JP2014189411A - 半導体パッケージカバー用人工水晶基板とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
一度以上育成・精製した人工水晶だけを人工水晶育成の原料とすることで、α線放出量が極めて少ない半導体パッケージカバー用人工水晶基板を提供する。
【解決手段】
水熱合成法により半導体パッケージカバー用人工水晶基板を製造する方法であって、人工水晶の育成に用いる原料水晶に少なくとも1回以上育成・精製された人工水晶のみを用いて半導体パッケージカバーを製造し、該半導体パッケージカバーからのα線放出量を規定値以下に抑制したことを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法及びこの製造方法により製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板に関する。
【選択図】図1
一度以上育成・精製した人工水晶だけを人工水晶育成の原料とすることで、α線放出量が極めて少ない半導体パッケージカバー用人工水晶基板を提供する。
【解決手段】
水熱合成法により半導体パッケージカバー用人工水晶基板を製造する方法であって、人工水晶の育成に用いる原料水晶に少なくとも1回以上育成・精製された人工水晶のみを用いて半導体パッケージカバーを製造し、該半導体パッケージカバーからのα線放出量を規定値以下に抑制したことを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法及びこの製造方法により製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板に関する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体パッケージカバー用水晶基板とその製造方法に係り、特にα線放出量が少ない人工水晶のみを人工水晶育成の際に原料水晶として用いて育成した半導体パッケージカバー用人工水晶基板とその製造方法に関する。
固体撮像素子であるCCDやCMOSセンサー等を収納する半導体パッケージの前面に設けられ、固体撮像素子を保護するとともに、透光窓として使用される半導体パッケージカバーガラスには、α線の放出量が少ないことが要求されている。その理由は、固体撮像素子に最も接近して半導体パッケージ内に組み込まれるカバーガラスから放出されるα線により、組み込まれた固体撮像素子が、ソフトエラーを生じるためである。
そのため、半導体パッケージに使用されるカバーガラスには、これから放出されるα線量が0.003c/cm2・h以下のものが、さらに、α線を放出する放射性同位元素、特にウラン(U)とトリウム(Th)の含有量が、それぞれ2ppb,8ppb以下が好ましいとされている[特許文献1(特開2006−96575号公報)参照]。
このため、従来のガラスを用いた半導体パッケージのカバーガラスの製造工程では、高純度のガラス原料が用いられている。
近年、半導体パッケージ用のカバーガラスに、その部品点数を減らすために、従来のガラスに代えて人工水晶を用いた光学用ローパスフィルタや波長板に用いる人工水晶基板が直接使用されるようになってきた[特許文献2(特開2008−42797号公報)]。
しかしながら、通常、人工水晶の育成には、ラスカと称される天然産出の原料が原料水晶として使用されている。そのため、この天然原料が、α線を放出する要因となる放射線同位元素、とくに前述したウラン(U)やトリウム(Th)、を含む可能性が高い。
例えば、天然水晶の中で、煙水晶、アメジスト(紫水晶)等の着色水晶は、水晶の着色が自然界で放射線の暴露を受けたことによる水晶結晶の欠陥に由来することから、その成長した環境が放射線環境の下にあった証拠であり、そのため、天然水晶を使用して人工水晶を育成する際、人工水晶からウラン、トリウム等の放射性同位元素を排除することは極めて困難である。
そこで、人工水晶を使用して育成した人工水晶は、α線放出量が、通常の低α線量のガラスよりも少ないので、少なくとも一度以上、人工育成により精製した人工水晶のみを人工水晶の育成原料として用いることで、天然由来のα線放出成分、例えばウランやトリウム、を育成される人工水晶から排除できるようになる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、一度以上人工水晶の育成を行い精製した人工水晶のみを人工水晶育成の原料とすることで、α線の放出量が極めて少ない半導体パッケージ用のカバーに用いる水晶基板を提供することにある。
本発明は、水熱合成法により半導体パッケージカバー用人工水晶基板を製造する方法であって、人工水晶の育成に用いる原料水晶に少なくとも1回以上育成・精製した人工水晶のみを用いて人工水晶を育成し、該半導体パッケージカバーからのα線放出量を規定値以下に抑制したことを特徴とする。
また、本発明は、半導体パッケージカバーからのα線放出量が、0.001c/cm2・h未満であることを特徴とする。
さらに、本発明は、α線放出源が、人工水晶基板に含まれる放射性同位元素であるウラン及びトリウムであって、ウランの含有量が2ppb以下、またトリウムの含有量が8ppb以下であることを特徴とする。
またさらに、本発明は、育成される人工水晶が、光学用人工水晶であることを特徴とする。
また、本発明は、育成される人工水晶が、光学用ランパート人工水晶であることを特徴とする。
本発明によれば、α線放出量が極めて少ない半導体パッケージカバー用人工水晶基板が得られ、半導体パッケージに収納されたCCDやCMOSセンサー等の固体撮像素子がソフトエラーを生じるのが、大幅に回避される。
以下、本発明の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法について添付した図面に基いて説明する。
本発明の実施形態では、図1に示したような、オートクレーブ1により、水熱合成法により半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造(育成)を行う。
すなわち、図1に示すオートクレーブ1の圧力容器10、精製した人工水晶のみからなる育成原料を入れる原料入れ13、対流制御板14、育成枠15等を用いて、α線放出量が極めて少ない半導体パッケージカバー用人工水晶基板を育成する。
本発明の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の育成に用いるオートクレーブ1を構成する圧力容器10は、所定の圧力と温度に耐えられるような特殊鋼材からなり、圧力容器10の上部は、カバー16をクランプ17で密閉する構造となっている。
ここで、360〜400°C程度の温度に加熱される圧力容器10の下部室12aには、準備した精製済の人工水晶を、小片に粉砕して原料水晶を入れる原料入れ13が設置され、また、人工水晶からなる種水晶を保持する育成枠15が設置され、上部室12bと下部室12aとは、圧力容器10内の水溶液の対流を制御する孔が多数個形成された対流制御板14により区分されている。
そして、圧力容器10内に、約1Nの濃度の水酸化ナトリウム、または
0.5Nの濃度の炭酸ナトリウム溶液を適正な充填率、例えば80〜85%で満たし、シ−ルリング18を介してカバー16をクランプして圧力容器10を密閉する。また、カバー16の頂部には、圧力容器10内の圧力を測定するために、圧力計19が、また、圧力容器10の外周面には、熱電対21a〜21dが、設けられている。
0.5Nの濃度の炭酸ナトリウム溶液を適正な充填率、例えば80〜85%で満たし、シ−ルリング18を介してカバー16をクランプして圧力容器10を密閉する。また、カバー16の頂部には、圧力容器10内の圧力を測定するために、圧力計19が、また、圧力容器10の外周面には、熱電対21a〜21dが、設けられている。
さらに、圧力容器10の上部室12bに人工水晶からなる種水晶Sを保持した育成枠15を取り付け、バンドヒータ11により圧力容器10を加熱し、下部室12aと上部室12bとの間に温度差を形成し、下部室12aで小片に粉砕した人工水晶を水溶液中に溶解させる。
そして、当該下部室12aと上部室12bとの温度差によって、溶液中に溶解した人工水晶が上部室12bに運ばれ、上部室12b内で冷却され、過飽和状態となる。そして、過飽和状態となった人工水晶は、育成枠15に取り付けた種水晶S上に析出し、人工水晶からなる種水晶Sが順次成長してα線の放出量が少ない人工水晶、特に光学用人工水晶または光学用ランパート人工水晶、が育成(製造)される。
すなわち、本発明の半導体パッケージカバー用の人工水晶基板の製造方法は、図2に示すように、まず、少なくとも一回以上オートクレーブ内で育成して精製され、ウラン、トリウム等の放射性同位元素成分の含有量を後述する規定量以下に排除したインゴット状のアズグロウン人工水晶を準備する(工程S1)。
次いで、このインゴット状のアズグロウン人工水晶を破砕機等で所定の大きさの小片に粉砕する(工程S2)。
さらに、粉砕した人工水晶の小片をオートクレーブ内に配置した原料入れに所定量装填する(工程S3)。
そして、前述した水熱合成法によりオートクレーブ内で人工水晶を育成して種水晶S上に析出させ人工水晶基板を製造する(工程S4)。
最後に、育成・製造した人工水晶基板をオートクレーブから取り出す(工程S5)。
従来の人工水晶の育成方法では、ラスカという天然原料(屑水晶)を育成に用いるためα線を放出する要因となる天然由来の放射性同位元素、特にウラン(U)やトリウム(Th)、に暴露されたため、これらの放射性同位元素が育成した人工水晶中に含有されている可能性が極めて高い。このため、オートクレーブ1の下部室12aに設けた水晶原料入れ13に装填した育成材料である天然水晶に含まれているウラン、トリウムから放射線が放出され、育成中の人工水晶は、この放射線にさらされることによりα線を放出するようになる。
これに対して、本発明の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造(育成)方法によれば、一度以上育成・精製してウラン、トリウム等の天然由来の成分(放射性同位元素)を排除した人工水晶のみを原料として用い、育成領域から隔離された水晶原料入れ13にウラン、トリウムを含まない、あるいは含んだとしても微量の人工水晶なる原料を装填して育成を行うので、ウラン、トリウム等の放射線源から隔離して人工水晶の育成を行うことができるようになる。そのため、育成中の人工水晶が、前述した放射線にさらされることが殆どなくなるため、育成された人工水晶からのα線放出量が大幅に低減するようになる。
そのため、本発明では、人工水晶を原料として用いて育成した人工水晶を半導体パッケージ用カバーガラスにガラス材料に代えて人工水晶基板として用いるので、前記した放射性同位元素成分を排除でき、カバーガラスからのα線の放出量を従来のものと比べて、天然由来のウラン、トリウムの含有量を極めて少なくすることができるようになる。
ここで、通常、半導体パッケージ用カバーガラスで許容されるα線放出量は、0.01c/cm2・h以下、好ましいα線放出量は、0.005c/cm2・h以下、さらに好ましいα線放出量は、0.003c/cm2・hとされている(特許文献1、段落[0019]参照)。ここで、単位:c/cm2・hは、1cm2当たり、1時間当たりのα線の検出個数を示す。
これに対して、本発明者の知見によると、従来の天然原料を使用して育成した人工水晶のα線放出量は、表1に示すようになっている。
すなわち、表1は、本発明者が民間分析機関に委託して、天然水晶を原材料として使用した育成した成膜付き水晶基板の表面から放出されるα線表面密度(α線放出量)を測定したものである。このα線表面密度の測定は、平面視矩形状のA4サイズの保持具に同じ寸法の水晶板を載置して行った。
この測定には、表1に示すように試作(1)と試作(2)を測定対象とした。
この測定結果を見ると、天然原料を用いて育成した水晶基板の表面から放出されるα線表面密度(α線放出量)は、測定誤差(±0.001c/cm2・h)を考慮しても、前述したいずれの許容されるα線放出量の値(例えば、さらに好ましいα線放出量:0.003c/cm2・h)をも下回っていることが分かる。
しかし、本発明の人工水晶のみを育成原料として育成した人工水晶基板のα線放出量は、本発明者の分析によれば、常に0.001c/cm2・h未満であった。
また、半導体パッケージ用カバーガラスで許容される放射線同位元素含有量は、ウラン(U)量が、5ppb以下, トリウム(Th)量が、10ppb以下、望ましい放射線同位元素量は、ウラン(U)2ppb以下、トリウム(Th)8ppb以下とされている(前出引用文献1、段落[0019]参照)。
しかし、本発明の人工水晶のみを育成原料として育成した人工水晶基板の放射線同位元素含有量は、本発明者の分析によれば、ウラン(U)1ppb以下、トリウム(Th)2ppb以下であって、大幅に前出の要求される放射線同位元素含有量(ウラン、トリウム)を下回っている。
このように、本願発明によれば、常に要求されるα線放出量を大幅に下回る半導体パッケージカバー用人工水晶基板が得られ、半導体パッケージに組み込まれたカバーからのα線放出量が低減し、半導体パッケージ内に組む込まれた固体撮像素子のソフトエラーが回避されることになる。
1 オートクレーブ
10 圧力容器
11 バンドヒータ
12a 下部室
12b 上部室
13 水晶原料入れ
14 対流制御板
15 育成枠
16 カバー
17 クランプ
18 シールリング
19 圧力計
20 保温体
21a−21d 熱電対
S 種水晶(人工水晶)
10 圧力容器
11 バンドヒータ
12a 下部室
12b 上部室
13 水晶原料入れ
14 対流制御板
15 育成枠
16 カバー
17 クランプ
18 シールリング
19 圧力計
20 保温体
21a−21d 熱電対
S 種水晶(人工水晶)
Claims (9)
- 水熱合成法により半導体パッケージカバー用人工水晶基板を製造する方法で
あって、人工水晶の育成に用いる原料水晶に少なくとも1回以上育成・精製した人工水晶のみを用いて該半導体パッケージカバーからのα線放出量を規定値以下に抑制したことを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法。 - 前記α線放出量の規定値が、0.001c/cm2・h未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法。
- α線放出源が、前記人工水晶基板に含まれる放射性同位元素であるウラン及びトリウムであって、前記ウランの含有量が2ppb以下、またトリウムの含有量が8ppb以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法。
- 育成される前記人工水晶が、光学用人工水晶であることを特徴とする請求項1から3に記載の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法。
- 育成される前記人工水晶が、光学用ランパート人工水晶であることを特徴とする請求項1から3に記載の半導体パッケージカバー用人工水晶基板の製造方法
- 請求項1に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板であって、前記人工水晶基板のα線放出量が、0.001c/cm2・h未満であることを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板。
- 請求項3に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板であって、前記ウランの含有量が2ppb以下、また、トリウムの含有量が8ppb以下であることを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板。
- 請求項1から5に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板であって、育成される前記人工水晶が、光学用人工水晶であることを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板。
- 請求項1から5に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージカバー用人工水晶基板であって、育成される前記人工水晶が、光学用ランパート人工水晶であることを特徴とする半導体パッケージカバー用人工水晶基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013063716A JP2014189411A (ja) | 2013-03-26 | 2013-03-26 | 半導体パッケージカバー用人工水晶基板とその製造方法 |
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Cited By (1)
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CN109081352A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-25 | 安徽科技学院 | 一种超纯石英砂及其提纯工艺 |
-
2013
- 2013-03-26 JP JP2013063716A patent/JP2014189411A/ja active Pending
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CN109081352A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-25 | 安徽科技学院 | 一种超纯石英砂及其提纯工艺 |
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