JP2014149315A - Harmonic laser oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、非線形結晶を用いて高調波レーザを出力する高調波レーザ発振器に関する。 The present invention relates to a harmonic laser oscillator that outputs a harmonic laser using a nonlinear crystal.
レーザ光を非線形結晶に入射すると、入射光周波数の整数倍の周波数を持つレーザ光が発生する。このような波長変換では、非線形結晶の複屈折性(屈折率)を利用しているので、効率良く波長変換を行うには位相整合を取ることが重要になる。このためレーザ発振器の立上げ時には、位相整合を取るために、非線形結晶は設計された屈折率を得るための温度に調整され、その後は、その温度を一定に保つよう制御されている(例えば、特許文献1参照)。 When laser light is incident on the nonlinear crystal, laser light having a frequency that is an integral multiple of the incident light frequency is generated. In such wavelength conversion, since birefringence (refractive index) of a nonlinear crystal is used, it is important to achieve phase matching for efficient wavelength conversion. Therefore, when the laser oscillator is started up, the nonlinear crystal is adjusted to a temperature for obtaining the designed refractive index in order to achieve phase matching, and thereafter, the temperature is controlled to be kept constant (for example, Patent Document 1).
高調波レーザとしてUVレーザを得る発振器において、非線形結晶内で長時間UVレーザが照射され続けると、非線形結晶に光学損傷が生じる。この結果、波長変換効率が低下し、所望強度の高調波レーザが得られなくなる。これを解決する技術として、レーザ光が非線形結晶を通過する位置を変更する技術がある(特許文献2〜6参照)。 In an oscillator that obtains a UV laser as a harmonic laser, if the UV laser is continuously irradiated in the nonlinear crystal for a long time, optical damage occurs in the nonlinear crystal. As a result, the wavelength conversion efficiency is lowered, and a harmonic laser having a desired intensity cannot be obtained. As a technique for solving this, there is a technique for changing the position where the laser light passes through the nonlinear crystal (see Patent Documents 2 to 6).
しかしながら、上記1つ目の従来技術では、非線形結晶内に長時間UVレーザが照射されて非線形結晶に光学損傷が生じた場合に、波長変換効率が低下するという問題がある。また、上記2つ目〜6つ目の従来技術のように、レーザ光が非線形結晶を通過する位置を変更するだけでは、波長変換効率の低下防止が不十分であり、レーザ発振器の寿命が短いという問題があった。 However, the first prior art has a problem that the wavelength conversion efficiency is lowered when the nonlinear crystal is irradiated with a UV laser for a long time to cause optical damage to the nonlinear crystal. Further, as in the second to sixth prior arts, simply changing the position at which the laser light passes through the nonlinear crystal is insufficient to prevent the wavelength conversion efficiency from being lowered, and the life of the laser oscillator is short. There was a problem.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、長寿命な高調波レーザ発振器を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to obtain a long-lived harmonic laser oscillator.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザ媒質を励起することによって基本波レーザを出力する基本波出力部と、前記基本波レーザが照射されると、前記基本波レーザの波長を波長変換して高調波レーザとして出力する波長変換部と、前記波長変換部の温度を調整する温度調整部と、前記波長変換部から出力される高調波レーザの出力値に基づいて、前記温度調整部を制御する制御部と、を備え、前記波長変換部の初期温度が調整された後、前記基本波出力部が前記基本波レーザの出力を開始するとともに前記波長変換部が前記高調波レーザの出力を開始し、前記制御部は、前記波長変換部が前記高調波レーザの出力を開始した後、前記高調波レーザの外部への出力値が第1の最小許容値よりも小さくなった場合に、前記高調波レーザの出力値が第2の最小許容値よりも大きくなるよう、前記温度調整部に温度調整を行わせることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a fundamental wave output unit that outputs a fundamental wave laser by exciting a laser medium, and the fundamental wave when irradiated with the fundamental wave laser. Based on the wavelength conversion unit that converts the wavelength of the laser and outputs it as a harmonic laser, the temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the wavelength conversion unit, and the output value of the harmonic laser that is output from the wavelength conversion unit A control unit that controls the temperature adjustment unit, and after the initial temperature of the wavelength conversion unit is adjusted, the fundamental wave output unit starts output of the fundamental laser and the wavelength conversion unit is The output of the harmonic laser is started, and after the wavelength converter starts the output of the harmonic laser, the control unit outputs an output value to the outside of the harmonic laser smaller than a first minimum allowable value. When it becomes So that the output value of the serial harmonic laser is larger than the second minimum allowable value, characterized in that to perform temperature adjustment to the temperature adjusting portion.
本発明によれば、高調波レーザの外部への出力値が第1の最小許容値よりも小さくなった場合に、波長変換部の温度調整を行なうので、長期に渡って波長変換効率を高効率に維持することが可能になる。したがって、長寿命な高調波レーザ発振器を得ることが可能になるという効果を奏する。 According to the present invention, when the output value of the harmonic laser to the outside becomes smaller than the first minimum allowable value, the temperature of the wavelength conversion unit is adjusted, so that the wavelength conversion efficiency is improved over a long period of time. Can be maintained. Therefore, it is possible to obtain a long-lived harmonic laser oscillator.
以下に、本発明に係る高調波レーザ発振器の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a harmonic laser oscillator according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ発振器の構成を示す図である。レーザ発振器101は、ωパワーモニタ1と、TRミラー2Aと、LD4と、YAGロッド5と、Qスイッチ6と、PRミラー2Bと、SHG結晶9と、THG結晶10と、3ω透過ミラー11と、外部シャッタ12と、3ωパワーモニタ13と、制御装置20と、を備えている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a laser oscillator according to Embodiment 1 of the present invention. The
レーザ発振器101は、基本波レーザである赤外レーザL1を生成する共振器(基本波レーザ出力部)と、共振器で生成された赤外レーザL1をUVレーザL3に変換する波長変換部と、を含んで構成されている。共振器は、TRミラー2Aと、LD4と、YAGロッド5と、Qスイッチ6と、PRミラー2Bと、を含んで構成されている。また、波長変換部は、SHG結晶9と、THG結晶10と、外部シャッタ12と、を含んで構成されている。
The
共振器では、TRミラー2AとPRミラー2Bとの間に、LD4、YAGロッド5、Qスイッチ6が配置されている。また、波長変換部では、PRミラー2Bと外部シャッタ12との間に、SHG結晶9、THG結晶10が配置されている。
In the resonator, an
レーザ発振器101では、赤外レーザL1の生成側を上流側とし、UVレーザL3の出力側を下流側とした場合に、上流側から下流側に向かって、TRミラー2A、LD4、YAGロッド5、Qスイッチ6、PRミラー2B、SHG結晶9、THG結晶10、外部シャッタ12の順番で、これらが配置されている。
In the
TRミラー2Aは、赤外(ω)レーザL1を全反射させるミラーであり、PRミラー2Bは、赤外レーザL1を部分反射させるミラーである。レーザ媒質を励起するレーザ励起部は、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)ロッド5と、LD(Laser Diode)4とによって構成されている。YAGロッド5は、励起媒体(レーザ媒質)であり、LD4は、LD光(励起光)3によってYAGロッド5を励起させる励起光源である。
The
Qスイッチ6は、音響光学素子であり、石英ブロックにトランスデューサが取付けられて構成されている。Qスイッチ6は、トランスデューサに超音波をかけることにより、石英ブロックに超音波を進行させ、これにより、Qスイッチ6で赤外レーザL1を回折させる。共振器では、トランスデューサからの超音波を高周波でON/OFFすることによりパルスレーザとしての赤外レーザL1を出力する。
The
SHG(Second Harmonic Generation)結晶9は、非線形結晶であり、赤外レーザL1が照射されると、入射光(赤外レーザL1)の一部を、赤外レーザL1の振動数の2倍の高調波(第二高調波)(グリーンレーザL2)に波長変換する。SHG結晶9で波長変換されたグリーン(2ω)レーザL2と、波長変換されなかった赤外レーザL1は、ともにTHG結晶10に送られる。
The SHG (Second Harmonic Generation)
THG(Third Harmonic Generation)結晶10は、非線形結晶であり、赤外レーザL1と、グリーンレーザL2と、を用いて、赤外レーザL1の振動数の3倍の高調波(第三高調波)(UVレーザL3)に波長変換する。THG結晶10で波長変換されたUV(3ω)レーザL3は、3ω透過ミラー11に送られる。
The THG (Third Harmonic Generation)
3ω透過ミラー11は、赤外レーザL1とグリーンレーザL2を遮断し、UVレーザL3を透過させるミラーである。3ω透過ミラー11を透過したUVレーザL3は、外部シャッタ12に送られる。
The 3ω
外部シャッタ12は、反射ミラーを備えて構成されている。外部シャッタ12が開いている間は、レーザ発振器101からUVレーザL3が出力される。外部シャッタ12が閉じている間は、UVレーザL3が反射ミラーで反射されて3ωパワーモニタ13に送られる。これにより、3ωパワーモニタ13にUVレーザL3が入射する。
The
ωパワーモニタ1は、TRミラー2Aから出てくる赤外レーザL1の赤外レーザ出力(パワー)を計測し、計測結果を制御装置20に送る。3ωパワーモニタ13は、外部シャッタ12で反射されたUVレーザL3のUVレーザ出力を計測し、計測結果を制御装置20に送る。
The ω power monitor 1 measures the infrared laser output (power) of the infrared laser L1 emitted from the
制御装置20は、LD電源(電源部)15と、RFドライバ16と、SHG温調器17と、THG温調器18と、演算部19と、を有している。LD電源15、RFドライバ16、SHG温調器17、THG温調器18は、それぞれ演算部19に接続されており、演算部19から指示に従って動作する。
The
LD電源15は、LD4への電力を供給する電源である。RFドライバ16は、Qスイッチ6のRFパワーをON/OFFさせる信号発生器である。SHG温調器17は、SHG結晶9の温度調整を行い、THG温調器18は、THG結晶10の温度調整を行う。
The
演算部19は、ωパワーモニタ1から送られてくる検出結果(赤外レーザL1のパワー)と、3ωパワーモニタ13から送られてくる検出結果(UVレーザL3のパワー)と、に基づいて、LD電源15、RFドライバ16、SHG温調器17、THG温調器18を制御する。
The
共振器内の赤外レーザL1は、TRミラー2AとPRミラー2Bとの間を往復しており、Qスイッチ6がOFFにされることにより、レーザパルスとしてPRミラー2B側から出力される。出力された赤外レーザL1は、SHG結晶9でその一部がグリーンレーザL2に波長変換され、THG結晶10に送られる。SHG結晶9から出力された赤外レーザL1およびグリーンレーザL2は、THG結晶10でUVレーザL3に波長変換され、THG結晶10からは、赤外レーザL1、グリーンレーザL2、UVレーザL3が出力される。そして、赤外レーザL1、グリーンレーザL2が3ω透過ミラー11で遮断され、UVレーザL3が3ω透過ミラー11を透過する。3ω透過ミラー11を透過したUVレーザL3は、外部シャッタ12に送られて外部シャッタ12から出力される。換言すると、波長変換部では、SHG結晶9、THG結晶10に赤外レーザL1を通過させることでUVレーザL3が生成されて、UVレーザL3が外部シャッタ12から出力される。
The infrared laser L1 in the resonator reciprocates between the
本実施の形態の演算部19は、例えばUVレーザL3のパワーが所定値よりも低くなった場合に、SHG結晶9およびTHG結晶10の温度調整を行うよう、SHG温調器17およびTHG温調器18に指示を送る。
For example, when the power of the UV laser L3 becomes lower than a predetermined value, the
SHG結晶9やTHG結晶10は、長時間使用することにより、光学的損傷に至らなくても、非線形結晶表面へ微細な塵が焼付く場合がある。この場合、SHG結晶9やTHG結晶10では、高調波レーザを吸収して発熱し、発熱が原因でビーム通過点の屈折率が経時的に温度変化することによって波長変換効率が低下する場合がある。波長変換効率が低下すると、所望強度の高調波レーザが得られなくなり、レーザ発振器として使用できなくなる。そこで、本実施の形態のレーザ発振器101は、非線形結晶の経時的な劣化による発熱で屈折率が温度変化してUVレーザ出力が所望強度を下回った場合であっても、ビーム通過点の屈折率が回復するように、非線形結晶(SHG結晶9やTHG結晶10)の温度を調整する。
When the
なお、ここでのSHG結晶9、THG結晶10が、それぞれ特許請求の範囲に記載の第1の非線形結晶、第2の非線形結晶である。また、SHG温調器17、THG温調器18が、それぞれ第1の温度調整部、第2の温度調整部である。
Here, the
図2は、実施の形態1に係るレーザ発振器の動作手順を示すフローチャートである。レーザ発振器101では、UVレーザL3の出力を開始する前に、SHG結晶9とTHG結晶10の初期温度が調整される。この後、YAGロッド5が赤外レーザL1の出力を開始するとともに、SHG結晶9とTHG結晶10が、それぞれグリーンレーザL2、UVレーザL3の出力を開始する。
FIG. 2 is a flowchart showing an operation procedure of the laser oscillator according to the first embodiment. In the
レーザ発振器101は、UVレーザL3を出力する際に、自動出力制御を行なう。ここでの自動出力制御は、UVレーザL3の出力値が所定の範囲内に収まるよう、LD電源15、SHG温調器17、THG温調器18を制御する処理である。
The
レーザ発振器101がUVレーザL3の出力を開始すると、所定のタイミングで外部シャッタ12が閉じられる、これにより、UVレーザL3が3ωパワーモニタ13に入射し、3ωパワーモニタ13でUVレーザL3のUVレーザ出力が計測される。そして、3ωパワーモニタ13で計測されたUVレーザ出力(3ω出力P0)が制御装置20の演算部19に送られる。
When the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS100)。UVレーザ出力の許容範囲がP1以上かつP2以下(最小許容値がP1で最大許容値がP2)であるとする。
The
この場合に、3ω出力P0がこの許容範囲内であれば(ステップS100、P1≦P0≦P2)、演算部19は、自動出力調整が不要であると判定する。この場合、表示装置(図示せず)などに、「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。
In this case, if the 3ω output P0 is within the allowable range (step S100, P1 ≦ P0 ≦ P2), the
また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きい場合(ステップS100、P0>P2)、演算部19は、3ω出力P0が出力過多であると判定する。この場合、演算部19は、後述の電流調整フローを行う(ステップS120)。
When the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2 (step S100, P0> P2), the
図3は、電流調整フローの処理手順を示すフローチャートである。電流調整フローは、LD4へのLD電流調整、非線形結晶(SHG結晶9、THG結晶10)の温度調整を行うフローである。LD電流調整を行う際には、演算部19が、例えばP0=P3±P4となるようLD電流を調整する(ステップS400)。具体的には、演算部19が、P0=P3±P4となるようLD電源15に指示を送る。ここでのP3は、例えばP3=(P1+P2)/2であり、P4は、例えばP4=0.05×P3である。さらに、演算部19は、非線形結晶の温度調整を行う(ステップS410)。ここでの非線形結晶の温度調整は、効率良くUVレーザL3を用いるための温度調整である。
FIG. 3 is a flowchart showing the processing procedure of the current adjustment flow. The current adjustment flow is a flow for adjusting the LD current to the
図4は、非線形結晶の温度調整処理手順を示すフローチャートである。演算部19は、THG結晶10の温度調整を行うよう、THG温調器18に指示を送る。これにより、THG温調器18が、THG結晶10の温度調整(温調)を開始し(ステップS500)、THG結晶10の温度が調整される。その後、演算部19は、SHG結晶9の温調を行うよう、SHG温調器17に指示を送る。これにより、SHG温調器17が、SHG結晶9の温度調整を開始し(ステップS510)、SHG結晶9が温度調整される。
FIG. 4 is a flowchart showing the temperature adjustment processing procedure of the nonlinear crystal. The
THG結晶10の温度調整と、SHG結晶9の温度調整と、を順番に複数回繰り返してもよい。これにより、THG結晶10とSHG結晶9を適切な温度に精度良く調整することが可能となる。
The temperature adjustment of the
レーザ発振器101では、3ω出力P0がP0≦P2となるまで、ステップS100,S120の処理が繰り返される。そして、3ω出力P0がP1≦P0≦P2となると、ステップS110の処理が行われる。
In the
3ω出力P0が最小許容値P1よりも小さい場合(ステップS100、P0<P1)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。この場合、演算部19は、非線形結晶の温度調整を行うよう、SHG温調器17およびTHG温調器18に指示を送る。これにより、SHG温調器17、THG温調器18が、それぞれSHG結晶9、THG結晶10の温度調整を行う。例えば、図4で説明した処理手順によって非線形結晶(SHG結晶9、THG結晶10)の温度調整が行われる(ステップS130)。
When the 3ω output P0 is smaller than the minimum allowable value P1 (step S100, P0 <P1), the
具体的には、温度調整は、現在の結晶温度を中心値として±数℃変化させて3ω出力P0の最大値を探す。この振り幅については使用する非線形結晶の屈折率の温度依存特性と光路設計に依存するので、レーザ発振器101の設計に合わせて決められる。本実施の形態では、例えば、非線形結晶の温度を±3℃程度の範囲で変化させることにより、最大UV出力を得られる結晶温度を探す。温度調整の最小オーダは、上記変化範囲の1/10〜1/100の温度まで実施する。
Specifically, in the temperature adjustment, the maximum value of the 3ω output P0 is searched by changing the current crystal temperature by ± several degrees around the center value. Since the amplitude depends on the temperature dependence characteristic of the refractive index of the nonlinear crystal to be used and the optical path design, it is determined according to the design of the
非線形結晶の温度調整が行われた後、3ωパワーモニタ13でUVレーザL3のUVレーザ出力が計測される。そして、3ωパワーモニタ13で計測されたUVレーザ出力(3ω出力P0)が制御装置20の演算部19に送られる。
After the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, the 3ω power monitor 13 measures the UV laser output of the UV laser L3. Then, the UV laser output (3ω output P0) measured by the 3ω power monitor 13 is sent to the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS140)。ここでのUVレーザ出力の許容範囲は、P5以上かつP2以下(最小許容値がP5で最大許容値がP2)であるとする。最小許容値のP5は、最小許容値のP1よりも少し大きな値である。これにより、1回目に行った3ω出力P0の大きさ判定よりも、少し厳しい条件で3ω出力P0が許容範囲内であるか否かの判定を行うことが可能となる。
The
P0がこの許容範囲(P2〜P5)内であれば(ステップS140、P5≦P0≦P2)、演算部19は、自動出力調整が不要であると判定する。この場合、表示装置などに、「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。
If P0 is within this allowable range (P2 to P5) (step S140, P5 ≦ P0 ≦ P2), the
また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きい場合(ステップS140、P0>P2)、演算部19は、3ω出力P0が出力過多であると判定する。そして、演算部19は、電流調整フローを行う(ステップS150)。ここでの電流調整フローは、ステップS120の処理フローと同様の処理フローである。
When the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2 (step S140, P0> P2), the
レーザ発振器101では、3ω出力P0がP0≦P2となるまで、ステップS140,S150の処理が繰り返される。そして、3ω出力P0がP5≦P0≦P2となると、ステップS110の処理が行われる。
In the
3ω出力P0が最小許容値P5よりも小さい場合(ステップS140、P0<P5)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。この場合、演算部19は、ωパワーモニタ1で計測された赤外レーザ出力に基づいて、ω出力Pの大きさを判定する(ステップS160)。赤外レーザ出力の許容範囲がP6以上(最小許容値がP6)であるとする。ここでの最小許容値P6は、P0≧P2を得るのに必要な理論上の最低出力値である。
When the 3ω output P0 is smaller than the minimum allowable value P5 (step S140, P0 <P5), the
この場合に、ω出力Pが許容範囲外であれば(ステップS160、P<P6)、演算部19は、電流調整フローが必要であると判定する。この場合、演算部19は、電流調整フローを行う(ステップS170)。ここでの電流調整フローは、ステップS120の処理フローと同様の処理フローである。
In this case, if the ω output P is outside the allowable range (step S160, P <P6), the
電流調整フローが行われた後、3ωパワーモニタ13でUVレーザL3のUVレーザ出力が計測される。そして、3ωパワーモニタ13で計測されたUVレーザ出力(3ω出力P0)が制御装置20の演算部19に送られる。
After the current adjustment flow is performed, the 3ω power monitor 13 measures the UV laser output of the UV laser L3. Then, the UV laser output (3ω output P0) measured by the 3ω power monitor 13 is sent to the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS180)。ここでのUVレーザ出力の許容範囲は、P5以上かつP2以下であるとする。
The
P0がこの許容範囲内であれば(ステップS180、P5≦P0≦P2)、演算部19は、自動出力調整が不要であると判定する。この場合、表示装置などに、「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。
If P0 is within this allowable range (step S180, P5 ≦ P0 ≦ P2), the
また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きい場合(ステップS180、P0>P2)、演算部19は、3ω出力P0が出力過多であると判定する。この場合、演算部19は、電流調整フローを行う(ステップS190)。ここでの電流調整フローは、ステップS120の処理フローと同様の処理フローである。
When the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2 (step S180, P0> P2), the
レーザ発振器101では、3ω出力P0がP0≦P2となるまで、ステップS180,S190の処理が繰り返される。そして、3ω出力P0がP5≦P0≦P2となると、ステップS110の処理が行われる。
In the
3ω出力P0が最小許容値P5よりも小さい場合(ステップS180、P0<P5)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。この場合、表示装置などに、「発振器寿命、交換」などのメッセージが表示される(ステップS200)。
When the 3ω output P0 is smaller than the minimum allowable value P5 (step S180, P0 <P5), the
また、ステップS160の処理としてω出力Pの大きさが判定された際に、ω出力Pが許容範囲内であれば(ステップS160、P≧P6)、演算部19は、非線形結晶が寿命であると判断する。換言すると、P0≧P2を得るのに十分なω出力Pがあるにもかかわらす、P0<P5となって3ω出力P0が出力不足となっている場合には、非線形結晶は寿命を迎えたと判断される。この場合、表示装置などに、「発振器寿命、交換」などのメッセージが表示される(ステップS200)。
In addition, when the magnitude of the ω output P is determined as the processing of step S160, if the ω output P is within the allowable range (step S160, P ≧ P6), the
ここで、THG結晶10の温度調整と、SHG結晶9の温度調整の詳細な処理手順について説明する。図5は、THG結晶の温度調整処理手順を示すフローチャートである。THG結晶10の温度調整は、例えばTHG結晶10の結晶温度であるTHG結晶温度T2を最高温度(T2_max)から最低温度(T2_min)まで順番に少しずつ下げていき、各結晶温度での3ω出力P0のうち、3ω出力P0が最大値となる結晶温度をTHG結晶温度T2に採用する。
Here, detailed processing procedures for adjusting the temperature of the
THG結晶10の温度調整を行う際には、SHG結晶9の結晶温度が一定値に保たれる。例えば、SHG結晶9の結晶温度であるSHG結晶温度T1をSHG結晶温度T1=T1_maxに固定しておく。T1_maxは、SHG結晶9の結晶温度のうちの最高温度である。
When the temperature of the
初期設定として、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1_max、THG結晶温度T2=T2_maxとなるよう、SHG温調器17、THG温調器18に指示を送る。そして、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1_max、THG結晶温度T2=T2_maxとなった時点でのUVレーザ出力(3ω出力P0)が測定される(ステップS600)。
As an initial setting, the
この後、演算部19は、新たなTHG結晶温度T2’がT2’=T2−ΔTとなるよう、THG温調器18に指示を送る(ステップS610)。これにより、THG結晶10の結晶温度は、最新のTHG結晶温度T2’となり、最新の3ω出力P0’が測定される(ステップS620)。
Thereafter, the
演算部19は、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値より大きいか否かを判断する(ステップS630)。これまでに測定された3ω出力P0の最大値は、今回のTHG結晶10の温度調整処理(図5のフロー)で測定された3ω出力P0のうち最大の値を示すものである。したがって、ここでの3ω出力P0の最大値は、初期設定時の3ω出力P0である。
The
最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きい場合(ステップS630、Yes)、演算部19は、最大値を更新する。これにより、この時点では、THG結晶温度T2=T2’となり、3ω出力P0=P0’となる(ステップS640)。
When the latest 3ω output P0 ′ is larger than the maximum value of the 3ω output P0 measured so far (step S630, Yes), the
一方、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きくない場合(ステップS630、No)、演算部19は、最大値を更新せず、現状の最大値を記憶しておく。
On the other hand, when the latest 3ω output P0 ′ is not larger than the maximum value of the 3ω output P0 measured so far (No in step S630), the
この後、演算部19は、新たなTHG結晶温度T2’をT2’=T2’−ΔTに設定した場合に(ステップS650)、新たなTHG結晶温度T2’がT2’>T2_minとなるか否かを判断する(ステップS660)。
Thereafter, when the new THG crystal temperature T2 ′ is set to T2 ′ = T2′−ΔT (step S650), the
新たなTHG結晶温度T2’がT2’>T2_minであれば(ステップS660、Yes)、レーザ発振器101は、ステップS620〜S660までの処理を繰り返す。すなわち、演算部19は、最新のTHG結晶温度T2’が、T2’=T2’−ΔTとなるよう、THG温調器18に指示を送る。これにより、THG結晶10の結晶温度は、最新のTHG結晶温度T2’となり、最新の3ω出力P0’が測定される(ステップS620)。
If the new THG crystal temperature T2 'is T2'> T2_min (step S660, Yes), the
演算部19は、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値より大きいか否かを判断する(ステップS630)。最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きい場合(ステップS630、Yes)、演算部19は、最大値を更新する。これにより、この時点では、THG結晶温度T2=T2’となり、3ω出力P0=P0’となる(ステップS640)。また、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きくない場合(ステップS630、No)、演算部19は、最大値を更新しない。
The
この後、演算部19は、新たなTHG結晶温度T2’をT2’=T2’−ΔTに設定した場合に(ステップS650)、新たなTHG結晶温度T2’がT2’>T2_minとなるか否かを判断する(ステップS660)。
Thereafter, when the new THG crystal temperature T2 ′ is set to T2 ′ = T2′−ΔT (step S650), the
レーザ発振器101は、新たなTHG結晶温度T2’がT2’≦T2_minとなるまで、ステップS620〜S660までの処理を繰り返す。新たなTHG結晶温度T2’がT2’>T2_minでなければ(ステップS660、No)、レーザ発振器101は、THG結晶10の温調処理を終了する。演算部19は、この時点で3ω出力P0の最大値となっているTHG結晶温度T2’を、THG結晶10の結晶温度(THG結晶温度T2)に採用する。この後、レーザ発振器101では、SHG結晶9の温調処理が開始される。
The
図6は、SHG結晶の温度調整処理手順を示すフローチャートである。なお、図5で説明したTHG結晶10の温度調整処理と同様の処理については、その説明を省略する。SHG結晶9の温度調整は、例えばSHG結晶温度T1を最高温度(T1_max)から最低温度(T1_min)まで順番に少しずつ下げていき、各結晶温度でのω出力Pのうち、ω出力Pが最大値となる結晶温度をSHG結晶温度T1に採用する。
FIG. 6 is a flowchart showing the temperature adjustment processing procedure of the SHG crystal. Note that the description of the same process as the temperature adjustment process of the
SHG結晶9の温度調整を行う際には、THG結晶10の結晶温度が一定値に保たれる。例えば、THG結晶温度T2を、図5のフローで求めた結晶温度(3ω出力P0が最大値となるTHG結晶温度T2)に固定しておく。
When the temperature of the
初期設定として、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1_max、THG結晶温度T2=T2(3ω出力P0が最大値となるTHG結晶温度T2)となるよう、SHG温調器17、THG温調器18に指示を送る。そして、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1_max、THG結晶温度T2=T2となった時点でのUVレーザ出力(3ω出力P0)が測定される(ステップS700)。
As an initial setting, the
この後、演算部19は、新たなSHG結晶温度T1’がT1’=T1−ΔTとなるよう、SHG温調器17に指示を送る(ステップS710)。これにより、SHG結晶9の結晶温度は、最新のSHG結晶温度T1’となり、最新の3ω出力P0’が測定される(ステップS720)。
Thereafter, the
演算部19は、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値より大きいか否かを判断する(ステップS730)。これまでに測定された3ω出力P0の最大値は、今回のSHG結晶9の温度調整処理(図6のフロー)で測定された3ω出力P0のうち最大の値を示すものである。したがって、ここでの3ω出力P0の最大値は、初期設定時の3ω出力P0である。
The
最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きい場合(ステップS730、Yes)、演算部19は、最大値を更新する。これにより、この時点では、SHG結晶温度T1=T1’となり、3ω出力P0=P0’となる(ステップS740)。
When the latest 3ω output P0 ′ is larger than the maximum value of the 3ω output P0 measured so far (step S730, Yes), the
一方、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きくない場合(ステップS730、No)、演算部19は、最大値を更新せず、現状の最大値を記憶しておく。
On the other hand, when the latest 3ω output P0 ′ is not larger than the maximum value of the 3ω output P0 measured so far (No in step S730), the
この後、演算部19は、新たなSHG結晶温度T1’をT1’=T1’−ΔTに設定した場合に(ステップS750)、新たなSHG結晶温度T1’がT1’>T1_minとなるか否かを判断する(ステップS760)。
Thereafter, when the new SHG crystal temperature T1 ′ is set to T1 ′ = T1′−ΔT (step S750), the
新たなSHG結晶温度T1’がT1’>T1_minであれば(ステップS760、Yes)、レーザ発振器101は、ステップS720〜S760までの処理を繰り返す。すなわち、演算部19は、最新のSHG結晶温度T1’が、T1’=T1’−ΔTとなるよう、SHG温調器17に指示を送る。これにより、SHG結晶9の結晶温度は、最新のSHG結晶温度T1’となり、最新の3ω出力P0’が測定される(ステップS720)。
If the new SHG crystal temperature T1 'is T1'> T1_min (step S760, Yes), the
演算部19は、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値より大きいか否かを判断する(ステップS730)。最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きい場合(ステップS730、Yes)、演算部19は、最大値を更新する。これにより、この時点では、SHG結晶温度T1=T1’となり、3ω出力P0=P0’となる(ステップS740)。また、最新の3ω出力P0’が、これまでに測定された3ω出力P0の最大値よりも大きくない場合(ステップS730、No)、演算部19は、最大値を更新しない。
The
この後、演算部19は、新たなSHG結晶温度T1’をT1’=T1’−ΔTに設定した場合に(ステップS750)、新たなSHG結晶温度T1’がT1’>T1_minとなるか否かを判断する(ステップS760)。
Thereafter, when the new SHG crystal temperature T1 ′ is set to T1 ′ = T1′−ΔT (step S750), the
レーザ発振器101は、新たなSHG結晶温度T1’がT1’ ≦T1_minとなるまで、ステップS720〜S760までの処理を繰り返す。新たなSHG結晶温度T1’がT1’>T1_minでなければ(ステップS760、No)、レーザ発振器101は、SHG結晶10の温調処理を終了する。演算部19は、この時点で3ω出力P0の最大値となっているSHG結晶温度T1’を、SHG結晶10の結晶温度(SHG結晶温度T1)に採用する。
The
なお、THG結晶10の温度調整と、SHG結晶9の温度調整と、からなる温度調整処理を複数回繰り返す場合、レーザ発振器101は、3ω出力P0の最大値となっているSHG結晶温度T1を導出した後、THG結晶10の温調調整処理を再度実施する。このとき、初期設定として、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1(3ω出力P0が最大値となる最新のSHG結晶温度T1)、THG結晶温度T2=T2_maxとなるよう、SHG温調器17、THG温調器18に指示を送る(ステップS600)。この後、図5で説明した処理手順と同様の処理手順によって、3ω出力P0が最大値となる最新のTHG結晶温度T2が導出される。
When the temperature adjustment process including the temperature adjustment of the
さらに、レーザ発振器101は、3ω出力P0の最大値となっているTHG結晶温度T2を導出した後、SHG結晶9の温調調整処理を再度実施する。このとき、初期設定として、演算部19は、SHG結晶温度T1=T1_max、THG結晶温度T2=T2(3ω出力P0が最大値となる最新のTHG結晶温度T2)となるよう、SHG温調器17、THG温調器18に指示を送る(ステップS700)。この後、図6で説明した処理手順と同様の処理手順によって、3ω出力P0が最大値となる最新のSHG結晶温度T1が導出される。
Further, the
なお、THG結晶10とSHG結晶9の温度調整処理を複数回繰り返す場合、これまでに測定された3ω出力P0の最大値は、温度調整処理毎(図5や図6のフロー毎)の最大値である。したがって、1〜M回(Mは2以上の自然数)のTHG結晶10の温度調整処理を図5のフローに従って行う場合、以前に求めた3ω出力P0の最大値は、各回の初期設定時にリセットされる。同様に、1〜M回のSHG結晶9の温度調整処理を図6のフローに従って行う場合、以前に求めた3ω出力P0の最大値は、各回の初期設定時にリセットされる。
When the temperature adjustment processing of the
また、THG結晶10の温度調整処理を複数回繰り返す場合、2回目以降の温度調整処理の際に、THG結晶温度T2の最高温度をT2=T2_max−Txとし、最低温度をT2_min+Txとしてもよい。これにより、3ω出力P0が最大出力となるTHG結晶温度T2を探す際の温度スキャン範囲を狭めることができる。ここでのTxは、例えばTx=(T2_max−T2_min)/4である。
When the temperature adjustment process of the
同様に、SHG結晶9の温度調整処理を複数回繰り返す場合、2回目以降の温度調整処理の際に、SHG結晶温度T1の最高温度をT1=T1_max−Tyとし、最低温度をT1_min+Tyとしてもよい。これにより、3ω出力P0が最大出力となるSHG結晶温度T1を探す際の温度スキャン範囲を狭めることができる。ここでのTyは、例えばTy=(T1_max−T1_min)/4である。
Similarly, when the temperature adjustment process of the
このように、本実施の形態では、UVレーザ出力が規定値より低下した場合には、UVレーザ出力(3ω出力P0)が最大となるよう、3ω出力P0に基づいて、SHG結晶9、THG結晶10の結晶温度が調整される。
As described above, in the present embodiment, when the UV laser output is lower than the specified value, the
図7は、非線形結晶における3ω出力の温度依存性を説明するための図である。図7では横軸が非線形結晶の結晶温度(SHG結晶/THG結晶温度)であり、縦軸が3ω出力である。 FIG. 7 is a diagram for explaining the temperature dependence of the 3ω output in the nonlinear crystal. In FIG. 7, the horizontal axis represents the crystal temperature of the nonlinear crystal (SHG crystal / THG crystal temperature), and the vertical axis represents the 3ω output.
本実施の形態では、SHG結晶9の結晶温度を一定値に固定した状態でTHG結晶10の結晶温度のみ変化させて、UV出力(3ω出力P0)が最大となるTHG結晶10の結晶温度を導出する。その後、導出したTHG結晶10の結晶温度を一定値に固定した状態でSHG結晶9の結晶温度のみ変化させて、UV出力が最大となるSHG結晶9の結晶温度を探す。この後、一方の非線形結晶に対しては導出済みの結晶温度に固定し、他方の非線形結晶に対しては、3ω出力P0が最大となる結晶温度を導出する処理を繰り返す。
In the present embodiment, only the crystal temperature of the
つぎに、非線形結晶と結晶ホルダの構成について説明する。図8は、非線形結晶と結晶ホルダの構成を示す図である。SHG結晶9やTHG結晶10などの非線形結晶63は、筐体としての結晶ホルダ64内に格納されている。そして、結晶ホルダ64の外壁とペルチェ素子62とが接するように、ペルチェ素子62が配置されている。また、ペルチェ素子62とヒートシンク61とが接するように、ヒートシンク61が配置されている。
Next, the configuration of the nonlinear crystal and the crystal holder will be described. FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the nonlinear crystal and the crystal holder. A
レーザ発振器101では、SHG結晶9用の結晶ホルダ64、ペルチェ素子62、ヒートシンク61と、THG結晶10用の結晶ホルダ64、ペルチェ素子62、ヒートシンク61と、が配置されており、SHG結晶9とTHG結晶10とは別々に温度制御される。
In the
例えば、SHG結晶9の温度調整を行う際には、SHG温調器17がSHG用のペルチェ素子62に電流を流す。SHG温調器17は、SHG結晶9の温度を上げる場合と下げる場合とで、ペルチェ素子62に流す電流の極性を逆転させる。同様に、THG結晶10の温度調整を行う際には、THG温調器18がTHG用のペルチェ素子62に電流を流す。THG温調器18は、THG結晶10の温度を上げる場合と下げる場合とで、ペルチェ素子62に流す電流の極性を逆転させる。
For example, when the temperature of the
非線形結晶63は、長時間の使用により、焼き付きが進む。そして、焼き付きが進むにつれて、非線形結晶63内におけるレーザビーム通過点の結晶温度が上昇する。本実施の形態では、レーザビーム通過点の結晶温度が最適化されるように、結晶ホルダ64の温度が調整される。
The
図9は、実施の形態1に係る温度調整に伴う3ω出力の変化を説明するための図である。図9において、横軸はレーザビーム(UVレーザL3)の発振時間であり、縦軸は3ω出力である。図9に示すように、3ω出力P0の出力変化特性Pxは、発振時間に伴って変化する。 FIG. 9 is a diagram for explaining a change in 3ω output accompanying temperature adjustment according to the first embodiment. In FIG. 9, the horizontal axis represents the oscillation time of the laser beam (UV laser L3), and the vertical axis represents 3ω output. As shown in FIG. 9, the output change characteristic Px of the 3ω output P0 changes with the oscillation time.
非線形結晶であるSHG結晶9およびTHG結晶10の使用開始時には、3ω出力P0が最小許容値P1〜最大許容値P2の範囲内である。このときの非線形結晶63は、焼き付きの起こっていない状態50である。
At the start of use of the
非線形結晶を使用し続けると、3ω出力P0が低くなる。そして、3ω出力P0が最小許容値P1よりも小さくなると、非線形結晶が温度調整され、これにより、3ω出力P0は、最小許容値P5〜最大許容値P2の範囲内に回復する(ST31)。このときの非線形結晶63は、少しだけ焼き付きが起こっている状態51である。
If the non-linear crystal is continuously used, the 3ω output P0 is lowered. When the 3ω output P0 becomes smaller than the minimum allowable value P1, the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, whereby the 3ω output P0 recovers within the range of the minimum allowable value P5 to the maximum allowable value P2 (ST31). The
この後、さらに非線形結晶を使用し続けると、再び3ω出力P0が低くなる。そして、3ω出力P0が最小許容値P1よりも小さくなると、非線形結晶が温度調整され、これにより、3ω出力P0は、最小許容値P5〜最大許容値P2の範囲内に回復する(ST32)。このときの非線形結晶63は、さらに焼き付きが進んだ状態52である。
Thereafter, when the nonlinear crystal is further used, the 3ω output P0 is lowered again. When the 3ω output P0 becomes smaller than the minimum allowable value P1, the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, whereby the 3ω output P0 recovers within the range of the minimum allowable value P5 to the maximum allowable value P2 (ST32). The
この後、さらに非線形結晶を使用し続けると、再び3ω出力P0が低くなる。そして、3ω出力P0が最小許容値P1よりも小さくなると、非線形結晶が温度調整され、これにより、3ω出力P0は、最小許容値P5〜最大許容値P2の範囲内に回復する(ST33)。このときの非線形結晶63は、さらに焼き付きが進んだ状態53である。
Thereafter, when the nonlinear crystal is further used, the 3ω output P0 is lowered again. When the 3ω output P0 becomes smaller than the minimum allowable value P1, the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, whereby the 3ω output P0 recovers within the range of the minimum allowable value P5 to the maximum allowable value P2 (ST33). At this time, the
このようにして、非線形結晶の温度調整による3ω出力P0の回復が、複数回繰り返されると、非線形結晶を温度調整しても3ω出力P0が最小許容値P5まで回復しなくなる場合がある。この場合に、非線形結晶は寿命となり交換される。なお、3ω出力P0が最小許容値P1まで回復しなくなった場合に、非線形結晶の寿命と判断して交換してもよい。また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きくなった場合には、3ω出力P0が出力過多であるので、電流調整フローが行われる。 Thus, if the recovery of the 3ω output P0 by adjusting the temperature of the nonlinear crystal is repeated a plurality of times, the 3ω output P0 may not recover to the minimum allowable value P5 even if the temperature of the nonlinear crystal is adjusted. In this case, the non-linear crystal has a lifetime and is replaced. When the 3ω output P0 does not recover to the minimum allowable value P1, it may be determined that the life of the non-linear crystal is determined and replaced. Further, when the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2, the current adjustment flow is performed because the 3ω output P0 is excessively output.
なお、本実施の形態では、外部シャッタ12が閉じている間にUVレーザL3の3ω出力P0を測定したが、外部シャッタ12が開いている間にUVレーザL3の3ω出力P0を測定してもよい。この場合、UVレーザL3の光路上にフォトダイオード等の光電素子を設けておく。これにより、外部シャッタ12が開いている間(UVレーザL3をレーザ発振器101外に出力している間)に、UVレーザ出力を計測することができる。この構成により、常時UVレーザ出力を監視できるので、UVレーザ出力の低下を迅速に検知して非線形結晶の温度調整を迅速に行うことが可能となる。
In this embodiment, the 3ω output P0 of the UV laser L3 is measured while the
また、レーザ発振器101で生成する高調波レーザは、グリーンレーザL2やUVレーザL3に限らない。レーザ発振器101は、赤外レーザL1を用いてX倍波レーザ(Xは2以上の自然数)を生成してもよい。この場合、レーザ発振器101内には、X倍波レーザを生成する非線形結晶と、この非線形結晶の温度調整を行う温調器と、を配置しておく。
Further, the harmonic laser generated by the
この場合、演算部19は、最下流に配置されている非線形結晶から出力される高調波レーザのレーザ出力(最下流レーザ出力)に基づいて、非線形結晶の温度調整を行なう。
演算部19は、最下流レーザ出力が所望値(例えば、最小許容値P1,P5)よりも小さくなった場合に、下流側に配置されている温調器から順番に、非線形結晶の温度調整を行わせる。また、最小許容値がP1,P5,P7の大小関係は、上述した関係に限らない。例えば、最小許容値をP1=P5=P7としてもよい。
In this case, the
When the most downstream laser output becomes smaller than a desired value (for example, the minimum allowable values P1, P5), the
このように実施の形態1によれば、非線形結晶の使用中に3ω出力P0が低下した場合であっても、非線形結晶の温度調整を行うので、波長変換効率を改善し、非線形結晶のビーム通過点における利用可能時間(波長変換時間)を伸ばすことができる。これにより、3ω出力P0を最小許容値P1まで回復させることができ、その結果、長期に渡って波長変換効率を高効率に維持することが可能になる。したがって、レーザ発振器101の発振器寿命が長くなる。
As described above, according to the first embodiment, the temperature of the nonlinear crystal is adjusted even when the 3ω output P0 is reduced during the use of the nonlinear crystal, so that the wavelength conversion efficiency is improved and the beam passing through the nonlinear crystal is performed. The usable time (wavelength conversion time) at a point can be extended. As a result, the 3ω output P0 can be recovered to the minimum allowable value P1, and as a result, the wavelength conversion efficiency can be maintained at a high efficiency over a long period of time. Therefore, the lifetime of the
また、非線形結晶の温度調整を行う際には、下流側のTHG結晶10から先に温度調整を行うので、効率良く温度調整を行うことが可能となる。また、非線形結晶の温度調整を行う際には、THG結晶10の温度調整とSHG結晶9の温度調整とを順番に複数回繰り返すので、THG結晶10とSHG結晶9を適切な温度に調整することが可能となる。したがって、所望の3ω出力P0を確保することが可能となる。また、3ω出力P0が所定値よりも大きい場合には、LD4へのLD電流を調整するので、無駄な電力消費を防止することが可能となる。
Further, when adjusting the temperature of the nonlinear crystal, the temperature is adjusted first from the
実施の形態2.
つぎに、図10〜図12を用いてこの発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2では、非線形結晶を温度調整しても3ω出力P0が最小許容値P5まで回復しない場合に、非線形結晶内のレーザビーム通過点を移動させる。
Embodiment 2. FIG.
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, when the temperature of the nonlinear crystal is adjusted and the 3ω output P0 does not recover to the minimum allowable value P5, the laser beam passing point in the nonlinear crystal is moved.
図10は、本発明の実施の形態2に係るレーザ発振器の構成を示す図である。図10の各構成要素のうち図1に示す実施の形態1のレーザ発振器101と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the laser oscillator according to the second embodiment of the present invention. Of the constituent elements in FIG. 10, the constituent elements that achieve the same functions as those of the
本実施の形態のレーザ発振器102は、レーザ発振器101が備える構成要素に加えて、THG結晶移動機構14を備えている。THG結晶移動機構14は、演算部19に接続されており、演算部19からの指示に従ってTHG結晶10を移動させる。THG結晶移動機構14は、THG結晶10を移動させることによって、非線形結晶内のレーザビーム通過点を移動させる。本実施の形態のTHG結晶移動機構14は、THG結晶10に対して、非線形結晶内のレーザビーム通過点をステップ的に移動させる。
The
図11は、実施の形態2に係るレーザ発振器の動作手順を示すフローチャートである。なお、図11の処理のうち図2(実施の形態1)で説明した処理と同様の処理については、その説明を省略する。 FIG. 11 is a flowchart showing an operation procedure of the laser oscillator according to the second embodiment. In addition, the description of the processing similar to the processing described in FIG. 2 (Embodiment 1) in the processing in FIG. 11 is omitted.
レーザ発振器102は、UVレーザL3の出力を開始すると、レーザ発振器101と同様の処理手順によって、3ω出力P0の大きさ判定、電流調整フロー、非線形結晶の温度調整、ω出力Pの大きさ判定などを行う。具体的には、図11に示すステップS800〜S890の処理は、図2に示したステップS100〜190の処理と同様の処理手順によって行われる。
When the output of the UV laser L3 is started, the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS880)。この場合において、3ω出力P0が最小許容値P5よりも小さい場合(ステップS880、P0<P5)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。そして、演算部19は、THG結晶移動機構14にレーザビーム通過点の移動指示を行う。
The
THG結晶移動機構14は、演算部19からの指示に従って、非線形結晶(THG結晶10)のレーザビーム通過点(ポイント)を移動させる(ステップS900)。THG結晶移動機構14は、非線形結晶内のレーザビーム通過点をステップ的に移動させるため、レーザビーム通過点を所定距離だけ移動させる。
The THG
そして、演算部19は、非線形結晶の使用ポイント数(ステップ移動の回数)NをN=N+1にする(ステップS910)。ここでのNは自然数である。また、非線形結晶使用ポイント数は、レーザビーム通過点の移動回数であり、THG結晶10は所定回数までレーザビーム通過点を移動可能である。
Then, the
この後、演算部19は、非線形結晶の温度調整を行うよう、SHG温調器17およびTHG温調器18に指示を送る。これにより、SHG温調器17、THG温調器18が、それぞれSHG結晶9、THG結晶10の温度調整を行う。例えば、図4で説明した処理手順によって非線形結晶(SHG結晶9、THG結晶10)の温度調整が行われる(ステップS920)。
Thereafter, the
非線形結晶の温度調整が行われた後、3ωパワーモニタ13でUVレーザL3のUVレーザ出力が計測される。そして、3ωパワーモニタ13で計測されたUVレーザ出力(3ω出力P0)が制御装置20の演算部19に送られる。
After the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, the 3ω power monitor 13 measures the UV laser output of the UV laser L3. Then, the UV laser output (3ω output P0) measured by the 3ω power monitor 13 is sent to the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS930)。ここでのUVレーザ出力の許容範囲は、P7以上かつP2以下(最小許容値がP7で最大許容値がP2)であるとする。最小許容値のP7は、最小許容値のP5よりも少し大きな値である。これにより、レーザビーム通過点の移動前よりも、少し厳しい条件で3ω出力P0が許容範囲内であるか否かの判定を行うことが可能となる。
The
P0がこの許容範囲内であれば(ステップS930、P7≦P0≦P2)、演算部19は、自動出力調整が不要であると判定する。この場合、表示装置などに、「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。
If P0 is within the allowable range (step S930, P7 ≦ P0 ≦ P2), the
また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きい場合(ステップS930、P0>P2)、演算部19は、3ω出力P0が出力過多であると判定する。そして、演算部19は、電流調整フローを行う(ステップS940)。ここでの電流調整フローは、ステップS120の処理フローと同様の処理フローである。
When the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2 (step S930, P0> P2), the
レーザ発振器102では、3ω出力P0がP0≦P2となるまで、ステップS930,S940の処理が繰り返される。そして、3ω出力P0がP7≦P0≦P2となると、ステップS110の処理が行われる。
In the
3ω出力P0が最小許容値P7よりも小さい場合(ステップS930、P0<P7)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。この場合、演算部19は、非線形結晶の使用ポイント数が、ポイント数の上限値を超えたか否かを判定する(ステップS950)。
When the 3ω output P0 is smaller than the minimum allowable value P7 (step S930, P0 <P7), the
例えば、非線形結晶に対して、レーザビーム通過点をNx回まで移動可能な場合、ポイント数の上限値はNx(例えば9回)となる。この場合、演算部19は、非線形結晶の使用ポイント数Nと、ポイント数の上限値Nxと、を比較する。
For example, when the laser beam passing point can be moved up to Nx times for the nonlinear crystal, the upper limit value of the number of points is Nx (for example, 9 times). In this case, the
非線形結晶の使用ポイント数Nがポイント数の上限値Nx以下の場合(ステップS950、N≦Nx)、レーザ発振器102は、N>NxとなるまでステップS900〜S950までの処理を繰り返す。
When the use point number N of the nonlinear crystal is equal to or less than the upper limit value Nx of the number of points (step S950, N ≦ Nx), the
この場合において、ステップS930の処理でP7≦P0≦P2となれば、表示装置などに「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。また、P0>P2となれば、電流調整フローが行われる(ステップS940)。非線形結晶の使用ポイント数Nがポイント数の上限値Nxよりも大きくなると(ステップS950、N>Nx)、表示装置などに「発振器寿命、交換」などのメッセージが表示される(ステップS960)。そして、SHG結晶9やTHG結晶10の交換が行われる。
In this case, if P7 ≦ P0 ≦ P2 in the process of step S930, a message such as “automatic output adjustment completion” is displayed on the display device or the like (step S110). If P0> P2, the current adjustment flow is performed (step S940). When the use point number N of the nonlinear crystal becomes larger than the upper limit value Nx of the number of points (step S950, N> Nx), a message such as “oscillator life, replacement” is displayed on the display device (step S960). Then, the
図12は、実施の形態2に係る温度調整に伴う3ω出力の変化を説明するための図である。図12において、横軸はレーザビーム(UVレーザL3)の発振時間であり、縦軸は3ω出力である。なお、図9に示した出力変化特性Px、非線形結晶63の状態50〜53と同様の出力変化特性Px、非線形結晶63の状態50〜53については、重複する説明を省略する。
FIG. 12 is a diagram for explaining a change in 3ω output accompanying temperature adjustment according to the second embodiment. In FIG. 12, the horizontal axis represents the oscillation time of the laser beam (UV laser L3), and the vertical axis represents 3ω output. The overlapping description of the output change characteristic Px and the output change characteristic Px similar to the
非線形結晶であるSHG結晶9およびTHG結晶10の使用開始時には、3ω出力P0が最小許容値P1〜最大許容値P2の範囲内である。この後、非線形結晶を使用し続けると、3ω出力P0が低くなる。そして、3ω出力P0が最小許容値P1よりも小さくなると、非線形結晶が温度調整され、これにより、3ω出力P0は、最小許容値P5〜最大許容値P2の範囲内に回復する。非線形結晶では、UVレーザL3の出力、非線形結晶の温度調整が繰り返される(ST31〜ST33)。これにより、非線形結晶63は、焼き付きが進み、状態50〜53まで変化する。
At the start of use of the
このようにして、非線形結晶の温度調整による3ω出力P0の回復が、複数回繰り返されると、非線形結晶を温度調整しても3ω出力P0が最小許容値P5まで回復しなくなる場合がある。この場合に、本実施の形態では、レーザビーム通過点の移動処理が行われる。これにより、3ω出力P0は、最小許容値P7〜最大許容値P2の範囲内に回復する(ST34)。これにより、非線形結晶63のうちレーザビーム通過点は、焼き付きの起こっていない状態54となる。このときの3ω出力P0の変化特性は、ST33までは出力変化特性Pxと同様の特性を示し、その後、ST34の処理から出力変化特性Py(移動による回復)となる。
Thus, if the recovery of the 3ω output P0 by adjusting the temperature of the nonlinear crystal is repeated a plurality of times, the 3ω output P0 may not recover to the minimum allowable value P5 even if the temperature of the nonlinear crystal is adjusted. In this case, in the present embodiment, a laser beam passing point moving process is performed. As a result, the 3ω output P0 recovers within the range of the minimum allowable value P7 to the maximum allowable value P2 (ST34). As a result, the laser beam passing point of the
本実施の形態では、非線形結晶の温度調整処理と、非線形結晶を温度調整しても3ω出力P0が最小許容値P5まで回復しなくなった場合にレーザビーム通過点を移動させる処理と、が繰り返し行われる。 In the present embodiment, the temperature adjustment process of the nonlinear crystal and the process of moving the laser beam passing point when the 3ω output P0 does not recover to the minimum allowable value P5 even if the temperature of the nonlinear crystal is adjusted are repeated. Is called.
なお、本実施の形態では、非線形結晶内のレーザビーム通過点をステップ的に移動させる場合について説明したが、THG結晶移動機構14は、THG結晶10に対して非線形結晶内のレーザビーム通過点を連続的に移動させてもよい。この場合、レーザビーム通過点を移動させながら、UVレーザL3の出力が行われる。
In this embodiment, the case where the laser beam passing point in the nonlinear crystal is moved stepwise has been described. However, the THG
このように実施の形態2によれば、非線形結晶の温度調整を行なっても3ω出力P0を所望値まで回復できない場合に、レーザビーム通過点を移動させるので、3ω出力P0を所望値まで回復することが可能となる。したがって、長期に渡って波長変換効率を高効率に維持することが可能になる。 As described above, according to the second embodiment, the laser beam passing point is moved when the 3ω output P0 cannot be recovered to the desired value even if the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, so that the 3ω output P0 is recovered to the desired value. It becomes possible. Therefore, the wavelength conversion efficiency can be maintained at a high efficiency over a long period.
実施の形態3.
つぎに、図13を用いてこの発明の実施の形態3について説明する。実施の形態3では、レーザビーム通過点を移動させる際に、所定回数に渡って移動させても3ω出力P0が所望値まで回復できなければ、自動出力調整を中止する。
Next,
本実施の形態では、実施の形態2で説明したレーザ発振器102を用いてUVレーザL3の自動出力調整を行う。本実施の形態のレーザ発振器102は、実施の形態2で説明したレーザ発振器102と比べて演算部19の動作(SHG温調器17、THG温調器18への指示)が異なる。
In the present embodiment, automatic output adjustment of the UV laser L3 is performed using the
図13は、実施の形態3に係るレーザ発振器の動作手順を示すフローチャートである。なお、図13の処理のうち図2(実施の形態1)で説明した処理と同様の処理、図11(実施の形態2)で説明した処理と同様の処理、については、その説明を省略する。 FIG. 13 is a flowchart showing an operation procedure of the laser oscillator according to the third embodiment. Note that the description of the processing in FIG. 13 that is the same as the processing described in FIG. 2 (Embodiment 1) and the processing that is the same as the processing described in FIG. 11 (Embodiment 2) are omitted. .
レーザ発振器102は、UVレーザL3の出力を開始すると、レーザ発振器101と同様の処理手順によって、3ω出力P0の大きさ判定、電流調整フロー、非線形結晶の温度調整、ω出力Pの大きさ判定などを行う。具体的には、図13に示すステップS800〜S890の処理は、図2に示したステップS100〜190の処理と同様の処理手順によって行われる。
When the output of the UV laser L3 is started, the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS880)。この場合において、3ω出力P0が最小許容値P5よりも小さい場合(ステップS880、P0<P5)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。そして、連続移動回数を初期化(n=0)する(ステップS895)。ここでの連続移動回数は、3ω出力P0を所望値まで回復させるまでにレーザビーム通過点を移動させた回数である。
The
また、演算部19は、THG結晶移動機構14にレーザビーム通過点の移動指示を行う。THG結晶移動機構14は、演算部19からの指示に従って、非線形結晶(THG結晶10)のレーザビーム通過点(ポイント)を移動させる(ステップS900)。
The
そして、演算部19は、連続移動回数nをn=n+1にし、非線形結晶の使用ポイント数NをN=N+1にする(ステップS905)。この後、演算部19は、非線形結晶の温度調整を行うよう、SHG温調器17およびTHG温調器18に指示を送る。これにより、SHG温調器17、THG温調器18が、それぞれSHG結晶9、THG結晶10の温度調整を行う。例えば、図4で説明した処理手順によって非線形結晶の温度調整が行われる(ステップS920)。
Then, the
非線形結晶の温度調整が行われた後、3ωパワーモニタ13でUVレーザL3のUVレーザ出力が計測される。そして、3ωパワーモニタ13で計測されたUVレーザ出力(3ω出力P0)が制御装置20の演算部19に送られる。
After the temperature of the nonlinear crystal is adjusted, the 3ω power monitor 13 measures the UV laser output of the UV laser L3. Then, the UV laser output (3ω output P0) measured by the 3ω power monitor 13 is sent to the
演算部19は、3ωパワーモニタ13で計測された3ω出力P0の大きさを判定する(ステップS930)。ここでのUVレーザ出力の許容範囲は、P7以上かつP2以下であるとする。
The
P0がこの許容範囲内であれば(ステップS930、P7≦P0≦P2)、演算部19は、自動出力調整が不要であると判定する。この場合、表示装置などに、「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。
If P0 is within the allowable range (step S930, P7 ≦ P0 ≦ P2), the
また、3ω出力P0が最大許容値P2よりも大きい場合(ステップS930、P0>P2)、演算部19は、3ω出力P0が出力過多であると判定する。そして、演算部19は、電流調整フローを行う(ステップS940)。ここでの電流調整フローは、ステップS120の処理フローと同様の処理フローである。
When the 3ω output P0 is larger than the maximum allowable value P2 (step S930, P0> P2), the
レーザ発振器102では、3ω出力P0がP0≦P2となるまで、ステップS930,S940の処理が繰り返される。そして、3ω出力P0がP7≦P0≦P2となると、ステップS110の処理が行われる。
In the
3ω出力P0が最小許容値P7よりも小さい場合(ステップS930、P0<P7)、演算部19は、3ω出力P0が出力不足であると判定する。この場合、演算部19は、非線形結晶の使用ポイント数が、ポイント数の上限値Nxを超えたか否かを判定する(ステップS950)。換言すると、演算部19は、非線形結晶の使用ポイント数Nと、ポイント数の上限値Nxと、を比較する。
When the 3ω output P0 is smaller than the minimum allowable value P7 (step S930, P0 <P7), the
非線形結晶の使用ポイント数Nがポイント数の上限値Nx以下の場合(ステップS950、N≦Nx)、演算部19は、連続移動回数nが連続移動回数の上限値を超えたか否かを判定する(ステップS955)。
When the use point number N of the nonlinear crystal is equal to or less than the upper limit value Nx of the number of points (step S950, N ≦ Nx), the
例えば、非線形結晶に対して、レーザビーム通過点をn0回まで許可する場合、連続移動回数の上限値はn0(例えば3回)となる。この場合、演算部19は、連続移動回数nと、連続移動回数の上限値n0と、を比較する。レーザ発振器102は、n>n0となるまでステップS900〜S955までの処理を繰り返す。
For example, when a laser beam passage point is allowed up to n0 times for a nonlinear crystal, the upper limit value of the number of continuous movements is n0 (for example, 3 times). In this case, the
この場合において、ステップS930の処理でP7≦P0≦P2となれば、表示装置などに「自動出力調整完了」などのメッセージが表示される(ステップS110)。また、P0>P2となれば、電流調整フローが行われる(ステップS940)。また、N>Nxとなれば、表示装置などに「発振器寿命、交換」などのメッセージが表示される(ステップS960)。 In this case, if P7 ≦ P0 ≦ P2 in the process of step S930, a message such as “automatic output adjustment completion” is displayed on the display device or the like (step S110). If P0> P2, the current adjustment flow is performed (step S940). If N> Nx, a message such as “oscillator life, replacement” is displayed on the display device or the like (step S960).
連続移動回数nが連続移動回数の上限値n0よりも大きくなると(ステップS970、n>n0)、表示装置などに「自動出力調整未完」などのメッセージが表示される(ステップS970)。そして、UVレーザL3の自動出力調整が中止される。 When the number of continuous movements n is larger than the upper limit value n0 of the number of continuous movements (step S970, n> n0), a message such as “automatic output adjustment incomplete” is displayed on the display device (step S970). Then, the automatic output adjustment of the UV laser L3 is stopped.
この後、必要に応じて図13で説明したフローが最初から開始される。このとき、非線形結晶の使用ポイント数Nは、初期化されることなく、前回までにカウントされた使用ポイント数Nをそのまま用いる。一方、連続移動回数nは、ステップS895で初期化(n=0)された後、カウントが開始される。 Thereafter, the flow described with reference to FIG. 13 is started from the beginning as necessary. At this time, the use point number N of the non-linear crystal is not initialized, and the use point number N counted up to the previous time is used as it is. On the other hand, the number of consecutive movements n is initialized (n = 0) in step S895, and then starts counting.
このように実施の形態3によれば、連続移動回数の上限値n0回まで非線形結晶の温度調整を行なっても3ω出力P0を所望値まで回復できない場合に、UVレーザL3の自動出力調整を一旦中止にするので、3ω出力P0の回復見込みが少ない場合の自動出力調整を回避できる。したがって、効率良くUVレーザL3の自動出力調整と非線形結晶の交換処理とを行うことが可能になる。 As described above, according to the third embodiment, when the temperature of the nonlinear crystal is adjusted to the upper limit value n0 times of the continuous movement and the 3ω output P0 cannot be recovered to the desired value, the automatic output adjustment of the UV laser L3 is temporarily performed. Since it is canceled, automatic output adjustment when there is little recovery potential of the 3ω output P0 can be avoided. Therefore, it is possible to efficiently perform the automatic output adjustment of the UV laser L3 and the nonlinear crystal exchange process.
以上のように、本発明に係る高調波レーザ発振器は、非線形結晶を用いた高調波レーザの出力に適している。 As described above, the harmonic laser oscillator according to the present invention is suitable for the output of a harmonic laser using a nonlinear crystal.
1 ωパワーモニタ
5 YAGロッド
6 Qスイッチ
9 SHG結晶
10 THG結晶
13 3ωパワーモニタ
14 THG結晶移動機構
15 LD電源
17 SHG温調器
18 THG温調器
19 演算部
20 制御装置
63 非線形結晶
101,102 レーザ発振器
L1 赤外レーザ
L2 グリーンレーザ
L3 UVレーザ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ω power monitor 5 YAG rod 6
Claims (7)
前記基本波レーザが照射されると、前記基本波レーザの波長を波長変換して高調波レーザとして出力する波長変換部と、
前記波長変換部の温度を調整する温度調整部と、
前記波長変換部から出力される高調波レーザの出力値に基づいて、前記温度調整部を制御する制御部と、
を備え、
前記波長変換部の初期温度が調整された後、前記基本波出力部が前記基本波レーザの出力を開始するとともに前記波長変換部が前記高調波レーザの出力を開始し、
前記制御部は、前記波長変換部が前記高調波レーザの出力を開始した後、前記高調波レーザの外部への出力値が第1の最小許容値よりも小さくなった場合に、前記高調波レーザの出力値が第2の最小許容値よりも大きくなるよう、前記温度調整部に温度調整を行わせることを特徴とする高調波レーザ発振器。 A fundamental wave output unit that outputs a fundamental wave laser by exciting the laser medium;
When the fundamental laser is irradiated, a wavelength converter that converts the wavelength of the fundamental laser and outputs a harmonic laser;
A temperature adjustment unit for adjusting the temperature of the wavelength conversion unit;
Based on the output value of the harmonic laser output from the wavelength conversion unit, a control unit for controlling the temperature adjustment unit,
With
After the initial temperature of the wavelength conversion unit is adjusted, the fundamental wave output unit starts output of the fundamental wave laser and the wavelength conversion unit starts output of the harmonic laser,
When the output value to the outside of the harmonic laser becomes smaller than a first minimum allowable value after the wavelength converter starts the output of the harmonic laser, the control unit is configured to output the harmonic laser. The harmonic laser oscillator is characterized in that the temperature adjustment unit adjusts the temperature so that the output value of becomes higher than a second minimum allowable value.
前記温度調整部は、前記第1の非線形結晶の温度を調整する第1の温度調整部と、前記第2の非線形結晶の温度を調整する第2の温度調整部と、を有し、
前記第2の非線形結晶は、前記第1の非線形結晶よりも、前記第1の高調波レーザの出力側である下流側に配置され、
前記制御部は、前記第2の温度調整部に前記第2の非線形結晶の温度調整を行わせた後に前記第1の温度調整部に前記第1の非線形結晶の温度調整を行わせることによって、前記第2の高調波レーザの外部への出力値を前記第2の最小許容値よりも大きくすることを特徴とする請求項1に記載の高調波レーザ発振器。 The wavelength converter includes a first nonlinear crystal that generates a first harmonic laser having a wavelength that is a first natural number times that of the fundamental laser, and a second natural number that is twice that of the fundamental laser. A second nonlinear crystal that produces a second harmonic laser having a wavelength;
The temperature adjustment unit includes a first temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the first nonlinear crystal, and a second temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the second nonlinear crystal,
The second nonlinear crystal is disposed on the downstream side, which is the output side of the first harmonic laser, with respect to the first nonlinear crystal,
The control unit causes the first temperature adjusting unit to adjust the temperature of the first nonlinear crystal after causing the second temperature adjusting unit to adjust the temperature of the second nonlinear crystal. 2. The harmonic laser oscillator according to claim 1, wherein an output value to the outside of the second harmonic laser is made larger than the second minimum allowable value. 3.
前記制御部は、前記波長変換部が前記高調波レーザの出力を開始した後、前記高調波レーザの出力値が第1の最大許容値よりも大きくなった場合に、前記高調波レーザの出力値が第2の最大許容値よりも小さくなるよう、前記電源部に前記基本波レーザの出力値を調整させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の高調波レーザ発振器。 A power supply for adjusting the output value of the fundamental laser;
The control unit, when the output value of the harmonic laser becomes larger than a first maximum allowable value after the wavelength converter starts the output of the harmonic laser, the output value of the harmonic laser 5. The harmonic laser oscillator according to claim 1, wherein the power supply unit is configured to adjust an output value of the fundamental laser so that is smaller than a second maximum allowable value. 6.
前記制御部は、前記第2の温度調整部に前記第2の非線形結晶の温度調整を行わせる処理と、前記第1の温度調整部に前記第1の非線形結晶の温度調整を行わせる処理と、を複数回繰り返させても、前記第2の高調波レーザの外部への出力値が前記第2の最小許容値よりも大きくならない場合に、前記移動機構に前記ビーム通過点を移動させることを特徴とする請求項3〜6のいずれか1つに記載の高調波レーザ発振器。 A moving mechanism for moving a beam passing point through which the beam of the first harmonic laser passes in the second nonlinear crystal;
The control unit causes the second temperature adjustment unit to adjust the temperature of the second nonlinear crystal, and causes the first temperature adjustment unit to adjust the temperature of the first nonlinear crystal; , When the output value to the outside of the second harmonic laser does not become larger than the second minimum allowable value even if the above is repeated a plurality of times, the beam passing point is moved to the moving mechanism. The harmonic laser oscillator according to any one of claims 3 to 6, wherein the harmonic laser oscillator is provided.
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