JP2014207195A - Microwave heating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波加熱装置に関するものである。 The present invention relates to a microwave heating apparatus.
マイクロ波加熱技術は、食品を温める技術として発展し、日本における電子レンジの世帯普及率は、2009年で97.5%(二人以上の世帯;総務省による全国消費実態調査)となっており、我々の生活に欠かせない技術の一つとなっている。 Microwave heating technology has been developed as a technology for warming food, and the household penetration rate of microwave ovens in Japan is 97.5% in 2009 (two or more households; nationwide consumption survey by the Ministry of Internal Affairs and Communications). , Has become one of the indispensable technologies in our lives.
マイクロ波加熱は、従来の遠赤外線や熱風等による一般的な加熱に比べると、
・物質を内部から直接加熱するため、加熱効率が良く、高速加熱が可能である。
Compared with conventional heating by far infrared rays or hot air, microwave heating is
-Since the substance is heated directly from the inside, the heating efficiency is good and high-speed heating is possible.
・マイクロ波を吸収しやすい極性物質等の材料に対し、選択的加熱が可能である。 -Selective heating is possible for materials such as polar substances that easily absorb microwaves.
・材料内部からの加熱であるため、物質の均一加熱が可能である。 -Since the heating is from the inside of the material, the substance can be heated uniformly.
・電磁波によるエネルギー伝達手段であるため、作業環境を害することなく衛生的である。等の特徴を有している。 ・ Because it is an energy transmission means by electromagnetic waves, it is hygienic without harming the work environment. Etc.
現在、上記のような特徴から、工業的には、木材等の乾燥、殺菌、セラミックなどの焼結、高分子材料の合成など幅広い分野で利用されている。その中で、廃棄物の焼却処理に利用された例を用いてマイクロ波加熱装置を説明する。(例えば、特許文献1参照。)
図5は、特許文献1に記載のマイクロ波加熱装置の構成を示す説明図である。ケーシング2内に、回転可能なドラム体10と支持ローラ11とが設けられている。ドラム体10の内側には、攪拌羽19が複数枚設置されており、ドラム体10内に投入された廃棄物40が攪拌される。ケーシング2の下部にはガス供給系としての導入口31、ケーシング2の上部には排ガス浄化手段35が接続される。マグネトロン21から放射されたマイクロ波は、ドラム体10内の被加熱物である廃棄物40に照射される。これにより廃棄物40を加熱できる。
At present, from the above characteristics, it is industrially used in a wide range of fields such as drying of wood and the like, sterilization, sintering of ceramics, and synthesis of polymer materials. Among them, the microwave heating apparatus will be described using an example used for waste incineration. (For example, refer to Patent Document 1.)
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the configuration of the microwave heating apparatus described in Patent Document 1. As shown in FIG. In the
しかしながら、上述の従来の構成では、ガス供給系の導入口が、被加熱物に向けて設けられていないため、被加熱物に対しては間接的なガス供給となり、結果として、被加熱物と供給ガスとの反応が不充分という課題を有している。 However, in the above-described conventional configuration, since the inlet of the gas supply system is not provided toward the object to be heated, the gas is indirectly supplied to the object to be heated. There is a problem that the reaction with the supply gas is insufficient.
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、被加熱物と供給ガスとの反応が充分なマイクロ波加熱装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a microwave heating apparatus in which a reaction between an object to be heated and a supply gas is sufficient.
上記目的を達成するために、本発明のマイクロ波加熱装置は、被加熱物を貯留するドラム容器と、該ドラム容器を回転させる回転機構と、前記ドラム容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波発生器と、前記ドラム容器内にガスを供給するガス供給機構と、を備え、前記ガス供給機構は、前記ドラム容器の内壁と対向して設けられるガス噴出口を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a microwave heating apparatus of the present invention includes a drum container that stores an object to be heated, a rotating mechanism that rotates the drum container, and a microwave generator that irradiates the drum container with microwaves. And a gas supply mechanism for supplying gas into the drum container, wherein the gas supply mechanism has a gas outlet provided facing the inner wall of the drum container.
以上のように、本発明によれば、被加熱物と供給ガスとの反応が充分なマイクロ波加熱装置を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a microwave heating apparatus in which a reaction between an object to be heated and a supply gas is sufficient.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1におけるマイクロ波加熱装置の断面概略図である。図1において、オーブン102内には、被加熱物101を貯留するためのドラム容器103がその開口部を上方に向けて斜めに設置される。ドラム容器103には回転機構111が接続されており、回転可能である。また、ドラム容器103には、被加熱物101を攪拌するためのフィン116が設置されている。
(Embodiment 1)
1 is a schematic cross-sectional view of a microwave heating apparatus according to Embodiment 1. FIG. In FIG. 1, a
オーブン102には、マイクロ波発生器99が接続されており、導波管107を通してマイクロ波が照射される。また、オーブン102には、加熱処理中に発生するガス等の流れを良くするため、給気口118と排気口119が設置されている。さらに、被加熱物101の温度を測定する(放射)温度計120が設置される。
A
ガス供給機構121は、ガスを噴出すためのガス噴出口121aが、ドラム容器103内で、かつ、ドラム容器103の内壁に対向する位置となるように設置される。
The
このマイクロ波加熱装置にて被加熱物101の加熱処理を行なうには、まず、オーブン102に設置されたドラム容器103内に、被加熱物101を収納し、回転機構111によりドラム容器103を最適な速度で回転させる。これにより、被加熱物101は、フィン116を有するドラム容器103の中で攪拌・混合される。
In order to heat the object to be heated 101 with this microwave heating apparatus, first, the object to be heated 101 is stored in the
次に、必要なガス種、ガス流量および流速を設定し、ガス供給機構121から、ドラム容器103内にガスを供給する。
Next, necessary gas types, gas flow rates and flow rates are set, and gas is supplied from the
そして、マイクロ波発生器99で発生させたマイクロ波(電力)を、導波管107を通して、オーブン102(厳密にはドラム容器103)内に照射することで、被加熱物101の加熱処理が開始される。
Then, the microwave (electric power) generated by the
本実施の形態1では、ドラム容器103内にガス噴出口121aが設置されているため、被加熱物101への直接的なガス供給が可能となり、効率的な反応を促進できる。
In the first embodiment, since the
また、供給するガスの流速を適度に調整することで、回転とフィン116のみの作用と比較して、被加熱物101の攪拌・混合がより促進される。
In addition, by appropriately adjusting the flow rate of the gas to be supplied, the stirring / mixing of the article to be heated 101 is further promoted as compared with the operation of the rotation and the
なお、実施の形態1においては、ガス供給機構121を1本のパイプ状として図示したが、複数本であってもかまわない。また、その形状もブロック状ユニットに複数のガス噴出口121aを設けたシャワープレート形状であってもかまわない。
In the first embodiment, the
さらに、実施の形態1においては、大気中で大気圧にて加熱処理を実施したが、減圧下で実施してもかまわない。 Furthermore, in Embodiment 1, the heat treatment is performed at atmospheric pressure in the atmosphere, but may be performed under reduced pressure.
さらに、ガス噴出口121aからのガスによる被加熱物101の冷却効果(温度制御:過加熱防止)により、マイクロ波吸収性の良い物質と悪い物質とが混在する被加熱物101に対して、マイクロ波吸収性の良い物質を優先的に加熱できるといった、より高い選択性を示す加熱処理が可能となる。
Further, due to the cooling effect (temperature control: prevention of overheating) of the object to be heated 101 by the gas from the
ここで、より具体的に、主な不純物として炭素及び水を含む粉体もしくは粒状のシリコンから炭素及び水を除去する目的で、本実施の形態1におけるマイクロ波加熱装置を適用する例について説明する。なお、炭素及び水はマイクロ波吸収性の良い物質、粉状もしくは粒状のシリコンはマイクロ波吸収性の悪い物質である。 Here, more specifically, an example in which the microwave heating apparatus according to the first embodiment is applied for the purpose of removing carbon and water from powder or granular silicon containing carbon and water as main impurities will be described. . Carbon and water are substances having good microwave absorption, and powdered or granular silicon is a substance having poor microwave absorption.
まず、太陽電池や半導体用のシリコンウェハ製造工程について図1を用いて説明する。最初に、シリコン材料準備工程(S110)にて不純物の少ない初期シリコンを準備し、次に、インゴット作製工程(S120)にてインゴットを作製する。インゴットは、チョクラルスキー(CZ)法等で作製される。作製されたインゴットをインゴット加工・接着工程(S130)で加工し、ビーム材に接着固定する。ビーム材に接着固定されたインゴットをスライス加工工程(S140)でワイヤーソーを用いてスライス加工する。その後、ウェハ洗浄工程(S150)を経てシリコンウェハが製造される。 First, the manufacturing process of a solar cell or a semiconductor silicon wafer will be described with reference to FIG. First, initial silicon with few impurities is prepared in a silicon material preparation step (S110), and then an ingot is produced in an ingot production step (S120). The ingot is produced by the Czochralski (CZ) method or the like. The produced ingot is processed by the ingot processing / adhesion step (S130), and is bonded and fixed to the beam material. The ingot bonded and fixed to the beam material is sliced using a wire saw in the slicing step (S140). Thereafter, a silicon wafer is manufactured through a wafer cleaning step (S150).
次にシリコンリサイクル工程(S200)を説明する。シリコンリサイクル工程(S200)とは、スライス加工工程(S140)で副産物として生成されたシリコンスラッジを、回収工程(S210)にて回収し、マイクロ波加熱工程(S220)、溶融・凝固工程(S230)を経て、リサイクル用シリコンを作製し、インゴット作製工程(S120)に戻す一連の工程である。 Next, the silicon recycling process (S200) will be described. In the silicon recycling process (S200), silicon sludge produced as a by-product in the slicing process (S140) is recovered in the recovery process (S210), and the microwave heating process (S220) and the melting / solidifying process (S230). Is a series of steps for producing silicon for recycling and returning to the ingot producing step (S120).
スライス加工工程(S140)では、インゴットを加工するときに発生するシリコンの切り屑が、インゴットを接着したビーム材料や、クーラント(有機系)を含む水と混ざってシリコンスラッジとして大量に排出される。このシリコンスラッジを回収工程(S210)にて、例えばフィルタープレスによって、粉状のシリコンスラッジとして回収する。この粉状のシリコンスラッジには、残留クーラント成分である有機系炭素成分や、ビーム材の材料であるグラファイト、あるいはワイヤーソーの砥粒等の無機系炭素成分が含まれており、また、水成分の含有率も全体の40%〜60%程度である。 In the slicing step (S140), silicon chips generated when processing the ingot are mixed with the beam material to which the ingot is bonded and water containing a coolant (organic system) and discharged in large amounts as silicon sludge. This silicon sludge is recovered as powdered silicon sludge by, for example, a filter press in the recovery step (S210). This powdery silicon sludge contains an organic carbon component which is a residual coolant component, an inorganic carbon component such as graphite, which is a material of a beam material, or abrasive grains of a wire saw, and a water component. The content of is also about 40% to 60% of the whole.
本実施の形態に係るマイクロ波加熱装置は、この回収した粉状のシリコンスラッジから、マイクロ波加熱工程(S220)にて、水成分除去と、炭素成分低減とを図る手段である。ここでは、シリコンスラッジに含まれる有機および無機の炭素成分並びに水成分は、シリコン粒子と比較して、非常にマイクロ波吸収性の良い物質であり、マイクロ波により瞬時に加熱される特性を利用する。 The microwave heating apparatus according to the present embodiment is means for removing water components and reducing carbon components in the microwave heating step (S220) from the collected powdery silicon sludge. Here, organic and inorganic carbon components and water components contained in silicon sludge are substances that have a very good microwave absorption compared to silicon particles, and use the property of being instantaneously heated by microwaves. .
まず、回収したシリコンスラッジ(被加熱物101)を図1のドラム容器103に1〜5キログラムとして投入し、回転機構111によりドラム容器103を3〜20rpmの回転速度で回転させる。このとき、異常放電現象や部分的過加熱を抑制するため、解砕器にてシリコンスラッジを5mm以下の顆粒状に解砕した後に、ドラム容器103内に投入している。
First, the recovered silicon sludge (object to be heated 101) is charged into the
次に、酸素を含むガスの流量と流速を所望の値に設定し、ドラム容器103内に収納したシリコンスラッジに向けてガス供給機構121からガスを直接噴出する。
Next, the flow rate and flow rate of the gas containing oxygen are set to desired values, and the gas is directly ejected from the
ここで、マイクロ波発生器99にて発生させたマイクロ波(電力)を、導波管107を通して、オーブン102(厳密にはドラム容器103)内に照射することで、被加熱物101であるシリコンスラッジの加熱処理が開始される。
Here, the microwave (electric power) generated by the
加熱処理が開始されると、シリコンスラッジ中の水成分や炭素成分がマイクロ波を吸収して加熱され、まず、水蒸気が発生して排気口119からオーブン102の外へと排出される。その後、シリコンスラッジ中の水成分が無くなると、シリコンスラッジ中の炭素成分が加熱される。
When the heat treatment is started, the water component and the carbon component in the silicon sludge are heated by absorbing the microwave, and first, water vapor is generated and discharged from the
この時、マイクロ波を吸収して高温となった炭素成分は、ガス噴出口121aより噴出される酸素を含むガスと効率よく燃焼反応を起こし、COあるいはCO2を含む有機系ガスを発生させる。発生した有機系ガスは、ドラム容器103の回転とフィン116の作用に加え、ガス噴出口121aから噴出されたガスによる適度な流速の効果とあいまって、排気口119からオーブン102の外へと効率よく排出される。
At this time, the carbon component that has become a high temperature by absorbing the microwave efficiently causes a combustion reaction with the gas containing oxygen ejected from the
一方、シリコンは、マイクロ波吸収性が悪いため、マイクロ波による直接加熱での温度上昇は小さいが、マイクロ波を吸収した高温状態の炭素との接触により、間接的な温度上昇による酸化の促進が懸念される。これに対し、本実施の形態においては、高温の炭素を効率的にドラム容器103から排出できるため、シリコンとの接触機会を減少させることができる。更に、ガス噴出口121aからのガスをシリコンスラッジに直接噴出させることによる冷却効果により、シリコンの温度上昇を効果的に抑制することが可能となり、シリコンの酸化を抑えて高品質なリサイクル用シリコンを取得できる。
On the other hand, silicon has poor microwave absorption, so the temperature rise due to direct heating by microwave is small, but contact with high temperature carbon that has absorbed microwave promotes oxidation by indirect temperature rise. Concerned. On the other hand, in the present embodiment, high-temperature carbon can be efficiently discharged from the
以上の工程を数分間から数十分間行なうことにより、シリコンスラッジ中のシリコンの酸化の進行を数パーセント程度に抑制しつつ、炭素濃度を0.1at%程度まで低減することが可能となる。 By performing the above steps for several minutes to several tens of minutes, the carbon concentration can be reduced to about 0.1 at% while suppressing the progress of oxidation of silicon in the silicon sludge to about several percent.
また、シリコンのようなマイクロ波吸収性の悪い物質においても、物質温度の上昇に伴い、マイクロ波を吸収しやすくなり、結果として加熱現象を引き起こすことが懸念されるが、本実施の形態に係るマイクロ波加熱装置によれば、ガス噴出口121aにより、被加熱物101に直接ガスを噴出できる構成となっているため、マイクロ波吸収性の悪い物質を低温に保持できる。
In addition, even a substance with poor microwave absorption, such as silicon, is likely to absorb microwaves as the temperature of the substance increases, resulting in a heating phenomenon. According to the microwave heating apparatus, since the gas can be directly ejected to the object to be heated 101 by the
なお、サファイヤ、窒化ガリウム(GaN)、あるいは、ガリウム砒素(GaAs)等の基板作製時に発生するスラッジにおいても、本マイクロ波加熱装置を用いることで、同様のリサイクルが可能であり、リサイクル材料の加熱を抑制しつつ、炭素等のマイクロ波吸収性の良い不純物の効率的な除去が可能となる。 In addition, sludge generated at the time of manufacturing a substrate such as sapphire, gallium nitride (GaN), or gallium arsenide (GaAs) can be recycled in the same manner by using this microwave heating apparatus, and heating of the recycled material is possible. This makes it possible to efficiently remove impurities having good microwave absorption such as carbon.
なお、マイクロ波吸収性の良い物質(第1物質)とは、極性物質、誘電体損失角(Tan δ)が0.01以上の物質、または導電率が10-2以上104以下である物質を示す。また、マイクロ波吸収性の悪い物質(第2物質)とは、上記のいずれとも異なる物質を示す。上記のいずれかの第1物質と、第2物質との両方を含む被加熱物が、本実施の形態に係るマイクロ波加熱装置で処理するのに好適である。この場合、第2物質に熱ダメージを与えることなく第1物質のみを加熱できる。 Note that the substance having good microwave absorption (first substance) is a polar substance, a substance having a dielectric loss angle (Tan δ) of 0.01 or more, or a substance having a conductivity of 10 −2 or more and 10 4 or less. Indicates. In addition, the substance having a poor microwave absorption (second substance) is a substance different from any of the above. An object to be heated including both the first substance and the second substance is suitable for processing with the microwave heating apparatus according to this embodiment. In this case, only the first substance can be heated without causing thermal damage to the second substance.
なお、ガス供給機構121からドラム容器103に供給されるガスを冷却する冷却機構140を更に備えることが望ましい。シリコン等のマイクロ波吸収性の悪い物質の温度上昇を更に抑制できるからである。本実施の形態では、冷却機構140は、ガス供給機構121に導入されるガスを冷却する機能を有する。なお、冷却機構140は、ガスのみならずガス供給機構121自体を冷却するのがより好ましい。ガス供給機構121自体の温度上昇を防止してマイクロ波の吸収を抑制し、被加熱物101の効率的な加熱を促進できるからである。
It is desirable to further include a
ここで、ガス供給機構の他の例について説明する。図2(a)は、他の例におけるドラム容器203とガス供給機構221とを示す断面概略図、図2(b)は、その平面概略図である。図1と同じ構造には同じ符号を付して説明を省略する。
Here, another example of the gas supply mechanism will be described. FIG. 2A is a schematic sectional view showing a
本例の特徴は、ガス供給機構221をドラム容器203の底部に配置したことにある。具体的には、ドラム容器203の回転軸の内部にガス供給機構221におけるガス経路としてのパイプを配置し、このパイプをドラム容器203の底部から突出させ、パイプの先端をドラム容器203内の所望の位置で内壁に向けて屈曲させ、ガス噴出口221aをドラム容器203内の被加熱物101に接触させるように構成する。
The feature of this example is that the
本例において、被加熱物101に接してガス噴出口221aが設置されているため、被加熱物101とガスとの反応がより効率的に促進される。更に、被加熱物101の攪拌・混合がより効率的に促進される。その上、マイクロ波吸収性の良い物質と悪い物質とが混在する被加熱物101に対して、マイクロ波吸収性の悪い物質の温度上昇をより抑制できる。この場合、ガス噴出口221aが被加熱物101に埋没して配置されるのが好適である。被加熱物101の内部からガスを噴出することが可能となり、上述の効果をより一層高めることができる。
In this example, since the
また、ガス供給機構221がドラム容器203の底部に配置されているため、ドラム容器203の開口を広くとれ、被加熱物101の投入/回収を行なう作業性が向上するという利点を有する。
In addition, since the
なお、図2においては、ガス供給機構221を1本のパイプ状として図示したが、複数本であってもかまわない。また、その形状もブロック状ユニットに複数の噴出孔を設けたシャワープレート形状であってもかまわない。また、ガス供給機構221のパイプの屈曲の角度と方向を、それぞれ、90度、下向きとしたが、それ以外の角度、方向であってもかまわない。
In FIG. 2, the
ここで、ガス供給機構の更なる他の例について説明する。図3(a)は、更なる他の例におけるドラム容器303とガス供給機構321とを示す断面概略図、図3(b)は、その平面概略図である。ここでは図1と同じ構造には同じ符号を付して説明を省略する。
Here, another example of the gas supply mechanism will be described. FIG. 3A is a schematic cross-sectional view showing a
本例の特徴は、ガス供給機構321を、フィン316に沿って配置したことにある。具体的には、ドラム容器303の回転軸の内部にガス供給機構321のガスの経路であるパイプを配置し、パイプをドラム容器303内の底部から突出させ、そして、底部及びフィン316の側面に沿うようにパイプを配置する。更に、フィン316の途中の位置で、パイプを屈曲させ、パイプの先端であるガス噴出口321aがドラム容器303の中心を向くように配置する。
The feature of this example is that the
この特徴により、フィン316によって持ち上げられた被加熱物101に、ガス噴出口321aからのガスが直接噴出されるため、被加熱物101とガスとの反応がより効率的に促進される。
Due to this feature, the gas from the gas ejection port 321a is directly ejected to the object to be heated 101 lifted by the
また、噴出するガスの流速を適度に調整することで、フィン316のみの作用と比較して、被加熱物101の攪拌・混合がより効率的に促進される。その上、マイクロ波吸収性の良い物質と悪い物質とが混在する被加熱物101に対して、マイクロ波吸収性の悪い物質の温度上昇をより抑制できる。また、本例においてもドラム容器303の開口を広くとれ、被加熱物101の投入/回収を行なう作業性が向上するという利点を有する。
In addition, by appropriately adjusting the flow rate of the gas to be ejected, the stirring / mixing of the article to be heated 101 is more efficiently promoted as compared with the action of the
なお、ガス噴出口321aを1枚のフィン316あたり3個として図3に示したが、設置可能であれば数に制限はない。また、ガス供給機構321のパイプの屈曲の角度をフィン316の長軸方向に対し90度としたが、それ以外の角度であってもかまわない。
In addition, although the gas ejection port 321a was shown in FIG. 3 as three per one
なお、ガス供給機構321(121、221)を石英等のマイクロ波を透過させる物質で構成するのが望ましい。ガス供給機構321(121、221)をドラム容器303(103、203)内に配置した場合であっても、ガス供給機構321に遮蔽されずに、マイクロ波発生器99からのマイクロ波を効率的に被加熱物101に照射できるからである。
Note that the gas supply mechanism 321 (121, 221) is preferably made of a material that transmits microwaves, such as quartz. Even when the gas supply mechanism 321 (121, 221) is disposed in the drum container 303 (103, 203), the microwave from the
なお、本実施の形態において、ガス供給機構321(121、221)からのガスが、被加熱物101に直接噴射されるため、被加熱物101の飛び散りが生じ、ドラム容器303(103、203)からの飛び出しが懸念される。これを防止するため、ドラム容器303(103、203)の開口部に、蓋を設けるのが好ましい。この蓋は、開口部の下半分を覆うように設置するのが、被加熱物101の飛び出し防止に有効である。
In the present embodiment, since the gas from the gas supply mechanism 321 (121, 221) is directly injected to the object to be heated 101, the object to be heated 101 is scattered, and the drum container 303 (103, 203). I am worried about jumping out of. In order to prevent this, it is preferable to provide a lid at the opening of the drum container 303 (103, 203). Installing this lid so as to cover the lower half of the opening is effective in preventing the
本発明は、太陽電池や半導体等の材料リサイクル工程や、機能性材料や高分子材料の合成等、様々な工業分野における熱処理工程での利用が可能である。 The present invention can be used in heat treatment processes in various industrial fields, such as a material recycling process for solar cells and semiconductors, and a synthesis of functional materials and polymer materials.
99 マイクロ波発生器
101 被加熱物
102 オーブン
103、203、303 ドラム容器
107 導波管
111 回転機構
116、316 フィン
118 給気口
119 排気口
120 温度計
121、221、321 ガス供給機構
121a、221a、321a ガス噴出口
140 冷却機構
99
Claims (11)
該ドラム容器を回転させる回転機構と、
前記ドラム容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波発生器と、
前記ドラム容器内にガスを供給するガス供給機構と、を備え、
前記ガス供給機構は、前記ドラム容器の内壁と対向して設けられるガス噴出口を有することを特徴とするマイクロ波加熱装置。 A drum container for storing an object to be heated;
A rotating mechanism for rotating the drum container;
A microwave generator for irradiating microwaves into the drum container;
A gas supply mechanism for supplying gas into the drum container,
The microwave heating apparatus according to claim 1, wherein the gas supply mechanism includes a gas outlet provided to face the inner wall of the drum container.
請求項1に記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to claim 1, wherein the gas ejection port is located in the drum container.
請求項1又は2に記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating apparatus according to claim 1 or 2, wherein the gas ejection port is in contact with the object to be heated in the drum container.
請求項1〜3のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to any one of claims 1 to 3, wherein the gas outlet is buried in the object to be heated in the drum container.
請求項1〜4のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to any one of claims 1 to 4, wherein the gas supply mechanism is provided so as to protrude from a bottom portion of the drum container.
前記ガス供給機構は、前記フィンに沿って配置されている
請求項1〜5のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 Fins for stirring the object to be heated are provided in the drum container,
The microwave heating apparatus according to claim 1, wherein the gas supply mechanism is disposed along the fin.
請求項1〜6のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to claim 1, further comprising a cooling mechanism that cools the gas supplied from the gas supply mechanism.
請求項7に記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating apparatus according to claim 7, wherein the cooling mechanism cools the gas supply mechanism.
請求項1〜8のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the gas supply mechanism is made of a substance that transmits microwaves.
請求項1〜9のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to claim 1, wherein the gas supply mechanism is made of quartz.
請求項1〜10のいずれか記載のマイクロ波加熱装置。 The microwave heating device according to claim 1, further comprising a lid that covers a lower portion of the opening of the drum container.
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JP (1) | JP2014207195A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6215498B1 (en) * | 2017-03-24 | 2017-10-18 | ミクロ電子株式会社 | Heating device |
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2013
- 2013-04-16 JP JP2013085396A patent/JP2014207195A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6215498B1 (en) * | 2017-03-24 | 2017-10-18 | ミクロ電子株式会社 | Heating device |
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