JP2014204024A - Method for manufacturing structure with conductor wiring and thermosetting resin composition and thermosetting resin film used for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導体配線を有する構造体の製造方法及びそれに用いる熱硬化性樹脂組成物並びに熱硬化性樹脂フィルムに関する。 The present invention relates to a method for producing a structure having conductor wiring, a thermosetting resin composition used therefor, and a thermosetting resin film.
導体配線を有する構造体の一つであるプリント配線基板は、コア基板上に複数の配線層が形成されたものであり、コア基板となる銅張積層体、各配線層間に設けられる層間絶縁材及び最表面に設けられるソルダーレジストを備えている。プリント配線基板上には、通常、ダイボンディング材やアンダーフィル材を介して半導体素子が実装される。また、必要に応じて、トランスファー封止材によって全面封止される場合や、放熱性の向上を目的とした金属キャップ(蓋)が装着される場合がある。近年、半導体装置の軽薄短小化は留まるところを知らず、半導体素子や多層プリント配線基板の高密度化が進んでいる。また、半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われており、今後、半導体装置の実装密度は一段と高くなると予想される。 A printed wiring board, which is one of the structures having conductor wiring, is a structure in which a plurality of wiring layers are formed on a core substrate, a copper-clad laminate serving as a core substrate, and an interlayer insulating material provided between each wiring layer And a solder resist provided on the outermost surface. A semiconductor element is usually mounted on a printed wiring board via a die bonding material or an underfill material. In addition, if necessary, the entire surface may be sealed with a transfer sealing material, or a metal cap (lid) for the purpose of improving heat dissipation may be attached. In recent years, semiconductor devices have become lighter and shorter, and the density of semiconductor elements and multilayer printed wiring boards has been increasing. Further, packaging forms such as a package-on-package in which a semiconductor device is stacked on a semiconductor device are actively performed, and it is expected that the mounting density of the semiconductor device will be further increased in the future.
ところで、プリント配線基板の層間絶縁材には、上下の配線層を電気的に接続するためのビア(開口)を設ける必要がある。プリント配線基板上に実装されるフリップチップのピン数が増加すれば、そのピン数に対応する開口を設ける必要がある。しかし、従来のプリント配線基板は実装密度が低く、また、実装する半導体素子のピン数も数千ピンから一万ピン前後の設計となっているため、小径で狭ピッチな開口を設ける必要がなかった。 Incidentally, it is necessary to provide vias (openings) for electrically connecting the upper and lower wiring layers in the interlayer insulating material of the printed wiring board. If the number of flip chip pins mounted on the printed wiring board increases, it is necessary to provide openings corresponding to the number of pins. However, the conventional printed wiring board has a low mounting density, and the number of pins of the semiconductor element to be mounted is designed from several thousand pins to around 10,000 pins, so there is no need to provide openings with a small diameter and a narrow pitch. It was.
しかしながら、半導体素子の微細化が進展し、ピン数が数万ピンから数十万ピンに増加するに従って、プリント配線基板の層間絶縁材に形成する開口も半導体素子のピン数に合わせて、狭小化する必要性が高まっている。最近では、熱硬化性樹脂材料を用いて、レーザにより開口を設けるプリント配線基板の開発が進められている(例えば特許文献1〜4参照)。
However, as miniaturization of semiconductor elements progresses and the number of pins increases from tens of thousands to hundreds of thousands of pins, the openings formed in the interlayer insulating material of the printed wiring board are also narrowed to match the number of pins of the semiconductor elements. The need to do is increasing. Recently, development of a printed wiring board in which an opening is provided by a laser using a thermosetting resin material has been advanced (see, for example,
特許文献1〜4に記載されているプリント配線基板は、熱硬化性樹脂材料を用いてレーザにより開口を設けている。
The printed wiring boards described in
図12は、従来の多層プリント配線基板の製造方法を示す図である。図12(f)に示す多層プリント配線基板100Aは表面及び内部に配線パターンを有する。多層プリント配線基板100Aは、銅張積層体、層間絶縁材及び金属箔等を積層するとともにエッチング法やセミアディティブ法によって配線パターンを適宜形成することによって得られる。
FIG. 12 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing a multilayer printed wiring board. A multilayer printed
まず、表面に配線パターン102を有する銅張積層体101の両面に層間絶縁層103を形成する(図12(a)参照)。層間絶縁層103は、熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷機やロールコータを用いて印刷してもよいし、熱硬化性樹脂組成物からなるフィルムを予め準備し、ラミネータを用いて、このフィルムをプリント配線基板の表面に貼り付けることもできる。次いで、外部と電気的に接続することが必要な箇所を、YAGレーザや炭酸ガスレーザを用いて開口104を形成し、開口104周辺のスミア(残渣)をデスミア処理により除去する(図12(b)参照)。次いで、無電解めっき法によりシード層105を形成する(図12(c)参照)。上記シード層105上に感光性樹脂組成物をラミネートし、所定の箇所を露光、現像処理して配線パターン106を形成する(図12(d)参照)。次いで、電解めっき法により配線パターン107を形成し、はく離液により感光性樹脂組成物の硬化物を除去した後、上記シード層105をエッチングにより除去する(図12(e)参照)。以上を繰り返し行い、最表面にソルダーレジスト108を形成することで多層プリント配線基板100Aを作製することができる(図12(f)参照)。
First, an
このようにして得られた多層プリント配線基板100Aは、対応する箇所に半導体素子が実装され、電気的な接続を確保することが可能である。しかしながら、このような方法で製造された多層プリント配線基板100Aは、レーザ等の新規な設備導入が必要であること、比較的大きな開口又は60μm以下の微小な開口を設けることが困難であること、開口径に合わせて使用するレーザを使い分ける必要があること、特殊な形状を設けることが困難であること等の問題がある。また、レーザを用いて開口を形成する場合、各開口を一つずつ形成しなければならないため、多数の微細な開口を設ける必要がある場合に時間が掛かること、また開口部周辺に樹脂の残渣が残るため、残渣を除去しない限り、得られる多層プリント配線基板の信頼性が低下するといった問題もある。
In the multilayer printed
一方で導体配線上にアルカリ溶液で膨潤する第一の感光性樹脂層によって開口形設部分を残存するようにパターン化する工程、このパターンを覆うように支持体上に熱硬化性樹脂層を形成する工程、前記残存感光性樹脂膜をアルカリ溶液で膨潤剥離により除去して導体配線を露出させ開口を熱硬化性樹脂層に形成する工程を備えるプリント配線板の開発が進められている(例えば特許文献5参照)。 On the other hand, the first photosensitive resin layer that swells with an alkaline solution on the conductor wiring is patterned so that the opening-shaped portion remains, and a thermosetting resin layer is formed on the support so as to cover this pattern Development of a printed wiring board comprising a step of removing the remaining photosensitive resin film by swelling and peeling with an alkaline solution to expose the conductor wiring and form an opening in the thermosetting resin layer (for example, patents) Reference 5).
特許文献5に記載されているプリント配線基板は、導体配線を露出させる開口形成にアルカリ溶液で膨潤する感光性樹脂層を用いており、導体配線を露出及び開口するために、この感光性樹脂層はアルカリ溶液で膨潤剥離させて除去する。
The printed wiring board described in
しかしながら、この手法では熱硬化性樹脂層を形成する工程で熱処理を行うために、感光性樹脂層でパターン化した部分はさらに硬化が進み、アルカリ溶液の膨潤剥離による除去が難しくなるといった問題もある。 However, in this method, since heat treatment is performed in the process of forming the thermosetting resin layer, the portion patterned with the photosensitive resin layer is further cured, and it is difficult to remove the alkaline solution by swelling and peeling. .
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を有する構造体を充分に効率的に製造する方法を提供することを目的とする。また、本発明は上記方法によって製造された導体配線を有する構造体(例えばプリント配線基板)、並びに、これらの構造体を製造するのに適した熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂フィルムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for sufficiently efficiently producing a structure having a fine opening in an insulating layer and having excellent reliability. . Further, the present invention provides a structure (for example, a printed wiring board) having a conductor wiring manufactured by the above method, and a thermosetting resin composition and a thermosetting resin film suitable for manufacturing these structures. The purpose is to provide.
上記課題の解決のため、本発明に係る導体配線を有する構造体の製造方法は、第1の導体配線を表面に有する支持体上に形成した絶縁層に開口が設けられると共に、第1の導体配線に接続される配線部が前記開口に形成されてなる第2の導体配線を有する構造体の製造方法であって、前記第1の導体配線を覆うように前記支持体上にポジ型感光性樹脂層を形成する第1の感光性樹脂層形成工程と、前記ポジ型感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第1のパターン化工程と、前記ポジ型感光性樹脂層のパターンを覆うように前記支持体上に熱硬化性樹脂層を形成する熱硬化性樹脂層形成工程と、前記熱硬化性樹脂層の一部を除去して前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの所定箇所を前記熱硬化性樹脂層から露出させるパターン露出工程と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンを除去して前記第1の導体配線を露出させる開口を前記熱硬化性樹脂層に形成する開口形成工程と、を備える。
また、本発明に係る導体配線を有する構造体の製造方法は、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンを露光及び現像工程によって除去を行うことが好ましい。
In order to solve the above-described problem, the method for manufacturing a structure having a conductor wiring according to the present invention is provided with an opening in an insulating layer formed on a support body having a first conductor wiring on the surface, and the first conductor A method for manufacturing a structure having a second conductor wiring in which a wiring portion connected to a wiring is formed in the opening, wherein the photosensitive member is formed on the support so as to cover the first conductor wiring. A first photosensitive resin layer forming step of forming a resin layer; a first patterning step of patterning the positive photosensitive resin layer by exposing and developing; and the positive photosensitive resin layer A thermosetting resin layer forming step of forming a thermosetting resin layer on the support so as to cover the pattern, and a pattern of the positive photosensitive resin layer by removing a part of the thermosetting resin layer A predetermined portion of the heat-curing resin layer is exposed from the thermosetting resin layer. Forming an opening in the thermosetting resin layer for removing the pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer and exposing the first conductor wiring A process.
Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the structure which has a conductor wiring which concerns on this invention removes the pattern of the said positive photosensitive resin layer exposed from the said thermosetting resin layer by an exposure and image development process.
この導体配線を有する構造体の製造方法では、熱硬化性樹脂層に形成する開口の形状に合わせて、第1のパターン化工程においてポジ型感光性樹脂層を用いてパターン化することにより、様々な開口を容易に形成することができる。また、この構造体(プリント配線基板)の製造方法では、導体配線を露出及び開口するための感光性樹脂層の除去工程において、露光・現像で容易に除去が可能となる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口を設ける必要が生じた場合でも、優れた信頼性を有するプリント配線基板を効率的に製造することができる。 In the manufacturing method of the structure having the conductor wiring, various patterns can be obtained by patterning using the positive photosensitive resin layer in the first patterning process in accordance with the shape of the opening formed in the thermosetting resin layer. A simple opening can be easily formed. Further, in this method for manufacturing a structure (printed wiring board), the photosensitive resin layer can be easily removed by exposure and development in the step of removing the photosensitive resin layer for exposing and opening the conductor wiring. For this reason, even when the number of pins of the semiconductor element increases and a large number of fine openings need to be provided, a printed wiring board having excellent reliability can be efficiently manufactured.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理及びデスミア処理とを施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理及びデスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 Further, as a process immediately after the thermosetting resin layer forming process, a thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposing process and the opening forming process, plasma processing and desmear processing are performed. By applying, it is preferable to remove part of the thermosetting resin layer after the thermosetting and remove the pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be quickly exposed by plasma treatment and desmear treatment, and residues around the opening can be more reliably reduced.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、前記パターン露出工程及び開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行うことが好ましい。この場合、デスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 Further, as a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, further comprising a thermosetting step for thermosetting the thermosetting resin layer, and by applying a desmear treatment in the pattern exposure step and the opening forming step, It is preferable to remove a part of the thermosetting resin layer and remove the pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be quickly exposed by the desmear process, and the residue around the opening can be more reliably reduced.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、前記パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去を行い、前記開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去を行うことが好ましい。この場合、研磨処理又はデスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、デスミア処理によって開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 Further, as a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposure step, a polishing treatment is performed, so that after the thermosetting Removing a part of the thermosetting resin layer, and removing the pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer by performing a desmear process in the opening forming step. Is preferred. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be exposed promptly by the polishing process or the desmear process, and the residue around the opening can be more reliably reduced by the desmear process.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 Further, as a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and plasma treatment is performed in the pattern exposing step and the opening forming step. It is preferable that a part of the thermosetting resin layer after the thermosetting is removed and a pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer is removed. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and the residue around the opening can be more reliably reduced.
また、前記パターン露出工程と前記開口形成工程との間の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、前記パターン露出工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部の除去し、前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層から露出したポジ型感光性樹脂層の除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 Further, as a step between the pattern exposure step and the opening forming step, a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposure step, a plasma treatment is performed to perform thermosetting. Removal of a part of the previous thermosetting resin layer, and removal of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer after the thermosetting by performing plasma treatment in the opening forming step. Preferably it is done. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and the residue around the opening can be more reliably reduced.
前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層の除去とを行い、前記開口形成工程の後工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備える行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層のパターンを露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。 In the pattern exposure step and the opening formation step, plasma treatment is performed to remove a part of the thermosetting resin layer before thermosetting, and the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer. It is preferable to further include a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer as a subsequent step of the opening forming step. In this case, the pattern of the positive photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and the residue around the opening can be more reliably reduced.
また、前記熱硬化工程において、前記熱硬化性樹脂層の温度を150〜250℃とし、且つ加熱時間を30〜300分とすることが好ましい。熱硬化性樹脂層の温度を150℃以上、加熱時間を30分以上とすると、熱硬化性樹脂層を充分に硬化することができるため、その後のパターン露出工程及び開口形成工程において、熱硬化性樹脂層を除去し易くなり、導体配線を露出し易くなる。一方、熱硬化性樹脂層の温度を250℃以下、加熱時間を300分以下とすると、導体配線表面の銅の酸化を抑えることができ、銅界面で熱硬化性樹脂層がはく離することを防げる。 Moreover, in the said thermosetting process, it is preferable that the temperature of the said thermosetting resin layer shall be 150-250 degreeC, and heating time shall be 30-300 minutes. When the temperature of the thermosetting resin layer is 150 ° C. or more and the heating time is 30 minutes or more, the thermosetting resin layer can be sufficiently cured. Therefore, in the subsequent pattern exposure step and opening formation step, thermosetting It becomes easy to remove the resin layer and easily expose the conductor wiring. On the other hand, if the temperature of the thermosetting resin layer is 250 ° C. or less and the heating time is 300 minutes or less, oxidation of copper on the surface of the conductor wiring can be suppressed, and peeling of the thermosetting resin layer at the copper interface can be prevented. .
また、前記熱硬化工程において、不活性ガスの雰囲気で前記熱硬化を行うことが好ましい。不活性ガスの雰囲気で熱硬化を行うことにより、熱硬化工程において導体配線表面の銅の酸化を抑制することができる。 Moreover, it is preferable to perform the said thermosetting in the atmosphere of an inert gas in the said thermosetting process. By performing thermosetting in an inert gas atmosphere, copper oxidation on the surface of the conductor wiring can be suppressed in the thermosetting step.
また、前記開口を形成した後の熱硬化性樹脂層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法により前記配線部の下地となるシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層を覆うように、第2の感光性樹脂層を形成後、前記第2の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第2のパターン化工程と、前記シード層を少なくとも覆うように、電解めっき法により前記配線部を形成後、はく離処理により前記第2の感光性樹脂層のパターンをはく離して前記配線部をパターン化する配線部パターン化工程と、前記配線部が形成されていない領域のシード層を除去するシード層除去工程と、を更に備えることが好ましい。シード層を形成することにより、電解めっき法による配線部の形成が可能になり、配線部を選択的にパターン化することができる。 A seed layer forming step of forming a seed layer as a base of the wiring portion by an electroless plating method so as to cover at least a part of the thermosetting resin layer after the opening is formed; A second patterning step of forming a second photosensitive resin layer so as to cover and then patterning the second photosensitive resin layer by subjecting the second photosensitive resin layer to an exposure process and a development process, and so as to cover at least the seed layer In addition, after forming the wiring part by electrolytic plating, the wiring part patterning step of patterning the wiring part by peeling off the pattern of the second photosensitive resin layer by a peeling process and the wiring part are formed. It is preferable to further include a seed layer removing step of removing a seed layer in a region that is not. By forming the seed layer, the wiring part can be formed by electrolytic plating, and the wiring part can be selectively patterned.
また、前記第1の感光性樹脂層形成工程において、前記第1の感光性樹脂層(ポジ型感光性樹脂層)の厚さT1を2〜50μmとすることが好ましい。ポジ型感光性樹脂層の厚さT1を2μm以上とすると、ポジ型感光性樹脂層の形成に用いる感光性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の感光性樹脂組成物を容易に作製することができる。ポジ型感光性樹脂層の厚さT1を50μm以下とすると、ポジ型感光性樹脂層に微細なパターンを形成することが容易になる。 In the first photosensitive resin layer forming step, it is preferable that the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer (positive photosensitive resin layer) is 2 to 50 μm. When the thickness T 1 of the positive photosensitive resin layer or more 2 [mu] m, it becomes easy to forming the photosensitive resin composition used for forming the positive photosensitive resin layer, a film-like for use in the production of printed wiring board A photosensitive resin composition can be easily produced. And the thickness T 1 of the positive photosensitive resin layer and 50μm or less, it is easy to form a fine pattern in the positive photosensitive resin layer.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程おいて、前記熱硬化性樹脂層の厚さT2を2〜50μmとすることが好ましい。熱硬化性樹脂層の厚さT2を2μm以上とすると、熱硬化性樹脂層の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を容易に作製することができる。熱硬化性樹脂層の厚さT2を50μm以下とすると、熱硬化性樹脂層に微細なパターンを形成することが容易になる。 In the thermosetting resin layer forming step, it is preferable that the thickness T2 of the thermosetting resin layer is 2 to 50 μm. And the thickness T 2 of the thermosetting resin layer and over 2 [mu] m, it becomes easy by forming a thermosetting resin composition used to form the thermosetting resin layer, a film-like heat used in the production of printed wiring board A curable resin composition can be easily produced. And the thickness T 2 of the thermosetting resin layer and 50μm or less, it is easy to form a fine pattern in the thermosetting resin layer.
また、前記熱硬化性樹脂層形成工程おいて、前記第1の感光性樹脂層(ポジ型感光性樹脂層)の厚さT1に対する前記熱硬化性樹脂層の厚さT2の比(T2/T1)を1.0〜2.0とすることが好ましい。(T2/T1)を1.0以上とすると、熱硬化性樹脂層形成工程において、ポジ型感光性樹脂層のパターンを熱硬化性樹脂組成物で埋め込みやすくなるため、得られる導体配線を有する構造体の信頼性をより高めることができる。一方、(T2/T1)を2.0以下とすると、後続する工程において熱硬化性樹脂層が除去し易くなり、短時間で開口を熱硬化性樹脂層に形成できるため、導体配線を有する構造体をより効率的に製造することができる。 Further, in the thermosetting resin layer forming step, a ratio of a thickness T 2 of the thermosetting resin layer to a thickness T 1 of the first photosensitive resin layer (positive photosensitive resin layer) (T 2 / T 1 ) is preferably set to 1.0 to 2.0. When (T 2 / T 1 ) is 1.0 or more, the pattern of the positive photosensitive resin layer is easily embedded with the thermosetting resin composition in the thermosetting resin layer forming step. The reliability of the structure which has can be improved more. On the other hand, when (T 2 / T 1 ) is 2.0 or less, the thermosetting resin layer can be easily removed in the subsequent process, and the opening can be formed in the thermosetting resin layer in a short time. The structure which has can be manufactured more efficiently.
また、前記開口形成工程おいて、前記熱硬化性樹脂層に形成する前記開口のうち、最小の直径Rminに対する当該開口の深さDの比(D/Rmin)を0.1〜1.0とすることが好ましい。(D/Rmin)を0.1以上とすると、熱硬化性樹脂層の厚さが薄くなり過ぎないため、熱硬化性樹脂層に微細な開口を形成する場合であっても、開口の形状を安定に保つことができる。一方、(D/Rmin)を1.0以下とすると、ポジ型感光性樹脂層が除去し易くなり、直径60μm以下の微細な開口をより形成し易くなる。 In the opening forming step, a ratio (D / R min ) of the depth D of the opening to the minimum diameter R min among the openings formed in the thermosetting resin layer is 0.1 to 1. 0 is preferable. When (D / R min ) is 0.1 or more, the thickness of the thermosetting resin layer does not become too thin. Therefore, even when a fine opening is formed in the thermosetting resin layer, the shape of the opening Can be kept stable. On the other hand, when (D / R min ) is 1.0 or less, the positive photosensitive resin layer is easily removed, and a fine opening having a diameter of 60 μm or less is more easily formed.
また、本発明に係る導体配線を有する構造体は、上述した導体配線を有する構造体の製造方法によって製造された導体配線を有する構造体であって、前記熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が60μm以下であることが好ましい。上述した製造方法によって製造された導体配線を有する構造体は、図12に示される従来の導体配線を有する構造体と比べて、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を持たせることができる。また、導体配線を有する構造体における熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が60μm以下であることにより、ピン数が数万ピンから数十万ピンの多数のピンを備えた半導体素子を実装するのに適したものとなる。 Moreover, the structure having a conductor wiring according to the present invention is a structure having a conductor wiring manufactured by the above-described method for manufacturing a structure having a conductor wiring, and the diameter of the opening of the thermosetting resin layer. Is preferably 60 μm or less. The structure having the conductor wiring manufactured by the manufacturing method described above has a fine opening in the insulating layer and has excellent reliability as compared with the structure having the conventional conductor wiring shown in FIG. be able to. Further, when the diameter of the opening of the thermosetting resin layer in the structure having the conductor wiring is 60 μm or less, a semiconductor element having a large number of pins having tens of thousands to hundreds of thousands of pins is mounted. It will be suitable for
また、本発明に係る導体配線を有する構造体は、上述した導体配線を有する構造体の製造方法において使用される熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物を用いて熱硬化性樹脂層を形成することにより、熱硬化性樹脂層に形成した開口の表面が平滑となり、開口上にシード層を形成し易くなる。 The structure having a conductor wiring according to the present invention is a thermosetting resin composition used in the above-described method for producing a structure having a conductor wiring, and includes an epoxy resin, a phenol resin, a cyanate ester resin, and a polyamide. Thermosetting containing a resin composition containing at least one selected from the group consisting of an imide resin and a thermosetting polyimide resin, and an inorganic filler having a maximum particle size of 5 μm or less and an average particle size of 1 μm or less It is preferable that it is an adhesive resin composition. By forming a thermosetting resin layer using such a thermosetting resin composition, the surface of the opening formed in the thermosetting resin layer becomes smooth, and it becomes easy to form a seed layer on the opening.
また、本発明は上述した熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂フィルムに関する。 Moreover, this invention relates to the thermosetting resin film which consists of a thermosetting resin composition mentioned above.
本発明によれば、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を有する導体配線を有する構造体を充分に効率的に製造できる。 According to the present invention, a structure having a conductive wiring having a fine opening in an insulating layer and excellent reliability can be manufactured sufficiently efficiently.
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
本発明の導体配線を有する構造体の製造方法は、半導体素子を実装するためのプリント配線基板の製造に好適に用いられる。特に、フリップチップ型の半導体素子を実装するためのプリント配線基板の製造に加え、コアレス基板、WLP(Wafer Level Package)、eWLB(embeded Wafer Level Ball Grid Array)等の基板レスパッケージの再配線方法にも好適に用いることができる。中でも、実装される半導体素子のサイズが大きく、半導体素子の表面にエリアアレイ状に配置された数万ものバンプと電気的に接続するためのプリント配線基板に特に好適である。 The method for producing a structure having conductor wiring according to the present invention is suitably used for producing a printed wiring board for mounting a semiconductor element. In particular, in addition to the manufacture of printed wiring boards for mounting flip chip type semiconductor elements, in addition to coreless substrates, WLP (Wafer Level Package), eWLB (embedded Wafer Level Ball Grid Array) and other board-less package rewiring methods Can also be suitably used. Among them, the size of the semiconductor element to be mounted is large, and it is particularly suitable for a printed wiring board for electrically connecting to tens of thousands of bumps arranged in an area array on the surface of the semiconductor element.
図1は、本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を示す断面図である。図1(a)に示すように、まず、支持体である両側の表面に銅箔2を有する銅張積層体1を準備する。次いで、図1(b)に示すように、銅張積層体1の銅箔2の不要な箇所をエッチングにより除去して導体配線2a、2bを形成しプリント配線基板10を得る。なお、配線の材質は、銅に限定されない。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention. As shown to Fig.1 (a), the copper clad laminated
次いで、図2に示すように、導体配線2a、2bをそれぞれ覆うようにプリント配線基板10に後述するポジ型感光性樹脂層3を形成する(第1の感光性樹脂層形成工程)。ポジ型感光性樹脂層3の厚さT1は、好ましくは2〜50μmであり、より好ましくは5〜30μmである。ポジ型感光性樹脂層の厚さT1を2μm以上とすると、ポジ型感光性樹脂層の形成に用いるポジ型感光性樹脂組成物を成膜し易くなる。ポジ型感光性樹脂層の厚さT1を50μm以下とすると、ポジ型感光性樹脂層にクラックが発生せず微細なパターンを形成することが容易になる。なお、ポジ型感光性樹脂層の厚さT1は、図2に示すとおり、導体配線2a、2b上のポジ型感光性樹脂層3の厚さをいう。
Next, as shown in FIG. 2, a positive
その後、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、ポジ型感光性樹脂層3において、後の現像処理後に除去する部分を露光しアルカリ可溶とし、この露光した以外の部分のポジ型感光性樹脂層3は未露光部とする(第1のパターン化工程の露光処理)。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができるが、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものを使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。露光量は使用する装置や感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、10〜10000mJ/cm2とすることが好ましく、50〜7000mJ/cm2とすることがより好ましい。露光量を100mJ/cm2以上とすると現像処理後のポジ型感光性樹脂組成物が短時間で除去でき、露光量を10000mJ/cm2以下とするとマスクからの漏れ光によるパターン形状不備が起きにくく、現像後にポジ型感光性樹脂層3のパターンを安定して形成することができる。
Then, by irradiating actinic rays through the mask pattern, the portion removed in the positive
次いで、現像により未露光部以外のポジ型感光性樹脂層3の両表面を除去することで、図3に示すようにプリント配線基板の両面に第1のポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを形成する(第1のパターン化工程の現像処理)。ポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bは、後述の開口形成工程において除去され、熱硬化性樹脂層4に形成される微細な開口となる(図6参照)。このときに用いる現像液としては、例えば、20〜50℃の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の水溶液、炭酸ナトリウムの溶液(1〜5質量%水溶液)等のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により現像する。これにより所定のポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bが形成される。
Next, by removing both surfaces of the positive
現像処理後、図4に示すように、ポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを覆うように、プリント配線基板10上に後述する熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂層4を形成する(熱硬化性樹脂層形成工程)。熱硬化性樹脂層4を形成する工程では、液状の場合は公知のスクリーン印刷、ロールコータにより塗布する工程、フィルム状の場合は真空ラミネート等により貼り付ける工程を経ることにより、熱硬化性樹脂層4をプリント配線基板上に形成させる。熱硬化性樹脂層の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物としては、液状及びフィルム状のいずれも適用可能であるが、熱硬化性樹脂層4の厚さを精度良く制御するには、予め厚さを管理しているフィルム状のものを好適に用いることができる。
After the development processing, as shown in FIG. 4, a
熱硬化性樹脂層4の厚さT2は、好ましくは2〜50μmであり、より好ましくは5〜30μmである。熱硬化性樹脂層4の厚さT2を2μm以上とすると、熱硬化性樹脂層4の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を容易に作製することができる。熱硬化性樹脂層の厚さT2を50μm以下とすると、熱硬化性樹脂層4に微細なパターンを形成することが容易になる。熱硬化性樹脂層4の厚さT2は、図4に示すとおり、導体配線2a、2b上の熱硬化性樹脂組成物の厚さをいう。また、ポジ型感光性樹脂層3の厚さT1と熱硬化性樹脂層4の厚さT2は同じ厚さであることが好ましい。
The thickness T2 of the
熱硬化性樹脂層形成工程において、ポジ型感光性樹脂層3の厚さT1に対する熱硬化性樹脂層4の厚さT2の比(T2/T1)を1.0〜2.0とすることが好ましく、1.0〜1.5とすることがより好ましい。(T2/T1)を1.0以上とすると、熱硬化性樹脂層形成工程において、ポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを熱硬化性樹脂組成物で埋め込みやすくなるため、得られるプリント配線基板の信頼性をより高めることができる。一方、(T2/T1)を2.0以下とすると、短時間で熱硬化性樹脂層4に開口を形成でき、プリント配線基板をより効率的に製造することができるため、デスミア処理を用いた場合に薬液の劣化を防ぐことができる。
In the thermosetting resin layer forming step, the ratio (T 2 / T 1 ) of the thickness T 2 of the
次いで、形成した熱硬化性樹脂層4を熱硬化させる(熱硬化工程)。熱硬化処理において、温度を150〜250℃とし、加熱時間を30〜300分とすることが好ましい。また、温度を160〜200℃とし、加熱時間を30〜120分とすることがより好ましい。温度を150℃以上、加熱時間を30分以上とすると、熱硬化性樹脂層4を充分に硬化することができるため、その後のパターン露出工程及び開口形成工程において、熱硬化性樹脂層4を除去し易くなり、導体配線2a、2bを露出し易くなる。一方、温度を250℃以下、加熱時間を300分以下とすると、導体配線2a、2bの表面の酸化を抑えることができ、導体配線2a、2b界面で熱硬化性樹脂層4がはく離することを抑えられる。なお、熱硬化には、クリーンオーブンが一般的に用いられ、銅の酸化を抑制するため、窒素等の不活性ガスの雰囲気中で硬化を行ってもよい。
Next, the formed
次いで、デスミア処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層4の一部を除去してポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bの所定箇所を熱硬化性樹脂層4から露出させる(パターン露出工程)。
Next, by applying a desmear process, a part of the
デスミア処理は、例えば、過マンガン酸ナトリウム液、水酸化ナトリウム液、過マンガン酸カリウム液、クロム液、硫酸等の混合液に被処理基板を浸漬することによって実施できる。具体的には、熱湯や所定の膨潤液を用いて被処理基板を膨潤処理した後、過マンガン酸ナトリウム液等で残渣等を除去し、還元(中和)を行った後、水洗、湯洗、乾燥を行う。1回の処理を行っても充分な開口が形成されない場合は複数回処理を行ってもよい。なお、デスミア処理は上記のものに限定されない。また、デスミア処理後に、再度、熱硬化工程を行ってもよい。用いる熱硬化性樹脂によっても効果は異なるが、熱硬化させることで、ガラス転移温度を上げることができるだけでなく、低熱膨張化を図ることができる。 A desmear process can be implemented by immersing a to-be-processed board | substrate in liquid mixture, such as a sodium permanganate liquid, sodium hydroxide liquid, potassium permanganate liquid, chromium liquid, a sulfuric acid, for example. Specifically, after the substrate to be treated is swelled with hot water or a predetermined swelling liquid, residues, etc. are removed with sodium permanganate liquid, etc., and reduction (neutralization) is performed, followed by washing with water and washing with hot water. , Dry. If a sufficient opening is not formed even after a single process, the process may be performed multiple times. The desmear process is not limited to the above. Moreover, you may perform a thermosetting process again after a desmear process. Although the effect varies depending on the thermosetting resin to be used, not only the glass transition temperature can be raised by thermosetting, but also a low thermal expansion can be achieved.
ポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを熱硬化性樹脂層4から露出させた後、露光しアルカリ可溶にする。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができるが、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものを使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。露光量は使用する装置や感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、100〜10000mJ/cm2とすることが好ましく、10〜7000mJ/cm2とすることがより好ましい。露光量を100mJ/cm2以上とするとポジ型感光性樹脂組成物が容易に除去できる。このようにして図6に示すように導体配線2a、2bを露出させる(開口形成工程)。こうして、熱硬化性樹脂層4に開口4hが形成される。
After the
開口形成工程において、熱硬化性樹脂層4に形成する開口の直径(図6に示すR)は、60μm以下とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂層4に形成する開口のうち、最小の開口の直径Rminに対する当該開口の深さの比(D/Rmin)を、0.1〜1.0とすることが好ましく、0.2〜0.8とすることがより好ましい。(D/Rmin)を0.1以上とすると、熱硬化性樹脂層4の厚さが薄くなり過ぎないため、熱硬化性樹脂層4に微細な開口を形成する場合であっても、開口4hの形状を安定に保つことができる。一方、(D/Rmin)を1.0以下とすると、ポジ型感光性樹脂層3が除去し易くなり、直径60μm以下の微細な開口をより形成し易くなる。開口4hの形状は、円形状であるが、楕円形等であってもよい。なお、開口の形成が円以外の場合、直径Rminは、円相当直径を用いればよい。
In the opening forming step, the diameter of the opening formed in the thermosetting resin layer 4 (R shown in FIG. 6) is preferably 60 μm or less. Moreover, it is preferable that ratio (D / Rmin ) of the depth of the said opening with respect to the diameter Rmin of the minimum opening among the openings formed in the
次いで、図7に示すように、開口4hを形成した後の熱硬化性樹脂層4の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法によりシード層5を両面に形成する(シード層形成工程)。シード層形成工程では、開口4hが設けられていない部分の熱硬化性樹脂層4の表面4sと、開口4hが設けられた部分における熱硬化性樹脂層4の壁面4w及び露出している導体配線2a、2bの表面とに、シード層5を形成する。上記シード層5の厚さは特に制限はないが、通常0.1〜1.0μmとすることが好ましい。シード層5の形成は無電解銅めっき法の他に、スパッタ法によっても形成できる。ターゲットは適宜選択できるが、Tiの後にCuを蒸着するのが一般的である。TiやCuの厚みは特に制限はないが、Tiで20〜100nm、Cuで100〜500nm程度が好適である。
Next, as shown in FIG. 7,
次いで、フィルム状の感光性樹脂組成物を両面に貼着して第2の感光性樹脂層を形成後、所定のパターンを形成したフォトツールを密着させ、露光処理及び現像処理を行い、図8に示すように、両面の第2の感光性樹脂層をパターン化する(第2のパターン化工程)。両面に形成された第2の感光性樹脂層のパターン6a、6bは、半導体素子を実装する面により近い部分に微細な配線パターンを形成するため、第2の感光性樹脂層のパターン6bよりも第2の感光性樹脂層のパターン6aの方がパターンのピッチが狭くなっている。
Next, after a film-like photosensitive resin composition is adhered to both surfaces to form a second photosensitive resin layer, a phototool having a predetermined pattern is brought into close contact, and exposure processing and development processing are performed. As shown in FIG. 2, the second photosensitive resin layers on both sides are patterned (second patterning step). The
次いで、図9に示すように、シード層5の少なくとも一部を覆うように、銅電解めっき等の電解めっき法により配線部7を形成する。この工程では、第2の感光性樹脂層のパターン6a、6bが形成されている領域以外のシード層5の表面に配線部7を形成する。開口4hが形成された領域では、壁面4wと導体配線2a、2bの表面に形成されたシード層5上に配線部7を形成する。配線部7の厚さは、1〜20μmとすることが好ましい。その後、はく離液により、第2の感光性樹脂層のパターン6a、6bをはく離して配線パターン7a、7bを形成する(配線部パターン化工程)。次いで、エッチング液を用いて配線部7が形成されていない領域のシード層5をエッチングにより除去する(シード層除去工程)。
Next, as shown in FIG. 9, the wiring part 7 is formed by an electrolytic plating method such as copper electrolytic plating so as to cover at least a part of the
以上の工程を経て図10に示すように、表面に配線部(配線パターン7a、7b)を有する多層プリント配線基板100を得ることができる。更に、多層プリント配線基板100の表裏の両面に対し、上述した感光性樹脂層形成工程からシード層除去工程の一連の工程を繰り返し行った後、最外層にソルダーレジスト8を形成し、市販の無電解ニッケル/金めっき液等を用いてめっき処理を施すことによりニッケル/金層9を形成することで、図11に示すような多層プリント配線基板200を得ることができる。例えば、多層プリント配線基板200は、感光性樹脂層形成工程からシード層除去工程の一連の工程を3回繰り返し行うことにより、配線部(配線パターン7a、7b)を3層有したものである。多層プリント配線基板200は、各熱硬化性樹脂層4に形成された配線部(配線パターン7a、7b)がそれぞれ電気的に接続されている。
Through the above steps, as shown in FIG. 10, a multilayer printed
上記の多層プリント配線基板100,200は、微細化及び高密度化が進むフリップチップ型の半導体素子を実装するためのプリント配線基板として好適である。中でも、実装される半導体素子のサイズが大きく、半導体素子の表面にエリアアレイ状に配置された数万ものバンプと電気的に接続するためのプリント配線基板に特に好適である。
The multilayer printed
次に、上述の多層プリント配線基板100,200の製造に用いられるポジ型感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物について詳細に説明するが、本発明はこれらの樹脂組成に限定されるものではない。
Next, the positive photosensitive resin composition and the thermosetting resin composition used in the production of the above-described multilayer printed
多層プリント配線基板100,200の製造に用いるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途に特に限定するものではないが、例えば、HD8820(日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製)、PMER P_LA900PM(東京応化工業株式会社製)、WPRシリーズ(JSR株式会社製)を使用することができる。
The positive photosensitive resin composition used for the production of the multilayer printed
多層プリント配線基板100,200の製造に用いる熱硬化性樹脂組成物は、特に限定するものではないが、以下のものが好適である。すなわち、熱硬化性樹脂層4の形成に好適な熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、を含むことが好ましい。なお、エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知の各種エポキシ樹脂硬化剤もしくはエポキシ樹脂硬化促進剤を配合することができる。
Although the thermosetting resin composition used for manufacture of the multilayer printed
エポキシ樹脂としては、分子内に1つ以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂が好ましい。無機フィラーの充填量は、好ましくは0(0.01)〜90質量%の範囲、より好ましくは20〜70質量%の範囲、更に好ましくは30〜60質量%である。 The epoxy resin is preferably an epoxy resin having one or more glycidyl groups in the molecule. The filling amount of the inorganic filler is preferably in the range of 0 (0.01) to 90% by mass, more preferably in the range of 20 to 70% by mass, and still more preferably 30 to 60% by mass.
以上説明したように、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、熱硬化性樹脂層4に形成する開口の形状に合わせて、第1のパターン化工程においてポジ型感光性樹脂層3をパターン化することにより、様々な形状の開口4hを容易に形成することができる。また、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、複数の開口4hを同時に形成できることに加え、レーザで開口を形成する場合とは異なり、開口4h周辺の感光性樹脂の残渣を低減できる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口4hを設ける必要があっても、優れた信頼性を有するプリント配線基板を充分に効率的に製造することができる。
As described above, in the method for manufacturing a printed wiring board according to this embodiment, the positive
また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層4を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理及びデスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層4の一部の除去と、熱硬化性樹脂層4から露出したポジ型感光性樹脂層3の除去を行っている。この場合、プラズマ処理及びデスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層3を露出させることができると共に、デスミア処理によって開口4h周辺の残渣をより確実に低減できる。
Further, in the present embodiment, as a process immediately after the thermosetting resin layer forming process, a thermosetting process for thermosetting the
また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層4を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層4の一部を除去し、熱硬化性樹脂層4から露出したポジ型感光性樹脂層3を除去している。この場合、デスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層3を露出させることができると共に、開口4h周辺の残渣をより確実に低減できる。
Further, in the present embodiment, as a process immediately after the thermosetting resin layer forming process, a thermosetting process for thermosetting the
また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層4の一部を除去し、開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層4から露出したポジ型感光性樹脂層3を除去している。この場合、研磨処理及びデスミア処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層3を露出させることができると共に、デスミア処理によって開口4h周辺の残渣をより確実に低減できる。
Further, in the present embodiment, as a process immediately after the thermosetting resin layer forming process, a thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposure process, by performing a polishing process, thermosetting is performed. A part of the later
また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層4を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層4の一部を除去し、熱硬化性樹脂層4から露出したポジ型感光性樹脂層3を除去している。この場合、プラズマ処理によって速やかにポジ型感光性樹脂層3を露出できると共に、開口4h周辺の残渣をより確実に低減できる。
Moreover, in this embodiment, the thermosetting process which thermosets the
また、本実施形態では、開口4hを形成した後の熱硬化性樹脂層4の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法により配線パターン7a、7bの下地となるシード層5を形成するシード層形成工程と、シード層5を覆うように、第2の感光性樹脂層を形成後、第2の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第2のパターン化工程と、シード層5を覆うように、電解めっき法により配線部7を形成後、はく離処理により第2の感光性樹脂層のパターン6a、6bをはく離して配線部7をパターン化する配線部パターン化工程と、配線部が形成されていない領域のシード層5を除去するシード層除去工程と、を更に備えることが好ましい。シード層5を形成することにより、電解めっき法による配線部7の形成が可能になり、配線部7を選択的にパターン化することができる。
In this embodiment, the
また、本発明に係るプリント配線基板100は、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板であって、熱硬化性樹脂層4が有する開口4hの直径が60μm以下である。このようなプリント配線基板100によれば、図12に示される従来のプリント配線基板と比べて、熱硬化性樹脂層4に微細な開口4hを有し且つ優れた信頼性を持たせることができる。また、このようなプリント配線基板100は、熱硬化性樹脂層4が有する開口4hの直径が60μm以下であるため、ピン数が数万ピンから数十万ピンの半導体素子を実装するのに適したものとなる。また、プリント配線基板100は、プリント配線基板に一般的に行われている各種加工処理、例えば、表面配線パターン上のニッケル/金めっきやはんだ処理等を施すことができる。
The printed
以上、本発明に係るプリント配線基板(導体配線を有する構造体)の製造方法及び熱硬化性樹脂組成物の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。 As mentioned above, although the suitable embodiment of the manufacturing method and thermosetting resin composition of the printed wiring board (structure which has a conductor wiring) concerning this invention was described, this invention is not necessarily limited to embodiment mentioned above. Instead, changes may be made as appropriate without departing from the spirit of the invention.
例えば、上記実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層4を熱硬化する熱硬化工程を備えていたが、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層4の一部を除去と、熱硬化性樹脂層4から露出した第1の感光性樹脂層3の除去を行う場合は、パターン露出工程と開口形成工程との間の工程として又は開口形成工程の後工程として、熱硬化工程をそれぞれ備えていても構わない。
For example, in the above-described embodiment, a thermosetting process for thermosetting the
<導体配線を有するプリント配線基板の準備>
まず、厚さ12μmの銅箔2が両面に貼着された銅張積層体1(日立化成株式会社製 MCL−E−679FG)を準備した。銅張積層体1の厚さは400μmであった(図1(a)参照)。銅箔2をエッチング処理し、所定パターン形状に加工した(図1(b)参照)。
<Preparation of printed wiring board having conductor wiring>
First, a copper clad laminate 1 (MCL-E-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) in which a copper foil 2 having a thickness of 12 μm was adhered to both surfaces was prepared. The thickness of the copper clad
<第1の感光性樹脂層の形成>
次いで、図2に示すように、感光性樹脂組成物としてポジ型感光性樹脂組成物(日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 HD8820)を、膜厚が40μmから50μmとなるように塗布し、80℃のホットプレートで5分予備乾燥後120℃の乾燥機で5分乾燥し成膜した。ポジ型感光性樹脂組成物を成膜した上にパターンを形成したフォトツールを密着させ、株式会社オーク製作所製EXM‐1201型露光機を使用して、1000〜5000mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液を用いて現像を行い、イナートガスオーブン(光洋サーモシステム株式会社製)を用い、窒素中、温度200℃(昇温時間1.5時間)で1時間、塗膜を加熱処理した。このようにして、ポジ型感光性樹脂組成物に露光処理及び現像処理を施して第1の感光性樹脂層のパターン3a、3bを形成した(図3参照)。
<Formation of first photosensitive resin layer>
Next, as shown in FIG. 2, a positive photosensitive resin composition (Hitachi Chemical DuPont Microsystems HD8820) was applied as a photosensitive resin composition so that the film thickness was 40 μm to 50 μm, The film was preliminarily dried for 5 minutes on a hot plate and then dried for 5 minutes with a 120 ° C. drier. A positive-type photosensitive resin composition is formed on a film and a photo tool having a pattern formed thereon is brought into close contact, and is exposed at an energy amount of 1000 to 5000 mJ / cm 2 using an EXM-1201 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. Went. Next, development was performed using a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and an inert gas oven (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) was used, and the temperature was 200 ° C. (temperature increase time 1.5). Time) for 1 hour. Thus, exposure processing and development processing were performed on the positive photosensitive resin composition to form
<熱硬化性樹脂層4の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物>
プリント配線基板の熱硬化性樹脂層4(層間絶縁層)の形成に使用する熱硬化性樹脂組成物として、以下に示すものを調製した。
<Thermosetting resin composition used for formation of the
What was shown below was prepared as a thermosetting resin composition used for formation of the thermosetting resin layer 4 (interlayer insulation layer) of a printed wiring board.
<熱硬化性樹脂組成物A>
エポキシ樹脂としては、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名NC−3000H(日本化薬株式会社製)70質量部を用いた。硬化剤の合成実施例1:温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積2リットルの反応容器に、ビス(4−アミノフェニル)スルホン:26.40gと、2,2´−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン:484.50gと、p−アミノ安息香酸:29.10g、及びジメチルアセトアミド:360.00gを入れ、140℃で5時間反応させて分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和N−置換マレイミド基を有する硬化剤(A−1)の溶液を得た。本硬化剤を30質量部配合した。
<Thermosetting resin composition A>
As an epoxy resin, a biphenyl aralkyl type epoxy resin, 70 mass parts of product name NC-3000H (made by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was used. Synthesis of Curing Agent Example 1: Heat and coolable reaction vessel equipped with a thermometer, a stirrer, a moisture meter with a reflux condenser, and a volume of 2 liters, bis (4-aminophenyl) sulfone: 26.40 g , 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane: 484.50 g, p-aminobenzoic acid: 29.10 g, and dimethylacetamide: 360.00 g were added at 140 ° C. for 5 hours. It was made to react and the solution of the hardening | curing agent (A-1) which has a sulfone group in a molecular principal chain, and has an acidic substituent and an unsaturated N-substituted maleimide group was obtained. 30 parts by mass of this curing agent was blended.
無機フィラー成分としては、平均粒径が50nm、ビニルシランでシランカップリング処理したシリカフィラーを用いた。なお、無機フィラー成分は、樹脂分に対し、30質量%になるように配合した。分散状態は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「UPA−EX150」(日機装株式会社製)、及びレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「MT−3100」(日機装株式会社製)を用いて測定し、最大粒径が1μm以下となっていることを確認した。 As the inorganic filler component, silica filler having an average particle size of 50 nm and silane coupling treatment with vinylsilane was used. In addition, the inorganic filler component was blended so as to be 30% by mass with respect to the resin content. The dispersion state was measured using a dynamic light scattering nanotrack particle size distribution analyzer “UPA-EX150” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) and a laser diffraction scattering type microtrack particle size distribution meter “MT-3100” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). Measurement was performed and it was confirmed that the maximum particle size was 1 μm or less.
上述のように得た熱硬化性樹脂組成物の溶液を支持層である16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(G2−16、帝人株式会社製、商品名)上に均一に塗布することにより熱硬化性樹脂組成物層を形成した。その後、熱風対流式乾燥機を用いて熱硬化性樹脂組成物層を100℃で約10分間乾燥することによってフィルム状熱硬化性樹脂組成物(熱硬化性樹脂フィルム)を得た。フィルム状熱硬化性樹脂組成物の膜厚は20μmのものを準備した。 A thermosetting resin is obtained by uniformly applying the solution of the thermosetting resin composition obtained as described above onto a 16 μm-thick polyethylene terephthalate film (G2-16, manufactured by Teijin Ltd., trade name) as a support layer. A composition layer was formed. Then, the thermosetting resin composition layer (thermosetting resin film) was obtained by drying the thermosetting resin composition layer at 100 ° C. for about 10 minutes using a hot air convection dryer. A film-shaped thermosetting resin composition having a film thickness of 20 μm was prepared.
次いで、熱硬化性樹脂組成物層に埃等が付着しないように、支持層と接している側とは反対側の表面上にポリエチレンフィルム(NF−15、タマポリ株式会社製、商品名)を保護フィルムとして貼り合わせ、熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物を得た。 Next, a polyethylene film (NF-15, manufactured by Tamapoly Co., Ltd., trade name) is protected on the surface opposite to the side in contact with the support layer so that dust or the like does not adhere to the thermosetting resin composition layer. Bonding as a film gave a thermosetting film type resin composition.
得られた熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物を用いて、プリント配線基板上に熱硬化性樹脂層4を形成した(図4参照)。詳細には、まず、熱硬化性樹脂組成物Aからなる熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物の保護フィルムのみを剥がし、プリント配線基板10の両面(ポジ型感光性樹脂層パターン3a、3b及び導体配線2a、2b上)に熱硬化性樹脂組成物を載置した。プレス式真空ラミネータ(MVLP−500、株式会社名機製作所製、商品名)を用いてプリント配線基板の表面に熱硬化性樹脂組成物を積層した。プレス条件は、プレス熱板温度80℃、真空引き時間20秒、ラミネートプレス時間30秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPaとした。次いで、クリーンオーブンで所定温度、所定時間で熱硬化性樹脂層4を熱硬化させた。
The
その後、表1に示す工程に沿って除去処理を行うことで、熱硬化性樹脂層4を研磨してポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを露出させると共に、ポジ型感光性樹脂層のパターン3a、3bを除去し、熱硬化性樹脂層4の一部を開口させた(図5、図6参照)。実施例におけるプリント配線基板の製造時における開口形成プロセス条件を表1に示す。
Then, by performing a removal process along the steps shown in Table 1, the
その後、図7に示すように、熱硬化性樹脂層4を覆うように、無電解銅めっき法により厚さ1μmのシード層5を形成した。次いで、図8に示すように、第2の感光性樹脂組成物としてドライフィルムレジスト6(日立化成株式会社 Photec RY−3525)をロールラミネーターで両面に貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、株式会社オーク製作所製EXM‐1201型露光機を使用して、100mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液で、90秒間スプレー現像を行い、ドライフィルムレジスト6を開口させた(第2の感光性樹脂層のパターン6a、6b)。次いで、図8に示すように、電解銅めっき法により、シード層5の少なくとも一部を覆うように、厚さ10μmの銅めっき(配線部7)を形成した(図9参照)。次いで、図9に示すように、はく離液により、第2の感光性樹脂層のパターン6a、6bをはく離し、配線パターン7a、7bを形成した。次いでシード層5をエッチング液より除去した(図10参照)。この工程を表裏ともに3回繰り返し、最外層にソルダーレジスト8を形成した後、市販の無電解ニッケル/金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚5μm、金めっき厚0.1μmとなるようにめっき処理を行い、ニッケル/金層9を形成した。このようにして多層プリント配線基板200を得た(図11参照)。
Thereafter, as shown in FIG. 7, a
多層プリント配線基板200は、基板サイズが45mm×45mmであり、中心部20mm×20mmの範囲にエリアアレイ状に直径30μm、50μm、70μm及び90μmの開口をそれぞれ設けた。
The multilayer printed
[埋め込み性]
熱硬化性樹脂層の埋め込み性については、以下の基準に基づいて評価した。
A:空隙がなく埋め込みが良好なもの。
C:空隙があり、開口への埋め込みが不十分であるが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
[Embeddability]
The embedding property of the thermosetting resin layer was evaluated based on the following criteria.
A: Good embedding without voids.
C: There is a gap and the embedding in the opening is insufficient, but there is no problem in manufacturing a printed wiring board.
[耐薬品性]
熱硬化性樹脂層の耐薬品性については、目視で確認して以下の基準に基づいて評価した。除去処理とは、露出工程におけるプラズマ処理又はデスミア処理である。
A:除去処理後に熱硬化性樹脂層がはく離しないもの。
C:除去処理後に熱硬化性樹脂層のはく離が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
[chemical resistance]
The chemical resistance of the thermosetting resin layer was visually confirmed and evaluated based on the following criteria. The removal process is a plasma process or a desmear process in the exposure process.
A: The thermosetting resin layer does not peel off after the removal treatment.
C: Peeling of the thermosetting resin layer was confirmed after the removal treatment, but there was no problem in producing a printed wiring board.
[解像性]
解像性(開口性)については、電子顕微鏡(SEM)で観察して以下の基準に基づいて評価した。
AA:直径30μm以下で開口できたもの。
A:直径50μm以下で開口できたもの。
B:直径70μm以下で開口できたもの。
C:直径90μm以下で開口できたもの。
[Resolution]
About resolution (opening property), it observed with the electron microscope (SEM) and evaluated based on the following references | standards.
AA: An opening having a diameter of 30 μm or less.
A: Opening with a diameter of 50 μm or less.
B: Opening with a diameter of 70 μm or less.
C: Opening with a diameter of 90 μm or less.
[壁面平滑性]
開口の壁面平滑性については、電子顕微鏡で確認して以下の基準に基づいて評価した。
A:壁面が平滑なもの。
C:壁面にフィラーの欠落や段差が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
[Wall smoothness]
About the wall surface smoothness of opening, it confirmed with the electron microscope and evaluated based on the following references | standards.
A: The wall surface is smooth.
C: A filler missing or step was confirmed on the wall surface, but there was no problem in manufacturing a printed wiring board.
[残渣除去性]
開口の残渣除去性については、以下の基準に基づいて評価した。
A:銅表面に感光性樹脂組成物の残渣がなく、はく離及び除去できているもの。
C:感光性樹脂組成物の残渣が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
[Removability of residue]
The residue removability of the opening was evaluated based on the following criteria.
A: There is no residue of the photosensitive resin composition on the copper surface, and it can be peeled off and removed.
C: Although the residue of the photosensitive resin composition was confirmed, there is no problem in manufacturing a printed wiring board.
[無電解銅めっき性]
無電解銅めっき性については、以下の基準に基づいて評価した。
A:平滑に全面めっき処理されているもの。
C:開口の銅表面にめっきむらが確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
[Electroless copper plating]
The electroless copper plating property was evaluated based on the following criteria.
A: The whole surface is plated smoothly.
C: Plating unevenness was confirmed on the copper surface of the opening, but there was no problem in manufacturing a printed wiring board.
パターンの露出に必要なデスミア粗化時間、パターン開口時の現像時間、開口部の高さと共に結果を表2に示す。本処理はプリント配線基板の層間接続に限定するものでなく、ソルダーレジストの開口プロセスやウェハレベルパッケージの再配線プロセス等、微細かつ高密度な開口部を設けるもの全てに適用することができる。 The results are shown in Table 2 together with the desmear roughening time required for pattern exposure, the development time when opening the pattern, and the height of the opening. This processing is not limited to the interlayer connection of the printed wiring board, but can be applied to all the devices having fine and high-density openings such as a solder resist opening process and a wafer level package rewiring process.
実施例で示したように、埋め込み性が良好で、パターン露出工程、開口形成工程での耐薬品性に優れ、デスミア時間、現像時間が短く、解像性、平滑性、めっき性に優れたプリント配線基板を製造できる。
本発明に係る導体配線を有する構造体の製造方法は、熱硬化性樹脂層に形成する開口の形状に合わせて、第1のパターン化工程においてポジ型感光性樹脂層をパターン化することにより、様々な形状の開口を設けることができる。さらに、開口するための感光性樹脂層の除去工程において、露光・現像で容易に除去が可能となる。また、この導体配線を有する構造体の製造方法では、レーザで開口を形成する場合とは異なり、複数の開口を同時に形成できることに加え、開口周辺の樹脂の残渣を低減できる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口を設ける必要が生じた場合でも、優れた信頼性を有する構造体を充分に効率的に製造することができる。
As shown in the examples, the embedding property is good, the chemical resistance in the pattern exposure process and the opening forming process is excellent, the desmear time and the development time are short, and the print having excellent resolution, smoothness, and plating properties. A wiring board can be manufactured.
According to the method for manufacturing a structure having a conductor wiring according to the present invention, the positive photosensitive resin layer is patterned in the first patterning process in accordance with the shape of the opening formed in the thermosetting resin layer. Openings of various shapes can be provided. Furthermore, in the process of removing the photosensitive resin layer for opening, it can be easily removed by exposure and development. Further, in the method of manufacturing a structure having a conductor wiring, unlike the case where openings are formed by a laser, a plurality of openings can be formed simultaneously, and resin residues around the openings can be reduced. For this reason, even when the number of pins of the semiconductor element increases and a large number of fine openings need to be provided, a structure having excellent reliability can be manufactured sufficiently efficiently.
1…銅張積層体、2a、2b…導体配線(銅箔)、3…第1の感光性樹脂層(ポジ型感光性樹脂層)、3a、3b…第1の感光性樹脂層(第1の感光性樹脂層のパターン)、4…熱硬化性樹脂層、4h…開口、4w…開口の壁面、5…シード層、6a、6b…第2の感光性樹脂層のパターン、7…配線部、7a、7b…配線パターン、8…ソルダーレジスト、9…ニッケル/金層、10…プリント配線基板(内層基板)、100…多層プリント配線基板、200…ソルダーレジスト及びニッケル/金層を有する多層プリント配線基板。
DESCRIPTION OF
Claims (18)
前記第1の導体配線を覆うように前記支持体上にポジ型感光性樹脂層を形成する第1の感光性樹脂層形成工程と、
前記ポジ型感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第1のパターン化工程と、
前記ポジ型感光性樹脂層のパターンを覆うように前記支持体上に熱硬化性樹脂層を形成する熱硬化性樹脂層形成工程と、
前記熱硬化性樹脂層の一部を除去して前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの所定箇所を前記熱硬化性樹脂層から露出させるパターン露出工程と、
前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンを除去して前記第1の導体配線を露出させる開口を前記熱硬化性樹脂層に形成する開口形成工程と、
を備えた導体配線を有する構造体の製造方法。 An opening is provided in the insulating layer formed on the support having the first conductor wiring on the surface, and a second conductor wiring in which a wiring portion connected to the first conductor wiring is formed in the opening is provided. A method for producing a structure having:
A first photosensitive resin layer forming step of forming a positive photosensitive resin layer on the support so as to cover the first conductor wiring;
A first patterning step of patterning the positive-type photosensitive resin layer by performing an exposure process and a development process;
A thermosetting resin layer forming step of forming a thermosetting resin layer on the support so as to cover the pattern of the positive photosensitive resin layer;
A pattern exposure step of removing a part of the thermosetting resin layer to expose a predetermined portion of the pattern of the positive photosensitive resin layer from the thermosetting resin layer;
Forming an opening in the thermosetting resin layer to remove the pattern of the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer and exposing the first conductor wiring;
A method for manufacturing a structure having a conductor wiring.
前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理とデスミア処理とを施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行う請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 As a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, further comprising a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer,
In the pattern exposure step and the opening formation step, plasma treatment and desmear treatment are performed to remove a part of the thermosetting resin layer after the thermosetting, and the positive exposed from the thermosetting resin layer. The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 which performs the removal of the pattern of a type photosensitive resin layer.
前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行う請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 As a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, further comprising a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer,
In the pattern exposure step and the opening formation step, by performing desmear treatment, removal of a part of the thermosetting resin layer after the thermosetting, and the positive photosensitive resin exposed from the thermosetting resin layer The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 which performs the removal of the pattern of a layer.
前記パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去を行い、前記開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去を行う請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 As a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, further comprising a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer,
In the pattern exposure process, a part of the thermosetting resin layer after the thermosetting is removed by performing a polishing process, and in the opening forming process, a desmear process is performed, thereby the thermosetting resin layer. The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 which removes the pattern of the said positive photosensitive resin layer exposed from.
前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去とを行う請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 As a step immediately after the thermosetting resin layer forming step, further comprising a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer,
In the pattern exposure step and the opening formation step, plasma treatment is performed to remove a part of the thermosetting resin layer after the thermosetting, and the positive photosensitive resin exposed from the thermosetting resin layer. The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 which performs the removal of the pattern of a layer.
前記パターン露出工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部を除去し、前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層から露出した前記ポジ型感光性樹脂層のパターンの除去を行う請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 As a step between the pattern exposing step and the opening forming step, further comprising a thermosetting step of thermosetting the thermosetting resin layer,
In the pattern exposure step, plasma treatment is performed to remove a part of the thermosetting resin layer before thermosetting, and in the opening forming step, plasma treatment is performed to perform thermosetting after the thermosetting. The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 which removes the pattern of the said positive photosensitive resin layer exposed from the resin layer.
前記開口形成工程の後工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備える請求項1に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 In the pattern exposure step and the opening formation step, plasma treatment is performed to remove a part of the thermosetting resin layer before thermosetting, and the positive photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer. And remove the pattern of
The manufacturing method of the structure which has a conductor wiring of Claim 1 further provided with the thermosetting process of thermosetting the said thermosetting resin layer as a post process of the said opening formation process.
前記シード層を覆うように、第2の感光性樹脂層を形成後、前記第2の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第2のパターン化工程と、
前記シード層を少なくとも覆うように、電解めっき法により前記配線部を形成後、はく離処理により前記第2の感光性樹脂層のパターンをはく離して前記配線部をパターン化する配線部パターン化工程と、
前記配線部が形成されていない領域のシード層を除去するシード層除去工程と、を更に備える請求項1〜10のいずれか一項に記載の導体配線を有する構造体の製造方法。 A seed layer forming step of forming a seed layer as a base of the wiring portion by an electroless plating method so as to cover at least a part of the thermosetting resin layer after the opening is formed;
A second patterning step of forming a second photosensitive resin layer so as to cover the seed layer and then patterning the second photosensitive resin layer by exposing and developing the second photosensitive resin layer;
A wiring portion patterning step of patterning the wiring portion by peeling off the pattern of the second photosensitive resin layer by a peeling process after forming the wiring portion by electrolytic plating so as to cover at least the seed layer; ,
The method for producing a structure having a conductor wiring according to claim 1, further comprising: a seed layer removing step of removing a seed layer in a region where the wiring portion is not formed.
前記熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が60μm以下である、導体配線を有する構造体。 A structure having conductor wiring manufactured by the method for manufacturing a structure having conductor wiring according to any one of claims 1 to 15,
The structure which has a conductor wiring whose diameter of the opening which the said thermosetting resin layer has is 60 micrometers or less.
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、
最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、
を含有する熱硬化性樹脂組成物。 A thermosetting resin composition used in a method for producing a structure having a conductor wiring according to any one of claims 1 to 15,
A resin composition containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, phenol resins, cyanate ester resins, polyamideimide resins and thermosetting polyimide resins;
An inorganic filler having a maximum particle size of 5 μm or less and an average particle size of 1 μm or less;
Containing thermosetting resin composition.
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