JP2014149322A - Liquid crystal display panel and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とに生じる寄生容量を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶表示パネルは、薄膜トランジスタのチャネル領域Ntftが1つのシングルゲートトランジスタである。そして、薄膜トランジスタの半導体層は、基板の表面に垂直な方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置され、チャネル領域Ntftは、屈曲することで、コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが信号線25と重なり合う位置にあり、コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。
【選択図】図4Provided are a liquid crystal display panel and an electronic device that suppress parasitic capacitance generated in a capacitance at a crossing portion of a signal line and a scanning line and a capacitance in a channel of a transistor.
A liquid crystal display panel is a single gate transistor having a thin film transistor channel region Ntft. The semiconductor layer of the thin film transistor is disposed in a plane between the scanning line 24 and the signal line 25 in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and the channel region Ntft is bent to be the end of the channel region near the contact portion 25a. The part PD is in a position where it overlaps with the signal line 25, and the channel region end PS near the contact part 90 a is not in a position where it overlaps with the signal line 25.
[Selection] Figure 4
Description
本開示は、液晶を備える液晶表示パネルに関する。また、本開示は、液晶を備える液晶表示パネルを備えた電子機器に関する。 The present disclosure relates to a liquid crystal display panel including a liquid crystal. Moreover, this indication is related with the electronic device provided with the liquid crystal display panel provided with a liquid crystal.
近年、携帯電話や電子ペーパーなどのモバイル機器向けの表示装置の需要が高くなっている。このような表示装置は、画素がマトリクス状に配置されている表示エリア部と、表示エリア部の各画素を行単位で選択する垂直駆動回路と、垂直駆動回路によって選択された行の各画素に対して画像信号を供給する水平駆動回路とを備えている。 In recent years, the demand for display devices for mobile devices such as mobile phones and electronic paper has increased. Such a display device includes a display area unit in which pixels are arranged in a matrix, a vertical drive circuit that selects each pixel in the display area unit in units of rows, and each pixel in a row selected by the vertical drive circuit. And a horizontal drive circuit for supplying an image signal.
表示装置は、垂直駆動回路や水平駆動回路と接続する配線が表示エリア部に配置されている。表示装置は、これらの配線と画素との間に作用する寄生容量が生じる。表示エリア部の高精細化が進むと画素の面積が小さくなり、配線と画素との間に作用する寄生容量が大きくなる。 In the display device, wirings connected to the vertical drive circuit and the horizontal drive circuit are arranged in the display area portion. In the display device, a parasitic capacitance acting between the wiring and the pixel is generated. As the definition of the display area increases, the area of the pixel decreases, and the parasitic capacitance acting between the wiring and the pixel increases.
また、特許文献1に記載の技術では、透明基板上に、薄膜トランジスタに接続され、列又は行方向に直線状に連続する所定数を1ピッチとする画素電極が、相隣接する列又は行で半ピッチずれて配置される液晶表示素子において、薄膜トランジスタに接続されるドレインラインとゲートラインとの一方が、所定列又は行内の隣接する画素電極間に、行又は列方向に沿った直線部と、相隣接する直線部を斜めに結ぶ斜め直線部とを有し、薄膜トランジスタのチャネル長方向が列又は行方向と異なる液晶表示素子が記載されている。
In the technique described in
しかしながら、特許文献1に記載の技術は、デルタ配列に関わらず、信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とが多重に発生する可能性があり、寄生容量が大きい。
However, in the technique described in
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とに生じる寄生容量を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供することにある。 The present disclosure has been made in view of such problems, and an object of the present disclosure is to provide a liquid crystal display panel and an electronic device that suppress parasitic capacitance generated in the capacitance at the intersection of the signal line and the scanning line and the capacitance in the channel of the transistor. To provide equipment.
本開示による液晶表示パネルは、第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、前記第1基板は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に第1コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、前記第1基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第1金属配線と、前記第1金属配線が延在する第1方向とは異なる、第2方向に延在することで前記第1金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第2コンタクト部で接続され信号線となる複数の第2金属配線と、を含み、前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が1つのシングルゲートトランジスタであって、前記半導体層が前記第1金属配線と前記第2金属配線との間の平面に配置され、前記チャネル領域が屈曲することで、前記第2コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にあり、前記第1コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にない。 A liquid crystal display panel according to the present disclosure includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate. In the display panel, the first substrate includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a thin film transistor connected to the pixel electrode by a first contact portion, and a direction perpendicular to the surface of the first substrate. A plurality of first metal wirings that are in a layer different from the semiconductor layer of the thin film transistor and that are partly crossed to form a scanning line so that a part of the semiconductor layer serves as a channel region, and a first metal wiring extending from the first metal wiring A plurality of second metal wirings that are three-dimensionally crossed with the first metal wiring by extending in the second direction, which is different from the one direction, and that are connected to the semiconductor layer at the second contact portion and serve as signal lines. Including the thin film transistor In the star, the channel region is a single gate transistor, the semiconductor layer is disposed in a plane between the first metal wiring and the second metal wiring, and the channel region is bent, The end of the channel region near the second contact portion is in a position overlapping the second metal wiring, and the end of the channel region near the first contact portion is not in a position overlapping with the second metal wiring.
本開示の電子機器は、上記液晶表示パネルを備えるものである。 An electronic device according to the present disclosure includes the liquid crystal display panel.
本開示による液晶表示パネル及び電子機器によれば、寄生容量を抑制液晶表示パネル及び電子機器を提供することができる。 According to the liquid crystal display panel and the electronic device according to the present disclosure, it is possible to provide a liquid crystal display panel and an electronic device in which parasitic capacitance is suppressed.
本開示を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、説明は以下の順序で行う。
1.本実施形態(液晶表示パネル)
2.評価例
3.適用例(電子機器)
上記実施形態に係る液晶表示パネルが電子機器に適用されている例
4.本開示の構成
A mode (embodiment) for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the constituent elements described below can be appropriately combined. The description will be given in the following order.
1. This embodiment (liquid crystal display panel)
2. Evaluation example 3. Application example (electronic equipment)
3. Example in which the liquid crystal display panel according to the above embodiment is applied to an electronic device. Composition of this disclosure
<1.実施形態(液晶表示パネル)>
図1は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルの構成の一例を表す説明図である。図2は、図1の液晶表示パネルのシステム構成例を表すブロック図である。図1は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状と同一とは限らない。なお、表示装置1が本開示の「液晶表示パネル」の一具体例に相当する。
<1. Embodiment (Liquid Crystal Display Panel)>
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example of a configuration of a liquid crystal display panel according to the present embodiment and a modification. FIG. 2 is a block diagram illustrating a system configuration example of the liquid crystal display panel of FIG. FIG. 1 is a schematic representation and is not necessarily the same as the actual size and shape. The
表示装置1は、透過型、又は半透過型の表示装置であり、液晶表示パネル2と、ドライバIC3と、バックライト6と、を備えている。表示装置1は、バックライト6を備えない、反射型の表示装置であってもよい。図示しないフレキシブルプリント基板(FPC(Flexible Printed Circuits))は、ドライバIC3への外部信号又はドライバIC3を駆動する駆動電力を伝送する。液晶表示パネル2は、透明絶縁基板、例えばガラス基板11と、ガラス基板11の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状(行列状)に多数配置されてなる表示エリア部21と、水平ドライバ(水平駆動回路)23と、垂直ドライバ(垂直駆動回路)22A、22Bと、を備えている。垂直ドライバ(垂直駆動回路)22A、22Bは、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bとして、表示エリア部21を挟むように配置されている。ガラス基板11は、能動素子(例えば、トランジスタ)を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第1基板と、この第1の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第2基板とを含む。そして、ガラス基板11は、第1基板、第2基板の間に液晶が封入される液晶層を有する。
The
液晶表示パネル2の額縁11gr、11glは、ガラス基板11の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状(行列状)に多数配置されてなる表示エリア部21がない、非表示領域である。垂直ドライバ22A、22Bは、額縁11gr、11glに配置されている。
The picture frames 11gr and 11gl of the liquid
バックライト6は、液晶表示パネル2の裏面側(画像を表示する面とは反対側の面)に配置されている。バックライト6は、液晶表示パネル2に向けて光を照射し、表示エリア部21の全面に光を入射させる。バックライト6は、例えば光源と、光源から出力された光を導いて、液晶表示パネル2の裏面に向けて出射させる導光版と、を含む。
The backlight 6 is disposed on the back side of the liquid crystal display panel 2 (the surface on the side opposite to the surface on which images are displayed). The backlight 6 irradiates the liquid
(表示装置のシステム構成例)
液晶表示パネル2は、ガラス基板11上に、表示エリア部21と、インターフェース(I/F)及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバIC3と、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22B及び水平ドライバ23とを備えている。
(Example of system configuration of display device)
The liquid
表示エリア部21は、液晶層を含む画素Vpixが、表示上の1画素を構成するユニットがm行×n列に配置されたマトリクス(行列状)構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるn個の画素Vpixを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるm個の画素Vpixを有する画素列をいう。そして、mとnとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部21は、画素Vpixのm行n列の配列に対して行毎に走査線241、242、243・・・24mが配線され、列毎に信号線251、252、253・・・25nが配線されている。以後、本実施形態においては、走査線241、242、243・・・24mを代表して走査線24又は走査線24mのように表記し、信号線251、252、253・・・25nを代表して信号線25又は信号線25nのように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線241、242、243・・・24mを代表して走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・のように表記し、信号線251、252、253・・・25nを代表して信号線25n+1、25n+2、25n+3・・・のように表記することもある。表示エリア部21は、正面に直交する方向から見た場合、走査線24と信号線25がカラーフィルタのブラックマトリクスと重なる領域に配置されている。また、表示エリア部21は、ブラックマトリクスが配置されていない領域が開口部となる。
The
液晶表示パネル2には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバIC3に与えられる。ドライバIC3は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換(昇圧)し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバIC3は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22B及び水平ドライバ23に与える。ドライバIC3は、画素Vpix毎の画素電極に対して各画素共通に与えるコモン電位(対向電極電位)Vcomを生成して表示エリア部21に与える。
The liquid
第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、後述するシフトレジスタを含み、さらにラッチ回路等を含む。第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、ラッチ回路が、垂直クロックパルスに同期してドライバIC3から出力される表示データを1水平期間で順次サンプリングしラッチする。第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、ラッチ回路においてラッチされた1ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部21の走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・に与えることによって画素Vpixを行単位で順次選択する。第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・の延在方向に走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・を挟むように配置されている。第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、例えば、走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・の表示エリア部21の上寄り、垂直走査上方向から、表示エリア部21の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、走査線24m+1、24m+2、24m+3・・・の表示エリア部21の下寄り、垂直走査下方向から、表示エリア部21の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。
The first
水平ドライバ23には、例えば6ビットのR(赤)、G(緑)、B(青)のデジタル映像データVsigが与えられる。水平ドライバ23は、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bによる垂直走査によって選択された行の各画素Vpixに対して、画素毎に、もしくは複数画素毎に、あるいは全画素一斉に、信号線25を介して表示データを書き込む。
For example, 6-bit R (red), G (green), and B (blue) digital video data Vsig is supplied to the
(液晶表示パネルの駆動方式)
図3は、画素を駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。表示エリア部21には、図3に示す各画素Vpixの薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)Trに表示データとして画素信号を供給する信号線25n+1、25n+2、25n+3、各薄膜トランジスタTrを駆動する走査線24m+1、24m+2、24m+3等の配線が形成されている。このように、信号線25n+1、25n+2、25n+3は、上述したガラス基板11の表面と平行な平面に延在し、画素Vpixに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Vpixは、薄膜トランジスタTr及び液晶素子LCを備えている。薄膜トランジスタTrは、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。薄膜トランジスタTrのソース及びドレインのうち一方は信号線25n+1、25n+2、25n+3に接続され、ゲートは走査線24m+1、24m+2、24m+3に接続され、ソース及びドレインのうち他方は液晶素子LCの一端に接続されている。液晶素子LCは、一端が薄膜トランジスタTrに接続され、他端が共通電極COMLのコモン電位Vcomに接続されている。
(Liquid crystal display panel drive method)
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an example of a drive circuit for driving a pixel. In the
画素Vpixは、走査線24m+1、24m+2、24m+3により、表示エリア部21の同じ行に属する他の画素Vpixと互いに接続されている。走査線24m+1、24m+2、24m+3のうち奇数の走査線24m+1、24m+3は、第1垂直ドライバ22Aと接続され、第1垂直ドライバ22Aから後述する走査信号の垂直走査パルスVgateが供給される。走査線24m+1、24m+2、24m+3のうち偶数の走査線24m+2、24m+4は、第2垂直ドライバ22Bと接続され、第2垂直ドライバ22Bから、後述する走査信号の垂直走査パルスVgateが供給される。このように、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、走査方向の走査線24m+1、24m+2、24m+3に交互に垂直走査パルスVgateを印加する。また、画素Vpixは、信号線25n+1、25n+2、25n+3により、表示エリア部21の同じ列に属する他の画素Vpixと互いに接続されている。信号線25n+1、25n+2、25n+3は、水平ドライバ23と接続され、水平ドライバ23より画素信号が供給される。共通電極COMLのコモン電位Vcomは、不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより電圧が供給される。さらに、画素Vpixは、共通電極COMLのコモン電位Vcomにより、表示エリア部21の同じ列に属する他の画素Vpixと互いに接続されている。
The pixel Vpix is connected to other pixels Vpix belonging to the same row of the
図1及び図2に示す第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bは、垂直走査パルスVgateを、図3に示す走査線24m+1、24m+2、24m+3を介して、画素Vpixの薄膜トランジスタTrのゲートに印加することにより、表示エリア部21にマトリクス状に形成されている画素Vpixのうちの1行(1水平ライン)を表示駆動の対象として順次選択する。図1及び図2に示す水平ドライバ23は、画素信号を、図3に示す信号線25n+1、25n+2、25n+3を介して、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bにより順次選択される1水平ラインを含む各画素Vpixにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Vpixでは、供給される画素信号に応じて、1水平ラインの表示が行われるようになっている。
The first
上述したように、表示装置1は、第1垂直ドライバ22A、第2垂直ドライバ22Bが走査線24m+1、24m+2、24m+3を順次走査するように駆動することにより、1水平ラインが順次選択される。また、表示装置1は、1水平ラインに属する画素Vpixに対して、水平ドライバ23が画素信号を供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバは、その1水平ラインに対応する共通電極COMLのコモン電位Vcomを印加するようになっている。
As described above, in the
表示装置1は、液晶素子LCに同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗(物質固有の抵抗値)等が劣化する可能性がある。表示装置1は、液晶の比抵抗(物質固有の抵抗値)等の劣化を防ぐため、駆動信号のコモン電位Vcomを基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。
In the
この液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、1カラム(1画素列)に相当する1V(Vは垂直期間)の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ライン反転は、1ライン(1画素行)に相当する1H(Hは水平期間)の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、1画面に相当する1フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置1は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。
As driving methods for this liquid crystal display panel, driving methods such as column inversion, line inversion, dot inversion, and frame inversion are known. Column inversion is a driving method in which the polarity of a video signal is inverted in a time period of 1 V (V is a vertical period) corresponding to one column (one pixel column). Line inversion is a driving method in which the polarity of a video signal is inverted at a time period of 1H (H is a horizontal period) corresponding to one line (one pixel row). The dot inversion is a driving method in which the polarity of the video signal is alternately inverted for each of the upper, lower, left and right adjacent pixels. Frame inversion is a driving method that inverts video signals to be written to all pixels for each frame corresponding to one screen at the same polarity. The
次に、表示エリア部21の構成を詳細に説明する。図4は、本実施形態に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図5は、図4のV−V線断面図の模式図である。表示エリア部21は、図5に示すように、画素基板70Aと、この画素基板70Aの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板70Bと、画素基板70Aと対向基板70Bとの間に挿設された液晶層70Cとを備えている。なお、画素基板70Aは、液晶層70Cとは反対側の面に、バックライト6が配置されている。
Next, the configuration of the
液晶層70Cは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、FFS(フリンジフィールドスイッチング)又はIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。液晶層70Cは、例えば、TN(Twisted Nematic:ツイステッドネマティック)、VA(Vertical Alignment:垂直配向)、ECB(Electrically Controlled Birefringence:電界制御複屈折)等の各種モードの液晶であってもよい。なお、図5に示す液晶層70Cと画素基板70Aとの間、及び液晶層70Cと対向基板70Bとの間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
The
対向基板70Bは、ガラス基板75と、このガラス基板75の一方の面に形成されたカラーフィルタ76を含む。カラーフィルタ76は、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色された色領域を含む。カラーフィルタ76は、開口部76bに例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色された色領域を周期的に配列して、図3に示す各画素VpixにR、G、Bの3色の色領域が1組として画素Pixとして対応付けられている。カラーフィルタ76は、TFT基板71と垂直な方向において、液晶層70Cと対向する。なお、カラーフィルタ76は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ76は、緑(G)の色領域の輝度が、赤(R)の色領域及び青(B)の色領域の輝度よりも高い。なお、ブラックマトリクス76aが図3に示す画素Vpixの外周を覆うように形成されていてもよい。このブラックマトリクス76aは、二次元配置された画素Vpixと画素Vpixとの境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクス76aは、光の吸収率が高い材料で形成される。
The counter substrate 70 </ b> B includes a
画素基板70Aは、回路基板としてのTFT基板71と、このTFT基板71上にマトリクス状に配設された複数の画素電極72と、TFT基板71及び画素電極72の間に形成された共通電極COMLと、画素電極72と共通電極COMLとを絶縁する絶縁層74と、を含む。共通電極COMLは、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料(透明導電酸化物)で形成される透明電極である。
The
TFT基板71には、上述した各画素Vpixの薄膜トランジスタTrが形成された半導体層92、各画素電極72に画素信号を供給する信号線25、薄膜トランジスタTrを駆動する走査線24等の配線が絶縁層74を介して積層されている。絶縁層74は、例えば、走査線24と半導体層92との間の絶縁膜741と、半導体層92と信号線25との間の絶縁膜742と、信号線25と共通電極COMLとの間の絶縁膜743と、共通電極COMLと画素電極72との間の絶縁膜744とが積層されている。絶縁膜741、742、743、744は、同じ絶縁材料であってもよく、いずれかが異なる絶縁材料であってもよい。例えば、絶縁膜743は、ポリイミド樹脂などの有機系絶縁材料で形成されており、他の絶縁膜(絶縁膜741、絶縁膜742、絶縁膜744)は、SiN、SiO2等の無機系絶縁材料で形成されている。
On the
信号線25は、TFT基板71の表面71fと平行な平面に延在し、画素に画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層92は、例えば、低温ポリシリコン、アモルファスシリコンなどで形成されている。半導体層92は、一部が信号線25と接し、他の一部が信号線25と同一の層に形成された台座配線90と接している。本開示において、走査線24は、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属の配線である第1金属配線であり、信号線25は、アルミニウム等の金属の配線である第2金属配線であり、台座配線90は、アルミニウム等の金属の配線である第3金属配線である。絶縁層74は、走査線24と、第2金属配線と、半導体層92とを、配線が接触する部分である第2コンタクト部25a、第1コンタクト部90a(コンタクトホール)を除いて絶縁する。
The
半導体層92と、信号線25と、走査線24とは、TFT基板71の表面71fに垂直な方向(Z方向)の異なる層に形成されている。信号線25と、台座配線90とは、TFT基板71の表面71fに垂直な方向(Z方向)の同じ層に形成されている。走査線24は、半導体層92の一部と立体交差して、薄膜トランジスタTrのゲートとして作用する。本開示において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲している。この構造により、チャネルNtftの一部は、信号線25と走査線24とが立体交差している位置にあり、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量と、チャネルNtftの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネル2は、クロス容量と、チャネルNtftの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
The
近年、表示装置は、高精細化が要望されている。表示装置は、高精細化すると、画素が増加するため、配線が増加し、配線を配置するためのスペースが増える。このため、液晶表示パネル上における配線の占有率が増え、光を透過する範囲である開口の割合、つまり開口率が小さくなっていく。表示装置は、開口率が小さくなると、光源から出射される光の量に対して、液晶表示パネルを通過できる光の量が少なくなる。本実施形態の液晶表示パネルは、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差したチャネルNtftと、信号線25と走査線24とが立体交差している領域が重なり合うことにより、遮光する領域が少なくなり、開口率が向上する。
In recent years, there has been a demand for higher definition display devices. As the display device has higher definition, the number of pixels increases, so that the number of wirings increases and the space for arranging the wirings increases. For this reason, the occupation ratio of the wiring on the liquid crystal display panel is increased, and the ratio of the aperture, that is, the aperture ratio, which is a range through which light is transmitted, is decreased. When the aperture ratio is small, the amount of light that can pass through the liquid crystal display panel is reduced with respect to the amount of light emitted from the light source. The liquid crystal display panel of the present embodiment shields light by overlapping the channel Ntft in which the
信号線25に接続される第2コンタクト部25aは、半導体層92における、例えば、薄膜トランジスタTrのドレイン電極となっている。また、半導体層92の第1コンタクト部90aは、台座配線90を介して画素電極72と接続されている。台座配線90に接続される第1コンタクト部90aは、半導体層92における、例えば、薄膜トランジスタTrのソース電極になっている。例えば、第2コンタクト部25aが、半導体層92における、薄膜トランジスタTrのソース電極となっている場合、第1コンタクト部90aは、半導体層92における、例えば、薄膜トランジスタTrのドレイン電極になっている。図3に示すように、走査線24は、半導体層92における、薄膜トランジスタTrのゲートになる。
The
ここで、上述したように、走査線24と信号線25とは、線状の金属配線であり、互いに略直交する向きで立体交差するように配置されている。図4に示すように、台座配線90は、Z方向において、走査線24に沿った第1方向(X方向)と信号線25に沿った第2方向(Y方向)とに囲まれる領域の縁部に配置されている。
Here, as described above, the
図5に示す、本実施形態に係る表示エリア部21は、TFT基板71、走査線24、半導体層92、信号線25、共通電極COML、画素電極72の順に、Z方向に積層されている。本実施形態に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。走査線24の延設部24Aは、走査線24がX方向に延在する、TFT基板71の表面71fと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部24Aは、走査線24の導電性の金属の一部がY方向に延びる。このため、延設部24Aは、走査線24と電気的に接続されて、走査線24と同じ電位になっている。これにより、延設部24Aは、電界遮蔽と薄膜トランジスタTrのゲート電極とを兼ねることができる。延設部24Aは、信号線25と重なり合い、かつ第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSと重なり合う面積を有している。そして、延設部24Aは、一部が信号線25と重なり合う。信号線25と重なり合わない延設部24Aの一部の縁部の境界線24aが、X方向及びY方向と異なる方向に延びている。また、上述したように半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲している。半導体層92は、屈曲後に第1コンタクト部90aに向かって延在する。半導体層92は、屈曲後に第1コンタクト部90aに向かって延在する半導体層92の延在方向と、延設部24Aの一部の縁部の線24aを含むZ方向に平行な平面とのなす角度が約90度になるように屈曲している。このため、チャネル領域端部PSの線分長さが最小となる。その結果、半導体層92に生じるリーク電流の可能性が抑制される。ここで約90度とは、85度以上95度以下の製造誤差を含む。
5, the
図4に示すように、Z方向において台座配線90と信号線25との間には、隙間Spがある。そして、隙間Spは、台座配線90のX方向両側にある。図4に示す、隣り合う信号線25の間で台座配線90のない領域は、開口領域Opである。仮に、長さ24yが走査線24よりも遠い側の台座配線90の端部90tを超える場合、延設部24Aが開口領域Opに重なり合う。このため、延設部24Aが開口領域Opを遮光することになり、延設部24Aが開口率を低下させる可能性がある。本実施形態に係る延設部24Aは、走査線24から突出する長さ24yが、走査線24よりも遠い側の台座配線90の端部90tを超えない長さである。これにより、本実施形態に係る延設部24Aは、Z方向において開口領域Opに重なり合うことを避けることができる。また、延設部24Aは、Z方向において信号線25と重なり合うとともに隙間Spにはみ出す幅24xを有している。つまり、信号線25のX方向の幅25xよりも、延設部24AのX方向の幅24xが広い。このように、延設部24Aは、Z方向において隙間Spに一部が重なり合う。本実施形態に係る延設部24Aは、Z方向において開口領域Opに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。このように、延設部24Aは、Z方向において隙間Spに一部が重なり合うが、開口領域Opに重なり合わない。
As shown in FIG. 4, there is a gap Sp between the
本実施形態の延設部24Aは、台座配線90及び信号線25の2つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。このため、本実施形態に係る表示エリア部21は、信号線25間を狭くして、画素ピッチを小さく(以下、狭ピッチ対応ともいう。)し、高精細にすることができる。
The extending
図4及び図5に示すように、チャネル領域Ntftは、屈曲することで、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にある。また、図4及び図5に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。これにより、TFT基板71の表面71fに垂直な方向において、チャネル領域端部PDの縁を延長した仮想線、第2チャネル端ラインPDLと、チャネル領域端部PSの縁を延長した仮想線、第1チャネル端ラインPSLと、が平行でない位置関係になる。つまり、第1チャネル端ラインPSLと、第2チャネル端ラインPDLとがなす角は角度θを有し、非平行である。薄膜トランジスタTrは、シングルゲートトランジスタであり、かつボトムゲート構造の場合、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSは、同一の電位である信号線25に覆われてしまうと、ゲート電圧を制御してチャネル領域Ntftを非導通状態にしても、半導体層92の裏面側を通ってチャネル領域Ntftにリーク電流が流れてしまうという、バックチャネルリークと呼ばれる現象が生じる可能性がある。本実施形態のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち一方は、信号線25に覆われるが、他方は、信号線25に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, the channel region Ntft is bent so that the channel region end PD on the
低温ポリシリコンで形成した半導体層92は、アモルファスシリコンでも形成された半導体層92と比較して、オン抵抗が十分小さく、オフ時のリーク電流を抑制することが好ましい。このため、低温ポリシリコンで形成した半導体層92は、アモルファスシリコンでも形成された半導体層92と比較して、チャネル領域端部PS及びチャネル領域端部PDの線分長さを小さくできる。例えば、アモルファスシリコンで形成した半導体層92は、チャネル領域端部PS及びチャネル領域端部PDの線分長さが大きいと、第1チャネル端ラインPSLと、第2チャネル端ラインPDLとが平行にした方が製造しやすい。逆に、低温ポリシリコンで形成した半導体層92は、アモルファスシリコンで形成した半導体層92と比較して、第1チャネル端ラインPSLと、第2チャネル端ラインPDLとが非平行になるようにすることが容易である。
The
図6は、薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図7は、図6のVII−VII線断面を示す模式図である。図6に示す表示エリア部21は、本実施形態に係る表示エリア部21のような延設部24Aを備えていない。また、図6に示す走査線24は、半導体層92の一部と立体交差して、薄膜トランジスタTrのゲートとして作用する。図6及び図7に示すように、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は2カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルである第1のチャネルNtft1と、nチャネルである第2のチャネルNtft2とを備えるダブルゲートトランジスタである。また、半導体層92は、Y方向に平行に延びる2本の細線の端部を半導体層92自体が屈曲して一体に形成されている。そして、第1のチャネルNtft1と、第2のチャネルNtft2とが平行かつY方向に延在して、直列に接続されている。薄膜トランジスタTrは、第1のチャネルNtft1と、第2のチャネルNtft2との間の半導体層92が開口率を低下させる可能性がある。本実施形態に係る表示エリア部21は、シングルゲートであるので、第1のチャネルNtft1と、第2のチャネルNtft2との間の半導体層92が不要である。本実施形態に係る表示エリア部21は、図4に示す表示エリア21よりも開口率を高めることができる。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of the liquid crystal display panel when the thin film transistor is a double gate transistor. FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a cross section taken along line VII-VII in FIG. 6. The
(本実施形態の第1変形例)
図8は、本実施形態の第1変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図9は、図8のIX−IX線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(First modification of this embodiment)
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of a liquid crystal display panel according to a first modification of the present embodiment. FIG. 9 is a schematic diagram showing a main part of a cross section taken along line IX-IX in FIG. The same components as those described in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
本実施形態の第1変形例に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第1変形例において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲している。これにより、TFT基板71の表面71fに垂直な方向において、チャネル領域端部PDの縁を示す第2チャネル端ラインPDLと、チャネル領域端部PSの縁を示す第1チャネル端ラインPSLと、が平行でない位置関係になる。この構造により、チャネルNtftの一部は、信号線25と走査線24とが立体交差している位置にあり、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量と、チャネルNtftの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルNtftの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
The
図8に示すように、TFT基板71の表面71fに垂直な方向において、チャネル領域端部PDの縁を延長した仮想線、第2チャネル端ラインPDLと、チャネル領域端部PSの縁を延長した仮想線、第1チャネル端ラインPSLとがなす角θは、約90度である。ここで約90度とは、85度以上95度以下の製造誤差を含む。このように、チャネル領域端部PDの縁と、チャネル領域端部PSの縁とが非平行である。図4に示す表示エリア部21と、図8に示す表示エリア部21とを比較する場合、上述した図4に示す表示エリア部21は、TFT基板71の表面71fに垂直な方向において、チャネル領域端部PDの縁を示す第2チャネル端ラインPDLと、チャネル領域端部PSの縁を示す第1チャネル端ラインPSLとがなす角度θは、約90度を含まない。このため、図4に示す半導体層92の長さは、図8に示す半導体層92の長さより短くなり、チャネル領域Ntftの容量が小さくなることから、寄生容量を低減することができる。
As shown in FIG. 8, in the direction perpendicular to the
図9に示す、本実施形態の第1変形例に係る表示エリア部21は、TFT基板71、走査線24、半導体層92、信号線25、共通電極COML、画素電極72の順に、Z方向に積層されている。走査線24の延設部24Bは、走査線24がX方向に延在する、TFT基板71の表面71fと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部24Bは、走査線24の導電性の金属の一部がY方向に延びる。このため、延設部24Bは、走査線24と電気的に接続されて、走査線24と同じ電位になっている。これにより、延設部24Bは、電界遮蔽と薄膜トランジスタTrのゲート電極とを兼ねることができる。
The
本実施形態の延設部24Bは、台座配線90及び信号線25の2つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。このため、本実施形態に係る表示エリア部21は、信号線25間を狭くして、画素ピッチを小さく(以下、狭ピッチ対応ともいう。)し、高精細にすることができる。
The
図8及び図9に示すように、チャネル領域Ntftは、屈曲することで、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にある。また、図8及び図9に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。本実施形態の第1変形例のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち一方は、信号線25に覆われるが、他方は、信号線25に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
As shown in FIGS. 8 and 9, the channel region Ntft is bent so that the channel region end PD on the
(本実施形態の第2変形例)
図10は、本実施形態の第2変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図11は、図10のXI−XI線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Second modification of this embodiment)
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of a liquid crystal display panel according to a second modification of the present embodiment. FIG. 11 is a schematic diagram illustrating a main part of a cross section taken along line XI-XI in FIG. The same components as those described in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
本実施形態の第2変形例に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第2変形例において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。
The
図10に示す、本実施形態の第2変形例に係る表示エリア部21は、TFT基板71、走査線24、半導体層92、信号線25、共通電極COML、画素電極72の順に、Z方向に積層されている。走査線24の延設部24Cは、走査線24がX方向に延在する、TFT基板71の表面71fと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部24Cは、走査線24の導電性の金属の一部がY方向に延びる。このため、延設部24Cは、走査線24と電気的に接続されて、走査線24と同じ電位になっている。これにより、延設部24Cは、電界遮蔽と薄膜トランジスタTrのゲート電極とを兼ねることができる。また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲しているが、チャネルNtftが、延設部24Cにのみあり、信号線25と重なる範囲に存在しない。この構造により、チャネルNtftは、信号線25と走査線24とが立体交差している位置になく、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量Cqと、チャネルNtftの容量とが異なる領域で作用する。
The
本実施形態の延設部24Cは、台座配線90及び信号線25の2つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。しかしながら、本実施形態に係る表示エリア部21は、チャネル領域NtftがX方向に伸びる配置である。このため、チャネル領域NtftがX方向の長さを決定する、半導体層92、走査線24の延設部24C、信号線25及び台座配線90の製造プロセス上の製造誤差が重畳する。これにより、半導体層92、走査線24の延設部24C、信号線25及び台座配線90の配置マージンを大きくとっておく必要があるので信号線25間を狭くする間隔に制約がある。その結果、本実施形態の第2変形例に係る表示エリア部21は、狭ピッチ対応に制約がある。
The extending
図10及び図11に示すように、チャネル領域Ntftは、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にない。また、図10及び図11に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。本実施形態の第2変形例のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち両方が信号線25に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
As shown in FIGS. 10 and 11, the channel region Ntft is not at the position where the channel region end PD on the
(本実施形態の第3変形例)
図12は、本実施形態の第3変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図12に示すXI−XI線断面の模式図は、図11に示す線断面の模式図と同様となる。
(Third Modification of this Embodiment)
FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of a liquid crystal display panel according to a third modification of the present embodiment. The same components as those described in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The schematic diagram of the cross section taken along line XI-XI shown in FIG. 12 is the same as the schematic diagram of the cross section shown in FIG.
本実施形態の第3変形例に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第3変形例において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。
The
本実施形態の第3変形例に係る表示エリア部21は、上述した延設部24A、24B及び24Cがない。このため、本実施形態に係る表示エリア部21は、信号線25間を狭くして、画素ピッチを小さく(以下、狭ピッチ対応ともいう。)し、高精細にすることができる。
The
また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲からはずれ、開口領域OpにおいてX方向に平行に延びる半導体層92自体が途中でY方向に屈曲している。この構造により、半導体層92が、開口率を低下させる要因となる可能性がある。また、チャネルNtftの一部は、信号線25と走査線24とが立体交差している位置になく、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量Cqと、チャネルNtftの容量とが異なる領域で作用する。
Further, the
図12に示すように、チャネル領域Ntftは、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にない。また、図12に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。本実施形態の第3変形例のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち両方が信号線25に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
As shown in FIG. 12, the channel region Ntft is not at the position where the channel region end PD on the
(本実施形態の第4変形例)
図13は、本実施形態の第4変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図14は、図13のXIV−XIV線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Fourth modification of the present embodiment)
FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of a liquid crystal display panel according to a fourth modification of the present embodiment. FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a main part of a cross section taken along line XIV-XIV in FIG. 13. The same components as those described in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
本実施形態の第4変形例に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第4変形例において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。
The
本実施形態の第4変形例に係る表示エリア部21は、上述した延設部24A、24B及び24Cがない。このため、本実施形態に係る表示エリア部21は、信号線25間を狭くして、画素ピッチを小さく(以下、狭ピッチ対応ともいう。)し、高精細にすることができる。
The
また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲しているが、チャネルNtftが、信号線25に重なる範囲にのみ存在する。この構造により、チャネルNtftは、信号線25と走査線24とが立体交差している位置にあり、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量と、チャネルNtftの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の第4変形例に係る液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルNtftの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。しかしながら、図13及び図14に示すように、チャネル領域Ntftは、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にある。また、図13及び図14に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にある。その結果、本実施形態の第4変形例のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち両方が信号線25に覆われており、バックチャネルリークが生じる可能性がある。
In addition, the
(本実施形態の第5変形例)
図15は、本実施形態の第5変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図15に示すIX−IX線断面の模式図は、図9に示す線断面の模式図と同様となる。
(Fifth modification of this embodiment)
FIG. 15 is a schematic diagram for explaining a circuit pattern of a liquid crystal display panel according to a fifth modification of the present embodiment. The same components as those described in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The schematic diagram of the IX-IX line section shown in FIG. 15 is the same as the schematic diagram of the line section shown in FIG.
本実施形態の第5変形例に係る表示エリア部21は、半導体層92がZ方向において走査線24と信号線25との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第5変形例において、走査線24と半導体層92の一部とが立体交差した箇所は1カ所であり、薄膜トランジスタTrは、nチャネルであるチャネルNtftを備えるシングルゲートトランジスタである。
The
本実施形態の第5変形例に係る表示エリア部21は、上述した延設部24A、24B及び24Cがない。しかしながら、走査線24は、信号線25と走査線24とが立体交差しているY方向の位置と、信号線25間にX方向に延在するY方向の位置とが異なるように、屈曲して蛇行している。このため、上述した延設部24A、24B及び24Cの代わりに、信号線24の蛇行部分が、台座配線90及び信号線25の2つの間隔のうち両方の間隔を通過してしまう。このため、図15に示す表示エリア部21は、信号線25間を狭くする間隔に制約がある。
The
また、半導体層92は、信号線25と重なる範囲でY方向に平行に延びる半導体層92自体が途中で屈曲している。この構造により、チャネルNtftの一部は、信号線25と走査線24とが立体交差している位置にあり、信号線25と走査線24との間に作用するクロス容量と、チャネルNtftの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルNtftの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
In addition, the
図15に示すように、チャネル領域Ntftは、屈曲することで、信号線25側であって第2コンタクト部25a寄りのチャネル領域端部PDが、信号線25と重なり合う位置にある。また、図15に示すように、チャネル領域Ntftは、画素電極72側であって第1コンタクト部90a寄りのチャネル領域端部PSが信号線25と重なり合う位置にない。本実施形態の第5変形例のチャネル領域Ntftは、チャネル領域端部PD及びチャネル領域端部PSのうち一方は、信号線25に覆われるが、他方は、信号線25に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
As shown in FIG. 15, the channel region Ntft is bent so that the channel region end PD on the
<2.評価例>
図16は、評価例の評価結果を説明するための説明図である。上述した本実施形態及び変形例の作用効果を検討するため、製造装置は、評価例1から評価例6を製造した。製造装置は、上述した図4に示す本実施形態に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例1とした。製造装置は、上述した図8に示す本実施形態の第1変形例に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例2とした。製造装置は、上述した図10に示す本実施形態の第2変形例に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例3とした。製造装置は、上述した図12に示す本実施形態の第3変形例に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例4とした。製造装置は、上述した図13に示す本実施形態の第4変形例に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例5とした。製造装置は、上述した図15に示す本実施形態の第5変形例に係る表示エリア部21を有する液晶表示パネルを製造し、評価例6とした。評価結果は、これら評価例1から評価例6の狭ピッチ対応、開口率、寄生容量、バックチャネルリークを評価した結果であり、図16に記載されている。
<2. Evaluation example>
FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining an evaluation result of the evaluation example. In order to examine the operational effects of the present embodiment and the modification described above, the manufacturing apparatus manufactured Evaluation Examples 1 to 6. The manufacturing apparatus manufactured a liquid crystal display panel having the
図16に示す狭ピッチ対応は、例えば図6に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンと比較し、同等のものを○とし、同等未満のものを×と評価した。図16に示すように、評価例1、評価例2、評価例4及び評価例5は、○の評価であった。また、評価例3及び評価例6は、×の評価であった。 For the narrow pitch correspondence shown in FIG. 16, for example, compared with the circuit pattern of the liquid crystal display panel when the thin film transistor shown in FIG. As shown in FIG. 16, Evaluation Example 1, Evaluation Example 2, Evaluation Example 4 and Evaluation Example 5 were evaluated as “good”. Moreover, the evaluation example 3 and the evaluation example 6 were evaluation of x.
図16に示す開口率は、例えば図6に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンの開口率よりも、5%向上したものを○、2%向上したものを△とし、同等以下のものを×と評価した。図16に示すように、評価例1、評価例2、評価例3及び評価例5は、○の評価であった。また、評価例6は、△の評価であった。評価例4は、×の評価であった。 For example, when the aperture ratio shown in FIG. 6 is a double gate transistor shown in FIG. The equivalent or lower was evaluated as x. As shown in FIG. 16, Evaluation Example 1, Evaluation Example 2, Evaluation Example 3, and Evaluation Example 5 were evaluated as “good”. Moreover, the evaluation example 6 was evaluation of (triangle | delta). Evaluation example 4 was evaluation of x.
図16に示す寄生容量は、例えば図6に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンの寄生容量が同等より大きいものを△とし、同等以下なものを○と評価した。図16に示すように、評価例1及び評価例5は、○の評価であった。また、評価例2、評価例3、評価例4及び評価例6は、△の評価であった。 As for the parasitic capacitance shown in FIG. 16, for example, the case where the parasitic capacitance of the circuit pattern of the liquid crystal display panel when the thin film transistor shown in FIG. As shown in FIG. 16, Evaluation Example 1 and Evaluation Example 5 were evaluations of “◯”. Moreover, Evaluation Example 2, Evaluation Example 3, Evaluation Example 4, and Evaluation Example 6 were evaluated as Δ.
図16に示すバックチャネルリークは、評価例のうちバックチャネルリークが生じているものを×と、バックチャネルリークが生じていないものを○と評価した。図16に示すように、評価例1、評価例2、評価例3、評価例4及び評価例6は、○の評価であった。また、評価例5は、×の評価であった。 The back channel leak shown in FIG. 16 was evaluated as “x” when the back channel leak occurred in the evaluation examples, and “◯” when the back channel leak did not occur. As shown in FIG. 16, Evaluation Example 1, Evaluation Example 2, Evaluation Example 3, Evaluation Example 4 and Evaluation Example 6 were evaluated as “good”. Moreover, the evaluation example 5 was evaluation of x.
<3.適用例>
次に、図17〜図29を参照して、実施形態で説明した表示装置1の適用例について説明する。図17〜図29は、本実施形態、及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置1は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置1は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、液晶表示パネルに映像信号を供給し、液晶表示パネルの動作を制御する制御装置を備える。
<3. Application example>
Next, an application example of the
(適用例1)
図17に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置1が適用されるテレビジョン装置である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル511及びフィルターガラス512を含む映像表示画面部510を有しており、この映像表示画面部510は、本実施形態、及び変形例に係る液晶表示パネルである。
(Application example 1)
The electronic device shown in FIG. 17 is a television device to which the
(適用例2)
図18及び図19に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置1が適用されるデジタルカメラである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部521、表示部522、メニュースイッチ523及びシャッターボタン524を有しており、その表示部522は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
(Application example 2)
The electronic device shown in FIGS. 18 and 19 is a digital camera to which the
(適用例3)
図20に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置1が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部531、この本体部531の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ532、撮影時のスタート/ストップスイッチ533及び表示部534を有している。そして、表示部534は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
(Application example 3)
The electronic device shown in FIG. 20 represents the appearance of a video camera to which the
(適用例4)
図21に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置1が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体541、文字等の入力操作のためのキーボード542及び画像を表示する表示部543を有しており、表示部543は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
(Application example 4)
The electronic apparatus shown in FIG. 21 is a notebook personal computer to which the
(適用例5)
図22〜図28に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置1が適用される携帯電話機である。この携帯電話機は、例えば、上側筐体551と下側筐体552とを連結部(ヒンジ部)553で連結したものであり、ディスプレイ554、サブディスプレイ555、ピクチャーライト556及びカメラ557を有している。そのディスプレイ554又はサブディスプレイ555は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
(Application example 5)
The electronic apparatus shown in FIGS. 22 to 28 is a mobile phone to which the
(適用例6)
図29に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体561の表面に表示部562を有している。この表示部562は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。表示部562には、液晶表示パネルに近接する物体を検出するいわゆるタッチパネルが備えられている。
(Application example 6)
The electronic device illustrated in FIG. 29 is an information portable terminal that operates as a portable computer, a multifunctional portable phone, a portable computer capable of voice communication, or a portable computer capable of communication, and is sometimes referred to as a so-called smartphone or tablet terminal. . This information portable terminal has a
<4.本開示の構成>
また、本開示は、以下の構成をとることもできる。
<4. Configuration of the present disclosure>
In addition, the present disclosure can take the following configurations.
(1)第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第1基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第1コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第1基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第1金属配線と、
前記第1金属配線が延在する第1方向とは異なる、第2方向に延在することで前記第1金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第2コンタクト部で接続され信号線となる複数の第2金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が1つのシングルゲートトランジスタである、液晶表示パネル。
(1) A liquid crystal display panel comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate. ,
The first substrate is
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix;
A thin film transistor connected to the pixel electrode at a first contact portion;
A plurality of first metal wirings which are in a layer different from the semiconductor layer of the thin film transistor in a direction perpendicular to the surface of the first substrate and which intersect with each other to form a scanning line in order to make a part of the semiconductor layer a channel region When,
A signal line connected to the semiconductor layer by a second contact portion and three-dimensionally intersecting the first metal wiring by extending in a second direction different from the first direction in which the first metal wiring extends. A plurality of second metal wirings,
The thin film transistor is a liquid crystal display panel in which the channel region is a single gate transistor.
(2)前記半導体層が前記第1金属配線と前記第2金属配線との間の平面に配置され、前記チャネル領域が屈曲することで、前記第2コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にあり、前記第1コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にない、前記(1)に記載の液晶表示パネル。 (2) The semiconductor layer is disposed in a plane between the first metal wiring and the second metal wiring, and the channel region is bent, so that the end of the channel region near the second contact portion is The liquid crystal display panel according to (1), wherein the liquid crystal display panel is located at a position overlapping with the second metal wiring, and an end portion of the channel region near the first contact portion is not located at a position overlapping with the second metal wiring.
(3)前記チャネル領域の一部は、前記第1金属配線と前記第2金属配線とが立体交差する位置にある、前記(2)に記載の液晶表示パネル。 (3) The liquid crystal display panel according to (2), wherein a part of the channel region is at a position where the first metal wiring and the second metal wiring are three-dimensionally crossed.
(4)前記第1金属配線の金属の一部が前記第2方向に突出して延びる延設部をさらに備え、前記延設部の一部は、前記第2金属配線と重なり合い、かつ前記延設部における前記第2金属配線と重なり合わない縁部が前記第1方向と異なる、前記(1)から(3)のいずれか1つに記載の液晶表示パネル。 (4) A part of the metal of the first metal wiring further includes an extending part that protrudes and extends in the second direction, and the part of the extending part overlaps the second metal wiring and extends. The liquid crystal display panel according to any one of (1) to (3), wherein an edge portion that does not overlap the second metal wiring is different from the first direction.
(5)前記延設部は、前記第1基板の表面に垂直な方向において、前記第2金属配線と重なり合うとともに、前記第2金属配線から前記第1コンタクト部寄りにはみ出す幅を有している、前記(4)に記載の液晶表示パネル。 (5) The extending portion overlaps the second metal wiring in a direction perpendicular to the surface of the first substrate, and has a width that protrudes from the second metal wiring toward the first contact portion. The liquid crystal display panel according to (4).
(6)前記第1基板の表面に垂直な方向において、前記第1コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第1チャネル端ラインと、前記第2コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第2チャネル端ラインとは、非平行である、前記(1)から前記(5)のいずれか1つに記載の液晶表示パネル。 (6) In a direction perpendicular to the surface of the first substrate, a first channel end line indicating an edge of the end of the channel region near the first contact portion; and a channel region near the second contact portion. The liquid crystal display panel according to any one of (1) to (5), wherein the liquid crystal display panel is not parallel to a second channel end line indicating an edge of the end.
(7)前記第1チャネル端ラインと、前記第2チャネル端ラインとがなす角度は、90度を含まない、前記(6)に記載の液晶表示パネル。 (7) The liquid crystal display panel according to (6), wherein an angle formed by the first channel end line and the second channel end line does not include 90 degrees.
(8)前記延設部は、前記走査線と同電位である、前記(4)から前記(7)のいずれか1つに記載の液晶表示パネル。 (8) The liquid crystal display panel according to any one of (4) to (7), wherein the extending portion has the same potential as the scanning line.
(9)前記(1)から前記(8)のいずれか1つに記載の液晶表示パネルを備える電子機器。 (9) An electronic device comprising the liquid crystal display panel according to any one of (1) to (8).
1 表示装置
2 液晶表示パネル
6 バックライト
11 ガラス基板
11gr、11gl 額縁
21 表示エリア部
22A 第1垂直ドライバ
22B 第2垂直ドライバ
24 走査線
24A、24B、24C 延設部
25 信号線
71 TFT基板
72 画素電極
75 ガラス基板
76 カラーフィルタ
90 台座配線
92 半導体層
LC 液晶素子
Tr 薄膜トランジスタ
COML 共通電極
Vpix 画素
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第1基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第1コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第1基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第1金属配線と、
前記第1金属配線が延在する第1方向とは異なる、第2方向に延在することで前記第1金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第2コンタクト部で接続され信号線となる複数の第2金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が1つのシングルゲートトランジスタであって、
前記半導体層が前記第1金属配線と前記第2金属配線との間の平面に配置され、
前記チャネル領域が屈曲することで、前記第2コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にあり、前記第1コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にない、液晶表示パネル。 A liquid crystal display panel comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate,
The first substrate is
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix;
A thin film transistor connected to the pixel electrode at a first contact portion;
A plurality of first metal wirings which are in a layer different from the semiconductor layer of the thin film transistor in a direction perpendicular to the surface of the first substrate and which intersect with each other to form a scanning line in order to make a part of the semiconductor layer a channel region When,
A signal line connected to the semiconductor layer by a second contact portion and three-dimensionally intersecting the first metal wiring by extending in a second direction different from the first direction in which the first metal wiring extends. A plurality of second metal wirings,
In the thin film transistor, the channel region is a single gate transistor,
The semiconductor layer is disposed in a plane between the first metal wiring and the second metal wiring;
Since the channel region is bent, the end of the channel region near the second contact portion overlaps the second metal wiring, and the end of the channel region near the first contact portion is A liquid crystal display panel that does not overlap with two metal lines.
前記延設部の一部は、前記第2金属配線と重なり合い、かつ前記延設部における前記第2金属配線と重なり合わない縁部が前記第1方向と異なる、請求項1又は2に記載の液晶表示パネル。 An extension portion in which a part of the metal of the first metal wiring protrudes in the second direction and extends;
The part of the extended portion overlaps with the second metal wiring, and an edge portion that does not overlap with the second metal wiring in the extended portion is different from the first direction. LCD display panel.
前記液晶表示パネルの前記第1基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第1コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第1基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第1金属配線と、
前記第1金属配線が延在する第1方向とは異なる、第2方向に延在することで前記第1金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第2コンタクト部で接続され信号線となる複数の第2金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が1つのシングルゲートトランジスタであって、
前記半導体層が前記第1金属配線と前記第2金属配線との間の平面に配置され、
前記チャネル領域が屈曲することで、前記第2コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にあり、前記第1コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第2金属配線と重なり合う位置にない、電子機器。 An electronic apparatus having a liquid crystal display panel comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate. And
The first substrate of the liquid crystal display panel is:
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix;
A thin film transistor connected to the pixel electrode at a first contact portion;
A plurality of first metal wirings which are in a layer different from the semiconductor layer of the thin film transistor in a direction perpendicular to the surface of the first substrate and which intersect with each other to form a scanning line in order to make a part of the semiconductor layer a channel region When,
A signal line connected to the semiconductor layer by a second contact portion and three-dimensionally intersecting the first metal wiring by extending in a second direction different from the first direction in which the first metal wiring extends. A plurality of second metal wirings,
In the thin film transistor, the channel region is a single gate transistor,
The semiconductor layer is disposed in a plane between the first metal wiring and the second metal wiring;
Since the channel region is bent, the end of the channel region near the second contact portion overlaps the second metal wiring, and the end of the channel region near the first contact portion is Electronic equipment that does not overlap with 2 metal wiring.
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