JP2014205880A - Semiconductor manufacturing apparatus and abnormality detection method of the same, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatus and abnormality detection method of the same, and method of manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014205880A JP2014205880A JP2013083636A JP2013083636A JP2014205880A JP 2014205880 A JP2014205880 A JP 2014205880A JP 2013083636 A JP2013083636 A JP 2013083636A JP 2013083636 A JP2013083636 A JP 2013083636A JP 2014205880 A JP2014205880 A JP 2014205880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- sputtering
- abnormal
- change amount
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体製造装置及びその異常検出方法並びに半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, an abnormality detection method thereof, and a semiconductor device manufacturing method.
半導体ウェハ上に金属膜等を成膜する半導体製造装置として、スパッタリング装置が広く知られている。 A sputtering apparatus is widely known as a semiconductor manufacturing apparatus for forming a metal film or the like on a semiconductor wafer.
スパッタリング装置を用いれば、良好な膜を所望の膜厚で半導体ウェハ上に成膜することが可能である。 If a sputtering apparatus is used, a favorable film can be formed on a semiconductor wafer with a desired film thickness.
しかしながら、従来の半導体製造装置では、半導体製造装置において生じた異常事象を必ずしも確実に検出し得ない場合があった。 However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, an abnormal event that has occurred in the semiconductor manufacturing apparatus may not always be reliably detected.
本発明の目的は、異常事象をより確実に検出し得る半導体製造装置及びその異常検出方法並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus, an abnormality detecting method thereof, and a semiconductor device manufacturing method capable of detecting an abnormal event more reliably.
実施形態の一観点によれば、スパッタリング用直流電源からスパッタリング電極に供給されるスパッタリング電流又はスパッタリング電圧を順次測定する測定部と、前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出する処理部とを有することを特徴とする半導体製造装置が提供される。 According to one aspect of the embodiment, a measurement unit that sequentially measures a sputtering current or a sputtering voltage supplied to a sputtering electrode from a DC power supply for sputtering, and a sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, Sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, a first value that is a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount, and a value obtained by dividing the sputtering voltage by the sputtering voltage change amount. The second value, or the third value based on the sum of the first value and the second value indicated an abnormal value, and an abnormal event occurred during sputtering. There is provided a semiconductor manufacturing apparatus including a processing unit for detecting the above.
実施形態の他の観点によれば、スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値を算出するステップと、前記スパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧変化量、前記第１の値、前記第２の値又は前記第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出するステップとを有することを特徴とする半導体製造装置の異常検出方法が提供される。 According to another aspect of the embodiment, a sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and the sputtering current change as the sputtering current change amount. A first value that is a value divided by the amount, a second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or a sum of the first value and the second value. Based on the step of calculating a third value, and the sputtering current change amount, the sputtering voltage change amount, the first value, the second value, or the third value show an abnormal value. And a method for detecting an abnormality in a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: detecting that an abnormal event has occurred during sputtering. It is.
実施形態の更に他の観点によれば、スパッタリング電流又はスパッタリング電圧を順次測定しながら、基板上にスパッタリング法により第１の膜を成膜する工程を有し、前記第１の膜を成膜する工程では、前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、異常事象が生じたことを検出することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the embodiment, the method includes a step of forming a first film on a substrate by a sputtering method while sequentially measuring a sputtering current or a sputtering voltage, and forming the first film. In the process, a sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount. A first value that is the second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or a third value that is based on the sum of the first value and the second value. A method of manufacturing a semiconductor device is provided that detects that an abnormal event has occurred based on an abnormal value.
開示の半導体製造装置によれば、スパッタリング電流変化量、スパッタリング電圧変化量等を検出し、スパッタリング電流変化量、スパッタリング電圧変化量等が異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。スパッタリング電流変化量、スパッタリング電圧変化量等は、異常事象が生じた場合に著しく変化する可能性の高い。このため、異常事象が生じたことをより確実に検出することが可能となる。 According to the disclosed semiconductor manufacturing apparatus, the amount of change in the sputtering current, the amount of change in the sputtering voltage, etc. is detected. Detect what happened. The amount of change in sputtering current, the amount of change in sputtering voltage, etc. are highly likely to change significantly when an abnormal event occurs. For this reason, it is possible to more reliably detect that an abnormal event has occurred.
半導体製造装置のチャンバをメンテナンスした後の組み付け作業において不備があった場合には、チャンバ内において異常事象が生じる場合がある。 If there is a deficiency in the assembly work after maintaining the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, an abnormal event may occur in the chamber.
また、組み付け作業には不備がなくても、チャンバ内において異常事象が生じる場合がある。 Even if there is no deficiency in the assembly work, an abnormal event may occur in the chamber.
かかる異常事象としては、例えば異常放電やチャンバ内の圧力異常等が挙げられる。 Examples of such abnormal events include abnormal discharge and abnormal pressure in the chamber.
かかる異常事象は、極めて短時間で生じる場合もあり、異常事象を確実に検出することは必ずしも容易ではなかった。 Such an abnormal event may occur in a very short time, and it is not always easy to reliably detect the abnormal event.
［一実施形態］
一実施形態による半導体製造装置及びその異常検出方法並びにその半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法について図１乃至図６を用いて説明する。
[One Embodiment]
A semiconductor manufacturing apparatus, an abnormality detection method thereof, and a semiconductor device manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIGS.
（半導体製造装置）
まず、本実施形態による半導体製造装置について説明する。図１は、本実施形態による半導体製造装置を示す概略図である。
(Semiconductor manufacturing equipment)
First, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment will be explained. FIG. 1 is a schematic view showing the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment.
図１に示すように、本実施形態による半導体製造装置（スパッタリング装置）１０は、成膜を行うためのチャンバ（真空チャンバ）１２を有している。 As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus (sputtering apparatus) 10 according to the present embodiment has a chamber (vacuum chamber) 12 for film formation.
チャンバ１２内における上部には、バッキングプレート１４が配されている。バッキングプレート１４としては、例えば水冷式のバッキングプレートが用いられている。
A
バッキングプレート１４の下面には、ターゲット（スパッタリングターゲット）１６が取り付けられている。
A target (sputtering target) 16 is attached to the lower surface of the
バッキングプレート１４は、ターゲット１６を冷却する機能を有するとともに、スパッタリング電極（カソード、陰極）としても機能する。
The
チャンバ１２内における下部には、半導体ウェハ（半導体基板）１８を保持する載置台（台座、基板ホルダ）２０が設けられている。載置台２０は、アノード（陽極）としても機能する。
A mounting table (pedestal, substrate holder) 20 that holds a semiconductor wafer (semiconductor substrate) 18 is provided at a lower portion in the
バッキングプレート１４上には、磁場発生部（マグネット）２２が設けられている。磁場発生部２２は、回転磁場を発生するためのものである。
A magnetic field generator (magnet) 22 is provided on the
チャンバ１２の内壁の内側には、シールド２４が設けられている。シールド２４とバッキングプレート１４とは、絶縁体２５により絶縁されている。
A
チャンバ１２には、チャンバ１２内にガスを供給するためのガス導入口２６が形成されている。チャンバ１２内に導入するガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスや窒素（Ｎ２）ガス等が挙げられる。ガス導入口２６には配管２８が接続されている。配管２８及びガス導入口２６を経由してチャンバ１２内にガスが導入される。
A gas inlet 26 for supplying gas into the
また、チャンバ１２には、排気を行うための排気口３０が形成されている。排気口３０は、配管（排気管）３２を介して排気ポンプ（図示せず）に接続されている。
The
また、チャンバ１２には、半導体ウェハ１８の搬入や搬出を行うための開口３４が形成されている。開閉機構３５及び開口３４を介して、半導体ウェハ１８の搬入や搬出が行われる。
Further, an
本実施形態による半導体製造装置１０は、スパッタリング電力を供給する直流電源３６と、スパッタリング電流及びスパッタリング電圧を測定する測定部３８と、所定の処理を行う処理部４０と、データ等を記憶する記憶部４２と、表示部４４とを更に有している。
The
直流電源（スパッタリング用直流電源）３６は、スパッタリング電極１４に電力を供給するためのものである。直流電源３６は、スパッタリング電極１４に例えば負の電圧を印加する。直流電源３６は、後述する処理部４０により定電力制御される。
The DC power source (sputtering DC power source) 36 is for supplying power to the sputtering
測定部（電流／電圧測定部）３８は、直流電源３６からスパッタリング電極１４に供給されるスパッタリング電流及びスパッタリング電圧をリアルタイムで順次測定するためのものである。測定部３８は、スパッタリング電流を順次測定する電流計（図示せず）と、スパッタリング電圧を順次測定する電圧計（図示せず）とを有している。測定部３８は、取得したスパッタリング電流のデータ及びスパッタリング電圧のデータを処理部４０に出力する。
The measurement unit (current / voltage measurement unit) 38 is for sequentially measuring the sputtering current and the sputtering voltage supplied from the
処理部４０は、本実施形態による半導体製造装置１０全体の制御を司るととともに、所定の処理を行うものである。処理部４０には、図示しないコンピュータ、より具体的には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）が内蔵されている。
The
処理部４０は、測定部３８により順次取得されるスパッタリング電流Ｉのデータとスパッタリング電圧Ｖのデータとに基づいて、スパッタリング電力Ｐを順次算出する。スパッタリング電力Ｐは、スパッタリング電流Ｉとスパッタリング電圧Ｖとの積により求められる。
The
処理部４０は、直流電源３６からスパッタリング電極１４に供給されるスパッタリング電力Ｐが一定になるように、直流電源３６を制御する。即ち、処理部４０は、直流電源３６を定電力制御する。
The
処理部４０には、記憶部４２が接続されている。記憶部４２としては、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＨＤＤ（Hard Disc Drive）等が用いられる。記憶部４２には、処理部４０に所定の処理を行わせるためのコンピュータプログラムがインストールされている。また、処理部４０は、取得したデータ等を記憶部４２に記憶させる。
A
処理部４０には、表示部４４が接続されている。表示部４４としては、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ、Liquid Crystal Display）やＬＥＤランプ等を用いることができる。表示部４４は、本実施形態による半導体製造装置１０の動作状態の情報や異常検出の情報等を表示する。
A
処理部４０は、測定部３８により測定されるスパッタリング電流Ｉを順次取得する。
The
また、処理部４０は、順次取得されるスパッタリング電流Ｉに基づいて、単位時間当たりのスパッタリング電流Ｉの変化量（スパッタリング電流変化量）ΔＩを順次算出する。処理部４０は、例えば１秒当たりのスパッタリング電流変化量ΔＩを例えば１秒毎に順次算出する。スパッタリング電流変化量ΔＩは、異常時でなくても、ある程度の値を示す。スパッタリングが進行するに伴って、スパッタリングターゲット１６が徐々に消耗し、スパッタリングターゲット１６の抵抗値が変化するためである。スパッタリングターゲット１６の材料によって消耗速度や抵抗値が異なるため、スパッタリング電流変化量ΔＩは、スパッタリングターゲット１６の材料によって様々である。
Further, the
また、処理部４０は、測定部３８により測定されるスパッタリング電圧Ｖを順次取得する。
In addition, the
また、処理部４０は、順次取得されるスパッタリング電圧Ｖに基づいて、単位時間当たりのスパッタリング電圧Ｖの変化量（スパッタリング電圧変化量）ΔＶを順次算出する。処理部４０は、例えば１秒当たりのスパッタリング電圧変化量ΔＶを例えば１秒毎に順次算出する。スパッタリング電圧変化量ΔＶは、異常時でなくても、ある程度の値を示す。スパッタリングが進行するに伴って、スパッタリングターゲット１６が徐々に消耗し、スパッタリングターゲット１６の抵抗値が変化するためである。スパッタリングターゲット１６の材料によって消耗速度や抵抗値が異なるため、スパッタリング電圧変化量ΔＶは、スパッタリングターゲット１６の材料によって様々である。
Further, the
ある時間におけるスパッタリング電流をＩ１、単位時間当たりのスパッタリング電流変化量をΔＩとすると、時間ｔが経過した際におけるスパッタリング電流Ｉ２は以下のような式（１）で表される。 Assuming that the sputtering current at a certain time is I 1 and the amount of change in the sputtering current per unit time is ΔI, the sputtering current I 2 when the time t has elapsed is expressed by the following formula (1).
Ｉ２＝ ΔＩ×ｔ ＋ Ｉ１ ・・・（１）
また、ある時間におけるスパッタリング電圧をＶ１、単位時間当たりのスパッタリング電圧変化量をΔＶとすると、時間ｔが経過した際におけるスパッタリング電流Ｖ２は以下のような式（２）で表される。
I 2 = ΔI × t + I 1 (1)
Further, assuming that the sputtering voltage at a certain time is V 1 and the amount of change in the sputtering voltage per unit time is ΔV, the sputtering current V 2 when the time t has elapsed is expressed by the following equation (2).
Ｖ２＝ ΔＶ×ｔ ＋ Ｖ１ ・・・（２）
また、スパッタリング電力Ｐは、例えば以下のような式（３）により表される。
V 2 = ΔV × t + V 1 (2)
Further, the sputtering power P is expressed by, for example, the following formula (3).
Ｐ＝Ｉ２×Ｖ２
＝（ΔＩ×ｔ＋Ｉ１）（ΔＶ×ｔ＋Ｖ１）
＝ΔＩ×ΔＶ×ｔ２＋（ΔＩ×Ｖ１＋ΔＶ×Ｉ１）ｔ＋Ｉ１×Ｖ１ ・・・（３）
本実施形態では、上述したように定電力制御を行うため、スパッタリング電力Ｐは一定である。
P = I 2 × V 2
= (ΔI × t + I 1 ) (ΔV × t + V 1 )
= ΔI × ΔV × t 2 + (ΔI × V 1 + ΔV × I 1 ) t + I 1 × V 1 (3)
In the present embodiment, since the constant power control is performed as described above, the sputtering power P is constant.
従って、スパッタリング電力Ｐをｔで微分すると、以下の式（４）が成立する。 Therefore, when the sputtering power P is differentiated by t, the following formula (4) is established.
ｄＰ／ｄｔ＝ｄ／ｄｔ｛ΔＩ×ΔＶ×ｔ２＋（ΔＩ×Ｖ１＋ΔＶ×Ｉ１）ｔ＋Ｉ１×Ｖ１｝ ＝ ０ ・・・（４）
式（４）を変形すると、ｔは、以下のような式（５）で表される。
dP / dt = d / dt {ΔI × ΔV × t 2 + (ΔI × V 1 + ΔV × I 1 ) t + I 1 × V 1 } = 0 (4)
When Expression (4) is transformed, t is expressed by Expression (5) as follows.
ｔ＝−０．５×（Ｉ／ΔＩ ＋ Ｖ／ΔＶ） ・・・（５）
ｔをＴと置き換えると、以下のような式（６）になる。
t = −0.5 × (I / ΔI + V / ΔV) (5)
When t is replaced with T, the following equation (6) is obtained.
Ｔ＝−０．５×（Ｉ／ΔＩ ＋ Ｖ／ΔＶ） ・・・（６）
スパッタリング電流変化量ΔＩに対するスパッタリング電流Ｉの比（Ｉ／ΔＩ）は、上記の式（６）の一部を構成するものであり、異常事象が生じた場合に著しく変化し得る値であると考えられる。従って、処理部４０は、スパッタリング電流変化量ΔＩに対するスパッタリング電流Ｉの比である第１の値（Ｉ／ΔＩ）を順次取得し、異常事象が生じたことを検出するために用いる。
T = −0.5 × (I / ΔI + V / ΔV) (6)
The ratio (I / ΔI) of the sputtering current I to the amount of change ΔI in the sputtering current constitutes a part of the above equation (6) and is considered to be a value that can change significantly when an abnormal event occurs. It is done. Therefore, the
また、スパッタリング電圧変化量ΔＶに対するスパッタリング電圧Ｖの比（Ｖ／ΔＶ）も、上記の式（６）の一部を構成するものであり、異常事象が生じた場合に著しく変化し得る値であると考えられる。従って、処理部４０は、スパッタリング電圧変化量ΔＶに対するスパッタリング電圧Ｖの比である第２の値（Ｖ／ΔＶ）を順次取得し、異常事象が生じたことを検出するために用いる。
Further, the ratio (V / ΔV) of the sputtering voltage V to the amount of change ΔV in the sputtering voltage also constitutes a part of the above equation (6) and is a value that can change significantly when an abnormal event occurs. it is conceivable that. Therefore, the
また、上記の式（６）により算出されるＴの値、即ち、第１の値と第２の値との和に基づく値Ｔも、異常事象が生じた場合に著しく変化し得る値であると考えられる。従って、処理部４０は、第３の値Ｔを順次取得し、異常事象が生じたことを検出するために用いる。
Further, the value of T calculated by the above equation (6), that is, the value T based on the sum of the first value and the second value is also a value that can change significantly when an abnormal event occurs. it is conceivable that. Accordingly, the
処理部４０は、順次取得されるスパッタリング電流Ｉのデータ、スパッタリング電流変化量ΔＩのデータ、スパッタリング電圧Ｖのデータ、スパッタリング電圧変化量ΔＶのデータを、記憶部４２に順次記憶させる。また、処理部４０は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータ、第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータ及び第３の値Ｔのデータを、記憶部４２に順次記憶させる。従って、記憶部４２には、順次取得される複数のスパッタリング電流Ｉのデータ、及び、順次取得される複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータが蓄積される。また、記憶部４２には、順次取得される複数のスパッタリング電圧Ｖのデータ、順次取得される複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータが蓄積される。また、記憶部４２には、順次取得される複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータ、順次取得される複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータ、及び、順次取得される複数の第３の値Ｔのデータが蓄積される。
The
スパッタリング電流Ｉ、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧Ｖ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値（Ｉ／ΔＩ）、第２の値（Ｖ／ΔＶ）、第３の値Ｔは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、スパッタリングの際に順次取得されるスパッタリング電流Ｉやスパッタリング電流変化量ΔＩのデータは、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるもの毎に整理して、記憶部４２に記憶される。また、スパッタリングの際に順次取得されるスパッタリング電圧Ｖのデータやスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータも、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるもの毎に整理して、記憶部４２に記憶される。また、順次取得される複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータや、順次取得される複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータや、順次取得される複数の第３の値Ｔのデータも、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるもの毎に整理して、記憶部４２に記憶される。
Sputtering current I, sputtering current variation ΔI, sputtering voltage V, sputtering voltage variation ΔV, first value (I / ΔI), second value (V / ΔV), and third value T are the types of targets Depends on process conditions. Therefore, the data of the sputtering current I and the sputtering current change amount ΔI sequentially acquired at the time of sputtering are organized and stored in the
処理部４０は、複数のスパッタリング電流Ｉのデータに基づいて、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する。本実施形態において、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出するのは、スパッタリング電流Ｉの異常を検出するための基準として、スパッタリング電流Ｉの平均値を用いるためである。スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数のスパッタリング電流Ｉのデータを用いる。但し、上述したように、スパッタリング電流Ｉは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出されたスパッタリング電流Ｉの平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことによりスパッタリング電流Ｉのデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、スパッタリング電流Ｉの平均値のデータを更新する。スパッタリング電流Ｉの平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数のスパッタリング電流Ｉのデータと、当該スパッタリングより前の過去のスパッタリングにおいて取得された複数のスパッタリング電流Ｉのデータとに基づいて、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する。
When the data of the sputtering current I is newly acquired by performing the sputtering, the
なお、スパッタリング電流Ｉの平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得されたスパッタリング電流Ｉのデータを、スパッタリング電流Ｉの平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得された当該スパッタリングにおけるスパッタリング電流Ｉのデータと、過去のスパッタリングにおける複数のスパッタリング電流Ｉのデータとに基づいて、スパッタリング電流Ｉの平均値を算出する。この場合には、スパッタリング電流Ｉの平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 In addition, the timing which updates the data of the average value of sputtering current I is not limited after sputtering is completed. For example, during the sputtering, data of the sputtering current I acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the sputtering current I. In this case, the average value of the sputtering current I based on the sputtering current I data in the sputtering acquired from the start of the sputtering until the calculation time and the data of the plurality of sputtering currents I in the past sputtering. Is calculated. In this case, the average value data of the sputtering current I is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータに基づいて、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する。本実施形態において、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出するのは、スパッタリング電流変化量ΔＩの異常を検出するための基準として、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を用いるためである。スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータを用いる。但し、上述したように、スパッタリング電流変化量ΔＩは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことによりスパッタリング電流変化量ΔＩのデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値のデータを更新する。スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータと、過去のスパッタリングにおいて取得された複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータとに基づいて、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する。
When the data of the sputtering current change amount ΔI is newly acquired by performing the sputtering, the
なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得されたスパッタリング電流変化量ΔＩのデータを、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得されたスパッタリング電流変化量ΔＩのデータと、過去のスパッタリングにおける複数のスパッタリング電流変化量ΔＩのデータとに基づいて、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を算出する。この場合には、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 Note that the timing of updating the average value data of the sputtering current change amount ΔI is not limited to after sputtering is completed. For example, during the sputtering, data of the sputtering current change amount ΔI acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the sputtering current change amount ΔI. In this case, the sputtering current change amount ΔI based on the data of the sputtering current change amount ΔI acquired from the start of the sputtering to the calculation time and the data of the plurality of sputtering current change amounts ΔI in the past sputtering. The average value of is calculated. In this case, the average value data of the sputtering current change amount ΔI is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数のスパッタリング電圧Ｖのデータに基づいて、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する。本実施形態において、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出するのは、スパッタリング電圧Ｖの異常を検出するための基準として、スパッタリング電圧Ｖの平均値を用いるためである。スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数のスパッタリング電圧Ｖのデータを用いる。但し、上述したように、スパッタリング電圧Ｖは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出されたスパッタリング電圧Ｖの平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことによりスパッタリング電圧Ｖのデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、スパッタリング電圧Ｖの平均値のデータを更新する。スパッタリング電圧Ｖの平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数のスパッタリング電圧Ｖのデータと、当該スパッタリングより前の過去のスパッタリングにおいて取得された複数のスパッタリング電圧Ｖのデータとに基づいて、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する。
When the sputtering voltage V data is newly acquired by performing sputtering, the
なお、スパッタリング電圧Ｖの平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得されたスパッタリング電圧Ｖのデータを、スパッタリング電圧Ｖの平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得された当該スパッタリングにおけるスパッタリング電圧Ｖのデータと、過去のスパッタリングにおける複数のスパッタリング電圧Ｖのデータとに基づいて、スパッタリング電圧Ｖの平均値を算出する。この場合には、スパッタリング電圧Ｖの平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 In addition, the timing which updates the data of the average value of sputtering voltage V is not limited after sputtering is completed. For example, during the sputtering, the data of the sputtering voltage V acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the sputtering voltage V. In this case, the average value of the sputtering voltage V based on the data of the sputtering voltage V in the sputtering acquired from the start of the sputtering to the calculation time and the data of the plurality of sputtering voltages V in the past sputtering. Is calculated. In this case, the average value data of the sputtering voltage V is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータに基づいて、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する。本実施形態において、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出するのは、スパッタリング電圧変化量ΔＶの異常を検出するための基準として、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を用いるためである。スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータを用いる。但し、上述したように、スパッタリング電圧変化量ΔＶは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことによりスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値のデータを更新する。スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータと、過去のスパッタリングにおいて取得された複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータとに基づいて、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する。
When the data of the sputtering voltage change amount ΔV is newly acquired by performing the sputtering, the
なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得されたスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータを、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得されたスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータと、過去のスパッタリングにおける複数のスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータとに基づいて、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を算出する。この場合には、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 In addition, the timing which updates the data of the average value of sputtering voltage variation | change_quantity (DELTA) V is not limited after sputtering is completed. For example, during the sputtering, the data of the sputtering voltage change ΔV acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the sputtering voltage change ΔV. In this case, the sputtering voltage change amount ΔV based on the data of the sputtering voltage change amount ΔV acquired from the start of the sputtering to the calculation time and the data of the plurality of sputtering voltage change amounts ΔV in the past sputtering. The average value of is calculated. In this case, the average value data of the sputtering voltage variation ΔV is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータに基づいて、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する。本実施形態において、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出するのは、第１の値（Ｉ／ΔＩの異常を検出するための基準として、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を用いるためである。第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータを用いる。但し、上述したように、第１の値（Ｉ／ΔＩ）は、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことにより第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値のデータを更新する。第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータと、当該スパッタリングより前の過去のスパッタリングにおいて取得された複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータとに基づいて、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する。
When data of the first value (I / ΔI) is newly acquired by performing sputtering, the
なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得された第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータを、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得された当該スパッタリングにおける第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータと、過去のスパッタリングにおける複数の第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータとに基づいて、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を算出する。この場合には、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 Note that the timing of updating the data of the average value of the first values (I / ΔI) is not limited after the sputtering is completed. For example, during the sputtering, data of the first value (I / ΔI) acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the first value (I / ΔI). In this case, data of the first value (I / ΔI) in the sputtering acquired from the start of the sputtering to the time of the calculation and a plurality of first values (I / ΔI) in the past sputtering. Based on the data, an average value of the first values (I / ΔI) is calculated. In this case, the average value data of the first values (I / ΔI) is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータに基づいて、第２の値（Ｖ／Δ）の平均値を算出する。本実施形態において、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出するのは、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の異常を検出するための基準として、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を用いるためである。第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータを用いる。但し、上述したように、第２の値（Ｖ／ΔＶ）は、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことにより第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値のデータを更新する。第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータと、当該スパッタリングより前の過去のスパッタリングにおいて取得された複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータとに基づいて、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出する。
When the second value (V / ΔV) data is newly acquired by performing the sputtering, the
なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得された第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータを、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得された当該スパッタリングにおける第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータと、過去のスパッタリングにおける複数の第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータとに基づいて、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を算出する。この場合には、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 Note that the timing of updating the data of the average value of the second values (V / ΔV) is not limited after the sputtering is completed. For example, during the sputtering, data of the second value (V / ΔV) acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the second value (V / ΔV). In this case, data of the second value (V / ΔV) in the sputtering acquired from the start of the sputtering to the time of the calculation, and a plurality of second values (V / ΔV) in the past sputtering. Based on the data, an average value of the second values (V / ΔV) is calculated. In this case, the data of the average value of the second values (V / ΔV) is sequentially updated during the sputtering.
処理部４０は、複数の第３の値Ｔのデータに基づいて、第３の値Ｔの平均値を算出する。本実施形態において、第３の値Ｔの平均値を算出するのは、第３の値Ｔの異常を検出するための基準として、第３の値Ｔの平均値を用いるためである。第３の値Ｔの平均値を算出する際には、記憶部４２に記憶された複数の第３の値Ｔのデータを用いる。但し、上述したように、第３の値Ｔは、ターゲットの種類、プロセス条件等によって異なる。従って、第３の値Ｔの平均値を算出する際には、ターゲットの種類やプロセス条件が同一であるものを用いることが好ましい。なお、第３の値Ｔの平均値を算出する際には、異常値と判定されたデータを除外して平均値を算出することが好ましい。算出された第３の値Ｔの平均値のデータは、記憶部４２に記憶される。
The
スパッタリングを行うことにより第３の値Ｔのデータが新たに取得された場合には、処理部４０は、第３の値Ｔの平均値のデータを更新する。第３の値Ｔの平均値のデータを更新するタイミングは、例えば、当該スパッタリングが完了した後とする。この場合、当該スパッタリングにより取得された複数の第３の値Ｔのデータと、当該スパッタリングより前の過去のスパッタリングにおいて取得された複数の第３の値Ｔのデータとに基づいて、第３の値Ｔの平均値を算出する。
When the data of the third value T is newly acquired by performing sputtering, the
なお、第３の値Ｔの平均値のデータを更新するタイミングは、スパッタリングが完了した後に限定されるものではない。例えば、当該スパッタリングを行っている最中に、当該スパッタリングにおいて取得された第３の値Ｔのデータを、第３の値Ｔの平均値に反映させてもよい。この場合、当該スパッタリングを開始してから当該算出時までに取得された当該スパッタリングにおける第３の値Ｔのデータと、過去のスパッタリングにおける複数の第３の値Ｔのデータとに基づいて、第３の値Ｔの平均値を算出する。この場合には、第３の値Ｔの平均値のデータが、当該スパッタリングの最中に順次更新される。 In addition, the timing which updates the data of the average value of the 3rd value T is not limited after sputtering is completed. For example, during the sputtering, the data of the third value T acquired in the sputtering may be reflected in the average value of the third values T. In this case, based on the data of the third value T in the sputtering acquired from the start of the sputtering to the time of the calculation and the data of the plurality of third values T in the past sputtering, The average value of the values T is calculated. In this case, the data of the average value of the third value T is sequentially updated during the sputtering.
スパッタリングの際、処理部４０は、順次測定されるスパッタリング電流Ｉが異常値か否かを判定する。測定されたスパッタリング電流Ｉが異常値に該当するか否かは、当該スパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電流Ｉの基準値としては、例えばスパッタリング電流Ｉの平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流Ｉの異常値は、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流Ｉの異常値は、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the sputtering current I obtained by measurement is significantly smaller than the reference value of the sputtering current I, the
処理部４０は、スパッタリング電流Ｉが異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。
The
スパッタリングの際には、半導体ウェハ１８の温度上昇を抑制すべく、Ａｒガス等を半導体ウェハ１８の裏面に供給することにより、半導体ウェハ１８の冷却が行われる。Ａｒガス等のガス圧により半導体ウェハ１８が載置台２０上から吹き飛んだり、位置ずれしたりするのを防止すべく、半導体ウェハ１８は静電チャック（ＥＳＣ：ElectroStaticChuck）（図示せず）を用いて載置台２０に固定される。静電チャックを用いた半導体ウェハ１８の固定は、半導体ウェハ１８の冷却効率の向上にも寄与する。静電チャック上にゴミが存在する場合には、かかるゴミが存在する箇所においてＡｒガス等が通常より多くリークする。このような場合には、チャンバ１２内の圧力が異常な状態となる事象であるチャンバ内圧力異常が生ずる場合がある。また、かかるゴミの存在により、半導体ウェハ１８が浮いた状態となり、半導体ウェハ１８の端面と載置台２０との間で異常放電が生ずる場合もある。なお、異常放電は、静電チャック上にゴミが存在する場合に限定されるものではなく、様々な要因により起こり得る。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
When the
スパッタリングの際、処理部４０は、順次算出されるスパッタリング電流変化量ΔＩが異常値か否かを判定する。算出されたスパッタリング電流変化量Δが異常値に該当するか否かは、当該スパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値としては、例えばスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの異常値は、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、取得されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの異常値は、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the calculated sputtering current change amount ΔI is significantly smaller than the reference value of the sputtering current change amount ΔI, the
処理部４０は、スパッタリング電流変化量ΔＩが異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
スパッタリングの際、処理部４０は、順次測定されるスパッタリング電圧Ｖが異常値か否かを判定する。測定されたスパッタリング電圧Ｖが異常値に該当するか否かは、当該スパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電圧Ｖの基準値としては、例えばスパッタリング電圧Ｖの平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧Ｖの異常値は、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧Ｖの異常値は、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the sputtering voltage V obtained by measurement is significantly smaller than the reference value of the sputtering voltage V, the
処理部４０は、スパッタリング電圧Ｖが異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
スパッタリングの際、処理部４０は、順次算出されるスパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値か否かを判定する。算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値に該当するか否かは、当該スパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値としては、例えばスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの異常値は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの異常値は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the calculated sputtering voltage change amount ΔV is significantly smaller than the reference value of the sputtering voltage change amount ΔV, the
処理部４０は、スパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
スパッタリングの際、処理部４０は、順次算出される第１の値（Ｉ／ΔＩ）が異常値か否かを判定する。算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が異常値に該当するか否かは、当該第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値から乖離しているか否かにより判定される。第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値としては、例えば第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の異常値は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の異常値は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the calculated first value (I / ΔI) is significantly smaller than the reference value of the first value (I / ΔI), the
処理部４０は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）が異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
スパッタリングの際、処理部４０は、順次算出される第２の値（Ｖ／ΔＶ）が異常値か否かを判定する。算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が異常値に該当するか否かは、当該第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値から乖離しているか否かにより判定される。第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値としては、例えば第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の異常値は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の異常値は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the calculated second value (V / ΔV) is significantly smaller than the reference value of the second value (V / ΔV), the
処理部４０は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）が異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
スパッタリングの際、処理部４０は、順次算出される第３の値Ｔが異常値か否かを判定する。算出された第３の値Ｔが異常値に該当するか否かは、当該第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値から乖離しているか否かにより判定される。第３の値Ｔの基準値としては、例えば第３の値Ｔの平均値を用いることができる。
At the time of sputtering, the
処理部４０は、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第３の値Ｔの異常値は、第３の値Ｔの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第３の値Ｔの異常値は、第３の値Ｔの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
When the calculated third value T is significantly smaller than the reference value of the third value T, the
処理部４０は、第３の値Ｔが異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。かかる異常事象としては、例えば異常放電、チャンバ内圧力異常等が挙げられる。処理部４０は、異常事象が生じたことを検出した場合には、その旨を記憶部４２に記憶する。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。
The
こうして、本実施形態による半導体製造装置１０が形成されている。
Thus, the
このように、本実施形態によれば、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値（Ｉ／ΔＩ）、第２の値（Ｖ／ΔＶ）、又は、第３の値Ｔが、異常値を示したことに基づいて、スパッタリング中に異常事象が生じたことを検出する。スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値（Ｉ／ΔＩ）、第２の値（Ｖ／ΔＶ）、又は、第３の値Ｔは、異常事象が生じた場合に著しく変化する可能性の高い。このため、本実施形態によれば、異常事象が生じたことをより確実に検出することが可能となる。 Thus, according to the present embodiment, the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage change amount ΔV, the first value (I / ΔI), the second value (V / ΔV), or the third value T However, based on the fact that the abnormal value is indicated, it is detected that an abnormal event has occurred during the sputtering. Sputtering current change amount ΔI, sputtering voltage change amount ΔV, first value (I / ΔI), second value (V / ΔV), or third value T changes significantly when an abnormal event occurs. Likely to do. For this reason, according to the present embodiment, it is possible to more reliably detect that an abnormal event has occurred.
（半導体製造装置の異常検出方法及び半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態による半導体製造装置の異常検出方法及びその半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法について図２及び図３を用いて説明する。図２は、本実施形態による半導体製造装置の異常検出方法を示すフローチャートである。図３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
(Abnormality detection method for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method)
Next, the abnormality detection method for the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment and the semiconductor device manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart showing the abnormality detection method of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment. FIG. 3 is a process cross-sectional view illustrating the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
まず、スパッタリングを開始する（ステップＳ１）。これにより、載置台２０上に載置された半導体ウェハ１８上への膜の堆積が開始される。図３（ａ）は、半導体ウェハ１８上に膜を形成する前の状態を示している。半導体ウェハ１８には、例えば、図示しないトランジスタ等や層間絶縁膜等が形成されている。
First, sputtering is started (step S1). As a result, film deposition on the
次に、スパッタリング電流Ｉとスパッタリング電圧Ｖとを測定部３８により測定する（ステップＳ２）。測定により得られたスパッタリング電流Ｉのデータ及びスパッタリング電圧Ｖのデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, the sputtering current I and the sputtering voltage V are measured by the measuring unit 38 (step S2). The data of the sputtering current I and the data of the sputtering voltage V obtained by the measurement are stored in the
次に、測定により得られたスパッタリング電流Ｉのデータとスパッタリング電圧Ｖのデータとに基づいて、スパッタリング電力Ｐを算出する（ステップＳ３）。スパッタリング電力Ｐの算出は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。処理部４０は、算出されたスパッタリング電力に基づいて、スパッタリング電源３６を定電力制御する。
Next, the sputtering power P is calculated based on the sputtering current I data and the sputtering voltage V data obtained by the measurement (step S3). The calculation of the sputtering power P is performed by, for example, the
次に、測定により得られたスパッタリング電流Ｉのデータに基づいて、単位時間当たりのスパッタリング電流Ｉの変化量であるスパッタリング電流変化量ΔＩを算出する（ステップＳ４）。スパッタリング電流変化量ΔＩの算出は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩのデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, a sputtering current change amount ΔI, which is a change amount of the sputtering current I per unit time, is calculated based on the data of the sputtering current I obtained by the measurement (step S4). The calculation of the sputtering current change amount ΔI is performed by, for example, the
次に、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖのデータに基づいて、単位時間当たりのスパッタリング電圧Ｖの変化量であるスパッタリング電圧変化量ΔＶを算出する（ステップＳ５）。スパッタリング電圧変化量ΔＶの算出は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶのデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, a sputtering voltage change amount ΔV, which is a change amount of the sputtering voltage V per unit time, is calculated based on the data of the sputtering voltage V obtained by the measurement (step S5). The calculation of the sputtering voltage change amount ΔV is performed by, for example, the
次に、スパッタリング電流Ｉとスパッタリング電流変化量ΔＩとに基づいて、スパッタリング電流変化量ΔＩに対するスパッタリング電流Ｉの比である第１の値（Ｉ／ΔＩ）を算出する（ステップＳ６）。第１の値（Ｉ／ΔＩ）の算出は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）のデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, based on the sputtering current I and the sputtering current change amount ΔI, a first value (I / ΔI) that is a ratio of the sputtering current I to the sputtering current change amount ΔI is calculated (step S6). The calculation of the first value (I / ΔI) is performed by, for example, the
次に、スパッタリング電圧Ｖとスパッタリング電圧変化量ΔＶとに基づいて、スパッタリング電圧変化量ΔＶに対するスパッタリング電圧Ｖの比である第２の値（Ｖ／ΔＶ）を算出する（ステップＳ７）。第２の値（Ｖ／ΔＶ）の算出は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）のデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, based on the sputtering voltage V and the sputtering voltage change amount ΔV, a second value (V / ΔV) that is a ratio of the sputtering voltage V to the sputtering voltage change amount ΔV is calculated (step S7). The calculation of the second value (V / ΔV) is performed by, for example, the
次に、第１の値（Ｉ／ΔＩ）と第２の値（Ｖ／ΔＶ）とに基づいて、第１の値（Ｉ／ΔＩ）と第２の値（Ｖ／ΔＶ）との和に基づく値である第３の値Ｔを算出する（ステップＳ８）。第３の値Ｔの算出は、上述した式（６）を用いて、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出された第３の値Ｔのデータは、上述したように、記憶部４２に記憶される。
Next, based on the first value (I / ΔI) and the second value (V / ΔV), the sum of the first value (I / ΔI) and the second value (V / ΔV) is obtained. A third value T, which is a base value, is calculated (step S8). The calculation of the third value T is performed by, for example, the
次に、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。測定されたスパッタリング電流Ｉが異常値に該当するか否かは、上述したように、当該スパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電流Ｉの基準値としては、例えばスパッタリング電流Ｉの平均値を用いることができる。処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流Ｉの異常値は、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流Ｉの異常値は、スパッタリング電流Ｉの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電流Ｉが、スパッタリング電流Ｉの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Next, it is determined whether or not the sputtering current I obtained by the measurement is an abnormal value (step S9). Whether or not the sputtering current I obtained by the measurement is an abnormal value is determined by, for example, the
また、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。算出されたスパッタリング電流変化量Δが異常値に該当するか否かは、上述したように、当該スパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値としては、例えばスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値を用いることができる。処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの異常値は、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、取得されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電流変化量ΔＩの異常値は、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電流変化量ΔＩが、スパッタリング電流変化量ΔＩの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the calculated sputtering current change amount ΔI is an abnormal value (step S9). Whether the calculated sputtering current change amount ΔI is an abnormal value is determined by, for example, the
また、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。測定されたスパッタリング電圧Ｖが異常値に該当するか否かは、上述したように、当該スパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電圧Ｖの基準値としては、例えばスパッタリング電圧Ｖの平均値を用いることができる。処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧Ｖの異常値は、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧Ｖの異常値は、スパッタリング電圧Ｖの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、測定により得られたスパッタリング電圧Ｖが、スパッタリング電圧Ｖの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the sputtering voltage V obtained by the measurement is an abnormal value (step S9). Whether the sputtering voltage V obtained by the measurement is an abnormal value is determined by the
また、算出されたスパッタリング電圧変化量Δが異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値に該当するか否かは、上述したように、当該スパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値から乖離しているか否かにより判定される。スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値としては、例えばスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値を用いることができる。処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの異常値は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、スパッタリング電圧変化量ΔＶの異常値は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出されたスパッタリング電圧変化量ΔＶが、スパッタリング電圧変化量ΔＶの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the calculated sputtering voltage change amount Δ is an abnormal value (step S9). Whether the calculated sputtering voltage change amount ΔV is an abnormal value is determined by, for example, the
また、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が異常値に該当するか否かは、上述したように、当該第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値から乖離しているか否かにより判定される。第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値としては、例えば第１の値（Ｉ／ΔＩ）の平均値を用いることができる。処理部４０は、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の異常値は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の異常値は、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第１の値（Ｉ／ΔＩ）が、第１の値（Ｉ／ΔＩ）の基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the calculated first value (I / ΔI) is an abnormal value (step S9). The determination as to whether or not the calculated first value (I / ΔI) is an abnormal value is performed by, for example, the
また、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、異常値か否かの判定は、上述したようにして、例えば処理部４０により行われる。算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が異常値に該当するか否かは、上述したように、当該第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値から乖離しているか否かにより判定される。第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値としては、例えば第２の値（Ｖ／ΔＶ）の平均値を用いることができる。処理部４０は、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の異常値は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の異常値は、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第２の値（Ｖ／ΔＶ）が、第２の値（Ｖ／ΔＶ）の基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the calculated second value (V / ΔV) is an abnormal value (step S9). The determination as to whether or not the calculated second value (V / ΔV) is an abnormal value is performed by, for example, the
また、算出された第３の値Ｔが異常値か否かを判定する（ステップＳ９）。算出された第３の値Ｔが、異常値か否かの判定は、上述したように、例えば処理部４０により行われる。算出された第３の値Ｔが異常値に該当するか否かは、上述したように、当該第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値から乖離しているか否かにより判定される。第３の値Ｔの基準値としては、例えば第３の値Ｔの平均値を用いることができる。即ち、処理部４０は、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値に対して著しく小さい場合には、異常値と判定する。例えば、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値の１０分の１以下の場合に、異常値と判定する。なお、第３の値Ｔの異常値は、第３の値Ｔの基準値の１０分の１以下に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値に対して著しく大きい場合にも、異常値と判定する。例えば、算出された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値の１０倍以上の場合に、異常値と判定する。なお、第３の値Ｔの異常値は、第３の値Ｔの基準値の１０倍以上に限定されるものではなく、適宜設定し得る。また、処理部４０は、取得された第３の値Ｔが、第３の値Ｔの基準値と異なる符号の場合に、異常値と判定する。
Further, it is determined whether or not the calculated third value T is an abnormal value (step S9). The determination as to whether or not the calculated third value T is an abnormal value is performed by, for example, the
スパッタリング電流Ｉ、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧Ｖ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値、第２の値、及び、第３の値のいずれかが異常値を示した場合には、処理部４０は、異常事象が生じたと判定する。異常事象が生じたと判定した場合には、処理部４０は、異常事象が生じた旨を表示部４４に表示させる。また、処理部４０は、異常事象が生じた旨を記憶部４２に記憶する。異常事象が生じたと判定した場合には、処理部４０は、スパッタリングの処理を終了させる（ステップＳ１０）。
If any one of the sputtering current I, the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage V, the sputtering voltage change amount ΔV, the first value, the second value, and the third value shows an abnormal value, The
一方、スパッタリング電流Ｉ、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧Ｖ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、及び、第１〜第３の値のいずれも異常値を示さない場合には、所定のスパッタリング時間に達したか否かを判断する（ステップＳ１１）。所定のスパッタリング時間に達していない場合には、スパッタリングを継続し、上記のステップＳ２〜Ｓ９を繰り返す。所定のスパッタリング時間に達した場合には、処理部４２はスパッタリングの処理を終了させる（ステップＳ１０）。
On the other hand, when none of the sputtering current I, the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage V, the sputtering voltage change amount ΔV, and the first to third values indicate an abnormal value, a predetermined sputtering time has been reached. Whether or not (step S11). If the predetermined sputtering time has not been reached, sputtering is continued and steps S2 to S9 are repeated. When the predetermined sputtering time is reached, the
こうして、スパッタリング法により半導体ウェハ１８上に所望の膜１９が堆積される（図３（ｂ）参照）。
Thus, a desired
この後、必要に応じて、膜１９のエッチング等が行われ、半導体装置が製造される。
Thereafter, if necessary, the
図４は、アルミニウム（Ａｌ）膜を成膜した際の各種データを示す図である。Ａｌ膜を成膜する際には、ターゲットの材料としてＡｌを用いた。 FIG. 4 is a diagram showing various data when an aluminum (Al) film is formed. When forming the Al film, Al was used as a target material.
なお、実際には、直流電源３６からスパッタリング電極１４に印加される電圧の極性は負である。しかし、慣例により、図４乃至図６においては、スパッタリング電流Ｉ、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧Ｖ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、及び、Ｔの値の符号を反転して表記している。
In practice, the polarity of the voltage applied from the
図４（ａ）は、正常時のデータの例、即ち、正常例を示している。正常例１〜正常例４は、それぞれ別個の半導体ウェハにＡｌ膜を成膜した際のデータである。図４（ｂ）は、正常時のデータの平均値を示している。図４（ｃ）は、異常事象が生じた際のデータ（その１）、即ち、異常例を示している。図４（ｃ）に示す異常例１，２のデータは、異常放電が生じた際のものである。図４（ｄ）は、異常事象が生じた際のデータ（その２）、即ち、異常例を示している。図４（ｄ）に示す異常例３のデータは、半導体ウェハの破片等が残存している載置台２０上に半導体ウェハ１８が載置されたため、載置台２０を冷却するためのＡｒガスがチャンバ１２内にリークし、チャンバ１２内において圧力異常が生じた際のものである。
FIG. 4A shows an example of normal data, that is, a normal example. Normal example 1 to normal example 4 are data when an Al film is formed on a separate semiconductor wafer. FIG. 4B shows the average value of normal data. FIG. 4C shows data (part 1) when an abnormal event occurs, that is, an example of abnormality. The data of abnormal examples 1 and 2 shown in FIG. 4C are obtained when an abnormal discharge occurs. FIG. 4D shows data (part 2) when an abnormal event occurs, that is, an example of abnormality. 4D shows that the data of the abnormality example 3 shows that the Ar gas for cooling the mounting table 20 is stored in the chamber because the
異常例１，２におけるスパッタリング電流変化量ΔＩ（図４（ｃ）参照）の符号は、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値（図４（ｂ）参照）の符号と異なっている。また、異常値１，２におけるスパッタリング電圧変化量ΔＶ（図４（ｃ）参照）の符号は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値（図４（ｂ）参照）の符号と異なっている。この場合、本実施形態による半導体製造装置１０は、スパッタリング電流変化量ΔＩが異常値を示したと判定し、また、スパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値を示したと判定する。
The sign of the sputtering current change amount ΔI (see FIG. 4C) in the abnormal examples 1 and 2 is different from the sign of the average value of the sputtering current change amount ΔI (see FIG. 4B). Further, the sign of the sputtering voltage change ΔV (see FIG. 4C) at the abnormal values 1 and 2 is different from the sign of the average value of the sputtering voltage change ΔV (see FIG. 4B). In this case, the
このように、本実施形態による半導体製造装置１０は、異常事象が生じたことを確実に検出し得る。
As described above, the
スパッタリング電流変化量ΔＩの符号が、過去に取得したスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値の符号と異なるようになる一般的な要因は、異常放電であると考えられる。従って、スパッタリング電流変化量ΔＩの符号が、過去に取得したスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値の符号と異なった場合には、処理部４０は、異常放電が生じたと判定することが可能である。
It is considered that a general factor that causes the sign of the sputtering current change amount ΔI to differ from the sign of the average value of the sputtering current change amount ΔI acquired in the past is abnormal discharge. Therefore, when the sign of the sputtering current change amount ΔI is different from the sign of the average value of the sputtering current change amount ΔI acquired in the past, the
スパッタリング電圧変化量ΔＶの符号が、過去に取得したスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値の符号と異なるようになる一般的な要因は、異常放電であると考えられる。従って、スパッタリング電流電圧量ΔＶの符号が、過去に取得したスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値の符号と異なった場合には、処理部４０は、異常放電が生じたと判定することが可能である。
A general factor that causes the sign of the sputtering voltage change amount ΔV to differ from the sign of the average value of the sputtering voltage change amount ΔV acquired in the past is considered to be abnormal discharge. Therefore, when the sign of the sputtering current voltage amount ΔV is different from the sign of the average value of the sputtering voltage change amount ΔV acquired in the past, the
異常例３におけるスパッタリング電流変化量ΔＩ（図４（ｄ）参照）は、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値（図４（ｂ）参照）の１０分の１以下になっている。また、異常例３におけるスパッタリング電圧変化量ΔＶ（図４（ｄ）参照）は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値（図４（ｂ）参照）の１０分の１以下になっている。また、異常例３における第３の値Ｔ（図４（ｄ）参照）は、第３の値Ｔの平均値（図４（ｂ）参照）の１０倍以上になっている。この場合、本実施形態による半導体製造装置１０は、スパッタリング電流変化量ΔＩが異常値を示したと判定し、また、スパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値を示したと判定し、また、第３の値Ｔが異常値を示したと判定する。
Sputtering current change amount ΔI (see FIG. 4D) in abnormality example 3 is 1/10 or less of the average value of sputtering current change amount ΔI (see FIG. 4B). Further, the amount of change ΔV in sputtering voltage (see FIG. 4D) in the abnormality example 3 is 1/10 or less of the average value of the amount of change ΔV in sputtering voltage (see FIG. 4B). Further, the third value T (see FIG. 4D) in the abnormality example 3 is 10 times or more the average value of the third value T (see FIG. 4B). In this case, the
このように、本実施形態による半導体製造装置１０は、異常事象が生じたことを確実に検出し得る。
As described above, the
スパッタリング電流変化量ΔＩが、過去に取得したスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値に対して著しく小さくなる一般的な要因は、チャンバ内圧力異常であると考えられる。従って、スパッタリング電流変化量ΔＩが、過去に取得したスパッタリング電流変化量ΔＩの平均値に対して著しく小さくなった場合には、処理部４０は、チャンバ内圧力異常が生じたと判定することが可能である。
It is considered that a general factor that causes the sputtering current change amount ΔI to be significantly smaller than the average value of the sputtering current change amount ΔI acquired in the past is an abnormal pressure in the chamber. Therefore, when the sputtering current change amount ΔI becomes significantly smaller than the average value of the sputtering current change amounts ΔI acquired in the past, the
また、スパッタリング電圧変化量ΔＶが、過去に取得したスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値に対して著しく小さくなる一般的な要因は、チャンバ内圧力異常であると考えられる。従って、スパッタリング電流電圧量ΔＶの符号が、過去に取得したスパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値に対して著しく小さくなった場合には、処理部４０は、チャンバ内圧力異常が生じたと判定することが可能である。
Further, it is considered that a general factor that makes the sputtering voltage change amount ΔV significantly smaller than the average value of the sputtering voltage change amount ΔV acquired in the past is an abnormal pressure in the chamber. Therefore, when the sign of the sputtering current voltage amount ΔV becomes significantly smaller than the average value of the sputtering voltage change amount ΔV acquired in the past, the
図５は、窒化タンタル（ＴａＮ）膜を成膜した際の各種データを示す図である。ＴａＮ膜を成膜する際には、ターゲットの材料としてＴａを用いた。 FIG. 5 is a diagram showing various data when a tantalum nitride (TaN) film is formed. When forming the TaN film, Ta was used as a target material.
図５（ａ）は、正常時のデータの例、即ち、正常例を示している。正常例５，６は、それぞれ別個の半導体ウェハにＴａＮ膜を成膜した際のデータである。図５（ｂ）は、正常時のデータの平均値を示している。図５（ｃ）は、異常事象が生じた際のデータ、即ち、異常例を示している。なお、図５（ｃ）に示す異常例４のデータは、異常放電が生じた際のものである。 FIG. 5A shows an example of normal data, that is, a normal example. Normal examples 5 and 6 are data when TaN films are formed on separate semiconductor wafers. FIG. 5B shows the average value of normal data. FIG. 5C shows data when an abnormal event occurs, that is, an abnormal example. In addition, the data of the abnormality example 4 shown in FIG.5 (c) is a thing at the time of abnormal discharge having arisen.
異常例４におけるスパッタリング電流変化量ΔＩ（図５（ｃ）参照）の符号は、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値（図５（ｂ）参照）の符号と異なっている。また、異常例４におけるスパッタリング電圧変化量ΔＶ（図５（ｃ）参照）の符号は、スパッタリング電圧変化量ΔＶの平均値（図５（ｂ）参照）の符号と異なっている。この場合、本実施形態による半導体製造装置１０は、スパッタリング電流変化量ΔＩが異常値を示したと判定し、また、スパッタリング電圧変化量ΔＶが異常値を示したと判定する。
The sign of the sputtering current change amount ΔI (see FIG. 5C) in the abnormality example 4 is different from the sign of the average value of the sputtering current change amount ΔI (see FIG. 5B). In addition, the sign of the sputtering voltage change ΔV (see FIG. 5C) in the abnormality example 4 is different from the sign of the average value of the sputtering voltage change ΔV (see FIG. 5B). In this case, the
このように、本実施形態による半導体製造装置１０は、異常事象が生じたことを確実に検出し得る。
As described above, the
図６は、チタン（Ｔｉ）膜を成膜した際の各種データを示す図である。Ｔｉ膜を成膜する際には、ターゲットの材料としてＴｉを用いた。 FIG. 6 is a diagram showing various data when a titanium (Ti) film is formed. When forming a Ti film, Ti was used as a target material.
図６（ａ）は、正常時のデータの例、即ち、正常例を示している。正常例７〜正常例１０は、それぞれ別個の半導体ウェハにＴｉ膜を成膜した際のデータである。図６（ｂ）は、正常時のデータの平均値を示している。図６（ｃ）は、異常事象が生じた際のデータ、即ち、異常例を示している。図６（ｃ）に示す異常例５のデータは、半導体ウェハの破片等が残存している載置台２０上に半導体ウェハ１８が載置されたため、載置台２０を冷却するためのＡｒガスがチャンバ１２内にリークし、チャンバ１２内において圧力異常が生じた際のものである。
FIG. 6A shows an example of normal data, that is, a normal example. Normal example 7 to normal example 10 are data when Ti films are formed on separate semiconductor wafers. FIG. 6B shows the average value of normal data. FIG. 6C shows data when an abnormal event occurs, that is, an abnormal example. The data of the abnormal example 5 shown in FIG. 6C is that the Ar gas for cooling the mounting table 20 is stored in the chamber because the
異常例５におけるスパッタリング電流変化量ΔＩ（図６（ｃ）参照）は、スパッタリング電流変化量ΔＩの平均値（図６（ｂ）参照）の１０分の１以下になっている。また、異常例５における第３の値Ｔ（図６（ｃ）参照）の符号は、第３の値Ｔの平均値（図６（ｂ）参照）の符号と異なっている。この場合、本実施形態による半導体製造装置１０は、スパッタリング電流変化量ΔＩが異常値を示したと判定し、また、第３の値Ｔが異常値を示したと判定する。
Sputtering current change amount ΔI (see FIG. 6C) in abnormality example 5 is 1/10 or less of the average value of sputtering current change amount ΔI (see FIG. 6B). Further, the sign of the third value T (see FIG. 6C) in the abnormality example 5 is different from the sign of the average value of the third value T (see FIG. 6B). In this case, the
このように、本実施形態による半導体製造装置１０は、異常事象が生じたことを確実に検出し得る。
As described above, the
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
[Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
例えば、上記実施形態では、スパッタリング電流Ｉ、スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧Ｖ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値（Ｉ／ΔＩ）、第２の値（Ｖ／ΔＶ）及び第３の値Ｔのデータについて、異常値か否かの判定を行った。しかし、異常値か否かの判断を、必ずしもこれら全てのデータについて行わなくてもよい。スパッタリング電流変化量ΔＩ、スパッタリング電圧変化量ΔＶ、第１の値（Ｉ／ΔＩ）、第２の値（Ｖ／ΔＶ）及び第３の値Ｔのうちの少なくともいずれかのデータについて、異常値か否かの判断を行うようにしてもよい。 For example, in the above embodiment, the sputtering current I, the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage V, the sputtering voltage change amount ΔV, the first value (I / ΔI), the second value (V / ΔV), and the third value Whether or not the data of the value T is an abnormal value was determined. However, it is not always necessary to determine whether or not the value is an abnormal value for all of these data. Whether at least one of the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage change amount ΔV, the first value (I / ΔI), the second value (V / ΔV), and the third value T is an abnormal value. You may make it judge whether or not.
また、上記実施形態では、上記式（６）のように、第１の値（Ｉ／ΔＩ）と第２の値（Ｖ／ΔＶ）との和に（−０．５）を乗じた値Ｔを算出したが、第１の値（Ｉ／ΔＩ）と第２の値（Ｖ／ΔＶ）との和に（−０．５）を乗じなくてもよい。即ち、以下の式（７）のように第３の値としてＴ′の値を算出するようにしてもよい。 In the above embodiment, the value T obtained by multiplying the sum of the first value (I / ΔI) and the second value (V / ΔV) by (−0.5) as in the above formula (6). However, the sum of the first value (I / ΔI) and the second value (V / ΔV) may not be multiplied by (−0.5). That is, the value of T ′ may be calculated as the third value as in the following formula (7).
Ｔ′＝（Ｉ／ΔＩ ＋ Ｖ／ΔＶ） ・・・（７）
このように、第１の値（Ｉ／ΔＩ）と第２の値（Ｖ／ΔＶ）との和に基づく第３の値Ｔ′を算出すればよい。
T ′ = (I / ΔI + V / ΔV) (7)
Thus, the third value T ′ based on the sum of the first value (I / ΔI) and the second value (V / ΔV) may be calculated.
また、上記実施形態では、過去に取得した複数のデータの平均値を基準値として用いたが、これに限定されるものではない。例えば、過去に取得した複数のデータを統計的に処理する等により、基準値を設定してもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the average value of several data acquired in the past was used as a reference value, it is not limited to this. For example, the reference value may be set by statistically processing a plurality of data acquired in the past.
また、基準値に範囲を設定してもよい（基準範囲）。そして、基準値の範囲（基準範囲）から外れた場合に、異常値と判定してもよい。例えば、正常と判定し得る範囲を基準範囲として設定し、取得されたデータが基準範囲の上限より大きい場合や、取得されたデータが基準範囲の下限より小さい場合や、取得されたデータの符号が基準範囲内の符号と異なる場合に、異常値と判定してもよい。 Further, a range may be set for the reference value (reference range). And when it remove | deviates from the range (reference range) of a reference value, you may determine with an abnormal value. For example, a range that can be determined as normal is set as a reference range, and the acquired data is larger than the upper limit of the reference range, the acquired data is smaller than the lower limit of the reference range, or the code of the acquired data is You may determine with an abnormal value when different from the code | symbol in a reference | standard range.
また、上記実施形態では、異常事象として、異常放電やチャンバ内の圧力異常等を検出する場合を例に説明したが、異常事象は、これらに限定されるものではない。例えば、ターゲットが消耗した場合等についても、異常事象として検出することが可能である。ターゲットが消耗した場合には、スパッタリング電流変化量ΔＩやスパッタリング電圧変化量ΔＶ等が著しく小さくなるため、スパッタリング電流変化量ΔＩやスパッタリング電圧変化量ΔＶ等が異常値となる。従って、スパッタリング電流変化量ΔＩやスパッタリング電圧変化量ΔＶ等が異常値となったことに基づいて、ターゲットが消耗したという異常事象を検出することが可能である。 In the above embodiment, the case where an abnormal discharge, an abnormal pressure in the chamber, or the like is detected as an abnormal event has been described as an example. However, the abnormal event is not limited thereto. For example, even when the target is consumed, it can be detected as an abnormal event. When the target is consumed, the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage change amount ΔV, and the like become extremely small, and thus the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage change amount ΔV, and the like become abnormal values. Therefore, it is possible to detect an abnormal event that the target is consumed based on the abnormal values of the sputtering current change amount ΔI, the sputtering voltage change amount ΔV, and the like.
また、上記実施形態では、単位時間当たりのスパッタリング電流の変化量であるスパッタリング電流変化量ΔＩを算出する際に、単位時間を１秒とする場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。異常事象がスパッタリング電流変化量ΔＩの値に顕在化しやすいように、単位時間を設定すればよい。 In the above embodiment, the case where the unit time is set to 1 second when calculating the sputtering current change amount ΔI, which is the change amount of the sputtering current per unit time, is described as an example. However, the present invention is not limited to this. is not. The unit time may be set so that an abnormal event is easily manifested in the value of the sputtering current change amount ΔI.
また、上記実施形態では、単位時間当たりのスパッタリング電圧の変化量であるスパッタリング電圧変化量ΔＶを算出する際に、単位時間を１秒とする場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。異常事象がスパッタリング電圧変化量ΔＶの値に顕在化しやすいように、単位時間を設定すればよい。 In the above embodiment, the case where the unit time is set to 1 second when calculating the amount of change ΔV in the sputtering voltage, which is the amount of change in the sputtering voltage per unit time, is described as an example. is not. The unit time may be set so that an abnormal event is easily manifested in the value of the sputtering voltage change amount ΔV.
また、上記実施形態では、直流電源３６を定電力制御する場合を例に説明したが、定電力制御の半導体製造装置に限定されるものではない。定電力制御の半導体製造装置でなくても、異常事象が生じた場合には、スパッタリング電流変化量ΔＩやスパッタリング電圧変化量ΔＶが著しく変動し場合があるからである。
In the above-described embodiment, the case where the
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。 Regarding the above embodiment, the following additional notes are disclosed.
（付記１）
スパッタリング用直流電源からスパッタリング電極に供給されるスパッタリング電流又はスパッタリング電圧を順次測定する測定部と、
前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出する処理部と
を有することを特徴とする半導体製造装置。
(Appendix 1)
A measuring unit for sequentially measuring a sputtering current or a sputtering voltage supplied to a sputtering electrode from a DC power supply for sputtering;
A sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount. 1 value, the second value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or the third value based on the sum of the first value and the second value is an abnormal value. And a processing unit that detects that an abnormal event has occurred during sputtering.
（付記２）
付記１記載の半導体製造装置において、
前記スパッタリング電流変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記スパッタリング電圧変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記第１の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第２の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第３の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値と異なる符号の値である
ことを特徴とする半導体製造装置。
(Appendix 2)
In the semiconductor manufacturing apparatus according to attachment 1,
The abnormal value related to the amount of change in the sputtering current is a value equal to or less than one tenth of the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past, and the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering current changes obtained in the past,
The abnormal value related to the amount of change in sputtering voltage is a value equal to or less than 1/10 of the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past, and the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering voltage changes obtained in the past,
The abnormal value related to the first value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of first values acquired in the past, and an average value of the plurality of first values acquired in the past Or a value of a sign different from the average value of the plurality of first values acquired in the past,
The abnormal value related to the second value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of second values acquired in the past, and an average value of the plurality of second values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of second values acquired in the past,
The abnormal value related to the third value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of third values acquired in the past, and an average value of the plurality of third values acquired in the past Or a value having a sign different from the average value of the plurality of third values acquired in the past.
（付記３）
スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値を算出するステップと、
前記スパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧変化量、前記第１の値、前記第２の値又は前記第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出するステップと
を有することを特徴とする半導体製造装置の異常検出方法。
(Appendix 3)
Sputtering current change amount that is a change amount per unit time of sputtering current, sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of sputtering voltage, and a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount. Calculating a value, a second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or a third value based on a sum of the first value and the second value;
Based on the fact that the amount of change in sputtering current, amount of change in sputtering voltage, the first value, the second value, or the third value showed an abnormal value, an abnormal event occurred during sputtering. And detecting an abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus.
（付記４）
付記３記載の半導体製造装置の異常検出方法において、
前記スパッタリング電流変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記スパッタリング電圧変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記第１の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第２の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第３の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値と異なる符号の値である
ことを特徴とする半導体製造装置の異常検出方法。
(Appendix 4)
In the method for detecting an abnormality of a semiconductor manufacturing apparatus according to attachment 3,
The abnormal value related to the amount of change in the sputtering current is a value equal to or less than one tenth of the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past, and the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering current changes obtained in the past,
The abnormal value related to the amount of change in sputtering voltage is a value equal to or less than 1/10 of the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past, and the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering voltage changes obtained in the past,
The abnormal value related to the first value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of first values acquired in the past, and an average value of the plurality of first values acquired in the past Or a value of a sign different from the average value of the plurality of first values acquired in the past,
The abnormal value related to the second value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of second values acquired in the past, and an average value of the plurality of second values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of second values acquired in the past,
The abnormal value related to the third value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of third values acquired in the past, and an average value of the plurality of third values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of third values acquired in the past.
（付記５
スパッタリング電流又はスパッタリング電圧を順次測定しながら、基板上にスパッタリング法により第１の膜を成膜する工程を有し、
前記第１の膜を成膜する工程では、前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、異常事象が生じたことを検出する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(Appendix 5
A step of forming a first film on a substrate by sputtering while sequentially measuring a sputtering current or a sputtering voltage;
In the step of forming the first film, a sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and the sputtering current are calculated. A first value that is a value divided by the amount of change in sputtering current, a second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in sputtering voltage, or the first value and the second value A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: detecting that an abnormal event has occurred based on the fact that the third value based on the sum of the values indicates an abnormal value.
（付記６）
付記５記載の半導体装置の製造方法において、
前記スパッタリング電流変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記スパッタリング電圧変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記第１の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第２の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第３の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値と異なる符号の値である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(Appendix 6)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 5,
The abnormal value related to the amount of change in the sputtering current is a value equal to or less than one tenth of the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past, and the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering current changes obtained in the past,
The abnormal value related to the amount of change in sputtering voltage is a value equal to or less than 1/10 of the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past, and the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering voltage changes obtained in the past,
The abnormal value related to the first value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of first values acquired in the past, and an average value of the plurality of first values acquired in the past Or a value of a sign different from the average value of the plurality of first values acquired in the past,
The abnormal value related to the second value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of second values acquired in the past, and an average value of the plurality of second values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of second values acquired in the past,
The abnormal value related to the third value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of third values acquired in the past, and an average value of the plurality of third values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of third values acquired in the past.
１０…半導体製造装置
１２…チャンバ
１４…バッキングプレート
１６…ターゲット
１８…半導体ウェハ
１９…膜
２０…載置台
２２…磁場発生部
２４…シールド
２５…絶縁体
２６…ガス導入口
２８…配管
３０…排気口
３２…配管
３４…開口
３５…開閉機構
３６…直流電源
３８…測定部
４０…処理部
４２…記憶部
４４…表示部
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出する処理部と
を有することを特徴とする半導体製造装置。 A measuring unit for sequentially measuring a sputtering current or a sputtering voltage supplied to a sputtering electrode from a DC power supply for sputtering;
A sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount. 1 value, the second value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or the third value based on the sum of the first value and the second value is an abnormal value. And a processing unit that detects that an abnormal event has occurred during sputtering.
前記スパッタリング電流変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電流変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記スパッタリング電圧変化量に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記スパッタリング電圧変化量の平均値と異なる符号の値であり、
前記第１の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第１の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第２の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第２の値の平均値と異なる符号の値であり、
前記第３の値に関する前記異常値は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０分の１以下の値、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値の１０倍以上の値、又は、過去に取得された複数の前記第３の値の平均値と異なる符号の値である
ことを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1.
The abnormal value related to the amount of change in the sputtering current is a value equal to or less than one tenth of the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past, and the average value of the amount of change in the sputtering current acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering current changes obtained in the past,
The abnormal value related to the amount of change in sputtering voltage is a value equal to or less than 1/10 of the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past, and the average value of the plurality of sputtering voltage changes acquired in the past. Or a value with a sign different from the average value of the plurality of sputtering voltage changes obtained in the past,
The abnormal value related to the first value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of first values acquired in the past, and an average value of the plurality of first values acquired in the past Or a value of a sign different from the average value of the plurality of first values acquired in the past,
The abnormal value related to the second value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of second values acquired in the past, and an average value of the plurality of second values acquired in the past Or a value with a sign different from the average value of the plurality of second values acquired in the past,
The abnormal value related to the third value is a value of 1/10 or less of an average value of the plurality of third values acquired in the past, and an average value of the plurality of third values acquired in the past Or a value having a sign different from the average value of the plurality of third values acquired in the past.
前記スパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧変化量、前記第１の値、前記第２の値又は前記第３の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出するステップと
を有することを特徴とする半導体製造装置の異常検出方法。 Sputtering current change amount that is a change amount per unit time of sputtering current, sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of sputtering voltage, and a value obtained by dividing the sputtering current by the sputtering current change amount. Calculating a value, a second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in the sputtering voltage, or a third value based on a sum of the first value and the second value;
Based on the fact that the amount of change in sputtering current, amount of change in sputtering voltage, the first value, the second value, or the third value showed an abnormal value, an abnormal event occurred during sputtering. And detecting an abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus.
前記第１の膜を成膜する工程では、前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量、前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量、前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流変化量で除算した値である第１の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧変化量で除算した値である第２の値、又は、前記第１の値と前記第２の値との和に基づく第３の値が、異常値を示したことに基づいて、異常事象が生じたことを検出する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A step of forming a first film on a substrate by sputtering while sequentially measuring a sputtering current or a sputtering voltage;
In the step of forming the first film, a sputtering current change amount that is a change amount per unit time of the sputtering current, a sputtering voltage change amount that is a change amount per unit time of the sputtering voltage, and the sputtering current are calculated. A first value that is a value divided by the amount of change in sputtering current, a second value that is a value obtained by dividing the sputtering voltage by the amount of change in sputtering voltage, or the first value and the second value A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: detecting that an abnormal event has occurred based on the fact that the third value based on the sum of the values indicates an abnormal value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013083636A JP6079396B2 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | Semiconductor manufacturing apparatus, abnormality detection method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013083636A JP6079396B2 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | Semiconductor manufacturing apparatus, abnormality detection method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014205880A true JP2014205880A (en) | 2014-10-30 |
| JP6079396B2 JP6079396B2 (en) | 2017-02-15 |
Family
ID=52119682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013083636A Expired - Fee Related JP6079396B2 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | Semiconductor manufacturing apparatus, abnormality detection method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6079396B2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070174A (en) * | 1983-09-28 | 1985-04-20 | Hitachi Ltd | Sputtering device |
| JP2006024771A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011527379A (en) * | 2008-06-17 | 2011-10-27 | シュナイダー エレクトリック ユーエスエイ インコーポレイテッド | Apparatus and method for wafer level arc detection |
| WO2012023276A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 株式会社アルバック | Direct current power supply device |
-
2013
- 2013-04-12 JP JP2013083636A patent/JP6079396B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070174A (en) * | 1983-09-28 | 1985-04-20 | Hitachi Ltd | Sputtering device |
| JP2006024771A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011527379A (en) * | 2008-06-17 | 2011-10-27 | シュナイダー エレクトリック ユーエスエイ インコーポレイテッド | Apparatus and method for wafer level arc detection |
| WO2012023276A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 株式会社アルバック | Direct current power supply device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6079396B2 (en) | 2017-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102693892B (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US9466519B2 (en) | De-chuck control method and control device for plasma processing apparatus | |
| JP5227264B2 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, program | |
| US8121799B2 (en) | Life estimating method for heater wire, heating apparatus, storage medium, and life estimating system for heater wire | |
| JP5743266B2 (en) | Film forming apparatus and calibration method | |
| TWI782133B (en) | Plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program | |
| CN107533970A (en) | Clean method and method of plasma processing | |
| US20100321029A1 (en) | Plasma measuring method, plasma measuring device and storage medium | |
| KR20190056323A (en) | Plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program | |
| US9207689B2 (en) | Substrate temperature control method and plasma processing apparatus | |
| US11867458B2 (en) | Temperature sensor, temperature measuring device, and temperature measuring method | |
| JP2020141116A (en) | Plasma processing device, plasma state detection method, and plasma state detection program | |
| TW201236097A (en) | Substrate processing method and storage medium storing program for executing the method | |
| JP5131774B2 (en) | Sputtering apparatus and flat panel display manufacturing method using sputtering apparatus | |
| JP6079396B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, abnormality detection method thereof, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2006328510A (en) | Plasma treatment method and device | |
| JP2013153017A (en) | Determination method of substrate suction state and plasma processing apparatus | |
| JPWO2012067183A1 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JP7442347B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
| JP2022068644A (en) | Contact position adjustment method for lift pin, contact position detection method for lift pin, and substrate mounting mechanism | |
| US20190003038A1 (en) | Apparatus and method for film formation by physical sputtering | |
| JP5258834B2 (en) | Slab life detection method and system | |
| KR20060100028A (en) | System for monitering an electrostatic chunk | |
| US10438830B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and wafer holding method | |
| JP2011190479A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, method of treating target surface, and program |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160106 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6079396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |