JP2014229820A - Manufacturing method of wiring board and mold for manufacturing wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a wiring board which improves a mold release property in the case of imprint, and a mold for manufacturing the wiring board.SOLUTION: In the mold, a rugged surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulative resin covering a board is formed is covered by a first film which disappears at a predetermined temperature and the first film is covered by a second film which is residual at the predetermined temperature. A manufacturing method of the wiring board includes the steps of: mounting the mold on the insulative resin of the board; transferring the wiring pattern formed on the rugged surface to the insulative resin with the first film and the second film interposed therebetween; heating the mold transferring the wiring pattern to the insulative resin at the predetermined temperature or higher in such a manner that the first film disappears; and releasing the mold in which the first film is caused to disappear by the heating, from the insulative resin.

Description

本願は、配線基板の製造方法および配線基板製造用の型に関する。   The present application relates to a method for manufacturing a wiring board and a mold for manufacturing a wiring board.

近年、電子機器は、小型化や高機能化が進展している。電子機器の小型化や高機能化に伴い、電子部品を実装する配線基板の配線パターンも微細化の一途を辿っている。配線パターンの微細化により、配線の幅も狭くなってきており、従来からあるフォトリソグラフィを用いた製造技術では微細なパターンの配線基板を製造することが困難になりつつある。   In recent years, electronic devices have been reduced in size and functionality. Along with miniaturization and high functionality of electronic equipment, the wiring pattern of a wiring board on which electronic components are mounted has been increasingly miniaturized. With the miniaturization of the wiring pattern, the width of the wiring is becoming narrower, and it is becoming difficult to manufacture a wiring substrate with a fine pattern by a conventional manufacturing technique using photolithography.

そこで、近年では、微細な凹凸が形成された型を樹脂材料などに押し付けて所望の配線パターンを形成するインプリントを用いた配線基板の製造技術が提案されている。インプリントを用いた製造技術によれば、フォトリソグラフィを用いた製造技術に比べると配線パターンの微細化を安価に実現することができる。なお、インプリントの際には、離型剤を型に塗布することになるが、離型剤としては、例えば、蒸気圧が高く、常圧下で昇華する物質である昇華性物質を用いたものも提案されている(例えば、特許文献1を参照)。   Therefore, in recent years, a technique for manufacturing a wiring board using an imprint that forms a desired wiring pattern by pressing a mold having fine irregularities against a resin material or the like has been proposed. According to the manufacturing technique using imprinting, the wiring pattern can be miniaturized at a lower cost than the manufacturing technique using photolithography. In the case of imprinting, a mold release agent is applied to the mold. As the mold release agent, for example, a substance using a sublimable substance having a high vapor pressure and sublimating under normal pressure is used. Has also been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2002−114584号公報JP 2002-114584 A

微細なパターンの配線基板をインプリント技術で製造するには、適正な離型を実現することが望まれる。しかしながら、従来から用いられている離型剤では、製造工程における歩留まりに影響を与えない配線の幅に限界があり、配線パターンの更なる微細化に対応することが難しい。   In order to manufacture a wiring board with a fine pattern by imprint technology, it is desired to realize an appropriate mold release. However, conventionally used mold release agents have a limit in the width of the wiring that does not affect the yield in the manufacturing process, and it is difficult to cope with further miniaturization of the wiring pattern.

そこで、本願は、インプリントの際の離型性が向上する配線基板の製造方法および配線基板製造用の型を提供することを課題とする。   Then, this application makes it a subject to provide the manufacturing method of a wiring board which improves the mold release property in the case of imprint, and the type | mold for wiring board manufacture.

本願は、次のような配線基板の製造方法を開示する。
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第1の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第2の膜によって前記第1の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第1の膜及び前記第2の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第1の膜を消失させる工程と、
加熱によって前記第1の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有する
配線基板の製造方法。
The present application discloses the following method for manufacturing a wiring board.
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed is covered with a first film that disappears at a predetermined temperature, and the first film is covered with a second film that remains at the predetermined temperature. Placing the mold sealed on the insulating resin of the substrate;
Transferring the wiring pattern formed on the uneven surface to the insulating resin with the first film and the second film interposed therebetween;
Heating the mold having the wiring pattern transferred to the insulating resin to a temperature equal to or higher than the predetermined temperature, and eliminating the first film;
And a step of releasing the mold from which the first film has disappeared by heating from the insulating resin.

また、本願は、次のような配線基板製造用の型を開示する。
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第1の膜と、
前記第1の膜を覆う、前記所定温度で残存する第2の膜と、を備える、
配線基板製造用の型。
Moreover, this application discloses the following molds for manufacturing a wiring board.
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed;
A first film covering the uneven surface and disappearing at a predetermined temperature;
A second film that covers the first film and remains at the predetermined temperature,
Mold for wiring board manufacturing.

上記配線基板の製造方法および配線基板製造用の型であれば、インプリントの際の離型性が向上する。   If it is the manufacturing method of the said wiring board and the type | mold for wiring board manufacture, the mold release property in the case of imprinting will improve.

図1は、実施形態に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。FIG. 1 is an example of a diagram illustrating a flow of a method of manufacturing a wiring board according to the embodiment. 図2は、実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際して用いる型を示した図の一例である。FIG. 2 is an example of a diagram illustrating a mold used when executing the method of manufacturing the wiring board according to the embodiment. 図3は、実施形態に係る配線基板の製造方法における各工程と温度プロファイルとの関係を示したグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between each step and the temperature profile in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment. 図4Aは、型を載せる工程を示した図の一例である。FIG. 4A is an example of a diagram illustrating a process of placing a mold. 図4Bは、配線パターンを転写する工程を示した図の一例である。FIG. 4B is an example of a diagram illustrating a process of transferring a wiring pattern. 図4Cは、離型をする工程を示した第1の図の一例である。FIG. 4C is an example of the first diagram illustrating the step of releasing the mold. 図4Dは、離型をする工程を示した第2の図の一例である。FIG. 4D is an example of a second diagram illustrating a step of releasing the mold. 図4Eは、離型をする工程を示した第3の図の一例である。FIG. 4E is an example of a third diagram showing the step of releasing the mold. 図5は、型の製造方法のフローを示した図の一例である。FIG. 5 is an example of a diagram showing a flow of a mold manufacturing method. 図6Aは、配線パターンを形成する工程を示した図の一例である。FIG. 6A is an example of a diagram illustrating a process of forming a wiring pattern. 図6Bは、封止部材を形成する工程を示した図の一例である。FIG. 6B is an example of a diagram illustrating a process of forming a sealing member. 図6Cは、第1の膜を形成する工程を示した図の一例である。FIG. 6C is an example of a diagram illustrating a process of forming the first film. 図6Dは、保護フィルムを剥離する工程を示した図の一例である。FIG. 6D is an example of a diagram illustrating a process of peeling the protective film. 図6Eは、第2の膜を形成する工程を示した図の一例である。FIG. 6E is an example of a diagram illustrating a process of forming the second film. 図7は、従来技術に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。FIG. 7 is an example of a diagram showing a flow of a method for manufacturing a wiring board according to the prior art. 図8は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第1例の図である。FIG. 8 is a diagram of a first example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art. 図9Aは、第1例に係る熱インプリントの工程によって生じる型の破損状態を示した図の一例である。FIG. 9A is an example of a diagram showing a broken state of a mold generated by the thermal imprint process according to the first example. 図9Bは、第1例に係る熱インプリントの工程によって生じるパターン欠陥を示した図の一例である。FIG. 9B is an example of a diagram illustrating pattern defects generated by the thermal imprint process according to the first example. 図10は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第2例の図である。FIG. 10 is a diagram of a second example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art. 図11は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第3例の図である。FIG. 11 is a diagram of a third example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art.

以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本願で開示されるものの技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。   Hereinafter, embodiments will be described. The embodiments described below are merely examples, and the technical scope of what is disclosed in the present application is not limited to the following modes.

図1は、実施形態に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。本実施形態に係る配線基板の製造方法は、図1に示すように、型を載せる工程(S101)と配線パターンを転写する工程(S102)と離型する工程(S103)とを有する。以下、実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。   FIG. 1 is an example of a diagram illustrating a flow of a method of manufacturing a wiring board according to the embodiment. As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment includes a step of placing a mold (S101), a step of transferring a wiring pattern (S102), and a step of releasing (S103). Hereinafter, the manufacturing method of the wiring board according to the embodiment will be described.

図2は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際して用いる型を示した図の一例である。型1は、例えば、基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面2と、凹凸面2を覆う、所定温度で消失する第1の膜3と、第1の膜3を覆うよう
に封止する、所定温度で残存する第2の膜4と、を備えている。また、型1は、凹凸面2と第2の膜4との間に挟まれる第1の膜3を封止する封止部材であって、第1の膜3の縁に沿って第1の膜3を取り囲むように形成した封止部材5を備えている。
FIG. 2 is an example of a diagram showing a mold used when executing the method of manufacturing a wiring board according to the present embodiment. For example, the mold 1 includes an uneven surface 2 on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering a substrate is formed, a first film 3 that covers the uneven surface 2 and disappears at a predetermined temperature, and a first film 3. And a second film 4 that is sealed so as to remain at a predetermined temperature. The mold 1 is a sealing member that seals the first film 3 sandwiched between the concavo-convex surface 2 and the second film 4, and includes a first member along the edge of the first film 3. A sealing member 5 formed so as to surround the film 3 is provided.

なお、所定温度とは、第1の膜3が気体になる温度であり、例えば、第1の膜3が昇華し又は気化する温度である。また、所定温度で消失する膜とは、所定の温度に達すると昇華又は気化し、膜としての形態を失うものをいう。また、所定温度で残存する膜とは、所定温度に達しても昇華又は気化することなく、膜としての形態を維持するものをいう。また、昇華とは、液体を経ずに固体から気体へ相変化する現象をいう。   The predetermined temperature is a temperature at which the first film 3 becomes a gas, for example, a temperature at which the first film 3 is sublimated or vaporized. Moreover, the film | membrane which lose | disappears at predetermined temperature means what sublimates or vaporizes when it reaches predetermined temperature, and loses the form as a film | membrane. A film remaining at a predetermined temperature refers to a film that maintains its form as a film without sublimation or vaporization even when the temperature reaches a predetermined temperature. Sublimation is a phenomenon in which a phase changes from a solid to a gas without passing through a liquid.

基板を覆う絶縁性樹脂は、加熱すると硬化する熱硬化性樹脂が好ましい。絶縁性樹脂として適用可能な熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を挙げることができる。また、封止部材5は、加熱されると軟化し、凹凸面2と第2の膜4との間に挟まれる第1の膜3の封止状態を解除する熱可塑性の部材であることが好ましい。封止部材5が加熱によって軟化し、封止状態を解除するものであれば、第1の膜3を所定温度に加熱した場合の第1の膜3の消失が阻害されない。封止部材5として適用可能な熱可塑性の部材としては、例えば、ポリサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニルサルフォン等の熱可塑性樹脂を適用可能である。   The insulating resin that covers the substrate is preferably a thermosetting resin that cures when heated. As a thermosetting resin applicable as an insulating resin, a thermosetting epoxy resin can be mentioned, for example. The sealing member 5 is a thermoplastic member that softens when heated and releases the sealing state of the first film 3 sandwiched between the uneven surface 2 and the second film 4. preferable. If the sealing member 5 is softened by heating and releases the sealed state, the disappearance of the first film 3 when the first film 3 is heated to a predetermined temperature is not inhibited. As a thermoplastic member applicable as the sealing member 5, for example, a thermoplastic resin such as polysulfone, polyarylate, polyethersulfone, polyphenylsulfone, or the like is applicable.

図3は、本実施形態に係る配線基板の製造方法における各工程と温度プロファイルとの関係を示したグラフである。所定温度で気体になる第1の膜3の素材として、例えば、フマル酸を用いる場合、所定温度は、フマル酸の昇華点である約200℃となる。よって、例えば、第1の膜3がフマル酸で形成されている場合、第2の膜4は、約200℃に達しても消失しない素材で形成することになる。もっとも、第1の膜3は、絶縁性樹脂に形作る配線パターンの形成において型としての役割を担う部分でもある。よって、配線パターンの精度を確保する観点に鑑みれば、第1の膜3は、絶縁性樹脂を硬化させる際の加熱時において、固体状態を維持するものであることが好ましい。例えば、フマル酸を第1の膜3の素材として用いる場合、基板を覆う絶縁性樹脂は、凹凸面2による配線パターンの転写を可能とするべく、型1が押圧されると凹凸面2の形状に従って変形する柔軟性を有し、且つ、約200℃に達する前に硬化する素材で形成されていることが望まれる。上述した熱硬化性エポキシ樹脂は、約130℃に達すると軟化し、約180℃に達すると硬化反応を生じる特性がある。よって、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とした場合、昇温によってフマル酸を用いた第1の膜3が消失する前に絶縁性樹脂を硬化させることができ、更に、絶縁性樹脂の硬化前に第1の膜3が昇華するのを防ぐことができる。なお、第2の膜4の素材として適用することが可能な約200℃に達しても消失しない素材としては、例えば、銅等の金属類で形成した硬質の薄膜を挙げることができる。   FIG. 3 is a graph showing the relationship between each step and the temperature profile in the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment. For example, when fumaric acid is used as the material of the first film 3 that becomes a gas at a predetermined temperature, the predetermined temperature is about 200 ° C., which is the sublimation point of fumaric acid. Therefore, for example, when the first film 3 is formed of fumaric acid, the second film 4 is formed of a material that does not disappear even when the temperature reaches about 200 ° C. But the 1st film | membrane 3 is also a part which plays the role as a type | mold in formation of the wiring pattern formed in insulating resin. Therefore, in view of ensuring the accuracy of the wiring pattern, the first film 3 is preferably one that maintains a solid state during heating when the insulating resin is cured. For example, when fumaric acid is used as the material of the first film 3, the insulating resin covering the substrate is shaped so that the concave / convex surface 2 is shaped when the mold 1 is pressed so that the wiring pattern can be transferred by the concave / convex surface 2. Therefore, it is desired to be formed of a material that has a flexibility to be deformed according to the temperature and that cures before reaching about 200 ° C. The above-described thermosetting epoxy resin has a characteristic that it softens when it reaches about 130 ° C. and causes a curing reaction when it reaches about 180 ° C. Therefore, for example, when a thermosetting epoxy resin is used as the material of the insulating resin, the insulating resin can be cured before the first film 3 using fumaric acid disappears due to the temperature rise. It is possible to prevent the first film 3 from sublimating before the curing of the functional resin. In addition, as a raw material which does not lose | disappear even if it reaches about 200 degreeC which can be applied as a raw material of the 2nd film | membrane 4, the hard thin film formed with metals, such as copper, can be mentioned, for example.

例えば、フマル酸を第1の膜3の素材として用いる場合、基板を覆う絶縁性樹脂は、凹凸面2による配線パターンの転写を可能とするべく、型1が押圧されると凹凸面2の形状に従って変形する柔軟性を有し、且つ、約200℃に達する前に硬化する素材で形成されていることが望まれる。ところで、上述した熱硬化性エポキシ樹脂は、約130℃に達すると軟化し、約180℃に達すると硬化反応を生じる特性がある。よって、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とした場合、昇温によってフマル酸を用いた第1の膜3が消失する前に絶縁性樹脂を硬化させることができる。   For example, when fumaric acid is used as the material of the first film 3, the insulating resin covering the substrate is shaped so that the concave / convex surface 2 is shaped when the mold 1 is pressed so that the wiring pattern can be transferred by the concave / convex surface 2. Therefore, it is desired to be formed of a material that has a flexibility to be deformed according to the temperature and that cures before reaching about 200 ° C. By the way, the above-described thermosetting epoxy resin has a characteristic that it softens when it reaches about 130 ° C. and causes a curing reaction when it reaches about 180 ° C. Therefore, for example, when a thermosetting epoxy resin is used as the material of the insulating resin, the insulating resin can be cured before the first film 3 using fumaric acid disappears due to the temperature rise.

なお、第1の膜3の素材として適用可能なものとしては、フマル酸の他、例えば、トリメチルアミン塩酸塩、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸、ヘキサメチレンテトラミン等の昇華性の素材を挙げることができる。トリメチルアミン塩酸塩の昇華点は約200℃であり、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸の昇華点は約210℃であり、ヘキサメチレンテトラミンの昇華点は約260℃であるため、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸
やヘキサメチレンテトラミンを用いる場合は所定温度の値を引き上げることになる。
Examples of materials that can be used as the material of the first film 3 include fumaric acid and sublimable materials such as trimethylamine hydrochloride, 3,4,5-trihydroxybenzoic acid, and hexamethylenetetramine. be able to. The sublimation point of trimethylamine hydrochloride is about 200 ° C., the sublimation point of 3,4,5-trihydroxybenzoic acid is about 210 ° C., and the sublimation point of hexamethylenetetramine is about 260 ° C. When using 5,5-trihydroxybenzoic acid or hexamethylenetetramine, the value of the predetermined temperature is raised.

また、封止部材5は、所定温度において第1の膜3の封止状態を解除可能とし、且つ、絶縁性樹脂が十分に硬化する前には第1の膜3が消失しないように封止状態を維持するものであることが望まれる。例えば、昇華性のフマル酸を第1の膜3の素材として用い、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とする場合、封止部材5の素材としては、ポリサルフォン製の熱可塑性樹脂シートが好適である。ポリサルフォンであれば、ガラス転移温度が約190℃であるため、所定温度に到達する前の第1の膜3の消失を防ぐことができ、且つ、所定温度に達した第1の膜3の消失を阻害することも無い。なお、ポリアリレートのガラス転移温度約193℃であり、ポリエーテルサルフォンのガラス転移温度約204℃であり、ポリフェニルサルフォンのガラス転移温度約220℃である。よって、封止部材5の素材としてポリエーテルサルフォンやポリフェニルサルフォンを用いる場合、所定温度の値を引き上げることになる。   Further, the sealing member 5 allows the first film 3 to be released from the sealed state at a predetermined temperature, and is sealed so that the first film 3 does not disappear before the insulating resin is sufficiently cured. It is desirable to maintain the state. For example, when sublimable fumaric acid is used as the material for the first film 3 and the thermosetting epoxy resin is used as the material for the insulating resin, a thermoplastic resin sheet made of polysulfone is used as the material for the sealing member 5. Is preferred. In the case of polysulfone, since the glass transition temperature is about 190 ° C., the disappearance of the first film 3 before reaching the predetermined temperature can be prevented, and the disappearance of the first film 3 reaching the predetermined temperature can be prevented. There is no hindrance. Polyarylate has a glass transition temperature of about 193 ° C, polyethersulfone has a glass transition temperature of about 204 ° C, and polyphenylsulfone has a glass transition temperature of about 220 ° C. Therefore, when polyether sulfone or polyphenyl sulfone is used as the material for the sealing member 5, the value of the predetermined temperature is raised.

図4Aは、型を載せる工程を示した図の一例である。本実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際しては、例えば、図2に示したような上述の型1を、絶縁性樹脂7で覆われた基板6に載せる。   FIG. 4A is an example of a diagram illustrating a process of placing a mold. When executing the method of manufacturing the wiring board according to the present embodiment, for example, the above-described mold 1 as shown in FIG. 2 is placed on the substrate 6 covered with the insulating resin 7.

図4Bは、配線パターンを転写する工程を示した図の一例である。型1を基板6に載せた後は、型1を載せた基板6の絶縁性樹脂7を加熱して絶縁性樹脂7を軟化させて型1を加圧し、凹凸面2に形成されている配線パターンを第1の膜3及び第2の膜4を挟んで絶縁性樹脂7に転写する。配線パターンを転写する際の絶縁性樹脂7の温度は、絶縁性樹脂7が軟化する温度であれば如何なる温度であってもよい。絶縁性樹脂7が、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂であれば、配線パターンを転写する際の絶縁性樹脂7の温度を約130℃以上にする。   FIG. 4B is an example of a diagram illustrating a process of transferring a wiring pattern. After the mold 1 is placed on the substrate 6, the insulating resin 7 of the substrate 6 on which the mold 1 is placed is heated to soften the insulating resin 7 and pressurize the mold 1 to form the wiring formed on the uneven surface 2. The pattern is transferred to the insulating resin 7 with the first film 3 and the second film 4 interposed therebetween. The temperature of the insulating resin 7 when transferring the wiring pattern may be any temperature as long as the insulating resin 7 is softened. If the insulating resin 7 is, for example, a thermosetting epoxy resin, the temperature of the insulating resin 7 when transferring the wiring pattern is set to about 130 ° C. or higher.

配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂7を更に加熱し、熱硬化させる。上述したように、絶縁性樹脂7が例えば熱硬化性エポキシ樹脂の場合であれば、絶縁性樹脂7を約180℃に加熱することで、配線パターンが転写された絶縁性樹脂7を硬化させることができる。   After the wiring pattern is transferred, the insulating resin 7 is further heated and cured. As described above, if the insulating resin 7 is, for example, a thermosetting epoxy resin, the insulating resin 7 to which the wiring pattern is transferred is cured by heating the insulating resin 7 to about 180 ° C. Can do.

図4Cは、離型をする工程を示した第1の図の一例である。絶縁性樹脂7を硬化させた後は、封止部材5を加熱し、第1の膜3の封止状態を解除する。上述したように、封止部材5が例えばポリサルフォンであれば、封止部材5をポリサルフォンのガラス転移温度である約190℃に加熱することで、封止部材5を軟化させることができる。封止部材5が軟化すると、第1の膜3を封止する密封構造の強度が低下することになる。   FIG. 4C is an example of the first diagram illustrating the step of releasing the mold. After the insulating resin 7 is cured, the sealing member 5 is heated to release the sealing state of the first film 3. As described above, if the sealing member 5 is, for example, polysulfone, the sealing member 5 can be softened by heating the sealing member 5 to about 190 ° C., which is the glass transition temperature of polysulfone. When the sealing member 5 is softened, the strength of the sealing structure that seals the first film 3 is lowered.

図4Dは、離型をする工程を示した第2の図の一例である。封止部材5が軟化した後も更に加熱を続け、第1の膜3が所定温度に達すると、第1の膜3が気化し始める。第1の膜3が気化し始めるときには、封止部材5が既に軟化しているため、膨張した第1の膜3が封止部材5を押しのける。この結果、凹凸面2と第2の膜4との間にあった第1の膜3が封止部材5のあった部分から外部へ気散して消失し、型1の配線パターンを覆う膜としての形態を失う。また、第1の膜3は消失の過程で膨張するため、型1は、第1の膜3の消失に際して凹凸面2全体が第1の膜3から受ける力により、型1が基板6に対して概ね平行な状態を保持したまま浮き上がる。   FIG. 4D is an example of a second diagram illustrating a step of releasing the mold. Even after the sealing member 5 is softened, the heating is continued, and when the first film 3 reaches a predetermined temperature, the first film 3 starts to vaporize. When the first film 3 starts to vaporize, the sealing member 5 has already been softened, so that the expanded first film 3 pushes the sealing member 5 away. As a result, the first film 3 between the concave-convex surface 2 and the second film 4 diffuses away from the portion where the sealing member 5 was present and disappears, and serves as a film that covers the wiring pattern of the mold 1. Loses form. In addition, since the first film 3 expands in the process of disappearance, the mold 1 is deformed with respect to the substrate 6 by the force that the entire uneven surface 2 receives from the first film 3 when the first film 3 disappears. It floats while maintaining a generally parallel state.

図4Eは、離型をする工程を示した第3の図の一例である。第1の膜3が消失した後は、型1を基板6から引き離し、基板6を冷却する。型1と絶縁性樹脂7との間の密着力は、第1の膜3の消失によって既に失われているため、型1を基板6からスムーズに引き離すことができる。   FIG. 4E is an example of a third diagram showing the step of releasing the mold. After the first film 3 disappears, the mold 1 is separated from the substrate 6 and the substrate 6 is cooled. Since the adhesive force between the mold 1 and the insulating resin 7 has already been lost due to the disappearance of the first film 3, the mold 1 can be smoothly pulled away from the substrate 6.

上記実施形態に係る配線基板の製造方法において用いた型1は、例えば、以下の様な方法で製造することができる。   The mold 1 used in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment can be manufactured by the following method, for example.

図5は、型1の製造方法のフローを示した図の一例である。型1の製造方法は、図5に示すように、配線パターンの凹凸面2を形成する工程(S201)と封止部材5を形成する工程(S202)と第1の膜3を形成する工程(S203)と第2の膜4を形成する工程(S204)とを有する。以下、型1の製造方法について説明する。   FIG. 5 is an example of a diagram illustrating a flow of the manufacturing method of the mold 1. As shown in FIG. 5, the manufacturing method of the mold 1 includes a step (S201) of forming the concave / convex surface 2 of the wiring pattern, a step (S202) of forming the sealing member 5 and a step of forming the first film 3 ( S203) and a step of forming the second film 4 (S204). Hereinafter, a method for manufacturing the mold 1 will be described.

図6Aは、配線パターンを形成する工程を示した図の一例である。型1の製造にあたっては、まず、板状の素材を用意する。用意する素材は、如何なるものであってもよいが、絶縁性樹脂7に配線パターンを転写可能な硬さを有する素材であることが好ましい。絶縁性樹脂7に配線パターンを転写可能な硬さを有する素材としては、例えば、石英や金属、硬質の樹脂、Si等を挙げることができる。板状の素材に対して各種の加工を施し、配線パターンの凹凸面2を形成する(S201)。   FIG. 6A is an example of a diagram illustrating a process of forming a wiring pattern. In manufacturing the mold 1, first, a plate-shaped material is prepared. The material to be prepared may be any material, but is preferably a material having a hardness capable of transferring the wiring pattern to the insulating resin 7. Examples of the material having a hardness capable of transferring the wiring pattern to the insulating resin 7 include quartz, metal, hard resin, Si, and the like. Various processes are performed on the plate-shaped material to form the uneven surface 2 of the wiring pattern (S201).

図6Bは、封止部材5を形成する工程を示した図の一例である。配線パターンを形成した後は、表面を保護フィルム8で覆った封止部材5を、凹凸面2の縁に沿って形成する(S202)。封止部材5として、例えば、ポリサルフォン製の熱可塑性樹脂シートを用いる場合、シート状の封止部材5を凹凸面2の縁に沿って貼り付ける。   FIG. 6B is an example of a diagram illustrating a process of forming the sealing member 5. After the wiring pattern is formed, the sealing member 5 whose surface is covered with the protective film 8 is formed along the edge of the uneven surface 2 (S202). For example, when a thermoplastic resin sheet made of polysulfone is used as the sealing member 5, the sheet-like sealing member 5 is attached along the edge of the uneven surface 2.

図6Cは、第1の膜3を形成する工程を示した図の一例である。封止部材5を形成した後は、第1の膜3を形成する(S203)。第1の膜3は、例えば、蒸着等によって形成可能である。第1の膜3は、型1の凹凸面2を覆うように形成する。   FIG. 6C is an example of a diagram illustrating a process of forming the first film 3. After forming the sealing member 5, the first film 3 is formed (S203). The first film 3 can be formed, for example, by vapor deposition. The first film 3 is formed so as to cover the uneven surface 2 of the mold 1.

図6Dは、保護フィルム8を剥離する工程を示した図の一例である。型1の凹凸面2を覆うように第1の膜3を形成した後は、封止部材5の表面を覆う保護フィルム8を剥離する。   FIG. 6D is an example of a diagram illustrating a process of peeling the protective film 8. After the first film 3 is formed so as to cover the uneven surface 2 of the mold 1, the protective film 8 covering the surface of the sealing member 5 is peeled off.

図6Eは、第2の膜4を形成する工程を示した図の一例である。第1の膜3を形成し、更に保護フィルム8を剥離した後は、第2の膜4を形成する(S204)。第2の膜4は、例えば、スパッタ等によって形成可能である。   FIG. 6E is an example of a diagram illustrating a process of forming the second film 4. After the first film 3 is formed and the protective film 8 is further peeled off, the second film 4 is formed (S204). The second film 4 can be formed by sputtering, for example.

図7は、従来技術に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。従来技術に係る配線基板の製造方法のフローでは、図7に示すように、絶縁層ラミネートの工程(S1)、熱インプリントおよび仮硬化の工程(S2)、絶縁層粗化および残膜処理の工程(S3)、鍍金ベースを成膜する工程(S4)、Cu鍍金の工程(S5)、平坦化の工程(S6)、本硬化の工程(S7)がある。   FIG. 7 is an example of a diagram showing a flow of a method for manufacturing a wiring board according to the prior art. In the flow of the method for manufacturing a wiring board according to the prior art, as shown in FIG. 7, the insulating layer laminating step (S1), the thermal imprinting and temporary curing step (S2), the insulating layer roughening and the remaining film treatment are performed. There are a step (S3), a plating base film forming step (S4), a Cu plating step (S5), a planarization step (S6), and a main curing step (S7).

従来技術に係る配線基板の製造方法のフローでは、熱インプリントおよび仮硬化の工程(S2)において、以下のような現象が発生することがある。   In the flow of the method for manufacturing a wiring board according to the prior art, the following phenomenon may occur in the thermal imprint and temporary curing step (S2).

図8は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第1例の図である。本第1例では、離型剤109を塗布した型101を、絶縁性樹脂107で覆われた基板106に載せる(図8(A)を参照)。型101を基板106に載せた後は、型101を載せた基板106の絶縁性樹脂107を加熱して絶縁性樹脂107を軟化させ、型101を加圧して凹凸面102に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂107に転写する(図8(B)を参照)。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂107を更に加熱し、熱硬化させる。絶縁性樹脂107を熱硬化させた後は、絶縁性樹脂107を冷却し、型101を基板106から引き離して離型する(図8(C)を参照)。   FIG. 8 is a diagram of a first example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art. In the first example, the mold 101 to which the release agent 109 is applied is placed on the substrate 106 covered with the insulating resin 107 (see FIG. 8A). After the mold 101 is placed on the substrate 106, the insulating resin 107 of the substrate 106 on which the mold 101 is placed is heated to soften the insulating resin 107, and the mold 101 is pressurized to form the wiring formed on the uneven surface 102. The pattern is transferred to the insulating resin 107 (see FIG. 8B). After the wiring pattern is transferred, the insulating resin 107 is further heated and thermoset. After the insulating resin 107 is thermally cured, the insulating resin 107 is cooled, and the mold 101 is separated from the substrate 106 to be released (see FIG. 8C).

図9Aは、上記第1例に係る熱インプリントの工程によって生じる型の破損状態を示した図の一例である。上記第1例に係る熱インプリントの工程によれば、型101に離型剤109を塗布しただけのものを用いているため、型101と絶縁性樹脂107との間の密着力が型101の強度を上回った場合、型101が破損し得る。例えば、型101の表面の一部または全部が荒れている場合、当該荒れている部分がアンカー効果を発揮し、型101と絶縁性樹脂107との間の密着力が高くなる。すなわち、アンカー効果によって離型性が悪化し、離型不良による型101の破損やパターン欠陥の発生に至る可能性が高まる。なお、荒れているとは、例えばサンドブラストを施した面のように、表面がざらついている状態をいう。   FIG. 9A is an example of a diagram showing a damaged state of the mold generated by the thermal imprint process according to the first example. According to the thermal imprinting process according to the first example, since the mold 101 is simply coated with the release agent 109, the adhesion between the mold 101 and the insulating resin 107 is increased. If the strength is exceeded, the mold 101 may be damaged. For example, when part or all of the surface of the mold 101 is rough, the rough portion exhibits an anchor effect, and the adhesion between the mold 101 and the insulating resin 107 increases. That is, the releasability is deteriorated due to the anchor effect, and the possibility that the mold 101 is damaged or a pattern defect is generated due to a release failure is increased. Note that the rough surface refers to a state in which the surface is rough, such as a sandblasted surface.

図9Bは、上記第1例に係る熱インプリントの工程によって生じるパターン欠陥を示した図の一例である。上記第1例に係る熱インプリントの工程によれば、型101に離型剤109を塗布しただけのものを用いているため、型101と絶縁性樹脂107との間の密着力が絶縁性樹脂107の強度を上回った場合、絶縁性樹脂107の一部が破損し、絶縁性樹脂107に転写された配線パターンに欠損が生じ得る。   FIG. 9B is an example of a diagram showing pattern defects generated by the thermal imprint process according to the first example. According to the thermal imprinting process according to the first example, since the mold 101 is simply coated with the release agent 109, the adhesion between the mold 101 and the insulating resin 107 is insulative. When the strength of the resin 107 is exceeded, a part of the insulating resin 107 is damaged, and the wiring pattern transferred to the insulating resin 107 may be damaged.

従来技術に係る配線基板の製造方法のフローの場合、上述したように、離型に際して型の破損やパターン欠陥が生じ得る。型の破損やパターン欠陥が製品の歩留まりに与える影響は、配線が微細になるにつれて著しくなる。そこで、型の破損やパターン欠陥を生じさせない離型の実現が望まれる。型の破損やパターン欠陥を生じさせない離型としては、例えば、離型剤109に代わる素材を用いることが考えられる。離型剤109に代わる素材としては、例えば、上記実施形態に係る配線基板の製造方法において型1の第1の膜3として用いた昇華性のフマル酸が挙げられる。型101の離型剤109をフマル酸へ置き換えるのは、熱インプリントの工程が以下のように実現されることを意図したものである。   In the case of the flow of the conventional method for manufacturing a wiring board, as described above, mold breakage or pattern defects may occur during mold release. The effects of mold breakage and pattern defects on product yield become more prominent as wiring becomes finer. Thus, it is desired to realize mold release that does not cause mold breakage or pattern defects. As a mold release that does not cause mold breakage or pattern defects, for example, a material that replaces the mold release agent 109 may be used. As a material that can replace the mold release agent 109, for example, sublimable fumaric acid used as the first film 3 of the mold 1 in the method for manufacturing a wiring board according to the above-described embodiment can be given. The replacement of the mold release agent 109 of the mold 101 with fumaric acid is intended to realize the thermal imprinting process as follows.

図10は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第2例の図である。本第2例では、離型剤109に代わり、フマル酸の昇華性薄膜103で凹凸面102を覆った型101を、絶縁性樹脂107で覆われた基板106に載せる(図10(A)を参照)。型101を基板106に載せた後は、型101を載せた基板106の絶縁性樹脂107を加熱して絶縁性樹脂107を軟化させ、型101を加圧して凹凸面102に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂107に転写する。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂107を更に加熱し、熱硬化させる(図10(B)を参照)。熱硬化の際、昇華性薄膜103は、絶縁性樹脂107に対する更なる加熱によって昇華が進行し、体積膨張を伴いながら消失する(図10(C)を参照)。絶縁性樹脂107を熱硬化させた後は、絶縁性樹脂107を冷却し、型101を基板106から引き離して離型する(図10(D)を参照)。   FIG. 10 is a diagram of a second example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art. In this second example, instead of the mold release agent 109, a mold 101 having an uneven surface 102 covered with a sublimable thin film 103 of fumaric acid is placed on a substrate 106 covered with an insulating resin 107 (FIG. 10A). reference). After the mold 101 is placed on the substrate 106, the insulating resin 107 of the substrate 106 on which the mold 101 is placed is heated to soften the insulating resin 107, and the mold 101 is pressurized to form the wiring formed on the uneven surface 102. The pattern is transferred to the insulating resin 107. After the wiring pattern is transferred, the insulating resin 107 is further heated and cured (see FIG. 10B). At the time of thermosetting, the sublimation thin film 103 is sublimated by further heating of the insulating resin 107 and disappears with volume expansion (see FIG. 10C). After the insulating resin 107 is thermally cured, the insulating resin 107 is cooled, and the mold 101 is separated from the substrate 106 to be released (see FIG. 10D).

上記第2例に係る熱インプリントの工程であれば、加熱によって体積膨張する昇華性薄膜103を用いているため、離型剤109を用いる場合よりも型の破損やパターン欠陥が生じないように考えられる。しかしながら、昇華性薄膜103を用いた場合、実際には、熱インプリントの工程が以下のように実現される。   In the case of the thermal imprinting process according to the second example, since the sublimable thin film 103 that expands in volume by heating is used, mold damage and pattern defects do not occur as compared with the case where the mold release agent 109 is used. Conceivable. However, when the sublimable thin film 103 is used, the thermal imprint process is actually realized as follows.

図11は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第3例の図である。本第3例では、フマル酸の昇華性薄膜103で凹凸面102を覆った型101を、絶縁性樹脂107で覆われた基板106に載せる(図11(A)を参照)。型101を基板106に載せた後は、型101を載せた基板106の絶縁性樹脂107を加熱して絶縁性樹脂107を軟化させ、型101を加圧して凹凸面102に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂107に転写する。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂107を更に加熱し、熱硬化させる(図11(B)を参照)。熱硬化の際、昇華性薄膜103は、絶縁性樹
脂107に対する更なる加熱によって昇華が進行し、昇華性薄膜103の体積膨張が生じる。そして、昇華性薄膜103は昇華し始めるが、凹凸面102と絶縁性樹脂107との隙間を封止状態にするものが存在せず、凹凸面102と絶縁性樹脂107との隙間が開放されているため、昇華性薄膜103は、やがて型101と絶縁性樹脂107との隙間から消失する。昇華性薄膜103が消失すると、加熱されて熱硬化中の絶縁性樹脂107は変形し、型101の凹凸面102に密着する(図11(C)を参照)。絶縁性樹脂107を熱硬化させた後に、絶縁性樹脂107を冷却すると、絶縁性樹脂107が型101に密着した状態になっているため、離型に伴う型の破損やパターン欠陥が生じ得る(図11(D)を参照)。
FIG. 11 is a diagram of a third example showing in detail the process of thermal imprinting according to the prior art. In this third example, a mold 101 having an uneven surface 102 covered with a fumaric acid sublimable thin film 103 is placed on a substrate 106 covered with an insulating resin 107 (see FIG. 11A). After the mold 101 is placed on the substrate 106, the insulating resin 107 of the substrate 106 on which the mold 101 is placed is heated to soften the insulating resin 107, and the mold 101 is pressurized to form the wiring formed on the uneven surface 102. The pattern is transferred to the insulating resin 107. After the wiring pattern is transferred, the insulating resin 107 is further heated and thermally cured (see FIG. 11B). At the time of thermosetting, sublimation of the sublimable thin film 103 proceeds by further heating of the insulating resin 107, and volume expansion of the sublimable thin film 103 occurs. Then, although the sublimable thin film 103 starts to sublimate, there is nothing that seals the gap between the uneven surface 102 and the insulating resin 107, and the gap between the uneven surface 102 and the insulating resin 107 is opened. Therefore, the sublimable thin film 103 eventually disappears from the gap between the mold 101 and the insulating resin 107. When the sublimable thin film 103 disappears, the insulating resin 107 that is heated and thermoset is deformed and is in close contact with the uneven surface 102 of the mold 101 (see FIG. 11C). When the insulating resin 107 is cooled after the insulating resin 107 is thermally cured, the insulating resin 107 is in close contact with the mold 101, and therefore mold breakage and pattern defects may occur due to mold release ( (See FIG. 11D).

一方、上記実施形態に係る配線基板の製造方法であれば、加熱によって第1の膜3を消失させた後に型1を取り除いているため、離型性が向上し、配線パターンを微細化可能である。上記実施形態に係る配線基板の製造方法であれば、例えば、型1の表面の一部または全部が荒れている場合であっても、加熱によって第1の膜3を消失させた後に型1を取り除いているため、当該荒れている部分がアンカー効果を発揮しない。よって、アンカー効果によって離型性が悪化し、離型不良による型1の破損やパターン欠陥の発生に至る可能性が極めて低い。この結果、製品の品質向上や型の長寿命化が図れることになる。   On the other hand, in the method for manufacturing a wiring board according to the above-described embodiment, the mold 1 is removed after the first film 3 is removed by heating, so that the releasability is improved and the wiring pattern can be miniaturized. is there. In the method for manufacturing a wiring board according to the above-described embodiment, for example, even when a part or all of the surface of the mold 1 is rough, the mold 1 is removed after the first film 3 is removed by heating. Since it is removed, the rough portion does not exhibit the anchor effect. Therefore, the releasability is deteriorated due to the anchor effect, and the possibility of the breakage of the mold 1 and the occurrence of pattern defects due to the defective release is extremely low. As a result, the product quality can be improved and the mold life can be extended.

また、凹凸面2を覆う第1の膜3は、第2の膜4および封止部材5によって封止状態にあるため、例えば、第1の膜3として昇華性の素材を採用した場合であっても、第1の膜3の昇華が抑制され、第1の膜3を固体状態で封止状態の系内に保持できる。従って、絶縁性樹脂7の加熱硬化に際し、第1の膜3の硬化完了前に第1の膜3が消失し、絶縁性樹脂7が第2の膜4を介して型1に密着する可能性が低い。   In addition, since the first film 3 covering the uneven surface 2 is in a sealed state by the second film 4 and the sealing member 5, for example, a case where a sublimable material is employed as the first film 3. However, sublimation of the first film 3 is suppressed, and the first film 3 can be held in a sealed state in a solid state. Therefore, when the insulating resin 7 is heat-cured, the first film 3 may disappear before the first film 3 is completely cured, and the insulating resin 7 may adhere to the mold 1 via the second film 4. Is low.

また、上記実施形態に係る配線基板の製造方法に用いる型1は、凹凸面2を覆う第1の膜3を第2の膜4および封止部材5によって封止しているため、例えば、常温においても消失し得る素材を第1の膜3の素材として用いることも可能であり、第1の膜3の素材として用いることができる物質の種類の選択肢が多い。   Moreover, since the type | mold 1 used for the manufacturing method of the wiring board which concerns on the said embodiment has sealed the 1st film | membrane 3 which covers the uneven surface 2 with the 2nd film | membrane 4 and the sealing member 5, for example, normal temperature It is also possible to use a material that can disappear even as a material for the first film 3, and there are many choices of the types of substances that can be used as the material for the first film 3.

なお、型1の配線パターンを絶縁性樹脂7に転写し、絶縁性樹脂7に配線パターンを形成した後は、例えば、絶縁性樹脂7の凹凸を埋めるCu鍍金や平坦化の処理を行うことにより、基板6に配線を形成した配線基板を完成させることができる。また、上記実施形態に係る配線基板の製造方法や型1は、上記の態様に限定されるものでなく、適宜変更し或いは組み合わせ可能である。例えば、凹凸面2は、凹凸が全面的に形成される態様に限定されるものでなく、凹凸が凹凸面2の特定の領域に形成されるものであってもよい。また、第1の膜3や第2の膜4は、一層ずつ設けたものに限定されるものでなく、例えば、複数層設けたものであってもよい。   After transferring the wiring pattern of the mold 1 to the insulating resin 7 and forming the wiring pattern on the insulating resin 7, for example, by performing Cu plating or flattening treatment to fill the unevenness of the insulating resin 7. A wiring board in which wiring is formed on the substrate 6 can be completed. Moreover, the manufacturing method and type | mold 1 of the wiring board which concern on the said embodiment are not limited to said aspect, It can change or combine suitably. For example, the concavo-convex surface 2 is not limited to an aspect in which the concavo-convex surface is entirely formed, and the concavo-convex surface may be formed in a specific region of the concavo-convex surface 2. Further, the first film 3 and the second film 4 are not limited to those provided one by one, but may be provided, for example, in a plurality of layers.

また、本願は、以下のような付記的事項を含む。
(付記1)
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第1の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第2の膜によって前記第1の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第1の膜及び前記第2の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第1の膜を消失させる工程と、
加熱によって前記第1の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有する
配線基板の製造方法。(1、図1)
(付記2)
前記第1の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
付記1に記載の配線基板の製造方法。(2)
(付記3)
前記所定温度とは、前記第1の膜が気化する温度である、
付記1または2に記載の配線基板の製造方法。(3)
(付記4)
前記第2の膜は、金属製の膜である、
付記1から3の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。(4)
(付記5)
前記型は、熱可塑性の素材によって形成された、前記凹凸面と前記第2の膜との隙間を封止する封止部材を更に備える、
付記1から4の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。(5)
(付記6)
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第1の膜と、
前記第1の膜を覆うように封止する、前記所定温度で残存する第2の膜と、を備える、
配線基板製造用の型。(6、図2)
(付記7)
前記第1の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
付記6に記載の配線基板製造用の型。
(付記8)
前記所定温度とは、前記第1の膜が気化する温度である、
付記6または7に記載の配線基板製造用の型。
(付記9)
前記第2の膜は、金属製の膜である、
付記6から8の何れか一項に記載の配線基板製造用の型。
(付記10)
前記型は、熱可塑性の素材によって形成される、前記凹凸面と前記第2の膜との隙間を封止する封止部材を更に備える、
付記6から9の何れか一項に記載の配線基板製造用の型。
In addition, the present application includes the following supplementary matters.
(Appendix 1)
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed is covered with a first film that disappears at a predetermined temperature, and the first film is covered with a second film that remains at the predetermined temperature. Placing the mold sealed on the insulating resin of the substrate;
Transferring the wiring pattern formed on the uneven surface to the insulating resin with the first film and the second film interposed therebetween;
Heating the mold having the wiring pattern transferred to the insulating resin to a temperature equal to or higher than the predetermined temperature, and eliminating the first film;
And a step of releasing the mold from which the first film has disappeared by heating from the insulating resin. (1, Fig. 1)
(Appendix 2)
The first film is a film formed of a sublimable material.
A method for manufacturing a wiring board according to appendix 1. (2)
(Appendix 3)
The predetermined temperature is a temperature at which the first film is vaporized.
A method for manufacturing a wiring board according to appendix 1 or 2. (3)
(Appendix 4)
The second film is a metal film,
The method for manufacturing a wiring board according to any one of appendices 1 to 3. (4)
(Appendix 5)
The mold further includes a sealing member that is formed of a thermoplastic material and seals a gap between the uneven surface and the second film.
The method for manufacturing a wiring board according to any one of appendices 1 to 4. (5)
(Appendix 6)
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed;
A first film covering the uneven surface and disappearing at a predetermined temperature;
Sealing to cover the first film, the second film remaining at the predetermined temperature,
Mold for wiring board manufacturing. (6, Fig. 2)
(Appendix 7)
The first film is a film formed of a sublimable material.
The mold for manufacturing a wiring board according to appendix 6.
(Appendix 8)
The predetermined temperature is a temperature at which the first film is vaporized.
The mold for manufacturing a wiring board according to appendix 6 or 7.
(Appendix 9)
The second film is a metal film,
The mold for manufacturing a wiring board according to any one of appendices 6 to 8.
(Appendix 10)
The mold further includes a sealing member that is formed of a thermoplastic material and seals a gap between the uneven surface and the second film.
The mold for manufacturing a wiring board according to any one of appendices 6 to 9.

1,101・・型;2,102・・凹凸面;3・・第1の膜;4・・第2の膜;5・・封止部材;6,106・・基板;7,107・・絶縁性樹脂;8・・保護フィルム;109・・離型剤;103・・昇華性薄膜 1, 101... Mold; 2, 102.. Uneven surface; 3.. First film; 4. Insulating resin; 8 .... Protective film; 109 ... Release agent; 103 ... Sublimation thin film

Claims (6)

基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第1の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第2の膜によって前記第1の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第1の膜及び前記第2の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第1の膜を消失させる工程と、
加熱によって前記第1の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有する
配線基板の製造方法。
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed is covered with a first film that disappears at a predetermined temperature, and the first film is covered with a second film that remains at the predetermined temperature. Placing the mold sealed on the insulating resin of the substrate;
Transferring the wiring pattern formed on the uneven surface to the insulating resin with the first film and the second film interposed therebetween;
Heating the mold having the wiring pattern transferred to the insulating resin to a temperature equal to or higher than the predetermined temperature, and eliminating the first film;
And a step of releasing the mold from which the first film has disappeared by heating from the insulating resin.
前記第1の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
請求項1に記載の配線基板の製造方法。
The first film is a film formed of a sublimable material.
The manufacturing method of the wiring board of Claim 1.
前記所定温度とは、前記第1の膜が気化する温度である、
請求項1または2に記載の配線基板の製造方法。
The predetermined temperature is a temperature at which the first film is vaporized.
The manufacturing method of the wiring board of Claim 1 or 2.
前記第2の膜は、金属製の膜である、
請求項1から3の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
The second film is a metal film,
The manufacturing method of the wiring board as described in any one of Claim 1 to 3.
前記型は、熱可塑性の素材によって形成された、前記凹凸面と前記第2の膜との隙間を封止する封止部材を更に備える、
請求項1から4の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
The mold further includes a sealing member that is formed of a thermoplastic material and seals a gap between the uneven surface and the second film.
The manufacturing method of the wiring board as described in any one of Claim 1 to 4.
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第1の膜と、
前記第1の膜を覆うように封止する、前記所定温度で残存する第2の膜と、を備える、
配線基板製造用の型。
An uneven surface on which a wiring pattern to be transferred to an insulating resin covering the substrate is formed;
A first film covering the uneven surface and disappearing at a predetermined temperature;
Sealing to cover the first film, the second film remaining at the predetermined temperature,
Mold for wiring board manufacturing.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11490524B2 (en) * 2020-10-30 2022-11-01 Harbin Institute Of Technology Liquid metal-based flexible electronic device and preparation method and use thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125930A (en) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp Separation method
JP2007243181A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Method of manufacturing substrate by imprinting
US7335521B2 (en) * 2004-07-02 2008-02-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for the production of multilayer discs
WO2010005032A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 東洋合成工業株式会社 Pattern-forming method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125930A (en) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp Separation method
US7335521B2 (en) * 2004-07-02 2008-02-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for the production of multilayer discs
JP2007243181A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Method of manufacturing substrate by imprinting
WO2010005032A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 東洋合成工業株式会社 Pattern-forming method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11490524B2 (en) * 2020-10-30 2022-11-01 Harbin Institute Of Technology Liquid metal-based flexible electronic device and preparation method and use thereof

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