JP2014123418A - 可変オーバーコートを有する磁気装置およびその方法 - Google Patents

可変オーバーコートを有する磁気装置およびその方法 Download PDF

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Abstract

【課題】磁気装置および方法を提供する。
【解決手段】磁気装置は、磁気読取り器と、磁気書込み器と、可変オーバーコートとを含む。可変オーバーコートは、少なくとも磁気読取り器と磁気書込み器との表面に設けられる。可変オーバーコートは、オーバーコート層を含む。オーバーコート層は、実質的に一定の厚さおよび材料を有する。可変オーバーコートはまた、少なくとも１つの異種オーバーコート部分を含む。異種オーバーコート部分は、オーバーコート層と異なる厚さ、または異なる材料、または異なる厚さおよび材料を有する。
【選択図】図４Ａ

Description

優先権主張
本願は、２０１２年１２月２１日に出願され、その開示が引用によりこの明細書中に援用される米国仮出願番号６１／７４０５１４、発明の名称「書込み器および読取り器の表面に可変オーバーコートを有する磁気装置」（ドケット番号４３０．１７２９３０００）に基づく優先権を主張する。
背景
高温のためおよび腐食性の化学作用に触れるため、熱補助磁気記録（ＨＡＭＲ）処理は、極めて腐食性の環境に関わる可能性がある。さらに、小さいヘッド−媒体間隔を用いる設計は、書込みポールのような狭窄的かつ突出している機構により急速な摩耗を受けることになる。過酷な環境およびたとえば近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）および書込みポールなどの一部の比較的繊細な構造体を保護する要望があるため、異なる種類のオーバーコートが必要とされる。
概要
磁気装置は、磁気読取り器と、磁気書込み器と、可変オーバーコートとを含む。可変オーバーコートは、少なくとも磁気読取り器と磁気書込み器との表面に設けられる。可変オーバーコートは、オーバーコート層を含む。オーバーコート層は、ある材料を含み、かつ、実質的に一定の厚さを有する。可変オーバーコートはまた、少なくとも１つの異種オーバーコート部分を含む。異種オーバーコート部分は、オーバーコート層と異なる厚さ、または異なる材料、または異なる厚さおよび材料を有する。
方法は、構造体の全面に第１層を堆積させる工程を含み、構造体は、磁気読取り器と磁気書込み器とを備え、磁気読取り器と磁気書込み器とは、基板上において互いに隣接して設けられ、少なくとも磁気読取り器上の第１層の一部を除去する工程と、第１層の全面に第２層を堆積させる工程とを含み、第１層と第２層とは、可変オーバーコートを構成し、可変オーバーコートは、磁気書込み器の表面に設けられた異種オーバーコート領域を有する。
方法は、構造体の全面に第１層を堆積させる工程を含み、構造体は、磁気読取り器と磁気書込み器とを備え、磁気読取り器と磁気書込み器とは、基板上において互いに隣接して設けられ、露出領域と非露出領域とを形成するため、表面の領域をマスキングする工程と、露出領域と非露出領域との表面に第２層を堆積させる工程と、非露出領域と、非露出領域表面上の第２層とを除去する工程とを含む。
本願開示の上記概要は、開示された各実施形態または本願開示の各実現例を説明することを意図していない。以下の説明は例示的な実施形態をより詳細に記載する。本願の一部の箇所において、指針が実施例のリストによって与えられ、それらの実施例はさまざまな形で組合わせてもよい。いずれの場合においても、上記リストは、代表的なグループを表すだけであって、排他的なリストとして理解すべきではない。
本開示の一側面に従って構成された記録ヘッドを含み得るディスクドライブの形態で示されたデータ記憶装置を示す図である。 本発明の一側面に従って構成された記録ヘッドの側面図である。 空気軸受面（ＡＢＳ）から見た装置の概略図である。 空気軸受面（ＡＢＳ）から見た装置の、磁気書込み器の表面に設けられた異種オーバーコート部分を示す概略図である。 図４Ａの装置の一部の概略をクロストラック方向から示す側面図である。 空気軸受面（ＡＢＳ）から見た装置の２つの異種オーバーコート領域を示す概略図である。 図５Ａの装置の一部の概略をクロストラック方向から示す側面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された異種オーバーコート領域を有する装置の光学顕微鏡像を示す図である。 開示された異種オーバーコート領域を有する装置の光学顕微鏡像を示す図である。 開示された異種オーバーコート領域を有する装置の光学顕微鏡像を示す図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 開示された方法のさまざまなステージが完了した後の物品を示す断面図である。 さまざまな製造ステージにおける物品の原子間力顕微鏡像（ＡＦＭ）を示す図である。 さまざまな製造ステージにおける物品の原子間力顕微鏡像（ＡＦＭ）を示す図である。 さまざまな製造ステージにおける物品の原子間力顕微鏡像（ＡＦＭ）を示す図である。 開示されたさまざまな方法を用いて製造され得る物品を示す図である。
詳細な説明
図面は、必ずしも一定の縮尺で描かれてない。図面に使用される同様の番号は同様の構成要素を示す。しかしながら、ある特定の図において構成要素を示すための番号の使用は、別の図において同じ番号が付された構成要素を制限することを意図するものではないことが理解されるであろう。
以下の説明において、説明の一部を構成する添付図面の組が参照され、一部の特定の実施形態が例示によって示される。他の実施形態も考えられ、本開示内容の範囲または思想から逸脱することなく可能であることを理解すべきである。したがって、以下の詳細な説明は、制限する意味で解釈されるべきではない。
特に断りのない限り、明細書および特許請求の範囲に用いられる機構の大きさと数量と物理性質とを表すすべての数がすべての場合において「約」という用語により修飾されることを、理解すべきである。よって、これとは異なる指定がなければ、前述した明細書および添付の特許請求の範囲における数値パラメータは、近似値であって、当業者がここで開示された教示を用いて得ようとする性質に基づいて変更することができる。
端点による数値範囲の記載は、その範囲内に包含されるすべての数値（たとえば１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４および５）およびその範囲内における任意の範囲を含む。
本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる単数形の不定冠詞および定冠詞は、内容上明らかに他の意味を示す場合を除き、複数の対象を有する実施形態を包含する。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる「または」という用語は、内容上明らかにそれ以外を示さない限り、一般的に「および／または」を含む意味で用いられる。
「含む」、「含んでいる」または類似の用語は、包含するが限定されないこと、すなわち、含むが排他的でないことを意味する。「頂部」および「底部」（または「上方」および「下方」のような他の用語）は、相対的な記載として厳密に用いられるものであり、記載された要素が配置される物品の、あらゆる全体的な方向を示すものではないことに注意すべきである。
開示された装置は、エネルギ源から加熱される磁気記憶媒体へのエネルギのより効率的な伝達、加熱する箇所でより小さい焦点、またはそれらの組合わせを与えることができるという利点を有する。一部の実施形態において、開示された装置は、磁気記録ヘッド、より具体的には熱補助磁気記録（ＨＡＭＲ）ヘッドなどのような他の装置またはシステム内に、またはそのような装置を含むディスクドライブ内に使用することができる。
ここで開示されたのは、ＮＦＴおよびこのようなＮＦＴを含む装置である。図１は、開示されたＮＦＴを用いるディスクドライブ１０の形態で示されたデータ記憶装置を示す図である。ディスクドライブ１０は、当該ディスクドライブのさまざまな構成要素を収容する大きさに構成されたハウジング１２（図面において、上部が取除かれ、下部が可視である）を含む。ディスクドライブ１０は、少なくとも１つの磁気記憶媒体１６をハウジングの中で回転させるためのスピンドルモータ１４を含む。少なくとも１つのアーム１８がハウジング１２の中に収容される。各アーム１８は、記録ヘッドまたはスライダ２２を有する第１端部２０と、軸受２６により軸に旋回可能に取付けられた第２端部２４とを備える。アクチュエータモータ２８が、アームの第２端部２４に配置され、アーム１８を旋回させて記録ヘッド２２をディスク１６の所望のセクタまたはトラック２７に位置させる。アクチュエータモータ２８は、当技術分野で周知の制御装置（図示せず）により制御される。前述の記憶媒体は、たとえば、連続媒体またはビット・パターン化された媒体を含む。
熱補助磁気記録（ＨＡＭＲ）では、たとえば可視光、赤外線または紫外線のような電磁放射がデータ記憶媒体の表面上に案内され、媒体の局所領域の温度を上げることによって、この領域の磁化の切替を容易にする。新しい設計のＨＡＭＲ記録ヘッドは、スライダ上に設けられ、光線を記憶媒体に向かって案内する薄膜導波路と、この光線を回折限界より小さいサイズのスポットに合焦させる近接場トランスデューサとを含む。図１は、ディスクドライブを示しているが、開示されたＮＦＴを近接場トランスデューサを含む他の装置に用いることは可能である。
図２は、開示されたＮＦＴを含み得る記録ヘッドの側面図である。記録ヘッドは記憶媒体の近傍に配置されている。記録ヘッド３０は、基板３２と、この基板上に設けられたベースコート３４と、このベースコート上に設けられた底部ポール３６と、ヨークまたは台座４０を介して底部ポールと磁気的にカップリングする頂部ポール３８とを含む。導波路４２は、頂部ポールと底部ポールとの間に配置される。この導波路は、コア層４４と、このコア層の両面に設けられたクラッド層４６および４８とを含む。ミラー５０が２つのクラッド層のうちの１つに隣接して配置される。頂部ポールは、２つの部分からなるポールであって、空気軸受面５６から離れた場所にある第１端部５４を有する第１部分またはポール本体５２と、第１部分から延在し、底部ポールに向かって傾斜する第２部分または傾斜ポール片５８とを含む。第２部分は、記録ヘッドの空気軸受面５６に近接する末端を含み、かつこの端部が頂部ポールの第１部分よりも導波路に近くなるように、構成される。また、頂部ポールと底部ポールとの間には、平面コイル６０が台座を囲みながら延在している。この例において、頂部ポールは書込みポールとして、底部ポールはリターンポールとして機能する。
絶縁材料６２がコイルの巻を隔てる。１つの例において、基板はＡｌＴｉＣであって、コア層はＴａ２Ｏ５であって、クラッド層（および他の絶縁層）はＡｌ２Ｏ３であってもよい。絶縁材料６３の頂部層が頂部ポールの上に形成されてもよい。ヒートシンク６４が傾斜ポール片５８に隣接するように配置される。このヒートシンクは、たとえばＡｕのような非磁性材料により構成されてもよい。
図２に示すように、記録ヘッド３０は、書込みポール５８が磁気記憶媒体１６に書込み磁場Ｈを印加する箇所に近接する記憶媒体１６を加熱する構造体を含む。この例において、媒体１６は、基板６８と、ヒートシンク層７０と、磁気記録層７２と、保護層７４とを含む。他の種類の媒体、たとえばビット・パターン化された媒体を用いてもよい。コイル６０内の電流により生成された磁場Ｈは、媒体の記録層内の磁化ビットの方向７６を制御するために用いられる。
記憶媒体１６は、記録ヘッド３０の近傍にまたはその下方に配置される。導波路４２は、電磁放射の光源７８からの光線を案内する。光線は、たとえば紫外線、赤外線または可視光であってもよい。光源は、たとえば、光線８０を導波路４２に向って案内するレーザダイオードまたは他の適宜なレーザ光源であってもよい。光源７８の具体例の種類は、たとえば、レーザダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、端面発光レーザダイオード（ＥＥＬ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、および表面発光ダイオードを含んでもよい。一部の実施形態において、光源は、たとえば８３０ｎｍの波長を有するエネルギを作り出すことができる。光線８０を導波路４２に結合するための既知のさまざまな技術を用いることができる。光線８０が導波路４２に結合されると、光が、導波路４２の中を通って、記録ヘッド３０の空気軸受面（ＡＢＳ）の近傍に形成されている導波路４２の切断した端部へ向かって伝搬する。導波路の端部から抜け出した光は、媒体が記録ヘッドに対して矢印８２で示す方向で移動するときに、この媒体の一部を加熱する。ＮＦＴ８４により伝達されたエネルギは、媒体を加熱する主な手段である。近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）８４は、導波路の中または導波路の近傍に、かつ、空気軸受面にまたは空気軸受面の近くに配置される。電磁エネルギをＮＦＴ８４に結合することまたは電磁エネルギがＮＦＴ８４から抜け出すことを妨げない限り、設計には、熱伝導材料から作られ、ＮＦＴ８４と一体化されまたはＮＦＴ８４に直接接触するヒートシンクを組込んでもよい。ヒートシンクは、単一の構造体から構成されてもよく、連結された複数の構造体から構成されてもよい。これらの構造体は、ヘッドに設けられた他の金属機構におよび／または記録ヘッドの外部からのガス流に、熱を伝達することができるように配置される。
図２の例は垂直磁気記録ヘッドおよび垂直磁気記憶媒体を示しているが、当然のことながら、本開示を他の種類の記録ヘッドおよび／または記憶媒体と併せて使用してもよい。なお、開示された装置は、ＨＡＭＲ装置以外の磁気記録装置とともに使用することができる。
図３は、空気軸受面（ＡＢＳ）から見た装置３００を示す図である。装置３００は、磁気読取り器３０５と磁気書込み器３１０とを含んでもよい。磁気読取り器３０５と磁気書込み器３１０とは、上記のような詳細構成を有してもよい。一部の実施形態において、磁気書込み器３１０は、上記のようなＮＦＴを含んでもよい。この装置はまた、可変オーバーコートを含む。可変オーバーコートは、少なくとも磁気読取り器と磁気書込み器との表面に設けられる。一部の実施形態において、可変オーバーコートは、磁気読取り器および磁気書込み器以外の部分の表面にも設けられてもよい。可変オーバーコートは、装置の空気軸受面における少なくとも一部の表面に設けられる連続層または非連続層でもよい。一部の実施形態において、可変オーバーコートは、非連続領域とともに連続領域を含んでもよい。このような可変オーバーコートは、本明細書において非連続ものとして説明される。
可変オーバーコートは、オーバーコート層と、少なくとも１つの異種オーバーコート部分とを含むものとして説明してもよい。オーバーコート層は一般に、実質的に一定の厚さを有するものとして説明してもよい。一部の実施形態において、±５Å以内の厚さを有するオーバーコート層を、実質的に一定の厚さを有するものとして考えてもよい。オーバーコート層は、その全体にわたって実質的に同じ材料から形成されるものとして説明してもよい。また、開示された可変オーバーコートは一般に、少なくとも１つの異種オーバーコート部分を含む。異種オーバーコート部分とは、可変オーバーコートの一部であって、オーバーコート層と実質的に異なる厚さ、オーバーコート層と異なる材料、またはそれらの組合わせを有してもよい。実質的に異なる厚さとは、オーバーコート層の平均厚さよりも少なくとも５Å厚いまたは薄いということである。前述した少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、可変オーバーコートの離散的な非接続の一部であってもよく、可変オーバーコートに隣接する一部であってもよい。開示された可変オーバーコートは、１つ以上の異種オーバーコート部分を含んでもよい。
開示された装置の特定の実施形態は、磁気書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分を有する可変オーバーコートを含んでもよい。このような装置の概略図は、図４Ａに示される。図４Ａの装置４００は、磁気読取り器４０５と、磁気書込み器４１０と、異種オーバーコート部分４１５と、オーバーコート層４２０とを含む。異種オーバーコート部分４１５とオーバーコート層４２０とは、可変オーバーコートを構成する。異種オーバーコート部分は、オーバーコート層と異なる材料を含んでもよく、オーバーコート層と同じ材料を含むが異なる厚さを有してもよく、またはオーバーコート層と異なる少なくとも１つの材料を含み、異なる厚さを有してもよい。
図４Ｂは、クロストラック方向から見た装置の側面図を示す。ＡＢＳは、この画像の上部にある。装置４００は、詳細が示されず、書込み器および／またはＮＦＴを備えることができる書込み器４１０と、オーバーコート層４２０および少なくとも１つの異種オーバーコート領域４１５を備える可変オーバーコート層とを含む。図４Ｂに示すように、オーバーコート層４２０は、平均高さまたは厚さｔによって説明されてもよい。一部の実施形態において、オーバーコート層は、たとえば５Å〜１００Åの厚さｔを有してもよい。図４Ｂはまた、異種オーバーコート領域４１５の高さｈを示している。異種オーバーコート領域の高さｈは、独立して特徴付けられてもよく、オーバーコート層の厚さｔに対して（たとえば、厚さｔよりｘだけ厚い）特徴付けられてもよい。異種オーバーコート領域の特定の高さｈは、多くの異なる要因に基づいて選択されてもよい。一部の実施形態において、図４Ａおよび図４Ｂに示されているような異種オーバーコート領域は、たとえば５Å〜６０Åの高さを有してもよい。
このような実施形態は、ＨＡＭＲ装置に有用である。高温のためおよび腐食性の化学作用に触れるため、ＨＡＭＲ記録処理は、極めて腐食性の環境に関わる可能性がある。典型的には、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）は、腐食から書込みポール材料を保護するために使用されている。ＤＬＣはまた、機械的磨耗による浸食から機構を保護することができる。しかしながら、ＤＬＣは、書込みポールの腐食を完全に抑制することができない場合がある。さらに、局所熱突出は、ＨＡＭＲ記録処理中において、書込み領域をつや焼きの重要対象にする可能性があり、その結果、保護性のヘッドオーバーコートが除去され、腐食過程が加速される可能性がある。また、攻撃的なＨＡＭＲ環境は、ＮＦＴ装置の全体におけるＤＬＣの故障をもたらす可能性がある。ＤＬＣが故障すると、ＮＦＴ材料が転移し、最終的には装置が故障する可能性がある。磁気書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分は、書込み器およびＮＦＴ領域の局所における熱的、化学的、および機械的信頼性を向上させるように機能することができる。また、このような異種オーバーコート部分は、読取り器の表面に設けられたオーバーコートの厚さを増加しないため、有利である。オーバーコートの厚さが増加すると、ヘッド−媒体間隔（ＨＭＳ）が増大し、パフォーマンスの重度低下をもたらす。
書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分を有する一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層よりも大きい厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層より約２倍に厚くであってもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、３０Å〜７０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、５Å〜４５Åの厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、４０Å〜６０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、１５Å〜３５Åの厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、５０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、２５Åの厚さを有してもよい。
書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分を有する一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層と異なる材料を含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層は同じ材料を含んでもよいが、いずれか一方は別種の材料をさらに含む。異なる材料を、異種オーバーコート部分（またはオーバーコート層）の厚さの全体にわたって分散してもよく、異種オーバーコート部分（またはオーバーコート層）の異なる層に分散してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層との両方はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、いずれか一方は追加の材料をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層との両方はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、異種オーバーコート部分は第２材料をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層の両方はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、異種オーバーコート部分は、タンタル、チタン、マグネシウム、ニッケル、クロム、ベリリウム、ジルコニウム、シリコンまたは類似の材料の酸化物、窒化物、炭化物またはホウ化物をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、ＴａＯｘを含んでもよい。
このような、書込み器の表面に異種オーバーコート領域を設ける実施形態は、基本的に、ＡＢＳ上の読取り器および残りの部分を保護するとともに、書き込み領域（一部の実施形態において、書込み器／ＮＦＴ領域）にアクセスできるように、書込み器領域をパターン化することによって製造することができる。一般的には、フォトリソグラフィ法および堆積技術のさまざまな組合わせを利用することができる。本明細書に開示される方法を検討するため、以下に、処理手順の具体例を説明する。
書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分を有する一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層よりも大きい厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層より約２倍に厚くであってもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、３０Å〜７０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、５Å〜４５Åの厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、４０Å〜６０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、１５Å〜３５Åの厚さを有してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、５０Åの厚さを有してもよく、オーバーコート層は、２５Åの厚さを有してもよい。
書込み器／ＮＦＴの表面に設けられた異種オーバーコート部分を有する一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、オーバーコート層と異なる材料を含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層は同じ材料を含んでもよいが、いずれか一方がさらに別種の材料を含む。異なる材料を、異種オーバーコート部分（またはオーバーコート層）の厚さの全体にわたって分散してもよく、異種オーバーコート部分（またはオーバーコート層）の異なる層に分散してもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層との両方がダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、いずれか一方は追加の材料をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層との両方がダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、異種オーバーコート部分は第２材料をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分とオーバーコート層との両方はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよく、異種オーバーコート部分は、タンタル、チタン、マグネシウム、ニッケル、クロム、ベリリウム、ジルコニウム、シリコンまたは類似の材料の酸化物、窒化物、炭化物またはホウ化物をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート部分は、ＴａＯｘを含んでもよい。
一部の実施形態において、少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、磁気読取り器と磁気書込み器との両者から離れて設けられてもよい。図５Ａは、このような実施形態の一例の概略図を示す。装置５００は、読取り器５０５と、書込み器５１０と、オーバーコート層５２５および２つの異種オーバーコート領域５１５，５２０から構成される可変オーバーコートとを含んでいる。図５Ａから見られるように、異種オーバーコート領域のいずれも書込み器または読取り器の表面に設けられていない。この装置の異種オーバーコート領域５１０および５２０は、磁気書込み器のダウントラック方向の両側に設けられたものとして説明することができる。
図５Ｂは、クロストラック方向から見た装置の側面図を示す。ＡＢＳは、この画像の上部にある。装置５００は、詳細が示されず、読取り器、書込み器および／またはＮＦＴを備えることができるトランスデューサ５０８と、オーバーコート層５２５および少なくとも１つの異種オーバー領域５２１を備える可変オーバーコート層とを含む。図５Ｂに示すように、オーバーコート層５２５は、平均高さまたは厚さｔによって説明されてもよい。一部の実施形態において、オーバーコート層は、たとえば５Å〜１００Åの厚さｔを有してもよい。なお、少なくとも１つの異種オーバーコート領域５２１は、実際に、クロストラック方向から見た側面図の背面に位置する第２異種オーバーコート領域を隠している。図５Ｂはまた、異種オーバーコート領域の高さｈを示している。異種オーバーコート領域の高さｈは、独立して特徴付けられてもよく、オーバーコート層の厚さｔに対して（たとえば、厚さｔよりｘだけ厚い）特徴付けられてもよい。異種オーバーコート領域の特定の高さｈは、多くの異なる要因に基づいて選択されてもよい。一部の実施形態において、図５Ａおよび図５Ｂに示されているような異種オーバーコート領域は、たとえば５Å〜８０Åの高さを有してもよい。
このような異種オーバーコート領域は、ランディングパッドまたは緩衝面のように機能することができる。記録ヘッドが作動されるときに、ランディングパッドは、ディスクに接触するように機能する。ランディングパッドは、トランスデューサ要素（読取り器、書込み器、ＮＦＴなど）がディスク表面に接触するときにまたは接触する前に、ディスク表面に接触することができる。代替的にまたは付加的には、ランディングパッドは、読取り器、書込み器、またはＮＦＴを全くディスク表面に接触させないように機能することができる。したがって、ランディングパッドは、摩擦荷重を支えること、接触総面積を増大させること、磨耗率を減少させること、接触検知信号の生成に寄与すること、またはそれらの組合わせが可能である。
磁気読取り器と磁気書込み器との両者から離れて設けられた異種オーバーコート領域は、さらに他の追加的または選択的機能を有してもよい。このような異種オーバーコート領域の形状または輪郭が選択または設計され、トランスデューサ領域内における潤滑剤および／または汚染物質粒子の移動を制御することができる。それらの異種オーバーコート領域を配置することにより、局所の加圧を変化させることができ、よって表面の冷却を変え局所ヒーターの効率を高めることができる。それらの異種オーバーコート領域は、ＡＢＳ上に設けられた他の機構とともに、接触時の負荷を分担することができる。接触による摩耗がそれらの異種オーバーコート領域に転移され、したがって、それらの異種オーバーコート領域は、より繊細な機構の摩耗を最小限にすることができる。
異種オーバーコート領域の例示的な設計は、図５Ａに示された、ヘッドの中心線および／またはトランスデューサ機構の側方に設置された領域、（ウエハの一部を構成し、今まで利用されていった接触パッドと同様な形状に設計することができる）アップトラック領域またはダウントラック領域、またはリング状や箱状のＮＦＴを囲むパターン化された領域を含んでもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート領域を、異種オーバーコート領域により保護されるべき領域または機構の比較的近くに設けてもよい。一部の実施形態において、異種オーバーコート領域を、処理が許容する限り、保護されるべき機構の近くに設けてもよい。一部の実施形態において、動作の熱によるＡＢＳの突出が考慮されるように、異種オーバーコート領域（形状および寸法）を設けまたは設計してもよい。一部の実施形態において、ヘッドをつや焼きした後に最終的な形状および寸法が得られるように、異種オーバーコート領域を設けまたは設計してもよい。
一部の実施形態において、可変オーバーコート層のさまざまな部分がさまざまな材料を含んでもよい。たとえば、可変オーバーコート層の１つ以上の部分は、保護特性（たとえば、耐摩耗性および耐腐食性など）により選択される材料、接着促進特性により選択される材料、および光学特性により選択される材料を含んでもよい。一部の実施形態において、光学性能と耐摩耗性を同時に提供し得るような誘電材料として機能し得る材料を使用してもよい。保護特性を有することができる材料の例は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含んでもよい。接着促進特性を有することができる材料の例は、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、それらの酸化物もしくは窒化物、またはそれらの組合わせを含んでもよい。
開示された装置は、さまざまな技術を用いて製造することができる。たとえば、フォトリソグラフィ法および堆積技術のさまざまな組合わせを利用することができる。装置を製造する方法の選択は、オーバーコート層と異種オーバーコート部分との相違、異種オーバーコート部分の配置、オーバーコート層と異種オーバーコート部分との材料、ここで考慮されなかったさまざまな他の要因、またはそれらの組合わせによって決定してもよい。
開示された方法の例示的な実施形態は、たとえば、基板の表面の少なくとも一部に第１層を堆積させる工程と、パターン化された露出領域を形成するため、表面の少なくとも１つの領域をマスキングする工程と、表面上に第２層を堆積させる工程と、露出領域を覆っていないマスク層と第２層とを除去する工程とを含んでもよい。図６Ａ〜図６Ｄは、このような方法を経る装置の例示的な概略図を示している。なお、図６Ａ〜図６Ｄは、基板６０１を示している。基板６０１は、装置と、装置の内部およびその上に形成された構造体とを含んでもよい。たとえば、基板は、磁気読取り器、磁気書込み器、ＮＦＴ、またはそれらの組合わせを含んでもよい。
図６Ａは、基板６０１と基板の上に堆積された第１層６０３とを含む物品６０２を示す。第１層６０３は、たとえばスパッタ堆積法、プラズマ蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）および蒸発法などを含むさまざまな方法を用いて堆積させることができる。第１層６０３は、さまざまな材料を含むことができる。一部の実施形態において、第１層６０３は、その下にある構造体または層を保護するように機能することができる材料であってもよい。したがって、第１層６０３は、たとえばダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）、ＴａＯｘおよびＣＳｉＮを含むことができる。一部の実施形態において、第１層６０３は、ＤＬＣを含んでもよい。
図６Ｂは、マスク層６０５を堆積した後の物品６２０を示す。マスク層６０５を第１層６０３の全面に堆積させてもよく、第１層６０３の一部の表面に堆積させてもよい。マスク層６０５は、さまざまな材料を含んでもよい。一部の実施形態において、マスク層６０５は、最終的にさまざまな所望の構造体を提供するための空洞を形成するようにパターン化することができる材料であってもよい。したがって、マスク層６０５は、たとえば、フォトレジストおよびアルミナを含むことができる。一部の実施形態において、マスク層６０５は、フォトレジストを含んでもよい。
図６Ｃは、次の工程、すなわち、マスク部分および露出部分を形成するため、マスク層６０５の表面の少なくとも１つの領域を露出させる工程が完了した後の物品６０４を示す。図６Ｂおよび図６Ｃに示された工程は、「少なくとも１つの露出領域を形成するため、表面の領域をマスキングする」工程を行なう１つの方法である。物品６０４は、第１層６０３の表面に形成されたマスク部分６０５ａおよび６０５ｂを含む。露出工程の後、例示された物品におけるマスク部分６０５ａおよび６０５ｂは、非露出領域６１５ａおよび６１５ｂと、露出領域６１６とを形成する。第１層６０３の表面上には、複数のオプションのマスク領域を任意な所望のパターンまたは形状に形成することができる。マスク部分６０５ａおよび６０５ｂは、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いて形成されてもよい。マスク部分６０５ａおよび６０５ｂは、さまざまなフォトリソグラフィ技術を用いて形成されてもよい。
図６Ｄは、次の工程、すなわち、表面上に第２層を堆積させる工程が完了した後の物品６０６を示す。物品６０６は、物品の表面に形成された第２層６０７を含む。一部の実施形態において、物品の全面に第２層６０７を形成してもよい。第２層６０７は、たとえばスパッタ堆積法、プラズマ蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）および蒸発法などを含むさまざまな方法を用いて堆積させることができる。第２層６０７は、さまざまな材料を含むことができる。一部の実施形態において、材料の保護特性に基づいて、第２層６０７を選択してもよい。したがって、第２層６０７は、たとえばダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）、ＴａＯｘおよびＣＳｉＮを含むことができる。一部の実施形態において、第２層６０７は、ＤＬＣを含んでもよい。
図６Ｅは、次の工程、すなわち、非露出部分とその上に形成された第２層とを除去する工程、換言すれば露出領域を覆っていないマスク層と第２層とを除去する工程が完了した後の物品６０８を示す。この除去工程は、たとえばレジストリフトオフ技術を用いて達成することができる。この工程の後で、物品６０８は、その表面上に第１層６０３を有する基板６０１を含む。第１層６０３の一部には、第２層６１１が形成される。第１層６０９の一部と第２層６１１の一部とにより構成された二層構造は、異種オーバーコート領域を形成することができる。第１層６０３の残り部分は、可変オーバーコートのオーバーコート層を形成することができる。
図７Ａ〜図７Ｄは、図６Ａ〜図６Ｅに示された方法よりもより具体的な方法のさまざまなステージにおける物品を示す。図７Ａの物品７０２は、トランスデューサ７０３を備える基板７０１から始まる。トランスデューサ７０３は、読取り器、書込み器、ＮＦＴ、またはこれらの組合わせを含んでもよい。基板７０１とトランスデューサ７０３との表面に、第１層７０５を堆積させる。第１層７０５は、保護特性を提供することができる材料を含むことができる。たとえば、第１層７０５は、ＤＬＣを含んでもよい。次に、領域をマスキングおよび露出させることにより、非露出領域および露出領域を作成する。この工程が完了した後の物品は、図７Ｂに示されている。物品７１０は、図７Ａに記載された構成要素と、露出領域７１３ａ，７１３ｂおよび非露出領域７１１を有するパターン化されたマスク層とを含む。この工程は、さまざまなフォトリソグラフィ工程を用いて行なうことができる。これらのフォトリソグラフィ工程は、それ自体が複数工程を含む工程であってもよい。次に、第２層を全面に堆積させる。この工程が完了した後の物品は、図７Ｃに示されている。物品７２０は、図７Ａおよび図７Ｂに記載された構成要素と、非露出領域７１１上の第２層７２１と、一般的に露出された領域７１３ａおよび７１３ｂ内に位置する第２層堆積物７２３ａおよび７２３ｂとを含む。また、露出領域７１３ａおよび７１３ｂの空洞の両側の第２層７２１の端部に、第２層の材料が存在してもよい。第２層７２１と第２層堆積物７２３ａおよび７２３ｂとは、一般に、同一の材料であり、１つの工程で全て堆積させることができる。一部の実施形態において、第２層７２１を２０Å〜１２０Åの厚さに堆積させてもよい。一部の実施形態において、第２層７２１を４０Å〜１００Åの厚さに堆積させてもよい。一部の実施形態において、第２層７２１を６０Åの厚さに堆積させてもよい。材料は、たとえばＤＬＣのような、保護特性を提供することができる材料を含んでもよい。図７Ｄは、次の工程、すなわち、パターン化されたマスク層および第２層の一部を除去する工程が完了した後の物品を示す。図７Ｄに見られるように、残された第２層の一部は、第２層堆積物７２３ａおよび７２３ｂのみである。この工程は、単一または複数の工程を含む工程を用いて行なうことができ、さまざまなレジストリフトオフ技術を含んでもよい。
図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃはそれぞれ、４０Åの厚さ（図８Ａ）、６０Åの厚さ（図８Ｂ）および８０Åの厚さ（図８Ｃ）を有する異種オーバーコート領域を備える可変オーバーコートが構築された装置の光学顕微鏡像を示す。画像の各々において、異種オーバーコート領域は、矢印で示されている。これらの異種オーバーコート領域は、たとえば図７Ａ〜図７Ｄに示された方法を用いて製造された。
上記に開示された方法を用いて、さまざまな種類の可変オーバーコートを製造することができる。一部の実施形態において、上記に開示された方法を用いて、磁気読取り器と磁気書込み器との両方から離れて位置する少なくとも１つの異種オーバーコート領域を有する可変オーバーコートを製造することができる。しかしながら、注意すべきことは、特定の方法およびそれに含まれる概念を、磁気書込み器の表面に設けられた少なくとも１つの異種オーバーコート領域を有する可変オーバーコートの製造に利用することができることである。
一部の実施形態において、磁気書込み器の表面に設けられた少なくとも１つの異種オーバーコート領域を有する可変オーバーコートは、さまざまな方法を用いて製造することができる。このような装置を製造する方法は、異なる領域に異なる空洞を作るまたはそれらの空洞を充填するか、または、層の形成およびエッチングを別々にするかのいずれに単純に分類することができる。その構想の両方は、フォトリソグラフィ技術の組合わせを用いてさまざまな方法で実現することができる。
１つの例示的な方法は、互いに隣接して基板上に設けられる磁気読取り器と磁気書込み器とを有する構造体を形成または得る工程を含む。このような物品は、図９Ａに示されている。この物品９０２は、磁気読取り器９０６と磁気書込み器９０８とをその上面またはその内部に設けた基板９０４を含む。構造体の全面に第１層を堆積させる次の工程が完了した後の物品９１０は、図９Ｂに示されている。物品９１０は、図９Ａに記載された上記構成要素と、第１層９１２とを含む。第１層９１２は、たとえばＤＬＣのような、保護特性を提供することができる材料を含むことができる。代替的に、第１層９１２は、後から堆積させられる層の接着性を高めるように設計されている材料を含むことができる。このような実施形態の一部において、第１層は、ＴａＯｘを含んでもよい。このような実施形態の一部において、第１層は３５Åの厚さを有してもよく、そのうちの２５Åは、後（次の工程）で除去されることができる。他の実施形態において、第１層は、６０Åの厚さを有してもよく、そのうちの５０Åは、後（次の工程）で除去されることができる。磁気読取り器の表面に設けられた第１層の一部を除去する次の工程が完了した後の物品９２０は、図９Ｃに示されている。物品９２０は、上記の構成要素と、第１層９２２の変更された部分とを含む。第１層９２２の変更された部分は、少なくとも磁気読取装置９０６の表面に位置する。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術を含むさまざまなマスキングおよびエッチング工程を用いて行なうことができる。第１層の全面に第２の層を堆積させる次の工程が完了した後の物品９３０は、図９Ｄに示されている。物品９３０は、上記の構成要素と、第２層９３２とを含む。第２層９３２は、たとえばＤＬＣのような、保護特性を提供することができる材料を含むことができる。第２層９３２は、磁気書込み器９０８の表面上に位置する異種オーバーコート領域９３６を形成する。第２層９３２の残りの部分は、可変オーバーコート領域９３６より薄くなっているオーバーコート層９３４を形成する。
別の例示的な方法は、基板上または内に設けられた少なくとも磁気書込み器を有する構造体を形成または提供する工程を含む。このような物品は、図１０Ａに示されている。物品１０００は、磁気書込み器１００４をその内部またはその上面に設けた基板１００２を含み得る。次の工程は、構造体の全面に第１層を堆積させることを含むことができる。図１０Ａに示された物品は、基板１００２と書込み器１００４との全面に設けられた第１層１００６を含む。第１層１００６は、たとえばＤＬＣのような、保護特性を提供することができる材料を含むことができる。次の工程は、磁気書込み器以外のすべてのものの表面上の第１層の一部を除去することを含むことができる。図１０Ｂに示されている物品１０１０は、書込み器１００４表面上の第１層１００６の一部をマスク１０１２によりマスキングすることによって、その工程を行なう１つの方法を示している。これは、さまざまなフォトリソグラフィ技術を用いて行なうことができる。マスク１０１２は、たとえばフォトレジストまたはアルミナなどの材料を含むことができる。図１０Ｃは、第１層１０２２の一部がマスク１０１２と磁気書込み器１００４との間に残され、第１層の残りの部分が除去された後の物品１０２０を示す。この工程は、さまざまなエッチング技術を用いて達成することができる。次の工程は、構造体の表面上に第２層を堆積させることを含むことができる。この工程が完了した後の物品は、図１０Ｄに見られる。この物品１０３０は、図１０Ｃに見られる上記の構成要素と、第２層１０３２とを含むことができる。第２層１０３２は、たとえばＤＬＣのような、保護特性を提供することができる材料を含むことができる。第２層は、異種オーバーコート領域１０３４とオーバーコート層（第２層１０３２の残りの部分）とを含む可変オーバーコートを形成するように機能する。この例では、異種オーバーコート領域１０３４は、第１層１０２２の一部と、マスク１０１２と、第２層１０３２の一部とを含むことができる。なお、第１層１０２２の一部と第２層１０３２の一部とを含む異種オーバーコート領域を作るため、第２層１０３２が堆積させられる前にマスク１０１２を除去することができる。
以下、１つの特定の例示的な方法を説明する。第１工程は、読取り器／書込み器／ＮＦＴの寸法を定義し、ＡＢＳ面を仕上げる。この工程は、たとえばキスラッピング（kiss lapping）により行なうことができる。次に、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のようなオーバーコートを読取り器／書込み器／ＮＦＴ上に堆積させる。ＤＬＣ層は、たとえば厚さ約２ｎｍであってもよい。その後、ＤＬＣ層上にハードマスクを堆積させる。典型的なハードマスク材料は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含む。次に、フォトパターニング技術を用いて、さらなる処理から読取り器を保護する。すなわち、既に塗布されたＤＬＣ層が最終的に読取り器表面上のハードマスク層となる。これらの工程を行った結果、読取り器領域の表面に保護構造が構築され、書込み器／ＮＦＴ領域が追加層を形成するために残されておく。図１１Ａは、保護構造が既に読取り器の上に構築され、ＤＬＣがまだ書込み器／ＮＦＴ領域からエッチングにより除去されていない時点での物品を示す。図１１Ｂは、書込み器／ＮＦＴ領域からＤＬＣ層を除去した直後の物品を示す。次に、書込み器／ＮＦＴ領域の表面に、別のオーバーコート層を（同じ材料から異なる厚さで、異なる材料から同じ厚さで、または異なる材料から異なる厚さで）堆積させる。別のオーバーコート層が堆積させられると、読取り器領域上の保護構造を除去することができる。図１１Ｃは、この工程が完了した後の物品を示す。
以下、別の特定の例示的な方法を説明する。装置は、たとえば、ＴａＯｘ層により覆われる。このＴａＯｘ層は、約２５Å〜約７５Åの厚さを有することができる。一部の実施形態において、ＴａＯｘ層は、約３５Å〜約６０Åの厚さを有してもよい。（完成した）装置は、図１２に示される。図１２の装置は、読取り器（Ｒ）と書込み器（Ｗ）の両方の表面に設けられたＴａＯブランケットを含む。選択的には、ＴａＯブランケットの表面にＤＬＣキャップ層（図１２に図示せず）を堆積させてもよい。ＤＬＣキャップ層が存在する場合、約５Å〜約１５Åの厚さを有してもよい。一部の実施形態において、ＤＬＣキャップ層は、約１０Åの厚さを有してもよい。次に、書込み器／ＮＦＴ領域の表面に保護構造を構築する。この工程は、たとえば、フォトパターニング技術を用いて行なうことができる。一部の実施形態において、保護構造は、６０μｍ×５μｍの単層レジストであってもよい。次に、保護構造が設けられた箇所以外のＴａＯ層部分をエッチングにより除去する。その後、保護構造を除去する。その結果、読取り器表面上のＴａＯｘ層より厚いＴａＯｘ層が書込み器の表面に形成される。このことは、図１２から見られる。図において、書込み器上のＴａＯ台がより厚い部分である。その後、構造体の全体にＤＬＣブランケットコーティングを塗布する。この方法による完成品は、図１２に示される。
このように、可変オーバーコート層を含む磁気装置の実施形態が開示される。上述の実現例および他の実現例は、以下に続く特許請求の範囲の範囲内にある。当業者であれば、本開示が開示されている以外の実施形態によって実施可能であることを理解するであろう。開示された実施形態は例示の目的で提示されるものであって、限定を目的とするものではない。

Claims (20)

  1. 磁気読取り器と、
    磁気書込み器と、
    可変オーバーコートとを含み、前記可変オーバーコートは、少なくとも前記磁気読取り器と前記磁気書込み器との表面に設けられ、
    前記可変オーバーコートは、
    オーバーコート層を含み、前記オーバーコート層は、ある材料を含みかつ実質的に一定の厚さを有し、
    少なくとも１つの異種オーバーコート部分を含み、前記異種オーバーコート部分は、前記オーバーコート層と異なる厚さ、または異なる材料、または異なる厚さおよび材料を有する、磁気装置。
  2. 前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、前記磁気書込み器の表面に設けられ、前記オーバーコート層より厚い厚さを有する、請求項１に記載の磁気装置。
  3. 前記異種オーバーコート部分の厚さは、約５０Åであって、前記オーバーコート層の厚さは、約２５Åである、請求項２に記載の磁気装置。
  4. 前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、前記磁気書込み器の表面に設けられ、前記オーバーコート層と異なる材料を含む、請求項１に記載の磁気装置。
  5. 前記オーバーコート層と前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分との両者は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含む、請求項１に記載の磁気装置。
  6. 前記異種オーバーコート部分は、ＴａＯｘをさらに含む、請求項５に記載の磁気装置。
  7. 前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、前記磁気読取り器と前記磁気書込み器との両者から離れて設けられる、請求項１に記載の磁気装置。
  8. 前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、前記オーバーコート層より厚い、請求項７に記載の磁気装置。
  9. 少なくとも２つの異種オーバーコート部分があり、その両者は、前記磁気読取り器と前記磁気書込み器との両者から離れて設けられる、請求項７に記載の磁気装置。
  10. 前記少なくとも１つの異種オーバーコート部分は、前記磁気書込み器を保護するように設計される、請求項１に記載の磁気装置。
  11. 前記少なくとも２つの異種オーバーコート部分は、前記磁気書込み器のダウントラック方向の両側に設けられる、請求項９に記載の磁気装置。
  12. 構造体の全面に第１層を堆積させる工程を含み、
    前記構造体は、磁気読取り器と磁気書込み器とを備え、前記磁気読取り器と前記磁気書込み器とは、基板上において互いに隣接して設けられ、
    少なくとも前記磁気読取り器の表面に設けられた前記第１層の一部を除去する工程と、
    前記第１層の全面に第２層を堆積させる工程とを含み、
    前記第１層と前記第２層とは、可変オーバーコートを構成し、前記可変オーバーコートは、前記磁気書込み器の表面に設けられた異種オーバーコート領域を有する、方法。
  13. 前記第１層は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記第１層の前記一部を除去する前に、前記磁気書込み器の表面に保護構造を形成する工程をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
  15. 構造体の全面に第１層を堆積させる工程を含み、
    前記構造体は、磁気読取り器と磁気書込み器とを備え、前記磁気読取り器と前記磁気書込み器とは、基板上において互いに隣接して設けられ、
    露出領域と非露出領域とを形成するため、前記表面の領域をマスキングする工程と、
    前記露出領域と前記非露出領域との表面に第２層を堆積させる工程と、
    前記非露出領域と、前記非露出領域上の前記第２層とを除去する工程とを含む、方法。
  16. 前記第１層は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含む、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記第２層は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含む、請求項１６に記載の方法。
  18. 露出領域と非露出領域とを形成するため、前記表面の領域をマスキングする前記工程は、フォトリソグラフィ法を用いて行われる、請求項１６に記載の方法。
  19. 前記第２層は、約４０Å〜約１００Åの厚さを有する、請求項１５に記載の方法。
  20. 前記第２層は、約６０Åの厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
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