JP2014119710A - Liquid crystal display unit and manufacturing method of the same - Google Patents

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由紀 松浦
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display unit capable of suppressing deterioration in reliability and in display quality, and a manufacturing method of the liquid crystal display unit.SOLUTION: The liquid crystal display unit comprises: a first substrate including a first insulation substrate, an insulation film arranged on the first insulation substrate, a pixel electrode formed on the insulation film in an active area for displaying an image, and a first alignment film covering the pixel electrode; a second substrate including a second insulation substrate, and a second alignment film arranged on a side opposite to the first substrate of the second insulation substrate and facing the first alignment film; a first dot-like spacer formed on one substrate and supporting the other substrate of the first substrate and the second substrate, and forming a cell gap between the first alignment film and the second alignment film; a second dot-like spacer formed on the other substrate and spaced apart from the one substrate of the first substrate and the second substrate; and a liquid crystal layer held by the cell gap.

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。   Liquid crystal display devices are utilized in various fields as display devices for OA equipment such as personal computers and televisions, taking advantage of features such as light weight, thinness, and low power consumption. In recent years, liquid crystal display devices are also used as mobile terminal devices such as mobile phones, display devices such as car navigation devices and game machines.

近年では、液晶表示装置、特にモバイル用途の製品において額縁部の縮小が求められている。このような狭額縁化の要望に対しては、アレイ基板と対向基板との合わせ精度を向上させ、且つ、シール材の位置精度も向上させ、さらにシール材の線幅を細くすることで、狭額縁化に対応しようとしている。例えば、従来の技術として、二酸化珪素を堆積しパターニングすることによって二重スペーサ壁を形成し、これらのスペーサ壁の間にシール材を配置する技術が提案されている。一方で、一対の基板間のセルギャップは、一方の基板上に有機系材料を用いて形成した柱状のスペーサによって制御する手法が主流である。   In recent years, there has been a demand for reduction of the frame portion in liquid crystal display devices, particularly products for mobile use. In order to meet such a demand for a narrow frame, the alignment accuracy between the array substrate and the counter substrate is improved, the positional accuracy of the sealing material is improved, and the line width of the sealing material is further narrowed. I'm trying to deal with picture frames. For example, as a conventional technique, a technique is proposed in which double spacer walls are formed by depositing and patterning silicon dioxide, and a sealing material is disposed between the spacer walls. On the other hand, a method in which the cell gap between a pair of substrates is controlled by a columnar spacer formed using an organic material on one substrate is mainly used.

今日のモバイル用途の液晶表示装置は、高精細化が進み、アクティブエリアはより広く、周辺エリアの額縁部分はより狭くなる設計が求められている。そのため、一画素あたりの開口率(表示に寄与する面積)を確保するために、スペーサを微細パターンにする必要がある。スペーサーサイズが小さくなってくると、露光量のばらつきによりサイズ(幅および高さ)の制御が難しく、サイズのばらつきに起因してセルギャップが十分に制御できず、表示ムラを発生するおそれがある。   Today's mobile-use liquid crystal display devices have been improved in definition, and there is a demand for a design in which the active area is wider and the frame portion of the peripheral area is narrower. Therefore, in order to ensure the aperture ratio (area contributing to display) per pixel, it is necessary to make the spacer a fine pattern. As the spacer size becomes smaller, it is difficult to control the size (width and height) due to variations in exposure, and the cell gap cannot be controlled sufficiently due to variations in size, which may cause display unevenness. .

ところで、液晶表示装置に用いられる各種有機系材料(例えば配向膜など)には、透水性を有する材料が適用される場合がある。このような有機系材料を介して浸透した水分は、液晶層に侵入して液晶材料を変質させるおそれがある。また、液晶表示装置に適用された配線材料が浸透した水分の影響で腐食するおそれもある。また、浸透した水分の影響を受けて配向膜の配向規制力が低下するおそれもある。このような液晶材料の変質、配線材料の腐食、配向規制力の低下は、信頼性の低下を招くとともに、表示品位の劣化を招くおそれがある。   By the way, a material having water permeability may be applied to various organic materials (for example, an alignment film) used for the liquid crystal display device. Moisture permeated through such an organic material may enter the liquid crystal layer and change the quality of the liquid crystal material. Moreover, there is a possibility that the wiring material applied to the liquid crystal display device may be corroded by the influence of moisture that has penetrated. In addition, there is a possibility that the alignment regulating force of the alignment film is reduced due to the influence of the penetrated moisture. Such deterioration of the liquid crystal material, corrosion of the wiring material, and a decrease in alignment regulation power may cause a decrease in reliability and a deterioration in display quality.

特開2007−219235号公報JP 2007-219235 A

本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制するとともに表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。   An object of the present embodiment is to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same that can suppress deterioration in reliability and display quality.

本実施形態によれば、
第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上に配置された絶縁膜と、画像を表示するアクティブエリアにおいて前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と対向する側に配置され前記第1配向膜と対向する第2配向膜と、を備えた第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板のうちの一方の基板に形成され他方の基板を支持し、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間にセルギャップを形成するドット状の第1スペーサと、前記第1基板及び前記第2基板のうちの他方の基板に形成され一方の基板から離間したドット状の第2スペーサと、前記セルギャップに保持された液晶層と、を備えた、液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
A first insulating substrate; an insulating film disposed on the first insulating substrate; a pixel electrode formed on the insulating film in an active area for displaying an image; a first alignment film covering the pixel electrode; A second substrate comprising: a first substrate including: a second insulating substrate; and a second alignment film disposed on a side of the second insulating substrate facing the first substrate and facing the first alignment film. A dot shape that is formed on one of the substrate and the first substrate and the second substrate, supports the other substrate, and forms a cell gap between the first alignment film and the second alignment film. A first spacer, a dot-shaped second spacer formed on the other of the first substrate and the second substrate and spaced from the one substrate, and a liquid crystal layer held in the cell gap. A liquid crystal display device is provided.

本実施形態によれば、
第1絶縁基板上に絶縁膜を形成し、画像を表示するアクティブエリアにおいて絶縁膜上に画素電極を形成し、前記画素電極上または前記絶縁膜上に第1スペーサをドット状に形成し、前記画素電極を覆う第1配向膜を形成した第1基板を用意し、アクティブエリアにおいて第2絶縁基板の前記第1基板と対向する側に前記第1スペーサとは異なる高さの第2スペーサをドット状に形成し、第2配向膜を形成した第2基板を用意し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、前記第1スペーサまたは前記第2スペーサが他方の基板を支持して前記第1配向膜と前記第2配向膜との間にセルギャップを形成する、液晶表示装置の製造方法が提供される。
According to this embodiment,
Forming an insulating film on the first insulating substrate; forming a pixel electrode on the insulating film in an active area for displaying an image; forming a first spacer in a dot shape on the pixel electrode or on the insulating film; A first substrate on which a first alignment film covering the pixel electrode is formed is prepared, and a second spacer having a height different from that of the first spacer is formed on the side of the second insulating substrate facing the first substrate in the active area. A second substrate having a second alignment film formed thereon is prepared, the first substrate and the second substrate are bonded together, and the first spacer or the second spacer supports the other substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device is provided in which a cell gap is formed between the first alignment film and the second alignment film.

図1は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な表示パネルPNLの一例を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a display panel PNL applicable to the liquid crystal display device of this embodiment. 図2は、図1に示した表示パネルPNLの構造の一例を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the display panel PNL shown in FIG. 図3は、アレイ基板ARの製造工程を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a manufacturing process of the array substrate AR. 図4は、対向基板CTの製造工程を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing process of the counter substrate CT. 図5は、図1に示した表示パネルPNLの構造の他の例を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the structure of the display panel PNL shown in FIG. 図6は、本実施形態に適用可能なフォトマスクの一例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an example of a photomask applicable to this embodiment.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な表示パネルPNLの一例を概略的に示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a display panel PNL applicable to the liquid crystal display device of this embodiment.

すなわち、表示パネルPNLは、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルであり、アレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板CTと、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。アレイ基板ARと対向基板CTとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材SEによって貼り合わせられている。このセルギャップは、アレイ基板ARまたは対向基板CTに形成された柱状の第1スペーサSP1によって形成されている。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとの間のセルギャップにおいてシール材SEによって囲まれた内側に保持されている。   That is, the display panel PNL is an active matrix type liquid crystal display panel, and includes an array substrate AR, a counter substrate CT arranged to face the array substrate AR, and a liquid crystal held between the array substrate AR and the counter substrate CT. And a layer LQ. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together with a sealant SE in a state where a predetermined cell gap is formed between them. The cell gap is formed by a columnar first spacer SP1 formed on the array substrate AR or the counter substrate CT. The liquid crystal layer LQ is held on the inner side surrounded by the sealing material SE in the cell gap between the array substrate AR and the counter substrate CT.

このような表示パネルPNLは、シール材SEによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。アクティブエリアACTは、例えば、略長方形状であり、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている(但し、m及びnは正の整数である)。   Such a display panel PNL includes an active area ACT for displaying an image inside surrounded by the seal material SE. The active area ACT has, for example, a substantially rectangular shape and includes a plurality of pixels PX arranged in an m × n matrix (where m and n are positive integers).

アレイ基板ARは、第1方向Xに沿って延出したゲート配線G、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿って延出しゲート配線Gと交差するソース配線S、ゲート配線G及びソース配線Sに接続されたスイッチング素子SW、スイッチング素子SWに接続された画素電極PEなどを備えている。液晶層LQを介して画素電極PEの各々と対向する対向電極CEは、例えば対向基板CTに備えられているが、アレイ基板ARに備えられていても良い。   The array substrate AR includes a gate line G extending along a first direction X, a source line S extending along a second direction Y orthogonal to the first direction X, a gate line G, and a source A switching element SW connected to the wiring S, a pixel electrode PE connected to the switching element SW, and the like are provided. The counter electrode CE that faces each of the pixel electrodes PE via the liquid crystal layer LQ is provided, for example, on the counter substrate CT, but may be provided on the array substrate AR.

図示した例では、第1方向Xに隣接する3つの画素PX1乃至PX3の等価回路が示されている。これらの画素PX1乃至PX3は、互いに異なる色を表示する色画素であって、例えば画素PX1は赤色画素であり、画素PX2は緑色画素であり、画素PX3は青色画素である。つまり、3つの画素PX1乃至PX3がメイン画素に相当し、画素PX1乃至PX3のそれぞれがサブ画素に相当する。以下で「画素」という表記をした際にはサブ画素を意味するものとする。高精細仕様の場合、サブ画素の第1方向Xに沿った幅は20μm以下である。   In the illustrated example, an equivalent circuit of three pixels PX1 to PX3 adjacent in the first direction X is shown. These pixels PX1 to PX3 are color pixels that display different colors. For example, the pixel PX1 is a red pixel, the pixel PX2 is a green pixel, and the pixel PX3 is a blue pixel. That is, the three pixels PX1 to PX3 correspond to main pixels, and each of the pixels PX1 to PX3 corresponds to sub-pixels. In the following description, “pixel” refers to a sub-pixel. In the case of high-definition specifications, the width along the first direction X of the sub-pixel is 20 μm or less.

画素PX1では、スイッチング素子SW1はゲート配線G及びソース配線S1に接続され、画素電極PE1はスイッチング素子SW1に接続され、液晶層LQを介して対向電極CEと対向している。画素PX2では、スイッチング素子SW2はゲート配線G及びソース配線S2に接続され、画素電極PE2はスイッチング素子SW2に接続され、液晶層LQを介して対向電極CEと対向している。画素PX3では、スイッチング素子SW3はゲート配線G及びソース配線S3に接続され、画素電極PE3はスイッチング素子SW3に接続され、液晶層LQを介して対向電極CEと対向している。   In the pixel PX1, the switching element SW1 is connected to the gate line G and the source line S1, and the pixel electrode PE1 is connected to the switching element SW1 and faces the counter electrode CE via the liquid crystal layer LQ. In the pixel PX2, the switching element SW2 is connected to the gate line G and the source line S2, and the pixel electrode PE2 is connected to the switching element SW2 and faces the counter electrode CE via the liquid crystal layer LQ. In the pixel PX3, the switching element SW3 is connected to the gate line G and the source line S3, and the pixel electrode PE3 is connected to the switching element SW3 and faces the counter electrode CE through the liquid crystal layer LQ.

アクティブエリアACTにおいて、第1スペーサSP1は、ドット状に形成され、第2方向Yに隣接する画素間に配置されている。この第1スペーサSP1は、各画素に配置しても良いが、数画素置きに配置しても良い。図示した例では、第1スペーサSP1は、第1方向X及び第2方向Yについて、1メイン画素置きに配置されている。   In the active area ACT, the first spacer SP1 is formed in a dot shape and is disposed between pixels adjacent in the second direction Y. The first spacer SP1 may be arranged in each pixel, but may be arranged every several pixels. In the illustrated example, the first spacers SP1 are arranged every other main pixel in the first direction X and the second direction Y.

また、アクティブエリアACTにおいては、第1スペーサSP1の他に、第2スペーサSP2が配置されている。この第2スペーサSP2は、第1スペーサSP1とは異なり、主としてセルギャップを形成するために機能するものではない。詳細については後述するが、これらの第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2について、一方のスペーサがアレイ基板ARに形成され、他方のスペーサが対向基板CTに形成されている。   In the active area ACT, the second spacer SP2 is arranged in addition to the first spacer SP1. Unlike the first spacer SP1, the second spacer SP2 does not function mainly for forming a cell gap. Although details will be described later, one of the first spacer SP1 and the second spacer SP2 is formed on the array substrate AR, and the other spacer is formed on the counter substrate CT.

この第2スペーサSP2は、ドット状に形成され、第2方向Yに隣接する画素間に配置され、第1方向Xに略等間隔で並んでいる。図示した例では、隣接する第1スペーサSP1の間には5つの第2スペーサSP2がライン上に並んでいる場合もあるし、複数の第2スペーサSP2のみがライン上に並んでいる場合もある。なお、第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2のレイアウトについては、図示した例に限らない。   The second spacers SP2 are formed in a dot shape, are arranged between pixels adjacent in the second direction Y, and are arranged at substantially equal intervals in the first direction X. In the illustrated example, five second spacers SP2 may be arranged on the line between adjacent first spacers SP1, or only a plurality of second spacers SP2 may be arranged on the line. . The layout of the first spacer SP1 and the second spacer SP2 is not limited to the illustrated example.

駆動ICチップ2及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット(FPC)基板3などの表示パネルPNLの駆動に必要な信号を供給する信号供給源は、アクティブエリアACTよりも外側の周辺エリアPRPに実装されている。これらの信号供給源としては、ゲート配線Gと接続されたゲートドライバ、ソース配線Sと接続されたソースドライバ、対向電極CEにコモン電位を供給する給電部などが含まれている。   A signal supply source for supplying signals necessary for driving the display panel PNL such as the driving IC chip 2 and the flexible printed circuit (FPC) substrate 3 is mounted in the peripheral area PRP outside the active area ACT. . These signal supply sources include a gate driver connected to the gate line G, a source driver connected to the source line S, a power supply unit that supplies a common potential to the counter electrode CE, and the like.

図示した例では、駆動ICチップ2及びFPC基板3は、対向基板CTの基板端部CTEよりも外側に延出したアレイ基板ARの実装部MTに実装されている。周辺エリアPRPは、アクティブエリアACTを囲むエリアであり、シール材SEが配置されるエリアを含み、矩形枠状に形成されている。   In the illustrated example, the drive IC chip 2 and the FPC board 3 are mounted on the mounting portion MT of the array substrate AR that extends outward from the substrate end portion CTE of the counter substrate CT. The peripheral area PRP is an area surrounding the active area ACT and includes an area where the sealing material SE is disposed, and is formed in a rectangular frame shape.

シール材SEは、アクティブエリアACTを囲む矩形枠状に形成されている。また、図示した例では、周辺エリアPRPには、第1バンクBK1及び第2バンクBK2がそれぞれ形成されている。これらの第1バンクBK1及び第2バンクBK2について、詳細は後述するが、一方のバンクがアレイ基板ARに形成され、他方のバンクが対向基板CTに形成されている。第1バンクBK1及び第2バンクBK2は、それぞれアクティブエリアACTを囲む矩形枠状に形成されている。つまり、第1バンクBK1及び第2バンクBK2は、それぞれ第1方向X及び第2方向Yに沿ってライン状に形成されている。   The sealing material SE is formed in a rectangular frame shape surrounding the active area ACT. In the illustrated example, a first bank BK1 and a second bank BK2 are formed in the peripheral area PRP. Although the details of the first bank BK1 and the second bank BK2 will be described later, one bank is formed on the array substrate AR and the other bank is formed on the counter substrate CT. The first bank BK1 and the second bank BK2 are each formed in a rectangular frame shape surrounding the active area ACT. That is, the first bank BK1 and the second bank BK2 are formed in a line along the first direction X and the second direction Y, respectively.

X−Y平面内において、第1バンクBK1と第2バンクBK2とは重ならず、第1バンクBK1と第2バンクBK2との間には隙間が形成されている。また、第1バンクBK1は周辺エリアPRPのうちのパネル端部側(つまり、アクティブエリアACTから離れた側)に位置し、第2バンクBK2は周辺エリアPRPのうちのアクティブエリアACTに近接する側(つまり、アクティブエリアACTと第1バンクBK1との間)に位置している。なお、第1バンクBK1及び第2バンクBK2は、図示した例に限らず、それぞれ複数本ずつ設けても良い。   In the XY plane, the first bank BK1 and the second bank BK2 do not overlap, and a gap is formed between the first bank BK1 and the second bank BK2. The first bank BK1 is located on the panel end side of the peripheral area PRP (that is, the side away from the active area ACT), and the second bank BK2 is the side close to the active area ACT in the peripheral area PRP. (In other words, it is located between the active area ACT and the first bank BK1). The first bank BK1 and the second bank BK2 are not limited to the illustrated example, and a plurality of each may be provided.

これらの第1バンクBK1及び第2バンクBK2のうちの少なくとも一方はシール材SEに包含されており、周辺エリアPRPにおいてより外側に位置するバンクがシール材SEに包含されていることが望ましい。図示した例では、第1バンクBK1及び第2バンクBK2の双方がシール材SEに包含されている。   It is desirable that at least one of the first bank BK1 and the second bank BK2 is included in the seal material SE, and a bank located further outside in the peripheral area PRP is included in the seal material SE. In the illustrated example, both the first bank BK1 and the second bank BK2 are included in the sealing material SE.

なお、表示パネルPNLの詳細な構成については説明を省略するが、TN(Twisted Nematic)モード、OCB(Optically Compensated Bend)モード、VA(Vertical Aligned)モードなどの主として縦電界を利用するモードや、IPS(In−Plane Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モードなどの主として横電界を利用するモードなどを適用可能に構成されている。横電界を利用するモードを適用した構成では、画素電極PE及び対向電極CEの双方がアレイ基板ARに備えられる。   Although the detailed configuration of the display panel PNL is not described, a mode that mainly uses a vertical electric field such as a TN (Twisted Nematic) mode, an OCB (Optically Compensated Bend) mode, a VA (Vertical Aligned) mode, and the like, IPS A mode that mainly uses a lateral electric field such as an (In-Plane Switching) mode and an FFS (Fringe Field Switching) mode can be applied. In a configuration in which a mode using a lateral electric field is applied, both the pixel electrode PE and the counter electrode CE are provided on the array substrate AR.

図2は、図1に示した表示パネルPNLの構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、画素電極PEがアレイ基板ARに備えられ、対向電極CEが対向基板CTに備えられた構成例の断面図を図示している。   FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the display panel PNL shown in FIG. Here, a cross-sectional view of a configuration example in which the pixel electrode PE is provided on the array substrate AR and the counter electrode CE is provided on the counter substrate CT is illustrated.

アレイ基板ARは、ガラス基板などの透明な第1絶縁基板10を用いて形成されている。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいては、第1絶縁基板10の対向基板CTに対向する側に、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、画素電極PE、第1スペーサSP1、第1配向膜AL1、図示しないスイッチング素子などを備えている。また、アレイ基板ARは、周辺エリアPRPにおいては、第1絶縁基板10の対向基板CTに対向する側に、アクティブエリアACTから延在した第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12、外周配線W、第1バンクBK1、第1配向膜AL1などを備えている。   The array substrate AR is formed using a transparent first insulating substrate 10 such as a glass substrate. In the active area ACT, the array substrate AR has a first insulating film 11, a second insulating film 12, a pixel electrode PE, a first spacer SP1, a first alignment on the side of the first insulating substrate 10 facing the counter substrate CT. A film AL1, a switching element (not shown), and the like are provided. In the peripheral area PRP, the array substrate AR has a first insulating film 11 and a second insulating film 12 extending from the active area ACT on the side of the first insulating substrate 10 facing the counter substrate CT, and an outer peripheral wiring W. , A first bank BK1, a first alignment film AL1, and the like.

第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に配置されている。また、第1絶縁膜11は、アクティブエリアACTのみならず周辺エリアPRPにも延在している。この第1絶縁膜11は、例えば、シリコン酸化物(SiO)やシリコン窒化物(SiN)などの無機系材料によって形成されており、無機系材料からなる絶縁層の単層構造であっても良いし、無機系材料からなる複数の絶縁層の積層構造であっても良い。   The first insulating film 11 is disposed on the first insulating substrate 10. The first insulating film 11 extends not only to the active area ACT but also to the peripheral area PRP. The first insulating film 11 is made of an inorganic material such as silicon oxide (SiO) or silicon nitride (SiN), and may have a single layer structure of an insulating layer made of an inorganic material. In addition, a laminated structure of a plurality of insulating layers made of an inorganic material may be used.

外周配線Wは、第1絶縁膜11の上に形成されている。この外周配線Wは、ゲート配線Gやソース配線Sと同一層の配線材料によって形成されている。外周配線Wに適用される配線材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、チタン(Ti)、銀(Ag)などの単体、合金、複数の金属の積層体などが挙げられる。なお、ここでは、外周配線Wは、所望の電位の単なる配線であっても良いし、周辺エリアPRPに配置される各種回路であっても良い。   The outer peripheral wiring W is formed on the first insulating film 11. The outer peripheral wiring W is formed of a wiring material in the same layer as the gate wiring G and the source wiring S. As a wiring material applied to the peripheral wiring W, for example, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), silver (Ag), or the like, an alloy, or a laminate of a plurality of metals Etc. Here, the outer peripheral wiring W may be a simple wiring having a desired potential, or may be various circuits arranged in the peripheral area PRP.

第2絶縁膜12は、層間絶縁膜であり、アクティブエリアACTのみならず周辺エリアPRPにも延在し、第1絶縁膜の上に配置されている。この第2絶縁膜12は、周辺エリアPRPにおいて、外周配線Wを覆っている。より具体的には、第2絶縁膜12は、外周配線Wの上面及び側面を覆っている。換言すると、外周配線Wは、外部に露出することなく、外気あるいは外気に含まれる水分に直接曝されることはない。このような第2絶縁膜12は、その表面を平坦化するものであり、例えば透明な樹脂などの有機系材料によって形成されているが、透水性の低い材料であることが望ましい。なお、第2絶縁膜12は、さらに透水性の低い無機系材料によって形成しても良いし、充填密度の高い材料によって形成しても良い。このような材料からなる第2絶縁膜12が外周配線Wを覆うことにより、第2絶縁膜12を介して浸透した水分による外周配線Wの腐食を抑制することが可能である。   The second insulating film 12 is an interlayer insulating film, extends not only to the active area ACT but also to the peripheral area PRP, and is disposed on the first insulating film. The second insulating film 12 covers the outer peripheral wiring W in the peripheral area PRP. More specifically, the second insulating film 12 covers the upper surface and side surfaces of the outer peripheral wiring W. In other words, the outer peripheral wiring W is not exposed to the outside and is not directly exposed to the outside air or moisture contained in the outside air. Such a second insulating film 12 planarizes the surface and is formed of an organic material such as a transparent resin, for example, but is preferably a material with low water permeability. Note that the second insulating film 12 may be formed of an inorganic material having a lower water permeability or a material having a higher packing density. By covering the outer peripheral wiring W with the second insulating film 12 made of such a material, it is possible to suppress corrosion of the outer peripheral wiring W due to moisture permeated through the second insulating film 12.

画素電極PEは、アクティブエリアACTにおいて、第2絶縁膜12の上に形成されている。画素電極PEを形成する材料については、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)などの透明な導電材料でも良いし、アルミニウムなどの反射性の金属材料であっても良い。   The pixel electrode PE is formed on the second insulating film 12 in the active area ACT. The material for forming the pixel electrode PE may be a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or a reflective metal material such as aluminum.

第1バンクBK1は、周辺エリアPRPにおいて、第2絶縁膜12の上に形成されている。図示した例では、第1バンクBK1は、第2絶縁膜12に接している底面よりも対向基板CT側の上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第1バンクBK1は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良い。なお、第1バンクBK1は、第2絶縁膜12の上の領域のうち、第1絶縁基板10の基板端部10Eの近傍に位置していることが望ましい。このような第1バンクBK1は、例えば樹脂材料によって形成されている。   The first bank BK1 is formed on the second insulating film 12 in the peripheral area PRP. In the illustrated example, the first bank BK1 has a reverse tapered cross-sectional shape in which the upper surface on the counter substrate CT side is larger than the bottom surface in contact with the second insulating film 12. Further, although not shown, the first bank BK1 may have a rectangular shape, that is, a cross-sectional shape in which the bottom surface and the top surface are substantially the same shape and face each other with substantially the same area. The first bank BK1 is desirably located in the vicinity of the substrate end 10E of the first insulating substrate 10 in the region on the second insulating film 12. Such first bank BK1 is made of, for example, a resin material.

第1スペーサSP1は、アクティブエリアACTにおいて、画素電極PEの上あるいは第2絶縁膜12の上に形成され、その一部が画素電極PEまたは第2絶縁膜12の上に形成されていても良い。図示した例では、第1スペーサSP1は、底面よりも上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第1スペーサSP1は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良いし、順テーパー状、つまり上面よりも底面の方が拡大した断面形状を有していても良い。つまり、第1スペーサSP1は、第1バンクBK1と同等の断面形状を有していても良いし、異なる断面形状を有していても良い。なお、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1の高さについては略同一である。このような第1スペーサSP1は、例えば、第1バンクBK1と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。   The first spacer SP1 may be formed on the pixel electrode PE or the second insulating film 12 in the active area ACT, and a part thereof may be formed on the pixel electrode PE or the second insulating film 12. . In the illustrated example, the first spacer SP1 has a reverse tapered cross-sectional shape in which the upper surface is larger than the bottom surface. Although not shown, the first spacer SP1 may have a rectangular shape, that is, a cross-sectional shape in which the bottom surface and the top surface are substantially the same shape and face each other with substantially the same area, or a forward taper shape, that is, a top surface. The bottom surface may have a cross-sectional shape that is enlarged. That is, the first spacer SP1 may have a cross-sectional shape equivalent to that of the first bank BK1, or may have a different cross-sectional shape. Note that the heights of the first spacer SP1 and the first bank BK1 are substantially the same. Such a first spacer SP1 is formed of, for example, the same resin material as that of the first bank BK1. That is, the first bank BK1 and the first spacer SP1 can be collectively formed in the same process using the same material.

第1配向膜AL1は、アクティブエリアACTにおいて、画素電極PEを覆うとともに第2絶縁膜12の上に配置されている。また、第1配向膜AL1は、周辺エリアPRPにも延在し、第2絶縁膜12の上に配置されている。この第1配向膜AL1は、詳述していないが、第1スペーサSP1の上面及び第1バンクの上面にも配置されているものの、第1バンクBK1の側面では途切れている。つまり、逆テーパー状の断面形状を有する第1バンクBK1については、第1配向膜AL1によって完全に覆われることはなく、第1配向膜AL1のうち、第1バンクBK1の上面に残った部分と、第2絶縁膜12の上に配置された部分との間が分断されている。第1スペーサSP1については、第1配向膜AL1によって完全に覆われていても良いし、第1バンクBK1と同様に、第1スペーサSP1の側面で第1配向膜AL1が途切れていても良い。   The first alignment film AL1 covers the pixel electrode PE and is disposed on the second insulating film 12 in the active area ACT. The first alignment film AL1 also extends to the peripheral area PRP and is disposed on the second insulating film 12. Although not described in detail, the first alignment film AL1 is also disposed on the upper surface of the first spacer SP1 and the upper surface of the first bank, but is interrupted on the side surface of the first bank BK1. That is, the first bank BK1 having a reverse tapered cross-sectional shape is not completely covered by the first alignment film AL1, and the portion of the first alignment film AL1 remaining on the upper surface of the first bank BK1 The portion disposed on the second insulating film 12 is divided. The first spacer SP1 may be completely covered with the first alignment film AL1, or, like the first bank BK1, the first alignment film AL1 may be interrupted on the side surface of the first spacer SP1.

一方、対向基板CTは、ガラス基板などの透明な第2絶縁基板20を用いて形成されている。対向基板CTは、アクティブエリアACTにおいては、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する側に、図示を省略したブラックマトリクス、カラーフィルタ22、オーバーコート層23、対向電極CE、第2スペーサSP2、第2配向膜AL2などを備えている。また、対向基板CTは、周辺エリアPRPにおいて、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する側に、周辺遮光層24、アクティブエリアACTから延在したオーバーコート層23、第2バンクBK2、第2配向膜AL2などを備えている。   On the other hand, the counter substrate CT is formed using a transparent second insulating substrate 20 such as a glass substrate. In the active area ACT, the counter substrate CT has a black matrix, a color filter 22, an overcoat layer 23, a counter electrode CE, and a second spacer SP2 which are not shown on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR. And the second alignment film AL2. In the peripheral area PRP, the counter substrate CT has a peripheral light shielding layer 24, an overcoat layer 23 extending from the active area ACT, a second bank BK2, a second bank BK2 on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR. A bi-alignment film AL2 is provided.

ブラックマトリクス及び周辺遮光層24は、第2絶縁基板20のアレイ基板ARと対向する側に形成されている。ブラックマトリクスは、アクティブエリアACTにおいて、ゲート配線G、ソース配線S、スイッチング素子SWなどの配線部と対向し、格子状に形成されている。周辺遮光層24は、周辺エリアPRPにおいて略全域に亘って延在し、アクティブエリアACTのブラックマトリクスと繋がっている。このような周辺遮光層24は、例えば、黒色に着色された樹脂材料や、クロム(Cr)などの遮光性の金属材料によって形成されている。   The black matrix and the peripheral light shielding layer 24 are formed on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR. The black matrix is formed in a lattice shape in the active area ACT so as to face the wiring portions such as the gate wiring G, the source wiring S, and the switching element SW. The peripheral light shielding layer 24 extends over substantially the entire area of the peripheral area PRP and is connected to the black matrix of the active area ACT. Such a peripheral light shielding layer 24 is formed of, for example, a resin material colored in black or a light shielding metal material such as chromium (Cr).

カラーフィルタ22は、アクティブエリアACTにおいて、第2絶縁基板20のアレイ基板ARと対向する側に形成されている。このようなカラーフィルタ22は、例えば、赤色、緑色、青色などにそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色画素には赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタが配置され、緑色画素には緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタが配置され、青色画素には青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタが配置されている。   The color filter 22 is formed on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR in the active area ACT. Such a color filter 22 is formed of, for example, a resin material colored in red, green, blue, or the like. A red color filter made of a resin material colored in red is arranged in the red pixel, a green color filter made of a resin material colored in green is arranged in the green pixel, and a resin colored blue in the blue pixel A blue color filter made of material is arranged.

オーバーコート層23は、アクティブエリアACTにおいて、カラーフィルタ22を覆うとともに、周辺エリアPRPに延在し、周辺遮光層24を覆っている。このようなオーバーコート層23は、例えば透明な樹脂材料によって形成されている。   The overcoat layer 23 covers the color filter 22 in the active area ACT, extends to the peripheral area PRP, and covers the peripheral light shielding layer 24. Such an overcoat layer 23 is formed of, for example, a transparent resin material.

対向電極CEは、アクティブエリアACTにおいて、オーバーコート層23のアレイ基板ARと対向する側に形成されている。このような対向電極CEは、ITOなどの透明な導電材料によって形成されている。   The counter electrode CE is formed on the side of the overcoat layer 23 that faces the array substrate AR in the active area ACT. Such a counter electrode CE is formed of a transparent conductive material such as ITO.

第2バンクBK2は、周辺エリアPRPにおいて、オーバーコート層23の上に形成されている。図示した例では、第2バンクBK2は、オーバーコート層23に接している底面よりもアレイ基板AR側の上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第2バンクBK2は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良い。なお、第2バンクBK2は、オーバーコート層23の上の領域のうち、第2絶縁基板20の基板端部20Eの近傍に位置しているが、第1バンクBK1の直上の位置よりアクティブエリアACT側に位置している。このような第2バンクBK2は、第1バンクBK1と同様に、例えば樹脂材料によって形成されている。なお、第2バンクBK2の高さは、第1バンクBK1の高さとは異なり、図示した例では、第2バンクBK2の高さ(オーバーコート層23に接している底面から上面までの厚さ)は第1バンクBK1の高さ(第2絶縁膜12に接している底面から上面までの厚さ)よりも低い。   The second bank BK2 is formed on the overcoat layer 23 in the peripheral area PRP. In the illustrated example, the second bank BK2 has a reverse tapered cross-sectional shape in which the upper surface on the array substrate AR side is larger than the bottom surface in contact with the overcoat layer 23. Further, although not shown, the second bank BK2 may have a rectangular shape, that is, a cross-sectional shape in which the bottom surface and the top surface are substantially the same shape and face each other with substantially the same area. Note that the second bank BK2 is located in the vicinity of the substrate end 20E of the second insulating substrate 20 in the region on the overcoat layer 23, but the active area ACT from the position immediately above the first bank BK1. Located on the side. Such a second bank BK2 is formed of, for example, a resin material, like the first bank BK1. Note that the height of the second bank BK2 is different from the height of the first bank BK1, and in the illustrated example, the height of the second bank BK2 (thickness from the bottom surface contacting the overcoat layer 23 to the top surface). Is lower than the height of the first bank BK1 (the thickness from the bottom surface to the top surface in contact with the second insulating film 12).

第2スペーサSP2は、アクティブエリアACTにおいて、対向電極CEの上に形成されている。図示した例では、第2スペーサSP2は、底面よりも上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第2スペーサSP2は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良いし、順テーパー状、つまり上面よりも底面の方が拡大した断面形状を有していても良い。つまり、第2スペーサSP2は、第2バンクBK2と同等の断面形状を有していても良いし、異なる断面形状を有していても良い。第2スペーサSP2及び第2バンクBK2の高さについては略同一である。なお、第2スペーサSP2の高さは、第1スペーサSP1の高さとは異なり、図示した例では、第2スペーサSP2の高さ(対向電極CEに接している底面から上面までの厚さ)は第1スペーサSP1の高さ(画素電極PEあるいは第2絶縁膜12に接している底面から上面までの厚さ)よりも低い。このような第2スペーサSP2は、例えば、第2バンクBK2と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。   The second spacer SP2 is formed on the counter electrode CE in the active area ACT. In the illustrated example, the second spacer SP2 has a reverse tapered cross-sectional shape in which the upper surface is larger than the bottom surface. Although not shown, the second spacer SP2 may have a rectangular shape, that is, a cross-sectional shape in which the bottom surface and the top surface are substantially the same shape and face each other with substantially the same area, or a forward taper shape, that is, a top surface. The bottom surface may have a cross-sectional shape that is enlarged. That is, the second spacer SP2 may have a cross-sectional shape equivalent to that of the second bank BK2, or may have a different cross-sectional shape. The heights of the second spacer SP2 and the second bank BK2 are substantially the same. Note that the height of the second spacer SP2 is different from the height of the first spacer SP1, and in the illustrated example, the height of the second spacer SP2 (thickness from the bottom surface to the upper surface contacting the counter electrode CE) is It is lower than the height of the first spacer SP1 (thickness from the bottom surface to the top surface in contact with the pixel electrode PE or the second insulating film 12). Such a second spacer SP2 is formed of, for example, the same resin material as that of the second bank BK2. That is, the second bank BK2 and the second spacer SP2 can be collectively formed in the same process using the same material.

第2配向膜AL2は、アクティブエリアACTにおいて、対向電極CEを覆っている。また、第2配向膜AL2は、周辺エリアPRPにも延在し、オーバーコート層23を覆っている。この第2配向膜AL2は、詳述していないが、第2スペーサSP2の上面及び第2バンクBK2の上面にも配置されているものの、第2バンクBK2の側面で途切れている。つまり、逆テーパー状の断面形状を有する第2バンクBK2については、第2配向膜AL2によって完全に覆われることはなく、第2配向膜AL2のうち、第2バンクBK2の上面に残った部分と、オーバーコート層23を覆っている部分との間が分断されている。第2スペーサSP2については、第2配向膜AL2によって完全に覆われていても良いし、第2バンクBK2と同様に、第2スペーサSP2の側面で第2配向膜AL2が途切れていても良い。   The second alignment film AL2 covers the counter electrode CE in the active area ACT. The second alignment film AL2 also extends to the peripheral area PRP and covers the overcoat layer 23. Although not described in detail, the second alignment film AL2 is also disposed on the upper surface of the second spacer SP2 and the upper surface of the second bank BK2, but is interrupted on the side surface of the second bank BK2. That is, the second bank BK2 having a reverse tapered cross-sectional shape is not completely covered by the second alignment film AL2, and the portion of the second alignment film AL2 remaining on the upper surface of the second bank BK2 The portion covering the overcoat layer 23 is divided. The second spacer SP2 may be completely covered with the second alignment film AL2, or, like the second bank BK2, the second alignment film AL2 may be interrupted on the side surface of the second spacer SP2.

図示した例では、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1の高さはアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間のセルギャップと同等である一方で、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2の高さはセルギャップよりも小さい。つまり、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1は、それぞれ第2配向膜AL2に接しており、対向基板CTを支持するメインスペーサとして機能する。第2スペーサSP2及び第2バンクBK2は、それぞれ第1配向膜AL1には接しておらず、アレイ基板ARから離間したサブスペーサとして機能する。   In the illustrated example, the height of the first spacer SP1 and the first bank BK1 is equivalent to the cell gap between the first alignment film AL1 of the array substrate AR and the second alignment film AL2 of the counter substrate CT. The heights of the second spacer SP2 and the second bank BK2 are smaller than the cell gap. That is, the first spacer SP1 and the first bank BK1 are in contact with the second alignment film AL2, respectively, and function as main spacers that support the counter substrate CT. The second spacer SP2 and the second bank BK2 are not in contact with the first alignment film AL1, and function as sub-spacers spaced from the array substrate AR.

なお、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1の高さと、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2の高さとの大小関係を逆にしても良い。つまり、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2のそれぞれが第1配向膜AL1に接しアレイ基板ARを支持するメインスペーサとして機能する一方で、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1は、それぞれ第2配向膜AL2には接しておらず、対向基板CTから離間したサブスペーサとして機能するように構成しても良い。   The magnitude relationship between the height of the first spacer SP1 and the first bank BK1 and the height of the second spacer SP2 and the second bank BK2 may be reversed. That is, each of the second spacer SP2 and the second bank BK2 functions as a main spacer that is in contact with the first alignment film AL1 and supports the array substrate AR, while the first spacer SP1 and the first bank BK1 are each in the second alignment. You may comprise so that it may function as a sub-spacer which is not in contact with film | membrane AL2 and was spaced apart from counter substrate CT.

上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が対向するように配置され、主として第1スペーサSP1により所定のセルギャップが形成された状態でシール材SEによって貼り合わせられている。第1バンクBK1及び第2バンクBK2は、シール材SEによって包囲されている。つまり、第1バンクBK1のうちの側面、及び、第2バンクBK2のうちの側面は、いずれもシール材SEによって覆われている。また、第2バンクBK2とアレイ基板ARとの間には、シール材SEが介在している。   The array substrate AR and the counter substrate CT as described above are arranged so that the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 face each other, and are sealed in a state where a predetermined cell gap is formed mainly by the first spacer SP1. The material SE is bonded together. The first bank BK1 and the second bank BK2 are surrounded by the seal material SE. That is, both the side surface of the first bank BK1 and the side surface of the second bank BK2 are covered with the sealing material SE. Further, a seal material SE is interposed between the second bank BK2 and the array substrate AR.

液晶層LQは、シール材SEによって囲まれた内側に封入されている。第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2は、液晶層LQによって包囲されている。つまり、第1スペーサSP1のうちの側面、及び、第2スペーサSP2のうちの側面は、いずれも液晶層LQによって覆われている。また、第2スペーサSP2とアレイ基板ARとの間には、液晶層LQが介在している。   The liquid crystal layer LQ is enclosed inside surrounded by the seal material SE. The first spacer SP1 and the second spacer SP2 are surrounded by the liquid crystal layer LQ. That is, the side surface of the first spacer SP1 and the side surface of the second spacer SP2 are both covered with the liquid crystal layer LQ. Further, a liquid crystal layer LQ is interposed between the second spacer SP2 and the array substrate AR.

第1絶縁基板10の外面には、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。第2絶縁基板20の外面には、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が接着されている。   A first optical element OD1 including a first polarizing plate PL1 is disposed on the outer surface of the first insulating substrate 10. A second optical element OD2 including a second polarizing plate PL2 is bonded to the outer surface of the second insulating substrate 20.

次に、上述した表示パネルPNLの製造方法の一例について説明する。なお、表示パネルPNLを製造するに際しては、複数のアレイ基板ARを一括して形成する第1マザー基板、及び、複数の対向基板CTを一括して形成する第2マザー基板をそれぞれ用意し、これらの第1マザー基板及び第2マザー基板を貼り合わせた後に、単個の表示パネルPNLに割断する手法を採用する場合があるが、ここでは簡略化して説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the display panel PNL described above will be described. Note that when manufacturing the display panel PNL, a first mother substrate that collectively forms a plurality of array substrates AR and a second mother substrate that collectively forms a plurality of counter substrates CT are prepared. A method of cleaving into a single display panel PNL after the first mother substrate and the second mother substrate are bonded together may be employed.

図3は、アレイ基板ARの製造工程を説明するための図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining a manufacturing process of the array substrate AR.

まず、図中の(a)で示したように、第1絶縁基板10の上に、第1絶縁膜11を形成する。その後、周辺エリアPRPにおいて、第1絶縁膜11の上に外周配線W等を形成するとともに、アクティブエリアACTにおいては図示しないがゲート配線やソース配線などの各種配線を形成する。その後、第2絶縁膜12を形成する。なお、図示を省略しているが、これらの製造過程でスイッチング素子も同時に形成する。第2絶縁膜12は、無機系材料で形成しても良いし、有機系材料で形成しても良い。その後、アクティブエリアACTにおいては、第2絶縁膜12の上に画素電極PEを形成し、スイッチング素子と電気的に接続する。   First, as shown by (a) in the drawing, the first insulating film 11 is formed on the first insulating substrate 10. Thereafter, in the peripheral area PRP, the outer peripheral wiring W and the like are formed on the first insulating film 11, and in the active area ACT, various wirings such as a gate wiring and a source wiring are formed although not shown. Thereafter, the second insulating film 12 is formed. Although not shown, switching elements are also formed at the same time in these manufacturing processes. The second insulating film 12 may be formed of an inorganic material or an organic material. Thereafter, in the active area ACT, the pixel electrode PE is formed on the second insulating film 12 and electrically connected to the switching element.

続いて、フォトリソグラフィープロセスにより、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1を形成する。すなわち、図中の(b)で示したように、アクティブエリアACT及び周辺エリアPRPにおいて、第2絶縁膜12の上及び画素電極PEの上にレジストR1を塗布する。レジストR1を塗布する手法については、特に問わないが、例えばスリットコーターやスピンコーターなどを用いる手法が適用可能である。このレジストR1は、比較的厚い膜厚で塗布され、例えば3.5μmの膜厚で塗布される。レジストR1としては、例えば光照射によって硬化するネガ型のフォトレジストが適用可能である。このようなレジストR1を塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクPM1を介してレジストR1を露光する。フォトマスクPM1の開口パターンは、例えば中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。レジストR1のうち、開口パターンを介して露光された領域は硬化が進行する。   Subsequently, the first spacer SP1 and the first bank BK1 are formed by a photolithography process. That is, as shown by (b) in the drawing, the resist R1 is applied on the second insulating film 12 and the pixel electrode PE in the active area ACT and the peripheral area PRP. The method for applying the resist R1 is not particularly limited. For example, a method using a slit coater or a spin coater can be applied. The resist R1 is applied with a relatively thick film thickness, for example, with a film thickness of 3.5 μm. As the resist R1, for example, a negative photoresist that is cured by light irradiation is applicable. After applying such a resist R1, the resist R1 is exposed through a photomask PM1 in which a desired opening pattern is formed. The opening pattern of the photomask PM1 is formed so that, for example, the light irradiation amount in the peripheral portion is lower than that in the central portion. In the resist R1, the region exposed through the opening pattern is cured.

続いて、図中の(c)で示したように、レジストR1を現像することで、アクティブエリアACTにおいては画素電極PEの上に第1スペーサSP1を形成するとともに、周辺エリアPRPにおいては第2絶縁膜12の上に第1バンクBK1を形成する。すなわち、現像処理により、レジストR1のうちの未硬化部分が除去され、硬化した部分のみが逆テーパー状の断面を有する形で残り、アクティブエリアACTにおいてはドット状の第1スペーサSP1が形成され、周辺エリアPRPにおいてはアクティブエリアACTを囲むライン状の第1バンクBK1が形成される。このようにして形成された第1スペーサSP1の寸法の一例として、画素電極PEに接している底面からの高さH1は3.3μmであり、上面の幅W1は5μmであった。第1バンクBK1の寸法についても第1スペーサSP1と同等であった。   Subsequently, as shown by (c) in the figure, the resist R1 is developed to form the first spacer SP1 on the pixel electrode PE in the active area ACT and the second in the peripheral area PRP. A first bank BK1 is formed on the insulating film 12. That is, the uncured portion of the resist R1 is removed by the development process, and only the cured portion remains in a shape having a reverse-tapered cross section, and the dot-shaped first spacer SP1 is formed in the active area ACT. In the peripheral area PRP, a line-shaped first bank BK1 surrounding the active area ACT is formed. As an example of the dimensions of the first spacer SP1 formed in this way, the height H1 from the bottom surface in contact with the pixel electrode PE was 3.3 μm, and the width W1 of the top surface was 5 μm. The size of the first bank BK1 was also the same as that of the first spacer SP1.

続いて、図中の(d)で示したように、画素電極PE、第1スペーサSP1、第2絶縁膜12、及び、第1バンクBK1の上から配向膜材料を印刷する。配向膜材料の印刷は、アクティブエリアACT及び周辺エリアPRPの全面に対して一括して行う。印刷する配向膜材料の膜厚は、例えば、0.05μm〜0.1μm程度である。このようにして印刷された配向膜材料は、画素電極PE及び第2絶縁膜12の上に配置されるとともに、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1の上面にも配置される(図中では第1スペーサSP1及び第1バンクBK1の上面の配向膜材料を省略している)。一方で、第1バンクBK1のみならず第1スペーサSP1が逆テーパー状に形成されているため、印刷された配向膜材料は、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1の側面に塗布されない。このため、周辺エリアPRPにおいて、ライン状の第1バンクBK1を挟んで内側(つまりアクティブエリアACTに隣接する側)と外側(第1絶縁基板10の基板端部10E側)とで第1配向膜AL1が分断される。つまり、第1バンクBK1によって囲まれた内側に位置する第1配向膜AL1は、第1バンクBK1の外側の領域とは繋がっていない。なお、第1配向膜AL1には必要に応じて配向処理を行っても良い。   Subsequently, as shown by (d) in the drawing, an alignment film material is printed from above the pixel electrode PE, the first spacer SP1, the second insulating film 12, and the first bank BK1. The alignment film material is printed all over the active area ACT and the peripheral area PRP. The thickness of the alignment film material to be printed is, for example, about 0.05 μm to 0.1 μm. The alignment film material printed in this way is disposed on the pixel electrode PE and the second insulating film 12, and is also disposed on the upper surfaces of the first spacer SP1 and the first bank BK1 (in the drawing, the first film The alignment film material on the upper surface of one spacer SP1 and the first bank BK1 is omitted). On the other hand, since not only the first bank BK1 but also the first spacer SP1 is formed in a reverse taper shape, the printed alignment film material is not applied to the side surfaces of the first bank BK1 and the first spacer SP1. Therefore, in the peripheral area PRP, the first alignment film is formed on the inner side (that is, the side adjacent to the active area ACT) and the outer side (the substrate end portion 10E side of the first insulating substrate 10) with the linear first bank BK1 interposed therebetween. AL1 is divided. That is, the first alignment film AL1 located on the inner side surrounded by the first bank BK1 is not connected to the region outside the first bank BK1. The first alignment film AL1 may be subjected to an alignment process as necessary.

以上の工程を経てアレイ基板ARが製造される。   The array substrate AR is manufactured through the above steps.

続いて、図中の(e)で示したように、シール材SEを形成する。このシール材SEは、ディスペンサーを用いて描画しても良いし、印刷版を用いて印刷しても良い。このようなシール材SEは、第1バンクBK1を包含するようにアクティブエリアACTを囲む矩形枠状に形成される。   Subsequently, as shown by (e) in the drawing, a sealing material SE is formed. The sealing material SE may be drawn using a dispenser or may be printed using a printing plate. Such a sealing material SE is formed in a rectangular frame shape surrounding the active area ACT so as to include the first bank BK1.

図4は、対向基板CTの製造工程を説明するための図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing process of the counter substrate CT.

まず、図中の(a)で示したように、第2絶縁基板20の上に、アクティブエリアACTにおいては図示しないブラックマトリクスやカラーフィルタ22を形成し、周辺エリアPRPにおいては周辺遮光層24を形成した後に、オーバーコート層23を形成する。その後、アクティブエリアACTにおいて、オーバーコート層23の上に対向電極CEを形成する。   First, as shown by (a) in the figure, a black matrix and a color filter 22 (not shown) are formed on the second insulating substrate 20 in the active area ACT, and the peripheral light shielding layer 24 is formed in the peripheral area PRP. After the formation, an overcoat layer 23 is formed. Thereafter, the counter electrode CE is formed on the overcoat layer 23 in the active area ACT.

続いて、フォトリソグラフィープロセスにより、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2を形成する。すなわち、図中の(b)で示したように、オーバーコート層23の上にレジストR2を塗布する。レジストR2を塗布する手法については、レジストR1を塗布する手法と同様の手法が適用可能である。このレジストR2は、レジストR1よりも薄い膜厚で塗布され、例えば3.1μmの膜厚で塗布される。レジストR2としては、例えばネガ型のフォトレジストが適用可能である。このようなレジストR2を塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクPM2を介してレジストR2を露光する。フォトマスクPM2の開口パターンは、例えば中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。レジストR2のうち、開口パターンを介して露光された領域は硬化が進行する。   Subsequently, the second spacer SP2 and the second bank BK2 are formed by a photolithography process. That is, as shown by (b) in the figure, a resist R2 is applied on the overcoat layer 23. As a method for applying the resist R2, a method similar to the method for applying the resist R1 can be applied. This resist R2 is applied with a film thickness thinner than that of the resist R1, for example, with a film thickness of 3.1 μm. For example, a negative photoresist can be used as the resist R2. After applying such a resist R2, the resist R2 is exposed through a photomask PM2 in which a desired opening pattern is formed. The opening pattern of the photomask PM2 is formed so that, for example, the light irradiation amount in the peripheral portion is lower than that in the central portion. In the resist R2, the region exposed through the opening pattern is cured.

続いて、図中の(c)で示したように、レジストR2を現像することで、アクティブエリアACTにおいては対向電極CEの上に第2スペーサSP2を形成するとともに、周辺エリアPRPにおいてはオーバーコート層23の上に第2バンクBK2を形成する。すなわち、現像処理により、レジストRのうちの未硬化部分が除去され、硬化した部分のみが逆テーパー状の断面を有する形で残り、アクティブエリアACTにおいてはドット状の第2スペーサSP2が形成され、周辺エリアPRPにおいてはアクティブエリアACTを囲むライン状の第2バンクBK2が形成される。このようにして形成された第2スペーサSP2の寸法の一例として、対向電極CEに接している底面からの高さH2は2.9μmであり、上面の幅W2は5μmであった。第2バンクBK2の寸法についても第2スペーサSP2と同等であった。   Subsequently, as shown by (c) in the figure, the resist R2 is developed to form the second spacer SP2 on the counter electrode CE in the active area ACT and overcoat in the peripheral area PRP. A second bank BK2 is formed on the layer 23. That is, the uncured portion of the resist R is removed by the development process, and only the cured portion remains in a shape having a reverse tapered cross section, and the dot-shaped second spacer SP2 is formed in the active area ACT. In the peripheral area PRP, a line-shaped second bank BK2 surrounding the active area ACT is formed. As an example of the dimension of the second spacer SP2 formed in this manner, the height H2 from the bottom surface in contact with the counter electrode CE was 2.9 μm, and the width W2 of the top surface was 5 μm. The size of the second bank BK2 was also the same as that of the second spacer SP2.

続いて、図中の(d)で示したように、対向電極CE、第2スペーサSP2、オーバーコート層23、及び、第2バンクBK2の上から配向膜材料を印刷する。配向膜材料の印刷は、アクティブエリアACT及び周辺エリアPRPの全面に対して一括して行う。印刷する配向膜材料の膜厚は、例えば、0.05μm〜0.1μm程度である。このようにして印刷された配向膜材料は、対向電極CE及びオーバーコート層23の上に配置されるとともに、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2の上面に配置される(図中では第2スペーサSP2及び第2バンクBK2の上面の配向膜材料を省略している)。一方で、第2バンクBK2のみならず第2スペーサSP2が逆テーパー状に形成されているため、印刷された配向膜材料は、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2の側面に塗布されない。このため、周辺エリアにおいて、ライン状の第2バンクBK2を挟んで内側(つまりアクティブエリアACTに隣接する側)と外側(第2絶縁基板20の基板端部20E側)とで第2配向膜AL2が分断される。つまり、第2バンクBK2によって囲まれた内側に位置する第2配向膜AL2は、第2バンクBK2の外側の領域とは繋がっていない。なお、第2配向膜AL2には必要に応じて配向処理を行っても良い。   Subsequently, as shown by (d) in the drawing, an alignment film material is printed from above the counter electrode CE, the second spacer SP2, the overcoat layer 23, and the second bank BK2. The alignment film material is printed all over the active area ACT and the peripheral area PRP. The thickness of the alignment film material to be printed is, for example, about 0.05 μm to 0.1 μm. The alignment film material printed in this manner is disposed on the counter electrode CE and the overcoat layer 23, and is disposed on the upper surfaces of the second spacer SP2 and the second bank BK2 (the second spacer in the drawing). The alignment film material on the upper surface of SP2 and the second bank BK2 is omitted). On the other hand, since not only the second bank BK2 but also the second spacer SP2 is formed in a reverse taper shape, the printed alignment film material is not applied to the side surfaces of the second bank BK2 and the second spacer SP2. Therefore, in the peripheral area, the second alignment film AL2 is formed on the inner side (that is, the side adjacent to the active area ACT) and the outer side (the substrate end 20E side) with the line-shaped second bank BK2 interposed therebetween. Is divided. That is, the second alignment film AL2 located on the inner side surrounded by the second bank BK2 is not connected to a region outside the second bank BK2. The second alignment film AL2 may be subjected to an alignment process as necessary.

以上の工程を経て対向基板CTが製造される。   The counter substrate CT is manufactured through the above steps.

その後、上記のアレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる。このとき、第1スペーサSP1及び第1バンクBK1は対向基板CTを支持し、第2スペーサSP2及び第2バンクBK2はアレイ基板ARから離間している。アレイ基板AR及び対向基板CTを貼り合わせるに際しては、例えばアレイ基板ARに閉ループ状のシール材SEを形成し、シール材SEで囲まれた内側に液晶材料を滴下した後に、対向基板CTと貼り合わせる手法を適用しても良いし、アレイ基板ARに液晶注入口を有するシール材SEを形成し、対向基板CTと貼り合わせた後に、液晶注入口から液晶材料を注入し、封止する手法を適用しても良い。これにより、図2に示したような断面構造を有する表示パネルPNLが製造される。   Thereafter, the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together. At this time, the first spacer SP1 and the first bank BK1 support the counter substrate CT, and the second spacer SP2 and the second bank BK2 are separated from the array substrate AR. When the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together, for example, a closed loop seal material SE is formed on the array substrate AR, and after the liquid crystal material is dropped inside the seal material SE, the liquid crystal material is bonded to the counter substrate CT. A method may be applied, or a sealing material SE having a liquid crystal injection port is formed on the array substrate AR and bonded to the counter substrate CT, and then a liquid crystal material is injected from the liquid crystal injection port and sealed. You may do it. Thereby, the display panel PNL having the cross-sectional structure as shown in FIG. 2 is manufactured.

このような本実施形態によれば、アクティブエリアACTにおいて、主としてセルギャップを形成するための第1スペーサ(メインスペーサ)SP1及び第1スペーサSP1よりも低い高さの第2スペーサ(サブスペーサ)SP2がそれぞれ配置されている。このため、第1スペーサSP1によりセルギャップを均一に保持しつつ、且つ、外部から押圧されるような応力が加わった際に第2スペーサSP2が機能してクッション性を向上することができ、外部からの押圧力に対する強度を向上することが可能となる。しかも、第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2は互いに異なる基板に形成されている(一例として、第1スペーサSP1はアレイ基板ARに形成され、第2スペーサSP2は対向基板CTに形成されている)。このため、高さの異なる2種類のスペーサを一括して形成する場合と比較して、それぞれのスペーサを安定したサイズ(高さ及び幅)で形成することが可能となる。特に、高精細化の要求に対して微細パターンが必要とされる場合であっても、第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2をそれぞれ所望のサイズで容易且つ安定的に形成することが可能となる。したがって、セルギャップの不均一、あるいは、セルギャップのムラに起因した表示品位の劣化を抑制することが可能となる。   According to the present embodiment, in the active area ACT, the first spacer (main spacer) SP1 for mainly forming a cell gap and the second spacer (sub-spacer) SP2 having a height lower than the first spacer SP1. Are arranged respectively. For this reason, while maintaining the cell gap uniformly by the first spacer SP1, the second spacer SP2 can function and improve the cushioning property when a stress that is pressed from the outside is applied. It is possible to improve the strength against the pressing force. In addition, the first spacer SP1 and the second spacer SP2 are formed on different substrates (for example, the first spacer SP1 is formed on the array substrate AR, and the second spacer SP2 is formed on the counter substrate CT). . For this reason, it is possible to form each spacer with a stable size (height and width) as compared with the case where two types of spacers having different heights are collectively formed. In particular, even when a fine pattern is required for high definition, the first spacer SP1 and the second spacer SP2 can be easily and stably formed in desired sizes. . Therefore, it is possible to suppress deterioration in display quality due to nonuniform cell gaps or uneven cell gaps.

また、低温環境において液晶材料が収縮した状態で外部から大きな衝撃が加わったとしても、第2スペーサSP2がクッションの役割を果たし、液晶層LQでの気泡(低温気泡)の発生を抑制することが可能となる。したがって、信頼性の低下を抑制することが可能となる。   In addition, even when a large impact is applied from the outside in a low temperature environment with the liquid crystal material contracted, the second spacer SP2 serves as a cushion and can suppress the generation of bubbles (low temperature bubbles) in the liquid crystal layer LQ. It becomes possible. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability.

また、本実施形態によれば、アレイ基板ARは、周辺エリアPRPにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第1バンクBK1と、第1バンクBK1の側面で途切れた第1配向膜AL1と、を備えている。また、対向基板CTは、周辺エリアPRPにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第2バンクBK2と、第2バンクBK2の側面で途切れた第2配向膜AL2と、を備えている。つまり、第1配向膜AL1は第1バンクBK1を挟んでその内側と外側とで分断され、第2配向膜AL2は第2バンクBK2を挟んでその内側と外側とで分断される。   Further, according to the present embodiment, the array substrate AR is discontinuous at the side of the first bank BK1 and the first bank BK1 formed in a line shape having a reverse taper shape or a rectangular cross section in the peripheral area PRP. And a first alignment film AL1. Further, the counter substrate CT includes a second bank BK2 having a reverse tapered shape or a rectangular cross-sectional shape in the peripheral area PRP and formed in a line shape, and a second alignment film AL2 interrupted at the side surface of the second bank BK2. It is equipped with. That is, the first alignment film AL1 is divided between the inside and outside of the first bank BK1, and the second alignment film AL2 is divided between the inside and outside of the second bank BK2.

これにより、たとえ第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の端部が外部に露出したとしても、第1配向膜AL1の端部から浸透した水分の第1バンクBK1よりも内側への更なる浸透、及び、第2配向膜AL2の端部から浸透した水分の第2バンクBK2よりも内側への更なる浸透を抑制することが可能となる。したがって、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2を介して浸透した水分による不具合の発生(液晶層への水分の侵入、配線材料の腐食、配向膜の配向規制力の低下など)を抑制することが可能となる。   As a result, even if the end portions of the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are exposed to the outside, the moisture penetrating from the end portions of the first alignment film AL1 further inward from the first bank BK1. It is possible to suppress the permeation and further permeation of the water permeated from the end of the second alignment film AL2 to the inner side of the second bank BK2. Therefore, the occurrence of defects due to moisture permeated through the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 (intrusion of moisture into the liquid crystal layer, corrosion of the wiring material, a decrease in the alignment regulating force of the alignment film, etc.) is suppressed. It becomes possible.

特に、近年では、高精細化及び狭額縁化の要望が高まり、シール材SEから基板端部10E及び20Eまでの距離が短くなってきているため、アレイ基板ARと対向基板CTとの貼り合わせのマージンなどを考慮すると、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、所望の領域のみに印刷して形成する(つまり、配向膜の端部が外部に露出しないように形成する)には、高い精度が要求される。   In particular, in recent years, demands for higher definition and narrower frames have increased, and the distance from the sealing material SE to the substrate end portions 10E and 20E has become shorter, so that the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together. In consideration of a margin or the like, the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are formed by printing only in a desired region (that is, formed so that the end portion of the alignment film is not exposed to the outside). High accuracy is required.

このような課題に対して、本実施形態では、比較的ラフな印刷技術でアクティブエリアACT及び周辺エリアPRPの全面に亘って配向膜材料を印刷することで第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2を形成している。印刷された配向膜材料は、逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有する第1バンクBK1の側面及び第2バンクBKの側面で途切れるため、第1バンクBK1の内側と外側に位置する第1配向膜AL1を分断するとともに、第2バンクBK2の内側と外側に位置する第1配向膜AL1を分断している。このため、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2から浸透した水分の透過経路を遮断することが可能となる。このため、信頼性の低下及び表示品位の劣化の抑制を実現しつつ、高精細化及び狭額縁化に対応することが可能となる。   In order to deal with such a problem, in the present embodiment, the first alignment film AL1 and the second alignment film are printed by printing the alignment film material over the entire surface of the active area ACT and the peripheral area PRP with a relatively rough printing technique. AL2 is formed. Since the printed alignment film material is interrupted at the side surface of the first bank BK1 and the side surface of the second bank BK having an inversely tapered or rectangular cross-sectional shape, the first alignment located on the inner side and the outer side of the first bank BK1. The film AL1 is divided, and the first alignment film AL1 located inside and outside the second bank BK2 is divided. For this reason, it is possible to block the permeation path of moisture permeated from the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2. For this reason, it becomes possible to cope with high definition and narrow frame while realizing reduction in reliability and deterioration in display quality.

また、第1バンクBK1及び第2バンクBK2は、アクティブエリアACTを囲む連続的な枠状に形成されているため、アクティブエリアを囲む全周に亘って第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2を介した水分の透過経路をより低減することが可能となる。   Further, since the first bank BK1 and the second bank BK2 are formed in a continuous frame shape surrounding the active area ACT, the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are formed over the entire circumference surrounding the active area. It is possible to further reduce the moisture permeation path via the.

また、第1バンクBK1は、第2バンクBK2よりもアレイ基板ARの基板端部10E側に位置している。つまり、第1バンクBK1は、表示パネルPNLのより端部に近い位置で水分の透過経路を遮断し、第1配向膜AL1への水分の浸透をより抑制することが可能となるため、同一基板上の外周配線Wへの水分の到達をより抑制することが可能となる。   The first bank BK1 is located closer to the substrate end 10E side of the array substrate AR than the second bank BK2. That is, the first bank BK1 can block the moisture transmission path at a position closer to the end of the display panel PNL and further suppress the penetration of moisture into the first alignment film AL1. It becomes possible to further suppress the arrival of moisture to the upper peripheral wiring W.

また、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1は同一材料を用いて一括して形成することが可能であり、また、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2は同一材料を用いて一括して形成することが可能であるため、製造工程の増加を抑制することが可能となる。また、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1を同時に形成するに際して、フォトマスクの開口パターンに応じて、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1の断面形状を同等にすることも可能であるし、異ならせることも可能である。この点については、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2を同時に形成するに際しても同様のことが言える。   Further, the first bank BK1 and the first spacer SP1 can be collectively formed using the same material, and the second bank BK2 and the second spacer SP2 are collectively formed using the same material. Therefore, it is possible to suppress an increase in the manufacturing process. Further, when the first bank BK1 and the first spacer SP1 are formed at the same time, the cross-sectional shapes of the first bank BK1 and the first spacer SP1 can be made equal or different depending on the opening pattern of the photomask. It is also possible to The same applies to the second bank BK2 and the second spacer SP2 formed simultaneously.

次に、他の構造例について説明する。すなわち、第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2の少なくとも一方は、順テーパー状の断面形状を有していても良い。   Next, another structural example will be described. That is, at least one of the first spacer SP1 and the second spacer SP2 may have a forward tapered cross-sectional shape.

図5は、図1に示した表示パネルPNLの構造の他の例を概略的に示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the structure of the display panel PNL shown in FIG.

ここに示した構造例は、図2に示した構造例と比較して、第1スペーサSP1及び第2スペーサSP2がいずれも順テーパー状の断面形状を有する点で相違している。すなわち、アクティブエリアACTにおいて、アレイ基板ARに備えられた第1スペーサSP1は対向基板CTを向く上面よりも画素電極PEまたは第2絶縁膜12に接する底面の方が拡大した断面形状を有し、また、対向基板CTに備えられた第2スペーサSP2はアレイ基板ARを向く上面よりもオーバーコート層23に接する底面の方が拡大した断面形状を有している。   The structural example shown here is different from the structural example shown in FIG. 2 in that both the first spacer SP1 and the second spacer SP2 have a forward tapered cross-sectional shape. That is, in the active area ACT, the first spacer SP1 provided in the array substrate AR has a cross-sectional shape in which the bottom surface contacting the pixel electrode PE or the second insulating film 12 is larger than the top surface facing the counter substrate CT. The second spacer SP2 provided in the counter substrate CT has a cross-sectional shape in which the bottom surface in contact with the overcoat layer 23 is larger than the top surface facing the array substrate AR.

ここに示した構造例においては、アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて順テーパー状の断面形状を有する第1スペーサSP1を備えている一方で、周辺エリアPRPにおいては逆テーパー状(あるいは矩形状)の断面形状を有する第1バンクBK1を備えている。この第1スペーサSP1は、例えば、第1バンクBK1と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。   In the structural example shown here, the array substrate AR is provided with the first spacer SP1 having a forward tapered cross-sectional shape in the active area ACT, while being reversely tapered (or rectangular) in the peripheral area PRP. The first bank BK1 having the following cross-sectional shape is provided. The first spacer SP1 is made of, for example, the same resin material as the first bank BK1. That is, the first bank BK1 and the first spacer SP1 can be collectively formed in the same process using the same material.

また、対向基板CTは、アクティブエリアACTにおいて順テーパー状の断面形状を有する第2スペーサSP2を備えている一方で、周辺エリアPRPにおいては逆テーパー状(あるいは矩形状)の断面形状を有する第2バンクBK2を備えている。この第2スペーサSP2は、例えば、第2バンクBK2と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。   Further, the counter substrate CT includes a second spacer SP2 having a forward tapered cross section in the active area ACT, while a second area having a reverse tapered (or rectangular) cross section in the peripheral area PRP. A bank BK2 is provided. The second spacer SP2 is made of the same resin material as that of the second bank BK2, for example. That is, the second bank BK2 and the second spacer SP2 can be collectively formed in the same process using the same material.

例えば、上記した製造工程と同様のフォトリソグラフィープロセスがここでも適用可能である。すなわち、ネガ型のフォトレジストを塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストを現像することで、第1バンクBK1及び第1スペーサSP1が同時に形成され、また、第2バンクBK2及び第2スペーサSP2が同時に形成される。ただし、ここで適用されるフォトマスクについては、工夫が必要である。   For example, a photolithography process similar to the manufacturing process described above can be applied here. That is, after applying a negative type photoresist, the photoresist is exposed through a photomask in which a desired opening pattern is formed. Thereafter, by developing the photoresist, the first bank BK1 and the first spacer SP1 are simultaneously formed, and the second bank BK2 and the second spacer SP2 are simultaneously formed. However, it is necessary to devise a photomask applied here.

なお、その他の構成については、図2に示した構造例と同一であり、詳細な説明を省略する。   Other configurations are the same as those of the structural example shown in FIG. 2, and detailed description thereof is omitted.

図6は、本実施形態に適用可能なフォトマスクの一例を示す平面図である。   FIG. 6 is a plan view showing an example of a photomask applicable to this embodiment.

図中の(A)で示したフォトマスクの開口パターンAP1は、第1スペーサSP1または第2スペーサSP2をドット状に形成するのに適用される。開口パターンAP1は、図示した例では四角形である。開口パターンAP1の周囲は、遮光されている。このような開口パターンAP1を介して露光されたネガ型のフォトレジストは、開口パターンAP1の中心部を中心に硬化が進行し、現像により、順テーパー状の断面形状を有する第1スペーサSP1または第2スペーサSP2を形成することができる。   The opening pattern AP1 of the photomask shown in (A) in the drawing is applied to form the first spacer SP1 or the second spacer SP2 in a dot shape. The opening pattern AP1 is a quadrangle in the illustrated example. The periphery of the opening pattern AP1 is shielded from light. The negative photoresist exposed through the opening pattern AP1 is cured around the center of the opening pattern AP1 and developed to develop the first spacer SP1 or the first spacer SP1 having a forward tapered cross-sectional shape. Two spacers SP2 can be formed.

図中の(B)で示した開口パターンAP2は、第1バンクBK1または第2バンクBK2をライン状に形成するのに適用される。開口パターンAP2は、図示した例では、直線状に延出している。開口パターンAP2は、複数のパターンからなる。すなわち、中央部のライン状のパターンAP21は、比較的幅広である。パターンAP21を挟んだ両側に位置するライン状のパターンAP22は、パターンAP21よりも狭い幅を有している。パターンAP21は、その幅方向に間隔をおいて複数本並んでおり、例えば、中央部のパターンAP21から離れるにしたがって幅が狭くなるように形成されている。これにより、開口パターンAP2は、中心部よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。このような開口パターンAP2を介してネガ型のフォトレジストを露光した際には以下のような現象が生ずる。すなわち、フォトレジストのうち、開口パターンAP2の中心部のパターンAP21を介して露光された領域は中心に深部まで硬化が進行し、パターンAP21の周辺部分に位置するパターンAP22を介して露光された領域においては表面付近のみ硬化が進行し、深部まで硬化しにくい。このように露光されたフォトレジストを現像することにより、逆テーパー状の断面形状を有する第1バンクBK1または第2バンクBK2を形成することができる。   The opening pattern AP2 indicated by (B) in the drawing is applied to form the first bank BK1 or the second bank BK2 in a line shape. The opening pattern AP2 extends linearly in the illustrated example. The opening pattern AP2 includes a plurality of patterns. That is, the central line-shaped pattern AP21 is relatively wide. The line-shaped pattern AP22 located on both sides of the pattern AP21 has a narrower width than the pattern AP21. A plurality of the patterns AP21 are arranged at intervals in the width direction. For example, the pattern AP21 is formed so that the width becomes narrower as the distance from the pattern AP21 at the center is increased. Accordingly, the opening pattern AP2 is formed so that the light irradiation amount in the peripheral portion is lower than that in the central portion. When a negative photoresist is exposed through such an opening pattern AP2, the following phenomenon occurs. That is, in the photoresist, the region exposed through the pattern AP21 at the center of the opening pattern AP2 is hardened to the center and the region exposed through the pattern AP22 located in the peripheral portion of the pattern AP21. Is hardened only near the surface and hard to harden to the deep part. By developing the photoresist thus exposed, the first bank BK1 or the second bank BK2 having a reverse tapered cross-sectional shape can be formed.

つまり、図中の(A)で示した開口パターンAP1と(B)で示した開口パターンAP2とを有する単一のフォトマスクを介してネガ型のフォトレジストを露光し、現像することで、逆テーパー状の第1バンクBK1及び順テーパー状の第1スペーサSP1を同時に形成することが可能であり、同様に、逆テーパー状の第2バンクBK2及び順テーパー状の第2スペーサSP2を同時に形成することが可能である。   That is, the negative photoresist is exposed and developed through a single photomask having the opening pattern AP1 shown in FIG. 5A and the opening pattern AP2 shown in FIG. The tapered first bank BK1 and the forward tapered first spacer SP1 can be formed simultaneously. Similarly, the reverse tapered second bank BK2 and the forward tapered second spacer SP2 are formed simultaneously. It is possible.

主としてセルギャップを形成するメインスペーサとして機能する第1スペーサSP1が順テーパー状の断面を有することで、逆テーパー状の断面を有する第1スペーサSP1を適用した場合と比較して、基板の支持強度を向上することができる。また、サブスペーサとして機能する第2スペーサSP2が順テーパー状の断面を有することで、逆テーパー状の断面を有する第2スペーサSP2を適用した場合と比較して、外部からの押圧力に対する強度をさらに向上することが可能となる。   Since the first spacer SP1 functioning mainly as a main spacer that forms the cell gap has a forward tapered cross section, the support strength of the substrate compared to the case where the first spacer SP1 having a reverse tapered cross section is applied. Can be improved. Further, since the second spacer SP2 functioning as a sub-spacer has a forward tapered cross section, the strength against external pressing force can be increased as compared with the case where the second spacer SP2 having a reverse tapered cross section is applied. Further improvement is possible.

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制するとともに表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same that can suppress a decrease in reliability and a deterioration in display quality.

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment itself, In the stage of implementation, it can change and implement a component within the range which does not deviate from the summary. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

PNL…表示パネル AR…アレイ基板 CT…対向基板 LQ…液晶層
ACT…アクティブエリア PRP…周辺エリア
PE…画素電極 CE…対向電極
11…第1絶縁膜 12…第2絶縁膜
BK1…第1バンク BK2…第2バンク
AL1…第1配向膜 AL2…第2配向膜
W…外周配線
SE…シール材
PNL ... Display panel AR ... Array substrate CT ... Counter substrate LQ ... Liquid crystal layer ACT ... Active area PRP ... Peripheral area PE ... Pixel electrode CE ... Counter electrode 11 ... First insulating film 12 ... Second insulating film BK1 ... First bank BK2 ... second bank AL1 ... first alignment film AL2 ... second alignment film W ... peripheral wiring SE ... sealing material

Claims (15)

第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上に配置された絶縁膜と、画像を表示するアクティブエリアにおいて前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、
第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と対向する側に配置され前記第1配向膜と対向する第2配向膜と、を備えた第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板のうちの一方の基板に形成され他方の基板を支持し、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間にセルギャップを形成するドット状の第1スペーサと、
前記第1基板及び前記第2基板のうちの他方の基板に形成され一方の基板から離間したドット状の第2スペーサと、
前記セルギャップに保持された液晶層と、
を備えた、液晶表示装置。
A first insulating substrate; an insulating film disposed on the first insulating substrate; a pixel electrode formed on the insulating film in an active area for displaying an image; a first alignment film covering the pixel electrode; A first substrate comprising:
A second substrate comprising: a second insulating substrate; and a second alignment film disposed on a side of the second insulating substrate facing the first substrate and facing the first alignment film;
A dot-shaped first that is formed on one of the first substrate and the second substrate, supports the other substrate, and forms a cell gap between the first alignment film and the second alignment film. A spacer;
A dot-shaped second spacer formed on the other of the first substrate and the second substrate and spaced from the one substrate;
A liquid crystal layer held in the cell gap;
A liquid crystal display device comprising:
前記第1基板は、さらに、前記アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有し前記絶縁膜上にライン状に形成された第1バンクを備え、前記第1配向膜は、前記第1バンクの側面で途切れている、請求項1に記載の液晶表示装置。   The first substrate further includes a first bank having a reverse-tapered or rectangular cross-sectional shape in a peripheral area surrounding the active area and formed in a line shape on the insulating film. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is interrupted at a side surface of the first bank. 前記第1バンクは、前記アクティブエリアを囲む連続的な枠状に形成された、請求項2に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first bank is formed in a continuous frame shape surrounding the active area. 前記第1スペーサは、前記第1バンクと同等の断面形状を有する、請求項2または3に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first spacer has a cross-sectional shape equivalent to that of the first bank. 前記第1スペーサは、順テーパー状の断面形状を有する、請求項2または3に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first spacer has a forward tapered cross-sectional shape. 前記第2基板は、さらに、前記アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第2バンクを備え、前記第2配向膜は、前記第2バンクの側面で途切れている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The second substrate further includes a second bank having a reverse tapered shape or a rectangular cross-sectional shape in a peripheral area surrounding the active area and formed in a line shape, and the second alignment film includes the second alignment film. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is interrupted at a side surface of the bank. 前記第2バンクは、前記アクティブエリアを囲む連続的な枠状に形成された、請求項6に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the second bank is formed in a continuous frame shape surrounding the active area. 前記第2スペーサは、前記第2バンクと同等の断面形状を有する、請求項6または7に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the second spacer has a cross-sectional shape equivalent to that of the second bank. 前記第2スペーサは、順テーパー状の断面形状を有する、請求項6または7に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the second spacer has a forward tapered cross-sectional shape. 前記第1バンクは前記第2バンクよりも前記第1基板の基板端部側に位置している、請求項6に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the first bank is located closer to a substrate end portion of the first substrate than the second bank. 第1絶縁基板上に絶縁膜を形成し、画像を表示するアクティブエリアにおいて絶縁膜上に画素電極を形成し、前記画素電極上または前記絶縁膜上に第1スペーサをドット状に形成し、前記画素電極を覆う第1配向膜を形成した第1基板を用意し、
アクティブエリアにおいて第2絶縁基板の前記第1基板と対向する側に前記第1スペーサとは異なる高さの第2スペーサをドット状に形成し、第2配向膜を形成した第2基板を用意し、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、前記第1スペーサまたは前記第2スペーサが他方の基板を支持して前記第1配向膜と前記第2配向膜との間にセルギャップを形成する、液晶表示装置の製造方法。
Forming an insulating film on the first insulating substrate; forming a pixel electrode on the insulating film in an active area for displaying an image; forming a first spacer in a dot shape on the pixel electrode or on the insulating film; Preparing a first substrate on which a first alignment film covering the pixel electrode is formed;
In the active area, a second substrate having a second alignment film formed with a second spacer having a height different from the first spacer formed in a dot shape on the side of the second insulating substrate facing the first substrate is prepared. ,
The first substrate and the second substrate are bonded together, and the first spacer or the second spacer supports the other substrate to form a cell gap between the first alignment film and the second alignment film. A method for manufacturing a liquid crystal display device.
前記第1スペーサを形成するフォトリソグラフィープロセスにおいて、アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有し前記絶縁膜上にライン状に形成された第1バンクを同時に形成し、前記第1配向膜は前記第1バンクの側面で途切れ、
前記第2スペーサを形成するフォトリソグラフィープロセスにおいて、周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第2バンクを同時に形成し、前記第2配向膜は前記第2バンクの側面で途切れている、請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法。
In the photolithography process for forming the first spacer, a first bank having a reverse taper shape or a rectangular cross-sectional shape in a peripheral area surrounding the active area and formed in a line shape on the insulating film is simultaneously formed. The first alignment layer is interrupted at a side surface of the first bank,
In the photolithography process for forming the second spacer, a second bank having an inversely tapered or rectangular cross-sectional shape in the peripheral area and formed in a line shape is simultaneously formed, and the second alignment film is formed by the second alignment film. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the liquid crystal display device is cut off at a side of the bank.
前記第1バンク及び前記第2バンクは、ネガ型のフォトレジストを塗布し、中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなる開口パターンを有するフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光し、前記フォトレジストを現像することで形成する、請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。   The first bank and the second bank are coated with a negative photoresist, and the photoresist is exposed through a photomask having an opening pattern in which a light irradiation amount in a peripheral portion is lower than that in a central portion, The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 12, wherein the liquid crystal display device is formed by developing a photoresist. 前記第1スペーサは前記第1バンクと同等の断面形状を有し、前記第2スペーサは前記第2バンクと同等の断面形状を有する、請求項12または13に記載の液晶表示装置の製造方法。   14. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 12, wherein the first spacer has a cross-sectional shape equivalent to that of the first bank, and the second spacer has a cross-sectional shape equivalent to that of the second bank. 前記第1スペーサ及び前記第2スペーサの少なくとも一方は、順テーパー状の断面形状を有する、請求項12または13に記載の液晶表示装置の製造方法。   14. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 12, wherein at least one of the first spacer and the second spacer has a forward tapered cross-sectional shape.
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