JP2014220672A - Two-way amplifier - Google Patents
Two-way amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014220672A JP2014220672A JP2013099048A JP2013099048A JP2014220672A JP 2014220672 A JP2014220672 A JP 2014220672A JP 2013099048 A JP2013099048 A JP 2013099048A JP 2013099048 A JP2013099048 A JP 2013099048A JP 2014220672 A JP2014220672 A JP 2014220672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bidirectional amplifier
- terminals
- terminal
- diode
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/62—Two-way amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、2端子に入力された信号を双方向に増幅する双方向増幅器に係り、特に、構成が簡易で安価な広帯域の双方向増幅器に関する。 The present invention relates to a bidirectional amplifier that bidirectionally amplifies a signal input to two terminals, and more particularly to a broadband bidirectional amplifier that has a simple configuration and is inexpensive.
[従来の技術]
従来の双方向増幅器は、マイクロ波帯、ミリ波帯において、2端子から入力された信号を一方向ではなく、双方向に増幅するものである。
そして、従来の双方向増幅器は、入力波と出力波を分離するために、負性抵抗回路とサーキュレータを用いたダイオード増幅器を使用している。
[Conventional technology]
A conventional bidirectional amplifier amplifies a signal input from two terminals in a microwave band and a millimeter wave band in both directions instead of in one direction.
The conventional bidirectional amplifier uses a diode amplifier using a negative resistance circuit and a circulator in order to separate the input wave and the output wave.
[関連技術]
尚、関連する先行技術として、特開2008−141450号公報「双方向増幅器」(DXアンテナ株式会社)[特許文献1]、特開2005−160009号公報「送受信アンテナおよびそれを用いたミリ波送受信器」(京セラ株式会社)[特許文献2]がある。
[Related technologies]
As related prior art, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-141450, “Bidirectional Amplifier” (DX Antenna Co., Ltd.) [Patent Document 1], Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-160009, “Transmitting / Receiving Antenna and Millimeter Wave Transmission / Reception Using the Antenna” Device "(Kyocera Corporation) [Patent Document 2].
特許文献1には、双方向増幅器において、2端子の一方から入力された信号をLPF(Low Pass Filter)を通過させて増幅して他方の端子に出力し、また、2端子の他方の端子から入力された信号をHPF(High Pass Filter)を通過させて増幅して一方の端子に出力することが示されている。
しかしながら、引用文献1は、2端子から入力された信号を増幅して別の2端子に出力するものではない。
In
However, Cited
特許文献2には、ミリ波送受信器において、ガンダイオードとサーキュレータを用いて増幅回路を構成することが示されている。
しかしながら、特許文献2では、信号を一方向に増幅するものであり、双方向に増幅するものとはなっていない。
Patent Document 2 discloses that an amplifier circuit is configured using a Gunn diode and a circulator in a millimeter wave transceiver.
However, in Patent Document 2, the signal is amplified in one direction and not in both directions.
しかしながら、従来の双方向増幅器では、サーキュレータ等の機能素子が必要であり、構成が複雑で高価になるという問題点があった。 However, the conventional bidirectional amplifier requires a functional element such as a circulator, and has a problem that the configuration is complicated and expensive.
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、構成が簡易で安価な広帯域の双方向増幅器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a broadband bidirectional amplifier that has a simple configuration and is inexpensive.
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、第1〜4の端子を備えるカプラを有する双方向増幅器であって、第1及び第2の端子が入出力ポートであり、第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったダイオードが接続され、当該ダイオードにバイアス電圧が印加されることを特徴とする。 The present invention for solving the problems of the above conventional example is a bidirectional amplifier having a coupler having first to fourth terminals, wherein the first and second terminals are input / output ports, The fourth terminal is an isolation port, and a diode having a negative resistance is connected to each of the third and fourth terminals, and a bias voltage is applied to the diode.
本発明は、上記双方向増幅器において、負性抵抗を持ったダイオードが、トンネルダイオード、ガンダイオード又はインパッドダイオードであり、第3及び第4の端子には各々にダイオードのアノードが接続され、ダイオードのカソードが接地されることを特徴とする。 In the bidirectional amplifier according to the present invention, the diode having negative resistance is a tunnel diode, a Gunn diode, or an in-pad diode, and the anodes of the diodes are connected to the third and fourth terminals, respectively. The cathode is grounded.
本発明は、上記双方向増幅器において、ダイオードのアノードにはコイルの一端が接続され、コイルの他端にはバイアス電源が接続されると共にコイルの他端にはコンデンサの一端が接続され、コンデンサの他端が接地されることを特徴とする。 In the bidirectional amplifier described above, one end of a coil is connected to the anode of the diode, a bias power source is connected to the other end of the coil, and one end of the capacitor is connected to the other end of the coil. The other end is grounded.
本発明は、第1〜4の端子を備えるカプラを有する双方向増幅器であって、第1及び第2の端子が入出力ポートであり、第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったコルピッツ回路が接続され、当該コルピッツ回路にバイアス電圧が印加されることを特徴とする。 The present invention is a bidirectional amplifier having a coupler having first to fourth terminals, wherein the first and second terminals are input / output ports, the third and fourth terminals are isolation ports, A Colpitts circuit having a negative resistance is connected to each of the third and fourth terminals, and a bias voltage is applied to the Colpitts circuit.
本発明は、上記双方向増幅器において、コルピッツ回路が、トランジスタを備え、第3及び第4の端子には各々にトランジスタのベースが接続され、トランジスタのコレクタにはコイルとコンデンサの並列接続回路を介してバイアス電源が接続されることを特徴とする。 According to the present invention, in the above bidirectional amplifier, the Colpitts circuit includes a transistor, the base of the transistor is connected to each of the third and fourth terminals, and the collector of the transistor is connected via a parallel connection circuit of a coil and a capacitor. And a bias power source is connected.
本発明は、送受信器であって、送信信号を入力する入力端子と、受信信号を出力する出力端子と、双方向の増幅を行うものであり、送信信号を入力すると共に増幅された受信信号を出力する第1の端子、受信信号を入力すると共に増幅された送信信号を出力する第2の端子を備える、上記の双方向増幅器と、入力端子からの送信信号を双方向増幅器の第1の端子に出力すると共に、双方向増幅器の第1の端子からの受信信号を出力端子に出力するサーキュレータと、双方向増幅器の第2の端子に接続する送受信アンテナとを有することを特徴とする。 The present invention is a transceiver that performs bidirectional amplification with an input terminal for inputting a transmission signal and an output terminal for outputting a reception signal. The transmission signal is input and the amplified reception signal is received. The bidirectional amplifier including the first terminal for outputting, the second terminal for inputting the received signal and outputting the amplified transmission signal, and the first terminal of the bidirectional amplifier for transmitting the transmission signal from the input terminal. And a circulator for outputting the received signal from the first terminal of the bidirectional amplifier to the output terminal, and a transmission / reception antenna connected to the second terminal of the bidirectional amplifier.
本発明によれば、第1〜4の端子を備えるカプラを有し、第1及び第2の端子が入出力ポートであり、第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったダイオードが接続され、当該ダイオードにバイアス電圧が印加される双方向増幅器としているので、構成が簡易で安価な広帯域の双方向増幅器を実現できる効果がある。 According to the present invention, a coupler having first to fourth terminals is provided, the first and second terminals are input / output ports, the third and fourth terminals are isolation ports, A diode having a negative resistance is connected to each of the fourth terminals, and a bi-directional amplifier is applied to which a bias voltage is applied to the diode. There is.
本発明によれば、第1〜4の端子を備えるカプラを有し、第1及び第2の端子が入出力ポートであり、第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったコルピッツ回路が接続され、当該コルピッツ回路にバイアス電圧が印加される双方向増幅器としているので、構成が簡易で安価な広帯域の双方向増幅器を実現できる効果がある。 According to the present invention, a coupler having first to fourth terminals is provided, the first and second terminals are input / output ports, the third and fourth terminals are isolation ports, A Colpitts circuit with negative resistance is connected to each of the fourth terminals, and a bi-directional amplifier is applied to which a bias voltage is applied to the Colpitts circuit. There is an effect that can be done.
本発明は、送信信号を入力する入力端子と、受信信号を出力する出力端子と、双方向の増幅を行うものであり、送信信号を入力すると共に増幅された受信信号を出力する第1の端子、受信信号を入力すると共に増幅された送信信号を出力する第2の端子を備える、上記の双方向増幅器と、入力端子からの送信信号を双方向増幅器の第1の端子に出力すると共に、双方向増幅器の第1の端子からの受信信号を出力端子に出力するサーキュレータと、双方向増幅器の第2の端子に接続する送受信アンテナとを有する送受信器としているので、送信周波数と受信周波数が同じで、一本のアンテナで送受信する場合に、構成が簡易で安価に広帯域の双方向増幅を実現できる効果がある。 The present invention provides an input terminal for inputting a transmission signal, an output terminal for outputting a reception signal, and bidirectional amplification, and a first terminal for inputting the transmission signal and outputting the amplified reception signal The bidirectional amplifier including the second terminal for inputting the reception signal and outputting the amplified transmission signal, and outputting the transmission signal from the input terminal to the first terminal of the bidirectional amplifier. Since the transmitter / receiver includes a circulator that outputs a reception signal from the first terminal of the bidirectional amplifier to the output terminal and a transmission / reception antenna connected to the second terminal of the bidirectional amplifier, the transmission frequency and the reception frequency are the same. In the case of transmitting and receiving with one antenna, there is an effect that it is possible to realize wideband bidirectional amplification with a simple configuration and at low cost.
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る第1の双方向増幅器は、4端子のカプラを有し、4端子におけるアイソレーションポートに負性抵抗を持ったダイオードを接続し、更に当該ダイオードにバイアス電圧を印加したものであり、構成が簡易で安価に双方向で広帯域を実現できるものである。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Outline of the embodiment]
A first bidirectional amplifier according to an embodiment of the present invention has a four-terminal coupler, connects a diode having a negative resistance to an isolation port at the four terminals, and further applies a bias voltage to the diode. Therefore, the configuration is simple, and it is possible to realize a wide bandwidth in both directions at low cost.
また、本発明の実施の形態に係る第2の双方向増幅器は、4端子のカプラを有し、4端子におけるアイソレーションポートに負性抵抗を持ったコルピッツ回路を接続し、更に当該コルピッツ回路にバイアス電圧を印加したものであり、構成が簡易で安価に双方向で広帯域を実現できるものである。 In addition, the second bidirectional amplifier according to the embodiment of the present invention has a four-terminal coupler, connects a Colpitts circuit having a negative resistance to an isolation port at the four terminals, and further connects the Colpitts circuit. A bias voltage is applied, the configuration is simple, and a bidirectional and broadband can be realized at low cost.
[第1の双方向増幅器:図1]
本発明の実施の形態に係る第1の双方向増幅器(第1の双方向増幅器)について図1を参照しながら説明する。図1は、第1の双方向増幅器の回路図である。
第1の双方向増幅器は、図1に示すように、3dBカプラ1と、そのアイソレーションポートに接続された負性抵抗のダイオードであるガンダイオード2a,2bと、ガンダイオード2a,2bのアノードに一端が接続するコイル3a,3bと、コイル3a,3bの他端に一端が接続するコンデンサ4a,4bとバイアス電源5a,5bと、3dBカプラ1の入出力ポートに接続する入出力端子6a,6bとを備えている。
[First bidirectional amplifier: FIG. 1]
A first bidirectional amplifier (first bidirectional amplifier) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram of a first bidirectional amplifier.
As shown in FIG. 1, the first bidirectional amplifier includes a 3
尚、ガンダイオード2a,2bのカソードは接地され、コンデンサ4a,4bの他端は接地されている。
図1では、負性抵抗のダイオードをガンダイオード2a,2bとしたが、トンネルダイオード、インパッドダイオードで構成してもよい。
The cathodes of the Gunn
In FIG. 1, the diodes with negative resistance are Gunn
ここで、ガンダイオードは、負性抵抗を示すガン効果で数GHzのマイクロ波を数百mWのオーダーで発生させることができるものである。
トンネルダイオードは、不純物濃度を極めて高くしたPN接合ダイオードであり、順バイアスをかけたときに負性抵抗を示すもので、電圧が上がろうとすると抵抗が増えて電流が減り、電圧が下がろうとすると抵抗が減って電流が増えて、マイクロ波の周波数の振動が発生するものである。
インパッドダイオードは、ダイオードに高い逆電圧を掛け、アバランシェ現象を起こしておき、高周波を印加した時に、負性抵抗特性が出現することを利用して発振させるものである。
Here, the Gunn diode is capable of generating a microwave of several GHz in the order of several hundreds mW with a gun effect indicating negative resistance.
A tunnel diode is a PN junction diode with an extremely high impurity concentration and exhibits a negative resistance when forward biased. When the voltage increases, the resistance increases, the current decreases, and the voltage decreases. Then, the resistance decreases, the current increases, and the vibration of the microwave frequency occurs.
An in-pad diode oscillates by applying a high reverse voltage to the diode to cause an avalanche phenomenon and utilizing the appearance of negative resistance characteristics when a high frequency is applied.
[第1の双方向増幅器の動作]
第1の双方向増幅器は、アイソレーションポートに接続するガンダイオード2a,2bにバイアス電源5a,5bからバイアス電圧が印加された状態で、入出力端子6aから信号(入力(1))が入力されると、3dBカプラ1で増幅されて入出力端子6bに増幅された信号(出力(1))が出力される。
また、第1の双方向増幅器において、入出力端子6bから信号(入力(2))が入力されると、3dBカプラ1で増幅されて入出力端子6aに増幅された信号(出力(2))が出力される。
[Operation of the first bidirectional amplifier]
In the first bidirectional amplifier, a signal (input (1)) is input from the input /
In the first bidirectional amplifier, when a signal (input (2)) is input from the input / output terminal 6b, the signal (output (2)) amplified by the 3
[第1の双方向増幅器の効果]
第1の双方向増幅器によれば、3dBカプラ1とガンダイオード2a,2bのような負性抵抗増幅器を用いることにより、ガンダイオード2a,2bの負性抵抗のある範囲の周波数において、広帯域で双方向増幅器を実現できる効果がある。
[Effect of the first bidirectional amplifier]
According to the first bidirectional amplifier, by using a negative resistance amplifier such as the 3
また、第1の双方向増幅器によれば、3dBカプラ1は平面回路にて実現できるため、トランジスタ及びサーキュレータ等の複雑な回路を用いるものではないから、非常に簡単な構成で安価に双方向の増幅器を実現できる効果がある。
Further, according to the first bidirectional amplifier, since the 3
[第2の双方向増幅器:図2]
次に、本発明の実施の形態に係る第2の双方向増幅器(第2の双方向増幅器)について図2を参照しながら説明する。図2は、第2の双方向増幅器の回路図である。
第2の双方向増幅器は、図2に示すように、3dBカプラ1と、3dBカプラ1の入出力ポートに接続する入出力端子6a,6bと、3dBカプラ1のアイソレーションポートに接続された負性抵抗を有するコルピッツ回路とを備えている。
[Second bidirectional amplifier: FIG. 2]
Next, a second bidirectional amplifier (second bidirectional amplifier) according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram of the second bidirectional amplifier.
As shown in FIG. 2, the second bidirectional amplifier includes a 3
コルピッツ回路は、トランジスタ11a,11bと、バイアス電源12a,12bと、コンデンサ13a,13bと、並列接続のコンデンサ14a,14bとコイル15a,15bと、抵抗16a,16bと、コイル17a,17bと、抵抗18a,18bと、コンデンサ19a,19bと、コンデンサ20a,20bと、コイル21a,21bと、抵抗22a,22bと、コンデンサ23a,23bとを有している。
The Colpitts circuit includes
具体的には、コルピッツ回路は、3dBカプラ1のアイソレーションポートに負性抵抗端子を使用して、その端子に直列にコンデンサ23a,23bを介してトランジスタ11a,11bのベースが接続している。
また、トランジスタ11a,11bのベースには、コンデンサ19a,19bとコンデンサ20a,20bが直列に接続され、コンデンサ20a,20bの他端は接地されている。
また、コンデンサ19a,19bの間の点がトランジスタ11a,11bのエミッタに接続され、エミッタには、コイル21a,21bと抵抗22a,22bが直列に接続され、抵抗22a,22bの他端は接地されている。
Specifically, in the Colpitts circuit, a negative resistance terminal is used for the isolation port of the 3
The point between the
更に、トランジスタ11a,11bのベースには、バイアス電源12a,12bが抵抗16a,16bとコイル17a,17bを介して接続している。抵抗16a,16bとコイル17a,17bは直列接続され、その間の点に抵抗18a,18bの一端が接続し、他端が接地されている。
Further, bias
また、トランジスタ11a,11bのコレクタには、コンデンサ14a,14bとコイル15a,15bの並列接続回路の一端が接続され、その並列接続回路の他端がバイアス電源12a,12bに接続している。
そして、バイアス電源12a,12bと並列接続回路の他端との間の点に、コンデンサ13a,13bの一端が接続し、その他端が接地されている。
The collectors of the
Then, one end of the
[第2の双方向増幅器の動作]
第2の双方向増幅器は、アイソレーションポートに接続するコルピッツ回路においてバイアス電源12a,12bからバイアス電圧が印加された状態で、入出力端子6aから信号が入力されると、3dBカプラ1で増幅されて入出力端子6bに増幅された信号が出力される。
また、第2の双方向増幅器において、入出力端子6bから信号が入力されると、3dBカプラ1で増幅されて入出力端子6aに増幅された信号が出力される。
[Operation of Second Bidirectional Amplifier]
The second bidirectional amplifier is amplified by the 3
In the second bidirectional amplifier, when a signal is input from the input / output terminal 6b, a signal amplified by the 3
[第2の双方向増幅器の効果]
第2の双方向増幅器によれば、3dBカプラ1と、負性抵抗端子を使用してコルピッツ回路を接続した負性抵抗増幅器を用いることにより、コルピッツ回路におけるトランジスタ11a,11bの負性抵抗のある範囲の周波数において、広帯域で双方向増幅器を実現できる効果がある。
[Effect of second bidirectional amplifier]
According to the second bidirectional amplifier, the negative resistance of the
また、第2の双方向増幅器によれば、コルピッツ回路のトランジスタ11a,11bを用いることで、第1の双方向増幅器と比べて増幅率を大きくすることができ、更に、サーキュレータを用いることがないから、構成を簡易にできる効果がある。
Further, according to the second bidirectional amplifier, by using the
[本送受信器:図3]
次に、第1及び第2の双方向増幅器を利用した送受信器(本送受信器)について図3を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態に係る送受信器の概略構成図である。
本送受信器は、図3に示すように、第1又は第2の双方向増幅器10と、入力端子31と、出力端子32と、サーキュレータ33と、送受信アンテナ34とを備えている。
[This transceiver: Fig. 3]
Next, a transceiver using the first and second bidirectional amplifiers (present transceiver) will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the transceiver according to the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 3, the transceiver includes a first or second
[本送受信器の各部]
入力端子31は、送信信号を入力してサーキュレータ33に出力する。
出力端子32は、増幅された受信信号をサーキュレータ33から入力する。
サーキュレータ33は、入力端子31からの送信信号を双方向増幅器10に出力し、双方向増幅器10からの増幅された受信信号を出力端子32に出力する。
[Parts of this transceiver]
The
The
The
双方向増幅器10は、サーキュレータ33からの送信信号を増幅して送受信アンテナ34に出力する。
また、双方向増幅器10は、送受信アンテナ34からの受信信号を増幅してサーキュレータ33に出力する。
送受信アンテナ34は、双方向増幅器10からの増幅された送信信号を電波として空間に放射し、空間からの電波を取り込んで受信信号を双方向増幅器10に出力する。
The
Further, the
The transmission /
[本送受信器の動作]
まず、送信信号の増幅処理と送信処理を説明する。尚、図3では、送信信号は、実線で示し、受信信号は点線で示している。
入力端子31に送信信号が入力されると、サーキュレータ33が送信信号を双方向増幅器10に出力する。
双方向増幅器10は、サーキュレータ33からの送信信号を増幅し、送受信アンテナ34に出力する。
送受信アンテナ34は、増幅した送信信号を空間に電波で放射する。
[Operation of this transceiver]
First, transmission signal amplification processing and transmission processing will be described. In FIG. 3, the transmission signal is indicated by a solid line, and the reception signal is indicated by a dotted line.
When a transmission signal is input to the
The
The transmission /
次に、受信信号の受信処理と増幅処理を説明する。
送受信アンテナ34で空間から電波を取り込み、受信信号を双方向増幅器10に入力する。
双方向増幅器10は、送受信アンテナ34からの受信信号を増幅し、サーキュレータ33に出力する。
サーキュレータ33は、双方向増幅器33からの増幅された受信信号を出力端子32に出力する。
Next, received signal reception processing and amplification processing will be described.
The transmission /
The
The
[本送受信器の効果]
本送受信器によれば、送信周波数と受信周波数が同じで、一本のアンテナで送受信する場合に、例えば、センサーやレーダーに適用する場合に、送信波に対して有効であり、構成が簡易で安価に広帯域の双方向増幅を実現できる効果がある。
[Effect of this transceiver]
According to this transceiver, when the transmission frequency is the same as the reception frequency and transmission / reception is performed with a single antenna, for example, when applied to a sensor or radar, it is effective for transmission waves and has a simple configuration. There is an effect that bidirectional wideband amplification can be realized at low cost.
[実施の形態の効果]
第1の双方向増幅器によれば、3dBカプラ1とガンダイオード2a,2bのような負性抵抗増幅器を用いることにより、ガンダイオード2a,2bの負性抵抗のある範囲の周波数において、広帯域で双方向増幅器を実現でき、更に、トランジスタ及びサーキュレータ等のように複雑な回路を用いるものではないから、非常に簡単な構成で安価に双方向の増幅器を実現できる効果がある。
[Effect of the embodiment]
According to the first bidirectional amplifier, by using a negative resistance amplifier such as the 3
第2の双方向増幅器によれば、3dBカプラ1と、負性抵抗端子を使用してコルピッツ回路を接続した負性抵抗増幅器を用いることにより、コルピッツ回路におけるトランジスタ11a,11bの負性抵抗のある範囲の周波数において、広帯域で双方向増幅器を実現でき、第1の双方向増幅器と比べて増幅率を大きくすることができ、更にサーキュレータ等を用いるものではないから、簡易な構成で安価に双方向の増幅器を実現できる効果がある。
According to the second bidirectional amplifier, the negative resistance of the
本送受信器によれば、第1及び第2の双方向増幅器を用いることにより、送信周波数と受信周波数が同じで、一本のアンテナで送受信する場合に、構成が簡易で安価に広帯域の双方向増幅を実現できる効果がある。 According to this transmitter / receiver, when the first and second bidirectional amplifiers are used, the transmission frequency and the reception frequency are the same, and transmission / reception is performed with a single antenna, the configuration is simple and low-cost bidirectional broadband. There is an effect that amplification can be realized.
本発明は、構成が簡易で安価な広帯域の双方向増幅器に好適である。 The present invention is suitable for a broadband bidirectional amplifier that is simple in construction and inexpensive.
1...3dBカプラ、 2a,2b...ガンダイオード、 3a,3b...コイル、 4a,4b...コンデンサ、 5a,5b...バイアス電源、 6a,6b...入出力端子、 10...双方向増幅器、 11a,11b...トランジスタ、 12a,12b...バイアス電源、 13a,13b...コンデンサ、 14a,14b...コンデンサ、 15a,15b...コイル、 16a,16b...抵抗、 17a,17b...コイル、 18a,18b...抵抗、 19a,19b...コンデンサ、 20a,20b...コンデンサ、 21a,21b...コイル、 22a,22b...抵抗、 23a,23b...コンデンサ、 31...入力端子、 32...出力端子、 33...サーキュレータ、 34...送受信アンテナ 1 ... 3 dB coupler, 2a, 2b ... Gun diode, 3a, 3b ... coil, 4a, 4b ... capacitor, 5a, 5b ... bias power supply, 6a, 6b ... input / output terminal , 10 ... Bidirectional amplifier, 11a, 11b ... Transistor, 12a, 12b ... Bias power supply, 13a, 13b ... Capacitor, 14a, 14b ... Capacitor, 15a, 15b ... Coil, 16a, 16b ... resistor, 17a, 17b ... coil, 18a, 18b ... resistor, 19a, 19b ... capacitor, 20a, 20b ... capacitor, 21a, 21b ... coil, 22a, 22b ... resistor, 23a, 23b ... capacitor, 31 ... input terminal, 32 ... output terminal, 33 ... circulator, 34 ... transmitting / receiving antenna
Claims (6)
前記第1及び第2の端子が入出力ポートであり、
前記第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、
前記第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったダイオードが接続され、当該ダイオードにバイアス電圧が印加されることを特徴とする双方向増幅器。 A bidirectional amplifier having a coupler with first to fourth terminals,
The first and second terminals are input / output ports;
The third and fourth terminals are isolation ports;
A bidirectional amplifier, wherein a diode having a negative resistance is connected to each of the third and fourth terminals, and a bias voltage is applied to the diode.
第3及び第4の端子には各々に前記ダイオードのアノードが接続され、前記ダイオードのカソードが接地されることを特徴とする請求項1記載の双方向増幅器。 The diode with negative resistance is a tunnel diode, a Gunn diode or an in-pad diode,
2. The bidirectional amplifier according to claim 1, wherein the anode of the diode is connected to each of the third and fourth terminals, and the cathode of the diode is grounded.
前記第1及び第2の端子が入出力ポートであり、
前記第3及び第4の端子がアイソレーションポートであり、
前記第3及び第4の端子には各々に負性抵抗を持ったコルピッツ回路が接続され、当該コルピッツ回路にバイアス電圧が印加されることを特徴とする双方向増幅器。 A bidirectional amplifier having a coupler with first to fourth terminals,
The first and second terminals are input / output ports;
The third and fourth terminals are isolation ports;
A bidirectional amplifier characterized in that a Colpitts circuit having a negative resistance is connected to each of the third and fourth terminals, and a bias voltage is applied to the Colpitts circuit.
第3及び第4の端子には各々に前記トランジスタのベースが接続され、前記トランジスタのコレクタにはコイルとコンデンサの並列接続回路を介してバイアス電源が接続されることを特徴とする請求項4記載の双方向増幅器。 The Colpitts circuit comprises a transistor,
5. The base of the transistor is connected to each of the third and fourth terminals, and a bias power supply is connected to the collector of the transistor via a parallel connection circuit of a coil and a capacitor. Bi-directional amplifier.
送信信号を入力する入力端子と、
受信信号を出力する出力端子と、
双方向の増幅を行うものであり、送信信号を入力すると共に増幅された受信信号を出力する第1の端子、受信信号を入力すると共に増幅された送信信号を出力する第2の端子を備える、請求項1乃至5のいずれか記載の双方向増幅器と、
前記入力端子からの送信信号を前記双方向増幅器の第1の端子に出力すると共に、前記双方向増幅器の第1の端子からの受信信号を前記出力端子に出力するサーキュレータと、
前記双方向増幅器の第2の端子に接続する送受信アンテナとを有することを特徴とする送受信器。 A transceiver,
An input terminal for inputting a transmission signal;
An output terminal for outputting a received signal;
Bidirectional amplification, comprising a first terminal for inputting a transmission signal and outputting an amplified reception signal, and a second terminal for inputting a reception signal and outputting an amplified transmission signal, A bidirectional amplifier according to any one of claims 1 to 5;
A circulator for outputting a transmission signal from the input terminal to the first terminal of the bidirectional amplifier and outputting a reception signal from the first terminal of the bidirectional amplifier to the output terminal;
A transmitter / receiver antenna connected to a second terminal of the bidirectional amplifier;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013099048A JP2014220672A (en) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | Two-way amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013099048A JP2014220672A (en) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | Two-way amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220672A true JP2014220672A (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=51938759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013099048A Pending JP2014220672A (en) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | Two-way amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014220672A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020166196A1 (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 日本電気株式会社 | Bidirectional amplifier |
CN112653396A (en) * | 2020-12-31 | 2021-04-13 | 电子科技大学 | Ultra-wideband bidirectional amplifier based on 500nm GaAs pHEMT process |
-
2013
- 2013-05-09 JP JP2013099048A patent/JP2014220672A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020166196A1 (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 日本電気株式会社 | Bidirectional amplifier |
JPWO2020166196A1 (en) * | 2019-02-14 | 2021-10-28 | 日本電気株式会社 | Bidirectional amplifier |
CN112653396A (en) * | 2020-12-31 | 2021-04-13 | 电子科技大学 | Ultra-wideband bidirectional amplifier based on 500nm GaAs pHEMT process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10924063B2 (en) | Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement | |
US20140159935A1 (en) | Concurrent multiband transceiver | |
WO2020199065A1 (en) | Variable gain amplifier and phased array transceiver | |
US9209769B2 (en) | Power amplifier and communication device | |
US10917132B1 (en) | Switchless transceiver integrated programmable differential topology | |
JP2013207801A5 (en) | ||
JP2015226313A (en) | Variable gain amplifier with switch circuit | |
JP2014179738A (en) | High frequency wideband amplification circuit | |
CN104660179A (en) | Low noise amplifier | |
CN104753470A (en) | X-band low noise amplifier | |
US20110032052A1 (en) | Harmonic suppression device | |
CN103633947A (en) | Noninductive and high-gain CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) broadband low-noise amplifier | |
JP6662072B2 (en) | amplifier | |
JP2014220672A (en) | Two-way amplifier | |
US9374046B2 (en) | Current amplifier and transmitter using the same | |
CN109391236A (en) | A kind of signal amplification circuit and millimeter-wave signal amplifying circuit | |
CN103178794A (en) | Single chip power amplifier | |
Ali et al. | Analysis of Darlington pair in distributed amplifier circuit | |
CN213990615U (en) | Power amplification module and circuit | |
CN113572433B (en) | Radio frequency differential amplifying circuit and radio frequency module | |
CN214380823U (en) | Power amplifier circuit | |
JP2015170957A (en) | amplifier circuit | |
KR101952875B1 (en) | Power amplifier and integrated circuit comprising the same | |
Yishay et al. | A 17.5-dBm D-band power amplifier and doubler chain in SiGe BiCMOS technology | |
JP2015146537A (en) | Transmission circuit for millimeter wave transmitter |