JP2014123754A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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laser beam
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pulse laser
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Ryusuke Kawakami
隆介 川上
Norihito Kawaguchi
紀仁 河口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser irradiation device which is capable of eliminating or drastically reducing the influence of a difference in a polarization state between pulse laser beams on a laser irradiator, when the pulse laser beams from two laser light sources are guided to the same optical path, to irradiate a body irradiated by laser.SOLUTION: The laser irradiation device including laser light sources 3 and 4 and an optical path synthesizing optical element 7 guiding the pulse laser beams from these light sources onto the same optical path includes a polarization control element 9 controlling the polarization states of the pulse laser beams from the optical path synthesizing optical element 7. The polarization control element 9 includes first and second polarization control parts 13 and 15 through which the beam components of the pulse laser beams pass respectively. The beam component after passing through the first polarization control part 13 and the beam component after passing through the second polarization control part 15 are made into the polarization states different from each other. The beam components being in the polarization states different from each other are superimposed on each other on the laser irradiation surface of the body irradiated by laser.

Description

本発明は、第1のレーザ光源からのパルスレーザビームと、第2のレーザ光源からのパ
ルスレーザビームを同一の光路に案内してレーザ被照射体に照射するレーザ照射装置に関
する。
The present invention relates to a laser irradiation apparatus that guides a pulse laser beam from a first laser light source and a pulse laser beam from a second laser light source to the same optical path and irradiates a laser irradiated object.

従来において、所定の周波数でパルスレーザビームを射出するレーザ光源(レーザ共振
器)を2つ用いて、これらレーザ共振器からのパルスレーザビームをレーザ被照射体(例
えば、半導体基板)の所望の範囲に照射するレーザ照射装置が開発されている(例えば、
下記の特許文献1)。図9は、このようなレーザ照射装置の構成例を示している。図9に
示すように、レーザ照射装置は、2つのレーザ共振器31,32、パルス制御装置33、
光路合成光学部材35、ビームエキスパンダ37、シリンドリカルレンズアレイ39およ
びコンデンサレンズ41を備える。
Conventionally, two laser light sources (laser resonators) that emit a pulse laser beam at a predetermined frequency are used, and the pulse laser beams from these laser resonators are in a desired range of a laser irradiated object (for example, a semiconductor substrate). Have been developed (for example,
Patent Document 1) below. FIG. 9 shows a configuration example of such a laser irradiation apparatus. As shown in FIG. 9, the laser irradiation apparatus includes two laser resonators 31 and 32, a pulse control device 33,
An optical path combining optical member 35, a beam expander 37, a cylindrical lens array 39, and a condenser lens 41 are provided.

第1のレーザ共振器31は、偏光方向が図9の紙面と垂直な方向である直線偏光のパル
スレーザビームを所定の周波数で射出し、第2のレーザ共振器32は、偏光方向が図9の
上下方向である直線偏光のパルスレーザビームを所定の周波数で射出する。
The first laser resonator 31 emits a linearly polarized pulsed laser beam having a polarization direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9 at a predetermined frequency, and the second laser resonator 32 has a polarization direction of FIG. A linearly polarized pulsed laser beam in the vertical direction is emitted at a predetermined frequency.

パルス制御装置33は、第1のレーザ共振器31からパルスレーザビームが射出される
タイミングと、第2のレーザ共振器32からパルスレーザビームが射出されるタイミング
とがずれるように、第1および第2のレーザ共振器31,32を制御する。
The pulse control device 33 includes the first and the first so that the timing at which the pulse laser beam is emitted from the first laser resonator 31 and the timing at which the pulse laser beam is emitted from the second laser resonator 32 are shifted. 2 laser resonators 31 and 32 are controlled.

光路合成光学部材35は、第1および第2のレーザ共振器31,32からのパルスレー
ザビームの偏光方向が90度ずれていることを利用して、これらパルスレーザビームを同
一の光路へ案内する。光路合成光学部材35は、例えば、図9の紙面と垂直な方向に直線
偏光したパルスレーザビームを反射させるが、図9の上下方向に直線偏光したパルスレー
ザビームを透過させる偏光ビームスプリッタである。このように、光路合成光学部材35
により2つのレーザ共振器31,32からのパルスレーザビームを同一の光路に案内し、
これにより、パルスレーザビームの周波数を倍にし、パルスレーザビームのパワーを上げ
ることができる。
The optical path combining optical member 35 guides the pulse laser beams to the same optical path by utilizing the fact that the polarization directions of the pulse laser beams from the first and second laser resonators 31 and 32 are shifted by 90 degrees. . The optical path combining optical member 35 is, for example, a polarization beam splitter that reflects a pulse laser beam linearly polarized in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9, but transmits a pulse laser beam linearly polarized in the vertical direction of FIG. Thus, the optical path combining optical member 35
To guide the pulse laser beams from the two laser resonators 31 and 32 to the same optical path,
Thereby, the frequency of the pulse laser beam can be doubled and the power of the pulse laser beam can be increased.

ビームエキスパンダ37は、光路合成光学部材35から各パルスレーザビームの形状を
横長に調節する。ビームエキスパンダ37を通過した各パルスレーザビームは、その進行
方向と垂直な断面形状がレーザ被照射体(例えば、半導体基板)上のレーザ照射面におい
て、横長(例えば、線状または矩形)になるように調節される。図9の例では、上記断面
形状が図9の上下方向に横長になるように調節される。
The beam expander 37 adjusts the shape of each pulse laser beam from the optical path synthesis optical member 35 to be horizontally long. Each pulse laser beam that has passed through the beam expander 37 has a cross-sectional shape perpendicular to the traveling direction thereof that is horizontally long (for example, linear or rectangular) on the laser irradiation surface on the laser irradiation object (for example, a semiconductor substrate). Adjusted as follows. In the example of FIG. 9, the cross-sectional shape is adjusted to be horizontally long in the vertical direction of FIG.

シリンドリカルレンズアレイ39は、入射されるパルスレーザビームを複数のビームに
分割し、コンデンサレンズ41は、これら分割された複数のビームをレーザ被照射体上の
レーザ照射面で重ね合わせる。なお、符号43は、図1の紙面と垂直な方向に関してパル
スレーザビームをレーザ照射面において集光させる短辺方向集光レンズを示す。
The cylindrical lens array 39 divides the incident pulse laser beam into a plurality of beams, and the condenser lens 41 superimposes the divided plurality of beams on the laser irradiation surface on the laser irradiation object. Reference numeral 43 denotes a short-side direction condensing lens that condenses the pulse laser beam on the laser irradiation surface in a direction perpendicular to the paper surface of FIG.

上述のレーザ照射装置によりパルスレーザビームが順次半導体基板表面に照射されてい
る時に、半導体基板を図9の紙面に垂直な方向へ搬送する。これにより、半導体基板表面
における所望の範囲にわたってパルスレーザビームが照射される。なお、特許文献1以外
の他の先行技術文献としては、例えば下記特許文献2がある。
When the pulse laser beam is sequentially irradiated onto the surface of the semiconductor substrate by the laser irradiation apparatus described above, the semiconductor substrate is transported in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. Thereby, the pulse laser beam is irradiated over a desired range on the surface of the semiconductor substrate. In addition, as other prior art documents other than Patent Document 1, for example, there is Patent Document 2 below.

特開2007−110064号公報(図14)Japanese Patent Laying-Open No. 2007-110064 (FIG. 14) 特開2004−95792号公報JP 2004-95792 A

図9のレーザ照射装置を用いて、半導体基板に対しレーザ照射を行うことで、半導体基
板のレーザアニール処理を行う場合、パルスレーザビーム毎に偏光状態が異なることで、
パルスレーザビーム毎の偏光状態の違いがレーザ照射体に悪影響を与える可能性がある。
When performing laser annealing on a semiconductor substrate by performing laser irradiation on the semiconductor substrate using the laser irradiation apparatus of FIG. 9, the polarization state is different for each pulse laser beam.
The difference in the polarization state for each pulse laser beam may adversely affect the laser irradiation body.

半導体基板表面のレーザ照射面に対してS偏光であるパルスレーザビームのみをこの非
晶質半導体基板の所望範囲に照射してレーザアニールを行った場合と、半導体基板表面の
レーザ照射面に対してP偏光であるパルスレーザビームのみをこの非晶質半導体基板の所
望範囲に照射してレーザアニールを行った場合とでは、結晶化された半導体の結晶粒の平
均寸法が異なる。ここでS偏光とは図9のレーザ照射面においてビームの電場方向が紙面
の上下方向に平行な偏光状態を指し,P偏光とはビームの電場方向が紙面の垂直方向に平
行な偏光状態を指す。図10は、この違いを示すグラフである。図10において、横軸は
、非晶質半導体基板の表面に照射されるパルスレーザビームのエネルギー密度を示し、縦
軸は、レーザアニールにより結晶化された半導体結晶粒の平均寸法を示し、正方形は、S
偏光であるパルスレーザビームのみをこの非晶質半導体基板に照射した場合の各測定結果
を示し、菱形は、P偏光であるパルスレーザビームのみをこの非晶質半導体基板に照射し
た場合の各測定結果を示している。図10から分かるように、S偏光のパルスレーザビー
ムにより成長した半導体結晶粒の寸法と、P偏光のパルスレーザビームにより成長した半
導体結晶粒の寸法とは異なる。従って、S偏光のパルスレーザビームとP偏光のパルスレ
ーザビームが交互に半導体基板に照射されると、S偏光のパルスレーザビームが照射され
た領域とP偏光のパルスレーザビームが照射された領域とが生じる場合がある。その結果
、結晶粒寸法が不均一になる可能性があり、安定した結晶性半導体が得られない可能性が
ある。このように、パルスレーザビーム毎の偏光状態の違いがレーザ照射体に悪影響を与
える可能性がある。
When laser annealing is performed by irradiating the laser irradiation surface of the semiconductor substrate only with a pulsed laser beam that is S-polarized light to a desired range of the amorphous semiconductor substrate, and with respect to the laser irradiation surface of the semiconductor substrate surface The average size of crystallized semiconductor crystal grains is different from that in the case where laser annealing is performed by irradiating only a pulsed laser beam of P-polarized light onto a desired range of the amorphous semiconductor substrate. Here, S-polarized light refers to a polarization state in which the electric field direction of the beam is parallel to the vertical direction of the paper surface on the laser irradiation surface of FIG. . FIG. 10 is a graph showing this difference. In FIG. 10, the horizontal axis indicates the energy density of the pulsed laser beam applied to the surface of the amorphous semiconductor substrate, the vertical axis indicates the average size of the semiconductor crystal grains crystallized by laser annealing, and the square indicates , S
Each measurement result when the amorphous semiconductor substrate is irradiated with only the polarized pulsed laser beam is shown, and the diamond shape indicates each measurement when the amorphous semiconductor substrate is irradiated with only the P-polarized pulsed laser beam. Results are shown. As can be seen from FIG. 10, the dimensions of the semiconductor crystal grains grown by the S-polarized pulse laser beam are different from the dimensions of the semiconductor crystal grains grown by the P-polarized pulse laser beam. Therefore, when the semiconductor substrate is irradiated with the S-polarized pulse laser beam and the P-polarized pulse laser beam alternately, the region irradiated with the S-polarized pulse laser beam and the region irradiated with the P-polarized pulse laser beam May occur. As a result, the crystal grain size may be non-uniform, and a stable crystalline semiconductor may not be obtained. Thus, the difference in the polarization state for each pulse laser beam may adversely affect the laser irradiation body.

そこで、本発明の目的は、2つのレーザ光源からのパルスレーザビームを同一の光路に
案内してレーザ被照射体に照射する場合に、パルスレーザビーム毎の偏光状態の違いがレ
ーザ照射体に与える影響を無くしまたは大幅に低減できるレーザ照射装置を提供すること
にある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a laser irradiation body with a difference in polarization state for each pulse laser beam when a pulse laser beam from two laser light sources is guided to the same optical path and irradiated to the laser irradiation object. It is an object of the present invention to provide a laser irradiation apparatus that can eliminate or greatly reduce the influence.

上記目的を達成するため、本発明によると、偏光したパルスレーザビームを射出する第
1のレーザ光源と、
第1のレーザ光源からのパルスレーザビームと異なる偏光状態のパルスレーザビームを
射出する第2のレーザ光源と、
該第1および第2のレーザ光源からのパルスレーザビームを同じ光路上に案内する光路
合成光学部材と、を備えるレーザ照射装置であって、
前記光路合成光学部材からのパルスレーザビームの偏光状態を制御する偏光制御部材を
備え、
該偏光制御部材は、前記パルスレーザビームの進行方向と直交する配置方向に配置され
、前記パルスレーザビームのビーム成分がそれぞれ通過する第1および第2の偏光制御部
を有し、
第1の偏光制御部を通過した前記ビーム成分と、第2の偏光制御部を通過した前記ビー
ム成分とが、それぞれ互いに異なる偏光状態となるように、第1および第2の偏光制御部
が形成されており、
前記互いに異なる偏光状態の前記ビーム成分同士をレーザ被照射体上のレーザ照射面で
重ね合わせるビーム重ね合わせ光学部材を備える、ことを特徴とするレーザ照射装置が提
供される。
To achieve the above object, according to the present invention, a first laser light source that emits a polarized pulsed laser beam;
A second laser light source that emits a pulsed laser beam having a polarization state different from that of the pulsed laser beam from the first laser light source;
An optical path combining optical member for guiding the pulse laser beams from the first and second laser light sources onto the same optical path,
A polarization control member for controlling the polarization state of the pulse laser beam from the optical path synthesis optical member,
The polarization control member is arranged in an arrangement direction orthogonal to the traveling direction of the pulse laser beam, and has first and second polarization control units through which beam components of the pulse laser beam pass,
The first and second polarization control units are formed such that the beam component that has passed through the first polarization control unit and the beam component that has passed through the second polarization control unit have different polarization states. Has been
There is provided a laser irradiation apparatus comprising a beam superimposing optical member that superimposes the beam components having different polarization states on a laser irradiation surface on a laser irradiation object.

上記構成では、第1および第2のレーザ光源から射出された偏光状態が異なるパルスレ
ーザビームを同一の光路上に案内してレーザ被照射体に照射する場合に、第1および第2
のレーザ光源から射出されるパルスレーザビームのいずれも、偏光制御部材によりそれぞ
れ互いに異なる偏光状態(第1偏光状態と第2偏光状態)の複数のビーム成分に分離され
、ビーム重ね合わせ光学部材により前記互いに異なる偏光状態の前記ビーム成分同士がレ
ーザ被照射体上のレーザ照射面で重ね合わされるので、いずれのパルスレーザビームも、
レーザ照射面上で第1偏光状態と第2偏光状態とが混在した状態となる。これにより、パ
ルスレーザビーム毎の偏光状態の違いがレーザ照射体に与える影響を無くしまたは大幅に
低減できる。
In the above configuration, when the pulsed laser beams emitted from the first and second laser light sources having different polarization states are guided on the same optical path and irradiated to the laser irradiated object, the first and second
Each of the pulse laser beams emitted from the laser light source is separated into a plurality of beam components having different polarization states (first polarization state and second polarization state) by the polarization control member, and the beam superposing optical member Since the beam components having different polarization states are superimposed on the laser irradiation surface on the laser irradiation object, any pulse laser beam is
The first polarization state and the second polarization state are mixed on the laser irradiation surface. Thereby, the influence which the difference of the polarization state for every pulse laser beam has on a laser irradiation body can be eliminated, or it can reduce significantly.

本発明の好ましい実施形態によると、第1の偏光制御部を通過する前記ビーム成分のエ
ネルギー総量と、第2の偏光制御部を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量とが同じ
またはほぼ同じになるように、前記配置方向における第1の偏光制御部の長さ、および、
前記配置方向における第2の偏光制御部の長さが設定されている。
According to a preferred embodiment of the present invention, the total energy amount of the beam component passing through the first polarization control unit and the total energy amount of the beam component passing through the second polarization control unit are the same or substantially the same. And the length of the first polarization controller in the arrangement direction, and
The length of the second polarization controller in the arrangement direction is set.

このように、第1の偏光制御部を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量と、第2の
偏光制御部を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量とが同じまたはほぼ同じになるよ
うに、前記配置方向における第1の偏光制御部の長さ、および、前記配置方向における第
2の偏光制御部の長さが設定されているので、第1および第2のレーザ光源から射出され
るパルスレーザビームのいずれについても、レーザ照射面上において、第1偏光状態のビ
ーム成分のエネルギーと第2偏光状態のビーム成分のエネルギーとを同じにできる。これ
により、一層安定したレーザ照射(例えば、半導体基板のレーザアニール)が可能となる
In this way, the arrangement direction is such that the total energy of the beam component passing through the first polarization controller and the total energy of the beam component passing through the second polarization controller are the same or substantially the same. Since the length of the first polarization control unit in and the length of the second polarization control unit in the arrangement direction are set, any of the pulse laser beams emitted from the first and second laser light sources With respect to, the energy of the beam component in the first polarization state and the energy of the beam component in the second polarization state can be made the same on the laser irradiation surface. Thereby, more stable laser irradiation (for example, laser annealing of a semiconductor substrate) becomes possible.

本発明の好ましい実施形態によると、第1の偏光制御部と第2の偏光制御部のすくなく
とも一方が、他方の全部または一部を前記配置方向に挟むように複数に分割されている。
According to a preferred embodiment of the present invention, at least one of the first polarization control unit and the second polarization control unit is divided into a plurality so as to sandwich all or part of the other in the arrangement direction.

このように、第1の偏光制御部と第2の偏光制御部のすくなくとも一方が、他方の全部
または一部を前記配置方向に挟むように複数に分割されていてもよい。この構成であって
も、上述と同様の効果が得られる。
In this way, at least one of the first polarization control unit and the second polarization control unit may be divided into a plurality of parts so that all or part of the other is sandwiched in the arrangement direction. Even with this configuration, the same effect as described above can be obtained.

本発明の好ましい実施形態によると、第1のレーザ光源と第2のレーザ光源とは、それ
ぞれ互いに偏光方向が90度ずれて直線偏光したパルスレーザビームを射出し、
第1の偏光制御部は、第1のレーザ光源および第2のレーザ光源からの前記ビーム成分
の偏光方向を90度回転させる1/2波長板であり、
第2の偏光制御部は第1のレーザ光源および第2のレーザ光源からの前記ビーム成分の
偏光状態を変えないように形成されている。
According to a preferred embodiment of the present invention, the first laser light source and the second laser light source each emit a linearly polarized pulsed laser beam with a polarization direction shifted by 90 degrees,
The first polarization controller is a half-wave plate that rotates the polarization direction of the beam component from the first laser light source and the second laser light source by 90 degrees,
The second polarization controller is formed so as not to change the polarization state of the beam components from the first laser light source and the second laser light source.

このように、第1の偏光制御部の1/2波長板により、これを通過したビーム成分は偏
光方向を90度回転し、第2の偏光制御部はこれを通過したビーム成分の偏光状態を変え
ない。これにより、各パルスレーザビームについて、第1の偏光制御部を通過した前記ビ
ーム成分と、第2の偏光制御部を通過した前記ビーム成分とを、それぞれ互いに異なる偏
光状態にすることができる。
In this way, the beam component that has passed through the half-wave plate of the first polarization control unit rotates the polarization direction by 90 degrees, and the second polarization control unit changes the polarization state of the beam component that has passed through it. Do not change. As a result, for each pulse laser beam, the beam component that has passed through the first polarization controller and the beam component that has passed through the second polarization controller can be in different polarization states.

好ましくは、第2の偏光制御部は、内部でパルスレーザビームが進行する光路長が第1
の偏光制御部と同じとなる材質で形成されている。
Preferably, the second polarization controller has an optical path length within which the pulse laser beam travels first.
It is made of the same material as that of the polarization controller.

このように、第2の偏光制御部は、内部でパルスレーザビームが進行する光路長が第1
の偏光制御部と同じとなる材質で形成されているので、第1の偏光制御部内でビームが進
行する光路長と第2偏光制御部内でビームが進行する光路長との差が生じることがなく、
光路長の差による悪影響(例えば、レーザ照射面での結像位置エラー)を防止できる。
Thus, the second polarization controller has the first optical path length through which the pulse laser beam travels.
Therefore, there is no difference between the optical path length in which the beam travels in the first polarization control section and the optical path length in which the beam travels in the second polarization control section. ,
An adverse effect (for example, an imaging position error on the laser irradiation surface) due to the difference in optical path length can be prevented.

本発明の別の実施形態によると、第1のレーザ光源と第2のレーザ光源とは、それぞれ
互いに偏光方向が90度ずれて直線偏光したパルスレーザビームを射出し、
第1および第2の偏光制御部は、第1のレーザ光源からのパルスレーザビームの前記偏
光方向と第2のレーザ光源からのパルスレーザビームの前記偏光方向とのいずれにも45
度の角度をなす光学軸を持つ1/4波長板であり、
第1の偏光制御部の前記光学軸と第2の偏光制御部の前記光学軸とは互いに90度ずれ
ている。
According to another embodiment of the present invention, the first laser light source and the second laser light source each emit a linearly polarized pulsed laser beam with a polarization direction shifted by 90 degrees from each other,
The first and second polarization control units are 45 in both the polarization direction of the pulse laser beam from the first laser light source and the polarization direction of the pulse laser beam from the second laser light source.
A quarter-wave plate with an optical axis forming an angle of degrees,
The optical axis of the first polarization controller and the optical axis of the second polarization controller are shifted from each other by 90 degrees.

1/4波長板の光学軸が直線偏光レーザの偏光方向と一方の側に45度の角度をなすと
、この1/4波長板は、通過する当該レーザを、偏光方向が第1方向に回転する円偏光に
する。1/4波長板の光学軸が直線偏光レーザの偏光方向と他方の側に45度の角度をな
すと、この1/4波長板は、通過する当該レーザを、偏光方向が前記第1方向と逆方向に
回転する円偏光にする。
従って、上記構成では、第1および第2の偏光制御部は、第1のレーザ光源からのパル
スレーザビームの前記偏光方向と第2のレーザ光源からのパルスレーザビームの前記偏光
方向とのいずれにも45度の角度をなす光学軸を持つ1/4波長板であり、第1の偏光制
御部の前記光学軸は第2の偏光制御部の前記光学軸とは互いに90度ずれているので、第
1の偏光制御部を通過したビーム成分と、第2の偏光制御部を通過したビーム成分とが、
互いに逆方向に偏光方向が回転する円偏光状態となる。これにより、第1の偏光制御部を
通過した前記ビーム成分と、第2の偏光制御部を通過した前記ビーム成分とを、それぞれ
互いに異なる偏光状態にすることができる。
When the optical axis of the quarter-wave plate makes an angle of 45 degrees on the one side with the polarization direction of the linearly polarized laser, this quarter-wave plate rotates the laser passing therethrough in the first direction of polarization. Use circularly polarized light. When the optical axis of the quarter-wave plate makes an angle of 45 degrees to the polarization direction of the linearly polarized laser and the other side, the quarter-wave plate passes the laser passing therethrough and the polarization direction is the first direction. Circularly polarized light that rotates in the opposite direction.
Therefore, in the above configuration, the first and second polarization control units are configured so that the polarization direction of the pulse laser beam from the first laser light source and the polarization direction of the pulse laser beam from the second laser light source are the same. Is a quarter-wave plate having an optical axis that forms an angle of 45 degrees, and the optical axis of the first polarization controller is offset by 90 degrees from the optical axis of the second polarization controller. The beam component that has passed through the first polarization controller and the beam component that has passed through the second polarization controller are:
A circular polarization state in which the polarization directions rotate in opposite directions is obtained. Thereby, the beam component that has passed through the first polarization control unit and the beam component that has passed through the second polarization control unit can have different polarization states.

上述した本発明によると、2つのレーザ光源からのパルスレーザビームを同一の光路に
案内してレーザ被照射体に照射する場合に、パルスレーザビーム毎の偏光状態の違いがレ
ーザ照射体に与える影響を無くしまたは大幅に低減できる。これにより、本発明のレーザ
照射装置を用いて、半導体基板にレーザ照射を行うことで、安定した結晶性半導体が得ら
れる。
According to the present invention described above, when a pulse laser beam from two laser light sources is guided to the same optical path to irradiate the laser irradiation object, the influence of the difference in the polarization state of each pulse laser beam on the laser irradiation object. Can be eliminated or greatly reduced. Thus, a stable crystalline semiconductor can be obtained by performing laser irradiation on the semiconductor substrate using the laser irradiation apparatus of the present invention.

本発明の第1実施形態によるレーザ照射装置の構成図である。It is a block diagram of the laser irradiation apparatus by 1st Embodiment of this invention. 図1の部分IIの拡大図である。It is an enlarged view of the part II of FIG. レーザ照射面における各ビーム成分のエネルギー密度分布とこれらエネルギー密度分布を重ね合わせたエネルギー分布を示している。The energy density distribution of each beam component on the laser irradiation surface and the energy distribution obtained by superimposing these energy density distributions are shown. 第1実施形態により得られる効果を示すためのレーザ照射面の電子顕微鏡画像である。It is an electron microscope image of the laser irradiation surface for showing the effect acquired by a 1st embodiment. 第1実施形態により得られる効果を示すためのレーザ照射面の光学顕微鏡画像である。It is an optical microscope image of the laser irradiation surface for showing the effect acquired by a 1st embodiment. 図1の部分IIの拡大図であるが、本発明の第2実施形態の場合を示している。FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1, showing a case of the second embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による偏光制御部材の変形例を示している。The modification of the polarization control member by other embodiment of this invention is shown. 本発明のさらに別の実施形態による偏光制御部材とシリンドリカルレンズアレイの変形例を示している。The modification of the polarization control member and cylindrical lens array by another embodiment of this invention is shown. 2つのレーザ共振器を用いたレーザ照射装置の構成図である。It is a block diagram of the laser irradiation apparatus using two laser resonators. 半導体基板に対するレーザアニールにおいて、偏光方向による半導体結晶寸法の違いを示すグラフである。5 is a graph showing a difference in semiconductor crystal size depending on a polarization direction in laser annealing on a semiconductor substrate.

本発明を実施するための最良の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図におい
て共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the common part in each figure, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態によるレーザ照射装置10の構成図である。図2は図1
における「II」の部分の拡大図である。図1に示すように、レーザ照射装置10は、第
1および第2のレーザ光源3、4、パルス制御装置5、光路合成光学部材7、ビームエキ
スパンダ8、偏光制御部材9、ビーム重ね合わせ光学部材11を備える。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a configuration diagram of a laser irradiation apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention. 2 is shown in FIG.
FIG. 2 is an enlarged view of a portion “II” in FIG. As shown in FIG. 1, the laser irradiation device 10 includes first and second laser light sources 3 and 4, a pulse control device 5, an optical path synthesis optical member 7, a beam expander 8, a polarization control member 9, and beam superposition optics. A member 11 is provided.

第1のレーザ光源3は、偏光したパルスレーザビームを所定の周波数で射出するレーザ
共振器である。第2のレーザ光源4は、第1のレーザ光源3からのパルスレーザビームと
異なる偏光状態のパルスレーザビームを所定の周波数で射出するレーザ共振器である。こ
の例では、第1のレーザ光源3がパルスレーザビームを射出する周波数は、第2のレーザ
光源4がパルスレーザビームを射出する周波数と同じである。本実施形態では、第1のレ
ーザ光源3は、偏光方向が図1、図2の紙面と垂直な方向である直線偏光(以下、第1直
線偏光状態という)のパルスレーザビームを所定の周波数で射出し、第2のレーザ光源4
は、偏光方向が図1、図2の上下方向である直線偏光(以下、第2直線偏光状態という)
のパルスレーザビームを所定の周波数で射出する。
The first laser light source 3 is a laser resonator that emits a polarized pulsed laser beam at a predetermined frequency. The second laser light source 4 is a laser resonator that emits a pulse laser beam having a polarization state different from that of the pulse laser beam from the first laser light source 3 at a predetermined frequency. In this example, the frequency at which the first laser light source 3 emits a pulsed laser beam is the same as the frequency at which the second laser light source 4 emits a pulsed laser beam. In the present embodiment, the first laser light source 3 emits a linearly polarized pulse laser beam (hereinafter referred to as a first linearly polarized state) whose polarization direction is perpendicular to the paper surface of FIGS. 1 and 2 at a predetermined frequency. Ejected and second laser light source 4
Is a linearly polarized light whose polarization direction is the vertical direction of FIGS. 1 and 2 (hereinafter referred to as a second linear polarization state).
Are emitted at a predetermined frequency.

パルス制御装置5は、第1のレーザ共振器3からパルスレーザビームが射出されるタイ
ミングと、第2のレーザ共振器4からパルスレーザビームが射出されるタイミングとがず
れるように、第1および第2のレーザ共振器3,4を制御する。
The pulse control device 5 includes the first and the first so that the timing at which the pulse laser beam is emitted from the first laser resonator 3 and the timing at which the pulse laser beam is emitted from the second laser resonator 4 are shifted. 2 laser resonators 3 and 4 are controlled.

光路合成光学部材7は、第1および第2のレーザ光源3,4からのパルスレーザビーム
を同じ光路上に案内する。これにより、パルスレーザビームの周波数を倍にし、パルスレ
ーザビームのパワーを上げることができる。光路合成光学部材7は、図9に示す光路合成
光学部材35と同じものであってよい。図1の例では、光路合成光学部材7は、第1のレ
ーザ共振器3からのパルスレーザビームを反射し、第2のレーザ共振器4からのパルスレ
ーザビームを透過させる偏光ビームスプリッタである。
The optical path combining optical member 7 guides the pulse laser beams from the first and second laser light sources 3 and 4 on the same optical path. Thereby, the frequency of the pulse laser beam can be doubled and the power of the pulse laser beam can be increased. The optical path combining optical member 7 may be the same as the optical path combining optical member 35 shown in FIG. In the example of FIG. 1, the optical path combining optical member 7 is a polarization beam splitter that reflects the pulse laser beam from the first laser resonator 3 and transmits the pulse laser beam from the second laser resonator 4.

ビームエキスパンダ8は、光路合成光学部材7から各パルスレーザビームの形状を横長
になるように調節する。ビームエキスパンダ8を通過した各パルスレーザビームは、その
進行方向と垂直な断面形状がレーザ被照射体上のレーザ照射面において、横長(例えば、
線状または矩形)になるように調節される。図1、図2では、図1、図2の上下方向に横
長になるように調節される。
The beam expander 8 adjusts the shape of each pulse laser beam from the optical path combining optical member 7 so as to be horizontally long. Each pulsed laser beam that has passed through the beam expander 8 has a cross-sectional shape that is perpendicular to the traveling direction of the pulsed laser beam on the laser irradiation surface on the laser irradiated body (for example,
Linear or rectangular). In FIG. 1 and FIG. 2, it adjusts so that it may become horizontally long in the up-down direction of FIG.

偏光制御部材9は、光路合成光学部材7、ビームエキスパンダ8からのパルスレーザビ
ームの偏光状態を制御する。偏光制御部材9は、パルスレーザビームの進行方向と直交す
る配置方向(図2の上下方向)に配置され、光路合成光学部材7からのパルスレーザビー
ムのビーム成分がそれぞれ通過する第1および第2の偏光制御部13、15を有する。第
1の偏光制御部13(図2において斜線で示される部分)を通過した前記ビーム成分と、
第2の偏光制御部15を通過した前記ビーム成分とが、それぞれ互いに異なる第1偏光状
態と第2偏光状態となるように、第1および第2の偏光制御部13,15が形成されてい
る。第1の偏光制御部13と第2の偏光制御部15のすくなくとも一方が、他方の全部ま
たは一部を前記配置方向に挟むように複数に分割されていてよい。図2の例では、第1の
偏光制御部13は3つの偏光制御要素13a,13b,13cに分割され、第2の偏光制
御部15は2つの偏光制御要素15a,15bに分割されており、偏光制御要素13a,
13bが前記配置方向に偏光制御要素15aを挟み、偏光制御要素13a,13cが配置
方向に偏光制御要素15bを挟み、偏光制御要素15a,15bが配置方向に偏光制御要
素13aを挟むようにこれらが配置されている。
本実施形態では、第1の偏光制御部13を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量と
、第2の偏光制御部15を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量とが同じまたはほぼ
同じになるように、前記配置方向における第1の偏光制御部13の長さ、および、前記配
置方向における第2の偏光制御部15の長さが設定されている。
また、本実施形態では、第1の偏光制御部13(偏光制御要素13a〜13c)は1/
2波長板であり、第2の偏光制御部15(偏光制御要素15a,15b)は通過するビー
ム成分の偏光状態を変えない波長板(全波長板)または石英板である。1/2波長板13
、13a〜13cは、第1のレーザ共振器3からのパルスレーザビームの偏光方向も第2
のレーザ共振器4からのパルスレーザビームの偏光方向も90度回転させるように配置さ
れる。即ち、1/2波長板の光学軸が、第1のレーザ共振器3からのパルスレーザビーム
の偏光方向に対し45度となるようにし、第2のレーザ共振器4からのパルスレーザビー
ムの偏光方向に対しても45度となるようにすることで、いずれのレーザ共振器3,4か
らのパルスレーザビームの偏光方向も1/2波長板13により、偏光方向が90度回転さ
せられる。これにより、第1直線偏光状態のビーム成分が、1/2波長板13を通過する
と第2直線偏光状態(第2偏光状態)となり、第2直線偏光状態のビーム成分が、1/2
波長板13を通過すると第1直線偏光状態(第1偏光状態)となる。
第2の偏光制御部15,15a,15bは、パルスレーザビームが透過し、内部でパル
スレーザビームが進行する光路長が第1の偏光制御部13と同じとなる材質で形成されて
いる。即ち、第2の偏光制御部15の材質は第1の偏光制御部13の材質と同じである。
例えば、第2の偏光制御部15は、全波長板または石英で形成された石英板であってよい
。従って、第1直線偏光状態のビーム成分が、第2の偏光制御部15を通過すると第1直
線偏光状態(第1偏光状態)のままであり、第2直線偏光状態のビーム成分が、第2の偏
光制御部15を通過すると第2直線偏光状態(第2偏光状態)のままである。
The polarization control member 9 controls the polarization state of the pulse laser beam from the optical path synthesis optical member 7 and the beam expander 8. The polarization control member 9 is disposed in an arrangement direction (vertical direction in FIG. 2) orthogonal to the traveling direction of the pulse laser beam, and the first and second beam components of the pulse laser beam from the optical path combining optical member 7 pass through, respectively. Polarization control units 13 and 15. The beam component that has passed through the first polarization control unit 13 (the portion indicated by hatching in FIG. 2);
The first and second polarization control units 13 and 15 are formed so that the beam components that have passed through the second polarization control unit 15 are in different first and second polarization states, respectively. . At least one of the first polarization control unit 13 and the second polarization control unit 15 may be divided into a plurality so as to sandwich all or part of the other in the arrangement direction. In the example of FIG. 2, the first polarization control unit 13 is divided into three polarization control elements 13a, 13b, and 13c, and the second polarization control unit 15 is divided into two polarization control elements 15a and 15b. Polarization control element 13a,
13b sandwiches the polarization control element 15a in the arrangement direction, the polarization control elements 13a and 13c sandwich the polarization control element 15b in the arrangement direction, and the polarization control elements 15a and 15b sandwich the polarization control element 13a in the arrangement direction. Has been placed.
In the present embodiment, the total energy amount of the beam component passing through the first polarization control unit 13 and the total energy amount of the beam component passing through the second polarization control unit 15 are the same or substantially the same. The length of the first polarization control unit 13 in the arrangement direction and the length of the second polarization control unit 15 in the arrangement direction are set.
In the present embodiment, the first polarization control unit 13 (polarization control elements 13a to 13c) is 1 /
The second polarization controller 15 (polarization control elements 15a and 15b) is a wave plate (full wave plate) or a quartz plate that does not change the polarization state of the beam component passing therethrough. 1/2 wavelength plate 13
, 13a to 13c also have a second polarization direction of the pulse laser beam from the first laser resonator 3.
The polarization direction of the pulse laser beam from the laser resonator 4 is also arranged to rotate 90 degrees. That is, the optical axis of the half-wave plate is set to 45 degrees with respect to the polarization direction of the pulse laser beam from the first laser resonator 3, and the polarization of the pulse laser beam from the second laser resonator 4. By making the angle 45 degrees with respect to the direction, the polarization direction of the pulse laser beam from any of the laser resonators 3 and 4 is rotated by 90 degrees by the half-wave plate 13. As a result, when the beam component in the first linear polarization state passes through the half-wave plate 13, the beam component in the second linear polarization state becomes the second linear polarization state (second polarization state).
When the light passes through the wave plate 13, the first linear polarization state (first polarization state) is obtained.
The second polarization control units 15, 15 a, and 15 b are formed of a material that transmits the pulse laser beam and has the same optical path length as the first polarization control unit 13 through which the pulse laser beam travels. That is, the material of the second polarization controller 15 is the same as the material of the first polarization controller 13.
For example, the second polarization control unit 15 may be a full-wave plate or a quartz plate made of quartz. Therefore, when the beam component in the first linear polarization state passes through the second polarization control unit 15, it remains in the first linear polarization state (first polarization state), and the beam component in the second linear polarization state becomes the second When passing through the polarization controller 15, the second linear polarization state (second polarization state) remains.

ビーム重ね合わせ光学部材11は、第1偏光状態の前記ビーム成分と、第2偏光状態の
前記ビーム成分とを、レーザ被照射体上のレーザ照射面で重ね合わせる。本実施形態では
、ビーム重ね合わせ光学部材11は、シリンドリカルレンズアレイ17と、コンデンサレ
ンズ18とで構成される。シリンドリカルレンズアレイ17は、前記配置方向に配置され
た複数の凸シリンドリカルレンズ17aを有する。従って、シリンドリカルレンズアレイ
17に入射したパルスレーザビームは、複数の凸シリンドリカルレンズ17aにより複数
のビームに分割される。これら分割された複数のビームは、コンデンサレンズ18により
レーザ被照射体上のレーザ照射面で重ね合わされる。これにより、ビーム重ね合わせ光学
部材11を通過する前のパルスレーザビームが、不均一なエネルギー密度分布を持ってい
ても、レーザ被照射体上のレーザ照射面において、均一なまたは均一に近いエネルギー密
度分布を有するようになる。図2の例では、各偏光制御要素13a,13b,13c,1
5a,15dに対応して、これらと同数の凸シリンドリカルレンズ17aが設けられる。
これにより、各凸シリンドリカルレンズ17aを通過した各偏光制御要素からのビーム成
分は、コンデンサレンズ18によりレーザ照射面におけるレーザ照射領域全体に照射され
る。
なお、レーザ被照射体は、本実施形態では半導体基板である。半導体基板は、シリコン
ウエハなどの半導体で形成された基板や、絶縁性基板の表面に半導体膜が形成されたもの
を意味する。また、符号12は、図1の紙面と垂直な方向に関してパルスレーザビームを
レーザ照射面において集光させる短辺方向集光レンズを示す。
The beam superimposing optical member 11 superimposes the beam component in the first polarization state and the beam component in the second polarization state on the laser irradiation surface on the laser irradiated body. In the present embodiment, the beam superimposing optical member 11 includes a cylindrical lens array 17 and a condenser lens 18. The cylindrical lens array 17 has a plurality of convex cylindrical lenses 17a arranged in the arrangement direction. Accordingly, the pulse laser beam incident on the cylindrical lens array 17 is divided into a plurality of beams by the plurality of convex cylindrical lenses 17a. The plurality of divided beams are superimposed on the laser irradiation surface on the laser irradiation object by the condenser lens 18. Thereby, even if the pulse laser beam before passing through the beam superimposing optical member 11 has a non-uniform energy density distribution, the energy density is uniform or nearly uniform on the laser irradiation surface on the laser irradiation object. Have a distribution. In the example of FIG. 2, each polarization control element 13a, 13b, 13c, 1
Corresponding to 5a and 15d, the same number of convex cylindrical lenses 17a are provided.
As a result, the beam component from each polarization control element that has passed through each convex cylindrical lens 17 a is irradiated by the condenser lens 18 to the entire laser irradiation region on the laser irradiation surface.
The laser irradiated body is a semiconductor substrate in this embodiment. The semiconductor substrate means a substrate formed of a semiconductor such as a silicon wafer or a substrate in which a semiconductor film is formed on the surface of an insulating substrate. Reference numeral 12 denotes a short-side direction condensing lens that condenses the pulse laser beam on the laser irradiation surface in a direction perpendicular to the paper surface of FIG.

次に上述の構成を有するレーザ照射装置10の作用について説明する。偏光制御部材9
からの第1偏光状態のビーム成分と第2偏光状態のビーム成分が、そのエネルギー密度分
布がそれぞれレーザ照射面上においてレーザ照射領域全体にわたって引き延ばされるよう
にレーザ照射面に照射させる。これにより、レーザ照射領域の各位置において、第1偏光
状態と第2偏光状態とが混在した状態となる。
上述のように、第1直線偏光状態のビーム成分が、1/2波長板(偏光制御要素13a
〜13c)を通過すると第2直線偏光状態(第2偏光状態)となり、第2直線偏光状態の
ビーム成分が、1/2波長板を通過すると第1直線偏光状態(第1偏光状態)となる一方
、偏光制御要素15a,15bは通過するビーム成分の偏光状態を変えない。従って、第
1直線偏光状態のパルスレーザビームおよび第2直線偏光状態のパルスレーザビームのい
ずれも、偏光制御部材9を通過することで、第1偏光状態のビーム成分と第2偏光状態の
ビーム成分との両方を持つようになる。
図2において、偏光制御部材9を通過する前のパルスレーザビームのエネルギー密度分
布を、偏光制御要素13a〜13c、15a,15bの位置に対応させて示している。図
2に示すエネルギー密度分布を有する第1直線偏光状態のパルスレーザビームが、偏光制
御部材9を通過すると、各偏光制御要素13a,13b,13c,15a,15bを通過
したビーム成分のエネルギー密度分布は、それぞれ、ビーム重ね合わせ光学部材11の作
用により、レーザ照射面において図3の(a)〜(e)に示すエネルギー密度分布となる
。図3において、各縦軸は、レーザ照射面上における前記配置方向の位置を示し、各横軸
は、ビーム成分のエネルギー密度を示す。詳しく説明すると、図3において、(a)は偏
光制御要素13aを通過した第2偏光状態のビーム成分がレーザ照射面上において有する
エネルギー密度分布を示し、(b)は偏光制御要素13bを通過した第2偏光状態のビー
ム成分がレーザ照射面上において有するエネルギー密度分布を示し、(c)は偏光制御要
素13cを通過した第2偏光状態のビーム成分がレーザ照射面上において有するエネルギ
ー密度分布を示し、(d)は偏光制御要素15aを通過した第1偏光状態のビーム成分が
レーザ照射面上において有するエネルギー密度分布を示し、(e)は偏光制御要素15b
を通過した第1偏光状態のビーム成分がレーザ照射面上において有するエネルギー密度分
布を示し、(f)は、これら(a)〜(e)のエネルギー密度分布を重ね合わせた概略エ
ネルギー密度分布を示す。このようなエネルギー密度分布により、レーザ照射面上のレー
ザ照射領域の各位置で第1偏光状態と第2偏光状態とが混在した状態となる。
また、本実施形態では、図3において、(a),(b),(c)のエネルギー総量と(
d)、(e)のエネルギー総量とが同じになっている。
Next, the operation of the laser irradiation apparatus 10 having the above configuration will be described. Polarization control member 9
The beam component in the first polarization state and the beam component in the second polarization state are irradiated on the laser irradiation surface such that the energy density distribution is extended over the entire laser irradiation region on the laser irradiation surface. Thus, the first polarization state and the second polarization state are mixed at each position of the laser irradiation region.
As described above, the beam component in the first linear polarization state is a half-wave plate (polarization control element 13a).
˜13c), the second linear polarization state (second polarization state) is obtained, and the beam component of the second linear polarization state enters the first linear polarization state (first polarization state) after passing through the half-wave plate. On the other hand, the polarization control elements 15a and 15b do not change the polarization state of the passing beam component. Therefore, both the pulse laser beam in the first linear polarization state and the pulse laser beam in the second linear polarization state pass through the polarization control member 9, so that the beam component in the first polarization state and the beam component in the second polarization state And have both.
In FIG. 2, the energy density distribution of the pulse laser beam before passing through the polarization control member 9 is shown corresponding to the positions of the polarization control elements 13a to 13c, 15a and 15b. When the pulse laser beam in the first linear polarization state having the energy density distribution shown in FIG. 2 passes through the polarization control member 9, the energy density distribution of the beam components that have passed through the polarization control elements 13a, 13b, 13c, 15a, and 15b. Respectively have the energy density distributions shown in FIGS. 3A to 3E on the laser irradiation surface by the action of the beam superposing optical member 11. In FIG. 3, each vertical axis represents the position in the arrangement direction on the laser irradiation surface, and each horizontal axis represents the energy density of the beam component. More specifically, in FIG. 3, (a) shows the energy density distribution of the beam component in the second polarization state that has passed through the polarization control element 13a on the laser irradiation surface, and (b) has passed through the polarization control element 13b. The energy density distribution that the beam component in the second polarization state has on the laser irradiation surface is shown. (C) shows the energy density distribution that the beam component in the second polarization state that has passed through the polarization control element 13c has on the laser irradiation surface. (D) shows the energy density distribution of the beam component in the first polarization state that has passed through the polarization control element 15a on the laser irradiation surface, and (e) shows the polarization control element 15b.
The beam component in the first polarization state that has passed through is shown an energy density distribution on the laser irradiation surface, and (f) shows an approximate energy density distribution obtained by superimposing these energy density distributions of (a) to (e). . With such an energy density distribution, the first polarization state and the second polarization state are mixed at each position of the laser irradiation region on the laser irradiation surface.
In the present embodiment, in FIG. 3, the total amount of energy (a), (b), (c) and (
The total amount of energy in d) and (e) is the same.

また、図2と図3は第1直線偏光状態のパルスレーザビームが偏光制御部材9を通過す
る場合を示したが、第2偏光状態のパルスレーザビームが偏光制御部材9を通過する場合
も同様である。この場合、図3において、(a)は偏光制御要素13aを通過した第1偏
光状態のビーム成分のエネルギー密度分布となり、(b)は偏光制御要素13bを通過し
た第1偏光状態のビーム成分のエネルギー密度分布となり、(c)は偏光制御要素13c
を通過した第1偏光状態のビーム成分のエネルギー密度分布となり、(d)は偏光制御要
素15aを通過した第2偏光状態のビーム成分のエネルギー密度分布となり、(e)は偏
光制御要素15bを通過した第2偏光状態のビーム成分のエネルギー密度分布となる。
2 and 3 show the case where the pulse laser beam in the first linear polarization state passes through the polarization control member 9, the same applies when the pulse laser beam in the second polarization state passes through the polarization control member 9. It is. In this case, in FIG. 3, (a) is the energy density distribution of the beam component in the first polarization state that has passed through the polarization control element 13a, and (b) is the beam component in the first polarization state that has passed through the polarization control element 13b. An energy density distribution is obtained, and (c) is a polarization control element 13c.
(D) becomes the energy density distribution of the beam component in the second polarization state that has passed through the polarization control element 15a, and (e) passes through the polarization control element 15b. Thus, the energy density distribution of the beam component in the second polarization state is obtained.

なお、レーザ照射装置10によりレーザ被照射体上のレーザ照射面にパルスレーザビー
ムを照射しながら、図示しない搬送装置によりレーザ被照射体を、図1、2の紙面と垂直
な方向に搬送する。これにより、レーザ被照射体上の所望の範囲にわたってパルスレーザ
ビームが照射される。
While the laser irradiation apparatus 10 irradiates the laser irradiation surface on the laser irradiated object with a pulse laser beam, the laser irradiated object is conveyed in a direction perpendicular to the paper surface of FIGS. Thereby, a pulse laser beam is irradiated over a desired range on the laser irradiation object.

上述した本発明の第1実施形態によるレーザ照射装置10によると、第1および第2の
レーザ光源3,4から射出された偏光状態が異なるパルスレーザビームを同一の光路上に
案内してレーザ被照射体に照射する場合に、第1および第2のレーザ光源3,4から射出
されるパルスレーザビームのいずれも、偏光制御部材9によりそれぞれ互いに異なる偏光
状態(第1偏光状態と第2偏光状態)の複数のビーム成分に分離され、ビーム重ね合わせ
光学部材11により前記互いに異なる偏光状態の前記ビーム成分同士がレーザ被照射体上
のレーザ照射面で重ね合わされるので、いずれのパルスレーザビームも、レーザ照射面上
で第1偏光状態と第2偏光状態とが混在した状態となる。これにより、パルスレーザビー
ム毎の偏光状態の違いがレーザ照射体に与える影響を無くしまたは大幅に低減できる。
According to the laser irradiation apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention described above, the pulsed laser beams emitted from the first and second laser light sources 3 and 4 having different polarization states are guided on the same optical path to be irradiated with the laser beam. When irradiating the irradiating body, the pulsed laser beams emitted from the first and second laser light sources 3 and 4 are different from each other in the polarization state (first polarization state and second polarization state) by the polarization control member 9. ), And the beam superimposing optical member 11 superimposes the beam components having different polarization states on the laser irradiation surface on the laser irradiation object. The first polarization state and the second polarization state are mixed on the laser irradiation surface. Thereby, the influence which the difference of the polarization state for every pulse laser beam has on a laser irradiation body can be eliminated, or it can reduce significantly.

また、第1の偏光制御部13を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量と、第2の偏
光制御部15を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量とが同じまたはほぼ同じになる
ように、前記配置方向における第1の偏光制御部13の長さ、および、前記配置方向にお
ける第2の偏光制御部15の長さが設定されているので、第1および第2のレーザ光源3
,4から射出されるパルスレーザビームのいずれについても、レーザ照射面上において、
第1偏光状態のビーム成分のエネルギー総量と第2偏光状態のビーム成分のエネルギー総
量とを同じにできる。これにより、一層安定したレーザ照射(例えば、半導体基板のレー
ザアニール)が可能となる。
Further, the arrangement direction is such that the total energy of the beam component passing through the first polarization control unit 13 and the total energy of the beam component passing through the second polarization control unit 15 are the same or substantially the same. Since the length of the first polarization controller 13 and the length of the second polarization controller 15 in the arrangement direction are set, the first and second laser light sources 3 are set.
, 4 for any of the pulsed laser beams emitted from the laser irradiation surface,
The total energy of the beam component in the first polarization state and the total energy of the beam component in the second polarization state can be made the same. Thereby, more stable laser irradiation (for example, laser annealing of a semiconductor substrate) becomes possible.

さらに、第2の偏光制御部15は、内部でパルスレーザビームが進行する光路長が第1
の偏光制御部13と同じとなる材質で形成されているので、第1の偏光制御部13内でビ
ームが進行する光路長と第2偏光制御部内でビームが進行する光路長さとの差が生じるこ
とがなく、光路長の差による悪影響(例えば、レーザ照射面での結像位置エラー)を防止
できる。
Further, the second polarization controller 15 has an optical path length within which the pulse laser beam travels first.
Therefore, there is a difference between the optical path length in which the beam travels in the first polarization control section 13 and the optical path length in which the beam travels in the second polarization control section. Thus, adverse effects due to the difference in optical path length (for example, an imaging position error on the laser irradiation surface) can be prevented.

(実施例)
図4、図5は、第1実施形態により得られる効果を示すためのレーザ照射面の画像であ
る。図4は電子顕微鏡画像であり、図5は、光学顕微鏡画像である。
図4、図5の各々において、比較の対象となる上側の(A)〜(C)の画像は、偏光制
御部材9を用いずに半導体基板にレーザ照射して得られた半導体基板上のレーザ照射面の
画像であり、このうち、(A)は、P偏光のパルスレーザビームで照射した場合であり、
(B)は、S偏光のパルスレーザビームを照射した場合であり、(C)は、P偏光とS偏
光のパルスレーザビームを合成したものを照射した場合(即ち、図1において偏光制御部
材9を省略した構成でレーザ照射を行った場合)の低倍率の画像である。
一方、図4、図5の各々において、本実施形態に対応する下側の(D)〜(F)の画像
は、偏光制御部材9を用いて半導体基板にレーザ照射して得られた半導体基板上のレーザ
照射面の画像であり、このうち、(D)は、P偏光のパルスレーザビームで照射した場合
(即ち、図1において、第1および第2のレーザ光源3、4のうち第1のレーザ光源3を
使用した場合)であり、(E)は、S偏光のパルスレーザビームを照射した場合(即ち、
図1において、第1および第2のレーザ光源3、4のうち第2のレーザ光源4を使用した
場合)であり、(F)は、P偏光とS偏光のパルスレーザビームを合成したものを照射し
た場合(即ち、図1の構成でレーザ照射を行った場合)の低倍率の画像である。
比較すると、図4、図5において、(A)と(B)とでは偏光状態による違いがあるた
め、(C)のように、合成パルスレーザビームでは偏光状態の違いに起因するムラが発生
する。これに対し、本実施形態の場合には、(D)と(E)とでは偏光状態による違いが
ほとんど無いため、(F)のように、合成パルスレーザビームでは偏光状態の違いに起因
するムラが無くなる。
(Example)
4 and 5 are images of the laser irradiation surface for illustrating the effect obtained by the first embodiment. 4 is an electron microscope image, and FIG. 5 is an optical microscope image.
4 and 5, the upper images (A) to (C) to be compared are lasers on the semiconductor substrate obtained by irradiating the semiconductor substrate with laser without using the polarization control member 9. It is an image of the irradiated surface, among which (A) is a case of irradiation with a P-polarized pulse laser beam,
(B) shows the case of irradiation with an S-polarized pulse laser beam, and (C) shows the case of irradiation with a composite of P-polarized light and S-polarized pulse laser beam (that is, the polarization control member 9 in FIG. 1). This is a low-magnification image of the case where laser irradiation is performed with a configuration in which is omitted.
On the other hand, in each of FIGS. 4 and 5, the lower images (D) to (F) corresponding to the present embodiment are obtained by irradiating the semiconductor substrate with laser using the polarization control member 9. It is an image of the upper laser irradiation surface, among which (D) is the case of irradiation with a P-polarized pulse laser beam (that is, the first of the first and second laser light sources 3 and 4 in FIG. 1). (E) is a case where an S-polarized pulse laser beam is irradiated (ie,
In FIG. 1, the second laser light source 4 is used among the first and second laser light sources 3 and 4), and (F) shows a combination of P-polarized and S-polarized pulsed laser beams. 2 is a low-magnification image when irradiated (that is, when laser irradiation is performed with the configuration of FIG. 1).
In comparison, in FIGS. 4 and 5, since there is a difference in polarization state between (A) and (B), unevenness caused by the difference in polarization state occurs in the synthesized pulse laser beam as shown in (C). . On the other hand, in the present embodiment, there is almost no difference depending on the polarization state between (D) and (E). Therefore, as shown in (F), the synthetic pulse laser beam has unevenness caused by the difference in polarization state. Disappears.

[第2実施形態]
本発明の第2実施形態によるレーザ照射装置は、偏光制御部材の構成が第1実施形態の
偏光制御部材9の構成と異なる。第2実施形態の他の構成は、第1実施形態の場合と同じ
であってよい。図6は、図1における部分「II」の拡大図であるが、第2実施形態の構
成を示す。
[Second Embodiment]
In the laser irradiation apparatus according to the second embodiment of the present invention, the configuration of the polarization control member is different from the configuration of the polarization control member 9 of the first embodiment. Other configurations of the second embodiment may be the same as those of the first embodiment. FIG. 6 is an enlarged view of the portion “II” in FIG. 1 and shows the configuration of the second embodiment.

偏光制御部材19の構成のうち第1実施形態と同様である部分について説明する。
図6に示すように、偏光制御部材19は、光路合成光学部材7からのパルスレーザビー
ムの偏光状態を制御する。偏光制御部材19は、前記配置方向(図4の上下方向)に配置
され、光路合成光学部材7からのパルスレーザビームのビーム成分がそれぞれ通過する第
1および第2の偏光制御部21,23を有する。第1の偏光制御部21を通過した前記ビ
ーム成分と、第2の偏光制御部23を通過した前記ビーム成分とが、それぞれ互いに異な
る第1偏光状態と第2偏光状態となるように、第1および第2の偏光制御部21,23が
形成されている。第1の偏光制御部21と第2の偏光制御部23のすくなくとも一方が、
他方の全部または一部を前記配置方向に挟むように複数に分割されていてよい。図6の例
では、第1の偏光制御部21は3つの偏光制御要素21a〜21cに分割され、第2の偏
光制御部23は2つの偏光制御要素23a,23bに分割されており、偏光制御要素21
a,21bが配置方向に偏光制御要素23aを挟み、偏光制御要素21a,21cが配置
方向に偏光制御要素23bを挟み、偏光制御要素23a,23bが配置方向に偏光制御要
素21aを挟むようにこれらが配置されている。
また、第1の偏光制御部21を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量と、第2の偏
光制御部23を通過する前記ビーム成分のエネルギー総量とが同じまたはほぼ同じになる
ように、前記配置方向における第1の偏光制御部21の長さ、および、前記配置方向にお
ける第2の偏光制御部23の長さが設定されている。
A portion of the configuration of the polarization control member 19 that is the same as that of the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 6, the polarization control member 19 controls the polarization state of the pulse laser beam from the optical path synthesis optical member 7. The polarization control member 19 is arranged in the arrangement direction (vertical direction in FIG. 4), and passes through the first and second polarization control units 21 and 23 through which the beam components of the pulse laser beam from the optical path synthesis optical member 7 pass, respectively. Have. The first and second polarization states are different so that the beam component that has passed through the first polarization control unit 21 and the beam component that has passed through the second polarization control unit 23 are different from each other. And the 2nd polarization control parts 21 and 23 are formed. At least one of the first polarization controller 21 and the second polarization controller 23 is
It may be divided into a plurality of parts so as to sandwich all or part of the other in the arrangement direction. In the example of FIG. 6, the first polarization control unit 21 is divided into three polarization control elements 21a to 21c, and the second polarization control unit 23 is divided into two polarization control elements 23a and 23b. Element 21
a, 21b sandwich the polarization control element 23a in the arrangement direction, polarization control elements 21a, 21c sandwich the polarization control element 23b in the arrangement direction, and polarization control elements 23a, 23b sandwich the polarization control element 21a in the arrangement direction. Is arranged.
Further, the arrangement direction is such that the total energy of the beam component passing through the first polarization control unit 21 and the total energy of the beam component passing through the second polarization control unit 23 are the same or substantially the same. The length of the first polarization control unit 21 and the length of the second polarization control unit 23 in the arrangement direction are set.

偏光制御部材19の構成のうち第1実施形態と異なる部分について説明する。
第2実施形態によると、偏光制御部材19の第1および第2の偏光制御部21,23は
、第1のレーザ光源3からのパルスレーザビームの前記偏光方向(図6の紙面と垂直な方
向)と第2のレーザ光源4からのパルスレーザビームの前記偏光方向(図6の上下方向)
とのいずれにも45度の角度をなす光学軸を持つ1/4波長板である。第1の偏光制御部
21の前記光学軸と第2の偏光制御部23の前記光学軸とは互いに90度ずれている。
従って、第1のレーザ共振器3からの第1直線偏光状態のビーム成分が、第1の偏光制
御部21を通過すると、偏光方向が図6の矢印Aの向きに回転する円偏光(第1偏光状態
)のビーム成分となる。図6は、第1直線偏光状態のパルスレーザが偏光制御部材19に
入射する場合を示しているが、第2のレーザ共振器4からの第2直線偏光状態のビーム成
分が、第1の偏光制御部21を通過した場合には、偏光方向が図6の矢印Aと逆向きであ
る図6の矢印Bの向きに回転する円偏光(第2偏光状態)のビーム成分となる。一方、第
1のレーザ共振器3からの第1直線偏光状態のビーム成分が、第2の偏光制御部23を通
過すると、偏光方向が図6の矢印Aと逆向きである矢印Bの向きに回転する円偏光(第2
偏光状態)のビーム成分となる。図6は、第1直線偏光状態のパルスレーザが偏光制御部
材19に入射する場合を示しているが、第2のレーザ共振器4からの第2直線偏光状態の
ビーム成分が、第2の偏光制御部23を通過した場合には、偏光方向が図6の矢印Aの向
きに回転する円偏光(第1偏光状態)のビーム成分となる。
Of the configuration of the polarization control member 19, a part different from the first embodiment will be described.
According to the second embodiment, the first and second polarization control units 21 and 23 of the polarization control member 19 perform the polarization direction of the pulse laser beam from the first laser light source 3 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 6). ) And the polarization direction of the pulse laser beam from the second laser light source 4 (vertical direction in FIG. 6)
These are quarter-wave plates having an optical axis that forms an angle of 45 degrees. The optical axis of the first polarization controller 21 and the optical axis of the second polarization controller 23 are shifted from each other by 90 degrees.
Accordingly, when the beam component in the first linear polarization state from the first laser resonator 3 passes through the first polarization control unit 21, the circularly polarized light (first polarization direction) whose polarization direction rotates in the direction of arrow A in FIG. (Polarized state) beam component. FIG. 6 shows a case where the pulse laser in the first linear polarization state is incident on the polarization control member 19, but the beam component in the second linear polarization state from the second laser resonator 4 is the first polarization. When the light passes through the control unit 21, it becomes a beam component of circularly polarized light (second polarization state) whose polarization direction rotates in the direction of the arrow B in FIG. 6, which is opposite to the arrow A in FIG. On the other hand, when the beam component in the first linear polarization state from the first laser resonator 3 passes through the second polarization control unit 23, the polarization direction is in the direction of the arrow B which is opposite to the arrow A in FIG. Rotating circularly polarized light (second
(Polarized state) beam component. FIG. 6 shows a case where the pulse laser in the first linear polarization state is incident on the polarization control member 19, but the beam component in the second linear polarization state from the second laser resonator 4 is the second polarization. In the case of passing through the control unit 23, the polarization component is a beam component of circularly polarized light (first polarization state) rotating in the direction of arrow A in FIG.

上述した第2実施形態のレーザ照射装置よると、第1および第2のレーザ光源3,4か
ら射出されるパルスレーザビームのいずれも、光路合成光学部材7により第1偏光状態の
ビーム成分と第2偏光状態のビーム成分とに分離され、ビーム重ね合わせ光学部材11に
より第1偏光状態の前記ビーム成分と第2偏光状態の前記ビーム成分とをレーザ被照射体
上のレーザ照射面で重ね合わされるので、いずれのパルスレーザビームも、レーザ照射面
上で第1偏光状態と第2偏光状態とが混在した状態となる。これにより、パルスレーザビ
ーム毎の偏光状態の違いがレーザ照射体に与える影響を無くしまたは大幅に低減できる。
この効果以外について、第1実施形態において上述したレーザ照射装置10の効果、作
用と同様の効果、作用が第2実施形態でも得られる。
According to the laser irradiation apparatus of the second embodiment described above, any of the pulse laser beams emitted from the first and second laser light sources 3 and 4 and the beam component in the first polarization state by the optical path combining optical member 7 The beam component in the first polarization state and the beam component in the second polarization state are superimposed on the laser irradiation surface on the laser irradiated body by the beam superimposing optical member 11. Therefore, any pulsed laser beam is in a state in which the first polarization state and the second polarization state are mixed on the laser irradiation surface. Thereby, the influence which the difference of the polarization state for every pulse laser beam has on a laser irradiation body can be eliminated, or it can reduce significantly.
In addition to this effect, the same effects and operations as those of the laser irradiation apparatus 10 described above in the first embodiment can be obtained in the second embodiment.

[他の実施形態]
第1実施形態または第2実施形態において、以下の変形例を採用することができる。以
下において、第1実施形態の変形例について説明するが、第2実施形態においても同じ変
形例を採用できる。
第1実施形態の偏光制御部材9は、図7(A)〜(C)のように、偏光制御要素13a
,13bと偏光制御要素15a,15b,15cとにより構成されていてもよい。(A)
では、偏光制御部材9は、2つの偏光制御要素13a,13bと1つの偏光制御要素15
aを有し、(B)では、偏光制御部材9は、1つの偏光制御要素13aを有し1つの偏光
制御要素15aを有し、(C)では、偏光制御部材9は、2つの偏光制御要素13a、1
3bを有し3つの偏光制御要素15a,15b,15cを有する。図7(A)〜(C)に
おいて、前記配置方向における偏光制御要素13a,13bを合わせた第1の偏光制御部
13の長さ、および、前記配置方向における偏光制御要素15a,15b,15cを合わ
せた第2の偏光制御部15の長さは、上述のように、第1の偏光制御部13を通過する前
記ビーム成分のエネルギー総量と、第2の偏光制御部15を通過する前記ビーム成分のエ
ネルギー総量とが同じまたはほぼ同じになるように設定される。
また、第1実施形態において、図8に示すように、第1の偏光制御部13は、1つの偏
光制御要素13aにより構成され、第2の偏光制御部15も1つの偏光制御要素15aに
より構成されている。偏光制御要素13aの前記配置方向における幅Wa1および偏光制
御要素15bの前記配置方向における幅Wa2(図8では、Wa1=Wa2)を、シリン
ドリカルレンズアレイ17の凸シリンドリカルレンズ17aの幅Wbのn倍(ただし、n
は2以上の整数)にすることができる。この場合、偏光制御部材9へのパルスレーザビー
ムの入射面における当該ビームの前記配置方向の幅Wcを、凸シリンドリカルレンズ17
aの幅Wbのm倍(ただし、mは2以上の整数)にすることが好ましい。これにより、偏
光制御要素13a,15aの数を少なくできるだけでなく、各偏光制御要素13a,15
aを通過したビーム成分が、前記配置方向に関して、レーザ照射面上におけるレーザ照射
領域全体にわたって照射されるようにできる。これにより、偏光制御要素13a,15a
の数を少なくしても、レーザ照射領域において第1偏光状態または第2偏光状態のエネル
ギー密度が相対的に高くなる部分が生じることを防げる。図8の例では、偏光制御要素1
3および偏光制御要素15がそれぞれ1つずつ設けられた場合であるが、他の数の偏光制
御要素を設ける場合も、Wa1=n1×Wb,Wa2=n2×Wb、Wc=m×Wb(た
だし、n1,n2,mは2以上の整数)とすることで、同様の効果が得られる。
[Other Embodiments]
In the first embodiment or the second embodiment, the following modifications can be adopted. Hereinafter, a modification of the first embodiment will be described, but the same modification can also be adopted in the second embodiment.
As shown in FIGS. 7A to 7C, the polarization control member 9 of the first embodiment is a polarization control element 13a.
, 13b and polarization control elements 15a, 15b, 15c. (A)
Then, the polarization control member 9 includes two polarization control elements 13a and 13b and one polarization control element 15.
In (B), the polarization control member 9 has one polarization control element 13a and one polarization control element 15a. In (C), the polarization control member 9 has two polarization control elements. Element 13a, 1
3b and three polarization control elements 15a, 15b, 15c. 7A to 7C, the length of the first polarization control unit 13 that combines the polarization control elements 13a and 13b in the arrangement direction, and the polarization control elements 15a, 15b, and 15c in the arrangement direction. As described above, the combined length of the second polarization control unit 15 includes the total amount of energy of the beam component passing through the first polarization control unit 13 and the beam component passing through the second polarization control unit 15. It is set so that the total amount of energy is the same or nearly the same.
In the first embodiment, as shown in FIG. 8, the first polarization control unit 13 is configured by one polarization control element 13a, and the second polarization control unit 15 is also configured by one polarization control element 15a. Has been. The width Wa1 in the arrangement direction of the polarization control element 13a and the width Wa2 in the arrangement direction of the polarization control element 15b (Wa1 = Wa2 in FIG. 8) are n times the width Wb of the convex cylindrical lens 17a of the cylindrical lens array 17 ( Where n
Can be an integer of 2 or more. In this case, the width Wc in the arrangement direction of the beam on the incident surface of the pulse laser beam to the polarization control member 9 is set to the convex cylindrical lens 17.
The width ab is preferably m times (where m is an integer of 2 or more). Thereby, not only can the number of polarization control elements 13a and 15a be reduced, but also the polarization control elements 13a and 15a.
The beam component that has passed through a can be irradiated over the entire laser irradiation region on the laser irradiation surface with respect to the arrangement direction. Thereby, the polarization control elements 13a, 15a
Even if the number is reduced, it is possible to prevent a portion where the energy density of the first polarization state or the second polarization state is relatively high in the laser irradiation region. In the example of FIG. 8, the polarization control element 1
3 and one polarization control element 15 are provided. However, when other numbers of polarization control elements are provided, Wa1 = n1 × Wb, Wa2 = n2 × Wb, Wc = m × Wb (however, , N1, n2, and m are integers of 2 or more), the same effect can be obtained.

本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更
を加え得ることは勿論である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、図2の上下方向に、第1の偏光制御部13(偏光制御要素13a〜13c)と
第2の偏光制御部15(偏光制御要素15a、15b)を配列したが、本発明はこれに限
定されない。例えば、図2において、偏光制御部材9に入射するパルスレーザビームのそ
の進行方向と垂直な断面形状が、図2の紙面と垂直な方向にも広がりを持つ場合には、第
1の偏光制御部13(偏光制御要素13a〜13c)と第2の偏光制御部15(偏光制御
要素15a、15b)を図2の上下方向と同様に図2の紙面と垂直な方向にも配列してよ
い。図6など他の場合も同様である。
For example, the first polarization control unit 13 (polarization control elements 13a to 13c) and the second polarization control unit 15 (polarization control elements 15a and 15b) are arranged in the vertical direction of FIG. It is not limited. For example, in FIG. 2, when the cross-sectional shape perpendicular to the traveling direction of the pulse laser beam incident on the polarization control member 9 also extends in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 13 (polarization control elements 13a to 13c) and the second polarization control unit 15 (polarization control elements 15a and 15b) may be arranged in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2 as in the vertical direction of FIG. The same applies to other cases such as FIG.

3・・・第1のレーザ共振器(第1のレーザ光源)、4・・・第2のレーザ共振器(第2
のレーザ光源)、5・・・パルス制御装置、7・・・光路合成光学部材、8・・・ビーム
エキスパンダ、9・・・偏光制御部材、10・・・レーザ照射装置、11・・・ビーム重
ね合わせ光学部材、12・・・短辺方向集光レンズ、13・・・第1の偏光制御部、13
a,13b,13c・・・偏光制御要素、15・・・第2の偏光制御部、15a,15b
・・・偏光制御要素、17・・・シリンドリカルレンズアレイ、17a・・・凸シリンド
リカルレンズ、18・・・コンデンサレンズ、19・・・偏光制御部材、21・・・第1
の偏光制御部、21a,21b,21c・・・偏光制御要素,23・・・第2の偏光制御
部、23a,23b・・・偏光制御要素
3 ... 1st laser resonator (1st laser light source), 4 ... 2nd laser resonator (2nd
5 ... Pulse control device, 7 ... Optical path combining optical member, 8 ... Beam expander, 9 ... Polarization control member, 10 ... Laser irradiation device, 11 ... Beam superimposing optical member, 12... Short-side condensing lens, 13... First polarization controller, 13
a, 13b, 13c ... polarization control element, 15 ... second polarization control unit, 15a, 15b
... Polarization control element, 17 ... Cylindrical lens array, 17a ... Convex cylindrical lens, 18 ... Condenser lens, 19 ... Polarization control member, 21 ... First
Polarization control unit, 21a, 21b, 21c ... polarization control element, 23 ... second polarization control unit, 23a, 23b ... polarization control element

Claims (3)

第1のレーザ光源から直線偏光した第1のパルスレーザビームを射出し、
第2のレーザ光源から、前記第1のパルスレーザビームの偏光方向と90度異なる偏光方向を有する直線偏光した第2のパルスレーザビームを射出し、
前記第1のパルスレーザビームおよび前記第2のパルスレーザビームを同じ光路上に合成し、
前記合成されたパルスレーザビームを第1の偏光制御部および第2の偏光制御部を通過させ、
前記通過したパルスレーザビームを半導体膜のレーザ照射面で重ね合わせる半導体装置の作製方法であって、
前記第1の偏光制御部および前記第2の偏光制御部は、前記第1のパルスレーザビームの偏光方向および前記第2のパルスレーザビームの偏光方向のいずれにも45度の角度をなす光学軸を有する1/4波長板であり、
前記第1の偏光制御部の前記光学軸と前記第2の偏光制御部の前記光学軸とは互いに90度ずれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Emitting a first pulsed laser beam linearly polarized from a first laser light source;
From the second laser light source, a linearly polarized second pulse laser beam having a polarization direction different from the polarization direction of the first pulse laser beam by 90 degrees is emitted.
Combining the first pulsed laser beam and the second pulsed laser beam on the same optical path;
Passing the combined pulsed laser beam through a first polarization controller and a second polarization controller;
A method of manufacturing a semiconductor device in which the pulse laser beam that has passed through is superimposed on a laser irradiation surface of a semiconductor film,
The first polarization controller and the second polarization controller are optical axes that form an angle of 45 degrees with respect to both the polarization direction of the first pulse laser beam and the polarization direction of the second pulse laser beam. A quarter-wave plate having
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the optical axis of the first polarization controller and the optical axis of the second polarization controller are shifted from each other by 90 degrees.
第1のレーザ光源から直線偏光した第1のパルスレーザビームを射出し、
第2のレーザ光源から、前記第1のパルスレーザビームの偏光方向と90度異なる偏光方向を有する直線偏光した第2のパルスレーザビームを射出し、
前記第1のパルスレーザビームおよび前記第2のパルスレーザビームを同じ光路上に合成し、
前記合成されたパルスレーザビームを第1の偏光制御部および第2の偏光制御部を通過させ、
前記通過したパルスレーザビームを半導体膜のレーザ照射面で重ね合わせる半導体装置の作製方法であって、
前記第1の偏光制御部および前記第2の偏光制御部は、前記第1のパルスレーザビームの偏光方向および前記第2のパルスレーザビームの偏光方向のいずれにも45度の角度をなす光学軸を有する1/4波長板であり、
前記第1の偏光制御部と前記第2の偏光制御部の少なくとも一方が他方の全部または一部を挟むように複数に分割されており、
前記第1の偏光制御部の前記光学軸と前記第2の偏光制御部の前記光学軸とは互いに90度ずれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Emitting a first pulsed laser beam linearly polarized from a first laser light source;
From the second laser light source, a linearly polarized second pulse laser beam having a polarization direction different from the polarization direction of the first pulse laser beam by 90 degrees is emitted.
Combining the first pulsed laser beam and the second pulsed laser beam on the same optical path;
Passing the combined pulsed laser beam through a first polarization controller and a second polarization controller;
A method of manufacturing a semiconductor device in which the pulse laser beam that has passed through is superimposed on a laser irradiation surface of a semiconductor film,
The first polarization controller and the second polarization controller are optical axes that form an angle of 45 degrees with respect to both the polarization direction of the first pulse laser beam and the polarization direction of the second pulse laser beam. A quarter-wave plate having
At least one of the first polarization control unit and the second polarization control unit is divided into a plurality so as to sandwich all or part of the other,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the optical axis of the first polarization controller and the optical axis of the second polarization controller are shifted from each other by 90 degrees.
第1のレーザ光源から偏光した第1のパルスレーザビームを射出し、
第2のレーザ光源から、前記第1のパルスレーザビームの偏光方向と異なる偏光方向を有する偏光した第2のパルスレーザビームを射出し、
前記第1のパルスレーザビームおよび前記第2のパルスレーザビームを同じ光路上に合成し、
前記合成されたパルスレーザビームを第1の偏光制御部および第2の偏光制御部を通過させ、
前記通過したパルスレーザビームを半導体膜のレーザ照射面で重ね合わせる半導体装置の作製方法。
Emitting a polarized first pulsed laser beam from a first laser light source;
A polarized second pulsed laser beam having a polarization direction different from the polarization direction of the first pulsed laser beam is emitted from a second laser light source,
Combining the first pulsed laser beam and the second pulsed laser beam on the same optical path;
Passing the combined pulsed laser beam through a first polarization controller and a second polarization controller;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the pulsed laser beam that has passed through is superimposed on a laser irradiation surface of a semiconductor film.
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