JP2014169893A - 光伝送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】過入力によるアンプの破損を防止すること。
【解決手段】電界計測装置１は、アンテナ１０で検出された電磁波の電界強度に応じた検出信号Ｓａに基づいて、変調光Ｌ２を出力するヘッド部２０と、変調光Ｌ２に基づいて、電磁波の電界強度を示す測定信号Ｓｍを出力するコントローラ部４０と、を備え、ヘッド部２０は、検出信号Ｓａを伝送するための伝送線路１２及び検出信号Ｓａを増幅するためのアンプ１５を有する第１伝送部２１と、検出信号Ｓａを伝送するための伝送線路１３を有する第２伝送部２２と、第１伝送部２１または第２伝送部２２によって伝送された検出信号Ｓａを変換して変調光Ｌ２を出力する光変調器２５と、を備え、第２伝送部２２の許容入力は、第１伝送部２１の許容入力よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、光伝送装置に関する。

電波暗室に設置された被測定装置から放射される微弱な電磁波を測定するための電界計測装置等の光伝送装置がある。例えば、特許文献１には、電波暗室に設置されるヘッド部と、測定室に設置されるコントローラ部とを備え、ヘッド部とコントローラ部とが光ファイバによって接続された電界計測装置が記載されている。

この電界計測装置では、電波暗室に設置されたアンテナによって電磁波が検出され、検出された電磁波の電界強度に応じた出力信号がヘッド部に供給される。そして、ヘッド部の光変調器によって変調光に変換され、変調光はコントローラ部に送信される。また、検出される電磁波の電界強度は微弱であると想定されていることから、ヘッド部は、アンテナの出力信号を増幅するためのアンプを備えている。

特開２０１２−２０７９４２号公報

しかしながら、放射ノイズ（ＥＭＩ）測定等では、不特定の被測定装置を測定対象とすることから、想定範囲を超える電界強度を有する電磁波が検出される場合がある。このような場合、アンテナからの出力信号が、ヘッド部のアンプの入力上限値を超えることがあり、過入力によってアンプが破損するおそれがある。

そこで本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであって、過入力によるアンプの破損を防止可能な構造を有する光伝送装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一側面に係る光伝送装置は、検出された電磁波の電界強度に応じた検出信号に基づいて変調光を出力するヘッド部と、変調光に基づいて電磁波の電界強度を示す測定信号を出力するコントローラ部と、を備える。ヘッド部は、検出信号を伝送するための第１伝送線路及び検出信号を増幅するための増幅器を有する第１伝送部と、検出信号を伝送するための第２伝送線路を有する第２伝送部と、第１伝送部または第２伝送部によって伝送された検出信号を変換して変調光を出力する光変調器と、を備え、第２伝送部の許容入力は、第１伝送部の許容入力よりも大きい。

このような光伝送装置では、第１伝送線路及び増幅器を有する第１伝送部と、第２伝送線路を有する第２伝送部と、が設けられており、第２伝送部の許容入力は、第１伝送部の許容入力よりも大きい。ここで、許容入力とは、破壊されることなく動作可能な限度を示す入力特性を意味し、例えば絶対最大定格入力電力等が挙げられる。このため、被測定装置から出力される電磁波の電界強度の大きさが不明である場合には、第２伝送部が検出信号を伝送することにより、増幅器を使用することなく、検出信号の電力レベルを確認できる。その結果、過入力による増幅器の破損を防止することができる。また、例えば、測定信号の信号電力が第１伝送部の許容入力、すなわち増幅器の許容入力よりも小さい場合には、第１伝送部が検出信号を伝送してもよい。

本発明の他の側面に係る光伝送装置では、コントローラ部は、第１伝送部と第２伝送部との切り替えを制御するための切替制御信号を含む駆動信号に応じて制御信号光を出力する光源を備えてもよい。ヘッド部は、制御信号光を制御信号に変換する第１受光素子と、制御信号に基づいて切替信号を出力する切替指示回路と、切替信号に基づいて第１伝送部と第２伝送部とを切り替えて検出信号を伝送させる切替回路と、をさらに備えてもよい。

電磁波の電界強度の測定中においては、測定者がヘッド部を直接触ってヘッド部の切替回路の設定を変更することはできない。しかし、この構成によれば、コントローラ部からの制御信号光を変換した制御信号に基づいて、切替指示回路は、切替回路に第１伝送部と第２伝送部とを切り替えて検出信号を伝送させることができる。このため、測定者が直接触れることなく、コントローラ部からの遠隔操作によって第１伝送部と第２伝送部との切替が可能となる。

本発明の他の側面に係る光伝送装置では、ヘッド部は、光変調器の動作点を調整するためのバイアス電圧を光変調器に供給するバイアス回路をさらに備えてもよい。この場合、駆動信号は、バイアス電圧をバイアス回路に供給させるためのバイアス制御信号をさらに含んでもよく、バイアス回路は、制御信号に基づいてバイアス電圧を光変調器に供給してもよい。

この構成によれば、切替制御信号とバイアス制御信号とを含む駆動信号に応じた制御信号光を出力することによって、光ファイバ配線の増加を抑えながら、切替回路の切り替えと光変調器の動作点の調整とをコントローラ部から制御することができる。

本発明の他の側面に係る光伝送装置では、切替回路は、検出信号が入力する入力線路を第１伝送線路及び第２伝送線路のいずれかに切り替えて接続する第１スイッチと、増幅器の入力端子を保護抵抗回路及び第１伝送線路のいずれかに切り替えて接続する第２スイッチと、を備えてもよく、第１スイッチが第１伝送線路から第２伝送線路に切り替える前または切り替えると同時に、第２スイッチは第１伝送線路から保護抵抗回路に切り替えてもよい。

この構成によれば、第１スイッチによって検出信号の入力線路を第１伝送線路に接続し、第２スイッチによって増幅器の入力端子を第１伝送線路に接続することにより、第１伝送部によって検出信号を伝送できる。また、第１スイッチによって入力線路を第２伝送線路に接続し、第２スイッチによって増幅器の入力端子を保護抵抗回路に接続することにより、第２伝送部によって検出信号を伝送できる。ところで、増幅器の入力端子が開放されることによって、増幅器の入力端子に静電気等の異常入力が生じ得る。上述の構成によれば、第１スイッチが第１伝送線路から第２伝送線路に切り替える前または切り替えると同時に、第２スイッチは第１伝送線路から保護抵抗回路に切り替えることにより、増幅器を使用しなくなった際に増幅器の入力端子を保護抵抗回路に確実に接続することができる。このため、異常入力による増幅器の破損を防止することが可能となる。

本発明の他の側面に係る光伝送装置では、コントローラ部は、変調光に基づいて駆動信号を出力する制御回路を備えてもよく、制御回路は、第２伝送部によって伝送された検出信号を変換した変調光に基づいて、第２伝送部から第１伝送部に切替回路を切り替えるための制御信号光を光源に出力させてもよい。

この構成によれば、第２伝送部によって伝送された検出信号を変換した変調光に基づいて、制御回路が検出信号の電力レベルを判断できる。そして、例えば、検出信号の電力が増幅器の許容入力よりも小さいと判断された場合に、第２伝送部から第１伝送部に切替回路を切り替えるための制御信号光を光源に出力させることができる。これにより、過入力による増幅器の破損を防止することが可能となる。

本発明によれば、過入力によるアンプの破損を防止できる。

一実施形態に係る光伝送装置である電界計測装置の構成を概略的に示す図である。 （ａ）はモード切替指示信号の一例を示す図、（ｂ）は切替制御信号の一例を示す図、（ｃ）は割込信号の一例を示す図、（ｄ）はバイアス制御信号の一例を示す図、（ｅ）は重畳信号の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、一実施形態に係る光伝送装置である電界計測装置の構成を概略的に示す図である。電界計測装置１は、被測定装置（不図示）から放射される電磁波を測定するための装置であって、テストモードと測定モードとを切り替えて動作する機能を有している。テストモードとは、被測定装置から放射される電磁波の電界強度に応じた検出信号の電力レベルを確認するためのモードである。測定モードとは、被測定装置から放射される電磁波の電界強度を測定するためのモードである。図１に示されるように、電界計測装置１は、ヘッド部２０と、コントローラ部４０と、を備えている。ヘッド部２０は、アンテナ１０とともに例えば電波暗室に配置され、コントローラ部４０は、測定器６０とともに測定室に配置される。また、被測定装置は電波暗室に設置される。

ここで、電波暗室は、被測定装置から放射される電磁波を検出するためのエリアであって、例えば外部からの電磁波が遮断された空間である。電波暗室は、オープンサイトなどであってもよい。また、本実施形態ではアンテナ１０の設置場所が電波暗室の例で説明するが、これに限定されない。また、アンテナで受信した電磁波を検出するものであればよく、例えば衛星用のパラボラアンテナを用いて屋外で受信する場合や、ＲＯＦ（Radio over fiber）システムなどアンテナを利用する電界計測装置全般に用いることができる。測定室は、電波暗室において検出された電磁波を計測するためのエリアであって、被測定装置から放射される電磁波によって計測に障害が生じないエリアである。測定室は、例えば電波暗室の外部、被測定装置から十分離れた場所、または、被測定装置から放射される電磁波の漏出を遮断した空間などである。

ヘッド部２０には、アンテナ１０が接続されている。アンテナ１０は、被測定装置から放射される電磁波を受信する。アンテナ１０は、受信した電磁波の電界強度に応じた電気信号である検出信号Ｓａをヘッド部２０に出力する。アンテナ１０には、伝送線路１１（入力線路）の一端が電気的に接続されており、アンテナ１０から出力された検出信号Ｓａは、伝送線路１１によって伝送される。

ヘッド部２０は、検出信号Ｓａに基づいて変調光Ｌ２を出力する。ヘッド部２０は、第１伝送部２１と、第２伝送部２２と、切替回路２３と、抵抗器２４（保護抵抗回路）と、光変調器２５と、光合分波器２６と、受光素子２７（第１受光素子）と、信号出力回路２８と、バッテリー２９と、を備えている。

第１伝送部２１は、伝送線路１１によってヘッド部２０に導入される検出信号Ｓａを伝送する。第１伝送部２１は、伝送線路１２（第１伝送線路）及びアンプ１５（増幅器）を有する。伝送線路１２は、伝送線路１１によって導入される検出信号Ｓａを伝送するための線路である。アンプ１５は、高周波の信号を増幅ための増幅器であって、例えばＲＦ（Radio Frequency）アンプである。アンプ１５は、バッテリー２９から電力供給を受けて駆動し、伝送線路１２によって伝送される検出信号Ｓａを増幅する。第１伝送部２１は、アンプ１５によって増幅された検出信号Ｓａを伝送線路１４を介して変調信号Ｓｍｄとして光変調器２５に出力する。ところで、アンプ１５では、許容入力として、許容できる入力電力の上限値である絶対最大定格入力電力が規定されており、例えば−２０ｄＢｍ程度である。伝送線路１２の絶対最大定格入力電力は、アンプ１５の絶対最大定格入力電力よりも大きいことから、第１伝送部２１の絶対最大定格入力電力は、アンプ１５の絶対最大定格入力電力により定まる。

第２伝送部２２は、伝送線路１１によってヘッド部２０に導入される検出信号Ｓａを伝送する。第２伝送部２２は、伝送線路１３（第２伝送線路）を有する。伝送線路１３は、伝送線路１１によって導入される検出信号Ｓａを伝送するための線路である。第２伝送部２２は、伝送線路１３によって伝送された検出信号Ｓａを伝送線路１４を介して変調信号Ｓｍｄとして光変調器２５に出力する。伝送線路１３の絶対最大定格入力電力は、アンプ１５の絶対最大定格入力電力よりも大きいことから、第２伝送部２２の絶対最大定格入力電力は、第１伝送部２１の絶対最大定格入力電力よりも大きい。

切替回路２３は、アンテナ１０から出力される検出信号Ｓａを伝送する伝送経路を切り替えるための回路である。切替回路２３は、切替信号Ｓｃに基づいて第１伝送部２１と第２伝送部２２とを切り替えて検出信号Ｓａを伝送させる。具体的には、測定モードからテストモードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、切替回路２３は、第１伝送部２１から第２伝送部２２に切り替えて、第２伝送部２２に検出信号Ｓａを伝送させる。一方、テストモードから測定モードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、切替回路２３は、第２伝送部２２から第１伝送部２１に切り替えて、第１伝送部２１に検出信号Ｓａを伝送させる。切替回路２３は、例えば、スイッチ２３１（第１スイッチ）と、スイッチ２３２（第２スイッチ）と、を備えている。

スイッチ２３１は、高周波信号の伝送経路を切り替えるためのスイッチであって、例えばＲＦスイッチである。スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１２及び伝送線路１３のいずれかに切り替えて接続する。スイッチ２３１の第１端子２３１ａは、伝送線路１１の他端に接続され、スイッチ２３１の第２端子２３１ｂは、伝送線路１２の一端に接続され、スイッチ２３１の第３端子２３１ｃは、伝送線路１３の一端に接続されている。測定モードからテストモードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、スイッチ２３１は、第１端子２３１ａと第２端子２３１ｂとの接続を解除し、第１端子２３１ａと第３端子２３１ｃとを接続する。すなわち、スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１２から伝送線路１３に切り替えて接続する。一方、テストモードから測定モードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、スイッチ２３１は、第１端子２３１ａと第３端子２３１ｃとの接続を解除し、第１端子２３１ａと第２端子２３１ｂとを接続する。すなわち、スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１３から伝送線路１２に切り替えて接続する。

スイッチ２３２は、高周波信号の伝送経路を切り替えるためのスイッチであって、例えばＲＦスイッチである。スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４及び伝送線路１２のいずれかに切り替えて接続する。スイッチ２３２の第１端子２３２ａは、アンプ１５の入力端子に接続され、スイッチ２３２の第２端子２３２ｂは、伝送線路１２の他端に接続され、スイッチ２３２の第３端子２３２ｃは、抵抗器２４の一端に接続されている。測定モードからテストモードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、スイッチ２３２は、第１端子２３２ａと第２端子２３２ｂとの接続を解除し、第１端子２３２ａと第３端子２３２ｃとを接続する。すなわち、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を伝送線路１２から抵抗器２４に切り替えて接続する。一方、テストモードから測定モードに切り替えることを指示する切替信号Ｓｃの受信に応じて、スイッチ２３２は、第１端子２３２ａと第３端子２３２ｃとの接続を解除し、第１端子２３２ａと第２端子２３２ｂとを接続する。すなわち、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４から伝送線路１２に切り替えて接続する。

ヘッド部２０の電源オフ時には、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４に接続する。具体的には、バッテリー２９から供給される電圧値を検出する電圧検出回路（不図示）によって、バッテリー２９の電圧値が所定の値以下となったことが検出されると、後述のモード切替回路２８１（切替指示回路）は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４に接続するようスイッチ２３２に切替信号Ｓｃを出力する。この電源オフ時の切替動作は、例えば、不図示のコンデンサに予め充電された電力を用いて行われる。なお、コントローラ部４０の電源がオフになった場合には、その時点における切替回路２３の状態が不図示の記憶回路に保持されるようにしてもよい。

抵抗器２４は、例えば５０Ω程度の抵抗値を有し、一端がスイッチ２３２の第３端子２３２ｃに接続され、他端が接地電位に接続されている。アンプ１５の入力端子が抵抗器２４を介して接地電位に接続されることにより、抵抗器２４は、アンプ１５に静電気等による異常入力が発生するのを抑制可能な保護抵抗回路として機能する。

光変調器２５は、第１伝送部２１または第２伝送部２２によって伝送された検出信号Ｓａ（変調信号Ｓｍｄ）を光信号に変換するデバイスであって、例えばマッハツェンダ型の光変調器である。光変調器２５は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などの電気光学効果を奏する誘電体材料から構成されている。光変調器２５は、コントローラ部４０から出力される連続光Ｌ１を光ファイバＦ１を介して入力する。また、光変調器２５は、伝送線路１４を介して入力される変調信号Ｓｍｄで連続光Ｌ１を変調し、変調した光である変調光Ｌ２を光合分波器２６及び光ファイバＦ２を介してコントローラ部４０に出力する。

また、光変調器２５には、信号出力回路２８によって供給されるバイアス電圧Ｖｂが印加され、バイアス電圧Ｖｂによって光変調器２５の動作点（バイアス点）が定められる。なお、本実施形態では、光変調器２５は所謂Ｘカットの基板を有するが、これに限定されない。光変調器２５は、例えば、所謂Ｚカットの基板を有してもよい。

光合分波器２６は、互いに異なる波長を有する光を合波、または、互いに異なる波長を有する光に分波する光学素子であって、例えばＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）カプラである。光合分波器２６は、光変調器２５から出力される変調光Ｌ２を入力して、変調光Ｌ２を光ファイバＦ２に出力し、光ファイバＦ２から出力される制御信号光Ｌ３を入力して、制御信号光Ｌ３を受光素子２７に出力する。

受光素子２７は、光信号を電気信号に変換するためのデバイスであって、例えばフォトダイオードである。受光素子２７は、光合分波器２６によって出力される制御信号光Ｌ３を電気信号に変換し、制御信号Ｓｐｄとして信号出力回路２８に出力する。

信号出力回路２８は、受光素子２７によって出力される制御信号Ｓｐｄに基づいて、光変調器２５の動作点を調整するためのバイアス電圧Ｖｂを光変調器２５に供給するとともに、切替回路２３を切り替えるための切替信号Ｓｃを切替回路２３に出力する。信号出力回路２８は、モード切替回路２８１と、バイアス回路２８２と、を備えている。

モード切替回路２８１は、制御信号Ｓｐｄに基づいて切替信号Ｓｃを出力する。具体的に説明すると、モード切替回路２８１は、例えばハイパスフィルタによって制御信号Ｓｐｄから切替信号Ｓｃのための信号を抽出する。バイアス回路２８２は、抽出した信号に応じて、切替回路２３を切り替えるための切替信号Ｓｃを出力する。例えば、テストモードから測定モードに切り替えるための信号及び測定モードからテストモードに切り替えるための信号は同じであってもよい。この場合、モード切替回路２８１は、切替信号Ｓｃの状態、すなわち、テストモードまたは測定モードのいずれの動作モードであるかを記憶回路に記憶する。そして、モード切替回路２８１は、制御信号Ｓｐｄから切替信号Ｓｃのための信号が抽出されると、記憶回路に記憶されている動作モードを読み出し、その動作モードから他方の動作モードに切り替えるための切替信号Ｓｃを切替回路２３に出力する。

バイアス回路２８２は、制御信号Ｓｐｄに基づいてバイアス電圧Ｖｂを光変調器２５に供給する。具体的に説明すると、バイアス回路２８２は、例えばローパスフィルタによって制御信号Ｓｐｄから切替信号Ｓｃのための信号を除去する。ローパスフィルタの時定数は、切替信号Ｓｃのための信号のパルス幅に応じて定められ、例えば１００ｍｓｅｃ以下の信号を除去する時定数とする。バイアス回路２８２は、切替信号Ｓｃのための信号が除去された制御信号Ｓｐｄに応じてバイアス電圧Ｖｂを光変調器２５に供給する。

バッテリー２９は、ＤＣ電源であって、アンプ１５及び信号出力回路２８のそれぞれに電力を供給する。

コントローラ部４０は、変調光Ｌ２に基づいて、電磁波の電界強度を示す測定信号Ｓｍを出力する。コントローラ部４０は、光源４１と、制御回路４２と、光源４３と、光合分波器４４と、光分岐器４５と、受光素子４６と、受光素子４７と、ローパスフィルタ４８と、を備えている。

光源４１は、連続光Ｌ１を出力する光源であって、例えばレーザダイオードである。連続光Ｌ１は、一定のレベルの連続光であって、第１波長を有する。第１波長は例えば１．５５μｍである。光源４１は、光ファイバＦ１を介して、ヘッド部２０の光変調器２５に連続光Ｌ１を出力する。

制御回路４２は、光変調器２５の動作点を制御（バイアス制御）するとともに、切替回路２３の切り替えを制御する回路である。具体的に説明すると、制御回路４２は、バイアス回路２８２にバイアス電圧Ｖｂを出力させるためのバイアス制御信号を生成する。制御回路４２は、受光素子４７によって検出される光強度の平均値が一定の値となるように、バイアス制御信号の電圧値を調整する。制御回路４２は、例えばコントローラ部４０が起動してからコントローラ部４０が停止するまでの間、光変調器２５のバイアス制御を連続的に行っている。バイアス制御信号は、例えば０〜１２Ｖの範囲の電圧値を有する。

制御回路４２は、切替信号Ｓｃをモード切替回路２８１に出力させるための切替制御信号を生成する。切替制御信号は、バイアス制御信号と識別可能な信号であればよい。バイアス制御信号は急峻な変動を有することはないので、切替制御信号は、例えば１０ｍｓｅｃ以下のパルス信号としてもよい。切替制御信号の電圧値は、バイアス制御信号の最大電圧値と同程度であって、例えば１２Ｖ程度としてもよい。また、誤動作防止のため、パルス信号の立ち下がりエッジから所定の時間（例えば、５０ｍｓｅｃ以下）に同様のパルス信号を送信してもよい。この例では、テストモードから測定モードに切り替えるための切替制御信号及び測定モードからテストモードに切り替えるための切替制御信号は同じであるが、異なっていてもよい。

制御回路４２は、第２伝送部２２によって伝送された検出信号Ｓａを変換した変調光Ｌ２に基づいて、第２伝送部２２から第１伝送部２１に切替回路２３を切り替えるための切替制御信号を含む制御信号光Ｌ３を光源４３に出力させる。具体的に説明すると、制御回路４２は、テストモード動作時において、受光素子４７から出力されるモニタ信号Ｓｍｏｎの電圧値が予め設定された電圧値よりも小さいと判断した場合、テストモードから測定モードに切り替えるための切替制御信号を生成する。予め設定された電圧値は、アンプ１５の絶対最大定格入力電力に応じて定められ、アンプ１５の破損が生じない程度の値である。なお、テストモードではアンプ１５が使用されないので、テストモードのモニタ信号Ｓｍｏｎの電力は測定モードにおけるモニタ信号Ｓｍｏｎの電力よりも２０〜４０ｄＢ程度減衰するが、制御回路４２は、モニタ信号Ｓｍｏｎによって過大入力を検出できる。また、制御回路４２は、電界計測装置１がいずれの動作モードで動作しているのかを不図示の記憶回路に記憶している。

制御回路４２は、バイアス制御信号と切替制御信号とを重畳した重畳信号を生成し、重畳信号を駆動信号Ｓｄとして光源４３に出力する。つまり、制御回路４２は、変調光Ｌ２に基づいて光源４３に制御信号光Ｌ３を出力させる。また、制御回路４２は、光源４１を駆動する。

図２を用いて、制御回路４２による重畳信号の生成方法の一例を説明する。図２の（ａ）はモード切替指示信号の一例を示す図、図２の（ｂ）は切替制御信号の一例を示す図、図２の（ｃ）は割込信号の一例を示す図、図２の（ｄ）はバイアス制御信号の一例を示す図、図２の（ｅ）は重畳信号の一例を示す図である。図２の（ａ）〜（ｅ）において、縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示している。

図２の（ａ）に示されるように、制御回路４２は、例えば、測定者によって動作モードの切り替えを指示する操作などによって、動作モードの切り替え指示がなされたタイミングｔ１，ｔ２において、例えば１０μｓｅｃ程度の微分出力を生成し、ロジック回路によってパルス幅Δｔのモード切替指示信号を生成する。そして、図２の（ｂ）に示されるように、制御回路４２は、例えばインバータ回路及び微分（ＣＲ）回路によって、モード切替指示信号よりも１パルスΔｔ分遅れたパルス幅Δｔの切替制御信号を生成する。図２の（ｃ）に示されるように、制御回路４２は、例えば、モード切替指示信号の立ち上がりでセットし、切替制御信号の立ち下がりでリセットするラッチ回路により、割込信号を生成する。割込信号は、タイミングｔ１，ｔ２から２パルス２×Δｔ分の期間、ハイレベルを維持している。

図２の（ｄ）に示されるように、制御回路４２は、コントローラ部４０が起動してからコントローラ部４０が停止するまでの間、バイアス制御信号を連続的に出力している。制御回路４２は、受光素子４７によって検出される光強度が一定値となるようにバイアス制御信号の電圧値を調整している。図２の（ｅ）に示されるように、制御回路４２は、割込信号がハイレベルの期間、バイアス制御信号の出力をオフにし、そこに切替制御信号を重畳して重畳信号を生成する。

この重畳信号によれば、切替制御信号は、割込信号によってバイアス制御信号の出力がオフとされている期間に出力されるので、バイアス制御信号の電圧値が上限または下限付近の場合であっても、バイアス制御信号と切替制御信号とが識別可能である。

図１に戻って、電界計測装置１の説明を続ける。

光源４３は、制御信号光Ｌ３を出力する光源であって、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）である。制御信号光Ｌ３は、連続光Ｌ１の第１波長と異なる波長の第２波長を有する。第２波長は例えば１．３１μｍである。光源４３は、制御回路４２によって出力される駆動信号Ｓｄに応じて制御信号光Ｌ３を生成し、光合分波器４４及び光ファイバＦ２を介して制御信号光Ｌ３をヘッド部２０に出力する。なお、変調光Ｌ２への影響を少なくするために、制御信号光Ｌ３の光強度は、変調光Ｌ２の光強度の１００分の１程度に設定されてもよい。

光合分波器４４は、互いに異なる波長を有する光を合波、または、互いに異なる波長を有する光に分波する光学素子であって、例えばＷＤＭカプラである。光合分波器４４は、光源４３によって出力される制御信号光Ｌ３を入力して、制御信号光Ｌ３を光ファイバＦ２に出力し、光ファイバＦ２から出力される変調光Ｌ２を入力して、変調光Ｌ２を光分岐器４５に出力する。

光分岐器４５は、所定の波長の光を一定の比率で分岐するデバイスであって、例えば分岐カプラである。光分岐器４５は、光合分波器４４によって出力される変調光Ｌ２を入力し、変調光Ｌ２を信号光Ｌ２１と信号光Ｌ２２とに分岐する。光分岐器４５は、信号光Ｌ２１を受光素子４６に出力し、信号光Ｌ２２を受光素子４７に出力する。

受光素子４６は、光信号を電気信号に変換するためのデバイスであって、例えばフォトダイオードである。受光素子４６は、光分岐器４５によって出力される信号光Ｌ２１を電気信号に変換し、変換した電気信号をアンプ（不図示）を介して測定信号Ｓｍとして外部の測定器６０に出力する。

受光素子４７は、光信号を電気信号に変換するためのデバイスであって、例えばフォトダイオードである。受光素子４７は、光分岐器４５によって出力される信号光Ｌ２２を電気信号に変換し、変換した電気信号をモニタ信号Ｓｍｏｎとして制御回路４２及びローパスフィルタ４８に出力する。

ローパスフィルタ４８は、所定の周波数以下の電気信号を透過するデバイスである。ローパスフィルタ４８は、受光素子４７によって出力されるモニタ信号Ｓｍｏｎの高周波成分を除去して制御回路４２に出力する。すなわち、受光素子４７から出力されるモニタ信号Ｓｍｏｎは分岐され、一方はローパスフィルタ４８を介してバイアス制御に用いられ、他方は測定モードへの切替判定に用いられる。

光ファイバＦ１は、コントローラ部４０の光源４１とヘッド部２０の光変調器２５とを接続する光ファイバであって、例えば偏波保持ファイバ（Polarization Maintaining Fiber：ＰＭＦ）である。光ファイバＦ１は、コントローラ部４０からヘッド部２０に連続光Ｌ１を伝送する。光ファイバＦ２は、ヘッド部２０の光合分波器２６とコントローラ部４０の光合分波器４４とを接続する光ファイバであって、例えばシングルモードファイバ（Single Mode Fiber：ＳＭＦ）である。光ファイバＦ２は、ヘッド部２０からコントローラ部４０に変調光Ｌ２を伝送するとともに、コントローラ部４０からヘッド部２０に制御信号光Ｌ３を伝送する。

次に、電界計測装置１を用いた電磁波の測定方法を、電界計測装置１の動作とともに説明する。まず、測定開始前の電界計測装置１の動作を説明する。測定開始前においては、切替回路２３は、予めテストモードに設定されている。すなわち、スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１３に接続し、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４を介して接地電位に接続している。

また、制御回路４２は、光源４１を制御して連続光Ｌ１を出力させている。この連続光Ｌ１は、光ファイバＦ１を介して光変調器２５に入力している。そして、光変調器２５は、バイアス回路２８２によって供給されたバイアス電圧Ｖｂに応じて連続光Ｌ１を変調し、変調した連続光Ｌ１を変調光Ｌ２として出力する。変調光Ｌ２は、光合分波器２６及び光ファイバＦ２を介して、コントローラ部４０に入力する。

コントローラ部４０に入力した変調光Ｌ２は、光合分波器４４を介して光分岐器４５に入力する。そして、光分岐器４５は、変調光Ｌ２を信号光Ｌ２１と信号光Ｌ２２とに分岐して、信号光Ｌ２１を受光素子４６に出力し、信号光Ｌ２２を受光素子４７に出力する。受光素子４７は、信号光Ｌ２２を電気信号に変換し、電気信号をモニタ信号Ｓｍｏｎとしてローパスフィルタ４８を介して制御回路４２に出力する。制御回路４２は、受光素子４７によって受光された信号光Ｌ２２の光強度の最大値と最小値との中点となるように、バイアス制御信号を生成する。そして、制御回路４２は、バイアス制御信号を駆動信号Ｓｄとして光源４３に出力する。

光源４３は、駆動信号Ｓｄに応じて制御信号光Ｌ３を出力する。制御信号光Ｌ３は、光合分波器４４、光ファイバＦ２及び光合分波器２６を介して受光素子２７に入力する。受光素子２７は、制御信号光Ｌ３に含まれる光信号を制御信号Ｓｐｄに変換し、制御信号Ｓｐｄを信号出力回路２８に出力する。そして、信号出力回路２８において、バイアス回路２８２は、制御信号Ｓｐｄからバイアス信号を抽出し、バイアス信号に応じてバイアス電圧Ｖｂを光変調器２５に供給する。このようにして、変調光Ｌ２の光出力の強度が最大値と最小値との中点となるように、バイアス電圧Ｖｂが調整される。この光変調器２５のバイアス制御は、コントローラ部４０が起動してからコントローラ部４０が停止するまでの間、連続的に行われている。

続いて、測定時の電界計測装置１の動作を説明する。測定者は不図示の入力部を用いて、被測定装置の電磁波の測定を開始するための指示をコントローラ部４０に出力する。この指示に応じて、コントローラ部４０は、テストモードで電界計測装置１を動作させ、被測定装置から放射される電磁波の電界強度に応じた検出信号Ｓａの電力レベルを確認する。テストモードでは、例えば通常の測定モードと同じ条件で電界計測装置１を動作させ、アンテナ１０を一通り動かして検出信号Ｓａを取得する。アンテナ１０によって検出された検出信号Ｓａは、第２伝送部２２によって伝送され、伝送線路１４を介して変調信号Ｓｍｄとして光変調器２５に供給される。光変調器２５は、第２伝送部２２によって伝送された変調信号Ｓｍｄで連続光Ｌ１を変調し、変調光Ｌ２を光合分波器２６及び光ファイバＦ２を介してコントローラ部４０に出力する。すなわち、テストモードでは、アンプ１５を介さずに第２伝送部２２から検出信号Ｓａが光変調器２５に供給されて、変調光Ｌ２が出力される。

コントローラ部４０に入力した変調光Ｌ２は、光合分波器４４を介して光分岐器４５に入力する。そして、光分岐器４５は、変調光Ｌ２を信号光Ｌ２１と信号光Ｌ２２とに分岐して、信号光Ｌ２１を受光素子４６に出力し、信号光Ｌ２２を受光素子４７に出力する。そして、受光素子４７は、信号光Ｌ２２をモニタ信号Ｓｍｏｎに変換し、変換したモニタ信号Ｓｍｏｎを制御回路４２に出力する。制御回路４２は、テストモードの期間中、モニタ信号Ｓｍｏｎの電圧値が予め設定された電圧値より小さいか否かを判定する。そして、テストモードの期間中に、モニタ信号Ｓｍｏｎの電圧値が予め設定された電圧値以上と判定された場合、コントローラ部４０は、被測定装置の電磁波の測定を終了する。このとき、コントローラ部４０は、被測定装置の電磁波の電界強度が大きいので、測定を終了する旨を測定器６０に出力させてもよい。

一方、テストモードの期間中に亘ってモニタ信号Ｓｍｏｎの電圧値が予め設定された電圧値より小さいと判定された場合、制御回路４２は、テストモードから測定モードに切り替えるための駆動信号Ｓｄを光源４３に出力する。具体的には、制御回路４２は、テストモードから測定モードに切り替えるための切替制御信号をバイアス制御信号に重畳させた重畳信号を生成し、重畳信号を含む駆動信号Ｓｄを光源４３に出力する。そして、光源４３は、駆動信号Ｓｄに応じて制御信号光Ｌ３を出力する。制御信号光Ｌ３は、光合分波器４４、光ファイバＦ２及び光合分波器２６を介して受光素子２７に入力する。

続いて、受光素子２７は、制御信号光Ｌ３に含まれる光信号を制御信号Ｓｐｄに変換し、制御信号Ｓｐｄを信号出力回路２８に出力する。そして、信号出力回路２８において、モード切替回路２８１は、制御信号Ｓｐｄから切替信号Ｓｃのための信号を抽出し、切替信号Ｓｃを切替回路２３に出力する。切替回路２３は、切替信号Ｓｃを受信して、テストモードから測定モードに切り替える。すなわち、スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１３から伝送線路１２に切り替えて接続し、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４から伝送線路１２に切り替えて接続する。一方、バイアス回路２８２は、制御信号Ｓｐｄからバイアス信号を抽出し、バイアス信号に応じてバイアス電圧Ｖｂを光変調器２５に供給する。

測定モードでは、アンテナ１０によって検出された検出信号Ｓａは、第１伝送部２１によって伝送され、伝送線路１４を介して変調信号Ｓｍｄとして光変調器２５に供給される。すなわち、検出信号Ｓａはアンプ１５によって増幅され、増幅された検出信号Ｓａは変調信号Ｓｍｄとして光変調器２５に供給される。そして、光変調器２５は、第１伝送部２１によって伝送された変調信号Ｓｍｄで連続光Ｌ１を変調し、変調光Ｌ２を光合分波器２６及び光ファイバＦ２を介してコントローラ部４０に出力する。

コントローラ部４０に入力した変調光Ｌ２は、光合分波器４４を介して光分岐器４５に入力する。そして、光分岐器４５は、変調光Ｌ２を信号光Ｌ２１と信号光Ｌ２２とに分岐して、信号光Ｌ２１を受光素子４６に出力し、信号光Ｌ２２を受光素子４７に出力する。そして、受光素子４６は、信号光Ｌ２１を測定信号Ｓｍに変換し、変換した測定信号Ｓｍを測定器６０に出力する。そして、測定器６０は、測定信号Ｓｍに基づいて電磁波の強度等を測定する。信号光Ｌ２２に基づく処理については、上述のとおりであるので、ここでは説明を省略する。

測定モードにおける一連の測定が終了すると、制御回路４２は、測定モードからテストモードに切り替えるための駆動信号Ｓｄを光源４３に出力する。具体的には、制御回路４２は、測定モードからテストモードに切り替えるための切替制御信号をバイアス制御信号に重畳させた重畳信号を生成し、重畳信号を含む駆動信号Ｓｄを光源４３に出力する。そして、光源４３は、駆動信号Ｓｄに応じて制御信号光Ｌ３を出力する。制御信号光Ｌ３は、光合分波器４４、光ファイバＦ２及び光合分波器２６を介して受光素子２７に入力する。

続いて、受光素子２７は、制御信号光Ｌ３に含まれる光信号を制御信号Ｓｐｄに変換し、制御信号Ｓｐｄを信号出力回路２８に出力する。そして、信号出力回路２８において、モード切替回路２８１は、制御信号Ｓｐｄから切替信号Ｓｃのための信号を抽出し、切替信号Ｓｃを切替回路２３に出力する。切替回路２３は、切替信号Ｓｃを受信して、測定モードからテストモードに切り替える。すなわち、スイッチ２３１は、伝送線路１１を伝送線路１２から伝送線路１３に切り替えて接続し、スイッチ２３２は、アンプ１５の入力端子を伝送線路１２から抵抗器２４に切り替えて接続する。そして、被測定装置の電磁波の測定を終了する。

以上のように、電界計測装置１は、テストモードと測定モードとを切り替えて動作可能である。電界計測装置１では、伝送線路１２及びアンプ１５を有する第１伝送部２１と、伝送線路１３を有する第２伝送部２２と、が設けられており、第２伝送部２２の絶対最大定格入力電力は、第１伝送部２１の絶対最大定格入力電力よりも大きい。そして、テストモードでは第２伝送部２２によって検出信号Ｓａが伝送され、測定モードでは第１伝送部２１によって検出信号Ｓａが伝送される。このため、テストモードでは、アンプ１５を使用することなく、検出信号Ｓａの電力レベルを判断することが可能となる。したがって、被測定装置から出力される電磁波の電界強度の大きさが不明である場合には、電界計測装置１をテストモードで動作させ、第２伝送部２２によって検出信号Ｓａを伝送させることにより、アンプ１５を使用することなく、測定モードで動作させるか否かを判断することができる。その結果、過入力によるアンプ１５の破損を防止することが可能となる。

電磁波の電界強度の測定中においては、測定者がヘッド部２０を直接触ってヘッド部２０の切替回路２３の設定を変更することはできない。しかし、電界計測装置１では、コントローラ部４０は、切替制御信号を含む制御信号光Ｌ３を出力し、モード切替回路２８１は、制御信号光Ｌ３を変換した制御信号Ｓｐｄに基づいて、切替回路２３に第１伝送部２１と第２伝送部２２とを切り替えて検出信号Ｓａを伝送させている。このため、測定者が直接触れることなく、コントローラ部４０からの遠隔操作によって第１伝送部２１と第２伝送部２２との切替が可能となる。

電界計測装置１では、コントローラ部４０は、切替制御信号とバイアス制御信号とを重畳させた重畳信号を生成し、重畳信号を光に変換した制御信号光Ｌ３を光ファイバＦ２を介してヘッド部２０に出力している。このため、光ファイバ配線の増加を抑えながら、切替回路２３の切り替えと光変調器２５の動作点の調整とをコントローラ部４０から制御することが可能となる。その結果、光ファイバの増設によるノイズの影響を抑制できる。

電界計測装置１では、アンプ１５を使用しない場合には、スイッチ２３２によってアンプ１５の入力端子を抵抗器２４を介して接地電位に接続している。また、スイッチ２３２を用いて切り替えるので、アンプ１５を使用しなくなった時に、即座にアンプ１５の入力端子を抵抗器２４に切り替えて接続することができる。このように、アンプ１５の不使用時に、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４に接続することによって、アンプ１５の入力端子が開放されることを防止できる。その結果、ノイズ及び静電気等の異常入力によるアンプ１５の破損を防止することが可能となる。

電界計測装置１では、第２伝送部２２によって伝送された検出信号Ｓａを変換した変調光Ｌ２に基づいて、制御回路４２が検出信号Ｓａの信号電力を判断する。そして、検出信号Ｓａの電力がアンプ１５の絶対最大定格入力電力よりも小さいと判断された場合に、第２伝送部２２から第１伝送部２１に切替回路２３を切り替えるための制御信号光Ｌ３を光源４３に出力させる。これにより、過入力によるアンプ１５の破損を防止するとともに、測定者がさらなる操作をすることなく電磁波の電界強度の測定を行うことが可能となる。

なお、電磁波は高速であるので、ヒューズ及びブレーカのような動作時間を要する保護機器ではアンプ１５は破損するおそれがある。また、これらの保護機器を用いることによって、検出信号Ｓａの伝送遅延が生じる可能性もある。さらに、保護機器を用いた場合、保護機器でのノイズ及び信号の減衰が発生するおそれがある。これに対し、電界計測装置１では、切替回路２３として高周波信号に対応したＲＦスイッチを用いることによって、信号の減衰を低減できる。

また、ヘッド部２０は、アンテナ１０の近傍に設置する必要があるので、ヘッド部２０は小型化が望まれる。しかし、保護機器を設けた場合、専用の基板が必要となり小型化が実現しにくい。これに対し、電界計測装置１では、切替回路２３を用いることにより、ヘッド部２０のサイズの増大及びノイズの影響を抑えつつ、アンプ１５の保護に有効な構成とすることができる。

なお、本発明に係る光伝送装置は上記実施形態に限定されない。例えば、光伝送装置は、電界計測装置１に限られず、電気的に検出される高速の過渡現象のデータ伝送等に適用されてもよい。

また、上記実施形態では、第１伝送部２１及び第２伝送部２２の許容入力として絶対最大定格入力電力を用いているが、第１伝送部２１及び第２伝送部２２が破壊されることなく動作可能な限度を示す他の特性を用いてもよい。例えば、使用する素子によっては、絶対最大定格入力電力と、絶対最大定格入力電圧及び絶対最大定格入力電流が個別に設定されており、それらの特性と使用条件とによって、絶対最大定格入力電力ではなく、絶対最大定格入力電圧や、絶対最大定格入力電流が、当該伝送部の許容入力を限定する場合も有り得るので、許容入力として、どのような特性を用いるかは、第１伝送部２１及び第２伝送部２２の設計によって、適宜選択するとよい。

電界計測装置１の動作モードの切替えは、初期起動時に限らず任意の条件で発生する。このため、測定者は入力部を用いて、電界計測装置１の動作モードの切り替えを指示するためのモード切替指示信号をコントローラ部４０に出力してもよい。この場合、制御回路４２は、モード切替指示信号をコントローラ部４０が受信したことに応じて、切替制御信号が重畳された駆動信号Ｓｄを出力してもよい。

また、検出信号Ｓａの電力レベルが想定できる場合は、測定開始時におけるテストモードでの動作を省略できる。この場合、測定者は入力部を用いて、テストモードを省略する旨の指示をコントローラ部４０に出力してもよい。

また、制御回路４２は、被測定装置の電磁波の測定を開始するための指示をコントローラ部４０が受信したことに応じて、測定モードからテストモードに切り替えるための切替制御信号が重畳された駆動信号Ｓｄを出力してもよい。

また、上記実施形態では、制御回路４２は、受光素子４７から出力されるモニタ信号Ｓｍｏｎに基づいて、テストモードから測定モードに切り替えるか否かを判断しているが、受光素子４６から出力される測定信号Ｓｍに基づいて、テストモードから測定モードに切り替えるか否かを判断してもよい。

モード切替回路２８１は、スイッチ２３１及びスイッチ２３２に切替信号Ｓｃをそれぞれ出力してもよい。この場合、スイッチ２３１の切り替えとスイッチ２３２の切り替えとを独立して制御することができる。

例えば、測定モードからテストモードに切り替えられる際には、スイッチ２３１が伝送線路１１を伝送線路１２から伝送線路１３に切り替えて接続する前、または、スイッチ２３１が伝送線路１１を伝送線路１２から伝送線路１３に切り替えて接続すると同時に、スイッチ２３２はアンプ１５の入力端子を伝送線路１２から抵抗器２４に切り替えて接続してもよい。また、テストモードから測定モードに切り替えられる際には、スイッチ２３１が伝送線路１１を伝送線路１３から伝送線路１２に切り替えて接続すると同時、または、スイッチ２３１が伝送線路１１を伝送線路１３から伝送線路１２に切り替えて接続した後に、スイッチ２３２はアンプ１５の入力端子を抵抗器２４から伝送線路１２に切り替えて接続してもよい。これによって、アンプ１５の不使用時において、アンプ１５の入力端子を抵抗器２４に確実に接続することができ、異常入力によるアンプ１５の破損を防止することが可能となる。

また、切替回路２３は、スイッチ２３１及びスイッチ２３２に限られず、１つのスイッチで構成してもよい。

また、光変調器２５のバイアス制御は必須ではなく、バイアス回路２８２及び受光素子４７は省略され得る。

また、上記実施形態では、バッテリー２９はヘッド部２０の内部に設けられているが、ヘッド部２０の外部に設けられてもよい。

また、上記実施形態では、テストモードから測定モードへの切り替えを測定者が介することなく制御回路４２が自動で行っているが、これに限定されない。例えば、テストモード時に測定者が測定器６０の出力を確認して、入力部を介して手動でモード切替指示信号を制御回路４２に出力してもよい。

また、切替回路２３を使用することなく、各測定の前に測定者が手動で伝送線路１１を第２伝送部２２に接続することによって、電界計測装置１をテストモードとして動作させてもよい。また、テストモード時に測定者が測定器６０の出力を確認し、測定者が手動で伝送線路１１を第２伝送部２２から第１伝送部２１につなぎ替えることによって、電界計測装置１を測定モードとして動作させてもよい。

本実施形態によれば、過入力によるアンプの破損を防止可能な光伝送装置を提供できる。

１…電界計測装置（光伝送装置）、１１…伝送線路（入力線路）、１２…伝送線路（第１伝送線路）、１３…伝送線路（第２伝送線路）、１５…アンプ（増幅器）、２０…ヘッド部、２１…第１伝送部、２２…第２伝送部、２３…切替回路、２４…抵抗器（保護抵抗回路）、２５…光変調器、２７…受光素子（第１受光素子）、４０…コントローラ部、４２…制御回路、４３…光源、２３１…スイッチ（第１スイッチ）、２３２…スイッチ（第２スイッチ）、２８１…モード切替回路（切替指示回路）、２８２…バイアス回路、Ｌ２…変調光、Ｌ３…制御信号光、Ｓａ…検出信号、Ｓｃ…切替信号、Ｓｄ…駆動信号、Ｓｍ…測定信号、Ｓｐｄ…制御信号、Ｖｂ…バイアス電圧。

Claims (5)

1. 検出された電磁波の電界強度に応じた検出信号に基づいて、変調光を出力するヘッド部と、
   前記変調光に基づいて、前記電磁波の電界強度を示す測定信号を出力するコントローラ部と、
   を備え、
   前記ヘッド部は、
   前記検出信号を伝送するための第１伝送線路及び前記検出信号を増幅するための増幅器を有する第１伝送部と、
   前記検出信号を伝送するための第２伝送線路を有する第２伝送部と、
   前記第１伝送部または前記第２伝送部によって伝送された前記検出信号を変換して前記変調光を出力する光変調器と、
   を備え、
   前記第２伝送部の許容入力は、前記第１伝送部の許容入力よりも大きいことを特徴とする光伝送装置。
2. 前記コントローラ部は、前記第１伝送部と前記第２伝送部との切り替えを制御するための切替制御信号を含む駆動信号に応じて制御信号光を出力する光源を備え、
   前記ヘッド部は、
   前記制御信号光を制御信号に変換する第１受光素子と、
   前記制御信号に基づいて切替信号を出力する切替指示回路と、
   前記切替信号に基づいて前記第１伝送部と前記第２伝送部とを切り替えて前記検出信号を伝送させる切替回路と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光伝送装置。
3. 前記ヘッド部は、前記光変調器の動作点を調整するためのバイアス電圧を前記光変調器に供給するバイアス回路をさらに備え、
   前記駆動信号は、前記バイアス電圧を前記バイアス回路に供給させるためのバイアス制御信号をさらに含み、
   前記バイアス回路は、前記制御信号に基づいて前記バイアス電圧を前記光変調器に供給することを特徴とする請求項２に記載の光伝送装置。
4. 前記切替回路は、
   前記検出信号が入力する入力線路を前記第１伝送線路及び前記第２伝送線路のいずれかに切り替えて接続する第１スイッチと、
   前記増幅器の入力端子を保護抵抗回路及び前記第１伝送線路のいずれかに切り替えて接続する第２スイッチと、
   を備え、
   前記第１スイッチが前記第１伝送線路から前記第２伝送線路に切り替える前または切り替えると同時に、前記第２スイッチは前記第１伝送線路から前記保護抵抗回路に切り替えることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光伝送装置。
5. 前記コントローラ部は、前記変調光に基づいて前記駆動信号を出力する制御回路を備え、
   前記制御回路は、前記第２伝送部によって伝送された前記検出信号を変換した前記変調光に基づいて、前記第２伝送部から前記第１伝送部に前記切替回路を切り替えるための前記制御信号光を前記光源に出力させることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか一項に記載の光伝送装置。

Images