JP2014165232A - Photovoltaic power generation module and photovoltaic power generation system - Google Patents

Photovoltaic power generation module and photovoltaic power generation system Download PDF

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正和 滝
Mutsumi Tsuda
睦 津田
Ken Imamura
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic power generation module in which the degree of deterioration of a solar cell panel can be detected, and the panel can be repaired or replaced before reaching a critical failure.SOLUTION: A photovoltaic power generation module includes an output terminal box for taking out the power generation output of a solar cell panel, a backflow prevention diode inserted into the output line of the output terminal box, and an impedance measurement device of the solar cell panel. The impedance measurement device includes a signal generation unit for superimposing a micro signal of variable frequency to the output line, a high frequency signal detection unit provided in the output line and detecting a high frequency signal, and an impedance calculation unit for calculating the high frequency characteristics of impedance of the solar cell panel from the high frequency signal thus detected.

Description

この発明は、太陽電池パネルの劣化検知および故障診断を行なうことができる太陽光発電モジュールおよびそれを用いた太陽光発電システムに関するものである。   The present invention relates to a solar power generation module capable of performing deterioration detection and failure diagnosis of a solar battery panel, and a solar power generation system using the solar power generation module.

太陽光発電は、火力発電や原子力発電の代替エネルギーとして大いに期待されており、近年の太陽電池の生産量は飛躍的に増加している。太陽電池は、単結晶あるいは多結晶のシリコン基板を用いて太陽電池セルを形成する結晶系太陽電池や、ガラス基板上にシリコン等の薄膜を堆積して太陽電池セルを形成する薄膜系太陽電池が用いられている。太陽光発電システムにおける太陽電池の設置単位は、太陽光発電モジュールである。上述の太陽電池セルを複数個、目的に合わせて直並列に接続してパネル化したものが太陽電池パネルであり、太陽電池パネルに外枠(フレーム)や接続ボックスを備えつけることで太陽光発電モジュールとして機能するようになる。架台上に設置された多数の太陽光発電モジュールと送電ケーブル、およびパワーコンディショナなどを組み合わせて太陽光発電システムが構成される。このようなシステムは、一般の家庭用発電用途に留まらず、1MW以上の発電量を持つ大規模な太陽光発電所にも使用されている。   Solar power generation is highly expected as an alternative energy to thermal power generation and nuclear power generation, and the production amount of solar cells in recent years has increased dramatically. Solar cells include crystalline solar cells that form solar cells using single-crystal or polycrystalline silicon substrates, and thin-film solar cells that form solar cells by depositing a thin film such as silicon on a glass substrate. It is used. The installation unit of the solar cell in the solar power generation system is a solar power generation module. A solar panel is a panel formed by connecting a plurality of the above-mentioned solar cells in series and parallel according to the purpose. A solar panel is provided with an outer frame (frame) or a connection box. Functions as a module. A photovoltaic power generation system is configured by combining a number of photovoltaic power generation modules installed on a gantry, power transmission cables, power conditioners, and the like. Such a system is used not only in general household power generation applications but also in large-scale solar power plants having a power generation amount of 1 MW or more.

太陽電池パネルは、機械的に動作する部分がなく、その寿命は一般に20年以上と言われているが、実際には、様々な原因により、運転開始から数年足らずで不具合が発生した事例が報道されている。不具合の原因は、太陽電池セル内の発電層の劣化、電極・配線部の腐食による抵抗増大、太陽電池セルと金属製フレームとの間に充填している封止材の絶縁劣化、太陽電池パネルを固定している金属製架台の接地不良、等が知られている。
これらの不具合により、太陽電池パネルの特性劣化が起こり、最終的には動作不良に至る場合もある。太陽光発電の信頼度を高め、更なる普及を図るためにも、このような太陽電池パネルの劣化状態を早期に検知できる診断技術が求められている。
Solar cell panels have no mechanically operating parts and are generally said to have a lifetime of more than 20 years. However, in reality, there have been cases where malfunctions have occurred within a few years from the start of operation due to various causes. It has been reported. The causes of the failure are deterioration of the power generation layer in the solar battery cell, increase in resistance due to corrosion of the electrode and wiring part, insulation deterioration of the sealing material filled between the solar battery cell and the metal frame, solar battery panel There is a known grounding failure of a metal frame that fixes
Due to these problems, the characteristics of the solar cell panel may be deteriorated, which may eventually lead to malfunction. In order to increase the reliability of solar power generation and further promote the spread, there is a need for a diagnostic technique that can detect such a deterioration state of the solar cell panel at an early stage.

現状では、太陽電池パネルの動作状態を確認する方法として、各パネルの発電量をモニタリングすることが一般的である。また、太陽電池パネルの接続の不具合の有無を検知する診断方法して、太陽電池パネルの出力端子と、電気的には接地状態であるパネルの外周部にある金属製フレーム、あるいはパネルを取付けている金属製架台との間の静電容量をLCRメータにより測定し、測定した静電容量の値とパネルが正常時の値とを比較することにより、太陽電池パネルの接地状態を診断する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。   At present, as a method for confirming the operation state of the solar cell panel, it is common to monitor the power generation amount of each panel. Also, as a diagnostic method for detecting the presence or absence of solar panel connection failure, attach the solar cell panel output terminal and a metal frame or panel on the outer periphery of the panel that is electrically grounded. A method of diagnosing the grounding state of a solar cell panel by measuring the capacitance between the metal base and the measured value with an LCR meter and comparing the measured capacitance value with the normal panel value. It is known (see, for example, Patent Document 1).

また、太陽電池パネルが複数個、直列に接続されている太陽電池ストリングの場合には、パネルの枚数を変えてストリングの出力端子とアース間との静電容量を予め測定してデータベース化しておくと、何番目のパネルが断線しているかを検知することができることが示されている(例えば、特許文献2参照)。   Further, in the case of a solar cell string in which a plurality of solar cell panels are connected in series, the number of panels is changed, and the capacitance between the output terminal of the string and the ground is measured in advance to create a database. It is shown that it is possible to detect which panel is disconnected (for example, see Patent Document 2).

特開平11−248779号公報JP-A-11-248879 特開2008−91828号公報JP 2008-91828 A

太陽光発電システム内の一部の太陽光発電モジュールが故障してしまうと、システム全体に及ぶ不具合が発生するおそれがあるため、各太陽光発電モジュールについて劣化が生じているかどうか判断して、適切なタイミングで太陽光発電モジュールないし太陽電池パネの修理や交換を行うことが理想的である。そのためには、個別の太陽電池パネルの劣化診断技術や故障予測技術が必要である。   If some of the PV modules in the PV system fail, there may be a problem that affects the entire system. It is ideal to repair or replace the solar power generation module or solar battery panel at an appropriate timing. For that purpose, deterioration diagnosis technology and failure prediction technology for individual solar cell panels are necessary.

しかしながら、太陽電池パネルの発電量は、その時の日射量や気象条件などの外的要因によって大きく変化するため、太陽電池パネルの電流、電圧や発電量をモニタリングするだけでは、パネルが正常に動作しているかどうかを判断するのは難しい。このような発電量モニタリングでは、パネルが“動作している”/“動作していない”、のようないわゆる“0”/“1”判定は可能であるが、日射量が刻々変動している実際の設置環境では、発電量が低下している状況をもって太陽電池パネルに異常が発生したかどうかを判断することは困難である。また、太陽光発電システムを施工する場合でも、施工が完了した時点で、パネルの結線に不具合があるかどうか、あるいは製品自体に問題があるかどうかを現場で判断することも難しい。   However, because the amount of power generated by the solar panel varies greatly depending on external factors such as the amount of solar radiation and weather conditions at that time, simply monitoring the current, voltage, and amount of power generated by the solar panel will cause the panel to operate normally. It is difficult to judge whether or not. In such power generation monitoring, so-called “0” / “1” determinations such as “operating” / “not operating” of the panel are possible, but the amount of solar radiation changes every moment. In an actual installation environment, it is difficult to determine whether or not an abnormality has occurred in the solar cell panel in a situation where the power generation amount is decreasing. Moreover, even when constructing a solar power generation system, it is difficult to determine on the site whether or not there is a problem with the panel connection or whether the product itself has a problem when the construction is completed.

また、従来の静電容量の測定による診断方法では、LCRメータを用いて太陽電池パネルの出力端子とアース間との静電容量を測定するため、太陽電池パネル間の断線状況やパネルを取付けている架台やパネルのフレームとの接地不良を検知することはできても、太陽電池セルの発電層の劣化、電極・配線部の抵抗不良、セルの絶縁不良、等の太陽電池パネル自体の不具合や問題点を検知することはできなかった。また、静電容量の測定自体も精度が不充分であり、太陽電池ストリングのパネル間の断線の有無を判定することは可能であったが、断線に至る途中の劣化度合いを定量的に検知することは困難であった。さらに、測定作業においては、太陽電池パネルを設置している所に測定器であるLCRメータを運び、パネル毎に静電容量を計測する必要があった。   Moreover, in the conventional diagnostic method based on the measurement of electrostatic capacity, since the electrostatic capacity between the output terminal of the solar battery panel and the ground is measured using an LCR meter, the disconnection situation between the solar battery panels or the panel is attached. Although it is possible to detect a grounding failure with the frame of the pedestal or panel, there is a problem with the solar panel itself such as deterioration of the power generation layer of the solar cell, resistance failure of the electrode / wiring section, cell insulation failure, etc. The problem could not be detected. In addition, the capacitance measurement itself is not accurate enough, and it was possible to determine the presence or absence of disconnection between the panels of the solar cell string, but quantitatively detected the degree of deterioration during the disconnection. It was difficult. Furthermore, in the measurement work, it was necessary to carry the LCR meter, which is a measuring instrument, to the place where the solar cell panel is installed, and to measure the capacitance for each panel.

この発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、簡便な方法で太陽電池パネルの劣化箇所の特定や劣化度合いを定量的に検知することが可能な太陽光発電モジュールを提供するとともに、このモジュールを用いた太陽光発電システムにおいて、各太陽光発電モジュールの故障を的確に把握するための情報を収集して、太陽光発電モジュールの保守を効率的に行うことで、発電能力の安定的に維持することができる太陽光発電システムを得ること目的とする。   This invention was made in order to solve the above problems, and provides a photovoltaic power generation module capable of quantitatively detecting the location and degree of degradation of a solar cell panel by a simple method. In addition, in a photovoltaic power generation system using this module, information for accurately grasping the failure of each photovoltaic power generation module is collected, and maintenance of the photovoltaic power generation module is efficiently performed, thereby generating power. It is an object to obtain a photovoltaic power generation system that can be stably maintained.

この発明の太陽光発電モジュールは、出力線を通じて太陽電池パネルの発電出力を取り出す出力端子箱を備えており、出力端子箱は出力線に挿入された逆流防止ダイオードと、太陽電池パネルのインピーダンスを測定するインピーダンス測定装置とを備え、インピーダンス測定装置は、出力線に周波数が可変の高周波信号を重畳する信号発生部と、出力線に設けられて高周波信号を検知する信号検出部と、信号検出部で検知された高周波信号から太陽電池パネルのインピーダンスの高周波特性を算出するインピーダンス算出部とを備えるものである。   The photovoltaic power generation module of the present invention includes an output terminal box for extracting the power generation output of the solar cell panel through the output line, and the output terminal box measures the backflow prevention diode inserted into the output line and the impedance of the solar cell panel. The impedance measuring device includes a signal generating unit that superimposes a high-frequency signal having a variable frequency on the output line, a signal detecting unit that is provided on the output line and detects the high-frequency signal, and a signal detecting unit. And an impedance calculating unit that calculates high-frequency characteristics of the impedance of the solar cell panel from the detected high-frequency signal.

この発明によれば、簡便な装置で太陽電池パネル毎の高周波インピーダンス特性を得て、高精度に等価回路定数を監視することにより、太陽電池パネルの劣化度合いを検知することができ、重大故障に至る前にパネルを修理あるいは取替えることが可能となる。これにより、太陽光発電システム全体の保守を効率よく行えるという効果が得られる。   According to the present invention, by obtaining a high frequency impedance characteristic for each solar cell panel with a simple device and monitoring the equivalent circuit constant with high accuracy, it is possible to detect the degree of deterioration of the solar cell panel, resulting in a serious failure. It is possible to repair or replace the panel before it arrives. Thereby, the effect that maintenance of the whole photovoltaic power generation system can be performed efficiently is acquired.

この発明の実施の形態1の太陽光発電モジュールを示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the solar energy power generation module of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1の高周波インピーダンス測定装置の構成図である。It is a block diagram of the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1の高周波インピーダンス測定装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1の高周波インピーダンス測定装置で得られた太陽電池パネルの出力端子における高周波電圧・電流波形の例である。It is an example of the high frequency voltage and electric current waveform in the output terminal of the solar cell panel obtained with the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1における高周波インピーダンス測定装置の高周波電圧・電流検出センサの回路図である。1 is a circuit diagram of a high-frequency voltage / current detection sensor of a high-frequency impedance measuring apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. この発明の実施の形態1の高周波インピーダンス測定装置で得られた太陽電池パネルのインピーダンスの高周波特性の例を示すグラフである。It is a graph which shows the example of the high frequency characteristic of the impedance of the solar cell panel obtained with the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1における太陽電池パネルの高周波等価回路モデルを示す図である。It is a figure which shows the high frequency equivalent circuit model of the solar cell panel in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1の太陽電池パネルのインピーダンス特性と、等価回路解析を行った結果の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the result of having performed the impedance characteristic of the solar cell panel of Embodiment 1 of this invention, and an equivalent circuit analysis. この発明の実施の形態2の高周波インピーダンス測定装置で得られたインピーダンスの高周波特性の例を示すグラフである。It is a graph which shows the example of the high frequency characteristic of the impedance obtained with the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3の高周波インピーダンス測定装置の信号波形を示す図である。It is a figure which shows the signal waveform of the high frequency impedance measuring apparatus of Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4の太陽光発電システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the solar energy power generation system of Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態4の太陽光発電モジュール裏面の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the photovoltaic power generation module back surface of Embodiment 4 of this invention.

以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる太陽光発電モジュールについて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態に記載された具体例によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1による太陽光発電モジュールGMの概略的な構成を示す斜視図である。図1では受光面を下にして、裏面を上にした状態を示している。太陽電池パネル1は、例えば、ガラス基板上にシリコン等の発電層や透明電極膜などを積層して太陽電池セルを形成し、裏面をバックシート、合わせガラスなどで封止した構造の薄膜太陽電池である。太陽電池パネル1の裏面側には、発電出力を取り出すための導電路であるタブ線Tが張られており、太陽電池パネル1上に配置された出力端子箱2に接続されている。さらに、出力端子箱2から出力線3を通じて直流電力を取り出すように構成されている。太陽電池パネル1の外周は、端部を保護するためにアルミニウム合金からなるフレームAFが取り付けられている。
Hereinafter, a solar power generation module according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the specific examples described in these embodiments.
Embodiment 1 FIG.
1 is a perspective view showing a schematic configuration of a photovoltaic power generation module GM according to Embodiment 1. FIG. FIG. 1 shows a state where the light receiving surface is facing down and the back surface is facing up. The solar cell panel 1 is a thin film solar cell having a structure in which, for example, a power generation layer such as silicon or a transparent electrode film is laminated on a glass substrate to form a solar cell, and the back surface is sealed with a backsheet, laminated glass, or the like. It is. On the back surface side of the solar cell panel 1, a tab wire T that is a conductive path for taking out the power generation output is stretched and connected to an output terminal box 2 arranged on the solar cell panel 1. Furthermore, it is configured to extract DC power from the output terminal box 2 through the output line 3. A frame AF made of an aluminum alloy is attached to the outer periphery of the solar cell panel 1 in order to protect the end.

図2は、実施の形態1による太陽電池パネルの出力に接続される高周波インピーダンス測定装置MDの構成図である。出力端子箱2内に設けられた、高周波特性を計測し演算を行なう装置の構成を示している。
タブ線Tを介して太陽電池セルの発電層に接続されている出力用の送電線は出力端子箱2に接続され、発電した直流電力を出力する出力線3として取り出される。出力線3には、微小電圧の高周波信号を重畳して給電する高周波信号発生部25、出力線から電圧・電流を検出する高周波電圧・電流検出部24が設けられている。高周波信号発生部25は、周波数を連続的に変化させる機能を有しており、高周波信号の周波数は可変となっている。なお、出力線3中に高周波信号発生部25および高周波電圧・電流検出部24を設ける位置は、出力線3に挿入される逆電流防止ダイオード26より太陽電池パネル側(逆流防止ダイオード26を含まない)に取り付けられる。つまり、逆流防止ダイオード26と太陽電池パネル1との間の出力線3に高周波信号が重畳される。
逆電流防止ダイオード26は、複数の太陽光発電モジュールGMを用いて発電システムを構成する場合、その内の1台が故障してショート状態になったときに、他のパネルから過大な電流が流れ込んで焼損することを防止するためのものである。
FIG. 2 is a configuration diagram of the high-frequency impedance measuring device MD connected to the output of the solar cell panel according to the first embodiment. The structure of the apparatus which measures the high frequency characteristic provided in the output terminal box 2, and performs a calculation is shown.
An output power transmission line connected to the power generation layer of the solar battery cell via the tab line T is connected to the output terminal box 2 and is taken out as an output line 3 that outputs the generated DC power. The output line 3 is provided with a high-frequency signal generator 25 that feeds power by superimposing a high-frequency signal of a minute voltage, and a high-frequency voltage / current detector 24 that detects voltage / current from the output line. The high-frequency signal generator 25 has a function of continuously changing the frequency, and the frequency of the high-frequency signal is variable. The position where the high-frequency signal generator 25 and the high-frequency voltage / current detector 24 are provided in the output line 3 is closer to the solar cell panel than the reverse current prevention diode 26 inserted into the output line 3 (not including the backflow prevention diode 26). ). That is, a high frequency signal is superimposed on the output line 3 between the backflow prevention diode 26 and the solar cell panel 1.
When a power generation system is configured using a plurality of photovoltaic power generation modules GM, the reverse current prevention diode 26 causes an excessive current to flow from another panel when one of the modules breaks down and becomes short-circuited. This is to prevent burning.

出力線から検出された高周波電圧と電流のデータは、インピーダンス算出部23でインピーダンスの高周波特性データに変換され、制御部21を経て、データ通信部22から外部のホストコンピュータHCと通信手段28を介して送受信される。   The high frequency voltage and current data detected from the output line is converted into high frequency characteristic data of impedance by the impedance calculation unit 23, passes through the control unit 21, and from the data communication unit 22 via the external host computer HC and the communication means 28. Sent and received.

また、出力線3には太陽電池パネルで発電した電力の一部を蓄電して、上記の各ブロックへ電力を給電する電源部27が設けられている。(電源部27からの給電線は図示せず。)
図3は、実施の形態1による太陽電池パネルの出力端子に接続される高周波インピーダンス測定装置MDの回路構成図であり、出力端子箱2に収納されたインピーダンスの高周波特性を計測・算出する回路をブロック図で示している。出力線3には、太陽電池パネルで発電される直流電力のプラス側線とマイナス側線があり、図3においては、出力線31がマイナス側線、出力線32がプラス側線である。太陽電池パネルを複数枚接続した状態で、他のパネルが故障した際に健全なパネルを保護するために、プラス側線には逆流防止ダイオード26が挿入される。図3の出力線3の左端は、その先で太陽電池パネル1に接続されている。
Further, the output line 3 is provided with a power supply unit 27 that stores a part of the power generated by the solar cell panel and supplies power to each of the blocks. (The power supply line from the power supply unit 27 is not shown.)
FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the high-frequency impedance measuring device MD connected to the output terminal of the solar cell panel according to Embodiment 1, and shows a circuit for measuring and calculating the high-frequency characteristic of the impedance stored in the output terminal box 2. Shown in block diagram. The output line 3 includes a positive side line and a negative side line of DC power generated by the solar cell panel. In FIG. 3, the output line 31 is a negative side line and the output line 32 is a positive side line. In a state where a plurality of solar battery panels are connected, a backflow prevention diode 26 is inserted in the plus side line in order to protect a healthy panel when another panel fails. The left end of the output line 3 in FIG. 3 is connected to the solar cell panel 1 at the tip.

出力線3に高周波を重畳させる高周波信号源33は、ブロッキングコンデンサ34を介して、逆流防止ダイオードより発電層側位置から高周波信号を供給する。高周波信号源33からは、制御部42で設定された周波数範囲の高周波が出力される。高周波信号源33はブロッキングコンデンサ34と組み合わされて高周波信号発生部25を構成している。   A high frequency signal source 33 that superimposes a high frequency on the output line 3 supplies a high frequency signal from the position on the power generation layer side through the blocking capacitor 34 from the backflow prevention diode. The high frequency signal source 33 outputs a high frequency in the frequency range set by the control unit 42. The high frequency signal source 33 is combined with the blocking capacitor 34 to constitute the high frequency signal generator 25.

出力線31と出力線32との間には、出力線間の高周波電圧を検出する電圧センサ37が配設され、プラス側線の出力線32には高周波電流を検出する電流センサ36が挿入される。電圧センサ37と電流センサ36で検出された信号は、電圧と電流の位相差比較部40とインピーダンス算出部41で、高周波インピーダンスに変換される。   A voltage sensor 37 that detects a high-frequency voltage between the output lines is disposed between the output line 31 and the output line 32, and a current sensor 36 that detects a high-frequency current is inserted into the output line 32 of the plus side line. . The signals detected by the voltage sensor 37 and the current sensor 36 are converted into a high frequency impedance by the voltage / current phase difference comparison unit 40 and the impedance calculation unit 41.

高周波信号源33で重畳する高周波の周波数をあらかじめ決められた範囲で変化させるとともに、サンプリングの周波数ポイントごとに検出値を取得することにより、各周波数ポイントでのインピーダンスに変換され、制御部42(21)でインピーダンスの高周波特性として算出される。得られたインピーダンスの高周波特性は、データ通信部43(22)から太陽電池パネルのインピーダンスデータとして外部のホストコンピュータHCへ送信される。電源部27は、両出力線間に配設され、太陽電池パネル1が昼間に発電している時に蓄電し、インピーダンスを算出する際に回路を動作させる電源として用いられる。   The high frequency frequency superimposed by the high frequency signal source 33 is changed within a predetermined range, and the detection value is acquired for each sampling frequency point, whereby the impedance is converted into the impedance at each frequency point, and the control unit 42 (21 ) Is calculated as a high frequency characteristic of impedance. The obtained high frequency characteristic of the impedance is transmitted from the data communication unit 43 (22) to the external host computer HC as the impedance data of the solar battery panel. The power supply unit 27 is disposed between the output lines, stores electricity when the solar cell panel 1 generates power during the daytime, and is used as a power supply for operating the circuit when calculating the impedance.

出力端子箱については、MHz程度の高周波信号を用いてインピーダンスの検知・算出を行うことから、太陽電池パネルの設置環境下でのノイズが問題となる。そこで本実施の形態では、出力端子箱2の内面に、導電性の金属メッキを施した筐体を用いた。これにより、太陽電池パネルの出力線に微弱な高周波信号を重畳する場合に、外部のノイズに影響されることなく精度良くインピーダンスを検知・算出することができる。   For the output terminal box, since impedance is detected and calculated using a high-frequency signal of about MHz, noise in the installation environment of the solar cell panel becomes a problem. Therefore, in the present embodiment, a casing in which conductive metal plating is applied to the inner surface of the output terminal box 2 is used. Thereby, when a weak high frequency signal is superimposed on the output line of the solar cell panel, the impedance can be detected and calculated with high accuracy without being affected by external noise.

次に、インピーダンスを計測・算出する方法について詳細に説明する。高周波信号源33で発生した高周波信号は、ブロッキングコンデンサ34を介して太陽電池の出力線3に重畳される。この場合、ブロッキングコンデンサ34は、出力線3に流れる発電された直流電流が高周波信号源33に流入しないようにブロックする役目を果たす。逆に、測定のための高周波信号は、周波数が充分に高いためにブロッキングコンデンサ34を容易に通過し、太陽電池パネル1にまで伝播することができる。   Next, a method for measuring and calculating impedance will be described in detail. The high frequency signal generated by the high frequency signal source 33 is superimposed on the output line 3 of the solar cell via the blocking capacitor 34. In this case, the blocking capacitor 34 serves to block the generated direct current flowing through the output line 3 from flowing into the high-frequency signal source 33. On the contrary, the high frequency signal for measurement can easily pass through the blocking capacitor 34 and propagate to the solar cell panel 1 because the frequency is sufficiently high.

また、高周波信号は、逆流防止ダイオード26の位置に対して太陽電池パネル1の側から供給されて、太陽電池パネル1側に伝送される。伝送された高周波は、出力線32に挿入した電流センサ36と、出力線間に接続した電圧センサ37で、太陽電池パネルのインピーダンスに対応した高周波信号が検出される。この場合、電流センサ36は、ピックアップコイル型を用いることにより、出力線3とは直流的に絶縁した状態で信号を検出できる。また電圧センサ37は、静電結合型を用いることにより、出力線に直接触れることなく信号を検出できる。   The high-frequency signal is supplied from the solar cell panel 1 side to the position of the backflow prevention diode 26 and transmitted to the solar cell panel 1 side. The transmitted high frequency is detected by a current sensor 36 inserted in the output line 32 and a voltage sensor 37 connected between the output lines, and a high frequency signal corresponding to the impedance of the solar cell panel is detected. In this case, the current sensor 36 can detect a signal in a state where it is galvanically insulated from the output line 3 by using a pickup coil type. The voltage sensor 37 can detect a signal without directly touching the output line by using an electrostatic coupling type.

検出された高周波電圧、高周波電流は、それぞれ電圧測定部38と電流測定部39で増幅される。図4は、実施の形態1による高周波インピーダンス測定装置MDで得られた太陽電池パネルの出力端子に接続された出力線3における高周波電圧・電流波形の例である。図4の波形は、ある周波数Fにおける、電圧測定部38と電流測定部39から出力される電圧波形Wvと電流波形Wiを示す。位相差PDは、電圧波形Wvと電流波形Wiとの位相差を示す。なお、電圧波形Wvと電流波形Wiは、太陽電池パネル1のインピーダンスに対応して、振幅と位相差PDが変化する。   The detected high frequency voltage and high frequency current are amplified by the voltage measurement unit 38 and the current measurement unit 39, respectively. FIG. 4 is an example of a high-frequency voltage / current waveform in the output line 3 connected to the output terminal of the solar cell panel obtained by the high-frequency impedance measuring apparatus MD according to the first embodiment. The waveform of FIG. 4 shows a voltage waveform Wv and a current waveform Wi output from the voltage measurement unit 38 and the current measurement unit 39 at a certain frequency F. The phase difference PD indicates the phase difference between the voltage waveform Wv and the current waveform Wi. Note that the amplitude and phase difference PD of the voltage waveform Wv and the current waveform Wi change in accordance with the impedance of the solar cell panel 1.

次に、高周波電圧と電流は、インピーダンス算出部23に含まれる、位相比較部40とインピーダンス算出部41で演算され、ある周波数Fにおける高周波インピーダンスに変換される。太陽電池パネルのインピーダンス[ZPV]は、電圧と電流の振幅[I,V]と位相差PD[θ]から次式より求められる。

Next, the high frequency voltage and current are calculated by the phase comparison unit 40 and the impedance calculation unit 41 included in the impedance calculation unit 23, and converted into high frequency impedance at a certain frequency F. The impedance [Z PV ] of the solar cell panel is obtained from the following equation from the amplitude [I 0 , V 0 ] of the voltage and current and the phase difference PD [θ].

なお、高周波の電流・電圧からインピーダンスを求める場合は、電圧センサと電流センサの取り付け位置を厳密に同一にできないと位相差を生じるため、センサの測定位置の僅かな違いが問題となる。特に、出力線に重畳する高周波信号の周波数の桁がMHz程度になると、位相差θを正確に測定するのが難しいため、インピーダンスZPVに誤差が含まれやすい。したがって、後述するように、あらかじめ使用する周波数帯域で位相差を測定しておき、実測値に補正をかける必要がある。 When obtaining the impedance from the high-frequency current / voltage, a phase difference is caused unless the mounting positions of the voltage sensor and the current sensor can be made exactly the same, so that a slight difference in the measurement position of the sensor becomes a problem. Particularly, when the digit of the frequency of the high frequency signal superimposed on the output line is about MHz, it is difficult to accurately measure the phase difference theta, easily includes errors in the impedance Z PV. Therefore, as described later, it is necessary to measure the phase difference in the frequency band to be used in advance and to correct the actual measurement value.

図5は、実施の形態1における高周波インピーダンス測定装置MDの高周波電圧・電流検出センサの回路図である。本実施の形態では、図5に示す電流センサ52と電圧センサ53を一つのセンサユニット51として構成し、電流センサ52(電流センサ36に対応)と電圧センサ53(電圧センサ37に対応)の配置を固定した。端子54、端子55、端子56、端子57は、それぞれ太陽電池の出力線に接続され、端子54と端子55は太陽電池パネル1側に、端子56と端子57は高周波信号源33側に接続される。   FIG. 5 is a circuit diagram of the high-frequency voltage / current detection sensor of the high-frequency impedance measuring apparatus MD in the first embodiment. In the present embodiment, the current sensor 52 and the voltage sensor 53 shown in FIG. 5 are configured as one sensor unit 51, and the arrangement of the current sensor 52 (corresponding to the current sensor 36) and the voltage sensor 53 (corresponding to the voltage sensor 37) is arranged. Fixed. Terminal 54, terminal 55, terminal 56, and terminal 57 are each connected to the output line of the solar cell, terminal 54 and terminal 55 are connected to the solar cell panel 1, and terminal 56 and terminal 57 are connected to the high-frequency signal source 33 side. The

あらかじめ、上記のセンサユニットを用いて、端子54、端子55側に50Ωのダミーロードを接続して、高周波信号源33から発生される周波数範囲において位相差PDを測定しておき、実際の太陽電池パネルに接続して電流センサ52、電圧センサ53で検出した波形から位相差PDを算出する際の校正値とする。   Using a sensor unit as described above, a dummy load of 50Ω is connected to the terminals 54 and 55, and the phase difference PD is measured in the frequency range generated from the high-frequency signal source 33. A calibration value is used when the phase difference PD is calculated from the waveforms detected by the current sensor 52 and the voltage sensor 53 connected to the panel.

ここで高周波信号源33から出力される高周波信号の周波数を変化させ、サンプリングポイントごとの高周波電流・電圧の計測と、高周波インピーダンスの算出を行うことにより、太陽電池パネル1の高周波インピーダンス特性すなわち、インピーダンスの周波数依存性が得られる。得られた太陽電池パネル1のインピーダンスの高周波特性データは、データ通信部43から外部のホストコンピュータHCへ送信される。   Here, by changing the frequency of the high-frequency signal output from the high-frequency signal source 33, measuring the high-frequency current / voltage for each sampling point, and calculating the high-frequency impedance, the high-frequency impedance characteristics of the solar cell panel 1, that is, the impedance Frequency dependence is obtained. The obtained high frequency characteristic data of the impedance of the solar cell panel 1 is transmitted from the data communication unit 43 to the external host computer HC.

図6は、実施の形態1による高周波インピーダンス測定装置で得られた太陽電池パネルのインピーダンスの高周波特性の例を示すグラフである。上記の検出・演算方法を用いて、太陽電池パネル11のインピーダンス特性を算出したもので、使用した太陽電池パネル11は、大きさ1.0m×1.4mのガラス基板上にアモルファスシリコン層と微結晶シリコン層を積層したタンデム構造の薄膜シリコン太陽電池セルを用いて、封止材を挟んでガラス板とで封止したものを用いた。   FIG. 6 is a graph showing an example of the high-frequency characteristic of the impedance of the solar cell panel obtained by the high-frequency impedance measuring apparatus according to the first embodiment. The impedance characteristics of the solar cell panel 11 were calculated using the detection / calculation method described above. The solar cell panel 11 used was composed of an amorphous silicon layer and a fine silicon substrate on a 1.0 m × 1.4 m glass substrate. A thin film silicon solar battery cell having a tandem structure in which a crystalline silicon layer was stacked and sealed with a glass plate with a sealing material interposed therebetween was used.

図6のグラフ(A)は、インピーダンスZPVの周波数Fに対する依存性を、グラフ(B)は位相差PDの周波数Fに対する依存性を表している。これらのインピーダンス特性の測定は、太陽電池パネル11が発電しない夜間帯(暗状態)に行い、下限周波数をF=300kHz、上限周波数をF=10MHzに設定し、高周波信号源33で周波数FをFからFまで変化させて、そのサンプリングポイントの周波数に対して太陽電池パネル11のインピーダンスZPVを算出した。 The graph (A) in FIG. 6 represents the dependency of the impedance Z PV on the frequency F, and the graph (B) represents the dependency of the phase difference PD on the frequency F. These impedance characteristics are measured in the night zone (dark state) where the solar cell panel 11 does not generate power, the lower limit frequency is set to F 1 = 300 kHz, the upper limit frequency is set to F 2 = 10 MHz, and the high frequency signal source 33 uses the frequency F. Was changed from F 1 to F 2, and the impedance Z PV of the solar cell panel 11 was calculated with respect to the frequency of the sampling point.

図6のグラフ(A)に示すように、周波数Fが300kHzから高くなるに従い、太陽電池パネル11のインピーダンスZPVの強度は初めに減少し、矢印で示されている、周波数がF=1.8MHzあたりで最小値を示した後、再び増加した。一方、図6のグラフ(B)に示すように、インピーダンスZPVの位相差PDは、周波数がF〜1.8MHzで、−90°(容量性の負荷)から+90°(誘導性の負荷)に急激に変化しており、矢印で示す点で正負が反転している。このことから、太陽電池パネル11のインピーダンスZPVの周波数特性は、F=1.8MHzあたりで共振特性を示していることが分かる。共振周波数Fresは、インピーダンスZPVの値が最小で、その位相が0°になるときの周波数であり、この太陽電池パネル11の例では、Fres=1.774MHzであった。また、インピーダンスZPVの最小値は12.33Ω(@1.774MHz)であった。 As shown in the graph (A) of FIG. 6, as the frequency F increases from 300 kHz, the intensity of the impedance Z PV of the solar cell panel 11 first decreases, and the frequency indicated by the arrow is F = 1. After showing a minimum value around 8 MHz, it increased again. On the other hand, as shown in the graph (B) of FIG. 6, the phase difference PD of the impedance Z PV has a frequency of F to 1.8 MHz and is −90 ° (capacitive load) to + 90 ° (inductive load). And the sign is reversed at the point indicated by the arrow. From this, it can be seen that the frequency characteristic of the impedance Z PV of the solar cell panel 11 shows a resonance characteristic around F = 1.8 MHz. The resonance frequency F res is a frequency when the value of the impedance Z PV is minimum and the phase becomes 0 °. In this example of the solar cell panel 11, F res = 1.774 MHz. The minimum value of the impedance Z PV was 12.33Ω (@ 1.774 MHz).

共振周波数や最小インピーダンスの値は太陽電池パネル1の状態により決定されるので、これらの数値を把握することで、パネルの状態を把握・管理することができる。しかし、これらの数値が変化したことを検知しただけでは、パネルのどの部材の、どの箇所に問題が生じているかを知ることはできない。不具合箇所を特定するためには、太陽電池パネル1のインピーダンス特性を電気的な等価回路に置き換えて、仮想的な素子による定数回路を想定して、各素子の特性を算出すればよい。等価回路中の特定の素子のうち、例えば、シリーズ抵抗の値が変化すれば、この素子に対応する箇所(すなわち、電極や配線部)に不具合が生じたと考えることができる。このように、太陽電池パネル固有の等価回路定数を把握・管理することが不具合箇所を特定するために有効である。   Since the values of the resonance frequency and the minimum impedance are determined by the state of the solar cell panel 1, the state of the panel can be grasped and managed by grasping these numerical values. However, only by detecting that these numerical values have changed, it is impossible to know which part of the panel has a problem and in which part. In order to identify the defect location, the impedance characteristics of the solar cell panel 1 may be replaced with an electrical equivalent circuit, and the characteristics of each element may be calculated assuming a constant circuit with virtual elements. Among the specific elements in the equivalent circuit, for example, if the value of the series resistance changes, it can be considered that a problem has occurred at a location (that is, an electrode or a wiring portion) corresponding to this element. As described above, grasping and managing the equivalent circuit constant specific to the solar cell panel is effective for identifying the defective part.

以下に、太陽光発電システムのホストコンピュータHC上で、インピーダンスの高周波特性から、太陽電池パネルの状態を把握・管理する方法を記述する。
図7は、太陽電池パネルの高周波等価回路モデルを示す図であり、具体的には図1に示す太陽電池パネル1の出力端子箱に至るまでの、暗状態における等価回路モデルを表す。太陽電池パネル1内の電極や配線部は、シリーズ抵抗rと寄生インダクタンスLとの直列接続で表されている。また、電極/発電層/電極の内部構成を持つ太陽電池セル部は、電極部のシリーズ抵抗rと発電層のシャント抵抗Rshに加え、光照射が無い暗状態では、発電層のpn接合部の接合容量Cを用いて、図7に示すような直列並列回路で表すことができる。
Hereinafter, a method for grasping and managing the state of the solar cell panel from the high frequency characteristic of the impedance on the host computer HC of the photovoltaic power generation system will be described.
FIG. 7 is a diagram showing a high-frequency equivalent circuit model of the solar cell panel, and specifically shows an equivalent circuit model in a dark state up to the output terminal box of the solar cell panel 1 shown in FIG. Electrodes and wiring of the solar cell panel 1 is represented by the series connection of the series resistor r s and parasitic inductance L. In addition, the solar cell portion having the internal configuration of the electrode / power generation layer / electrode has a pn junction of the power generation layer in the dark state without light irradiation in addition to the series resistance r s of the electrode portion and the shunt resistance R sh of the power generation layer. part using junction capacitance C d of, can be represented by a series-parallel circuit as shown in FIG.

よって、出力端子箱2から見た太陽電池パネル1の全インピーダンスZPVは、次式により表せると考えられる。


ここで、ωは角周波数(F=ω/2π)、jは複素数の虚数単位を表し、ωと回路定数(L、Rsh、C)の値が


の関係を満たすときに、ZPVの虚部の値はゼロになり、このときZPVの強度は最小、位相は0°になる。すなわち、これが回路の共振条件であり、L、Rsh、Cの値が与えられているときには、共振周波数Fresは次式により得られる。

図6に示したように、太陽電池パネル1のインピーダンスZPVは共振特性を示し、共振周波数Fresの前後の周波数領域でZPVが大きく変化するので、この領域で(2)式および(4)式を実測値にフィッティングさせると、式中のフィッティング・パラメータである4つの回路定数(r、Rsh、L、C)を比較的容易に求めることができる。なお、(2)式をフィッティングする際、必ずしもこのような共振特性を利用する必要はないが、フィッティングの精度を向上させるには共振周波数Fresの前後の周波数領域でフィッティングを行うのが望ましい。
Therefore, it is considered that the total impedance Z PV of the solar cell panel 1 viewed from the output terminal box 2 can be expressed by the following equation.


Here, ω represents an angular frequency (F = ω / 2π), j represents a complex imaginary unit, and values of ω and circuit constants (L, R sh , C d ) are


When satisfying the relationship, the value of the imaginary part of Z PV is zero, the intensity of the time Z PV minimum phase becomes 0 °. That is, this is the resonance condition of the circuit, and when the values of L, R sh , and C d are given, the resonance frequency F res can be obtained by the following equation.

As shown in FIG. 6, the impedance Z PV of the solar cell panel 1 shows resonance characteristics, and Z PV changes greatly in the frequency region before and after the resonance frequency Fres. Therefore, in this region, the equations (2) and (4 When the equation (4) is fitted to an actual measurement value, four circuit constants (r s , R sh , L, C d ) that are fitting parameters in the equation can be relatively easily obtained. It is not always necessary to use such resonance characteristics when fitting the equation (2), but it is desirable to perform fitting in a frequency region before and after the resonance frequency Fres in order to improve fitting accuracy.

図8は、太陽電池パネルのインピーダンス特性と、等価回路解析を行った結果の例を示す図である。図8では、共振周波数(Fres=1.774MHz)を含む領域として、周波数Fが500kHzから4MHzまでの周波数領域でフィッティングを行った結果を示す。ここで、丸印はインピーダンスZPVの実測値であり、実線は(1)式をフィッティングした結果である。実測値とフィッティングの結果は比較的良く一致しているのがわかる。このフィッティングにより得られた等価回路定数の値は、シリーズ抵抗r=12.2Ω、寄生インダクタンスL=3.2μH、シャント抵抗Rsh=5.3kΩ、接合容量C=4.5nFであった。このようにして太陽電池パネル1の等価回路定数を求めることができる。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the result of performing impedance circuit analysis and equivalent circuit analysis of the solar cell panel. FIG. 8 shows the result of fitting in the frequency region where the frequency F is from 500 kHz to 4 MHz as the region including the resonance frequency (F res = 1.774 MHz). Here, circle is the measured value of the impedance Z PV, the solid line is the result of fitting (1). It can be seen that the measured values and the fitting results are relatively well matched. The values of equivalent circuit constants obtained by this fitting were series resistance r s = 12.2Ω, parasitic inductance L = 3.2 μH, shunt resistance R sh = 5.3 kΩ, and junction capacitance C d = 4.5 nF. . In this way, the equivalent circuit constant of the solar cell panel 1 can be obtained.

次に、等価回路解析で得られる回路定数を基に太陽電池パネルを診断する方法及び、太陽電池パネル1の劣化度合いを診断した結果について説明する。ここでは、前述した太陽電池パネル11を用いて、高温・高湿試験を実施し、試験後にパネルの発電特性および高周波特性を評価した。高温・高湿試験の条件は、気温が85℃、湿度が85%RHである。なお、試験時間は1,000時間および2,000時間とし、試験前の初期値も含めて、計3回特性評価を行った。また、高周波特性評価の結果から、既に述べた計測・解析方法により、太陽電池パネル11の等価回路定数(r、Rsh、L、C)を求めた。 Next, a method for diagnosing a solar cell panel based on circuit constants obtained by equivalent circuit analysis and a result of diagnosing the degree of deterioration of the solar cell panel 1 will be described. Here, a high-temperature / high-humidity test was performed using the solar cell panel 11 described above, and the power generation characteristics and high-frequency characteristics of the panel were evaluated after the test. The conditions of the high temperature / high humidity test are an air temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% RH. The test times were 1,000 hours and 2,000 hours, and the characteristics were evaluated a total of three times including the initial values before the test. From the results of the high frequency characterization, the manner already measurement and analysis described, it was determined the equivalent circuit constant of the solar cell panel 11 (r s, R sh, L, C d) a.

表1は、太陽電池パネルに高温・高湿試験(1,000時間、2,000時間)を実施した後のパネルの等価回路定数(r、Rsh、L、C)と変換効率(η)の変化を示している。ここで、回路定数や変換効率の値は試験前の初期値で規格化している。高温・高湿試験1,000時間経過後では、太陽電池パネルの変換効率ηは殆ど変化していない。しかしながら、パネルの回路定数に関しては、太陽電池セルの発電層の接合容量Cとシャント抵抗Rshの値が試験前と比較して少し低下している。 Table 1 shows the equivalent circuit constants (r s , R sh , L, C d ) and conversion efficiency of the solar cell panel after the high temperature / high humidity test (1,000 hours, 2,000 hours) was performed. η) is shown. Here, circuit constants and conversion efficiency values are normalized with initial values before testing. After 1,000 hours of high temperature and high humidity test, the conversion efficiency η of the solar cell panel hardly changes. However, for the circuit constant of the panels, it is slightly lowered value of the junction capacitance C d and the shunt resistor R sh of the power generation layer of the solar cell as compared with before the test.

すなわち、1,000時間の高温・高湿試験では、太陽電池パネルの発電特性には殆ど変化は認められないが、発電層には、僅かな劣化が発生していることが認められる。この太陽電池パネル11に高温・高湿試験を継続すると、表1に示すように、2,000時間後には、変換効率ηは0.86にまで大きく低下した。
一方、回路定数に関しては、配線の寄生インダクタンスLや配線や電極部のシリーズ抵抗rは殆ど変化していないが、発電層の接合容量Cは0.85に、シャント抵抗Rshは0.90に、大きく低下した。これらの結果から、発電層の劣化が変換効率ηの低下を引き起こしたといえる。また、配線や電極部に対応するシリ−ズ抵抗rの値が一定であることから、2,000時間までの高温・高湿試験では、金属の腐食は起こっていないといえる。
That is, in the high temperature and high humidity test of 1,000 hours, almost no change is observed in the power generation characteristics of the solar cell panel, but it is recognized that slight degradation occurs in the power generation layer. When the solar cell panel 11 was continuously subjected to the high temperature / high humidity test, as shown in Table 1, the conversion efficiency η was greatly reduced to 0.86 after 2,000 hours.
On the other hand, as for the circuit constant, while the series resistance r s of the parasitic inductance L and the wiring and the electrode portions of the wiring hardly changed, the junction capacitance C d of the power generation layer is 0.85, the shunt resistance R sh 0. It was greatly reduced to 90. From these results, it can be said that the degradation of the power generation layer caused a decrease in the conversion efficiency η. Also, Siri corresponding to the wiring or the electrode portion - because the value of's resistance r s is constant, at a high temperature and high humidity test for 2,000 hours, the corrosion of the metal can be said to not occurred.

このように、本発明の太陽光発電モジュールによれば、太陽電池パネルの変換効率が低下する前の、早い段階で、CやRshの低化を検知することができる。太陽電池パネル毎にインピーダンスの高周波特性を検出・算出し、そのデータを用いて太陽電池パネルの劣化を判定することにより、従来の発電量モニタリングに比べて、より敏感に劣化を検知することが可能である。 Thus, according to the photovoltaic module of the present invention, before the conversion efficiency of the solar cell panel is lowered, at an early stage, it is possible to detect the Taker of C d and R sh. By detecting and calculating the high frequency characteristics of impedance for each solar panel and using the data to determine the deterioration of the solar panel, it is possible to detect the deterioration more sensitively than conventional power generation monitoring. It is.

この発明にかかる太陽光発電モジュールは、太陽電池パネル1の出力線に、逆流防止ダイオードを含まない位置で、ブロッキングコンデンサを介して測定周波数可変の高周波信号を重畳し、出力線に取り付けた電圧・電流センサから重畳された高周波信号を検出し、得られた信号から高周波インピーダンスの周波数依存性を算出して、外部に送信する。太陽光発電システムは、得られたインピーダンス周波数依存性の共振点前後の特性から、太陽電池パネル1の高周波等価回路定数を求め、この等価回路定数の経時変化や、正常な太陽電池パネル1における回路定数を基準値として、その相対比較により太陽電池パネルの劣化状態や故障の有無を詳細に診断することができるものである。   The photovoltaic power generation module according to the present invention superimposes a high frequency signal having a variable measurement frequency via a blocking capacitor on the output line of the solar cell panel 1 at a position not including a backflow prevention diode, The high frequency signal superimposed from the current sensor is detected, the frequency dependence of the high frequency impedance is calculated from the obtained signal, and transmitted to the outside. The photovoltaic power generation system obtains the high-frequency equivalent circuit constant of the solar cell panel 1 from the obtained impedance frequency-dependent characteristics before and after the resonance point, changes over time in the equivalent circuit constant, and circuits in the normal solar cell panel 1. By using a constant as a reference value, the deterioration state of the solar cell panel and the presence or absence of a failure can be diagnosed in detail by relative comparison.

実施の形態2.
実施の形態1では、高周波信号発生部25の周波数を300KHzから10MHzまで等間隔で変化させた。しかし、インピーダンス測定におけるサンプリングは、必ずしも高周波信号の帯域全体で均等である必要は無い。図9は、高周波インピーダンス測定装置MDで得られたインピーダンスの高周波特性の例を示すグラフであり、プロットの密度が周波数に対して一定ではない。すなわち、プロットが密な帯域では周波数に対して細かく特性を取得し、プロットが粗の帯域では粗く周波数特性を取得している。プロットが密な帯域は、共振周波数を中心にした帯域となっている。ここでは、測定対象の周波数範囲の中にあって、太陽電池パネル1の共振周波数を含む範囲の周波数帯における平均サンプリング間隔が、その外側の周波数帯における平均サンプリング間隔より小さく決められている。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the frequency of the high-frequency signal generator 25 is changed from 300 kHz to 10 MHz at equal intervals. However, the sampling in the impedance measurement does not necessarily have to be uniform over the entire band of the high frequency signal. FIG. 9 is a graph showing an example of the high frequency characteristic of the impedance obtained by the high frequency impedance measuring device MD, and the density of the plot is not constant with respect to the frequency. That is, the frequency characteristics are acquired finely in the band where the plot is dense, and the frequency characteristics are acquired roughly in the band where the plot is coarse. The dense band is a band centered on the resonance frequency. Here, the average sampling interval in the frequency band within the frequency range to be measured and including the resonance frequency of the solar cell panel 1 is determined to be smaller than the average sampling interval in the outer frequency band.

このように、共振点の周辺の周波数帯と、共振点から離れた周波数帯で、高周波電流・電圧の検出および、インピーダンスの算出のサンプリング間隔を変化させてもよい。図9では、800kHzから2.6MHzの間でサンプリング間隔=16KHzの密度の高いサンプリングを実施している。一方、上記周波数範囲の外側では、サンプリング間隔=160KHzの密度の低いサンプリングを実施した。
共振周波数の周辺では特性の変化が急激であるが、それ以外では変化が緩やかであることから、得られるインピーダンス特性の精度は概ね同等であり、その特性から算出される等価回路定数も実施の形態1とほぼ同等の精度が得られる。この場合、重要な共振点前後の周波数帯域は以外の領域では粗く測定を行うので、検出および演算に要する時間が短縮できる。又、算出したインピーダンスデータの量を低減できるので、出力端子箱内の回路構成をコンパクトにできるとともに、転送するデータ量を削減できるという利点がある。そのため、多数の太陽光発電モジュールを用いた大規模な太陽光発電システムにおいても、短時間で太陽電池パネルの劣化状態や故障の有無を診断することができる。
As described above, the sampling interval for detecting the high-frequency current / voltage and calculating the impedance may be changed between the frequency band around the resonance point and the frequency band away from the resonance point. In FIG. 9, high-density sampling is performed at a sampling interval of 16 KHz between 800 kHz and 2.6 MHz. On the other hand, outside the frequency range, sampling with a low density of sampling interval = 160 KHz was performed.
The characteristic change is rapid around the resonance frequency, but the change is gentle elsewhere, so the accuracy of the impedance characteristic obtained is almost the same, and the equivalent circuit constant calculated from the characteristic is also the embodiment. An accuracy almost equal to 1 can be obtained. In this case, since the frequency band before and after the important resonance point is roughly measured in a region other than that, the time required for detection and calculation can be shortened. Further, since the amount of calculated impedance data can be reduced, there is an advantage that the circuit configuration in the output terminal box can be made compact and the amount of data to be transferred can be reduced. Therefore, even in a large-scale photovoltaic power generation system using a large number of photovoltaic power generation modules, it is possible to diagnose the deterioration state of the solar cell panel and the presence or absence of a failure in a short time.

実施の形態3.
実施の形態1では、太陽電池パネルの出力線に正弦波の高周波信号を重畳する場合について述べたが、出力線に矩形のパルス信号を重畳しても良い。図10は、本実施の形態における太陽電池パネルの高周波インピーダンス測定装置の信号波形を示す図である。同図に示すパルス信号101を出力線3に重畳させた場合、電圧センサ37からは下図に示した電圧波形102が得られた。同様に電流センサ36においても、類似の電流波形が得られる。
得られた電圧波形および電流波形は、専用の演算部によりフーリエ変換を行うことで、正弦波の組み合わせに分解する計算が実行される。計算で得られた正弦波信号から、実施の形態1で述べた方法を用いて高周波インピーダンスを算出する。
重畳するパルス信号101の立ち上がり時間は、nsecオーダー(1ns以上10ns以下)の値が選ばれる。パルスの繰り返し周期は10nsec〜1msec程度から一つが選ばれる。パルス信号101は、立ち上がりが速いため高周波成分を含んでおり、本発明においては繰り返し周期に関わらず高周波信号と考えることができる。
Embodiment 3 FIG.
In the first embodiment, the case where a high frequency signal of a sine wave is superimposed on the output line of the solar cell panel is described, but a rectangular pulse signal may be superimposed on the output line. FIG. 10 is a diagram showing a signal waveform of the high-frequency impedance measuring apparatus for the solar battery panel in the present embodiment. When the pulse signal 101 shown in the figure is superimposed on the output line 3, the voltage waveform 102 shown in the following figure was obtained from the voltage sensor 37. Similarly, in the current sensor 36, a similar current waveform is obtained.
The obtained voltage waveform and current waveform are subjected to Fourier transform by a dedicated calculation unit, and calculation for decomposing into a combination of sine waves is executed. The high frequency impedance is calculated from the sine wave signal obtained by the calculation using the method described in the first embodiment.
A value on the order of nsec (1 ns or more and 10 ns or less) is selected as the rise time of the superimposed pulse signal 101. One pulse repetition period is selected from about 10 nsec to 1 msec. The pulse signal 101 includes a high-frequency component because it rises quickly, and can be considered as a high-frequency signal regardless of the repetition period in the present invention.

なお、フーリエ変換して得られた正弦波からインピーダンスを算出する場合、実用的な電流・電圧信号として用いることができるのは、基本波〜5次波程度までとなる。したがって、基本波から5次波までの波形を用いてインピーダンス特性を得るには、基本波の周波数がインピーダンスの共振周波数以下の範囲になることが望ましい。
この場合、太陽電池パネルの出力線に矩形のパルス信号を重畳するので、パルス信号発生部はロジック回路の発生方式でよい。そのため、比較的簡単な構成で太陽電池パネルの劣化状態や故障の有無を診断するシステムを実現できる利点がある。
In addition, when calculating an impedance from the sine wave obtained by Fourier transform, it can be used as a practical electric current / voltage signal from the fundamental wave to the fifth order wave. Therefore, in order to obtain impedance characteristics using waveforms from the fundamental wave to the fifth order wave, it is desirable that the frequency of the fundamental wave is in a range below the resonance frequency of the impedance.
In this case, since the rectangular pulse signal is superimposed on the output line of the solar cell panel, the pulse signal generation unit may be a logic circuit generation method. Therefore, there exists an advantage which can implement | achieve the system which diagnoses the deterioration state of a solar cell panel and the presence or absence of a failure with a comparatively simple structure.

実施の形態4.
図11は、上述の太陽光発電モジュールGMを用いた太陽光発電システムの構成を示す概略図である。このシステムにおいては、複数の太陽光発電モジュールGMが配置され、出力線3および通信手段28が接続されている。通信手段28は必ずしも有線でなくともよく、無線でもよいことは言うまでもない。出力線3は、パワーコンディショナ60に接続され、パワーコンディショナ60で直流電流が交流電流に変換される。通信手段28は、ホストコンピュータHCに接続されて、太陽光発電モジュールGMからのインピーダンス情報をホストコンピュータHCに送信するとともに、ホストコンピュータHCからの指令を太陽光発電モジュールGMに送信する。通信手段29は、パワーコンディショナ60とホストコンピュータHCを接続するデータ伝送手段であり、ホストコンピュータHCにパワーコンディショナ60の運転状況に関する情報を伝達することが出来る。
図12は、太陽光発電モジュールGM裏面の構成を示す図である。出力線3および通信手段28が出力端子箱2に接続され、太陽電池パネル1の裏面に取り付けられている。出力端子箱2には、高周波インピーダンス測定装置MDが実装されており、制御部21、データ通信部22を経てホストコンピュータHCにデータが送信される。ホストコンピュータHCでは、得られたインピーダンスの高周波特性からそれぞれの太陽電池パネル1について等価回路定数を算出し、基準値との比較により太陽電池パネル1の劣化の程度を検出する。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 11 is a schematic diagram illustrating a configuration of a solar power generation system using the above-described solar power generation module GM. In this system, a plurality of photovoltaic power generation modules GM are arranged, and the output line 3 and the communication means 28 are connected. It goes without saying that the communication means 28 is not necessarily wired and may be wireless. The output line 3 is connected to the power conditioner 60, and a direct current is converted into an alternating current by the power conditioner 60. The communication means 28 is connected to the host computer HC and transmits impedance information from the solar power generation module GM to the host computer HC and transmits a command from the host computer HC to the solar power generation module GM. The communication unit 29 is a data transmission unit that connects the power conditioner 60 and the host computer HC, and can transmit information related to the operating condition of the power conditioner 60 to the host computer HC.
FIG. 12 is a diagram illustrating the configuration of the back surface of the photovoltaic power generation module GM. The output line 3 and the communication means 28 are connected to the output terminal box 2 and attached to the back surface of the solar cell panel 1. A high frequency impedance measuring device MD is mounted on the output terminal box 2, and data is transmitted to the host computer HC via the control unit 21 and the data communication unit 22. The host computer HC calculates an equivalent circuit constant for each solar cell panel 1 from the obtained high frequency characteristic of the impedance, and detects the degree of deterioration of the solar cell panel 1 by comparison with a reference value.

上記のような太陽光発電システムは、ホストコンピュータHCからデータ通信部22を経て制御部21に対して、高周波インピーダンス測定装置MDの動作を制御してもよい。高周波インピーダンス測定装置MDを制御することで、太陽光発電システム全体の各太陽電池パネル1のインピーダンス測定を順次実行すれことができる。インピーダンス測定は、日光の当らない夜間が好ましいため、ホストコンピュータHCに内蔵されている時計を用い、日没とともに各モジュールにおいて自動的に測定を開始して不具合の発生の有無を調査することができる。不具合の発生した太陽光発電モジュールを検知した場合は、太陽電池パネル1の交換や、出力端子箱2の修理など、早急に必要なメンテナンスを行なうことにより、日中の発電量が低減しないように太陽光発電システムを運用することが可能になる。
The solar power generation system as described above may control the operation of the high-frequency impedance measuring device MD from the host computer HC to the control unit 21 via the data communication unit 22. By controlling the high frequency impedance measuring device MD, the impedance measurement of each solar cell panel 1 of the entire photovoltaic power generation system can be sequentially executed. Impedance measurement is preferable at night when it is not exposed to sunlight. Using a clock built in the host computer HC, measurement can be automatically started at each module at sunset to check for the occurrence of defects. . When a defective solar power generation module is detected, the necessary amount of maintenance such as replacement of the solar battery panel 1 or repair of the output terminal box 2 is performed as soon as possible so that the amount of power generation during the day is not reduced. It becomes possible to operate a solar power generation system.

1 太陽電池パネル
2 出力端子箱
3 出力線
21 制御部
22 データ通信部
23 インピーダンス算出部
24 電流・電圧検出部
25 高周波信号発生部
26 逆流防止ダイオード
27 電源部
33 高周波信号源
34 ブロッキングダイオード
36 電流センサ
37 電圧センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solar cell panel 2 Output terminal box 3 Output line 21 Control part 22 Data communication part 23 Impedance calculation part 24 Current / voltage detection part 25 High frequency signal generation part 26 Backflow prevention diode 27 Power supply part 33 High frequency signal source 34 Blocking diode 36 Current sensor 37 Voltage sensor

Claims (9)

出力線を通じて太陽電池パネルの発電出力を取り出す出力端子箱を備えた太陽光発電モジュールであって、
前記出力端子箱は、
前記出力線に挿入された逆流防止ダイオードと、
前記太陽電池パネルのインピーダンスを測定するインピーダンス測定装置と、
を備え、
前記インピーダンス測定装置は、
前記出力線に高周波信号を重畳する信号発生部と、
前記出力線に設けられて高周波信号を検知する信号検出部と、
前記信号検出部で検知された高周波信号から前記太陽電池パネルのインピーダンスの高周波特性を算出するインピーダンス算出部と、
を備える太陽光発電モジュール。
A photovoltaic power generation module having an output terminal box for extracting the power generation output of the solar cell panel through an output line,
The output terminal box is
A backflow prevention diode inserted in the output line;
An impedance measuring device for measuring the impedance of the solar cell panel;
With
The impedance measuring device includes:
A signal generator for superimposing a high-frequency signal on the output line;
A signal detector provided on the output line for detecting a high-frequency signal;
An impedance calculator that calculates a high-frequency characteristic of the impedance of the solar cell panel from a high-frequency signal detected by the signal detector;
A solar power generation module comprising:
出力線に重畳する前記高周波信号は、前記太陽電池パネルの共振周波数を含む周波数域で可変である、請求項1に記載の太陽光発電モジュール。 The photovoltaic module according to claim 1, wherein the high-frequency signal superimposed on the output line is variable in a frequency range including a resonance frequency of the solar cell panel. 前記高周波信号の周波数域は、300Hz以上10MHz以下の範囲を含む、請求項2に記載の太陽光発電モジュール。 The photovoltaic power generation module according to claim 2, wherein a frequency range of the high-frequency signal includes a range of 300 Hz to 10 MHz. 前記信号発生部は、太陽電池パネルの出力線にブロッキングキャパシタを介して高周波信号を重畳させる、請求項1〜3のいずれか1つに記載の太陽光発電モジュール。 The photovoltaic generator module according to any one of claims 1 to 3, wherein the signal generator superimposes a high-frequency signal on an output line of the solar cell panel via a blocking capacitor. 前記信号発生部は、前記逆流防止ダイオードと前記太陽電池パネルとの間の前記出力線に高周波信号を重畳する、請求項1〜4のいずれか1つに記載の太陽光発電モジュール。 5. The photovoltaic power generation module according to claim 1, wherein the signal generator superimposes a high-frequency signal on the output line between the backflow prevention diode and the solar battery panel. 前記信号検出部はあらかじめ決められた周波数の間隔でサンプリングを行い、
測定する周波数範囲の中にあって、
前記太陽電池パネルの共振周波数を含む範囲の第一の周波数帯における平均サンプリング間隔が、
前記第一の周波数帯を含まない第二の周波数帯における平均サンプリング間隔より小さい、
請求項1〜5のいずれか1つに記載の太陽光発電モジュール。
The signal detection unit performs sampling at a predetermined frequency interval,
Within the frequency range to be measured
The average sampling interval in the first frequency band in the range including the resonance frequency of the solar cell panel,
Smaller than the average sampling interval in the second frequency band not including the first frequency band,
The photovoltaic power generation module according to any one of claims 1 to 5.
前記出力線に重畳する高周波信号はパルス信号である、請求項1に記載の太陽光発電モジュール。 The solar power generation module according to claim 1, wherein the high-frequency signal superimposed on the output line is a pulse signal. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の太陽光発電モジュールを複数台備える太陽光発電システムであって、
前記インピーダンスの高周波特性から前記太陽電池パネルの等価回路定数を算出し、
前記等価回路定数の値と基準値との比較により、
前記太陽電池パネルの劣化を検知する太陽光発電システム。
A solar power generation system including a plurality of the solar power generation modules according to any one of claims 1 to 7,
Calculate the equivalent circuit constant of the solar cell panel from the high frequency characteristics of the impedance,
By comparing the value of the equivalent circuit constant with the reference value,
A solar power generation system for detecting deterioration of the solar cell panel.
日没後に自動的に前記インピーダンスの高周波特性の測定を開始する、請求項8に記載の太陽光発電システム。 The photovoltaic power generation system according to claim 8, wherein the measurement of the high-frequency characteristic of the impedance is automatically started after sunset.
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