JP2014220455A - Led drive circuit and wiring board - Google Patents
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明はLED駆動回路および配線基板に係り、詳しくは、LED駆動回路と、そのLED駆動回路を構成する回路素子が搭載された配線基板とに関するものである。 The present invention relates to an LED drive circuit and a wiring board, and more particularly to an LED drive circuit and a wiring board on which circuit elements constituting the LED drive circuit are mounted.
特許文献1には、電源電圧が印加されて発光ダイオードを駆動する第1のトランジスタと、発光ダイオードに直列接続された電流検出用の抵抗と、駆動指示信号に基づき第1のトランジスタを駆動すると共に、電流検出用の抵抗による電圧降下に応じて第1のトランジスタに負帰還をかけて第1のトランジスタに発光ダイオード駆動電流を制御させる第2のトランジスタとを備えた発光ダイオード駆動回路が開示されている。 In Patent Document 1, a first transistor that drives a light emitting diode by applying a power supply voltage, a current detection resistor connected in series to the light emitting diode, and a first instruction transistor are driven based on a drive instruction signal. , A light emitting diode driving circuit including a second transistor that causes the first transistor to control a light emitting diode driving current by negatively feeding back the first transistor in response to a voltage drop due to a current detection resistor. Yes.
近年、車両(二輪車、四輪車、特殊車両など)に搭載された車載照明装置(例えば、ヘッドランプ、テールランプ、ブレーキランプ、ルームランプなど)にはLEDを用いたものが増加している。
LEDを点灯させるにはLED駆動回路(LED点灯回路)が必要であるが、車載のLED駆動回路には、以下の要件が求められる。
In recent years, on-vehicle lighting devices (for example, head lamps, tail lamps, brake lamps, room lamps, etc.) mounted on vehicles (two-wheeled vehicles, four-wheeled vehicles, special vehicles, etc.) have been increasing in number using LEDs.
An LED drive circuit (LED lighting circuit) is required to light the LED, but the following requirements are required for an in-vehicle LED drive circuit.
要件1:LEDを点灯させる電源電圧範囲は、車載バッテリの定格電圧が12Vの場合には9〜16Vの範囲で変動するため、この電源電圧範囲内にて、おおよそ同一輝度でLEDを点灯させること。
要件2:正サージ電圧(例えば、約120V で50μ秒間、 約30〜70V で0.2秒間)に耐えること。負サージ電圧(例えば、約−100〜−数百Vで1m秒間)に耐えること。
要件3:LEDの点灯輝度が周囲温度(車載用電子機器の規格では−40〜+80℃)や自己発熱の影響をほとんど受けないこと。
要件4:LEDの点灯輝度が生産ロットの影響をほとんど受けないこと。尚、生産ロットの影響には、LED自身の順方向電圧のバラツキによる影響も含む。
要件5:LEDの自己発熱により信頼性(例えば、ハンダ付の信頼性など)が低下しないこと。
要件6:発生する電磁ノイズが規格を満たすこと。
要件7:LED駆動回路を構成するプリント配線基板が小型であること。
要件8:コストが安いこと。
Requirement 1: Since the power supply voltage range for lighting the LED varies in the range of 9 to 16 V when the rated voltage of the on-vehicle battery is 12 V, the LED should be lit with approximately the same luminance within this power supply voltage range. .
Requirement 2: Withstand a positive surge voltage (eg, about 120 V for 50 μsec, about 30 to 70 V for 0.2 sec). Withstand negative surge voltage (for example, about -100 to several hundred volts for 1 msec).
Requirement 3: The lighting brightness of the LED is hardly affected by the ambient temperature (-40 to + 80 ° C. in the standard for in-vehicle electronic devices) or self-heating.
Requirement 4: LED lighting brightness is hardly affected by production lots. The influence of the production lot includes the influence of variations in the forward voltage of the LED itself.
Requirement 5: Reliability (for example, reliability with soldering) does not decrease due to self-heating of the LED.
Requirement 6: Generated electromagnetic noise meets the standard.
Requirement 7: The printed wiring board constituting the LED drive circuit is small.
Requirement 8: Cost is low.
LED駆動回路にスイッチングレギュレータICを用いた定電流回路を使用すれば、前記要件1〜6については容易に実現できる。
しかし、前記要件6は前記要件7,8と背反する。
前記要件8については、スイッチングレギュレータICが高価であるため、大電力(例えば、数十ワット級)の車載照明装置(例えば、ヘッドランプ)に用いられるLED駆動回路を除いては、実現が困難である。
本発明は、前記要件1〜8を満足させることが可能なLED駆動回路を提供することにある。
If a constant current circuit using a switching regulator IC is used for the LED driving circuit, the requirements 1 to 6 can be easily realized.
However, the requirement 6 is contrary to the requirements 7 and 8.
The requirement 8 is difficult to realize except for an LED driving circuit used in an in-vehicle lighting device (for example, a headlamp) with a high power (for example, several tens of watts) because a switching regulator IC is expensive. is there.
An object of the present invention is to provide an LED driving circuit capable of satisfying the above requirements 1 to 8.
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have arrived at each aspect of the present invention as follows.
<第1の局面>
第1の局面は、
1個または直列接続された複数個のLEDと、
LEDに直列接続された駆動用トランジスタを備え、駆動用トランジスタに流れる電流を一定電流値に制御することにより、LEDを定電流駆動する定電流回路と、
駆動用トランジスタに流れる電流を検出するための抵抗と、
抵抗の両端間電圧に応じて、駆動用トランジスタをフィードバック制御する制御用トランジスタと、
車載バッテリの電源電圧から一定電圧を生成し、その一定電圧を、定電流回路と抵抗と制御用トランジスタとに供給する定電圧回路とを備えた車載のLED駆動回路である。
<First aspect>
The first aspect is
One or a plurality of LEDs connected in series;
A constant current circuit that includes a driving transistor connected in series to the LED and drives the LED at a constant current by controlling the current flowing through the driving transistor to a constant current value;
A resistor for detecting the current flowing through the driving transistor;
A control transistor that feedback-controls the driving transistor according to the voltage across the resistor;
This is an in-vehicle LED drive circuit including a constant voltage circuit that generates a constant voltage from a power supply voltage of an in-vehicle battery and supplies the constant voltage to a constant current circuit, a resistor, and a control transistor.
第1の局面では、駆動用トランジスタをフィードバック制御する制御用トランジスタを備えるため、駆動用トランジスタの特性バラツキがLEDに流れる電流の精度に影響を及ぼすのを防止できる。
また、第1の局面では、車載バッテリの電源電圧から生成した一定電圧を回路構成部材(定電流回路、抵抗、制御用トランジスタ)へ供給する定電圧回路を備えるため、定電流回路および制御用トランジスタを確実に動作させることができる。
従って、第1の局面によれば、前記要件1〜8を満足させることが可能なLED駆動回路を提供できる。
In the first aspect, since the control transistor that feedback-controls the drive transistor is provided, it is possible to prevent the characteristic variation of the drive transistor from affecting the accuracy of the current flowing through the LED.
In the first aspect, the constant current circuit and the control transistor are provided with a constant voltage circuit that supplies a constant voltage generated from the power supply voltage of the in-vehicle battery to the circuit components (constant current circuit, resistor, control transistor). Can be operated reliably.
Therefore, according to the first aspect, it is possible to provide an LED drive circuit that can satisfy the requirements 1 to 8.
ところで、特許文献1の発明の目的は、「低電圧の電源電圧ですみ、また温度変化にかかわらず光量が大きく変化しない発光ダイオード駆動回路を提供する」ことにある(段落[0006]を参照)。
これら目的のうち、「温度変化にかかわらず光量が大きく変化しない」ことは、前記要件3と同じである。
By the way, the object of the invention of Patent Document 1 is to provide a light-emitting diode driving circuit that requires only a low power supply voltage and whose light quantity does not change greatly regardless of temperature changes (see paragraph [0006]). .
Among these purposes, “the amount of light does not change greatly regardless of temperature change” is the same as the requirement 3.
また、「低電圧の電源電圧ですみ」については、特許文献1の段落[0028][0045]に、「電源電圧Vccは………2.5Vとなって、電源電圧Vccは低電圧でも発光ダイオードを駆動することができる。」との記載がある。
この記載から、特許文献1の発明は、直列接続した2個の乾電池を電源とする電子機器に適用されるものであることが推認され、前記要件1が求められる車載照明装置用のLED駆動回路には適用不可であることが分かる。
As for “low power supply voltage only”, in paragraphs [0028] and [0045] of Patent Document 1, “power supply voltage Vcc is 2.5V, and light is emitted even when the power supply voltage Vcc is low. The diode can be driven. "
From this description, it is presumed that the invention of Patent Document 1 is applied to an electronic device that uses two dry batteries connected in series as a power source, and the LED driving circuit for an in-vehicle lighting device in which the requirement 1 is required It can be seen that is not applicable.
そして、特許文献1の発明は、「駆動指示信号に基づき第1のトランジスタを駆動する」ことを構成要件としており(請求項1,2を参照)、「駆動指示信号」に相当する構成要件を備えない第1の局面とは異なる。
ちなみに、特許文献1の[発明の実施の形態]には、「駆動指示信号」についての具体的な記載は無い。
The invention of Patent Document 1 has a configuration requirement that “the first transistor is driven based on the drive instruction signal” (see claims 1 and 2), and the configuration requirement corresponding to the “drive instruction signal” is This is different from the first aspect that is not provided.
Incidentally, there is no specific description of the “drive instruction signal” in [Embodiment of the Invention] in Patent Document 1.
加えて、特許文献1には、「電源電圧Vcc」を一定電圧値にする定電圧回路について一切開示されておらず示唆すらもされていない。これは、前記のように、特許文献1の発明が乾電池を電源にするため、「電源電圧Vcc」の変動が少ないことによるものであると推認できる。
従って、特許文献1に基づいて、定電圧回路を備えた第1の局面を想到することは、たとえ当業者といえども困難であり、また、第1の局面の前記作用・効果について予測し得るものではない。
In addition, Patent Document 1 does not disclose or suggest any constant voltage circuit that makes the “power supply voltage Vcc” a constant voltage value. As described above, this can be presumed to be due to the fact that the variation of the “power supply voltage Vcc” is small since the invention of Patent Document 1 uses a dry battery as a power source.
Therefore, it is difficult for a person skilled in the art to come up with the first aspect provided with the constant voltage circuit based on Patent Document 1, and the operation and effect of the first aspect can be predicted. It is not a thing.
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、制御用トランジスタの温度変動特性を相殺して補正する補正用能動素子を備える。
第2の局面では、補正用能動素子を備えるため、制御用トランジスタの温度変動特性がLEDに流れる電流の精度に影響を及ぼすのを防止できる。
<Second aspect>
According to a second aspect, in the first aspect, a correction active element that cancels and corrects the temperature variation characteristic of the control transistor is provided.
In the second aspect, since the correction active element is provided, it is possible to prevent the temperature variation characteristic of the control transistor from affecting the accuracy of the current flowing through the LED.
<第3の局面>
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、車載バッテリの電源電圧を定電圧回路に供給するダイオードを備える。
第3の局面では、ダイオードを備えるため、負サージ電圧や車載バッテリを逆接続した場合に他の回路素子を保護することができる。
<Third aspect>
In a first aspect or a second aspect, a third aspect includes a diode that supplies the power supply voltage of the in-vehicle battery to the constant voltage circuit.
In the third aspect, since a diode is provided, other circuit elements can be protected when a negative surge voltage or an in-vehicle battery is reversely connected.
<第4の局面>
第4の局面は、第1〜第3の局面において、定電圧回路はツェナーダイオードを備える。
第4の局面では、定電圧回路を簡単な構成(例えば、ツェナーダイオードと抵抗との直列回路)で具体化可能であり、低コスト化を図ることができる。
<Fourth aspect>
According to a fourth aspect, in the first to third aspects, the constant voltage circuit includes a Zener diode.
In the fourth aspect, the constant voltage circuit can be realized with a simple configuration (for example, a series circuit of a Zener diode and a resistor), and the cost can be reduced.
<第5の局面>
第5の局面は、第4の局面において、ツェナーダイオードのツェナー電圧は、ツェナーダイオードの温度係数が正となる最小電圧値よりも大きく、且つ、車載バッテリの電源電圧の最小電圧値よりも小さくなるように設定されている。
<5th aspect>
According to a fifth aspect, in the fourth aspect, the Zener voltage of the Zener diode is larger than the minimum voltage value at which the temperature coefficient of the Zener diode becomes positive and smaller than the minimum voltage value of the power supply voltage of the in-vehicle battery. Is set to
第5の局面では、ツェナー電圧がツェナーダイオードの温度係数が正となる最小電圧値よりも大きくなるように設定するため、アバランシェ(雪崩)降伏領域を使用することが可能になり、ツェナー電圧の電圧変動が少なくなることから、定電圧回路を確実に動作させることができる。
また、第5の局面では、ツェナー電圧が車載バッテリの電源電圧の最小電圧値よりも小さくなるように設定するため、車載バッテリの電源電圧を無駄なく最大限利用可能になり、低コスト化を図ることができる。
In the fifth aspect, since the Zener voltage is set to be larger than the minimum voltage value at which the temperature coefficient of the Zener diode is positive, an avalanche breakdown region can be used, and the voltage of the Zener voltage Since the fluctuation is reduced, the constant voltage circuit can be reliably operated.
Further, in the fifth aspect, since the Zener voltage is set to be smaller than the minimum voltage value of the in-vehicle battery power supply voltage, the in-vehicle battery power supply voltage can be used as much as possible without waste, and the cost is reduced. be able to.
<第6の局面>
第6の局面は、第4の局面または第5の局面に記載のLED駆動回路を構成する回路素子が搭載された配線基板であって、配線基板上において、LEDおよび駆動用トランジスタから最も離れた位置にツェナーダイオードが配置されている配線基板である。
<Sixth aspect>
A sixth aspect is a wiring board on which the circuit elements constituting the LED driving circuit according to the fourth aspect or the fifth aspect are mounted, and is most distant from the LED and the driving transistor on the wiring board. This is a wiring board in which a Zener diode is disposed at a position.
第6の局面では、LEDおよび駆動用トランジスタの発熱量が大きくても、LEDおよび駆動用トランジスタが発生した熱がツェナーダイオードに伝達されて悪影響を与えるのを防止可能であり、ツェナー電圧の電圧変動が少なくなることから、定電圧回路を確実に動作させることができる。 In the sixth aspect, even if the amount of heat generated by the LED and the driving transistor is large, it is possible to prevent the heat generated by the LED and the driving transistor from being transmitted to the Zener diode and adversely affect the voltage variation of the Zener voltage. Therefore, the constant voltage circuit can be operated reliably.
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings. In each embodiment, the same constituent members and constituent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description of the same contents is omitted.
<第1実施形態>
図1に示すように、第1実施形態のLED駆動回路10は、車載バッテリ11、光源ブロック12、LED13、定電圧回路14、ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、NPNトランジスタQ1、PNPトランジスタQ2,Q3、抵抗R1〜R5を備えており、車両(二輪車、四輪車、特殊車両など)に搭載された車載照明装置(例えば、ヘッドランプ、テールランプ、ブレーキランプ、ルームランプなど)に用いられる。
<First Embodiment>
As shown in FIG. 1, the
車載バッテリ11のプラス端子はダイオードD1のアノードに接続され、車載バッテリ11のマイナス端子はアースに接続されている。
車載バッテリ11の定格電圧は12Vであり、車載バッテリ11からLED駆動回路10に供給される電源電圧Vbatは9〜16Vの範囲で変動する。
光源ブロック12は、直列接続された2個のLED13から構成されている。
定電圧回路14は、ツェナーダイオードZD1と抵抗R5の直列回路から構成されている。
逆方向接続されたツェナーダイオードZD1のカソードはダイオードD1のカソードに接続され、ツェナーダイオードZD1のアノードは抵抗R5を介してアースに接続されている。
The positive terminal of the in-
The rated voltage of the in-
The
The
The cathode of the Zener diode ZD1 connected in the reverse direction is connected to the cathode of the diode D1, and the anode of the Zener diode ZD1 is connected to the ground via the resistor R5.
トランジスタQ2,Q3のベースは共通接続され、そのベースは、トランジスタQ3のコレクタに接続されると共に、抵抗R4を介してツェナーダイオードZD1のアノードに接続されている。すなわち、トランジスタQ3はダイオード接続されている。
トランジスタQ2,Q3のエミッタはそれぞれ、抵抗R1,R3を介してツェナーダイオードZD1のカソードに接続されている。
トランジスタQ2のコレクタは、抵抗R2を介してトランジスタQ1のベースに接続されている。
順方向接続されたLED13のアノードは、抵抗R1を介してダイオードD1のカソードに接続され、LED13のカソードはトランジスタQ1のコレクタに接続されている。
トランジスタQ1のエミッタはアースに接続されている。
The bases of the transistors Q2 and Q3 are commonly connected, and the base is connected to the collector of the transistor Q3 and to the anode of the Zener diode ZD1 through the resistor R4. That is, the transistor Q3 is diode-connected.
The emitters of the transistors Q2 and Q3 are connected to the cathode of the Zener diode ZD1 via resistors R1 and R3, respectively.
The collector of the transistor Q2 is connected to the base of the transistor Q1 via the resistor R2.
The anode of the
The emitter of transistor Q1 is connected to ground.
[LED駆動回路10の特徴]
第1実施形態のLED駆動回路10は、以下の特徴を有する。
[Characteristics of LED driving circuit 10]
The
[特徴1]
LED駆動回路10を構成する部品のうち、車載バッテリ11を除く全ての回路素子(電子部品)がディスクリート部品であり、IC(集積回路)を使用していない。
車載用電子機器の規格を満たすIC(車載用IC)は、一般電子機器の規格を満たすだけのIC(一般民生用IC)に比べて高価であるため、車載用ICを用いるとLED駆動回路10のコストが高くなる。
また、IC自身をサージ電圧から保護する電子部品が必要になるため、更にコストが高くなる。
[Feature 1]
Of the components constituting the
An IC that satisfies the standard for in-vehicle electronic devices (in-vehicle IC) is more expensive than an IC that only satisfies the standard for general electronic devices (general consumer IC). The cost of
Further, since an electronic component for protecting the IC itself from a surge voltage is required, the cost is further increased.
LED駆動回路10はICを使用していないため、低コスト化を図ることが可能であり、前記要件8を実現できる。
そして、LED駆動回路10では、ディスクリート部品を使用することにより、ICに比べてサージ耐性のある電子部品が選択可能であるため、前記要件2の正サージ電圧については比較的簡単に実現できる。
但し、LED13への投入電流Iの精度や温度特性については、ICを使用した場合に比べて劣るため、後述する特徴3,4のような工夫を行っている。
Since the
In the
However, since the accuracy and temperature characteristics of the input current I to the
[特徴2]
LED駆動回路10はリニアレギュレータ方式を用いているため、電磁ノイズの発生は皆無である。但し、LED13への投入電流Iは150mA以下とする。
スイッチングレギュレータ方式では、LED13の点灯には直接関わらない電磁ノイズ対策用の電子部品が必要になるため、コストが高くなる上に、LED駆動回路10を構成する回路素子が搭載されたプリント配線基板が大型化するため、前記要件6〜8を同時に満たすのは困難である。
[Feature 2]
Since the
In the switching regulator method, electronic components for electromagnetic noise countermeasures that are not directly related to lighting of the
それに対して、リニアレギュレータ方式であれば、電磁ノイズは発生しないため、前記要件6を容易に実現できる上に、電磁ノイズ対策用の電子部品が不要であるため、前記要件7,8も実現できる。
但し、リニアレギュレータ方式では、電力効率(=LED13への投入電力/LED駆動回路10の消費電力)は50%前後であり、スイッチングレギュレータ方式の電力効率(通常は80%以上)には劣る。
このため、リニアレギュレータ方式はスイッチングレギュレータ方式に比べて発熱が大きくなり、前記要件3,5,7,8の実現が困難になるという問題がある。
この問題を解決するために、LED13への投入電流Iは150mA以下に制限する必要がある。
On the other hand, since the electromagnetic noise is not generated in the linear regulator system, the requirement 6 can be easily realized, and the electronic components for countermeasures against electromagnetic noise are not necessary, and the requirements 7 and 8 can also be realized. .
However, in the linear regulator system, the power efficiency (= power input to the
For this reason, the linear regulator method has a problem that heat generation is larger than that of the switching regulator method, and it is difficult to realize the requirements 3, 5, 7, and 8.
In order to solve this problem, the input current I to the
[特徴3]
前記要件3を実現するため、半導体(トランジスタQ1〜Q3、ツェナーダイオードZD1)の温度依存性については、以下の方法で依存度の低減を図っている。
[Feature 3]
In order to realize the requirement 3, the temperature dependency of the semiconductor (transistors Q1 to Q3, Zener diode ZD1) is reduced by the following method.
方法1:LED13を駆動するトランジスタQ1の温度依存性については、トランジスタQ2,Q3によるフィードバック制御(負帰還制御)により、トランジスタQ1の温度による特性変化(主に、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEQ1)がLED13への投入電流Iに影響を及ぼすのを防止している。
Method 1: Regarding the temperature dependence of the transistor Q1 that drives the
方法2:トランジスタQ2,Q3の温度依存性については、同型・同生産ロットの製品またはペアトランジスタを用いることで相殺して補正する。
尚、トランジスタQ2,Q3を熱結合すれば温度依存性を確実に相殺して補正可能であり、2個のトランジスタQ2,Q3が1個のパッケージに収容された製品を用いれば更に望ましいものの、トランジスタQ2,Q3の熱結合は不可欠ではない。
Method 2: The temperature dependency of the transistors Q2 and Q3 is corrected by offsetting by using a product of the same type and production lot or a pair transistor.
Note that if the transistors Q2 and Q3 are thermally coupled, the temperature dependence can be reliably canceled and corrected, and it is more desirable to use a product in which the two transistors Q2 and Q3 are contained in one package. The thermal coupling of Q2 and Q3 is not essential.
LED13への投入電流Iは、抵抗R1,R3,R4の抵抗値R1,R3,R4と、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzと、トランジスタQ2,Q3のベース・エミッタ間電圧VBEQ2,VBEQ3とにより、簡易解析式である数式1から求められる。 Making current I to LED13 includes a resistance R1, R3, R4 of the resistors R1, R3, R4, and the Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1, the base-emitter voltage VBE Q2 of transistors Q2, Q3, by a VBE Q3 It can be obtained from Equation 1 which is a simple analytical expression.
I=1/R1×{R3×(Vz−VBEQ3)/(R3+R4)+(VBEQ3−VBEQ2)} ………(数式1) I = 1 / R1 × {R3 × (Vz−VBE Q3 ) / (R3 + R4) + (VBE Q3− VBE Q2 )} (Equation 1)
トランジスタQ2,Q3のベース・エミッタ間電圧VBEQ2,VBEQ3が等しければ、大カッコ内の第2項はゼロ、もしくは、温度にほとんど依存しない値にすることができる。 If the base-emitter voltages VBE Q2 and VBE Q3 of the transistors Q2 and Q3 are equal, the second term in the brackets can be set to zero or a value almost independent of temperature.
方法3:LED13への投入電流Iの温度依存は、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧VzとトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧VBEQ3の温度特性で決まるが、抵抗R3,R4を設けることでその影響を小さくできる。
すなわち、数式1の大カッコ内の第1項より、LED13への投入電流Iの温度依存は、ツェナー電圧Vzとベース・エミッタ間電圧VBEQ3との差で直接決まるのではなく、ツェナー電圧Vzとベース・エミッタ間電圧VBEQ3との差に抵抗R3,R4の分圧比{(R3/(R3+R4)}を乗じた値に依存するため、温度依存性は小さくなる。
Method 3: The temperature dependence of the input current I to the
That is, from the first term in the brackets of Equation 1, the temperature dependence of the input current I to the
具体的には、R3=6.2kΩ、R4=16kΩ、Vz=7.5V、ツェナーダイオードZD1の温度特性を約2.5mV/℃、ベース・エミッタ間電圧VBEQ3の温度特性を約−2.3mV/℃の場合、温度1℃上昇当たりの影響は、数式1の大カッコ内の第1項より1.34mV/℃となり、トランジスタQ3単独の温度特性(約−2.3mV/℃)より小さくなる。
これは、R1=39Ωの場合、LED13への投入電流Iに換算すれば、34.3μA/℃に相当する。
Specifically, R3 = 6.2 kΩ, R4 = 16 kΩ, Vz = 7.5 V, the temperature characteristic of the Zener diode ZD1 is about 2.5 mV / ° C., and the temperature characteristic of the base-emitter voltage VBE Q3 is about −2. In the case of 3 mV / ° C., the influence per 1 ° C. temperature rise is 1.34 mV / ° C. from the first term in the brackets of Equation 1, which is smaller than the temperature characteristic of the transistor Q3 alone (about −2.3 mV / ° C.). Become.
This corresponds to 34.3 μA / ° C. when converted to the input current I to the
方法4:ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzは6.2〜8.2Vに限定する。
ツェナー電圧Vzの選定は、温度特性よりも、LED13への投入電流Iの電源電圧依存性から決まる。
電源電圧依存性が少なく、理想的なツェナーダイオード特性を示すのは、一般にツェナー電圧Vzが8.2V以上の製品であるが、ツェナー電圧Vzの温度特性は悪化してゆく。
Method 4: The Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 is limited to 6.2 to 8.2V.
The selection of the Zener voltage Vz is determined by the power supply voltage dependency of the input current I to the
In general, a product having a Zener voltage Vz of 8.2 V or more has less power supply voltage dependency and exhibits an ideal Zener diode characteristic, but the temperature characteristic of the Zener voltage Vz deteriorates.
一方、ツェナー電圧Vzが6.2V以下の製品を用いれば、点灯電圧範囲の下限が広くなり、前記要件1を満たすには有利であるが、ツェナー電圧Vzの電圧依存性は悪化するため、LED13への投入電流Iの精度も悪くなる。
但し、ツェナー電圧Vzが6.2Vの製品は、温度特性はほぼゼロのため、この点は有利ではある(前記数式1を参照)。
ツェナー電圧Vzが6.2V以下の製品は、定電圧特性に難があり、車載バッテリ11の電源電圧Vbatが9〜16Vの範囲で変動すると、LED13への投入電流Iは大きく変化してしまう。
On the other hand, if a product having a Zener voltage Vz of 6.2 V or less is used, the lower limit of the lighting voltage range is widened, which is advantageous for satisfying the requirement 1. However, the voltage dependency of the Zener voltage Vz is deteriorated, so that the
However, a product having a Zener voltage Vz of 6.2 V has an advantageous temperature characteristic, so this point is advantageous (see Equation 1 above).
A product having a Zener voltage Vz of 6.2 V or less has difficulty in constant voltage characteristics. When the power supply voltage Vbat of the in-
総合すれば、ツェナー電圧Vzの電圧依存性が、だいたい理想に近く、温度依存性も少ないツェナーダイオードZD1は、ツェナー電圧Vzが7.5Vの製品であり、この製品を用いればバランスのとれた回路性能が得られる。
但し、仕様要件が許すなら、ツェナー電圧Vzは6.2〜8.2Vには限定されない。
In summary, the Zener diode ZD1 whose voltage dependence of the Zener voltage Vz is almost ideal and has little temperature dependence is a product having a Zener voltage Vz of 7.5 V. If this product is used, a balanced circuit can be obtained. Performance is obtained.
However, if the specification requirement allows, the Zener voltage Vz is not limited to 6.2 to 8.2V.
[特徴4]
半導体(トランジスタQ1〜Q3、ツェナーダイオードZD1)の特性バラツキがLED13への投入電流Iに与える影響が少なく、LED13への投入電流Iの電流精度が比較的高く、量産性に優れた回路構成である。
[Feature 4]
The variation in characteristics of the semiconductors (transistors Q1 to Q3, Zener diode ZD1) has little influence on the input current I to the
すなわち、前記数式1にトランジスタQ1に関わる項が無いことから分かるように、トランジスタQ2,Q3によるフィードバック制御により、トランジスタQ1の特性バラツキは、LED13への投入電流Iの精度に影響しない。
また、前記のように、トランジスタQ2の温度依存性はトランジスタQ3により相殺して補正される。
そして、LED13への投入電流Iのバラツキは、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧VzとトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧VBEQ3で決まるが、前記数式1に示すように、バラツキにも抵抗R3,R4の分圧比{(R3/(R3+R4)}が乗じられる回路なので、影響は小さくなる。
That is, as can be seen from the fact that there is no term relating to the transistor Q1 in the equation 1, the characteristic variation of the transistor Q1 does not affect the accuracy of the input current I to the
Further, as described above, the temperature dependence of the transistor Q2 is corrected by canceling out by the transistor Q3.
The variation of the input current I to the
具体的には、R1=39Ω、R2=3.3kΩ、R3=6.2kΩ、R4=16kΩ、R5=1kΩ、Vz=7.5Vの場合、ツェナー電圧Vzとベース・エミッタ間電圧VBEQ3のバラツキ合計が大きく見積もって+0.3Vとしても、LED13への投入電流Iは約2.1mAの増加に留まることになり、投入電流Iを50mAに設定すると、僅かに+4%のバラツキ増に抑えられる。
Specifically, when R1 = 39Ω, R2 = 3.3 kΩ, R3 = 6.2 kΩ, R4 = 16 kΩ, R5 = 1 kΩ, and Vz = 7.5 V, the variation between the zener voltage Vz and the base-emitter voltage VBE Q3 Even if the total is estimated to be +0.3 V, the input current I to the
[LED駆動回路10の動作について]
[i]LED13の順方向電圧の合計値は約7V以下 とする。窒化ガリウム系LEDの場合には、1個のLED13における順方向電圧は2.8〜3.5Vであるため、LED13は2個直列までが上限である。
これは、車載バッテリ11の定格電圧が12Vの場合における電源電圧Vbatの最小電圧値(たいてい、9〜10V)による制約であり、車載バッテリ11の電圧を昇圧せずに電源電圧Vbatが最小電圧値のときでもLED13を安定して発光させるには、LED13は2個直列までが上限である。
電源電圧Vbatの最小電圧値を大きくできるなら、LED13の順方向電圧の合計値も大きくすることができる。
[Operation of LED driving circuit 10]
[I] The total forward voltage of the
This is a restriction due to the minimum voltage value (usually 9 to 10 V) of the power supply voltage Vbat when the rated voltage of the in-
If the minimum voltage value of the power supply voltage Vbat can be increased, the total value of the forward voltages of the
[ii]LED駆動回路10はリニアレギュレータ方式でフィードバック型の定電流回路であり、トランジスタQ1によりLED13への投入電流Iを一定電流値に制御することにより、LED13を定電流駆動する。
特徴2で述べたように、リニアレギュレータ方式なので、電力効率(=LED13への投入電力/LED駆動回路10の消費電力)は、スイッチングレギュレータ方式には劣る。
しかし、LED13はもともと消費電力が小さいこともあり、電力効率がそれほど良くなくても、LED駆動回路10全体の消費電力について問題視されることは少なく、むしろ電力効率よりもコストが優先する。
[Ii] The
As described in the feature 2, since it is a linear regulator system, the power efficiency (= input power to the
However, the
[iii]トランジスタQ1は、LED13の駆動用(ドライバ)の役割がある。
トランジスタQ1のベース電流はトランジスタQ2によってフィードバック制御され、トランジスタQ1のコレクタ電流(=LED13への投入電流I)は、おおよそ一定電流値に保たれる(電源電圧Vbat:9〜16V、周囲温度:−40〜+80℃) 。
[Iii] The transistor Q1 has a role of driving the LED 13 (driver).
The base current of the transistor Q1 is feedback controlled by the transistor Q2, and the collector current (= the input current I to the LED 13) of the transistor Q1 is maintained at a substantially constant current value (power supply voltage Vbat: 9 to 16 V, ambient temperature: − 40- + 80 ° C).
[iv]トランジスタQ2は、比較器とトランジスタQ1の駆動用(ドライバ)とを兼用する役割がある。
トランジスタQ2はフィードバック機能を担当し、抵抗R1の両端間電圧が、おおよそ抵抗R3の両端間電圧(ほぼ一定電圧値)と等しくなるように、トランジスタQ1のベース電流をフィードバック制御する。
その際、トランジスタQ2のエミッタ電圧Vaとベース電圧Vbの比較を行っている。
トランジスタQ2,Q3のベース・エミッタ間電圧VBEQ2,VBEQ3の温度依存性については、同型・同生産ロットの製品またはペアトランジスタを用いることで相殺して補正し、ベース・エミッタ間電圧VBEQ2の温度変動特性がLED13への投入電流Iに影響しないようにしている(前記数式1を参照)。
[Iv] The transistor Q2 serves as both a comparator and a driver (driver) for the transistor Q1.
The transistor Q2 is responsible for the feedback function, and feedback-controls the base current of the transistor Q1 so that the voltage across the resistor R1 is approximately equal to the voltage across the resistor R3 (almost constant voltage value).
At that time, the emitter voltage Va and the base voltage Vb of the transistor Q2 are compared.
The temperature dependence of the base-emitter voltages VBE Q2 and VBE Q3 of the transistors Q2 and Q3 is compensated by canceling by using a product or a pair transistor of the same type and production lot, and the base-emitter voltage VBE Q2 The temperature variation characteristic is prevented from affecting the input current I to the LED 13 (see the above formula 1).
[v]トランジスタQ3は、リファレンス電圧の供給とトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBEQ2の温度依存性を相殺して補正する役割がある。
ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzを、抵抗R3,R4とトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧VBEQ3とで分圧し、トランジスタQ2に供給している。
トランジスタQ2,Q3のベース電圧Vbの概算値は、数式2から求められる。
[V] The transistor Q3 has a role of canceling and correcting the supply of the reference voltage and the temperature dependence of the base-emitter voltage VBE Q2 of the transistor Q2.
The Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 is divided by the resistors R3 and R4 and the base-emitter voltage VBE Q3 of the transistor Q3 and supplied to the transistor Q2.
The approximate value of the base voltage Vb of the transistors Q2 and Q3 can be obtained from Equation 2.
Vb≒VBEQ3+R3×(Vz−VBEQ3)/(R3+R4) ………(数式2) Vb≈VBE Q3 + R3 × (Vz−VBE Q3 ) / (R3 + R4) (Equation 2)
トランジスタQ3をダイオード接続にして、抵抗R3,R4の分圧回路に含めているのは、トランジスタQ2,Q3のベース・エミッタ間電圧VBEQ2,VBEQ3の温度依存性を相殺して補正し、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBEQ2の温度変動特性がLED13への投入電流Iに影響しないようにするためである。
The transistor Q3 is diode-connected and included in the voltage dividing circuit of the resistors R3 and R4 because the temperature dependence of the base-emitter voltages VBE Q2 and VBE Q3 of the transistors Q2 and Q3 is canceled and corrected. This is to prevent the temperature fluctuation characteristic of the base-emitter voltage VBE Q2 of Q2 from affecting the input current I to the
[vi]ツェナーダイオードZD1は、リファレンス電圧の大元となる一定電圧値のツェナー電圧Vzを供給する役割がある。
ツェナーダイオードZD1は、特徴3の方法4で述べたように、ツェナー電圧Vzは6.2〜8.2Vの製品に限定する。
[Vi] The Zener diode ZD1 has a role of supplying a Zener voltage Vz having a constant voltage value which is a source of the reference voltage.
The Zener diode ZD1 is limited to a product having a Zener voltage Vz of 6.2 to 8.2 V as described in the method 4 of Feature 3.
例えば、抵抗R3,R4およびトランジスタQ3を省き、トランジスタQ2のベースをツェナーダイオードZD1のアノードに接続する回路構成にした場合には、回路構成を簡素化できる。
しかし、電源電圧Vvatの下限の制約(約9V程度)のため、フィードバックセンサ役の抵抗R1の両端間電圧は2V以下になってしまう(LED13で約7Vを占めるため)。
すると、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzが2V以下の製品を選択することになるが、ツェナー電圧Vzが2V以下の製品は、理想特性には程遠く、電流−ツェナー電圧Vz特性が悪い。
このため、電源電圧Vbatに対してLED13への投入電流Iが一定電流値を保てず、投入電流Iの精度が悪くなる。
For example, when the resistors R3 and R4 and the transistor Q3 are omitted and the base of the transistor Q2 is connected to the anode of the Zener diode ZD1, the circuit configuration can be simplified.
However, due to the lower limit of the power supply voltage Vvat (about 9V), the voltage across the resistor R1 acting as a feedback sensor becomes 2V or less (because the
Then, a product whose Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 is 2 V or less is selected, but a product whose Zener voltage Vz is 2 V or less is far from the ideal characteristic, and the current-Zener voltage Vz characteristic is poor.
For this reason, the input current I to the
[vii]抵抗R1は、LED13への投入電流Iをセンシング(電流検出)する役割がある。
LED駆動回路10では、抵抗R1の両端間電圧が、抵抗R3の両端間電圧に等しくなるようにフィードバック制御している。
厳密には、抵抗R1は、トランジスタQ2のコレクタ電流とLED13への投入電流Iの合計をセンシングしているが、トランジスタQ2のコレクタ電流は、LED13への投入電流IをトランジスタQ1の直流電流増幅率hFEで除算した値(I/hFE)にほぼ等しく、直流電流増幅率hFEは100以上であるため、LED13への投入電流Iだけを検出しているとして問題ない。
[Vii] The resistor R1 has a role of sensing (current detection) the input current I to the
In the
Strictly speaking, the resistor R1 senses the sum of the collector current of the transistor Q2 and the input current I to the
但し、抵抗R1の抵抗値は、要求するLED13への投入電流Iが50mAなら、40Ω(=2V/50mA)と比較的低い値になり、LED13への投入電流Iが大きくなれば、それだけ抵抗R1の抵抗値は小さくなる。
これは、電源電圧Vbatの下限が約9V程度に設定されるため、LED13への電圧割り当てが7Vの場合、抵抗R1の両端間電圧の割り当てが2V以下になるためである。
抵抗R1への電圧割り当てが小さいということは、LED13への投入電流Iの精度と温度特性が悪くなる傾向となり、リファレンス電圧の電圧精度と、温度特性の良さが求められる理由になっている。
However, the resistance value of the resistor R1 is a relatively low value of 40Ω (= 2V / 50mA) when the required input current I to the
This is because the lower limit of the power supply voltage Vbat is set to about 9V, and therefore when the voltage assignment to the
The fact that the voltage assignment to the resistor R1 is small tends to deteriorate the accuracy and temperature characteristics of the input current I to the
LED駆動回路10では、リファレンス電圧の大元を作るツェナーダイオードZD1としてツェナー電圧Vzが7.5V前後の製品を選択し、電圧精度をよくしている。
また、トランジスタQ2,Q3のベース・エミッタ間電圧VBEQ2,VBEQ3の温度依存性を相殺して補正し、ベース・エミッタ間電圧VBEQ2の温度変動特性がLED13への投入電流Iに影響しないようにしている。
トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBEQ1の温度特性については、トランジスタQ2によりフィードバック制御することで影響無しにしている。
ツェナーダイオードZD1の温度特性は、ツェナー電圧Vzが7.5V前後の製品を選択することにより、温度係数を比較的小さくできる(約+2.5mV/℃)。この温度係数を抵抗R3,R4で分割して、さらに温度係数を小さくしている。
正確には、ツェナー電圧Vzの温度特性とトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧VBEQ3の差を抵抗分割している。
In the
Further, the temperature dependence of the base-emitter voltages VBE Q2 and VBE Q3 of the transistors Q2 and Q3 is canceled and corrected so that the temperature fluctuation characteristics of the base-emitter voltage VBE Q2 do not affect the input current I to the
The temperature characteristic of the base-emitter voltage VBE Q1 of the transistor Q1 is not affected by feedback control using the transistor Q2.
As for the temperature characteristics of the Zener diode ZD1, the temperature coefficient can be made relatively small (about +2.5 mV / ° C.) by selecting a product having a Zener voltage Vz of around 7.5V. This temperature coefficient is divided by resistors R3 and R4 to further reduce the temperature coefficient.
More precisely, the difference between the temperature characteristic of the zener voltage Vz and the base-emitter voltage VBE Q3 of the transistor Q3 is divided by resistance.
[viii]抵抗R3,R4は、リファレンス電圧を決定する役割がある。
ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzを抵抗R3,R4とトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧VBEQ3で分割して、トランジスタQ2にリファレンス電圧であるベース電圧Vbを供給している(前記数式2を参照)。
[Viii] The resistors R3 and R4 have a role of determining a reference voltage.
The Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 is divided by the resistors R3 and R4 and the base-emitter voltage VBE Q3 of the transistor Q3 , and the base voltage Vb, which is the reference voltage, is supplied to the transistor Q2 (see Equation 2 above). .
[ix]抵抗R5は、ツェナーダイオードZD1のツェナー電流を決定する役割がある。
抵抗R5はツェナーダイオードZD1のツェナー電流が流れる経路となり、ツェナーダイオードZD1がリファレンス電圧の元になるツェナー電圧Vzを発生させる。
但し、抵抗R5は、トランジスタQ3のコレクタ電流と、トランジスタQ2,Q3のベース電流の経路でもあり、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzが電源電圧Vbatに依存することから、ツェナー電圧Vzの誤差要因になる。
[Ix] The resistor R5 has a role of determining a Zener current of the Zener diode ZD1.
The resistor R5 becomes a path through which the Zener current of the Zener diode ZD1 flows, and the Zener diode ZD1 generates a Zener voltage Vz that is a source of the reference voltage.
However, the resistor R5 is also a path for the collector current of the transistor Q3 and the base currents of the transistors Q2 and Q3. Since the Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 depends on the power supply voltage Vbat, it becomes an error factor of the Zener voltage Vz. .
ツェナー電圧Vzが電源電圧Vbatに依存し難くなるよう、ツェナーダイオードZD1の許容電力が許す範囲で、抵抗R5は小さな値にする必要がある。
しかし、正サージ電圧(例えば、約120V、50μ秒)が印加された場合に、ツェナーダイオードZD1が破壊されないようにするため、抵抗R5の抵抗値には下限がある。
ツェナーダイオードZD1としてツェナー電圧Vzが7.5V前後の製品を選択する場合には、ツェナー電流が10μAあれば、ツェナー電圧Vzの精度をおおよそ獲得できるため、抵抗R5の抵抗値を1kΩ程度の比較的大きな値にすることが可能であり、ツェナーダイオードZD1の電力容量が比較的小さくても(例えば、200mW級)、正サージ電圧によってツェナーダイオードZD1が破壊されることはない。
The resistor R5 needs to have a small value within the range allowed by the allowable power of the Zener diode ZD1 so that the Zener voltage Vz becomes less dependent on the power supply voltage Vbat.
However, the resistance value of the resistor R5 has a lower limit so that the Zener diode ZD1 is not destroyed when a positive surge voltage (for example, about 120 V, 50 μsec) is applied.
When a product having a Zener voltage Vz of around 7.5 V is selected as the Zener diode ZD1, the accuracy of the Zener voltage Vz can be roughly obtained if the Zener current is 10 μA. The zener diode ZD1 is not destroyed by the positive surge voltage even if the power capacity of the zener diode ZD1 is relatively small (for example, 200 mW class).
[x]ダイオードD1は、負サージ電圧や車載バッテリ11を逆接続した場合に他の回路素子を保護する役割がある。
電源電圧Vbatが低下(約9V以下)した場合には、ダイオードD1による電圧降下(約0.5〜0.6V)により、LED13への投入電流Iが要求値より低下するため、ダイオードD1の順方向電圧はできる限り低い値であることが望ましい。
[X] The diode D1 has a role of protecting other circuit elements when a negative surge voltage or the in-
When the power supply voltage Vbat decreases (about 9 V or less), the voltage drop (about 0.5 to 0.6 V) due to the diode D1 reduces the input current I to the
[第1実施形態の作用・効果]
第1実施形態のLED駆動回路10によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
[Operations and effects of the first embodiment]
According to the
[1]車載のLED駆動回路10は、直列接続された2個のLED13と、LED13に直列接続されたトランジスタQ1(駆動用トランジスタ)を備え、トランジスタQ1に流れる電流(LED13への投入電流I)を一定電流値に制御することにより、LED13を定電流駆動する定電流回路である。
そして、LED駆動回路10は、トランジスタQ1に流れる電流Iを検出するための抵抗R1と、抵抗R1の両端間電圧に応じて、トランジスタQ1をフィードバック制御するトランジスタQ2(制御用トランジスタ)を備える。
また、LED駆動回路10は、車載バッテリ11の電源電圧から一定電圧を生成し、その一定電圧を回路構成部材(定電流回路、抵抗R1、トランジスタQ2)に供給する定電圧回路14を備える。
[1] The in-vehicle
The
The
LED駆動回路10は、トランジスタQ1をフィードバック制御するトランジスタQ2を備えるため、トランジスタQ1の特性バラツキがLED13に流れる投入電流Iの精度に影響を及ぼすのを防止できる。
また、LED駆動回路10は、定電圧回路14を備えるため、定電流回路およびトランジスタQ2を確実に動作させることができる。
従って、第1実施形態によれば、前記要件1〜8を満足させることが可能なLED13駆動回路を提供できる。
Since the
Moreover, since the
Therefore, according to 1st Embodiment, the LED13 drive circuit which can satisfy the said requirements 1-8 can be provided.
[2]LED駆動回路10は、トランジスタQ2(制御用トランジスタ)の温度変動特性を相殺して補正する補正用能動素子としてトランジスタQ3を備えるため、トランジスタQ2の温度変動特性がLED13に流れる投入電流Iの精度に影響を及ぼすのを防止できる。
[2] Since the
[3]LED駆動回路10は、車載バッテリ11の電源電圧Vbatを定電圧回路14に供給するダイオードD1を備えるため、負サージ電圧や車載バッテリ11を逆接続した場合に他の回路素子を保護することができる。
[3] Since the
[4]定電圧回路14は、ツェナーダイオードZD1と抵抗R1との直列回路から成る簡単な構成であるため、低コスト化を図ることができる。
[4] Since the
[5]ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧Vzは、ツェナーダイオードZD1の温度係数が正となる最小電圧値よりも大きく、且つ、車載バッテリ11の電源電圧Vbatの最小電圧値よりも小さくなるように設定されている。
すなわち、ツェナー電圧VzがツェナーダイオードZD1の温度係数が正となる最小電圧値よりも大きくなるように設定するため、アバランシェ(雪崩)降伏領域を使用することが可能になり、ツェナー電圧Vzの電圧変動が少なくなることから、定電圧回路14を確実に動作させることができる。
また、ツェナー電圧Vzが車載バッテリ11の電源電圧Vbatの最小電圧値よりも小さくなるように設定するため、車載バッテリ11の電源電圧Vbatを無駄なく最大限利用可能になり、低コスト化を図ることができる。
[5] The Zener voltage Vz of the Zener diode ZD1 is set to be larger than the minimum voltage value at which the temperature coefficient of the Zener diode ZD1 is positive and smaller than the minimum voltage value of the power supply voltage Vbat of the in-
That is, since the Zener voltage Vz is set to be larger than the minimum voltage value at which the temperature coefficient of the Zener diode ZD1 is positive, an avalanche (avalanche) breakdown region can be used, and the voltage fluctuation of the Zener voltage Vz Therefore, the
Further, since the Zener voltage Vz is set so as to be smaller than the minimum voltage value of the power supply voltage Vbat of the in-
[6]図2に示すように、LED駆動回路10を構成する部品のうち、車載バッテリ11を除く回路素子(光源ブロック12、LED13、定電圧回路14、ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、トランジスタQ1〜Q3、抵抗R1〜R5)は、同一のプリント配線基板PB上に搭載されている。
[6] As shown in FIG. 2, among the components constituting the
そのため、LED13およびトランジスタQ1の発熱量が大きくても、LED13およびトランジスタQ1が発生した熱がツェナーダイオードZD1に伝達されて悪影響を与えるのを防止可能であり、ツェナー電圧Vzの電圧変動が少なくなることから、定電圧回路14を確実に動作させることができる。
For this reason, even if the amount of heat generated by the
[7]特許文献1の発明の目的は、「低電圧の電源電圧ですみ、また温度変化にかかわらず光量が大きく変化しない発光ダイオード駆動回路を提供する」ことにある(段落[0006]を参照)。
これら目的のうち、「温度変化にかかわらず光量が大きく変化しない」ことは、前記要件3と同じである。
[7] The object of the invention of Patent Document 1 is to “provide a light emitting diode drive circuit that requires only a low power supply voltage and whose light quantity does not change greatly regardless of temperature changes” (see paragraph [0006]. ).
Among these purposes, “the amount of light does not change greatly regardless of temperature change” is the same as the requirement 3.
また、「低電圧の電源電圧ですみ」については、特許文献1の段落[0028][0045]に、「電源電圧Vccは………2.5Vとなって、電源電圧Vccは低電圧でも発光ダイオードを駆動することができる。」との記載がある。
この記載から、特許文献1の発明は、直列接続した2個の乾電池を電源とする電子機器に適用されるものであることが推認され、前記要件1が求められる車載照明装置用のLED駆動回路には適用不可であることが分かる。
As for “low power supply voltage only”, in paragraphs [0028] and [0045] of Patent Document 1, “power supply voltage Vcc is 2.5V, and light is emitted even when the power supply voltage Vcc is low. The diode can be driven. "
From this description, it is presumed that the invention of Patent Document 1 is applied to an electronic device that uses two dry batteries connected in series as a power source, and the LED driving circuit for an in-vehicle lighting device in which the requirement 1 is required It can be seen that is not applicable.
そして、特許文献1の発明は、「駆動指示信号に基づき第1のトランジスタを駆動する」ことを構成要件としており(請求項1,2を参照)、「駆動指示信号」に相当する構成要件を備えない第1実施形態のLED駆動回路10とは異なる。
ちなみに、特許文献1の[発明の実施の形態]には、「駆動指示信号」についての具体的な記載は無い。
The invention of Patent Document 1 has a configuration requirement that “the first transistor is driven based on the drive instruction signal” (see claims 1 and 2), and the configuration requirement corresponding to the “drive instruction signal” is It differs from the
Incidentally, there is no specific description of the “drive instruction signal” in [Embodiment of the Invention] in Patent Document 1.
加えて、特許文献1には、「電源電圧Vcc」を一定電圧値にする定電圧回路について一切開示されておらず示唆すらもされていない。これは、前記のように、特許文献1の発明が乾電池を電源にするため、「電源電圧Vcc」の変動が少ないことによるものであると推認できる。
従って、特許文献1に基づいて、定電圧回路14を備えた第1実施形態のLED駆動回路10を想到することは、たとえ当業者といえども困難であり、また、前記[1][4][5]の作用・効果について予測し得るものではない。
In addition, Patent Document 1 does not disclose or suggest any constant voltage circuit that makes the “power supply voltage Vcc” a constant voltage value. As described above, this can be presumed to be due to the fact that the variation of the “power supply voltage Vcc” is small since the invention of Patent Document 1 uses a dry battery as a power source.
Accordingly, it is difficult for a person skilled in the art to conceive the
<第2実施形態>
図3に示すように、第2実施形態のLED駆動回路20は、車載バッテリ11、光源ブロック12、LED13、定電圧回路14、ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、PNPトランジスタQ1、NPNトランジスタQ2,Q3、抵抗R1〜R5を備えている。
Second Embodiment
As shown in FIG. 3, the
逆方向接続されたツェナーダイオードZD1のカソードは抵抗R5を介してダイオードD1のカソードに接続され、ツェナーダイオードZD1のアノードはアースに接続されている。
トランジスタQ2,Q3のベースは共通接続され、そのベースは、トランジスタQ3のコレクタに接続されると共に、抵抗R4を介してツェナーダイオードZD1のカソードに接続されている。
トランジスタQ2,Q3のエミッタはそれぞれ、抵抗R1,R3を介してアースに接続されている。
順方向接続されたLED13のアノードはトランジスタQ1のコレクタに接続され、LED13のカソードは抵抗R1を介してアースに接続されている。
トランジスタQ1のエミッタはダイオードD1のカソードに接続されている。
The cathode of the Zener diode ZD1 connected in the reverse direction is connected to the cathode of the diode D1 through the resistor R5, and the anode of the Zener diode ZD1 is connected to the ground.
The bases of the transistors Q2 and Q3 are commonly connected, and the base is connected to the collector of the transistor Q3 and to the cathode of the Zener diode ZD1 through the resistor R4.
The emitters of the transistors Q2 and Q3 are connected to ground via resistors R1 and R3, respectively.
The anode of the
The emitter of the transistor Q1 is connected to the cathode of the diode D1.
第2実施形態のLED駆動回路20において、第1実施形態のLED駆動回路10と異なるのは、トランジスタQ1〜Q3の極性であり、トランジスタQ1〜Q3の極性に合わせて他の回路素子の接続関係が変更されている。
従って、第2実施形態のLED駆動回路20においても、第1実施形態のLED駆動回路10と同様の作用・効果が得られる。
The
Therefore, also in the
<第3実施形態>
図4に示すように、第3実施形態のLED駆動回路30は、車載バッテリ11、光源ブロック12、LED13、定電圧回路14、ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、NPNトランジスタQ1、PNPトランジスタQ2、抵抗R1〜R5、ダイオードD2を備えている。
<Third Embodiment>
As shown in FIG. 4, the
順方向接続されたダイオードD2のアノードは、抵抗R3を介してツェナーダイオードZD1のカソードに接続されている。
ダイオードD2のカソードは、トランジスタQ2のベースに接続されると共に、抵抗R4を介してツェナーダイオードZD1のアノードに接続されている。
The anode of the diode D2 connected in the forward direction is connected to the cathode of the Zener diode ZD1 via the resistor R3.
The cathode of the diode D2 is connected to the base of the transistor Q2 and is connected to the anode of the Zener diode ZD1 via the resistor R4.
第3実施形態のLED駆動回路30において、第1実施形態のLED駆動回路10と異なるのは、ダイオード接続されたトランジスタQ3がダイオードD2に置き換えられている点だけである。
すなわち、第3実施形態では、トランジスタQ2(制御用トランジスタ)の温度変動特性を相殺して補正する補正用能動素子としてダイオードD2を備える。
The
That is, in the third embodiment, the diode D2 is provided as a correction active element that cancels and corrects the temperature variation characteristic of the transistor Q2 (control transistor).
ダイオードD2の順方向電圧は、ダイオード接続されたトランジスタQ3のエミッタ・コレクタ間電圧とは厳密には一致しない。
そのため、第3実施形態のLED駆動回路30では、第1実施形態のLED駆動回路10に比べて、LED13への投入電流Iの精度はやや劣るものの、第1実施形態とほぼ同様の作用・効果が得られる。
The forward voltage of the diode D2 does not exactly match the emitter-collector voltage of the diode-connected transistor Q3.
Therefore, in the
<第4実施形態>
図5に示すように、第4実施形態のLED駆動回路40は、車載バッテリ11、光源ブロック12、LED13、定電圧回路14、ダイオードD1、ツェナーダイオードZD1、PNPトランジスタQ1、NPNトランジスタQ2、抵抗R1〜R5、ダイオードD2を備えている。
<Fourth embodiment>
As shown in FIG. 5, the
順方向接続されたダイオードD2のアノードは、抵抗R3を介してアースに接続されている。
ダイオードD2のカソードは、トランジスタQ2のベースに接続されると共に、抵抗R4を介してツェナーダイオードZD1のカソードに接続されている。
The anode of the diode D2 connected in the forward direction is connected to the ground via the resistor R3.
The cathode of the diode D2 is connected to the base of the transistor Q2 and is connected to the cathode of the Zener diode ZD1 via the resistor R4.
第4実施形態のLED駆動回路40において、第3実施形態のLED駆動回路30と異なるのは、トランジスタQ1,Q2の極性であり、トランジスタQ1,Q2の極性に合わせて他の回路素子の接続関係が変更されている。
従って、第4実施形態のLED駆動回路40においても、第3実施形態のLED駆動回路30と同様の作用・効果が得られる。
The
Therefore, also in the
<別の実施形態>
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
<Another embodiment>
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be embodied as follows. Even in this case, operations and effects equivalent to or higher than those of the above-described embodiments can be obtained.
[A]前記各実施形態では、直列接続された2個のLED13を備えているが、本発明は、LED13を1〜3個または5個以上備えるLED駆動回路に適用してもよい。
[A] In each of the above embodiments, two
[B]バイポーラトランジスタQ1〜Q3をMOSトランジスタに置き換えてもよい(NPNトランジスタをNMOSトランジスタに置き換え、PNPトランジスタをPMOSトランジスタに置き換える)。 [B] The bipolar transistors Q1 to Q3 may be replaced with MOS transistors (the NPN transistor is replaced with an NMOS transistor, and the PNP transistor is replaced with a PMOS transistor).
[C]定電圧回路14は、ツェナーダイオードZD1と抵抗R5の直列回路に限らず、どのような形式の定電圧回路によって具体化してもよい。
[C] The
[D]図2に示すプリント配線基板PBに限らず、バスバー(リードフレーム)やワイヤなどの配線材により回路配線が構成された配線基板(配線板)に適用してもよい。 [D] Not limited to the printed wiring board PB shown in FIG. 2, the present invention may be applied to a wiring board (wiring board) in which circuit wiring is constituted by wiring materials such as a bus bar (lead frame) and wires.
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。 The present invention is not limited to the description of each aspect and each embodiment. Various modifications are also included in the present invention as long as those skilled in the art can easily conceive without departing from the scope of the claims. The contents of publications and the like specified in the present specification are all incorporated by reference.
10,20,30,40…LED駆動回路
11…車載バッテリ
12…光源ブロック
13…LED
14…定電圧回路
D1…ダイオード
D2…ダイオード(補正用能動素子)
ZD1…ツェナーダイオード
Q1…トランジスタ(駆動用トランジスタ)
Q2…トランジスタ(制御用トランジスタ)
Q3…トランジスタ(補正用能動素子)
R1〜R5…抵抗
PB…プリント配線基板
10, 20, 30, 40 ...
14 ... constant voltage circuit D1 ... diode D2 ... diode (active element for correction)
ZD1 ... Zener diode Q1 ... transistor (driving transistor)
Q2 ... Transistor (control transistor)
Q3 ... transistor (correction active element)
R1-R5 ... resistance
PB ... Printed circuit board
Claims (6)
前記LEDに直列接続された駆動用トランジスタを備え、前記駆動用トランジスタに流れる電流を一定電流値に制御することにより、前記LEDを定電流駆動する定電流回路と、
前記駆動用トランジスタに流れる電流を検出するための抵抗と、
前記抵抗の両端間電圧に応じて、前記駆動用トランジスタをフィードバック制御する制御用トランジスタと、
車載バッテリの電源電圧から一定電圧を生成し、その一定電圧を、前記定電流回路と前記抵抗と前記制御用トランジスタとに供給する定電圧回路と
を備えた車載のLED駆動回路。 One or a plurality of LEDs connected in series;
A driving transistor connected in series to the LED, and a constant current circuit for driving the LED at a constant current by controlling a current flowing through the driving transistor to a constant current value;
A resistor for detecting a current flowing through the driving transistor;
A control transistor that feedback-controls the driving transistor according to a voltage across the resistor;
An in-vehicle LED drive circuit including a constant voltage circuit that generates a constant voltage from a power supply voltage of an in-vehicle battery and supplies the constant voltage to the constant current circuit, the resistor, and the control transistor.
請求項1に記載のLED駆動回路。 A correction active element for canceling and correcting the temperature variation characteristic of the control transistor;
The LED drive circuit according to claim 1.
請求項1または請求項2に記載のLED駆動回路。 A diode for supplying a power supply voltage of the in-vehicle battery to the constant voltage circuit;
The LED drive circuit of Claim 1 or Claim 2.
請求項1〜3のいずれか一項に記載のLED駆動回路。 The constant voltage circuit includes a Zener diode,
The LED drive circuit as described in any one of Claims 1-3.
請求項4に記載のLED駆動回路。 The Zener voltage of the Zener diode is set to be larger than the minimum voltage value at which the temperature coefficient of the Zener diode is positive and smaller than the minimum voltage value of the power supply voltage of the vehicle battery.
The LED drive circuit according to claim 4.
前記配線基板上において、前記LEDおよび前記駆動用トランジスタから最も離れた位置に前記ツェナーダイオードが配置されている配線基板。 A wiring board on which circuit elements constituting the LED drive circuit according to claim 4 or 5 are mounted,
A wiring board in which the Zener diode is disposed at a position farthest from the LED and the driving transistor on the wiring board.
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A521 | Written amendment |
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