JP2014212427A - Oscillator, transmitting device, rectifier, rectifying device, receiver, receiving device and transceiver - Google Patents

Oscillator, transmitting device, rectifier, rectifying device, receiver, receiving device and transceiver Download PDF

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    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B15/00Generation of oscillations using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, or using superconductivity effects

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillator, a transmitting device, a rectifier, a rectifying device, a receiver, a receiving device and a transceiver capable of being miniaturized.SOLUTION: An oscillator comprises: an oscillation part whose threshold magnetic field for starting the oscillation, is more than zero; a conductor connected to the oscillation part in series; and a magnetic field application means for applying a first magnetic field to the oscillation part. The oscillation part and the conductor are arranged so that a second magnetic field generated by the current flowing into the conductor, is applied to the oscillation part, and the first magnetic field is smaller than the threshold magnetic field and a composite magnetic field of the first magnetic field and the second magnetic field is larger than the threshold magnetic field.

Description

本発明は、発振器、送信装置、整流器、整流装置、受信器、受信装置および送受信装置に関する。   The present invention relates to an oscillator, a transmission device, a rectifier, a rectification device, a receiver, a reception device, and a transmission / reception device.

近年、磁気抵抗効果素子によるマイクロ波発振と受信が研究されている。例えば、特許文献1においては、CCP―CPP(Current Confined Path−Current Perpendicular to Plane)発振素子に外部磁場を印加することによって、発振周波数を変化することができることが開示されている。   In recent years, microwave oscillation and reception using magnetoresistive elements have been studied. For example, Patent Document 1 discloses that the oscillation frequency can be changed by applying an external magnetic field to a CCP-CPP (Current Confined Path-Current Perpendicular to Plane) oscillation element.

特開2007−124340号公報JP 2007-124340 A

しかしながら従来技術においては、発振やマイクロ波受信に必要な磁場は、磁気抵抗効果素子に接続されていない外部の配線あるいは外部のコイルや磁石により発生させていた。例えば特許文献1においては、外部磁石と外部配線によって、磁場を発振素子である磁気抵抗効果素子に印加している。従って従来技術においては、部品点数が多くなり、発振器や検出器の寸法が大きくなるため、小型化が困難であった。   However, in the prior art, the magnetic field necessary for oscillation and microwave reception has been generated by external wiring or an external coil or magnet not connected to the magnetoresistive effect element. For example, in Patent Document 1, a magnetic field is applied to a magnetoresistive effect element, which is an oscillation element, by an external magnet and an external wiring. Therefore, in the prior art, since the number of parts increases and the dimensions of the oscillator and detector increase, it is difficult to reduce the size.

小型化のために、より強い磁場を発生する外部磁石を使用して、その磁石を小さい寸法で用いることが考えられる。しかし、磁石が発生する磁場強度を飛躍的に向上させることは、物質設計の根本からの研究開発が必要であり、ただちにそれを実現することは困難である。したがって発振器の小型化のためには、既存の磁石を小型化し、それによる磁場強度の低下を補う技術が必要である。また従来技術においては、外部配線に電流を流すための電力が必要であり、省エネルギー化が求められていた。   In order to reduce the size, it is conceivable to use an external magnet that generates a stronger magnetic field and to use the magnet with a smaller size. However, drastically improving the strength of the magnetic field generated by a magnet requires research and development from the basis of material design, and it is difficult to realize it immediately. Therefore, in order to reduce the size of the oscillator, it is necessary to reduce the size of the existing magnet and to compensate for the decrease in the magnetic field strength. Further, in the prior art, electric power for flowing current to the external wiring is necessary, and energy saving has been demanded.

そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化と消費電力低減が可能な発振器、送信装置、整流器、整流装置、受信器、受信装置を提供することを目的とする。また、そのような発振器と受信器を備えることによって、従来より小型化と消費電力低減が可能な送受信装置を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide an oscillator, a transmission device, a rectifier, a rectification device, a receiver, and a reception device that can be reduced in size and power consumption. It is another object of the present invention to provide a transmission / reception apparatus that can be reduced in size and power consumption by providing such an oscillator and a receiver.

上記目的を達成するため、本発明の第1の態様に係る発振器では、発振を開始するための閾値磁場がゼロよりも大きい発振部と、前記発振部に直列に接続された導体と、前記発振部に第1の磁場を印加する磁場印加手段を有する発振器であって、前記発振部と前記導体とは、前記導体を流れる電流により発生する第2の磁場が前記発振部に印加され、前記第1の磁場が前記閾値磁場よりも小さく、前記第1の磁場と前記第2の磁場との合成磁場が前記閾値磁場よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする。これにより、発振器の小型化が可能となる。   To achieve the above object, in the oscillator according to the first aspect of the present invention, an oscillation unit having a threshold magnetic field for starting oscillation larger than zero, a conductor connected in series to the oscillation unit, and the oscillation An oscillator having a magnetic field applying means for applying a first magnetic field to the part, wherein the oscillating part and the conductor have a second magnetic field generated by a current flowing through the conductor applied to the oscillating part, The first magnetic field is smaller than the threshold magnetic field, and the combined magnetic field of the first magnetic field and the second magnetic field is larger than the threshold magnetic field. This makes it possible to reduce the size of the oscillator.

さらに本発明の第2の態様に係る発振器では、前記閾値磁場が地磁気よりも大きいことを特徴とする。   Furthermore, in the oscillator according to the second aspect of the present invention, the threshold magnetic field is larger than the geomagnetism.

さらに本発明の第3の態様に係る発振器では、第1の態様または第2の態様において、前記発振部が磁気抵抗効果素子であることを特徴とすることが好ましい。   Furthermore, in the oscillator according to the third aspect of the present invention, in the first aspect or the second aspect, it is preferable that the oscillation unit is a magnetoresistive effect element.

本発明の第4の態様に係る送信装置では、第1の態様から第3の態様までのいずれか1態様に記載の発振器と、前記発振器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、前記導体と前記電気回路を電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする。   A transmission device according to a fourth aspect of the present invention includes the oscillator according to any one of the first aspect to the third aspect, and an electric circuit that is galvanically insulated from the oscillator, Electromagnetic coupling means for electromagnetically coupling the conductor and the electric circuit is provided.

また本発明の第5の態様に係る整流器では、整流作用を発現するための閾値磁場がゼロよりも大きい整流部と、前記整流部に直列に接続された導体と、前記整流部に第1の磁場を印加する磁場印加手段を有する整流器であって、前記整流部と前記導体とは、前記導体を流れる電流により発生する第2の磁場が前記整流部に印加され、前記第1の磁場が前記閾値磁場よりも小さく、前記第1の磁場と前記第2の磁場との合成磁場が前記閾値磁場よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする。   Moreover, in the rectifier according to the fifth aspect of the present invention, a rectifying unit having a threshold magnetic field larger than zero for generating a rectifying action, a conductor connected in series to the rectifying unit, and a first rectifier unit A rectifier having a magnetic field applying means for applying a magnetic field, wherein the rectifying unit and the conductor are applied with a second magnetic field generated by a current flowing through the conductor, and the first magnetic field is applied to the rectifying unit. It is smaller than a threshold magnetic field, and it is arrange | positioned so that the synthetic | combination magnetic field of a said 1st magnetic field and a said 2nd magnetic field may become larger than the said threshold magnetic field.

さらに本発明の第6の態様に係る整流器では、前記閾値磁場が地磁気よりも大きいことを特徴とする。   Furthermore, in the rectifier according to the sixth aspect of the present invention, the threshold magnetic field is larger than the geomagnetism.

さらに本発明の第7の態様に係る整流器では、第5の態様または第6の態様において、前記整流部が磁気抵抗効果素子であることを特徴とすることが好ましい。   Furthermore, in the rectifier according to the seventh aspect of the present invention, in the fifth aspect or the sixth aspect, it is preferable that the rectifier is a magnetoresistive element.

本発明の第8の態様に係る整流装置では、第5の態様から第7の態様までのいずれか1態様の整流器と、前記整流器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、前記導体と前記電気回路とを電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする。   A rectifier according to an eighth aspect of the present invention includes the rectifier according to any one of the fifth to seventh aspects, and an electric circuit that is galvanically insulated from the rectifier, and the conductor Electromagnetic coupling means for electromagnetically coupling the electric circuit is provided.

本発明の第9の態様に係る受信器では、第5の態様から第7の態様までのいずれか1態様の整流器を信号の受信のために備えたことを特徴とする。   A receiver according to a ninth aspect of the present invention is characterized in that the rectifier according to any one of the fifth aspect to the seventh aspect is provided for signal reception.

本発明の第10の態様に係る受信装置では、第9の態様の受信器と、前記受信器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、前記導体と前記電気回路とを電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする。   A receiving device according to a tenth aspect of the present invention includes the receiver according to the ninth aspect and an electric circuit that is galvanically insulated from the receiver, and the conductor and the electric circuit are electromagnetically coupled. An electromagnetic coupling means is provided.

本発明の第11の態様に係る送受信装置では、第1の態様から第3の態様までのいずれか1態様の発振器と、第9の態様の受信器とを有し、前記発振器の前記導体と前記受信器の前記導体が電磁気的に結合することで、無線通信または無線電力伝送を行うことを特徴とする。   The transceiver apparatus according to the eleventh aspect of the present invention includes the oscillator according to any one of the first aspect to the third aspect, and the receiver according to the ninth aspect, and the conductor of the oscillator The conductor of the receiver is electromagnetically coupled to perform wireless communication or wireless power transmission.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、小型化が可能な発振器、送信装置、整流器、整流装置、受信器、受信装置および送受信装置を提供することができる。   The present invention has been made in view of the above problems, and can provide an oscillator, a transmission device, a rectifier, a rectification device, a receiver, a reception device, and a transmission / reception device that can be miniaturized.

本発明の実施形態1に係る発振器の模式図である。1 is a schematic diagram of an oscillator according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the magnetoresistive effect element which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態1に係る発振器の周辺回路を示す図である。It is a figure which shows the peripheral circuit of the oscillator which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係る発振器の模式図である。It is a schematic diagram of the oscillator according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施形態3に係る発振器の模式図である。It is a schematic diagram of the oscillator concerning Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施形態4に係る発振器の模式図である。It is a schematic diagram of the oscillator which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態5に係る発振器の模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram of an oscillator related to embodiment 5 of this invention. 本発明の実施形態5に係る整流器の周辺回路を示す図である。It is a figure which shows the peripheral circuit of the rectifier which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施形態8に係る送信装置の回路図である。It is a circuit diagram of the transmitter which concerns on Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施形態11おける送受信装置を示す図である。It is a figure which shows the transmission / reception apparatus in Embodiment 11 of this invention.

以下、図面を用いて本発明を実施するための形態の例を説明する。なお、以下の説明は本発明の実施形態の一部を例示するものであり、本発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、形態が本発明の技術的思想を有するものである限り、本発明の範囲に含まれる。各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせなどは一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。   Hereinafter, an example of an embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. The following description exemplifies a part of the embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments, so long as the form has the technical idea of the present invention. It is included in the scope of the present invention. Each configuration in each embodiment, a combination thereof, and the like are examples, and the addition, omission, replacement, and other changes of the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.

(実施形態1)
図1は実施形態1に係る発振器100を示す図である。実施形態1に係る発振器100は発振部101と、発振部101に直列に接続された導体103と、2つの磁石102とを備える。導体103は、直流電流Iを発振部101に流入させる導体103aと、流出させる導体103bとを有する。ちなみに、ここでの磁石102は2つで例示しているが、1つでも発振部101に印加される磁場とすることができればよい。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram illustrating an oscillator 100 according to the first embodiment. The oscillator 100 according to the first embodiment includes an oscillating unit 101, a conductor 103 connected in series to the oscillating unit 101, and two magnets 102. The conductor 103 includes a conductor 103a that causes the direct current I to flow into the oscillation unit 101 and a conductor 103b that causes the direct current I to flow out. Incidentally, although two magnets 102 are illustrated here, it is sufficient that even one magnetic field can be applied to the oscillation unit 101.

しかしながら、磁石102は、1つより2つ配置する方が、発振部101に印加される磁場の偏りが少なくなるので好ましい。また磁石は、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金などで構成されるハードバイアス膜を用いてもよい。   However, it is preferable to arrange two magnets 102 rather than one because the bias of the magnetic field applied to the oscillation unit 101 is reduced. The magnet may be a hard bias film formed of a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, or chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy.

磁石102は第1の磁場として、発振部101に磁場Hを印加するように配置されている。磁場Hは発振部101が発振するために必要な閾値磁場より小さい。ここで閾値磁場とは、発振部101に直流電流Iが供給されている場合に、発振部101が発振するために最低限必要な磁場の大きさである。 Magnets 102 as a first magnetic field, are arranged to apply a magnetic field H m to the oscillation portion 101. Field H m is a threshold magnetic field less than the required for the oscillation unit 101 oscillates. Here, the threshold magnetic field is the minimum magnetic field required for the oscillation unit 101 to oscillate when the direct current I is supplied to the oscillation unit 101.

閾値磁場がゼロより大きい発振部を発振部101に用いて発振させるためには、直流電流Iとともにゼロより大きい磁場を発振部101に印加する必要がある。直流電流Iのみで発振しない発振部101を用いた場合には、地磁気以上の磁場を印加する。ちなみに、ここでの地磁気とは、発振器に作用する地球磁気を示し、例えば、地表における地球磁気は、目安として37A/mである。   In order to cause the oscillation unit 101 to oscillate using the oscillation unit having a threshold magnetic field greater than zero, it is necessary to apply a magnetic field greater than zero together with the direct current I to the oscillation unit 101. When the oscillating unit 101 that does not oscillate only by the direct current I is used, a magnetic field greater than the geomagnetism is applied. Incidentally, the geomagnetism here indicates the earth magnetism acting on the oscillator, and for example, the earth magnetism on the earth's surface is 37 A / m as a guide.

発振器100に直流電流Iを供給すると、導体103を流れる直流電流Iによって、第2の磁場Hが発生する。導体103は、第1の磁場Hと第2の磁場Hとの合成磁場が前記閾値磁場より大きくなるように配置されている。発振部101は、直流電流Iと合成磁場が印加されることで発振する。 When the direct current I is supplied to the oscillator 100, the second magnetic field H is generated by the direct current I flowing through the conductor 103. The conductor 103 is disposed so that the combined magnetic field of the first magnetic field Hm and the second magnetic field H is larger than the threshold magnetic field. The oscillation unit 101 oscillates when a direct current I and a synthetic magnetic field are applied.

磁石102の位置を変化させることで印加磁場強度を調整すれば、発振部101の発振周波数を変化できる。   If the applied magnetic field intensity is adjusted by changing the position of the magnet 102, the oscillation frequency of the oscillation unit 101 can be changed.

第1の磁場を印加する磁場印加手段は磁石に限られず、例えば、外部の配線、または外部のコイルや電磁石を用いることができる。   The magnetic field applying means for applying the first magnetic field is not limited to a magnet, and for example, an external wiring, an external coil, or an electromagnet can be used.

導体103は発振部101の極近傍に配置できるので、強い磁場を発振部101に印加できる。したがって、磁石などの外部の磁場印加機構から発振部101に印加する磁場を小さくできるので、外部の磁場印加機構を小型化できる。また、従来技術において用いていた磁場印加のための外部電流を不要または小さくできるため、省エネルギー化が可能になる。   Since the conductor 103 can be disposed in the very vicinity of the oscillation unit 101, a strong magnetic field can be applied to the oscillation unit 101. Therefore, since the magnetic field applied to the oscillation unit 101 from an external magnetic field application mechanism such as a magnet can be reduced, the external magnetic field application mechanism can be reduced in size. In addition, since the external current for applying the magnetic field used in the prior art can be eliminated or reduced, energy saving can be achieved.

発振部101は、例えば磁気抵抗効果素子を用いることができる。   For the oscillation unit 101, for example, a magnetoresistive effect element can be used.

図2には磁気抵抗効果素子の構成例を示す。磁気抵抗効果素子205は磁性層であるピン層206aと、磁性層であるフリー層206bと、その間に配置されたスペーサ層207とを有する。ここでのピン層206aの磁化方向は固定されており、矢印209aはピン層206aの磁化の固定方向を示す。フリー層206bの磁化方向は、電流を印加する前の状態では、有効磁場の方向を向いており、矢印209bは有効磁場の方向を示す。有効磁場は、フリー層206b内で生じる異方性磁場、交換磁場、外部磁場、反磁場の和である。図2では、ピン層206aの磁化の方向と、フリー層206bの有効磁場の方向が、互いに反対方向を向いているが、互いの方向はこれに限らない。   FIG. 2 shows a configuration example of the magnetoresistive effect element. The magnetoresistive effect element 205 includes a pinned layer 206a that is a magnetic layer, a free layer 206b that is a magnetic layer, and a spacer layer 207 disposed therebetween. Here, the magnetization direction of the pinned layer 206a is fixed, and the arrow 209a indicates the pinned direction of the magnetization of the pinned layer 206a. The magnetization direction of the free layer 206b is in the direction of the effective magnetic field before the current is applied, and the arrow 209b indicates the direction of the effective magnetic field. The effective magnetic field is the sum of an anisotropic magnetic field, an exchange magnetic field, an external magnetic field, and a demagnetizing field generated in the free layer 206b. In FIG. 2, the magnetization direction of the pinned layer 206a and the effective magnetic field direction of the free layer 206b are opposite to each other, but the directions are not limited to this.

磁気抵抗効果素子205は特に限定されないが、例えばGMR素子、またはTMR素子、またはスペーサ層207の絶縁層中に電流狭窄パスが存在する磁気抵抗効果素子などを用いることができる。   The magnetoresistive effect element 205 is not particularly limited. For example, a GMR element, a TMR element, or a magnetoresistive effect element in which a current confinement path exists in the insulating layer of the spacer layer 207 can be used.

磁気抵抗効果素子205にGMR素子を用いる場合、スペーサ層207は、例えば、銅など非磁性金属を用いることができる。GMR素子のフリー層206bおよびピン層206aの材料は、例えば、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金を用いることができる。ピン層206aの磁化を固定するには、イリジウム、鉄、白金、マンガンなどの合金による反強磁性層との交換結合や、磁性金属多層膜(例えばコバルト鉄−ルテニウム−コバルト鉄の多層膜)による反強磁性結合を用いることができる。そして各層の厚さは0.1〜50nm程度が好ましい。GMR素子は、スペーサ層207が金属からなるため、他の磁気抵抗効果素子に比較して抵抗値が低い。このため、磁気抵抗効果素子205を低インピーダンスの回路に接続する際に、インピーダンス整合の観点で好ましい。   When a GMR element is used for the magnetoresistive effect element 205, the spacer layer 207 can be made of a nonmagnetic metal such as copper, for example. As a material of the free layer 206b and the pinned layer 206a of the GMR element, for example, a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, and chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy can be used. In order to fix the magnetization of the pinned layer 206a, exchange coupling with an antiferromagnetic layer made of an alloy such as iridium, iron, platinum, manganese, or a magnetic metal multilayer film (for example, a multilayer film of cobalt iron-ruthenium-cobalt iron) is used. Antiferromagnetic coupling can be used. The thickness of each layer is preferably about 0.1 to 50 nm. Since the spacer layer 207 is made of metal, the GMR element has a resistance value lower than that of other magnetoresistive elements. For this reason, when connecting the magnetoresistive effect element 205 to a low impedance circuit, it is preferable from the viewpoint of impedance matching.

磁気抵抗効果素子205にTMR素子を用いる場合、スペーサ層207は、例えば、アルミナや酸化マグネシウム(MgO)の絶縁層を用いることができる。TMR素子のフリー層206bおよびピン層206aの材料は、例えば、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金としてボロンを混入した合金を用いることができる。ピン層206aの磁化を固定するには、イリジウム、鉄、白金、マンガンなどの合金による反強磁性層との交換結合や、磁性金属多層膜(例えばコバルト鉄−ルテニウム−コバルト鉄の多層膜)による反強磁性結合を用いることができる。そして各層の厚さは0.1〜50nm程度が好ましい。TMR素子はスペーサ層207が絶縁層からなるため、他の磁気抵抗効果素子に比較して抵抗値が高い。このため、磁気抵抗効果素子205を高インピーダンスの回路に接続する際に、インピーダンス整合の観点で好ましい。   When a TMR element is used as the magnetoresistive effect element 205, the spacer layer 207 can be an insulating layer of alumina or magnesium oxide (MgO), for example. As a material of the free layer 206b and the pinned layer 206a of the TMR element, for example, a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, and chromium and an alloy thereof, or an alloy mixed with boron as a magnetic alloy can be used. In order to fix the magnetization of the pinned layer 206a, exchange coupling with an antiferromagnetic layer made of an alloy such as iridium, iron, platinum, manganese, or a magnetic metal multilayer film (for example, a multilayer film of cobalt iron-ruthenium-cobalt iron) is used. Antiferromagnetic coupling can be used. The thickness of each layer is preferably about 0.1 to 50 nm. Since the spacer layer 207 is made of an insulating layer, the TMR element has a higher resistance value than other magnetoresistive elements. For this reason, it is preferable from the viewpoint of impedance matching when the magnetoresistive effect element 205 is connected to a high impedance circuit.

さらに磁気抵抗効果素子205に、スペーサ層207の絶縁層中に電流狭窄パスを有する磁気抵抗効果素子を用いる場合、そのスペーサ層207の絶縁層はAl等からなる。スペーサ層207の電流狭窄パスは、例えば銅などの非磁性金属や、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した磁性金属を用いることができる。この磁気抵抗効果素子205の磁化自由層および磁化固定層には、例えば、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金を用いることができる。ピン層206aの磁化を固定するには、イリジウム、鉄、白金、マンガンなどの合金による反強磁性層との交換結合や、磁性金属多層膜(例えばコバルト鉄−ルテニウム−コバルト鉄の多層膜)による反強磁性結合を用いることができる。そして、各層の厚さは0.1〜50nm程度が好ましい。この磁気抵抗効果素子205は、電流狭窄パスを有し、その電流狭窄パスによって電流密度を上げられる。このため、素子への投入電流を他の磁気抵抗効果素子に比較して小さくすることができる。この磁気抵抗効果素子205を発振部101に使用することによって、消費電力を抑えた回路とすることができる。 Further, when a magnetoresistive effect element having a current confinement path in the insulating layer of the spacer layer 207 is used as the magnetoresistive effect element 205, the insulating layer of the spacer layer 207 is made of Al 2 O 3 or the like. For the current confinement path of the spacer layer 207, for example, a nonmagnetic metal such as copper, a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, or chromium and an alloy thereof, or a magnetic metal obtained by mixing boron into the magnetic alloy can be used. For the magnetization free layer and the magnetization fixed layer of the magnetoresistive effect element 205, for example, a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, and chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy can be used. In order to fix the magnetization of the pinned layer 206a, exchange coupling with an antiferromagnetic layer made of an alloy such as iridium, iron, platinum, manganese, or a magnetic metal multilayer film (for example, a multilayer film of cobalt iron-ruthenium-cobalt iron) is used. Antiferromagnetic coupling can be used. The thickness of each layer is preferably about 0.1 to 50 nm. The magnetoresistive effect element 205 has a current confinement path, and the current density can be increased by the current confinement path. For this reason, the input current to the element can be reduced as compared with other magnetoresistive elements. By using the magnetoresistive effect element 205 for the oscillation unit 101, a circuit with reduced power consumption can be obtained.

本実施形態に係る磁気抵抗効果素子205の自励発振について説明する。ここで自励発振とは、振動的でない直流電流により電気的振動が誘起される現象である。磁気抵抗効果素子205に直流電流Iを流すと、伝導電子208が直流電流Iとその逆方向、すなわちピン層206aからスペーサ層207を介してフリー層206bに流れる。矢印209aの方向に磁化したピン層206aにおいて、伝導電子208のスピンは矢印209aの方向に偏極する。矢印209cは伝導電子208のスピンの方向を表す。スピン偏極した電子208はスペーサ層207を介してフリー層206bに流れこむことで、フリー層206bの磁化と角運動量の受け渡しを行う。これによって、フリー層206bの磁化の方向を、有効磁場の方向を示す矢印209bの方向から傾かせようとする作用が働く。一方で、フリー層206bの磁化の方向を、有効磁場の方向を示す矢印209bの方向に安定させようとするダンピングの作用がはたらく。したがって、これら2つの作用がつりあって、フリー層の磁化方向は有効磁場の方向の周りを歳差運動する。この歳差運動を、フリー層の磁化方向を示す矢印209dの、有効磁場の方向を示す矢印209bのまわりの運動として表わし、一点鎖線209eによって矢印209dの歳差運動の軌跡を示す。フリー層の磁化方向がピン層の磁化方向に対して高周波で変化するため、フリー層の磁化方向とピン層の磁化方向の相対角度に依存して抵抗が変化する磁気抵抗効果によって、抵抗値も高周波で変化する。直流電流Iに対して抵抗値が高周波で変化するので、およそ100MHzから1THzの高周波数で振動する電圧が発生する。有効磁場の方向は、ピン層206aの磁化方向に対して反対方向である180度の角度を有するだけでなく、同じ方向である0度や、45度、90度、または135度のような角度を有することができる。   The self-excited oscillation of the magnetoresistive effect element 205 according to this embodiment will be described. Here, self-excited oscillation is a phenomenon in which electrical vibration is induced by a non-vibrating direct current. When a direct current I is passed through the magnetoresistive effect element 205, conduction electrons 208 flow in the opposite direction of the direct current I, that is, from the pinned layer 206a to the free layer 206b via the spacer layer 207. In the pinned layer 206a magnetized in the direction of the arrow 209a, the spin of the conduction electron 208 is polarized in the direction of the arrow 209a. An arrow 209 c represents the spin direction of the conduction electron 208. The spin-polarized electrons 208 flow into the free layer 206b through the spacer layer 207, thereby transferring magnetization and angular momentum of the free layer 206b. As a result, the action of tilting the magnetization direction of the free layer 206b from the direction of the arrow 209b indicating the direction of the effective magnetic field works. On the other hand, a damping action is performed to stabilize the magnetization direction of the free layer 206b in the direction of the arrow 209b indicating the direction of the effective magnetic field. Therefore, these two effects are balanced, and the magnetization direction of the free layer precesses around the direction of the effective magnetic field. This precession is expressed as a movement of an arrow 209d indicating the magnetization direction of the free layer around an arrow 209b indicating the direction of the effective magnetic field, and a locus of the precession indicated by the arrow 209d is indicated by a one-dot chain line 209e. Since the magnetization direction of the free layer changes at a high frequency with respect to the magnetization direction of the pinned layer, the resistance value also varies due to the magnetoresistive effect in which the resistance changes depending on the relative angle between the magnetization direction of the free layer and the magnetization direction of the pinned layer Changes at high frequencies. Since the resistance value changes at a high frequency with respect to the direct current I, a voltage that oscillates at a high frequency of about 100 MHz to 1 THz is generated. The direction of the effective magnetic field not only has an angle of 180 degrees opposite to the magnetization direction of the pinned layer 206a, but also an angle such as 0 degrees, 45 degrees, 90 degrees, or 135 degrees that is the same direction. Can have.

印加磁場と発振周波数は、おおよそ比例関係にある。したがって、高周波の発振を生じさせるためには、外部磁場は大きい方が望ましい。   The applied magnetic field and the oscillation frequency are approximately proportional. Therefore, it is desirable that the external magnetic field is large in order to generate high-frequency oscillation.

図3は実施形態1に係る発振器100を使用するための周辺回路の一例を示す図である。周辺回路300は、直流電流源302と、負荷304と、インダクタLaと、キャパシタCaとからなる。インダクタLaは発振器100が発振した高周波出力の直流電流源302への流入を防ぎ、キャパシタCaは直流電流の負荷304への流入を防ぐことができる。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a peripheral circuit for using the oscillator 100 according to the first embodiment. The peripheral circuit 300 includes a direct current source 302, a load 304, an inductor La, and a capacitor Ca. The inductor La can prevent the high frequency output generated by the oscillator 100 from flowing into the direct current source 302, and the capacitor Ca can prevent the direct current from flowing into the load 304.

直流電流源302から直流電流を発振器100に供給すると、発振器100は高周波を出力する。高周波の信号はインダクタLaに比較してインピーダンスが小さいキャパシタCaを主に通過し、負荷304で検出される。   When a direct current is supplied from the direct current source 302 to the oscillator 100, the oscillator 100 outputs a high frequency. The high-frequency signal mainly passes through the capacitor Ca having a smaller impedance than the inductor La, and is detected by the load 304.

以後の実施形態の説明においては、周辺回路300は省略する。 In the following description of the embodiments, the peripheral circuit 300 is omitted.

(実施形態2)
以上では、発振部に供給する電流が発生する磁場を、発振部に印加する形態を説明した。実施形態2では、磁場を増加させる他の手段として、電流を増加させる手段を用いる。しかし、ここでの電流は発振部の耐電流を越えることができないため、実施形態2では、発振部に供給する電流を増加せずに、発振部に印加する磁場を大きくする。
(Embodiment 2)
In the above, the form which applies the magnetic field which the electric current supplied to an oscillation part generate | occur | produces to the oscillation part was demonstrated. In the second embodiment, a means for increasing the current is used as another means for increasing the magnetic field. However, since the current here cannot exceed the withstand current of the oscillation unit, in Embodiment 2, the magnetic field applied to the oscillation unit is increased without increasing the current supplied to the oscillation unit.

図4は実施形態2に係る模式図である。実施形態2に係る発振器400は、発振部101と、発振部101に直列に接続された導体103aと導体103bと、2つの磁石102と、電流増幅手段である電流増幅部401とを有する。電流増幅部401は入力端と出力端とを有し、入力端から入力された電流を増幅して出力端に出力する。発振部101は電流増幅部401の入力端に直列に接続され、導体103bは電流増幅部401の出力端に直列に接続されている。   FIG. 4 is a schematic diagram according to the second embodiment. An oscillator 400 according to the second embodiment includes an oscillating unit 101, conductors 103a and 103b connected in series to the oscillating unit 101, two magnets 102, and a current amplifying unit 401 that is a current amplifying unit. The current amplifying unit 401 has an input end and an output end, amplifies the current input from the input end, and outputs the amplified current to the output end. The oscillation unit 101 is connected in series to the input end of the current amplification unit 401, and the conductor 103 b is connected in series to the output end of the current amplification unit 401.

ここで2つの磁石102を例示しているが、磁石102は1つでも良い。ただし、2つの磁石を配置する方が、発振部101に印加される磁場の偏りが少なくなるので好ましい。また磁石には、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金などで構成されるハードバイアス膜を用いてもよい。   Although two magnets 102 are illustrated here, the number of the magnets 102 may be one. However, it is preferable to arrange two magnets because the bias of the magnetic field applied to the oscillation unit 101 is reduced. The magnet may be a hard bias film made of a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, or chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy.

磁石102は第1の磁場として、発振部101に磁場Hを印加するように配置されている。磁場Hは発振部101が発振するために必要な閾値磁場より小さい。 Magnets 102 as a first magnetic field, are arranged to apply a magnetic field H m to the oscillation portion 101. Field H m is a threshold magnetic field less than the required for the oscillation unit 101 oscillates.

発振部101に直流電流Iを流すと、電流増幅部401は増幅電流Iを発生させる。導体103bは増幅電流Iが流れることによって発振部101の位置に第2の磁場Hを発生させる。導体103bは、第1の磁場Hと第2の磁場Hとの合成磁場が前記閾値磁場より大きくなるように配置されている。 When a DC current I to the oscillation unit 101, current amplifier 401 generates an amplified current I A. Conductor 103b generates a second magnetic field H in the position of the oscillator 101 by amplifying the current I A flows. The conductor 103b is arranged so that the combined magnetic field of the first magnetic field Hm and the second magnetic field H is larger than the threshold magnetic field.

磁石102の位置を変えることで、印加磁場強度を調整することができ、発振部101の発振周波数を変えることができる。   By changing the position of the magnet 102, the applied magnetic field intensity can be adjusted, and the oscillation frequency of the oscillation unit 101 can be changed.

第1の磁場を印加する磁場印加手段は磁石に限られず、例えば、外部の配線、または外部のコイルや電磁石を用いることができる。   The magnetic field applying means for applying the first magnetic field is not limited to a magnet, and for example, an external wiring, an external coil, or an electromagnet can be used.

電流増幅部401には、トランジスタ、市販のチップ形状のアンプ、または増幅回路などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。   A transistor, a commercially available chip-shaped amplifier, an amplifier circuit, or the like can be used for the current amplifier 401, but is not limited thereto.

導体103は発振部101の極近傍に配置できるので、強い磁場を発振部101に印加できる。したがって、磁石などの外部の磁場印加機構からの磁場を大きくする必要がなくなるため、前記磁場印加機構を小型化できる。つまり、この構成により発振器全体の小型化が可能になる。   Since the conductor 103 can be disposed in the very vicinity of the oscillation unit 101, a strong magnetic field can be applied to the oscillation unit 101. Accordingly, it is not necessary to increase the magnetic field from an external magnetic field application mechanism such as a magnet, and the magnetic field application mechanism can be downsized. In other words, this configuration enables the size of the entire oscillator to be reduced.

実施形態2は、より強い磁場が発振部101に印加できるので、より高周波数での発振を得ることができる。発振器400は、導体103bを流れる電流の大きさが発振部101を流れる電流よりも大きくなるように構成されている。したがって、発振部101には大電流が流れないため、発振部101を過電流から保護することが可能である。   In the second embodiment, since a stronger magnetic field can be applied to the oscillation unit 101, oscillation at a higher frequency can be obtained. The oscillator 400 is configured such that the current flowing through the conductor 103b is larger than the current flowing through the oscillation unit 101. Therefore, since a large current does not flow through the oscillation unit 101, the oscillation unit 101 can be protected from an overcurrent.

前記電流増幅手段の配置は、実施形態2で示したような、発振部101と前記電流増幅手段が直列である配置に限らない。導体103bを流れる電流の大きさが、発振部101を流れる電流よりも大きくなる構成ならばよい。たとえば、発振部101と前記電流増幅手段が並列となる配置を用いることができる。   The arrangement of the current amplification means is not limited to the arrangement in which the oscillation unit 101 and the current amplification means are in series as shown in the second embodiment. Any structure may be used as long as the current flowing through the conductor 103b is larger than the current flowing through the oscillation unit 101. For example, an arrangement in which the oscillation unit 101 and the current amplifying means are in parallel can be used.

(実施形態3)
発振部101に磁場を印加する導体をループ部とすることで、磁場をより効率的に印加できる実施形態3を説明する。
(Embodiment 3)
A third embodiment in which a magnetic field can be applied more efficiently by using a loop for a conductor that applies a magnetic field to the oscillation unit 101 will be described.

図5は実施形態3に係る模式図である。実施形態3に係る発振器500は、発振部101と、発振部101に直列に接続された導体103aと導体103bと、磁石102とを有する。導体103aは磁場印加部であるループ部501を有する   FIG. 5 is a schematic diagram according to the third embodiment. An oscillator 500 according to the third embodiment includes an oscillating unit 101, conductors 103 a and 103 b connected in series to the oscillating unit 101, and a magnet 102. The conductor 103a has a loop portion 501 that is a magnetic field application portion.

磁石102は、1つより2つ配置する方が、発振部101に印加される磁場の偏りが少なくなるので好ましい。また磁石は、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金などで構成されるハードバイアス膜を用いてもよい。   It is preferable to arrange two magnets 102 rather than one because the bias of the magnetic field applied to the oscillation unit 101 is reduced. The magnet may be a hard bias film formed of a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, or chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy.

磁石102は第1の磁場として、発振部101に磁場Hを印加するように配置されている。この磁場Hは発振部101が発振するために必要な閾値磁場より小さい。 Magnets 102 as a first magnetic field, are arranged to apply a magnetic field H m to the oscillation portion 101. This magnetic field H m is smaller than a threshold magnetic field required for the oscillation unit 101 to oscillate.

発振部101に直流電流Iを流すと、ループ部501は発振部101の位置に第2の磁場Hを発生させる。ループ部501は、第1の磁場Hと第2の磁場Hとの合成磁場が前記閾値磁場より大きくなるように配置されている。 When the direct current I is passed through the oscillation unit 101, the loop unit 501 generates the second magnetic field H at the position of the oscillation unit 101. The loop unit 501 is arranged so that the combined magnetic field of the first magnetic field Hm and the second magnetic field H is larger than the threshold magnetic field.

たとえば、ループ部501の中心に発振部101を配置し、ループ部501はn巻きの半径rの形状とする。第1の磁場Hの方向は、おおよそ発振部101に流れる電流の方向となる。第1の磁場H[A/m]の大きさは、ビオ・サバールの法則により下の数式(1)によって求めることができる。
H=nI/2r・・・(1)
ここでI[A]はループ部501を流れる直流電流、r[m]はループ部501の半径、nはループ部501の巻き数(ターン数)である。図5のループ部501は4ターンであるが、ループ部501のターン数は4ターンに限ったものではない。第1の磁場Hは、ループ部501の巻き数nや、直流電流I、または、ループ部501の半径rにより調整することができる。また、発振部101を貫通する第1の磁場Hの印加方向は、ループ部501の巻き方を逆巻きにすることで、逆の方向に調整することができる。
For example, the oscillation unit 101 is arranged at the center of the loop unit 501, and the loop unit 501 has a shape with an n-turn radius r. The direction of the first magnetic field H is approximately the direction of the current flowing through the oscillation unit 101. The magnitude of the first magnetic field H [A / m] can be obtained by the following equation (1) according to Bio-Savart's law.
H = nI / 2r (1)
Here, I [A] is a direct current flowing through the loop portion 501, r [m] is the radius of the loop portion 501, and n is the number of turns (number of turns) of the loop portion 501. Although the loop portion 501 in FIG. 5 has four turns, the number of turns of the loop portion 501 is not limited to four turns. The first magnetic field H can be adjusted by the number of turns n of the loop portion 501, the direct current I, or the radius r of the loop portion 501. Further, the application direction of the first magnetic field H penetrating the oscillation unit 101 can be adjusted in the reverse direction by reversely winding the loop unit 501.

ループ部501は発振部101の極近傍に配置できるので、数式(1)が示すように半径rを小さくすることによって、より強い磁場を発振部101に印加することができる。したがって、磁石などの外部の磁場印加機構からの磁場を大きくする必要がなくなるため、磁場印加機構を小型化できる。また、従来技術において用いていた磁場印加のための外部電流を不要または小さくできるため、省エネルギー化が可能になる。   Since the loop unit 501 can be disposed in the very vicinity of the oscillation unit 101, a stronger magnetic field can be applied to the oscillation unit 101 by reducing the radius r as shown in the equation (1). Therefore, it is not necessary to increase the magnetic field from an external magnetic field application mechanism such as a magnet, and the magnetic field application mechanism can be downsized. In addition, since the external current for applying the magnetic field used in the prior art can be eliminated or reduced, energy saving can be achieved.

さらに、実施形態3におけるループ部501は、発振部101が発振した電力を電磁場として放出するアンテナとしても使用することができる。したがって、発振器から電磁場を外部へ放出させる場合、あらたにアンテナを設ける必要がなくなり、発振器全体の小型化が可能になる。ここでアンテナとは、波長より十分大きい距離へ電磁波を伝送させるためのアンテナだけでなく、波長と同程度、または波長より小さい距離へ電磁場を伝送させるアンテナや共振器等を意味する。   Furthermore, the loop unit 501 in the third embodiment can also be used as an antenna that emits the electric power oscillated by the oscillation unit 101 as an electromagnetic field. Therefore, when the electromagnetic field is emitted from the oscillator to the outside, it is not necessary to newly provide an antenna, and the entire oscillator can be reduced in size. Here, the antenna means not only an antenna for transmitting an electromagnetic wave to a distance sufficiently larger than a wavelength, but also an antenna, a resonator, or the like that transmits an electromagnetic field to a distance that is the same as or shorter than the wavelength.

実施形態3では、ループ部が発生する磁場を効果的に発振部101に印加するために、発振部101の上側(直流電流Iの入力の導体103a側)にループ部501を配置したが、発振に必要な磁場が発振部101に印加されるならば他の配置でも良い。たとえば、導体103bにループ部を配置する構成を用いることができる。また、ループ部は同一平面上に形成したスパイラル状や、3次元に形成したソレノイド状を用いることもできる。   In the third embodiment, in order to effectively apply the magnetic field generated by the loop unit to the oscillation unit 101, the loop unit 501 is disposed on the upper side of the oscillation unit 101 (on the side of the conductor 103a of the DC current I input). Other arrangements may be used as long as the magnetic field necessary for the oscillation is applied to the oscillation unit 101. For example, the structure which arrange | positions a loop part to the conductor 103b can be used. Moreover, the loop part can also use the spiral form formed on the same plane, and the solenoid form formed in three dimensions.

発振器500の発振周波数は、磁石102の位置を変化させることで発振部101への印加磁場強度を調整することにより、変化させることができる。   The oscillation frequency of the oscillator 500 can be changed by adjusting the magnetic field strength applied to the oscillation unit 101 by changing the position of the magnet 102.

第1の磁場を印加する磁場印加手段は磁石に限られず、例えば、外部の配線、または外部のコイルや電磁石を用いることができる。   The magnetic field applying means for applying the first magnetic field is not limited to a magnet, and for example, an external wiring, an external coil, or an electromagnet can be used.

図5において、発振部101が図2に示す磁気抵抗効果素子205である場合の第2の磁場Hの方向は、磁気抵抗効果素子205を構成する膜面に対して略面直方向である。一方で、磁気抵抗効果素子205は、膜面に対して略面内方向に磁場が印加されることで発振が生じる場合もある。その場合は、たとえば、磁気抵抗効果素子205の面内方向に第2の磁場Hが印加されるように、ループ部501の軸心を磁気抵抗効果素子205の膜面に対して平行になるように配置する。磁気抵抗効果素子205に印加する第2の磁場Hの方向は、膜面に対して面直方向や面内方向に限られず、ループ部と磁気抵抗効果素子205のなす角度を調整することにより、磁気抵抗効果素子205に印加する磁場の角度を任意に設定できる。   In FIG. 5, the direction of the second magnetic field H when the oscillating unit 101 is the magnetoresistive effect element 205 shown in FIG. 2 is substantially perpendicular to the film surface constituting the magnetoresistive effect element 205. On the other hand, the magnetoresistive element 205 may oscillate when a magnetic field is applied in a substantially in-plane direction with respect to the film surface. In that case, for example, the axis of the loop portion 501 is made parallel to the film surface of the magnetoresistive effect element 205 so that the second magnetic field H is applied in the in-plane direction of the magnetoresistive effect element 205. To place. The direction of the second magnetic field H applied to the magnetoresistive effect element 205 is not limited to the perpendicular direction or the in-plane direction with respect to the film surface, and by adjusting the angle formed by the loop portion and the magnetoresistive effect element 205, The angle of the magnetic field applied to the magnetoresistive effect element 205 can be arbitrarily set.

(実施形態4)
実施形態4では、実施形態2や実施形態3で説明した構成を用いる以上に、より強い磁場を発振部101に印加する。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment, a stronger magnetic field is applied to the oscillation unit 101 than the configuration described in the second and third embodiments is used.

図6は実施形態4に係る模式図である。実施形態4に係る発振器600は、発振部101と、発振部101に直列に接続された導体103aと導体103bと、2つの磁石102と、電流増幅部401を有する。導体103bはループ部を有し、ループ部はインダクタ601で表現される。発振部101は電流増幅部401の入力端に直列に接続され、ループ部は電流増幅部401の出力端に直列に接続されている。   FIG. 6 is a schematic diagram according to the fourth embodiment. An oscillator 600 according to the fourth embodiment includes an oscillating unit 101, conductors 103 a and 103 b connected in series to the oscillating unit 101, two magnets 102, and a current amplifying unit 401. The conductor 103b has a loop portion, and the loop portion is expressed by an inductor 601. The oscillation unit 101 is connected in series to the input end of the current amplification unit 401, and the loop unit is connected in series to the output end of the current amplification unit 401.

ここでは2つの磁石102を用いる例を示しているが、磁石102の数は発振部101に磁場を印加できれば特に限定されない。ただし、例えば2つの磁石を配置する方が、発振部101に印加される磁場の偏りが少なくなるので好ましい。また磁石は、コバルト、鉄、ニッケル、クロムなどの磁性金属とその合金、又は、磁性合金にボロンを混入した合金などで構成されるハードバイアス膜を用いてもよい。   Here, an example in which two magnets 102 are used is shown, but the number of magnets 102 is not particularly limited as long as a magnetic field can be applied to the oscillation unit 101. However, for example, it is preferable to arrange two magnets because the bias of the magnetic field applied to the oscillation unit 101 is reduced. The magnet may be a hard bias film formed of a magnetic metal such as cobalt, iron, nickel, or chromium and an alloy thereof, or an alloy in which boron is mixed into the magnetic alloy.

磁石102は、発振部101が発振するために必要な閾値磁場より小さい第1の磁場Hを発振部101に印加するように、配置されている。 The magnet 102 is disposed so as to apply a first magnetic field H m smaller than a threshold magnetic field required for the oscillation unit 101 to oscillate to the oscillation unit 101.

発振部101に直流電流Iを流すと、電流増幅部401は増幅電流Iを発生させる。前記ループ部は増幅電流Iが流れることによって発振部101の位置に第2の磁場Hを発生させる。前記ループ部は、第1の磁場Hと第2の磁場Hとの合成磁場が発振部101の閾値磁場より大きくなるように配置されている。 When a DC current I to the oscillation unit 101, current amplifier 401 generates an amplified current I A. The loop unit generates a second magnetic field H at the position of the oscillation unit 101 when the amplified current I A flows. The loop unit is arranged so that a combined magnetic field of the first magnetic field Hm and the second magnetic field H is larger than a threshold magnetic field of the oscillation unit 101.

発振器600の発振周波数は、磁石102の位置を変化させることで発振部101への印加磁場強度を調整することにより、変化させることができる。   The oscillation frequency of the oscillator 600 can be changed by adjusting the strength of the magnetic field applied to the oscillation unit 101 by changing the position of the magnet 102.

第1の磁場を印加する磁場印加手段は磁石に限られず、例えば、外部の配線、または外部のコイルや電磁石を用いることができる。   The magnetic field applying means for applying the first magnetic field is not limited to a magnet, and for example, an external wiring, an external coil, or an electromagnet can be used.

電流増幅部401は、トランジスタ、市販のチップ形状のアンプ、または増幅回路などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。   The current amplifying unit 401 can use a transistor, a commercially available chip-shaped amplifier, an amplifier circuit, or the like, but is not limited thereto.

前記ループ部は発振部101の極近傍に配置できるので、強い磁場を発振部101に印加できる。したがって、磁石などの外部の磁場印加機構からの磁場を大きくする必要がなくなるため、前記磁場印加機構を小型化できる。つまり、この構成により発振器全体の小型化が可能になる。   Since the loop portion can be disposed in the very vicinity of the oscillation unit 101, a strong magnetic field can be applied to the oscillation unit 101. Accordingly, it is not necessary to increase the magnetic field from an external magnetic field application mechanism such as a magnet, and the magnetic field application mechanism can be downsized. In other words, this configuration enables the size of the entire oscillator to be reduced.

比較的強い磁場が発振部101に印加されるので、高周波数での発振に好ましい実施形態である。発振器600は、導体103bを流れる電流の大きさが発振部101を流れる電流よりも大きくなるように構成されている。したがって、発振部101には大電流が流れないため、発振部101を過電流から保護することが可能である。   Since a relatively strong magnetic field is applied to the oscillation unit 101, this is a preferred embodiment for oscillation at a high frequency. The oscillator 600 is configured such that the current flowing through the conductor 103b is larger than the current flowing through the oscillation unit 101. Therefore, since a large current does not flow through the oscillation unit 101, the oscillation unit 101 can be protected from an overcurrent.

前記電流増幅手段の配置は、実施形態4で示したように、発振部101と前記電流増幅手段が直列である配置に限らない。前記ループ部を流れる電流の大きさが、発振部101を流れる電流よりも大きくなる構成ならばよい。たとえば、発振部101と前記電流増幅手段が並列となる配置を用いることができる。   The arrangement of the current amplifying means is not limited to the arrangement in which the oscillation unit 101 and the current amplifying means are in series as shown in the fourth embodiment. Any configuration may be used as long as the current flowing through the loop section is larger than the current flowing through the oscillation section 101. For example, an arrangement in which the oscillation unit 101 and the current amplifying means are in parallel can be used.

以上に代表的な構成を示したが、本発明の実施形態はこれに限られるものではない。たとえば、発振部101をループ部の途中に配置する、または発振部101を別々のループ部の中間に配置する、または発振部101をループ部近傍の任意の位置に配置する構成を用いることができる。さらに、磁場印加部としてループ部を用いる説明をしたが、磁場印加部はループ部に限らない。たとえば磁場印加部は、ループを完全に形成するまでには至らない半周巻きの形状や、直線状などの他形状で構成してもよい。   A typical configuration has been described above, but the embodiment of the present invention is not limited to this. For example, a configuration in which the oscillating unit 101 is arranged in the middle of the loop unit, the oscillating unit 101 is arranged in the middle of a separate loop unit, or the oscillating unit 101 is arranged at an arbitrary position near the loop unit can be used. . Furthermore, although the description has been given using the loop unit as the magnetic field application unit, the magnetic field application unit is not limited to the loop unit. For example, the magnetic field application unit may be formed in a semicircular winding shape that does not lead to complete formation of the loop, or in other shapes such as a linear shape.

(実施形態5)
実施形態5では、実施形態1の発振部101を整流部に置き換え、さらに直流電流Iを交流電流IACにすることで、交流を直流に変換する整流器を示す。さらに実施形態5の整流器には、磁気抵抗効果素子205を用いる。
(Embodiment 5)
In Embodiment 5, replacing the oscillation portion 101 of the embodiment 1 to the rectifier unit, by further into AC current I AC and DC current I, shows a rectifier for converting alternating current into direct current. Further, the magnetoresistive effect element 205 is used in the rectifier of the fifth embodiment.

図7は、実施形態5の整流器の模式図を示す。実施形態5では、実施形態1の図1における直流電流Iを交流電流IACとし、発振部101を磁気抵抗効果素子205を用いた整流部と置き換える。磁石102は第1の磁場として、磁気抵抗効果素子205に磁場Hを印加するように配置されている。磁場Hは磁気抵抗効果素子205が後述するスピントルクFMR(Ferromagnetic Resonance)効果が生じるのに必要な閾値磁場より小さい。ここで閾値磁場とは、磁気抵抗効果素子205に交流電流が供給されている場合に、磁気抵抗効果素子205がスピントルクFMR効果を発現するために最低限必要な磁場の大きさである。 FIG. 7 is a schematic diagram of the rectifier of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, the direct current I in FIG. 1 of the first embodiment is replaced with an alternating current IAC , and the oscillation unit 101 is replaced with a rectification unit using the magnetoresistive effect element 205. Magnets 102 as a first magnetic field, it is arranged to the magnetoresistive element 205 so as to apply a magnetic field H m. Field H m is a threshold magnetic field less than the required to spin torque FMR (Ferromagnetic Resonance) effect which will be described later magnetoresistive element 205 occurs. Here, the threshold magnetic field is the magnitude of the minimum magnetic field required for the magnetoresistive element 205 to exhibit the spin torque FMR effect when an alternating current is supplied to the magnetoresistive element 205.

導体103を介して交流電流IACを磁気抵抗効果素子205に印加すると、導体103は交流電流IACによって第2の磁場HACを発生する。導体103は、第1の磁場Hと第2の磁場HACとの合成磁場が前記閾値磁場より大きくなるように配置されている。 Upon application of an alternating current I AC through the conductors 103 to the magnetoresistive element 205, the conductor 103 generates a second magnetic field H AC by an alternating current I AC. Conductor 103 is synthetic magnetic field of the first magnetic field H m and the second magnetic field H AC is arranged to be larger than the threshold magnetic field.

その合成磁場が閾値磁場を越えている場合、磁気抵抗効果素子205は交流を直流に変換する。すなわち実施形態5の整流器700は、交流を直流に変換する整流作用を示す整流器となる。   When the combined magnetic field exceeds the threshold magnetic field, the magnetoresistive effect element 205 converts alternating current into direct current. That is, the rectifier 700 according to the fifth embodiment is a rectifier that exhibits a rectifying action for converting alternating current into direct current.

ここでスピントルクFMR効果について説明する。図2における磁気抵抗効果素子205に、各層の面直方向に交流電流を印加する場合を考える。交流の半周期で電子208がピン層206aからフリー層206bへ注入される場合は、フリー層206bとピン層206aの磁化が平行になるようにフリー層206bの磁化方向が回転し、磁気抵抗効果素子205の抵抗値が下がる。逆にフリー層206bからピン層206aへ電子208が注入される半周期では、フリー層206bとピン層206aの磁化方向は互いに反平行になるようにフリー層の磁化方向が回転し、抵抗値が上がる。交流電流により、この抵抗変化の現象が交互に起きて、振動電圧とともに直流電圧成分が発生する。すなわち交流を直流に変換する整流作用を示す。これをスピントルクFMR効果とよぶ。スピントルクFMR効果が発生する周波数、つまり整流周波数は印加磁場によるため、所望の周波数でスピントルクFMR効果を発生させるのに十分な磁場を印加する必要がある。   Here, the spin torque FMR effect will be described. Consider the case where an alternating current is applied to the magnetoresistive effect element 205 in FIG. 2 in the direction perpendicular to the plane of each layer. When electrons 208 are injected from the pinned layer 206a into the free layer 206b in a half cycle of alternating current, the magnetization direction of the free layer 206b rotates so that the magnetizations of the free layer 206b and the pinned layer 206a are parallel to each other. The resistance value of the element 205 decreases. Conversely, in the half cycle in which electrons 208 are injected from the free layer 206b to the pinned layer 206a, the magnetization direction of the free layer rotates so that the magnetization directions of the free layer 206b and the pinned layer 206a are antiparallel to each other, and the resistance value is Go up. This resistance change phenomenon occurs alternately by the alternating current, and a direct current voltage component is generated along with the oscillating voltage. That is, it shows a rectifying action for converting alternating current into direct current. This is called the spin torque FMR effect. Since the frequency at which the spin torque FMR effect occurs, that is, the rectification frequency depends on the applied magnetic field, it is necessary to apply a sufficient magnetic field to generate the spin torque FMR effect at a desired frequency.

整流器700の整流周波数は、磁石102の位置を変化させることで磁気抵抗効果素子205への印加磁場強度を調整することにより、変化させることができる。   The rectification frequency of the rectifier 700 can be changed by adjusting the magnetic field strength applied to the magnetoresistive effect element 205 by changing the position of the magnet 102.

第1の磁場を印加する磁場印加手段は磁石に限られず、例えば、外部の配線、または外部のコイルや電磁石を用いることができる。   The magnetic field applying means for applying the first magnetic field is not limited to a magnet, and for example, an external wiring, an external coil, or an electromagnet can be used.

導体103は整流部である磁気抵抗効果素子205の極近傍に配置できるので、強い磁場を整流部に印加できる。したがって、磁石などの外部の磁場印加機構からの磁場を大きくする必要がなくなるため、前記磁場印加機構を小型化できる。つまり、この構成により整流器全体の小型化が可能になる。   Since the conductor 103 can be disposed in the very vicinity of the magnetoresistive effect element 205 which is a rectifying unit, a strong magnetic field can be applied to the rectifying unit. Accordingly, it is not necessary to increase the magnetic field from an external magnetic field application mechanism such as a magnet, and the magnetic field application mechanism can be downsized. In other words, this configuration enables the size of the entire rectifier to be reduced.

図8は実施形態5に係る整流器700を使用するための周辺回路の一例を示す図である。周辺回路800は、交流電流源802と、負荷804と、インダクタLaと、キャパシタCaとからなる。インダクタLaは交流電流の負荷804への流入を防ぎ、キャパシタCaはスピントルクFMR効果により発生した直流の交流電流源802への流入を防ぐことができる。   FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a peripheral circuit for using the rectifier 700 according to the fifth embodiment. The peripheral circuit 800 includes an alternating current source 802, a load 804, an inductor La, and a capacitor Ca. The inductor La can prevent the alternating current from flowing into the load 804, and the capacitor Ca can prevent the direct current flowing into the alternating current source 802 generated by the spin torque FMR effect.

交流電流源802からの交流電流IACは、インピーダンスが小さい容量Caを通過するが、インピーダンスが大きいインダクタLaはほとんど通過しない。そのため、交流電流IACは効率良く整流器700に供給される。整流器700は交流を直流に変換し、直流出力は負荷804で検出される。 The alternating current I AC from the alternating current source 802 passes through the capacitor Ca having a small impedance, but hardly passes through the inductor La having a large impedance. Therefore, the alternating current I AC is efficiently supplied to the rectifier 700. The rectifier 700 converts alternating current into direct current, and the direct current output is detected by the load 804.

以後の実施形態の説明において、周辺回路800は省略する。   In the following description of the embodiment, the peripheral circuit 800 is omitted.

(実施形態6)
実施形態6では、実施形態2から4において、発振部101を磁気抵抗効果素子205を用いた整流部と置き換え、さらに直流電流Iを交流電流IACにすることで、交流電流IACにより発生する磁場HACを磁気抵抗効果素子205に効率良く印加する。実施形態6は、磁気抵抗効果素子205に交流電流IACと、第1の磁場Hと第2の磁場HACとの合成磁場が印加されることで、スピントルクFMR効果により磁気抵抗効果素子205が交流を直流に整流するため、整流器になる。
(Embodiment 6)
In Embodiment 6, in 4 from embodiment 2, replacing the rectifying section of the oscillation portion 101 using a magneto-resistance effect element 205, by further into AC current I AC and DC current I, generated by an alternating current I AC efficiently applying a magnetic field H AC to the magnetoresistive effect element 205. Embodiment 6, an AC current I AC to the magnetoresistive element 205, that the first magnetic field H m and synthetic magnetic field of the second magnetic field H AC is applied, the magneto-resistance effect element by the spin torque FMR effect Since 205 rectifies alternating current into direct current, it becomes a rectifier.

さらに、実施形態3と4において、発振部101を磁気抵抗効果素子205を用いた整流部と置き換え、さらに直流電流Iを交流電流IACにした実施形態6におけるループ部を、外部からの電磁場を受けて磁気抵抗効果素子205へ電力を供給するアンテナとしても使用することができる。したがって、整流器に外部から電磁場を供給する場合、あらたにアンテナを設ける必要がなくなり、整流器の小型化が可能になる。ここでアンテナとは、波長より十分大きい距離から到来する電磁波を受信するためのアンテナだけでなく、波長と同程度、または波長より小さい距離からの電磁場を受信するアンテナや共振器も含む。 Further, in the third and fourth embodiments, the oscillation unit 101 is replaced with a rectifying unit using the magnetoresistive effect element 205, and the loop part in the sixth embodiment in which the direct current I is changed to the alternating current IAC is changed to an external electromagnetic field. It can also be used as an antenna that receives and supplies power to the magnetoresistive effect element 205. Therefore, when an electromagnetic field is supplied to the rectifier from the outside, it is not necessary to newly provide an antenna, and the rectifier can be miniaturized. Here, the term “antenna” includes not only an antenna for receiving an electromagnetic wave coming from a distance sufficiently larger than a wavelength, but also an antenna and a resonator for receiving an electromagnetic field from a distance similar to or smaller than the wavelength.

実施形態6の整流器では磁場印加部にループ部を用いているが、磁場印加部はループ部のかわりにループを完全に形成するまでには至らない半周巻きの形状や、直線状などの他形状で構成してもよい。   In the rectifier according to the sixth embodiment, a loop portion is used as the magnetic field application unit. However, the magnetic field application unit has another shape such as a semicircular winding shape or a straight shape that does not lead to the complete formation of the loop instead of the loop portion. You may comprise.

(実施形態7)
実施形態7では、実施形態5または6において、交流電流IACを信号電流にすることで、信号電流により発生する磁場を磁気抵抗効果素子205に効率良く印加する。実施形態7は、磁気抵抗効果素子205に信号電流と、第1の磁場Hと信号電流により発生する磁場との合成磁場が印加されることでスピントルクFMR効果が生じるため、信号電流を直流に整流して受信する受信器となる。
(Embodiment 7)
In the seventh embodiment, the magnetic field generated by the signal current is efficiently applied to the magnetoresistive effect element 205 by changing the alternating current IAC to the signal current in the fifth or sixth embodiment. In the seventh embodiment, a signal current and a combined magnetic field of the first magnetic field H m and a magnetic field generated by the signal current are applied to the magnetoresistive effect element 205, so that the spin torque FMR effect is generated. It becomes the receiver which rectifies and receives.

(実施形態8)
実施形態8では、発振部の出力を無線伝送するために、発振器と直流的に絶縁した電気回路に、発振部の出力を電磁気的な結合で伝送する手段を設ける。電磁気的な結合には、電磁誘導による誘導結合、容量による結合、電磁気的な共鳴による結合、電磁波による結合などがあげられる。実施形態8では、誘導結合を用いた実施形態を説明する。
(Embodiment 8)
In the eighth embodiment, in order to wirelessly transmit the output of the oscillating unit, means for transmitting the output of the oscillating unit by electromagnetic coupling is provided in an electric circuit that is galvanically insulated from the oscillator. Electromagnetic coupling includes inductive coupling by electromagnetic induction, coupling by capacitance, coupling by electromagnetic resonance, coupling by electromagnetic waves, and the like. In the eighth embodiment, an embodiment using inductive coupling will be described.

図9は、実施形態8に係る送信装置900の回路図である。送信装置900は、第1の電気回路901と第2の電気回路902とを有する。第1の電気回路901は、実施形態3の発振器500と電気回路905とを有する。発振器500のループ部501は、第1のインダクタ903で表現する。ここでは図の簡略化のため、磁石は省略して図示していない。第2の電気回路902は、導体904と電気回路906とを有する。電気回路906は、送信装置900の外部へ信号を送信するアンテナを、図示しないが備えている。導体904はループ部を有し、それを第2のインダクタ907で表現する。発振器500と第2の電気回路902は直流的に絶縁されている。第1のインダクタ903と第2のインダクタ907とは直流的には絶縁されているが、誘導結合している。   FIG. 9 is a circuit diagram of a transmission device 900 according to the eighth embodiment. The transmission device 900 includes a first electric circuit 901 and a second electric circuit 902. The first electric circuit 901 includes the oscillator 500 and the electric circuit 905 according to the third embodiment. The loop unit 501 of the oscillator 500 is expressed by a first inductor 903. Here, for simplification of the figure, the magnet is not shown. The second electric circuit 902 includes a conductor 904 and an electric circuit 906. Although not shown, the electric circuit 906 includes an antenna that transmits a signal to the outside of the transmission device 900. The conductor 904 has a loop portion and is represented by a second inductor 907. The oscillator 500 and the second electric circuit 902 are galvanically isolated. The first inductor 903 and the second inductor 907 are galvanically isolated but are inductively coupled.

発振器500が発振すると第1のインダクタ903には時間変動する電流が流れ、誘導結合により第2のインダクタ907を介して、電気回路902に電気回路901による信号が伝送される。   When the oscillator 500 oscillates, a time-varying current flows through the first inductor 903, and a signal from the electric circuit 901 is transmitted to the electric circuit 902 through the second inductor 907 by inductive coupling.

誘導結合の部分においてインピーダンス整合を考慮すれば、誘導結合部において反射が低減されるため、信号伝送がより効率的に行われる。第1の電気回路901のインピーダンスをZ1、第2の電気回路902のインピーダンスをZ2とする。この2つの電気回路のインピーダンスを整合させるために、第1のインダクタ903と第2のインダクタ907の巻き数を調節する。本手法はトランスによるインピーダンス整合の手法として知られている。下に示す数式(2)を満たすように第1のインダクタ903の巻き数N1と、第2のインダクタ907の巻き数N2を決定すれば、第1の電気回路901と第2の電気回路902のインピーダンスが整合する。
(N1/N2)=Z1/Z2・・・(2)
If impedance matching is considered in the inductive coupling portion, reflection is reduced in the inductive coupling portion, so that signal transmission is performed more efficiently. The impedance of the first electric circuit 901 is Z1, and the impedance of the second electric circuit 902 is Z2. In order to match the impedances of the two electric circuits, the number of turns of the first inductor 903 and the second inductor 907 is adjusted. This technique is known as an impedance matching technique using a transformer. If the number of turns N1 of the first inductor 903 and the number of turns N2 of the second inductor 907 are determined so as to satisfy the following formula (2), the first electric circuit 901 and the second electric circuit 902 Impedance matches.
(N1 / N2) 2 = Z1 / Z2 (2)

発振部101に印加する磁場の大きさは、数式(1)で示したようにインダクタの巻き数により調整することができる。インピーダンス整合のために第1のインダクタ903の巻き数N1が調整されると、発振部101に印加する磁場が変更されるので、第2のインダクタ907の巻き数N2が調整されるのが望ましい。   The magnitude of the magnetic field applied to the oscillating unit 101 can be adjusted by the number of windings of the inductor, as shown in Equation (1). When the number of turns N1 of the first inductor 903 is adjusted for impedance matching, the magnetic field applied to the oscillation unit 101 is changed. Therefore, it is desirable to adjust the number of turns N2 of the second inductor 907.

第1のインダクタ903と第2のインダクタ907は、たとえばループ部の軸部分に鉄芯やその他の磁石を配置した構成や、トロイダルコアに第1のインダクタ903と第2のインダクタ907を設けた構成であっても良い。その構成は、誘導結合を強めたい場合に好ましい形態である。   The first inductor 903 and the second inductor 907 are, for example, a configuration in which an iron core or other magnet is disposed in the shaft portion of the loop portion, or a configuration in which the first inductor 903 and the second inductor 907 are provided in the toroidal core. It may be. The configuration is a preferable form when it is desired to strengthen inductive coupling.

発振器として実施形態3の発振器500を例にあげて説明したが、発振器は特に限定されず、例えば、他の実施形態における発振器を用いることができる。   Although the oscillator 500 of the third embodiment has been described as an example of the oscillator, the oscillator is not particularly limited, and for example, an oscillator in another embodiment can be used.

(実施形態9)
実施形態9では、実施形態8の発振器500において、発振部101を磁気抵抗効果素子205用いた整流部に置き換える。この構成で、導体904に交流電流IACを流すと、誘導結合した第1のインダクタ903が発生する磁場と電流が、磁気抵抗効果素子205に印加されるので、実施形態9は磁気抵抗効果素子205のスピントルクFMR効果により交流電流から直流電圧を発生させる整流装置となる。
(Embodiment 9)
In the ninth embodiment, in the oscillator 500 of the eighth embodiment, the oscillating unit 101 is replaced with a rectifying unit using the magnetoresistive effect element 205. In this configuration, when an alternating current IAC is passed through the conductor 904, the magnetic field and current generated by the inductively coupled first inductor 903 are applied to the magnetoresistive effect element 205, so that the ninth embodiment is a magnetoresistive effect element. The rectifier generates a DC voltage from an AC current by the spin torque FMR effect of 205.

整流装置の構成は、実施形態8の発振器500における発振部101を磁気抵抗効果素子205を用いた整流部に置き換える構成に限らない。例えば実施形態8において、発振器500を他の実施形態における発振器とし、さらに発振部101を整流部である磁気抵抗効果素子205におきかえても整流装置を構成することができる。その構成で、導体904に交流電流IACを流すと、電磁的な結合により発生する磁場と電流が、磁気抵抗効果素子205に印加されるので、磁気抵抗効果素子205はスピントルクFMR効果により交流電流から直流電圧を発生させる。ここで電磁気的な結合とは、電磁誘導による誘導結合、容量による結合、電磁気的な共鳴による結合、電磁波による結合などを意味するが、これに限ったものではない。 The configuration of the rectifying device is not limited to the configuration in which the oscillating unit 101 in the oscillator 500 of the eighth embodiment is replaced with a rectifying unit using the magnetoresistive effect element 205. For example, in the eighth embodiment, the rectifier can be configured by replacing the oscillator 500 with the oscillator in the other embodiments and further replacing the oscillating unit 101 with the magnetoresistive effect element 205 which is a rectifying unit. In this configuration, when an alternating current IAC is passed through the conductor 904, a magnetic field and current generated by electromagnetic coupling are applied to the magnetoresistive effect element 205, so that the magnetoresistive effect element 205 is alternating current due to the spin torque FMR effect. A DC voltage is generated from the current. Here, the electromagnetic coupling means inductive coupling by electromagnetic induction, coupling by capacitance, coupling by electromagnetic resonance, coupling by electromagnetic waves, etc., but is not limited thereto.

(実施形態10)
実施形態10では、実施形態9で説明した整流装置において、導体904に信号電流を流し、電磁的な結合により発生する磁場と電流を、磁気抵抗効果素子205に印加する。この場合、磁気抵抗効果素子205はスピントルクFMR効果により信号電流を直流に整流して受信するので、実施形態10は受信装置をとなる。ここで電磁気的な結合とは、電磁誘導による誘導結合、容量による結合、電磁気的な共鳴による結合、電磁波による結合などを意味するが、これに限ったものではない。
(Embodiment 10)
In the tenth embodiment, in the rectifier described in the ninth embodiment, a signal current is passed through the conductor 904 and a magnetic field and current generated by electromagnetic coupling are applied to the magnetoresistive effect element 205. In this case, since the magnetoresistive effect element 205 rectifies and receives the signal current to direct current by the spin torque FMR effect, the tenth embodiment becomes a receiving device. Here, the electromagnetic coupling means inductive coupling by electromagnetic induction, coupling by capacitance, coupling by electromagnetic resonance, coupling by electromagnetic waves, etc., but is not limited thereto.

(実施形態11)
発振部101に磁場を印加する導体を、通信用のアンテナとして利用する実施形態11を説明する。
(Embodiment 11)
An embodiment 11 in which a conductor that applies a magnetic field to the oscillation unit 101 is used as a communication antenna will be described.

図10は実施形態11に係る送受信装置を示す図である。送受信装置1000は発振器1001aと受信器1001bからなる。発振器1001aは、1例として実施形態3とする。発振器1001aは発振部101と、発振部101に直列に接続され、発信信号を入力する導体103aと導体103bとを有する。導体103aはループ部501を有する。ここでは図の簡略化のため、磁石は図示していない。受信器1001bはループ部501が発生した電磁場を受ける手段を有する導体1002と、導体1002が受けた電磁場を受信信号に変換する変換部1003とを有する。   FIG. 10 is a diagram illustrating a transmission / reception apparatus according to the eleventh embodiment. The transmission / reception device 1000 includes an oscillator 1001a and a receiver 1001b. The oscillator 1001a is described as Embodiment 3 as an example. The oscillator 1001a includes an oscillating unit 101 and a conductor 103a and a conductor 103b that are connected in series to the oscillating unit 101 and input a transmission signal. The conductor 103a has a loop portion 501. Here, the magnet is not shown for simplification of the figure. The receiver 1001b includes a conductor 1002 having means for receiving an electromagnetic field generated by the loop unit 501 and a conversion unit 1003 for converting the electromagnetic field received by the conductor 1002 into a received signal.

送受信装置1000の動作を説明する。ここでの説明においては、通信符号化方式にNRZ(Non−Return−to−Zero)を用いる。NRZは信号が「1」の時に電圧はゼロでなく、信号が「0」の時に電圧をゼロとする符号化方式である。但し、本発明で用いることができる符号化方式はこれに限ったものではない。   The operation of the transmission / reception device 1000 will be described. In the description here, NRZ (Non-Return-to-Zero) is used as the communication encoding method. NRZ is an encoding method in which the voltage is not zero when the signal is “1” and the voltage is zero when the signal is “0”. However, the encoding method that can be used in the present invention is not limited to this.

信号値が「1」の時は、ループ部501と発振部101とに「1」の時間間隔だけ電流が流れ、ループ部501は磁場Hを発生させる。発振部101は発振に必要な電流と磁場Hが印加されることによって、所望の周波数で発振する。ループ部501は発振した電圧が印加されることで、磁場Hと重畳して電磁場EMを発生させる。電磁場EMは受信器1001bの導体1002で受信される。受信された電磁場は変換部1003において受信信号に変換され、信号値「1」が伝達される。   When the signal value is “1”, a current flows through the loop unit 501 and the oscillation unit 101 for a time interval of “1”, and the loop unit 501 generates a magnetic field H. The oscillation unit 101 oscillates at a desired frequency when a current necessary for oscillation and a magnetic field H are applied. When the oscillated voltage is applied, the loop unit 501 generates an electromagnetic field EM superimposed on the magnetic field H. The electromagnetic field EM is received by the conductor 1002 of the receiver 1001b. The received electromagnetic field is converted into a received signal by the converter 1003, and the signal value “1” is transmitted.

信号値が「0」の時は、発振部101に電流が流れず、磁場も発生しないので、電磁場は受信器1001bに伝送されない。つまり、信号値「0」が伝達される。   When the signal value is “0”, no current flows through the oscillating unit 101 and no magnetic field is generated, so that the electromagnetic field is not transmitted to the receiver 1001b. That is, the signal value “0” is transmitted.

本実施形態では、発振部101に磁場を印加するために設けたループ部501を、無線伝送用のアンテナとしても利用する。したがって、新たに無線伝送用のアンテナを設ける必要がなくなり、送受信装置の小型化が実現できる。   In this embodiment, the loop unit 501 provided for applying a magnetic field to the oscillation unit 101 is also used as an antenna for wireless transmission. Therefore, it is not necessary to newly provide an antenna for wireless transmission, and the transmission / reception apparatus can be downsized.

また、信号値が「0」の時はループ部501に電流が流れないため、通信に不要な電磁場が発生しない。つまり本実施形態は、省電力化、低ノイズ化の効果も期待できる。   In addition, when the signal value is “0”, no current flows through the loop unit 501, and therefore an electromagnetic field unnecessary for communication is not generated. That is, this embodiment can also be expected to save power and reduce noise.

ループ部501と導体1002間の伝送は、例えば2つのループ部を対向させる電磁誘導法や、インダクタンスとキャパシタンスとで共振周波数が決まるLC共鳴による電磁共鳴法、パターン導体の線路長により共振周波数が決まる電磁共鳴法、導体間の容量による結合などを利用できる。   Transmission between the loop portion 501 and the conductor 1002 is determined by, for example, an electromagnetic induction method in which two loop portions face each other, an electromagnetic resonance method by LC resonance in which the resonance frequency is determined by inductance and capacitance, and the resonance frequency by the line length of the pattern conductor. Electromagnetic resonance, coupling by capacitance between conductors, etc. can be used.

変換部1003は磁気抵抗効果素子205であっても良い。信号値「1」の時間間隔で発振部101が発振した高周波出力が、ループ部501と導体1002を介して磁気抵抗効果素子205に入力されると、磁気抵抗効果素子205はスピントルクFMR効果により、高周波出力を直流出力に変換する。つまり、高周波出力となって伝送された信号値「1」を復調する。   The conversion unit 1003 may be a magnetoresistive element 205. When the high-frequency output generated by the oscillation unit 101 at the time interval of the signal value “1” is input to the magnetoresistive effect element 205 via the loop unit 501 and the conductor 1002, the magnetoresistive effect element 205 is caused by the spin torque FMR effect. Convert high frequency output to DC output. That is, the signal value “1” transmitted as a high frequency output is demodulated.

磁気抵抗効果素子205を、ループ部501と導体1002とで生じる磁場を印加できるように配置することで、磁気抵抗効果素子205に磁場を印加する機構を小型化することができ、送受信装置の小型化を実現できる。   By disposing the magnetoresistive effect element 205 so that a magnetic field generated by the loop portion 501 and the conductor 1002 can be applied, the mechanism for applying the magnetic field to the magnetoresistive effect element 205 can be reduced in size, and the size of the transmission / reception device can be reduced. Can be realized.

実施形態11では発振器1001aに実施形態3の発振器を使用する場合を示したが、実施形態3に限らず、他の実施形態の発振器を用いることもできる。受信器1001bは、実施形態7で説明した受信器を使用することができる。つまり、発振器と受信器を同じ構成として送受信装置を構成することが可能であるし、あるいはまた、発振器と受信器を異なる構成として送受信装置を構成することも可能である。それらの送受信装置では、磁場を印加する導体部を無線伝送に使用するアンテナとしても利用する。したがって、新たに無線伝送用のアンテナを設ける必要がなくなり、送受信装置の小型化が実現できる。ここでアンテナとは、波長より十分に大きい距離間での通信に用いるアンテナだけでなく、波長と同程度、または波長より小さい距離間の通信に用いるアンテナや共振器も含む。   In the eleventh embodiment, the case where the oscillator according to the third embodiment is used as the oscillator 1001a is described. However, the present invention is not limited to the third embodiment, and an oscillator according to another embodiment may be used. As the receiver 1001b, the receiver described in Embodiment 7 can be used. That is, it is possible to configure the transmission / reception device with the same configuration of the oscillator and the receiver, or it is also possible to configure the transmission / reception device with the configuration of the oscillator and the receiver different from each other. In these transmission / reception apparatuses, a conductor portion to which a magnetic field is applied is also used as an antenna used for wireless transmission. Therefore, it is not necessary to newly provide an antenna for wireless transmission, and the transmission / reception apparatus can be downsized. Here, the term “antenna” includes not only an antenna used for communication over a distance sufficiently larger than a wavelength but also an antenna and a resonator used for communication over a distance equivalent to or smaller than the wavelength.

また、本実施形態は無線給電に応用することが可能である。入力を常に前記信号値が「1」の状態とすれば、常に発振信号すなわちエネルギーが受信器1001bに供給されるので、無線電力供給が可能である。   Further, the present embodiment can be applied to wireless power feeding. If the signal value is always “1”, the oscillation signal, that is, energy is always supplied to the receiver 1001b, so that wireless power can be supplied.

本発明に係る発振器、送信装置、整流器、受信器、受信装置および送受信装置は、無線通信や無線電力給電などに利用可能である。   The oscillator, the transmission device, the rectifier, the receiver, the reception device, and the transmission / reception device according to the present invention can be used for wireless communication, wireless power feeding, and the like.

101・・・発振部、I・・・電流、103・・・導体、103a・・・発振部に電流を流入する導体、103b・・・発振部から電流を流出させる導体、102・・・磁石、H、H・・・磁場、205・・・磁気抵抗効果素子、401・・・電流増幅部、501・・・ループ部、HAC・・・磁場、901、902・・・電気回路、903、907・・・インダクタ、1001a・・・発振器、1001b・・・受信器、1002・・・導体、1003・・・変換部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Oscillating part, I ... Current, 103 ... Conductor, 103a ... Conductor that flows current into the oscillating part, 103b ... Conductor that allows current to flow out from the oscillating part, 102 ... Magnet , H, H m ... Magnetic field, 205... Magnetoresistive effect element, 401... Current amplification unit, 501... Loop unit, H AC .. magnetic field, 901, 902. 903, 907 ... inductor, 1001a ... oscillator, 1001b ... receiver, 1002 ... conductor, 1003 ... converter

Claims (11)

発振を開始するための閾値磁場がゼロよりも大きい発振部と、
前記発振部に直列に接続された導体と、
前記発振部に第1の磁場を印加する磁場印加手段を有する発振器であって、
前記発振部と前記導体とは、前記導体を流れる電流により発生する第2の磁場が前記発振部に印加され、前記第1の磁場が前記閾値磁場よりも小さく、前記第1の磁場と前記第2の磁場との合成磁場が前記閾値磁場よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする発振器。
An oscillation unit having a threshold magnetic field for starting oscillation larger than zero;
A conductor connected in series to the oscillation unit;
An oscillator having magnetic field applying means for applying a first magnetic field to the oscillating unit,
The oscillating unit and the conductor have a second magnetic field generated by a current flowing through the conductor applied to the oscillating unit, the first magnetic field is smaller than the threshold magnetic field, and the first magnetic field and the conductor An oscillator characterized by being arranged such that a combined magnetic field with two magnetic fields is larger than the threshold magnetic field.
前記閾値磁場が地磁気よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の発振器。   The oscillator according to claim 1, wherein the threshold magnetic field is larger than geomagnetism. 前記発振部が磁気抵抗効果素子であることを特徴とする、請求項1または2に記載の発振器。   The oscillator according to claim 1, wherein the oscillation unit is a magnetoresistive effect element. 請求項1から3までのいずれか1項に記載の発振器と、
前記発振器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、
前記導体と前記電気回路を電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする送信装置。
The oscillator according to any one of claims 1 to 3,
An electrical circuit that is galvanically isolated from the oscillator,
A transmission apparatus comprising electromagnetic coupling means for electromagnetically coupling the conductor and the electric circuit.
整流作用を発現するための閾値磁場がゼロよりも大きい整流部と、
前記整流部に直列に接続された導体と、
前記整流部に第1の磁場を印加する磁場印加手段を有する整流器であって、
前記整流部と前記導体とは、前記導体を流れる電流により発生する第2の磁場が前記整流部に印加され、前記第1の磁場が前記閾値磁場よりも小さく、前記第1の磁場と前記第2の磁場との合成磁場が前記閾値磁場よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする整流器。
A rectifying unit having a threshold magnetic field larger than zero for developing a rectifying action;
A conductor connected in series to the rectifying unit;
A rectifier having magnetic field applying means for applying a first magnetic field to the rectifying unit,
The rectifying unit and the conductor have a second magnetic field generated by a current flowing through the conductor applied to the rectifying unit, the first magnetic field is smaller than the threshold magnetic field, and the first magnetic field and the conductor The rectifier is arranged such that a combined magnetic field with the two magnetic fields is larger than the threshold magnetic field.
前記閾値磁場が地磁気よりも大きいことを特徴とする、請求項5に記載の整流器。   The rectifier according to claim 5, wherein the threshold magnetic field is larger than geomagnetism. 前記整流部が磁気抵抗効果素子であることを特徴とする、請求項5または6に記載の整流器。   The rectifier according to claim 5, wherein the rectifying unit is a magnetoresistive element. 請求項5から7までのいずれか1項に記載の整流器と、
前記整流器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、
前記導体と前記電気回路とを電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする整流装置。
A rectifier according to any one of claims 5 to 7,
An electrical circuit that is galvanically isolated from the rectifier,
A rectifier comprising electromagnetic coupling means for electromagnetically coupling the conductor and the electric circuit.
請求項5から7までのいずれか1項に記載の整流器を信号の受信のために備えたことを特徴とする受信器。   A receiver comprising the rectifier according to any one of claims 5 to 7 for receiving a signal. 請求項9に記載の受信器と、
前記受信器と直流的に絶縁した電気回路とを有し、
前記導体と前記電気回路とを電磁気的に結合する電磁気結合手段を備えたことを特徴とする受信装置。
A receiver according to claim 9;
An electrical circuit that is galvanically isolated from the receiver;
A receiver comprising electromagnetic coupling means for electromagnetically coupling the conductor and the electric circuit.
請求項1から3までのいずれか1項に記載の発振器と、
請求項9に記載の受信器とを有し、
前記発振器の前記導体と前記受信器の前記導体とが電磁気的に結合することで、無線通信または無線電力伝送を行うことを特徴とする送受信装置。
The oscillator according to any one of claims 1 to 3,
A receiver according to claim 9,
A transmitter / receiver characterized in that wireless communication or wireless power transmission is performed by electromagnetically coupling the conductor of the oscillator and the conductor of the receiver.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7589600B2 (en) * 2006-10-31 2009-09-15 Seagate Technology Llc Spin oscillator device
JP2010199231A (en) * 2009-02-24 2010-09-09 Toshiba Corp Magnetic oscillation element
JP2013065986A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 Tdk Corp Mixer having frequency selectivity

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7589600B2 (en) * 2006-10-31 2009-09-15 Seagate Technology Llc Spin oscillator device
JP2010199231A (en) * 2009-02-24 2010-09-09 Toshiba Corp Magnetic oscillation element
JP2013065986A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 Tdk Corp Mixer having frequency selectivity

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6016033805; Johan Persson, et al.: 'Spin-Torque Oscillator in an Electromagnet Package' IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS VOL.48, NO.11, 201211, pp.4378-4381, IEEE *

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