JP2014165438A - Substrate position correction method, substrate position correction device, and substrate processing system - Google Patents

Substrate position correction method, substrate position correction device, and substrate processing system Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate position correction method capable of correcting a position of a substrate into a regular position in a container.SOLUTION: A MAC (Multi Application Carrier) 11 has: grooves 11e with which end parts of wafers W engage, respectively; and a lid 11b with grooves which engage with end parts of the wafers W, respectively. The grooves 11e and the grooves formed on the lid 11b regulate positions of the wafers W by the engagement when attaching the lid 11b to a main body 11a. The MAC 11 is placed on a placement part 18 of a load port 16 and a bottom part of the main body 11a of the MAC 11 is engaged with a plurality of pins 23. The lid 11b is engaged with an inner lid 20 of the load port 16. Then, the lid 11b is removed from a port 19 together with the inner lid 20, by a lid opening mechanism 21. Here, the respective pins 23 apply ultrasonic vibration to the main body 11a of the MAC 11 before confirmation of positions of the respective wafers W by a mapping sensor 22 and before taking out the respective wafers W by a carrier arm of a loader module 12.

Description

本発明は、複数の基板を収容する容器における基板位置修正方法、当該容器に収容された基板の位置を修正する基板位置修正装置及び基板処理システムに関する。   The present invention relates to a substrate position correcting method in a container that accommodates a plurality of substrates, a substrate position correcting device that corrects the position of a substrate accommodated in the container, and a substrate processing system.

直径が300mmの半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)は半導体デバイスの製造過程において筐体状の容器に収容されて移動、搬送されている。例えば、ウエハ製造会社から半導体デバイス製造会社への移動にはFOSB(Front Opening Shipping Box)と呼ばれる容器が用いられ、半導体デバイス製造会社内での搬送(例えば、クリーンルーム内での装置間の搬送)にはFOUP(Front Opening Unified Pod)と呼ばれる容器が用いられる。   A semiconductor wafer having a diameter of 300 mm (hereinafter simply referred to as “wafer”) is moved and transported while being accommodated in a casing-like container in the process of manufacturing a semiconductor device. For example, a container called a FOSB (Front Opening Shipping Box) is used to move from a wafer manufacturing company to a semiconductor device manufacturing company for transport within the semiconductor device manufacturing company (for example, transport between devices in a clean room). A container called FOUP (Front Opening Unified Pod) is used.

FOSB及びFOUPのいずれも複数のウエハを収容するが、一面が除去されて開口部が形成された筐体状の本体と、蓋開口部を塞ぐ蓋とによって構成される。また、FOSB及びFOUPは本体の内側面や蓋の内面に複数の棚状突起からなるウエハ保持部を有し、各ウエハの端部を各棚状突起が形成する溝へ係合させることによって各ウエハを保持する。ウエハ製造会社からFOSBに収容されて移動した各ウエハは、半導体デバイス製造会社においてFOUPへ移し替えられる。   Each of FOSB and FOUP accommodates a plurality of wafers, and is constituted by a casing-like main body from which one side is removed and an opening is formed, and a lid that closes the lid opening. Further, the FOSB and FOUP have a wafer holding portion made up of a plurality of shelf-like projections on the inner side surface of the main body and the inner surface of the lid, and each end of each wafer is engaged with a groove formed by each shelf-like projection. Hold the wafer. Each wafer accommodated and moved in the FOSB from the wafer manufacturing company is transferred to the FOUP in the semiconductor device manufacturing company.

一方、次世代のウエハである直径が450mmのウエハに関し、当該ウエハを用いるための様々な規格が決定されているが、ウエハを収容する容器もFOSBやFOUPだけではなく、MAC(Multi Application Carrier)と呼ばれる容器も用いられることが決定されている(例えば、非特許文献1参照)。   On the other hand, various standards for using a wafer of a diameter of 450 mm, which is the next generation wafer, have been determined, but the container for storing the wafer is not limited to FOSB and FOUP, but also MAC (Multi Application Carrier) It has been decided that a container called "" is also used (for example, see Non-Patent Document 1).

図7は、MACの構成を概略的に示す図であり、図7(A)は本体の斜視図であり、図7(B)は蓋の斜視図であり、図7(C)は断面図である。なお、説明のために、図7(B)において、蓋11bは通常本体側を向く面が手前を向くように描画されている。   7 is a diagram schematically showing the structure of the MAC, FIG. 7A is a perspective view of the main body, FIG. 7B is a perspective view of the lid, and FIG. 7C is a cross-sectional view. It is. For the sake of explanation, in FIG. 7 (B), the lid 11b is usually drawn so that the surface facing the main body side faces the front.

図7(A)乃至図7(C)において、MAC11も、FOSBやFOUPと同様に、一側面が除去されて開口部が形成された筐体状の本体11aと、蓋開口部を塞ぐ蓋11bとによって構成され、本体11a及び蓋11bはそれぞれ複数の溝11e、11fが形成されたウエハ保持部11c、11dを有するが、スループットの向上を目的としてウエハ製造会社から半導体デバイス製造会社への移動及び半導体デバイス製造会社内での搬送のいずれにも用いられる。   7A to 7C, the MAC 11 also has a casing-like main body 11a from which one side is removed and an opening is formed, and a lid 11b that closes the lid opening, as in the case of FOSB and FOUP. The main body 11a and the lid 11b have wafer holding portions 11c and 11d in which a plurality of grooves 11e and 11f are formed, respectively, but for the purpose of improving throughput, the movement from the wafer manufacturing company to the semiconductor device manufacturing company and Used for any transfer within a semiconductor device manufacturer.

また、MACでは、移動や搬送によって収容された各ウエハWがずれないように、蓋11bが本体11aの開口部を塞ぐ際、蓋11bは本体11aへ向けてレバーやばね(いずれも図示しない)によって付勢される(図7(C))。これにより、端部がウエハ保持部11c、11dの各溝11e、11fへ係合する各ウエハWは、各溝11e、11fにおける横倒しされたV字状の底(以下、単に「底」という。)11gへ押圧され、各底11gから受ける反作用力によって位置が固定される(図8(A))。   Also, in the MAC, when the lid 11b closes the opening of the main body 11a so that the wafers W accommodated by movement and transfer are not displaced, the lid 11b is directed toward the main body 11a by a lever or a spring (none of which is shown). (FIG. 7C). Thus, each wafer W whose end is engaged with each of the grooves 11e and 11f of the wafer holding portions 11c and 11d is a V-shaped bottom (hereinafter simply referred to as “bottom”) that is laid down in each of the grooves 11e and 11f. ) Is pressed to 11g, and the position is fixed by the reaction force received from each bottom 11g (FIG. 8 (A)).

各ウエハWへ所定の処理を施す際には、基板処理システムへMACを装着し、該MACの蓋11bを取り除いて収容された各ウエハWを取り出す。   When a predetermined process is performed on each wafer W, the MAC is mounted on the substrate processing system, and the accommodated wafer W is taken out by removing the lid 11b of the MAC.

図8(A)に示す状態でMACの蓋11bを取り除くと、ウエハ保持部11cの各溝11eにおいてウエハWの底11gへの押圧が解除され、ウエハWは底11gの斜面に沿ってずり下がり、該ウエハWの端部が溝11eの平坦部へ係合する(図8(B))。溝11eの平坦部は、通常、水平に形成されるため、ウエハWも本体11aの内部において水平に保持される。   When the MAC lid 11b is removed in the state shown in FIG. 8A, the pressure on the bottom 11g of the wafer W is released in each groove 11e of the wafer holding portion 11c, and the wafer W slides down along the slope of the bottom 11g. The end portion of the wafer W engages with the flat portion of the groove 11e (FIG. 8B). Since the flat portion of the groove 11e is normally formed horizontally, the wafer W is also held horizontally inside the main body 11a.

“Japan Update: SEMI Standards Technical Education Program (STEP) on 450 mm Wafer at SEMICON Japan 2012”、Hirofumi Kanno、SEMI Japan、[平成25年1月23日検索]、インターネット(URL: http://www.semi.org/jp/node/17061)“Japan Update: SEMI Standards Technical Education Program (STEP) on 450 mm Wafer at SEMICON Japan 2012”, Hirofumi Kanno, SEMI Japan, [Search January 23, 2013], Internet (URL: http: //www.semi .org / jp / node / 17061)

しかしながら、MACの蓋11bを取り除いた際、ウエハWが円滑にずり下がらず、ウエハWの端部が底11gの斜面に引っかかることがある(図8(C))。この場合、ウエハWが本体11aの内部において傾斜するが、ウエハWが傾斜すると、本体11aの開口部におけるウエハWの端部の位置が正規の位置からずれるため、開口部においてウエハWの数をカウントするマッピングセンサによってウエハWの正確な数をカウントするのが困難である。また、本体11aから搬送アームによってウエハWを取り出す際に、該搬送アームとウエハWが干渉するおそれがある。   However, when the MAC lid 11b is removed, the wafer W may not slide down smoothly, and the end of the wafer W may be caught on the slope of the bottom 11g (FIG. 8C). In this case, the wafer W is inclined inside the main body 11a. However, when the wafer W is inclined, the position of the end of the wafer W in the opening of the main body 11a is shifted from the normal position. It is difficult to count the exact number of wafers W by the mapping sensor that counts. Further, when the wafer W is taken out from the main body 11a by the transfer arm, the transfer arm and the wafer W may interfere with each other.

本発明の目的は、容器において基板の位置を正規の位置へ修正することができる基板位置修正方法、基板位置修正装置及び基板処理システムを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate position correcting method, a substrate position correcting apparatus, and a substrate processing system capable of correcting a position of a substrate in a container to a normal position.

上記目的を達成するために、請求項1記載の基板位置修正方法は、複数の基板を収容する容器であって、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを備え、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制する容器における基板位置修正方法であって、前記蓋を取り除く除去ステップと、前記蓋が取り除かれた前記本体へ振動を付与する振動付与ステップとを有することを特徴とする。   To achieve the above object, a substrate position correcting method according to claim 1 is a container for accommodating a plurality of substrates, a main body formed in a housing shape and provided with an opening on one side surface, and A cover for covering the opening of the main body, and provided with a substrate holding portion in which a plurality of grooves are formed on at least a part of the inner surface of the main body, and the end portions of the substrates are engaged with the grooves, When the lid is attached to the main body, the lid and each groove is a substrate position correcting method in a container that regulates the position of each substrate, the removing step of removing the lid, and the lid being removed And a vibration applying step for applying vibration to the main body.

請求項2記載の基板位置修正方法は、請求項1記載の基板位置修正方法において、前記振動付与ステップは、前記本体から各前記基板が取り出される前に実行されることを特徴とする。   The substrate position correcting method according to a second aspect is the substrate position correcting method according to the first aspect, wherein the vibration applying step is executed before each substrate is taken out from the main body.

請求項3記載の基板位置修正方法は、請求項1又は2記載の基板位置修正方法において、前記振動付与ステップは、前記本体において各前記基板の位置の確認前に実行されることを特徴とする。   The substrate position correcting method according to claim 3 is the substrate position correcting method according to claim 1 or 2, wherein the vibration applying step is executed in the main body before confirming the position of each substrate. .

請求項4記載の基板位置修正方法は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板位置修正方法において、前記振動付与ステップでは、前記本体へ超音波振動が付与されることを特徴とする。   The substrate position correcting method according to claim 4 is the substrate position correcting method according to any one of claims 1 to 3, wherein in the vibration applying step, ultrasonic vibration is applied to the main body. To do.

請求項5記載の基板位置修正方法は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板位置修正方法において、前記振動付与ステップでは、前記本体の内部へガスが導入されることを特徴とする。   The substrate position correcting method according to claim 5 is the substrate position correcting method according to any one of claims 1 to 4, wherein gas is introduced into the main body in the vibration applying step. To do.

請求項6記載の基板位置修正方法は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板位置修正方法において、前記基板は直径が450mmの半導体ウエハであることを特徴とする。   A substrate position correcting method according to a sixth aspect is the substrate position correcting method according to any one of the first to fifth aspects, wherein the substrate is a semiconductor wafer having a diameter of 450 mm.

上記目的を達成するために、請求項7記載の基板位置修正装置は、複数の基板を収容する容器であって、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを有し、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制する容器において各前記基板の位置を修正する基板位置修正装置であって、前記蓋を取り除いた後に、前記本体へ振動を付与することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a substrate position correcting apparatus according to claim 7 is a container for storing a plurality of substrates, and a main body formed in a housing shape and provided with an opening on one side surface; A substrate holding portion having a cover for covering the opening of the main body, and having a plurality of grooves formed on at least a part of the inner surface of the main body, and an end portion of each substrate is engaged with each groove. When the lid is attached to the body, the lid and each groove is a substrate position correcting device that corrects the position of each substrate in a container that regulates the position of each substrate, and after the lid is removed The vibration is applied to the main body.

請求項8記載の基板位置修正装置は、請求項7記載の基板位置修正装置において、前記本体へ超音波振動を付与することを特徴とする。   The substrate position correcting apparatus according to an eighth aspect is the substrate position correcting apparatus according to the seventh aspect, wherein ultrasonic vibration is applied to the main body.

請求項9記載の基板位置修正装置は、請求項7又は8記載の基板位置修正装置において、前記容器を載置する載置部を備え、該載置部に前記容器へ振動を付与する振動付与機構が設けられていることを特徴とする。   The substrate position correcting device according to claim 9 is the substrate position correcting device according to claim 7 or 8, further comprising: a mounting portion on which the container is mounted, and vibration application to the mounting portion that imparts vibration to the container. A mechanism is provided.

請求項10記載の基板位置修正装置は、請求項7乃至9のいずれか1項に記載の基板位置修正装置において、前記載置部に前記本体の内部へガスを導入するガス導入機構が設けられていることを特徴とする。   The substrate position correcting apparatus according to claim 10 is the substrate position correcting apparatus according to any one of claims 7 to 9, wherein a gas introduction mechanism for introducing gas into the inside of the main body is provided in the mounting portion. It is characterized by.

請求項11記載の基板位置修正装置は、請求項7乃至10のいずれか1項に記載の基板位置修正装置において、前記基板は直径が450mmの半導体ウエハであることを特徴とする。   The substrate position correcting apparatus according to claim 11 is the substrate position correcting apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein the substrate is a semiconductor wafer having a diameter of 450 mm.

上記目的を達成するために、請求項12記載の基板処理システムは、複数の基板が収容される容器が装着されて該容器から各前記基板を搬出する基板搬出装置と、各前記基板に所定の処理を施す基板処理装置とを少なくとも備える基板処理システムにおいて、前記容器は、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを有し、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制し、前記基板搬出装置は、前記蓋を取り除いた後に、前記本体へ振動を付与することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a substrate processing system according to a twelfth aspect of the present invention is provided with a substrate unloading device for loading a substrate in which a plurality of substrates are accommodated and unloading each substrate from the container, and a predetermined amount for each substrate. In a substrate processing system including at least a substrate processing apparatus for performing processing, the container includes a main body formed in a casing shape and provided with an opening on one side surface, and a lid that covers the opening of the main body. A substrate holding portion having a plurality of grooves formed on at least a part of the inner side surface of the main body, and when the end of each substrate is engaged with each groove and the lid is attached to the main body, The lid and each groove regulate the position of each substrate, and the substrate carry-out device applies vibration to the main body after removing the lid.

本発明によれば、基板の位置を規制する蓋が取り除かれた本体へ振動が付与されるので、振動によって基板を移動させて基板の端部の溝の底への引っかかりを解消することができ、もって、容器において基板の位置を正規の位置へ修正することができる。   According to the present invention, vibration is applied to the main body from which the lid for regulating the position of the substrate is removed, so that the substrate can be moved by vibration to eliminate the catch on the bottom of the groove at the end of the substrate. Thus, the position of the substrate in the container can be corrected to a normal position.

本発明の実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す図であり、図1(A)は平面図であり、図1(B)は正面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematically the structure of the substrate processing system which concerns on embodiment of this invention, FIG. 1 (A) is a top view, FIG.1 (B) is a front view. 図1におけるロードポートの構成を概略的に示す図であり、図2(A)はロードポートをローダーモジュールの内側から眺めた背面図であり、図2(B)は側面図であり、図2(C)はロードポートをローダーモジュールの外側から眺めた正面図である。2 is a diagram schematically illustrating a configuration of a load port in FIG. 1, FIG. 2A is a rear view of the load port viewed from the inside of the loader module, FIG. 2B is a side view, and FIG. (C) is the front view which looked at the load port from the outside of the loader module. 図2のロードポートが実行する基板位置修正方法の工程図である。It is process drawing of the board | substrate position correction method which the load port of FIG. 2 performs. 超音波振動が付与されたウエハの挙動を示す図であり、図4(A)は超音波振動が付与されている状態を示し、図4(B)は超音波振動が付与された後の状態を示す。It is a figure which shows the behavior of the wafer to which the ultrasonic vibration was given, FIG. 4 (A) shows the state to which the ultrasonic vibration is given, and FIG. 4 (B) shows the state after the ultrasonic vibration has been given. Indicates. 図2における開蓋機構の変形例の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the modification of the lid opening mechanism in FIG. MACの保持部の溝の底の変形例を示す図であり、図6(A)はコ字状の底を示し、図6(B)は円弧状の底を示す。It is a figure which shows the modification of the bottom of the groove | channel of the holding part of MAC, FIG. 6 (A) shows a U-shaped bottom, FIG.6 (B) shows an arc-shaped bottom. MACの構成を概略的に示す図であり、図7(A)は本体の斜視図であり、図7(B)は蓋の斜視図であり、図7(C)は断面図である。FIG. 7A is a perspective view of a main body, FIG. 7B is a perspective view of a lid, and FIG. 7C is a cross-sectional view. MACの蓋を取り除いた場合のウエハの挙動を示す図であり、図8(A)は蓋を取り外す前の状態を示し、図8(B)はウエハが底の斜面に沿って円滑にずり下がった状態を示し、図8(C)はウエハの端部が底の斜面に引っかかった状態を示す。FIGS. 8A and 8B show the behavior of the wafer when the MAC lid is removed, FIG. 8A shows the state before the lid is removed, and FIG. 8B shows the wafer smoothly sliding down along the bottom slope. FIG. 8C shows a state in which the end of the wafer is caught on the bottom slope.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本実施の形態に係る基板処理システムの構成を概略的に示す図であり、図1(A)は平面図であり、図1(B)は正面図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. FIG. 1 (A) is a plan view and FIG. 1 (B) is a front view.

図1(A)及び図1(B)において、基板処理システム10は、例えば、直径が450mmの複数のウエハWを収容する容器、例えば、MAC11から各ウエハWを搬出するローダーモジュール12(基板搬出装置)と、各ウエハWに所定の処理、例えば、ドライエッチング処理を施す複数のプロセスモジュール13と、各プロセスモジュール13への各ウエハWの搬出入を行うトランスファモジュール14と、ローダーモジュール12及びトランスファモジュール14の間で各ウエハWの受け渡しを行う2つのロードロックモジュール15とを備える。   1A and 1B, a substrate processing system 10 includes, for example, a loader module 12 (substrate unloading) for unloading each wafer W from a container that accommodates a plurality of wafers W having a diameter of 450 mm, for example, the MAC 11. Apparatus), a plurality of process modules 13 for performing predetermined processing, for example, dry etching processing, on each wafer W, a transfer module 14 for loading / unloading each wafer W into / from each process module 13, a loader module 12 and a transfer module Two load lock modules 15 that transfer each wafer W between the modules 14 are provided.

ローダーモジュール12は内部が大気開放された略直方体状の搬送室からなり、後述するロードポート16を有し、該ロードポート16に装着されたMAC11への各ウエハWの搬出入を行う搬送アーム(破線に示す)を搬送室の内部に有する。   The loader module 12 includes a substantially rectangular parallelepiped transfer chamber that is open to the atmosphere. The loader module 12 includes a load port 16 to be described later, and a transfer arm (for transferring each wafer W to and from the MAC 11 mounted on the load port 16). (Shown by a broken line) inside the transfer chamber.

トランスファモジュール14の周りには複数のプロセスモジュール13が放射状に配置されて接続され、該トランスファモジュール14は内部が減圧された搬送室を有し、搬送室の内部に配置された搬送アーム(図示しない)によって各プロセスモジュール13及び各ロードロックモジュール15の間の各ウエハWの搬送を行う。   A plurality of process modules 13 are radially arranged and connected around the transfer module 14. The transfer module 14 has a transfer chamber whose pressure is reduced, and a transfer arm (not shown) arranged inside the transfer chamber. ) To transfer each wafer W between each process module 13 and each load lock module 15.

ロードロックモジュール15は内部を大気圧環境及び減圧環境に切替可能な待機室からなり、ローダーモジュール12の搬送アーム及びトランスファモジュール14の搬送アームがロードロックモジュール15を介して各ウエハWの受け渡しを行う。   The load lock module 15 includes a standby chamber in which the interior can be switched between an atmospheric pressure environment and a decompression environment, and the transfer arm of the loader module 12 and the transfer arm of the transfer module 14 deliver each wafer W via the load lock module 15. .

各プロセスモジュール13は内部が減圧された処理室を有し、ウエハWを枚葉で収容して処理室内で発生させたプラズマによって当該ウエハWへ所定の処理を施す。   Each process module 13 has a processing chamber whose inside is depressurized. The wafer W is accommodated in a single wafer and a predetermined process is performed on the wafer W by plasma generated in the processing chamber.

ローダーモジュール12は、各ロードロックモジュール15が接続された面とは反対側の面に配置された3つのロードポート16(基板位置修正装置)を有し、各ロードポート16は装着されたMAC11の本体11aから蓋11bを取り除いてMAC11の内部とローダーモジュール12の内部とを連通させる。   The loader module 12 has three load ports 16 (substrate position correcting devices) arranged on the surface opposite to the surface to which each load lock module 15 is connected, and each load port 16 corresponds to the attached MAC 11. The lid 11b is removed from the main body 11a so that the inside of the MAC 11 communicates with the inside of the loader module 12.

図2は、図1におけるロードポートの構成を概略的に示す図であり、図2(A)はロードポートをローダーモジュールの内側から眺めた背面図であり、図2(B)は側面図であり、図2(C)はロードポートをローダーモジュールの外側から眺めた正面図である。図2(A)乃至図2(C)では、説明のためにロードポート16がローダーモジュール12から離間した状態で示されている。   2 is a diagram schematically showing the configuration of the load port in FIG. 1, FIG. 2 (A) is a rear view of the load port viewed from the inside of the loader module, and FIG. 2 (B) is a side view. FIG. 2C is a front view of the load port as viewed from the outside of the loader module. 2A to 2C, the load port 16 is shown in a state separated from the loader module 12 for the sake of explanation.

図2(A)乃至図2(C)において、ロードポート16は略垂直方向に立設された直方体状の本体17と、本体17の中央付近から略垂直にロードポート16とは反対側(以下、「外側」という。)へ突出する台状の載置部18と、本体17において載置部18の上方に形成されて該本体17を貫通する矩形状の開口部(ポート)19と、該ポート19に着脱可能にはめ込まれた内蓋20と、本体17のロードポート16側(以下、「内側」という。)に設けられて上下方向に移動可能な開蓋機構21と、本体17の内側に設けられてポート19の前を通過可能に構成されるマッピングセンサ22とを有する。   2A to 2C, the load port 16 includes a rectangular parallelepiped main body 17 that is erected in a substantially vertical direction, and the opposite side of the load port 16 from the vicinity of the center of the main body 17 (hereinafter referred to as the load port 16). , Referred to as “outside”)), a base-like mounting portion 18 projecting to the outside, a rectangular opening (port) 19 formed above the mounting portion 18 in the main body 17 and penetrating through the main body 17; An inner lid 20 that is detachably fitted to the port 19, a lid opening mechanism 21 that is provided on the load port 16 side (hereinafter referred to as “inside”) of the main body 17 and is movable in the vertical direction, and an inner side of the main body 17. And a mapping sensor 22 configured to be able to pass in front of the port 19.

開蓋機構21は上下動だけでなく、前後方向(図2(B)における左右方向)にも移動可能であり、内蓋20と係合して当該内蓋20をポート19から取り外す。また、載置部18は、上面において、MAC11の本体11aの底部と係合してMAC11の載置部18に対する位置を決める複数のピン23(振動付与機構)と、パージガス供給口24(ガス導入機構)とを有する。   The opening mechanism 21 can move not only in the vertical direction but also in the front-rear direction (the left-right direction in FIG. 2B), and engages with the inner lid 20 to remove the inner lid 20 from the port 19. Further, on the upper surface, the mounting portion 18 is engaged with the bottom portion of the main body 11a of the MAC 11 to determine a position of the MAC 11 with respect to the mounting portion 18, and a purge gas supply port 24 (gas introduction port). Mechanism).

ロードポート16では載置部18にMAC11が載置されるが、本体11aの底部が複数のピン23と係合する際、蓋11bと内蓋20は係合し、蓋11bは内蓋20と共に開蓋機構21によってポート19から取り除かれ、これにより、MAC11の内部とローダーモジュール12の内部とが連通する。   In the load port 16, the MAC 11 is placed on the placement portion 18, but when the bottom portion of the main body 11 a is engaged with the plurality of pins 23, the lid 11 b and the inner lid 20 are engaged, and the lid 11 b is combined with the inner lid 20. It is removed from the port 19 by the lid opening mechanism 21, whereby the inside of the MAC 11 communicates with the inside of the loader module 12.

MAC11の内部とローダーモジュール12の内部とが連通した際、内側からポート19を介してMAC11に収容された各ウエハWを視認することができるが、マッピングセンサ22はポート19の前を通過する際、視認可能な各ウエハWの位置を確認してウエハWの枚数をカウントする。   When the inside of the MAC 11 and the inside of the loader module 12 communicate with each other, each wafer W accommodated in the MAC 11 can be visually recognized from the inside through the port 19, but when the mapping sensor 22 passes in front of the port 19. The position of each visible wafer W is confirmed, and the number of wafers W is counted.

複数のピン23は振動可能に構成され、微細振動、例えば、超音波振動をMAC11の本体11aに付与し、パージガス供給口24は、パージガス、例えば、窒素ガスの供給装置(図示しない)と連通されてパージガスを噴出可能に構成され、本体11aの底面に設けられたパージガス導入口(図示しない)と係合し、該パージガス導入口を介して本体11aの内部へパージガスを供給する。   The plurality of pins 23 are configured to vibrate, apply fine vibration, for example, ultrasonic vibration to the main body 11a of the MAC 11, and the purge gas supply port 24 communicates with a purge gas, for example, nitrogen gas supply device (not shown). The purge gas can be ejected, engages with a purge gas inlet (not shown) provided on the bottom surface of the main body 11a, and the purge gas is supplied into the main body 11a through the purge gas inlet.

次に、本実施の形態に係る基板位置修正方法について説明する。該基板位置修正方法は基板処理システム10の各ロードポート16が実行する。   Next, a substrate position correcting method according to the present embodiment will be described. The substrate position correcting method is executed by each load port 16 of the substrate processing system 10.

図3は、図2のロードポートが実行する基板位置修正方法の工程図である。   FIG. 3 is a process diagram of the substrate position correcting method executed by the load port of FIG.

まず、MAC11がロードポート16の載置部18に載置されて、MAC11の本体11aの底部が複数のピン23と係合し、本体11aの底面のパージガス導入口がパージガス供給口24と係合し、さらに、蓋11bが内蓋20と係合する(図3(A))。   First, the MAC 11 is mounted on the mounting portion 18 of the load port 16, the bottom portion of the main body 11 a of the MAC 11 is engaged with the plurality of pins 23, and the purge gas introduction port on the bottom surface of the main body 11 a is engaged with the purge gas supply port 24. Further, the lid 11b engages with the inner lid 20 (FIG. 3A).

次いで、開蓋機構21が蓋11bを内蓋20と共にポート19から取り除き、MAC11の内部とローダーモジュール12の内部とが連通する(図3(B))。このとき、各ウエハWの保持部11cの溝の底11gへの押圧が解除されて各ウエハWは底の斜面に沿ってずり下がるが、一部のウエハWは円滑にずり下がらず、当該ウエハWの端部が底11gの斜面に引っかかる(図8(C))。   Next, the lid opening mechanism 21 removes the lid 11b together with the inner lid 20 from the port 19, and the inside of the MAC 11 communicates with the inside of the loader module 12 (FIG. 3B). At this time, the pressure on the bottom 11g of the groove of the holding portion 11c of each wafer W is released, and each wafer W slides down along the slope of the bottom, but some of the wafers W do not slide down smoothly, and the wafers. The end of W is caught on the slope of the bottom 11g (FIG. 8C).

次いで、マッピングセンサ22による各ウエハWの位置の確認前であって、ローダーモジュール12の搬送アームによる各ウエハWの取り出し前に、各ピン23が超音波振動をMAC11の本体11aに付与すると共に、パージガス供給口24がパージガス導入口を介して本体11aの内部へパージガスを供給する(図3(C))。   Next, before confirming the position of each wafer W by the mapping sensor 22 and before taking out each wafer W by the transfer arm of the loader module 12, each pin 23 applies ultrasonic vibration to the main body 11a of the MAC 11, The purge gas supply port 24 supplies the purge gas to the inside of the main body 11a through the purge gas introduction port (FIG. 3C).

超音波振動が本体11aに付与されると、図4(A)に示すように、保持部11cや各ウエハWに超音波振動が伝達されてウエハWの端部の底11gの斜面への引っかかりが解消され、当該ウエハWは底11gの斜面に沿ってずり下がり、当該ウエハWの端部が溝11eの平坦部へ係合し、当該ウエハWの位置が正規の位置へ修正される(図4(B))。   When the ultrasonic vibration is applied to the main body 11a, as shown in FIG. 4A, the ultrasonic vibration is transmitted to the holding portion 11c and each wafer W, and is caught on the inclined surface of the bottom 11g of the end portion of the wafer W. Is eliminated, the wafer W slides down along the slope of the bottom 11g, the end of the wafer W engages with the flat portion of the groove 11e, and the position of the wafer W is corrected to the normal position (FIG. 4 (B)).

また、本体11aに付与された超音波振動によって本体11aの内表面や各ウエハWに付着していた塵芥等が剥離し、パーティクルとして本体11aの内部を浮遊するおそれがあるが、本体11aの内部へ供給されたパージガスは、図3(C)中の破線で示すように本体11aの開口部、引いてはポート19を通過するように流れるため、浮遊するパーティクルを巻き込んで本体11aの内部から排出する。   Moreover, there is a possibility that dust attached to the inner surface of the main body 11a and each wafer W may be peeled off due to ultrasonic vibration applied to the main body 11a and float inside the main body 11a as particles. Since the purge gas supplied to the gas flows so as to pass through the opening of the main body 11a and then through the port 19 as shown by the broken line in FIG. 3 (C), the floating particles are trapped and discharged from the inside of the main body 11a. To do.

次いで、所定時間に亘って超音波振動を本体11aに付与した後、マッピングセンサ22がポート19の前を通過しながら本体11aの内部に収容される各ウエハWの位置を確認してウエハWの枚数をカウントし(図3(D))、基板位置修正方法を終了する。   Next, after applying ultrasonic vibration to the main body 11 a for a predetermined time, the mapping sensor 22 confirms the position of each wafer W accommodated in the main body 11 a while passing in front of the port 19 to check the wafer W. The number of sheets is counted (FIG. 3D), and the substrate position correcting method is finished.

図3の基板位置修正方法によれば、MAC11においてウエハWの位置を規制する蓋11bが取り除かれた本体11aへ超音波振動が付与されるので、超音波振動によってウエハWを移動させてウエハWの端部の溝の底11gへの引っかかりを解消することができ、もって、MAC11においてウエハWの位置を正規の位置へ修正することができる。   According to the substrate position correcting method of FIG. 3, since the ultrasonic vibration is applied to the main body 11a from which the lid 11b for regulating the position of the wafer W is removed in the MAC 11, the wafer W is moved by the ultrasonic vibration to move the wafer W. It is possible to eliminate the catch of the end of the groove on the bottom 11g of the groove, so that the position of the wafer W can be corrected to the normal position in the MAC 11.

上述した図3の基板位置修正方法では、各ウエハWの位置の確認前であって、本体11aから各ウエハWが取り出される前に各ウエハWの位置が正規の位置へ修正されるので、マッピングセンサ22によってウエハWの正確な数をカウントすることができると共に、ローダーモジュール12の搬送アームとウエハWが干渉するのを防止することができる。   In the substrate position correction method of FIG. 3 described above, since the position of each wafer W is corrected to a normal position before the position of each wafer W is confirmed and before each wafer W is taken out from the main body 11a, mapping is performed. The sensor 22 can count the exact number of wafers W and can prevent the wafer W from interfering with the transfer arm of the loader module 12.

また、上述した図3の基板位置修正方法では、本体11aへ超音波振動が付与される際、本体11aの内部へパージガスが導入されるので、本体11aの内部においてパーティクルが超音波振動の付与によって発生しても、導入されたパージガスによってパーティクルを本体11aの内部から排出することができる。   Further, in the above-described substrate position correcting method of FIG. 3, when ultrasonic vibration is applied to the main body 11a, purge gas is introduced into the main body 11a. Even if generated, particles can be discharged from the inside of the main body 11a by the introduced purge gas.

以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。   Although the present invention has been described using the above embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment.

上述した実施の形態では、複数のウエハWを収容する容器としてMAC11を用いる場合について説明したが、例えば、直径が300mmのウエハを収容するFOUPやFOSBを用いる場合についても本発明を適用することができ、さらに、容器において、蓋が本体へ向けて付勢されておらず、若しくは蓋が各ウエハWの位置を規制していなくても、本体がウエハWの端部と係合する溝を有する保持部を備えていれば、本発明を当該容器へ適用することができる。特に、蓋が各ウエハWの位置を規制していない場合、本体から蓋を取り除くことなく各ピン23から当該本体へ振動を付与してもよい。   In the embodiment described above, the case where the MAC 11 is used as a container for storing a plurality of wafers W has been described. However, for example, the present invention can also be applied to a case where a FOUP or FOSB that stores a wafer having a diameter of 300 mm is used. In addition, in the container, even if the lid is not biased toward the main body, or the lid does not regulate the position of each wafer W, the main body has a groove that engages with the end portion of the wafer W. If the holding portion is provided, the present invention can be applied to the container. In particular, when the lid does not regulate the position of each wafer W, vibration may be applied from each pin 23 to the main body without removing the lid from the main body.

また、ロードポート16の開蓋機構21の形態も図2(A)に示すように上下方向に移動可能なものに限られず、例えば、図5に示すように、一点を中心に回動可能に構成され、取り出した内蓋20をポート19の下方ではなくポート19の側方へ移動させる形態であってもよい。   Moreover, the form of the lid opening mechanism 21 of the load port 16 is not limited to the one that can move in the vertical direction as shown in FIG. 2A. For example, as shown in FIG. A configuration may be adopted in which the taken out inner lid 20 is moved not to the lower side of the port 19 but to the side of the port 19.

さらに、保持部11cの溝11eの底11gはV字状のものに限られず、コ字状(図6(A))や円弧状(図6(B))であっても、ウエハWの端部が底11gの面に引っかかることがあることがあるため、保持部11cの溝11eがこれらの形状の底11gを有する場合であっても、本発明を適用するのが好ましい。   Further, the bottom 11g of the groove 11e of the holding portion 11c is not limited to a V shape, and the end of the wafer W can be formed in a U shape (FIG. 6A) or an arc shape (FIG. 6B). Since the portion may be caught on the surface of the bottom 11g, the present invention is preferably applied even when the groove 11e of the holding portion 11c has the bottom 11g of these shapes.

W ウエハ
10 基板処理システム
11 MAC
11a 本体
11b 蓋
11c 保持部
11e 溝
11g 底
12 ローダーモジュール
16 ロードポート
18 載置部
23 ピン
24 パージガス供給口
W wafer 10 substrate processing system 11 MAC
11a body 11b lid 11c holding portion 11e groove 11g bottom 12 loader module 16 load port 18 placement portion 23 pin 24 purge gas supply port

Claims (12)

複数の基板を収容する容器であって、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを備え、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制する容器における基板位置修正方法であって、
前記蓋を取り除く除去ステップと、
前記蓋が取り除かれた前記本体へ振動を付与する振動付与ステップとを有することを特徴とする基板位置修正方法。
A container for storing a plurality of substrates, comprising: a main body formed in a casing shape and provided with an opening on one side; and a lid that covers the opening of the main body, and at least one inner surface of the main body. A substrate holding portion having a plurality of grooves formed in the portion, and when the end of each substrate is engaged with each groove and the lid is attached to the main body, the lid and each groove are each A substrate position correction method in a container that regulates the position of a substrate,
A removal step of removing the lid;
And a vibration applying step for applying vibration to the main body from which the lid has been removed.
前記振動付与ステップは、前記本体から各前記基板が取り出される前に実行されることを特徴とする請求項1記載の基板位置修正方法。   2. The substrate position correcting method according to claim 1, wherein the vibration applying step is executed before each substrate is taken out from the main body. 前記振動付与ステップは、前記本体において各前記基板の位置の確認前に実行されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板位置修正方法。   The substrate position correcting method according to claim 1, wherein the vibration applying step is executed before confirming the position of each substrate in the main body. 前記振動付与ステップでは、前記本体へ超音波振動が付与されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板位置修正方法。   4. The substrate position correcting method according to claim 1, wherein in the vibration applying step, ultrasonic vibration is applied to the main body. 5. 前記振動付与ステップでは、前記本体の内部へガスが導入されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板位置修正方法。   5. The substrate position correcting method according to claim 1, wherein in the vibration applying step, a gas is introduced into the main body. 前記基板は直径が450mmの半導体ウエハであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板位置修正方法。   The substrate position correcting method according to any one of claims 1 to 5, wherein the substrate is a semiconductor wafer having a diameter of 450 mm. 複数の基板を収容する容器であって、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを有し、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制する容器において各前記基板の位置を修正する基板位置修正装置であって、
前記蓋を取り除いた後に、前記本体へ振動を付与することを特徴とする基板位置修正装置。
A container for storing a plurality of substrates, having a main body formed in a casing shape and provided with an opening on one side surface, and a lid that covers the opening of the main body, and at least an inner surface of the main body A substrate holding part in which a plurality of grooves are formed in part is provided, and when the lid is attached to the main body, the end of each substrate is engaged with each groove, and each of the lid and each groove is A substrate position correcting device for correcting the position of each substrate in a container that regulates the position of the substrate,
A substrate position correcting device for applying vibration to the main body after removing the lid.
前記本体へ超音波振動を付与することを特徴とする請求項7記載の基板位置修正装置。   The substrate position correcting apparatus according to claim 7, wherein ultrasonic vibration is applied to the main body. 前記容器を載置する載置部を備え、該載置部に前記容器へ振動を付与する振動付与機構が設けられていることを特徴とする請求項7又は8記載の基板位置修正装置。   9. The substrate position correcting apparatus according to claim 7, further comprising: a placement unit that places the container, wherein the placement unit is provided with a vibration applying mechanism that applies vibration to the container. 前記載置部に前記本体の内部へガスを導入するガス導入機構が設けられていることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の基板位置修正装置。   The substrate position correcting apparatus according to claim 7, wherein a gas introduction mechanism for introducing gas into the main body is provided in the mounting portion. 前記基板は直径が450mmの半導体ウエハであることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の基板位置修正装置。   The substrate position correcting apparatus according to claim 7, wherein the substrate is a semiconductor wafer having a diameter of 450 mm. 複数の基板が収容される容器が装着されて該容器から各前記基板を搬出する基板搬出装置と、各前記基板に所定の処理を施す基板処理装置とを少なくとも備える基板処理システムにおいて、
前記容器は、筐体状に形成され且つ一側面に開口部が設けられた本体と、該本体の開口部を覆う蓋とを有し、少なくとも前記本体の内側面の一部に複数の溝が形成された基板保持部が設けられ、各前記基板の端部が各前記溝へ係合し、前記本体へ前記蓋が取り付けられる際、前記蓋及び各前記溝が各前記基板の位置を規制し、
前記基板搬出装置は、前記蓋を取り除いた後に、前記本体へ振動を付与することを特徴とする基板処理システム。
In a substrate processing system comprising at least a substrate carry-out device that is mounted with a container that accommodates a plurality of substrates and carries out each substrate from the container, and a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on each substrate.
The container has a main body formed in a casing shape and provided with an opening on one side surface, and a lid that covers the opening of the main body, and a plurality of grooves are formed on at least a part of the inner side surface of the main body. A formed substrate holding portion is provided, and when the end of each substrate is engaged with each groove and the lid is attached to the main body, the lid and each groove regulate the position of each substrate. ,
The substrate carrying-out apparatus applies vibration to the main body after removing the lid.
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WO2022158174A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-28 村田機械株式会社 Purge device and transport system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018133447A (en) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社Sumco Cleaning method for fosb type shipping wafer container
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