上述したステップS11〜S16の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。
Modified Example of Step S1 (Test Schedule Creation Process) Each process of steps S11 to S16 described above may be changed as appropriate. Hereinafter, modified embodiments will be described.

(1)1番目作成過程について
1番目作成過程は、負担量比較過程と1番目割当過程を備えていたが、これに限られない。例えば、1番目作成過程は、さらに、特定結果判定過程と補助比較過程を備えるように変更してもよい。この変形実施例によれば、負担量比較過程が2以上の熱処理プレートPLを特定した場合であっても、その中から熱処理プレートPLをさらに選別することができ、最適な試験に「1番目」を割り当てることができる。
(1) About the 1st creation process Although the 1st creation process was provided with the burden amount comparison process and the 1st allocation process, it is not restricted to this. For example, the first creation process may be further modified to include a specific result determination process and an auxiliary comparison process. According to this modified embodiment, even if the burden comparison process specifies two or more heat treatment plates PL, the heat treatment plates PL can be further selected from among the heat treatment plates PL. Can be assigned.

図21を参照する。図21は、変形実施例にかかる試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。図21に示すフローチャートにおいては、ステップS112乃至S115が、本発明における1番目作成過程に相当する。   Refer to FIG. FIG. 21 is a flowchart showing a detailed procedure of a test schedule creation process according to the modified embodiment. In the flowchart shown in FIG. 21, steps S112 to S115 correspond to the first creation process in the present invention.

まず、負担量比較過程は、負担量が最も大きい熱処理プレートPLを特定する(ステップS112)。続いて、負担量比較過程の処理結果に、2以上の熱処理プレートPLが含まれているか否かを判定する(ステップS113)。その結果、含まれていると判定した場合には、補助比較過程(ステップS114)に進む。そうでない場合には、1番目割当過程(ステップS115)に進む。ステップS113が、特定結果判定過程である。   First, in the burden amount comparison process, the heat treatment plate PL having the largest burden amount is specified (step S112). Subsequently, it is determined whether or not two or more heat treatment plates PL are included in the processing result of the burden comparison process (step S113). As a result, if it is determined that it is included, the process proceeds to the auxiliary comparison process (step S114). Otherwise, the process proceeds to the first allocation process (step S115). Step S113 is a specific result determination process.

補助比較過程は、負担量比較過程が特定した2以上の熱処理プレートPLの中で、補助初期負担量が最も大きな熱処理プレートPLを特定する(ステップS114)。   In the auxiliary comparison process, the heat treatment plate PL having the largest auxiliary initial burden amount is identified among the two or more heat treatment plates PL identified in the burden amount comparison process (step S114).

ここで、補助初期負担量は、初期負担量とは別の観点から熱処理プレートPLの負担を数値化したものである。すなわち、補助初期負担量は、熱処理プレートPLに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかであって、初期負担量の基礎と異なるものを基礎とする数値である。例えば、初期負担量が試験数および変更時間を基礎とする数値である場合には、試験数のみを基礎とする補助初期負担量を採用してもよい。   Here, the auxiliary initial burden amount is obtained by quantifying the burden on the heat treatment plate PL from a viewpoint different from the initial burden amount. That is, the auxiliary initial burden amount is at least one of the number of tests for the heat treatment plate PL, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change rate of the plate temperature, and is different from the basis of the initial burden amount. It is a numerical value based on. For example, when the initial burden amount is a numerical value based on the number of tests and the change time, an auxiliary initial burden amount based only on the number of tests may be employed.

補助比較過程が熱処理プレートPLを特定した場合には、1番目割当過程は、負担量比較過程の処理結果に関係無く、補助比較過程が特定した熱処理プレートPLを対象とする1の試験に「1番目」を割り当てる(ステップS115)。他方、補助比較過程が熱処理プレートPLを特定しなかった場合(すなわち、含まれていると特定結果判定過程によって判定されなかった場合)、1番目割当過程は、負担量比較過程が特定した熱処理プレートPLを対象とする1の試験に「1番目」を割り当てる(ステップS115)。   When the auxiliary comparison process specifies the heat treatment plate PL, the first assignment process is “1” for one test for the heat treatment plate PL specified by the auxiliary comparison process regardless of the processing result of the burden comparison process. Is assigned (step S115). On the other hand, when the auxiliary comparison process does not identify the heat treatment plate PL (that is, when it is not determined by the identification result determination process that it is included), the first allocation process is the heat treatment plate identified by the burden comparison process "First" is assigned to one test for PL (step S115).

このような変形実施例によれば、初期負担量が最も大きい熱処理プレートPLが2以上存在する場合であっても、初期負担量とは異質な指標である補助初期負担量を用いて、負担のより大きな熱処理プレートPLを的確に特定できる。よって、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   According to such a modified embodiment, even if there are two or more heat treatment plates PL having the largest initial burden, the auxiliary initial burden is an index different from the initial burden, and the burden is reduced. A larger heat treatment plate PL can be accurately identified. Therefore, test schedule information with a shorter total test time can be created.

(2)2番目以降作成過程について
2番目以降作成過程は、タイミング推定過程と2番目以降割当過程を例示したが、これに限られない。以下、3つの変形実施例を説明する。
(2) Regarding the second and subsequent generation processes The second and subsequent generation processes are exemplified by the timing estimation process and the second and subsequent allocation processes, but are not limited thereto. In the following, three modified embodiments will be described.

(2−1)2番目以降作成過程は、さらに、推定結果判定過程と補助推定過程を備えるように変更してもよい。推定結果判定過程は、タイミング推定過程の推定結果に、異なる熱処理プレートPLを対象とする複数の未割当試験が含まれているか否かを判定する。含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、補助推定過程は、タイミング推定過程が推定した未割当試験の対象となっている複数の熱処理プレートPLの中で、各熱処理プレートPLの残負担量が最も大きな熱処理プレートPLを推定する。   (2-1) The second and subsequent creation processes may be further modified to include an estimation result determination process and an auxiliary estimation process. The estimation result determination process determines whether or not the estimation result of the timing estimation process includes a plurality of unassigned tests for different heat treatment plates PL. If the estimation result determination process determines that the process is included, the auxiliary estimation process is performed for each of the heat treatment plates PL among the plurality of heat treatment plates PL that are the targets of the unallocated test estimated by the timing estimation process. The heat treatment plate PL having the largest remaining burden is estimated.

そして、補助推定過程が熱処理プレートPLを推定した場合には、2番目以降割当過程は、タイミング推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートPLを対象とする未割当試験に、次の順番を割り当てる。他方、補助推定過程が熱処理プレートPLを推定しなかった場合(すなわち、含まれていると推定結果判定過程が判定しなかった場合)には、2番目以降割当過程は、タイミング推定過程が推定した未割当試験に次の順番を割り当てる。   When the auxiliary estimation process estimates the heat treatment plate PL, the second and subsequent allocation processes are unallocated tests for the heat treatment plate PL estimated by the auxiliary estimation process regardless of the estimation result of the timing estimation process. Is assigned the following order: On the other hand, when the auxiliary estimation process does not estimate the heat treatment plate PL (that is, when the estimation result determination process does not determine that it is included), the second and subsequent allocation processes are estimated by the timing estimation process. Assign the following order to unassigned trials:

ここで、残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートPLに与える負担を表す数値であって、残数、変更時間、および、温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値である。「残数」とは、熱処理プレートに対する未割当試験の数である。   Here, the remaining burden amount is a numerical value representing a burden given to each heat treatment plate PL by the unallocated test, and is a numerical value based on at least one of the remaining number, the change time, and the temperature change rate. “Remaining number” is the number of unallocated tests for the heat-treated plate.

残負担量は、負担が大きいほど大きな値をとるように定義することが好ましい。具体的には、残負担量は、残数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。   It is preferable to define the remaining burden amount so that the larger the burden is, the larger the value is. Specifically, the remaining burden amount preferably shows at least one of a tendency to increase as the remaining number increases, a tendency to increase as the change time increases, and a tendency to increase as the temperature change rate decreases.

このような変形実施例によれば、タイミング推定過程が、異なる熱処理プレートPLを対象とする複数の未割当試験を推定した場合であっても、複数の未割当試験をさらに絞り込むことができる。具体的には、熱処理プレートPLの残負担量がより大きい熱処理プレートPLを対象とする未割当試験を選別することができる。そして、選別されなかった未割当試験よりも選別された未割当試験に優先的に次の順番を割り当てることができる。このため、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。   According to such a modified embodiment, even when the timing estimation process estimates a plurality of unassigned tests for different heat treatment plates PL, the plurality of unassigned tests can be further narrowed down. Specifically, the unallocated test for the heat treatment plate PL having a larger remaining load on the heat treatment plate PL can be selected. Then, the next order can be preferentially assigned to the selected unassigned test over the unassigned test not selected. For this reason, test schedule information with a shorter total test time can be created.

(2−2)タイミング推定過程に代えて、残負担量推定過程を採用してもよい。残負担量推定過程は、残負担量が最も大きな熱処理プレートPLを推定する。この変形実施例では、2番目以降割当過程は、残負担量推定過程が推定した未割当試験に次の順番を割り当てる。   (2-2) Instead of the timing estimation process, a remaining burden amount estimation process may be adopted. In the remaining load amount estimation process, the heat treatment plate PL having the largest remaining load amount is estimated. In this modified embodiment, in the second and subsequent allocation processes, the following order is allocated to the unallocated test estimated by the remaining burden amount estimation process.

さらに、この変形実施例において、2番目以降作成過程は、推定結果判定過程と補助推定過程を備えるように変更してもよい。推定結果判定過程は、残負担量推定過程の推定結果に、2以上の熱処理プレートPLが含まれているか否かを判定する。補助推定過程は、含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、残負担量推定過程が推定した2以上の熱処理プレートPLの中で、熱処理プレートPLの補助残負担量が最も大きな熱処理プレートPLを推定する。   Further, in this modified embodiment, the second and subsequent creation processes may be modified to include an estimation result determination process and an auxiliary estimation process. In the estimation result determination process, it is determined whether or not two or more heat treatment plates PL are included in the estimation result of the remaining load amount estimation process. When the estimation result determination process determines that the auxiliary estimation process is included, among the two or more heat treatment plates PL estimated by the residual load amount estimation process, the auxiliary residual load amount of the heat treatment plate PL is the largest. The heat treatment plate PL is estimated.

ここで、補助残負担量は、残負担量とは別の観点から熱処理プレートPLの負担を数値化したものである。すなわち、補助残負担量は、残数、変更時間、および、温度変化速度の少なくともいずれかであって、残負担量の基礎と異なるものを基礎とする数値である。   Here, the auxiliary remaining burden amount is a numerical value of the burden on the heat treatment plate PL from a viewpoint different from the remaining burden amount. That is, the auxiliary remaining burden amount is a numerical value based on a difference from the basis of the remaining burden amount, which is at least one of the remaining number, the change time, and the temperature change rate.

(2−3)2番目以降作成過程は、さらに、未割当試験判定過程と候補限定過程を備えるように変更してもよい。未割当試験判定過程は、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する。異プレート未割当試験が存在すると判定された場合には、候補限定過程は、次の順番を割り当てる試験の候補を異プレート未割当試験に限定する。   (2-3) The second and subsequent creation processes may be further modified to include an unassigned test determination process and a candidate limitation process. The unassigned test determination process determines whether or not a different plate unassigned test exists. When it is determined that there is a different plate unassigned test, the candidate limiting process limits the test candidates to be assigned the next order to the different plate unassigned test.

ここで、「異プレート未割当試験」は、直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートPLとは異なる熱処理プレートPLを対象とする未割当試験である。未割当試験のうち異プレート未割当試験以外は全て、「同プレート未割当試験」である。同プレート未割当試験は、直近に順番が割り当てられた割当済試験と同じ熱処理プレートPLに対する未割当試験である。候補限定過程が候補を限定すると、仮に同プレート未割当試験が存在していても、同プレート未割当試験は候補から外れる。なお、「直近に順番が割り当てられた割当済試験」とは、割当済試験の中で、最後に順番が割り当たられた割当済試験をいう。   Here, the “different plate non-assignment test” is an unassigned test for a heat treatment plate PL that is different from the heat treatment plate PL that is the subject of the assigned test to which the order has been assigned most recently. All of the unassigned tests except the different plate unassigned test are “same plate unassigned test”. The plate unassigned test is an unassigned test for the same heat treatment plate PL as the assigned test assigned the latest order. If the candidate limiting process limits the candidates, even if the same plate unassigned test exists, the same plate unassigned test is excluded from the candidates. The “assigned test assigned the latest order” refers to the assigned test assigned the last order in the assigned test.

上記(2−2)、(2−3)について、図21を参照して具体的に説明する。図21に示すフローチャートにおいて、ステップS116乃至S121が、本発明における2番目以降作成過程に相当する。   The above (2-2) and (2-3) will be specifically described with reference to FIG. In the flowchart shown in FIG. 21, steps S116 to S121 correspond to the second and subsequent creation processes in the present invention.

ステップS116は、未割当試験判定過程である。未割当試験判定過程は、直前に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートPLを特定する。そして、特定された熱処理プレートPLとは異なる熱処理プレートPLを対象とした未割当試験、すなわち、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する(S116)。その結果、存在すると判定した場合には、候補限定過程(ステップS117)に進む。そうでない場合には、残負担量推定過程(ステップS118)に進む。   Step S116 is an unallocated test determination process. In the unassigned test determination process, the heat treatment plate PL that is the subject of the assigned test to which the order has been assigned immediately before is specified. Then, it is determined whether or not there is an unassigned test for a heat treated plate PL different from the identified heat treated plate PL, that is, a different plate unassigned test (S116). As a result, if it is determined that it exists, the process proceeds to the candidate limiting process (step S117). Otherwise, the process proceeds to the remaining load amount estimation process (step S118).

候補限定過程は、全ての未割当試験のうち、異プレート未割当試験のみを、次の順番を割り当てる試験の候補に決定する(ステップS117)。   In the candidate limiting process, among all unassigned tests, only the different plate unassigned test is determined as a test candidate to be assigned the next order (step S117).

候補限定過程によって候補が限定された場合、残負担量推定過程は、異プレート未割当試験の対象となっている熱処理プレートPLの中で残負担量が最も大きな熱処理プレートPLを推定する(ステップS118)。他方、候補限定過程によって候補が限定されなかった場合、残負担量推定過程は、全ての熱処理プレートPLの中で、残負担量が最も大きな熱処理プレートPLを推定する(ステップS118)。   When the candidates are limited by the candidate limiting process, the remaining load amount estimation process estimates the heat treatment plate PL having the largest remaining load amount among the heat treatment plates PL that are the targets of the different plate unassignment test (step S118). ). On the other hand, if the candidates are not limited by the candidate limiting process, the remaining burden amount estimation process estimates the heat treatment plate PL having the largest remaining burden amount among all the heat treatment plates PL (step S118).

ステップS119は、推定結果判定過程である。推定結果判定過程は、残負担量推定過程によって2以上の熱処理プレートPLが推定されたか否かを判定する(ステップS119)。その結果、2以上の熱処理プレートPLが推定されたと推定結果判定過程が判定した場合には、補助推定過程(ステップS120)に進む。そうでない場合には、2番目以降割当過程(ステップS121)に進む。   Step S119 is an estimation result determination process. In the estimation result determination process, it is determined whether or not two or more heat treatment plates PL are estimated in the remaining load amount estimation process (step S119). As a result, when the estimation result determination process determines that two or more heat treatment plates PL have been estimated, the process proceeds to the auxiliary estimation process (step S120). Otherwise, the process proceeds to the second and subsequent allocation processes (step S121).

補助推定過程は、残負担量推定過程によって推定された2以上の熱処理プレートPLの中で、補助残負担量の最も大きな熱処理プレートPLを推定する(ステップS120)。   In the auxiliary estimation process, the heat treatment plate PL having the largest auxiliary remaining burden amount is estimated among the two or more heat treatment plates PL estimated in the remaining burden amount estimation process (step S120).

補助推定過程が熱処理プレートPLを推定した場合には、2番目以降割当過程は、残負担量推定過程の処理結果に関係無く、補助推定過程によって推定された熱処理プレートPLを対象とする1の試験に次の順番を割り当てる(ステップS121)。他方、補助推定過程が熱処理プレートPLを推定しなかった場合には、2番目以降割当過程は、残負担量推定過程によって推定された熱処理プレートPLを対象とする1の試験に次の順番を割り当てる(ステップS121)。   When the auxiliary estimation process estimates the heat treatment plate PL, the second and subsequent allocation processes are one test for the heat treatment plate PL estimated by the auxiliary estimation process regardless of the processing result of the remaining load amount estimation process. Is assigned the next order (step S121). On the other hand, when the auxiliary estimation process does not estimate the heat treatment plate PL, the second and subsequent allocation processes assign the next order to one test for the heat treatment plate PL estimated by the remaining load amount estimation process. (Step S121).

ステップS122は、全ての試験に順番を割り当てたか否かを判断する。割り当てたと判断した場合には、試験予定情報が完成したことになり、終了する。そうでないと判断した場合には、ステップS116に戻る。これにより、全ての試験に順番を割り当てるまでステップS116乃至S121の処理を繰り返す。   In step S122, it is determined whether or not an order has been assigned to all tests. If it is determined that the test has been assigned, the test schedule information has been completed and the process ends. If it is determined that this is not the case, the process returns to step S116. Thus, the processes in steps S116 to S121 are repeated until the order is assigned to all tests.

このように、2番目以降作成過程は、残負担量推定過程と2番目以降割当過程を備え、残負担量の最も大きい熱処理プレートPLを対象とする試験に次の順番を割り当てる。一部の熱処理プレートPLのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートPLに対する試験を行うようなスケジュールを作成し易い。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。   As described above, the second and subsequent creation processes include a remaining burden amount estimation process and a second and subsequent allocation processes, and the next order is assigned to the test for the heat treatment plate PL having the largest remaining burden amount. It is easy to create a schedule for performing tests on other heat treatment plates PL while changing the plate temperature of some of the heat treatment plates PL. Therefore, test schedule information with a relatively short total test time can be created.

また、2番目以降作成過程は、推定結果判定過程と補助推定過程を備えている。このため、残負担量が最も大きい熱処理プレートPLが2以上存在する場合であっても、残負担量とは異質な指標である補助残負担量を用いて、負担がより大きい熱処理プレートPLを的確に特定できる。よって、総試験時間がより短い試験予定情報を作成できる。   Further, the second and subsequent creation processes include an estimation result determination process and an auxiliary estimation process. For this reason, even when there are two or more heat treatment plates PL having the largest remaining load, the heat treatment plate PL having a larger load can be accurately determined using the auxiliary remaining load, which is an index different from the remaining load. Can be specified. Therefore, test schedule information with a shorter total test time can be created.

また、2番目以降作成過程は、未割当試験判定過程と候補限定過程を備えているので、同プレート未割当試験よりも異プレート未割当試験に優先的に次の順番を割り当てることができる。これにより、試験と試験の間の待ち時間がより短い試験予定情報を作成できる。   Further, since the second and subsequent creation processes include an unallocated test determination process and a candidate limiting process, the next order can be preferentially allocated to the different plate unallocated test over the same plate unallocated test. Thereby, test schedule information with a shorter waiting time between tests can be created.

(3)試験特定過程について
試験特定過程(ステップS11、S111)については詳しく説明しなかったが、試験特定過程を適宜に選択、設計することができる。例えば、試験特定過程において、ユーザーが入出力部95に入力した情報、及び、記憶部93に記憶されている情報の少なくともいずれかに基づいて試験リスト情報を作成・修正してもよい。
(3) Test specific process Although the test specific process (steps S11 and S111) has not been described in detail, the test specific process can be appropriately selected and designed. For example, in the test specifying process, the test list information may be created / corrected based on at least one of information input to the input / output unit 95 by the user and information stored in the storage unit 93.

(4)温度測定用基板WTの数について
上述した実施例では、1枚の温度測定用基板WTを使用して複数の試験を行う場合における動作を例示したが、これに限られない。たとえば、複数の温度測定用基板WTを用いて試験を行う場合であっても、試験予定作成過程を適用できる。この場合、各温度測定用基板WTについて試験予定作成過程をそれぞれ実行し、温度測定用基板WTごとに1つの試験予定情報を作成する。
(4) Number of Temperature Measurement Substrates WT In the above-described embodiment, the operation in the case where a plurality of tests are performed using one temperature measurement substrate WT is illustrated, but the present invention is not limited to this. For example, even when a test is performed using a plurality of temperature measurement substrates WT, a test schedule creation process can be applied. In this case, a test schedule creation process is executed for each temperature measurement substrate WT, and one test schedule information is created for each temperature measurement substrate WT.

(5)複数の試験について
上述した実施例では、複数の試験は、熱処理プレートPLおよび試験温度の双方が異なる試験であったが、これに限られない。複数の試験は、熱処理プレートPLおよび試験温度の一方のみが異なる試験であってもよい。
(5) About a plurality of tests In the example mentioned above, although a plurality of tests were tests in which both heat treatment plate PL and test temperature differ, it is not restricted to this. The plurality of tests may be tests in which only one of the heat treatment plate PL and the test temperature is different.

(6)試験の対象について
上述した実施例では、試験の対象については特に説明しなかったが、次のように変更してもよい。たとえば、複数の試験を、上層K1に含まれる熱処理プレートPLを対象とする試験で構成される上層試験グループと、下層K2に含まれる熱処理プレートPLを対象とする試験で構成される下層試験グループに区分し、上層試験グループに含まれる試験のみについて1の試験予定情報を作成し、下層試験グループに含まれる試験のみについて別の試験予定情報を作成してもよい。あるいは、試験が属するグループに関係なく、上層試験グループおよび下層試験グループに含まれる各試験について1つの試験予定情報を作成してもよい。
(6) Test target In the above-described embodiments, the test target is not particularly described, but may be changed as follows. For example, a plurality of tests are divided into an upper layer test group composed of tests for the heat treatment plate PL included in the upper layer K1, and a lower layer test group composed of tests for the heat treatment plate PL included in the lower layer K2. It is possible to classify and create one test schedule information only for tests included in the upper test group, and create another test schedule information only for tests included in the lower test group. Alternatively, one test schedule information may be created for each test included in the upper layer test group and the lower layer test group regardless of the group to which the test belongs.

(7)プレート性能情報について
プレート性能情報は、プレート識別情報と変更時間とを関連付けたテーブルであったが、これに限られない。たとえば、熱処理プレートPLの性能によって熱処理プレートPLをプレートカテゴリーに分類できる場合には、プレートカテゴリー識別情報とプレート性能情報(例えば、変更時間に関する情報)とを関連付けたテーブルに変更してもよい。ここで、プレートカテゴリー識別情報は、熱処理プレートPLが属するプレートカテゴリーを識別するための情報である。これによれば、1のプレートカテゴリー識別情報によって複数の熱処理プレートPLを一括して特定できるので、プレート性能情報をより簡素にできる。
(7) Plate performance information The plate performance information is a table in which plate identification information is associated with a change time, but is not limited thereto. For example, when the heat treatment plate PL can be classified into the plate category according to the performance of the heat treatment plate PL, the plate category identification information and the plate performance information (for example, information regarding the change time) may be changed to a related table. Here, the plate category identification information is information for identifying the plate category to which the heat treatment plate PL belongs. According to this, since a plurality of heat treatment plates PL can be collectively specified by one plate category identification information, the plate performance information can be further simplified.

また、プレート性能情報は、変更時間に関する情報および温度変化速度に関する情報の少なくともいずれかを含むように変更してもよい。これによれば、変更時間に関する情報および温度変化速度に関する情報の少なくともいずれかに基づいて、未割当試験を開始できるタイミングを好適に計算できる。また、種々の負担量を好適に求めることができる。   Further, the plate performance information may be changed so as to include at least one of information on the change time and information on the temperature change rate. According to this, it is possible to suitably calculate the timing at which the unallocated test can be started based on at least one of the information related to the change time and the information related to the temperature change rate. Moreover, various burden amounts can be suitably obtained.

[4−2 S2(試験連続実施過程)の詳細な動作例]
図22は、試験連続実施過程の詳細な手順を示すフローチャートである。図23は、温度測定用基板WTの搬送経路の一例を模式的に示す図である。
[4-2 Detailed operation example of S2 (continuous test execution process)]
FIG. 22 is a flowchart showing a detailed procedure of the test continuous execution process. FIG. 23 is a diagram schematically illustrating an example of a conveyance path of the temperature measurement substrate WT.

ここでは、図23に示すように、温度測定用基板WTの格納スペースをキャリアC内とする。説明の便宜上、上層K1(熱処理ユニット群51、56)に設置されている熱処理プレートPLのみを各試験の対象とする。また、上層K1(熱処理ユニット群56)に設置されているエッジ露光ユニットEEW01において温度測定用基板WTの向きを調整するものとする。 Here, the storage space for the temperature measurement substrate WT is in the carrier C as shown in FIG. For convenience of explanation, only the heat treatment plate PL installed in the upper layer K1 (heat treatment unit groups 51 and 56) is the subject of each test. In addition, the direction of the temperature measuring substrate WT is adjusted in the edge exposure unit EEW 01 installed in the upper layer K1 (heat treatment unit group 56).

<ステップS21> 搬出過程
搬送制御部164は、搬送機構TAを制御して、ID部11に載置されているキャリアCから温度測定用基板WTを搬出する。なお、キャリアCは、専ら温度測定用基板WTを収容するための専用キャリアであってもよいし、基板Wも収容可能な兼用キャリアであってもよい。
<Step S <b>21> Unloading Process The transfer control unit 164 controls the transfer mechanism TA to unload the temperature measurement substrate WT from the carrier C placed on the ID unit 11. The carrier C may be a dedicated carrier for accommodating the temperature measurement substrate WT exclusively, or may be a dual-purpose carrier that can also accommodate the substrate W.

<ステップS22> 温度測定用基板をエッジ露光ユニットに搬送する
搬送制御部164は、搬送機構TA、TB1c、TB1dを制御して、エッジ露光ユニットEEW01に温度測定用基板WTを搬送する。温度測定用基板WTは、保持部141に載置される。
Conveyance control unit 164 for conveying the <step S22> Temperature measurement substrate edge exposure unit, transport mechanism TA, TB1c, by controlling the TB1d, conveys the temperature-measuring substrate WT to edge exposing unit EEW 01. The temperature measurement substrate WT is placed on the holding unit 141.

<ステップS23> プレート用調整
向き制御部165は、エッジ露光ユニットEEW01に設置される調整機構MD01を制御することによって、プレート用調整を行う。これにより、調整機構MD01は、温度測定用基板WTの向きを変える。
<Step S23> Plate Adjustment The orientation control unit 165 performs plate adjustment by controlling the adjustment mechanism MD 01 installed in the edge exposure unit EEW 01 . Thereby, the adjusting mechanism MD 01 changes the direction of the temperature measurement substrate WT.

より詳しくは、向き制御部165は、試験予定情報を参照して、「1番目」の試験の対象となっている熱処理プレートPLを特定する。そして、特定した熱処理プレートPLに温度測定用基板WTが載置されたときに温度測定用基板WTの向きが第1目標方向となるように、エッジ露光ユニットEEWにおいて温度測定用基板WTの向きを調整する。   More specifically, the direction control unit 165 refers to the test schedule information and identifies the heat treatment plate PL that is the subject of the “first” test. Then, the direction of the temperature measurement substrate WT is changed in the edge exposure unit EEW so that the direction of the temperature measurement substrate WT becomes the first target direction when the temperature measurement substrate WT is placed on the specified heat treatment plate PL. adjust.

第1目標方向は、記憶部93に記憶されている目標方向情報に予め規定されている。向き制御部165は、目標方向情報を参照して第1目標方向を特定する。   The first target direction is defined in advance in the target direction information stored in the storage unit 93. The direction control unit 165 identifies the first target direction with reference to the target direction information.

図24は、目標方向情報の一例を示す模式図である。図24に示す目標方向情報は、第1目標方向のみならず第2目標方向に関する情報が規定されている。具体的には、目標方向情報は、プレート識別情報と第1目標方向とを関連付けたテーブルと、格納スペース識別情報と第2目標情報とを関連付けたテーブルを含む。ここで、格納スペース識別情報は、格納スペースを識別するための情報である。   FIG. 24 is a schematic diagram illustrating an example of target direction information. The target direction information shown in FIG. 24 defines information related to the second target direction as well as the first target direction. Specifically, the target direction information includes a table that associates the plate identification information with the first target direction, and a table that associates the storage space identification information with the second target information. Here, the storage space identification information is information for identifying the storage space.

温度測定用基板WTの向きを調整する際、向き制御部165は、第1向き変動量を考慮する。第1向き変動量は、搬送部がエッジ露光ユニットEEW(調整機構MD)から熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを搬送する間に温度測定用基板WTの向きが変動する量である。   When adjusting the orientation of the temperature measurement substrate WT, the orientation control unit 165 considers the first orientation variation amount. The first direction variation amount is an amount by which the orientation of the temperature measurement substrate WT varies while the transport unit transports the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW (adjustment mechanism MD) to the heat treatment plate PL.

図25(a)、(b)、(c)を参照する。図25(a)、(b)、(c)は、エッジ露光ユニットEEWにおける温度測定用基板WTの向きと熱処理プレートPLにおける温度測定用基板WTの向きとの関係を模式的に示す図である。各図において、左側の図は、搬送機構TB1dがエッジ露光ユニットEEW01から温度測定用基板WTを取るときを示し、右側の図は、搬送機構TB1dが熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときを図示する。図25(a)、(b)、(c)に示す熱処理プレートPL15、PL16、PL17はいずれも、冷却ユニットCPに設置されている。 Reference is made to FIGS. 25A, 25B, and 25C. 25A, 25B, and 25C are diagrams schematically showing the relationship between the direction of the temperature measurement substrate WT in the edge exposure unit EEW and the direction of the temperature measurement substrate WT in the heat treatment plate PL. . In each figure, the left side of the figure indicate when taking a conveying mechanism TB1d temperature measuring substrate WT from the edge exposing unit EEW 01, the right figure, passes the temperature measurement substrate WT to transfer mechanism TB1d heat treatment plate PL Illustrate the time. The heat treatment plates PL 15 , PL 16 , and PL 17 shown in FIGS. 25A, 25B, and 25C are all installed in the cooling unit CP.

図25(a)、(b)、(c)では、温度測定用基板WTの向きDE、DHを、便宜上、温度測定用基板WTの中心軸Pcからセンサ側アンテナASの一端に延びる向きによって示している。向きDEは、エッジ露光ユニットEEWにおける温度測定用基板WTの向きである。向きDHは、熱処理プレートPL上に載置された温度測定用基板WTの向きである。図25(a)、(b)、(c)の右側の図では、向きDEを重ねて図示している。   25 (a), (b), and (c), the directions DE and DH of the temperature measurement substrate WT are indicated by directions extending from the central axis Pc of the temperature measurement substrate WT to one end of the sensor side antenna AS for convenience. ing. The direction DE is the direction of the temperature measurement substrate WT in the edge exposure unit EEW. The direction DH is the direction of the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL. In the diagrams on the right side of FIGS. 25 (a), (b), and (c), the direction DE is overlapped.

第1向き変動量は、向きDEと向きDHのなす角度ACである。各図では、第1向き変動量ACa、ACb、ACcが異なっている場合を示している。このように、第1向き変動量ACは一律とは限らない。すなわち、第1向き変動量は、熱処理プレートPLごとに固有の値をとる。   The first direction variation amount is an angle AC formed by the direction DE and the direction DH. In each figure, the case where the first direction variation amounts ACa, ACb, and ACc are different is shown. Thus, the first direction variation amount AC is not always uniform. That is, the first direction variation amount takes a unique value for each heat treatment plate PL.

また、図25(a)、(b)、(c)に明示するように、温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置されたとき、センサ側アンテナASはユニット側アンテナAUの真正面に位置している。すなわち、向きDHa、DHb、DHcはそれぞれ、熱処理プレートPL15、PL16、PL17における第1目標方向であり、各温度測定用基板WTはそれぞれ、第1目標方向DHa、DHb、DHcを向いた状態で載置されている。したがって、向きDEa、DEb、DEcは、エッジ露光ユニットEEWにおいて調整すべき温度測定用基板WTの向きである。なお、各図では、第1目標方向DHa、DHb、DHcが互いに異なっている場合を示している。 As clearly shown in FIGS. 25A, 25B, and 25C, when the temperature measurement substrate WT is placed on the heat treatment plate PL, the sensor-side antenna AS is positioned directly in front of the unit-side antenna AU. doing. That is, the directions DHa, DHb, and DHc are first target directions in the heat treatment plates PL 15 , PL 16 , and PL 17 , respectively, and each temperature measurement substrate WT faces the first target directions DHa, DHb, and DHc, respectively. It is placed in a state. Therefore, the directions DEa, DEb, DEc are the directions of the temperature measurement substrate WT to be adjusted in the edge exposure unit EEW. In each drawing, the first target directions DHa, DHb, and DHc are different from each other.

各図から明らかなように、向きDEa、DEb、DEcは、第1目標方向DHに第1向き変動量ACを加減算することによって求められる。   As is apparent from the drawings, the directions DEa, DEb, and DEc are obtained by adding and subtracting the first direction variation amount AC to the first target direction DH.

ここで、第1向き変動量ACの特定方法を例示する。   Here, a method for specifying the first direction variation amount AC is illustrated.

第1向き変動量ACは、搬送部の受け渡し位置によって決まる。例えば、図25(a)の場合、向き変動量ACaは、エッジ露光ユニットEEW(調整機構MD)から温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1dの位置と、熱処理プレートPL15に温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1dの各位置によって決まる。 The first direction variation amount AC is determined by the delivery position of the transport unit. For example, in the case of FIG. 25 (a), the orientation variation ACa is the position of the transport mechanism TB1d when taking the temperature measurement substrate WT from the edge exposing unit EEW (adjusting mechanism MD), for temperature measurement in the thermal processing plate PL 15 It depends on each position of the transport mechanism TB1d when the substrate WT is transferred.

搬送部の受け渡し位置は、受け渡し位置情報に規定されている。受け渡し位置情報は、搬送部がエッジ露光ユニットEEW(調整機構MD)から温度測定用基板WTを取るときの搬送部の位置に関する情報、および、搬送部が熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときの搬送部の位置に関する情報を少なくとも含む。   The delivery position of the transport unit is defined in delivery position information. The delivery position information includes information on the position of the transport unit when the transport unit takes the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW (adjustment mechanism MD), and the transport unit delivers the temperature measurement substrate WT to the heat treatment plate PL. At least information about the position of the transport unit at the time.

図26は、受け渡し位置情報の一例を示す模式図である。図26に示す受け渡し位置情報は、搬送部識別情報と、ユニット等識別情報と、位置情報とを関連付けたテーブルである。搬送部識別情報は、搬送部を識別するための情報である。ユニット等識別情報は、処理ユニット、載置部、キャリアC等(以下、「ユニット等」という)を識別するための情報である。位置情報は、搬送部がユニット等から温度測定用基板WTを取るときの搬送部の位置に関する情報であり、搬送部がユニット等に温度測定用基板WTを渡すときの搬送部の位置に関する情報である。位置情報は、x方向の位置、y方向の位置、z方向の位置、角度θ、および、距離rに関する各情報を含む。これらx方向の位置等の情報によって、搬送機構の位置は一意に特定される。なお、角度θは、各搬送機構の縦軸心回りの角度である。距離rは、縦軸心の径方向における搬送機構(ハンドH)の位置である。   FIG. 26 is a schematic diagram illustrating an example of delivery position information. The delivery position information illustrated in FIG. 26 is a table in which the conveyance unit identification information, the unit identification information, and the position information are associated with each other. The conveyance unit identification information is information for identifying the conveyance unit. The unit identification information is information for identifying a processing unit, a placement unit, a carrier C, and the like (hereinafter referred to as “unit etc.”). The position information is information regarding the position of the transport unit when the transport unit takes the temperature measurement substrate WT from the unit or the like, and is information regarding the position of the transport unit when the transport unit passes the temperature measurement substrate WT to the unit or the like. is there. The position information includes information on the position in the x direction, the position in the y direction, the position in the z direction, the angle θ, and the distance r. The position of the transport mechanism is uniquely specified by information such as the position in the x direction. The angle θ is an angle around the vertical axis of each transport mechanism. The distance r is the position of the transport mechanism (hand H) in the radial direction of the vertical axis.

位置情報は、1の搬送部と1のユニット等の組み合わせの全てに関して、規定されている。搬送部がユニット等に温度測定用基板WTを渡すときの搬送部の位置と、搬送部がユニット等から温度測定用基板WTを取るときの搬送部の位置とが同じである場合、両者を特に区別しなくてもよい。例えば、図26に示すように、1の搬送部と1のユニット等の各組み合わせに関連付けられる位置情報の数を、1つとしてもよい。   The position information is defined for all combinations of one transport unit and one unit. If the position of the transfer unit when the transfer unit delivers the temperature measurement substrate WT to the unit or the like and the position of the transfer unit when the transfer unit takes the temperature measurement substrate WT from the unit or the like are the same, It is not necessary to distinguish. For example, as shown in FIG. 26, the number of pieces of position information associated with each combination of one transport unit and one unit may be one.

なお、搬送機構TB1c等は、y方向に移動する機構を備えていないので、y方向の位置を与えなくても搬送機構TB1c等の位置を一意に特定できる。このため、図26では、搬送機構TB1c等に、「y方向の位置」が関連付けられていない。他の搬送機構TA等についても、同様に、受け渡し位置の特定に不要な位置情報は関連づけられていない。   Since the transport mechanism TB1c and the like do not include a mechanism that moves in the y direction, the position of the transport mechanism TB1c and the like can be uniquely specified without giving a position in the y direction. For this reason, in FIG. 26, the “position in the y direction” is not associated with the transport mechanism TB1c and the like. Similarly, position information unnecessary for specifying the delivery position is not associated with other transport mechanisms TA and the like.

なお、本実施例では、搬送部は、基板Wと同じように、温度測定用基板WTを扱うことができる。すなわち、搬送部は、基板Wと同じように、温度測定用基板WTを取ったり、渡すことができる。よって、いわゆるティーチングデータを、受け渡し位置情報として活用してもよい。ティーチングデータは、搬送部が基板Wをユニット等に受け渡しするときの搬送部の位置を設定・調整するティーチング作業によって作成される。ティーチング作業は、基板処理装置1の出荷時のみならずメンテナンス時等に行われる。これに伴い、ティーチングデータも、随時更新される。   In the present embodiment, the transport unit can handle the temperature measurement substrate WT in the same manner as the substrate W. That is, like the substrate W, the transport unit can take or pass the temperature measurement substrate WT. Therefore, so-called teaching data may be used as delivery position information. Teaching data is created by teaching work for setting and adjusting the position of the transport unit when the transport unit delivers the substrate W to the unit or the like. The teaching work is performed not only when the substrate processing apparatus 1 is shipped but also during maintenance. Along with this, teaching data is also updated as needed.

上述したとおり、第1向き変動量ACは、基本的に、エッジ露光ユニットEEW(調整機構MD)から温度測定用基板WTを取るときの搬送機構の位置情報と、熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構の位置情報に基づいて特定できる。ただし、エッジ露光ユニットEEWから熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを搬送する際に、1の搬送機構が他の搬送機構に温度測定用基板WTを渡す場合には、そのときの各搬送機構の位置情報を併せて考慮する。   As described above, the first direction variation amount AC basically includes the position information of the transport mechanism when the temperature measurement substrate WT is taken from the edge exposure unit EEW (adjustment mechanism MD), and the temperature measurement substrate on the heat treatment plate PL. It can be specified based on the position information of the transport mechanism when delivering the WT. However, when the temperature measurement substrate WT is transferred from the edge exposure unit EEW to the heat treatment plate PL, if one transfer mechanism passes the temperature measurement substrate WT to another transfer mechanism, each transfer mechanism at that time Consider location information as well.

例えば、熱処理プレートPLが熱処理ユニット群56における冷却ユニットCPに設置されている場合、第1向き変動量は以下の情報によって与えられる。
IP1:エッジ露光ユニットEEWから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1dの位置情報
IP2:熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1dの位置情報
For example, when the heat treatment plate PL is installed in the cooling unit CP in the heat treatment unit group 56, the first direction variation amount is given by the following information.
IP1: Position information of the transport mechanism TB1d when taking the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW IP2: Position information of the transport mechanism TB1d when passing the temperature measurement substrate WT to the heat treatment plate PL

例えば、熱処理プレートPLが熱処理ユニット群56における加熱冷却ユニットPHPに設置されている場合、第1向き変動量は以下の情報によって与えられる。
IP1:エッジ露光ユニットEEWから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1dの位置情報
IP3:載置部PAに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1dの位置情報
IP4:載置部PAから温度測定用基板WTを取るときのローカル搬送機構TLの位置情報
IP5:熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときのローカル搬送機構TLの位置情報
For example, when the heat treatment plate PL is installed in the heating / cooling unit PHP in the heat treatment unit group 56, the first direction variation amount is given by the following information.
IP1: Position information of the transport mechanism TB1d when taking the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW IP3: Position information of the transport mechanism TB1d when passing the temperature measurement substrate WT to the placement part PA IP4: Placement part PA Information of the local transport mechanism TL when the temperature measurement substrate WT is taken from the substrate IP5: Position information of the local transport mechanism TL when the temperature measurement substrate WT is transferred to the heat treatment plate PL

例えば、熱処理プレートPLが熱処理ユニット群51における加熱冷却ユニットPHPに設置されている場合、向き制御部165は、以下の情報に基づいて第1向き変動量によって与えられる。
IP1:エッジ露光ユニットEEWから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1dの位置情報
IP6:載置部P3Rに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1dの位置情報
IP7:載置部P3Rから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1cの位置情報
IP8:載置部PAに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1cの位置情報
IP9:載置部PAから温度測定用基板WTを取るときのローカル搬送機構TLの位置情報
IP10:熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを渡すときのローカル搬送機構TLの位置情報
For example, when the heat treatment plate PL is installed in the heating / cooling unit PHP in the heat treatment unit group 51, the direction control unit 165 is given by the first direction variation amount based on the following information.
IP1: Position information of the transport mechanism TB1d when taking the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW IP6: Position information of the transport mechanism TB1d when passing the temperature measurement substrate WT to the placement part P3R IP7: Placement part P3R Position information of the transport mechanism TB1c when the temperature measurement substrate WT is taken from IP8: Position information of the transport mechanism TB1c when the temperature measurement substrate WT is transferred to the placement part PA IP9: Temperature measurement substrate WT from the placement part PA Information of the local transport mechanism TL when taking the temperature IP10: Position information of the local transport mechanism TL when passing the temperature measurement substrate WT to the heat treatment plate PL

IP1は、本発明における「搬送部が調整機構から温度測定用基板を取るときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。IP2、IP5、IP10は、本発明における「搬送部が熱処理プレートに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。IP3、IP4、IP6乃至IP9は、本発明における「一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報」に相当する。   IP1 corresponds to “information relating to the position of the transport unit when the transport unit takes the temperature measurement substrate from the adjustment mechanism” in the present invention. IP2, IP5, and IP10 correspond to “information on the position of the transport unit when the transport unit passes the temperature measurement substrate to the heat treatment plate” in the present invention. IP3, IP4, IP6 to IP9 correspond to “information relating to the position of each transport mechanism when the temperature measurement substrate is transferred from one transport mechanism to another transport mechanism” in the present invention.

なお、位置情報IP1等に含まれる全部の情報が、第1向き変動量ACを特定するために必要であるとは限らない。本実施例のように、ローカル搬送機構TLが温度測定用基板WTを搬送しても第1向き変動量ACが変わらない場合には、位置情報IP3、IP4等に含まれる全部の情報が不要である。また、本実施例のように、搬送機構TB1dが温度測定用基板WTをz方向に搬送しても第1向き変動量ACが変わらない場合には、位置情報IP1、IP2に含まれる一部の情報(「z方向の位置」)が不要である。その結果、最も単純な場合には、列挙した各位置情報IPに含まれる角度θのみに基づいて、第1向き変動量ACを特定できる。   Note that all information included in the position information IP1 and the like is not necessarily required to specify the first variation amount AC. If the first direction variation amount AC does not change even when the local transport mechanism TL transports the temperature measurement substrate WT as in the present embodiment, all the information included in the position information IP3, IP4, etc. is unnecessary. is there. Further, as in this embodiment, when the first direction variation amount AC does not change even when the transport mechanism TB1d transports the temperature measurement substrate WT in the z direction, some of the position information IP1 and IP2 includes Information (“position in the z direction”) is not required. As a result, in the simplest case, the first direction variation amount AC can be specified based only on the angle θ included in each enumerated position information IP.

向き制御部165は、目標方向情報に規定される第1目標方向に基づき、かつ、第1向き変動量ACを考慮することによって、プレート用調整を行う。これにより、熱処理プレートPL上における温度測定用基板WTの向きを第1目標方向に精度よく一致させることができる。   The direction control unit 165 performs plate adjustment based on the first target direction defined in the target direction information and considering the first direction variation amount AC. Thereby, the direction of the temperature measurement substrate WT on the heat treatment plate PL can be made to coincide with the first target direction with high accuracy.

<ステップS24> プレート搬送過程
搬送制御部164は、試験予定情報を参照して、エッジ露光ユニットEEW(調整機構MD)から温度測定用基板WTを取り、取った温度測定用基板WTを「1番目」の試験の対象である熱処理プレートPLに載置する。この際、載置部P3R等を経由してもよいが、他の熱処理プレートPLや液処理ユニット60、65に温度測定用基板WTを搬送することなく、調整機構MDから「1番目」の熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを直接的に搬送する。
<Step S24> Plate Transport Process The transport controller 164 refers to the test schedule information, takes the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW (adjustment mechanism MD), and takes the temperature measurement substrate WT taken as “first”. It mounts on the heat processing plate PL which is a test object of "." At this time, although it may be routed through the mounting portion P3R, the “first” heat treatment is performed from the adjustment mechanism MD without transporting the temperature measurement substrate WT to another heat treatment plate PL or the liquid treatment units 60 and 65. The temperature measurement substrate WT is directly transferred to the plate PL.

ここで、図27(a)、(b)、(c)を参照して、比較例を例示する。図27(a)、(b)、(c)は、比較例における温度測定用基板WTの向きの関係を模式的に示す図である。図27(a)、27(b)、27(c)では、エッジ露光ユニットEEWにおいて温度測定用基板WTの向きを一律の方向DEsに調整する場合を示している。   Here, a comparative example is illustrated with reference to FIGS. 27 (a), (b), and (c). FIGS. 27A, 27B, and 27C are diagrams schematically showing the relationship of the orientation of the temperature measurement substrate WT in the comparative example. 27 (a), 27 (b), and 27 (c) show a case where the direction of the temperature measurement substrate WT is adjusted to the uniform direction DEs in the edge exposure unit EEW.

図示するように、この比較例では、熱処理プレートPL上における温度測定用基板WTの向きを第1目標方向に精度よく調整できず、センサ側アンテナASとユニット側アンテナAUを精度よく正対させることができない。この結果、比較例によれば、センサ側アンテナASとユニット側アンテナAUは、適切に通信できない。   As shown in the figure, in this comparative example, the direction of the temperature measurement substrate WT on the heat treatment plate PL cannot be accurately adjusted to the first target direction, and the sensor-side antenna AS and the unit-side antenna AU are accurately aligned. I can't. As a result, according to the comparative example, the sensor side antenna AS and the unit side antenna AU cannot communicate appropriately.

これに対して、図25(a)、(b)、(c)に示すように、本実施例によれば、いずれの熱処理プレートPLに温度測定用基板WTを載置するときであっても、センサ側アンテナASがユニット側アンテナAUに正対する。このため、実施例によれば、センサ側アンテナASとユニット側アンテナAUは、適切に通信できる。   On the other hand, as shown in FIGS. 25A, 25B, and 25C, according to the present embodiment, even when the temperature measurement substrate WT is placed on any heat treatment plate PL. The sensor side antenna AS faces the unit side antenna AU. For this reason, according to the Example, the sensor side antenna AS and the unit side antenna AU can communicate appropriately.

<ステップS3> 試験
「1番目」の試験を行う。この処理について、後述する。
<Step S3> Test The “first” test is performed. This process will be described later.

<ステップS25> 全ての試験が終わったか?
試験予定情報に規定される一連の試験が終了したか否かを判断する。この結果、全ての試験が終わったと判断した場合には、ステップS27に進む。そうでない場合には、ステップS26に進む。
<Step S25> Have all the tests been completed?
It is determined whether a series of tests specified in the test schedule information has been completed. As a result, if it is determined that all tests have been completed, the process proceeds to step S27. Otherwise, the process proceeds to step S26.

<ステップS26> 次の試験の対象は同じ熱処理プレートか?
試験予定情報において次の順番が割り当てられている試験が、引き続き同じ熱処理プレートPLに対する試験であるか否かを判断する。この結果、同じ熱処理プレートPLに対する試験であると判断した場合には、ステップS3に戻る。
<Step S26> Is the next test object the same heat-treated plate?
It is determined whether or not the test to which the next order is assigned in the test schedule information is a test for the same heat treatment plate PL. As a result, if it is determined that the test is for the same heat treatment plate PL, the process returns to step S3.

そうでない場合には、ステップS22に戻る。これにより、温度測定用基板WTを1の熱処理プレートPLから別の熱処理プレートPLに搬送する場合には、その都度、温度測定用基板WTにプレート用調整を行ってから温度測定用基板WTを別の熱処理プレートPLに搬送する。   Otherwise, the process returns to step S22. Thus, when the temperature measurement substrate WT is transferred from one heat treatment plate PL to another heat treatment plate PL, the temperature measurement substrate WT is separated from the temperature measurement substrate WT after adjusting the temperature measurement substrate WT each time. To the heat treatment plate PL.

そして、ステップS22からステップS24、および、ステップS3の処理を再び行う。この際、ステップS23、S24、S3に関する上記説明において、「1番目」を繰り返し回数に応じた「n番目」に適宜に読み替えて、ステップS23、S24の処理を行う。   Then, the processes from step S22 to step S24 and step S3 are performed again. At this time, in the above description regarding steps S23, S24, and S3, “first” is appropriately read as “n” according to the number of repetitions, and the processing of steps S23 and S24 is performed.

<ステップS27> 温度測定用基板をエッジ露光ユニットに搬送する
搬送制御部164は、温度測定用基板WTをエッジ露光ユニットEEWに搬送する。
<Step S27> Transporting the temperature measurement substrate to the edge exposure unit The transport control unit 164 transports the temperature measurement substrate WT to the edge exposure unit EEW.

<ステップS28> 格納用調整
向き制御部165は、調整機構MD01を制御することによって、格納用調整を行う。これにより、調整機構MD01は、温度測定用基板WTの向きを変える。
<Step S28> storing adjustment direction control unit 165, by controlling the adjusting mechanism MD 01, and stores this adjustment. Thereby, the adjusting mechanism MD 01 changes the direction of the temperature measurement substrate WT.

より詳しくは、向き制御部165は、温度測定用基板WTがキャリアCに搬入されたときに温度測定用基板WTの向きが第2目標方向となるように、温度測定用基板WTの向きを調整する。第2目標方向は、目標方向情報に規定されている。向き制御部165は、目標方向情報を参照して第2目標方向を特定する。   More specifically, the orientation control unit 165 adjusts the orientation of the temperature measurement substrate WT so that the orientation of the temperature measurement substrate WT becomes the second target direction when the temperature measurement substrate WT is carried into the carrier C. To do. The second target direction is defined in the target direction information. The direction control unit 165 identifies the second target direction with reference to the target direction information.

第2目標方向は、キャリアCの構造等を考慮して設定されることが好ましい。キャリアCの構造等とは、具体的には、キャリアC内に設置され、温度測定用基板WTを載置するスロット(棚)の配置や、スロットに載置される温度測定用基板WTの存否を検知するための基板検知センサの検知領域などである。例えば、センサ側アンテナASがスロットと干渉しないような温度測定用基板WTの向きを第2目標方向とすることが好ましい。また、例えば、センサ側アンテナASが基板検知センサの検知領域から外れるような温度測定用基板WTの向きを第2目標方向とすることが好ましい。   The second target direction is preferably set in consideration of the structure of the carrier C and the like. Specifically, the structure or the like of the carrier C is an arrangement of slots (shelves) that are installed in the carrier C and on which the temperature measurement substrate WT is placed, and whether or not the temperature measurement substrate WT is placed in the slot. This is a detection area of the substrate detection sensor for detecting the above. For example, it is preferable to set the direction of the temperature measurement substrate WT so that the sensor antenna AS does not interfere with the slot as the second target direction. For example, it is preferable that the direction of the temperature measurement substrate WT such that the sensor-side antenna AS deviates from the detection region of the substrate detection sensor is the second target direction.

格納用調整を行う際、向き制御部165は、第2向き変動量を考慮する。第2向き変動量は、搬送部が調整機構MDからキャリアCに温度測定用基板WTを搬送する間に温度測定用基板WTの向きが変動する量である。第2向き変動量を考慮することにより、エッジ露光ユニットEEWにおいて調整すべき温度測定用基板WTの向きを精度よく特定できる。   When performing the storage adjustment, the direction control unit 165 considers the second direction variation amount. The second direction variation amount is an amount by which the orientation of the temperature measurement substrate WT varies while the transport unit transports the temperature measurement substrate WT from the adjustment mechanism MD to the carrier C. By considering the second direction variation amount, the direction of the temperature measurement substrate WT to be adjusted in the edge exposure unit EEW can be accurately specified.

第2向き変動量は、例えば、以下に列挙する位置情報IPによって特定される。
IP1:エッジ露光ユニットEEWから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1dの位置情報
IP6:載置部P3Rに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1dの位置情報
IP7:載置部P3Rから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TB1cの位置情報
IP11:載置部P1Rに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TB1cの位置情報
IP12:載置部P1Rから温度測定用基板WTを取るときの搬送機構TAの位置情報
IP13:キャリアCに温度測定用基板WTを渡すときの搬送機構TAの位置情報
The second direction variation amount is specified by, for example, position information IP listed below.
IP1: Position information of the transport mechanism TB1d when taking the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW IP6: Position information of the transport mechanism TB1d when passing the temperature measurement substrate WT to the placement part P3R IP7: Placement part P3R Position information of the transport mechanism TB1c when the temperature measurement substrate WT is taken from IP11: Position information of the transport mechanism TB1c when the temperature measurement substrate WT is transferred to the placement unit P1R IP12: Temperature measurement substrate WT from the placement unit P1R Position information of the transport mechanism TA when taking IP13: Position information of the transport mechanism TA when passing the temperature measurement substrate WT to the carrier C

IP6、IP7、IP11乃至IP12は、本発明における「搬送部が一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報」に相当する。IP13は、本発明における「搬送部が格納スペースに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。   IP6, IP7, IP11 to IP12 correspond to “information on the position of each transport mechanism when the transport unit passes the temperature measurement substrate from one transport mechanism to another transport mechanism” in the present invention. The IP 13 corresponds to “information regarding the position of the transport unit when the transport unit passes the temperature measurement substrate to the storage space” in the present invention.

<ステップS29> 格納過程
搬送制御部164は、搬送機構TB1d、TB1c、TAを制御して、エッジ露光ユニットEEWから温度測定用基板WTを搬出して、キャリアC内に搬入する。
<Step S29> Storage Process The transport controller 164 controls the transport mechanisms TB1d, TB1c, and TA to unload the temperature measurement substrate WT from the edge exposure unit EEW and load it into the carrier C.

ステップS2(試験連続実施過程)の効果
試験連続実施過程によれば、複数の試験を自動的に続けて行うことができる。これにより、複数の試験を一括して実行できる。
Effect of Step S2 (Continuous Test Execution Process) According to the continuous test execution process, a plurality of tests can be performed automatically and continuously. Thereby, a plurality of tests can be executed collectively.

プレート用調整過程とプレート搬送過程とを備え、プレート搬送過程を実行するときには、その都度、プレート用調整過程を事前に行う。これにより、温度測定用基板WTの向きを好適に管理できる。   A plate adjustment process and a plate conveyance process are provided, and each time the plate conveyance process is executed, the plate adjustment process is performed in advance. Thereby, the direction of the temperature measurement substrate WT can be suitably managed.

プレート用調整過程では、熱処理プレートPLに載置されたときの温度測定用基板WTの向きを考慮して、温度測定用基板WTの向きを調整する。このため、温度測定用基板WTを適切な向きで熱処理プレートPL上に載置できる。よって、熱処理プレートPLに対する試験(ステップS3)を適正に行うことができる。   In the plate adjustment process, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted in consideration of the orientation of the temperature measurement substrate WT when placed on the heat treatment plate PL. Therefore, the temperature measurement substrate WT can be placed on the heat treatment plate PL in an appropriate direction. Therefore, the test (step S3) for the heat treatment plate PL can be appropriately performed.

また、向き制御部165と搬送制御部164が連携することによって、プレート搬送過程の前にプレート用調整過程を常に実行できる。   Further, the direction control unit 165 and the conveyance control unit 164 cooperate to always execute the plate adjustment process before the plate conveyance process.

また、プレート用調整過程は、温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置されたときに温度測定用基板WTの向きが第1目標方向となるように、温度測定用基板WTの向きを調整する。これにより、センサ側アンテナASとユニット側アンテナAUとが正確に向かい合い、両者は品質よく無線通信を行うことができる。   In the plate adjustment process, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted so that the orientation of the temperature measurement substrate WT becomes the first target direction when the temperature measurement substrate WT is placed on the heat treatment plate PL. To do. Thereby, the sensor side antenna AS and the unit side antenna AU face each other accurately, and both can perform wireless communication with high quality.

また、プレート用調整過程は、第1向き変動量を考慮して温度測定用基板WTの向きを調整するので、温度測定用基板WTの向きを精度よく調整できる。   Further, in the plate adjustment process, the direction of the temperature measurement substrate WT is adjusted in consideration of the first direction variation amount, so that the direction of the temperature measurement substrate WT can be adjusted with high accuracy.

また、向き制御部165は、受け渡し位置情報に基づいて第1向き変動量を特定するので、いずれの熱処理プレートPLに搬送するときであっても第1向き変動量を精度よく特定できる。   In addition, since the direction control unit 165 specifies the first direction variation amount based on the delivery position information, the first direction variation amount can be accurately identified even when transported to any heat treatment plate PL.

また、格納用調整過程と格納過程とを備え、格納過程を実行するときには、その都度、格納用調整過程を事前に行う。これにより、温度測定用基板WTの向きを好適に管理できる。   The storage adjustment process and the storage process are provided, and each time the storage process is executed, the storage adjustment process is performed in advance. Thereby, the direction of the temperature measurement substrate WT can be suitably managed.

格納用調整過程では、キャリアCに搬入されたときの温度測定用基板WTの向きを考慮して、温度測定用基板WTの向きを調整する。このため、温度測定用基板WTを適切な向きでキャリアCに搬入できる。よって、温度測定用基板WTを適切に保管できる。   In the storage adjustment process, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted in consideration of the orientation of the temperature measurement substrate WT when it is carried into the carrier C. For this reason, the temperature measurement substrate WT can be carried into the carrier C in an appropriate direction. Therefore, the temperature measurement substrate WT can be properly stored.

また、向き制御部165と搬送制御部164が連携することによって、格納過程の前に格納用調整過程を常に実行できる。   Further, the orientation control unit 165 and the transport control unit 164 cooperate to always execute the storage adjustment process before the storage process.

また、格納用調整過程は、温度測定用基板WTがキャリアCに搬入されたときに温度測定用基板WTの向きが第2目標方向となるように、温度測定用基板WTの向きを調整する。これにより、温度測定用基板WTを適切に保管できる。   In the storage adjustment process, the orientation of the temperature measurement substrate WT is adjusted so that the orientation of the temperature measurement substrate WT becomes the second target direction when the temperature measurement substrate WT is carried into the carrier C. Thereby, the temperature measurement substrate WT can be properly stored.

また、格納用調整過程は、第2向き変動量を考慮して温度測定用基板WTの向きを調整するので、温度測定用基板WTの向きを精度よく調整できる。   Further, since the adjustment process for storage adjusts the direction of the temperature measurement substrate WT in consideration of the second direction fluctuation amount, the direction of the temperature measurement substrate WT can be adjusted with high accuracy.

また、向き制御部165は、受け渡し位置情報に基づいて第2向き変動量を特定するので、第2向き変動量を精度よく特定できる。   In addition, since the direction control unit 165 identifies the second direction variation amount based on the delivery position information, the second direction variation amount can be identified with high accuracy.

また、試験予定情報に規定される試験が終了すると、格納過程を実行するので、温度測定用基板WTを自動的に格納できる。すなわち、試験が終了すれば、温度測定用基板WTを自動的に撤去できる。   Further, when the test specified in the test schedule information is completed, the storing process is executed, so that the temperature measuring substrate WT can be automatically stored. That is, when the test is completed, the temperature measurement substrate WT can be automatically removed.

また、搬出過程を備えているので、試験予定情報に規定される試験の実施に先立って、格納スペースから温度測定用基板WTを自動的に搬出できる。すなわち、試験を行うときに、温度測定用基板WTを自動的に準備できる。   In addition, since the unloading process is provided, the temperature measurement substrate WT can be automatically unloaded from the storage space prior to the execution of the test specified in the test schedule information. That is, the temperature measurement substrate WT can be automatically prepared when performing the test.

また、キャリアC内が温度測定用基板WTの格納スペースであるので、温度測定用基板WTを基板処理装置1の外部に適切に搬送できる。   Further, since the inside of the carrier C is a storage space for the temperature measurement substrate WT, the temperature measurement substrate WT can be appropriately transferred to the outside of the substrate processing apparatus 1.

また、調整機構MDは、本来、基板Wの向きを変えるために設置されている既存設備である。このような調整機構MDを温度測定用基板WTの向きを変えるために使用するので、基板処理装置1の大型化や高コスト化を招くことがない。   The adjustment mechanism MD is an existing facility that is originally installed to change the orientation of the substrate W. Since such an adjustment mechanism MD is used to change the orientation of the temperature measurement substrate WT, the substrate processing apparatus 1 is not increased in size and cost.

ステップS2(試験連続実施過程)の変形実施例
上述した調整機構MD等の構成や、ステップS21〜S29の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。
Modified Example of Step S2 (Continuous Test Execution Process) The configuration of the adjustment mechanism MD described above and the processes of steps S21 to S29 may be appropriately changed. Hereinafter, modified embodiments will be described.

(1)調整機構MDについて
調整機構MDの設置場所は、エッジ露光ユニットEEW内であったが、これに限られない。エッジ露光ユニットEEW以外に設置されている調整機構を変更してもよい。たとえば、エッジ露光ユニットEEW以外の処理ユニット(例えば、液処理ユニット60、65や熱処理ユニットHU)に温度測定用基板WTの向きを変える調整機構が設置されていてもよい。基板処理装置1が基板Wを検査するための検査ユニットを備える場合には、その検査ユニットに設置される調整機構を使用してもよい。検査ユニットとしては、例えば、基板W上の異物の検出、エッジリンス処理の幅の測定、または、塗布膜の膜厚の測定を行う検査ユニットなどが例示される。また、基板処理装置1が基板Wの向きを調整するための調整ユニットを備える場合には、その調整ユニットを使用するように変更してもよい。
(1) Adjustment mechanism MD The adjustment mechanism MD is installed in the edge exposure unit EEW, but is not limited thereto. The adjusting mechanism installed other than the edge exposure unit EEW may be changed. For example, an adjustment mechanism that changes the orientation of the temperature measurement substrate WT may be installed in a processing unit other than the edge exposure unit EEW (for example, the liquid processing units 60 and 65 and the heat treatment unit HU). When the substrate processing apparatus 1 includes an inspection unit for inspecting the substrate W, an adjustment mechanism installed in the inspection unit may be used. Examples of the inspection unit include an inspection unit that detects foreign matter on the substrate W, measures the width of the edge rinse process, or measures the thickness of the coating film. Further, when the substrate processing apparatus 1 includes an adjustment unit for adjusting the orientation of the substrate W, the substrate processing apparatus 1 may be changed to use the adjustment unit.

(2)格納スペースについて
温度測定用基板WTの格納スペースとして、基板処理装置1とは別体のキャリアC内を例示したが、これに限られない。例えば、基板処理装置1内に格納スペースを設置してもよい。これによれば、任意の時間に試験を自動的に実施できる。例えば、通常の生産処理(基板Wに所定の処理が施された製品を製造するための処理)を行っていないときに試験を容易に実施できる。また、定期的に試験を実施することも容易である。また、基板処理装置1内に格納スペースを設置することによって、温度測定用基板WTの準備および撤去も容易に実施できる。よって、試験に伴うユーザーの作業およびユーザーの介入を低減することができる。
(2) About storage space Although the inside of the carrier C separate from the substrate processing apparatus 1 was illustrated as a storage space of the substrate WT for temperature measurement, it is not restricted to this. For example, a storage space may be installed in the substrate processing apparatus 1. According to this, the test can be automatically performed at an arbitrary time. For example, the test can be easily performed when a normal production process (a process for manufacturing a product in which a predetermined process is performed on the substrate W) is not performed. It is also easy to carry out tests periodically. In addition, by installing a storage space in the substrate processing apparatus 1, the temperature measurement substrate WT can be easily prepared and removed. Thus, user work and user intervention associated with the test can be reduced.

(3)第1向き変動量、第2向き変動量の特定について
向き制御部165は、受け渡し位置情報を参照して、第1向き変動量および第2向き変動量を特定したが、これに限られない。たとえば、第1向き変動量の値自体を含む情報を予め準備しておき、向き制御部165がこの情報を参照することによって第1向き変動量を特定してもよい。これによれば、向き制御部165の処理を簡素化することができる。第2向き変動量の特定に関しても、同様に変更してもよい。
(3) Identification of first direction variation and second direction variation The direction control unit 165 identifies the first direction variation and the second direction variation with reference to the delivery position information. I can't. For example, information including the value of the first direction variation amount itself may be prepared in advance, and the direction control unit 165 may specify the first direction variation amount by referring to this information. According to this, the process of the direction control part 165 can be simplified. The specification of the second direction variation amount may be similarly changed.

あるいは、エッジ露光ユニットEEWにおいて調整すべき温度測定用基板WTの向き自体を含む情報を予め準備しておき、向き制御部165がこの情報を参照することによってプレート用調整や格納用調整を行ってもよい。これによれば、向き制御部165の処理をさらに簡素化することができる。   Alternatively, information including the orientation of the temperature measuring substrate WT to be adjusted in the edge exposure unit EEW is prepared in advance, and the orientation control unit 165 refers to this information to perform plate adjustment and storage adjustment. Also good. According to this, the process of the direction control unit 165 can be further simplified.

(4)試験対象の熱処理プレートPLについて
上述した動作例では、熱処理ユニット群51、56に設置されている熱処理プレートPLのみを試験対象としたが、これに限られない。熱処理ユニット群51、52、56、57に設置されている任意の熱処理プレートPLを試験対象とするように変更してもよい。
(4) Regarding the heat treatment plate PL to be tested In the above-described operation example, only the heat treatment plate PL installed in the heat treatment unit groups 51 and 56 is set as the test subject, but the present invention is not limited thereto. You may change so that the arbitrary heat processing plate PL installed in the heat processing unit group 51,52,56,57 may be made into a test object.

(5)上層K1および下層K2の動作について
上述した動作例では、処理部13の上層K1の動作のみを例示し、下層K2の動作については特に説明しなかったが、下層K2を適宜に動作させてもよい。たとえば、上層K1および下層K2の一方において試験連続実施過程を行い、他方において通常の生産処理を実行してもよい。また、上層K1および下層K2の双方において、それぞれ別の温度測定用基板WTを用いた試験連続実施過程を別個独立に実行してもよい。あるいは、上層K1および下層K2の双方において、同じ温度測定用基板WTを用いた1の試験連続実施過程を実行してもよい。
(5) Operation of upper layer K1 and lower layer K2 In the above-described operation example, only the operation of the upper layer K1 of the processing unit 13 is illustrated, and the operation of the lower layer K2 is not particularly described, but the lower layer K2 is appropriately operated. May be. For example, the test continuous execution process may be performed in one of the upper layer K1 and the lower layer K2, and the normal production process may be performed in the other. In addition, in both the upper layer K1 and the lower layer K2, the test continuous execution process using different temperature measurement substrates WT may be performed separately and independently. Alternatively, one continuous test execution process using the same temperature measurement substrate WT may be executed in both the upper layer K1 and the lower layer K2.

(6)試験の数について
上述したステップS2(試験連続実施過程)による搬送方法は、複数の試験を連続的に実施できるが、単一の試験を行う場合にも好適に適用できる。たとえば、試験予定情報に規定される試験の数が単一であっても、ステップS2(試験連続実施過程)による搬送方法を支障なく実行できる。具体的には、プレート用調整(ステップS23)およびプレート搬送過程(ステップS24)を備えているので、熱処理プレートPL上における温度測定用基板WTの向きを好適に管理できる。また、格納用調整(ステップS28)および格納過程(ステップS29)を備えているので、格納スペースにおける温度測定用基板WTの向きを好適に管理できる。
(6) Number of tests The transport method according to step S2 (continuous test execution process) described above can perform a plurality of tests continuously, but can also be suitably applied to a single test. For example, even if the number of tests specified in the test schedule information is single, the transport method according to step S2 (test continuous execution process) can be executed without any trouble. Specifically, since the plate adjustment (step S23) and the plate transport process (step S24) are provided, the orientation of the temperature measurement substrate WT on the heat treatment plate PL can be managed appropriately. Further, since the storage adjustment (step S28) and the storage process (step S29) are provided, the direction of the temperature measurement substrate WT in the storage space can be suitably managed.

[4−3 S3(試験)の詳細な動作例]
図28は、試験の詳細な手順を示すフローチャートである。図29(a)は、熱処理プレートのプレート温度の経時変化を示すグラフであり、図29(b)は、温度測定用基板WTの処理温度(各温度データTDの総合平均値)の経時変化を示すグラフである。
[4-3 Detailed operation example of S3 (test)]
FIG. 28 is a flowchart showing a detailed procedure of the test. FIG. 29A is a graph showing the change over time in the plate temperature of the heat treatment plate, and FIG. 29B shows the change over time in the processing temperature of the temperature measurement substrate WT (total average value of each temperature data TD). It is a graph to show.

<ステップS30> プレート温度の変更(時刻t1〜時刻t2)
熱処理ユニット制御部166は、温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置される前に、熱処理プレートPLのプレート温度を変更する。以下、「1番目」の試験を行う場合を例にとって、詳細に説明する。
<Step S30> Change of plate temperature (time t1 to time t2)
Heat treatment unit controller 166 changes the plate temperature of heat treatment plate PL before temperature measurement substrate WT is placed on heat treatment plate PL. Hereinafter, the case where the “first” test is performed will be described in detail.

熱処理ユニット制御部166は、試験予定情報と試験リスト情報を参照して、「1番目」の試験の対象である熱処理プレートPLと試験温度TWeを特定する。また、熱処理ユニット制御部166は、その熱処理プレートPLに取り付けられている温度センサ111の検出結果に基づいて、プレート温度の変更を開始する時点におけるプレート温度TPiを特定する。以下では、このプレート温度TPiを「初期温度」と呼ぶ。   The heat treatment unit control unit 166 refers to the test schedule information and the test list information, and specifies the heat treatment plate PL and the test temperature TWe that are the targets of the “first” test. Further, the heat treatment unit control unit 166 identifies the plate temperature TPi at the time when the change of the plate temperature is started based on the detection result of the temperature sensor 111 attached to the heat treatment plate PL. Hereinafter, this plate temperature TPi is referred to as “initial temperature”.

続いて、熱処理ユニット制御部166は、試験レシピ情報を参照して、試験温度TWeと初期温度TPiに対応した変更時間を特定する。試験レシピ情報には、熱処理プレートPLごとに変更時間が規定されている。   Subsequently, the heat treatment unit control unit 166 specifies the change time corresponding to the test temperature TWe and the initial temperature TPi with reference to the test recipe information. The test recipe information defines a change time for each heat treatment plate PL.

図30を参照する。図30は、試験レシピ情報を例示する模式図である。図示する試験レシピ情報は、プレート識別情報と、温度変更条件に関する情報と、変更時間等に関する情報とを関連付けたテーブルである。温度変更条件は、初期温度域と試験温度域の組み合わせである。図示の試験レシピ情報では、熱処理プレートPL01に関する温度変更条件は、3つの初期温度域と2つの試験温度域によって6通りに分けられている。各温度変更条件にはそれぞれ、変更時間等が関連付けられている。変更時間等とは、たとえば、変更時間のほかに、待ち時間と測定時間と微調整時間と乖離幅の閾値と測定回数の上限値である。 Refer to FIG. FIG. 30 is a schematic diagram illustrating test recipe information. The illustrated test recipe information is a table in which plate identification information, information on temperature change conditions, and information on change time and the like are associated with each other. The temperature change condition is a combination of the initial temperature range and the test temperature range. In the illustrated test recipe information, the temperature change conditions for the heat treatment plate PL 01 are divided into six types according to three initial temperature ranges and two test temperature ranges. Each temperature change condition is associated with a change time or the like. The change time or the like is, for example, a waiting time, a measurement time, a fine adjustment time, a deviation width threshold, and an upper limit value of the number of measurements in addition to the change time.

変更時間は、プレート温度を変更するのに要する時間である。より詳細には、変更時間は、プレート温度が初期温度TPiから、試験温度TWeに対応する設定温度TPr0に達するまでの時間のみならず、プレート温度が設定温度TPr0で安定するまでの時間を含む。変更時間は、予め実験等によって求められている。   The change time is the time required to change the plate temperature. More specifically, the change time includes not only the time until the plate temperature reaches the set temperature TPr0 corresponding to the test temperature TWe from the initial temperature TPi but also the time until the plate temperature stabilizes at the set temperature TPr0. The change time is obtained in advance by experiments or the like.

熱処理ユニット制御部166は、変更時間を特定すると、ヒータ109を制御して、熱処理プレートPLのプレート温度を変更する。プレート温度の変更を開始した時刻から変更時間が経過すると、本ステップS30の処理(プレート温度の変更)を終了する。このように、熱処理ユニット制御部166は、変更時間によってプレート温度を管理する。   When the change time is specified, the heat treatment unit controller 166 controls the heater 109 to change the plate temperature of the heat treatment plate PL. When the change time elapses from the time when the change of the plate temperature is started, the processing of this step S30 (change of the plate temperature) is ended. Thus, the heat treatment unit controller 166 manages the plate temperature according to the change time.

なお、試験レシピ情報に規定されている変更時間は、プレート性能情報に規定されている変更時間と基本的に同義である。ただし、試験レシピ情報では温度変更条件に応じて複数の変更時間が設定されているので、本ステップS30の処理を効率良く、かつ、確実に行うことができる。   The change time defined in the test recipe information is basically synonymous with the change time defined in the plate performance information. However, since a plurality of change times are set according to the temperature change condition in the test recipe information, the process of step S30 can be performed efficiently and reliably.

このステップS30の処理は、図22に示すステップS21乃至S24の処理が終了する前に開始してもよい。たとえば、ステップS21乃至S24の各処理と並行して実行してもよいし、あるいは、ステップS21乃至S24の処理を行う前に実行してもよい。   The processing in step S30 may be started before the processing in steps S21 to S24 shown in FIG. For example, it may be executed in parallel with the processes of steps S21 to S24, or may be executed before performing the processes of steps S21 to S24.

<ステップS31> 温度測定用基板を熱処理プレートに載置する(時刻t2)
熱処理ユニット制御部166は、昇降ピン105等を制御して、搬送部から温度測定用基板WTを受け取って、熱処理プレートPLに載置する。温度測定用基板WTが載置されると、センサ側アンテナASはユニット側アンテナAUに正対する。
<Step S31> Place the temperature measurement substrate on the heat treatment plate (time t2).
The heat treatment unit control unit 166 controls the lifting pins 105 and the like, receives the temperature measurement substrate WT from the transfer unit, and places the substrate on the heat treatment plate PL. When the temperature measurement substrate WT is placed, the sensor side antenna AS faces the unit side antenna AU.

<ステップS32> 温度測定用基板をなじませる(時刻t2〜時刻t3)
測定を開始することなく、温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置された状態を保つ。温度測定用基板WTが熱処理プレートPLに載置された時刻t2から待ち時間が経過する時刻t3において、本ステップS32の処理を終了する。待ち時間は、試験レシピ情報に規定されている。
<Step S32> Adapt the temperature measurement substrate (time t2 to time t3).
Without starting the measurement, the temperature measurement substrate WT is kept on the heat treatment plate PL. At time t3 when the waiting time elapses from time t2 when the temperature measurement substrate WT is placed on the heat treatment plate PL, the process of step S32 is terminated. The waiting time is defined in the test recipe information.

本ステップS32の処理により、温度測定用基板WTの処理温度が熱処理プレートPLの温度に十分になじみ、温度測定用基板WTの処理温度が十分に安定する。ここで、「十分に安定する」目安としては、例えば、1分間の前後における各処理温度の温度差が0.01度以下になる程度である。このように、待ち時間は、温度測定用基板WTの処理温度を安定させるための時間であり、予め実験等によって求められている。   By the processing in step S32, the processing temperature of the temperature measurement substrate WT is sufficiently adapted to the temperature of the heat treatment plate PL, and the processing temperature of the temperature measurement substrate WT is sufficiently stabilized. Here, as a measure of “sufficiently stable”, for example, the temperature difference between the treatment temperatures before and after 1 minute is about 0.01 degrees or less. Thus, the waiting time is a time for stabilizing the processing temperature of the temperature measurement substrate WT, and is obtained in advance by experiments or the like.

<ステップS33> 測定(時刻t3〜時刻t4)
温度測定用基板WTの処理温度を測定する。より詳しくは、熱処理プレートPLに載置された温度測定用基板WTから得られた検出信号に基づいて温度データTDを生成する。測定は、測定時間にわたって行われる。本ステップS33は、熱処理プレートPLに載置された温度測定用基板WTから得られた検出信号に基づいて温度データTDを生成する。測定を開始した時刻t3から測定時間が経過する時刻t4において、本ステップS33の処理を終了する。測定時間は、試験レシピ情報に規定されている。
<Step S33> Measurement (time t3 to time t4)
The processing temperature of the temperature measurement substrate WT is measured. More specifically, the temperature data TD is generated based on a detection signal obtained from the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL. Measurement takes place over the measurement time. In this step S33, temperature data TD is generated based on the detection signal obtained from the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL. At time t4 when the measurement time elapses from time t3 when measurement is started, the process of step S33 ends. The measurement time is specified in the test recipe information.

具体的には、センサユニットSUが温度を検知し、センサユニットSUの検知結果に応じた検出信号をセンサ側アンテナASに出力する。センサ側アンテナASは、検出信号を無線で送信する。ユニット側アンテナAUは、センサ側アンテナAS(温度測定用基板WT)に接触することなく、送信された検出信号を受信する。受信された検出信号は、有線で温度計測部167に送られる。これにより、温度計測部167は、16個のセンサユニットSUのそれぞれに対応する、互いに独立した複数の検出信号を取得する。   Specifically, the sensor unit SU detects the temperature, and outputs a detection signal corresponding to the detection result of the sensor unit SU to the sensor-side antenna AS. The sensor side antenna AS transmits a detection signal wirelessly. The unit-side antenna AU receives the transmitted detection signal without contacting the sensor-side antenna AS (temperature measurement substrate WT). The received detection signal is sent to the temperature measurement unit 167 by wire. As a result, the temperature measurement unit 167 acquires a plurality of detection signals independent of each other, corresponding to each of the 16 sensor units SU.

本実施例では、ユニット側コイルUCに所定周波数の電流を流して水晶振動子が共振させる動作と、ユニット側コイルUCが検出信号を受信する動作を繰り返し切り替える。   In this embodiment, the operation of causing the crystal resonator to resonate by passing a current of a predetermined frequency through the unit side coil UC and the operation of receiving the detection signal by the unit side coil UC are repeatedly switched.

温度計測部167は、取得した各検出信号に基づいて温度を計算し、16個の温度データTDを生成する。各温度データTDはそれぞれ、1のセンサユニットSUによって検出された結果に基づく。各温度データTDはそれぞれ、1のセンサユニットSUが設置されている基板本体BWの部位における温度を示す。各温度データTDはそれぞれ、時刻t3から時刻t4の測定時間の間に測定された複数の計測値の集合であり、これら計測値が計測時刻の順に並んだ時系列データである。   The temperature measurement unit 167 calculates a temperature based on each acquired detection signal, and generates 16 pieces of temperature data TD. Each temperature data TD is based on the result detected by one sensor unit SU. Each temperature data TD indicates the temperature at the site of the substrate body BW where one sensor unit SU is installed. Each temperature data TD is a set of a plurality of measurement values measured during the measurement time from time t3 to time t4, and is time-series data in which these measurement values are arranged in the order of measurement times.

測定時間としては、温度データTDが測定時間に依存しない程度に長いことが好ましい。あるいは、測定時間としては、温度データTDのばらつきや誤差が十分小さくなる程度に長いことが好ましい。このように、測定時間は、温度測定用基板WTの処理温度を測定するための時間であり、予め実験等によって求められている。   The measurement time is preferably long enough that the temperature data TD does not depend on the measurement time. Alternatively, it is preferable that the measurement time is long enough that variations and errors in the temperature data TD are sufficiently reduced. Thus, the measurement time is a time for measuring the processing temperature of the temperature measurement substrate WT, and is obtained in advance by experiments or the like.

本ステップS33は、本発明における測定過程に相当する。   This step S33 corresponds to the measurement process in the present invention.

<ステップS34> 乖離幅が閾値以上か?
温度計測部167は、各温度データTDの値の総和を温度データTDの個数で除することにより、総合平均値を算出する。なお、温度データTDの値は、例えば、各温度データTDに含まれる計測値の平均値である。さらに、総合平均値と試験温度TWeとの差である乖離幅DFを算出する。
<Step S34> Is the deviation width equal to or greater than a threshold value?
The temperature measurement unit 167 calculates a total average value by dividing the sum of the values of each temperature data TD by the number of the temperature data TD. Note that the value of the temperature data TD is, for example, an average value of measurement values included in each temperature data TD. Further, a deviation width DF that is a difference between the total average value and the test temperature TWe is calculated.

温度計測部167は、試験レシピ情報を参照して乖離幅の閾値を特定し、特定した閾値を、乖離幅DFと比較する。そして、温度計測部167は、乖離幅DFが閾値以上であるか否かを判断する。その結果、閾値以上であると判断した場合には、ステップS35に進む。そうでない場合には、ステップS37に進む。   The temperature measurement unit 167 refers to the test recipe information, identifies a deviation width threshold value, and compares the identified threshold value with the deviation width DF. Then, the temperature measurement unit 167 determines whether or not the deviation width DF is greater than or equal to a threshold value. As a result, if it is determined that the value is equal to or greater than the threshold value, the process proceeds to step S35. Otherwise, the process proceeds to step S37.

<ステップS35> 測定回数が上限値以下か?
測定回数が上限値以下であるか否かを判断する。測定回数の上限値は、試験レシピ情報に規定されている。その結果、上限値以下であると判断した場合には、ステップS36に進む。そうでない場合には、ステップS39に進む。
<Step S35> Is the number of measurements less than the upper limit?
It is determined whether the number of measurements is less than or equal to the upper limit value. The upper limit value of the number of measurements is specified in the test recipe information. As a result, if it is determined that the value is less than or equal to the upper limit value, the process proceeds to step S36. Otherwise, the process proceeds to step S39.

<ステップS36> 微調整(時刻t4〜時刻t5)
温度計測部167は、乖離幅DFに基づいて、オフセット値OSを決定する。オフセット値OSは、設定温度TPr0を補正するための値である。オフセット値OSは、例えば、約2度以下である。熱処理ユニット制御部166は、プレート温度を、設定温度TPr0からオフセット値OSの分だけ変更する微調整を行う。微調整を開始した時刻t4から微調整時間が経過する時刻t5において、本ステップS36の処理(微調整)を終了する。そして、ステップS33に戻る。
<Step S36> Fine adjustment (time t4 to time t5)
The temperature measurement unit 167 determines the offset value OS based on the deviation width DF. The offset value OS is a value for correcting the set temperature TPr0. The offset value OS is, for example, about 2 degrees or less. The heat treatment unit controller 166 performs fine adjustment to change the plate temperature by the offset value OS from the set temperature TPr0. At time t5 when the fine adjustment time elapses from time t4 when the fine adjustment is started, the processing (fine adjustment) in step S36 is ended. Then, the process returns to step S33.

微調整時間は、プレート温度を微調整するのに要する時間である。より詳細には、微調整時間は、プレート温度が微調整前の設定温度TPr0から微調整後の設定温度に達するまでの時間のみならず、プレート温度が微調整後の設定温度で安定するまでの時間を含む。微調整時間は、予め実験等によって求められている。   The fine adjustment time is a time required for fine adjustment of the plate temperature. More specifically, the fine adjustment time is not limited to the time until the plate temperature reaches the set temperature after fine adjustment from the set temperature TPR0 before fine adjustment, but also until the plate temperature stabilizes at the set temperature after fine adjustment. Including time. The fine adjustment time is obtained in advance by experiments or the like.

ちなみに、図29(a)、29(b)では、次のような場合を例示している。1回目の測定(時刻t3〜t4)の結果、乖離幅DF1が閾値より大きかった。このため、オフセット値OS1によって微調整を行った(時刻t4〜t5)。2回目の測定(時刻t5〜t6)の結果、乖離幅DF2が閾値より大きかった。このため、オフセット値OS2によって微調整を行った(時刻t6〜t7)。3回目の測定(時刻t7〜t8)の結果、乖離幅DF3が閾値以下であった。このため、試験を終了した(時刻t8)。   Incidentally, FIGS. 29A and 29B illustrate the following cases. As a result of the first measurement (time t3 to t4), the deviation width DF1 was larger than the threshold value. For this reason, fine adjustment was performed with the offset value OS1 (time t4 to t5). As a result of the second measurement (time t5 to t6), the deviation width DF2 was larger than the threshold value. For this reason, fine adjustment was performed by the offset value OS2 (time t6 to t7). As a result of the third measurement (time t7 to t8), the deviation width DF3 was less than or equal to the threshold value. For this reason, the test was terminated (time t8).

<ステップS37> 微調整をしたか?
温度計測部167は、微調整を少なくとも1回以上実行したか否かを判定する。微調整を実行したと判定した場合は、ステップS38に進む。そうでない場合には、ステップS39に進む。
<Step S37> Has fine adjustment been made?
The temperature measurement unit 167 determines whether or not the fine adjustment has been performed at least once. If it is determined that fine adjustment has been performed, the process proceeds to step S38. Otherwise, the process proceeds to step S39.

<ステップS38> 補正
オフセット値OSに基づいて設定温度TPr0を補正する。この結果、設定温度TPr0から設定温度TPr1に更新される。これにより、設定温度TPr1が試験温度TWeに対応付けられ、その後の熱処理プレートPLの制御に設定温度TPr1が使用される。
<Step S38> Correction The set temperature TPr0 is corrected based on the offset value OS. As a result, the set temperature TPr0 is updated to the set temperature TPr1. Accordingly, the set temperature TPr1 is associated with the test temperature TWe, and the set temperature TPr1 is used for the subsequent control of the heat treatment plate PL.

<ステップS39> 温度測定用基板を搬送部に渡す(時刻t8)
熱処理ユニット制御部166は、昇降ピン105等を制御して、熱処理プレートPLに載置された温度測定用基板WTを搬送部に渡す。これにより、1の試験が終了する。
<Step S39> Transfer the temperature measurement substrate to the transport section (time t8).
The heat treatment unit control unit 166 controls the elevating pins 105 and the like to deliver the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL to the transfer unit. Thereby, one test is completed.

時刻t8の後に、同じ熱処理プレートPLに対して、試験温度TWeの異なる他の試験が予定されている場合には、熱処理プレートPLのプレート温度の変更を開始する。ちなみに、図29(a)では、時刻t8から、他の試験のためにプレート温度を上昇させる様子(すなわち、新たなステップS30を開始する様子)を示している。   When another test with a different test temperature TWe is scheduled for the same heat treatment plate PL after time t8, the change of the plate temperature of the heat treatment plate PL is started. Incidentally, FIG. 29A shows a state in which the plate temperature is increased for another test from time t8 (that is, a state in which a new step S30 is started).

ステップS3(試験)の効果
記憶部93は予め試験レシピ情報を記憶しており、熱処理ユニット制御部166は試験レシピ情報を参照しながら試験を実行するので、試験を適正に実行できる。
Effect of Step S3 (Test) The storage unit 93 stores test recipe information in advance, and the heat treatment unit control unit 166 executes the test while referring to the test recipe information, so that the test can be properly executed.

また、試験レシピ情報が予め設定されているので、ユーザーは熱処理プレートPLと試験温度TWeのみを入出力部95に入力するだけで足り、その他の試験の要領(条件)を入力する手間を省くことができる。よって、試験を簡易にかつ適切に実施できる。   Further, since the test recipe information is set in advance, the user only needs to input the heat treatment plate PL and the test temperature TWe into the input / output unit 95, and saves the trouble of inputting other test procedures (conditions). Can do. Therefore, the test can be performed easily and appropriately.

また、試験レシピ情報は、変更時間、待ち時間、測定時間および微調整時間に関する各情報を含むので、試験を適正に行うことができる。また、これらの情報は、複数の温度変更条件ごとに設定されているので、試験をより適正に行うことができる。   Moreover, since the test recipe information includes each information regarding the change time, the waiting time, the measurement time, and the fine adjustment time, the test can be appropriately performed. Further, since these pieces of information are set for each of a plurality of temperature change conditions, the test can be performed more appropriately.

また、ステップS32の処理を備えているので、温度測定用基板WTの処理温度を安定させることができ、処理温度の測定を適正に行うことができる。   Moreover, since the process of step S32 is provided, the process temperature of the temperature measurement substrate WT can be stabilized, and the process temperature can be appropriately measured.

また、ステップS34の処理を備えているので、処理温度に関する試験を好適に実施できる。本実施例では、特に、温度データTDの総合平均値(すなわち、処理温度の面内平均値)が適正であるかに関する試験を好適に実施できる。   Moreover, since the process of step S34 is provided, the test regarding process temperature can be implemented suitably. In the present embodiment, in particular, a test relating to whether the total average value of the temperature data TD (that is, the in-plane average value of the processing temperature) is appropriate can be suitably performed.

また、試験レシピ情報は、乖離幅の閾値に関する情報を含むので、温度データTDの総合平均値が適正か否かを的確に判定できる。   Moreover, since the test recipe information includes information on the threshold value of the deviation width, it can be accurately determined whether or not the total average value of the temperature data TD is appropriate.

また、ステップS35の処理を備えているので、試験が長時間に及ぶことを回避できる。   Moreover, since the process of step S35 is provided, it can avoid that a test takes a long time.

また、オフセット値OSによって設定温度TPr0を補正するので、熱処理プレートPLの処理品質を自動的に向上させることができる。   Moreover, since the set temperature TPr0 is corrected by the offset value OS, the processing quality of the heat treatment plate PL can be automatically improved.

ステップS3(試験)の変形実施例
上述した試験レシピ情報の構成や、ステップS30〜S39の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。
Modified Example of Step S3 (Test) The configuration of the test recipe information described above and the processes of steps S30 to S39 may be appropriately changed. Hereinafter, modified embodiments will be described.

(1)試験レシピ情報について
試験レシピ情報には、乖離幅の閾値や測定回数の上限値に関する各情報が予め設定されていたが、これに限られない。例えば、これらの情報を含まないように試験レシピ情報を変更してもよい。あるいは、ユーザーが乖離幅の閾値や測定回数の上限値を設定・修正できるように変更してもよい。
(1) About test recipe information Although each information regarding the threshold value of deviation width and the upper limit value of the number of times of measurement has been set in advance in the test recipe information, it is not limited thereto. For example, you may change test recipe information so that these information may not be included. Or you may change so that a user can set and correct the threshold of deviation width, and the upper limit of the number of times of measurement.

(2)ステップS34の処理について
ステップS34の処理では、乖離幅DFが乖離幅の閾値以上か否かを判定したが、これに限られない。たとえば、処理温度の面内均一性を示す指標(以下、「均一性指標」という)が、所定の範囲内にあるか否かを判定してもよい。均一性指標としては、例えば、各温度データTDの標準偏差などの統計量が例示される。これによれば、処理温度の面内均一性が適正であるかについて好適に判定できる。
(2) About the process of step S34 In the process of step S34, it was determined whether or not the deviation width DF is equal to or larger than the threshold value of the deviation width, but is not limited thereto. For example, it may be determined whether or not an index indicating the in-plane uniformity of the processing temperature (hereinafter referred to as “uniformity index”) is within a predetermined range. Examples of the uniformity index include statistics such as standard deviation of each temperature data TD. According to this, it can be suitably determined whether the in-plane uniformity of the processing temperature is appropriate.

この変形例では、均一性指標の閾値または均一性指標の許容範囲に関する情報を含むように試験レシピ情報を変更してもよい。   In this modification, the test recipe information may be changed to include information on the threshold value of the uniformity index or the tolerance range of the uniformity index.

(3)設定温度TPr0の補正について
ステップS37、S38の処理によって、設定温度TPr0を自動的に補正したが、これに限られない。例えば、ユーザーが補正を許可する命令を与えたときだけ、設定温度TPr0を補正するように変更してもよい。あるいは、制御部91(温度計測部167)が設定温度TPr0を自動的に補正する自動補正モードと、ユーザーが設定温度TPr0を手動で補正する手動補正モードとを備えて、これら自動補正モードと手動補正モードとのいずれかに適宜に切り替えるように変更してもよい。
(3) Correction of set temperature TPr0 Although the set temperature TPr0 is automatically corrected by the processes in steps S37 and S38, the present invention is not limited to this. For example, it may be changed so that the set temperature TPr0 is corrected only when the user gives an instruction to permit correction. Alternatively, the control unit 91 (temperature measurement unit 167) includes an automatic correction mode in which the set temperature TPr0 is automatically corrected, and a manual correction mode in which the user manually corrects the set temperature TPr0. You may change so that it may switch to either of correction | amendment modes suitably.

(4)試験レシピ情報について
試験レシピ情報において、温度変更条件は初期温度域と試験温度域の組み合わせであったが、これに限られない。例えば、初期温度域とプレート設定温度域との組み合わせに変更してもよい。
(4) Test recipe information In the test recipe information, the temperature change condition is a combination of the initial temperature range and the test temperature range, but is not limited thereto. For example, you may change into the combination of an initial temperature range and a plate setting temperature range.

(5)温度データTD等について
温度計測部167によって生成された温度データTDを、適宜に記憶部93に記憶させてもよい。また、温度計測部167によって計算された総合平均値や乖離幅DFを、適宜に記憶部93に記憶させてもよい。
(5) Temperature data TD and the like The temperature data TD generated by the temperature measurement unit 167 may be appropriately stored in the storage unit 93. Further, the total average value and the deviation width DF calculated by the temperature measurement unit 167 may be appropriately stored in the storage unit 93.

[4−4 S4(分析)の動作]
図31は、分析の詳細な手順を示すフローチャートである。
上述したとおり、測定(ステップS33)において、温度計測部167は、熱処理プレートPLに載置された温度測定用基板WTによって得られた検出信号に基づいて温度データTDを生成する。生成された温度データTDは温度計測部167から分析処理部169に送られる。
[4-4 Operation of S4 (analysis)]
FIG. 31 is a flowchart showing a detailed procedure of analysis.
As described above, in the measurement (step S33), the temperature measurement unit 167 generates the temperature data TD based on the detection signal obtained by the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL. The generated temperature data TD is sent from the temperature measurement unit 167 to the analysis processing unit 169.

分析処理部169は、この温度データTDに基づいて、現象判定過程と推定過程を行う。現象判定過程は、所定の現象が起きたか否かを判定する。推定過程は、起こっていると判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策を推定する。図31に示すように、現象判定過程は、ステップS401、S402、S411、S421、S431、S432の各処理を含む。推定過程は、ステップS402、S404、S412、S422、S433の各処理を含む。以下、各ステップの処理について説明する。   The analysis processing unit 169 performs a phenomenon determination process and an estimation process based on the temperature data TD. In the phenomenon determination process, it is determined whether or not a predetermined phenomenon has occurred. In the estimation process, the cause of the phenomenon determined to be occurring and a countermeasure for eliminating the cause are estimated. As shown in FIG. 31, the phenomenon determination process includes steps S401, S402, S411, S421, S431, and S432. The estimation process includes steps S402, S404, S412, S422, and S433. Hereinafter, processing of each step will be described.

<ステップS401> 全部欠損?
「全部欠損」は、あるべき温度データTDがないことをいう。本実施例では、各センサユニットSUに対して1の温度データTDが存在するはずである。分析処理部169は、少なくとも1の温度データTDが全部欠損であるか否かを判定する。その結果、全部欠損であると判定した場合、全部欠損の温度データTDが発生したと判定して、ステップS402に進む。そうでない場合には、各センサユニットSUに対して温度データTDが1つずつ存在すると判定して、ステップS403に進む。
<Step S401> Are all missing?
“All missing” means that there is no desired temperature data TD. In this embodiment, one temperature data TD should exist for each sensor unit SU. The analysis processing unit 169 determines whether or not at least one temperature data TD is missing. As a result, when it is determined that all of the temperature data is missing, it is determined that the temperature data TD of all missing is generated, and the process proceeds to step S402. Otherwise, it is determined that there is one temperature data TD for each sensor unit SU, and the process proceeds to step S403.

なお、「全部欠損の温度データTDが発生した」、および、「各センサユニットSUに対して温度データTDが1つずつ存在した」はそれぞれ、本ステップS401によって判定された現象である。現象判定過程に含まれる他のステップS403等においても同様である。   Note that “all missing temperature data TD has occurred” and “one temperature data TD has existed for each sensor unit SU” are the phenomena determined in step S401. The same applies to other steps S403 included in the phenomenon determination process.

<ステップS402> 原因1、対策1
分析処理部169は、分析用情報を参照する。分析用情報は、図示を省略するが、現象、原因、および、対策に関する各情報が関連付けられた情報である。分析用情報は、予め記憶部93に記憶されている。分析処理部169は、「全部欠損の温度データTDが発生した」という現象に関連付けられた原因1および対策1を抽出する。そして、抽出された原因1によってその現象が引き起こされたと分析処理部169が推定し、抽出された対策1によって原因1を解消可能であると分析処理部169が推定する。
<Step S402> Cause 1, Countermeasure 1
The analysis processing unit 169 refers to the analysis information. The analysis information is information associated with each piece of information related to the phenomenon, the cause, and the countermeasure, although not shown. The analysis information is stored in advance in the storage unit 93. The analysis processing unit 169 extracts the cause 1 and the countermeasure 1 associated with the phenomenon that “all missing temperature data TD has occurred”. Then, the analysis processing unit 169 estimates that the phenomenon is caused by the extracted cause 1, and the analysis processing unit 169 estimates that the cause 1 can be eliminated by the extracted countermeasure 1.

以下、原因1と対策1は、具体的には、以下の事項を含む。   Hereinafter, cause 1 and countermeasure 1 specifically include the following matters.

原因1
A.温度測定用基板WTの故障
B.ユニット側アンテナAUの故障
C.温度計測部167の故障
D.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続不良
Cause 1
A. Failure of temperature measurement substrate WT Failure of unit side antenna AU C.I. Failure of temperature measuring unit 167 Connection failure between unit side antenna AU and temperature measurement unit 167

対策1
a.温度測定用基板WTの点検
b.ユニット側アンテナAUの点検
c.温度計測部167の点検
d.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続確認
Countermeasure 1
a. Inspection of temperature measurement substrate WT b. Inspection of unit side antenna AU c. Inspection of temperature measuring unit 167 d. Connection confirmation between unit side antenna AU and temperature measurement unit 167

このように、本明細書では、対策は、ユーザーに推奨したり促す作業や点検、ユーザーに有益なアドバイスやコメント等を含む。   Thus, in the present specification, measures include work and inspections recommended or encouraged by the user, advice and comments useful to the user, and the like.

<ステップS403> 一部欠損?
「一部欠損」は、温度データTDに含まれる計測値の一部が欠けていることをいう。あるいは、「一部欠損」は、温度データTDに含まれる計測値が一定の割合以上欠けていることをいう。分析処理部169は、少なくとも1の温度データTDが一部欠損であるか否かを判定する。一部欠損であると判定した場合、一部欠損の温度データTDが発生したと判定して、ステップS404に進む。そうでない場合には、温度データTDが正常に取得されたと判断して、欠損に関する推定過程を実行しない。
<Step S403> Partial missing?
“Partially missing” means that a part of the measured value included in the temperature data TD is missing. Alternatively, “partially missing” means that measured values included in the temperature data TD are missing at a certain rate or more. The analysis processing unit 169 determines whether or not at least one temperature data TD is partially missing. If it is determined that there is a partial defect, it is determined that the partially defective temperature data TD has been generated, and the process proceeds to step S404. Otherwise, it is determined that the temperature data TD has been acquired normally, and the estimation process regarding the defect is not executed.

<ステップS404> 原因2、対策2
分析処理部169は、現象の原因2と、原因2を解消するための対策2を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。
<Step S404> Cause 2, countermeasure 2
The analysis processing unit 169 estimates the cause 2 of the phenomenon and the countermeasure 2 for eliminating the cause 2. Specifically, the following matters are estimated.

原因2
A.温度測定用基板WTの故障
B.ユニット側アンテナAUの故障
C.温度計測部167の故障
D.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続不良
Cause 2
A. Failure of temperature measurement substrate WT Failure of unit side antenna AU C.I. Failure of temperature measuring unit 167 Connection failure between unit side antenna AU and temperature measurement unit 167

対策2
a.温度測定用基板WTの点検
b.ユニット側アンテナAUの点検
c.温度計測部167の点検
d.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続確認
Measure 2
a. Inspection of temperature measurement substrate WT b. Inspection of unit side antenna AU c. Inspection of temperature measuring unit 167 d. Connection confirmation between unit side antenna AU and temperature measurement unit 167

なお、上述した例では、原因2に含まれる事項は、原因1に含まれる事項と同じであるが、これに限られない。すなわち、原因2と原因1の各内容は異なっていてもよい。対策1、2についても同様である。   In the example described above, the items included in cause 2 are the same as the items included in cause 1, but are not limited thereto. That is, the contents of cause 2 and cause 1 may be different. The same applies to measures 1 and 2.

<ステップS411> 温度データが外れ値であるか?
他の温度データTDに比べて値が大きく異なる温度データTDを外れ値という。外れ値は、「特異点」とも言われる。分析処理部169は、少なくともいずれかの温度データTDが外れ値であるか否かを判定する。この際、有意差検定など各種の検定によって外れ値を検出してもよい。また、全ての温度データTDに対する個々の温度データTDの相対的なばらつきを示す指標(以下、「ばらつき指標」という)を計算し、ばらつき指標が異常な温度データTDを外れ値として抽出してもよい。ばらつき指標としては、例えば、総合平均値と各温度データTDとの差や、各温度データTDの偏差値(T Score)等の統計量が例示される。
<Step S411> Is the temperature data outlier?
Temperature data TD whose value is significantly different from other temperature data TD is referred to as an outlier. Outliers are also referred to as “singularities”. The analysis processing unit 169 determines whether at least one of the temperature data TD is an outlier. At this time, the outlier may be detected by various tests such as a significant difference test. Further, an index indicating the relative variation of the individual temperature data TD with respect to all the temperature data TD (hereinafter referred to as “variation index”) is calculated, and the temperature data TD having an abnormal variation index is extracted as an outlier. Good. Examples of the variation index include a statistic such as a difference between the total average value and each temperature data TD and a deviation value (T Score) of each temperature data TD.

外れ値であると判定した場合には、外れ値である温度データTDが発生したと判定して、ステップS412に進む。そうでない場合には、外れ値である温度データTDが発生しなかったと判定して、外れ値に関する推定過程を実行しない。   If it is determined to be an outlier, it is determined that temperature data TD that is an outlier has occurred, and the process proceeds to step S412. Otherwise, it is determined that the temperature data TD as an outlier has not occurred, and the estimation process for the outlier is not executed.

<ステップS412> 原因3、対策3
分析処理部169は、現象の原因3と、原因3を解消するための対策3を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。
<Step S412> Cause 3 and countermeasure 3
The analysis processing unit 169 estimates the cause 3 of the phenomenon and the countermeasure 3 for eliminating the cause 3. Specifically, the following matters are estimated.

原因3
E1.熱処理プレートPLの汚損
E2.熱処理プレートPLに付着する異物
F1.温度測定用基板WTの汚損
F2.温度測定用基板WTに付着する異物
Cause 3
E1. Fouling of heat treatment plate PL E2. Foreign matter adhering to heat treatment plate PL F1. Fouling of temperature measurement substrate WT F2. Foreign matter adhering to the temperature measurement substrate WT

対策3
e.熱処理プレートPLの清掃
f.温度測定用基板WTの清掃
Measure 3
e. Cleaning of heat treatment plate PL f. Cleaning the temperature measurement substrate WT

図32を参照する。図32(a)は熱処理プレートPL上に付着する異物G1を模式的に示す図であり、図32(b)は温度測定用基板WTの裏面に付着する異物G2を模式的に示す図である。   Refer to FIG. FIG. 32A is a diagram schematically showing the foreign matter G1 adhering to the heat treatment plate PL, and FIG. 32B is a diagram schematically showing the foreign matter G2 adhering to the back surface of the temperature measurement substrate WT. .

図示するように、熱処理プレートPLおよび温度測定用基板WTの少なくともいずれかに異物G1、G2が付着する場合がある。異物G1、G2はいずれも、熱処理プレートPLから温度測定用基板WTへの熱の伝達を妨げるので、異物G1、G2が付着した位置の温度データTDが外れ値となる可能性が高い。   As shown in the figure, foreign substances G1 and G2 may adhere to at least one of the heat treatment plate PL and the temperature measurement substrate WT. Since both the foreign substances G1 and G2 hinder the transfer of heat from the heat treatment plate PL to the temperature measurement substrate WT, the temperature data TD at the position where the foreign substances G1 and G2 adhere is highly likely to be an outlier.

<ステップS421> 異常値?
処理温度の目標値である試験温度TWeに比べて値が大きく異なる温度データTDを異常値と呼ぶ。分析処理部169は、少なくともいずれかの温度データTDが異常値であるか否かを判断する。この際、各温度データTDを所定の閾値と比較することによって異常値を検出してもよい。また、1の温度データTDと試験温度TWeとの差を乖離幅dfとして、各温度データTDに関する乖離幅dfをそれぞれ所定の閾値と比較することによって異常値を検出してもよい。乖離幅dfを、後述する図35(b)に図示する。
<Step S421> Abnormal value?
Temperature data TD that differs greatly from the test temperature TWe, which is the target value of the processing temperature, is called an abnormal value. The analysis processing unit 169 determines whether at least one of the temperature data TD is an abnormal value. At this time, the abnormal value may be detected by comparing each temperature data TD with a predetermined threshold value. Alternatively, an abnormal value may be detected by comparing the difference width df related to each temperature data TD with a predetermined threshold value with the difference between the one temperature data TD and the test temperature TWe as the difference width df. The deviation width df is illustrated in FIG.

異常値であると判定した場合には、異常値である温度データTDが発生したと判定して、ステップS422に進む。そうでない場合には、異常値である温度データTDが発生しなかったと判定して、異常値に関する推定過程を実行しない。   If it is determined to be an abnormal value, it is determined that temperature data TD that is an abnormal value has occurred, and the process proceeds to step S422. Otherwise, it is determined that temperature data TD that is an abnormal value has not occurred, and the estimation process for the abnormal value is not executed.

<ステップS422> 原因4、対策4
分析処理部169は、現象の原因4と、原因を解消するための対策4を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。
<Step S422> Cause 4 and countermeasure 4
The analysis processing unit 169 estimates the cause 4 of the phenomenon and the countermeasure 4 for eliminating the cause. Specifically, the following matters are estimated.

原因4
A.温度測定用基板WTの故障
B.ユニット側アンテナAUの故障
C.温度計測部167の故障
D.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続不良
Cause 4
A. Failure of temperature measurement substrate WT Failure of unit side antenna AU C.I. Failure of temperature measuring unit 167 Connection failure between unit side antenna AU and temperature measurement unit 167

対策4
a.温度測定用基板WTの点検
b.ユニット側アンテナAUの点検
c.温度計測部167の点検
d.ユニット側アンテナAUと温度計測部167の接続
Measure 4
a. Inspection of temperature measurement substrate WT b. Inspection of unit side antenna AU c. Inspection of temperature measuring unit 167 d. Connection between unit side antenna AU and temperature measuring unit 167

<ステップS431> 気流?
分析処理部169は、熱処理プレートPLの上方に気流が強制的に形成されているか否かを判断する。この際、分析処理部169は、気流形成設備情報を参照して、試験(測定)の対象である熱処理プレートPLに関連して設けられる気流形成設備を特定する。
<Step S431> Airflow?
The analysis processing unit 169 determines whether or not an airflow is forcibly formed above the heat treatment plate PL. At this time, the analysis processing unit 169 refers to the airflow forming equipment information and identifies the airflow forming equipment provided in association with the heat treatment plate PL that is the subject of the test (measurement).

気流形成設備情報は、気流形成設備に関する情報が規定されている。気流形成設備情報は、予め記憶部93に記憶されている。   In the airflow forming facility information, information on the airflow forming facility is defined. The airflow forming equipment information is stored in the storage unit 93 in advance.

図33は、気流形成設備情報の一例を示す模式図である。図33に示す気流形成設備情報は、プレート識別情報と、上部排気管121、側部給気ダクト123および側部排気ダクト125に関する各情報とを関連付けたテーブルである。このテーブルでは、各気流形成設備の存否に関する情報が熱処理プレートPLごとに規定されている。   FIG. 33 is a schematic diagram illustrating an example of airflow forming facility information. The airflow forming facility information shown in FIG. 33 is a table in which plate identification information is associated with each piece of information related to the upper exhaust pipe 121, the side air supply duct 123, and the side exhaust duct 125. In this table, information relating to the presence or absence of each airflow forming facility is defined for each heat treatment plate PL.

たとえば、熱処理プレートPLの周囲に上部排気管121が設置されていることが特定された場合、図7(c)に示すように、熱処理プレートPLの上面Fの周縁部近傍から上面Fの中央部上方に向かって上昇する気流が強制的に形成されているとみなすことができる。よって、この場合には、熱処理プレートPLの上方に気流が形成されていると判断する。   For example, when it is specified that the upper exhaust pipe 121 is installed around the heat treatment plate PL, as shown in FIG. 7C, from the vicinity of the peripheral portion of the upper surface F of the heat treatment plate PL to the center portion of the upper surface F. It can be considered that an airflow rising upward is forcibly formed. Therefore, in this case, it is determined that an airflow is formed above the heat treatment plate PL.

また、熱処理プレートPLの周囲に側部給気ダクト123および側部排気ダクト125の少なくともいずれかが設置されていることが特定された場合、図7(a)、(c)に示すように、熱処理プレートPLの上方において一方側から他方側に向かって略水平方向に流れる気流が強制的に形成されているとみなすことができる。よって、この場合にも、熱処理プレートPLの上方に気流が形成されていると判断する。   Further, when it is specified that at least one of the side air supply duct 123 and the side air exhaust duct 125 is installed around the heat treatment plate PL, as shown in FIGS. It can be considered that an airflow flowing in a substantially horizontal direction from one side to the other side is forcibly formed above the heat treatment plate PL. Therefore, also in this case, it is determined that an airflow is formed above the heat treatment plate PL.

なお、図7(a)乃至(c)の場合、熱処理プレートPLの上方に経路の異なる2つの気流が強制的に形成されていると判断される。   7A to 7C, it is determined that two airflows having different paths are forcibly formed above the heat treatment plate PL.

他方、熱処理プレートPLの周囲に気流形成設備が設置されていないことが特定された場合、気流は強制的に形成されないとみなすことができる。よって、この場合には、熱処理プレートPLの上方に気流が形成されていると判断しない。   On the other hand, when it is specified that no airflow forming facility is installed around the heat treatment plate PL, it can be considered that the airflow is not forcibly formed. Therefore, in this case, it is not determined that an airflow is formed above the heat treatment plate PL.

強制的に形成されていると判定した場合には、ステップS432に進む。そうでない場合には、温度分布と気流との間に関連性が無かった(温度分布は気流の影響を受けなかった)と判定して、温度分布と気流との関連性に関する推定過程を実行しない。   If it is determined that it is forcibly formed, the process proceeds to step S432. Otherwise, it is determined that there is no relationship between the temperature distribution and the airflow (the temperature distribution was not affected by the airflow), and the estimation process regarding the relationship between the temperature distribution and the airflow is not performed. .

<ステップS432> 温度分布と気流との関連性?
分析処理部169は、温度分布と気流との間に関連性があるか否かを判定する。温度分布は、温度測定用基板WTの各位置における処理温度の分布であり、温度データTDと測定位置との関係を示す。
<Step S432> Relevance between temperature distribution and airflow?
The analysis processing unit 169 determines whether or not there is a relationship between the temperature distribution and the airflow. The temperature distribution is a distribution of the processing temperature at each position of the temperature measurement substrate WT, and shows the relationship between the temperature data TD and the measurement position.

判定の結果、関連性があると判定した場合には、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定して、ステップS433に進む。そうでない場合には、温度分布と気流との間に関連性が無かったと判断して、温度分布と気流との関連性に関する推定過程を実行しない。   As a result of the determination, if it is determined that there is a relationship, it is determined that there is a relationship between the temperature distribution and the air flow, and the process proceeds to step S433. Otherwise, it is determined that there is no relationship between the temperature distribution and the airflow, and the estimation process regarding the relationship between the temperature distribution and the airflow is not executed.

図34(a)、(b)を参照して、関連性に関する判定を具体的に説明する。図34(a)は熱処理プレートPLに載置される温度測定用基板WTの平面図であり、図34(b)は、x軸方向における温度分布である。   With reference to FIGS. 34 (a) and 34 (b), the determination relating to the relevance will be specifically described. FIG. 34A is a plan view of the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL, and FIG. 34B shows the temperature distribution in the x-axis direction.

図34(a)に示すように、熱処理プレートPLの上方には、側部給気ダクト123から側部排気ダクト125へ向かう気流が形成されている。気流の向きは、平面視でx軸と略平行である。より具体的には、図34(a)において、気流の向きは、左側から右側に向かう方向である。なお、図34(a)には、x軸の右側および左側をそれぞれ、「RIGHT」、「LEFT」によって示す。   As shown in FIG. 34A, an airflow from the side air supply duct 123 toward the side air exhaust duct 125 is formed above the heat treatment plate PL. The direction of the airflow is substantially parallel to the x axis in plan view. More specifically, in FIG. 34A, the direction of the airflow is from the left side to the right side. In FIG. 34A, the right and left sides of the x-axis are indicated by “RIGHT” and “LEFT”, respectively.

他方、図34(b)に示すように、温度データTDはx軸方向に沿って変化している。すなわち、温度勾配はx軸と略平行であり、気流の向きと略一致する。より厳密には、x軸方向の左側から右側に向かって温度データTDは高くなっている。   On the other hand, as shown in FIG. 34B, the temperature data TD changes along the x-axis direction. That is, the temperature gradient is substantially parallel to the x axis and substantially coincides with the direction of the airflow. More precisely, the temperature data TD increases from the left side to the right side in the x-axis direction.

このように、気流の向きと温度勾配の向きを特定し、両者が略一致している場合には、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。   In this way, the direction of the airflow and the direction of the temperature gradient are specified, and when both are substantially the same, it is determined that there is a relationship between the temperature distribution and the airflow.

また、次のような処理によって関連性に関する判定を行ってもよい。すなわち、温度測定用基板WTの表面を、上流側の気流に晒される上流側区域JUと、下流側の気流に晒される下流側区域JDに区画する。図34(a)では、温度測定用基板WTの左側部分が上流側区域JUに相当し、温度測定用基板WTの右側部分が下流側区域JDに相当する。   Moreover, you may perform the determination regarding relevance by the following processes. That is, the surface of the temperature measurement substrate WT is divided into an upstream section JU exposed to the upstream air stream and a downstream section JD exposed to the downstream air stream. In FIG. 34A, the left portion of the temperature measurement substrate WT corresponds to the upstream area JU, and the right portion of the temperature measurement substrate WT corresponds to the downstream area JD.

他方、図34(b)に示すように、上流側区域JUの温度データTDは、下流側区域JDの温度データTDに比べて低い。   On the other hand, as shown in FIG. 34 (b), the temperature data TD in the upstream zone JU is lower than the temperature data TD in the downstream zone JD.

このように、温度測定用基板WTを、上流側区域JUと下流側区域JDに区画した場合に、上流側区域JUの温度データTDが下流側区域JDの温度データTDに比べて低いときには、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。   Thus, when the temperature measurement substrate WT is divided into the upstream area JU and the downstream area JD, the temperature data TD of the upstream area JU is lower than the temperature data TD of the downstream area JD. It is determined that there is a relationship between distribution and airflow.

あるいは、次のような処理によって関連性に関する判定を行ってもよい。すなわち、温度測定用基板WTを、上流側区域JUと下流側区域JDに区画する。ここで、1の温度データTDと、処理温度の目標値である試験温度TWeの差を乖離幅dfとすると、図34(b)に示すように、上流側区域JUにおける乖離幅dfは、下流側区域JDにおける乖離幅dfよりも総じて大きい。   Or you may perform the determination regarding a relationship by the following processes. That is, the temperature measurement substrate WT is divided into an upstream area JU and a downstream area JD. Here, assuming that the difference between the temperature data TD of 1 and the test temperature TWe, which is the target value of the processing temperature, is the deviation width df, as shown in FIG. 34 (b), the deviation width df in the upstream section JU is downstream. It is generally larger than the deviation width df in the side area JD.

このように、温度測定用基板WTを、上流側区域JUと下流側区域JDに区画した場合に、上流側区域JUにおける乖離幅dfが、下流側区域JDにおける乖離幅dfに比べて大きいときには、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。   Thus, when the temperature measurement substrate WT is divided into the upstream area JU and the downstream area JD, when the deviation width df in the upstream area JU is larger than the deviation width df in the downstream area JD, It is determined that there is a relationship between the temperature distribution and the airflow.

上述した判定は、複数の気流が形成されている場合には、気流ごとに行われる。ちなみに、上部排気管121によって形成される気流の場合、気流の向きは、熱処理プレートPLの上面F(温度測定用基板WTの表面)の周縁部から中央部に向かう方向となる。このため、上流側区域JUは温度測定用基板WTの表面の周縁部(環形状)となり、下流側区域JDは温度測定用基板WTの表面の中央部(円形状)となる(図35(a)参照)。   The above-described determination is performed for each airflow when a plurality of airflows are formed. Incidentally, in the case of the air flow formed by the upper exhaust pipe 121, the direction of the air flow is a direction from the peripheral edge of the upper surface F of the heat treatment plate PL (the surface of the temperature measurement substrate WT) toward the center. For this reason, the upstream section JU becomes a peripheral portion (ring shape) of the surface of the temperature measurement substrate WT, and the downstream section JD becomes a center portion (circular shape) of the surface of the temperature measurement substrate WT (FIG. 35A). )reference).

<ステップS433> 原因5、対策5
分析処理部169は、現象の原因5と、原因を解消するための対策5を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。
<Step S433> Cause 5 and countermeasure 5
The analysis processing unit 169 estimates the cause 5 of the phenomenon and the countermeasure 5 for eliminating the cause. Specifically, the following matters are estimated.

予測される原因5
G1.上部排気管121の故障
G2.上部排気管121の流量異常
H1.側部給気ダクト123の故障
H2.側部給気ダクト123の流量異常
I1.側部排気ダクト125の故障
I2.側部排気ダクト125の流量異常
Possible cause 5
G1. Failure of upper exhaust pipe 121 G2. Abnormal flow rate in upper exhaust pipe 121 H1. Failure of side air supply duct 123 H2. Abnormal flow rate in side air supply duct 123 I1. Failure of side exhaust duct 125 I2. Abnormal flow rate in side exhaust duct 125

復旧のための対策5
g1.上部排気管121の点検
g2.上部排気管121の流量確認
h1.側部給気ダクト123の点検
h2.側部給気ダクト123の流量確認
j1.側部排気ダクト125の点検
j2.側部排気ダクト125の流量確認
Measure 5 for recovery
g1. Inspection of upper exhaust pipe 121 g2. Confirmation of flow rate of upper exhaust pipe 121 h1. Inspection of side air supply duct 123 h2. Confirmation of flow rate of side air supply duct 123 j1. Inspection of side exhaust duct 125 j2. Check the flow rate of the side exhaust duct 125

なお、g2、h2、j2については、「気流監視設備による流量確認」や「気流調節設備による流量確認、流量変更」を適宜に含んでもよい。具体的には、g2については、圧力計122による流量確認を適宜に含んでもよい。また、j2については、排気用ダンパー126による流量確認や流量変更を含んでもよい。   Note that g2, h2, and j2 may appropriately include “flow rate confirmation by the airflow monitoring facility” and “flow rate confirmation and flow rate change by the airflow adjustment facility” as appropriate. Specifically, for g2, the flow rate confirmation by the pressure gauge 122 may be included as appropriate. Further, j2 may include a flow rate confirmation and a flow rate change by the exhaust damper 126.

上述したステップS401〜、S411〜、S421〜、S431〜の各処理を、同じ測定結果に対して並列的に行う。すなわち、1の測定結果を異なる観点から分析する。その結果、1の測定結果に対して、多角的な分析結果が得られる。   Each process of step S401-, S411-, S421-, S431 mentioned above is performed in parallel with respect to the same measurement result. That is, one measurement result is analyzed from different viewpoints. As a result, multiple analysis results are obtained for one measurement result.

図35(a)、(b)を参照する。図35(a)は、熱処理プレートPLに載置される温度測定用基板WTの平面図であり、図35(b)は、x軸方向における温度データTDの温度分布である。   Reference is made to FIGS. 35 (a) and 35 (b). FIG. 35A is a plan view of the temperature measurement substrate WT placed on the heat treatment plate PL, and FIG. 35B shows the temperature distribution of the temperature data TD in the x-axis direction.

図35(b)に示す1の温度データTDkが、外れ値、および、異常値の双方であると判定される場合がある(ステップS411、S421)。この場合、原因3、4の双方が推定され、対策3、4の双方が推定される。さらに、図35(b)に図示する温度分布と上部排気管121によって形成される気流との間に関連性があると判定される場合がある(ステップS432)。この場合、原因3、4等と併せて原因5と対策5が推定される。   There is a case where it is determined that the one temperature data TDk shown in FIG. 35B is both an outlier and an abnormal value (steps S411 and S421). In this case, both causes 3 and 4 are estimated, and both measures 3 and 4 are estimated. Furthermore, it may be determined that there is a relationship between the temperature distribution illustrated in FIG. 35B and the air flow formed by the upper exhaust pipe 121 (step S432). In this case, cause 5 and countermeasure 5 are estimated together with causes 3 and 4.

ステップS431の処理は、本発明における気流判定過程に相当する。ステップS432の処理は、本発明における関連性判定過程に相当する。   The process of step S431 corresponds to the airflow determination process in the present invention. The process of step S432 corresponds to the relevance determination process in the present invention.

[4−5 S5(出力)の動作]
引き続き、出力(ステップS5)の動作を説明する。
[4-5 Operation of S5 (output)]
Next, the output (step S5) operation will be described.

図11を参照する。入出力部95は、ステップS3における試験の結果を出力する。例えば、温度データTDの総合平均値や、総合平均値と試験温度TWeとの乖離幅DF等を表示する。また、入出力部95は、温度測定用基板WTの現在の温度データTDや、オフセット値OSなどを表示してもよい。表示態様としては、グラフ、数字、文字等などが適宜に採用される。   Please refer to FIG. The input / output unit 95 outputs the result of the test in step S3. For example, the total average value of the temperature data TD, the deviation width DF between the total average value and the test temperature TWe, and the like are displayed. The input / output unit 95 may display current temperature data TD of the temperature measurement substrate WT, an offset value OS, and the like. As the display mode, graphs, numbers, characters, and the like are appropriately adopted.

また、入出力部95は、ステップS2における試験連続実施過程の進行状況を出力する。たとえば、温度測定用基板WTの現在の位置や現在の測定回数等を表示する。   Further, the input / output unit 95 outputs the progress status of the continuous test execution process in step S2. For example, the current position of the temperature measurement substrate WT, the current number of measurements, and the like are displayed.

また、入出力部95は、ステップS4における分析の結果を出力する。具体的には、現象判定過程によって起こったと判定された現象を表示する。また、推定過程によって推定された原因および対策を表示する。   The input / output unit 95 outputs the analysis result in step S4. Specifically, a phenomenon determined to have occurred in the phenomenon determination process is displayed. Also, the cause and countermeasure estimated by the estimation process are displayed.

ステップS4(分析)とステップS5(出力)の効果
ステップS4の分析は、現象判定過程と推定過程とを備えているので、起きた現象を判定するのみならず、その現象について原因と対策を的確に予測できる。
Effects of Step S4 (Analysis) and Step S5 (Output) Since the analysis of Step S4 includes a phenomenon determination process and an estimation process, not only the phenomenon that has occurred is determined, but also the cause and countermeasures for the phenomenon are accurately identified. Can be predicted.

推定過程では分析用情報を参照するので、推定過程の処理を好適に実行できる。   Since the information for analysis is referred to in the estimation process, the process of the estimation process can be suitably executed.

ステップS4はステップS401乃至S404の処理を備えているので、欠損した温度データTDの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策が潜む設備(すなわち、原因および対策の所在)は、温度測定用基板WT、温度計測部167、および、ユニット側アンテナAUを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。   Since step S4 includes the processing of steps S401 to S404, the cause and countermeasure can be accurately estimated for the phenomenon of occurrence of the missing temperature data TD. In addition, since the equipment where the cause and the countermeasure are hidden (that is, the location of the cause and the countermeasure) includes the temperature measurement substrate WT, the temperature measurement unit 167, and the unit side antenna AU, it can be estimated extensively and comprehensively. Therefore, accurate advice and treatment can be conveyed to the user.

ステップS4はステップS411、S412の処理を備えているので、外れ値である温度データTDの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、温度測定用基板WT、および、熱処理プレートPLを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。   Since step S4 includes the processing of steps S411 and S412, the cause and countermeasure can be accurately estimated for the phenomenon of occurrence of temperature data TD as an outlier. Further, the location of the cause and the countermeasure can be estimated extensively and comprehensively because the location includes the temperature measurement substrate WT and the heat treatment plate PL. Therefore, accurate advice and treatment can be conveyed to the user.

ステップS4はステップS421、S422の処理を備えているので、異常値である温度データTDの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、温度測定用基板WT、温度計測部167、および、ユニット側アンテナAUを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。   Since step S4 includes the processes of steps S421 and S422, the cause and countermeasure can be accurately estimated for the phenomenon of occurrence of abnormal temperature data TD. In addition, the location of the cause and countermeasure includes the temperature measurement substrate WT, the temperature measurement unit 167, and the unit side antenna AU, so that it can be estimated extensively and comprehensively. Therefore, accurate advice and treatment can be conveyed to the user.

ステップS4はステップS431乃至S433の処理を備えているので、温度分布と気流との間に関連性が有った(温度分布が気流の影響を受けた)という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、気流形成設備、気流監視設備および気流調節設備を含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。   Since step S4 includes the processing of steps S431 to S433, the cause and countermeasure are accurately estimated for the phenomenon that there is a relationship between the temperature distribution and the airflow (the temperature distribution is affected by the airflow). it can. In addition, the location of the cause and countermeasure can be estimated extensively and comprehensively because it includes an airflow formation facility, an airflow monitoring facility, and an airflow adjustment facility. Therefore, accurate advice and treatment can be conveyed to the user.

気流判定過程では、気流形成設備情報を参照するので、気流が強制的に形成されているか否かを熱処理プレートPLごとに好適に判定できる。   In the air flow determination process, since the air flow forming facility information is referred to, it can be suitably determined for each heat treatment plate PL whether or not the air flow is forcibly formed.

入出力部95は、現象判定過程による判定結果に関する情報を出力するので、ユーザーは基板処理装置1の状態を適時に認識できる。また、入出力部95は、推定過程による推定結果に関する情報を出力するので、ユーザーは、速やかに適切な処置を採ることができる。これにより、ユーザーの初動を迅速化させ、時間的損失を低減でき、基板処理装置1の稼働率の低下を抑制できる。   Since the input / output unit 95 outputs information related to the determination result of the phenomenon determination process, the user can recognize the state of the substrate processing apparatus 1 in a timely manner. Further, since the input / output unit 95 outputs information related to the estimation result of the estimation process, the user can take appropriate measures promptly. Thereby, a user's initial action can be speeded up, a time loss can be reduced, and the fall of the operation rate of the substrate processing apparatus 1 can be suppressed.

また、入出力部95は、ステップS3における試験の結果を出力するので、ユーザーは試験の結果を適切に認識できる。   Further, since the input / output unit 95 outputs the test result in step S3, the user can appropriately recognize the test result.

さらに、入出力部95は、ステップS2における試験連続実施過程の進行状況をリアルタイムに表示するので、ユーザーは、試験の進行状況を適切に認識できる。   Furthermore, since the input / output unit 95 displays the progress of the continuous test execution process in step S2 in real time, the user can appropriately recognize the progress of the test.

ステップS4(分析)の変形実施例
上述したステップS401〜S433の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。
Modified Example of Step S4 (Analysis) Each process of Steps S401 to S433 described above may be appropriately changed. Hereinafter, modified embodiments will be described.

(1)現象判定過程について
現象判定過程が判定する現象として、4つの現象(欠損、外れ値、異常値、温度分布と気流との関連性)を例示したが、これに限られない。たとえば、4つの現象のうち、少なくともいずれかの現象を判定するように変更してもよい。また、これら4つの現象以外の現象を判定するように変更してもよい。
(1) Phenomenon determination process Four phenomena (defects, outliers, abnormal values, relationship between temperature distribution and airflow) are illustrated as phenomena determined by the phenomenon determination process, but are not limited thereto. For example, a change may be made to determine at least one of the four phenomena. Moreover, you may change so that phenomena other than these four phenomena may be determined.

(2)推定過程および分析用情報について
推定過程は、原因と対策の双方を推定したが、これに限られない。原因と対策のいずれか一方を推定するように変更してもよい。また、分析用情報は、現象、原因、および、対策に関する各情報が関連付けられた情報であったが、これに限られない。例えば、原因および対策の少なくともいずれかに関する情報と、現像に関する情報と、を関連付けた分析用情報に変更してもよい。
(2) About estimation process and information for analysis The estimation process estimated both the cause and the countermeasure, but is not limited to this. A change may be made to estimate either the cause or the countermeasure. Further, the analysis information is information in which each information regarding the phenomenon, the cause, and the countermeasure is associated, but is not limited thereto. For example, information relating to at least one of a cause and a countermeasure and information relating to development may be changed to analysis information associated with each other.

(3)推定過程について
ステップS402の処理では、原因1としてA乃至Dの全部の事項を推定したが、これに限られない。たとえば、A乃至Dの一部を原因1として推定するように変更してもよい。他のステップS404、S412、S422、S433も同様である。
(3) About the estimation process In the process of step S402, all items A to D are estimated as the cause 1, but the present invention is not limited to this. For example, you may change so that a part of A thru | or D may be estimated as the cause 1. FIG. The same applies to the other steps S404, S412, S422, and S433.

(4)推定過程について
ステップS402の処理では、対策1としてa乃至dの全部の事項を推定したが、これに限られない。たとえば、a乃至dの一部を対策1として推定するように変更してもよい。他のステップS404、S412、S422、S433も同様である。
(4) About the estimation process In the process of step S402, all items a to d are estimated as the countermeasure 1, but the present invention is not limited to this. For example, you may change so that a part of a thru | or d may be estimated as the countermeasure 1. FIG. The same applies to the other steps S404, S412, S422, and S433.

(5)分析の対象
ステップS4の分析は、測定(ステップS33)によって得られた温度データTDの全部を対象としたが、これに限られない。例えば、測定(ステップS33)によって得られた温度データTDの一部を対象とするように変更してもよい。
(5) Object of analysis Although the analysis of step S4 was made for all the temperature data TD obtained by the measurement (step S33), it is not limited to this. For example, the temperature data TD obtained by the measurement (step S33) may be changed to be a target.

例えば、次のようにステップS4(分析)を変更してもよい。すなわち、ステップS4(分析)は、さらに、温度データTDが所定の基準を満たしているか否かを判定する合否判定過程を備え、基準を満たしていないと合否判定過程が判定した場合のみ、現象判定過程と推定過程を行ってもよい。ここで、所定の基準としては、例えば、総合平均値と試験温度TWeの乖離幅DFが、閾値以下であること等が例示される。閾値としては、試験レシピ情報に規定されている乖離幅の閾値を用いてもよい。これによれば、分析処理部169の処理量を抑制しつつ、速やかに対処する必要がある現象について効率良く分析できる。   For example, step S4 (analysis) may be changed as follows. That is, step S4 (analysis) further includes a pass / fail determination process for determining whether or not the temperature data TD satisfies a predetermined standard, and the phenomenon determination is performed only when the pass / fail determination process determines that the standard is not satisfied. Process and estimation process may be performed. Here, as the predetermined reference, for example, the deviation width DF between the total average value and the test temperature TWe is equal to or less than a threshold value. As the threshold value, a threshold value of the deviation width defined in the test recipe information may be used. According to this, it is possible to efficiently analyze a phenomenon that needs to be promptly dealt with while suppressing the processing amount of the analysis processing unit 169.

(6)現象判定過程について
現象判定過程における処理は、熱処理プレートPLの種類等によって変わらなかったが、これに限られない。すなわち、熱処理プレートPLによる処理温度によって、熱処理プレートPLと熱処理プレートPLの周囲の気体との間で熱が移動する方向が変わる場合には、熱処理プレートPLの処理温度に応じて現象判定過程における処理を変更してもよい。
(6) Phenomenon determination process The processing in the phenomenon determination process does not change depending on the type of the heat treatment plate PL, but is not limited thereto. That is, when the direction of heat transfer between the heat treatment plate PL and the gas around the heat treatment plate PL changes depending on the treatment temperature of the heat treatment plate PL, the process in the phenomenon determination process according to the treatment temperature of the heat treatment plate PL May be changed.

例えば、熱処理プレートPLが加熱冷却ユニットPHPまたは露光後加熱処理ユニットPEBに設置されている場合(前者)と、熱処理プレートPLが冷却ユニットCPに設置されている場合(後者)とで、ステップS411、ステップS421、ステップS432の処理を変更してもよい。   For example, in the case where the heat treatment plate PL is installed in the heating / cooling unit PHP or the post-exposure heat treatment unit PEB (the former) and in the case where the heat treatment plate PL is installed in the cooling unit CP (the latter), step S411, You may change the process of step S421 and step S432.

具体的には、ステップS411の処理に関して、前者の場合には、外れ値である温度データTDが他の温度データTDに比べて低いときにのみ、外れ値である温度データTDが発生したと判定してもよい。後者の場合には、外れ値である温度データTDが他の温度データTDに比べて高いときにのみ、外れ値である温度データTDが発生したと判定してもよい。   Specifically, regarding the process of step S411, in the former case, it is determined that the temperature data TD that is an outlier has occurred only when the temperature data TD that is an outlier is lower than the other temperature data TD. May be. In the latter case, it may be determined that the temperature data TD that is an outlier has occurred only when the temperature data TD that is an outlier is higher than the other temperature data TD.

また、ステップS421の処理に関して、前者の場合には、異常値である温度データTDが試験温度TWeに比べて低いときにのみ、異常値である温度データTDが発生したと判定してもよい。後者の場合には、異常値である温度データTDが試験温度TWeに比べて高いときにのみ、異常値である温度データTDが発生したと判定してもよい。   Regarding the process of step S421, in the former case, it may be determined that the temperature data TD that is an abnormal value has occurred only when the temperature data TD that is an abnormal value is lower than the test temperature TWe. In the latter case, it may be determined that the abnormal temperature data TD has occurred only when the abnormal temperature data TD is higher than the test temperature TWe.

また、ステップS432の処理に関して、前者の場合には、上流側から下流側へ向かう気流の向きと、温度データTDが低い測定位置から温度データTDが高い測定位置に向かう温度勾配の向きが略一致しているときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。後者の場合には、上流側から下流側へ向かう気流の向きと、温度データTDが高い測定位置から温度データTDが低い測定位置に向かう温度勾配の向きが略一致しているときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。   Regarding the process of step S432, in the former case, the direction of the air flow from the upstream side to the downstream side and the direction of the temperature gradient from the measurement position where the temperature data TD is low to the measurement position where the temperature data TD is high are substantially the same. It may be determined that there is a relationship between the temperature distribution and the airflow only when it is done. In the latter case, only when the direction of the air flow from the upstream side to the downstream side and the direction of the temperature gradient from the measurement position where the temperature data TD is high to the measurement position where the temperature data TD is low substantially coincide with each other, the temperature It may be determined that there is a relationship between the distribution and the airflow.

あるいは、ステップS421の処理に関して、前者の場合には、上流側区域JUの温度データTDが下流側区域JDの温度データTDに比べて高いときにときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。後者の場合には、上流側区域JUの温度データTDが下流側区域JDの温度データTDに比べて低いときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。   Alternatively, with respect to the processing of step S421, in the former case, the relationship between the temperature distribution and the airflow is related only when the temperature data TD of the upstream section JU is higher than the temperature data TD of the downstream section JD. It may be determined that there was sex. In the latter case, it may be determined that there is a relationship between the temperature distribution and the airflow only when the temperature data TD of the upstream section JU is lower than the temperature data TD of the downstream section JD. .

(7)現象判定過程について
現象判定過程における処理は、ステップS33の試験において定められていた試験温度TWeによって変わらなかったが、これに限られない。試験温度TWeによって、熱処理プレートPLと熱処理プレートPLの周囲の気体との間で熱が移動する方向が変わる場合には、試験温度TWeに応じて現象判定過程における処理を変更してもよい。
(7) Phenomenon determination process The process in the phenomenon determination process does not change depending on the test temperature TWe determined in the test of step S33, but is not limited thereto. When the direction in which heat moves between the heat treatment plate PL and the gas around the heat treatment plate PL changes depending on the test temperature TWe, the process in the phenomenon determination process may be changed according to the test temperature TWe.

例えば、試験温度TWeが熱処理プレートPLの周囲の雰囲気温度に比べて高い場合(前者)と、試験温度TWeが熱処理プレートPLの周囲の雰囲気温度に比べて低い場合(後者)とで、ステップS411、ステップS421、ステップS432の処理を変更してもよい。具体的には、上記(5)の変形実施例と同様に変更することができる。   For example, in a case where the test temperature TWe is higher than the ambient temperature around the heat treatment plate PL (the former) and a case where the test temperature TWe is lower than the ambient temperature around the heat treatment plate PL (the latter), step S411, You may change the process of step S421 and step S432. Specifically, it can be changed in the same manner as the modified embodiment (5).

(8)試験の数について
上述したステップS4(分析)は、複数の試験結果(測定結果)を分析できるが、単一の試験結果(測定結果)を分析する場合にも好適に適用できる。たとえば、試験予定情報に規定される試験の数が単一であっても、ステップS4(分析)を支障なく実行できる。また、ステップ5(出力)も、同様である。
(8) Number of tests The above-described step S4 (analysis) can analyze a plurality of test results (measurement results), but can also be suitably applied to the case of analyzing a single test result (measurement result). For example, even if the number of tests specified in the test schedule information is single, step S4 (analysis) can be executed without any trouble. The same applies to step 5 (output).

(9)温度分布について
関連性判定過程(ステップS432)において、1次元の温度分布を例示したが、これに限られない。2次元の温度分布に変更してもよい。
(9) About temperature distribution Although the one-dimensional temperature distribution was illustrated in the relevance determination process (step S432), it is not limited to this. It may be changed to a two-dimensional temperature distribution.

(10)気流形成設備、気流監視設備および気流調節設備について
気流形成設備として、上部排気管121、側部給気ダクト123および側部排気ダクト125等を例示したが、これに限られない。チャンバー117内に気体を供給する適宜な設備や、チャンバー117から気体を排出する適宜な設備に変更してもよい。また、チャンバー117内の気体を攪拌する設備に変更してもよい。
(10) Airflow forming facility, airflow monitoring facility, and airflow adjusting facility As the airflow forming facility, the upper exhaust pipe 121, the side air supply duct 123, the side exhaust duct 125, and the like are illustrated, but the present invention is not limited thereto. You may change into the appropriate installation which supplies gas in the chamber 117, and the appropriate installation which discharges | emits gas from the chamber 117. Moreover, you may change into the installation which stirs the gas in the chamber 117. FIG.

気流監視設備として、圧力計122を例示したが、これに限られない。流量計や流速計など適宜な機器に変更してもよい。また、気流調節設備として、排気用ダンパー126を例示したが、これに限られない。開閉弁や流量調節弁など適宜な機器に変更してもよい。   Although the pressure gauge 122 was illustrated as an airflow monitoring equipment, it is not restricted to this. You may change into suitable apparatuses, such as a flowmeter and a flowmeter. Moreover, although the exhaust damper 126 was illustrated as an airflow control installation, it is not restricted to this. You may change into appropriate apparatuses, such as an on-off valve and a flow control valve.

[5. 基板処理装置1の変形実施例]
(1)上述した実施例では、基板処理装置1は、温度計測部167、分析処理部169、入出力部95等を備えていたが、これに限られない。温度計測部167、分析処理部169、入出力部95等が、基板処理装置1の外部に設置されていてもよい。
[5. Modified Embodiment of Substrate Processing Apparatus 1]
(1) In the above-described embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes the temperature measuring unit 167, the analysis processing unit 169, the input / output unit 95, and the like, but is not limited thereto. The temperature measurement unit 167, the analysis processing unit 169, the input / output unit 95, and the like may be installed outside the substrate processing apparatus 1.

図36を参照する。図36は、変形実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。図示するように、基板処理システムは、基板処理装置1と分析装置171と計測装置181を備えている。分析装置171および計測装置181はそれぞれ、基板処理装置1に電気的に接続されている。   Refer to FIG. FIG. 36 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a modified embodiment. In addition, about the same structure as an Example, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol. As illustrated, the substrate processing system includes a substrate processing apparatus 1, an analysis apparatus 171, and a measurement apparatus 181. The analysis device 171 and the measurement device 181 are each electrically connected to the substrate processing apparatus 1.

分析装置171は、順番設定部161と分析処理部169と入出力部173と記憶部175を備えている。入出力部173は、ユーザーからの命令を受け付けるとともに、分析結果を表示する。記憶部175は、試験リスト情報、プレート性能情報、気流形成設備情報等を記憶する。順番設定部161は、入出力部173に入力された命令や記憶部175に記憶されている情報を参照して、試験予定情報を作成する。また、分析処理部169は、記憶部175に記憶されている情報を参照して、基板処理装置1から受信した試験結果(測定結果)を分析する。分析装置171は、例えば、パーソナルコンピュータ等によって実現される。   The analysis device 171 includes an order setting unit 161, an analysis processing unit 169, an input / output unit 173, and a storage unit 175. The input / output unit 173 receives an instruction from the user and displays an analysis result. The storage unit 175 stores test list information, plate performance information, airflow forming facility information, and the like. The order setting unit 161 creates test schedule information with reference to a command input to the input / output unit 173 and information stored in the storage unit 175. Further, the analysis processing unit 169 analyzes the test result (measurement result) received from the substrate processing apparatus 1 with reference to the information stored in the storage unit 175. The analysis device 171 is realized by, for example, a personal computer.

基板処理装置1は、分析装置171から受信した試験予定情報に沿って試験を実施する。そして、ユニット側アンテナAUが受信した検出信号を計測装置181に送信する。   The substrate processing apparatus 1 performs a test according to the test schedule information received from the analysis apparatus 171. Then, the detection signal received by the unit side antenna AU is transmitted to the measuring device 181.

計測装置181は、温度計測部167と記憶部183を備えている。記憶部183は、試験レシピ情報、試験予定情報等を記憶している。温度計測部167は、試験レシピ情報等を参照して、基板処理装置1から受信した検出信号に基づいて温度データTDを生成する。そして、計測装置181は、生成した温度データTDを基板処理装置1に送信する。   The measurement device 181 includes a temperature measurement unit 167 and a storage unit 183. The storage unit 183 stores test recipe information, test schedule information, and the like. The temperature measuring unit 167 generates temperature data TD based on the detection signal received from the substrate processing apparatus 1 with reference to the test recipe information and the like. Then, the measuring device 181 transmits the generated temperature data TD to the substrate processing apparatus 1.

このような基板処理システムによっても、上述したステップS1乃至S4における処理を好適に実行できる。   Also with such a substrate processing system, the processing in steps S1 to S4 described above can be suitably executed.

なお、分析装置171は、本発明における分析装置に相当するのみならず、本発明における試験予定作成装置に相当する。   The analyzer 171 corresponds not only to the analyzer in the present invention but also to the test schedule creation device in the present invention.

(2)上述した実施例では、入力機能と出力機能を兼ね備えた入出力部95を例示したが、これに限られない。たとえば、入力機能のみを有する入力部と、入力部とは別体に構成され、出力機能のみを有する出力部に変更してもよい。   (2) In the above-described embodiment, the input / output unit 95 having both the input function and the output function is illustrated, but the present invention is not limited to this. For example, the input unit having only the input function and the input unit may be configured separately from each other and changed to an output unit having only the output function.

(3)上述した実施例では、上層K1には、2基の搬送機構TB1c、TB1dが設置されていたが、これに限られない。例えば、上層K1における搬送機構の台数を1基に変更してもよいし、3基以上に変更してもよい。下層K2についても、同様に変更してもよい。また、上述した実施例では、処理部13は、第1処理ブロック14と第2処理ブロック15とによって構成されていんたが、これに限られない。例えば、1つの処理ブロックによって処理部13を構成してもよい。あるいは、3以上の処理ブロックによって処理部13を構成してもよい。   (3) In the above-described embodiment, the two transport mechanisms TB1c and TB1d are installed in the upper layer K1, but the present invention is not limited to this. For example, the number of transport mechanisms in the upper layer K1 may be changed to one, or may be changed to three or more. The lower layer K2 may be similarly changed. In the above-described embodiment, the processing unit 13 is configured by the first processing block 14 and the second processing block 15, but is not limited thereto. For example, the processing unit 13 may be configured by one processing block. Alternatively, the processing unit 13 may be configured by three or more processing blocks.

(4)上述した実施例では、各種の液処理ユニット60、65や熱処理ユニットHUは、基本的に、基板Wを1枚ずつ処理する処理ユニット(いわゆる「枚葉式処理ユニット」)であったが、これに限られない。例えば、複数枚の基板Wを一括して処理する処理ユニット(いわゆる「バッチ式処理ユニット」)に変更してもよい。   (4) In the above-described embodiments, the various liquid processing units 60 and 65 and the heat treatment unit HU are basically processing units (so-called “single-wafer processing units”) that process the substrates W one by one. However, it is not limited to this. For example, the processing unit may be changed to a processing unit (so-called “batch processing unit”) that processes a plurality of substrates W at once.

(5)上述した実施例では、上層K1において基板Wに行う処理と、下層K2において基板Wに行う処理は、同じであったが、これに限られない。すなわち、上層K1における処理と下層K2における処理が互いに異なるように変更してもよい。   (5) In the above-described embodiment, the process performed on the substrate W in the upper layer K1 and the process performed on the substrate W in the lower layer K2 are the same, but are not limited thereto. That is, the processing in the upper layer K1 and the processing in the lower layer K2 may be changed so as to be different from each other.

(6)上述した実施例では、一連の処理は、基板Wにレジスト膜等を形成し、かつ、基板Wを現像する処理であったが、これに限られない。例えば、一連の処理の内容を、処理対象の基板Wに応じて適宜に変更してもよい。   (6) In the above-described embodiment, the series of processes is a process of forming a resist film or the like on the substrate W and developing the substrate W, but is not limited thereto. For example, the contents of a series of processes may be appropriately changed according to the substrate W to be processed.

(7)上述した実施例では、熱処理ユニットHUとして、加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCPおよび露光後加熱処理ユニットPEBを例示したが、これらに限られない。たとえば、熱処理ユニットHUの種類は、適宜に選択、変更できる。例えば、熱処理ユニットHUは、アドヒージョン処理ユニットAHLであってもよい。アドヒージョン処理ユニットAHLは、基板Wと被膜の密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルシラザン)の蒸気雰囲気で熱処理する。   (7) In the above-described embodiment, as the heat treatment unit HU, the heating / cooling unit PHP, the cooling unit CP, and the post-exposure heat treatment unit PEB are exemplified, but not limited thereto. For example, the type of the heat treatment unit HU can be selected and changed as appropriate. For example, the heat treatment unit HU may be an adhesion processing unit AHL. The adhesion processing unit AHL performs heat treatment in a steam atmosphere of HMDS (hexamethylsilazane) in order to improve the adhesion between the substrate W and the coating.

(8)上述した実施例では、処理部13に形成される階層の数は、2つであったが、これに限られない。すなわち、処理部13に形成される階層の数を、1に変更してもよいし、3以上に変更してもよい。   (8) In the embodiment described above, the number of hierarchies formed in the processing unit 13 is two, but is not limited thereto. That is, the number of layers formed in the processing unit 13 may be changed to 1, or may be changed to 3 or more.

(9)上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。   (9) You may change so that each structure of each Example mentioned above and each modification Example may be combined suitably.

1 …基板処理装置(試験予定作成装置、分析装置)
11 …インデクサ部(ID部)
13 …処理部
17 …インターフェイス部(IF部)
60 …塗布処理ユニット(液処理ユニット、処理ユニット)
65 …現像処理ユニット(液処理ユニット、処理ユニット)
91 …制御部
93、175、183 …記憶部
95、173 …入出力部(出力部)
161 …順番設定部
163 …試験実行部
164 …搬送制御部
165 …向き制御部
166 …熱処理ユニット制御部
167 …温度計測部
169 …分析処理部
121 …上部排気管(気流形成設備)
123 …側部給気ダクト(気流形成設備)
125 …側部排気ダクト(気流形成設備)
122 …圧力計(気流監視設備)
126 …排気用ダンパー(気流調節設備)
171 …分析装置(試験予定作成装置)
TA、TB1c、TB1d、TB2c、TB2d、TC1a、TC1b、TL …搬送部
H …ハンド
EEW …エッジ露光ユニット(処理ユニット)
MD …調整機構
HU …熱処理ユニット(処理ユニット)
PL …熱処理プレート
AU …ユニット側アンテナ
C …キャリア
W …基板
WT …温度測定用基板
SU …センサユニット
AS …センサ側アンテナ
BW …基板本体
TD …温度データ
TWe …試験温度
DHa、DHb、DHc …第1目標方向
ACa、ACb、ACc …第1向き変動量
IP1 …搬送部が調整機構から温度測定用基板を取るときの搬送部の位置に関する情報
IP2、IP5、IP10 …搬送部が熱処理プレートに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報
IP3、IP4、IP6乃至IP9、IP11乃至IP13 …一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報
1 ... Substrate processing equipment (test schedule creation equipment, analysis equipment)
11 ... Indexer part (ID part)
13 ... Processing unit 17 ... Interface unit (IF unit)
60 ... Application processing unit (liquid processing unit, processing unit)
65. Development processing unit (liquid processing unit, processing unit)
91: Control unit 93, 175, 183 ... Storage unit 95, 173 ... Input / output unit (output unit)
161: Order setting unit 163 ... Test execution unit 164 ... Transport control unit 165 ... Direction control unit 166 ... Heat treatment unit control unit 167 ... Temperature measurement unit 169 ... Analysis processing unit 121 ... Upper exhaust pipe (air flow forming equipment)
123 ... Side air supply duct (airflow forming equipment)
125 ... Side exhaust duct (airflow forming equipment)
122 ... Pressure gauge (airflow monitoring equipment)
126 ... Damper for exhaust (air flow control equipment)
171 ... Analyzer (test schedule creation device)
TA, TB1c, TB1d, TB2c, TB2d, TC1a, TC1b, TL ... transport unit H ... hand EEW ... edge exposure unit (processing unit)
MD: Adjustment mechanism HU: Heat treatment unit (treatment unit)
PL ... Heat treatment plate AU ... Unit side antenna C ... Carrier W ... Substrate WT ... Temperature measurement substrate SU ... Sensor unit AS ... Sensor side antenna BW ... Substrate body TD ... Temperature data TWe ... Test temperature DHa, DHb, DHc ... First Target direction ACa, ACb, ACc ... First direction variation amount IP1 ... Information on the position of the transfer unit when the transfer unit takes the temperature measurement substrate from the adjustment mechanism IP2, IP5, IP10 ... The transfer unit is used for temperature measurement on the heat treatment plate Information on the position of the transfer unit when the substrate is transferred IP3, IP4, IP6 to IP9, IP11 to IP13 ... Information about the position of each transfer mechanism when the temperature measurement substrate is transferred from one transfer mechanism to another transfer mechanism

Claims (18)

熱処理プレートによる処理温度を測定する試験を、熱処理プレートおよび処理温度の目標値である試験温度の少なくともいずれかを変えて複数行う前に、複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する試験予定作成方法であって、
いずれかの試験に、最初の順番である「1番目」を割り当てる1番目作成過程と、
未だ順番が割り当てられていない未割当試験のいずれかに、「2番目」以降の順番を割り当てる2番目以降作成過程と、
を備え、
2番目以降作成過程を、全ての試験に順番を割り当てるまで繰り返すことによって試験予定情報を作成する試験予定作成方法。
Create a test schedule to create test schedule information about multiple test schedules before performing multiple tests to measure the processing temperature using the heat treatment plate by changing at least one of the heat treatment plate and the test temperature that is the target value of the processing temperature. A method,
The first creation process of assigning the first order “first” to any test,
The second and subsequent creation processes for assigning the order after “second” to any unassigned test that has not yet been assigned an order,
With
A test schedule creation method for creating test schedule information by repeating the second and subsequent creation processes until all tests are assigned an order.
請求項1に記載の試験予定作成方法において、
2番目以降作成過程は、
既に順番が割り当てられた割当済試験を全て行うと仮定したときに、割当済試験の終了後に最も早く開始できる未割当試験を推定するタイミング推定過程と、
タイミング推定過程によって推定された未割当試験に、次の順番を割り当てる2番目以降割当過程と、
を備えている試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 1,
The second and subsequent creation processes are
Timing estimation process for estimating an unassigned test that can be started earliest after the assigned test ends, assuming that all assigned tests that have already been assigned an order are performed,
A second and subsequent allocation process for allocating the next order to the unallocated test estimated by the timing estimation process;
Test schedule creation method with
請求項2に記載の試験予定作成方法において、
タイミング推定過程は、各熱処理プレートの性能を考慮して、各未割当試験を開始できるタイミングをそれぞれ計算する試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 2,
The timing estimation process is a test schedule creation method that calculates the timing at which each unassigned test can be started in consideration of the performance of each heat-treated plate.
請求項2または3に記載の試験予定作成方法において、
2番目以降作成過程は、さらに、
タイミング推定過程の推定結果に、異なる熱処理プレートを対象とする複数の未割当試験が含まれているか否かを判定する推定結果判定過程と、
含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、タイミング推定過程が推定した未割当試験の対象となっている複数の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する補助推定過程と、
を備え、
補助推定過程が熱処理プレートを推定した場合には、2番目以降割当過程は、タイミング推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当て、
残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値である試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 2 or 3,
In the second and subsequent creation processes,
An estimation result determination process for determining whether or not a plurality of unassigned tests for different heat treatment plates are included in the estimation result of the timing estimation process;
If the estimation result determination process determines that it is included, the heat treatment plate with the largest remaining load of the heat treatment plate among the plurality of heat treatment plates subject to the unallocated test estimated by the timing estimation process An auxiliary estimation process for estimating
With
When the auxiliary estimation process estimates the heat treatment plate, the second and subsequent allocation processes are performed in the following order in the unassigned test for the heat treatment plate estimated by the auxiliary estimation process, regardless of the estimation result of the timing estimation process. Assign
The remaining burden amount is a numerical value representing the burden that the unallocated test gives to each heat treatment plate. The remaining number of unallocated tests for the heat treated plate, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change of the plate temperature Test schedule creation method that is a numerical value based on at least one of the speeds.
請求項2から4のいずれかに記載の試験予定作成方法において、
2番目以降作成過程は、さらに、
直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートとは異なる熱処理プレートを対象とする未割当試験を異プレート未割当試験として、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する未割当試験判定過程と、
存在すると未割当試験判定過程が判定した場合には、次の順番を割り当てる試験の候補を、異プレート未割当試験に限定する候補限定過程と、
を備え、
候補限定過程が候補を限定した場合には、タイミング推定過程は、限定された候補の中から、最も早く開始できる試験を推定する試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method in any one of Claim 2 to 4,
In the second and subsequent creation processes,
Determine whether there is a different plate unassigned test, with the unassigned test that targets a heat-treated plate that is different from the heat-treated plate that is the subject of the assigned test assigned the most recent order as a different plate unassigned test Unassigned test determination process,
If the unassigned test determination process determines that it exists, the candidate limiting process for limiting the test candidates to be assigned the next order to the different plate unassigned test, and
With
When the candidate limiting process limits candidates, the timing estimation process is a test schedule creation method for estimating a test that can be started earliest among the limited candidates.
請求項1に記載の試験予定作成方法において、
2番目以降作成過程は、
熱処理プレートの残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する残負担量推定過程と、
残負担量推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当てる2番目以降割当過程と、
を備え、
残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値である試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 1,
The second and subsequent creation processes are
A remaining load estimation process for estimating a heat treated plate with the largest remaining load of the heat treatment plate;
A second and subsequent allocation process that assigns the next order to the unallocated test for the heat-treated plate estimated by the remaining burden estimation process;
With
The remaining burden amount is a numerical value representing the burden that the unallocated test gives to each heat treatment plate. The remaining number of unallocated tests for the heat treated plate, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change of the plate temperature Test schedule creation method that is a numerical value based on at least one of the speeds.
請求項6に記載の試験予定作成方法において、
残負担量推定過程の推定結果に、2以上の熱処理プレートが含まれているか否かを判定する推定結果判定過程と、
含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、残負担量推定過程が推定した2以上の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの補助残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する補助推定過程と、
を備え、
補助推定過程が熱処理プレートを推定した場合には、2番目以降割当過程は、残負担量推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートを対象とする未割当試験に次の順番を割り当て、
補助残負担量は、未割当試験が熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する未割当試験の残数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であり、
補助残負担量の基礎は、残負担量の基礎と異なる試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 6,
An estimation result determination process for determining whether or not two or more heat treatment plates are included in the estimation result of the remaining burden estimation process;
If the estimation result determination process determines that it is included, among the two or more heat treatment plates estimated by the remaining load amount estimation process, the auxiliary estimation for estimating the heat treatment plate with the largest auxiliary remaining load amount of the heat treatment plate Process,
With
When the auxiliary estimation process estimates heat-treated plates, the second and subsequent allocation processes follow the unallocated test for heat-treated plates estimated by the auxiliary estimation process, regardless of the estimation result of the remaining load estimation process. Assign the order of
Auxiliary remaining burden amount is a numerical value that represents the burden imposed on the heat treatment plate by the unassigned test. It is a numerical value based on at least one,
The basis for the supplemental remaining burden is a test schedule creation method that is different from the basis for the remaining burden.
請求項6または7に記載の試験予定作成方法において、
2番目以降作成過程は、さらに、
直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートとは異なる熱処理プレートを対象とする未割当試験を異プレート未割当試験として、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する未割当試験判定過程と、
存在すると未割当試験判定過程が判定した場合には、次の順番を割り当てる試験の候補を、異プレート未割当試験に限定する候補限定過程と、
を備え、
候補限定過程が候補を限定した場合には、残負担量推定過程は、異プレート未割当試験の対象である熱処理プレートの中から、残負担量が最も大きな熱処理プレートを推定する試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 6 or 7,
In the second and subsequent creation processes,
Determine whether there is a different plate unassigned test, with the unassigned test that targets a heat-treated plate that is different from the heat-treated plate that is the subject of the assigned test assigned the most recent order as a different plate unassigned test Unassigned test determination process,
If the unassigned test determination process determines that it exists, the candidate limiting process for limiting the test candidates to be assigned the next order to the different plate unassigned test, and
With
When the candidate limitation process limits candidates, the remaining load amount estimation process is a test schedule preparation method for estimating the heat treatment plate having the largest remaining load amount from the heat treatment plates to be subjected to the different plate unassigned test.
請求項6から8のいずれかに記載の試験予定作成方法において、
残負担量は、残数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示す試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method in any one of Claim 6 to 8,
A test schedule creation method that shows at least one of a tendency that the remaining load amount increases as the remaining number increases, tends to increase as the change time increases, and tends to increase as the temperature change rate decreases.
請求項1から9のいずれかに記載の試験予定作成方法において、
1番目作成過程は、
熱処理プレートの初期負担量が最も大きな熱処理プレートを特定する負担量比較過程と、
負担量比較過程によって特定された熱処理プレートを対象とする試験に「1番目」を割り当てる1番目割当過程と、
を備え、
初期負担量は、全ての試験が各熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値である試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method in any one of Claim 1 to 9,
The first creation process is
A burden comparison process for identifying the heat treatment plate with the largest initial burden of the heat treatment plate,
A first assignment process that assigns “first” to a test for a heat-treated plate identified by a burden comparison process;
With
The initial burden amount is a numerical value representing the burden imposed on each heat treatment plate by all tests, and is at least one of the number of tests on the heat treatment plate, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change rate of the plate temperature. A test schedule creation method, which is a numerical value based on this.
請求項10に記載の試験予定作成方法において、
負担量比較過程の処理結果に、2以上の熱処理プレートが含まれているか否かを判定する特定結果判定過程と、
含まれていると特定結果判定過程が判定した場合には、負担量比較過程が特定した2以上の熱処理プレートの中で、熱処理プレートの補助初期負担量が最も大きな熱処理プレートを特定する補助比較過程と、
を備え、
補助比較過程が熱処理プレートを特定した場合には、1番目割当過程は、負担量比較過程の処理結果に関わらず、補助比較過程が特定した熱処理プレートを対象とする未割当試験に「1番目」を割り当て、
補助初期負担量は、全ての試験が熱処理プレートに与える負担を表す数値であって、熱処理プレートに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とした数値であり、
補助負担量の基礎は、初期負担量の基礎と異なる試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method of Claim 10,
A specific result determination process for determining whether or not two or more heat treatment plates are included in the processing result of the burden comparison process;
If the identification result determination process determines that it is included, an auxiliary comparison process for identifying a heat treatment plate having the largest auxiliary initial burden amount of the heat treatment plate among the two or more heat treatment plates identified by the burden comparison process When,
With
When the auxiliary comparison process specifies a heat treatment plate, the first assignment process is “first” in the unassigned test for the heat treatment plate specified by the auxiliary comparison process, regardless of the processing result of the burden comparison process. Assign
The auxiliary initial burden amount is a numerical value that represents the burden imposed on the heat treatment plate by all tests, and is at least one of the number of tests on the heat treatment plate, the change time required to change the plate temperature, and the temperature change rate of the plate temperature. It is a numerical value based on
The basis for the supplementary burden is a test schedule creation method that is different from the foundation for the initial burden.
請求項10または11に記載の試験予定作成方法において、
初期負担量は、試験数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示す試験予定作成方法。
In the test schedule preparation method according to claim 10 or 11,
A test schedule creation method that indicates at least one of a tendency that the initial burden amount increases as the number of tests increases, a tendency that increases as the change time increases, and a tendency that increases as the temperature change rate decreases.
熱処理プレートによる処理温度を測定する試験を、熱処理プレートおよび処理温度の目標値である試験温度の少なくともいずれかを変えて行う試験方法であって、
複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する試験予定作成過程と、
試験予定作成過程によって作成された試験予定情報に規定される一連の試験を実際に行う試験連続実施過程と、
を備え、
試験予定作成過程は、
いずれかの試験に、最初の順番である「1番目」を割り当てる1番目作成過程と、
未だ順番が割り当てられていない未割当試験のいずれかに、「2番目」以降の順番を割り当てる2番目以降作成過程と、
を備え、
2番目以降作成過程を、全ての試験に順番を割り当てるまで繰り返すことによって試験予定情報を作成する試験方法。
A test method for performing a test for measuring a processing temperature by a heat treatment plate by changing at least one of a heat treatment plate and a test temperature which is a target value of the processing temperature,
A test schedule creation process for creating test schedule information for multiple test schedules;
A test continuous execution process that actually performs a series of tests specified in the test schedule information created by the test schedule creation process,
With
The test schedule creation process
The first creation process of assigning the first order “first” to any test,
The second and subsequent creation processes for assigning the order after “second” to any unassigned test that has not yet been assigned an order,
With
A test method for creating test schedule information by repeating the second and subsequent creation processes until all tests are assigned an order.
試験予定作成装置であって、
熱処理プレートによる処理温度を測定する試験が複数規定されている試験リスト情報を記憶する記憶部と、
試験を実際に行う前に、試験リスト情報に規定されている複数の試験の予定に関する試験予定情報を作成する順番設定部と、
を備えている試験予定作成装置。
A test schedule creation device,
A storage unit for storing test list information in which a plurality of tests for measuring a processing temperature by the heat treatment plate are defined;
Before actually conducting the test, an order setting unit that creates test schedule information related to a plurality of test schedules specified in the test list information,
Test schedule creation device equipped with.
請求項14に記載の試験予定作成装置において、
記憶部は、熱処理プレートの性能に関する情報が規定されているプレート性能情報を記憶し、
順番設定部は、プレート性能情報を参照して試験予定情報を作成する試験予定作成装置。
In the test schedule preparation device according to claim 14,
The storage unit stores plate performance information in which information on the performance of the heat-treated plate is defined,
The order setting unit is a test schedule creation device that creates test schedule information with reference to plate performance information.
請求項14または請求項15に記載の試験予定作成装置と、
複数の熱処理プレートと、
熱処理プレートを制御し、試験予定情報に従って複数の試験を行う試験実行部と、
を備えている基板処理装置。
The test schedule creation device according to claim 14 or 15,
A plurality of heat treatment plates;
A test execution unit that controls the heat treatment plate and performs a plurality of tests according to the test schedule information;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項16に記載の基板処理装置において、
複数の熱処理プレートに温度測定用基板を搬送する搬送部と、
を備え、
試験実行部は、搬送部を制御して、試験予定情報に従って温度測定用基板を各熱処理プレートに搬送させる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein
A transport unit for transporting a temperature measurement substrate to a plurality of heat treatment plates;
With
The test execution unit is a substrate processing apparatus that controls the transfer unit to transfer the temperature measurement substrate to each heat treatment plate according to the test schedule information.
請求項17に記載の基板処理装置において、
搬送部は、温度測定用基板を格納するための格納スペースから温度測定用基板を搬出し、かつ、格納スペースに温度測定用基板を搬入し、
試験実行部は、搬送部を制御して、試験を行う前に温度測定用基板を格納スペースから搬出させ、試験予定情報に定められた試験の全てが終了すると温度測定用基板を格納スペースに搬入させる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 17, wherein
The transport unit carries out the temperature measurement substrate from the storage space for storing the temperature measurement substrate, and carries the temperature measurement substrate into the storage space.
The test execution unit controls the transport unit to carry out the temperature measurement board from the storage space before performing the test. When all the tests specified in the test schedule information are completed, the temperature measurement board is carried into the storage space. A substrate processing apparatus.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020117917A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 Micron Technology, Inc. Allocation of test resources to perform a test of memory components

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102275A (en) * 1999-09-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment system and heat treatment unit to be used in the system
JP2001351848A (en) * 2000-06-07 2001-12-21 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment system and substrate treatment method
JP2006080489A (en) * 2004-08-11 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd Method for measuring temperature of heating plate, substrate processing apparatus and computer program for measuring temperature of heating plate
JP2013048134A (en) * 2011-08-29 2013-03-07 Sebacs Co Ltd Substrate temperature measurement system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102275A (en) * 1999-09-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment system and heat treatment unit to be used in the system
JP2001351848A (en) * 2000-06-07 2001-12-21 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment system and substrate treatment method
JP2006080489A (en) * 2004-08-11 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd Method for measuring temperature of heating plate, substrate processing apparatus and computer program for measuring temperature of heating plate
JP2013048134A (en) * 2011-08-29 2013-03-07 Sebacs Co Ltd Substrate temperature measurement system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020117917A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 Micron Technology, Inc. Allocation of test resources to perform a test of memory components
US11131705B2 (en) 2018-12-04 2021-09-28 Micron Technology, Inc. Allocation of test resources to perform a test of memory components
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