JP2014187016A - Terminal manufacturing method, terminal, electric wire end connection structure manufacturing method, and electric wire end connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザ溶接性に優れた端子の製造方法、端子、電線の終端接続構造体の製造方法、および電線の終端接続構造体に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a terminal excellent in laser weldability, a terminal, a method for manufacturing a terminal connection structure for electric wires, and a terminal connection structure for electric wires.
近年、自動車の燃費向上のために各構成部品の軽量化が求められている。そのため、自動車内のワイヤーハーネスなどに使用される電線の芯線を、銅もしくは銅合金より軽量の、アルミニウムもしくはアルミニウム合金に置き換えることが進められている。このアルミニウム電線またはアルミニウム合金電線(以下、単に「アルミニウム電線」という)の先端に圧着接続される端子は、通常、金属材料が使用されるので、電線の終端接続部ではこれらの接続を適切に行うことが必要となる。 In recent years, there has been a demand for weight reduction of each component in order to improve the fuel efficiency of automobiles. Therefore, replacing the core wire of the electric wire used for the wire harness etc. in a motor vehicle with aluminum or aluminum alloy lighter than copper or copper alloy is advanced. Since a metal material is usually used for a terminal to be crimped and connected to the tip of this aluminum electric wire or aluminum alloy electric wire (hereinafter simply referred to as “aluminum electric wire”), these terminals are appropriately connected at the terminal connection portion of the electric wire. It will be necessary.
一般に、機械的強度やばね性などの観点から、端子は銅または銅合金製である。端子の圧着部では、電線導体のアルミニウムもしくはアルミニウム合金が露出しているため、アルミニウム電線と端子の接続部分に水分等が付着すると、アルミニウム電線のアルミニウムもしくはアルミニウム合金と端子の銅もしくは銅合金とは、異種金属で電位差が異なるために腐食(電食)し、腐食が進行すると欠損を生じる恐れがあった。また、腐食の進行によって、電線及び端子の接続部に割れや接触不良が生じ、製品寿命が短くなっていた。
これらの問題を防止するためには、アルミニウムもしくはアルミニウム導体(以下、単に「アルミニウム導体」と言う)を外界から遮断することが望ましい。その例として、端子の圧着部全体を樹脂によりモールドする方式(例えば、特許文献1参照。)があり、腐食を確実に防止することができる。また、金属製キャップを電線導体に被せた後に圧着する手法により、アルミニウム導体を外界から遮断する技術(例えば、特許文献2参照。)が開示されている。
In general, the terminal is made of copper or a copper alloy from the viewpoint of mechanical strength and springiness. Since the aluminum or aluminum alloy of the wire conductor is exposed at the crimping part of the terminal, if moisture adheres to the connection part of the aluminum wire and the terminal, the aluminum or aluminum alloy of the aluminum wire and the copper or copper alloy of the terminal Since the potential difference is different between different metals, corrosion (electrocorrosion) may occur, and defects may occur when corrosion progresses. Further, due to the progress of corrosion, the connection portion between the electric wire and the terminal is cracked or has poor contact, and the product life has been shortened.
In order to prevent these problems, it is desirable to block aluminum or an aluminum conductor (hereinafter simply referred to as “aluminum conductor”) from the outside. As an example, there is a method (for example, see Patent Document 1) in which the entire crimped portion of the terminal is molded with resin, and corrosion can be reliably prevented. Moreover, the technique (for example, refer patent document 2) which interrupts | blocks an aluminum conductor from the external world by the method of crimping | bonding after covering a metal cap on an electric wire conductor is disclosed.
これに対して本願出願人は、銅合金板材から打ち抜き成形した端子基材の両端部をレーザ溶接によって突合せ溶接することにより端子の管状かしめ部を形成し、この管状かしめ部内にアルミニウム電線のアルミニウム導体を挿入した上でかしめることによって、前記導体を銅合金製端子内に収納して電気的導通を取るとともに、異種金属接合である導体と管状かしめ部の接続部分が外部の水分と接触しない構造とすることを提案している。
しかし、銅や銅合金をレーザ溶接しようとする場合、銅や銅合金は、溶接用レーザ光として広く用いられている近赤外レーザ光の反射率が90%以上と高い(レーザ光の吸収性が低い)ためにレーザ溶接の効率が悪く、溶接速度を上げることができなかった(例えば、特許文献3参照)。
On the other hand, the applicant of the present application forms a tubular crimped portion of a terminal by butt welding both ends of a terminal base material stamped and formed from a copper alloy plate material by laser welding, and an aluminum conductor of an aluminum electric wire in the tubular crimped portion. The conductor is accommodated in a copper alloy terminal by being caulked after being inserted, and is electrically connected, and the connection part between the conductor which is a dissimilar metal joint and the tubular caulking part does not come into contact with external moisture It is proposed that
However, when laser welding copper or copper alloy, copper or copper alloy has a high reflectivity of 90% or more of near-infrared laser light widely used as laser light for welding (absorbability of laser light). Therefore, the efficiency of laser welding is poor and the welding speed cannot be increased (see, for example, Patent Document 3).
特許文献1に記載された技術では、モールド部が肥大するため、コネクタハウジングのサイズを大きくする必要が生じ、結果としてコネクタが肥大してしまう。そのため、このコネクタを用いた組み電線(例えば、自動車用ワイヤハーネスなど)全体を高密小型に成形することができなかった。また、モールド成形は圧着後に個々の圧着部に対して処理することが必要であり、組み電線製造の工程数が大きく増してしまい、かつ、個々の作業が煩雑である。
また、特許文献2に記載された技術では、圧着前に個々の導体へ管体を装着する工程が煩雑である上に、また、圧着時にワイヤバレルにより管体を破壊してしまい浸水経路が生じてしまう恐れがあった。
そこで、端子を形成する銅や銅合金の板材を突合せ溶接により管体に形成する場合、銅や銅合金の板材に対して、特にその管体形成部において、レーザ光の反射率を低くする(レーザ光の吸収性を良くする)処理を行うことで、簡便な溶接方法であるレーザ溶接によって端子の管体構造を効率よく形成する方法が求められていた。
In the technique described in
Moreover, in the technique described in Patent Document 2, the process of attaching the tube body to each conductor before crimping is complicated, and the tube body is destroyed by the wire barrel at the time of crimping, resulting in a flooded path. There was a fear.
Therefore, when a copper or copper alloy plate material for forming a terminal is formed into a tubular body by butt welding, the reflectance of the laser beam is lowered with respect to the copper or copper alloy plate material, particularly in the tubular body forming portion ( There has been a demand for a method for efficiently forming a tubular structure of a terminal by laser welding, which is a simple welding method, by performing a process that improves the absorption of laser light.
本発明は、レーザ光の吸収効率を高めたレーザ溶接により得られ、圧着部を肥大させずに電線導体を外界から遮断することが可能な、端子の製造方法、端子、電線の終端接続構造体の製造方法、および電線の終端接続構造体を提供することを課題とする。 The present invention provides a method of manufacturing a terminal, a terminal, and an end connection structure of a wire, which is obtained by laser welding with improved laser light absorption efficiency and can shut off a wire conductor from the outside without enlarging a crimping portion. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and an end connection structure for electric wires.
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、管体の端子に電線を挿入して圧着する構造を採用することで、圧着部を肥大させずに電線導体を外界から遮断するとともに、処理速度とコストの観点から銅合金をレーザ溶接し、銅合金の表面に所定の層を設けておくことでレーザ溶接性を改善したレーザ溶接方法を見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされるに至ったものである。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have adopted a structure in which an electric wire is inserted into and crimped to a terminal of a tubular body, thereby making it possible to connect the electric wire conductor to the outside world without enlarging the crimping portion. In addition, the present inventors have found a laser welding method in which laser welding is improved by laser welding a copper alloy from the viewpoint of processing speed and cost and providing a predetermined layer on the surface of the copper alloy. The present invention has been made based on these findings.
すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。
(1)電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材に対し、少なくとも前記管状かしめ部を形成する部分上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層を0.05μm〜1.2μm厚さで形成し、
前記高融点金属層上にスズ層を形成し、
前記高融点金属層および前記スズ層が形成された前記板材を、前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の前記管状かしめ部を形成する部分となる管展開部を曲げ加工し、前記管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
(2)電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材を前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の管状かしめ部を形成する部分となる管展開部上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層を0.05μm〜1.2μm厚さで形成し、
前記高融点金属層上にスズ層を形成し、
前記管展開部を曲げ加工し、管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
(3)さらに、前記管状かしめ部のトランジション部側の端部をレーザ溶接によって閉塞することで先端封止部を形成する工程を有する(1)または(2)に記載の端子の製造方法。
(4)前記高融点金属層をめっき処理により形成する(1)から(3)のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
(5)前記高融点金属層を前記管展開部の前記レーザ溶接される側の表面に形成した後、その上に前記スズ層を形成する(1)から(4)のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
(6)前記高融点金属層を前記管展開部の前記レーザ溶接される領域に形成した後、その上に前記スズ層を形成する(1)から(5)のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
(7)前記高融点金属層を前記管展開部の前記対向する端部に形成した後、その上に前記スズ層を形成する、(1)から(6)のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
(8)前記レーザ溶接は、発振波長が近赤外線領域のレーザ光を用いる(1)から(7)のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
That is, the said subject is solved by the following means.
(1) A method for producing a terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium and platinum on at least a portion forming the tubular caulking portion with respect to a plate made of copper or a copper alloy Is formed with a thickness of 0.05 μm to 1.2 μm,
Forming a tin layer on the refractory metal layer;
Forming the terminal base material by punching out the plate material in which the refractory metal layer and the tin layer are formed in a developed view of the terminal,
Bending a tube expanding portion that becomes a portion forming the tubular caulking portion of the terminal base material, but facing opposite ends of the tube expanding portion to form a butted portion;
The manufacturing method of the terminal which has each process which joins the said butt | matching part by laser welding and forms the said tubular crimping part in this order.
(2) A method for producing a terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
A terminal base material is formed by punching a plate made of copper or a copper alloy into a developed view of the terminal,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and platinum is formed on the tube development portion that forms the tubular caulking portion of the terminal base material. .05 μm to 1.2 μm thick,
Forming a tin layer on the refractory metal layer;
Bending the pipe expanding portion, butting the opposite ends of the pipe expanding portion together to form a butt portion;
The manufacturing method of the terminal which has each process which joins the said butt | matching part by laser welding and forms the said tubular crimping part in this order.
(3) The method for manufacturing a terminal according to (1) or (2), further including a step of forming a tip sealing portion by closing an end portion of the tubular caulking portion on the transition portion side by laser welding.
(4) The method for manufacturing a terminal according to any one of (1) to (3), wherein the refractory metal layer is formed by plating.
(5) The refractory metal layer is formed on the surface of the tube development portion on the laser welded side, and then the tin layer is formed thereon. (1) to (4) Terminal manufacturing method.
(6) The terminal according to any one of (1) to (5), wherein the refractory metal layer is formed in the laser-welded region of the tube development portion, and then the tin layer is formed thereon. Manufacturing method.
(7) The terminal according to any one of (1) to (6), wherein the refractory metal layer is formed on the opposing end portion of the tube development portion, and then the tin layer is formed thereon. Manufacturing method.
(8) The method for manufacturing a terminal according to any one of (1) to (7), wherein the laser welding uses laser light having an oscillation wavelength in a near infrared region.
(9)電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子であって、
前記端子を形成する端子基材が銅または銅合金からなり、
前記管状かしめ部が前記端子基材の管展開部を曲げ加工してその対向する端部を突き合わせた突き合わせ部が成形され、前記突き合わせ部がレーザ溶接で接合されていて、
前記レーザ溶接された端子基材上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層が0.05μm〜1.2μm厚さで形成されていて、
前記高融点金属層上にスズ層が形成されていて、
レーザ溶接によって溶融した部分以外では端子基材とスズの拡散が防止されている端子。
(9) A terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
The terminal base material forming the terminal is made of copper or a copper alloy,
The tubular caulking portion is formed by bending a tube expanding portion of the terminal base material and abutting the opposite end portions thereof, and the abutting portion is joined by laser welding,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and platinum is 0.05 μm to 1.2 μm in thickness on the laser-welded terminal base material. Formed,
A tin layer is formed on the refractory metal layer,
Terminals that prevent diffusion of the terminal base material and tin in areas other than those melted by laser welding.
(10)(1)から(8)のいずれか1項に記載の端子の製造方法で作製された端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続する電線の終端接続構造体の製造方法であって、
端部から芯線を露出させた被覆電線を前記管状かしめ部内に挿入し、
前記管状かしめ部をかしめて前記被覆電線を前記管状かしめ部内に圧着接続する、電線の終端接続構造体の製造方法。
(11)(9)に記載の端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続した電線の終端接続構造体。
(10) A terminal connection structure for an electric wire, in which the terminal produced by the method for producing a terminal according to any one of (1) to (8) and a covered electric wire are connected by crimping at a tubular caulked portion of the terminal. A manufacturing method of
Insert the covered electric wire with the core wire exposed from the end into the tubular caulking portion,
A method for manufacturing an end connection structure for electric wires, wherein the tubular caulking portion is caulked and the covered electric wire is crimped and connected to the tubular caulking portion.
(11) A terminal connection structure for electric wires in which the terminal according to (9) and a covered electric wire are connected by crimping at a tubular caulking portion of the terminal.
本発明の端子の製造方法によれば、
(1)銅合金同士の突き合わせ溶接による接合を高速溶接で行うことを可能にして、かしめ部を管状に形成することが安価に高速にでき、
(2)アルミニウム電線等の圧着接続において、端子の基材と電線の金属材との異種金属間腐食の防止に寄与する端子を、圧着部を肥大させずに提供することができ、
(3)銅合金表面にスズ層を形成したことで、近赤外線のレーザ光の吸収を高めることができ、溶接性の評価であるブローホールを発生しにくくすることができ、
(4)最表面には融点が低くかつレーザ光を吸収しやすいスズ層が形成されていることから、銅もしくは銅合金の端子基材に直接レーザ光を照射してレーザ溶接する場合よりも、レーザ光の照射エネルギーを下げてもスズ層が即座に溶融するので、低エネルギーでのレーザ溶接が可能であり、
(5)銅もしくは銅合金の端子基材と最表層のスズ層との間に下地層として高融点金属層が形成されているので、高融点金属層が拡散バリア層となるため端子基材中の銅がスズ層側に拡散しにくくなることで接触抵抗が上昇するのを抑制することができる。さらに、このように接触抵抗を低く維持できることは、例えば、得られる端子と電線導体とのかしめ加工時に有利である。
According to the method of manufacturing a terminal of the present invention,
(1) It is possible to perform joining by butt welding between copper alloys by high-speed welding, and the caulking portion can be formed into a tubular shape at a low cost,
(2) In crimping connection of aluminum wires, etc., it is possible to provide a terminal that contributes to prevention of corrosion between different metals between the base material of the terminal and the metal material of the wire without enlarging the crimping part,
(3) By forming a tin layer on the surface of the copper alloy, it is possible to increase the absorption of near-infrared laser light, and to make it difficult to generate blowholes, which is an evaluation of weldability.
(4) Since a tin layer having a low melting point and easy to absorb laser light is formed on the outermost surface, the laser beam is directly irradiated to the terminal base material of copper or copper alloy, and laser welding is performed. Even if the laser beam irradiation energy is lowered, the tin layer melts immediately, so laser welding with low energy is possible,
(5) Since a refractory metal layer is formed as a base layer between the copper or copper alloy terminal base material and the outermost tin layer, the refractory metal layer serves as a diffusion barrier layer in the terminal base material. It is possible to prevent the contact resistance from increasing due to the difficulty of diffusion of copper into the tin layer side. Further, the ability to keep the contact resistance low in this way is advantageous, for example, when caulking between the obtained terminal and the electric wire conductor.
この発明の好ましい一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す実施形態は一例であり、本発明の範囲において、種々の実施形態をとり得る。 A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiment shown below is an example, and various embodiments can be taken within the scope of the present invention.
図1は本発明の製造方法で製造される端子の好ましい一実施形態である端子1を示している。この端子1は、雌型端子のボックス部20と、被覆電線(例えばアルミニウム電線)が挿入された後、圧着によって電線と端子1の基材(以下、端子基材ともいう。)とを接続する管状かしめ部30を有し、これらのボックス部20と管状かしめ部30とを連結するトランジション部40を有する。さらに、端子1は管状かしめ部30にレーザ溶接部50(第1レーザ溶接部)を有し、管状かしめ部30のトランジション部40側にレーザ溶接により閉塞された先端封止部52(第2レーザ溶接部)を有する。端子1は、導電性と強度を確保するために基本的に金属材料(銅合金等)の端子基材で作製されている。また、レーザ溶接部50の形状は特に制限はない。レーザ溶接部50のように管状かしめ部30の長手方向に帯形状に形成するのが好ましい。さらに、先端封止部52の溶接形状は特に制限はない。
FIG. 1 shows a
端子1を構成する端子基材は、好ましくは銅合金で形成されている。端子基材の厚さは0.08〜0.64mmが好ましい。自動車用端子において電線径が小さい場合、0.25mmの厚さがよく使用される。また、端子基材の材料として、銅合金の代わりに銅(タフピッチ銅や無酸素銅など)を用いることもできる。端子基材に用いられる銅合金としては、例えば、黄銅(例えば、CDA(Copper Development Association)のC2600、C2680)、りん青銅(例えば、CDAのC5210)、コルソン系銅合金(Cu−Ni−Si−(Sn,Zn,Mg,Cr)系銅合金)等が挙げられ、この内、コルソン系銅合金が好ましい。
The terminal base material constituting the
コルソン系銅合金の例としては、これらに限定されるものではないが、古河電気工業株式会社製の銅合金FAS−680、FAS−820(いずれも商品名)、三菱伸銅製の銅合金MAX−375、MAX251(いずれも商品名)などを用いることができる。また、CDAのC7025等を用いることもできる。
前記FAS−680の合金組成の一例は、スズ(Sn)を0.15質量%、亜鉛(Zn)を0.5質量%、ニッケル(Ni)を2.3質量%、シリコン(Si)を0.55質量%、およびマグネシウム(Mg)を0.1質量%含有し、残部が銅(Cu)および不可避不純物である。
また、前記FAS−820の合金組成の一例は、スズ(Sn)を0.15質量%、亜鉛(Zn)を0.5質量%、ニッケル(Ni)を2.3質量%、シリコン(Si)を0.65質量%、マグネシウム(Mg)を0.1質量%、およびクロム(Cr)を0.15質量%含有し、残部が銅(Cu)および不可避不純物である。
Examples of the Corson copper alloy include, but are not limited to, copper alloys FAS-680 and FAS-820 (both trade names) manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., and copper alloys MAX- manufactured by Mitsubishi Shindoh. 375, MAX251 (both are trade names) can be used. Also, CDA C7025 or the like can be used.
An example of the alloy composition of the FAS-680 is 0.15% by mass of tin (Sn), 0.5% by mass of zinc (Zn), 2.3% by mass of nickel (Ni), and 0 of silicon (Si). .55% by mass and 0.1% by mass of magnesium (Mg), with the balance being copper (Cu) and inevitable impurities.
An example of the alloy composition of FAS-820 is as follows: tin (Sn) 0.15 mass%, zinc (Zn) 0.5 mass%, nickel (Ni) 2.3 mass%, silicon (Si) 0.65 mass%, magnesium (Mg) 0.1 mass%, and chromium (Cr) 0.15 mass%, with the balance being copper (Cu) and inevitable impurities.
また、他の銅合金組成の例としては、例えば、Cu−Sn−Cr系銅合金、Cu−Sn−Zn−Cr系銅合金、Cu−Sn−P系銅合金、Cu−Sn−P−Ni系銅合金、Cu−Fe−Sn−P系銅合金、Cu−Mg−P系銅合金、Cu−Fe−Zn−P系銅合金などを挙げることができる。
ここで、以上に記載した必須元素以外に不可避不純物を含んでいても良いことは当然である。
Examples of other copper alloy compositions include, for example, Cu—Sn—Cr based copper alloys, Cu—Sn—Zn—Cr based copper alloys, Cu—Sn—P based copper alloys, Cu—Sn—P—Ni. Examples thereof include a copper alloy, a Cu—Fe—Sn—P copper alloy, a Cu—Mg—P copper alloy, and a Cu—Fe—Zn—P copper alloy.
Here, it is natural that inevitable impurities may be included in addition to the essential elements described above.
端子基材上にはルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層(図示せず)が形成されている。さらに端子1の最表層として、前記高融点金属層上にスズ(以下、Snとも記す。)層(図示せず)が形成されている。高融点金属層の厚さは、0.05μm〜1.2μm、好ましくは0.5〜1.0μmである。高融点金属層が厚すぎると、めっき層自体を溶かすために必要なエネルギー量が増大しすぎてしまうため溶接性が劣化し、薄すぎると拡散バリア層としての効果を得ることが出来ない。なお、必要に応じて、端子基材と高融点金属層の間に金属層を設けても良い。この金属層は端子基材と高融点金属層の密着性を向上させるためや、互いの成分の拡散を防ぐために設けられる。この金属層は銅(Cu)やニッケル(Ni)、コバルト(Co)またはこれらの合金からなるのが好ましい。金属層は複数の層で構成されても良い。
The terminal base material is made of a high melting point metal selected from any one of ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir) and platinum (Pt). A melting point metal layer (not shown) is formed. Further, a tin (hereinafter also referred to as Sn) layer (not shown) is formed on the refractory metal layer as the outermost layer of the
また、Sn層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常0.3〜1.2μm程度である。Snめっきが薄い場合は、熱により銅がスズ層側に拡散しやすくなるが、スズ層の下層に高融点金属層を有する本構成をとることで、銅のスズ層側への拡散を防止できる。そのため、接触抵抗の上昇を防止することが可能になる。
また、最表層にSn層が形成されていることから、銅または銅合金の表面よりも近赤外線レーザ光の吸収が高められる。このため、端子基材の銅または銅合金に直接近赤外線レーザ光を照射するよりもレーザエネルギーの吸収効率が高くなるので、溶接速度を高めることができる。
Moreover, although the thickness of Sn layer is not specifically limited, Usually, it is about 0.3-1.2 micrometers. When Sn plating is thin, copper easily diffuses to the tin layer side by heat, but by taking this configuration having a refractory metal layer below the tin layer, diffusion of copper to the tin layer side can be prevented. . Therefore, it is possible to prevent an increase in contact resistance.
Further, since the Sn layer is formed on the outermost layer, the absorption of near-infrared laser light is enhanced more than the surface of copper or copper alloy. For this reason, since the absorption efficiency of laser energy becomes higher than direct irradiation of near infrared laser light to copper or copper alloy of the terminal base material, the welding speed can be increased.
レーザ溶接部50では、基本的に高融点金属も含めて全体が溶融する。そのため溶融部では混合して、Cu−Sn−M合金(ただし、Mは高融点金属)が生成される。
ただし、高融点金属層はレーザ溶接部50以外の部分において、熱影響部(Heat Affected Zone、HAZ)も含めて、端子基材の銅合金中のCuとSn層中のSnとの間の拡散を防ぐ。
In the
However, the refractory metal layer is diffused between Cu in the copper alloy of the terminal base material and Sn in the Sn layer including the heat affected zone (Heat Affected Zone, HAZ) in a portion other than the
高融点金属層の製造方法は、めっき処理を用いることが、コストの面で好ましい。めっき法としては、電気めっき、無電解めっきなどが可能である。また可能であれば、例えば、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学的気相成長法、等の種々の皮膜形成技術を採用することもできる。
なお、高融点金属層をめっき法で形成する際は、常法の前処理手段、例えば水酸化ナトリウムの水溶液におけるカソード電解脱脂、希硫酸浸漬による酸洗処理、活性化処理等を実施することで、密着性に優れためっき皮膜を形成することができる。
The manufacturing method of the refractory metal layer preferably uses a plating treatment in terms of cost. As the plating method, electroplating, electroless plating and the like are possible. If possible, various film forming techniques such as vapor deposition, ion plating, sputtering, and chemical vapor deposition can also be employed.
When forming the refractory metal layer by plating, conventional pretreatment means such as cathode electrolytic degreasing in an aqueous solution of sodium hydroxide, pickling treatment by dipping in diluted sulfuric acid, activation treatment, etc. A plating film excellent in adhesion can be formed.
雌型端子のボックス部20は、例えば雄型端子等の挿入タブの挿入を許容するボックス部である。本発明において、このボックス部の細部の形状は特に限定されない。すなわち、本発明の端子の他の実施形態ではボックス部を有さなくてもよく、例えば、前記ボックス部に替えて雄型端子の挿入タブであっても良い。また他の形態に係る端子の端部であっても良い。ここでは、本発明の端子を説明するために便宜的に雌型端子の例を示している。どのような接続端部を有する端子であっても、トランジション部40を介し管状かしめ部30を有していれば良い。また、その管状かしめ部30に形成されたレーザ溶接部50が、管状かしめ部を構成する端子基材よりも軟らかいことが好ましい。
The
管状かしめ部30は、端子1と電線(図示せず)とを圧着接合する部位である。その一端はアルミニウム電線等の電線あるいはその導体を挿入することができる挿入口31を有し、他端はトランジション部40に接続されている。管状かしめ部30は、そのトランジション部40側で、例えばプレス加工等の潰し加工によって管状かしめ部30の対向する2つの管壁(通常は上下の管壁)を潰した上で、例えばレーザ溶接などの溶接加工によって閉口されて、この閉口部を底部とし前記電線もしくは導体の挿入口31で開口する「缶体」の構造を有している。管状かしめ部30のトランジション部40側は、閉口している。端子1の端子基材(銅合金など)とアルミニウム電線との接点に水分が付着すると、両金属の起電力の差からいずれかの金属(合金)が腐食してしまうので、管状かしめ部30は外部より水分等が侵入しないように一端が閉じられた管体となっている。本発明の端子のかしめ部は、管体であれば腐食に対して一定の効果が得られる為、必ずしも長手方向に対して円筒である必要はなく、場合によっては楕円筒や矩形筒の管体であっても良い。また、径が一定である必要はなく、長手方向で半径が変化していても良い。
この端子1を用いれば、管状かしめ部30が一端が閉じられた管体であることにより、アルミニウム電線と端子1の端子基材の接点に外部からの水分の付着がなされにくくなっている。
The
When this
管状かしめ部30では、管状かしめ部を構成する端子基材とアルミニウム(アルミニウム合金)電線とが機械的に圧着接合されることにより、同時に電気的な接合を確保する。かしめ接合は、端子基材や電線(芯線)の塑性変形によって接合が行われる。したがって、管状かしめ部30は、かしめ接合をすることができるように肉厚を設計される必要があるが、人力加工や機械加工等で接合を自由に行うことができるので、特に限定されるものではない。
In the
本発明の管状かしめ部30は、板体の端子基材が突き合わされて構成されており、その突き合わせ部分を接合するレーザ溶接部50を有する。すなわち、レーザ溶接部50は、管状かしめ部30の突き合わせ部分に沿って長手方向に連続的に設けられている。そして、トランジション部40から挿入口31にかけて直線状領域として設けられている。
またレーザ溶接部50には、レーザ溶接前に、端子基材表面にSn層とその下には高融点金属層とが形成されたものであり、このSn層によってレーザ溶接の際のレーザ光の吸収を高めることができる。
レーザ溶接後に、レーザ溶接部50は溶融し再凝固組織を得るが、レーザ溶接部50の周囲では、前記Sn層は前記高融点金属層が存在する効果により端子基材中の銅(Cu)が拡散することなく、表層に純Sn層が残る。
The
Further, the laser welded
After laser welding, the
管状かしめ部30の長手方向の断面図の一部を図2に示す。この図ではレーザ溶接部(つまりレーザ溶接部)50の記載を省略した。管状かしめ部30は、先述したとおり、銅合金からなる端子基材32により構成されている。また、管状かしめ部の内壁面33には、電線との接触圧を保つための、電線係止溝34aもしくは34bを有していても良い。電線の芯線であるアルミニウム及びアルミニウム合金は、銅合金と比較すると、銅の酸化膜より高い絶縁性を持つ酸化膜を表面にもつため、接続に不安がある。そこで、このような溝を設けることで、溝の山によって接圧を大きくすることが行われる。図2において、電線係止溝34aは矩形断面の溝であり、電線係止溝34bは半円形断面の溝である。このような電線係止溝は、管状かしめ部30を形成する前に、端子基材そのものに加工を施しておくと設けやすい。後述するファイバレーザ加工や機械による切削加工等で設けることができる。なお、管状かしめ部30を形成する前に予めこのような電線係止溝を設けておくと、効率よく生産することができる。
A part of a longitudinal sectional view of the
なお、管状かしめ部には挿入口31からアルミニウム電線もしくはその導体が挿入されるので、電線係止溝34aや34bはアルミニウム芯線と接触する位置に設けられることが好ましい。アルミニウム電線は、通常アルミニウム芯線(導体)とこれを覆う絶縁被覆とからなっている。そして、電線と端子の電気的接合は、先端の絶縁被覆部を除去(皮むき)したアルミニウム芯線が端子の管状かしめ部と圧着接合されることで行われる。したがって接圧を十分に確保することが、電気的性能の維持につながるので、電線係止溝のような溝が必要となる。このような溝はセレーションとも呼ばれる。
そして、少なくとも一本以上の電線係止溝を管状かしめ部30の内面に設けることによって、端子と電線とが確実に圧着されるので、長期信頼性により優れるものとすることができる。
In addition, since an aluminum electric wire or its conductor is inserted in the tubular crimping part from the
Then, by providing at least one or more wire locking grooves on the inner surface of the
以上、図1に示した態様を基に本発明の端子を説明してきたが、本発明の端子の態様は、これに限定されるものではない。 As mentioned above, although the terminal of this invention has been demonstrated based on the aspect shown in FIG. 1, the aspect of the terminal of this invention is not limited to this.
例えば、図3に示すように、電線と圧着される前の状態で、端子100の管状かしめ部が内径の異なった複数の管体から構成される、段差状の管体であってもよい。具体的には、段差管状かしめ部80は、前述の管状かしめ部30(前記図1参照)と同様にレーザ溶接部500を有し、トランジション部40側が溶接による先端封止部502で閉塞された部材であって、不図示の電線の絶縁被覆と圧着される被覆圧着部82と、挿入口81側からトランジション部40側に向かって縮径する縮径部83と、電線の導体と圧着される導体圧着部84と、挿入口81側からトランジション部40側に向かって更に縮径し、その端部が溶接により閉塞される縮径部85とを有していてもよい。なお、図3では、管状部分が2種類(被覆圧着部82、導体圧着部84)であるが、用途や設計にあわせて3種類以上としても良い。
For example, as shown in FIG. 3, a stepped tube body in which the tubular caulking portion of the terminal 100 is composed of a plurality of tube bodies having different inner diameters before being crimped to the electric wire may be used. Specifically, the step
このように管状かしめ部80が段差形状を有することで、電線端部の被覆を除去して当該端部をこの段差形状の管状かしめ部80に挿入したとき、電線の絶縁被覆が縮径部83で係止され、これにより被覆圧着部82の直下に絶縁被覆が位置し、導体圧着部84の直下に電線導体が位置する。したがって、電線端部の位置決めを容易に行うことができ、被覆圧着部82と絶縁被覆との圧着、および導体圧着部84と導体の圧着を確実に行うことが可能となり、良好な止水性および電気的接続を両立して、優れた密着性を実現することができる。
Since the
また、図1の端子では、ボックス部20を有する雌型端子の実施例を示しているが、これに限らず、他の端子との接続部が雄型の端子101であってもよい。具体的には、図4に示すように、不図示の電線を挿入する挿入口91と、該電線と圧着される管状かしめ部90と、管状かしめ部90とトランジション部40を介して一体的に設けられ、不図示の外部端子と電気的に接続される雄型接続部21とを備えた端子であってもよい。管状かしめ部90は、前述の管状かしめ部30と同様にレーザ溶接部501と先端封止部503を有する。雄型接続部21は、長尺状の挿入タブ21aを有しており、挿入タブ21aが外部端子である不図示の雌型端子(例えば、図1に示したようなボックス部20を有する端子)に長手方向に沿って挿入されることで、電気的に接続される。また、雄型接続部21を先端に有し、図3で示したような段差管状かしめ部を後端に有する端子も許容される。
1 shows an example of a female terminal having the
図5に本発明の電線の終端接続構造10の一例を示す。この例の終端接続構造10は、図3に示した本発明の前記段差状の端子100と、アルミニウム電線(60)とが接続された構造を有している。終端接続構造10は、端子100と電線60が管状かしめ部80によって圧着接合されている。圧着の様態は特に限定されないが、図5では、被覆圧着部82および導体圧着部84からなっている。通常、圧着接合すると、管状かしめ部80は塑性変形を起こして、元の径よりも縮径されることで、電線60との圧着接合をなす。圧着接合の際、導体圧着部84は、管状かしめ部80の内側に凹むように強く圧着して、強圧着の圧着部とすることが好ましい。この場合、導体圧着部84には凹部(不図示)が形成されてもよい。圧着接合は、2段階または3段階以上の縮径で行ってもよい。
なお、本発明の電線の終端接続構造(10)は、本発明の端子として、図5に示した段差状の端子(100)を用いて構成する以外に、図1に示した端子(1)や図4に示した端子(101)を用いて構成してもよい。
FIG. 5 shows an example of the
In addition, the terminal connection structure (10) of the electric wire of the present invention is configured by using the stepped terminal (100) shown in FIG. 5 as the terminal of the present invention, and the terminal (1) shown in FIG. Alternatively, the terminal (101) shown in FIG. 4 may be used.
なお、電線60は、絶縁被覆61と図示しない電線の芯線とからなっている。電線60は裸線であっても良いが、防食の観点から通常は絶縁被覆された電線を用いる。電線の芯線は、任意の金属材料を用いることができ、例えば、銅または銅合金や、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。本書の前記背景技術の項で説明したとおり、近年では軽量化のためにアルミニウムまたアルミニウム合金の芯線が用いられるようになってきている。ただし、本発明で用いられる電線60の芯線(導体)はアルミニウムまたはアルミニウム合金に限られるものではない。どのような金属または合金種の組み合わせであっても、電線の芯線と端子との接続部の防水性は本発明の解決課題として挙げられるためである。
In addition, the
本発明の電線の終端接続構造は、特にアルミニウム系材料からなる電線と銅系材料からなる端子基材との異種金属間腐食の防止に寄与する。また、レーザ溶接部50及びその周囲の熱影響部は、端子基材32よりも柔らかい焼きなまし部ともすることができるため、電線と端子の圧着箇所のスプリングバックを防ぐことができ、この点からも長期信頼性に優れる。
上記スプリングバックとは、加工部分が元の形状に戻ろうとする現象である。すなわち、電線(図示せず)と圧着接合させた管状かしめ部の変形部分が弾性力等で元の形状に戻ろうとするため、管状かしめ部30の内面と電線との間に隙間ができてしまう。このようなスプリングバックが端子の圧着部で起こると、電線60と端子1との接点不良を招くことは勿論、間隙に水分の侵入を許しやすくなり腐食の原因となる恐れがある。
The electric wire terminal connection structure of the present invention contributes to the prevention of corrosion between different metals between an electric wire made of an aluminum material and a terminal base material made of a copper material. Further, since the laser welded
The spring back is a phenomenon in which the processed part attempts to return to its original shape. That is, the deformed portion of the tubular caulking portion that is crimp-bonded to the electric wire (not shown) tries to return to the original shape by an elastic force or the like, so that a gap is formed between the inner surface of the
本発明の電線の終端接続構造10を製造する場合、管状かしめ部30のレーザ溶接部50を積極的に塑性変形させる圧着接合が好ましい。端子1の管状かしめ部30と電線60とを圧着する場合は、専用の治具やプレス加工機等で行う。このとき、管状かしめ部30の全体を縮径させても良いが、管状かしめ部を凹型のように部分的に強加工して圧着する場合もある。このときは、レーザ溶接部50の塑性変形量が大きくなるように位置を調整すると良い。すなわち、レーザ溶接部50の直上(外側)にプレス加工時の凸部先端があたるように調整すると、レーザ溶接部50の変形量が大きくなる。このようにすると、比較的軟らかいレーザ溶接部50が塑性変形の多くを担うことができるために、スプリングバックの低減に寄与することができる。
When manufacturing the
次に、端子1の製造方法について説明する。本発明の端子1は管状かしめ部30を有し、この管状かしめ部30にレーザ溶接部(前記図1参照。第1レーザ溶接部と第2レーザ溶接部)を有する端子であるので、この構成を達成し得るならば製造方法は限定されるものではない。
Next, a method for manufacturing the
端子1は端子基材(銅合金など)からなる板材の管状かしめ部となる領域に、前記高融点金属層とさらにその上のSn層をめっき処理によって形成したものを、端子を平面展開した端子形状に打ち抜いて端子基材とし、その後に、曲げ加工によってボックス部20や管状かしめ部30を設ける。なお、高融点金属層とSn層は、端子基材の全面(表面および裏面)にめっきしても良いし、板材のレーザ光照射側の表面全面に形成しても良いし、管状かしめ部を構成する部分のみあるいはその領域を含むようにストライプ状にめっきしても良い。また、端子の展開形状に打ち抜いた後にめっきをしても良い。この場合、端面にもめっき層が形成されてもよい。あるいは、レーザ溶接部となる領域面にのみ形成してもよい。板材の全面にめっき処理する場合以外は、例えば、めっき処理を施さない面にマスクを形成して、めっき浴に浸漬してめっき処理すればよい。
また板材からの打ち抜き加工により端子が長手方向に連なるよう(連鎖型)に端子を展開した形状にしてもよく、または板材から端子を個々に展開した形状に打ち抜いて(枚葉型)もよい。その後の曲げ加工により、管状かしめ部30は平面からの曲げ加工でC字型断面となっているので、この開放部分の端面を突き合わせて溶接することによって接合し、管状かしめ部30とする。管状かしめ部30の好ましい製造方法としては、近赤外線レーザ光を発振するファイバレーザ加工機を用いたレーザ溶接にて行う。
A
Further, the terminal may be formed in a shape in which the terminals are continuous in the longitudinal direction by punching from the plate material (chain type), or may be punched in a shape in which the terminals are individually developed from the plate material (single-wafer type). Since the
通常、銅合金は発振波長が近赤外線領域のレーザ光の吸収効率が悪いため、溶接幅を細くできなかったり、熱影響部(HAZ)の幅を狭くできなかったりする場合がある。そこで、レーザ溶接部50となる端子基材表面に近赤外レーザ光の吸収が銅や銅合金よりもよいSn層を形成すること、およびファイバレーザ光のようなエネルギー密度が高いレーザ光を用いることで、上記課題は克服される。その際、溶融部以外では、高融点金属層によって、端子基材中の銅がSn層中に拡散するのが抑制される。このため、Sn層のみを設ける場合に比して、溶接後に端子に成形して用いる場合に接触抵抗の上昇を抑制することができる。
また、ファイバレーザ光による溶接によって、管状かしめ部30の突き合わせ部を溶接しながら、レーザ溶接部50を焼きなまし部とすることもできる。このように、一工程で管状かしめ部30の溶接加工と焼きなまし加工を行うことができるので、効率よく端子1を製造することができる。
Usually, copper alloys have a low absorption efficiency of laser light having an oscillation wavelength in the near-infrared region, so that there are cases where the weld width cannot be reduced or the heat affected zone (HAZ) cannot be reduced. Therefore, an Sn layer that absorbs near-infrared laser light better than copper or a copper alloy is formed on the surface of the terminal base material to be the
Further, the laser welded
上記Sn層は、近赤外線レーザ光の反射が銅や銅合金表面よりも少ないため、近赤外線レーザ光の吸収性が良い。分光光度計を用いた近赤外光の反射率測定では、本発明に用いるSn層は、60〜80%程度の反射率であり、90%以上の反射率がある銅や銅合金よりも低くなっている。このように近赤外レーザ光の吸収性が高いSn層を形成した領域に近赤外レーザ光が照射されると、Sn層が溶融して溶融池を形成し、これによりレーザ光の吸収が高まり、その下地の端子基材が溶融し、さらにその溶融領域がレーザ光を吸収して端子基材の突き合わせ部分を溶融していくことで溶接が進行している。 Since the Sn layer reflects less near-infrared laser light than the surface of copper or copper alloy, it absorbs near-infrared laser light. In the reflectance measurement of near infrared light using a spectrophotometer, the Sn layer used in the present invention has a reflectance of about 60 to 80%, which is lower than copper or a copper alloy having a reflectance of 90% or more. It has become. When the near-infrared laser light is irradiated onto the region where the Sn layer having high near-infrared laser light absorption is formed as described above, the Sn layer melts to form a molten pool, thereby absorbing the laser light. The base terminal base material melts and the melting region absorbs the laser beam to melt the butted portion of the terminal base material, and welding is progressing.
また、上記高融点金属層およびSn層は端子基材のレーザ光照射が行われる側の面のみ形成してもよい。
または、上記高融点金属層およびSn層は端子基材のレーザ光照射が行われる管状かしめ部30を形成する領域のみ形成してもよい。
この場合、銅合金からなる板材を打ち抜いて端子を展開した形状の端子基材を形成する際に、打ち抜き加工前に、レーザ光照射が行われる部分を含むように、すなわち、管状かしめ部30となる部分を含むように、板材に上記高融点金属層およびSn層をストライプ状に形成する。通常、打ち抜き加工により1枚の板材を打ち抜いて複数の端子基材を作製するため、個々の端子基材ごとに高融点金属層およびSn層の形成を行うことなく、複数の端子基材に対してまとめて高融点金属層およびSn層の形成を行うことができるので、工程数の削減になる。
さらには、上記高融点金属層およびSn層は端子基材のレーザ光照射が行われる領域のみ形成してもよい。この場合、高融点金属層およびSn層を節約することができる。
Further, the refractory metal layer and the Sn layer may be formed only on the surface of the terminal base material on the side where the laser beam irradiation is performed.
Alternatively, the refractory metal layer and the Sn layer may be formed only in a region where the
In this case, when forming a terminal base material having a shape in which a terminal is developed by punching a plate made of a copper alloy, it includes a portion to be irradiated with laser light before punching, that is, a
Furthermore, the refractory metal layer and the Sn layer may be formed only in a region where the terminal base material is irradiated with laser light. In this case, the refractory metal layer and the Sn layer can be saved.
端子1を構成する端子基材の材料によって変化するため一概に言うことはできないが、最表面にSn層が形成された銅合金の端子基材ならば、近赤外線レーザ光照射によって、表面のSn層がレーザ光を吸収し溶融して溶融池を形成する。さらに、その熱およびレーザ光照射によって光エネルギーが変換された熱エネルギーが伝播して、端子基材32のSn層と高融点金属層と銅合金が溶融する。レーザ光照射後に溶融した金属スズ、高融点金属および金属銅が凝固して、突き合わされた部分が接合されて、レーザ溶接部50が形成される。したがって、端子基材が融点以上に昇温されることでレーザ溶接部50が設けられる。具体的には管状かしめ部30の突き合わせ部をスズ層や高融点金属層を含めた端子基材の融点以上沸点以下の温度に上昇させ、必要により所定時間保持してレーザ溶接を施すことで、レーザ溶接部50が形成される。通常、レーザ光は掃引されているので、掃引速度を適宜決定することで、レーザ光照射領域の温度がスズ層や高融点金属層を含めた端子基材の融点以上になるようにすればよい。好ましくは、レーザ光照射によって端子基材32が貫通溶融するように、レーザ光照射条件を調整する。
Since it changes depending on the material of the terminal base material constituting the
上記レーザ溶接では近赤外線レーザ光を用いている。近赤外線レーザ光は、発振波長が700nm〜2.5μmであり、好ましくは1000nm〜2000nmの発振波長のレーザ光を用いる。このようなレーザ光としては、イットリビウム(Yb)ドープガラスファイバレーザ光(発振波長1084nm)、エルビウム(Er)ドープガラスファイバレーザ光(発振波長1550nm)等がある。 The laser welding uses near infrared laser light. The near-infrared laser beam has an oscillation wavelength of 700 nm to 2.5 μm, and preferably a laser beam having an oscillation wavelength of 1000 nm to 2000 nm. Examples of such laser light include yttrium (Yb) -doped glass fiber laser light (oscillation wavelength 1084 nm), erbium (Er) -doped glass fiber laser light (oscillation wavelength 1550 nm), and the like.
上記溶接には、近赤外レーザ光を連続発振するファイバレーザ装置を用いるが、これとは異なるレーザ装置を用いた溶接により管状かしめ部30を形成しても良い。例えば、連続発振するYAGレーザ光発振装置、ガラスレーザ光発振装置等やパルス発振(好ましくは高速パルス発振)するレーザ光発振装置等が挙げられるが、拡がり角の狭さ、レーザ光のビーム径の細さ、レーザ連続発振の安定性等からファイバレーザ発振器を用いることが好ましい。
For the welding, a fiber laser device that continuously oscillates near-infrared laser light is used, but the
図6は、本発明の端子1の製造中の一状態を模式的に表した図である。
図6に示すように、近赤外線の波長1084nm±5nmのレーザ光を発振するファイバレーザ溶接装置FLから発せられたレーザ光Lが管状かしめ部30の突き合わせ部37を覆うように照射され、レーザ光のエネルギーが熱に変換されることによって、まず突き合わせ部37上のSn層、高融点金属層が、次いで、その溶融熱エネルギーも伝播して、突合せ部37の端子基材(Cu)自体が貫通するまで溶融し、その後、冷却してレーザ溶接部50が設けられる。レーザ溶接部50は被溶接材料の融点以上のレーザ加熱処理によって設けることができる。ただし、ファイバレーザ光Lのエネルギーがあまりに高いと、もしくはエネルギー密度が低すぎる場合にレーザ光照射時間を長いと、熱影響部が必要以上に広範囲で形成されてしまい、極端な場合には管状かしめ部30全体が軟化してしまう。したがって、ファイバレーザ光Lは100〜400Wの出力で溶接するのが好ましい。また、掃引速度を調整することによって、レーザ溶接部50を適切な範囲に設ける。
FIG. 6 is a diagram schematically showing one state during manufacture of the
As shown in FIG. 6, laser light L emitted from a fiber laser welding apparatus FL that oscillates near-infrared laser light having a wavelength of 1084 nm ± 5 nm is irradiated so as to cover the butting
前記端子基材の幅は、例えばプレス加工に打ち抜くことができる幅であれば特に制限はない。例えば、10〜60mm、好ましくは15〜40mmとする。 If the width | variety of the said terminal base material is a width | variety which can be pierce | punched, for example by press work, there will be no restriction | limiting in particular. For example, it is 10 to 60 mm, preferably 15 to 40 mm.
以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited thereto.
図7に示すように、銅合金板材5に、表1に記載の通り高融点金属層(図示せず)(表中では、「下地めっき」と示した。)およびその上に最表層としてSn層(図示せず)を、管状かしめ部とする領域を含むようにストライプ状に形成した後、その板材5を打ち抜いて、その長手方向に連なるよう(連鎖型)に端子を展開した形状に加工し、複数の端子基材32を作製した。さらに管状かしめ部展開部30aの突き合わせ部となる端面30S同士を突き合わせ、管状かしめ部30形成部30bを作製した(図8参照。)。このとき端面30S同士が付き合わされて突き合わせ部37となる。そして、前記図6を参照して説明したように、その突き合わせ部分にそってその両側に近赤外線レーザ光を照射するレーザ溶接で10mmの長さを貫通溶接することで接合し、管状かしめ部を有する端子サンプルを作製した。なお、ここで言う端子サンプルとは、先端封止をまだしておらず、レーザ溶接部(第1レーザ溶接部)50のみを備えた管状かしめ部を有する端子のことを指す。なお、この溶接により、管状かしめ部に焼きなまし部も得た。また、各種条件を変化させることで、溶接性として、ブローホール数を評価した。
As shown in FIG. 7, a copper alloy sheet 5 is coated with a refractory metal layer (not shown) (shown as “undercoat” in the table) as shown in Table 1 and Sn as the outermost layer thereon. After forming a layer (not shown) in a stripe shape so as to include a region to be a tubular caulking portion, the plate material 5 is punched out and processed into a shape in which terminals are expanded so as to be continuous in the longitudinal direction (chain type) Then, a plurality of
本実施例では割愛したが、上記の端子サンプルに対して、さらに次の工程を行うことで端子を得る。まず、管状かしめ部のトランジション部側の端部を閉塞させるために管状体の端部の基材同士を重ね合わせ、その重ね合わせ部分を溶接(重ね合わせ溶接)し、先端封止部(第2レーザ溶接部)52を設ける。さらに、端子をキャリア38から切り離すことで独立した端子となる。
Although omitted in the present embodiment, a terminal is obtained by further performing the following process on the above terminal sample. First, in order to close the end portion of the tubular caulking portion on the transition portion side, the base materials at the end portions of the tubular body are overlapped, the overlapped portion is welded (overlap welding), and the tip sealing portion (the second sealing portion) Laser welded part) 52 is provided. Furthermore, it becomes an independent terminal by separating the terminal from the
(実施例1〜7)
端子基材として、古河電気工業株式会社製の銅合金FAS−680(商品名、厚さ0.25mm、H材)を用いた。
FAS−680の合金組成は、スズ(Sn)を0.15質量%、亜鉛(Zn)を0.5質量%、ニッケル(Ni)を2.3質量%、シリコン(Si)を0.55質量%、およびマグネシウム(Mg)を0.1質量%含有し、残部が銅(Cu)および不可避不純物である。FAS−680の融点は1078℃(液相)、比熱は377J/(kg・K)、熱伝導率は170W/(m・K)、線膨張係数が17.7×10−6/K(20〜300℃)、および導電率40%IACSである。また、引張強さは600〜700N/mm2、伸び(引張破断伸び、以下同様。)は15%以上、0.2%耐力は500〜600N/mm2、およびビッカース硬さは160〜220Hvである。
(Examples 1-7)
As a terminal base material, Furukawa Electric Co., Ltd. copper alloy FAS-680 (trade name, thickness 0.25 mm, H material) was used.
The alloy composition of FAS-680 is 0.15% by mass of tin (Sn), 0.5% by mass of zinc (Zn), 2.3% by mass of nickel (Ni), and 0.55% by mass of silicon (Si). % And magnesium (Mg) 0.1% by mass, the balance being copper (Cu) and inevitable impurities. FAS-680 has a melting point of 1078 ° C. (liquid phase), a specific heat of 377 J / (kg · K), a thermal conductivity of 170 W / (m · K), and a linear expansion coefficient of 17.7 × 10 −6 / K (20 ˜300 ° C.), and
電解脱脂、活性化処理を行った後、高融点金属めっき処理(本実施例ではPdめっき)によって、端子基材表面に高融点金属層(本実施例ではPd層)を形成し、さらにSnめっき処理によってSn層を形成した。 After electrolytic degreasing and activation treatment, a refractory metal layer (Pd layer in this embodiment) is formed on the surface of the terminal base material by refractory metal plating treatment (Pd plating in this embodiment), and Sn plating is further performed. An Sn layer was formed by the treatment.
実験条件は下記の通りである。
<めっき前処理(電解脱脂処理、酸浸漬処理)>
(電解脱脂処理)
処理液: 10%水酸化ナトリウム水溶液
処理温度: 60℃
陰極電流密度: 3.5A/dm2
処理時間: 30秒
(酸浸漬処理)
処理液: 10%硫酸水溶液
処理温度: 25℃
浸漬処理時間: 30秒
The experimental conditions are as follows.
<Plating pretreatment (electrolytic degreasing treatment, acid dipping treatment)>
(Electrolytic degreasing)
Treatment liquid: 10% sodium hydroxide aqueous solution Treatment temperature: 60 ° C
Cathode current density: 3.5 A / dm 2
Treatment time: 30 seconds (acid dipping treatment)
Treatment liquid: 10% sulfuric acid aqueous solution Treatment temperature: 25 ° C
Immersion processing time: 30 seconds
<Pdめっき処理>
処理液: Pd(NH3)2Cl2:45g/リットル、NH4OH:90ml/リットル、(NH4)2SO4:50g/リットル
処理温度: 30℃
電流密度: 1A/dm2
処理時間: めっき層の厚さ毎に処理時間を調整した。Pdめっき層の厚さは、実施例1が0.05μm、実施例2が0.1μm、実施例3が0.3μm、実施例4が0.5μm、実施例5が0.8μm、実施例6が1.0μm、実施例7が1.2μmに、それぞれ調整した。
<Pd plating treatment>
Treatment liquid: Pd (NH 3 ) 2 Cl 2 : 45 g / liter, NH 4 OH: 90 ml / liter, (NH 4 ) 2 SO 4 : 50 g / liter Treatment temperature: 30 ° C.
Current density: 1 A / dm 2
Treatment time: The treatment time was adjusted for each thickness of the plating layer. The thickness of the Pd plating layer is 0.05 μm in Example 1, 0.1 μm in Example 2, 0.3 μm in Example 3, 0.5 μm in Example 4, 0.8 μm in Example 5, and Example. 6 was adjusted to 1.0 μm, and Example 7 was adjusted to 1.2 μm.
<Snめっき処理>
(Snめっき条件)
処理液: 硫酸スズ:80g/リットル、硫酸:50ミリリットル/リットル
処理温度: 25℃
電流密度: 3A/dm2
<Sn plating treatment>
(Sn plating conditions)
Treatment liquid: Tin sulfate: 80 g / liter, Sulfuric acid: 50 ml / liter Treatment temperature: 25 ° C.
Current density: 3 A / dm 2
(実施例8〜12)
端子基材として、実施例4で用いたのと同様の端子基材を用い、市販のめっき浴を用いてRu,Rh,Os,Ir,Ptそれぞれの高融点金属めっき処理を行った以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。処理温度、電流密度、処理時間は、所定のめっき厚(0.5μm)となるように各金属種ごとに常法に従って適宜調整した。
(Examples 8 to 12)
As the terminal base material, the same terminal base material as used in Example 4 was used, and a refractory metal plating treatment of each of Ru, Rh, Os, Ir, and Pt was performed using a commercially available plating bath. A terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4. The treatment temperature, current density, and treatment time were appropriately adjusted according to a conventional method for each metal type so as to have a predetermined plating thickness (0.5 μm).
(実施例13)
端子基材として、実施例4において、FAS−680の代わりに古河電気工業株式会社製の銅合金FAS−820を用いた以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。
FAS−820の合金組成は、スズ(Sn)を0.15質量%、亜鉛(Zn)を0.5質量%、ニッケル(Ni)を2.3質量%、シリコン(Si)を0.65質量%、マグネシウム(Mg)を0.1質量%、およびクロム(Cr)を0.15質量%含有し、残部が銅(Cu)および不可避不純物である。FAS−820の融点は1078℃(液相)、比熱は377J/(kg・K)、熱伝導率は157W/(m・K)、線膨張係数が17.5×10−6/K(20〜300℃)、および導電率38%IACSである。また、引張強さは730〜830N/mm2、伸びは7%以上、0.2%耐力は675〜775N/mm2、およびビッカース硬さは220〜260Hvである。
(Example 13)
A terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that in Example 4, a copper alloy FAS-820 manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. was used instead of FAS-680.
The alloy composition of FAS-820 is 0.15% by mass of tin (Sn), 0.5% by mass of zinc (Zn), 2.3% by mass of nickel (Ni), and 0.65% by mass of silicon (Si). %, Magnesium (Mg) 0.1 mass%, and chromium (Cr) 0.15 mass%, with the balance being copper (Cu) and inevitable impurities. FAS-820 has a melting point of 1078 ° C. (liquid phase), a specific heat of 377 J / (kg · K), a thermal conductivity of 157 W / (m · K), and a linear expansion coefficient of 17.5 × 10 −6 / K (20 ˜300 ° C.), and
(実施例14)
端子基材として、実施例4において、FAS−680の代わりに三菱伸銅製の銅合金MAX−375を用いた以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。
MAX−375の合金組成は、スズ(Sn)を0.5質量%、亜鉛(Zn)を0.5質量%、ニッケル(Ni)を2.85質量%、およびシリコン(Si)を0.7質量%含有し、残部が銅(Cu)および不可避不純物である。MAX−375の融点は1085℃(液相)、比熱は382J/(kg・K)、熱伝導率は180W/(m・K)、線膨張係数が17.1×10−6/K(20〜300℃)、および導電率40%IACSである。また、引張強さは750〜850N/mm2、伸びは6%以上、0.2%耐力は710〜830N/mm2、およびビッカース硬さは210〜270Hvである。
(Example 14)
A terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that in Example 4, a copper alloy MAX-375 made of Mitsubishi Shindoh was used instead of FAS-680.
The alloy composition of MAX-375 is 0.5 mass% tin (Sn), 0.5 mass% zinc (Zn), 2.85 mass% nickel (Ni), and 0.7 mass silicon (Si). It is contained by mass and the balance is copper (Cu) and inevitable impurities. The melting point of MAX-375 is 1085 ° C. (liquid phase), the specific heat is 382 J / (kg · K), the thermal conductivity is 180 W / (m · K), and the linear expansion coefficient is 17.1 × 10 −6 / K (20 ˜300 ° C.), and
(実施例15)
端子基材として、実施例4において、FAS−680の代わりに三菱伸銅製の銅合金MAX251を用いた以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。
MAX251の合金組成は、スズ(Sn)を0.5質量%、亜鉛(Zn)を1質量%、ニッケル(Ni)を2質量%、およびシリコン(Si)を0.5質量%含有し、かつ銅(Cu)を95質量%以上含有し、および残部が不可避不純物である。MAX251の融点は1085℃(液相)、比熱は382J/(kg・K)、熱伝導率は194W/(m・K)、線膨張係数が17.1×10−6/K(20〜300℃)、および導電率48%IACSである。また、引張強さは500〜600N/mm2、伸びは6%以上、0.2%耐力は440〜580N/mm2、およびビッカース硬さは140〜200Hvである。
(Example 15)
A terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that in Example 4, a copper alloy MAX251 made by Mitsubishi Shindoh was used instead of FAS-680.
The alloy composition of MAX251 contains 0.5 mass% tin (Sn), 1 mass% zinc (Zn), 2 mass% nickel (Ni), and 0.5 mass% silicon (Si), and Copper (Cu) is contained by 95% by mass or more, and the balance is inevitable impurities. The melting point of MAX251 is 1085 ° C. (liquid phase), the specific heat is 382 J / (kg · K), the thermal conductivity is 194 W / (m · K), and the linear expansion coefficient is 17.1 × 10 −6 / K (20 to 300). ° C), and conductivity 48% IACS. Further, the tensile strength is 500 to 600 N / mm 2 , the elongation is 6% or more, the 0.2% proof stress is 440 to 580 N / mm 2 , and the Vickers hardness is 140 to 200 Hv.
(実施例16)
端子基材として、実施例4において、FAS−680の代わりにタフピッチ銅(古河電気工業(株)製、C1100(JIS))を用いた以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。
(Example 16)
A terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that tough pitch copper (C1100 (JIS) manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) was used instead of FAS-680 as the terminal substrate.
(比較例1〜2)
実施例4において、高融点金属層のPd層の厚さを比較例1は0.03μm、比較例2は1.5μmにした以外は実施例4と同様に端子サンプルを作製した。
(比較例3)
実施例1において、高融点金属層およびSn層をどちらも形成せず、それ以外は実施例1と同様に端子サンプルを作製した。
(比較例4)
実施例1において、高融点金属層を形成せずにSn層のみを形成した以外は実施例1と同様に端子サンプルを作製した。
(Comparative Examples 1-2)
In Example 4, a terminal sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the Pd layer of the refractory metal layer was 0.03 μm in Comparative Example 1 and 1.5 μm in Comparative Example 2.
(Comparative Example 3)
In Example 1, neither a refractory metal layer nor an Sn layer was formed. Otherwise, a terminal sample was produced in the same manner as in Example 1.
(Comparative Example 4)
In Example 1, a terminal sample was produced in the same manner as in Example 1 except that only the Sn layer was formed without forming the refractory metal layer.
上記いずれの場合も、端子形状に曲げ加工した後(図8参照)、端子サンプルの管状かしめ部となる対向する端面同士を突き合わせて、下記の近赤外線レーザ光を照射するレーザ溶接で接合することで管状かしめ部を備えた端子サンプルを形成した。 In any of the above cases, after bending into a terminal shape (see FIG. 8), opposing end faces that form the tubular caulking portion of the terminal sample are butted together and joined by laser welding that irradiates the following near infrared laser light. A terminal sample having a tubular caulking portion was formed.
レーザ溶接条件は下記の通りである。
(1)レーザ溶接装置:古河電気工業株式会社製 シングルモードファイバレーザ ASF1J221(商品名)
レーザ光の光源:Ybドープガラスファイバレーザ発振器
レーザ光発振波長:1084±5nm
レーザ光最大出力:500W(連続発振)
The laser welding conditions are as follows.
(1) Laser welding apparatus: Furukawa Electric Co., Ltd. single mode fiber laser ASF1J221 (trade name)
Laser light source: Yb-doped glass fiber laser oscillator Laser light oscillation wavelength: 1084 ± 5 nm
Maximum laser beam output: 500W (continuous oscillation)
(2)レーザ光照射条件
レーザ光出力:400W(連続発振で使用)
レーザ光掃引速度:135mm/sec.
レーザ光掃引距離:10mm
全条件ジャストフォーカスでレーザ光照射(スポット径サイズ:20μm)
(2) Laser light irradiation conditions Laser light output: 400 W (used for continuous oscillation)
Laser light sweep speed: 135 mm / sec.
Laser light sweep distance: 10mm
All conditions Just focus laser irradiation (spot diameter size: 20μm)
接触抵抗について次のように測定、評価した。
接触抵抗値は、圧着部と電線の間の電気抵抗値を測定し、電線分の抵抗値を差し引くことで得る。電気抵抗値はHioki 3560 AC Milliohm HiTester(商品名)を用いて測定した。算出後の接触抵抗値が0.5mΩ以下ならば「A(優)」、0.5mΩより高く0.7μm以下ならば「B(良)」、0.7mΩより大きい場合は「C(不可)」、と評価した。
The contact resistance was measured and evaluated as follows.
The contact resistance value is obtained by measuring the electrical resistance value between the crimping part and the electric wire and subtracting the resistance value for the electric wire. The electrical resistance value was measured using a Hioki 3560 AC Milliom HiTester (trade name). “A (excellent)” if the calculated contact resistance value is 0.5 mΩ or less, “B (good)” if it is higher than 0.5 mΩ and 0.7 μm or less, and “C (impossible)” if it is greater than 0.7 mΩ. ".
レーザ溶接後のレーザ溶接部(第1レーザ溶接部)50の溶接性について、「溶接性(ブローホール数)」を評価した。
「ブローホール数」は、溶接欠陥の指標となるもので、その数を数えることで評価した。ブローホール数が少ないほうが溶接性に優れる。
ブローホール数は、レーザ溶接後、レーザ溶接部全体を透過X線写真を撮影し、溶接を施した範囲のブローホール数を数えた。本実施例では、その掃引面積内のブローホール数を数えた。なお、同条件で試作された10サンプルのブローホール数を平均化し、一の位を有効数字として小数点以下を四捨五入した値を採用した。ブローホール数が10個を超えると、溶接部表面の荒れの増加、溶接内部欠陥などが多くなるため、それを閾値として、0〜10個を「A(優)」と表し、11〜20個を「B(良)」、20個を超えるか、または溶接部で割れが生じるなどして溶接ができなかった場合を「C(不可)」、と表して評価した。
Regarding the weldability of the laser welded portion (first laser welded portion) 50 after laser welding, “weldability (number of blow holes)” was evaluated.
The “number of blow holes” is an index of welding defects, and was evaluated by counting the number. The smaller the number of blow holes, the better the weldability.
The number of blowholes was measured by taking a transmission X-ray photograph of the entire laser welded part after laser welding and counting the number of blowholes in the welded range. In this example, the number of blow holes in the sweep area was counted. In addition, the number of blowholes of 10 samples prototyped under the same conditions was averaged, and a value obtained by rounding off the decimal place with the first place as a significant figure was adopted. If the number of blowholes exceeds 10, the surface roughness of the welded portion increases, weld internal defects, etc. increase, so that 0 to 10 are represented as “A (excellent)” by using the threshold as 11 to 20 "B (good)", the case where it was not possible to weld because of exceeding 20 pieces or cracking at the welded part was expressed as "C (impossible)" and evaluated.
上記各種試験結果および評価結果を表1に示す。 The various test results and evaluation results are shown in Table 1.
表1から明らかなように、実施例1〜16では、接触抵抗が低く、特に高融点金属層の厚さが0.5〜1.2μmでは0.5mΩ以下となり、かつ、溶接後のブローホール数が20個以下であり、良好な接触抵抗性、溶接性を有していた。
一方、比較例2は、ブローホール数が20個を越えていて、溶接性が劣っていた。また、比較例3は、溶接部に割れが生じて溶接できなかった。比較例2を除く比較例1、3、4は接触抵抗が高く劣っていた。
As is apparent from Table 1, in Examples 1 to 16, the contact resistance is low, particularly 0.5 mΩ or less when the thickness of the refractory metal layer is 0.5 to 1.2 μm, and the blowhole after welding The number was 20 or less and had good contact resistance and weldability.
On the other hand, in Comparative Example 2, the number of blow holes exceeded 20 and the weldability was inferior. Further, in Comparative Example 3, the welded portion was cracked and could not be welded. Comparative Examples 1, 3, and 4 except Comparative Example 2 were inferior in contact resistance.
1,100,101 端子
5 板材
10 終端接続構造
20 ボックス部
30,80,90 管状かしめ部
30S 端面
31,81,91 挿入口
32 端子基材
33 管状かしめ部の内壁面
34a,34b 電線係止溝
37 突き合わせ部
38 キャリア
40 トランジション部
50,500,501 レーザ溶接部(第1レーザ溶接部)
52,502,503 先端封止部(第2レーザ溶接部)
60 被覆電線
61 絶縁被覆
82 被覆圧着部
83,85 縮径部
84 導体圧着部
FL ファイバレーザ溶接装置
L ファイバレーザ光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100,101 Terminal 5 Board |
52, 502, 503 Tip sealing portion (second laser welding portion)
60
Claims (11)
銅または銅合金からなる板材に対し、少なくとも前記管状かしめ部を形成する部分上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層を0.05μm〜1.2μm厚さで形成し、
前記高融点金属層上にスズ層を形成し、
前記高融点金属層および前記スズ層が形成された前記板材を、前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の前記管状かしめ部を形成する部分となる管展開部を曲げ加工し、前記管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。 A method of manufacturing a terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium and platinum on at least a portion forming the tubular caulking portion with respect to a plate made of copper or a copper alloy Is formed with a thickness of 0.05 μm to 1.2 μm,
Forming a tin layer on the refractory metal layer;
Forming the terminal base material by punching out the plate material in which the refractory metal layer and the tin layer are formed in a developed view of the terminal,
Bending a tube expanding portion that becomes a portion forming the tubular caulking portion of the terminal base material, but facing opposite ends of the tube expanding portion to form a butted portion;
The manufacturing method of the terminal which has each process which joins the said butt | matching part by laser welding and forms the said tubular crimping part in this order.
銅または銅合金からなる板材を前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の管状かしめ部を形成する部分となる管展開部上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層を0.05μm〜1.2μm厚さで形成し、
前記高融点金属層上にスズ層を形成し、
前記管展開部を曲げ加工し、管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。 A method of manufacturing a terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
A terminal base material is formed by punching a plate made of copper or a copper alloy into a developed view of the terminal,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and platinum is formed on the tube development portion that forms the tubular caulking portion of the terminal base material. .05 μm to 1.2 μm thick,
Forming a tin layer on the refractory metal layer;
Bending the pipe expanding portion, butting the opposite ends of the pipe expanding portion together to form a butt portion;
The manufacturing method of the terminal which has each process which joins the said butt | matching part by laser welding and forms the said tubular crimping part in this order.
前記端子を形成する端子基材が銅または銅合金からなり、
前記管状かしめ部が前記端子基材の管展開部を曲げ加工してその対向する端部を突き合わせた突き合わせ部が形成され、前記突き合わせ部がレーザ溶接で接合されていて、
前記レーザ溶接された端子基材上にルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金のいずれか1種から選択される高融点金属からなる高融点金属層が0.05μm〜1.2μm厚さで形成されていて、
前記高融点金属層上にスズ層が形成されていて、
レーザ溶接によって溶融した部分以外では端子基材とスズの拡散が防止されている端子。 A terminal having a tubular caulking portion that is crimp-bonded to an electric wire,
The terminal base material forming the terminal is made of copper or a copper alloy,
The tubular caulking portion is formed by bending the tube deployment portion of the terminal base material and abutting the opposite ends thereof, and the abutting portion is joined by laser welding,
A refractory metal layer made of a refractory metal selected from any one of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and platinum is 0.05 μm to 1.2 μm in thickness on the laser-welded terminal base material. Formed,
A tin layer is formed on the refractory metal layer,
Terminals that prevent diffusion of the terminal base material and tin in areas other than those melted by laser welding.
端部から芯線を露出させた被覆電線を前記管状かしめ部内に挿入し、
前記管状かしめ部をかしめて前記被覆電線を前記管状かしめ部内に圧着接続する、電線の終端接続構造体の製造方法。 A method for producing an end connection structure of an electric wire, wherein the terminal produced by the method for producing a terminal according to any one of claims 1 to 8 and a covered electric wire are crimp-connected at a tubular caulked portion of the terminal. And
Insert the covered electric wire with the core wire exposed from the end into the tubular caulking portion,
A method for manufacturing an end connection structure for electric wires, wherein the tubular caulking portion is caulked and the covered electric wire is crimped and connected to the tubular caulking portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034069 | 2013-02-24 | ||
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JP2014032924A JP2014187016A (en) | 2013-02-24 | 2014-02-24 | Terminal manufacturing method, terminal, electric wire end connection structure manufacturing method, and electric wire end connection structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187016A true JP2014187016A (en) | 2014-10-02 |
Family
ID=51834376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
CN113437606A (en) * | 2020-03-18 | 2021-09-24 | 矢崎总业株式会社 | Method for manufacturing electric wire with terminal and electric wire with terminal |
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