JP2014232741A - Uncut portion removing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インゴットから形成されたウエハ列と、前記インゴットの端部に配された切り残し部とが接着剤で接着されたスライスベースから、前記切り残し部を除去する切り残し部除去装置に関する。 The present invention relates to an uncut portion removing device for removing the uncut portion from a slice base in which a wafer row formed from an ingot and a uncut portion arranged at an end portion of the ingot are bonded with an adhesive. .
太陽電池や半導体の基板材料等に用いられるシリコンウエハなどのウエハは、インゴットと称される塊状物をスライスして、枚葉化することで得られる。図7はインゴットをスライスして得られた複数枚のウエハ(以下、ウエハ列60という)を示す。図7に示すようなウエハ列60を得るには、まずインゴットをスライスベースと称される保持体に接着剤63で固定し、スライスベース50に固定されたインゴットを、ワイヤソーでスライスしてウエハとする。
A wafer such as a silicon wafer used for a solar cell or a semiconductor substrate material is obtained by slicing a lump called an ingot into a single wafer. FIG. 7 shows a plurality of wafers (hereinafter referred to as a wafer row 60) obtained by slicing an ingot. In order to obtain a
図8に、一般的なウエハ製造方法のフローを示す。ウエハの製造では、図8(a)に示す接着工程、図8(b)に示すスライス工程、図8(c)に示す洗浄工程、そして剥離工程を経て、製品となるウエハを得る。 FIG. 8 shows a flow of a general wafer manufacturing method. In the manufacture of a wafer, a wafer as a product is obtained through an adhesion process shown in FIG. 8A, a slicing process shown in FIG. 8B, a cleaning process shown in FIG. 8C, and a peeling process.
まず、図8(a)に示す接着工程において、インゴット65を接着剤63でスライスベース50の接着面55に接着させる。
次に、図8(b)に示すスライス工程において、スライスベース50に貼り付けられたインゴット65を、一対のメインローラ210と、ワイヤ220とを具備するワイヤソー200などの切断装置によって、スライス状に切断してウエハ列60を得る。また、切断装置であるワイヤソー200は、例えば、複数のワイヤ220を用いて、一度に複数枚のウエハを得るマルチワイヤソーや、インゴット65との間の放電現象により溶融加工を行うワイヤ放電加工機などである。このとき、インゴット65の両端部はウエハに対して十分な厚みを有する切り残し部601となる。
First, in the bonding step shown in FIG. 8A, the
Next, in the slicing step shown in FIG. 8B, the
その後、図8(c)に示す洗浄工程において、スライスベース50に固定されたウエハ列60を、洗浄槽300中の水で洗浄する。スライスベース50及び切り残し部601とともにウエハ列60を水中に浸漬させ、超音波ユニット310によってウエハ列60に超音波を照射したり、噴流ノズル320によってウエハ列60に水の噴流をあてたりして、ウエハ列60を洗浄する。
Thereafter, in the cleaning step shown in FIG. 8C, the
そして、剥離工程において、スライスベース50からウエハを剥離する。例えば特許文献1では、図9(a)に示すように、切り残し部601とウエハ列60とが接着されたスライスベース50を、熱水または薬液を含む剥離液15に浸漬させることにより、接着剤63を軟化させて剥離するウエハ剥離方法が開示されている。この方法によると、接着剤63が軟化することで、切り残し部601やウエハ600とスライスベース50との接着力が弱まるため、切り残し部601とウエハ600とがスライスベース50から剥離できる。剥離された切り残し部601とウエハ600は、トレイ40に落下して回収される。
In the peeling step, the wafer is peeled from the
しかしながら、上記従来のウエハ剥離方法では、例えば、図9(b)に示すように、スライスベース50から剥離された切り残し部601とウエハ600とがトレイ40に落下する際に、切り残し部601とウエハ600とが接触して(符号X参照)、ウエハ600が割れたり(符号Y参照)、欠けたりすることがあった。切り残し部601はウエハ600よりも分厚くかつ強度も高いからである。すなわち、従来のウエハ剥離方法では、切りの残し部601がウエハ600と接触することでウエハ600の割れや欠け等の品質異常を発生させ、ウエハ600の生産歩留まりを低下させるという問題があった。
However, in the conventional wafer peeling method, for example, as shown in FIG. 9B, when the
そこで本発明は、上記課題を解決するものであり、ウエハの割れや欠け等の品質異常の発生を抑制し、ひいてはウエハの生産歩留まりを向上させることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to suppress the occurrence of quality abnormalities such as wafer cracks and chippings, thereby improving the production yield of wafers.
本発明の切り残し部除去装置は、インゴットをスライスして形成されたウエハ列と、前記インゴットの端部に配された切り残し部とが接着剤で接着されたスライスベースから、前記切り残し部を除去する切り残し部除去装置であって、液体が貯留される槽と、前記スライスベースを保持する保持部材と、前記切り残し部を保持すると共に移動させる保持アームと、前記ウエハ列のうち前記切り残し部の隣に位置するウエハの、前記切り残し部に対向する面に流体を噴射する第1ノズルと、を備え、前記切り残し部を保持し、前記切り残し部と前記スライスベースとの接着箇所を軸として、前記ウエハ列から離間する方向に前記切り残し部を回転させる回転機構と、前記スライスベースから離間する方向に前記切り残し部を移動させる移動機構と、を有することを特徴とする。 The uncut portion removing apparatus according to the present invention includes a slice base in which a wafer row formed by slicing an ingot and a uncut portion disposed at an end of the ingot are bonded with an adhesive, and the uncut portion An uncut portion removing device that removes the liquid, a tank in which liquid is stored, a holding member that holds the slice base, a holding arm that holds and moves the uncut portion, and the wafer row among the wafer rows A first nozzle that injects a fluid onto a surface of the wafer that is located next to the uncut portion and that faces the uncut portion, and holds the uncut portion, the uncut portion and the slice base A rotation mechanism that rotates the uncut portion in a direction away from the wafer row with an adhesion point as an axis, and a moving mechanism that moves the uncut portion in a direction away from the slice base. , Characterized by having a.
本発明によれば、第1ノズルが流体を噴射して切り残し部とウエハ列との間に隙間を設け、保持アームで切り残し部を移動させることで、スライスベースから切り残し部を除去することができる。これにより、ウエハを取り出す際に、ウエハと切り残し部とが接触することによって生じるウエハの割れや欠け等の品質異常を抑制でき、ひいてはウエハの生産歩留まりを向上させることができる。 According to the present invention, the first nozzle ejects fluid to provide a gap between the uncut portion and the wafer row, and the uncut portion is removed from the slice base by moving the uncut portion with the holding arm. be able to. As a result, when the wafer is taken out, it is possible to suppress quality abnormalities such as cracking and chipping of the wafer caused by the contact between the wafer and the uncut portion, thereby improving the production yield of the wafer.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
ウエハは、インゴットをスライスして形成され、スライスされたインゴットの端部には切り残し部が形成される。ウエハ及び切り残し部は、例えば、図8(a)に示す接着工程と、図8(b)に示すスライス工程とを経て形成される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
The wafer is formed by slicing an ingot, and an uncut portion is formed at the end of the sliced ingot. The wafer and the uncut portion are formed through, for example, an adhesion process shown in FIG. 8A and a slicing process shown in FIG.
インゴットからスライスされたウエハ600及び切り残し部601は、それぞれ側面の一つがスライスベース50と接着剤63によって接着されており、ウエハ600はそれぞれ平行に配列されてウエハ列60を形成している。また、切り残し部601は、インゴット65の端部に形成されており、ウエハ列60は2つの切り残し部601によって挟まれている。
The
本発明は、ウエハの剥離に際し、予め切り残し部を除去することを特徴とする。図1に本実施の形態に係る切り残し部除去装置を示す。切り残し部除去装置701は、図1(a)(b)に示すように、水が貯留された槽10と、スライスベース50を保持する保持部材20と、水を噴射する第1ノズル30と、切り残し部601を保持する保持アーム710とを備えている。
The present invention is characterized in that the uncut portion is removed in advance when the wafer is peeled off. FIG. 1 shows an uncut portion removing apparatus according to the present embodiment. As shown in FIGS. 1A and 1B, the uncut
保持部材20に保持されたスライスベース50には、切り残し部601及びウエハ列60が接着されており、ウエハ列60の各ウエハ600はそれぞれ、少なくともその一部分が槽10の水に浸漬される。各ウエハ600が槽10の水に浸漬されることによって、ウエハ600が乾燥して汚れが固着することを防止でき、さらに、槽10の水がウエハ600同士の衝突を緩衝して、ウエハ600にキズがつくことを抑制できる。
The
第1ノズル30は、切り残し部601に隣接するウエハ600の、切り残し部601に対向する面に水を噴流させて、スライスベース50に接着された切り残し部601とウエハ列60との間に隙間を生じさせる。
The
すなわち、切り残し部601はウエハ600に対して十分な厚みを有しているのでスライスベース50との接着面積が大きく、それによって接着箇所の剛性が高いために、スライスベース50との接着箇所を軸として回転しにくい。一方、ウエハ600は接着面積が小さく、それによって接着箇所の剛性が低いので、噴流させる水によってスライスベース50との接着箇所を軸として回転することができる。
That is, since the
したがって、切り残し部601に隣接するウエハ600の、切り残し部601に対向する面に水の噴流を与えることで、その噴流が切り残し部601とウエハ列60との間に進入して、切り残し部601と隣接するウエハ600が切り残し部601と離間する方向に回転し、切り残し部601とウエハ列60との間に隙間を生じさせることができる。
Therefore, by giving a jet of water to the surface of the
保持アーム710は吸着パッド711を有しており、吸着パッド711は、スライスベース50に接着された切り残し部601のスライス面602と反対の面を吸着保持する。また、保持アーム710は力点部712及び支点軸750を有している。力点部712及び支点軸750が保持アーム710に備わる回転機構及び移動機構として機能する。支点軸750は、スライスベース50と切り残し部601との接着箇所の延長線上に位置し、力点部712にウエハ列60の配列方向の力を加えることで、保持アーム710は、スライスベース50と切り残し部601との接着箇所を軸として切り残し部601を回転させることができる。さらに、保持アーム710は、その移動機構の機能により、吸着パッド711で切り残し部601を吸着保持したまま、切り残し部601を平行移動させることができる。
The holding
次に、本実施の形態に係る切り残し部除去方法について、図2(a)〜図2(d)を参照しながら説明する。なお、図2(a)〜(d)においては、切り残し部601の一方のみを図示するが、反対面も同様である。
Next, the uncut portion removal method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d). 2A to 2D, only one of the
まず、図2(a)に示す保持工程において、スライスベース50が保持部材20に保持された状態で、保持アーム710の吸着パッド711が切り残し部601のスライス面602とは反対の面を吸着することで、保持アーム710は切り残し部601を保持する。
First, in the holding step shown in FIG. 2A, the
次に、図2(b)に示す噴射工程において、第1ノズル30が矢印31の方向に水を噴流して、切り残し部601に隣接するウエハ600の、切り残し部601に対向する面に水の噴流をあてる。この噴流によって、切り残し部601に隣接するウエハ600は、スライスベース50との接着箇所を軸として切り残し部601から離間する方向(矢印610の方向)に回転し、切り残し部601とウエハ列60との間に隙間が生じる。これ以降、図2(d)に示す移動工程が完了するまで、第1ノズル30は水の噴流を継続させて、切り残し部601とウエハ列60との間の隙間を維持する。
Next, in the injection step shown in FIG. 2B, the
次に、図2(c)に示す回転工程において、保持アーム710の力点部712に矢印740の方向に力を加える。そうすると、保持アーム710は、支点軸750を回転軸として矢印760の方向に回転する。すなわち、保持アーム710に保持された切り残し部601は、切り残し部601とスライスベース50との接着箇所を軸として、ウエハ列60から離間する方向(矢印760の方向)に回転する。これにより、切り残し部601とウエハ列60との隙間をさらに拡げつつ、スライスベース50から切り残し部601の少なくとも一部を剥離することができる。
Next, in the rotation process illustrated in FIG. 2C, a force is applied to the
次に、図2(d)に示す移動工程において、保持アーム710が、切り残し部601を回転させた状態を維持しつつ、切り残し部601のスライス面602に沿う方向であって、スライスベース50から離間する方向(矢印770の方向)に切り残し部601を平行移動させる。これにより、切り残し部601がスライスベース50から完全に分離して、スライスベース50から切り残し部601のみを除去することができる。
Next, in the moving step shown in FIG. 2D, the holding
その後、スライスベース50から枚葉装置(セパレータ)を用いてウエハ600を一枚ずつ取り出し、洗浄、乾燥、検査されて製品となる。
実施の形態1によれば、第1ノズル30が水を噴射して、切り残し部601とウエハ列60との間に隙間を設けている期間に、保持アーム710が切り残し部601を回転させることで、切り残し部601とウエハ列60との間の隙間を拡げつつ、スライスベース50と切り残し部601とを剥離し、切り残し部601のスライス面602に沿う方向に切り残し部601を移動させることにより、スライスベース50から切り残し部601のみを除去することができる。これにより、ウエハ600を取り出す際に、ウエハ600と切り残し部601とが接触することによるウエハ600の割れや欠け等の品質異常を抑制できる。
Thereafter, the
According to the first embodiment, the holding
仮に、ウエハ600と切り残し部601とが近接したまま切り残し部601を移動させようとすると、切り残し部601と近接したウエハ600が切り残し部601の移動に追従してスライスベース50から落下して、品質異常が発生する恐れがある。
If an attempt is made to move the
しかしながら、本実施の形態では、第1ノズル30による水の噴射と、保持アーム710の回転とによって切り残し部601とウエハ列60との間に隙間を十分に設けるため、切り残し部601の移動の際に、ウエハ600が切り残し部601の移動に追従してスライスベース50から落下することを防止でき、品質異常を抑制することができる。
However, in this embodiment, since the gap between the
また、切り残し部601を回転させずに引っ張って除去した場合、回転させて剥離する場合と比較してより大きな力が必要である。接着剤63にこのような大きな力が加わると、接着剤63が引っ張られた際に、ウエハ600とスライスベース50との接着箇所も剥離され、ウエハ600がスライスベース50から落下して、ウエハ600の品質異常が発生する恐れがある。
Further, when the
しかしながら、本実施の形態では、切り残し部601を、スライスベース50との接着箇所を軸として回転させて剥離するため、切り残し部601を引っ張ってスライスベース50から除去する場合と比較して、少ない力で確実に切り残し部601を除去することができる。そのため、ウエハ600とスライスベース50との接着を維持しつつ、切り残し部601のみを除去することができ、ウエハ600の品質異常を抑制することができる。
However, in the present embodiment, since the
また、切り残し部601の回転後は、スライスベース50から離間する方向であれば、どの方向に移動させても良いが、切り残し部601を移動させると、切り残し部601を移動させた方向に水流が発生し、この水流が大きなものである場合、水流によってウエハ600がスライスベース50から落下して、ウエハ600の品質異常が発生するおそれがある。
Further, after the rotation of the
しかしながら、本実施の形態では、切り残し部601をスライス面602に沿う方向に移動させるため、切り残し部601を移動させることによって発生する水流を最小限に抑えることができ、このような水流によってウエハ600がスライスベース50から落下することを防止し、品質異常の発生を抑制することができる。
However, in this embodiment, since the
以上より、ウエハ600がスライスベース50から落下することを防止しつつ、スライスベース50から切り残し部601のみを除去することで、ウエハ600と切り残し部601とが接触することによって生じる割れや欠け等の品質異常を抑制することができ、ひいてはウエハ600の生産歩留まりを向上させることができる。
As described above, by removing only the
ウエハ600は、例えば太陽電池や半導体の基板として用いられるシリコンウエハなどである。ウエハ600は、例えば、厚さが200μm程度で、一辺の長さが156mm角のスライス状である。切り残し部601はウエハ600と同じ材料であり、一辺の長さも同じであるが、厚さはウエハ600に対して十分に厚く、例えば1.5〜3.0mmである。
The
スライスベース50は、インゴット65をスライスしてウエハ列60を得るためにインゴット65を固定する板状の部材である。スライスベース50の材料は特に限定されず、カーボン材料などの導電性材料であっても、ガラスなどの絶縁無機材料であっても、エポキシ樹脂などの有機材料であってもよい。また、本実施の形態では、インゴット65をスライスベース50に貼り付ける接着剤63としてエポキシ接着剤を用いたが、これに限定されない。
The
また、第1ノズル30は、切り残し部601に隣接するウエハ600の、切り残し部601に対向する面に水の噴流を与えて、その噴流を切り残し部601とウエハ列60との間に進入させるため、ウエハ列60の配列方向に対して傾けて保持されることが好ましい。図1(b)に示す第1ノズルの傾き角度720は、30°以上60°以下が好ましく、例えば45°である。また、第1ノズル30からの水の噴出量は、第1ノズル30からの水の噴流によってウエハ600同士が衝突して、ウエハ600がスライスベース50から落下しないように、例えば1.4〜1.6L/min.とすればよい。
Further, the
なお、本実施の形態では、保持アーム710の吸着パッド711が切り残し部601を吸着して、保持アーム710が切り残し部601を保持する場合を述べたが、これに限られず、保持アーム710が切り残し部601を吸着以外の方法で保持してもよい。
(実施の形態2)
実施の形態1では、槽10と、保持部材20と、第1ノズル30と、保持アーム710とを備えた切り残し部除去装置701について説明したが、実施の形態2では、実施の形態1の構成に加えて、水を噴流させる第2ノズル70を備える切り残し部除去装置702について説明する。
In the present embodiment, the case where the
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the uncut
本実施の形態に係る切り残し部除去装置702は、図3(a)(b)に示すように、保持アーム710に第2ノズル70を有しており、第2ノズル70は保持アーム710と一体となって動作するよう構成されている。
As illustrated in FIGS. 3A and 3B, the uncut
また、本実施の形態に係る切り残し部除去方法は、実施の形態1と同様に、図4(a)に示す保持工程、図4(b)に示す噴射工程、図4(c)に示す回転工程、図4(d)に示す移動工程を有しているが、図4(b)の噴射工程において、第1ノズル30が水を噴射すると同時に第2ノズル70も水を噴射する点で実施の形態1と異なる。
Further, the uncut portion removing method according to the present embodiment is shown in FIG. 4A, the holding step shown in FIG. 4A, the injection step shown in FIG. 4B, and FIG. In the injection process of FIG. 4 (b), the
図4(c)に示すように、保持アーム710が切り残し部601を回転させると、回転させた方向に水流(矢印760の方向)が発生する。そして、発生した水流により、ウエハ600が回転して切り残し部601に近づいたり、ウエハ600が大きく回転してウエハ600がスライスベース50から落下したりして、品質異常を発生させるおそれがある。
As shown in FIG. 4C, when the holding
実施の形態2によれば、第2ノズル70が保持アーム710と一体となって動作するため、第2ノズル70は、切り残し部601の回転により発生した水流を緩和する方向(矢印71の方向)に噴流を発生させる。具体的には、第2ノズル70は、切り残し部601の回転の方向と反対の方向の成分を持つ方向に噴流を発生させる。これにより、ウエハ600が回転することを防止し、ウエハ600の品質異常を抑制することができる。
According to the second embodiment, since the
第2ノズル70は、前述したように、切り残し部601が回転する際に発生する水流(矢印760の方向)を緩和するためのものであるから、切り残し部601のスライス面602に対して垂直な方向に水の噴流を与えるべきである。しかしながら、切り残し部601のスライス面602に対して垂直に水の噴流を与えるとすると、水の噴流が切り残し部601に遮られて、切り残し部601に隣接するウエハ600に水の噴流をあてることができない。そのため、ウエハ列60の配列方向に対して少しだけ傾けて保持し、切り残し部601に隣接するウエハ600に水の噴流をあてるようにすることにより、切り残し部601が回転する際に発生する水流によってウエハ600が回転することを効果的に抑制でき、より好ましい。
As described above, the
したがって、第2ノズル70の傾き角度730は第1ノズル30の傾き角度720より小さい角度であることが好ましい(ウエハ600の切り残し部601に対向する面と第1ノズル30の噴射方向とが成す角のうちの鋭角よりも、ウエハ600の切り残し部601に対向する面と第2ノズル70の噴射方向とが成す角のうちの鋭角の方が大きいことが望ましい)。傾き角度730は、具体的には25°以下5°以上が好ましく、例えば20°である(図3(b)参照)。また、第2ノズル70からの水の噴出量は、第1ノズル30と同様に、ウエハ600同士が衝突して、ウエハ600がスライスベース50から落下しないように、例えば1.4〜1.6L/min.とすればよい。
Therefore, the
また、切り残し部601とウエハ600との距離が近い程、切り残し部601を回転させる際に発生する水流がウエハ600に強く影響するため、図4(c)に示す回転工程の開始時には、第2ノズル70から比較的強い噴流をウエハ600に噴射するのが望ましい。一方で、回転工程が進むにつれて、切り残し部601の回転により発生する水流の影響は徐々に小さくなるため、それに追従するように、ウエハ600に噴射される第2ノズル70からの噴流を弱めるのが好ましい。強過ぎる噴流は、ウエハ600の品質異常を招くからである。このため、図4(c)に示す回転工程において、第2ノズル70で打ち消すべき水流の強度は、開始時が最も強く、切り残し部601の回転が進んでウエハ600との距離が広がるにつれて弱くなるように制御するのが望ましい。この制御は、切り残し部601の回転に同調させて第2ノズル70を移動させることにより実現できる。そして、第2ノズル70の同調移動は、第2ノズル70を保持アーム710に設けることで達成される。
Further, as the distance between the
なお、本実施の形態では、第2ノズル70は保持アーム710に設けられている場合を述べたが、これに限られるものではなく、第2ノズル70が切り残し部601の回転に同調して移動するならば、別々に設けられていても良い。
(実施の形態3)
実施の形態1では、槽10と、保持部材20と、第1ノズル30と、保持アーム710とを備えた切り残し部除去装置701について説明したが、実施の形態3では、実施の形態1の構成に加えて、接着剤63を軟化させる軟化機構であるスチームノズル80を備えた切り残し部除去装置703について説明する。また、本実施の形態における切り残し部除去装置703に、実施の形態2で説明した第2ノズル70をさらに備えていても良い。
In this embodiment, the case where the
(Embodiment 3)
In the first embodiment, the uncut
スチームノズル80は、図5(a)(b)に示すように、切り残し部601のスライス面602と反対側に位置しており、接着剤63の、スライスベース50と切り残し部601との接着箇所に水蒸気を噴射して加熱するよう構成されている。
As shown in FIGS. 5A and 5B, the
また、本実施の形態に係る切り残し部除去方法は、実施の形態1と同様に、図6(a)に示す保持工程、図6(b)に示す噴射工程、図6(c)に示す回転工程、図6(d)に示す移動工程を有しているが、図6(b)に示す噴射工程において、第1ノズル30が水を噴射すると同時に、又はその後であって、図6(c)に示す回転工程の前に、スチームノズル80が水蒸気を噴射して、接着剤63を加熱する点で実施の形態1と異なる。
Further, the uncut portion removing method according to the present embodiment is shown in FIG. 6A, the holding step shown in FIG. 6A, the injection step shown in FIG. 6B, and FIG. 6 (d). In the injection step shown in FIG. 6 (b), in the injection step shown in FIG. 6 (b), at the same time as or after the
また、切り残し部601をスライスベース50から除去した後は、図6(d)に示すように、速やかにスチームノズル80の噴射を停止させる。ウエハ600とスライスベース50との接着箇所に水蒸気が継続してあたると、その接着箇所の接着剤63が軟化して接着力が弱まり、ウエハ600が落下するおそれがあるためである。それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため省略する。
Further, after the
なお、図5及び図6においては第2ノズル70を備えた切り残し部除去装置703を図示したが、第2ノズル70を備えていなくてもよい。
実施の形態3では、接着剤63としてエポキシ接着剤を用いたため、接着剤63は80℃〜100℃程度に加熱されることによって軟化する。切り残し部601とスライスベース50との接着箇所の軟化によって、その接着箇所の接着力が弱まるため、切り残し部601を回転させて、切り残し部601をスライスベース50から剥離する際に、実施の形態1よりも少ない力で確実に切り残し部601をスライスベース50から剥離することができる。
5 and 6 illustrate the uncut
In Embodiment 3, since an epoxy adhesive is used as the adhesive 63, the adhesive 63 is softened by being heated to about 80 ° C. to 100 ° C. The softening of the bonding portion between the
大きな力で切り残し部601をスライスベース50から除去すると、その力がウエハ600とスライスベース50との接着箇所に伝わって、ウエハ600がスライスベース50から剥離されて落下し、ウエハ600の品質異常が発生するおそれがある。
When the
しかしながら、本実施の形態では、切り残し部601とスライスベース50との接着箇所を軟化させることにより、その箇所の接着力が弱まるため、より少ない力で切り残し部601を除去でき、より確実にウエハ600がスライスベース50から落下することを防止して、ウエハ600の品質異常を抑制することができる。
However, in the present embodiment, by softening the bonding portion between the
なお、接着剤63を軟化する機構であれば、スチームノズルに限定されないが、軟化機構として、本実施の形態のように、スチームノズルを採用することが特に好ましい。
例えば、軟化機構として、スチームノズル80の代わりに、乾燥した高温ガスを噴きつける機構や、高温の液体、例えば温水を噴きつける機構を採用することも考えられるが、乾燥した高温ガスを噴きつけると、ウエハが乾燥してウエハに汚れが固着するおそれがあり、また、温水を噴きつけると、その温水が槽10の水と混ぜ合わされて槽10の水の温度が上昇し、ウエハ600を介して接着剤63に熱が伝わることで、接着剤63のスライスベース50とウエハ列60との接着箇所も軟化し、ウエハ600が落下するおそれがある。
Note that the mechanism is not limited to a steam nozzle as long as it is a mechanism that softens the adhesive 63, but it is particularly preferable to employ a steam nozzle as the softening mechanism as in the present embodiment.
For example, instead of the
軟化機構として水蒸気を噴きつけるスチームノズル80を採用することで、ウエハ600の乾燥を抑え、ウエハ600に汚れが固着することを防止できる。
また、各ウエハ600の一部が槽10の水に浸漬され、接着剤63が槽10の水と非接触となるように、保持部材20で、スライスベース50を保持することで、軟化機構の作用では槽10の内部の水の温度が上昇することがないため、ウエハ600が落下することを防止できる。
By using the
Further, by holding the
また、本実施の形態では、接着剤63としてエポキシ接着剤を用いる場合を述べたが、これに限られない。また、軟化機構は、接着剤63を加熱する機構に限られず、例えば、接着剤の種類に応じた溶剤等を噴射して接着剤を軟化させるようにしてもよい。 In the present embodiment, the case where an epoxy adhesive is used as the adhesive 63 has been described, but the present invention is not limited to this. Further, the softening mechanism is not limited to the mechanism that heats the adhesive 63, and for example, the adhesive may be softened by spraying a solvent or the like according to the type of the adhesive.
なお、実施の形態1〜3において、槽10は水を貯留することを述べたが、槽10に貯留する液体は、ウエハ600の乾燥を防止し、ウエハ600同士の衝突を緩衝させる液体であれば水に限定されない。また、第1ノズル及び第2ノズルは水を噴射することを述べたが、第1ノズル及び第2ノズルが流体を噴射するものであれば、水を噴射するものに限定されない。例えば、不活性ガス等の気体を噴射してもよく、水以外の液体を噴射してもよい。
In the first to third embodiments, it has been described that the
本発明の切り残し部除去装置及び切り残し部除去方法は、例えば太陽電池用基板等に用いられるウエハの製造等に好適に用いられる。 The uncut portion removing apparatus and the uncut portion removing method of the present invention are suitably used for manufacturing a wafer used for a solar cell substrate, for example.
10 槽
20 保持部材
30 第1ノズル
50 スライスベース
60 ウエハ列
63 接着剤
65 インゴット
70 第2ノズル
80 スチームノズル
600 ウエハ
601 切り残し部
602 スライス面
710 保持アーム
711 吸着パッド
10
Claims (8)
液体が貯留される槽と、
前記スライスベースを保持する保持部材と、
前記切り残し部を保持すると共に移動させる保持アームと、
前記ウエハ列のうち前記切り残し部の隣に位置するウエハの、前記切り残し部に対向する面に流体を噴射する第1ノズルと、を備え、
前記切り残し部を保持し、前記切り残し部と前記スライスベースとの接着箇所を軸として、前記ウエハ列から離間する方向に前記切り残し部を回転させる回転機構と、
前記スライスベースから離間する方向に前記切り残し部を移動させる移動機構と、を有する
ことを特徴とする切り残し部除去装置。 An uncut portion removing device that removes the uncut portion from a slice base in which a wafer row formed by slicing an ingot and a uncut portion arranged at an end of the ingot are bonded with an adhesive. And
A tank in which liquid is stored;
A holding member for holding the slice base;
A holding arm that holds and moves the uncut portion;
A first nozzle that injects a fluid to a surface of the wafer that is positioned next to the uncut portion of the wafer row and that faces the uncut portion;
A rotation mechanism that holds the uncut portion and rotates the uncut portion in a direction away from the wafer row, with an adhesion point between the uncut portion and the slice base as an axis;
And a moving mechanism for moving the uncut portion in a direction away from the slice base.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020153307A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 株式会社東京精密 | Wafer peeling and cleaning apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114597126A (en) * | 2022-03-10 | 2022-06-07 | 江苏汇成光电有限公司 | Slicing method for processing wafer cutting abnormity |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043744A (en) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Daitoron Technol Kk | Ultra-thin plate-shaped body shifting device |
JPH1022238A (en) * | 1996-06-29 | 1998-01-23 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Air blower for semiconductor wafer |
JPH10116803A (en) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Slice base releasing device |
DE19900671A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | System for separating disc-shaped substrates for wafer prodn. etc. which are fixed together in sequence on carrier |
JP2002075922A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nippei Toyama Corp | Device and method for cutting wafer into sheet |
JP2003512196A (en) * | 1999-10-16 | 2003-04-02 | エーシーアール オートメーション イン クリーンルーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method and apparatus for separating and separating a plate-like substrate |
JP2009509891A (en) * | 2006-07-06 | 2009-03-12 | レナ ゾンデルマシーネン ゲーエムベーハー | Apparatus and method for separating and conveying substrates |
JP2010514205A (en) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス | Method and apparatus for separating silicon wafers |
GB2465591A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-26 | Coreflow Ltd | Separating cut semiconductor wafers from a wafer stack |
JP2010245303A (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd | Wafer transfer method and wafer transfer apparatus |
JP2013004626A (en) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Shinryo Corp | Wafer manufacturing method and wafer manufacturing apparatus |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
AU2010205243A1 (en) * | 2009-01-13 | 2011-07-21 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Wafer separating apparatus, wafer separating/transferring apparatus, wafer separating method, wafer separating/transferring method and solar cell wafer separating/transferring method |
-
2013
- 2013-05-28 JP JP2013111417A patent/JP5849201B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-26 CN CN201410065865.6A patent/CN104183476B/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043744A (en) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Daitoron Technol Kk | Ultra-thin plate-shaped body shifting device |
JPH1022238A (en) * | 1996-06-29 | 1998-01-23 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Air blower for semiconductor wafer |
JPH10116803A (en) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Slice base releasing device |
DE19900671A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | System for separating disc-shaped substrates for wafer prodn. etc. which are fixed together in sequence on carrier |
JP2003512196A (en) * | 1999-10-16 | 2003-04-02 | エーシーアール オートメーション イン クリーンルーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method and apparatus for separating and separating a plate-like substrate |
JP2002075922A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nippei Toyama Corp | Device and method for cutting wafer into sheet |
JP2009509891A (en) * | 2006-07-06 | 2009-03-12 | レナ ゾンデルマシーネン ゲーエムベーハー | Apparatus and method for separating and conveying substrates |
JP2010514205A (en) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス | Method and apparatus for separating silicon wafers |
GB2465591A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-26 | Coreflow Ltd | Separating cut semiconductor wafers from a wafer stack |
JP2010245303A (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd | Wafer transfer method and wafer transfer apparatus |
JP2013004626A (en) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Shinryo Corp | Wafer manufacturing method and wafer manufacturing apparatus |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020153307A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 株式会社東京精密 | Wafer peeling and cleaning apparatus |
Also Published As
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