JP2014181937A - Test device, cleaning method, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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修 杉浦
Kazuhiro Tashiro
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a test device, a cleaning method and a manufacturing method of a semiconductor device, which allow efficient cleaning of a probe of the test device.SOLUTION: The test device has: a plurality of probes 9; an electromagnet 25 attracting the probe 9 by magnetic force; and a polishing member 10 opposite to a tip 9a of the probe 9. Excitation of the electromagnet 25 brings the tip 9a of the probe 9 into contact with the polishing member 10.

Description

本発明は、試験装置、クリーニング方法、及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a test apparatus, a cleaning method, and a semiconductor device manufacturing method.

LSI(Large Scale Integration)等の半導体装置に対しては、その電気的な特性を調べるためにプローブを備えた試験装置を用いた試験が行われる。その試験では、半導体装置の電極にプローブを当て、そのプローブから半導体装置に試験信号を与えることで、半導体装置が製品仕様を満たしているか否かが調べられる。   For semiconductor devices such as LSI (Large Scale Integration), a test using a test apparatus equipped with a probe is performed in order to investigate the electrical characteristics. In the test, a probe is applied to the electrode of the semiconductor device, and a test signal is given from the probe to the semiconductor device, thereby checking whether or not the semiconductor device satisfies product specifications.

このような試験を繰り返すと、プローブの先端に半導体装置の電極材料等の異物が付着することがある。そのため、試験装置にはプローブに付着した異物を除去するための研磨シートが設けられており、予め定められた周期で研磨シートの研磨面でプローブの先端を擦ることによりプローブに付着した異物を除去し、プローブのクリーニングを行う。   When such a test is repeated, foreign matter such as electrode material of the semiconductor device may adhere to the tip of the probe. For this reason, the test device is equipped with a polishing sheet to remove foreign matter adhering to the probe, and the foreign matter attached to the probe is removed by rubbing the tip of the probe with the polishing surface of the polishing sheet at a predetermined cycle. Then, clean the probe.

この試験装置には、上記したプローブのクリーニングを効率化するという点で改善の余地がある。   This test apparatus has room for improvement in terms of improving the efficiency of the probe cleaning described above.

試験装置、クリーニング方法、及び半導体装置の製造方法において、試験装置のプローブを効率的にクリーニングすることを目的とする。   It is an object of the present invention to efficiently clean a probe of a test apparatus in a test apparatus, a cleaning method, and a semiconductor device manufacturing method.

以下の開示の一観点によれば、複数のプローブと、磁力で前記プローブを引き付ける電磁石と、前記プローブの先端に対向した研磨部材とを有し、前記電磁石の励磁により前記プローブの前記先端が前記研磨部材に接触する試験装置が提供される。   According to one aspect of the following disclosure, the probe includes a plurality of probes, an electromagnet that attracts the probe with a magnetic force, and a polishing member facing the tip of the probe, and the tip of the probe is A test apparatus for contacting the abrasive member is provided.

また、その開示の他の観点によれば、第１の電磁石と、前記第１の電磁石の上方に設けられ、該第１の電磁石の磁力で浮上する磁石と、前記磁石の上に設けられた研磨部材と、前記研磨部材の上方に設けられ、前記磁石が浮上したときに前記研磨部材に接触する先端を備えた複数のプローブとを有する試験装置が提供される。   According to another aspect of the disclosure, the first electromagnet, the magnet provided above the first electromagnet, and levitated by the magnetic force of the first electromagnet, and provided on the magnet. A test apparatus is provided that includes an abrasive member and a plurality of probes provided above the abrasive member and having tips that contact the abrasive member when the magnet floats.

そして、その開示の別の観点によれば、プローブから半導体装置の電極に試験信号を送ることにより前記半導体装置を試験する工程と、前記試験の後、前記プローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石を励磁させることにより、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to another aspect of the disclosure, a step of testing the semiconductor device by sending a test signal from the probe to the electrode of the semiconductor device, and an electromagnet that generates a magnetic force that attracts the probe after the test is used. Thus, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising exciting the electromagnet to bring the tip of the probe into contact with a polishing member.

また、その開示の更に別の観点によれば、プローブから半導体装置の電極に試験信号を送ることにより前記半導体装置を試験する工程と、前記試験の後、第１の電磁石で磁石を浮上させることにより、前記磁石に設けられた研磨部材を前記プローブの先端に当て、該先端を前記研磨部材で研磨する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to still another aspect of the disclosure, the step of testing the semiconductor device by sending a test signal from the probe to the electrode of the semiconductor device, and after the test, the magnet is levitated by the first electromagnet. Thus, a method of manufacturing a semiconductor device is provided, which includes a step of applying a polishing member provided on the magnet to the tip of the probe and polishing the tip with the polishing member.

そして、その開示の更に他の観点によれば、試験装置のプローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石の励磁により、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程を有するクリーニング方法が提供される。   According to still another aspect of the disclosure, there is provided a cleaning method including a step of bringing an end of the probe into contact with an abrasive member by excitation of the electromagnet using an electromagnet that generates a magnetic force that attracts the probe of the test apparatus. Provided.

以下の開示によれば、電磁石の磁力が複数のプローブに均等に作用するので、その磁力を利用して研磨部材に各プローブを均等に当て、各プローブの先端を研磨部材で効率的に研磨することが可能となる。   According to the following disclosure, since the magnetic force of the electromagnet acts equally on a plurality of probes, each probe is evenly applied to the polishing member using the magnetic force, and the tip of each probe is efficiently polished by the polishing member. It becomes possible.

図１は、調査に使用した試験装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a test apparatus used for the investigation. 図２は、クリーニングステージでプローブをクリーニングするときの試験装置の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of the test apparatus when the probe is cleaned by the cleaning stage. 図３は、クリーニングステージの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the cleaning stage. 図４は、クリーニング前の研磨部材とプローブの拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the polishing member and the probe before cleaning. 図５は、クリーニング時における研磨部材とプローブの拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the polishing member and the probe during cleaning. 図６は、複数のプローブを同時にクリーニングするときの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view when simultaneously cleaning a plurality of probes. 図７は、第１実施形態に係る試験装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of the test apparatus according to the first embodiment. 図８は、第１実施形態においてクリーニングステージでプローブをクリーニングするときの試験装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of the test apparatus when the probe is cleaned by the cleaning stage in the first embodiment. 図９は、第１実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of the cleaning stage according to the first embodiment. 図１０は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment. 図１１は、第１実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その１）である。FIG. 11 is a cross-sectional view (part 1) schematically illustrating the probe cleaning method according to the first embodiment. 図１１は、第１実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その２）である。FIG. 11 is a cross-sectional view (part 2) schematically illustrating the probe cleaning method according to the first embodiment. 図１３は、第２実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 13 is a perspective view of a cleaning stage according to the second embodiment. 図１４は、第２実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その１）である。FIG. 14 is a cross-sectional view (part 1) schematically showing the probe cleaning method according to the second embodiment. 図１５は、第２実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その２）である。FIG. 15 is a cross-sectional view (part 2) schematically showing the probe cleaning method according to the second embodiment. 図１６は、第３実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 16 is a perspective view of the cleaning stage according to the third embodiment. 図１７は、第３実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その１）である。FIG. 17 is a cross-sectional view (part 1) schematically showing the probe cleaning method according to the third embodiment. 図１８は、第３実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その２）である。FIG. 18 is a cross-sectional view (part 2) schematically illustrating the probe cleaning method according to the third embodiment. 図１９は、第４実施形態に係るプローブカードとクリーニングステージの斜視図である。FIG. 19 is a perspective view of a probe card and a cleaning stage according to the fourth embodiment. 図２０は、第４実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing a probe cleaning method according to the fourth embodiment. 図２１は、第５実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 21 is a perspective view of a cleaning stage according to the fifth embodiment. 図２２は、第５実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その１）である。FIG. 22 is a cross-sectional view (part 1) schematically showing the probe cleaning method according to the fifth embodiment. 図２３は、第５実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図（その２）である。FIG. 23 is a cross-sectional view (part 2) schematically showing the probe cleaning method according to the fifth embodiment. 図２４は、第６実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 24 is a perspective view of a cleaning stage according to the sixth embodiment. 図２５は、第６実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view schematically showing the probe cleaning method according to the sixth embodiment. 図２６は、第７実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 26 is a perspective view of a cleaning stage according to the seventh embodiment. 図２７は、第７実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view schematically showing a probe cleaning method according to the seventh embodiment. 図２８は、第８実施形態に係るクリーニングステージの斜視図である。FIG. 28 is a perspective view of a cleaning stage according to the eighth embodiment. 図２９は、第８実施形態に係るプローブのクリーニング方法を模式的に示す断面図である。FIG. 29 is a cross-sectional view schematically showing the probe cleaning method according to the eighth embodiment.

本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が行った調査について説明する。   Prior to the description of the present embodiment, an investigation conducted by the present inventor will be described.

図１は、その調査に使用した試験装置の構成図である。   FIG. 1 is a configuration diagram of a test apparatus used for the investigation.

この試験装置１は、プローバ２と、テストヘッド３と、LSIテスタ４とを有する。   The test apparatus 1 has a prober 2, a test head 3, and an LSI tester 4.

このうち、プローバ２においては、テストステージ５の上に試験対象のシリコンウエハが半導体装置Wとして載せられており、その半導体装置Wの上方にプローブカード７が設けられる。   Among these, in the prober 2, a silicon wafer to be tested is mounted on the test stage 5 as the semiconductor device W, and the probe card 7 is provided above the semiconductor device W.

プローブカード７は、半導体装置Wの電極に当たる複数のプローブ９を有しており、複数の導電ピン８から受けた試験信号STをプローブ９に送る。 Probe card 7 has a plurality of probes 9 impinging on the electrodes of the semiconductor device W, and sends the test signal S T received from a plurality of conductive pins 8 to the probe 9.

その試験信号STはLSIテスタ４で生成され、テストヘッド３を介して前述の導電ピン８に送られる。 The test signal S T is generated by an LSI tester 4, via the test head 3 is sent to a conductive pin 8 described above.

試験に際しては、テストステージ５が上昇することにより半導体装置Wがプローブ９に当たる。そして、プローブ９から半導体装置Wに試験信号STを供給し、これに対して半導体装置Wから出力された応答信号SRに基づいて、半導体装置Wが仕様を満たすか否かをLSIテスタ４が調べる。 In the test, the semiconductor device W hits the probe 9 by raising the test stage 5. Then, a test signal ST is supplied from the probe 9 to the semiconductor device W, and based on the response signal S R output from the semiconductor device W, the LSI tester 4 determines whether or not the semiconductor device W satisfies the specifications. Find out.

このような試験を繰り返すと、プローブ９の先端に半導体装置Wの電極材料等の異物が付着することがある。その異物は、半導体装置Wとプローブ９との間でコンタクト不良を引き起こし、半導体装置Wに対して電気的な試験を行う妨げとなる。   When such a test is repeated, foreign matter such as an electrode material of the semiconductor device W may adhere to the tip of the probe 9. The foreign matter causes a contact failure between the semiconductor device W and the probe 9 and hinders electrical testing of the semiconductor device W.

そのような異物をプローブ９から除去するために、プローバ２にはクリーニングステージ６が設けられる。   In order to remove such foreign matter from the probe 9, the prober 2 is provided with a cleaning stage 6.

図２は、クリーニングステージ６でプローブ９をクリーニングするときの試験装置１の構成図である。   FIG. 2 is a configuration diagram of the test apparatus 1 when the probe 9 is cleaned by the cleaning stage 6.

クリーニングに際しては、テストステージ５が退避した後にプローブカード７の下方にクリーニングステージ６が移動し、更にクリーニングステージ６が上昇してプローブ９に当たる。   At the time of cleaning, after the test stage 5 is retracted, the cleaning stage 6 moves below the probe card 7, and the cleaning stage 6 further moves up to hit the probe 9.

図３は、クリーニングステージ６の断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the cleaning stage 6.

図３に示すように、クリーニングステージ６は、その上面にプローブ９の先端を研磨するためのシート状の研磨部材１０を備える。   As shown in FIG. 3, the cleaning stage 6 includes a sheet-like polishing member 10 for polishing the tip of the probe 9 on the upper surface thereof.

また、クリーニングステージ６には不図示の駆動部が接続されており、クリーニング時にはその駆動部によってクリーニングステージ６がZ方向に沿って昇降運動を行う。   Further, a driving unit (not shown) is connected to the cleaning stage 6, and the cleaning stage 6 moves up and down along the Z direction by the driving unit during cleaning.

プローブ９は、その一端がプローブカード７（図１参照）に支持されたカンチレーバー構造を有しているため、このようにクリーニングステージ６が昇降運動をすると、先端９ａが研磨部材１０の表面をX方向に沿って擦れてクリーニングされる。   Since the probe 9 has a cantilever structure whose one end is supported by the probe card 7 (see FIG. 1), when the cleaning stage 6 moves up and down in this way, the tip 9a moves over the surface of the polishing member 10. Rubbed along the X direction for cleaning.

このような研磨部材１０上での先端９ａの摺接運動は、プローブ９の自己ワイピングとも呼ばれる。   Such sliding movement of the tip 9 a on the polishing member 10 is also called self-wiping of the probe 9.

図４は、クリーニング前の研磨部材１０とプローブ９の拡大断面図である。   FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the polishing member 10 and the probe 9 before cleaning.

図４に示すように、研磨部材１０は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の樹脂を材料とする基材１１の上に、接着剤１２を介して複数の研磨砥粒１３が設けられる。   As shown in FIG. 4, the polishing member 10 is provided with a plurality of abrasive grains 13 via an adhesive 12 on a base material 11 made of a resin such as polyimide or polyethylene terephthalate.

クリーニング前においては、プローブ９の先端９ａに、半導体装置Wの電極から剥離したアルミかす等が異物Fとして付着している。   Before cleaning, aluminum dust or the like peeled off from the electrode of the semiconductor device W adheres to the tip 9a of the probe 9 as foreign matter F.

図５は、クリーニング時における研磨部材１０とプローブ９の拡大断面図である。   FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the polishing member 10 and the probe 9 during cleaning.

図５に示すように、プローブ９の自己ワイピングによって先端９ａが研磨部材１０上をX方向に沿って動くことで前述の異物Fが除去され、プローブ９の先端９ａがクリーニングされる。   As shown in FIG. 5, the tip 9 a moves along the X direction on the polishing member 10 by self-wiping of the probe 9, whereby the foreign matter F is removed, and the tip 9 a of the probe 9 is cleaned.

ところで、図３〜図５においては、図が煩雑になるため一本のプローブ９をクリーニングステージ６でクリーニングする様子を例示しているが、実際には複数のプローブ９が同時にクリーニングされる。   By the way, in FIGS. 3-5, since the figure becomes complicated, a mode that the single probe 9 is cleaned with the cleaning stage 6 is illustrated, but actually, a plurality of probes 9 are simultaneously cleaned.

図６は、このように複数のプローブ９を同時にクリーニングするときの断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view when a plurality of probes 9 are simultaneously cleaned as described above.

なお、図６において、図１〜図５において説明したのと同じ要素にはこれらにおけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 6, the same elements as those described in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted below.

図６に示すように、経時変化や製造時の誤差が原因で、複数のプローブ９の各々の先端９ａの高さがばらついていることがある。これにより、クリーニングステージ６が上昇して一のプローブ９が研磨部材１０に接触しても、点線円Aで示すように先端９ａが研磨部材１０と接触しないプローブ９が存在することとなる。   As shown in FIG. 6, the heights of the tips 9a of the plurality of probes 9 may vary due to changes over time and manufacturing errors. As a result, even when the cleaning stage 6 is raised and one probe 9 comes into contact with the polishing member 10, there is a probe 9 whose tip 9a does not come into contact with the polishing member 10 as indicated by a dotted circle A.

そのプローブ９を研磨部材１０に接触させるべくクリーニングステージ６を更に上昇させると、前述の高さのばらつきが原因で研磨部材１０からプローブ９に印加される荷重がプローブ９ごとに異なってしまう。そのため、全てのプローブ９に同じ荷重を与えるのが難しくなり、全てのプローブ９を均等にクリーニングするのが困難となって、プローブ９のクリーニングが非効率的となる。   When the cleaning stage 6 is further raised to bring the probe 9 into contact with the polishing member 10, the load applied from the polishing member 10 to the probe 9 varies from probe 9 to probe 9 due to the above-described variation in height. For this reason, it is difficult to apply the same load to all the probes 9, it becomes difficult to clean all the probes 9 equally, and the cleaning of the probes 9 becomes inefficient.

この問題は、半導体装置の電極数の増加に合わせてプローブ９の本数が増えると顕著となる。   This problem becomes conspicuous when the number of probes 9 increases as the number of electrodes of the semiconductor device increases.

更に、このようにプローブ９の本数が増えると、全てのプローブ９からクリーニングステージ６に加わる荷重が増大して研磨部材１０が撓み、これによっても各プローブ９を研磨部材１０で均等にクリーニングするのが難しくなる。   Further, when the number of the probes 9 increases in this way, the load applied to the cleaning stage 6 from all the probes 9 increases, and the polishing member 10 is bent, whereby the probes 9 are evenly cleaned by the polishing member 10. Becomes difficult.

以下に、複数のプローブ９のクリーニングを効率化することができる各実施形態について説明する。   Hereinafter, each embodiment capable of improving the cleaning efficiency of the plurality of probes 9 will be described.

（第１実施形態）
図７は、本実施形態に係る試験装置の構成図である。なお、図７において、図１で説明したのと同じ要素には同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。 (First embodiment)
FIG. 7 is a configuration diagram of the test apparatus according to the present embodiment. In FIG. 7, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted below.

この試験装置２０は、半導体装置Wに対してウエハレベルで電気的な試験を行うものであり、プローブ９をクリーニングするためのクリーニングステージ２１と、クリーニングステージ２１を制御する制御部２２とを有する。   The test apparatus 20 performs an electrical test on the semiconductor device W at the wafer level, and includes a cleaning stage 21 for cleaning the probe 9 and a control unit 22 for controlling the cleaning stage 21.

試験に際してはテストステージ５が上昇して半導体装置Wの電極１７がプローブ９に当たる。そして、プローブ９から電極１７に試験信号STを供給し、これに対して半導体装置Wから出力された応答信号SRに基づいて、半導体装置Wが仕様を満たすか否かをLSIテスタ４が調べる。 During the test, the test stage 5 is raised and the electrode 17 of the semiconductor device W hits the probe 9. Then, the test signal ST is supplied from the probe 9 to the electrode 17, and the LSI tester 4 determines whether or not the semiconductor device W satisfies the specification based on the response signal S R output from the semiconductor device W. Investigate.

プローブ９の材料は特に限定されないが、本実施形態ではその材料として磁性体を用いる。その磁性体としては、例えば、レニウムタングステン、パラジウム、タングステンがあり、これらのいずれかをプローブ９の材料として使用し得る。   The material of the probe 9 is not particularly limited, but a magnetic material is used as the material in this embodiment. Examples of the magnetic material include rhenium tungsten, palladium, and tungsten, and any of these materials can be used as the material of the probe 9.

前述のようにプローブ９を用いて試験を繰り返し行うと、電極１７に含まれるアルミニウム等の材料がプローブ９に付着するため、本実施形態では予め決められた周期でプローブ９を以下のようにクリーニングする。   When the test is repeatedly performed using the probe 9 as described above, a material such as aluminum contained in the electrode 17 adheres to the probe 9. In this embodiment, the probe 9 is cleaned at a predetermined cycle as follows. To do.

なお、クリーニングを行う周期は特に限定されず、例えば、所定枚数の半導体装置Wの試験を終了した時点でクリーニングを行い得る。   Note that the cleaning cycle is not particularly limited. For example, the cleaning can be performed when the test of a predetermined number of semiconductor devices W is completed.

図８は、本実施形態においてクリーニングステージ２１でプローブ９をクリーニングするときの試験装置２０の構成図である。   FIG. 8 is a configuration diagram of the test apparatus 20 when the probe 9 is cleaned by the cleaning stage 21 in the present embodiment.

クリーニングに際しては、テストステージ５が退避した後、プローブカード７の下方にクリーニングステージ２１が移動し、プローブ９とクリーニングステージ２１とが対向する。   In cleaning, after the test stage 5 is retracted, the cleaning stage 21 is moved below the probe card 7 and the probe 9 and the cleaning stage 21 face each other.

図９は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 9 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

このクリーニングステージ２１は、鉄等の磁心２３にコイル２４を巻いてなる電磁石２５を有し、その電磁石２５の上面に研磨部材１０が設けられる。   The cleaning stage 21 has an electromagnet 25 in which a coil 24 is wound around a magnetic core 23 such as iron, and the polishing member 10 is provided on the upper surface of the electromagnet 25.

コイル２４は、制御部２２（図７参照）に設けられた電源２７に接続されており、電源２７からコイル２４に電流が供給されることで電磁石２５が励磁する。   The coil 24 is connected to a power source 27 provided in the control unit 22 (see FIG. 7), and the electromagnet 25 is excited when a current is supplied from the power source 27 to the coil 24.

制御部２２は、予め定められたシーケンスに従い、コイル２４に電流を流すタイミングを任意に制御する。   The control unit 22 arbitrarily controls the timing of supplying a current to the coil 24 according to a predetermined sequence.

次に、この試験装置２０を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment using the test apparatus 20 will be described.

図１０は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。   FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment.

本実施形態では、最初のステップP1において、プローブ９から半導体装置Wの電極１７に試験信号STを送ることにより半導体装置Wを試験する。 In the present embodiment, in a first step P1, testing semiconductor device W by sending a test signal S T to the semiconductor device W electrode 17 from the probe 9.

次に、ステップP2に移り、上記のクリーニングステージ２１を用いてプローブ９をクリーニングする。   Next, the process moves to step P2, and the probe 9 is cleaned using the cleaning stage 21 described above.

図１１及び図１２は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   11 and 12 are cross-sectional views schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

クリーニングに際しては、図１１に示すように、制御部２２の制御下で電磁石２５を励磁する。   At the time of cleaning, as shown in FIG. 11, the electromagnet 25 is excited under the control of the control unit 22.

本実施形態ではプローブ９の下方に電磁石２５が設けられているので、上記のように電磁石２５を励磁すると、電磁石２５の磁力でプローブ９がZ1方向に引き付けられ、研磨部材１０にプローブ９の先端９ａが当たる。そして、前述の自己ワイピングによって先端９ａがX1方向に動き、研磨部材１０の表面に先端９ａが擦れることになる。   In this embodiment, since the electromagnet 25 is provided below the probe 9, when the electromagnet 25 is excited as described above, the probe 9 is attracted in the Z 1 direction by the magnetic force of the electromagnet 25, and the tip of the probe 9 is attracted to the polishing member 10. 9a wins. Then, the tip 9 a moves in the X1 direction by the self-wiping described above, and the tip 9 a is rubbed against the surface of the polishing member 10.

次いで、所定の時間が経過した後、図１２に示すように制御部２２の制御下で電磁石２５の励磁を停止する。これにより、プローブ９が電磁石２５の磁力から解放され、プローブ９自身の弾性力によってその先端９ａがZ2方向に沿って上昇し、プローブ９が元の位置にまで戻る。   Next, after a predetermined time has elapsed, the excitation of the electromagnet 25 is stopped under the control of the control unit 22 as shown in FIG. As a result, the probe 9 is released from the magnetic force of the electromagnet 25, and its tip 9a rises along the Z2 direction by the elastic force of the probe 9 itself, and the probe 9 returns to its original position.

本実施形態では図１１〜図１２のように電磁石２５が励磁を繰り返すことによりプローブ９の先端９ａを研磨部材１０に何度も当てて当該先端９ａをクリーニングする。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 11 to 12, the electromagnet 25 repeats excitation so that the tip 9a of the probe 9 is repeatedly applied to the polishing member 10 to clean the tip 9a.

電磁石２５を励磁させる時間間隔は特に限定されない。例えば、５００msecの時間間隔で電磁石２５を励磁させ、プローブ９の先端９ａを５回〜１０回程度だけ研磨部材１０に当てることにより、先端９ａを十分にクリーニングすることができる。   The time interval for exciting the electromagnet 25 is not particularly limited. For example, the tip 9a can be sufficiently cleaned by exciting the electromagnet 25 at a time interval of 500 msec and applying the tip 9a of the probe 9 to the polishing member 10 only about 5 to 10 times.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態によれば、図１１に示したように、電磁石２５の磁力を利用して研磨部材１０にプローブ９を当てる。磁力は各プローブ９に均等に作用するので、プローブ９から研磨部材１０に印加される荷重がプローブ９ごとにばらつくのが抑制され、各プローブ９に均等な荷重を印加してこれらのプローブ９を研磨部材１０で均等に研磨し、クリーニングの効率化を実現できる。   According to this embodiment described above, the probe 9 is applied to the polishing member 10 using the magnetic force of the electromagnet 25 as shown in FIG. Since the magnetic force acts equally on each probe 9, the load applied from the probe 9 to the polishing member 10 is prevented from varying from probe 9 to probe 9. It is possible to achieve uniform cleaning by polishing with the polishing member 10 evenly.

（第２実施形態）
本実施形態でも、第１実施形態と同様に電磁石の磁力を用いてプローブ９をクリーニングする。 (Second Embodiment)
Also in this embodiment, the probe 9 is cleaned using the magnetic force of the electromagnet as in the first embodiment.

図１３は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 13 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図１３において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 13, the same elements as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof is omitted below.

このクリーニングステージ２１は、図７に示した試験装置２０で使用されるものであって、水平面内において格子状に並べられた複数の電磁石２５を有する。   This cleaning stage 21 is used in the test apparatus 20 shown in FIG. 7, and has a plurality of electromagnets 25 arranged in a lattice pattern in a horizontal plane.

各電磁石２５はそれらの側面が遮蔽板２８で囲まれる。遮蔽板２８は、パーマロイやフェライト等の高透磁率材料の板であって、電磁石２５で発生した磁界が横方向に広がるのを防止するように機能する。   Each electromagnet 25 is surrounded by a shielding plate 28 on its side surface. The shielding plate 28 is a plate made of a high permeability material such as permalloy or ferrite, and functions to prevent the magnetic field generated by the electromagnet 25 from spreading in the lateral direction.

また、制御部２２（図７参照）には、各電磁石２５に対応する電源２７が複数設けられる。   The control unit 22 (see FIG. 7) is provided with a plurality of power supplies 27 corresponding to the electromagnets 25.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、前述の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to the present embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 described above, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図１４及び図１５は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   14 and 15 are cross-sectional views schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

クリーニングに際しては、図１４に示すように、制御部２２の制御下において、複数の電磁石２５のうちの一の電磁石２５のみを励磁し、残りの電磁石２５には通電をせずに磁力を発生させない状態とする。なお、この例では、「N極」と付された電磁石２５のみが励磁し、「---」と付された電磁石２５は励磁していない。   At the time of cleaning, as shown in FIG. 14, under the control of the control unit 22, only one electromagnet 25 of the plurality of electromagnets 25 is excited, and the remaining electromagnets 25 are not energized and do not generate magnetic force. State. In this example, only the electromagnet 25 labeled “N pole” is excited, and the electromagnet 25 labeled “---” is not excited.

この状態では、励磁された電磁石２５の上方に位置するプローブ９のみが磁力によって研磨部材１０に引き付けられ、その先端９ａがZ1方向に下降して研磨部材１０に当たる。   In this state, only the probe 9 positioned above the excited electromagnet 25 is attracted to the polishing member 10 by a magnetic force, and its tip 9a descends in the Z1 direction and hits the polishing member 10.

次に、図１５に示すように、制御部２２の制御下において、励磁していた電磁石２５への通電を停止して、その隣の電磁石２５を励磁する。   Next, as shown in FIG. 15, under the control of the control unit 22, the energization of the excited electromagnet 25 is stopped and the adjacent electromagnet 25 is excited.

これにより、新たに励磁した電磁石２５にプローブ９が引き付けられるため、その先端９ａがX2方向に動いて研磨部材１０と擦れ、先端９ａを研磨してクリーニングすることができる。   Thereby, since the probe 9 is attracted to the newly excited electromagnet 25, the tip 9a moves in the X2 direction and rubs against the polishing member 10, and the tip 9a can be polished and cleaned.

この後は、図１４〜図１５の動作を繰り返すことにより、隣り合う電磁石２５が交互に繰り返しプローブ９を引き付け、先端９ａのクリーニングが進行する。   Thereafter, by repeating the operations of FIGS. 14 to 15, the adjacent electromagnets 25 alternately attract the probe 9 and the cleaning of the tip 9 a proceeds.

なお、上記では隣り合う二つの電磁石２５を用いたが、三以上の電磁石２５を順に励磁することにより先端９ａを研磨部材１０の表面に擦らせてもよい。   Although two adjacent electromagnets 25 are used in the above description, the tip 9a may be rubbed against the surface of the polishing member 10 by exciting three or more electromagnets 25 in order.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態によれば、図１４〜図１５に示したように、隣り合う電磁石２５の磁力を利用することで、これらの電磁石２５の上方のプローブ９を研磨部材１０で効率的にクリーニングすることができる。   According to the above-described embodiment, as shown in FIGS. 14 to 15, by using the magnetic force of the adjacent electromagnets 25, the probes 9 above these electromagnets 25 are efficiently cleaned with the polishing member 10. can do.

（第３実施形態）
本実施形態では、電磁石を用いることにより、複数のプローブの中から選択された一部のプローブのみをクリーニングする。 (Third embodiment)
In the present embodiment, only a part of the probes selected from the plurality of probes are cleaned by using an electromagnet.

図１６は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 16 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図１６において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 16, the same elements as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted below.

このクリーニングステージ２１は、図７に示した試験装置２０で使用されるものであって、孔２９ａが形成された板状の遮蔽部材２９と、電磁石２５を横方向に動かす駆動部３０とを有する。   The cleaning stage 21 is used in the test apparatus 20 shown in FIG. 7, and includes a plate-shaped shielding member 29 having a hole 29a and a drive unit 30 that moves the electromagnet 25 in the lateral direction. .

遮蔽部材２９は、電磁石２５と研磨部材１０との間に設けられており、電磁石２５の磁力を遮蔽して電磁石２５で発生した磁界が研磨部材１０に至るのを防止する役割を担う。遮蔽部材２９の材料は特に限定されないが、磁力を遮蔽する能力に優れたパーマロイやフェライト等の高透磁率材料を遮蔽部材２９の材料として用いるのが好ましい。   The shielding member 29 is provided between the electromagnet 25 and the polishing member 10, and plays a role of blocking the magnetic force of the electromagnet 25 and preventing the magnetic field generated by the electromagnet 25 from reaching the polishing member 10. The material of the shielding member 29 is not particularly limited, but it is preferable to use a high magnetic permeability material such as permalloy or ferrite excellent in ability to shield magnetic force as the material of the shielding member 29.

一方、駆動部３０は、例えばステッピングモータ等によって水平方向において往復運動が可能なシャフト３１を有しており、そのシャフト３１の往復運動によって電磁石２５が水平面内を横方向Yに動く。   On the other hand, the drive unit 30 has a shaft 31 that can be reciprocated in the horizontal direction by, for example, a stepping motor, and the electromagnet 25 moves in the horizontal direction Y in the horizontal plane by the reciprocating motion of the shaft 31.

なお、電磁石２５の移動量や移動方向は、制御部２２から駆動部３０に供給される駆動信号Sdによって制御される。 The moving amount and moving direction of the electromagnet 25 are controlled by a driving signal S d supplied from the control unit 22 to the driving unit 30.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図１７及び図１８は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   17 and 18 are cross-sectional views schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

図１７及び図１８に示すように、孔２９ａは、複数のプローブ９のうちの一つに対応するように、そのプローブ９の下方に設けられる。   As shown in FIGS. 17 and 18, the hole 29 a is provided below the probe 9 so as to correspond to one of the plurality of probes 9.

クリーニングに際しては、図１７に示すように、制御部２２の制御下で電磁石２５を励磁する。   At the time of cleaning, as shown in FIG. 17, the electromagnet 25 is excited under the control of the control unit 22.

このとき、孔２９ａの上に位置するプローブ９は、孔２９ａを通った磁界Hによって電磁石２５に引き付けられ、研磨部材１０の表面に先端９ａが当たる。   At this time, the probe 9 positioned on the hole 29 a is attracted to the electromagnet 25 by the magnetic field H passing through the hole 29 a, and the tip 9 a hits the surface of the polishing member 10.

これに対し、孔２９ａから外れた位置においては、遮蔽部材２９が電磁石２５の磁界Hを遮るため、プローブ９は電磁石２５には引き付けられない。   On the other hand, the probe 9 is not attracted to the electromagnet 25 at the position away from the hole 29 a because the shielding member 29 blocks the magnetic field H of the electromagnet 25.

次に、図１８に示すように、電磁石２５が励磁された状態を維持しながら、制御部２２の制御下において、駆動部３０（図１６参照）により電磁石２５を横方向に動かして、遮蔽部材２９の孔２９ａを横に移動させる。   Next, as shown in FIG. 18, the electromagnet 25 is moved laterally by the drive unit 30 (see FIG. 16) under the control of the control unit 22 while maintaining the excited state of the electromagnet 25, thereby blocking the shielding member. The 29 holes 29a are moved sideways.

なお、駆動部３０による電磁石２５の動かし方は特に限定されず、駆動部３０により電磁石２５を水平面内で往復運動させてもよいし、一方向にのみ電磁石２５を動かしてもよい。   In addition, how to move the electromagnet 25 by the drive part 30 is not specifically limited, The electromagnet 25 may be reciprocated within a horizontal surface by the drive part 30, or the electromagnet 25 may be moved only in one direction.

これにより、孔２９ａから出た磁界Hにつられてプローブ９が横に動こうとするが、プローブカード７（図７参照）に固定されたプローブ９は孔２９ａの動きに完全に追従することはできず、先端９ａが研磨部材１０と擦れることになる。   Thereby, the probe 9 tries to move sideways by the magnetic field H coming out of the hole 29a, but the probe 9 fixed to the probe card 7 (see FIG. 7) does not follow the movement of the hole 29a completely. The tip 9 a cannot be rubbed against the polishing member 10.

その結果、複数のプローブ９のうち、孔２９ａの上にあるプローブ９のみを研磨部材１０で選択的にクリーニングすることができる。   As a result, among the plurality of probes 9, only the probe 9 above the hole 29 a can be selectively cleaned with the polishing member 10.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態によれば、遮蔽部材２９に孔２９ａを設けることで、複数のプローブ９のうちで特にクリーニングを要するものを選択し、選択されたプローブ９のみを効率的にクリーニングすることができる。   According to the present embodiment described above, by providing the hole 29a in the shielding member 29, it is possible to select the probe 9 that particularly needs cleaning and efficiently clean only the selected probe 9. it can.

特に、半導体装置Wにおいて電源端子として供される電極１７（図７参照）にはプローブ９から大きな電流が供給され、その電流が原因でプローブ９に電極１７の材料が付着し易い。よって、電源端子用の電極１７に当たるプローブ９は、残りのプローブ９に異物が付着していない場合でもクリーニングを要することがあり、本実施形態のように選択的にクリーニングする実益が特に高い。   In particular, a large current is supplied from the probe 9 to the electrode 17 (see FIG. 7) provided as a power supply terminal in the semiconductor device W, and the material of the electrode 17 tends to adhere to the probe 9 due to the current. Therefore, the probe 9 that hits the electrode 17 for the power supply terminal may need to be cleaned even when no foreign matter is attached to the remaining probe 9, and the advantage of selectively cleaning as in this embodiment is particularly high.

なお、上記では一つのプローブ９が磁界Hで引き付けられる大きさに孔９ａを形成したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、孔９ａの直径を広げたりスリット状に孔９ａを設けたりすることにより、複数のプローブ９のうちからクリーニング対象として選択される一部のプローブ９の本数を複数本としてもよい。   In the above description, the hole 9a is formed in such a size that one probe 9 can be attracted by the magnetic field H, but the present embodiment is not limited to this. For example, by expanding the diameter of the hole 9a or providing the hole 9a in a slit shape, the number of some of the probes 9 selected as a cleaning target from the plurality of probes 9 may be plural.

（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と比較して電磁石の位置を変える。 (Fourth embodiment)
In the present embodiment, the position of the electromagnet is changed as compared with the first to third embodiments.

図１９は、本実施形態に係るプローブカード７とクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 19 is a perspective view of the probe card 7 and the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図１９において、第１〜第３実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 19, the same elements as those described in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals as those in these embodiments, and the description thereof is omitted below.

本実施形態に係るクリーニングステージ２１は、台座３２とその上に固着された研磨部材１０とを有する。   The cleaning stage 21 according to the present embodiment includes a pedestal 32 and the polishing member 10 fixed thereon.

クリーニングステージ２１は、プローブカード７と共に図７に示した試験装置２０で使用され、プローブ９の上方には電磁石２５が設けられる。第１実施形態と同様に、電磁石２５は、磁心２３とコイル２４とを有し、制御部２２（図７参照）の電源２７から供給される電流により励磁する。   The cleaning stage 21 is used in the test apparatus 20 shown in FIG. 7 together with the probe card 7, and an electromagnet 25 is provided above the probe 9. Similar to the first embodiment, the electromagnet 25 has a magnetic core 23 and a coil 24, and is excited by a current supplied from a power source 27 of the control unit 22 (see FIG. 7).

次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図２０は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

クリーニングに際しては、図２０に示すように、制御部２２の制御下において電磁石２５が励磁を繰り返す。このとき、電磁石２５が励磁している期間においては電磁石２５の磁力にプローブ９が引き付けられるため、プローブ９がZ2方向に上昇してその先端９ａが研磨部材１０から離れる。一方、電磁石２５が励磁していない期間においては、電磁石２５の磁力からプローブ９が解放され、プローブ９の弾性力によってその先端９ａが研磨部材１０に当たる。   At the time of cleaning, as shown in FIG. 20, the electromagnet 25 repeats excitation under the control of the control unit 22. At this time, since the probe 9 is attracted to the magnetic force of the electromagnet 25 during the period in which the electromagnet 25 is excited, the probe 9 rises in the Z2 direction and the tip 9a is separated from the polishing member 10. On the other hand, in a period in which the electromagnet 25 is not excited, the probe 9 is released from the magnetic force of the electromagnet 25, and the tip 9 a hits the polishing member 10 by the elastic force of the probe 9.

このように研磨部材１０にプローブ９が何度も当たることでその先端９ａをクリーニングすることができる。   Thus, the tip 9a can be cleaned by the probe 9 hitting the polishing member 10 many times.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態によれば、電磁石２５によるプローブ９の引き付けと解放とを繰り返すことにより研磨部材１０にプローブ９の先端９ａを繰り返し当てることができ、先端９ａを効率的にクリーニングすることができる。   According to the above-described embodiment, the tip 9a of the probe 9 can be repeatedly applied to the polishing member 10 by repeatedly attracting and releasing the probe 9 by the electromagnet 25, and the tip 9a can be efficiently cleaned. .

更に、図６のように複数のプローブ９の高さがばらついていても、上記のように電磁石２５の磁力から解放されたプローブ９が自身の弾性力で研磨部材１０に当たるため、研磨部材１０で各プローブ９を均等にクリーニングすることができる。   Further, even if the heights of the plurality of probes 9 vary as shown in FIG. 6, the probe 9 released from the magnetic force of the electromagnet 25 as described above hits the polishing member 10 by its own elastic force. Each probe 9 can be cleaned evenly.

（第５実施形態）
第１〜第４実施形態では電磁石の磁力によってプローブ９を引き付けた。これに対し、本実施形態では、以下のように磁力で浮上する磁石を利用してプローブ９を研磨する。 (Fifth embodiment)
In the first to fourth embodiments, the probe 9 is attracted by the magnetic force of the electromagnet. On the other hand, in this embodiment, the probe 9 is polished using a magnet that floats by magnetic force as follows.

図２１は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 21 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図２１において、第１〜第４実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 21, the same elements as those described in the first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals as in these embodiments, and the description thereof is omitted below.

このクリーニングステージ２１は、図７に示した試験装置２０で使用されるものであって、鉄等の第１の磁心４２に第１のコイル４３を巻いてなる第１の電磁石４１を有する。   The cleaning stage 21 is used in the test apparatus 20 shown in FIG. 7, and includes a first electromagnet 41 in which a first coil 43 is wound around a first magnetic core 42 such as iron.

第１のコイル４３は、制御部２２（図７参照）に設けられた第１の電源４７に接続されており、第１の電源４７から第１のコイル４３に電流が供給されることで第１の電磁石４１が励磁する。   The first coil 43 is connected to a first power supply 47 provided in the control unit 22 (see FIG. 7), and current is supplied from the first power supply 47 to the first coil 43 to change the first coil 43. One electromagnet 41 is excited.

なお、第１実施形態と同様に、制御部２２は予め定められたシーケンスに従い第１のコイル４３に電流を流すタイミングを任意に制御する。   Note that, similarly to the first embodiment, the control unit 22 arbitrarily controls the timing of flowing a current through the first coil 43 according to a predetermined sequence.

そして、第１の電磁石４１の上方には平面視で矩形状の磁石４５が設けられ、その磁石４５の上に遮蔽部材４６と研磨部材１０とがこの順に固着される。   A rectangular magnet 45 in plan view is provided above the first electromagnet 41, and the shielding member 46 and the polishing member 10 are fixed on the magnet 45 in this order.

磁石４５の磁極の向きは特に限定されないが、この例では第１の電磁石４１に対向する主面の全面に磁石４５のN極が現れ、その主面とは反対側の磁石４５の主面の全面にS極が現れるものとする。   The direction of the magnetic pole of the magnet 45 is not particularly limited. In this example, the N pole of the magnet 45 appears on the entire main surface facing the first electromagnet 41, and the main surface of the magnet 45 on the opposite side of the main surface. Assume that the S pole appears on the entire surface.

一方、遮蔽部材４６は、パーマロイやフェライト等の高透磁率材料の板であって、第１の電磁石４１や磁石４５の磁界が研磨部材１０側に漏れ出すのを防止する役割を担う。   On the other hand, the shielding member 46 is a plate made of a high magnetic permeability material such as permalloy or ferrite, and plays a role of preventing the magnetic fields of the first electromagnet 41 and the magnet 45 from leaking to the polishing member 10 side.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図２２及び図２３は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   22 and 23 are cross-sectional views schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

クリーニングに際しては、図２２に示すように、制御部２２の制御下において第１の電磁石４１を励磁する。この例では、磁石４５側にS極が現れるように第１の電磁石４１を励磁させたため、第１の電磁石４１に磁石４５が引き寄せられ、プローブ９が研磨部材１０から離れた状態となる。   At the time of cleaning, as shown in FIG. 22, the first electromagnet 41 is excited under the control of the control unit 22. In this example, since the first electromagnet 41 is excited so that the S pole appears on the magnet 45 side, the magnet 45 is attracted to the first electromagnet 41 and the probe 9 is separated from the polishing member 10.

なお、第１の電磁石４１や磁石４５の磁界は遮蔽部材４６で遮蔽されるため、これらの磁界によってプローブ９が研磨部材１０に引き付けられることはない。   Since the magnetic fields of the first electromagnet 41 and the magnet 45 are shielded by the shielding member 46, the probe 9 is not attracted to the polishing member 10 by these magnetic fields.

次に、所定の時間が経過した後、図２３に示すように制御部２２の制御下で第１の電磁石４１の第１のコイル４３に流す電流の向きを逆転し、第１の電磁石４１の磁極を反転させる。   Next, after a predetermined time has elapsed, the direction of the current flowing through the first coil 43 of the first electromagnet 41 is reversed under the control of the control unit 22 as shown in FIG. Reverse the magnetic pole.

これにより、第１の電磁石４１と磁石４５の各々の対向面がN極となるため、第１の電磁石４１の上方に磁石４５が浮上し、磁石４５がZ2方向に上昇する。そして、これと共に研磨部材１０にプローブ９が当たるようになり、自己ワイピングによってプローブ９の先端９ａが研磨部材１０に擦れて先端９ａのクリーニングを行うことができる。   Thereby, since each opposing surface of the 1st electromagnet 41 and the magnet 45 becomes a north-pole, the magnet 45 floats above the 1st electromagnet 41, and the magnet 45 raises to a Z2 direction. At the same time, the probe 9 comes into contact with the polishing member 10, and the tip 9a of the probe 9 is rubbed against the polishing member 10 by self-wiping so that the tip 9a can be cleaned.

なお、図２２及び図２３では、図が煩雑になるためプローブ９を一つだけ図示しているが、研磨部材１０で複数のプローブ９を同時にクリーニングしてもよい。この場合、各プローブ９の先端９ａの高さがばらついていても、磁力で浮上した磁石４５が先端９ａの高さのばらつきに倣って傾く。そのため、複数の先端９ａのうちで研磨部材１０に接触しないものの個数が減り、各プローブ９を効率的に研磨することができる。   In FIG. 22 and FIG. 23, only one probe 9 is shown because the drawings are complicated, but a plurality of probes 9 may be cleaned simultaneously with the polishing member 10. In this case, even if the height of the tip 9a of each probe 9 varies, the magnet 45 levitated by the magnetic force is inclined following the variation in the height of the tip 9a. Therefore, the number of the tips 9a that do not contact the polishing member 10 is reduced, and each probe 9 can be polished efficiently.

この後は、図２２〜図２３のように第１の電磁石４１の磁極を繰り返し反転させることにより、プローブ９の先端９ａを研磨部材１０に何度も当てて当該先端９ａをクリーニングする。   Thereafter, as shown in FIGS. 22 to 23, the magnetic pole of the first electromagnet 41 is repeatedly reversed, so that the tip 9a of the probe 9 is repeatedly applied to the polishing member 10 to clean the tip 9a.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態によれば、第１の電磁石４１の磁力で磁石４５を浮上させることで研磨部材１０にプローブ９を当てることができ、その研磨部材１０でプローブ９の先端９ａを研磨できる。   According to the above-described embodiment, the probe 9 can be applied to the polishing member 10 by levitating the magnet 45 by the magnetic force of the first electromagnet 41, and the tip 9a of the probe 9 can be polished by the polishing member 10.

更に、複数のプローブ９を研磨する場合でも、各プローブ９の先端９ａの高さのばらつきに倣って磁石４５が傾くので、磁石４５に固着された研磨部材１０で各プローブ９を効率的にクリーニングすることが可能となる。   Further, even when a plurality of probes 9 are polished, the magnet 45 is inclined following the variation in the height of the tip 9 a of each probe 9, so that each probe 9 is efficiently cleaned with the polishing member 10 fixed to the magnet 45. It becomes possible to do.

（第６実施形態）
本実施形態では、第５実施形態と比較して用いる電磁石の個数を以下のように増やす。 (Sixth embodiment)
In the present embodiment, the number of electromagnets used in comparison with the fifth embodiment is increased as follows.

図２４は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 24 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図２４において、第１〜第５実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 24, the same elements as those described in the first to fifth embodiments are denoted by the same reference numerals as those in these embodiments, and the description thereof is omitted below.

図２４に示すように、本実施形態においては、磁石４５の横に第２の電磁石４８を設け、その第２の電磁石４８が生成する磁力によって磁石４５を横方向に動かす。第２の磁石４８の個数や位置は特に限定されない。本実施形態では、平面視で矩形状の磁石４５の四辺の各々に対向する位置に四つの第２の磁石４８を設ける。   As shown in FIG. 24, in the present embodiment, a second electromagnet 48 is provided beside the magnet 45, and the magnet 45 is moved in the lateral direction by the magnetic force generated by the second electromagnet 48. The number and position of the second magnets 48 are not particularly limited. In the present embodiment, four second magnets 48 are provided at positions facing each of the four sides of the rectangular magnet 45 in plan view.

第２の電磁石４８の各々は鉄等の第２の磁心５１に第２のコイル５２を巻いてなり、制御部２２（図７参照）に設けられた第２の電源５３から第２のコイル５２に電流を供給することで、第２の電磁石４８が励磁する。   Each of the second electromagnets 48 is formed by winding a second coil 52 around a second magnetic core 51 such as iron, and the second coil 52 is supplied from a second power source 53 provided in the control unit 22 (see FIG. 7). By supplying a current to the second electromagnet 48, the second electromagnet 48 is excited.

なお、第２の電源５３は第２の電磁石４８ごとに設けられており、制御部２２が第２の電源５３の各々を個別に制御することにより、複数の第２の電磁石４８のうちの任意の電磁石を選択して励磁することができる。   Note that the second power source 53 is provided for each second electromagnet 48, and the control unit 22 individually controls each of the second power sources 53, so that any one of the plurality of second electromagnets 48 is selected. The electromagnet can be selected and excited.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図２５は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   FIG. 25 is a cross-sectional view schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

この例では、磁石４５の磁極のうちN極が磁石４５の下面に現れ、S極（不図示）が磁石４５の上面に現れる場合を想定している。   In this example, it is assumed that the N pole of the magnetic poles of the magnet 45 appears on the lower surface of the magnet 45 and the S pole (not shown) appears on the upper surface of the magnet 45.

クリーニングに際しては、制御部２２の制御下において第１の電磁石４１を励磁することにより、第１の電磁石４１の磁極のうち、磁石４５と対向する側の磁極をN極とする。   At the time of cleaning, the first electromagnet 41 is excited under the control of the control unit 22, so that the magnetic pole on the side facing the magnet 45 among the magnetic poles of the first electromagnet 41 is the N pole.

これにより、第１の電磁石４１と磁石４５とが互いの磁力で反発するため、磁石４５が浮上してZ2方向に上昇し、プローブ９が研磨部材１０に当たるようになる。   As a result, the first electromagnet 41 and the magnet 45 repel each other by the magnetic force, so that the magnet 45 rises and rises in the Z2 direction, and the probe 9 comes into contact with the polishing member 10.

そして、この状態で制御部２２の制御下において第２の電磁石４８を励磁する。励磁の対象となる第２の電磁石４８は特に限定されない。この例では、互いに対向する二つの第２の電磁石４８を励磁する。   In this state, the second electromagnet 48 is excited under the control of the control unit 22. The second electromagnet 48 to be excited is not particularly limited. In this example, two second electromagnets 48 facing each other are excited.

このとき、磁石４５と対向する磁極を二つの第２の電磁石４８で異なるようにすることで、一方の第２の電磁石４８と磁石４５とが引き合うと共に、他方の第２の電磁石４８と磁石４５とが反発する。   At this time, by making the magnetic poles facing the magnet 45 different between the two second electromagnets 48, one second electromagnet 48 and the magnet 45 attract each other, and the other second electromagnet 48 and the magnet 45. And repel.

例えば、図２５の例では、磁石４５の下面に現れているN極が、S極に励磁された第２の電磁石４８と引き合うと共に、N極に励磁された第２の電磁石４８と反発する。   For example, in the example of FIG. 25, the N pole appearing on the lower surface of the magnet 45 attracts the second electromagnet 48 excited to the S pole and repels the second electromagnet 48 excited to the N pole.

なお、磁石４５の上面のS極（不図示）は、磁石４５が浮上している状態では下面のN極と比較して各電磁石４８の中心Pとの間隔が離れている。よって、磁石４５のS極（不図示）が各電磁石４８から受ける磁力は小さく、磁石４５の横方向の動きは磁石４５の下面のN極が受ける磁力の向きで定まる。   The S pole (not shown) on the upper surface of the magnet 45 is spaced from the center P of each electromagnet 48 in comparison with the N pole on the lower surface when the magnet 45 is floating. Accordingly, the magnetic force received from each electromagnet 48 by the S pole (not shown) of the magnet 45 is small, and the lateral movement of the magnet 45 is determined by the direction of the magnetic force received by the N pole on the lower surface of the magnet 45.

これにより、磁石４５が水平面内を横方向X2に動くため、プローブ９の先端９ａが研磨部材１０と擦れ、先端９ａをクリーニングすることが可能となる。   Thereby, since the magnet 45 moves in the horizontal direction X2 in the horizontal plane, the tip 9a of the probe 9 is rubbed against the polishing member 10, and the tip 9a can be cleaned.

この後は、制御部２２の制御下において二つの第２の電磁石４８の磁極を反転することで、これらの電磁石４８の磁力で磁石４５を水平面内で往復運動させ、先端９ａのクリーニングを更に進める。   Thereafter, by reversing the magnetic poles of the two second electromagnets 48 under the control of the control unit 22, the magnetic force of these electromagnets 48 causes the magnet 45 to reciprocate in a horizontal plane, and the cleaning of the tip 9 a is further advanced. .

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態では、第２の磁石４８の磁力で磁石４５を横に動かすため、研磨部材１０の上でプローブ９が擦れる距離が第５実施形態よりも長くなり、第５実施形態よりもプローブ９のクリーニングの効率を高めることができる。   In the present embodiment described above, since the magnet 45 is moved sideways by the magnetic force of the second magnet 48, the distance that the probe 9 rubs on the polishing member 10 is longer than that in the fifth embodiment, which is greater than that in the fifth embodiment. The cleaning efficiency of the probe 9 can be increased.

（第７実施形態）
本実施形態では、以下のように第５実施形態の第１の電磁石４１を複数設ける。 (Seventh embodiment)
In the present embodiment, a plurality of the first electromagnets 41 of the fifth embodiment are provided as follows.

図２６は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 26 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図２６において、第１〜第６実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 26, the same elements as those described in the first to sixth embodiments are denoted by the same reference numerals as those in these embodiments, and the description thereof is omitted below.

図２６に示すように、本実施形態においては、磁石４５の下方に第１の電磁石４１を複数設ける。   As shown in FIG. 26, in the present embodiment, a plurality of first electromagnets 41 are provided below the magnet 45.

また、第１の電源４７は、複数の第１の電磁石４１の各々に対応して複数設けられ、制御部２２（図７参照）がこれらの第１の電源４７を制御することで複数の第１の電磁石４５のうちの任意の電磁石を励磁させることができる。   A plurality of first power sources 47 are provided corresponding to each of the plurality of first electromagnets 41, and the control unit 22 (see FIG. 7) controls the first power sources 47 to control the plurality of first power sources 47. Any one of the one electromagnets 45 can be excited.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図２７は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   FIG. 27 is a cross-sectional view schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

第６実施形態と同様に、図２７の例においても、磁石４５の磁極のうちN極が磁石４５の下面に現れ、S極（不図示）が磁石４５の上面に現れる場合を想定している。   Similarly to the sixth embodiment, in the example of FIG. 27, it is assumed that the N pole of the magnetic poles of the magnet 45 appears on the lower surface of the magnet 45 and the S pole (not shown) appears on the upper surface of the magnet 45. .

クリーニングに際しては、制御部２２（図７参照）の制御下において全ての第１の電磁石４１を励磁することにより、磁石４５と対向する側の各電磁石４１の磁極をN極にし、各電磁石４１との反発力で磁石４５を浮上させる。   During cleaning, all the first electromagnets 41 are excited under the control of the control unit 22 (see FIG. 7), so that the magnetic poles of the electromagnets 41 on the side facing the magnets 45 become N poles. The magnet 45 is levitated by the repulsive force.

これによりプローブ９が研磨部材１０に当たることになるが、製造誤差や経時変化等によってプローブカード７が水平面Hから傾いていることがある。   As a result, the probe 9 comes into contact with the polishing member 10, but the probe card 7 may be inclined from the horizontal plane H due to a manufacturing error or a change with time.

そこで、本実施形態では、第１の電磁石４１の各々が異なる強さの磁力を発生することにより磁石４５を水平面Hから傾かせ、水平面Hから傾いたプローブカード７と研磨部材１０の各々の対向面７ａ、１０ａ同士を平行にする。   Therefore, in the present embodiment, each of the first electromagnets 41 generates a magnetic force having a different strength so that the magnet 45 is tilted from the horizontal plane H, and the probe card 7 and the polishing member 10 that are tilted from the horizontal plane H face each other. The surfaces 7a and 10a are parallel to each other.

なお、水平面Hからのプローブカード７の傾きθや、対向面７ａ、１０ａを平行にするのに適した第１の電磁石４１の磁力は実験等で予め求めておけばよい。   Note that the inclination θ of the probe card 7 from the horizontal plane H and the magnetic force of the first electromagnet 41 suitable for making the opposing surfaces 7a and 10a parallel may be obtained in advance by experiments or the like.

これにより、複数のプローブ９の各々が研磨部材１０に当たると共に、自己ワイピングによって各プローブ９が研磨部材１０に均一に擦れ、複数のプローブ９を効率的にクリーニングすることができる。   Accordingly, each of the plurality of probes 9 hits the polishing member 10 and each probe 9 is uniformly rubbed against the polishing member 10 by self-wiping, so that the plurality of probes 9 can be efficiently cleaned.

なお、クリーニングの効果を高めるために、第１の電磁石４１の各々の磁力を時間的に変化させることにより、磁石４５を上下方向に振動させてもよい。   In order to enhance the cleaning effect, the magnet 45 may be vibrated in the vertical direction by changing the magnetic force of each of the first electromagnets 41 with time.

以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。   Thus, the basic steps of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are completed.

上記した本実施形態では、複数の第１の電磁石４１の磁力を調節することで、プローブカード７の傾きに合わせて磁石４５を傾かせるので、研磨部材１０に複数のプローブ９を均等に当ててこれらのプローブ９を効率的にクリーニングできる。   In the present embodiment described above, the magnet 45 is tilted in accordance with the tilt of the probe card 7 by adjusting the magnetic force of the plurality of first electromagnets 41, so that the plurality of probes 9 are equally applied to the polishing member 10. These probes 9 can be cleaned efficiently.

（第８実施形態）
本実施形態では、以下のようにして第６実施形態と第７実施形態とを組み合わせる。 (Eighth embodiment)
In the present embodiment, the sixth embodiment and the seventh embodiment are combined as follows.

図２８は、本実施形態に係るクリーニングステージ２１の斜視図である。   FIG. 28 is a perspective view of the cleaning stage 21 according to the present embodiment.

なお、図２８において、第１〜第７実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 28, the same elements as those described in the first to seventh embodiments are denoted by the same reference numerals as those in these embodiments, and the description thereof is omitted below.

図２８に示すように、本実施形態においては、第６実施形態と同様に矩形状の磁石４５の四辺と対向する第２の電磁石４８を設けると共に、第７実施形態と同様に磁石４５の下方に第１の電磁石４１を複数設ける。   As shown in FIG. 28, in the present embodiment, a second electromagnet 48 is provided opposite to the four sides of the rectangular magnet 45 as in the sixth embodiment, and below the magnet 45 as in the seventh embodiment. A plurality of first electromagnets 41 are provided.

なお、第２の電磁石４８を駆動するための第２の電源５３（図２４参照）については、図が煩雑になるので図２８においては省略してある。   Note that the second power source 53 (see FIG. 24) for driving the second electromagnet 48 is omitted in FIG. 28 because the figure becomes complicated.

そして、第１の電源４７と第２の電源５３の各々を制御部２２（図７参照）が制御することで、制御部２２が各電磁石４１、４８を個別に制御する。   And the control part 22 controls each electromagnet 41 and 48 separately, when the control part 22 (refer FIG. 7) controls each of the 1st power supply 47 and the 2nd power supply 53. FIG.

次に、このクリーニングステージ２１を用いた本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment using the cleaning stage 21 will be described.

本実施形態で半導体装置を製造するには、第１実施形態の図１０のフローチャートに従い、ステップP1において半導体装置Wを試験した後、ステップP2においてプローブ９をクリーニングする。   In order to manufacture the semiconductor device according to this embodiment, the semiconductor device W is tested in step P1 according to the flowchart of FIG. 10 of the first embodiment, and then the probe 9 is cleaned in step P2.

図２９は、ステップP2におけるプローブ９のクリーニング方法を模式的に示す断面図である。   FIG. 29 is a cross-sectional view schematically showing the method for cleaning the probe 9 in step P2.

図２９に示すように、本実施形態では、制御部２２の制御下で複数の第１の電磁石４１の磁力を調節してプローブカード７の傾きに合うように磁石４５を傾けつつ、第２の電磁石４８で磁石４５を水平面内で往復運動させる。   As shown in FIG. 29, in the present embodiment, the second magnet 45 is tilted so as to match the tilt of the probe card 7 by adjusting the magnetic force of the plurality of first electromagnets 41 under the control of the control unit 22. The electromagnet 48 causes the magnet 45 to reciprocate within a horizontal plane.

これにより、プローブ７が傾いていても研磨部材１０に複数のプローブ９を当てることができると共に、磁石４５の往復運動で各プローブ９を効率的に研磨できるため、第６実施形態や第７実施形態よりもプローブ９の研磨効率が向上する。   Thereby, even if the probe 7 is inclined, a plurality of probes 9 can be applied to the polishing member 10, and each probe 9 can be efficiently polished by the reciprocating motion of the magnet 45. Therefore, the sixth embodiment and the seventh embodiment The polishing efficiency of the probe 9 is improved more than the form.

以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。   The following additional notes are disclosed for each embodiment described above.

（付記１） 複数のプローブと、
磁力で前記プローブを引き付ける電磁石と、
前記プローブの先端に対向した研磨部材とを有し、
前記電磁石の励磁により前記プローブの前記先端が前記研磨部材に接触する試験装置。 (Supplementary note 1) Multiple probes,
An electromagnet that attracts the probe with magnetic force;
A polishing member facing the tip of the probe;
A test apparatus in which the tip of the probe contacts the polishing member by excitation of the electromagnet.

（付記２） 前記電磁石が一平面内に複数並べられ、
複数の前記電磁石のうちの一の前記電磁石を励磁した後、該励磁を停止して前記一の電磁石の隣の前記電磁石を励磁することを特徴とする付記１に記載の試験装置。 (Appendix 2) A plurality of the electromagnets are arranged in one plane,
The test apparatus according to claim 1, wherein after exciting one of the plurality of electromagnets, the excitation is stopped and the electromagnet adjacent to the one electromagnet is excited.

（付記３） 前記電磁石と前記研磨部材との間に設けられ、前記電磁石の磁力を遮蔽する遮蔽部材と、
前記電磁石を横方向に動かす駆動部とを有し、
前記遮蔽部材に、複数の前記プローブのうちの一部に対応した孔が設けられたことを特徴とする付記１に記載の試験装置。 (Supplementary Note 3) A shielding member that is provided between the electromagnet and the polishing member and shields the magnetic force of the electromagnet,
A drive unit for moving the electromagnet in a lateral direction;
The test apparatus according to appendix 1, wherein a hole corresponding to a part of the plurality of probes is provided in the shielding member.

（付記４） 前記電磁石が前記プローブの上方に設けられ、
前記研磨部材が前記プローブの下方に設けられたことを特徴とする付記１に記載の試験装置。 (Appendix 4) The electromagnet is provided above the probe,
The test apparatus according to appendix 1, wherein the polishing member is provided below the probe.

（付記５） 第１の電磁石と、
前記第１の電磁石の上方に設けられ、該第１の電磁石の磁力で浮上する磁石と、
前記磁石の上に設けられた研磨部材と、
前記研磨部材の上方に設けられ、前記磁石が浮上したときに前記研磨部材に接触する先端を備えた複数のプローブと、
を有する試験装置。 (Appendix 5) a first electromagnet;
A magnet provided above the first electromagnet and levitating by the magnetic force of the first electromagnet;
An abrasive member provided on the magnet;
A plurality of probes provided above the polishing member and provided with tips that come into contact with the polishing member when the magnet floats;
Test equipment with

（付記６） 前記磁石の横に設けられ、前記磁石を横方向に動かす磁力を生成する第２の電磁石を更に有することを特徴とする付記５に記載の試験装置。   (Supplementary note 6) The test apparatus according to supplementary note 5, further comprising a second electromagnet provided beside the magnet and generating a magnetic force for moving the magnet in a lateral direction.

（付記７） 前記磁石は平面視で矩形であり、
前記矩形の四辺の各々に対向するように前記第２の磁石が複数設けられたことを特徴とする付記６に記載の試験装置。 (Appendix 7) The magnet is rectangular in plan view,
The test apparatus according to appendix 6, wherein a plurality of the second magnets are provided so as to face each of the four sides of the rectangle.

（付記８） 複数の前記プローブが設けられたプローブカードを更に有し、
前記第１の電磁石が複数設けられ、複数の該第１の電磁石の各々が異なる強さの磁力を発生することにより前記磁石を水平面から傾かせ、該水平面から傾いた前記プローブカードと前記研磨部材の各々の対向面同士を平行にすることを特徴とする付記５乃至付記７のいずれかに記載の試験装置。 (Additional remark 8) It further has a probe card provided with a plurality of above-mentioned probes,
A plurality of the first electromagnets are provided, and each of the plurality of first electromagnets generates a magnetic force having different strength, thereby tilting the magnet from a horizontal plane, and tilting the probe card and the polishing member from the horizontal plane The test apparatus according to any one of appendix 5 to appendix 7, wherein the opposing surfaces of each of the are parallel to each other.

（付記９） 前記磁石と前記研磨部材との間に設けられ、磁力を遮蔽する遮蔽部材を更に有することを特徴とする付記５乃至付記８のいずれかに記載の試験装置。   (Supplementary Note 9) The test apparatus according to any one of Supplementary Notes 5 to 8, further comprising a shielding member that is provided between the magnet and the polishing member and shields magnetic force.

（付記１０） プローブから半導体装置の電極に試験信号を送ることにより前記半導体装置を試験する工程と、
前記試験の後、前記プローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石を励磁させることにより、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 (Appendix 10) A step of testing the semiconductor device by sending a test signal from the probe to the electrode of the semiconductor device;
After the test, using an electromagnet that generates a magnetic force to attract the probe, exciting the electromagnet to bring the tip of the probe into contact with the polishing member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:

（付記１１） 前記研磨する工程において、前記電磁石を一平面内に複数並べ、複数の前記電磁石のうちの一の前記電磁石を励磁した後、該励磁を停止して前記一の電磁石の隣の前記電磁石を励磁することを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。   (Appendix 11) In the polishing step, a plurality of the electromagnets are arranged in one plane, and after exciting one of the electromagnets, the excitation is stopped and the electromagnet next to the one electromagnet is The method for manufacturing a semiconductor device according to appendix 10, wherein an electromagnet is excited.

（付記１２） 前記研磨する工程において、
複数の前記プローブのうちの一部に対応した孔を備え、かつ前記電磁石の磁力を遮蔽する遮蔽部材を前記電磁石に設けると共に、前記遮蔽部材の上に前記研磨部材を設け、
前記電磁石を横方向に動かしながら前記プローブの前記先端を前記研磨部材で研磨することを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。 (Supplementary note 12) In the polishing step,
Provided with a hole corresponding to a part of the plurality of probes, and providing a shielding member for shielding the magnetic force of the electromagnet in the electromagnet, and providing the polishing member on the shielding member,
11. The method of manufacturing a semiconductor device according to appendix 10, wherein the tip of the probe is polished by the polishing member while moving the electromagnet in a lateral direction.

（付記１３） プローブから半導体装置の電極に試験信号を送ることにより前記半導体装置を試験する工程と、
前記試験の後、第１の電磁石で磁石を浮上させることにより、前記磁石に設けられた研磨部材を前記プローブの先端に当て、該先端を前記研磨部材で研磨する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 (Supplementary Note 13) Testing the semiconductor device by sending a test signal from the probe to the electrode of the semiconductor device;
After the test, the step of applying a polishing member provided on the magnet to the tip of the probe by levitating the magnet with a first electromagnet, and polishing the tip with the polishing member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:

（付記１４） 前記研磨をする工程において、第１の電磁石の横に設けられた第２の電磁石で磁力を生成し、該磁力により前記磁石を横方向に動かすことを特徴とする付記１３に記載の半導体装置の製造方法。   (Supplementary note 14) The supplementary note 13, wherein in the polishing step, a magnetic force is generated by a second electromagnet provided beside the first electromagnet, and the magnet is moved laterally by the magnetic force. Semiconductor device manufacturing method.

（付記１５） 前記研磨をする工程において、
複数の前記プローブが設けられたプローブカードを用い、
前記第１の電磁石を複数設けると共に、複数の該第１の電磁石の各々が異なる強さの磁力を発生することにより前記磁石を水平面から傾かせ、該水平面から傾いた前記プローブカードと前記研磨部材の各々の対向面同士を平行にすることを特徴とする付記１３又は付記１４に記載の半導体装置の製造方法。 (Supplementary Note 15) In the step of polishing,
Using a probe card provided with a plurality of the probes,
A plurality of the first electromagnets are provided, and each of the plurality of first electromagnets generates a magnetic force having a different strength so that the magnets are tilted from a horizontal plane, and the probe card and the polishing member are tilted from the horizontal plane. 15. The method of manufacturing a semiconductor device according to appendix 13 or appendix 14, wherein the opposing surfaces of each of the above are parallel.

（付記１６） 試験装置のプローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石の励磁により、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程、
を有するクリーニング方法。 (Supplementary Note 16) Using an electromagnet that generates a magnetic force to attract the probe of the test apparatus, the tip of the probe is brought into contact with the polishing member by excitation of the electromagnet
A cleaning method.

１、２０…試験装置、２…プローバ、３…テストヘッド、４…LSIテスタ、５…テストステージ、６、２１…クリーニングステージ、７…プローブカード、８…導電ピン、９…プローブ、９ａ…先端、１０…研磨部材、１１…基材、１２…接着剤、１３…研磨砥粒、１７…電極、２２…制御部、２３…磁心、２４…コイル、２５…電磁石、２７…電源、２８…遮蔽板、２９…遮蔽部材、２９ａ…孔、３０…駆動部、３１…シャフト、３２…台座、４１…第１の電磁石、４２…第１の磁心、４３…第１のコイル、４５…磁石、４６…遮蔽部材、４７…第１の電源、４８…第２の電磁石、５１…第２の磁心、５２…第２のコイル。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,20 ... Test apparatus, 2 ... Prober, 3 ... Test head, 4 ... LSI tester, 5 ... Test stage, 6, 21 ... Cleaning stage, 7 ... Probe card, 8 ... Conductive pin, 9 ... Probe, 9a ... Tip DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Polishing member, 11 ... Base material, 12 ... Adhesive, 13 ... Polishing abrasive grain, 17 ... Electrode, 22 ... Control part, 23 ... Magnetic core, 24 ... Coil, 25 ... Electromagnet, 27 ... Power supply, 28 ... Shielding Plate 29, shielding member 29 a hole 30, driving unit 31 shaft 32 pedestal 41 first electromagnet 42 first magnetic core 43 first coil 45 magnet 46 ... shielding member, 47 ... first power source, 48 ... second electromagnet, 51 ... second magnetic core, 52 ... second coil.

Claims (8)

複数のプローブと、
磁力で前記プローブを引き付ける電磁石と、
前記プローブの先端に対向した研磨部材とを有し、
前記電磁石の励磁により前記プローブの前記先端が前記研磨部材に接触する試験装置。 Multiple probes,
An electromagnet that attracts the probe with magnetic force;
A polishing member facing the tip of the probe;
A test apparatus in which the tip of the probe contacts the polishing member by excitation of the electromagnet. 前記電磁石が一平面内に複数並べられ、
複数の前記電磁石のうちの一の前記電磁石を励磁した後、該励磁を停止して前記一の電磁石の隣の前記電磁石を励磁することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。 A plurality of the electromagnets are arranged in one plane,
The test apparatus according to claim 1, wherein after exciting one of the plurality of electromagnets, the excitation is stopped and the electromagnet adjacent to the one electromagnet is excited. 前記電磁石と前記研磨部材との間に設けられ、前記電磁石の磁力を遮蔽する遮蔽部材と、
前記電磁石を横方向に動かす駆動部とを有し、
前記遮蔽部材に、複数の前記プローブのうちの一部に対応した孔が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の試験装置。 A shielding member that is provided between the electromagnet and the polishing member and shields the magnetic force of the electromagnet;
A drive unit for moving the electromagnet in a lateral direction;
The test apparatus according to claim 1, wherein a hole corresponding to a part of the plurality of probes is provided in the shielding member. 前記電磁石が前記プローブの上方に設けられ、
前記研磨部材が前記プローブの下方に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の試験装置。 The electromagnet is provided above the probe;
The test apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is provided below the probe. 第１の電磁石と、
前記第１の電磁石の上方に設けられ、該第１の電磁石の磁力で浮上する磁石と、
前記磁石の上に設けられた研磨部材と、
前記研磨部材の上方に設けられ、前記磁石が浮上したときに前記研磨部材に接触する先端を備えた複数のプローブと、
を有する試験装置。 A first electromagnet;
A magnet provided above the first electromagnet and levitating by the magnetic force of the first electromagnet;
An abrasive member provided on the magnet;
A plurality of probes provided above the polishing member and provided with tips that come into contact with the polishing member when the magnet floats;
Test equipment with 前記磁石の横に設けられ、前記磁石を横方向に動かす磁力を生成する第２の電磁石を更に有することを特徴とする請求項５に記載の試験装置。   The test apparatus according to claim 5, further comprising a second electromagnet provided beside the magnet and generating a magnetic force that moves the magnet in a lateral direction. プローブから半導体装置の電極に試験信号を送ることにより前記半導体装置を試験する工程と、
前記試験の後、前記プローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石を励磁させることにより、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 Testing the semiconductor device by sending a test signal from a probe to an electrode of the semiconductor device;
After the test, using an electromagnet that generates a magnetic force to attract the probe, exciting the electromagnet to bring the tip of the probe into contact with the polishing member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising: 試験装置のプローブを引き付ける磁力を生成する電磁石を用いて、該電磁石の励磁により、前記プローブの先端を研磨部材に接触させる工程、
を有するクリーニング方法。 Using an electromagnet that generates a magnetic force to attract the probe of the test apparatus, and bringing the tip of the probe into contact with the polishing member by excitation of the electromagnet;
A cleaning method.
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