JP2014153093A

JP2014153093A - 電磁流速計の校正システム、校正係数の算出システム及びその方法

Info

Publication number: JP2014153093A
Application number: JP2013020886A
Authority: JP
Inventors: Keigo Nishida; 圭吾西田
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2013-02-05
Filing date: 2013-02-05
Publication date: 2014-08-25

Abstract

【課題】構造物の配置パターンが変更されても、変更された構造物の配置パターンに応じて、電磁流速計により計測された測定流速を好適に校正することができる電磁流速計の校正システム等を提供する。
【解決手段】電磁流速計１の校正システム５０は、所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられ、隣接する構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する電磁流速計１と、構造物の複数の配置パターンに関連付けられる複数の校正係数のうち、電磁流速計１と隣接する構造物の配置パターンに関連付けられる校正係数を取得し、取得した校正係数に基づいて、電磁流速計１で計測した測定流速を校正し、校正した測定流速を校正流速として算出する制御装置１１と、を備える。
【選択図】図１０

Description

本発明は、電磁流速計により計測される測定流速を校正するための電磁流速計の校正システム、校正係数の算出システム、電磁流速計の校正方法及び校正係数の算出方法に関するものである。

従来、周囲に鉄ボルトが設けられる電磁流量計が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この電磁流量計では、周囲の鉄ボルトによる漏れ磁場の影響を低減すべく、帰還磁路の隙間が実質的に生じないように、複数の帰還磁路板が設けられている。このため、電磁流量計は、帰還磁場をシェル内部に閉じ込めることができることから、漏れ磁場が最小限に抑えられるため、精度を良好なものとしている。

特開２００１−１５３７００号公報

ここで、特許文献１に記載されたように、電磁流速計は、発生させた磁界が、鉄ボルト等の周囲の構造物に対して干渉することで、精度の良い流速を計測することが困難な場合がある。この場合、周囲の構造物に対する磁界の干渉を考慮し、電磁流速計により計測される測定流速を、校正係数を用いて校正している。通常、校正係数は、電磁流速計の周囲の構造物の配置パターンに応じて予め算出する。このため、構造物の配置パターンが変更されると、電磁流速計により計測される測定流速を校正できなくなることから、変更後の構造物の配置パターンに応じた校正係数を、新たに算出する必要が生じる。よって、構造物の配置パターンが変更される度に、校正係数を算出しなければならず、煩雑なものとなっていた。

そこで、本発明は、構造物の配置パターンが変更されても、変更された構造物の配置パターンに応じて、電磁流速計により計測された測定流速を好適に校正することができる電磁流速計の校正システム、校正係数の算出システム、電磁流速計の校正方法及び校正係数の算出方法を提供することを課題とする。

本発明の電磁流速計の校正システムは、所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられ、隣接する前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する電磁流速計と、前記構造物の複数の前記配置パターンに関連付けられる複数の校正係数のうち、前記電磁流速計と隣接する前記構造物の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を取得し、取得した前記校正係数に基づいて、前記電磁流速計で計測した前記測定流速を校正し、校正した前記測定流速を校正流速として算出する制御装置と、を備えることを特徴とする。

また、本発明の電磁流速計の校正方法は、所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する測定流速計測工程と、前記構造物の複数の前記配置パターンに関連付けられる複数の前記校正係数のうち、前記電磁流速計と隣接する前記構造物の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を取得する校正係数取得工程と、取得した前記校正係数に基づいて、前記電磁流速計で計測した前記測定流速を校正し、校正した前記測定流速を校正流速として算出する校正流速算出工程と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、構造物の複数の配置パターンに関連付けられる複数の校正係数の中から、電磁流速計と隣接する構造物の配置パターンに関連付けられる校正係数を取得することができる。そして、取得した校正係数に基づいて、電磁流速計により計測される狭隘部の測定流速を校正して、校正流速を算出することができる。このため、電磁流速計と隣接する構造物の配置パターンが変更されても、変更された構造物の配置パターンに応じた校正係数を適宜取得することができるため、電磁流速計により計測される狭隘部の測定流速を容易に校正することができる。以上から、構造物の配置パターンが変更される度に、校正係数を算出する必要がないため、電磁流速計により計測される狭隘部の測定流速を迅速に校正することができる。ここで、構造物周辺の狭隘部とは、電磁流速計により形成される磁界が、構造物と干渉するような狭い空間であり、例えば、電磁流速計と構造物との間の距離が、１ｃｍ以下程度となる空間である。

この場合、前記制御装置は、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数がない場合、所定の前記配置パターンに近似する第１の前記配置パターンに関連付けられる第１の前記校正係数と、所定の前記配置パターンに近似する第２の前記配置パターンに関連付けられる第２の前記校正係数とに基づいて、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を補間し、補間した前記校正係数を取得することが好ましい。

また、この場合、前記校正係数取得工程では、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数がない場合、所定の前記配置パターンに近似する第１の前記配置パターンに関連付けられる第１の前記校正係数と、所定の前記配置パターンに近似する第２の前記配置パターンに関連付けられる第２の前記校正係数とに基づいて、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を補間し、補間した前記校正係数を取得することが好ましい。

この構成によれば、所定の配置パターンに応じた校正係数がない場合であっても、補間した校正係数に基づいて、電磁流速計により計測される狭隘部の測定流速を校正することができる。

また、この場合、前記電磁流速計は、前記構造物に隣接して設けられる検出子と、前記検出子による検出結果に基づいて前記測定流速を導出する制御ユニットと、を有し、前記制御装置は、前記制御ユニットであることが好ましい。

この構成によれば、制御ユニットを制御装置として機能させることができるため、制御装置を省くことができ、システム構成を簡易なものにすることができる。

本発明の校正係数の算出システムは、所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を測定流速として計測し、計測した前記測定流速を校正するための校正係数を算出する校正係数の算出システムであって、前記狭隘部を流れる流体の流速を、校正流速として計測する校正流速計と、前記狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する前記電磁流速計と、前記校正流速と前記測定流速とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる前記校正係数を算出する制御装置と、を備えることを特徴とする。

また、本発明の校正係数の算出方法は、所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を測定流速として計測し、計測した前記測定流速を校正するための校正係数を算出する校正係数の算出方法であって、前記狭隘部を流れる流体の流速を、校正流速として計測する校正流速計測工程と、前記狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する測定流速計測工程と、前記校正流速と前記測定流速とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる前記校正係数を算出する校正係数算出工程と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、電磁流速計により計測される狭隘部の測定流速と、校正流速計により計測される狭隘部の校正流速とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる校正係数を算出することができる。また、配置パターンが複数ある場合には、配置パターンの数だけ、これらの工程を繰り返し行うことにより、種々の配置パターンに応じた種々の校正係数を算出することができる。

この場合、前記校正流速計及び前記電磁流速計は、前記制御装置に接続されていることが好ましい。

この構成によれば、校正流速計により計測した校正流速と、電磁流速計により計測した測定流速とを制御装置に直接入力することができるため、制御装置により校正係数を迅速に算出することができる。

図１は、本実施例に係る校正係数の算出システムの概略構成図である。図２は、校正係数の算出システムに設けられる水槽周りの説明図である。図３は、電磁流速計から発生する磁界の状態を示す説明図である。図４は、電磁流速計と構造物としての平板との位置関係の一例を示す説明図である。図５は、測定流速と校正流速との関係を示すグラフである。図６は、電磁流速計と構造物としての平板との位置関係の一例を示す説明図である。図７は、電磁流速計と構造物としての管群との位置関係の一例を示す説明図である。図８は、電磁流速計と構造物としての管群との位置関係の一例を示す説明図である。図９は、本実施例に係る校正係数の算出方法の制御に関するフローチャートである。図１０は、本実施例に係る電磁流速計の校正システムの概略構成図である。図１１は、制御装置に格納される校正係数のデータベースの一例を示す説明図である。図１２は、制御装置に格納される校正係数のデータベースの一例を示す説明図である。図１３は、本実施例に係る電磁流速計の校正方法の制御に関するフローチャートである。

以下に、本発明に係る実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施例における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

本実施例で使用される電磁流速計１は、磁界を発生させ、発生させた磁界中を流体Ｓが流通することで、電磁誘導により誘起される電圧を計測し、計測した電圧に基づいて流体Ｓの流速を計測するものである。この電磁流速計１は、発生させた磁界が、電磁流速計１の周囲に設けられる構造物によって干渉してしまう場合がある。つまり、電磁流速計１は、構造物の近接に配置されると、電磁流速計１から発せられる磁界が構造物と干渉してしまい、電磁流速計１が隣接する構造物周辺の狭隘部５を流れる流体の流速（真の流速）を精度良く計測することが困難となる。このため、電磁流速計１で計測される流速（測定流速）は、校正係数を用いて校正されることで、校正流速として算出される。そして、算出される校正流速は、真の流速を含む、真の流速近傍の所定の範囲の流速となる。

まず、図１から図９を参照し、電磁流速計１の校正係数を算出する校正係数の算出システム１０について説明する。なお、本実施例では、電磁流速計１を、流体Ｓの流速を計測するものとして説明するが、電磁流速計１は、流体Ｓの流量も算出可能な構成であることから、電磁流量計としての機能も包含する。

図１は、本実施例に係る校正係数の算出システムの概略構成図である。図２は、校正係数の算出システムに設けられる水槽周りの説明図である。図３は、電磁流速計から発生する磁界の状態を示す説明図である。図４は、電磁流速計と構造物としての平板との位置関係の一例を示す説明図である。

図１に示すように、校正係数の算出システム１０は、電磁流速計１と、電磁流速計１に接続される制御装置１１とを備えている。電磁流速計１は、検出子１５と、検出子１５に接続される制御ユニット１６を有し、制御ユニット１６が制御装置１１に接続されている。なお、本実施例では、制御ユニット１６と制御装置１１とが別体に設けられているが、一体とした構成であってもよい。また、電磁流速計１の検出子１５は、流体Ｓが流通する水槽２１に没して配置される。

図２に示すように、水槽２１は、例えば、平面視方形となる箱状に形成されており、その内部に流体Ｓが溜められている。この水槽２１には、所定の配置パターンとなる構造物が設けられており、構造物としては、例えば、平板２３が適用されている。平板２３は、その厚さ方向に移動可能となっている。

図３に示すように、電磁流速計１の検出子１５は、所定の方向（Ｘ方向）に流れる流速を検出するための一対の電極２５と、所定の方向（Ｘ方向）に直交する直交方向（Ｙ方向）に流れる流速を検出するための一対の電極２６とを有している。一対の電極２５は、中心を挟んで対向して配置されており、一方の電極側が正極（Ｎ極）となり、他方の電極側が負極（Ｓ極）となる磁界を形成する。同様に、一対の電極２６は、中心を挟んで対向して配置されており、一方の電極側が正極（Ｎ極）となり、他方の電極側が負極（Ｓ極）となる磁界を形成する。そして、検出子１５は、一対の電極２５及び一対の電極２６により形成される磁界に流体が通過することで電圧が誘起され、誘起される電圧を制御ユニット１６に印加する。

再び、図１を参照するが、電磁流速計１の制御ユニット１６は、検出子１５から印加される電圧に基づいて、所定の算出式から測定流速を算出する。制御ユニット１６は、算出した測定流速を、制御装置１１へ向けて出力する。

また、制御ユニット１６には、校正流速を計測する校正流速計１８の検出子１９が接続されている。つまり、制御ユニット１６は、校正流速計１８の制御ユニットとしても機能している。校正流速計１８は、例えば、ピトー管を含んで構成される流速計であり、ピトー管内の差圧に関するデータを、制御ユニット１６に出力する。制御ユニット１６は、校正流速計１８から入力されるデータに基づいて、所定の算出式から校正流速を算出する。制御ユニット１６は、算出した校正流速を、制御装置１１へ向けて出力する。なお、本実施例では、校正流速計１８を制御ユニット１６に接続したが、校正流速計１８を別体の構成としてもよく、この場合、校正流速計１８により計測した校正流速を、制御装置１１に直接入力してもよい。

制御装置１１は、各種データを格納したり、取得した各種データに基づく処理をしたりする。具体的に、制御装置１１は、制御ユニット１６から入力される測定流速及び校正流速に基づいて校正係数を算出する。なお、校正係数の算出に係る制御動作については、後述する。

ここで、図４に示すように、上記の校正係数の算出システム１０において、電磁流速計１の検出子１５は、距離ｌとなる隙間を空けて、平板２３と隣接して配置されている。このため、検出子１５に隣接する平板２３の周辺が、狭隘部５となっている。また、平板２３の厚み方向と、一対の電極２５が対向する方向とは、同じ方向となっている。距離ｌは、検出子１５により形成される磁界が、平板２３と干渉するような距離となっている。つまり、狭隘部５とは、電磁流速計１により形成される磁界が、平板２６等の構造物と干渉するような狭い空間であり、例えば、電磁流速計１と平板２６等の構造物との間の距離が、１ｃｍ以下程度となる空間である。そして、電磁流速計１の検出子１５の周辺には、水槽２１内の流体Ｓが流通する。このため、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２５が対向する方向と直交することから、一対の電極２５により計測される流速が、流体Ｓの測定流速となる。一方で、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２６が対向する方向と同方向となることから、一対の電極２６により計測される測定流速がゼロとなる。図４に示す配置パターンにおいて、平板２３と検出子１５との間の距離ｌを変化させたときの、校正流速と測定流速との変化は、図５に示すグラフとなる。

図５は、測定流速と校正流速との関係を示すグラフである。図５に示すグラフにおいて、その横軸は、校正流速ｖ_ａとなっており、その縦軸は、測定流速ｖ_ｂとなっている。また、Ｌ１は、距離ｌ＝ｌ_１の場合における、校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとの関係を示す一次式のグラフであり、Ｌ２は、距離ｌ＝ｌ_２の場合における、校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとの関係を示す一次式のグラフであり、Ｌ３は、距離ｌ＝ｌ_３の場合における、校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとの関係を示す一次式のグラフである。このとき、距離ｌは、ｌ_１＜ｌ_２＜ｌ_３となっている。

図５に示すように、距離ｌ＝ｌ_１の場合において、流体Ｓの流速を変化させ、校正流速計１８により校正流速ｖ_ａを計測し、電磁流速計１により測定流速ｖ_ｂを計測すると、黒丸でプロットされた複数の計測点が得られる。そして、この複数の計測点から、複数の計測点を結ぶ一次式Ｌ１を導出し、一次式Ｌ１から得られる傾きが、校正係数α_１となる。同様に、距離ｌ＝ｌ_２の場合において、黒三角でプロットされた複数の計測点から、一次式Ｌ２を導出し、一次式Ｌ２から得られる傾きが、校正係数α_２となる。同様に、距離ｌ＝ｌ_３の場合において、黒四角でプロットされた複数の計測点から、一次式Ｌ３を導出し、一次式Ｌ３から得られる傾きが、校正係数α_３となる。

このようにして導出された校正係数α_１、α_２、α_３は、詳細は後述するが、データベース化され、データベース化された校正係数α_１、α_２、α_３は、電磁流速計１の測定流速ｖ_ｂを校正する電磁流速計１の校正システム５０に組み込まれる制御装置１１に格納される。

図６は、電磁流速計と構造物としての平板との位置関係の一例を示す説明図である。図７は、電磁流速計と構造物としての管群との位置関係の一例を示す説明図である。図８は、電磁流速計と構造物としての管群との位置関係の一例を示す説明図である。

図６から図８に示すように、電磁流速計１の検出子１５が配置される構造物の配置パターンは、図４に示す配置パターンだけでなく、種々の構造物の配置パターンがある。そして、校正係数の算出システム１０では、種々の配置パターン応じた様々な校正係数を用意するために、種々の配置パターンに応じた様々な校正係数が算出される。なお、図６から図８に示す配置パターンも一例であり、これらの構造物の配置パターンに限定されない。

図６に示す構造物の配置パターンとして、電磁流速計１の検出子１５は、距離ｌとなる所定の隙間を空けて、平板２３と隣接して配置されている。このため、検出子１５に隣接する平板２３の周辺が、狭隘部５となっている。また、平板２３の厚み方向と、一対の電極２５が対向する方向とは、４５°分、角度を傾けて交差している。距離ｌは、検出子１５により形成される磁界が、平板２３と干渉するような距離となっている。そして、電磁流速計１の検出子１５の周辺には、水槽２１内の流体Ｓが流通する。このため、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２５が対向する方向と４５°分だけ傾くことから、一対の電極２５により計測される流速が、流体Ｓの測定流速の一部の流速となる。また、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２６が対向する方向と４５°分だけ傾くことから、一対の電極２６により計測される流速が、流体Ｓの測定流速の一部の流速となる。つまり、流体Ｓの測定流速は、一対の電極２５により計測される流速の流通方向における成分の速度と、一対の電極２６により計測される流速の流通方向における成分の速度とを足し合わせたものとなる。図６に示す配置パターンにおいて、平板２３と検出子１５との間の距離ｌを変化させたときの、校正流速と測定流速を計測し、計測した校正流速と測定流速とに基づいて、校正係数を算出する。

また、図７に示す構造物の配置パターンとして、電磁流速計１の検出子１５は、距離ｌとなる所定の隙間を空けて、複数の管３１と隣接して配置されている。このため、検出子１５に隣接する管３１の周辺が、狭隘部５となっている。複数の管３１は、格子状に配置された管群３５となっている。具体的に、検出子１５には、一対の電極２５が対向する方向において、管３１が隣接して設けられ、また、一対の電極２６が対向する方向において、管３１が隣接して設けられている。検出子１５と管３１との間の隙間の距離ｌは、検出子１５により形成される磁界が、管３１と干渉するような距離となっている。そして、電磁流速計１の検出子１５の周辺には、水槽２１内の流体Ｓが流通する。このため、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２５が対向する方向と直交することから、一対の電極２５により計測される流速が、電極２５と管３１との隙間を流通する流体Ｓの測定流速となる。また、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２６が対向する方向と直交することから、一対の電極２６により計測される流速が、電極２６と管３１との隙間を流通する流体Ｓの測定流速となる。このような配置パターンにおいて、管３１と検出子１５との間の距離ｌを変化させたときの、校正流速と測定流速とを計測し、計測した校正流速と測定流速とに基づいて、校正係数を算出する。また、管群３５においては、距離ｌの変化だけでなく、隣接する管３１の中心同士の間の距離であるピッチＰ_ｔ、及び管３１の直径ｄを変化させたときの、校正流速と測定流速とを計測し、計測した校正流速と測定流速とに基づいて、校正係数を算出する。

また、図８に示す構造物の配置パターンとして、電磁流速計１の検出子１５は、距離ｌとなる所定の隙間を空けて、複数の管３１と隣接して配置されている。このため、検出子１５に隣接する管３１の周辺が、狭隘部５となっている。複数の管３１は、千鳥状に配置された管群３５となっている。具体的に、検出子１５には、一対の電極２５が対向する方向において、管３１が隣接して設けられる。一方で、検出子１５には、一対の電極２６が対向する方向において、管３１同士の間が位置している。検出子１５と管３１との間の隙間の距離ｌは、検出子１５により形成される磁界が、管３１と干渉するような距離となっている。このとき、一対の電極２５により形成される磁界は、管３１と干渉するが、一対の電極２６により形成される磁界は、管３１と干渉しない。そして、電磁流速計１の検出子１５の周辺には、水槽２１内の流体Ｓが流通する。このため、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２５が対向する方向と直交することから、一対の電極２５により計測される流速が、電極２５と管３１との隙間を流通する流体Ｓの測定流速となる。また、流体Ｓの流通方向は、一対の電極２６が対向する方向と直交することから、一対の電極２６により計測される流速が、電極２６と管３１との隙間を流通する流体Ｓの測定流速となる。このような配置パターンにおいて、管３１と検出子１５との間の距離ｌを変化させたときの、校正流速と測定流速とを計測し、計測した校正流速と測定流速とに基づいて、校正係数を算出する。また、図７と同様に、管群３５においては、距離ｌの変化だけでなく、隣接する管３１の中心同士の間の距離であるピッチＰ_ｔ、及び管３１の直径ｄを変化させたときの、校正流速と測定流速とを計測し、計測した校正流速と測定流速とに基づいて、校正係数を算出する。

次に、図９を参照して、上記の校正係数の算出システム１０を用いて、電磁流速計１の校正係数を算出する制御動作について説明する。図９は、本実施例に係る校正係数の算出方法の制御に関するフローチャートである。先ず、所定の配置パターンとなる構造物が水槽２１内に配置された状態において、電磁流速計１が隣接する構造物の周辺に形成される狭隘部５を流通する流体Ｓの流速を計測可能な位置に、校正流速計１８の検出子１９を配置する。

この後、狭隘部５を流れる流体Ｓの流速を、校正流速計１８により計測して、校正流速ｖ_ａを取得する（ステップＳ１：校正流速計側工程）。取得した校正流速ｖ_ａは、校正流速計１８から制御装置１１に入力される。校正流速計側工程Ｓ１の実行後、水槽２１内に配置された校正流速計１８を取り出し、電磁流速計１の検出子１５を水槽２１内に配置する。そして、狭隘部５を流れる流体Ｓの流速を、電磁流速計１により計測して、測定流速ｖ_ｂを取得する（ステップＳ２：測定流速計側工程）。取得した測定流速ｖ_ｂは、電磁流速計１から制御装置１１に入力される。

制御装置１１は、校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとを取得すると、取得した校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとに基づいて、例えば図５に示すようなグラフから、校正係数を算出する（ステップＳ３：校正係数算出工程）。算出した校正係数は、制御装置１１において、構造物の配置パターンと関連付けてデータベース化される。そして、構造物の配置パターンの種類の数だけ、上記したステップＳ１からステップＳ３の工程を繰り返し行うことで、種々の配置パターンの校正係数を取得する。なお、本実施例では、校正流速計側工程Ｓ１を行った後、測定流速計測工程Ｓ２を行ったが、この順序に限定されない。つまり、測定流速計測工程Ｓ２を行った後、校正流速計側工程Ｓ１を行ってもよく、校正流速ｖ_ａと測定流速ｖ_ｂとを計測できれば、いずれの順序であってもよい。

次に、図１０から図１３を参照して、上記の校正係数の算出システム１０により算出した校正係数を用いて、電磁流速計１により計測される測定流速を校正する電磁流速計１の校正システム５０について説明する。図１０は、本実施例に係る電磁流速計の校正システムの概略構成図である。図１１は、制御装置に格納される校正係数のデータベースの一例を示す説明図である。図１２は、制御装置に格納される校正係数のデータベースの一例を示す説明図である。図１３は、本実施例に係る電磁流速計の校正方法の制御に関するフローチャートである。

図１０に示すように、電磁流速計１の校正システム５０は、校正係数の算出システム１０とほぼ同様の構成となっており、電磁流速計１と、電磁流速計１に接続される制御装置１１とを備えている。なお、電磁流速計１については、算出システム１０と同様の構成であるため、説明を省略する。電磁流速計１は、その検出子１５が構造物と隣接させて配置され、検出子１５に隣接する構造物周辺の狭隘部５を流れる流体Ｓの流速を計測する。また、校正システム５０は、校正流速計１８を省いた構成となっている。なお、本実施例では、校正流速計１８を省いた構成としたが、校正流速計１８を設けてもよく、電磁流速計１の校正システム５０を、校正係数の算出システム１０と、同一の構成としてもよい。

この校正システム５０において、制御装置１１には、データベース化された校正係数が格納されている。データベース化された校正係数は、構造物の配置パターンと関連付けられている。データベース化された校正係数としては、構造物の配置パターンが平板２３であれば、例えば、図１１に示すようなデータベースＤ１となっている。

図１１に示すように、平板２３が図４に示す配置パターンである場合（図１１の（１）の場合）、データベースＤ１における校正係数αは、距離ｌに対応して複数用意される。同様に、平板２３が図６に示す配置パターンである場合（図１１の（２）の場合）、データベースＤ１における校正係数βは、距離ｌに対応して複数用意される。

また、データベース化された校正係数としては、構造物の配置パターンが管群３５であれば、例えば、図１２に示すようなデータベースＤ２となっている。

図１２に示すように、管群３５が図７に示す配置パターンである場合、データベースＤ２における校正係数γは、距離ｌ、ピッチＰ_ｔ及び直径ｄに対応して複数用意される。具体的に、データベースＤ２における校正係数γは、距離ｌが所定の距離である場合に、ピッチＰ_ｔ及び直径ｄを変化させて得られたデータであり、距離ｌを変化させた分、データが複数用意される。

このように、構造物の配置パターンが管群３５である場合、校正係数は、構造物の配置パターンに関連付けられていると共に、距離ｌ、ピッチＰ_ｔまたは直径ｄ等の所定のパラメータに関連付けられている。

次に、図１３を参照して、上記の電磁流速計１の算出システム５０を用いて、電磁流速計１の測定流速を校正する制御動作について説明する。図１３は、本実施例に係る電磁流速計の校正方法の制御に関するフローチャートである。先ず、所定の配置パターンとなる構造物が配置された状態において、電磁流速計１の検出子１５を構造物に隣接させて配置する。

この後、検出子１５に隣接する構造物周辺の狭隘部５を流れる流体Ｓの流速を、電磁流速計１により計測して、測定流速ｖ_ｂを取得する（ステップＳ１１：測定流速計側工程）。取得した測定流速ｖ_ｂは、電磁流速計１から制御装置１１に入力される。測定流速計側工程Ｓ１１の実行後、制御装置１１は、構造物の複数の配置パターンに関連付けられる複数の校正係数の中から、配置された検出子１５と隣接する構造物の配置パターンに関連付けられる校正係数を取得する（ステップＳ１２：校正係数取得工程）。そして、制御装置１１は、取得した測定流速ｖ_ｂと取得した校正係数とに基づいて、校正流速ｖ_ａを算出する（ステップＳ１３：校正流速算出工程）。つまり、制御装置１１は、取得した測定流速ｖ_ｂに校正係数を乗算して、校正流速ｖ_ａを算出する。

ここで、制御装置１１は、校正係数取得工程Ｓ１２において、配置された検出子１５に隣接する構造物の配置パターンに関連付けられる校正係数がデータベースＤ１、Ｄ２にない場合、データベースＤ１、Ｄ２に格納されている校正係数を用いて、校正係数を補間する。例えば、構造物の配置パターンが図４に示す配置パターンであって、距離ｌが、図１１のデータベースＤ１に示す距離ｌ_１と距離ｌ_２との間である場合、距離ｌ_１の校正係数と距離ｌ_２の校正係数を用いて、内挿法または回帰分析法等の手法を用いて、校正係数を補間し、補間した校正係数を取得する。このように、制御装置１１は、校正係数がない所定の配置パターンに対して、所定の配置パターンに近似する第１の配置パターンの校正係数と、所定の配置パターンに近似する第２の配置パターンの校正係数とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる校正係数を補間し、補間した校正係数を取得している。

以上のように、本実施例の構成によれば、構造物の複数の配置パターンに関連付けられる複数の校正係数の中から、電磁流速計１と隣接する構造物の配置パターンに関連付けられる校正係数を取得することができる。そして、取得した校正係数に基づいて、電磁流速計１により計測される狭隘部５の測定流速ｖ_ｂを校正して、校正流速ｖ_ａを算出することができる。このため、電磁流速計１と隣接する構造物の配置パターンが変更されても、変更された構造物の配置パターンに応じた校正係数を適宜取得することができるため、電磁流速計１により計測される狭隘部５の測定流速ｖ_ｂを容易に校正することができる。以上から、構造物の配置パターンが変更される度に、校正係数を算出する必要がないため、電磁流速計１により計測される狭隘部５の測定流速ｖ_ｂを迅速に校正することができる。

また、本実施例の構成によれば、所定の配置パターンに応じた校正係数がない場合であっても、補間した校正係数に基づいて、電磁流速計１により計測される狭隘部５の測定流速ｖ_ｂを校正することができる。

また、本実施例の構成によれば、電磁流速計１により計測される狭隘部５の測定流速ｖ_ｂと、校正流速計１８により計測される狭隘部５の校正流速ｖ_ａとに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる校正係数を算出することができる。また、配置パターンが複数ある場合には、配置パターンの数だけ、これらの工程を繰り返し行うことにより、種々の配置パターンに応じた種々の校正係数を算出することができる。

また、本実施例の構成によれば、校正流速計により計測した校正流速と、電磁流速計により計測した測定流速とを制御装置に直接入力することができるため、制御装置により校正係数を迅速に算出することができる。

なお、上記したように、制御ユニット１６を制御装置１１として機能させることで、制御ユニット１６と制御装置１１とを一体に構成すれば、制御装置１１を省くことができ、システム構成を簡易なものにすることができる。

１電磁流速計
５狭隘部
１０校正係数の算出システム
１１制御装置
１５検出子
１６制御ユニット
１８校正流速計
１９検出子
２１水槽
２３平板
２５電極
２６電極
３１管
３５管群
５０電磁流速計の校正システム
Ｓ流体
ｖ_ａ校正流速
ｖ_ｂ測定流速
Ｄ１データベース
Ｄ２データベース

Claims

所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられ、隣接する前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する電磁流速計と、
前記構造物の複数の前記配置パターンに関連付けられる複数の校正係数のうち、前記電磁流速計と隣接する前記構造物の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を取得し、取得した前記校正係数に基づいて、前記電磁流速計で計測した前記測定流速を校正し、校正した前記測定流速を校正流速として算出する制御装置と、を備えることを特徴とする電磁流速計の校正システム。
前記制御装置は、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数がない場合、所定の前記配置パターンに近似する第１の前記配置パターンに関連付けられる第１の前記校正係数と、所定の前記配置パターンに近似する第２の前記配置パターンに関連付けられる第２の前記校正係数とに基づいて、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を補間し、補間した前記校正係数を取得することを特徴とする請求項１に記載の電磁流速計の校正システム。
前記電磁流速計は、前記構造物に隣接して設けられる検出子と、前記検出子による検出結果に基づいて前記測定流速を導出する制御ユニットと、を有し、
前記制御装置は、前記制御ユニットであることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁流速計の校正システム。
所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を測定流速として計測し、計測した前記測定流速を校正するための校正係数を算出する校正係数の算出システムであって、
前記狭隘部を流れる流体の流速を、校正流速として計測する校正流速計と、
前記狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する前記電磁流速計と、
前記校正流速と前記測定流速とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる前記校正係数を算出する制御装置と、を備えることを特徴とする校正係数の算出システム。
前記校正流速計及び前記電磁流速計は、前記制御装置に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の校正係数の算出システム。
所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する測定流速計測工程と、
前記構造物の複数の前記配置パターンに関連付けられる複数の前記校正係数のうち、前記電磁流速計と隣接する前記構造物の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を取得する校正係数取得工程と、
取得した前記校正係数に基づいて、前記電磁流速計で計測した前記測定流速を校正し、校正した前記測定流速を校正流速として算出する校正流速算出工程と、を備えることを特徴とする電磁流速計の校正方法。
前記校正係数取得工程では、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数がない場合、所定の前記配置パターンに近似する第１の前記配置パターンに関連付けられる第１の前記校正係数と、所定の前記配置パターンに近似する第２の前記配置パターンに関連付けられる第２の前記校正係数とに基づいて、所定の前記配置パターンに関連付けられる前記校正係数を補間し、補間した前記校正係数を取得することを特徴とする請求項６に記載の電磁流速計の校正方法。
所定の配置パターンとなる構造物に隣接して設けられる電磁流速計により、前記構造物周辺の狭隘部を流れる流体の流速を測定流速として計測し、計測した前記測定流速を校正するための校正係数を算出する校正係数の算出方法であって、
前記狭隘部を流れる流体の流速を、校正流速として計測する校正流速計測工程と、
前記狭隘部を流れる流体の流速を、測定流速として計測する測定流速計測工程と、
前記校正流速と前記測定流速とに基づいて、所定の配置パターンに関連付けられる前記校正係数を算出する校正係数算出工程と、を備えることを特徴とする校正係数の算出方法。