JP2014189475A - Method of producing silicon tetrachloride - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、塩素法による四塩化ケイ素の製造方法に係り、特に、四塩化ケイ素の製造工程で回収された原料の再利用技術に関する。 The present invention relates to a method for producing silicon tetrachloride by a chlorine method, and more particularly to a technology for reusing raw materials recovered in a production process of silicon tetrachloride.
四塩化ケイ素は、高純度シリコンの原料として貴重な原料であり、従来は、粗シリコンを塩素ガスあるいは塩酸と接触させて四塩化ケイ素とし、同四塩化ケイ素を水素還元することにより純度の高い半導体用金属シリコンが製造されている。 Silicon tetrachloride is a valuable raw material for high-purity silicon. Conventionally, silicon tetrachloride is made by bringing crude silicon into contact with chlorine gas or hydrochloric acid, and the silicon tetrachloride is reduced by hydrogen to produce a high-purity semiconductor. Metallic silicon is manufactured.
これに対して、粗シリコンよりも原料の安価なシリカを塩素ガスと反応させて四塩化ケイ素を製造する方法(以降、「塩素法」と呼ぶ場合がある)も知られている。当該方法においては、四塩化ケイ素の生成反応が吸熱反応であるため、何らかの形での熱補給が必要とされ、この点が当該方法の実用化を遅らせている一因となっている。 On the other hand, a method of producing silicon tetrachloride by reacting silica, which is cheaper than crude silicon, with chlorine gas (hereinafter sometimes referred to as “chlorine method”) is also known. In this method, since the formation reaction of silicon tetrachloride is an endothermic reaction, some form of heat replenishment is required, which contributes to the delay in practical application of the method.
このような課題に対しては、四塩化ケイ素に金属シリコンを添加して、該金属シリコンの塩素化の際に発生する反応熱を利用する試みも報告されている(例えば、特許文献1参照)。 In response to such a problem, an attempt has been reported in which metal silicon is added to silicon tetrachloride and the reaction heat generated during chlorination of the metal silicon is used (for example, see Patent Document 1). .
また、シリコンウエファーの製造工程で発生した金属シリコンの切削屑を塩素化させて四塩化ケイ素として回収する技術も知られている(例えば、特許文献2参照)。 In addition, a technique for chlorinating metal silicon cuttings generated in a silicon wafer manufacturing process and recovering it as silicon tetrachloride is also known (for example, see Patent Document 2).
しかしながら、前記塩化炉内の流動層内に単純に金属シリコンを添加しただけでは、金属シリコンがシリカに比べて優先的に反応し、シリカの塩素化反応が遅滞してしまうとい課題が残されており、改善策が求められている。 However, simply adding metal silicon into the fluidized bed in the chlorination furnace leaves the problem that metal silicon reacts preferentially over silica and the chlorination reaction of silica is delayed. Improvement measures are required.
また、塩素化反応に伴って原料が消費され、微粉が生成される。この原料の微粉がガス流によって塩化炉の下流側の固形物回収系に未反応のままで運ばれる、所謂キャリーオーバーの問題もあった。 Moreover, raw materials are consumed with the chlorination reaction, and fine powder is produced. There is also a so-called carry-over problem that the fine powder of the raw material is transported unreacted by the gas flow to the solids recovery system downstream of the chlorination furnace.
このようにシリカを原料として四塩化ケイ素を効率よく製造し、更に、四塩化ケイ素製造用塩化炉より発生するキャリーオーバーされた原料を回収し、該原料を効率よく四塩化として回収する方法が望まれている。 Thus, a method for efficiently producing silicon tetrachloride from silica as a raw material, and further recovering the carry-over raw material generated from a chlorinating furnace for producing silicon tetrachloride and efficiently recovering the raw material as tetrachloride is desired. It is rare.
本発明は、塩素法による四塩化ケイ素の製造方法において、シリカを効率よく塩素化し、かつ、四塩化ケイ素を製造する際に塩化炉から飛散する原料を効率よくリサイクルする技術の提供を目的とするものである。 An object of the present invention is to provide a technology for efficiently chlorinating silica and efficiently recycling raw materials scattered from a chlorination furnace when producing silicon tetrachloride in a method for producing silicon tetrachloride by a chlorine method. Is.
かかる実情に鑑み前記課題の解決手段について鋭意検討を重ねてきたところ、シリカの塩素化工程において、塩化炉から飛散した原料を回収し、該回収された原料をそのまま塩化炉に供給する方法、または、回収した後、前記原料を新規原料に配合して造粒し、塩化炉に供給あるいは、前記原料を事前に反応容器で塩素化させることにより、飛散した原料から四塩化ケイ素を生成させ、これを塩素ガスと共に塩化炉にリサイクル使用することにより、該塩化炉より飛散した原料を効率よく回収できるという効果を奏することが確認され、本発明を完成するに至った。 In view of the actual situation, the inventors have intensively studied the means for solving the above-mentioned problems. After recovery, the raw material is blended with a new raw material, granulated, and supplied to a chlorination furnace, or the raw material is chlorinated in a reaction vessel in advance to produce silicon tetrachloride from the scattered raw material. It was confirmed that there was an effect that the raw material scattered from the chlorinating furnace could be efficiently recovered by recycling it to the chlorinating furnace together with chlorine gas, and the present invention was completed.
即ち、本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法は、二酸化ケイ素を含む酸化物を原料(以下、単に「原料」と呼ぶ)として用い、これを塩素化する四塩化ケイ素の製造方法において、製造工程で使用する塩化炉より飛散した原料を、塩化炉または塩化炉の下流に配置した固形物回収系に戻して再利用することを特徴とするものである。 That is, the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention uses a silicon dioxide-containing oxide as a raw material (hereinafter simply referred to as “raw material”), and chlorinates the silicon tetrachloride production method. The raw material scattered from the chlorination furnace used in 1 is returned to the chlorination furnace or the solid matter recovery system disposed downstream of the chlorination furnace and reused.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、塩化炉から飛散した原料を該塩化炉の流動層内に直接戻すことを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, it is preferable to directly return the raw material scattered from the chlorination furnace into the fluidized bed of the chlorination furnace.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、塩化炉から飛散した原料を造粒体にしてから塩化炉内の流動層の上方もしくは底部から流動層に供給することを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, the raw material scattered from the chlorination furnace is granulated and then supplied to the fluidized bed from above or from the bottom of the fluidized bed in the chlorination furnace. is there.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、原料が二酸化ケイ素、コークスおよび金属シリコンを含んでいることを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, it is preferable that the raw material contains silicon dioxide, coke and metal silicon.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、造粒体が、100〜2000μmにあることを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, it is preferable that the granule is 100 to 2000 μm.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、前記造粒体には、該塩化炉用の原料として供給されたロット原料から予め除外されていた、規格外の微粉原料を含んでいることを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, the granule includes a non-standard fine powder raw material that has been excluded in advance from the lot raw material supplied as the raw material for the chlorination furnace. This is a preferred embodiment.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、塩化炉から飛散した原料及び造粒体を塩化炉の底部から塩素ガスと一緒に流動層内に供給することを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, it is preferable that the raw material and granulated material scattered from the chlorination furnace are supplied into the fluidized bed together with chlorine gas from the bottom of the chlorination furnace.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、前記塩化炉から飛散した原料及び造粒体を別の反応容器内で塩素化して生成されたガスを塩素ガスと一緒に塩化炉に供給することを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, a gas generated by chlorinating the raw material and granulated material scattered from the chlorination furnace in another reaction vessel is supplied to the chlorination furnace together with chlorine gas. Is a preferred embodiment.
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法においては、前記塩化炉から飛散した原料を別の反応容器内で塩素化して生成されたガスを、塩化炉の後段に配置した固形物回収工程に供給することを好ましい態様とするものである。 In the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention, the gas generated by chlorinating the raw material scattered from the chlorination furnace in another reaction vessel is supplied to a solids recovery step disposed at the latter stage of the chlorination furnace. This is a preferred embodiment.
本発明に係る方法に従うことで、四塩化ケイ素の製造用塩化炉より飛散した固形物から効率よくケイ素成分を回収し、四塩化ケイ素を製造することができるこという効果を奏するものである。 By following the method according to the present invention, the silicon component can be efficiently recovered from the solid material scattered from the chlorination furnace for producing silicon tetrachloride, and silicon tetrachloride can be produced.
1.第1実施形態
本発明の最良の実施形態について図面を用いながら以下に詳細に説明する。図1は、本発明に係る四塩化ケイ素の製造工程の好ましい態様の一例を表している。
1. First Embodiment The best embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a preferred embodiment of the process for producing silicon tetrachloride according to the present invention.
図1に示す実施態様においては、塩化炉1の頂部よりシリカを含む原料が供給され、塩化炉1の底部から塩素ガスが供給され、塩化炉1内に流動層3を形成し、流動層3内で原料が塩素化されて四塩化ケイ素を生成する。この過程で原料の大部分は消費されて四塩化ケイ素に変換されるが一部が微粉状のまま固形物回収系にキャリーオーバーされる。
ここでいうこところの「固形物回収系」とは、塩化炉1に対して下流側に配置した配管を含む設備構成を意味するものである。
In the embodiment shown in FIG. 1, a raw material containing silica is supplied from the top of the
As used herein, the term “solid matter recovery system” means an equipment configuration including piping arranged on the downstream side with respect to the
この方法において、生成した四塩化ケイ素ガスと、塩素ガスと反応しないで飛散して塩化炉1よりも下流側に流された微粉状のシリカ原料をサイクロン2で回収し、四塩化ケイ素ガスと回収微粉原料とに分離し、回収微粉原料を塩化炉1に戻すことを好ましい態様とするものである。
In this method, the generated silicon tetrachloride gas and the finely divided silica raw material which has been scattered without reacting with the chlorine gas and flowed downstream from the
本発明においては、また、サイクロン2で回収された微粉原料を塩化炉1内に形成されている流動層3内に直接戻すことを好ましい態様とするものである。このように、塩化炉1より飛散した原料を回収して、これを流動層内3に直接戻すことにより、前記した未反応の回収微粉原料も効率よく塩素化でき、その結果、酸化ケイ素の原料原単位を大幅に改善することができる、という効果を奏するものである。
In the present invention, it is also preferable that the fine powder raw material recovered by the
ここにおいて、前記回収微粉原料を流動層3内へ直接戻す具体的な方法としては、例えば、サイクロン2で回収された原料を塩素ガスによる気流輸送により、前記流動層3内に直接戻すことができる。
Here, as a specific method of returning the recovered fine powder raw material directly into the fluidized bed 3, for example, the raw material recovered by the
2.第2実施形態
図2は、本発明に係る別の好ましい態様を表している。当該実施態様においては、塩化炉1から飛散した回収微粉原料をサイクロン2で回収した後、これを造粒装置5において、所定の大きさの造粒体となし、これを四塩化ケイ素製造用原料として塩化炉1に戻すことを好ましい態様とするものである。
2. Second Embodiment FIG. 2 shows another preferred embodiment according to the present invention. In this embodiment, after the recovered fine powder raw material scattered from the
前記したような処理を行なうことにより、回収微粉原料が再び塩化炉から飛散することを抑制し、確実に塩素化反応で消費させ、塩化炉1より飛散した原料を効率よく四塩化ケイ素製造用原料として再利用することができる、という効果を奏するものである。
By performing the treatment as described above, the recovered fine powder raw material is prevented from being scattered again from the chlorination furnace, and is reliably consumed by the chlorination reaction, and the raw material scattered from the
前記した造粒体の大きさは、100μm〜2000μmの範囲に造粒しておくことが好ましい。 The size of the granulated body is preferably granulated in the range of 100 μm to 2000 μm.
本発明においては、前記造粒体は、塩化炉1より飛散してきたシリカとコークスを造粒したものを、塩化炉1に戻すことを好ましい態様とするものであるが、これに、金属シリコン粉末を配合して造粒体としても良い。
In the present invention, the granulated body is a preferred embodiment in which the granulated silica and coke scattered from the
前記した金属シリコンをシリカとコークスに配合しておくことにより、金属シリコンと塩素ガスとの反応で生成する反応熱をシリカとの塩素化反応温度維持に不足する熱源として補償することができるという効果を奏するものである。 By blending the aforementioned metal silicon into silica and coke, the effect that the reaction heat generated by the reaction between the metal silicon and chlorine gas can be compensated as a heat source that is insufficient to maintain the chlorination reaction temperature with silica. It plays.
前記回収微粉原料の造粒体の組成は、シリカが65〜75wt%、コークスが25〜35wt%に調整することが好ましい。
また、前記造粒体に金属シリコンを配合する場合には、シリカが55〜70wt%、コークスが20〜30wt%、金属シリコンが5〜25wt%に調整することが好ましい。
前記の組成に調整しておくことにより、シリカの塩素化反応を効率よく行なわせることができる、という効果を奏するものである。また、造粒体の径は、100μm〜2000μmの範囲とすることが好ましい。
前記した範囲に調整しておくことにより、シリカの塩素化を効率よく進めることができる、という効果を奏するものである。
The composition of the granulated body of the recovered fine powder raw material is preferably adjusted to 65 to 75 wt% for silica and 25 to 35 wt% for coke.
Moreover, when mix | blending metal silicon with the said granulated body, it is preferable to adjust to 55-70 wt% of silica, 20-30 wt% of coke, and 5-25 wt% of metal silicon.
By adjusting to the above composition, there is an effect that the chlorination reaction of silica can be performed efficiently. Moreover, it is preferable that the diameter of a granulated body shall be the range of 100 micrometers-2000 micrometers.
By adjusting to the above range, there is an effect that chlorination of silica can be efficiently advanced.
前記したような範囲の組成を有する造粒体と成すことにより、シリカの塩素化反応を効率よく進めることができる、という効果を奏するものである。 By forming a granule having a composition in the above-described range, the effect that the chlorination reaction of silica can be efficiently advanced is achieved.
本発明に用いる造粒体の製造に用いるバインダーとしては、水硝子や有機シラン系のバインダーを使用することが好ましいとされる。前記したバインダーを使用することにより、造粒体の塩素化反応で生成する四塩化ケイ素の純度を損なうことなく、塩素化反応を進めることができる、という効果を奏するものである。 As the binder used in the production of the granulated material used in the present invention, it is preferable to use water glass or an organic silane binder. By using the above-mentioned binder, the chlorination reaction can be promoted without impairing the purity of silicon tetrachloride produced by the chlorination reaction of the granulated body.
また、当該実施態様においては、前記造粒体には、該塩化炉用の原料として供給されたシリカに係るロット原料から従来除外されていた規格外の微粉原料を含んでいることを好ましい態様とするものである。 Moreover, in the said embodiment, it is preferable that the granule contains a non-standard fine powder raw material that has been conventionally excluded from the lot raw material related to silica supplied as a raw material for the chlorination furnace. To do.
原料のシリカは、従来、塩化炉への供給に先立って所定の粒度以下の微粒を除去して、所定粒度以上の原料となるように調製されて供給されていたが、前記したような規格外の微粒シリカを造粒体とすることにより、従来は廃棄の対象とされていた微粉シリカも四塩化ケイ素用の原料として効率利用することができる、という効果を奏するものである。 The raw material silica has been conventionally prepared and supplied so as to obtain a raw material having a predetermined particle size or more by removing fine particles having a predetermined particle size or less prior to supply to the chlorination furnace. By using this fine silica as a granulated product, there is an effect that fine silica, which has been conventionally discarded, can be efficiently used as a raw material for silicon tetrachloride.
本発明においては、塩化炉1に供給する本来の原料も、前記したようなシリカとコークスを含む造粒体として構成しておくこともできる。前記したような造粒体として構成しておくことにより、効率よくシリカの塩素化反応を進めることができる。
In the present invention, the original raw material supplied to the
3.第3実施形態
図3は、更に、本発明に係る別の好ましい態様を表している。当該実施態様においては、塩化炉1から飛散した回収微粉原料をサイクロン2で分離回収した後、別の反応器4で塩素化して四塩化ケイ素としてから、塩化炉1に戻すことを好ましい態様とするものである。
3. Third Embodiment FIG. 3 further shows another preferred embodiment according to the present invention. In this embodiment, the recovered fine powder material scattered from the
前記したような方策を取ることにより、塩化炉1から飛散した回収微粉原料中のケイ素を四塩化ケイ素として有効に利用することができる、という効果を奏するものである。
By taking the measures as described above, it is possible to effectively use silicon in the recovered fine powder raw material scattered from the
4.第4実施形態
図4は、更に、本発明に係る別の好ましい態様を表している。本発明においては、塩化炉1から飛散した回収微粉原料を反応器4で塩素化して生成された四塩化ケイ素ガスを塩化炉1の下流に配設したサイクロン2と冷却器6の間に戻すことを好ましい態様とするものである。
4). Fourth Embodiment FIG. 4 further shows another preferred embodiment according to the present invention. In the present invention, the silicon tetrachloride gas generated by chlorinating the recovered fine powder raw material scattered from the
前記したような態様とすることにより、塩化炉1から飛散し未反応のシリカとコークスの塩素化反応で生成した四塩化ケイ素を効率よく回収することができる、という効果を奏するものである。
By setting it as the above-mentioned aspect, there exists an effect that the silicon tetrachloride which scattered from the
また、第4実施形態においては、反応器4で生成した四塩化ケイ素を含むガスをサイクロン2と塩化炉1の間に戻しても良い。この場合には、反応器4で生成した四塩化ケイ素ガスに随伴した固形分をサイクロン2で四塩化ケイ素から効率よく分離することができ、その結果、冷却系6で回収された液状四塩化ケイ素の純度低下を抑制することができる、という効果を奏するものである。
In the fourth embodiment, the gas containing silicon tetrachloride generated in the reactor 4 may be returned between the
前記した反応器4には、予熱あるいは予備塩化機能を具備していることを好ましい態様とするものである。予熱機能は、反応器4に対して外部加熱装置を配設させることにより、効果的に微粉原料を予熱させることができるという効果を奏するものである。 The above-described reactor 4 is preferably provided with a preheating or pre-chlorination function. The preheating function has an effect that the fine raw material can be effectively preheated by disposing an external heating device to the reactor 4.
前記したような固形物の予熱操作を行っておくことで、塩化炉1内に回収微粉原料を再供給した際に、反応性が高まっており、効率よく塩素化させることができる、という効果を奏するものである。
By performing the preheating operation of the solid matter as described above, when the recovered fine powder raw material is re-supplied into the
また、前記反応器4に対して、塩素ガスを供給することにより、サイクロン2で回収された原料を効率よく塩素化させることができる。
Further, by supplying chlorine gas to the reactor 4, the raw material recovered by the
本発明においては、また、反応器4に対して外部より金属シリコンを添加することもできる。前記金属シリコンは、例えば、四塩化ケイ素の還元工程あるいは高純度シリコンインゴットの加工工程で発生したスクラップ材を使用することもできる。反応器4に供給された金属シリコンは、塩素ガスと反応して四塩化ケイ素ガスとなり、この際に反応熱を生成し、当該発生熱は、塩化炉1に供給される微粉原料を効果的に予熱できるのみならず、塩化炉1でのシリカの塩素化反応部の熱補償源として利用することもできる。
In the present invention, metallic silicon can also be added to the reactor 4 from the outside. As the metal silicon, for example, scrap material generated in a silicon tetrachloride reduction process or a high-purity silicon ingot processing process can be used. The metal silicon supplied to the reactor 4 reacts with chlorine gas to form silicon tetrachloride gas, and at this time, reaction heat is generated, and the generated heat effectively uses the fine powder raw material supplied to the
前記したような方法を採用することにより、塩化炉1から飛散した回収微粉原料を効果的に再利用することができる。その結果、四塩化ケイ素に対する原料の源単位のロスを効果的に抑制できるのみならず、工程で処理すべき廃棄物の量を効果的に削減することができる、という効果を奏するものである。
By adopting the method as described above, the recovered fine powder raw material scattered from the
以下、実施例および比較例によって本発明をより具体的に説明する。
本発明に係る四塩化ケイ素の製造方法に係る実施例に使用する条件を以下に示す。
1.原料
1)シリカ(主原料)
SiO2品位:99.5%
粒度:0.1μm〜5μm
2)コークス
品位:98%
粒度:0.1μm〜5μm
3)造粒体
組成:シリカ:コークス=1mol:2.2mol
粒度:100μm〜2000μm
4)塩素ガス
純度:99%
2.塩化炉
1)耐火物:グラファイト
2)塩化温度:1300〜1400℃
3)分散盤:グラファイト
3.処理炉
1)耐火物:グラファイト
2)塩化温度:1300〜1400℃
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples.
The conditions used in the examples according to the method for producing silicon tetrachloride according to the present invention are shown below.
1. Raw material 1) Silica (main raw material)
SiO 2 grade: 99.5%
Particle size: 0.1 μm to 5 μm
2) Coke grade: 98%
Particle size: 0.1 μm to 5 μm
3) Granule Composition: Silica: Coke = 1 mol: 2.2 mol
Particle size: 100 μm to 2000 μm
4) Chlorine gas purity: 99%
2. Chlorination furnace 1) Refractory: Graphite 2) Chlorination temperature: 1300-1400 ° C
3) Dispersion disk: Graphite Treatment furnace 1) Refractory: Graphite 2) Chlorination temperature: 1300-1400 ° C
[実施例1]
図1に示した装置フローを用いて、上記条件下にてシリカの塩素化を行なって、四塩化ケイ素を生成させた。その結果、塩化炉1に投入したシリカの重量と回収された四塩化ケイ素の重量からシリカの利用率は約99%であった。また、塩化炉1から飛散した微粒原料の塩素化反応率は、75%であった。
[Example 1]
Using the apparatus flow shown in FIG. 1, chlorination of silica was performed under the above conditions to produce silicon tetrachloride. As a result, the utilization rate of silica was about 99% from the weight of silica charged into the
[実施例2]
図2に示した装置フローを用いて、上記した条件下にてシリカの塩素化を行なって、四塩化ケイ素を生成させた。その結果、塩化炉1に投入したシリカと回収された四塩化ケイ素の重量から、塩化炉1に供給されたシリカの重量に対する塩素化に供されたシリカの利用率は、75%であった。
[Example 2]
Using the apparatus flow shown in FIG. 2, chlorination of silica was performed under the conditions described above to produce silicon tetrachloride. As a result, the utilization rate of silica subjected to chlorination with respect to the weight of silica supplied to the
[実施例3]
図3に示した装置フローを使用して、上記した条件下にて、シリカの塩素化を行い、四塩化ケイ素を生成させた。当該実施例における塩素化に供されたシリカの利用率は、99%であった。また、塩化炉1から飛散した微粒原料の塩素化反応率は、75%であった。
[Example 3]
Using the apparatus flow shown in FIG. 3, chlorination of silica was performed under the above-described conditions to produce silicon tetrachloride. The utilization rate of silica subjected to chlorination in this example was 99%. Moreover, the chlorination reaction rate of the fine raw material scattered from the
[実施例4]
図4に示したシリカの塩素化を行なって、四塩化ケイ素を生成させた。当該塩素化反応にて使用されたシリカの利用率は、94%であった。また、塩化炉1から飛散した微粒原料の塩素化反応率は、75%であった。
[Example 4]
Silica chlorination shown in FIG. 4 was performed to produce silicon tetrachloride. The utilization rate of silica used in the chlorination reaction was 94%. Moreover, the chlorination reaction rate of the fine raw material scattered from the
[比較例1]
実施例1において、サイクロン2に回収された原料の重量を測定した、塩化炉1に投入された原料鉱石に対するサイクロンで回収された原料の比率は、25%であった。この比率から塩化炉1におけるシリカの利用率は、75%と計算された。また、前記廃棄物は、従来はコストをかけて廃棄すべきものとなっていた。
[Comparative Example 1]
In Example 1, the ratio of the raw material recovered in the cyclone to the raw material ore charged in the chlorinating
前記した実施例および比較例により、本発明に係る方法で四塩化ケイ素を製造することにより、シリカの塩素化を効果的に進めることができるのみならず当該工程で発生する廃棄物量を効果的に抑制することができる、という効果を奏するものである。 By producing silicon tetrachloride by the method according to the present invention according to the above-described examples and comparative examples, not only can chlorination of silica be effectively advanced, but also the amount of waste generated in the process is effectively reduced. The effect that it can suppress can be produced.
本発明は、四塩化チタン製造用塩化炉を使用して製造される四塩化チタンの製造原価を効率よく改善できるとともに廃棄物量を低減させることにより環境負荷も軽くなる。 The present invention can efficiently improve the production cost of titanium tetrachloride produced using a chlorinating furnace for producing titanium tetrachloride, and also reduces the environmental burden by reducing the amount of waste.
1…塩化炉
2…サイクロン
3…流動層
4…反応器
5…造粒装置
6…冷却器
DESCRIPTION OF
Claims (9)
The gas generated by chlorinating the raw material scattered from the chlorination furnace in a separate reaction vessel is supplied to a solids recovery system disposed at the rear stage of the chlorination furnace. The manufacturing method of the silicon tetrachloride in any one.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013069242A JP2014189475A (en) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | Method of producing silicon tetrachloride |
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---|---|
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Family
ID=51836108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013069242A Pending JP2014189475A (en) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | Method of producing silicon tetrachloride |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2014189475A (en) |
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---|---|---|---|---|
CN107416841A (en) * | 2017-06-22 | 2017-12-01 | 唐山三孚硅业股份有限公司 | A kind of method and device for producing silicon tetrachloride |
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CN107416841A (en) * | 2017-06-22 | 2017-12-01 | 唐山三孚硅业股份有限公司 | A kind of method and device for producing silicon tetrachloride |
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