JP2014235815A - Method for manufacturing aluminum compact, method for analyzing aluminum, and aluminum plating system - Google Patents

Method for manufacturing aluminum compact, method for analyzing aluminum, and aluminum plating system Download PDF

Info

Publication number
JP2014235815A
JP2014235815A JP2013115332A JP2013115332A JP2014235815A JP 2014235815 A JP2014235815 A JP 2014235815A JP 2013115332 A JP2013115332 A JP 2013115332A JP 2013115332 A JP2013115332 A JP 2013115332A JP 2014235815 A JP2014235815 A JP 2014235815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
plating
plating solution
substrate
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013115332A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5791021B2 (en
Inventor
登紀子 梅本
Tokiko Umemoto
登紀子 梅本
細江 晃久
Akihisa Hosoe
晃久 細江
西村 淳一
Junichi Nishimura
淳一 西村
弘太郎 木村
Kotaro Kimura
弘太郎 木村
健吾 後藤
Kengo Goto
健吾 後藤
英彰 境田
Hideaki Sakaida
英彰 境田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2013115332A priority Critical patent/JP5791021B2/en
Publication of JP2014235815A publication Critical patent/JP2014235815A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5791021B2 publication Critical patent/JP5791021B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a method for manufacturing an aluminum compact preventing generation of defective products, specifically brittle products and thereby capable of achieving stabilization of quality; a method for analyzing aluminum capable of being used for the method for manufacturing an aluminum compact; and an aluminum plating system capable of being used for the method for manufacturing an aluminum compact.SOLUTION: A method for manufacturing an aluminum compact includes a plating step of plating aluminum on a substrate and a step of removing the substrate after plating. The plating step includes: an analyzing step of quantifying aluminum carbide in aluminum having been plated on the substrate, using an RIR method by means of an X-ray diffraction (XRD); and a plating solution adjustment step of adjusting the composition of a plating solution on the basis of the content of the aluminum carbide having been quantified. A method for analyzing aluminum can be used for the method for manufacturing an aluminum compact. An aluminum plating system can be used for the method for manufacturing an aluminum compact.

Description

本発明は、アルミニウム多孔体、アルミニウム線、アルミニウム箔(膜)等のアルミニウム成形体の製造方法、その製造方法において使用されるアルミニウムの分析方法、及び前記製造方法に用いることができるアルミニウムめっきシステムに関する。   The present invention relates to a method for producing an aluminum molded body such as an aluminum porous body, an aluminum wire, and an aluminum foil (film), an aluminum analysis method used in the production method, and an aluminum plating system that can be used in the production method. .

アルミニウム(Al)は電気伝導性、耐腐食性、熱伝導性、軽量性等に優れており、キャパシタやリチウムイオン電池等の蓄電デバイスの電極材料として広く用いられている。具体的な一例として、リチウムイオン電池の正極には、アルミニウム箔の表面に活物質を塗布した正極材料が使用されている。   Aluminum (Al) is excellent in electrical conductivity, corrosion resistance, thermal conductivity, light weight, and the like, and is widely used as an electrode material for power storage devices such as capacitors and lithium ion batteries. As a specific example, a positive electrode material in which an active material is applied to the surface of an aluminum foil is used for a positive electrode of a lithium ion battery.

近年、単位面積当たりの活物質利用率を向上させるために、アルミニウム箔に替えて三次元網目構造のアルミニウム多孔体の使用が提案されている(例えば、特許文献1)。このようなアルミニウム多孔体は、発泡ウレタン等の連続気孔を有する樹脂多孔体にめっきによりアルミニウム被覆を施した後、熱処理により樹脂多孔体を分解、除去することにより作製される。   In recent years, in order to improve the utilization rate of the active material per unit area, it has been proposed to use a porous aluminum body having a three-dimensional network structure instead of an aluminum foil (for example, Patent Document 1). Such an aluminum porous body is produced by applying an aluminum coating to a resin porous body having continuous pores such as urethane foam by plating and then decomposing and removing the resin porous body by heat treatment.

前記のアルミニウムめっきに際しては、一般的に、溶融塩からなるめっき液が用いられる。溶融塩としては、例えば、AlCl及びエチルメチルイミダゾリウムクロライド(EMIC)等のアルキルイミダゾリウムクロライドを含むイオン液体を挙げることができる。このめっき液には、製品の品質向上のため種々の添加剤が添加される。例えば、平滑性や強度等の品質を向上するためフェナントロリン等が添加されている。即ち、AlClとアルキルイミダゾリウムクロライドからなるイオン液体のみでは、めっきが膜とはならず粒子の集合体状となる傾向があり、岩肌状で脆いアルミニウム多孔体となるが、フェナントロリンを添加することにより光沢が増し平滑で充分な強度を有するアルミニウム多孔体が得られる。 In the above aluminum plating, a plating solution made of a molten salt is generally used. Examples of the molten salt include ionic liquids containing alkyl imidazolium chlorides such as AlCl 3 and ethyl methyl imidazolium chloride (EMIC). Various additives are added to the plating solution to improve the quality of the product. For example, phenanthroline or the like is added to improve quality such as smoothness and strength. That is, with only an ionic liquid composed of AlCl 3 and alkylimidazolium chloride, plating tends not to form a film but to form aggregates of particles, resulting in a rocky and brittle aluminum porous body, but phenanthroline should be added. As a result, the gloss is increased and a smooth and porous aluminum porous body is obtained.

一方、めっき液中のフェナントロリンが過剰の場合には、製品のアルミニウム多孔体の光沢がさらに増すとともに脆くなりやすい。そこで、めっきに際しては外観限度見本を用意し生成しためっきと外観限度見本とを対比することにより、生成しためっきが岩肌状にならずかつ光沢過剰にならないようにめっき液中のフェナントロリンの濃度を管理している。   On the other hand, when the phenanthroline in the plating solution is excessive, the gloss of the aluminum porous body of the product is further increased and the product tends to become brittle. Therefore, by preparing an appearance limit sample for plating and comparing the generated plating with the appearance limit sample, the concentration of phenanthroline in the plating solution is controlled so that the generated plating does not become rocky and does not have excessive luster. doing.

特開2011−222483号公報JP 2011-222483 A

しかしながら、この管理方法は、得られためっきが外観限度見本の規格から外れたときにめっきの条件(フェナントロリン量等)を調整する管理方法であるため、迅速に調整を行うことができない。その結果、不良品、特に脆い製品の発生を充分に防止することができない。即ち、一般的にアルミニウムめっきは、長尺状の基体をめっき液中に通しながら、所謂ロールトゥロール(Roll to Roll)方式により長時間、連続的に行われるため、調整が遅れると多くの不良品が発生する。また外観限度見本との対比は定量的な管理方法ではないため、一定品質の製品が安定して得られるように管理することは困難であった。   However, this management method is a management method that adjusts the plating conditions (such as the amount of phenanthroline) when the obtained plating deviates from the standard of the appearance limit sample, and thus cannot be adjusted quickly. As a result, generation of defective products, particularly fragile products cannot be sufficiently prevented. That is, in general, aluminum plating is performed continuously for a long time by a so-called roll-to-roll method while passing a long substrate through a plating solution. Good product is generated. Moreover, since contrast with the appearance limit sample is not a quantitative management method, it has been difficult to manage so that a product of a certain quality can be stably obtained.

本発明が解決しようとする課題は、めっきの条件(フェナントロリン量等)の迅速な調整を可能とし、不良品、特に脆い製品の発生を防止し、一定品質の製品を安定して得ることができるアルミニウム成形体の製造方法を提供することにある。   The problem to be solved by the present invention is to enable quick adjustment of plating conditions (phenanthroline amount, etc.), to prevent generation of defective products, particularly brittle products, and to stably obtain products of constant quality. It is providing the manufacturing method of an aluminum molded object.

また、前記のアルミニウム成形体の製造方法を実現するため、アルミニウム成形体に含まれる不純物を迅速に定量分析できるアルミニウムの分析方法を提供することも課題とする。   Another object of the present invention is to provide an aluminum analysis method capable of quickly and quantitatively analyzing impurities contained in an aluminum molded body in order to realize the method for producing the aluminum molded body.

さらに、長尺の基体に連続的にアルミニウムめっきを施すめっきシステムであって、不良品、特に脆い製品の発生を充分に防止し、品質の安定化を図ることができるアルミニウムめっきシステムを提供することも課題とする。   Furthermore, the present invention provides a plating system for continuously plating aluminum on a long substrate, which can sufficiently prevent generation of defective products, particularly fragile products, and can stabilize quality. Is also an issue.

本発明者は、鋭意検討の結果、製品のアルミニウム多孔体の脆さは、めっき液中のフェナントロリンに由来する炭化アルミニウム(アルミニウムカーバイド:Al)が、ウレタン等の基体を除去するための熱処理の際にアルミニウム骨格内部に粒界析出することに起因しており、アルミニウム骨格内部の炭化アルミニウムの生成を抑制することにより、脆い多孔体の発生を防止できること、
アルミニウム骨格内部の炭化アルミニウムの含有量は、X線回折(XRD)により測定可能であること、さらにこの測定にはReference Intensity Ratio(RIR値)に基づいて定量するRIR法が適用可能であり、RIR法を適用すれば、迅速な測定が可能であることを見出した。
As a result of intensive studies, the inventor has determined that the brittleness of the porous aluminum body of the product is because aluminum carbide (aluminum carbide: Al 4 C 3 ) derived from phenanthroline in the plating solution removes a substrate such as urethane. Due to grain boundary precipitation inside the aluminum skeleton during heat treatment, by suppressing the formation of aluminum carbide inside the aluminum skeleton, it is possible to prevent the generation of brittle porous bodies,
The content of aluminum carbide in the aluminum skeleton can be measured by X-ray diffraction (XRD), and furthermore, an RIR method for quantifying based on the Reference Intensity Ratio (RIR value) can be applied to this measurement. We found that rapid measurement is possible by applying the method.

そして、めっき工程に、この分析方法を適用することにより、アルミニウム多孔体中の炭化アルミニウムの含有量を迅速に定量し、その結果に基づいてめっき条件、特にめっき液中のフェナントロリンの濃度を迅速に調整できることを見出した。さらにその調整によりアルミニウム骨格内部での炭化アルミニウムの生成を抑制し、脆さの発生を防ぎ品質の安定化が図れることを見出し、以下に示す構成からなる第1〜第3の態様の発明を完成するに至った。   Then, by applying this analytical method to the plating process, the content of aluminum carbide in the porous aluminum body can be quickly quantified, and based on the results, the plating conditions, particularly the concentration of phenanthroline in the plating solution, can be quickly determined. I found out that it can be adjusted. Furthermore, the adjustment found that the formation of aluminum carbide inside the aluminum skeleton can be suppressed, the occurrence of brittleness can be prevented and the quality can be stabilized, and the first to third aspects of the invention comprising the following configurations have been completed. It came to do.

第1の態様は、
アルミニウムをめっき液中で基体上に電析させるめっき工程を有するアルミニウム成形体の製造方法であって、
前記めっき工程が、
前記基体上に電析されたアルミニウム中に含まれる炭化アルミニウムを、X線回折によりRIR法を用いて定量する分析工程と、
前記炭化アルミニウムを定量した値に基づいて、前記めっき液の組成を調整するめっき液調整工程と、を有するアルミニウム成形体の製造方法である。
The first aspect is
A method for producing an aluminum molded body having a plating step of depositing aluminum on a substrate in a plating solution,
The plating step is
An analysis step of quantifying aluminum carbide contained in the aluminum electrodeposited on the substrate using an RIR method by X-ray diffraction;
A plating solution adjusting step of adjusting the composition of the plating solution based on a value obtained by quantifying the aluminum carbide.

第2の態様は、
アルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析方法である。
The second aspect is
In this aluminum analysis method, aluminum carbide in aluminum is quantified by X-ray diffraction (XRD) using the RIR method.

第3の態様は、
長尺の基体上にアルミニウムを連続的に電析するアルミニウムのめっきシステムであって、
アルミニウムの溶融塩を用いためっき液を収容するめっき液槽と
前記めっき液の温度を所定の温度に制御する温度制御装置と、
前記基体を、前記めっき液中を所定の速度で通過させる搬送装置と、
前記めっき液中を搬送中の基体上に、所定量のアルミニウムが電析するように通電するための電源部と、
電析されたアルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析部とを有し
前記分析部による定量結果に基づいて前記めっき液の組成の調整が行われるアルミニウムのめっきシステムである。
The third aspect is
An aluminum plating system for continuously depositing aluminum on a long substrate,
A plating bath containing a plating solution using a molten salt of aluminum, a temperature control device for controlling the temperature of the plating solution to a predetermined temperature, and
A transport device for passing the substrate through the plating solution at a predetermined speed;
A power supply unit for energizing a predetermined amount of aluminum to be deposited on the substrate being transported in the plating solution;
An aluminum analysis unit that quantifies aluminum carbide in electrodeposited aluminum using an RIR method by X-ray diffraction (XRD), and adjustment of the composition of the plating solution based on the determination result by the analysis unit Is an aluminum plating system.

前記第1の態様によれば、不良品、特に脆い製品の発生を充分に防止し、製品の品質の安定化を図ることができるアルミニウム成形体の製造方法を提供することができる。
前記第2の態様によれば、アルミニウム成形体に含まれる炭化アルミニウムを迅速に定量分析するアルミニウムの分析方法を提供することができる。
前記第3の態様のアルミニウムめっきシステムによれば、不良品特に脆い製品の発生を充分に防止し、品質の安定化を図りながらアルミニウムめっき製品を連続的に供給することができる。
According to the first aspect, it is possible to provide a method for manufacturing an aluminum molded body that can sufficiently prevent generation of defective products, particularly brittle products, and can stabilize the quality of the products.
According to the second aspect, it is possible to provide an aluminum analysis method for quickly quantitatively analyzing aluminum carbide contained in an aluminum molded body.
According to the aluminum plating system of the third aspect, the generation of defective products, particularly brittle products, can be sufficiently prevented, and the aluminum plated products can be continuously supplied while stabilizing the quality.

第1の態様のアルミニウム成形体の製造方法の一工程を説明する図である。It is a figure explaining 1 process of the manufacturing method of the aluminum molded object of a 1st aspect. 第1の態様のアルミニウム成形体の製造方法の一工程を説明する図である。It is a figure explaining 1 process of the manufacturing method of the aluminum molded object of a 1st aspect. 第1の態様のアルミニウム成形体の製造方法の一工程を説明する図である。It is a figure explaining 1 process of the manufacturing method of the aluminum molded object of a 1st aspect. アルミニウム多孔体の一例の広角測定によるXRDチャートである。It is an XRD chart by the wide angle measurement of an example of an aluminum porous body. アルミニウム多孔体の一例の、2θが30°〜33°の範囲のXRDチャートである。3 is an XRD chart of an example of an aluminum porous body with 2θ ranging from 30 ° to 33 °. アルミニウム多孔体の一例の、2θが37°〜40°の範囲のXRDチャートである。It is a XRD chart of 2 an example of the range of 37 degrees-40 degrees of an example of an aluminum porous body. 第3の態様のアルミニウムのめっきシステムの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the plating system of the aluminum of a 3rd aspect.

前記の第1の態様は、
アルミニウムをめっき液中で基体上に電析させるめっき工程を有するアルミニウム成形体の製造方法であって、
前記めっき工程が、
前記基体上に電析されたアルミニウム中に含まれる炭化アルミニウムを、X線回折によりRIR法を用いて定量する分析工程と、
前記炭化アルミニウムを定量した値に基づいて、前記めっき液の組成を調整するめっき液調整工程と、を有するアルミニウム成形体の製造方法である。
The first aspect is as follows.
A method for producing an aluminum molded body having a plating step of depositing aluminum on a substrate in a plating solution,
The plating step is
An analysis step of quantifying aluminum carbide contained in the aluminum electrodeposited on the substrate using an RIR method by X-ray diffraction;
A plating solution adjusting step of adjusting the composition of the plating solution based on a value obtained by quantifying the aluminum carbide.

このアルミニウム成形体の製造方法は、基体上に電析(めっき)されたアルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)によりRIR法を用いて定量すること、そしてその測定値に基づきめっき液の組成を調整することを特徴とする。アルミニウム中の炭化アルミニウムは、X線回折(XRD)によりを定量できるが、さらにRIR法を用いることによりその定量を迅速に行うことができる。従って、その測定値に基づきめっき液の組成の調整を迅速に行うことにより、アルミニウム成形体の製造において、不良品、特に脆い製品の発生を充分に防止し、製品の品質の安定化を図ることができる。   The aluminum molded body is produced by quantifying aluminum carbide in aluminum electrodeposited (plated) on a substrate by X-ray diffraction (XRD) using the RIR method, and based on the measured value, a plating solution. The composition is adjusted. Aluminum carbide in aluminum can be quantified by X-ray diffraction (XRD), but the quantification can be performed quickly by using the RIR method. Therefore, by quickly adjusting the composition of the plating solution based on the measured values, it is possible to sufficiently prevent the generation of defective products, particularly brittle products, and stabilize the product quality in the production of aluminum molded bodies. Can do.

前記アルミニウム成形体としては、アルミニウム多孔体、アルミニウム線、アルミニウム箔(膜)等を挙げることができる。そこで、本出願では、前記の第1の態様であって、
前記アルミニウム成形体が、アルミニウム多孔体であるアルミニウム成形体の製造方法、前記アルミニウム成形体が、アルミニウム線であるアルミニウム成形体の製造方法、
及び
前記アルミニウム成形体が、アルミニウム箔であるアルミニウム成形体の製造方法、も提供される。
Examples of the aluminum molded body include an aluminum porous body, an aluminum wire, and an aluminum foil (film). Therefore, in the present application, the first aspect described above,
A method for producing an aluminum molded body in which the aluminum molded body is an aluminum porous body; a method for producing an aluminum molded body in which the aluminum molded body is an aluminum wire;
And the manufacturing method of the aluminum molded object whose said aluminum molded object is aluminum foil is also provided.

アルミニウム多孔体、アルミニウム線、アルミニウム箔は、薄膜又は細い成形体であるため、電析(めっき)による製造に適した成形体である。又、これらの成形体には、充分な強度等の品質が安定的に求められる場合が多い。従って、第1の態様の発明をこれらの成形体の製造に適用することにより、充分な強度の成形体を安定的に得ることができるので、発明の効果を顕著に発揮することができる。   Since an aluminum porous body, an aluminum wire, and an aluminum foil are thin films or thin molded bodies, they are molded bodies suitable for production by electrodeposition (plating). Further, these molded products often require quality such as sufficient strength stably. Therefore, by applying the invention of the first aspect to the production of these molded articles, a molded article having sufficient strength can be stably obtained, so that the effects of the invention can be exhibited remarkably.

前記第2の態様は、
アルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析方法である。
The second aspect includes
In this aluminum analysis method, aluminum carbide in aluminum is quantified by X-ray diffraction (XRD) using the RIR method.

前記したように、X線回折(XRD)により、RIR法を用いることにより、迅速かつ正確にアルミニウム中の炭化アルミニウムを定量することができる。したがって、このアルミニウムの分析方法を、アルミニウムの製造工程に使用することにより、優れた品質のアルミニウムを得られるように製造条件を迅速に調製することができ、優れた品質のアルミニウムを安定的に得ることが可能となる。   As described above, aluminum carbide in aluminum can be quickly and accurately quantified by using the RIR method by X-ray diffraction (XRD). Therefore, by using this aluminum analysis method in an aluminum production process, production conditions can be quickly prepared so that excellent quality aluminum can be obtained, and excellent quality aluminum can be stably obtained. It becomes possible.

ここでX線回折(XRD)により、RIR法を用いる分析とは、アルミニウムのX線回折を測定し、得られた回折スペクトル中の、アルミニウムの各結晶格子に対応した回折ピーク及びアルミニウム中の不純物(炭化アルミニウム等)の各結晶格子に対応した回折ピークから、それぞれ所定のピーク(好ましくは最強のピーク又は強度の強い複数のピーク)を選び、アルミニウムの回析線強度に対する不純物の回析線強度の比により、アルミニウム中の不純物量を定量分析する方法である。アルミニウムとその不純物(炭化アルミニウム等)では、含有量が同質量であってもX線回折線の強度が異なるが、アルミニウムや各不純物のそれぞれのピークについて、同質量に対応する回折線の強度を予め求めておき、この同質量に対応する回折線の強度の比と、測定により得られた回折線の強度比から不純物の含有量を算出する。   Here, the analysis using the RIR method by X-ray diffraction (XRD) is to measure the X-ray diffraction of aluminum, and in the obtained diffraction spectrum, diffraction peaks corresponding to each crystal lattice of aluminum and impurities in the aluminum A predetermined peak (preferably the strongest peak or a plurality of strong peaks) is selected from the diffraction peaks corresponding to each crystal lattice of (aluminum carbide, etc.), and the diffraction line intensity of impurities relative to the diffraction line intensity of aluminum. This is a method for quantitatively analyzing the amount of impurities in aluminum based on the ratio. Although the intensity of X-ray diffraction lines differs between aluminum and its impurities (such as aluminum carbide) even if the content is the same mass, the intensity of the diffraction line corresponding to the same mass is different for each peak of aluminum and each impurity. The impurity content is calculated from the intensity ratio of diffraction lines corresponding to the same mass and the intensity ratio of diffraction lines obtained by measurement.

回折線の強度比の算出に使用する回折ピークとしては、アルミニウムについては最強のピークである111回析線を選択することが好ましく、かつ111回析線に対応する範囲のスペクトルの積分強度、具体的にはX線回折における2θが37〜40°の範囲における積分強度に基づき強度比を算出することが好ましい。炭化アルミニウムについては、通常含有量が小さく従って回析線の強度が小さいので、比較的強度の大きい101回析線、012回析線及び009回析線の3本を選択し、これらの回析線に対応する範囲のスペクトルの積分強度、具体的にはX線回折における2θが30〜33°の範囲における積分強度に基づき強度比を算出することが好ましい。そこで、本出願では、第2の態様であって、RIR法が、X線回折における2θが37〜40°の範囲における積分強度と、2θが30〜33°の範囲における積分強度の比に基づいて行われるアルミニウムの分析方法も提供される。   As the diffraction peak used for calculating the intensity ratio of diffraction lines, it is preferable to select the 111 diffraction line which is the strongest peak for aluminum, and the integrated intensity of the spectrum in the range corresponding to the 111 diffraction line, specifically Specifically, it is preferable to calculate the intensity ratio based on the integrated intensity in the range of 2θ in X-ray diffraction of 37 to 40 °. For aluminum carbide, the content is usually small and the intensity of the diffraction line is small, so the 101 diffraction line, 012 diffraction line, and 009 diffraction line with relatively high strength are selected and these diffraction lines are selected. It is preferable to calculate the intensity ratio based on the integrated intensity of the spectrum in the range corresponding to the line, specifically, the integrated intensity in the range where 2θ in X-ray diffraction is 30 to 33 °. Therefore, in the present application, in the second aspect, the RIR method is based on the ratio of the integrated intensity in the range of 2θ of 37 to 40 ° and the integrated intensity in the range of 2θ of 30 to 33 ° in X-ray diffraction. Also provided are methods for analyzing aluminum performed in

前記第3の態様は、
長尺の基体上にアルミニウムを連続的に電析するアルミニウムのめっきシステムであって、
アルミニウムの溶融塩を用いためっき液を収容するめっき液槽と
前記めっき液の温度を所定の温度に制御する温度制御装置と、
前記基体を、前記めっき液中を所定の速度で通過させる搬送装置と、
前記めっき液中を搬送中の基体上に、所定量のアルミニウムが電析するように通電するための電源部と、
電析されたアルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析部とを有し
前記分析部による定量結果に基づいて前記めっき液の組成の調整が行われるアルミニウムのめっきシステムである。
In the third aspect,
An aluminum plating system for continuously depositing aluminum on a long substrate,
A plating bath containing a plating solution using a molten salt of aluminum, a temperature control device for controlling the temperature of the plating solution to a predetermined temperature, and
A transport device for passing the substrate through the plating solution at a predetermined speed;
A power supply unit for energizing a predetermined amount of aluminum to be deposited on the substrate being transported in the plating solution;
An aluminum analysis unit that quantifies aluminum carbide in electrodeposited aluminum using an RIR method by X-ray diffraction (XRD), and adjustment of the composition of the plating solution based on the determination result by the analysis unit Is an aluminum plating system.

前記のようにアルミニウムめっき中の炭化アルミニウム量は、アルミニウムめっきの品質に大きな影響を与えるが、第3の態様のめっきシステムでは、アルミニウムめっき中の炭化アルミニウム量を、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量し(即ち、本発明の第二の態様により)、その結果に基づきめっき液の組成を迅速に好適な組成に調整する。従って、このめっきシステムによれば、不良品、特に脆い製品の発生を充分に防止し、安定した品質のめっき製品を連続的に供給することができる。よって、例えば、蓄電デバイスの電極材料に使用されるアルミニウム多孔体等の製造に好適に適用することができる。   As described above, the amount of aluminum carbide in the aluminum plating greatly affects the quality of the aluminum plating, but in the plating system of the third aspect, the amount of aluminum carbide in the aluminum plating is determined by X-ray diffraction (XRD). Quantification is performed using the RIR method (that is, according to the second aspect of the present invention), and the composition of the plating solution is rapidly adjusted to a suitable composition based on the result. Therefore, according to this plating system, generation | occurrence | production of inferior goods, especially a brittle product can fully be prevented, and the plating product of the stable quality can be supplied continuously. Therefore, for example, it can be suitably applied to the production of an aluminum porous body used for an electrode material of an electricity storage device.

次に本発明の実施の形態を、図等を参照しながらさらに具体的に説明するが、この実施の形態は本発明の範囲を限定するものではない。   Next, the embodiment of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings and the like. However, this embodiment does not limit the scope of the present invention.

1.アルミニウム成形体(アルミニウム多孔体)の製造
はじめに、第1の態様のアルミニウム成形体の製造方法を適用することができるアルミニウム多孔体の製造の一例を、図1A〜Cを参照しながら説明する。
1. Production of Aluminum Molded Body (Aluminum Porous Body) First, an example of production of an aluminum porous body to which the method for producing an aluminum molded body according to the first aspect can be applied will be described with reference to FIGS.

図1Aは、アルミニウム多孔体の基体となる発泡樹脂成形体の断面の一部を拡大して模式的に示す拡大模式図である。図中の1aは発泡樹脂成形体からなる基体1を構成する樹脂を表すが、図に示されるように樹脂1aは気泡を形成しており、基体1となる発泡樹脂成形体は連通気孔を有し三次元網目構造である。アルミニウム多孔体の製造においては、この三次元網目構造の基体1上にアルミニウムが電析されめっき層が形成される。   FIG. 1A is an enlarged schematic view schematically showing an enlarged part of a cross section of a foamed resin molded body serving as a base of an aluminum porous body. In the figure, 1a represents a resin constituting the base body 1 made of a foamed resin molded body. However, as shown in the figure, the resin 1a forms bubbles, and the foamed resin molded body to be the base body 1 has continuous air holes. It has a three-dimensional network structure. In the production of the aluminum porous body, aluminum is electrodeposited on the substrate 1 having the three-dimensional network structure to form a plating layer.

図1Bは、基体1(樹脂1a)の表面上にアルミニウムめっき層2が形成された状態を模式的に示す拡大模式図である。めっき層2の形成後、基体1を熱処理等により除去すると、アルミニウムのめっき層2からなるアルミニウム多孔体3が得られる。図1Cはこのようにして製造されたアルミニウム多孔体3の断面の一部を模式的に示す拡大模式図である。以下、工程毎に説明する。   FIG. 1B is an enlarged schematic view schematically showing a state in which the aluminum plating layer 2 is formed on the surface of the substrate 1 (resin 1a). When the substrate 1 is removed by heat treatment or the like after the formation of the plating layer 2, the aluminum porous body 3 made of the aluminum plating layer 2 is obtained. FIG. 1C is an enlarged schematic view schematically showing a part of a cross section of the aluminum porous body 3 manufactured in this way. Hereinafter, it demonstrates for every process.

(1)基体1
基体1は、三次元網目構造を有し連続した気孔(連通気孔)を有する発泡樹脂成形体である。その形状やセル径、気孔率等は、製品の用途等に応じて好適なものが選択され、特に限定されない。基体1としては、ポリウレタン、メラミン、ポリプロピレン、ポリエチレン等の発泡樹脂成形体が好ましく用いられる。例えば、キャパシタやリチウムイオン電池等の蓄電デバイスの電極材料製造用としては、気孔率80〜98%でセル径50〜500μmの発泡ウレタン樹脂成形体が好適である。また、不織布等も使用可能である。
(1) Base 1
The substrate 1 is a foamed resin molded body having a three-dimensional network structure and continuous pores (continuous vent holes). The shape, cell diameter, porosity, and the like are not particularly limited, and are selected according to the use of the product. As the substrate 1, a foamed resin molded body such as polyurethane, melamine, polypropylene, and polyethylene is preferably used. For example, a foamed urethane resin molded article having a porosity of 80 to 98% and a cell diameter of 50 to 500 μm is suitable for manufacturing electrode materials for power storage devices such as capacitors and lithium ion batteries. Moreover, a nonwoven fabric etc. can also be used.

(2)アルミニウムめっき工程
発泡樹脂成形体からなる基体1は、導電性を有しないのでそのままではその表面に電析(電解めっき)をすることはできない。そこで、アルミニウムの電析(電解めっき)を行うために、基体1の表面の導電化処理が行われる。処理方法としては、発泡樹脂の表面に導電性を有する層を設けることができる処理である限り特に制限はない。例えば、ニッケル等の導電性金属の無電解めっき、アルミニウム等の蒸着及びスパッタ、カーボン等の導電性粒子を含有した導電性塗料の塗布等の方法を挙げることができる。
(2) Aluminum plating step Since the base body 1 made of a foamed resin molded body does not have conductivity, it cannot be electrodeposited (electrolytic plating) on its surface as it is. Therefore, in order to perform electrodeposition (electrolytic plating) of aluminum, the surface of the substrate 1 is subjected to a conductive treatment. The treatment method is not particularly limited as long as the treatment can provide a conductive layer on the surface of the foamed resin. Examples thereof include electroless plating of a conductive metal such as nickel, vapor deposition and sputtering of aluminum, and application of a conductive paint containing conductive particles such as carbon.

導電化処理後、アルミニウムの電析(電解めっき)を行い、基体1上にアルミニウムめっき層2を形成する。具体的には、基体1を陰極としアルミニウムを陽極として溶融塩中で直流電圧を印加して通電する。陽極のアルミニウムとしては、例えば、純度99.0%のアルミニウムを用いることができる。   After the conductive treatment, aluminum electrodeposition (electrolytic plating) is performed to form an aluminum plating layer 2 on the substrate 1. Specifically, the substrate 1 is used as a cathode and aluminum is used as an anode, and a direct current voltage is applied in a molten salt to conduct electricity. As the anode aluminum, for example, aluminum having a purity of 99.0% can be used.

めっき液には溶融塩が用いられる。溶融塩としては、有機系ハロゲン化物とアルミニウムハロゲン化物の共晶塩である有機系溶融塩、アルカリ金属ハロゲン化物とアルミニウムハロゲン化物の共晶塩である無機系溶融塩等を挙げることができる。比較的低温で溶融する有機系溶融塩(イオン液体)を使用すると、基体1の発泡樹脂成形体を分解することなく電解めっきができるため好ましい。   A molten salt is used for the plating solution. Examples of the molten salt include an organic molten salt that is a eutectic salt of an organic halide and an aluminum halide, an inorganic molten salt that is a eutectic salt of an alkali metal halide and an aluminum halide, and the like. Use of an organic molten salt (ionic liquid) that melts at a relatively low temperature is preferable because electroplating can be performed without decomposing the foamed resin molded body of the substrate 1.

有機系溶融塩を構成する有機系ハロゲン化物としては、イミダゾリウム塩、ピリジニウム塩等が使用でき、具体的にはエチルメチルイミダゾリウムクロライド(EMIC)、ブチルピリジニウムクロライド(BPC)が好ましく用いられる。中でも1,3位にアルキル基を持つイミダゾリウムカチオンを含む塩(1−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド等)が好ましく用いられる。   As the organic halide constituting the organic molten salt, an imidazolium salt, a pyridinium salt, or the like can be used. Specifically, ethylmethylimidazolium chloride (EMIC) or butylpyridinium chloride (BPC) is preferably used. Of these, a salt containing an imidazolium cation having an alkyl group at the 1,3-position (1-ethyl-3-methylimidazolium chloride or the like) is preferably used.

溶融塩としては、特に塩化アルミニウムと1−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライドからなる有機系溶融塩(AlCl+EMIC系溶融塩)が、安定性が高く分解し難いことから特に好ましく用いられる。又、塩化アルミニウムと塩化リチウム(LiCl)、塩化カリウム(KCl)及び塩化ナトリウム(NaCl)からなる群より選択される塩を混合して融点を下げた共晶溶融塩が好適である。 As the molten salt, an organic molten salt (AlCl 3 + EMIC molten salt) composed of aluminum chloride and 1-ethyl-3-methylimidazolium chloride is particularly preferably used because it is highly stable and difficult to decompose. Further, a eutectic molten salt in which a salt selected from the group consisting of aluminum chloride and lithium chloride (LiCl), potassium chloride (KCl) and sodium chloride (NaCl) is mixed to lower the melting point is preferable.

又、AlCl+EMIC系溶融塩を用いる場合、AlCl:EMICのモル比が2:1であるめっき液が、めっきに寄与するAlCl の濃度が最大となるので好ましく用いられる。また、平滑な膜状のアルミニウムめっき層2を形成するため、めっき液にキシレン、ベンゼン、トルエン、1,10−フェナントロリン(フェナントロリン)等の有機添加剤を加えてもよい。特に三次元網目構造を備えた樹脂多孔体からなる基体1上にアルミニウムめっきを施す場合は、めっき液にフェナントロリンを添加することにより、アルミニウム骨格が折れにくくなり、均一な厚さを有するアルミニウムめっき層2を形成できるため好ましい。 In the case of using AlCl 3 + EMIC molten salt, a plating solution having an AlCl 3 : EMIC molar ratio of 2: 1 is preferably used because the concentration of Al 2 Cl 7 contributing to plating is maximized. Further, in order to form a smooth film-like aluminum plating layer 2, an organic additive such as xylene, benzene, toluene, 1,10-phenanthroline (phenanthroline) may be added to the plating solution. In particular, when aluminum plating is performed on the substrate 1 made of a porous resin body having a three-dimensional network structure, an aluminum plating layer having a uniform thickness is obtained by adding phenanthroline to the plating solution so that the aluminum skeleton is not easily broken. 2 is preferable.

一方、めっき液中のフェナントロリン等の有機添加剤が過剰の場合にはアルミニウムめっき層2に取り込まれる有機添加剤の量が多くなる。そして、基体1を除去するための熱処理を行う場合は、その過程で炭化アルミニウム(Al)が粒界析出し、その結果アルミニウムめっき層2が脆くなる。例えば、有機添加剤がフェナントロリンの場合にはめっき液中の好ましい濃度範囲は0.25〜7g/Lである。 On the other hand, when the organic additive such as phenanthroline in the plating solution is excessive, the amount of the organic additive taken into the aluminum plating layer 2 increases. Then, when the heat treatment is performed to remove the substrate 1, in the process of aluminum carbide (Al 4 C 3) is grain boundary precipitation, resulting aluminum layer 2 becomes fragile. For example, when the organic additive is phenanthroline, the preferable concentration range in the plating solution is 0.25 to 7 g / L.

(3)めっき条件の調整
前記のように、優れた品質のアルミニウムめっき層2を安定的に得るためには、めっき液中の有機添加剤の量等のめっき条件を好適な範囲に保つことが望まれるので、めっき条件の管理、調整が行われる。本実施の形態では、後記「2.アルミニウムめっき層中の炭化アルミニウムの定量」に記載するように、アルミニウムめっき層2中の炭化アルミニウムの含有量をXRDによりRIR法を用いて(即ち第二の態様の分析方法により)定量しており迅速な定量が可能になっている。そしてその迅速な定量の結果、有機添加剤の濃度の適否を迅速に判定して管理、調整することができ、優れた品質のアルミニウムめっき層2を安定的に得ることができる。
(3) Adjustment of plating conditions As described above, in order to stably obtain an aluminum plating layer 2 of excellent quality, it is necessary to keep the plating conditions such as the amount of the organic additive in the plating solution within a suitable range. As desired, the plating conditions are managed and adjusted. In the present embodiment, as described later in “2. Determination of aluminum carbide in the aluminum plating layer”, the content of aluminum carbide in the aluminum plating layer 2 is determined by XRD using the RIR method (that is, the second Quantitative analysis (by the analysis method of the embodiment) enables rapid quantification. As a result of the rapid determination, the suitability of the concentration of the organic additive can be quickly determined and managed and adjusted, and the aluminum plating layer 2 having excellent quality can be stably obtained.

有機添加剤の濃度の調整方法として、有機添加剤が過剰である場合には、空電解と呼ばれるダミー材にめっきを行うことで有機添加剤を消耗させる、活性炭等の吸着剤を用いて吸着除去する等の方法を挙げることができる。一方、不足している場合には有機添加剤を補給することにより有機添加剤の濃度を好適な濃度範囲に維持することができる。   As a method of adjusting the concentration of the organic additive, if the organic additive is excessive, adsorption removal using an adsorbent such as activated carbon that consumes the organic additive by plating on a dummy material called empty electrolysis The method of doing etc. can be mentioned. On the other hand, when the amount is insufficient, the concentration of the organic additive can be maintained within a suitable concentration range by replenishing the organic additive.

めっき液に有機系溶融塩を用いた場合、めっき液の温度は10℃から60℃が好ましく、より好ましくは25℃から45℃である。低温になる程めっき可能な電流密度範囲が狭くなり、多孔体表面全体へのアルミニウムの電析が難しくなる。一方、60℃を超える高温では基材樹脂の形状が損なわれる不具合が生じやすい。また、溶融塩中に水分や酸素が混入すると溶融塩が劣化する。そこで、アルミニウムの電析は、窒素、アルゴン等の不活性ガス、且つ露天が−30℃以下のドライな雰囲気下で行うことが好ましい。   When an organic molten salt is used for the plating solution, the temperature of the plating solution is preferably 10 ° C to 60 ° C, more preferably 25 ° C to 45 ° C. The lower the temperature, the narrower the current density range that can be plated, and the more difficult it is to deposit aluminum on the entire surface of the porous body. On the other hand, at a high temperature exceeding 60 ° C., a problem that the shape of the base resin is impaired tends to occur. Further, when moisture or oxygen is mixed in the molten salt, the molten salt deteriorates. Therefore, it is preferable to perform the electrodeposition of aluminum in a dry atmosphere with an inert gas such as nitrogen or argon and an outdoor temperature of −30 ° C. or lower.

(4)基体の除去
用途によっては、発泡樹脂成形体からなる基体1とアルミニウムめっきの複合体のままで使用されるが、通常、使用環境の制約等から、基体1は除去され樹脂が無いアルミニウム多孔体が作製される。基体1の除去方法としては、基体1が分解する温度まで加熱して熱処理により除去する方法を挙げることができる。具体的には、アルミニウムが酸化されないように、溶融塩中での熱分解により基体1を除去する方法を挙げることができる。
(4) Substrate removal Depending on the application, it is used as it is as a composite of the base 1 made of a foamed resin molded product and an aluminum plating. Usually, however, the base 1 is removed and aluminum without resin due to restrictions on the use environment. A porous body is produced. Examples of the method for removing the substrate 1 include a method of heating to a temperature at which the substrate 1 is decomposed and removing it by heat treatment. Specifically, a method of removing the substrate 1 by thermal decomposition in a molten salt so that aluminum is not oxidized can be mentioned.

即ち、アルミニウムめっき層2を形成した基体1を溶融塩に浸漬し、アルミニウム層に負電位(アルミニウムの標準電極電位より卑な電位)を印加しながら、発泡樹脂成形体が分解する温度まで加熱する。樹脂が分解して除去されることにより、図1Cで示すようなアルミニウム多孔体3が得られる。   That is, the substrate 1 on which the aluminum plating layer 2 is formed is immersed in a molten salt and heated to a temperature at which the foamed resin molded body is decomposed while applying a negative potential (potential lower than the standard electrode potential of aluminum) to the aluminum layer. . By decomposing and removing the resin, a porous aluminum body 3 as shown in FIG. 1C is obtained.

加熱温度は発泡樹脂成形体の種類に合わせて適宜選択される。例えば、基体1の材質がウレタンである場合には500℃以上600℃以下が好ましい。   The heating temperature is appropriately selected according to the type of the foamed resin molded body. For example, when the material of the substrate 1 is urethane, the temperature is preferably 500 ° C. or higher and 600 ° C. or lower.

以上、アルミニウム多孔体を例に採ってアルミニウム成形体の製造方法を説明したが、基体1の形状を他の形状に変えることにより、アルミニウム多孔体の場合と同様の方法で、アルミニウム線、アルミニウム箔(膜)等を製造することができる。即ち、アルミニウム線の製造の場合は線状の基体を用い、アルミニウム箔(膜)の製造の場合は膜状の基体を用い、前記アルミニウム多孔体の場合と同様な方法によりアルミニウムめっきを基体上に施し、めっき形成後基体を除去することにより、アルミニウム線、アルミニウム箔(膜)を製造することができる。   The method for producing an aluminum molded body has been described above by taking the aluminum porous body as an example. By changing the shape of the substrate 1 to another shape, the aluminum wire and the aluminum foil can be obtained in the same manner as in the case of the aluminum porous body. (Membrane) etc. can be manufactured. That is, in the case of manufacturing an aluminum wire, a linear substrate is used, and in the case of manufacturing an aluminum foil (film), a film-shaped substrate is used, and aluminum plating is performed on the substrate by the same method as in the case of the aluminum porous body. By applying and removing the substrate after forming the plating, an aluminum wire and an aluminum foil (film) can be manufactured.

2.アルミニウムめっき層中の炭化アルミニウムの定量
次に、アルミニウムめっき層中の炭化アルミニウム(Al)の定量方法について説明する。定量は、前記したようにX線回折(XRD)により、RIR法を用いて行う。RIR法では、アルミニウムについては、好ましくは、111回折線が選択され、Alについては、好ましくは、101、012、009の3本の回折線が選択される。
2. Next, a method for quantifying aluminum carbide (Al 4 C 3 ) in the aluminum plating layer will be described. Quantification is performed using the RIR method by X-ray diffraction (XRD) as described above. In the RIR method, 111 diffraction lines are preferably selected for aluminum, and three diffraction lines 101, 012 and 009 are preferably selected for Al 4 C 3 .

アルミニウム及びAlの各回析線については、それぞれRIR値(I/Ic:その物質とコランダム(Al)を1:1の質量比で混合したときその物質の各回析線の強度Iとコランダムの回析線の強度Icの比)が求められており、これらの値は、ICDDカードに記載されており公知である。そこで、アルミニウムやAlのそれぞれのアルミニウムめっき層中の含有量をWiとし、各回折線のピーク強度をIiとし、その回析線のRIR値をRiとすれば次の関係式が成り立つ。
Wi ∝ Ii/Ri
For each diffraction line of aluminum and Al 4 C 3 , when the RIR value (I / Ic: the substance and corundum (Al 2 O 3 ) is mixed at a mass ratio of 1: 1, the intensity of each diffraction line of the substance (The ratio of the intensity Ic of the I and corundum diffraction lines), and these values are known on the ICDD card. Therefore, if the content of aluminum or Al 4 C 3 in each aluminum plating layer is Wi, the peak intensity of each diffraction line is Ii, and the RIR value of the diffraction line is Ri, the following relational expression is established. .
Wi ∝ Ii / Ri

そこで、アルミニウムについてX線回折(XRD)を行い、得られた回折スペクトルにおけるアルミニウムの回析線(111回折線)の強度とAlの回析線(101、012、009の3本の回折線)の強度の比より、アルミニウム中に含まれるAlの量を算出することができる。 Therefore, X-ray diffraction (XRD) was performed on aluminum, and the intensity of the diffraction line of aluminum (111 diffraction line) and the diffraction line of Al 4 C 3 (101, 012, 009) in the obtained diffraction spectrum. The amount of Al 4 C 3 contained in the aluminum can be calculated from the intensity ratio of the diffraction lines.

アルミニウムの111回折線は、最強のピークであるので強度比の算出に選択される。この回折線は、X線回折(XRD)の2θが38.6°付近にそのピークがあるが、強度比の算出をより正確にするため、2θが37°〜40°の間のスペクトルの積分強度を強度比の算出に使用する。   Since the 111 diffraction line of aluminum is the strongest peak, it is selected for calculation of the intensity ratio. This diffraction line has a peak when 2θ of X-ray diffraction (XRD) is around 38.6 °, but in order to make the calculation of the intensity ratio more accurate, the integration of the spectrum between 2θ and 37 ° to 40 °. Intensity is used to calculate the intensity ratio.

Alは微量であるのでその回折線強度は、アルミニウムの回折線に比べて非常に弱い。そこで、Alの回折線の中では比較的強度が大きくかつ近接した位置にピークがある101、012、009の3本の回折線を強度比の算出に選択する。具体的には、101、012、009の3本の回折線が存在する2θが30°〜33°の間のスペクトルの積分強度を強度比の算出に使用する。又、弱いピーク強度(回析強度)を正確に測定するため、アルミニウムの場合より長時間かけて測定することが好ましい。このようにX線回折(XRD)の測定範囲は、2θが30°〜33°の間及び37°〜40°の間のみでよい。測定範囲を限定することにより迅速な定量が可能になる。 Since Al 4 C 3 is a trace amount, its diffraction line intensity is very weak compared to that of aluminum. Accordingly, among the diffraction lines of Al 4 C 3 , three diffraction lines 101, 012, and 009 having relatively high intensity and peaks at close positions are selected for calculation of the intensity ratio. Specifically, the integrated intensity of the spectrum in which 2θ, in which three diffraction lines 101, 012 and 009 exist, is between 30 ° and 33 ° is used for calculation of the intensity ratio. Further, in order to accurately measure the weak peak intensity (diffraction intensity), it is preferable to measure over a longer time than in the case of aluminum. Thus, the X-ray diffraction (XRD) measurement range need only be between 2θ between 30 ° and 33 ° and between 37 ° and 40 °. Rapid quantification is possible by limiting the measurement range.

図2〜4は、アルミニウム多孔体(住友電工社製:アルミセルメット)のX線回折(XRD)スペクトルの具体例を示す。図2は、広角測定のXRDチャート(X線回折スペクトル)である。図2の横軸は回折角(2θ)、縦軸は回折強度(cps:カウント/秒)である。なおこの広角測定は、X線にはCu−Ka線を用い、測定条件:2θ=10°〜80°、ステップ幅=0.03°、Time/step=1sで行った。Alは微量であるため図2(の白抜き矢印)が示すように回折線が小さく、この測定結果よりは解析できない。 2 to 4 show specific examples of X-ray diffraction (XRD) spectra of a porous aluminum body (manufactured by Sumitomo Electric: Aluminum Celmet). FIG. 2 is an XRD chart (X-ray diffraction spectrum) of wide angle measurement. The horizontal axis in FIG. 2 is the diffraction angle (2θ), and the vertical axis is the diffraction intensity (cps: count / second). This wide-angle measurement was performed using Cu-Ka line as the X-ray, and measurement conditions: 2θ = 10 ° to 80 °, step width = 0.03 °, and Time / step = 1 s. Since Al 4 C 3 is a very small amount, the diffraction line is small as shown in FIG.

図4は、2θの範囲を、Alの101、012、009回折線が存在する30°〜33°に絞り、また、Time/step=40sとステップ毎の測定時間(積算時間)を長くして測定したXRDチャート(X線回折スペクトル)である。この測定結果より2θが30°〜33°の積分強度を求めAl積分強度(ピーク強度)とする。 In FIG. 4, the range of 2θ is narrowed to 30 ° to 33 ° where Al 4 C 3 101, 012 and 009 diffraction lines exist, and Time / step = 40 s and the measurement time (integrated time) for each step. It is the XRD chart (X-ray diffraction spectrum) measured by lengthening. From this measurement result, an integrated intensity of 2θ of 30 ° to 33 ° is obtained and set as Al 4 C 3 integrated intensity (peak intensity).

図3は、アルミニウムの111回折線が存在する2θが37°〜40°の範囲を、Time/step=5sとステップ毎の測定時間を前記のAlのときの1/8にして測定したXRDチャート(X線回折スペクトル)である。この測定結果より2θが37°〜40°の積分強度を求めアルミニウム積分強度(ピーク強度)とする。 FIG. 3 shows a case where 2θ in which 111 diffraction lines of aluminum exist is in the range of 37 ° to 40 °, and Time / step = 5 s and the measurement time for each step is set to 1/8 of the above Al 4 C 3. Is an XRD chart (X-ray diffraction spectrum). From this measurement result, the integrated intensity of 2θ of 37 ° to 40 ° is obtained and set as the aluminum integrated intensity (peak intensity).

次に、前記で得られたアルミニウム積分強度及びAl積分強度に基づいて行うアルミニウム中のAlの定量値(含有量)の算出について説明する。先ず、次の式により、アルミニウム回折線補正値及びAl回折線補正値を算出する。 Next, calculation of the quantitative value (content) of Al 4 C 3 in aluminum performed based on the aluminum integrated intensity and Al 4 C 3 integrated intensity obtained above will be described. First, an aluminum diffraction line correction value and an Al 4 C 3 diffraction line correction value are calculated by the following equations.

アルミニウム回折線補正値=アルミニウム積分強度×8/4.3
(ここで、4.3はICDDカードに記載されているアルミニウムの111回析線のRIR値である。8は測定時間補正値である。即ち、アルミニウムのステップ毎の測定時間がAlの1/8であることを補正するため8倍される。)
Al 回折線補正値=
Al積分強度×{100/(46.5+97.1+8.3)}/1.03
(ここで、1.03はICDDカードに記載されているAlの111回析線のRIR値である。又、46.5、97.1、8.3は、それぞれ、ICDDカードに記載されているAlの111回析線の強度を100としたときの、101、012、009回析線の相対強度である。)
Aluminum diffraction line correction value = aluminum integrated intensity × 8 / 4.3
(Here, 4.3 is the RIR value of the 111 diffraction line of aluminum described in the ICDD card. 8 is the measurement time correction value. That is, the measurement time for each step of aluminum is Al 4 C 3. (It is multiplied by 8 to correct 1/8 of.)
Al 4 C 3 diffraction line correction value =
Al integrated intensity × {100 / (46.5 + 97.1 + 8.3)} / 1.03
(Here, 1.03 is the RIR value of the 111 diffraction line of Al 4 C 3 described on the ICDD card. Also, 46.5, 97.1, and 8.3 are the ICDD card, respectively. (The relative intensity of 101, 012 and 009 diffraction lines when the intensity of the 111 diffraction lines of Al 4 C 3 described is 100.)

このようにして得られたアルミニウム回折線補正値及びAl 回折線補正値より、次の式によりアルミニウム中のAlの定量値(含有量)が算出される。
Alの定量値(含有量)=Al 回折線補正値/アルミニウム回折線補正値
From the aluminum diffraction line correction value and the Al 4 C 3 diffraction line correction value thus obtained, a quantitative value (content) of Al 4 C 3 in aluminum is calculated by the following formula.
Quantitative values of Al 4 C 3 (content) = Al 4 C 3 diffraction line correction value / aluminum diffraction correction value

3.アルミニウムのめっきシステム
次に、第3の態様のアルミニウムのめっきシステムについて説明する。図5は、第3の態様のアルミニウムのめっきシステムの一例を示す模式図である。
3. Aluminum Plating System Next, the aluminum plating system of the third aspect will be described. FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the aluminum plating system according to the third embodiment.

このアルミニウムのめっきシステムでは、めっき液としてアルミニウムの溶融塩が用いられ、めっき液槽に収容されている。図5中の4はめっき液槽であり、5はめっき液である。アルミニウムの溶融塩としては、フェナントロリン等の有機添加剤を含有する有機系溶融塩が用いられる。   In this aluminum plating system, a molten salt of aluminum is used as a plating solution, and is stored in a plating solution tank. In FIG. 5, 4 is a plating solution tank, and 5 is a plating solution. As the molten salt of aluminum, an organic molten salt containing an organic additive such as phenanthroline is used.

めっき工程中は、温度制御装置によりめっき液は所定の温度に制御される。例えば、めっき液槽中に又はめっき液槽に隣接して、めっき液槽中のめっき液を加熱又は冷却する機能を有する温度制御装置が設けられる。図5中の6は温度制御装置である。温度制御装置6は、めっき液槽4中(めっき液5中)に設けられてめっき液5を加熱又は冷却する。   During the plating process, the plating solution is controlled to a predetermined temperature by the temperature control device. For example, a temperature control device having a function of heating or cooling the plating solution in the plating solution tank is provided in or adjacent to the plating solution tank. Reference numeral 6 in FIG. 5 denotes a temperature control device. The temperature control device 6 is provided in the plating solution tank 4 (in the plating solution 5) and heats or cools the plating solution 5.

このアルミニウムのめっきシステムでは、長尺の基体を、めっき液槽中のめっき液に通すとともに、長尺の基体及びめっき液間に通電して、長尺の基体上にアルミニウムを連続的に電解めっき(電析)する。長尺の基体は、例えば帯状の樹脂成形体又は帯状の発泡樹脂成形体であるが、樹脂のような非導電体からなる場合は、予めその表面に導電化処理が施され通電可能にされている。図5中の7は帯状、シート状の発泡ウレタン樹脂成形体からなり、表面が導電化処理されている長尺の基体である。   In this aluminum plating system, a long substrate is passed through a plating solution in a plating solution tank, and an electric current is applied between the long substrate and the plating solution so that aluminum is continuously electroplated on the long substrate. (Electrodeposition). The long base is, for example, a strip-shaped resin molded body or a strip-shaped foamed resin molded body. However, when the base is made of a non-conductive material such as a resin, the surface is preliminarily subjected to a conductive treatment to enable energization. Yes. Reference numeral 7 in FIG. 5 denotes a long base made of a foamed urethane resin molded body having a band shape or a sheet shape, and having a surface subjected to a conductive treatment.

長尺の基体は、基体の搬送装置により所定の速度で搬送されめっき液槽中のめっき液を通過する。基体の搬送装置は、長尺の基体を巻き出す巻き出し装置、アルミニウムめっきされた基体を巻き取る巻き取り装置、及びめっき液槽中のめっき液に長尺の基体を通過させるためのローラ等からなる。図5中の8は巻き出し装置、9は巻き取り装置、及び10はローラである。   The long substrate is transported at a predetermined speed by the substrate transport device and passes through the plating solution in the plating solution tank. The substrate transport device includes an unwinding device for unwinding the long substrate, a winding device for winding the aluminum-plated substrate, and a roller for passing the long substrate through the plating solution in the plating solution tank. Become. In FIG. 5, 8 is an unwinding device, 9 is a winding device, and 10 is a roller.

図5中の11は、陰極であり長尺の基体7に接触している。図5中の12は、アルミニウム板からなる陽極であり、めっき液5中に浸漬され、所定の間隔で長尺の基体7に対向するように配置されている。陰極11と陽極12間に電圧を印加して通電することにより、アルミニウムが基体上に電析してめっきがされる。図5中の13は、陰極11と陽極12間に電圧を印加するための直流電源である。直流電源13及び陰極11、陽極12により、アルミニウムのめっきシステムの電源部が構成される。アルミニウムのめっきシステムのめっき液槽及びその周辺の装置は、不活性且つドライな雰囲気にできる密閉空間内に配置されていることが好ましい。   Reference numeral 11 in FIG. 5 denotes a cathode which is in contact with the long base 7. Reference numeral 12 in FIG. 5 denotes an anode made of an aluminum plate, which is immersed in the plating solution 5 and arranged to face the long substrate 7 at a predetermined interval. When a voltage is applied between the cathode 11 and the anode 12 and energized, aluminum is electrodeposited on the substrate to be plated. Reference numeral 13 in FIG. 5 denotes a DC power source for applying a voltage between the cathode 11 and the anode 12. The DC power supply 13, the cathode 11, and the anode 12 constitute a power supply unit for an aluminum plating system. It is preferable that the plating bath of the aluminum plating system and its peripheral devices are disposed in a sealed space that can be in an inert and dry atmosphere.

アルミニウムのめっきシステムの分析部は、XRD装置とXRD測定データの解析装置を備えている。図5中の14はXRD装置であり、めっき液槽4から搬出された直後の長尺の基体7上に電析したアルミニウムに、X線を照射してX線回析が測定できる位置に設けられている。XRD装置14により得られたXRDデータは、解析装置15により直ちに解析(データ処理)されアルミニウムめっき層中のAl含有量が算出される。 The analysis unit of the aluminum plating system includes an XRD device and an XRD measurement data analysis device. Reference numeral 14 in FIG. 5 denotes an XRD apparatus, which is provided at a position where X-ray diffraction can be measured by irradiating X-rays on aluminum deposited on the long base 7 immediately after being taken out of the plating bath 4. It has been. The XRD data obtained by the XRD device 14 is immediately analyzed (data processing) by the analysis device 15 to calculate the Al 4 C 3 content in the aluminum plating layer.

算出されたAl含有量は、めっき液組成等のめっき条件の調整部(図示していない)にフィードバックされ、優れた品質のアルミニウムのめっきが得られるようにめっき条件の調整が行われる。調整部では、Al含有量の定量結果に基づいて、有機添加剤が過剰と判定された場合は、例えば空電解を行う、めっき液へ吸着剤を添加して有機添加剤を吸着する等を行い有機添加剤の濃度を減少させる。一方、有機添加剤が不足と判定された場合は、有機添加剤を補給して所定の濃度になるように調製される。 The calculated Al 4 C 3 content is fed back to a plating condition adjusting section (not shown) such as a plating solution composition, and the plating conditions are adjusted so that excellent quality aluminum plating can be obtained. . In the adjustment unit, when it is determined that the organic additive is excessive based on the quantification result of the Al 4 C 3 content, for example, air electrolysis is performed, and the adsorbent is added to the plating solution to adsorb the organic additive. Etc. to reduce the concentration of the organic additive. On the other hand, when it is determined that the organic additive is insufficient, the organic additive is replenished and adjusted to a predetermined concentration.

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、実施例は例示であり本発明の範囲を限定するものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention more concretely, an Example is an illustration and does not limit the scope of the present invention.

基体として導電化処理した厚み2mm、気孔率98%の発泡ウレタン樹脂成形体を用いた。めっき液としては、AlClとEMICをモル比で2:1の比率で含み、フェナントロリンを0.5g/Lで含むイオン液体を用いた。連続的にアルミニウムめっきを行った後、大気中で600℃、30分の加熱処理により基体を除去してアルミニウム多孔体を製造した。 A foamed urethane resin molded article having a thickness of 2 mm and a porosity of 98% was used as the substrate. As the plating solution, an ionic liquid containing AlCl 3 and EMIC at a molar ratio of 2: 1 and phenanthroline at 0.5 g / L was used. After continuously performing aluminum plating, the substrate was removed by heat treatment at 600 ° C. for 30 minutes in the air to produce a porous aluminum body.

同様な条件でのアルミニウム多孔体の製造を4回行った。それぞれの製品について、XRDによりRIR法を用いてアルミニウム中のAlの定量分析を行い、定量値を得た。各回の結果を、表1の定量値の欄に示す。 The production of the aluminum porous body under the same conditions was performed 4 times. For each product, performs a quantitative analysis of Al 4 C 3 in aluminum using the RIR method by XRD, was obtained a quantitative value. The results of each round are shown in the column of quantitative values in Table 1.

また、製品をはさみで切断したときに崩れるかどうかを調べ脆さを判定した。はさみで切断したときに容易に崩れるものを不良、崩れないものを良品とした。各回の結果を表1のAlめっき層の品質の欄に示す。   In addition, the brittleness was judged by examining whether the product collapsed when cut with scissors. Those that were easily broken when cut with scissors were considered defective, and those that did not collapse were considered good. The results of each round are shown in the column of the quality of the Al plating layer in Table 1.

XRD装置による測定条件は以下の通りとした。
・使用X線 :Cu−Ka線ラインフォーカス
・励起条件 :45kV、40mA
・入射光学系 :ミラー
・スリット :1/4
・マスク :10mm
・試料台 :オープンユーレリアンクレイドル
・受光光学系 :平板コリメータ0.27
・走査方法 :θ―2θスキャン
・測定範囲
AlClの101、012、009の回折線:
2θ=30°〜33°、ステップ幅 0.04°、積算時間 40sec、
アルミニウム111の回折線:
2θ=37°〜40°、ステップ幅 0.04°、積算時間 5sec、
The measurement conditions with the XRD apparatus were as follows.
・ X-ray used: Cu-Ka line focus ・ Excitation conditions: 45 kV, 40 mA
-Incident optical system: Mirror / slit: 1/4
・ Mask: 10mm
・ Sample stage: Open Eurelian cradle ・ Light receiving optical system: Flat collimator 0.27
Scanning method: θ-2θ scan Measurement range AlCl 3 diffraction lines 101, 012 and 009:
2θ = 30 ° to 33 °, step width 0.04 °, integration time 40 sec,
Diffraction line of aluminum 111:
2θ = 37 ° -40 °, step width 0.04 °, integration time 5 sec,

Figure 2014235815
Figure 2014235815

表1よりAlの定量値が低い場合は良品であり、高い場合は不良またはやや不良であることが分かる。この結果より、XRDによりRIR法を用いたAlの定量により、アルミニウムめっき層の品質の良否、及びやや不良という品質低下の兆候をもデータとして迅速に入手できること、この定量分析方法を用いればめっき液中の有機添加剤の濃度を迅速かつ正確に調製できることが示されている。 From Table 1, it can be seen that when the quantitative value of Al 4 C 3 is low, it is a non-defective product, and when it is high, it is defective or slightly defective. From this result, the quantitative analysis of Al 4 C 3 using the RIR method by XRD makes it possible to quickly obtain data indicating the quality deterioration of the aluminum plating layer and the sign of poor quality as somewhat poor, and this quantitative analysis method can be used. It has been shown that the concentration of organic additives in the plating solution can be quickly and accurately prepared.

以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は前記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、前記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment, this invention is not limited to the said embodiment. Various modifications can be made to the above-described embodiment within the same and equivalent scope as the present invention.

1 基体
2 アルミニウムめっき層
3 アルミニウム多孔体
4 めっき液槽
5 めっき液
6 温度制御装置
7 長尺の基体
8 巻き出し装置
9 巻き取り装置
10 ローラ
11 陰極
12 陽極
13 直流電源
14 XRD装置
15 解析装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Aluminum plating layer 3 Aluminum porous body 4 Plating solution tank 5 Plating solution 6 Temperature control device 7 Long substrate 8 Unwinding device 9 Winding device 10 Roller 11 Cathode 12 Anode 13 DC power supply 14 XRD device 15 Analysis device

Claims (7)

アルミニウムをめっき液中で基体上に電析させるめっき工程を有するアルミニウム成形体の製造方法であって、
前記めっき工程が、
前記基体上に電析されたアルミニウム中に含まれる炭化アルミニウムを、X線回折によりRIR法を用いて定量する分析工程と、
前記炭化アルミニウムを定量した値に基づいて、前記めっき液の組成を調整するめっき
液調整工程と、を有するアルミニウム成形体の製造方法。
A method for producing an aluminum molded body having a plating step of depositing aluminum on a substrate in a plating solution,
The plating step is
An analysis step of quantifying aluminum carbide contained in the aluminum electrodeposited on the substrate using an RIR method by X-ray diffraction;
A plating solution adjusting step of adjusting the composition of the plating solution based on a value obtained by quantifying the aluminum carbide.
前記アルミニウム成形体が、アルミニウム多孔体である請求項1に記載のアルミニウム成形体の製造方法。   The method for producing an aluminum molded body according to claim 1, wherein the aluminum molded body is an aluminum porous body. 前記アルミニウム成形体が、アルミニウム線である請求項1に記載のアルミニウム成形体の製造方法。   The method for producing an aluminum molded body according to claim 1, wherein the aluminum molded body is an aluminum wire. 前記アルミニウム成形体が、アルミニウム箔である請求項1に記載のアルミニウム成形体の製造方法。   The method for producing an aluminum molded body according to claim 1, wherein the aluminum molded body is an aluminum foil. アルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析方法。   An aluminum analysis method for quantifying aluminum carbide in aluminum by X-ray diffraction (XRD) using an RIR method. RIR法が、X線回折における2θが37〜40°の範囲における積分強度と、2θが30〜33°の範囲における積分強度の比に基づいて行われる請求項5に記載のアルミニウムの分析方法。   The aluminum analysis method according to claim 5, wherein the RIR method is performed based on a ratio of an integrated intensity in a range of 2θ of 37 to 40 ° in X-ray diffraction and an integrated intensity in a range of 2θ of 30 to 33 °. 長尺の基体上にアルミニウムを連続的に電析するアルミニウムのめっきシステムであって、
アルミニウムの溶融塩を用いためっき液を収容するめっき液槽と
前記めっき液の温度を所定の温度に制御する温度制御装置と、
前記基体を、前記めっき液中を所定の速度で通過させる搬送装置と、
前記めっき液中を搬送中の基体上に、所定量のアルミニウムが電析するように通電するための電源部と、
電析されたアルミニウム中の炭化アルミニウムを、X線回折(XRD)により、RIR法を用いて定量するアルミニウムの分析部とを有し
前記分析部による定量結果に基づいて前記めっき液の組成の調整が行われるアルミニウムのめっきシステム。
An aluminum plating system for continuously depositing aluminum on a long substrate,
A plating bath containing a plating solution using a molten salt of aluminum, a temperature control device for controlling the temperature of the plating solution to a predetermined temperature, and
A transport device for passing the substrate through the plating solution at a predetermined speed;
A power supply unit for energizing a predetermined amount of aluminum to be deposited on the substrate being transported in the plating solution;
An aluminum analysis unit that quantifies aluminum carbide in electrodeposited aluminum using an RIR method by X-ray diffraction (XRD), and adjustment of the composition of the plating solution based on the determination result by the analysis unit Aluminum plating system is performed.
JP2013115332A 2013-05-31 2013-05-31 Aluminum molded body manufacturing method, aluminum analysis method, and aluminum plating system Active JP5791021B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013115332A JP5791021B2 (en) 2013-05-31 2013-05-31 Aluminum molded body manufacturing method, aluminum analysis method, and aluminum plating system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013115332A JP5791021B2 (en) 2013-05-31 2013-05-31 Aluminum molded body manufacturing method, aluminum analysis method, and aluminum plating system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014235815A true JP2014235815A (en) 2014-12-15
JP5791021B2 JP5791021B2 (en) 2015-10-07

Family

ID=52138385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013115332A Active JP5791021B2 (en) 2013-05-31 2013-05-31 Aluminum molded body manufacturing method, aluminum analysis method, and aluminum plating system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5791021B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106367793A (en) * 2016-11-30 2017-02-01 合肥亿福自动化科技有限公司 Automatic adjustment system for bath solution
CN106498475A (en) * 2016-10-21 2017-03-15 南京鸿发有色金属制造股份有限公司 A kind of aluminium section bar liquor of hole- sealing tank automatic regulating system
CN108290382A (en) * 2015-09-25 2018-07-17 麦克德米德乐思公司 The flexible color of dark-coloured Cr (III) plating adjusts
WO2018185983A1 (en) * 2017-04-05 2018-10-11 住友電気工業株式会社 Porous aluminum body and method for manufacturing porous aluminum body
JP2020013794A (en) * 2014-03-31 2020-01-23 テクニオン・リサーチ・アンド・ディベロップメント・ファウンデーション・リミテッド Method for passive metal activation and use thereof
US20200123672A1 (en) * 2015-04-28 2020-04-23 The Boeing Company Environmentally friendly aluminum coatings as sacrificial coatings for high strength steel alloys

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61100643A (en) * 1984-10-23 1986-05-19 Sumitomo Metal Ind Ltd Method of x-ray analysis of alloy plating film
JPS62135755A (en) * 1985-12-09 1987-06-18 Kawasaki Steel Corp Method for quantitative determination of plating film on metallic material
JPH03272441A (en) * 1990-03-22 1991-12-04 Kawasaki Steel Corp Composition for alloy film and measuring method for adhering amount
WO2013146954A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 日本碍子株式会社 Porous material and honeycomb structure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61100643A (en) * 1984-10-23 1986-05-19 Sumitomo Metal Ind Ltd Method of x-ray analysis of alloy plating film
JPS62135755A (en) * 1985-12-09 1987-06-18 Kawasaki Steel Corp Method for quantitative determination of plating film on metallic material
JPH03272441A (en) * 1990-03-22 1991-12-04 Kawasaki Steel Corp Composition for alloy film and measuring method for adhering amount
WO2013146954A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 日本碍子株式会社 Porous material and honeycomb structure

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020013794A (en) * 2014-03-31 2020-01-23 テクニオン・リサーチ・アンド・ディベロップメント・ファウンデーション・リミテッド Method for passive metal activation and use thereof
US11688845B2 (en) 2014-03-31 2023-06-27 Technion Research & Development Foundation Limited Method for passive metal activation and uses thereof
US20200123672A1 (en) * 2015-04-28 2020-04-23 The Boeing Company Environmentally friendly aluminum coatings as sacrificial coatings for high strength steel alloys
CN108290382A (en) * 2015-09-25 2018-07-17 麦克德米德乐思公司 The flexible color of dark-coloured Cr (III) plating adjusts
US10544516B2 (en) 2015-09-25 2020-01-28 Macdermid Enthone Inc. Flexible color adjustment for dark Cr(III) platings
US10988854B2 (en) 2015-09-25 2021-04-27 Macdermid Enthone Inc. Flexible color adjustment for dark Cr(III) platings
CN106498475A (en) * 2016-10-21 2017-03-15 南京鸿发有色金属制造股份有限公司 A kind of aluminium section bar liquor of hole- sealing tank automatic regulating system
CN106367793A (en) * 2016-11-30 2017-02-01 合肥亿福自动化科技有限公司 Automatic adjustment system for bath solution
WO2018185983A1 (en) * 2017-04-05 2018-10-11 住友電気工業株式会社 Porous aluminum body and method for manufacturing porous aluminum body
CN110462106A (en) * 2017-04-05 2019-11-15 住友电气工业株式会社 Aluminium porous body and method for producing aluminium porous body
JPWO2018185983A1 (en) * 2017-04-05 2020-02-13 住友電気工業株式会社 Aluminum porous body and method for producing aluminum porous body
US11180828B2 (en) 2017-04-05 2021-11-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Aluminum porous body and method for producing aluminum porous body

Also Published As

Publication number Publication date
JP5791021B2 (en) 2015-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5791021B2 (en) Aluminum molded body manufacturing method, aluminum analysis method, and aluminum plating system
Popov et al. Morphology of electrochemically and chemically deposited metals
Steiger et al. Mechanisms of dendritic growth investigated by in situ light microscopy during electrodeposition and dissolution of lithium
Liu et al. Electrodeposition of zinc films from ionic liquids and ionic liquid/water mixtures
Pulletikurthi et al. Electrodeposition of silicon from three different ionic liquids: possible influence of the anion on the deposition process
JP5950162B2 (en) Method for producing aluminum film
JP6055378B2 (en) Metal porous body and method for producing the same
US20120292191A1 (en) Method of producing aluminum structure and aluminum structure
US20150211143A1 (en) Aluminum plating apparatus and method for producing aluminum film using same
Ueda et al. Al electroplating on the AZ121 Mg alloy in an EMIC–AlCl 3 ionic liquid containing ethylene glycol
WO2015198819A1 (en) Alluminum plating solution, aluminum film manufacturing method, and porous aluminum object
JP4883534B2 (en) Molten salt bath, method for producing molten salt bath, and tungsten precipitate
Prabu et al. Factors affecting the electrodeposition of aluminum metal in an aluminum chloride–urea electrolyte solution
Mascia et al. Electrochemical deposition of Cu and Nb from pyrrolidinium based ionic liquid
US20150099138A1 (en) Porous aluminum body, heat transfer material, and heat exchange device
Saravanan et al. Nucleation of copper on mild steel in copper chloride (CuCl 2· 2H 2 O)–1-ethyl-3-methylimidazolium chloride [EMIM] Cl–ethylene glycol (EG) ionic liquid
JP6143005B2 (en) Aluminum plating solution and method for producing aluminum film
Heo et al. ZnTe electrodeposition from organic solvents
Qin et al. Study on properties of thin tungsten coatings prepared in Na2WO4 molten salt
KR20160113546A (en) Aluminum plating solution, aluminum film, resin structure, porous aluminum object, and porous aluminum object manufacturing method
JP6331808B2 (en) Method for producing porous aluminum body
US20210087701A1 (en) Aluminum plating film and method for producing aluminum plating film
JP2017137517A (en) Aluminum plating solution, production method of aluminum plating film, and aluminum porous body
Liu et al. In situ STM study of zinc electrodeposition on Au (111) from the ionic liquid 1-ethyl-3-methylimidazolium trifluoromethylsulfonate
WO2014038292A1 (en) Method for producing aluminum film

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150713

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5791021

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150726

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250