JP2014227464A - Method for producing novolak-type phenol resin and photoresist composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、各種バインダー、コーティング材、積層材、成形材料、特に半導体レジスト分野に好適に用いることができるノボラック型フェノール樹脂の製造方法に関する。また、本発明は、本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造方法で得られるノボラック型樹脂を用いたフォトレジスト組成物に関する。 The present invention relates to a method for producing a novolak-type phenolic resin that can be suitably used in various binders, coating materials, laminated materials, molding materials, and particularly in the field of semiconductor resists. Moreover, this invention relates to the photoresist composition using the novolak-type resin obtained with the manufacturing method of the novolak-type phenol resin of this invention.
ノボラック型フェノール樹脂は、接着剤、成形材料、塗料、半導体レジスト材料、エポキシ樹脂原料、エポキシ樹脂用硬化剤等に用いられている他、得られる硬化物において優れた耐熱性や耐湿性などに優れる点から、フェノール化合物自体を主剤とする硬化性樹脂組成物として、或いは、これをエポキシ化した樹脂や、エポキシ樹脂用硬化剤とする硬化性樹脂組成物として、半導体封止材やプリント配線板用絶縁材料等の電気・電子分野等で幅広く用いられている。 Novolac-type phenolic resins are used in adhesives, molding materials, paints, semiconductor resist materials, epoxy resin raw materials, epoxy resin curing agents, etc., and have excellent heat resistance and moisture resistance in the resulting cured products. From the point, as a curable resin composition having a phenol compound itself as a main component, or as a curable resin composition having an epoxidized resin or an epoxy resin curing agent, for semiconductor encapsulating materials and printed wiring boards Widely used in electrical and electronic fields such as insulating materials.
前記ノボラック樹脂は、従来より種々の方法により製造されており、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒の存在下にエタノール中で反応させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 The novolak resin has been conventionally produced by various methods. For example, a method of reacting phenols and aldehydes in ethanol in the presence of an acid catalyst is known (see, for example, Patent Document 1). ).
近年、フォトレジスト組成物の分野において、例えば、ＬＥＤ用途等では、機械的特性、熱的特性、科学的安定性、光透過性に優れているサファイヤ基板やガリウムナイトライド基板等が従来のシリコン基板に代わって使用されている。これらの基板は、シリコン基板と比べて非常に硬く、エッチングし難い。これらの基板はエッチングする際には従来のシリコン基板と比べてより高温となる。その為、フォトレジスト組成物を用いて得られる塗膜には、より高い耐熱性が求められている。しかしながら、前記特許文献１に記載された方法では、高分子量のノボラック型フェノール樹脂が得られず、その為、より高い耐熱性を有する塗膜となるフォトレジスト組成物を得ることが困難であった。 In recent years, in the field of photoresist compositions, for example, in LED applications, sapphire substrates and gallium nitride substrates, which are excellent in mechanical properties, thermal properties, scientific stability, and light transmittance, are conventional silicon substrates. Is used instead. These substrates are very hard and difficult to etch compared to silicon substrates. When these substrates are etched, they are hotter than conventional silicon substrates. Therefore, higher heat resistance is required for a coating film obtained using the photoresist composition. However, in the method described in Patent Document 1, a high molecular weight novolak type phenol resin cannot be obtained, and therefore it is difficult to obtain a photoresist composition that forms a coating film having higher heat resistance. .
本発明が解決しようとする課題は、耐熱性に優れる高分子量のノボラック型フェノール樹脂を得るための製造方法と、これを用いたフォトレジスト組成物を提供する事にある。 The problem to be solved by the present invention is to provide a production method for obtaining a high molecular weight novolak type phenol resin excellent in heat resistance, and a photoresist composition using the same.
本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、フェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒の存在下、特定の範囲内に誘電率がある有機溶剤中で反応させることにより高分子量のノボラック型フェノール樹脂が容易に得られること、フェノール類とアルデヒド類は種々のものを使用できること、得られるノボラック型フェノール樹脂を用いることにより耐熱性に優れる塗膜が形成できるフォトレジスト組成物が得られること等を見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have made it possible to react phenols and aldehydes in an organic solvent having a dielectric constant within a specific range in the presence of an acid catalyst. A photoresist composition capable of easily forming a molecular weight novolak type phenolic resin, using various phenols and aldehydes, and forming a coating film having excellent heat resistance by using the obtained novolac type phenolic resin. The inventors have found that the present invention can be obtained and have completed the present invention.
即ち、本発明は、フェノール類（ａ１）とアルデヒド類（ａ２）とを、酸触媒（ａ３）の存在下、誘電率が３０〜６０である有機溶剤（ａ４）中で反応させることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法を提供するものである。 That is, the present invention is characterized in that phenols (a1) and aldehydes (a2) are reacted in an organic solvent (a4) having a dielectric constant of 30 to 60 in the presence of an acid catalyst (a3). A method for producing a novolac-type phenolic resin is provided.
また、本発明は、前記製造方法で得られるノボラック型フェノール樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物を提供するものである。 The present invention also provides a photoresist composition comprising a novolac type phenol resin obtained by the above production method.
本発明の製造方法により高分子量のノボラック型フェノール樹脂が容易に得られる。また、得られるノボラック型フェノール樹脂を用いたフォトレジスト組成物は耐熱性に優れる塗膜を形成できる。 A high molecular weight novolac type phenol resin can be easily obtained by the production method of the present invention. Moreover, the photoresist composition using the novolak-type phenol resin obtained can form the coating film which is excellent in heat resistance.
本発明の製造方法は、フェノール類（ａ１）とアルデヒド類（ａ２）とを、酸触媒（ａ３）の存在下、誘電率が３０〜６０である有機溶剤（ａ４）中で反応させることを特徴とする。誘電率が３０よりも小さい有機溶剤を用いたのでは分子量が上がらず、結果として高分子量のノボラック型フェノール樹脂を得にくいことから好ましくない。また、誘電率が６０よりも大きい溶媒として水が挙げられるが、樹脂は水に不要であるため、反応途中で固化し、結果として高分子量のノボラック型フェノール樹脂を得にくいことから好ましくない。有機溶剤（ａ４）の中でも、誘電率が３０〜４０である有機溶剤がより好ましい。 The production method of the present invention comprises reacting phenols (a1) and aldehydes (a2) in an organic solvent (a4) having a dielectric constant of 30 to 60 in the presence of an acid catalyst (a3). And The use of an organic solvent having a dielectric constant smaller than 30 is not preferable because the molecular weight does not increase and as a result it is difficult to obtain a high molecular weight novolak type phenol resin. Water is an example of a solvent having a dielectric constant higher than 60. However, since the resin is not necessary for water, it is not preferable because it is solidified during the reaction, and as a result, it is difficult to obtain a high molecular weight novolak type phenol resin. Among the organic solvents (a4), an organic solvent having a dielectric constant of 30 to 40 is more preferable.
本発明で用いるフェノール類（ａ１）としては、例えば、フェノール；メタクレゾール、パラクレゾール、オルトクレゾール、キシレノール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノールなどのアルキルフェノール類；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、レゾルシン、カテコールなどの多価フェノール類；ハロゲン化フェノール、フェニルフェノール、アミノフェノール等が挙げられる。フェノール類（ａ１）は、その使用にあたって１種類のみに限定されるものではなく、２種以上の併用も可能である。フェノール類（ａ１）の中でも、入手の容易性から理由からフェノールまたはクレゾールが好ましい。また、レジスト用途では一般的なメタクレゾールおよびパラクレゾールを併用することが好ましい。 Examples of the phenols (a1) used in the present invention include phenols; alkylphenols such as metacresol, paracresol, orthocresol, xylenol, ethylphenol, butylphenol, octylphenol; bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, resorcin, and catechol. Polyhydric phenols such as halogenated phenol, phenylphenol, aminophenol and the like. The use of phenols (a1) is not limited to one type, and two or more types can be used in combination. Among the phenols (a1), phenol or cresol is preferable because of availability. For resist applications, it is preferable to use common metacresol and paracresol together.
本発明で用いるアルデヒド類（ａ２）としては、例えば、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ピバルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンタナール、ヘキサナール、トリオキサン、グリオキザール、シクロヘキシルアルデヒド、ジフェニルアセトアルデヒド、エチルブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド、グリオキシル酸、５−ノルボルネン−２−カルボキシアルデヒド、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グルタルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ナフトアルデヒド、テレフタルアルデヒド等が挙げられる。アルデヒド類（ａ２）は、その使用にあたって１種類のみに限定されるものではなく、２種以上の併用も可能である。アルデヒド類（ａ２）の中でも、工業的に入手が容易で、高耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られることからアセトアルデヒド、ベンズアルデヒドまたはサリチルアルデヒドが好ましく、ベンズアルデヒド及びサリチルアルデヒドを併用することがより好ましい。 Examples of the aldehydes (a2) used in the present invention include acetaldehyde, propionaldehyde, pivalaldehyde, butyraldehyde, pentanal, hexanal, trioxane, glyoxal, cyclohexylaldehyde, diphenylacetaldehyde, ethylbutyraldehyde, benzaldehyde, glyoxylic acid, 5 -Norbornene-2-carboxaldehyde, malondialdehyde, succindialdehyde, glutaraldehyde, salicylaldehyde, naphthaldehyde, terephthalaldehyde and the like. The aldehydes (a2) are not limited to one type in use, and two or more types can be used in combination. Among the aldehydes (a2), a novolac-type phenol resin that is industrially easily available and excellent in high heat resistance is obtained, so that acetaldehyde, benzaldehyde, or salicylaldehyde is preferable, and it is more preferable to use benzaldehyde and salicylaldehyde in combination. .
本発明において、前記フェノール類（ａ１）とアルデヒド類（ａ２）の使用割合としては、〔アルデヒド類（ａ２）〕／〔フェノール類（ａ１）〕が、モル比で０．５〜２．０となる範囲が未反応フェノール類が少なく、十分に高分子量化したノボラック型フェノール樹脂が得られることから好ましく、０．７〜１．８となる範囲がより好ましく、０．８〜１．６となる範囲が更に好ましい。 In the present invention, the proportion of the phenols (a1) and aldehydes (a2) used is [aldehydes (a2)] / [phenols (a1)] in a molar ratio of 0.5 to 2.0. Is preferable because the amount of unreacted phenols is small and a sufficiently high molecular weight novolak type phenol resin is obtained, and the range of 0.7 to 1.8 is more preferable, and 0.8 to 1.6. A range is more preferred.
本発明で用いる酸触媒（ａ３）としては、例えば、塩酸、硫酸、燐酸、ホウ酸などの無機酸類；蓚酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸類等が挙げられる。酸触媒（ａ３）の中でも、より反応を促進するため、無機酸類が好ましく、塩酸がより好ましい。酸触媒（ａ３）の添加量としては、特に制限されないが、原料として用いるフェノール類（ａ１）に対しモル比で０．１５〜０．８となる範囲が十分な反応性を得るためには好ましく、０．３〜０．６となる範囲がより好ましい。 Examples of the acid catalyst (a3) used in the present invention include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and boric acid; organic acids such as oxalic acid, acetic acid and paratoluenesulfonic acid. Among the acid catalysts (a3), inorganic acids are preferable and hydrochloric acid is more preferable in order to further promote the reaction. The addition amount of the acid catalyst (a3) is not particularly limited, but a range of 0.15 to 0.8 in terms of molar ratio with respect to the phenols (a1) used as a raw material is preferable for obtaining sufficient reactivity. A range of 0.3 to 0.6 is more preferable.
本発明で用いる有機溶剤（ａ４）としては、例えば、メタノール、エチレングリコールギ酸、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等が挙げられる、中でも、コストが低く、ノボラック型フェノール樹脂を製造後、該フェノール樹脂から除去しやすいことからメタノールが好ましい。有機溶剤（ａ４）は、その使用にあたって１種類のみに限定されるものではなく、２種以上の併用も可能である。また、誘電率が３０〜６０の範囲のものでない有機溶剤を使用した混合有機溶剤でも、その誘電率が３０〜６０の範囲であれば有機溶剤（ａ４）として使用することができる。ここで、誘電率が３０〜６０の範囲に入らない有機溶剤としては、例えば、エタノール、ブタノール、ヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン等が挙げられる。 Examples of the organic solvent (a4) used in the present invention include methanol, ethylene glycol formic acid, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, acetonitrile and the like. Among them, the cost is low, and after producing a novolac type phenol resin, the phenol resin is used. Methanol is preferred because it is easy to remove. The organic solvent (a4) is not limited to one type in use, and two or more types can be used in combination. Further, even a mixed organic solvent using an organic solvent whose dielectric constant is not in the range of 30 to 60 can be used as the organic solvent (a4) if the dielectric constant is in the range of 30 to 60. Here, examples of the organic solvent whose dielectric constant does not fall within the range of 30 to 60 include ethanol, butanol, hexanol, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and toluene.
有機溶剤（ａ４）の使用量としては、フェノール類（ａ１）１００質量部に対して１５０〜３００質量部が高分子量のノボラック型フェノール樹脂が得やすいことから好ましく、１７０〜２７０質量部がより好ましい。 The amount of the organic solvent (a4) used is preferably 150 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the phenols (a1) because it is easy to obtain a high molecular weight novolak type phenol resin, and more preferably 170 to 270 parts by mass. .
本発明の製造方法は、前記の通り、フェノール類（ａ１）とアルデヒド類（ａ２）とを、酸触媒（ａ３）の存在下、誘電率が３０〜６０である有機溶剤（ａ４）中で反応させれば良い。反応させる際の反応温度は、反応を促進しつつ、且つ、効率良く高分子量化することができることから３０〜１００℃が好ましく、４０〜８０℃がより好ましい。また、反応時間は４〜３２時間が好ましく、１２〜２４時間がより好ましい。 As described above, the production method of the present invention reacts phenols (a1) and aldehydes (a2) in an organic solvent (a4) having a dielectric constant of 30 to 60 in the presence of an acid catalyst (a3). You can do it. The reaction temperature during the reaction is preferably 30 to 100 ° C., more preferably 40 to 80 ° C., because the reaction can be promoted and the high molecular weight can be increased efficiently. The reaction time is preferably 4 to 32 hours, more preferably 12 to 24 hours.
本発明の製造方法により、分子量が大きいノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。本発明の製造方法により得られるノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えば１０，０００〜１００，０００の範囲である。ここで、本発明において、重量平均分子量は以下の条件に従って測定した By the production method of the present invention, a novolac type phenol resin having a large molecular weight can be obtained. The novolak type phenol resin obtained by the production method of the present invention has a weight average molecular weight in the range of, for example, 10,000 to 100,000. Here, in the present invention, the weight average molecular weight was measured according to the following conditions.
［ＧＰＣ測定条件］
測定装置：東ソー株式会社製「ＨＬＣ−８２２０ ＧＰＣ」、
カラム：東ソー株式会社製ガードカラム「ＨＨＲ−Ｈ」（６．０ｍｍＩ．Ｄ．×４ｃｍ）＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＨＲ−Ｎ」（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ）＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＨＲ−Ｎ」（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ）＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＨＲ−Ｎ」（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ）＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＨＲ−Ｎ」（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ）
検出器：ＥＬＳＤ（オルテック製「ＥＬＳＤ２０００」）
データ処理：東ソー株式会社製「ＧＰＣ−８０２０モデルＩＩデータ解析バージョン４．３０」
測定条件：カラム温度 ４０℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流速 １．０ｍｌ／分
試料：樹脂固形分換算で１．０質量％のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの（５μｌ）。
標準試料：前記「ＧＰＣ−８０２０モデルＩＩデータ解析バージョン４．３０」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
[GPC measurement conditions]
Measuring device: “HLC-8220 GPC” manufactured by Tosoh Corporation
Column: Guard column “HHR-H” (6.0 mm ID × 4 cm) manufactured by Tosoh Corporation + “TSK-GEL GMHHR-N” (7.8 mm ID × 30 cm) + Tosoh Corporation manufactured by Tosoh Corporation “TSK-GEL GMHHR-N” (7.8 mm ID × 30 cm) manufactured by Tosoh Corporation “TSK-GEL GMHHR-N” (7.8 mm ID × 30 cm) + “TSK− manufactured by Tosoh Corporation” GEL GMHHR-N "(7.8 mm ID x 30 cm)
Detector: ELSD ("ELSD2000" manufactured by Oltec)
Data processing: “GPC-8020 Model II data analysis version 4.30” manufactured by Tosoh Corporation
Measurement conditions: Column temperature 40 ° C
Developing solvent Tetrahydrofuran (THF)
Flow rate: 1.0 ml / min Sample: A 1.0% by mass tetrahydrofuran solution in terms of resin solid content filtered through a microfilter (5 μl).
Standard sample: The following monodisperse polystyrene having a known molecular weight was used in accordance with the measurement manual of “GPC-8020 Model II Data Analysis Version 4.30”.
（単分散ポリスチレン）
東ソー株式会社製「Ａ−５００」
東ソー株式会社製「Ａ−１０００」
東ソー株式会社製「Ａ−２５００」
東ソー株式会社製「Ａ−５０００」
東ソー株式会社製「Ｆ−１」
東ソー株式会社製「Ｆ−２」
東ソー株式会社製「Ｆ−４」
東ソー株式会社製「Ｆ−１０」
東ソー株式会社製「Ｆ−２０」
東ソー株式会社製「Ｆ−４０」
東ソー株式会社製「Ｆ−８０」
東ソー株式会社製「Ｆ−１２８」
東ソー株式会社製「Ｆ−２８８」
東ソー株式会社製「Ｆ−５５０」
(Monodispersed polystyrene)
“A-500” manufactured by Tosoh Corporation
"A-1000" manufactured by Tosoh Corporation
"A-2500" manufactured by Tosoh Corporation
"A-5000" manufactured by Tosoh Corporation
“F-1” manufactured by Tosoh Corporation
"F-2" manufactured by Tosoh Corporation
“F-4” manufactured by Tosoh Corporation
“F-10” manufactured by Tosoh Corporation
“F-20” manufactured by Tosoh Corporation
“F-40” manufactured by Tosoh Corporation
“F-80” manufactured by Tosoh Corporation
“F-128” manufactured by Tosoh Corporation
“F-288” manufactured by Tosoh Corporation
“F-550” manufactured by Tosoh Corporation
本発明のフォトレジスト組成物は、本発明の製造方法で得られるノボラック型フェノール樹脂を含有するものであり、具体的には、本発明の製造方法で得られるノボラック型フェノール樹脂と共に、通常、光感光剤及び溶剤を含有する。 The photoresist composition of the present invention contains a novolac type phenol resin obtained by the production method of the present invention. Specifically, together with the novolac type phenol resin obtained by the production method of the present invention, the photoresist composition is usually light. Contains a photosensitizer and a solvent.
前記感光剤としては、キノンジアジド基を有する化合物を用いることができる。このキノンジアジド基を有する化合物としては、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシ−２’−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，５−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン系化合物；ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２’，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−｛１−［４−〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノール，３，３’−ジメチル−｛１−［４−〔２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノール等のビス［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカン系化合物；トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３、５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン等のトリス（ヒドロキシフェニル）メタン類又はそのメチル置換体；ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタンなどの、ビス（シクロヘキシルヒドロキシフェニル）（ヒドロキシフェニル）メタン類又はそのメチル置換体などとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸等のキノンジアジド基を有するスルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物などが挙げられる。これらの感光剤は１種類のみで用いることも２種以上併用することもできる。 As the photosensitizer, a compound having a quinonediazide group can be used. Examples of the compound having a quinonediazide group include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, 2,3,6-trihydroxy. Benzophenone, 2,3,4-trihydroxy-2′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 ′, 4 , 4 ′, 6-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 3,4,4′-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 3,4,5-pentahydroxybenzophenone, 2,3 ′, 4,4 ′ , 5 ′, 6-hexahydroxybenzophenone, 2,3,3 ′, 4,4 ′, 5′-hexahydroxybenzopheno Polyhydroxybenzophenone compounds such as bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl) ) Propane, 2- (2,4-dihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 4′-dihydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′) , 4′-trihydroxyphenyl) propane, 4,4 ′-{1- [4- [2- (4-hydroxyphenyl) -2-propyl] phenyl] ethylidene} bisphenol, 3,3′-dimethyl- {1 Bis [(poly) hydroxy such as-[4- [2- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -2-propyl] phenyl] ethylidene} bisphenol Enyl] alkane compounds; tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -4 -Hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy -2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, tris (hydroxyphenyl) methane such as bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane or methyl thereof Substituted product; bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) ) -3-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-) 4-hydroxy-2-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-) Methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, Screw (5- Chlohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-3-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) ) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-2-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-2-hydroxy-4-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis ( Bis (cyclohexylhydroxyphenyl) (hydroxyphenyl) methane or its methyl-substituted product such as 5-cyclohexyl-2-hydroxy-4-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane and naphthoquinone-1,2-diazide-5 Sulfonic acid or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid, complete ester compounds of the sulfonic acid having a quinonediazide group such as o-anthraquinone diazide sulfonic acid, partial ester compound, an amide compound or partially amidated product thereof. These photosensitizers can be used alone or in combination of two or more.
本発明のフォトレジスト組成物における前記感光剤の配合量は、良好な感度が得られ、所望のパターンが得られることから、前記ノボラック型フェノール樹脂１００質量部に対して、３〜５０質量部の範囲が好ましく、５〜３０質量部の範囲がより好ましい。 The amount of the photosensitizer in the photoresist composition of the present invention is 3 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the novolac type phenol resin because good sensitivity is obtained and a desired pattern is obtained. The range is preferable, and the range of 5 to 30 parts by mass is more preferable.
前記溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン；ジオキサン等の環式エーテル；２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のエステルなどが挙げられる。これらの溶剤（Ｆ）は１種類のみで用いることも２種以上併用することもできる。 Examples of the solvent include ethylene glycol alkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether. Diethylene glycol dialkyl ether such as methyl cellosolve acetate, ethylene glycol alkyl ether acetate such as ethyl cellosolve acetate; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate Propylene glycol alkyl ether acetate such as acetone; ketone such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl amyl ketone; cyclic ether such as dioxane; methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, 2-hydroxy-2-methylpropion Ethyl acetate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl formate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl acetoacetate, Examples thereof include esters such as ethyl acetoacetate. These solvents (F) can be used alone or in combination of two or more.
本発明のフォトレジスト組成物における前記溶剤の配合量は、組成物の流動性をスピンコート法等の塗布法により均一な塗膜を得られることから、該組成物中の固形分濃度が１５〜６５質量％となる量とすることが好ましい。 The blending amount of the solvent in the photoresist composition of the present invention is such that a uniform coating film can be obtained by applying the fluidity of the composition by a coating method such as a spin coating method. The amount is preferably 65% by mass.
本発明のフォトレジスト組成物には、前記ノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤の他、本発明の効果を阻害しない範囲で各種添加剤を配合しても構わない。このような添加剤としては、充填材、顔料、レベリング剤等の界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤などが挙げられる。 In the photoresist composition of the present invention, various additives may be blended in addition to the novolak type phenol resin, the photosensitive agent and the solvent as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of such additives include surfactants such as fillers, pigments, and leveling agents, adhesion improvers, and dissolution accelerators.
本発明のフォトレジスト組成物は、前記ノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤、さらに必要に応じて加えた各種添加剤を通常の方法で、撹拌混合して均一な液とすることで調製できる。 The photoresist composition of the present invention can be prepared by stirring and mixing the novolak type phenol resin, the photosensitizing agent and the solvent, and various additives added as necessary, into a uniform solution.
また、本発明のフォトレジスト組成物に充填材、顔料等の固形のものを配合する際には、ディゾルバー、ホモジナイザー、３本ロールミル等の分散装置を用いて分散、混合させることが好ましい。また、粗粒や不純物を除去するため、メッシュフィルター、メンブレンフィルター等を用いて該組成物をろ過することもできる。 Further, when a solid material such as a filler or a pigment is blended in the photoresist composition of the present invention, it is preferably dispersed and mixed using a dispersing device such as a dissolver, a homogenizer, or a three roll mill. Further, in order to remove coarse particles and impurities, the composition can be filtered using a mesh filter, a membrane filter or the like.
本発明のフォトレジスト組成物は、マスクを介して露光を行うことで、露光部においては樹脂組成物に構造変化が生じてアルカリ現像液に対しての溶解性が促進される。一方、非露光部においてはアルカリ現像液に対する低い溶解性を保持しているため、この溶解性の差により、アルカリ現像によりパターニングが可能となりレジスト材料として用いることができる。 When the photoresist composition of the present invention is exposed through a mask, a structural change occurs in the resin composition in the exposed portion, and the solubility in an alkali developer is promoted. On the other hand, in the non-exposed area, low solubility in an alkali developer is maintained, and this difference in solubility enables patterning by alkali development and can be used as a resist material.
本発明のフォトレジスト組成物を露光する光源としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線等が挙げられる。これらの光源の中でも紫外光が好ましく、高圧水銀灯のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＥＵＶレーザー（波長１３．５ｎｍ）が好適である。 Examples of the light source for exposing the photoresist composition of the present invention include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams. Among these light sources, ultraviolet light is preferable, and g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), and EUV laser (wavelength 13.5 nm) of a high-pressure mercury lamp are preferable.
また、露光後の現像に用いるアルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ性物質；エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の１級アミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の２級アミン；トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の３級アミン類；ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩；ピロール、ピヘリジン等の環状アミンなどのアルカリ性水溶液を使用することができる。これらのアルカリ現像液には、必要に応じてアルコール、界面活性剤等を適宜添加して用いることもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常２〜５質量％の範囲が好ましく、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が一般的に用いられる。 Examples of the alkali developer used for development after exposure include inorganic alkaline substances such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia; ethylamine, n-propylamine, and the like. Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine; tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxy Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts such as pyrrole and cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used. In these alkaline developers, alcohols, surfactants and the like can be appropriately added and used as necessary. The alkali concentration of the alkali developer is usually preferably in the range of 2 to 5% by mass, and a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is generally used.
以下に本発明を具体的な実施例を挙げてより詳細に説明する。例中、断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. In the examples, “part” and “%” are based on mass unless otherwise specified.
実施例１
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６２．２ｇ、サリチルアルデヒド６１．５ｇ、メタノール２００ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（１）を得た。ノボラック型フェノール樹脂（１）の重量平均分子量は１０，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（１）中の未反応のクレゾール０．６％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（１）のガラス転移点温度（以下、「Ｔｇ」と略記する。）を測定した結果、２１４℃であった。ここで、Ｔｇの測定は、示差熱走査熱量計（株式会社ティー・エイ・インスツルメント製「示差熱走査熱量計（ＤＳＣ）Ｑ１００」）を用いて、窒素雰囲気下、温度範囲−１００〜２００℃、昇温速度１０℃／分の条件で行い、クレゾールの含有率はＧＰＣのチャート面積から求めた値である（以下、同様。）。
Example 1
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 62.2 g of benzaldehyde, 61.5 g of salicylaldehyde, 200 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (1). The novolak type phenol resin (1) had a weight average molecular weight of 10,500 and was 0.6% of unreacted cresol in the novolak type phenol resin (1). Further, the glass transition temperature (hereinafter abbreviated as “Tg”) of the novolak type phenol resin (1) was measured, and as a result, it was 214 ° C. Here, Tg is measured using a differential thermal scanning calorimeter (“Differential Thermal Scanning Calorimeter (DSC) Q100” manufactured by T.A. Instruments Co., Ltd.) under a nitrogen atmosphere and in a temperature range of −100 to 200. The cresol content is a value determined from the GPC chart area (hereinafter the same).
実施例２
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（２）を得た。ノボラック型フェノール（２）の重量平均分子量は１６，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（２）中の未反応のクレゾール０．５％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（２）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 2
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (2). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (2) was 16,500, and it was 0.5% of unreacted cresol in the novolak type phenol resin (2). Moreover, it was 250 degreeC or more as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (2).
実施例３
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、メタノール１７５ｇ、エタノール７５ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（３）を得た。ノボラック型フェノール（３）の重量平均分子量は１３，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（３）中の未反応のクレゾール０．５％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（３）のＴｇを測定した結果、２４０℃であった。ここで、メタノール１７５ｇとエタノール７５ｇとの混合溶剤の誘電率は３０．１であった。
Example 3
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 175 g of methanol, 75 g of ethanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (3). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (3) was 13,500, and it was 0.5% of unreacted cresol in the novolak type phenol resin (3). Moreover, it was 240 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (3). Here, the dielectric constant of the mixed solvent of 175 g of methanol and 75 g of ethanol was 30.1.
実施例４
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、エチレングリコール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（４）を得た。ノボラック型フェノール（４）の重量平均分子量は１６，２００であり、ノボラック型フェノール樹脂（４）中の未反応のクレゾール０．５％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（４）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 4
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 250 g of ethylene glycol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (4). The novolak type phenol (4) had a weight average molecular weight of 16,200 and was 0.5% of unreacted cresol in the novolak type phenol resin (4). Moreover, as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (4), it was 250 degreeC or more.
実施例５
メタクレゾール１０８．１ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（５）を得た。ノボラック型フェノール（５）の重量平均分子量は１６，７００であり、ノボラック型フェノール樹脂（５）中の未反応のクレゾールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（５）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 5
108.1 g of metacresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (5). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (5) was 16,700, and the unreacted cresol in the novolak type phenol resin (5) was 0.4%. Moreover, it was 250 degreeC or more as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (5).
実施例６
メタクレゾール８６．５ｇ、パラクレゾール２１．６ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（６）を得た。ノボラック型フェノール（６）の重量平均分子量は１６，７００であり、ノボラック型フェノール樹脂（６）中の未反応のクレゾールは０．６％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（６）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 6
86.5 g of metacresol, 21.6 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (6). The novolak type phenol (6) had a weight average molecular weight of 16,700, and the unreacted cresol in the novolak type phenol resin (6) was 0.6%. Moreover, as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (6), it was 250 degreeC or more.
実施例７
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６０．５ｇ、サリチルアルデヒド７２．７ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（７）を得た。ノボラック型フェノール（７）の重量平均分子量は２２，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（７）中の未反応のクレゾールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（７）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 7
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 60.5 g of benzaldehyde, 72.7 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (7). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (7) was 22,500, and the unreacted cresol in the novolac type phenol resin (7) was 0.4%. Moreover, it was 250 degreeC or more as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (7).
実施例８
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、トルアルデヒド６８．５ｇ、サリチルアルデヒド７２．７ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（８）を得た。ノボラック型フェノール（８）の重量平均分子量は２３，２００であり、ノボラック型フェノール樹脂（８）中の未反応のクレゾールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（８）のＴｇを測定した結果、２５０℃以上であった。
Example 8
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 68.5 g of tolualdehyde, 72.7 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (8). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (8) was 23,200, and the unreacted cresol in the novolak type phenol resin (8) was 0.4%. Moreover, as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (8), it was 250 degreeC or more.
実施例９
フェノール９４ｇ、トルアルデヒド６８．５ｇ、サリチルアルデヒド７２．７ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（９）を得た。ノボラック型フェノール（９）の重量平均分子量は２２，３００であり、ノボラック型フェノール樹脂（９）中の未反応のフェノールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（９）のＴｇを測定した結果、２５０℃
以上であった。
Example 9
94 g of phenol, 68.5 g of tolualdehyde, 72.7 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at reflux at 65 ° C. for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (9). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (9) was 22,300, and the unreacted phenol in the novolak type phenol resin (9) was 0.4%. Moreover, as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (9), it was 250 degreeC.
That was all.
実施例１０
メタクレゾール１０８ｇ、パラアルデヒド（アセトアルデヒドの三量体）４０．５ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で２４時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（１０）を得た。ノボラック型フェノール（１０）の重量平均分子量は１５６００であり、ノボラック型フェノール樹脂（１０）中の未反応のフェノールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（１０）のＴｇを測定した結果、１４６℃であった。
Example 10
108 g of metacresol, 40.5 g of paraaldehyde (acetaldehyde trimer), 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 24 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac-type phenol resin (10). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (10) was 15600, and the unreacted phenol in the novolac type phenol resin (10) was 0.4%. Moreover, it was 146 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (10).
実施例１１
メタクレゾール１０８ｇ、パラアルデヒド（アセトアルデヒドの三量体）６２．６ｇ、サリチルアルデヒド７２．７ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で２４時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（１２）を得た。ノボラック型フェノール（１１）の重量平均分子量は７１６００であり、ノボラック型フェノール樹脂（１１）中の未反応のフェノールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（１１）のＴｇを測定した結果、１５６℃であった。
Example 11
108 g of metacresol, 62.6 g of paraaldehyde (acetaldehyde trimer), 72.7 g of salicylaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 24 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (12). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (11) was 71600, and the unreacted phenol in the novolak type phenol resin (11) was 0.4%. Moreover, it was 156 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (11).
実施例１２
メタクレゾール１０８ｇ、パラアルデヒド２０．３ｇ、メタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で２４時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（１２）を得た。ノボラック型フェノール（１２）の重量平均分子量は１４２００であり、ノボラック型フェノール樹脂（１２）中の未反応のフェノールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（１２）のＴｇを測定した結果、２１５℃であった。
Example 12
108 g of metacresol, 20.3 g of paraaldehyde, 250 g of methanol and 65 g of hydrochloric acid were charged into a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 24 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (12). The weight average molecular weight of the novolak type phenol (12) was 14200, and the unreacted phenol in the novolak type phenol resin (12) was 0.4%. Moreover, it was 215 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (12).
比較例１
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６２．２ｇ、サリチルアルデヒド６１．５ｇ、エタノール２００ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、６５℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、比較対照用ノボラック型フェノール樹脂（１´）を得た。ノボラック型フェノール（１´）の重量平均分子量は４，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（１´）中の未反応のクレゾールは０．６％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（１´）のＴｇを測定した結果、１７５℃であった。
Comparative Example 1
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 62.2 g of benzaldehyde, 61.5 g of salicylaldehyde, 200 g of ethanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 65 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a comparative novolak phenol resin (1 ′). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (1 ′) was 4,500, and the unreacted cresol in the novolac type phenol resin (1 ′) was 0.6%. Moreover, it was 175 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (1 ').
比較例２
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ、エタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、７８℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、比較対照用ノボラック型フェノール樹脂（２´）を得た。ノボラック型フェノール（２´）の重量平均分子量は６，０５０であり、ノボラック型フェノール樹脂（２´）中の未反応のクレゾールは０．５％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（２´）のＴｇを測定した結果、１８７℃であった。
Comparative Example 2
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde, 250 g of ethanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 78 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a comparative novolak phenol resin (2 ′). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (2 ′) was 6,050, and the unreacted cresol in the novolac type phenol resin (2 ′) was 0.5%. Moreover, it was 187 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (2 ').
比較例３
メタクレゾール９７．３ｇ、パラクレゾール１０．８ｇ、ベンズアルデヒド６５．１ｇ、サリチルアルデヒド６４．３ｇ及びシュウ酸１ｇを反応容器に仕込み、１００℃で３時間反応させた。反応後、２００℃まで常圧蒸留にて昇温し、その後、２００℃で４時間減圧蒸留を行い、比較対照用ノボラック型フェノール樹脂（３´）を得た。ノボラック型フェノール（３´）の重量平均分子量は１，５００であり、ノボラック型フェノール樹脂（２´）中の未反応のクレゾールは０．５％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（２´）のＴｇを測定した結果、１４５℃であった。
Comparative Example 3
97.3 g of metacresol, 10.8 g of paracresol, 65.1 g of benzaldehyde, 64.3 g of salicylaldehyde and 1 g of oxalic acid were charged in a reaction vessel and reacted at 100 ° C. for 3 hours. After the reaction, the temperature was raised to 200 ° C. by atmospheric distillation, and then vacuum distillation was performed at 200 ° C. for 4 hours to obtain a comparative novolak-type phenol resin (3 ′). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (3 ′) was 1,500, and the unreacted cresol in the novolac type phenol resin (2 ′) was 0.5%. Moreover, it was 145 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (2 ').
比較例４
メタクレゾール１０８ｇ、パラアルデヒド、４０．５ｇ、エタノール２５０ｇ及び塩酸６５ｇを反応容器に仕込み、７８℃還流下で１８時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、５回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを１００℃で減圧留去させ、ノボラック型フェノール樹脂（４´）を得た。ノボラック型フェノール（４´）の重量平均分子量は８１１０であり、ノボラック型フェノール樹脂（４´）中の未反応のフェノールは０．４％であった。また、ノボラック型フェノール樹脂（４´）のＴｇを測定した結果、１３４℃であった。
Comparative Example 4
108 g of metacresol, 40.5 g of paraaldehyde, 250 g of ethanol and 65 g of hydrochloric acid were charged in a reaction vessel and reacted at 78 ° C. under reflux for 18 hours. After neutralizing the reaction system with caustic soda, methyl isobutyl ketone and water were added, and liquid separation washing was performed 5 times. Methyl isobutyl ketone was distilled off under reduced pressure at 100 ° C. with an evaporator to obtain a novolac type phenol resin (4 ′). The weight average molecular weight of the novolac type phenol (4 ′) was 8110, and the unreacted phenol in the novolac type phenol resin (4 ′) was 0.4%. Moreover, it was 134 degreeC as a result of measuring Tg of a novolak-type phenol resin (4 ').
実施例、比較例で用いた有機溶剤及び誘電率、得られたノボラック型フェノール樹脂の分子量、Ｔｇを第１表〜第４表に示す Tables 1 to 4 show the organic solvents and dielectric constants used in Examples and Comparative Examples, the molecular weights of the obtained novolac type phenol resins, and Tg.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016006358A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Dic株式会社 | Phenolic hydroxyl group-containing resin, production method therefor, photosensitive composition, resist material, coating film, curable composition and cured product thereof, and resist underlayer film |
| JP2016108425A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 旭有機材工業株式会社 | Method for producing novolac type phenolic resin and novolac type phenolic resin |
| JP2017088675A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Dic株式会社 | Novolac type phenolic hydroxyl group-containing resin and resist material |
| WO2021085321A1 (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 東レ株式会社 | Resin composition, resin sheet, cured film, method for manufacturing cured film, semiconductor device, organic el display device, and display device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003202666A (en) * | 1994-04-11 | 2003-07-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition |
| WO2004020492A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | Process for producing phenolic novolak |
| JP2004323822A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-18 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | Method for producing novolak-type phenol resin and novolak-type metacresol resin |
| JP2005290026A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing photoresist phenol resin and photoresist resin composition |
| JP2006225540A (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | Phenol resin-molded article |
| JP2008214447A (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing novolac type phenol resin, novolac type phenol resin, and phenol resin composition for photoresist |
| WO2011049021A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 旭有機材工業株式会社 | Anthracene derivative, compound obtained therefrom, composition, cured object, and process for producing same |
-
2013
- 2013-05-22 JP JP2013107928A patent/JP6155842B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003202666A (en) * | 1994-04-11 | 2003-07-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition |
| WO2004020492A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | Process for producing phenolic novolak |
| JP2004323822A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-18 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | Method for producing novolak-type phenol resin and novolak-type metacresol resin |
| JP2005290026A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing photoresist phenol resin and photoresist resin composition |
| JP2006225540A (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Asahi Organic Chem Ind Co Ltd | Phenol resin-molded article |
| JP2008214447A (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for producing novolac type phenol resin, novolac type phenol resin, and phenol resin composition for photoresist |
| WO2011049021A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 旭有機材工業株式会社 | Anthracene derivative, compound obtained therefrom, composition, cured object, and process for producing same |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016006358A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Dic株式会社 | Phenolic hydroxyl group-containing resin, production method therefor, photosensitive composition, resist material, coating film, curable composition and cured product thereof, and resist underlayer film |
| JP5939450B1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-06-22 | Dic株式会社 | Phenolic hydroxyl group-containing resin, production method thereof, photosensitive composition, resist material, coating film, curable composition and cured product thereof, and resist underlayer film |
| US9963536B2 (en) | 2014-07-09 | 2018-05-08 | Dic Corporation | Phenolic hydroxyl group-containing resin, production method therefor, photosensitive composition, resist material, coating film, curable composition and cured product thereof, and resist underlayer film |
| JP2016108425A (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 旭有機材工業株式会社 | Method for producing novolac type phenolic resin and novolac type phenolic resin |
| JP2017088675A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Dic株式会社 | Novolac type phenolic hydroxyl group-containing resin and resist material |
| WO2021085321A1 (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 東レ株式会社 | Resin composition, resin sheet, cured film, method for manufacturing cured film, semiconductor device, organic el display device, and display device |
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