JP2014178642A - Optical device and writing method - Google Patents
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明はフォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法に関する。 The present invention relates to an optical device using a photorefractive material and a method for writing information into a photorefractive layer.
フォトリフラクティブ材料では、明暗の強度分布を有する光を照射すると、当該強度分布に対応した屈折率変化が生じる。一方で、分布の無い一様な強度の光を照射すると変化した屈折率はもとに戻る。この性質により、フォトリフラクティブ材料は、ホログラム再生および画像演算フィルタ等への応用が研究されている。また、フォトリフラクティブ材料の中でも、配向増大型(orientational enhancement:配向増幅型とも称する)フォトリフラクティブ材料は、優れた性能と大面積素子作製が可能な点から注目されている。 In a photorefractive material, when light having a light-dark intensity distribution is irradiated, a refractive index change corresponding to the intensity distribution occurs. On the other hand, when the light having a uniform intensity without distribution is irradiated, the changed refractive index is restored. Due to this property, photorefractive materials have been studied for application to hologram reproduction, image calculation filters, and the like. Further, among photorefractive materials, an orientation enhancement type (orientation enhancement type) photorefractive material has attracted attention because of its excellent performance and the ability to produce a large-area device.
しかしながら、フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスは、一般に、応答速度が不十分である。この光デバイスの応答速度を改善できれば、画像処理、動的ホログラフィー、干渉計測および光記録など、高速応答を必要とする種々の分野への適用が期待される。 However, an optical device using a photorefractive material generally has an insufficient response speed. If the response speed of the optical device can be improved, application to various fields that require a high-speed response such as image processing, dynamic holography, interference measurement, and optical recording is expected.
配向増大型フォトリフラクティブ材料の応答速度は、外部電界(駆動電界)強度および書込光強度に依存する。そのため、外部電界が高電界であるほど、または書き込み光強度が高光強度であるほど光デバイスの応答速度は速くなる。 The response speed of the orientation-enhancing photorefractive material depends on the external electric field (driving electric field) intensity and the writing light intensity. Therefore, the response speed of the optical device increases as the external electric field is higher or the write light intensity is higher.
非特許文献1では、フォトリフラクティブ材料に印加する外部電界を、高電界(例えば100V/μmを超える電界強度)な定常電界とすることにより、応答速度が上昇したことが報告されている。
また、非特許文献2では、定常電界ではなく瞬時電界(パルス電界)を利用することにより、書き込み時のみ瞬間的に100V/μmを超える高電界を印加することで、応答速度が上昇したことが報告されている。
Further, in
さらに、非特許文献3では、高光強度な光パルス(4mJ/cm2)を利用し0.3msの応答速度を達成したことが報告されている(E=90V/μm)。
Furthermore,
しかしながら、非特許文献1の記載のようにフォトリフラクティブ材料に高電界な定常電界を印加した場合、材料の絶縁破壊および不安定化が起こる。
However, when a high electric field is applied to the photorefractive material as described in
これに対し、非特許文献2の記載のように、瞬時電界を用いる場合は高電界の印加を書き込みのときのみに限定することができるものの、応答速度を数ミリ秒単位よりも早くすることは困難である。
On the other hand, as described in
また、非特許文献3では大型化したレーザー装置を用いているため、汎用用途のための装置としては不向きであるという問題がある。
Further, since
本発明は上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、比較的簡素な構成で、比較的高速かつ安定な応答を実現可能な、配向増大型フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an optical device using an alignment-enhanced photorefractive material capable of realizing a relatively fast and stable response with a relatively simple configuration. And providing a method of writing information to the photorefractive layer.
上記の課題を解決するために、本発明は、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、上記一対の電極を介して上記フォトリフラクティブ層に電界を印加する電界印加装置と、上記干渉光照射装置および上記電界印加装置の動作を制御する制御部と、を備え、上記フォトリフラクティブ層へ情報の書き込みを行うときに、上記制御部は、書き込み準備期間と当該準備期間に後続する書き込み期間とで極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するように電界印加装置の動作を制御するとともに、上記書き込み期間において上記干渉光を照射するように干渉光照射装置の動作を制御する、光デバイスを提供する。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a photorefractive cell including a photorefractive layer including an orientation-enhancing organic photorefractive material and a pair of electrodes sandwiching the photorefractive layer, and interference light in the photorefractive layer. An interference light irradiation device that irradiates the photorefractive layer via the pair of electrodes, and a control unit that controls operations of the interference light irradiation device and the electric field application device. And when writing information to the photorefractive layer, the control unit applies an electric field whose polarity is inverted between a write preparation period and a write period subsequent to the preparation period to the photorefractive layer. Control the operation of the application device, and the interference during the writing period It controls the operation of the interference light irradiation apparatus to irradiate, to provide an optical device.
上記光デバイスによれば、書き込み準備期間における電界印加によって、フォトリフラクティブ層の内部には、材料中に含まれる不純物に由来して生じた蓄積電荷によって、抗電界を生じる。後続する書き込み期間において抗電界は極性が外部電界と同時に反転されず、一定の期間持続される。したがってフォトリフラクティブ層に生じた抗電界が極性反転後の外部電界に重畳されて実効電界が増強される。そして、制御部において、実効電界が増強されている間に干渉光による書き込みを行うように制御をすることで、フォトリフラクティブ層等への影響を抑制しつつ応答速度を増大させることができる。 According to the above optical device, a coercive electric field is generated in the photorefractive layer due to the accumulated electric charge generated from the impurities contained in the material due to the application of the electric field in the writing preparation period. In the subsequent writing period, the coercive electric field is not reversed simultaneously with the external electric field and is maintained for a certain period. Therefore, the coercive electric field generated in the photorefractive layer is superimposed on the external electric field after the polarity inversion, and the effective electric field is enhanced. In the control unit, control is performed so that writing by interference light is performed while the effective electric field is enhanced, so that the response speed can be increased while suppressing the influence on the photorefractive layer and the like.
また、上記制御部は、上記書き込み期間の開始から1秒以内に上記干渉光の照射を開始するように上記電界印加装置および干渉光照射装置の動作を制御することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said control part controls operation | movement of the said electric field application apparatus and interference light irradiation apparatus so that irradiation of the said interference light may be started within 1 second from the start of the said writing period.
上記方法によれば、実効電界が最も増強されているときに書き込みを行うため、応答速度をより高速化できる。 According to the above method, since the writing is performed when the effective electric field is most enhanced, the response speed can be further increased.
上記書き込み準備期間と上記書き込み期間とは連続していることが好ましい。 The writing preparation period and the writing period are preferably continuous.
上記方法によれば、実効電界が最も増強されているときに書き込みを行うため、応答速度をより高速化できる。 According to the above method, since the writing is performed when the effective electric field is most enhanced, the response speed can be further increased.
上記書き込み準備期間と上記書き込み期間とにおいて上記フォトリフラクティブ層に印加する電界としてパルス幅が1ミリ秒以上で1秒以下のパルス電界を用いることが好ましい。 It is preferable to use a pulse electric field having a pulse width of 1 millisecond or more and 1 second or less as an electric field applied to the photorefractive layer in the writing preparation period and the writing period.
上記構成によれば、電界の印加時間が短いため、フォトリフラクティブ層等への影響を抑制しつつ高速な書き込みを実現することができる。 According to the above configuration, since the application time of the electric field is short, high-speed writing can be realized while suppressing the influence on the photorefractive layer and the like.
上記書き込み期間における上記干渉光の照射時間は、0.1ミリ秒以上で1秒以下の範囲内であることが好ましい。 The irradiation time of the interference light in the writing period is preferably in the range of 0.1 milliseconds to 1 second.
上記構成によればフォトリフラクティブ層等への影響を抑制しつつ充分な応答速度を得ることができる。 According to the above configuration, it is possible to obtain a sufficient response speed while suppressing the influence on the photorefractive layer and the like.
上記フォトリフラクティブセルは、上記フォトリフラクティブ層に作用する実効電界を維持するか増強するための機能層を備えることが好ましい。なお、機能層は例えば、上記フォトリフラクティブ層と、上記一対の電極の少なくとも一方との間に設けられる。 The photorefractive cell preferably includes a functional layer for maintaining or enhancing an effective electric field acting on the photorefractive layer. Note that the functional layer is provided, for example, between the photorefractive layer and at least one of the pair of electrodes.
上記構成によれば、フォトリフラクティブ層に印加される実効電界を増強または所定の期間維持することができるので、より一層の応答の高速化および情報記録の維持(メモリー性)等が容易となる。 According to the above configuration, since the effective electric field applied to the photorefractive layer can be increased or maintained for a predetermined period, it is possible to further speed up the response and maintain information recording (memory property).
また、上記機能層が、強誘電層、抗電界形成層、および上記電極とフォトリフラクティブ層との間の電荷移動を抑制するブロック層のいずれかから選択されることが好ましい。 The functional layer is preferably selected from any one of a ferroelectric layer, a coercive electric field forming layer, and a block layer that suppresses charge transfer between the electrode and the photorefractive layer.
また、本発明に係る光デバイスの具体的な一態様として、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料が、カルバゾール誘導体ポリマー、フェニレンビニレン誘導体ポリマー、およびテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を光導電性分子として含み、かつ、アゾ色素、ジシアノスチレン誘導体、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体、およびポリエン誘導体からなる群より選択される少なくとも一種の色素を複屈折性光学色素として含む。 Further, as a specific aspect of the optical device according to the present invention, the orientation-enhancing organic photorefractive material is at least selected from the group consisting of a carbazole derivative polymer, a phenylene vinylene derivative polymer, and a tetraphenyldiaminobiphenyl derivative polymer. One type of compound is included as a photoconductive molecule, and at least one type of dye selected from the group consisting of azo dyes, dicyanostyrene derivatives, dicyanomethylene dihydrofuran derivatives, and polyene derivatives is included as a birefringent optical dye.
また、本発明は、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層へ情報の書き込みを行う方法であって、書き込み準備期間と当該準備期間に後続する書き込み期間とで極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するとともに、当該書き込み期間において上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する工程を含む、書き込み方法を提供する。 The present invention also relates to a method for writing information to a photorefractive layer including an orientation-enhancing organic photorefractive material, wherein an electric field whose polarity is inverted between a write preparation period and a write period subsequent to the preparation period is described above. There is provided a writing method including applying to a photorefractive layer and irradiating the photorefractive layer with interference light in the writing period.
また、上記書き込み方法の一例として、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、上記一対の電極を介して上記フォトリフラクティブ層に電界を印加する電界印加装置とを備えた光デバイスの駆動方法であって、上記フォトリフラクティブ層へ情報の書き込みを行うときに、書き込み準備期間と当該準備期間に後続する書き込み期間とで極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するとともに、上記書き込み期間において上記干渉光を照射する、駆動方法が挙げられる。 In addition, as an example of the writing method, a photorefractive layer including a photorefractive layer including an orientation-enhancing organic photorefractive material and a pair of electrodes sandwiching the photorefractive layer, and interference that irradiates the photorefractive layer with interference light. A method of driving an optical device comprising a light irradiation device and an electric field application device that applies an electric field to the photorefractive layer via the pair of electrodes, when writing information to the photorefractive layer, There is a driving method in which an electric field whose polarity is reversed in a writing preparation period and a writing period subsequent to the preparation period is applied to the photorefractive layer, and the interference light is irradiated in the writing period.
上記駆動方法によれば、フォトリフラクティブ層等への影響を抑制しつつ応答速度を増大させることができる。 According to the above driving method, the response speed can be increased while suppressing the influence on the photorefractive layer and the like.
本発明によれば、比較的簡素な構成で、比較的高速かつ安定な応答を実現可能な、配向増大型フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法を提供することができる。 According to the present invention, there is provided an optical device using an orientation-enhancing photorefractive material and a method for writing information to a photorefractive layer, which can realize a relatively fast and stable response with a relatively simple configuration. Can do.
<1.光デバイス>
以下、図1および図2を参照して本実施形態に係る光デバイスについて詳細に説明する。
<1. Optical device>
Hereinafter, the optical device according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
図1は、本発明の一実施形態に係る光デバイスの概略構成を示す図である。また、図2は、本発明の一実施形態に係る光デバイスに印加される電界および照射される書き込み光の波形図である。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an optical device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a waveform diagram of the electric field applied to the optical device and the irradiated write light according to an embodiment of the present invention.
本実施形態に係る光デバイス200は、図1に示すように、フォトリフラクティブセル100と、干渉光照射光源(干渉光照射装置)31と、電界印加装置32と、電界印加装置32および干渉光照射光源31の動作を制御するための制御部35とを少なくとも備えてなる。
As shown in FIG. 1, the
(フォトリフラクティブセル100)
フォトリフラクティブセル100は、配向増大型有機フォトラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層24、フォトリフラクティブ層24を挟み込む一対の電極21・21、およびフォトリフラクティブ層24と一対の電極21のそれぞれとの間に配置された機能層25を備えてなる。電極21は、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)電極などの透明電極から構成されている。機能層25は例えば透明絶縁層(ブロック層の一例)であり、この場合は、電極21からの電荷注入を抑制して、後述する外部電界を効果的に作用させるために付与する。また、電極21は、ガラス基板、またはプラスチック基板等の透光性基板22の表面上に形成されて、透明電極基板23・23の構成となっている。
(Photorefractive cell 100)
The
干渉光照射光源31は、例えば複数のレーザー光源を含んで構成されており、フォトリフラクティブ層24上の任意の位置に、レーザー光が干渉した干渉光を照射する。
The interference light
(配向増大型有機フォトリフラクティブ材料)
配向増大型有機フォトリフラクティブ材料とは、少なくとも光導電性分子および複屈折性光学色素(複屈折性光学クロモフォア)を含む有機フォトリフラクティブ材料であって、複屈折性光学色素の配向状態が内部電界(空間電界)の発生によって変化する材料を広く指す。なお、内部電界の発生とは、配向増大型フォトリフラクティブ材料に干渉光を照射したときに当該材料内で生じる電界、すなわちフォトリフラクティブ効果を生じさせる電界を指す。
(Orientation-enhancing organic photorefractive material)
An orientation-enhancing organic photorefractive material is an organic photorefractive material containing at least a photoconductive molecule and a birefringent optical dye (birefringent optical chromophore), and the orientation state of the birefringent optical dye is an internal electric field ( Widely refers to materials that change due to the generation of a spatial electric field. The generation of an internal electric field refers to an electric field generated in the material when the alignment-enhanced photorefractive material is irradiated with interference light, that is, an electric field that generates a photorefractive effect.
複屈折性光学色素は、配向することで複屈折を生じる有機系の色素である。複屈折性光学色素の種類は特に限定されないが、分子単体で大きな複屈折性を示す構造を有することが望ましい。具体的には例えば、アゾ色素、ジシアノスチレン誘導体、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体およびポリエン誘導体などが挙げられる。アゾ色素としては例えば2,5−ジメチル―4−(パラフェニルアゾ)アニソール(DMNPAA)および1−(2’−エチルヘキシロキシ)−2,5−ジメチルー4−(4’’−ニトロフェニルアゾ)ベンゼン(EHDNPB)が挙げられる。ジシアノスチレン誘導体としては例えば2−[4−ビス(2−メトキシエチル)アミノ]ベンジリデン]マロノニトリル(AODCST)および4−ホモピペリジノベンジリデンーマロニトリル(7−DCST)が挙げられる。また、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体としては例えば2−ジシアノメチレン−3−シアノ−5,5−ジメチルー4−(4’−ジヘキシルアミノフェニル)−2,5−ジハイドロフラン(DCDHF−6)が挙げられる。さらに、ポリエン誘導体としては例えば2−N,N−ジヘキシルーアミノー7−ジシアノメチリデニルー3,4,5,6,10−ペンタハイドロナフタレン(DHADC−MPN)が挙げられる。また、複屈折性光学色素は一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。複屈折性光学色素の配合量は、他の構成材料との組み合わせ等に応じて適宜決めればよく特に限定されないが、例えば、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料(合計が100重量%。以下同じ。)中の20〜50重量%である。 A birefringent optical dye is an organic dye that produces birefringence when oriented. The type of the birefringent optical dye is not particularly limited, but it is desirable that the birefringent optical dye has a structure exhibiting large birefringence as a single molecule. Specific examples include azo dyes, dicyanostyrene derivatives, dicyanomethylene dihydrofuran derivatives and polyene derivatives. Examples of the azo dye include 2,5-dimethyl-4- (paraphenylazo) anisole (DMNPAA) and 1- (2′-ethylhexyloxy) -2,5-dimethyl-4- (4 ″ -nitrophenylazo). Benzene (EHDNPB) is mentioned. Examples of the dicyanostyrene derivatives include 2- [4-bis (2-methoxyethyl) amino] benzylidene] malononitrile (AODST) and 4-homopiperidinobenzylidene-malonitrile (7-DCST). Examples of the dicyanomethylene dihydrofuran derivative include 2-dicyanomethylene-3-cyano-5,5-dimethyl-4- (4′-dihexylaminophenyl) -2,5-dihydrofuran (DCDHF-6). It is done. Furthermore, examples of the polyene derivative include 2-N, N-dihexyluamino-7-dicyanomethylidenyl-3,4,5,6,10-pentahydronaphthalene (DHADC-MPN). Moreover, a birefringent optical dye may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. The blending amount of the birefringent optical dye is not particularly limited as long as it is appropriately determined according to the combination with other constituent materials, and the like. For example, the orientation-enhancing organic photorefractive material (total is 100% by weight; It is 20 to 50% by weight.
光導電性分子は、信号を書き込むための光源によって作り出された干渉光を吸収して正負の電荷(光キャリア)を生じるとともに光キャリアを輸送する有機化合物である。光導電性分子の種類は特に限定されないが、具体的には例えば、カルバゾール誘導体ポリマー、フェニレンビニレン誘導体ポリマー、およびテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーが挙げられる。カルバゾール誘導体ポリマーとしては例えば、ポリビニルカルバゾール(PVK)およびポリ[メチルー3−(9−カルバゾリル)−プロピルシロキサン](PSX)が挙げられる。また、フェニレンビニレン誘導体ポリマーとしては例えば、ポリ(アリレンビニレン)コポリマートリフェニルアミンダイマーポリフェニレンビニレン(TPD−PPV)およびポリ[1,4−フェニレン−1,2−ジ(4−ベンジロキシフェニル)ビニレン](DBOP−PPV)が挙げられる。さらに、テトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーとしては例えば、ポリ(アクリリックテトラフェニルジアミノビフェノール)(PATPD)が挙げられる。また、光導電性分子は一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、複屈折性光学色素として、ジシアノスチレン誘導体を用いる場合、光導電性分子としてはカルバゾール誘導体ポリマーまたはテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーを用いることが好ましい。光導電性分子の配合量は、他の構成材料との組み合わせ等に応じて適宜決めればよく特に限定されないが、例えば、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料中の35〜60重量%である。 A photoconductive molecule is an organic compound that absorbs interference light generated by a light source for writing a signal to generate positive and negative charges (photocarriers) and transports the photocarrier. The type of the photoconductive molecule is not particularly limited, and specific examples include a carbazole derivative polymer, a phenylene vinylene derivative polymer, and a tetraphenyldiaminobiphenyl derivative polymer. Examples of the carbazole derivative polymer include polyvinyl carbazole (PVK) and poly [methyl-3- (9-carbazolyl) -propylsiloxane] (PSX). Examples of the phenylene vinylene derivative polymer include poly (arylene vinylene) copolymer triphenylamine dimer polyphenylene vinylene (TPD-PPV) and poly [1,4-phenylene-1,2-di (4-benzyloxyphenyl) vinylene. ] (DBOP-PPV). Furthermore, examples of the tetraphenyldiaminobiphenyl derivative polymer include poly (acrylic tetraphenyldiaminobiphenol) (PATPD). Moreover, a photoconductive molecule may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. When a dicyanostyrene derivative is used as the birefringent optical dye, it is preferable to use a carbazole derivative polymer or a tetraphenyldiaminobiphenyl derivative polymer as the photoconductive molecule. The blending amount of the photoconductive molecule is not particularly limited as long as it is appropriately determined depending on the combination with other constituent materials, and is, for example, 35 to 60% by weight in the orientation-enhancing organic photorefractive material.
配向増大型有機フォトリフラクティブ材料のガラス転移温度(Tg)は、その作動温度に応じて適宜設定すればよく特に限定されないが、室温近傍で作動する材料を想定した場合、ガラス転移温度の一例は−40℃以上で30℃以下の範囲内である。また、例えば画像などの光信号の固定化用の材料を想定した場合は、室温よりも十分に高いガラス転移温度を有するように設定することが好ましい。その場合、ガラス転移温度の一例は100℃以上で250℃以下の範囲内である。 The glass transition temperature (Tg) of the orientation-enhancing organic photorefractive material is not particularly limited as long as the glass transition temperature (Tg) is appropriately set according to the operating temperature. However, when assuming a material that operates near room temperature, an example of the glass transition temperature is − It is in the range of 40 ° C. or higher and 30 ° C. or lower. For example, when a material for fixing an optical signal such as an image is assumed, it is preferable to set the glass transition temperature sufficiently higher than room temperature. In that case, an example of the glass transition temperature is in the range of 100 ° C. to 250 ° C.
配向増大型有機フォトリフラクティブ材料は、さらに他の構成成分を含んでいてもよい。他の構成成分としては、具体的には例えば、可塑剤、および増感色素等が挙げられる。 The orientation enhancing organic photorefractive material may further contain other components. Specific examples of the other components include a plasticizer and a sensitizing dye.
可塑剤の役割の一つは配向増大型有機フォトリフラクティブ材料のガラス転移温度を所望の値に調整することである。可塑剤の種類は特に限定されないが、電気的に安定な非極性分子および電荷輸送性分子などが用いられる。具体的には例えば、エチルカルバゾール(ECz)、エチルヘキシルカルバゾール(EHCz)およびベンジルブチルフタレート(BBP)が挙げられる。また、可塑剤は一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。可塑剤の配合量は、他の構成材料との組み合わせ等に応じて適宜決めればよく特に限定されないが、例えば、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料中の0〜30重量%である。 One of the roles of the plasticizer is to adjust the glass transition temperature of the orientation-enhancing organic photorefractive material to a desired value. The type of plasticizer is not particularly limited, and electrically stable nonpolar molecules and charge transporting molecules are used. Specific examples include ethyl carbazole (ECz), ethyl hexyl carbazole (EHCz), and benzyl butyl phthalate (BBP). Moreover, a plasticizer may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more types. The blending amount of the plasticizer may be appropriately determined according to the combination with other constituent materials and the like, and is not particularly limited. For example, it is 0 to 30% by weight in the orientation-enhancing organic photorefractive material.
増感色素の役割は、使用する光源の波長における電荷発生を増加させることである。増感色素の種類は特に限定されないが、具体的には例えば、バックミンスターフラーレン(C60)、フェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM)および2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン(TNF)、9−(ジシアノメチレン)−2,4,7−トリニトロフルオレン(TNFM)が挙げられる。また、増感色素は一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。増感色素の配合量は、他の構成材料との組み合わせ等に応じて適宜決めればよく特に限定されないが、例えば、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料中の0〜5重量%である。
(機能層25)
光デバイス200は、フォトリフラクティブ層24と、一対の電極21・21の少なくとも一方との間に、一層以上の機能層25を備えていることが好ましい。なお、機能層25は、好ましくは、フォトリフラクティブ層24と、一対の電極21・21のそれぞれとの間に設けられる。なお、機能層25は透光性の層である。
The role of the sensitizing dye is to increase charge generation at the wavelength of the light source used. The type of the sensitizing dye is not particularly limited. Specifically, for example, buckminsterfullerene (C 60 ), phenyl C61 butyric acid methyl ester (PCBM) and 2,4,7-trinitro-9-fluorenone (TNF), 9 -(Dicyanomethylene) -2,4,7-trinitrofluorene (TNFM). Moreover, a sensitizing dye may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. The blending amount of the sensitizing dye is not particularly limited as long as it is appropriately determined depending on the combination with other constituent materials, and is, for example, 0 to 5% by weight in the orientation-enhancing organic photorefractive material.
(Functional layer 25)
The
機能層25とは、フォトリフラクティブ層24に印加される実効電界を維持または増強する機能を有する層を指す。機能層25の例としては、ブロック層、強誘電層、および抗電界形成層などが挙げられる。機能層25を備えれば、フォトリフラクティブ層24に印加される実効電界を増強または所定の期間維持することができるので、より一層の応答の高速化および情報記録の維持(メモリー性)等が容易となる。
The
ブロック層は、電極界面における電荷移動を遮蔽する機能を有する層を指す。ブロック層の具体的な例としては、透明絶縁層としてのSiO2層、絶縁ポリマー層および絶縁有機薄膜層が挙げられる。このようなブロック層によれば、フォトリフラクティブ層24への電荷注入に起因する内部電荷の相殺を抑制する、または内部電荷の電極21への流出を抑制する。
The block layer refers to a layer having a function of shielding charge transfer at the electrode interface. Specific examples of the block layer include a SiO 2 layer as a transparent insulating layer, an insulating polymer layer, and an insulating organic thin film layer. According to such a block layer, the cancellation of the internal charge due to the charge injection into the
強誘電層は、自発分極を利用して内部電荷分布を維持することおよび内部電荷を増強する機能を有する層を指す。強誘電層の具体的な例としては、PVDF等の強誘電ポリマー、イオン液体および強誘電液晶が挙げられる。 A ferroelectric layer refers to a layer that has the function of maintaining internal charge distribution and enhancing internal charge using spontaneous polarization. Specific examples of the ferroelectric layer include a ferroelectric polymer such as PVDF, an ionic liquid, and a ferroelectric liquid crystal.
抗電界形成層は、フォトリフラクティブ層の外部に抗電界形成層を付帯する機能を有する層を指す。抗電界形成層の具体的な例としては、イオン液体および強誘電液晶などが挙げられる。なお、イオン液体を用いる場合は、漏れ出ないように層内に封止すればよい。 The coercive electric field forming layer refers to a layer having a function of attaching the coercive electric field forming layer outside the photorefractive layer. Specific examples of the coercive electric field forming layer include ionic liquid and ferroelectric liquid crystal. In addition, what is necessary is just to seal in a layer so that it may not leak when using an ionic liquid.
また、機能層25は、上記の異なる機能を有する層が一層以上重なっている構成であってもよい。また、機能層25が、フォトリフラクティブ層24と、一対の電極21・21のそれぞれとの間に一層以上備えられている場合、一対の機能層25・25はフォトリフラクティブ層24を挟んで対称的な位置に同一種の層を備える構成であってもよく、フォトリフラクティブ層24を挟んで非対称的な層の構成であってもよい。
In addition, the
機能層25は、例えば透明電極基板23における電極21が形成されている側の表面に、さらに成膜することにより形成される。
The
なお、フォトリフラクティブ層が複数層設けられる構成の場合には、機能層を例えばフォトリフラクティブ層間の中間層として設けることもできる。 In the case where a plurality of photorefractive layers are provided, the functional layer can be provided as an intermediate layer between photorefractive layers, for example.
(制御部35)
制御部35は、電界印加装置32および干渉光照射光源31の動作制御を行うものであり、例えば、コンピュータにより構成される。フォトリフラクティブ層24に情報の書き込みを行うとき、制御部35は、図2に示すように、第1期間(書き込み準備期間)および第1期間に後続する第2期間(書き込み期間)を含む一連のシーケンスにおいて、一対の電極21・21を介して、第1期間と第2期間とで極性が反転した電界をフォトリフラクティブ層24に印加するように電界印加装置32の動作を制御する(図2の上側の波形)。さらに、干渉光照射光源31によって照射される干渉光(書き込み光)が、上記第2期間においてフォトリフラクティブ層24に照射されるように、干渉光照射光源31の動作を制御する。以上のように、電界印加装置32の電界を印加するタイミング、電界の印加時間、および電界の極性反転の制御と、干渉光照射光源31の動作制御とは、制御部35において互いに関連付けて行われる。なお、制御部35による制御動作については、<2.光デバイスの駆動方法>の欄で詳述する。
(Control unit 35)
The
光デバイス200が、干渉光の照射によってフォトリフラクティブ層24に記録された情報を信号として読み出す場合には、記録再生手段として読出し光照射装置33と光検出器34とをさらに備えていてもよい。読出し光照射装置33は、記録された情報に応じた波長の読出し光をフォトリフラクティブ層24に照射し、当該照射の結果生じた回折光(信号)を光検出器34で検出する。
When the
光デバイス200の種類はフォトリフラクティブ効果を利用するものであれば特に限定されないが、例えばミリ秒単位以下またはサブミリ秒単位以下の高速応答を必要とするデバイスであることが好ましい。光デバイス200としては、例えば、ホログラム装置等の画像表示装置、光演算装置、フォトリフラクティブ位相共役鏡、光記録装置、および画像調整フィルタ等を挙げることができる。光デバイス200は、例えば、リアルタイム立体ホログラム表示、動体の検出、動体の速度解析、および病理組織等の立体リアルタイムイメージングの技術分野に利用することができる。
The type of the
<2.光デバイスの駆動方法>
以下に、図2および図3を参照して、図1に示す光デバイス200の駆動方法についてより詳細に説明する。図2の上側に示されているように、書き込み前は、維持電圧(図2では0V)に維持されており、書き込みを行うときには、第1期間(書き込み準備期間)として、まずフォトリフラクティブ層24に基準電界(書き込み準備電界)の印加を行う。例えば図2において、基準電界は正極性の外部電界として示されている。基準電界の印加によって、フォトリフラクティブ層24の内部には、材料中に含まれる不純物に由来して生じた蓄積電荷によって、抗電界を生じる。
<2. Driving method of optical device>
Hereinafter, the driving method of the
第1期間に続いて、第2期間(書き込み期間)において、フォトリフラクティブ層24に印加する外部電界の極性を瞬時に反転する。図2では第1期間における正極性の基準電界に対し、第2期間は負極性の外部電界(書き込み電界)をフォトリフラクティブ層24に印加している。このように瞬時に、フォトリフラクティブ層24に印加する外部電界の極性を反転すると、フォトリフラクティブ層24内部の抗電界は極性が外部電界と同時に反転されず、一定の期間持続される。したがって、第2期間においては、この抗電界が外部電界に重畳された実効電界が、フォトリフラクティブ層24に印加される。この結果、第2期間においては、フォトリフラクティブ層24に印加される実効電界が抗電界によって補強(増強)される。そして、実効電界が増強されている間に干渉光による書き込みを行えば(図2の下側参照)、フォトリフラクティブ層24の劣化を抑制しつつ高速な書き込みを実現することができる。なお、図3は、第1期間と第2期間とで、フォトリフラクティブ層24に印加する外部電界、形成される抗電界、および実効電界の関係を示すグラフである。
Subsequent to the first period, in the second period (writing period), the polarity of the external electric field applied to the
第2期間にフォトリフラクティブ層24に印加される実効電界の増強時間および増強強度(図3参照)は、第1期間に印加する基準電界の電界振幅および電界パルス幅を調節することによって制御することができる。実効電界の増強時間および増強強度を大きくするためには、基準電界の電界振幅(絶対値)および電界パルス幅が大きいほどよい。ただし、フォトリフラクティブ層24への負荷を抑制しつつ充分な応答速度を得る観点では、基準電界の電界振幅(絶対値)が10V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることが好ましく、50V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることがより好ましく、100V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。また、基準電界の電界パルス幅(電界印加時間に相当)は、0.1ミリ秒以上で1秒以下の範囲内であることが好ましく、1ミリ秒以上で0.5秒以下の範囲内であることがより好ましい。
The enhancement time and enhancement strength (see FIG. 3) of the effective electric field applied to the
また、フォトリフラクティブ層24への負荷を抑制しつつ充分な応答速度を得る観点では、第2期間にフォトリフラクティブ層に印加される外部電界(書き込み電界)の電界振幅(絶対値)が10V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることが好ましく、50V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることがより好ましく、100V/μm以上で300V/μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。また、書き込み電界の電界パルス幅(電界印加時間に相当)は、0.1ミリ秒以上で1秒以下の範囲内であることが好ましく、1ミリ秒以上で0.5秒以下の範囲内であることがより好ましく、1ミリ秒以上で0.1秒以下の範囲内であることがさらに好ましい。
Further, from the viewpoint of obtaining a sufficient response speed while suppressing the load on the
第2期間の後、電圧は再び維持電圧に戻される。このように、維持電圧から、上記第1期間および第2期間を経て維持電圧に戻す一連のシーケンスが繰り返し行われてもよい。 After the second period, the voltage is returned to the sustain voltage again. As described above, a series of sequences from the sustain voltage to the sustain voltage through the first period and the second period may be repeatedly performed.
なお、図2および図3では、第1期間と第2期間とで、極性が反転した点以外は同じ電界振幅(絶対値)で同じ電界パルス幅のパルス電界を印加する例を示したが、第1期間と第2期間とで電界振幅および電界パルス幅が異なるパルス電界を印加してもよい。また、第1期間に負極性の電界を印加し、第2期間に正極性の電界を印加するようにしてもよい。さらに、第2期間にフォトリフラクティブ層24に印加される実効電界の増強効果が維持されている限りにおいて、必要に応じて第1期間と第2期間との間に短時間の移行期間(例えば、電圧0とする期間等)を設けてもよい。ただし、第1期間と第2期間とは、間に移行期間等を設けずに連続していることが好ましい。また、第1期間と第2期間とを一サイクルとして2サイクル以上連続的に繰り返す場合、情報の書き込み用に印加された第2期間の電界を、連続した次の書き込み準備期間(第1期間)用の電界としても利用してよい。
2 and 3 show examples in which a pulse electric field having the same electric field amplitude (absolute value) and the same electric field pulse width is applied in the first period and the second period except that the polarity is reversed. You may apply the pulse electric field from which an electric field amplitude and an electric field pulse width differ in a 1st period and a 2nd period. Alternatively, a negative electric field may be applied in the first period, and a positive electric field may be applied in the second period. Furthermore, as long as the effect of enhancing the effective electric field applied to the
光書き込みは、図2の下側に示すように、フォトリフラクティブ層24に印加される外部電界が反転された第2期間に行われる。また、光書き込みは、例えば、外部電界の反転(第2期間の開始)と同時に行ってもよく、また、第2期間の任意のタイミングに行ってもよいが、外部電界の反転の直後には、外部電界に重畳される抗電界が最も大きいために、外部電界の反転と同時〜1秒以内に光書き込みを行うことが好ましく、外部電界の反転と同時〜0.5秒以内に光書き込みを行うことがより好ましく、外部電界の反転と同時に光書き込みを行うことがさらに好ましい。光書き込みのタイミングおよび光パルス幅の制御は、例えば、干渉光照射光源31が備える液晶シャッター、(Displaytech、LV2500−AC等)で干渉光の出射を制御することによって実現可能である。
Optical writing is performed in the second period in which the external electric field applied to the
また、フォトリフラクティブ層24への光書き込み強度は10mW/cm2〜1000mW/cm2が好ましく、例えば100mW/cm2である。また、干渉光照射における光パルス幅は、1フェムト秒〜1秒が好ましく、例えば1ミリ秒〜15ミリ秒である。また、一度の書き込みにおける干渉光の照射時間は特に限定されないが、例えば、1フェムト秒〜1秒以下であり、0.1ミリ秒以上で1秒以下である。
Also, optical writing intensity to
<3.光デバイスの駆動方法の変形例>
図2および図3では、第1期間(書き込み準備期間)と第2期間(準備期間)とで、極性が反転した点以外は同じ電界振幅(絶対値)で同じ電界パルス幅のパルス電界を印加して、第2期間において1回のみ光書き込みを行う駆動方法を説明したが、例えば、図4に示すような駆動方法を採用してもよい。
<3. Modified Example of Driving Method of Optical Device>
2 and 3, a pulse electric field having the same electric field amplitude (absolute value) and the same electric field pulse width is applied in the first period (writing preparation period) and the second period (preparation period) except that the polarity is reversed. Thus, the driving method in which optical writing is performed only once in the second period has been described. However, for example, a driving method as shown in FIG. 4 may be adopted.
図4中の(a)は、フォトリフラクティブ層24へ印加する外部電界を反転させた後の第2期間(書き込み期間)において、複数回の光書き込みを同じ領域に対して行い、書き込まれた情報の積算値をシグナルとして利用する例である。第2期間は例えば、数ミリ秒以下とすることができる。
FIG. 4A shows information written by performing multiple times of optical writing on the same region in the second period (writing period) after the external electric field applied to the
図4中の(b)は、第2期間に印加するパルス電界の電界振幅(絶対値)を第1期間より大きくするとともに、第1期間より電界パルス幅を小さくし、第1期間と第2期間とを複数回繰り返すことによって反復して光書き込みを行う駆動方法の例である。第2期間(書き込み期間)を短くすることで、高速応答を実現する。 (B) in FIG. 4 shows that the electric field amplitude (absolute value) of the pulse electric field applied in the second period is larger than that in the first period, and the electric field pulse width is smaller than that in the first period. This is an example of a driving method in which optical writing is repeated by repeating a period multiple times. A high-speed response is realized by shortening the second period (writing period).
図4中の(c)は、第1期間において瞬間的に高電界振幅のパルス電界を印加し、第2期間も光書き込みに必要最小限の期間とすることによって、反復した光書き込みを高速で行う駆動方法の例である。 (C) in FIG. 4 shows that repeated optical writing is performed at a high speed by applying a pulse electric field having a high electric field amplitude instantaneously in the first period and setting the second period to the minimum period necessary for optical writing. It is an example of the drive method to perform.
なお、図2および図4に示す駆動方法はいずれも、パルス電界の印加を用いるため、定常電界を印加している場合と比較して、電界印加時間が短縮できる。よって、電界がかかることによって生じる材料の損傷および劣化を低減することができる。 Note that both the driving methods shown in FIGS. 2 and 4 use the application of a pulsed electric field, so that the electric field application time can be shortened compared to the case where a steady electric field is applied. Therefore, damage and deterioration of the material caused by application of an electric field can be reduced.
以下、本発明について、実施例を挙げてさらなる詳細を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in further detail with reference to examples.
〔特性評価サンプルとしてのサンドウィッチセルの調製〕
(配向増大型有機フォトリフラクティブ材料)
実施例で用いた配向増大型有機フォトリフラクティブ材料(以下、有機PR材料と称する)は、光導電性分子としてポリビニルカルバゾールを59.4重量%、可塑剤としてEHCzを10重量%、増感色素としてフラーレンを0.6重量%、および複屈折性光学色素としてAODCSTを30重量%、構成成分として含むものである。
[Preparation of sandwich cell as a characterization sample]
(Orientation-enhancing organic photorefractive material)
The alignment-enhancing organic photorefractive material (hereinafter referred to as organic PR material) used in the examples is 59.4% by weight of polyvinyl carbazole as a photoconductive molecule, 10% by weight of EHCz as a plasticizer, and as a sensitizing dye. It contains 0.6% by weight of fullerene and 30% by weight of AODCST as a birefringent optical dye as a constituent component.
(機能層付ITOガラス基板の作製)
電極をパターニングしたITOガラス基板における電極を有する側の表面に、機能層として絶縁性ポリマー材料(フッ素系ポリマー樹脂)を成膜することによって、機能層付ITOガラス基板を2枚作製した。
(Production of ITO glass substrate with functional layer)
Two ITO glass substrates with functional layers were produced by forming an insulating polymer material (fluorine polymer resin) as a functional layer on the surface of the ITO glass substrate on which the electrodes were patterned on the side having the electrodes.
(特性評価サンプルの調製)
有機PR材料を、ポリイミドフィルムをスペーサーとして、2枚の機能層付ITOガラス基板で挟み込んだサンドウィッチセル(図1に示すフォトリフラクティブセル100に相当)を作製し、以下に示す各実施例における特性評価サンプルとして用いた。
(Preparation of characteristic evaluation sample)
A sandwich cell (corresponding to the
〔実施例1:反転パルス電界を用いた駆動による光誘起屈折率変化への影響〕
本実施例では、サンドウィッチセルにパルス電界を印加すると同時に光書き込みを行った場合(通常駆動)と、パルス電界を印加した後(書き込み準備期間)、パルス電界を極性反転させて印加し(書き込み期間)、極性反転と同時に光書き込みを行った場合(反転駆動)とで、光誘起屈折率変化の立ち上がり速度を調べた。
[Example 1: Influence on light-induced refractive index change by driving using inversion pulse electric field]
In this embodiment, when the pulse electric field is applied to the sandwich cell simultaneously with optical writing (normal driving), after applying the pulse electric field (writing preparation period), the pulse electric field is applied with the polarity reversed (writing period). ) In the case where optical writing was performed simultaneously with polarity reversal (reversal drive), the rising speed of the photoinduced refractive index change was examined.
有機PR材料に生じる光誘起屈折率変化の大きさをΔnとし、有機PR材料に読み出し光を照射して得られる回折光強度をIとすると、光誘起屈折率変化の大きさΔnと回折光強度Iの関係は、以下の式で表すことができる。 If the magnitude of the light-induced refractive index change occurring in the organic PR material is Δn, and the diffracted light intensity obtained by irradiating the organic PR material with the readout light is I, the magnitude of the light-induced refractive index change Δn and the diffracted light intensity The relationship of I can be expressed by the following formula.
したがって、光誘起屈折率変化の大きさΔnは回折光強度Iによって評価した。 Therefore, the magnitude Δn of the light-induced refractive index change was evaluated by the diffracted light intensity I.
(電界印加条件)
サンドウィッチセルを構成するITOガラス基板を、リード線を介して高電圧アンプ装置(松定プレシジョン、HCOR−10)の端子に接続した。そして、電界振幅が60V/μmのパルス電界をパルス幅0.5秒印加し(通常パルス電界印加)、その後−60V/μmに反転させ、パルス幅0.5秒印加した(反転パルス電界印加)。
(Electric field application conditions)
An ITO glass substrate constituting the sandwich cell was connected to a terminal of a high voltage amplifier device (Matsusada Precision, HCOR-10) via a lead wire. Then, a pulse electric field having an electric field amplitude of 60 V / μm was applied for a pulse width of 0.5 seconds (normal pulse electric field application), then inverted to −60 V / μm, and a pulse width of 0.5 seconds was applied (inverted pulse electric field application). .
(非縮退4光波混合測定装置)
回折光強度の評価には、図5に示した非縮退4光波混合測定系を用いた。図5は上記サンドウィッチセルと各種光学系との配置関係の概略を表す。同図中の7はサンドウィッチセル、3は読み出し光、4は回折光、1は参照光(書き込み光(干渉光))、2は物体光(書き込み光(干渉光))、6はチルト角(60°)、5は交差角(書き込み角)(10°)を意味している。干渉光照射光源にはHe−Neレーザー(CVIメレスグリオ、05LHP151)を用い、プリズムビームスプリッタ―により2つに分離後、サンドウィッチセル(有機PR材料)上で干渉させることで干渉光照射装置とした。読み出し光3としては、808nmの半導体レーザー(ソーラボ社、CPS808)を用い、サンドウィッチセル(有機PR材料)から生じる回折光4はフォトダイオード(ソーラボ社、PDA100A)により検出し、ストレージオシロスコープ(レクロイ、WaveRunner 64Xi−A)でモニターした。
(Non-degenerate four-wave mixing measurement device)
For the evaluation of the diffracted light intensity, the non-degenerate four-wave mixing measurement system shown in FIG. 5 was used. FIG. 5 schematically shows the positional relationship between the sandwich cell and various optical systems. In the figure, 7 is a sandwich cell, 3 is readout light, 4 is diffracted light, 1 is reference light (writing light (interference light)), 2 is object light (writing light (interference light)), and 6 is a tilt angle ( (60 °), 5 means a crossing angle (writing angle) (10 °). A He—Ne laser (CVI Melles Griot, 05LHP151) was used as the interference light irradiation light source. After being separated into two by a prism beam splitter, the interference light irradiation device was formed by causing interference on a sandwich cell (organic PR material). As the
ここで、任意のタイミングおよび任意の光パルス幅で光書き込みを行うために、書き込み光2(物体光)の光路上に液晶シャッターを配置し、ファンクションジェネレータ(テクトロニクス、AFG3021B)によりタイミングの制御を行った。サンドウィッチセル(有機PR材料)への書き込み光1および2の書き込み光強度はそれぞれ、65mW/cm2とした。書込み時の光強度の合計は130mW/cm2である。書き込み光2(物体光)の光パルス幅は10ミリ秒であり、1パルス分の書き込みを行った(すなわち、干渉光の照射時間は10ミリ秒)。
Here, in order to perform optical writing at an arbitrary timing and an arbitrary optical pulse width, a liquid crystal shutter is disposed on the optical path of the writing light 2 (object light), and the timing is controlled by a function generator (Tektronix, AFG3021B). It was. The writing light intensity of writing
図6は本実施例においてサンドウィッチセルに印加されるパルス電界、参照光および物体光の変化ならびに光書き込みのタイミングを示す波形図である。参照光(書き込み光1に相当)と物体光(書き込み光2に相当)とが同時に照射される条件でのみ干渉光が生じて、有機PR材料への書き込みが行われる。図6に示されているように、通常駆動では、パルス電界を印加すると同時に、反転パルス電界駆動(反転駆動)では、パルス電界を反転させると同時に光書き込みを行った。 FIG. 6 is a waveform diagram showing the pulse electric field applied to the sandwich cell, reference light and object light changes, and optical writing timing in this embodiment. Interference light is generated only under conditions in which the reference light (corresponding to the writing light 1) and the object light (corresponding to the writing light 2) are irradiated simultaneously, and writing to the organic PR material is performed. As shown in FIG. 6, in the normal drive, a pulse electric field was applied, and in the inversion pulse electric field drive (inversion drive), the pulse electric field was inverted and optical writing was performed at the same time.
(反転駆動および通常駆動の回折光強度の比較の結果)
測定の結果を図7に示す。横軸は、時間(秒)を示している。縦軸は、回折光強度Iを示している。図7に示すように、反転パルス電界駆動することによって、従来法である通常パルス電界駆動と比較して、より高速かつ大きな回折光強度が得られた。したがって、電界を反転させると同時に光書き込みを行うことにより、有機PR材料の応答速度を高速化できることがわかった。
(Results of comparison of inversion drive and normal drive diffracted light intensity)
The measurement results are shown in FIG. The horizontal axis represents time (seconds). The vertical axis represents the diffracted light intensity I. As shown in FIG. 7, by driving the inversion pulse electric field, a higher diffracted light intensity was obtained at a higher speed than the conventional pulse electric field drive which is a conventional method. Therefore, it was found that the response speed of the organic PR material can be increased by reversing the electric field and simultaneously performing optical writing.
本発明は、フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスに利用することができる。 The present invention can be used for an optical device using a photorefractive material.
21 電極
24 フォトリフラクティブ層
25 機能層
31 干渉光照射光源(干渉光照射装置)
32 電界印加装置
35 制御部
100 フォトリフラクティブセル
200 光デバイス
21
32 Electric
Claims (9)
上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、
上記一対の電極を介して上記フォトリフラクティブ層に電界を印加する電界印加装置と、
上記干渉光照射装置および上記電界印加装置の動作を制御する制御部と、を備え、
上記フォトリフラクティブ層へ情報の書き込みを行うときに、上記制御部は、書き込み準備期間と当該準備期間に後続する書き込み期間とで極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するように電界印加装置の動作を制御するとともに、上記書き込み期間において上記干渉光を照射するように干渉光照射装置の動作を制御する、光デバイス。 A photorefractive cell comprising a photorefractive layer containing an orientation-enhancing organic photorefractive material and a pair of electrodes sandwiching the photorefractive layer;
An interference light irradiation device for irradiating the photorefractive layer with interference light;
An electric field applying device for applying an electric field to the photorefractive layer via the pair of electrodes;
A controller that controls the operation of the interference light irradiation device and the electric field application device,
When writing information to the photorefractive layer, the control unit applies an electric field applying device that applies an electric field whose polarity is reversed between a write preparation period and a write period subsequent to the preparation period to the photorefractive layer. An optical device that controls the operation of the interference light irradiation apparatus so as to irradiate the interference light during the writing period.
カルバゾール誘導体ポリマー、フェニレンビニレン誘導体ポリマー、およびテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を光導電性分子として含み、かつ、
アゾ色素、ジシアノスチレン誘導体、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体、およびポリエン誘導体からなる群より選択される少なくとも一種の色素を複屈折性光学色素として含む、請求項1〜7の何れか1項に記載の光デバイス。 The orientation-enhancing organic photorefractive material is
Containing at least one compound selected from the group consisting of a carbazole derivative polymer, a phenylene vinylene derivative polymer, and a tetraphenyldiaminobiphenyl derivative polymer as a photoconductive molecule, and
The at least one pigment | dye selected from the group which consists of an azo pigment | dye, a dicyano styrene derivative, a dicyano methylene dihydrofuran derivative, and a polyene derivative is included as a birefringent optical pigment | dye in any one of Claims 1-7. Optical device.
書き込み準備期間と当該準備期間に後続する書き込み期間とで極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するとともに、当該書き込み期間において上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する工程を含む、書き込み方法。 A method of writing information to a photorefractive layer containing an alignment-enhanced organic photorefractive material,
A writing method, comprising: applying an electric field whose polarity is reversed between a writing preparation period and a writing period subsequent to the preparation period to the photorefractive layer, and irradiating the photorefractive layer with interference light in the writing period.
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