JP2014135376A - Adhesive tape and method of manufacturing semiconductor device using adhesive tape - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation non-curing type adhesive tape that is free of a kerf shift, and allows a chip to be easily peeled off from the tape when picked up and does not peel off a ring frame when expanded.SOLUTION: The present invention relates to an adhesive tape used to pick up a chip formed by division in a modified region after forming the modified region in a wafer having a circuit pattern formed on a surface through irradiation with laser light focused on in the wafer. The adhesive tape is a radiation noncuring type which does not cure through the irradiation with radiation, and is characterized in having a peeling force of 0.1-0.4 N/25 mm with a silicon mirror surface at a peeling angle of 180° and at a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH, and a peeling force of 0.4-0.8 N/25 mm with an SUS304 surface at a peeling angle of 180° and at a peeling speed of 300 mm/min under conditions of 23°C and 50% RH.

Description

本発明は粘着テープ、及び粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、放射線照射により粘着力が変化することのない放射線非硬化型であって、ウェハを分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープ、及び該粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive tape and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape, and more particularly, to pick up a chip that is a radiation non-curing type in which the adhesive force does not change due to radiation irradiation and is divided into wafers. The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape used in manufacturing and a method for manufacturing a semiconductor device using the pressure-sensitive adhesive tape.

従来、半導体ウェハや半導体パッケージの半導体関連材料などは、回転刃などの切断刃を用いて切断され、小片の半導体素子やIC部品に分離されている。例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−砒素などを材料とする半導体ウェハは、大径の状態で製造された後、所定の厚さになるまで裏面研削処理(バックグラインド処理)され、さらに必要に応じて裏面処理(エッチング処理、ポリッシング処理など)が施される。次に、半導体ウェハが切断加工(ダイシング)され剥離回収(ピックアップ)する工程を経て、マウント及びモールド工程に実装される。このダイシング工程においては、半導体加工用ウェハを固定保持してチップに切断加工するためにダイシング用粘着テープが用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor-related materials for semiconductor wafers and semiconductor packages are cut using a cutting blade such as a rotary blade and separated into small semiconductor elements and IC components. For example, a semiconductor wafer made of silicon, germanium, gallium-arsenide, or the like is manufactured in a large diameter state and then back-grinded (back grind) until a predetermined thickness is obtained. Back surface processing (etching processing, polishing processing, etc.) is performed. Next, the semiconductor wafer is cut (diced) and separated and collected (pickup), and then mounted in a mount and mold process. In this dicing process, an adhesive tape for dicing is used to fix and hold a semiconductor processing wafer and cut it into chips.

ダイシング用粘着テープにおいては、切断加工の際、ダイシングブレードがウェハを切削する衝撃でチップが飛散することによる、歩留まりの低下や、ダイシングブレードの破損を防止するため、強保持性が求められる。また、剥離回収の際は、テープ裏面側から突き上げピンでチップを突上げることでチップをテープから剥離させるため、剥離不良によるチップ割れや歩留まり低下を防止するため易剥離性が求められる。このように、ダイシング用粘着テープには、ダイシング工程とピックアップ工程において相反する性能を有することが要求されており、これら要求を達成するため、放射線照射により粘着力が変化する、放射線硬化型のダイシング用粘着テープを用いることが知られている(例えば、特許文献1参照)。   The dicing pressure-sensitive adhesive tape is required to have a strong holding property in order to prevent yield reduction and breakage of the dicing blade due to the chips being scattered by the impact of the dicing blade cutting the wafer during cutting. Further, when peeling and collecting, the chip is peeled from the tape by pushing up the chip with a push-up pin from the back side of the tape, so that easy peelability is required in order to prevent chip cracking and yield reduction due to poor peeling. As described above, the dicing adhesive tape is required to have a contradictory performance in the dicing process and the pick-up process, and in order to achieve these requirements, radiation curable dicing whose adhesive force changes due to radiation irradiation. It is known to use a pressure-sensitive adhesive tape (for example, see Patent Document 1).

ところで近年では、ICカードの普及が進み、チップの薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが350μm程度であった半導体チップを、厚さ50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このようなチップの薄型化を達成するため、新たなウェハの切断方法が提案されている。ウェハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工するハーフカットダイシング工程(例えば、特許文献2参照)や、ウェハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をウェハの厚さ部分に合わせてウェハの内部に帯状の改質領域を形成するステルスダイシング工程(例えば、特許文献3参照)など、ウェハを容易に切断可能とする工程を施し、その後に外力を加えるなどして切断する方法が提案されている。これらの方法は、特にウェハの厚さが薄い場合にチッピングなどの不良を低減する効果がある。また、ステルスダイシングを用いた場合、カーフラインを必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。   By the way, in recent years, the spread of IC cards has progressed, and it is desired to reduce the thickness of chips. For this reason, it is necessary to reduce the thickness of a semiconductor chip, which has conventionally been about 350 μm, to a thickness of 50 to 100 μm or less. In order to achieve such thinning of the chip, a new wafer cutting method has been proposed. Half-cut dicing process (for example, refer to Patent Document 2) for processing a groove to be a crease without completely cutting the wafer, or a condensing point of a pulsed laser beam having a wavelength transmissive to the wafer A process for making the wafer easy to cut, such as a stealth dicing process (for example, refer to Patent Document 3) for forming a band-shaped modified region inside the wafer in accordance with the thickness, and then applying an external force, etc. A method of cutting has been proposed. These methods are effective in reducing defects such as chipping, particularly when the wafer is thin. Moreover, when stealth dicing is used, a kerf line is not required, so that an improvement in yield can be expected.

また、外力を加える方法として、ウェハ内部に集光点を合わせレーザー照射により改質層を形成し、その後、裏面側から改質領域に到達するまで研削を行う半導体チップの製造方法が開示されている(例えば、特許文献4参照)。この工法は「先ダイシング法」と呼ばれ、ウェハの裏面研削と個々のチップへの分割を同時に行うことにより、薄型チップを効率よく製造することができる。   Further, as a method for applying external force, a semiconductor chip manufacturing method is disclosed in which a condensing point is aligned inside a wafer, a modified layer is formed by laser irradiation, and then grinding is performed from the back surface side until reaching the modified region. (For example, see Patent Document 4). This method is called a “first dicing method”, and a thin chip can be efficiently manufactured by simultaneously grinding the back surface of the wafer and dividing it into individual chips.

特開2005−19607公報JP 2005-19607 A 特開2002−192370公報JP 2002-192370 A 特開2003−338467公報JP 2003-338467 A 特開2012−124300公報JP2012-124300A

このように近年では新たなダイシング方法が提案されており、その結果、ダイシング用粘着テープに要求される特性も変化してきている。ここで、ステルスダイシング法を用いて半導体装置の製造工程を行うと、ブレードによるダイシング方法と異なり、チップ間にカーフラインの形成がなされないため、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いて放射線照射にてテープを硬化させると、硬化収縮により本来のチップ間隔が崩れてしまい(カーフシフト)、ピックアップ工程にてチップの剥離がしにくくなることや、チップ同士の接触により不具合が生じることが新たな問題となっている。   Thus, in recent years, a new dicing method has been proposed, and as a result, the characteristics required for the adhesive tape for dicing have also changed. Here, when the manufacturing process of the semiconductor device is performed using the stealth dicing method, unlike the dicing method using the blade, the kerf line is not formed between the chips, so the radiation curing type dicing adhesive tape is used for radiation irradiation. When the tape is cured, the original chip interval is lost due to curing shrinkage (kerf shift), making it difficult for the chip to be peeled off during the pick-up process, and causing problems due to contact between the chips. It has become.

また、ステルスダイシング法においては前述したように厚さ100μm以下の薄ウェハの加工が用いられることが多く、ピックアップ時のチップ割れが問題となっている。そのため、一般的なブレードダイシング用途に比べ、粘着テープにはより軽剥離の性能が要求される。   In the stealth dicing method, processing of a thin wafer having a thickness of 100 μm or less is often used as described above, and chip cracking during pick-up is a problem. For this reason, the pressure-sensitive adhesive tape is required to have a lighter peeling performance than general blade dicing applications.

そこで、本発明は、ステルスダイシング法や先ダイシング法などウェハにカーフラインが形成されないダイシング工程において、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いることによって生ずる硬化収縮によるチップへの粘着剤の噛み込みによるカーフシフトがなく、ピックアップ時に容易にテープからチップを剥離させることができ、エキスパンドの際にはリングフレームからの剥離がない放射線非硬化型の粘着テープを提供することを目的とする。   In view of this, the present invention provides a kerf by the adhesive biting into the chip due to curing shrinkage caused by using a radiation curable dicing adhesive tape in a dicing process in which a kerf line is not formed on the wafer, such as a stealth dicing method or a tip dicing method. An object of the present invention is to provide a radiation non-curing pressure-sensitive adhesive tape that does not shift, can be easily peeled off from the tape during pick-up, and does not peel off from the ring frame when expanded.

上記課題を解決するために、本願発明による粘着テープは、表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the adhesive tape according to the present invention forms a modified region inside the wafer by irradiating a laser with a focusing point inside the wafer having a circuit pattern formed on the surface. An adhesive tape used for picking up a chip divided into chips in the modified region, which is a radiation non-curing type that is not cured by irradiation with radiation, a peeling angle of 180 degrees under conditions of 23 ° C. and 50% RH, The peeling force with the silicon mirror surface at a peeling speed of 300 mm / min is 0.1 to 0.4 N / 25 mm. Under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peeling angle is 180 degrees and the peeling speed is 300 mm / min. The peel force from the SUS304 surface is 0.4 to 0.8 N / 25 mm.

上記粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, and the pressure-sensitive adhesive layer has an alkyl group having a carbon number of 4 or more (meth) acrylic acid alkyl ester monomer of 70 to 90% by mass, An isocyanate-based cross-linking agent comprising an acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 constituted by 10 to 30% by mass of 2-hydroxypropyl acrylate and a polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000. It is preferable to be used and crosslinked.

また、上記粘着テープは、(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることが好ましい。   Further, the adhesive tape forms (a) a modified region in the wafer by attaching a surface protection tape to the surface of the wafer and irradiating a laser with a focusing point inside the wafer. (B) grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or the vicinity of the modified region; (c) applying the adhesive tape to the back surface of the wafer; and A step of fixing the adhesive tape to a ring frame for holding; (d) a step of peeling off the surface protection tape affixed to the surface of the wafer; and (e) expanding the adhesive tape to form the modified region. It is preferable to use for the manufacturing method of the semiconductor device including the process of picking up the chip | tip divided | segmented by (4).

また、上記有機粘着テープは、(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることが好ましい。   In addition, the organic adhesive tape is formed by (a) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, aligning a condensing point inside the wafer, and irradiating a laser to form the modified region inside the wafer. (B) grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or near the modified region, and (c) applying the adhesive tape to the back surface of the wafer and holding the adhesive tape (D) holding the wafer and the ring frame on a holding base, and applying external stress from the back side of the wafer via the adhesive tape, Dividing the wafer into chips along the modified region, (e) peeling the surface protection tape attached to the surface of the wafer, and (f) the above It expands the wearing tape, it is preferable to use the method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of picking up the chips.

また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体装置の製造方法は、(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes (a) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, and irradiating a laser with a focusing point inside the wafer. Forming the modified region inside the wafer, (b) grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or the vicinity of the modified region, and (c) the back surface of the wafer. Attaching the adhesive tape to the ring frame, fixing the adhesive tape to a ring frame for holding the adhesive tape, and (d) peeling the surface protection tape attached to the surface of the wafer; e) expanding the adhesive tape and picking up the chips divided in the modified region, and manufacturing the semiconductor device, wherein the adhesive tape comprises radiation It is a radiation non-curing type that is not cured by irradiation, and has a peeling force with respect to the silicon mirror surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH, 0.1 to 0.4 N / 25 mm, and the peel strength with respect to the SUS304 surface at a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / min under the conditions of 23 ° C. and 50% RH is 0.4 to 0.8 N / 25 mm. .

また、本願発明による半導体装置の製造方法は、(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする。   Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, (a) a surface protection tape is attached to the surface of the wafer, and a laser beam is irradiated with the focusing point inside the wafer. Forming a quality region; (b) grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or near the modified region; and (c) applying the adhesive tape to the back surface of the wafer; A step of fixing the adhesive tape to a ring frame for holding the adhesive tape; and (d) holding the wafer and the ring frame on a holding table and applying external stress from the back side of the wafer via the adhesive tape. A step of dividing the wafer into chips along the modified region, and (e) a process of peeling the surface protection tape attached to the surface of the wafer. And (f) expanding the adhesive tape and picking up the chip, the method of manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive tape is a radiation non-curing type that is not cured by radiation irradiation, and is 23 ° C. Under the conditions of 50% RH, the peeling force with the silicon mirror surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.1 to 0.4 N / 25 mm, and the conditions are 23 ° C. and 50% RH. The peeling force with the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.4 to 0.8 N / 25 mm.

上記の半導体装置の製造方法は、前記粘着テープが、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることが好ましい。   In the manufacturing method of the semiconductor device, the pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, and the pressure-sensitive adhesive layer has an alkyl group (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms. Acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 composed of 70 to 90% by mass of monomer and 10 to 30% by mass of 2-hydroxypropyl acrylate, and polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000 And is preferably crosslinked using an isocyanate-based crosslinking agent.

本発明によれば、ステルスダイシング法や先ダイシング法などウェハにカーフラインが形成されないダイシング工程において、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いることによって生ずる硬化収縮によるチップへの粘着剤の噛み込みによるカーフシフトがなく、ピックアップ時に容易にテープからチップを剥離させることができ、エキスパンドの際にはリングフレームからの剥離がない放射線非硬化型の粘着テープを提供することができる。   According to the present invention, in a dicing process in which a kerf line is not formed on a wafer, such as a stealth dicing method or a tip dicing method, a kerf due to biting of an adhesive into a chip due to curing shrinkage caused by using a radiation curable dicing adhesive tape is used. There is no shift, the chip can be easily peeled off from the tape at the time of pickup, and a radiation non-curing pressure-sensitive adhesive tape that does not peel off from the ring frame at the time of expansion can be provided.

本発明の実施形態に係る粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process by the stealth dicing method using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process by the stealth dicing method using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process by the stealth dicing method using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process by the stealth dicing method using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the expanding process using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたピックアップ工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the pick-up process using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程において外力を加える別の方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another method of applying external force in the dicing process by the stealth dicing method using the adhesive tape which concerns on embodiment of this invention.

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

本発明の実施形態に係る粘着テープ1は、基材フィルム2の少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層3が形成されている。図1は、本発明の放射線非硬化型の粘着テープ1の好ましい実施態様を示す概略断面図であり、粘着テープ1は基材フィルム2を有しており、基材フィルム2の上には粘着剤層3が形成されている。また、粘着剤層3の上には、必要に応じて設けられるセパレータ4が形成されている。   In the pressure-sensitive adhesive tape 1 according to the embodiment of the present invention, at least one pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed on at least one side of the base film 2. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the radiation non-curable adhesive tape 1 of the present invention. The adhesive tape 1 has a base film 2, and an adhesive is provided on the base film 2. An agent layer 3 is formed. In addition, a separator 4 provided as necessary is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 3.

以下、本実施形態の粘着テープ1の各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the adhesive tape 1 of this embodiment is demonstrated in detail.

(基材フィルム2)
基材フィルム2としては、特に制限されるものでなく、公知のプラスチックなどの樹脂を用いることができる。一般に基材フィルム2としては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。使用する基材フィルム2としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体およびスチレン−水添イソプレン/ブタジエン−スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン−(メタ)アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる2種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層3との接着性によって任意に選択することができる。
(Base film 2)
The base film 2 is not particularly limited, and a known resin such as plastic can be used. In general, a thermoplastic plastic film is used as the base film 2. As the base film 2 to be used, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polyolefin such as polybutene, styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene copolymer, styrene- Thermoplastic elastomers such as hydrogenated butadiene-styrene copolymers and styrene-hydrogenated isoprene / butadiene-styrene copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid copolymers, ethylene- ( Engineering such as (meth) acrylic acid ester copolymers, ethylene copolymers such as ethylene- (meth) acrylic acid metal salt ionomers, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, etc. Plastic, soft polyvinyl chloride, semi-hard polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber as well as high molecular material such as synthetic rubber is preferred. Further, a mixture of two or more selected from these groups or a multilayered structure may be used, and any one can be selected depending on the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer 3.

基材フィルム2は、市販のものを用いても良いし、常法により製膜したものであっても良い。基材フィルム2の厚さは通常のダイシング用粘着テープ1の基材フィルム2と特に異ならない。通常30〜200μm、より好ましくは50〜150μmである。   The base film 2 may be a commercially available one or a film formed by a conventional method. The thickness of the base film 2 is not particularly different from the base film 2 of the normal dicing adhesive tape 1. Usually, it is 30-200 micrometers, More preferably, it is 50-150 micrometers.

基材フィルム2の粘着剤層3に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。   The surface of the base film 2 that contacts the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer in order to improve adhesion.

(粘着剤層3) (Adhesive layer 3)

放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の粘着剤層3に使用される樹脂としては、粘着テープ1の23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmとなるものであれば、特に制限されることはなく、(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシルエチル(メタ)アクリレートおよび/または2−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。   The resin used for the radiation non-curing type pressure-sensitive adhesive layer 3 that is not cured by irradiation with radiation is silicon at 23 ° C. and 50% RH of the pressure-sensitive adhesive tape 1 at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min. The peel force from the mirror surface is 0.1 to 0.4 N / 25 mm, and the peel force from the SUS304 surface at a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / min under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, If it will be 0.4-0.8N / 25mm, there will be no restriction | limiting in particular, The structural unit derived | led-out from the (meth) acrylic-acid alkylester monomer, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxylethyl ( A structural unit derived from (meth) acrylate and / or 2-hydroxybutyl acrylate, Copolymer contains constituent units derived from the ester monomers can be used which are crosslinked by an isocyanate compound.

対シリコンミラー面、対SUS304の剥離力が上記範囲内となるようにするには、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%より構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されたものを用いることが好ましい。   In order to make the peel force of the silicon mirror surface and SUS304 within the above range, 70 to 90% by mass of (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, 2-hydroxy The propyl acrylate contains an acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 composed of 10 to 30% by mass and polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000, and is crosslinked using an isocyanate crosslinking agent. It is preferable to use one.

ここで、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸2−メチルブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルブチル、(メタ)アクリル酸2−メチルヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸1,2−ジメチルブチル、(メタ)アクリル酸ラウリルなどが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が8以上のものが好ましい。   Here, (meth) acrylic acid alkyl ester monomers having 4 or more carbon atoms in the alkyl group include butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 2 -Methylpropyl, 2-methylbutyl (meth) acrylate, 2-ethylbutyl (meth) acrylate, 2-methylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 1,2- Examples thereof include dimethylbutyl and lauryl (meth) acrylate. Among them, those having an alkyl group having 8 or more carbon atoms are particularly preferable.

上記粘着剤を形成する共重合体において、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が70〜90質量%含まれることが好ましい。(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得ることができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム2に塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明のダイシング用粘着テープ1を製造する場合に支障が生じる。   The copolymer forming the pressure-sensitive adhesive preferably contains 70 to 90% by mass of a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 4 or more carbon atoms. When there are too many structural units derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer, the crosslinking point of the pressure-sensitive adhesive is reduced, and sufficient characteristics cannot be obtained, and when it is too small, the pressure-sensitive adhesive composition is mixed, and the base film The pot life until it is applied to 2 is shortened, which causes a problem when the pressure-sensitive adhesive tape 1 for dicing of the present invention is produced.

また、架橋性の官能基含有モノマーとして、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが用いられ、構成単位として10〜30質量%含まれることが好ましい。2−ヒドロキシプロピルアクリレートよりも鎖長が短い2−ヒドロキシエチルアクリレートなどの官能基含有モノマーを用いると、架橋反応が速くポットライフが短くなり、本発明のダイシング用粘着テープ1を製造する場合に支障が生じ、2−ヒドロキシブチルアクリレートなど鎖長が長いモノマーを用いると架橋反応の進行が遅くなり、架橋反応の完結が極端に長期化する問題が生じる。また、官能基含有モノマーが10質量%未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレーム9剥がれが発生し、30質量%を超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ時にテープからチップ11が剥離し難くなる。   Moreover, 2-hydroxypropyl acrylate is used as a crosslinkable functional group-containing monomer, and it is preferable that 10-30 mass% is contained as a structural unit. When a functional group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate having a shorter chain length than 2-hydroxypropyl acrylate is used, the cross-linking reaction is quick and the pot life is shortened, which hinders the production of the dicing adhesive tape 1 of the present invention. When a monomer having a long chain length such as 2-hydroxybutyl acrylate is used, the progress of the cross-linking reaction is delayed, and there is a problem that the completion of the cross-linking reaction is extremely prolonged. Further, if the functional group-containing monomer is less than 10% by mass, the polarity is low, the adhesion to the adherend is reduced, the ring frame 9 peels off, and if it exceeds 30% by mass, the adherend is reversed. The adhesiveness becomes excessive, and the chip 11 becomes difficult to peel off from the tape during pick-up.

また、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が70〜90質量%、かつ官能基含有モノマーが2−ヒドロキシエチルアクリレートおよび/または2−ヒドロキシプロピルアクリレートであるアクリル系共重合体の水酸基価は45〜100mgKOH/gが好ましい。水酸基価が45mgKOH/g未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレーム9剥がれが発生し、100mgKOH/gを超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ時にテープからチップ11が剥離し難くなるからである。   The structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is 70 to 90% by mass, and the functional group-containing monomer is 2-hydroxyethyl acrylate and / or 2-hydroxypropyl acrylate. The hydroxyl value of the acrylic copolymer is preferably 45 to 100 mgKOH / g. When the hydroxyl value is less than 45 mgKOH / g, the polarity is low, the adhesion to the adherend is reduced, the ring frame 9 peels off, and when it exceeds 100 mgKOH / g, the adhesion to the adherend is reversed. This is because it becomes excessive and the chip 11 is difficult to peel off from the tape at the time of pickup.

数平均分子量3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとしては、数平均分子量として3000〜10000であれば特に制限されず、公知のポリプロピレンオキシドの中から適宜選択することができる。数平均分子量が3000未満であると、低分子量成分が被着体表面に移行し、汚染性が増加し、10000を超えるとアクリル系共重合体との相溶性が悪化し、未相溶成分が被着体表面に移行し汚染性が増加するため数平均分子量は3000〜10000の範囲が好ましい。   The polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000 is not particularly limited as long as it has a number average molecular weight of 3000 to 10,000, and can be appropriately selected from known polypropylene oxides. When the number average molecular weight is less than 3000, the low molecular weight component moves to the surface of the adherend, and the contamination increases. When the number average molecular weight exceeds 10,000, the compatibility with the acrylic copolymer deteriorates, and the incompatible component is reduced. The number average molecular weight is preferably in the range of 3000 to 10000, because it moves to the adherend surface and increases the contamination.

ポリプロピレンオキシドの配合量としては、特に制限されず、目的とする粘着力が得られる範囲内で適宜調整可能であるが、アクリル系共重合体100質量部に対して、0.5〜5質量部の範囲から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの配合量が0.5部未満では、ピックアップ時に粘着テープ1からチップ11(図7参照)を剥離するが困難となり、5部を超えると被着体への汚染が増加する。   The blending amount of the polypropylene oxide is not particularly limited and can be appropriately adjusted within a range in which the desired adhesive strength can be obtained, but is 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. It can be suitably selected from the range. If the blending amount of polypropylene oxide is less than 0.5 part, it is difficult to peel off the chip 11 (see FIG. 7) from the adhesive tape 1 during pick-up, and if it exceeds 5 parts, contamination of the adherend increases.

対シリコンミラー面、対SUS304の剥離力は、アルキル基の炭素数、(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーと2−ヒドロキシプロピルアクリレートの配合割合、水酸基価、ポリプロピレンオキシドの数平均分子量、ポリプロピレンオキシドの配合割合等を適宜組み合わせることにより、調整することができる。   The peel strength of silicon mirror surface and SUS304 is carbon number of alkyl group, (meth) acrylic acid alkyl ester monomer and 2-hydroxypropyl acrylate blending ratio, hydroxyl value, number average molecular weight of polypropylene oxide, blending of polypropylene oxide It can be adjusted by appropriately combining the proportions.

粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により架橋されている。イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)等を用いることができる。   The copolymer constituting the pressure-sensitive adhesive is crosslinked with an isocyanate compound. The isocyanate compound is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4- Aromatic isocyanate such as phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, Examples include lysine diisocyanate and lysine triisocyanate. Specifically, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used as a commercial product.

粘着剤層3中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体100質量部に対して、2〜12質量部が好ましい。イソシアネート化合物が2質量部未満では、架橋が不十分で凝集性が低く、被着体を剥離した際に被着体に粘着剤の残渣が付着する糊残りが増加する。イソシアネート化合物が12質量部を超えると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム2に塗布するまでのポットライフが短くなり、粘着テープ1を製造する場合に支障が生じるからである。   In the pressure-sensitive adhesive layer 3, the content of the isocyanate compound is preferably 2 to 12 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copolymer. When the isocyanate compound is less than 2 parts by mass, the crosslinking is insufficient and the cohesiveness is low, and the adhesive residue to which the adhesive residue adheres to the adherend increases when the adherend is peeled off. This is because when the isocyanate compound exceeds 12 parts by mass, the pot life until the pressure-sensitive adhesive composition is mixed and applied to the base film 2 is shortened, and trouble occurs when the pressure-sensitive adhesive tape 1 is produced.

粘着剤層3を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。   In the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3, if necessary, for example, a tackifier, an anti-aging agent, a filler, a colorant, a flame retardant, an antistatic agent, a softening agent, and an antioxidant. Known additives such as an agent, a plasticizer, and a surfactant may be included.

粘着剤層3は、従来の粘着剤層3の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材フィルム2の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、剥離フィルム(例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等)上に塗布して粘着剤層3を形成した後、該粘着剤層3を基材の所定の面に転写する方法により、基材フィルム2上に粘着剤層3を形成することができる。なお、粘着剤層3は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed using a conventional method for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3. For example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive composition on a predetermined surface of the substrate film 2 and a method of forming the pressure-sensitive adhesive composition on a release film (for example, a plastic film or sheet coated with a release agent) Etc.) After forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed on the substrate film 2 by a method of transferring the pressure-sensitive adhesive layer 3 to a predetermined surface of the substrate. . The pressure-sensitive adhesive layer 3 may have a single layer form or a laminated form.

また、粘着剤層3の厚さは、3〜20μmが好ましく、より好ましくは5〜15μmである。粘着剤が5μm未満の場合にはウェハ5搬送時に十分にウェハ5を保持することができず、粘着剤が15μmよりも厚い場合には密着性が過剰となり、ピックアップ不良やチップ11(図7参照)への糊残りが生じるからである。   Moreover, 3-20 micrometers is preferable and, as for the thickness of the adhesive layer 3, More preferably, it is 5-15 micrometers. If the pressure-sensitive adhesive is less than 5 μm, the wafer 5 cannot be sufficiently held when the wafer 5 is conveyed, and if the pressure-sensitive adhesive is thicker than 15 μm, the adhesiveness becomes excessive, and pickup failure or chip 11 (see FIG. 7). This is because an adhesive residue is generated.

本発明者らは、粘着テープ1における粘着特性を鋭意検討した結果、シリコンミラー面に対する剥離力を0.1〜0.4N/25mmテープ幅とすることで、ピックアップ時に周辺チップ11のばらけがなく、容易にテープからチップ11を剥離できることを見出した。一方、剥離力が0.1N/25mmテープ幅未満の場合には、ピックアップ時に周辺チップ11がばらける不具合が増加してしまい、0.4N/25mmテープ幅より大きい場合には、ピックアップ時にテープからチップ11(図7参照)を剥離することができず、ピックアップ不良が発生してしまうことが明らかとなった。   As a result of intensive studies on the adhesive properties of the adhesive tape 1, the inventors have made the peeling force with respect to the silicon mirror surface 0.1 to 0.4 N / 25 mm tape width so that the peripheral chip 11 does not vary during pickup. It was found that the chip 11 can be easily peeled from the tape. On the other hand, if the peel force is less than 0.1 N / 25 mm tape width, the problem of peripheral chip 11 scattering during pick-up increases, and if it is greater than 0.4 N / 25 mm tape width, It became clear that the chip 11 (see FIG. 7) could not be peeled off and pickup failure occurred.

さらに、本発明者らは、粘着テープ1における粘着特性を鋭意検討した結果、SUS304に対する粘着強度を0.4〜0.8N/25mmテープ幅とすることで、ピックアップ工程のテープ延伸(エキスパンド)時の応力によるSUS製リングフレーム9(図6,7参照)からの剥離や、糊残りを抑制できることを見出した。一方、剥離力が0.4N/25mmテープ幅未満の場合には、粘着力が不足しリングフレーム9(図6,7参照)からのテープ剥離が頻発し、リングフレーム部の大部分が剥離した際は、エキスパンド時にチップ間隔を拡張できずピックアップが困難となり、リングフレーム部の剥離が小さい際においても、再ピックアップやフレーム回収時にウェハカセットに収納する際に剥がれが悪化し、工程が止まる懸念が生じる。また、0.8N/25mmテープ幅より大きい場合には、密着性が過剰となり、リングフレーム9(図6,7参照)への糊残りが増加してしまうことが明らかとなった。   Furthermore, as a result of intensive studies on the adhesive properties of the adhesive tape 1, the present inventors set the adhesive strength against SUS304 to 0.4 to 0.8 N / 25 mm tape width, so that the tape can be stretched (expanded) in the pickup process. It was found that peeling from the SUS ring frame 9 (see FIGS. 6 and 7) due to the stress and adhesive residue could be suppressed. On the other hand, when the peeling force is less than 0.4 N / 25 mm tape width, the adhesive force is insufficient and the tape peeling from the ring frame 9 (see FIGS. 6 and 7) frequently occurs, and most of the ring frame part peels off. When expanding, the chip interval cannot be expanded and picking up becomes difficult, and even when the peeling of the ring frame is small, there is a concern that peeling will worsen when storing in the wafer cassette during re-pickup or frame collection, and the process may stop. Arise. In addition, when it was larger than 0.8 N / 25 mm tape width, it became clear that the adhesiveness was excessive and the adhesive residue on the ring frame 9 (see FIGS. 6 and 7) increased.

(セパレータ4)
セパレータ4は、粘着剤層3を保護する目的のため、粘着テープ1を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータ4の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータ4の表面には粘着剤層3からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータ4の厚さは、通常10〜100μm、好ましくは25〜50μm程度である。
(Separator 4)
The separator 4 is used for the purpose of protecting the pressure-sensitive adhesive layer 3, for the purpose of easily performing label processing for cutting the pressure-sensitive adhesive tape 1 into a predetermined shape, and for the purpose of smoothing the pressure-sensitive adhesive as necessary. Provided. Examples of the constituent material of the separator 4 include synthetic resin films such as paper, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. In order to improve the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer 3, the surface of the separator 4 may be subjected to a peeling treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, or fluorine treatment as necessary. Moreover, the ultraviolet-ray prevention process may be performed as needed so that an adhesive sheet may not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of the separator 4 is usually 10 to 100 μm, preferably about 25 to 50 μm.

<使用方法>
次に、本発明の粘着テープ1の使用方法について説明する。
<How to use>
Next, the usage method of the adhesive tape 1 of this invention is demonstrated.

本発明の粘着テープ1の使用用途としては、ステルスダイシングにより改質層領域が形成されたウェハ5をチップ11単位に分割し、ピックアップによりチップ11を取り出す工程を含む半導体製造装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体製造装置の製造方法(A),(B)において好適に使用できる。   The adhesive tape 1 of the present invention can be used in a method of manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus including a step of dividing a wafer 5 on which a modified layer region is formed by stealth dicing into chips 11 and taking out the chips 11 by pick-up. As long as it does, it is not specifically limited. For example, it can be suitably used in the following semiconductor manufacturing apparatus manufacturing methods (A) and (B).

[半導体製造装置の製造方法(A)]
(a)ウェハ5の表面に表面保護テープ6を貼付し、ウェハ5内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ5内部に前記改質領域7を形成する工程と、(b)改質領域7または改質領域7付近に到達するまでウェハ5の裏面を研削する工程と、(c)ウェハ5の裏面に粘着テープ1を貼付すると共に、粘着テープ1を保持するためのリングフレーム9に粘着テープ1を固定する工程と、(d)ウェハ5の表面に貼付した表面保護テープ6を剥離する工程と、(e)粘着テープ1をエキスパンドし、改質領域7で分割したチップ11をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
[Manufacturing Method of Semiconductor Manufacturing Equipment (A)]
(A) A step of attaching the surface protection tape 6 to the surface of the wafer 5, aligning the condensing point inside the wafer 5 and irradiating a laser to form the modified region 7 inside the wafer 5, and (b) ) Grinding the back surface of the wafer 5 until it reaches the modified region 7 or near the modified region 7; and (c) a ring for attaching the adhesive tape 1 to the back surface of the wafer 5 and holding the adhesive tape 1. A step of fixing the adhesive tape 1 to the frame 9; (d) a step of peeling the surface protective tape 6 affixed to the surface of the wafer 5; and (e) a chip obtained by expanding the adhesive tape 1 and dividing it in the modified region 7. 11. A method of manufacturing a semiconductor device including a step of picking up 11.

[半導体製造装置の製造方法(B)]
(a)ウェハ5の表面に表面保護テープ6を貼付し、ウェハ5内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ5内部に改質領域7を形成する工程と、(b)改質領域7または改質領域7付近に到達するまでウェハ5裏面を研削する工程と、(c)ウェハ5の裏面に粘着テープ1を貼付すると共に、粘着テープ1を保持するためのリングフレーム9に粘着テープ1を固定する工程と、(d)ウェハ5およびリングフレーム9を保持台に保持し、粘着テープ1を介し、ウェハ5裏面側から外部応力を加えることにより、ウェハ5を改質領域7に沿ってチップ11単位に分割する工程と、(e)ウェハ5の表面に貼付した表面保護テープ6を剥離する工程と、(f)粘着テープ1をエキスパンドし、チップ11をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
[Manufacturing Method of Semiconductor Manufacturing Equipment (B)]
(A) A step of forming a modified region 7 inside the wafer 5 by applying a surface protection tape 6 to the surface of the wafer 5, aligning the light focusing point inside the wafer 5 and irradiating a laser; and (b) A step of grinding the back surface of the wafer 5 until it reaches the modified region 7 or the vicinity of the modified region 7; and (c) a ring frame 9 for attaching the adhesive tape 1 to the back surface of the wafer 5 and holding the adhesive tape 1. And (d) holding the wafer 5 and the ring frame 9 on a holding stand and applying external stress from the back side of the wafer 5 through the adhesive tape 1 to thereby modify the wafer 5 into a modified region. 7 is divided into units of chips 11, (e) a step of peeling the surface protective tape 6 attached to the surface of the wafer 5, and (f) the adhesive tape 1 is expanded and the chips 11 are picked up. The method of manufacturing a semiconductor device including a degree.

粘着テープ1を上記半導体加工装置の製造方法(A)に適用した場合の、粘着テープ1の使用方法について、図2〜6を参照しながら説明する。   The usage method of the adhesive tape 1 at the time of applying the adhesive tape 1 to the manufacturing method (A) of the said semiconductor processing apparatus is demonstrated, referring FIGS.

まず、図2に示すように、回路パターンが形成された半導体ウェハ5の表面に、表面保護テープ6を貼合し、ウェハ5の裏面側よりウェハ5内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ5内部に改質領域7を形成する。   First, as shown in FIG. 2, a surface protection tape 6 is bonded to the surface of the semiconductor wafer 5 on which the circuit pattern is formed, and a laser beam is irradiated from the back surface side of the wafer 5 with a focusing point inside the wafer 5. As a result, the modified region 7 is formed inside the wafer 5.

次に、図3(A)に示すように、改質領域7を形成したウェハ5について、砥石8で裏面を研削するバックグラインド工程により、図3(B)に示すように、改質領域7に到達するまで研削を行う。   Next, as shown in FIG. 3 (A), as shown in FIG. 3 (B), the modified region 7 is formed by a back grinding process in which the back surface of the wafer 5 on which the modified region 7 is formed is ground with a grindstone 8. Grind until it reaches.

次に、図4に示すように、セパレータ4を剥離した粘着テープ1の粘着剤層3をウェハ5の裏面に貼り合せるとともに、粘着剤層3の外周部にリングフレーム9を貼り合せる。その後、図5に示すように、表面保護テープ6を剥離する。   Next, as shown in FIG. 4, the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 from which the separator 4 has been peeled is bonded to the back surface of the wafer 5, and the ring frame 9 is bonded to the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 3. Then, as shown in FIG. 5, the surface protection tape 6 is peeled off.

次に、図6に示すように、ウェハ5及びリングフレーム9が貼り合わされた粘着テープ1を、基材フィルム2側を下にして、エキスパンド装置のステージ(図示しない)上に載置し、リングフレーム9を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材10を上昇させ、粘着テープ1をエキスパンドする。このように粘着テープ1が周方向に引き伸ばされることで、ウェハ5が、改質領域7を起点としてチップ11単位で分断される。   Next, as shown in FIG. 6, the adhesive tape 1 on which the wafer 5 and the ring frame 9 are bonded is placed on the stage (not shown) of the expanding apparatus with the base film 2 side down, and the ring With the frame 9 fixed, the push-up member 10 of the expanding device is raised and the adhesive tape 1 is expanded. Thus, the adhesive tape 1 is stretched in the circumferential direction, so that the wafer 5 is divided in units of chips 11 starting from the modified region 7.

そして、図7に示すように、粘着テープ1の裏面側から突き上げピン12でチップ11を突上げてコレット13により吸着するピックアップ工程により、半導体チップ11を得ることができる。   Then, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip 11 can be obtained by a pickup process in which the chip 11 is pushed up from the back surface side of the adhesive tape 1 by the push-up pin 12 and is sucked by the collet 13.

なお、上述の半導体装置の製造方法では、粘着テープ1をエキスパンドすることにより、ウェハ5に外力を加えて改質領域7を起点として、ウェハ5をチップ11単位に分断するようにしたが、セパレータ4を剥離した粘着テープ1の粘着剤層3をウェハ5の裏面に貼り合せるとともに、粘着剤層3の外周部にリングフレーム9を貼り合せた後、表面保護テープ6を剥離する前に、図8(A)に示すように、粘着テープ1の裏面側すなわち基材フィルム2側から、ローラー14を摺動させることにより、ウェハ5に外力を加えて改質領域7を起点として、ウェハ5をチップ11単位に分断するようにしてもよい(図8(B)参照)。その後、上述の半導体装置の製造方法と同様に、表面保護テープ6を剥離し、粘着テープ1をエキスパンドし、粘着テープ1の裏面側から突き上げピン12でチップ11を突上げて、半導体チップ11をピックアップするとよい(図6,7参照)。   In the semiconductor device manufacturing method described above, the adhesive tape 1 is expanded to apply an external force to the wafer 5 to divide the wafer 5 into chips 11 starting from the modified region 7. 4 is bonded to the back surface of the wafer 5 and the ring frame 9 is bonded to the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and then the surface protective tape 6 is peeled off. As shown in FIG. 8 (A), by sliding the roller 14 from the back surface side of the adhesive tape 1, that is, the base film 2 side, an external force is applied to the wafer 5 and the modified region 7 is used as a starting point. You may make it divide | segment into a chip | tip 11 unit (refer FIG. 8 (B)). Thereafter, in the same manner as in the semiconductor device manufacturing method described above, the surface protective tape 6 is peeled off, the adhesive tape 1 is expanded, the chip 11 is pushed up from the back surface side of the adhesive tape 1 with the push-up pins 12, and the semiconductor chip 11 is removed. Pick up (see FIGS. 6 and 7).

(実施例)
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(Example)
Next, the present invention will be described in more detail based on examples. EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

[基材フィルム]
基材フィルムとして、エチレン−メタクリル酸−(アクリル酸2−メチル−プロピル)3元共重合体−Zn++−アイオノマー樹脂である、ハイミランAM−7316(商品名、三井デュポンケミカル社製)を使用し、厚さ80μmのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施し、基材フィルムAを得た。
[Base film]
As the base film, Hi-Milan AM-7316 (trade name, manufactured by Mitsui DuPont Chemical Co., Ltd.), which is an ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) terpolymer-Zn ++-ionomer resin, is used. A film having a thickness of 80 μm was prepared. One side of this film was subjected to corona treatment to obtain a base film A.

[アクリル系共重合体]
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、またはアクリル酸2−エチルヘキシルから導かれる構成単位と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートから導かれる構成単位を原料として、下記の表1に示した配合比(重量部)で所定の水酸基価となるよう重合を行い、アクリル系重合体を含有するベースポリマーA〜Hを得た。
[Acrylic copolymer]
Using a structural unit derived from ethyl acrylate, butyl acrylate, or 2-ethylhexyl acrylate and a structural unit derived from 2-hydroxypropyl acrylate as raw materials, the composition ratio (parts by weight) shown in Table 1 below is determined. The base polymers A to H containing an acrylic polymer were obtained by performing polymerization so that the hydroxyl value of the polymer became the same.

Figure 2014135376
Figure 2014135376

<実施例1>
ベースポリマーB100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量3000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール3000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムAのコロナ処理面に厚さ10μmとなるように塗工し、実施例1に係る粘着テープを作成した。
<Example 1>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 3000 as polypropylene oxide (trade name: polypropylene glycol 3000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a cross-linking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer B The mixture was mixed at a mixing ratio of parts to obtain an adhesive composition.
The obtained adhesive composition was applied to the corona-treated surface of the substrate film A so as to have a thickness of 10 μm, and an adhesive tape according to Example 1 was prepared.

<実施例2>
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2に係る粘着テープを作成した。
<Example 2>
A pressure-sensitive adhesive tape according to Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide.

<実施例3>
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を1.0質量部とした以外は実施例1と同様にして、実施例3に係る粘着テープを作成した。
<Example 3>
Adhesive according to Example 3 in the same manner as in Example 1 except that polypropylene oxide having a molecular weight of 10,000 (trade name: Preminol S4011, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide, and the addition part was 1.0 part by mass. Created a tape.

<実施例4>
ベースポリマーC100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例4に係る粘着テープを作成した。
<Example 4>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a cross-linking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer C A pressure-sensitive adhesive tape according to Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive containing part was used.

<実施例5>
ベースポリマーF100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例5に係る粘着テープを作成した。
<Example 5>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a cross-linking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer F A pressure-sensitive adhesive tape according to Example 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive containing part was used.

<実施例6>
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を1.0質量部とした以外は実施例5と同様にして、実施例6に係る粘着テープを作成した。
<Example 6>
Adhesive according to Example 6 in the same manner as in Example 5 except that polypropylene oxide having a molecular weight of 10,000 (trade name: Preminol S4011, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide, and the addition part was 1.0 part by mass. Created a tape.

<実施例7>
ベースポリマーG100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例7に係る粘着テープを作成した。
<Example 7>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer G A pressure-sensitive adhesive tape according to Example 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive containing part was used.

<比較例1>
ベースポリマーA100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムAのコロナ処理面に厚さ10μmとなるように塗工し、ダイシング用粘着テープを作成した。
<Comparative Example 1>
Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a crosslinking agent was mixed at a blending ratio of 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer A to obtain an adhesive composition.
The obtained adhesive composition was applied to the corona-treated surface of the base film A so as to have a thickness of 10 μm, and a dicing adhesive tape was prepared.

<比較例2>
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例2に係る粘着テープを作成した。
<Comparative example 2>
A pressure-sensitive adhesive tape according to Comparative Example 2 was prepared in the same manner as Comparative Example 1 except that polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide.

<比較例3>
ベースポリマーB100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例3に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 3>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 2000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 2000, manufactured by Junsei Kagaku Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer B The adhesive tape which concerns on the comparative example 3 was created like the comparative example 1 except having used the adhesive which contains a part.

<比較例4>
ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)を用い、添加部数を5.0質量部とした以外は比較例3と同様にして、比較例4に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 4>
Comparative Example 4 was made in the same manner as Comparative Example 3 except that polypropylene glycol having a molecular weight of 2000 (trade name: Polypropylene glycol 2000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide, and the number of added parts was 5.0 parts by mass. Such an adhesive tape was prepared.

<比較例5>
ベースポリマーD100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例5に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 5>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer D The adhesive tape which concerns on the comparative example 5 was created like the comparative example 1 except having used the adhesive which contains a part.

<比較例6>
ベースポリマーE100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレングリコール(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)1.0質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例6に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 6>
1.0 part by weight of polypropylene glycol (trade name: Preminol S4011, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a molecular weight of 10,000 as polypropylene oxide, and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a crosslinking agent with respect to 100 parts by weight of the base polymer E The adhesive tape which concerns on the comparative example 6 was created like the comparative example 1 except having used the adhesive which contains a part.

<比較例7>
ベースポリマーF100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例7に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 7>
A pressure-sensitive adhesive tape according to Comparative Example 7 was prepared in the same manner as Comparative Example 1 except that a pressure-sensitive adhesive containing 6 parts by mass of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) was used as a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer F. .

<比較例8>
ベースポリマーF100質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量2000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール2000、純正化学株式会社製)2質量部、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例8に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 8>
2 parts by mass of polypropylene glycol having a molecular weight of 2000 as polypropylene oxide (trade name: Polypropylene glycol 2000, manufactured by Pure Chemical Co., Ltd.) and 6 parts by weight of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a cross-linking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer F The adhesive tape which concerns on the comparative example 8 was created like the comparative example 1 except having used the adhesive which contains a part.

<比較例9>
ポリプロピレンオキシドとして分子量10000であるポリプロピレンオキシド(商品名:プレミノールS4011、旭硝子株式会社製)を用い、添加部数を6.0質量部とした以外は比較例8と同様にして、比較例9に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 9>
Adhesive according to Comparative Example 9 is the same as Comparative Example 8 except that polypropylene oxide having a molecular weight of 10,000 (trade name: Preminol S4011, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) is used as the polypropylene oxide, and the addition part is 6.0 parts by mass. Created a tape.

<比較例10>
ベースポリマーH100質量部に対して、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン社製)を6質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例1と同様にして、比較例10に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 10>
A pressure-sensitive adhesive tape according to Comparative Example 10 was prepared in the same manner as Comparative Example 1 except that a pressure-sensitive adhesive containing 6 parts by mass of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) was used as a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the base polymer H. .

<比較例11>
ポリプロピレンオキシドとして分子量4000であるポリプロピレングリコール(商品名:ポリプロピレングリコール4000、純正化学株式会社製)を用いた以外は比較例10と同様にして、比較例11に係る粘着テープを作成した。
<Comparative Example 11>
A pressure-sensitive adhesive tape according to Comparative Example 11 was prepared in the same manner as Comparative Example 10 except that polypropylene glycol having a molecular weight of 4000 (trade name: Polypropylene glycol 4000, manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) was used as the polypropylene oxide.

上記実施例および比較例で得られた粘着テープについて、以下の評価を行った。実施例についての評価結果を表2に、比較例についての評価結果を表3に示した。   The following evaluation was performed about the adhesive tape obtained by the said Example and comparative example. The evaluation results for the examples are shown in Table 2, and the evaluation results for the comparative examples are shown in Table 3.

〔試験1:シリコンミラー面剥離力測定〕
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、それらをシリコンミラーウェハに貼着した後、2kgのゴムローラを3往復かけて圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、180°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。測定温度は23℃、測定湿度は50%であった。
[Test 1: Silicon mirror surface peeling force measurement]
Three test pieces each having a width of 25 mm and a length of 300 mm were collected from the adhesive tape according to each of the examples and comparative examples, and bonded to a silicon mirror wafer. After standing, the adhesive strength was measured using a tensile tester conforming to JIS B 7721 whose measured value was in the range of 15 to 85% of its capacity. The measurement was performed by a 180 ° peeling method, and the tensile speed at this time was 300 mm / min. The measurement temperature was 23 ° C. and the measurement humidity was 50%.

〔試験2:SUS面剥離力測定〕
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、それらをJIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚さ1.5mm〜2.0mmのSUS304鋼板上に貼着した後、2kgのゴムローラを3往復かけて圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、180°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。測定温度は23℃、測定湿度は50%であった。
[Test 2: SUS surface peeling force measurement]
Three specimens each having a width of 25 mm and a length of 300 mm were collected from the adhesive tape according to each of Examples and Comparative Examples, and the thickness specified in JIS G 4305 was finished with 280th water resistant abrasive paper specified in JIS R 6253. After sticking on a SUS304 steel plate with a thickness of 1.5 mm to 2.0 mm, a 2 kg rubber roller is pressure-bonded over 3 reciprocations, and after standing for 1 hour, the measured value falls within the range of 15 to 85% of its capacity. Adhesive strength was measured using a tensile tester conforming to 7721. The measurement was performed by a 180 ° peeling method, and the tensile speed at this time was 300 mm / min. The measurement temperature was 23 ° C. and the measurement humidity was 50%.

〔評価1:ピックアップ性評価〕
厚さ725μm、直径300mmのシリコンウェハに表面保護テープを貼合した後、レーザーダイシング装置(東京精密社製、商品名:ML300)を使用し、ウェハ内部に改質領域を形成し、前記改質領域が形成されたウェハを、グラインダ装置(東京精密社製、商品名:PG3000RM)を使用し、改質領域に到達するまで研削を行うことで厚さ100μm、チップサイズ10mm×10mmにウェハをチップ状に個片化した。
さらに、実施例および比較例に係る粘着テープを前記ウェハの研削面側に貼付すると共にリングフレームに固定した後、表面保護テープを剥離し、ダイスピッカー装置(キャノンマシナリー社製、商品名:CAP−300II)によるピックアップ試験を行った。
[Evaluation 1: Pickup evaluation]
After a surface protective tape is bonded to a silicon wafer having a thickness of 725 μm and a diameter of 300 mm, a modified region is formed inside the wafer by using a laser dicing apparatus (trade name: ML300, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). The wafer on which the region has been formed is ground to a thickness of 100 μm and a chip size of 10 mm × 10 mm by using a grinder device (trade name: PG3000RM, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) until it reaches the modified region. It was cut into pieces.
Furthermore, after sticking the adhesive tape which concerns on an Example and a comparative example on the grinding | polishing surface side of the said wafer, and fixing to a ring frame, the surface protection tape is peeled off, and a die picker apparatus (The product name: CAP- The pick-up test according to 300II) was performed.

ピックアップ条件は以下のとおりである。
突き上げピン形状:半径0.7mm、先端曲率半径R=0.25mm、先端θ=15
ピン突き上げ高さ:600μm
ピン突き上げスピード:50mm/sec
コレット形状:吸着穴0.89mmφ
エキスパンド拡張量:10mm
リングフレーム:DISCO社製 型式DTF−2−6−1(SUS420J2製)
The pickup conditions are as follows.
Push-up pin shape: radius 0.7 mm, tip curvature radius R = 0.25 mm, tip θ = 15
Pin push-up height: 600 μm
Pin push-up speed: 50mm / sec
Collet shape: Suction hole 0.89mmφ
Expandable expansion amount: 10mm
Ring frame: Model DTF-2-6-1 manufactured by DISCO (manufactured by SUS420J2)

上記条件にて個片化したチップを50個ピックアップし、ピックアップ成否を確認した。全チップについて取り出し可能であったものを「○」、チップが1つでも粘着テープ上に留まり取り出しが不可能であったものを「×」と評価した。   50 chips separated under the above conditions were picked up, and the success or failure of the pick-up was confirmed. The evaluation was “◯” for all the chips that could be taken out, and “X” for the case where even one chip remained on the adhesive tape and could not be taken out.

〔評価2:リングフレーム剥がれ性評価〕
上記評価1にてピックアップ性評価をした後の実施例および比較例に係る粘着テープについて、リングフレームからの剥離の有無を確認した。リングフレームから粘着テープの剥離がなかったものを「○」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の1/4未満が剥離したものを「△」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の1/4以上が剥離したものを「×」と評価した。
[Evaluation 2: Ring frame peelability evaluation]
About the adhesive tape which concerns on the Example and comparative example after pick-up property evaluation by the said evaluation 1, the presence or absence of peeling from a ring frame was confirmed. “○” indicates that the adhesive tape has not been peeled off from the ring frame, “△” indicates that less than 1/4 of the part of the adhesive tape that has been bonded to the ring frame is “△”, and the adhesive tape is bonded to the ring frame. What peeled 1/4 or more of the part currently peeled was evaluated as "x".

〔評価3:チップばらけ性評価〕
試験3にてピックアップ性評価を行った際、ピックアップ箇所周辺のチップばらけの有無を目視にて確認した。ピックアップ箇所周辺のチップ配列の乱れ、飛散が認められないものを「○」、チップ配列の乱れが生じたものやチップが粘着テープ外に飛散したものを「×」と評価した。
[Evaluation 3: Chip dispersibility evaluation]
When the pickup property evaluation was performed in Test 3, the presence or absence of chip scattering around the pickup location was visually confirmed. Evaluation was made as “◯” when the chip arrangement around the pickup location was not disturbed or scattered, and “X” when the chip arrangement was disturbed or when the chip was scattered outside the adhesive tape.

Figure 2014135376
Figure 2014135376

Figure 2014135376
Figure 2014135376

表2に示すように、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmである実施例1〜7は、ピックアップ時には突き上げチップ以外の周辺チップのばらけが生じることなく、粘着テープからチップを容易に取り出し可能であった。さらに、ピックアップ工程時のエキスパンドにおいて、リングフレームからの粘着テープの剥離が発生することもなかった。   As shown in Table 2, the peeling force with the silicon mirror surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min under the conditions of 23 ° C. and 50% RH is 0.1 to 0.4 N / 25 mm. In the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peeling force with the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.4 to 0.8 N / 25 mm. It was possible to easily take out the chip from the adhesive tape without causing the peripheral chips other than the push-up chip to be scattered. Furthermore, the adhesive tape did not peel off from the ring frame in the expand during the pickup process.

一方、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が0.4N/25mmを超え、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が0.8N/25mmを超える比較例1,2,3,6は、リングフレームからのテープの剥離は見られないものの、ピックアップ時に粘着テープ上に留まり取り出しが不可能なチップが存在し、ピックアップ性に劣る結果であった。   On the other hand, at 23 ° C. and 50% RH, at a peeling angle of 180 degrees and at a peeling speed of 300 mm / min, the peeling force with the silicon mirror surface exceeded 0.4 N / 25 mm, and under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, In Comparative Examples 1, 2, 3, and 6, in which the peeling force with the SUS304 surface exceeds 0.8 N / 25 mm at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min, the tape peeling from the ring frame is not seen. There was a chip that remained on the adhesive tape at the time of pick-up and could not be taken out, resulting in poor pick-up performance.

比較例1,2については、アルキル基の炭素数が4未満の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーを用いていることから、ベースポリマーの極性が高く、シリコンウェハとの密着性が過剰となったためと考えられる。また、比較例3については、粘着剤中のポリプロピレンオキシドの数平均分子量が3000未満と、分子量が低いことで十分な離型効果を得ることができなかったためと考えられる。また、比較例6については、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70%未満で、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが30%を超え、水酸基価が100mgKOH/gを超えるため、ベースポリマーの極性が高く、シリコンウェハとの密着性が過剰となったためと考えられる。   About Comparative Examples 1 and 2, since the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group with less than 4 carbon atoms is used, the polarity of the base polymer is high, and the adhesion to the silicon wafer is excessive. it is conceivable that. Moreover, about the comparative example 3, since the number average molecular weight of the polypropylene oxide in an adhesive is less than 3000 and molecular weight is low, it is considered because sufficient release effect could not be acquired. In Comparative Example 6, the alkyl group having a carbon number of 4 or more (meth) acrylic acid alkyl ester monomer is less than 70%, 2-hydroxypropyl acrylate is more than 30%, and the hydroxyl value is more than 100 mgKOH / g. For this reason, it is considered that the polarity of the base polymer is high and the adhesiveness with the silicon wafer becomes excessive.

また、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであるものの、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が0.4N/25mmを超える比較例4,7,8についても、リングフレームからのテープの剥離は見られないものの、ピックアップ時に粘着テープ上に留まり取り出しが不可能なチップが存在し、ピックアップ性に劣る結果であった。   Moreover, although the peeling force with the SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is 0.4 to 0.8 N / 25 mm, the peeling angle is 180 degrees under the conditions of 23 ° C. and 50% RH. In Comparative Examples 4, 7, and 8 where the peeling force from the silicon mirror surface exceeds 0.4 N / 25 mm at a peeling speed of 300 mm / min, the tape is not peeled off from the ring frame. However, there was a chip that could not be taken out and was inferior in pick-up property.

比較例4,8については、粘着剤中のポリプロピレンオキシドの数平均分子量が3000未満と、分子量が低いことで十分な離型効果を得ることができなかったためと考えられる。また、比較例7については、粘着剤中にポリプロピレンオキシドが含まれていないため、離型効果を得ることができなかったためと考えられる。   In Comparative Examples 4 and 8, the number average molecular weight of the polypropylene oxide in the pressure-sensitive adhesive is less than 3000, and it is considered that a sufficient release effect could not be obtained due to the low molecular weight. Moreover, about the comparative example 7, since the polypropylene oxide was not contained in the adhesive, it is thought that the mold release effect was not able to be acquired.

また、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が0.1N/25mm未満である比較例9は、ピックアップ時に粘着テープからチップを容易に剥離可能であったが、ピン突き上げ部以外のチップも剥離しチップばらけが生じてしまった。また、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が0.4N/25mm未満である比較例5,10は、ピックアップ時に粘着テープからチップを容易に剥離可能であったが、リングフレームから粘着テープの剥離が一部生じた。比較例11は、リングフレームから粘着テープの剥離部分が多く、粘着テープをエキスパンドすることができず、ピックアップを行うことができなかった。   In addition, Comparative Example 9 having a peeling force of less than 0.1 N / 25 mm at 23 ° C. and 50% RH at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min is less than 0.1 N / 25 mm. The chip could be easily peeled off, but the chip other than the pin push-up part was also peeled off, resulting in chip breakage. In addition, Comparative Examples 5 and 10 having a peeling force of less than 0.4 N / 25 mm at 23 ° C. and 50% RH at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min are less than 0.4 N / 25 mm. The chip could be easily peeled off, but part of the adhesive tape peeled off from the ring frame. In Comparative Example 11, there were many peeled portions of the adhesive tape from the ring frame, and the adhesive tape could not be expanded and picked up.

比較例9については、ポリプロピレンオキシドの配合量が多く離型効果が過剰であったためと考えられる。比較例5,10,11については、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが90%を超え、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10%未満であり、水酸基価が45mgKOH/g未満であるため、ベースポリマーの極性が低く、リングフレームとの密着性が不足したためと考えられる   In Comparative Example 9, it is considered that the compounding amount of polypropylene oxide was large and the release effect was excessive. For Comparative Examples 5, 10, and 11, (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having 4 or more carbon atoms in the alkyl group exceeds 90%, 2-hydroxypropyl acrylate is less than 10%, and the hydroxyl value is 45 mgKOH / Since it is less than g, it is thought that the polarity of the base polymer is low and the adhesion to the ring frame is insufficient.

1:粘着テープ
2:基材フィルム
3:粘着剤層
4:セパレータ
5:ウェハ
6:表面保護テープ
7:改質領域
8:砥石
9:リングフレーム
11:チップ
1: Adhesive tape 2: Base film 3: Adhesive layer 4: Separator 5: Wafer 6: Surface protection tape 7: Modified region 8: Grinding wheel 9: Ring frame 11: Chip

Claims (7)

表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、
23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、
23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする粘着テープ。
To pick up the chips divided into chips in the modified region after forming a modified region inside the wafer by irradiating a laser with a focusing point inside the wafer with a circuit pattern formed on the surface An adhesive tape used,
It is a radiation non-curing type that does not cure by radiation irradiation,
Under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peel force with the silicon mirror surface at a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / min is 0.1 to 0.4 N / 25 mm,
A pressure-sensitive adhesive tape having a peeling force of 0.4 to 0.8 N / 25 mm with respect to a SUS304 surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min under the conditions of 23 ° C. and 50% RH.
基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、
前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項1に記載の粘着テープ。
An adhesive layer is formed on the base film,
The pressure-sensitive adhesive layer has a hydroxyl value composed of 70 to 90% by mass of a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 4 or more carbon atoms and 10 to 30% by mass of 2-hydroxypropyl acrylate. The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, comprising an acrylic copolymer of 45 to 100 and polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000, and is crosslinked using an isocyanate crosslinking agent. .
(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の粘着テープ。   (A) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, aligning a condensing point inside the wafer and irradiating a laser to form the modified region inside the wafer; and (b) the above Grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or the vicinity of the modified region, and (c) attaching the adhesive tape to the back surface of the wafer, and a ring frame for holding the adhesive tape A step of fixing the adhesive tape; (d) a step of peeling off the surface protection tape affixed to the surface of the wafer; and (e) an expansion of the adhesive tape and picking up the chips divided in the modified region. The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is used in a method for manufacturing a semiconductor device including a process. (a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の粘着テープ。   (A) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, aligning a condensing point inside the wafer and irradiating a laser to form the modified region inside the wafer; and (b) the above Grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or near the modified region; and (c) applying the adhesive tape to the back surface of the wafer and attaching the adhesive to a ring frame for holding the adhesive tape. A step of fixing the tape; and (d) holding the wafer and the ring frame on a holding table and applying external stress from the back side of the wafer via the adhesive tape, thereby causing the wafer to follow the modified region. A step of dividing the wafer into chips, (e) a step of peeling off the surface protection tape attached to the surface of the wafer, and (f) expanding the adhesive tape, Pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1 or claim 2, characterized by using the serial chip to a method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of picking up. (a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(e)前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(A) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, aligning a condensing point inside the wafer and irradiating a laser to form the modified region inside the wafer; and (b) the above Grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or the vicinity of the modified region, and (c) attaching the adhesive tape to the back surface of the wafer, and a ring frame for holding the adhesive tape A step of fixing the adhesive tape; (d) a step of peeling off the surface protection tape affixed to the surface of the wafer; and (e) an expansion of the adhesive tape and picking up the chips divided in the modified region. A method of manufacturing a semiconductor device including a process,
The pressure-sensitive adhesive tape is a radiation non-curing type that is not cured by irradiation with radiation, and has a peeling force of 0 from a silicon mirror surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH. 0.1 to 0.4 N / 25 mm, and the peel strength with respect to the SUS304 surface at a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH is 0.4 to 0.8 N / 25 mm. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein:
(a)前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、(b)前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、(c)前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、(d)前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、(e)前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、(f)前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、シリコンミラー面との剥離力が、0.1〜0.4N/25mmであり、23℃、50%RHの条件下、剥離角度180度、剥離速度300mm/minにおける、SUS304面との剥離力が、0.4〜0.8N/25mmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(A) attaching a surface protection tape to the surface of the wafer, aligning a condensing point inside the wafer and irradiating a laser to form the modified region inside the wafer; and (b) the above Grinding the back surface of the wafer until reaching the modified region or near the modified region; and (c) applying the adhesive tape to the back surface of the wafer and attaching the adhesive to a ring frame for holding the adhesive tape. A step of fixing the tape; and (d) holding the wafer and the ring frame on a holding table and applying external stress from the back side of the wafer via the adhesive tape, thereby causing the wafer to follow the modified region. A step of dividing the wafer into chips, (e) a step of peeling off the surface protection tape attached to the surface of the wafer, and (f) expanding the adhesive tape, Serial A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of picking up the chips,
The pressure-sensitive adhesive tape is a radiation non-curing type that is not cured by irradiation with radiation, and has a peeling force of 0 from a silicon mirror surface at a peeling angle of 180 degrees and a peeling speed of 300 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH. 0.1 to 0.4 N / 25 mm, and the peel strength with respect to the SUS304 surface at a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH is 0.4 to 0.8 N / 25 mm. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein:
前記粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が4以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーが70〜90質量%と、2−ヒドロキシプロピルアクリレートが10〜30質量%とにより構成される水酸基価が45〜100のアクリル系共重合体と、数平均分子量が3000〜10000であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。   In the pressure-sensitive adhesive tape, a pressure-sensitive adhesive layer is formed on a base film, and the pressure-sensitive adhesive layer has 70 to 90% by mass of a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 4 or more carbon atoms, An isocyanate-based cross-linking agent comprising an acrylic copolymer having a hydroxyl value of 45 to 100 constituted by 10 to 30% by mass of 2-hydroxypropyl acrylate and a polypropylene oxide having a number average molecular weight of 3000 to 10,000. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the semiconductor device is crosslinked by using.
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