JP2014197690A - Light-emitting module and vehicle lamp - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for achieving desired light distribution characteristics with high accuracy.SOLUTION: A light-emitting module 32 comprises: a plurality of semiconductor light-emitting elements 42a-42d; a substrate 34 for supporting the plurality of arranged semiconductor light-emitting elements; and a plate-like phosphor layer 44 which is provided so as to face light-emitting surfaces 43a-43d of the plurality of semiconductor light-emitting elements and converts the wavelength of light emitted by the semiconductor light-emitting elements. The phosphor layer 44 has light-shielding parts 58b, 58c, and 58d formed at boundaries between regions which respectively face the light-emitting surfaces of adjacent semiconductor light-emitting elements.

Description

本発明は、発光素子を備えた発光モジュールに関する。   The present invention relates to a light emitting module including a light emitting element.

従来、多数の半導体光源をマトリクス状に配置し、選択的に特定部位の半導体光源を点灯させることで任意の配光を実現しようとする車両用の照明装置が知られている(例えば、特許文献1乃至3参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an illumination device for a vehicle that attempts to realize an arbitrary light distribution by arranging a large number of semiconductor light sources in a matrix and selectively turning on a semiconductor light source at a specific portion is known (for example, Patent Documents). 1 to 3).

特開2003−45210号公報JP 2003-45210 A 特表2003−503253号公報Special table 2003-503253 gazette 特開2001−266620号公報JP 2001-266620 A

しかしながら、上述のような照明装置では、所望の配光を実現するために一部の半導体光源を消灯した場合、消灯した半導体光源に隣接して点灯している半導体光源が発する光が、消灯した半導体光源に対応して本来光が照射されない領域にまで漏れてしまう可能性があった。そのため、本来光が照射されない領域に存在する対象にとっては、漏れた光がグレアとなってしまう。   However, in the illumination device as described above, when a part of the semiconductor light sources is turned off in order to realize a desired light distribution, the light emitted from the semiconductor light source that is turned on adjacent to the turned off semiconductor light source is turned off. Corresponding to the semiconductor light source, there is a possibility of leaking to an area where light is not originally irradiated. For this reason, the leaked light becomes glare for a target that originally exists in a region that is not irradiated with light.

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、所望の配光特性を高い精度で実現する技術を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique for realizing a desired light distribution characteristic with high accuracy.

上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、複数の半導体発光素子と、配列された複数の半導体発光素子を支持する基板と、複数の半導体発光素子の発光面に対向するように設けられ、半導体発光素子が発する光の波長を変換する板状の光波長変換部材と、を備える。光波長変換部材は、隣接する半導体発光素子の発光面のそれぞれと対向する各領域の境界に形成された遮光部を有する。   In order to solve the above problems, a light-emitting module according to an aspect of the present invention faces a plurality of semiconductor light-emitting elements, a substrate that supports the plurality of arranged semiconductor light-emitting elements, and a light-emitting surface of the plurality of semiconductor light-emitting elements. And a plate-shaped light wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element. The light wavelength conversion member has a light shielding portion formed at the boundary of each region facing each of the light emitting surfaces of adjacent semiconductor light emitting elements.

この態様によると、少なくとも一つの半導体発光素子の光の一部が、隣接する半導体発光素子の発光面と対向する領域の光波長変換部材に向かって照射されても、遮光部によって遮られる。したがって、少なくとも一つの半導体発光素子から発する光によって、隣接する半導体発光素子の発光面と対向する領域の光波長変換部材が光ることが抑制される。   According to this aspect, even if a part of the light of at least one semiconductor light emitting element is irradiated toward the light wavelength conversion member in the region facing the light emitting surface of the adjacent semiconductor light emitting element, it is blocked by the light shielding portion. Therefore, the light emitted from the at least one semiconductor light emitting element is suppressed from shining the light wavelength conversion member in the region facing the light emitting surface of the adjacent semiconductor light emitting element.

遮光部は、光波長変換部材に形成された溝に、光の透過を妨げる遮光材料が充填されることで構成されていてもよい。これにより、光波長変換部材を複数の部材に切断することなく、一体のまま遮光部を形成することができる。   The light shielding portion may be configured by filling a groove formed in the light wavelength conversion member with a light shielding material that prevents light transmission. Thereby, the light-shielding part can be formed as it is, without cutting the light wavelength conversion member into a plurality of members.

溝は、光波長変換部材の光出射側の面に形成されていてもよい。これにより、複数の半導体発光素子を光波長変換部材に対して固定した後であっても、半導体発光素子が固定されていない光出射側からの加工が容易に行える。   The groove may be formed on the surface of the light wavelength conversion member on the light emission side. Thereby, even after the plurality of semiconductor light emitting elements are fixed to the light wavelength conversion member, processing from the light emitting side where the semiconductor light emitting elements are not fixed can be easily performed.

光波長変換部材は、無機材料で構成されていてもよい。これにより、板状の光波長変換部材を得やすくなる。また、精度の高い加工が容易に行える。   The light wavelength conversion member may be made of an inorganic material. Thereby, it becomes easy to obtain a plate-shaped light wavelength conversion member. Moreover, highly accurate processing can be easily performed.

複数の半導体発光素子のそれぞれが個別に調光可能なように構成されていてもよい。これにより、照射領域の異なる複数の配光パターンを得ることができる。   Each of the plurality of semiconductor light emitting elements may be configured to be dimmable individually. Thereby, the several light distribution pattern from which an irradiation area differs can be obtained.

本発明の別の態様は、車両用灯具である。この車両用灯具は、発光モジュールと、発光モジュールが備える複数の半導体発光素子を複数のグループに分けた場合にグループ毎に調光制御する制御回路と、を備える。   Another aspect of the present invention is a vehicular lamp. The vehicular lamp includes a light emitting module and a control circuit that performs dimming control for each group when a plurality of semiconductor light emitting elements included in the light emitting module are divided into a plurality of groups.

この態様によると、所望の配光特性を高い精度で実現することができる。   According to this aspect, desired light distribution characteristics can be realized with high accuracy.

なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置、システム、などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements and a representation obtained by converting the expression of the present invention between a method, an apparatus, a system, and the like are also effective as an aspect of the present invention.

本発明によれば、所望の配光特性を高い精度で実現する技術を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique which implement | achieves a desired light distribution characteristic with high precision can be provided.

本実施の形態に係る車両用前照灯装置を構成する灯具本体ユニットの概略構造図である。It is a schematic structure figure of the lamp body unit which constitutes the vehicular headlamp device concerning this embodiment. 本実施の形態の灯具本体ユニットに含まれる第2灯具ユニットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 2nd lamp unit contained in the lamp main body unit of this Embodiment. 第1の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the light emitting module which concerns on 1st Embodiment. 本実施の形態に係る車両用前照灯装置の左右の灯具本体ユニットから前方へ照射される光により、例えば車両前方25メートルの位置に配置された仮想鉛直スクリーン上に形成される配光パターンを示す図である。For example, a light distribution pattern formed on a virtual vertical screen disposed at a position 25 meters ahead of the vehicle by light irradiated forward from the left and right lamp body units of the vehicle headlamp device according to the present embodiment. FIG. 本実施の形態に係る発光モジュールを光出射側から見た図である。It is the figure which looked at the light emitting module concerning this embodiment from the light emission side. 本実施の形態に係る発光モジュールの変形例を光出射側から見た図である。It is the figure which looked at the modification of the light emitting module which concerns on this Embodiment from the light-projection side. 本実施の形態に好適な発光ユニットの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting unit suitable for this Embodiment. 第2の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the light emitting module which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態の変形例に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the light emitting module which concerns on the modification of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る変形例に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the light emitting module which concerns on the modification concerning 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the light emitting module which concerns on 3rd Embodiment. 車両用前照灯装置の照射制御部と車両側の車両制御部の構成を説明する機能ブロック図である。It is a functional block diagram explaining the structure of the irradiation control part of a vehicle headlamp apparatus, and the vehicle control part by the side of a vehicle.

以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate.

本実施の形態の車両用前照灯装置は、ハイビーム用配光パターンの一部領域を形成可能な光を照射する灯具ユニットと、この灯具ユニットの光の照射状態を制御する照射制御部とを備える。そして、照射制御部は、ハイビーム用配光パターンの一部領域が少なくとも車幅方向に複数に分割された部分領域により形成されるように光の照射状態を制御する。また、各部分領域に対応する照射光の光度を個別に調整してハイビーム照射モードと昼間点灯照射モードを切り替えてハイビーム照射モードに適した光度分布と昼間点灯照射モードに適した光度分布を形成する。   The vehicle headlamp device according to the present embodiment includes a lamp unit that emits light capable of forming a partial region of a high beam light distribution pattern, and an irradiation control unit that controls the light irradiation state of the lamp unit. Prepare. And an irradiation control part controls the irradiation state of light so that the partial area | region of the light distribution pattern for high beams may be formed by the partial area | region divided | segmented into multiple at least by the vehicle width direction. In addition, the intensity of the irradiation light corresponding to each partial area is individually adjusted to switch between the high beam irradiation mode and the daytime lighting irradiation mode to form a light intensity distribution suitable for the high beam irradiation mode and a light intensity distribution suitable for the daytime lighting irradiation mode. .

図1は、本実施の形態に係る車両用前照灯装置を構成する灯具本体ユニットの概略構造図である。本実施の形態の車両用前照灯装置は、車両の前部の車幅方向左右両端に一対の灯具本体ユニットを含む。そして、左右の灯具本体ユニットから照射される配光パターンを車両の前方で重畳させることにより車両用前照灯装置としての照射を完成させる。図1は、左右の灯具本体ユニットのうち右側に配置される灯具本体ユニット10の構成を示す。図1では、理解を容易にするために灯具本体ユニット10を水平面で切断して上方から見た断面図を示している。なお、左側に配置される灯具本体ユニットは右側に配置される灯具本体ユニット10と左右対称の構造であり基本構造は同一である。したがって、右側に配置される灯具本体ユニット10を説明することで左側に配置される灯具本体ユニットの説明は省略する。また、以下では、便宜上、灯具の光が照射する方向を車両前方(前側)、その反対側を車両後方(後側)として説明する場合がある。   FIG. 1 is a schematic structural diagram of a lamp body unit constituting the vehicle headlamp device according to the present embodiment. The vehicle headlamp device according to the present embodiment includes a pair of lamp body units at the left and right ends in the vehicle width direction of the front portion of the vehicle. And the irradiation as a vehicle headlamp apparatus is completed by superimposing the light distribution pattern irradiated from the left and right lamp body units in front of the vehicle. FIG. 1 shows a configuration of a lamp body unit 10 arranged on the right side of the left and right lamp body units. FIG. 1 shows a sectional view of the lamp body unit 10 cut from a horizontal plane and seen from above for easy understanding. The lamp body unit arranged on the left side has a symmetrical structure with the lamp body unit 10 arranged on the right side, and the basic structure is the same. Therefore, the description of the lamp body unit 10 disposed on the left side is omitted by describing the lamp body unit 10 disposed on the right side. In the following description, for the sake of convenience, the direction in which the light from the lamp is irradiated may be described as the vehicle front (front side) and the opposite side as the vehicle rear (rear side).

灯具本体ユニット10は、透光カバー12、ランプボディ14、エクステンション16、第1灯具ユニット18、および第2灯具ユニット20を有する。ランプボディ14は、樹脂などによって細長い開口部を有するカップ型に成形されている。透光カバー12は、透光性を有する樹脂などによって成形され、ランプボディ14の開口部を塞ぐようにランプボディ14に取り付けられる。こうしてランプボディ14と透光カバー12とによって実質的に閉鎖空間となる灯室が形成され、この灯室内にエクステンション16、第1灯具ユニット18、および第2灯具ユニット20が配置される。   The lamp body unit 10 includes a translucent cover 12, a lamp body 14, an extension 16, a first lamp unit 18, and a second lamp unit 20. The lamp body 14 is formed into a cup shape having a long and narrow opening with resin or the like. The translucent cover 12 is formed of a translucent resin or the like, and is attached to the lamp body 14 so as to close the opening of the lamp body 14. Thus, the lamp body 14 and the translucent cover 12 form a lamp chamber that is substantially a closed space, and the extension 16, the first lamp unit 18, and the second lamp unit 20 are disposed in the lamp chamber.

エクステンション16は、第1灯具ユニット18および第2灯具ユニット20からの照射光を通すための開口部を有し、ランプボディ14に固定される。第1灯具ユニット18は、第2灯具ユニット20より車両の車幅方向の外側に配置される。第1灯具ユニット18は、いわゆるパラボラ型の灯具ユニットであり、後述するロービーム用配光パターンを形成する。   The extension 16 has an opening for passing the irradiation light from the first lamp unit 18 and the second lamp unit 20 and is fixed to the lamp body 14. The first lamp unit 18 is disposed outside the second lamp unit 20 in the vehicle width direction of the vehicle. The first lamp unit 18 is a so-called parabolic lamp unit, and forms a low beam light distribution pattern to be described later.

第1灯具ユニット18は、リフレクタ22、光源バルブ24、およびシェード26を有する。リフレクタ22は、カップ型に形成され、中央に挿通孔が設けられている。本実施の形態では、光源バルブ24はハロゲンランプなどフィラメントを有する白熱灯によって構成されている。なお、光源バルブ24は、放電灯等他のタイプの光源が採用されてもよい。光源バルブ24は、内部に突出するようリフレクタ22の挿通孔に挿通されてリフレクタ22に固定される。リフレクタ22は、光源バルブ24が照射した光を車両前方に向けて反射させるよう、内面の曲面が形成されている。シェード26は、光源バルブ24から車両前方へ直接進行する光を遮断する。第1灯具ユニット18の構成は公知であるため、第1灯具ユニット18に関する詳細な説明は省略する。   The first lamp unit 18 includes a reflector 22, a light source bulb 24, and a shade 26. The reflector 22 is formed in a cup shape, and an insertion hole is provided in the center. In the present embodiment, the light source bulb 24 is configured by an incandescent lamp having a filament such as a halogen lamp. The light source bulb 24 may employ other types of light sources such as a discharge lamp. The light source bulb 24 is inserted into the insertion hole of the reflector 22 so as to protrude inside, and is fixed to the reflector 22. The reflector 22 has a curved inner surface so as to reflect the light emitted from the light source bulb 24 toward the front of the vehicle. The shade 26 blocks light that travels directly from the light source bulb 24 toward the front of the vehicle. Since the structure of the 1st lamp unit 18 is well-known, the detailed description regarding the 1st lamp unit 18 is abbreviate | omitted.

図2は、本実施の形態の灯具本体ユニット10に含まれる第2灯具ユニット20の構成を示す図である。図2では、第2灯具ユニット20を水平面で切断して上方から見た断面図を示している。第2灯具ユニット20は、ホルダ28、投影レンズ30、発光モジュール32、およびヒートシンク38を備える。第2灯具ユニット20は、ハイビーム用配光パターンの全部または一部領域を形成可能な光を照射する灯具ユニットである。すなわち、第2灯具ユニット20は、ハイビーム照射モード時に、第1灯具ユニット18により形成されるロービーム用配光パターンの上部にハイビーム用配光パターンを形成する。ハイビーム用配光パターンがロービーム用配光パターンに追加されることで、全体として照射範囲が広くなり、遠方視認性能も向上する。また、第2灯具ユニット20は、昼間点灯照射モード時に単独で光を照射することにより、昼間など対向車や歩行者などに自車の存在を認識しやすくするための昼間点灯照射ランプ、いわゆるデイタイムランニングランプ(DRL)として機能する。   FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the second lamp unit 20 included in the lamp body unit 10 of the present embodiment. FIG. 2 shows a cross-sectional view of the second lamp unit 20 cut from a horizontal plane and viewed from above. The second lamp unit 20 includes a holder 28, a projection lens 30, a light emitting module 32, and a heat sink 38. The 2nd lamp unit 20 is a lamp unit which irradiates the light which can form all or one part area | regions of the high beam light distribution pattern. That is, the second lamp unit 20 forms the high beam light distribution pattern on the low beam light distribution pattern formed by the first lamp unit 18 in the high beam irradiation mode. By adding the high-beam light distribution pattern to the low-beam light distribution pattern, the irradiation range is widened as a whole, and the distance viewing performance is improved. Further, the second lamp unit 20 irradiates light alone in the daytime lighting irradiation mode, so that it is easy to recognize the presence of the vehicle by an oncoming vehicle or a pedestrian during daytime, so-called daylighting lamp. It functions as a time running lamp (DRL).

投影レンズ30は、前方側表面が凸面で後方側表面が平面の平凸非球面レンズからなり、その後側焦点面上に形成される光源像を、反転像として灯具前方の仮想鉛直スクリーン上に投影する。投影レンズ30は筒状に形成されたホルダ28の一方の開口部に取り付けられる。   The projection lens 30 is a plano-convex aspheric lens having a convex front surface and a flat rear surface, and projects a light source image formed on the rear focal plane onto a virtual vertical screen in front of the lamp as a reverse image. To do. The projection lens 30 is attached to one opening of a holder 28 formed in a cylindrical shape.

(第1の実施の形態)
図3は、第1の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。発光モジュール32は、第1発光ユニット36a、第2発光ユニット36b、第3発光ユニット36c、第4発光ユニット36dと、第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dを支持する基板34と、を有する。なお、各発光ユニット36a〜36dを特に区別しない場合は、総称して発光ユニット36と示す。本実施の形態に係る基板34は、実装基板である。
(First embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main part of the light emitting module according to the first embodiment. The light emitting module 32 includes a first light emitting unit 36a, a second light emitting unit 36b, a third light emitting unit 36c, a fourth light emitting unit 36d, and a substrate 34 that supports the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d. . Note that the light emitting units 36a to 36d are collectively referred to as the light emitting unit 36 unless otherwise distinguished. The substrate 34 according to the present embodiment is a mounting substrate.

発光モジュール32は、ハイビーム用配光パターンの光を照射するものであり、車幅方向に複数に分割された複数の領域の一部を選択的に照射することができるように構成されている。本実施の形態の場合、第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dに対応して分割されている各照射領域を合わせてハイビーム用配光パターンが形成されている。なお、その分割数は、ハイビーム照射モードや昼間点灯照射モードで要求される性能に応じて決定することができる。例えば、分割される領域の数は、複数であれば4個より多くても少なくてもよく、また、奇数個でも偶数個でも構わない。   The light emitting module 32 emits light of a high beam light distribution pattern, and is configured to selectively irradiate a part of a plurality of regions divided into a plurality in the vehicle width direction. In the case of the present embodiment, a high beam light distribution pattern is formed by combining the irradiation areas divided corresponding to the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d. The number of divisions can be determined according to the performance required in the high beam irradiation mode or the daytime lighting irradiation mode. For example, the number of divided regions may be more or less than four as long as it is plural, and may be an odd number or an even number.

第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dの各々は矩形に形成されており、基板34に第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dの順に帯状となるよう一直線状に配置される。第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dは、例えば個別に光度制御が可能な光源で構成可能である。つまり、第2灯具ユニット20は、多灯式光源となっている。   Each of the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d is formed in a rectangular shape, and is arranged in a straight line on the substrate 34 so as to form a belt shape in the order of the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d. The 1st light emission unit 36a-the 4th light emission unit 36d can be comprised by the light source which can control luminous intensity separately, for example. That is, the second lamp unit 20 is a multi-lamp light source.

第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dを構成する光源は、半導体発光素子、例えば1mm角程度の正方形の発光面を有するLED素子、などを備えている。なお、発光ユニット36の光源がこれに限られないことはもちろんであり、例えばレーザダイオードなど略点状に面発光する他の素子状の光源であってもよい。   The light source constituting the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d includes a semiconductor light emitting element, for example, an LED element having a square light emitting surface of about 1 mm square. Needless to say, the light source of the light emitting unit 36 is not limited to this, and may be another element-like light source that emits light in a substantially dot-like manner, such as a laser diode.

ヒートシンク38は、アルミなどの金属により多数のフィンを有する形状に形成され、基板34の裏面に取り付けられる。このように、第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dをLED光源で構成することにより、各発光ユニット36の発光状態の調整が精度よくできる。その結果、後述するハイビーム照射モードや昼間点灯照射モードにおいて、所望の配光特性を高い精度で実現できる。   The heat sink 38 is formed in a shape having a large number of fins from a metal such as aluminum, and is attached to the back surface of the substrate 34. In this way, by configuring the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d with LED light sources, the light emitting state of each light emitting unit 36 can be adjusted with high accuracy. As a result, desired light distribution characteristics can be realized with high accuracy in a high beam irradiation mode and a daytime lighting irradiation mode, which will be described later.

発光モジュール32は、左から第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dの順に並んでホルダ28の内部に配置されるよう、基板34がホルダ28の他方の開口部に取り付けられる。第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dの各々は、発光することによりそれぞれの像が灯具前方の仮想鉛直スクリーン上に投影される。   In the light emitting module 32, the substrate 34 is attached to the other opening of the holder 28 so that the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d are arranged in the order from the left in the holder 28. Each of the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d emits light, thereby projecting each image on a virtual vertical screen in front of the lamp.

図4は、本実施の形態に係る車両用前照灯装置の左右の灯具本体ユニット10から前方へ照射される光により、例えば車両前方25メートルの位置に配置された仮想鉛直スクリーン上に形成される配光パターンを示す図である。   FIG. 4 is formed on a virtual vertical screen disposed, for example, at a position 25 meters ahead of the vehicle by light emitted forward from the left and right lamp body units 10 of the vehicle headlamp device according to the present embodiment. It is a figure which shows a light distribution pattern.

ロービーム用配光パターンPLは第1灯具ユニット18によって形成される。ロービーム用配光パターンPLは左側通行の地域で利用される左配光のロービーム用配光パターンであり、その上端縁に第1カットオフラインCL1〜第3カットオフラインCL3を有する。第1カットオフラインCL1と第3カットオフラインCL3は、灯具正面方向に設定された鉛直線V−Vを境にして左右段違いで水平方向に延在する。第1カットオフラインCL1は、鉛直線V−Vより右側且つ灯具正面方向に設定された水平線H−Hより下方において水平方向に延在する。このため、第1カットオフラインCL1は対向車線カットオフラインとして利用される。   The low beam light distribution pattern PL is formed by the first lamp unit 18. The low beam light distribution pattern PL is a left light distribution low beam light distribution pattern used in a left-hand traffic area, and has a first cut-off line CL1 to a third cut-off line CL3 at an upper end edge thereof. The first cut-off line CL1 and the third cut-off line CL3 extend in the horizontal direction at the left and right steps with the vertical line V-V set in the lamp front direction as a boundary. The first cut-off line CL1 extends in the horizontal direction below the horizontal line HH set on the right side of the vertical line VV and in the front direction of the lamp. For this reason, the first cutoff line CL1 is used as an oncoming lane cutoff line.

第3カットオフラインCL3は、第1カットオフラインCL1の左端部から左上方に向かって例えば45°の傾斜角度で斜めに延在する。第2カットオフラインCL2は、第3カットオフラインCL3と水平線H−Hとの交点から左側において水平線H−H上に延在する。このため、第2カットオフラインCL2は自車線側カットオフラインとして利用される。なお、ロービーム用配光パターンPLにおいて、第1カットオフラインCL1と鉛直線V−Vとの交点であるエルボ点Eは交点H−Vの0.5〜0.6°程度下方に位置しており、このエルボ点Eをやや左よりに囲むようにして高光度領域であるホットゾーンHZがリフレクタ22の形状調整等により形成され、自車線側の視認性を向上させている。   The third cutoff line CL3 extends obliquely at an inclination angle of, for example, 45 ° from the left end portion of the first cutoff line CL1 toward the upper left. The second cutoff line CL2 extends on the horizontal line HH on the left side from the intersection of the third cutoff line CL3 and the horizontal line HH. For this reason, the second cutoff line CL2 is used as the own lane side cutoff line. In the low beam light distribution pattern PL, the elbow point E, which is the intersection of the first cut-off line CL1 and the vertical line VV, is located about 0.5 to 0.6 ° below the intersection HV. The hot zone HZ, which is a high luminous intensity region, is formed by adjusting the shape of the reflector 22 so as to surround the elbow point E slightly from the left, thereby improving the visibility on the own lane side.

ハイビーム用配光パターンの一部領域である付加配光パターンPAは、第2灯具ユニット20からの照射光によって形成される。付加配光パターンPAは、水平線H−Hを含んで水平方向に延びる帯状に形成される。   The additional light distribution pattern PA, which is a partial region of the high beam light distribution pattern, is formed by the irradiation light from the second lamp unit 20. The additional light distribution pattern PA is formed in a strip shape including the horizontal line HH and extending in the horizontal direction.

付加配光パターンPAは、発光ユニット36の数にしたがい水平方向に並ぶ4つの矩形領域に分割されて構成されている。以下、これらの領域を右から順に第1部分領域PA1〜第4部分領域PA4といい、隣り合う部分領域の境界線を分割ラインという。第2部分領域PA2と第3部分領域PA3との分割ラインは0°に設定され、鉛直線V−Vに対応する。   The additional light distribution pattern PA is divided into four rectangular areas arranged in the horizontal direction according to the number of the light emitting units 36. Hereinafter, these regions are referred to as a first partial region PA1 to a fourth partial region PA4 in order from the right, and a boundary line between adjacent partial regions is referred to as a division line. The dividing line between the second partial area PA2 and the third partial area PA3 is set to 0 ° and corresponds to the vertical line V-V.

第1部分領域PA1は、第1発光ユニット36aの照射光によって形成される。第2部分領域PA2は、第2発光ユニット36bの照射光によって形成される。第3部分領域PA3は、第3発光ユニット36cによって形成される。第4部分領域PA4は、第4発光ユニット36dによって形成される。   The first partial area PA1 is formed by the irradiation light of the first light emitting unit 36a. The second partial area PA2 is formed by the irradiation light of the second light emitting unit 36b. The third partial area PA3 is formed by the third light emitting unit 36c. The fourth partial area PA4 is formed by the fourth light emitting unit 36d.

詳しくは後述するが、第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dは、運転者の操作または、車両に搭載され対向車や前走車など前方車両や歩行者を検出する装置からの情報に基づき、個別またはグループ化された複数のユニット毎に点消灯や調光が可能である。これにより、照射領域の異なる複数の配光パターンを得ることができる。したがって、第1部分領域PA1〜第4部分領域PA4のうち前方車両や歩行者の存在する領域を照射する発光ユニット36を消灯することにより、前方車両や歩行者に与えるグレアを抑制できる。   As will be described in detail later, the first light emitting unit 36a to the fourth light emitting unit 36d are based on information from a driver's operation or a device mounted on the vehicle and detecting a forward vehicle or a pedestrian such as an oncoming vehicle or a preceding vehicle. It is possible to turn on / off or dimm each of a plurality of individual or grouped units. Thereby, the several light distribution pattern from which an irradiation area differs can be obtained. Therefore, the glare given to the forward vehicle or the pedestrian can be suppressed by turning off the light emitting unit 36 that irradiates the area where the forward vehicle or the pedestrian exists in the first partial area PA1 to the fourth partial area PA4.

例えば、自車両と反対車線を走行する対向車が存在する場合、第1発光ユニット36aや第2発光ユニット36bを消灯することにより対向車の運転者にグレアを与えないようにすることができる。また、自車両と同じ車線を走行する先行車が存在する場合、第2発光ユニット36bや第3発光ユニット36cを消灯することにより先行者の運転者にグレアを与えないようにすることができる。また、道路の路側帯を走行する歩行者が存在する場合、第1発光ユニット36aや第4発光ユニット36dを消灯することにより歩行者にグレアを与えないようにすることができる。このように、対向車や先行車、歩行者などにグレアを感じさせないように複数の発光ユニット36を部分的に消灯し、残りの発光ユニット36を点灯させることで、運転者の遠方視認性の確保が可能になる。   For example, when there is an oncoming vehicle that travels in the opposite lane to the host vehicle, it is possible to prevent glare from the driver of the oncoming vehicle by turning off the first light emitting unit 36a and the second light emitting unit 36b. Further, when there is a preceding vehicle traveling in the same lane as the own vehicle, it is possible to prevent glare from being given to the preceding driver by turning off the second light emitting unit 36b and the third light emitting unit 36c. Further, when there is a pedestrian traveling on the roadside zone of the road, glare can be prevented from being given to the pedestrian by turning off the first light emitting unit 36a and the fourth light emitting unit 36d. In this way, the plurality of light emitting units 36 are partially turned off and the remaining light emitting units 36 are turned on so that the oncoming vehicle, the preceding vehicle, the pedestrian, etc. do not feel glare. Securement becomes possible.

ところで、複数の発光ユニット36のそれぞれが照射する領域を合成して一つの配光パターンを形成する場合、各領域の間に隙間(非照射領域)がないことが望ましい。このような観点からは、発光モジュール32は、各発光ユニット36の照射領域の境界部分が重なる方向で構成が設定されることになる。一方、各照射領域の境界部分の重なりが多いと、いくつかの発光ユニット36を消灯し、その他の発光ユニット36を点灯させた場合、点灯している発光ユニット36の光が、消灯している発光ユニットの照射領域に漏れ出てしまうこととなり、その領域に存在する前走車や歩行者に対してグレアを与えることにもなる。   By the way, when a light distribution pattern is formed by combining the areas irradiated by each of the plurality of light emitting units 36, it is desirable that there are no gaps (non-irradiated areas) between the areas. From such a viewpoint, the configuration of the light emitting module 32 is set in a direction in which the boundary portions of the irradiation regions of the respective light emitting units 36 overlap. On the other hand, if there are many overlaps between the borders of the irradiation areas, when some of the light emitting units 36 are turned off and other light emitting units 36 are turned on, the light of the light emitting units 36 that are turned on is turned off. It will leak to the irradiation area | region of a light emission unit, and will also give a glare with respect to the preceding vehicle and pedestrian which exist in the area | region.

そこで、発明者らが鋭意検討した結果、点灯している発光ユニットが発する光を、蛍光体層などの光波長変換部材に遮光部を設けることで遮蔽することに想到した。これにより、仮に隣接している発光ユニットが消灯している場合であっても、消灯した発光ユニットに対応する部分領域に存在する前走車や歩行者に与えるグレアが抑制されることになる。   Thus, as a result of intensive studies by the inventors, the inventors have conceived that light emitted from a light emitting unit that is lit is shielded by providing a light wavelength conversion member such as a phosphor layer with a light shielding portion. Thereby, even if the adjacent light emitting units are turned off, glare given to the preceding vehicle or pedestrian existing in the partial region corresponding to the turned off light emitting units is suppressed.

本実施の形態に係る発光モジュール32は、図3に示すように、第1発光ユニット36a〜第4発光ユニット36dを備える。第1発光ユニット36aは、半導体発光素子42aを備える。第2発光ユニット36bは、半導体発光素子42bを備える。第3発光ユニット36cは、半導体発光素子42cを備える。第4発光ユニット36dは、半導体発光素子42dを備える。また、各半導体発光素子42a〜42dの発光面43a〜43dに対向するように蛍光体層44が設けられている。蛍光体層44は、対向する半導体発光素子42a〜42dが発する光を波長変換して出射する光波長変換部材として機能する。   As shown in FIG. 3, the light emitting module 32 according to the present embodiment includes a first light emitting unit 36a to a fourth light emitting unit 36d. The first light emitting unit 36a includes a semiconductor light emitting element 42a. The second light emitting unit 36b includes a semiconductor light emitting element 42b. The third light emitting unit 36c includes a semiconductor light emitting element 42c. The fourth light emitting unit 36d includes a semiconductor light emitting element 42d. A phosphor layer 44 is provided so as to face the light emitting surfaces 43a to 43d of the semiconductor light emitting elements 42a to 42d. The phosphor layer 44 functions as a light wavelength conversion member that converts the wavelength of the light emitted from the semiconductor light emitting elements 42a to 42d facing each other and emits the light.

蛍光体層44は、遮光部58a〜58eを有する。遮光部58bは、隣接する半導体発光素子42a,42bの発光面43a,43bのそれぞれと対向する各領域60a,60bの境界に形成されている。遮光部58cは、隣接する半導体発光素子42b,42cの発光面43b,43cのそれぞれと対向する各領域60b,60cの境界に形成されている。遮光部58dは、隣接する半導体発光素子42c,42dの発光面43c,43dのそれぞれと対向する各領域60c,60dの境界に形成されている。   The phosphor layer 44 includes light shielding portions 58a to 58e. The light shielding portion 58b is formed at the boundary between the regions 60a and 60b facing the light emitting surfaces 43a and 43b of the adjacent semiconductor light emitting elements 42a and 42b. The light shielding portion 58c is formed at the boundary between the regions 60b and 60c facing the light emitting surfaces 43b and 43c of the adjacent semiconductor light emitting elements 42b and 42c. The light shielding portion 58d is formed at the boundary between the regions 60c and 60d facing the light emitting surfaces 43c and 43d of the adjacent semiconductor light emitting elements 42c and 42d.

したがって、半導体発光素子42aの光の一部が、隣接する半導体発光素子42bの発光面43bと対向する領域60bの蛍光体層44に向かって照射されても、遮光部58bによって遮られる。また、半導体発光素子42bの光の一部が、隣接する半導体発光素子42a,42cの発光面43a,43cと対向する領域の蛍光体層44に向かって照射されても、遮光部58b,58cによって遮られる。また、半導体発光素子42cの光の一部が、隣接する半導体発光素子42b,42dの発光面43b,43dと対向する領域の蛍光体層44に向かって照射されても、遮光部58c,58dによって遮られる。また、半導体発光素子42dの光の一部が、隣接する半導体発光素子42cの発光面43cと対向する領域60cの蛍光体層44に向かって照射されても、遮光部58cによって遮られる。   Therefore, even if a part of the light of the semiconductor light emitting element 42a is irradiated toward the phosphor layer 44 in the region 60b facing the light emitting surface 43b of the adjacent semiconductor light emitting element 42b, it is blocked by the light shielding portion 58b. Further, even if a part of the light of the semiconductor light emitting element 42b is irradiated toward the phosphor layer 44 in the region facing the light emitting surfaces 43a and 43c of the adjacent semiconductor light emitting elements 42a and 42c, the light shielding portions 58b and 58c. Blocked. Further, even if a part of the light of the semiconductor light emitting element 42c is irradiated toward the phosphor layer 44 in the region facing the light emitting surfaces 43b and 43d of the adjacent semiconductor light emitting elements 42b and 42d, the light shielding parts 58c and 58d. Blocked. Further, even if part of the light of the semiconductor light emitting element 42d is irradiated toward the phosphor layer 44 in the region 60c facing the light emitting surface 43c of the adjacent semiconductor light emitting element 42c, it is blocked by the light shielding portion 58c.

このように、本実施の形態に係る発光モジュール32は、少なくとも一つの半導体発光素子から発する光によって、隣接する半導体発光素子の発光面と対向する領域の蛍光体層44が光ることが抑制される。その結果、例えば、発光ユニット36aが点灯し、発光ユニット36aに隣接している発光ユニット36bが消灯している場合に、発光ユニット36bの照射対象領域が意図せず照らされることが抑制される。また、少なくとも一つの半導体発光素子の光の一部が、隣接する半導体発光素子の照射領域に向かって照射されても、蛍光体層44に設けられている遮光部によって遮られる。したがって、点灯している半導体発光素子に隣接する半導体発光素子が消灯している場合に、消灯している半導体発光素子を備える発光ユニットの照射対象領域が意図せず照らされることが抑制される。   As described above, in the light emitting module 32 according to the present embodiment, the phosphor layer 44 in the region facing the light emitting surface of the adjacent semiconductor light emitting element is suppressed from being illuminated by the light emitted from at least one semiconductor light emitting element. . As a result, for example, when the light emitting unit 36a is turned on and the light emitting unit 36b adjacent to the light emitting unit 36a is turned off, the irradiation target area of the light emitting unit 36b is prevented from being unintentionally illuminated. Further, even if a part of the light of at least one semiconductor light emitting element is irradiated toward the irradiation region of the adjacent semiconductor light emitting element, it is blocked by the light shielding portion provided in the phosphor layer 44. Therefore, when the semiconductor light emitting element adjacent to the lit semiconductor light emitting element is turned off, the irradiation target area of the light emitting unit including the turned off semiconductor light emitting element is prevented from being unintentionally illuminated.

なお、本実施の形態に係る蛍光体層44は、その最外部に遮光部58a,58eが設けられている。これにより、図4に示す配光パターンPAの左右外側の領域が意図せず照らされることが抑制される。   The phosphor layer 44 according to the present embodiment is provided with light shielding portions 58a and 58e at the outermost part. Accordingly, unintentional illumination of the left and right outer regions of the light distribution pattern PA shown in FIG. 4 is suppressed.

遮光部に充填される材料や遮光部の構成は、少なくとも入射する光をそのまま透過することを妨げるものであればよい。遮光部の充填材料としては、少なくとも蛍光体層44よりも光の透過率が低いものが好ましく、例えば、樹脂組成物、金属、誘電体などの不透明な各種材料から適宜選択される。なお、不透明な材料とは、電磁波の全波長域にわたって光の吸収を示す必要はなく、少なくとも半導体発光素子が発する光の波長域に対して吸収を示すものであればよい。例えば、半導体発光素子が発する紫外光や青色光を選択的に遮光するものであってもよい。   The material to be filled in the light shielding part and the configuration of the light shielding part may be any as long as at least incident light is prevented from being transmitted as it is. As a filling material for the light shielding portion, a material having a light transmittance lower than that of at least the phosphor layer 44 is preferable, and for example, it is appropriately selected from various opaque materials such as a resin composition, a metal, and a dielectric. The opaque material need not exhibit light absorption over the entire wavelength range of electromagnetic waves, and may be any material that exhibits absorption in at least the wavelength range of light emitted from the semiconductor light emitting element. For example, ultraviolet light or blue light emitted from the semiconductor light emitting element may be selectively shielded.

また、遮光部は、反射部材として機能するものであってもよい。例えば、反射率の高い樹脂組成物や金属、誘電体などが挙げられる。また、遮光部は、蛍光体層との境界面に金属膜や誘電体薄膜が形成されたものであってもよい。例えば、高屈折率と低屈折率の誘電体薄膜を交互に多層重ねた反射膜を遮光部に設けるとよい。また、蛍光体層と遮光部との屈折率の違いを利用して光が遮光部の表面で反射するようにしてもよい。この場合、遮光部に充填される物質の屈折率は、蛍光体層を構成する物質の屈折率よりも低いとよい。また、遮光部の形状は、図3に示すような断面が方形のような多角形に限られるものではなく、遮光膜のような薄い形状であってもよい。また、遮光部が蛍光体層を貫通するように設けられていてもよい。   The light shielding part may function as a reflecting member. For example, a highly reflective resin composition, metal, dielectric, and the like can be given. In addition, the light shielding portion may be one in which a metal film or a dielectric thin film is formed on the boundary surface with the phosphor layer. For example, a reflective film in which dielectric thin films having a high refractive index and a low refractive index are alternately stacked may be provided in the light shielding portion. Further, the light may be reflected on the surface of the light shielding part by utilizing the difference in refractive index between the phosphor layer and the light shielding part. In this case, the refractive index of the substance filled in the light shielding portion is preferably lower than the refractive index of the substance constituting the phosphor layer. Further, the shape of the light shielding portion is not limited to a polygon having a square cross section as shown in FIG. 3, and may be a thin shape such as a light shielding film. Moreover, the light shielding part may be provided so as to penetrate the phosphor layer.

なお、図3に示す、遮光部58a,58eと、遮光部58b,58c,58dとは同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。   Note that the light shielding portions 58a and 58e and the light shielding portions 58b, 58c and 58d shown in FIG. 3 may be made of the same material or different materials.

図5は、本実施の形態に係る発光モジュール32を光出射側から見た図である。図5に示すように、蛍光体層44は、遮光部58b,58c,58dによって複数の領域60a,60b,60c,60dに分けられている。なお、蛍光体層44の製造方法としては、複数の遮光部と蛍光体層を構成する各領域とを一体成形で作成する方法もあるが、例えば、蛍光体層を構成する各領域と各遮光部とを組み合わせた部材を複数作成し、半導体発光素子を基板34上に並べてからその上部に搭載して作成してもよい。図6は、本実施の形態に係る発光モジュールの変形例を光出射側から見た図である。発光モジュール132における蛍光体層144は、一体となった遮光部158の内部に光波長変換部材を構成する各領域60a〜60dが設けられている。   FIG. 5 is a view of the light emitting module 32 according to the present embodiment as viewed from the light emitting side. As shown in FIG. 5, the phosphor layer 44 is divided into a plurality of regions 60a, 60b, 60c, and 60d by light shielding portions 58b, 58c, and 58d. In addition, as a manufacturing method of the phosphor layer 44, there is a method in which a plurality of light shielding portions and each region constituting the phosphor layer are formed by integral molding. For example, each region constituting the phosphor layer and each light shielding It is also possible to create a plurality of members combined with a portion and arrange the semiconductor light emitting elements on the substrate 34 and then mount them on the top thereof. FIG. 6 is a view of a modification of the light emitting module according to the present embodiment as viewed from the light emitting side. In the phosphor layer 144 in the light emitting module 132, the regions 60a to 60d constituting the light wavelength conversion member are provided inside the integrated light shielding portion 158.

光波長変換部材に用いられる材料は、粉末の蛍光体を分散させた樹脂組成物やガラス組成物、後述する蛍光セラミックが挙げられる。特に、無機材料である蛍光セラミックは、多様な形状への成形や、精度の高い加工が容易に行える。そのため、蛍光セラミックは、特に、板状の光波長変換部材として利用する場合に好適である。半導体発光素子としては、前述のLED素子が好適であるが、その発光波長は、可視光の範囲だけではなく紫外光の範囲であってもよい。   Examples of the material used for the light wavelength conversion member include a resin composition or a glass composition in which a powdered phosphor is dispersed, and a fluorescent ceramic described later. In particular, fluorescent ceramics, which are inorganic materials, can be easily formed into various shapes and processed with high accuracy. Therefore, the fluorescent ceramic is particularly suitable for use as a plate-like light wavelength conversion member. As the semiconductor light emitting element, the above-described LED element is suitable, but the emission wavelength may be not only in the visible light range but also in the ultraviolet light range.

次に、半導体発光素子42を備える発光ユニット36について更に詳述する。図7は、本実施の形態に好適な発光ユニットの一例を示す断面図である。発光ユニット36は、成長基板40と、その上に成長させた半導体発光素子42と、蛍光体層44と、を備える。発光ユニット36は、基板34に支持されている。基板34としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、SUSなどのステンレス鋼、Cu、AlN、SiC、Siなどの中から適宜選択される。成長基板40は、半導体発光素子42を作製するために適当な格子定数の結晶であり、透光性を有するものが好ましい。本実施の形態に係る発光ユニット36では、成長基板40としてサファイアが用いられている。   Next, the light emitting unit 36 including the semiconductor light emitting element 42 will be described in detail. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting unit suitable for the present embodiment. The light emitting unit 36 includes a growth substrate 40, a semiconductor light emitting element 42 grown on the growth substrate 40, and a phosphor layer 44. The light emitting unit 36 is supported by the substrate 34. The substrate 34 is appropriately selected from, for example, glass epoxy resin, polyimide resin, stainless steel such as SUS, Cu, AlN, SiC, Si, and the like. The growth substrate 40 is a crystal having an appropriate lattice constant for producing the semiconductor light emitting device 42, and preferably has a light transmitting property. In the light emitting unit 36 according to the present embodiment, sapphire is used as the growth substrate 40.

図7に示す発光ユニット36では、板状の蛍光体層44が成長基板40を挟んで半導体発光素子42の発光面に対向するように設けられている。半導体発光素子42は、LED素子によって構成される。本実施の形態では、半導体発光素子42として、青色の波長の光を主として発する青色LEDが採用されている。具体的には、半導体発光素子42は、サファイアの成長基板40上に結晶成長したn型半導体層46およびp型半導体層48と、その間に形成されている発光層50と、を有する。そして、半導体発光素子42は、主として発光層50において発光するため、発光層50の上面を発光面としてとらえることもできる。半導体発光素子42は、バンプ52を介して基板34にフリップチップ実装される。なお、半導体発光素子42の構成や発する光の波長が上述したものに限られないことはもちろんである。   In the light emitting unit 36 shown in FIG. 7, a plate-like phosphor layer 44 is provided so as to face the light emitting surface of the semiconductor light emitting element 42 with the growth substrate 40 interposed therebetween. The semiconductor light emitting element 42 is configured by an LED element. In the present embodiment, a blue LED that mainly emits light having a blue wavelength is employed as the semiconductor light emitting element 42. Specifically, the semiconductor light emitting device 42 includes an n-type semiconductor layer 46 and a p-type semiconductor layer 48 that are crystal-grown on a sapphire growth substrate 40, and a light-emitting layer 50 formed therebetween. Since the semiconductor light emitting element 42 emits light mainly in the light emitting layer 50, the upper surface of the light emitting layer 50 can be regarded as a light emitting surface. The semiconductor light emitting element 42 is flip-chip mounted on the substrate 34 via the bumps 52. Of course, the configuration of the semiconductor light emitting element 42 and the wavelength of the emitted light are not limited to those described above.

蛍光体層44は、光波長変換部材であり、少なくとも光波長変換セラミックから構成されている。光波長変換セラミックは、1μm以上5000μm未満、好ましくは10μm以上1000μm未満の厚さの板状に形成されたものを、半導体発光素子42のサイズに合わせて加工されたものである。なお、光波長変換セラミックの大きさがこれに限られないことはもちろんである。本実施の形態に係る蛍光体層44は、隣接する半導体発光素子の発光面のそれぞれと対向する各領域の境界に遮光部58が形成されている。   The phosphor layer 44 is a light wavelength conversion member and is composed of at least a light wavelength conversion ceramic. The light wavelength conversion ceramic is formed in a plate shape having a thickness of 1 μm or more and less than 5000 μm, preferably 10 μm or more and less than 1000 μm, and is processed according to the size of the semiconductor light emitting element 42. Of course, the size of the light wavelength conversion ceramic is not limited to this. In the phosphor layer 44 according to the present embodiment, a light shielding portion 58 is formed at the boundary of each region facing each light emitting surface of an adjacent semiconductor light emitting element.

光波長変換セラミックは、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、青色光によって励起される蛍光体であるYAG(Yttrium Aluminium Garnet)粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。このような光波長変換セラミックの製造方法は公知であることから詳細な説明は省略する。こうして得られた光波長変換セラミックは、例えば粉末状の蛍光体と異なり、粉末表面での光拡散を抑制でき、半導体発光素子42が発する光の損失が非常に少ない。   Light wavelength conversion ceramics are so-called luminescent ceramics or fluorescent ceramics, which are produced by sintering a ceramic substrate made of YAG (Yttrium Aluminum Garnet) powder, which is a phosphor excited by blue light. Can be obtained. Since the manufacturing method of such a light wavelength conversion ceramic is well-known, detailed description is abbreviate | omitted. The light wavelength conversion ceramic thus obtained can suppress light diffusion on the surface of the powder, unlike a powdered phosphor, for example, and the loss of light emitted from the semiconductor light emitting element 42 is very small.

なお、蛍光体としてYAG粉末が用いられる場合、遮光部58に充填される物質は屈折率が約1.8以下のものが好ましい。これであれば、半導体発光素子42が発する光の一部が遮光部58で遮光されるとともに、場合によっては全反射が生じ、光が無駄に吸収されることが抑制される。   In addition, when YAG powder is used as the phosphor, the material filled in the light shielding portion 58 preferably has a refractive index of about 1.8 or less. In this case, a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element 42 is shielded by the light shielding portion 58 and, in some cases, total reflection occurs, and light is prevented from being absorbed unnecessarily.

光波長変換セラミックは、半導体発光素子42が主として発する青色光の波長を変換して黄色光を出射する。このため、発光ユニット36からは、蛍光体層44をそのまま透過した青色光と、光波長変換セラミックによって波長が変換された黄色光との合成光が出射する。こうして、発光ユニット36は、白色の光を発することが可能となる。   The light wavelength conversion ceramic converts the wavelength of blue light mainly emitted from the semiconductor light emitting element 42 and emits yellow light. For this reason, the light emitting unit 36 emits combined light of blue light that has passed through the phosphor layer 44 as it is and yellow light whose wavelength has been converted by the light wavelength conversion ceramic. Thus, the light emitting unit 36 can emit white light.

なお、半導体発光素子42は、青以外の波長の光を主として発するものが採用されてもよい。この場合も、光波長変換セラミックには、半導体発光素子42が発する主とする光の波長を変換するものが採用される。なお、光波長変換セラミックは、この場合においても半導体発光素子42が主として発する波長の光と組み合わせることにより白色または白色に近い色の波長の光となるよう、半導体発光素子42が発する光の波長を変換してもよい。   The semiconductor light emitting element 42 may be one that mainly emits light having a wavelength other than blue. Also in this case, a material that converts the wavelength of the main light emitted from the semiconductor light emitting element 42 is employed as the light wavelength conversion ceramic. In this case, the light wavelength conversion ceramic also changes the wavelength of the light emitted by the semiconductor light emitting element 42 so that the light having the wavelength of white or near white is combined with the light having the wavelength mainly emitted by the semiconductor light emitting element 42. It may be converted.

(第2の実施の形態)
図8は、第2の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。なお、第1の実施の形態と同様の構成については説明を適宜省略する。本実施の形態に係る発光モジュール132は、蛍光体層244の光出射側の面に複数の溝62が形成されている。これにより、複数の半導体発光素子42a〜42dを蛍光体層244に対して固定した後であっても、半導体発光素子が固定されていない光出射側からの加工が容易に行える。各溝62には、第1の実施の形態で説明した材料と同様に光の透過を妨げる遮光材料が充填され遮光部158b,158c,158dが構成されている。これにより、光波長変換部材を複数の部材に切断することなく、一体のまま遮光部158b,158c,158dを形成することができる。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part of the light emitting module according to the second embodiment. Note that description of the same configuration as that of the first embodiment is omitted as appropriate. In the light emitting module 132 according to the present embodiment, a plurality of grooves 62 are formed on the light emitting side surface of the phosphor layer 244. Thereby, even after the plurality of semiconductor light emitting elements 42a to 42d are fixed to the phosphor layer 244, processing from the light emitting side where the semiconductor light emitting elements are not fixed can be easily performed. Each groove 62 is filled with a light shielding material that prevents transmission of light in the same manner as the material described in the first embodiment, thereby constituting light shielding portions 158b, 158c, and 158d. Thereby, the light-shielding portions 158b, 158c, and 158d can be formed as a single unit without cutting the light wavelength conversion member into a plurality of members.

図9は、第2の実施の形態の変形例に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。発光モジュール232は、蛍光体層244の半導体素子と対向する側の面に複数の溝162が形成されている。これにより、各溝162には、第1の実施の形態で説明した材料と同様に光の透過を妨げる遮光材料が充填され遮光部258b,258c,258dが構成されている。これにより、光波長変換部材を複数の部材に切断することなく、一体のまま遮光部258b,258c,258dを形成することができる。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a main part of a light emitting module according to a modification of the second embodiment. In the light emitting module 232, a plurality of grooves 162 are formed on the surface of the phosphor layer 244 facing the semiconductor element. As a result, each groove 162 is filled with a light shielding material that prevents transmission of light in the same manner as the material described in the first embodiment, thereby constituting light shielding portions 258b, 258c, and 258d. Thereby, the light-shielding portions 258b, 258c, and 258d can be formed as a single unit without cutting the light wavelength conversion member into a plurality of members.

図10は、第2の実施の形態に係る変形例に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。発光モジュール332は、蛍光体層244の一部に薄肉部260a〜260dが形成されている。薄肉部260aと薄肉部260bは、蛍光体層44のうち半導体発光素子42aと半導体発光素子42bとの間の隙間の上方に位置する箇所に形成されており、遮光部258bに隣接している。薄肉部260bと薄肉部260cは、蛍光体層44のうち半導体発光素子42bと半導体発光素子42cとの間の隙間の上方に位置する箇所に形成されており、遮光部258cに隣接している。薄肉部260cと薄肉部260dは、蛍光体層44のうち半導体発光素子42cと半導体発光素子42dとの間の隙間の上方に位置する箇所に形成されており、遮光部258dに隣接している。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a main part of a light emitting module according to a modification according to the second embodiment. In the light emitting module 332, thin portions 260a to 260d are formed in part of the phosphor layer 244. The thin-walled portion 260a and the thin-walled portion 260b are formed in a portion of the phosphor layer 44 that is located above the gap between the semiconductor light-emitting element 42a and the semiconductor light-emitting element 42b, and are adjacent to the light-shielding portion 258b. The thin-walled portion 260b and the thin-walled portion 260c are formed in a portion of the phosphor layer 44 located above the gap between the semiconductor light emitting element 42b and the semiconductor light emitting element 42c, and are adjacent to the light shielding portion 258c. The thin-walled portion 260c and the thin-walled portion 260d are formed in a portion of the phosphor layer 44 located above the gap between the semiconductor light-emitting element 42c and the semiconductor light-emitting element 42d, and are adjacent to the light-shielding portion 258d.

このように、発光モジュール332は、蛍光体層244のうち各発光ユニット36a〜36dの各境界領域に薄肉部260a〜260dが形成されている。つまり、蛍光体層244のうち、半導体発光素子42と対向していない部分が薄肉化されている。そのため、色ムラが防止される。   As described above, in the light emitting module 332, the thin portions 260a to 260d are formed in the boundary regions of the light emitting units 36a to 36d in the phosphor layer 244. That is, a portion of the phosphor layer 244 that does not face the semiconductor light emitting element 42 is thinned. Therefore, color unevenness is prevented.

(第3の実施の形態)
図11は、第3の実施の形態に係る発光モジュールの要部を示す断面図である。なお、上述の各実施の形態と同様の構成については説明を適宜省略する。発光モジュール432は、蛍光体層244の一部に遮光部358b〜358dが設けられている。遮光部358bは、隣接する半導体発光素子42a,42bの発光面43a,43bのそれぞれと対向する各領域60a,60bの境界に形成されている。遮光部358cは、隣接する半導体発光素子42b,42cの発光面43b,43cのそれぞれと対向する各領域60b,60cの境界に形成されている。遮光部358dは、隣接する半導体発光素子42c,42dの発光面43c,43dのそれぞれと対向する各領域60c,60dの境界に形成されている。
(Third embodiment)
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a main part of a light emitting module according to the third embodiment. Note that description of the same configurations as those of the above-described embodiments is omitted as appropriate. In the light emitting module 432, light shielding portions 358 b to 358 d are provided in part of the phosphor layer 244. The light shielding portion 358b is formed at the boundary between the regions 60a and 60b facing the light emitting surfaces 43a and 43b of the adjacent semiconductor light emitting elements 42a and 42b. The light shielding portion 358c is formed at the boundary between the regions 60b and 60c facing the light emitting surfaces 43b and 43c of the adjacent semiconductor light emitting elements 42b and 42c. The light shielding portion 358d is formed at the boundary between the regions 60c and 60d facing the light emitting surfaces 43c and 43d of the adjacent semiconductor light emitting elements 42c and 42d.

また、遮光部358b〜358dは、各半導体発光素子42a〜42dの間の隙間に向かって蛍光体層44の下面より突出するように設けられている。これにより、各半導体発光素子42から出射した光が隣の発光ユニット36の蛍光体層に入射することが抑制される。なお、蛍光体層44と半導体発光素子42との間が離れている場合は、遮光部358b〜358dの下端は、少なくとも各半導体発光素子42の発光面43a〜43dより下方に位置するように設けるとよい。   The light shielding portions 358b to 358d are provided so as to protrude from the lower surface of the phosphor layer 44 toward the gaps between the semiconductor light emitting elements 42a to 42d. Thereby, it is suppressed that the light radiate | emitted from each semiconductor light emitting element 42 injects into the fluorescent substance layer of the adjacent light emission unit 36. FIG. When the phosphor layer 44 and the semiconductor light emitting element 42 are separated from each other, the lower ends of the light shielding portions 358b to 358d are provided at least below the light emitting surfaces 43a to 43d of the semiconductor light emitting elements 42. Good.

(車両用灯具)
図12は、上述のように構成される車両用前照灯装置の照射制御部と車両側の車両制御部の構成を説明する機能ブロック図である。車両用前照灯装置100の照射制御部102は、車両104に搭載された車両制御部106の指示にしたがって電源回路108の制御を行い第1灯具ユニット18や第2灯具ユニット20の照射制御を行う。
(Vehicle lamp)
FIG. 12 is a functional block diagram illustrating the configuration of the irradiation control unit and the vehicle control unit on the vehicle side of the vehicle headlamp device configured as described above. The irradiation control unit 102 of the vehicle headlamp device 100 controls the power supply circuit 108 in accordance with an instruction from the vehicle control unit 106 mounted on the vehicle 104 to control the irradiation of the first lamp unit 18 and the second lamp unit 20. Do.

車両制御部106には、ライトスイッチ110、時計112、照度センサ114、カメラ116、車速センサ118が接続されている。ライトスイッチ110は第1灯具ユニット18のオン/オフによるロービーム照射切替え、第1灯具ユニット18の点灯時における第2灯具ユニット20のオン/オフによるハイビーム照射切替え、第1灯具ユニット18の消灯時における第2灯具ユニット20のオン/オフによるDRL照射切替えを手動で行うスイッチである。   A light switch 110, a clock 112, an illuminance sensor 114, a camera 116, and a vehicle speed sensor 118 are connected to the vehicle control unit 106. The light switch 110 switches the low beam irradiation by turning on / off the first lamp unit 18, switches the high beam irradiation by turning on / off the second lamp unit 20 when the first lamp unit 18 is turned on, and turns off the first lamp unit 18. It is a switch for manually switching DRL irradiation by turning on / off the second lamp unit 20.

本実施の形態の車両用前照灯装置100は、ライトスイッチ110の操作がない場合でも車両104の周囲の状況を検出して第1灯具ユニット18や第2灯具ユニット20の点消灯制御を行うことができる。例えば、時計112は、現在の日時または現在の季節と時刻を車両制御部106に提供する。車両制御部106は、日時や季節に基づき車両104の周囲が車両用前照灯装置100を点灯すべき暗さであると判定できる場合は、照射制御部102に第1灯具ユニット18の点灯指令を送りロービームを自動点灯するようにしてもよい。一方、車両制御部106が車両用前照灯装置100の点灯は必要ない明るさであると判定した場合、照射制御部102に第2灯具ユニット20の減光点灯指令を送りDRLを自動点灯するようにしてもよい。また、車両制御部106は、カメラ116からの情報に基づき、車両前方に前方車両や歩行者が存在しない場合、ロービーム照射からハイビーム照射に自動的に切り替えてもよい。   The vehicle headlamp device 100 according to the present embodiment detects the surroundings of the vehicle 104 even when the light switch 110 is not operated, and controls the turning on / off of the first lamp unit 18 and the second lamp unit 20. be able to. For example, the clock 112 provides the current date and time or the current season and time to the vehicle control unit 106. When the vehicle control unit 106 can determine that the surroundings of the vehicle 104 are dark enough to turn on the vehicle headlamp device 100 based on the date and time and season, the vehicle control unit 106 instructs the irradiation control unit 102 to turn on the first lamp unit 18. The low beam may be turned on automatically. On the other hand, when the vehicle control unit 106 determines that the lighting of the vehicle headlamp device 100 is not necessary, the dimming lighting command for the second lamp unit 20 is sent to the irradiation control unit 102 to automatically turn on the DRL. You may do it. Further, the vehicle control unit 106 may automatically switch from low beam irradiation to high beam irradiation based on information from the camera 116 when there is no forward vehicle or pedestrian in front of the vehicle.

前述したように、本実施形態の場合、第1灯具ユニット18とともに第2灯具ユニット20を点灯させているときに、ハイビーム照射領域中に照射を抑制すべき物体が存在する場合、前記物体が存在する位置に対応する第2灯具ユニット20の照射による部分領域を消灯制御する。ここで、照射を抑制すべき物体とは、対向車や前走車、歩行者などである。このような消灯制御を実行するために、車両制御部106は、物体の認識手段として例えばステレオカメラなどのカメラ116から提供される画像データを用いる。カメラ116の撮影領域は仮想鉛直スクリーンの領域と一致している。撮影画像中に予め保持している車両や歩行者を示す特徴点を含む画像が存在する場合、ハイビーム照射領域中に照射を抑制すべき物体が存在すると判定する。そして、照射を抑制すべき物体の存在する位置に対応する部分領域を形成している発光ユニット36を消灯するように照射制御部102に情報を供給する。なお、ハイビーム照射領域中に照射を抑制すべき対象物を検出する手段は適宜変更可能であり、カメラ116に代えてミリ波レーダや赤外線レーダなど他の検出手段を用いてもよい。また、それらを組み合わせてもよい。また、カメラ116からの情報に基づき、車両104の周囲の明るさを検出してハイビーム照射モードと昼間点灯照射モードの切替え制御を行うようにしてもよい。   As described above, in the case of the present embodiment, when the second lamp unit 20 is turned on together with the first lamp unit 18, if there is an object whose irradiation should be suppressed in the high beam irradiation area, the object exists. The partial area by the irradiation of the second lamp unit 20 corresponding to the position to be turned off is controlled. Here, the object which should suppress irradiation is an oncoming vehicle, a preceding vehicle, a pedestrian, etc. In order to execute such a turn-off control, the vehicle control unit 106 uses image data provided from a camera 116 such as a stereo camera as an object recognition unit. The shooting area of the camera 116 coincides with the virtual vertical screen area. When an image including a feature point indicating a vehicle or a pedestrian held in advance is present in the captured image, it is determined that there is an object whose irradiation should be suppressed in the high beam irradiation region. Then, information is supplied to the irradiation control unit 102 so as to turn off the light emitting unit 36 that forms the partial region corresponding to the position where the object whose irradiation should be suppressed exists. Note that means for detecting an object whose irradiation should be suppressed in the high beam irradiation region can be changed as appropriate, and other detection means such as millimeter wave radar and infrared radar may be used instead of the camera 116. Moreover, you may combine them. Further, based on information from the camera 116, the brightness around the vehicle 104 may be detected to control switching between the high beam irradiation mode and the daytime lighting irradiation mode.

なお、本実施の形態においては、車両用灯具としての車両用前照灯装置は、発光モジュールが備える複数の発光ユニットを個別に調光制御する制御回路を備えている。なお、制御回路は、発光モジュールが備える複数の発光ユニットを複数のグループに分けた場合にグループ毎に調光制御するものであってもよい。このような車両用前照灯装置は、前述の発光モジュールを備えることで、所望の配光特性を高い精度で実現することができる。   In the present embodiment, the vehicle headlamp device as the vehicle lamp includes a control circuit that individually performs dimming control on a plurality of light emitting units included in the light emitting module. Note that the control circuit may perform dimming control for each group when the plurality of light emitting units included in the light emitting module are divided into a plurality of groups. Such a vehicle headlamp device can realize a desired light distribution characteristic with high accuracy by including the above-described light emitting module.

以上、本発明を各実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   In the above, this invention was demonstrated based on each embodiment. This embodiment is an exemplification, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are also within the scope of the present invention. is there.

上述の実施の形態では、青色の光を発する半導体発光素子と黄色の蛍光体の組み合わせた発光ユニットについて説明したが、発光ユニットとしては、紫外光を発する半導体発光素子と、紫外光で励起され、赤、緑、青の光をそれぞれ発する複数の蛍光体と、を有するものであってもよい。あるいは、紫外光を発する半導体発光素子と、紫外光で励起され、青、黄の光を発する蛍光体と、を有する発光ユニットであってもよい。   In the above-described embodiment, a light-emitting unit that combines a semiconductor light-emitting element that emits blue light and a yellow phosphor has been described. However, as the light-emitting unit, a semiconductor light-emitting element that emits ultraviolet light, and excited by ultraviolet light, And a plurality of phosphors that emit red, green, and blue light, respectively. Alternatively, the light emitting unit may include a semiconductor light emitting element that emits ultraviolet light and a phosphor that is excited by ultraviolet light and emits blue and yellow light.

また、上述の実施の形態では、光波長変換部材としてセラミック材料が用いられているが、これに代えてシリコーン樹脂やガラス、ゾル・ゲル剤と、粉末蛍光体とを混合して板状に加工したものを光波長変換部材として用いてもよい。なお、蛍光体層としては、波長600nmにおける光透過率が40%以上であることが好ましい。また、本実施の形態に係る発光モジュールは、車両用灯具だけではなく照明用灯具にも用いることができる。   In the above-described embodiment, a ceramic material is used as the light wavelength conversion member. Instead, a silicone resin, glass, sol-gel agent, and powder phosphor are mixed and processed into a plate shape. You may use what was done as a light wavelength conversion member. In addition, as a fluorescent substance layer, it is preferable that the light transmittance in wavelength 600nm is 40% or more. The light emitting module according to the present embodiment can be used not only for a vehicle lamp but also for an illumination lamp.

10 灯具本体ユニット、 20 第2灯具ユニット、 22 リフレクタ、 32 発光モジュール、 34 基板、 36 発光ユニット、 40 成長基板、 42 半導体発光素子、 43a 発光面、 44 蛍光体層、 58 遮光部、 60a 領域、 62 溝、 100 車両用前照灯装置、 102 照射制御部、 104 車両。   10 lamp body unit, 20 second lamp unit, 22 reflector, 32 light emitting module, 34 substrate, 36 light emitting unit, 40 growth substrate, 42 semiconductor light emitting element, 43a light emitting surface, 44 phosphor layer, 58 light shielding portion, 60a region, 62 groove, 100 vehicle headlamp device, 102 irradiation control unit, 104 vehicle.

Claims (5)

複数の半導体発光素子と、
配列された前記複数の半導体発光素子を支持する基板と、
前記複数の半導体発光素子の発光面に対向するように設けられ、前記半導体発光素子が発する光の波長を変換する板状の光波長変換部材と、を備え、
前記光波長変換部材は、
板状に形成された蛍光セラミックであり、
隣接する前記半導体発光素子の発光面のそれぞれと対向する各領域の境界に形成された複数の溝が形成されており、
前記溝に遮光部が設けられていることを特徴とする発光モジュール。
A plurality of semiconductor light emitting elements;
A substrate that supports the plurality of semiconductor light emitting elements arranged;
A plate-shaped light wavelength conversion member that is provided so as to oppose the light emitting surfaces of the plurality of semiconductor light emitting elements and converts the wavelength of light emitted by the semiconductor light emitting elements,
The light wavelength conversion member is
It is a fluorescent ceramic formed in a plate shape,
A plurality of grooves formed at the boundary of each region facing each light emitting surface of the adjacent semiconductor light emitting element is formed,
A light emitting module, wherein a light shielding portion is provided in the groove.
前記遮光部は、前記溝に、光の透過を妨げる遮光材料が充填されることで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。   The light-emitting module according to claim 1, wherein the light-shielding portion is configured by filling the groove with a light-shielding material that prevents light transmission. 前記溝は、前記光波長変換部材の光出射側の面に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 2, wherein the groove is formed on a light emitting side surface of the light wavelength conversion member. 複数の半導体発光素子のそれぞれが個別に調光可能なように構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光モジュール。   The light emitting module according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the plurality of semiconductor light emitting elements is configured to be dimmable individually. 請求項1乃至4のいずれかに記載の発光モジュールと、
前記発光モジュールが備える複数の半導体発光素子を複数のグループに分けた場合にグループ毎に調光制御する制御回路と、
を備えることを特徴とする車両用灯具。
The light emitting module according to any one of claims 1 to 4,
A control circuit that performs dimming control for each group when the plurality of semiconductor light emitting elements included in the light emitting module are divided into a plurality of groups;
A vehicular lamp characterized by comprising:
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219675A (en) * 2015-05-25 2016-12-22 スタンレー電気株式会社 Light-emitting device and manufacturing method of the same
KR20180066034A (en) * 2015-10-05 2018-06-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 Light emitting device
KR101945796B1 (en) 2017-11-23 2019-02-08 한화큐셀앤드첨단소재(주) Indicator assembly of in-mold electronics type
KR101971961B1 (en) * 2017-11-23 2019-04-24 한화큐셀앤드첨단소재(주) Indicator assembly of in-mold electronics type
US10510934B2 (en) 2015-11-30 2019-12-17 Nichia Corporation Light emitting device
JP2020120082A (en) * 2019-01-28 2020-08-06 市光工業株式会社 Light-emitting device and vehicle headlamp
US10763403B2 (en) 2018-03-20 2020-09-01 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US11050007B2 (en) 2018-09-28 2021-06-29 Nichia Corporation Light emitting device
US11355682B2 (en) 2019-04-22 2022-06-07 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
EP4063719A4 (en) * 2019-12-23 2023-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Headlamp device
US11843078B2 (en) 2019-12-26 2023-12-12 Nichia Corporation Light emitting device with good visibility

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100441A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device
JP2008004948A (en) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc Low profile side emitting led
JP2008311246A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Nichia Corp Light-emitting apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100441A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device
JP2008004948A (en) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc Low profile side emitting led
JP2008311246A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Nichia Corp Light-emitting apparatus

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219675A (en) * 2015-05-25 2016-12-22 スタンレー電気株式会社 Light-emitting device and manufacturing method of the same
US9935249B2 (en) 2015-05-25 2018-04-03 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
KR20180066034A (en) * 2015-10-05 2018-06-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 Light emitting device
KR102595956B1 (en) * 2015-10-05 2023-10-31 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 light emitting device
US10510934B2 (en) 2015-11-30 2019-12-17 Nichia Corporation Light emitting device
US11670746B2 (en) 2015-11-30 2023-06-06 Nichia Corporation Light emitting device
US10944030B2 (en) 2015-11-30 2021-03-09 Nichia Corporation Light emitting device
KR101945796B1 (en) 2017-11-23 2019-02-08 한화큐셀앤드첨단소재(주) Indicator assembly of in-mold electronics type
KR101971961B1 (en) * 2017-11-23 2019-04-24 한화큐셀앤드첨단소재(주) Indicator assembly of in-mold electronics type
US11316080B2 (en) 2018-03-20 2022-04-26 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US10763403B2 (en) 2018-03-20 2020-09-01 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US11715819B2 (en) 2018-03-20 2023-08-01 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US11050007B2 (en) 2018-09-28 2021-06-29 Nichia Corporation Light emitting device
JP7305970B2 (en) 2019-01-28 2023-07-11 市光工業株式会社 vehicle headlight
JP2020120082A (en) * 2019-01-28 2020-08-06 市光工業株式会社 Light-emitting device and vehicle headlamp
US11355682B2 (en) 2019-04-22 2022-06-07 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
EP4063719A4 (en) * 2019-12-23 2023-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Headlamp device
US11767961B2 (en) 2019-12-23 2023-09-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Headlamp device
US12085253B2 (en) 2019-12-23 2024-09-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Headlamp device
US11843078B2 (en) 2019-12-26 2023-12-12 Nichia Corporation Light emitting device with good visibility

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