JP2014119468A - Wavelength variable light source - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数のLDとマッハツェンダ変調器を利用した波長可変光源に関する。 The present invention relates to a wavelength tunable light source using a plurality of LDs and a Mach-Zehnder modulator.
近年の通信需要の飛躍的な増大に伴い、波長の異なる複数の信号光を多重化することにより、1本の光ファイバで大容量伝送を可能とする波長分割多重通信システムの開発が進められている。波長分割多重通信システムの実現のためには、全波長帯域をカバーする低コストな波長可変光源が必要である。そのため、モノリシックに集積可能な光半導体デバイスが注目されている。 Along with the dramatic increase in communication demand in recent years, the development of a wavelength division multiplex communication system that enables large-capacity transmission with a single optical fiber by multiplexing a plurality of signal lights having different wavelengths has been promoted. Yes. In order to realize a wavelength division multiplexing communication system, a low-cost tunable light source that covers the entire wavelength band is required. Therefore, an optical semiconductor device that can be monolithically integrated has attracted attention.
光半導体を用いた波長可変光源においては、LDアレーを、MMI(Multi Mode Interference)素子により1本の光導波路に結合する構成が適用されている。MMI素子とは、多モード干渉(MMI)型の光カプラ(光合分波素子)である。当該LDアレーは、発振波長の異なる複数のLD(Laser Diode)から構成される。また、LDアレーに加えて、データ信号を生成するための変調器を、1つの光半導体素子に集積化した構成も実現されている。 In a wavelength tunable light source using an optical semiconductor, a configuration in which an LD array is coupled to one optical waveguide by an MMI (Multi Mode Interference) element is applied. The MMI element is a multimode interference (MMI) type optical coupler (optical multiplexing / demultiplexing element). The LD array is composed of a plurality of LDs (Laser Diodes) having different oscillation wavelengths. In addition to the LD array, a configuration in which a modulator for generating a data signal is integrated in one optical semiconductor element is realized.
以下においては、K(自然数)入力L(自然数)出力のMMI素子を、K×LMMIとも表記する。 In the following, an MMI element of K (natural number) input L (natural number) output is also expressed as K × LMMI.
特許文献1には、MMI素子の後段にマッハツェンダ変調器を配置した技術(以下、関連技術Aともいう)の問題点を解決する技術(以下、関連技術Bともいう)が開示されている。関連技術Aでは、12×1MMIが有する12個の入力ポートの各々にLDが接続されている構成において、1個のLDを発光させた場合、原理的に1/12の強度の光のみが出力導波路に結合する。この場合、残りの11/12の強度の光は、12×1MMIから放射されてしまう。そのため、12×1MMIでは、10.8dBのロスが発生するという問題点がある。
関連技術Bは、光損失を抑えて素子の小型化を実現するための技術である。具体的には、関連技術Bは、K×2MMIに接続される2本の出力導波路を、マッハツェンダ変調器が有する2本のアームに接続する構成である。このような構成とすることで、ロスを、例えば、3dB改善することが可能となる。 Related technology B is a technology for realizing miniaturization of an element while suppressing optical loss. Specifically, Related Technology B is configured to connect two output waveguides connected to K × 2 MMI to two arms of a Mach-Zehnder modulator. With such a configuration, it is possible to improve the loss by, for example, 3 dB.
しかしながら、関連技術Bでは、以下のような問題点がある。具体的には、関連技術Bでは、使用するLDの数が多い場合、LDからの光を一度に処理可能な高価なMMI素子を利用する必要がある。例えば、関連技術Bでは、12個のLDを使用する場合、12×2MMIというような高価なMMI素子を利用する必要がある。この場合、関連技術Bでは、MMI素子等のコストが大幅に高くなるという問題がある。 However, Related Technology B has the following problems. Specifically, in Related Technology B, when a large number of LDs are used, it is necessary to use an expensive MMI element that can process light from the LDs at a time. For example, in the related art B, when 12 LDs are used, it is necessary to use an expensive MMI element such as 12 × 2 MMI. In this case, the related technique B has a problem that the cost of the MMI element or the like is significantly increased.
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、多くのLDを使用する構成においても、コストの増加を抑制することができる波長可変光源を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a wavelength tunable light source capable of suppressing an increase in cost even in a configuration using many LDs.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る波長可変光源は、発振波長の異なる、M(2以上の自然数)×N(2以上の自然数)個のLD(Laser Diode)と、各々が、M本の第1の入力導波路および1本の第1の出力導波路と接続される、M入力1出力のN個の第1のMMI(Multi Mode Interference)素子と、前記N個の第1のMMI素子に接続されるN本の前記第1の出力導波路と、S(N以下の偶数)本の第2の出力導波路とに接続される、N入力S出力の第2のMMI素子と、前記S本の第2の出力導波路にそれぞれ接続されるS本のアーム部を有するマッハツェンダ変調器と、を備え、前記N個の第1のMMI素子に接続される(M×N)本の前記第1の入力導波路の各々には、異なる各前記LDが接続される。 In order to achieve the above object, a wavelength tunable light source according to an aspect of the present invention includes M (natural number of 2 or more) × N (natural number of 2 or more) LDs (Laser Diodes) having different oscillation wavelengths, Are connected to the M first input waveguides and one first output waveguide, and N first MMI (Multi Mode Interference) elements with M inputs and one output, An N-input S-output second output connected to the N first output waveguides connected to the first MMI element and S (even N or less) second output waveguides. An MMI element and a Mach-Zehnder modulator having S arm portions respectively connected to the S second output waveguides, and connected to the N first MMI elements (M × N) A different LD is connected to each of the first input waveguides.
本発明によれば、M(2以上の自然数)×N(2以上の自然数)個のLDと、M入力1出力のN個の第1のMMI素子と、N入力S出力の第2のMMI素子とを備える。第2のMMI素子は、前記N個の第1のMMI素子に接続されるN本の前記第1の出力導波路と、S(N以下の偶数)本の第2の出力導波路とに接続される。前記S本の第2の出力導波路は、マッハツェンダ変調器が有するS本のアーム部にそれぞれ接続される。 According to the present invention, M (natural number greater than or equal to 2) × N (natural number greater than or equal to 2) LDs, N first MMI elements with M outputs and 1 output, and second MMI with N inputs and S outputs An element. The second MMI element is connected to the N first output waveguides connected to the N first MMI elements and the S (even N or less) second output waveguides. Is done. The S second output waveguides are respectively connected to S arm portions of the Mach-Zehnder modulator.
すなわち、M×N個のLDとマッハツェンダ変調器のアーム部との間に設けられるMMI素子の構成は、N個の第1のMMI素子を1段目のMMI素子とし、第2のMMI素子を2段目のMMI素子とした2段構成である。これにより、使用するLDの数が多い(例えば、12個)場合であっても、多くのLDを処理可能な高価なMMI素子を利用する必要はない。そのため、多くのLDを使用する構成においても、波長可変光源のコストの増加を抑制することができる。 In other words, the configuration of the MMI element provided between the M × N LDs and the arm portion of the Mach-Zehnder modulator is such that the N first MMI elements are the first stage MMI elements, and the second MMI element is the second MMI element. This is a two-stage configuration as a second-stage MMI element. Thereby, even when the number of LDs to be used is large (for example, 12), there is no need to use an expensive MMI element capable of processing many LDs. Therefore, even in a configuration using many LDs, an increase in the cost of the wavelength tunable light source can be suppressed.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same components are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof may be omitted.
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。 It should be noted that the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the constituent elements exemplified in the embodiments are appropriately changed depending on the configuration of the apparatus to which the present invention is applied and various conditions. It is not limited to those examples. Moreover, the dimension of each component in each figure may differ from an actual dimension.
以下の各実施の形態において、MMI素子は、多モード干渉(MMI)型の光カプラ(光合分波素子)である。また、以下においては、K(自然数)入力L(自然数)出力のMMI素子を、K×LMMIとも表記する。また、以下の各実施の形態で述べる導波路および接続導波路は、光を伝搬する光導波路である。 In each of the following embodiments, the MMI element is a multimode interference (MMI) type optical coupler (optical multiplexing / demultiplexing element). In the following, an MMI element with K (natural number) input and L (natural number) output is also expressed as K × LMMI. The waveguides and connection waveguides described in the following embodiments are optical waveguides that propagate light.
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る波長可変光源100の構成を示す図である。波長可変光源100は、後述のInP基板21上に形成される。
<
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wavelength
波長可変光源100は、半導体レーザ群LXと、MMI素子10a,10b,20と、マッハツェンダ変調器30とを備える。
The wavelength
半導体レーザ群LXは、半導体レーザ群LX1、LX2から構成される。半導体レーザ群LX1、LX2の各々は、6個のLD1から構成される。すなわち、半導体レーザ群LX1、LX2から構成される半導体レーザ群LXは、12(6×2=12)個のLD1を有する。 The semiconductor laser group LX is composed of semiconductor laser groups LX1 and LX2. Each of the semiconductor laser groups LX1 and LX2 is composed of six LD1s. That is, the semiconductor laser group LX including the semiconductor laser groups LX1 and LX2 includes 12 (6 × 2 = 12) LD1s.
12個のLD1の各々は、互いに発振波長の異なる半導体レーザである。各LD1は、光を出射する。
Each of the 12
MMI素子10a,10bの各々は、6入力1出力のMMI素子(6×1MMI)である。MMI素子10aは、6個の入力ポートIP1および1個の出力ポートOP1を有する。6本の接続導波路50は、それぞれ、6個の入力ポートIP1に接続される。各入力ポートIP1に接続される接続導波路50は、MMI素子10aの入力導波路である。
Each of the
半導体レーザ群LX1を構成する6個のLD1は、それぞれ、6本の接続導波路50に接続される。すなわち、6本の接続導波路50により、6個のLD1は、それぞれ、6個の入力ポートIP1に接続される。
The six LD1s constituting the semiconductor laser group LX1 are connected to the six
MMI素子10bは、MMI素子10aと同じ構成を有するので、MMI素子10bの詳細な説明は行わない。すなわち、MMI素子10bは、6個の入力ポートIP1および1個の出力ポートOP1を有する。半導体レーザ群LX2を構成する6個のLD1は、それぞれ、6個の入力ポートIP1(MMI素子10b)に接続される。
Since the
MMI素子10a,10bの各々の出力ポートOP1には、接続導波路51が接続される。接続導波路51は、MMI素子10a,10bの各々の出力導波路である。すなわち、MMI素子10a,10bの各々は、6本の接続導波路50(入力導波路)および1本の接続導波路51(出力導波路)と接続される。
A
以下においては、MMI素子10a,10bの各々を、単に、MMI素子10ともいう。すなわち、2個のMMI素子10に接続される12(2×6=12)本の接続導波路50(入力導波路)には、それぞれ、12個のLD1が接続される。つまり、2個のMMI素子10に接続される12本の接続導波路50(MMI素子10の入力導波路)の各々には、異なる各LD1が接続される。したがって、2個のMMI素子10が有する12個の入力ポートIP1の各々には、異なる各LD1が出射する光が入力される。
Hereinafter, each of the
MMI素子20は、2個の入力ポートIP2および2個の出力ポートOP2を有する。すなわち、MMI素子20は、2入力2出力のMMI素子(2×2MMI)である。
The
MMI素子10aの出力ポートOP1は、MMI素子20の一方の入力ポートIP2と、接続導波路51により接続される。すなわち、MMI素子10aに接続される接続導波路51は、MMI素子20の一方の入力ポートIP2と接続される。また、MMI素子10bの出力ポートOP1は、MMI素子20の他方の入力ポートIP2と、接続導波路51により接続される。すなわち、MMI素子10bに接続される接続導波路51は、MMI素子20の一方の入力ポートIP2と接続される。
The output port OP1 of the
接続導波路51は、MMI素子10の出力導波路、および、MMI素子20の入力導波路である。
The
MMI素子20の2個の出力ポートOP2には、それぞれ、2本の接続導波路52が接続される。各接続導波路52は、MMI素子20の出力導波路である。
Two
つまり、2個のMMI素子10が有する2個の出力ポートOP1は、それぞれ、MMI素子20の2個の入力ポートIP2と接続導波路51により接続される。言い換えれば、MMI素子20は、2個のMMI素子10に接続される2本の接続導波路51(MMI素子10の出力導波路)と、2本の接続導波路52(MMI素子20の出力導波路)とに接続される。
That is, the two output ports OP1 included in the two
マッハツェンダ変調器30は、アーム部31a,31bと、MMI素子33とを有する。以下においては、アーム部31a,31bの各々を、単に、アーム部31ともいう。
The Mach-
すなわち、マッハツェンダ変調器30は、2本のアーム部31を有する。各アーム部31は、光を伝搬する。各アーム部31の一部には、変調電極32が形成される。変調電極32には、外部から電圧が印加される。また、アーム部31は、変調電極32に印加される電圧の大きさに応じて、伝搬する光の位相を制御する。
That is, the Mach-
2本の接続導波路52は、それぞれ、アーム部31a,31bと接続される。すなわち、MMI素子20に接続される2本の接続導波路52(出力導波路)は、それぞれ、アーム部31a,31b(マッハツェンダ変調器30)に接続されている。言い換えれば、MMI素子20の2個の出力ポートOP2は、それぞれ、2本のアーム部31と2本の接続導波路52により接続される。
The two
MMI素子33は、2個の入力ポートIP3および1個の出力ポートOP3を有する。すなわち、MMI素子33は、2入力1出力のMMI素子(2×1MMI)である。
The
アーム部31aは、接続導波路53により、MMI素子33の一方の入力ポートIP3と接続される。アーム部31bは、接続導波路53により、MMI素子33の他方の入力ポートIP3と接続される。MMI素子33の出力ポートOP3には、接続導波路54が接続される。
The
上記構成により、波長可変光源100において、各LD1が出射した光は、MMI素子10およびMMI素子20を介して、マッハツェンダ変調器30に入力される。マッハツェンダ変調器30は、入力された光を、接続導波路54から出力する。
With the above configuration, in the wavelength tunable
なお、波長可変光源100は、上記構成に限定されず、以下のような表現による構成(以下、構成Aという)で実現されてもよい。
The wavelength tunable
構成Aは、M(2以上の自然数)×N(2以上の自然数)個のLDと、N個の第1のMMI素子と、N入力S出力の第2のMMI素子と、マッハツェンダ変調器と、を備える構成である。Sは、N以下の偶数である。 The configuration A includes M (natural number greater than or equal to 2) × N (natural number greater than or equal to 2) LDs, N first MMI elements, a second MMI element with N inputs and S outputs, a Mach-Zehnder modulator, . S is an even number equal to or less than N.
また、構成Aにおいて、上記のM×N個のLDの各々は、発振波長が異なる。また、構成Aにおいて、N個の第1のMMI素子の各々は、M入力1出力の素子である。また、構成Aにおいて、N個の第1のMMI素子の各々は、M本の第1の入力導波路および1本の第1の出力導波路と接続される。 In the configuration A, each of the M × N LDs has a different oscillation wavelength. In the configuration A, each of the N first MMI elements is an M-input 1-output element. In the configuration A, each of the N first MMI elements is connected to the M first input waveguides and the one first output waveguide.
また、構成Aにおいて、第2のMMI素子は、当該N個の第1のMMI素子に接続されるN本の当該第1の出力導波路と、S本の第2の出力導波路とに接続される。また、構成Aにおいて、マッハツェンダ変調器は、当該S本の第2の出力導波路にそれぞれ接続されるS本のアーム部を有する。また、構成Aにおいて、当該N個の第1のMMI素子に接続される(M×N)本の当該第1の入力導波路の各々には、異なる各LDが接続される。 In the configuration A, the second MMI element is connected to the N first output waveguides connected to the N first MMI elements and the S second output waveguides. Is done. In the configuration A, the Mach-Zehnder modulator has S arm portions respectively connected to the S second output waveguides. In the configuration A, each different LD is connected to each of the (M × N) first input waveguides connected to the N first MMI elements.
本実施の形態に係る波長可変光源100の構成は、上記構成Aにおいて、M=6、N=2、S=2とした構成である。
The configuration of the wavelength tunable
前述の関連技術Aでは、12×1MMIの出力導波路に結合できる光の強度は、当該12×1MMIに入力される光の強度の1/12となる。すなわち、原理損が10.8dB発生する。原理損とは、原理的な光の損失である。 In the related art A described above, the intensity of light that can be coupled to the output waveguide of 12 × 1 MMI is 1/12 of the intensity of light input to the 12 × 1 MMI. That is, a theoretical loss of 10.8 dB occurs. The principle loss is a fundamental light loss.
一方、図1の構成を有する波長可変光源100において、6×1MMI(MMI素子10)の出力導波路に結合できる光の強度は、当該6×1MMIに入力される光の強度の1/6となる。すなわち、原理損7.8dBが発生する。
On the other hand, in the wavelength tunable
なお、2×2MMI(MMI素子20)では、6×1MMIの出力導波路からの光が当該2×2MMIで2分岐されるだけなので、ロスは発生しない。当該ロスとは、光の伝搬(伝達)におけるロスである。12個のLD1のいずれかが光を出射し(発光し)、2×2MMIの2つの入力導波路のいずれかに光が入力された場合においても、2×2MMIの各出力導波路には、原理損なく、光が均等に出力される。よって、前述の関連技術Aと比較して、図1の実施の形態1では、3.0dBだけロスを低減できる。
In the 2 × 2 MMI (MMI element 20), the light from the 6 × 1 MMI output waveguide is only branched into two by the 2 × 2 MMI, and therefore no loss occurs. The loss is a loss in light propagation (transmission). Even when one of the 12 LDs emits light (emits light) and light is input to one of two 2 × 2 MMI input waveguides, each output waveguide of 2 × 2 MMI Light is output evenly without loss of principle. Therefore, compared with the above-mentioned related art A, in
また、関連技術Bでは、12×2MMIといった特殊なMMIを適用している。一方、本実施の形態では、6×1MMIおよび2×2MMIといった実績のある汎用のMMIを用いて構成しているため、実現が容易である。 In Related Technology B, a special MMI such as 12 × 2 MMI is applied. On the other hand, in the present embodiment, since it is configured by using general-purpose MMIs such as 6 × 1 MMI and 2 × 2 MMI, implementation is easy.
波長可変光源100において、2×2MMI(MMI素子20)の出力導波路は、マッハツェンダ変調器30の各アーム部31に接続される。なお、マッハツェンダ変調器30は、RZ変調、NRZ変調などの強度変調、または、DPSK変調などの位相変調により、信号光を生成して出力することができる。具体的には、マッハツェンダ変調器30は、変調電極32に電圧を印加することにより、上記強度変調または位相変調を行うことにより、信号光を生成して出力する。
In the wavelength tunable
また、波長可変光源100は、マッハツェンダ変調器30の各アーム部31に形成された変調電極32に電圧を印加することにより、各アーム部31に電流注入する。これにより、各アーム部31を伝搬する光の位相を制御する。
Further, the wavelength tunable
ここで、例えば、アーム部31aを伝搬する光とアーム部31aを伝搬する光との位相差(以下、位相差Aともいう)がゼロであるとする。この場合、マッハツェンダ変調器30の出力側の2×1MMI(MMI素子33)内では光は強め合われ、当該光が出力導波路(接続導波路54)から出力される。なお、位相差Aがπの場合、2×1MMI(MMI素子33)内で光は弱め合われる。この場合、MMI素子33から光は出力されない。
Here, for example, it is assumed that the phase difference (hereinafter also referred to as phase difference A) between the light propagating through the
よって、変調電極32から、各アーム部31に電流を注入して、光の位相を制御することで、強度変調が可能となる。この際、片側のアーム部31のみの光の位相をπだけ変化させても良い。また、アーム部31aの光の位相をπ/2変化させ、アーム部31bの光の位相を−π/2変化させるプッシュプル駆動を行っても良い。
Therefore, intensity modulation can be performed by injecting current from the
また、例えば、アーム部31aの光の位相をπ変化させ、アーム部31bの光の位相を−π変化させた場合、マッハツェンダ変調器30から出力される光の強度は変化しない。しかしながら、位相がπ変化するため、位相変調信号の生成が可能となる。
For example, when the phase of the light of the
上記では、各アーム部31の光の位相を変化させるのに、電流注入によるプラズマ効果を利用したが、これに限定されない。例えば、変調電極32に逆電圧を印加することにより生じる、量子閉じ込めシュタルク効果、ポッケルス効果等を利用しても良い。また、アーム部31にヒータ電極を形成し、当該ヒータ電極に熱を印加することで、光の位相を変化させても良い。
In the above description, the plasma effect by current injection is used to change the light phase of each
上述したデバイスは、例えば、InP系の材料を用いて作製できる。図2は、図1のA1−A2線に沿った接続導波路51の断面図を示す。なお、前述したように、波長可変光源100は、InP基板21上に形成される。すなわち、接続導波路51は、InP基板21上に形成される。
The above-described device can be manufactured using, for example, an InP-based material. FIG. 2 is a cross-sectional view of the
ここでは、接続導波路51は、InP基板21上において、InGaAsP22をInP23,24で埋め込んだ埋め込み構造を有する。InP23,24よりも屈折率の大きいInGaAsP22中に光は閉じ込められて、当該光は素子(接続導波路51)の長手方向へ伝搬する。なお、接続導波路50,52,53,54も、接続導波路51と同じ構造を有する。
Here, the
なお、本実施の形態に係る接続導波路(例えば、接続導波路51)の構造は、図3のようなハイメサ構造を適用しても良い。LDが埋め込み構造を有する場合、接続導波路の構造も埋め込み構造とした方が接続ロスの点で有利である。しかしながら、接続導波路の構造をハイメサ構造とした場合、光の閉じ込め効果が大きくなり、曲線形状の接続導波路での放射損失を抑制できるという効果がある。 Note that a high mesa structure as shown in FIG. 3 may be applied to the structure of the connection waveguide (for example, the connection waveguide 51) according to the present embodiment. When the LD has a buried structure, it is more advantageous in terms of connection loss if the connection waveguide structure is also a buried structure. However, when the structure of the connection waveguide is a high mesa structure, the light confinement effect is increased, and radiation loss in the curved connection waveguide can be suppressed.
また、図1のLD1からMMI素子10までの構造は埋め込み構造とし、マッハツェンダ変調器30の構造はハイメサ構造とする構成としてもよい。マッハツェンダ変調器30の構造をハイメサ構造とすることで、マッハツェンダ変調器30の電気容量が低減され高速変調が可能となる。
1 may be a buried structure, and the Mach-
なお、本実施の形態では、上記の構成Aにおいて、M=6、N=2、S=2としたが、これに限定されない。例えば、構成Aにおいて、M=8、N=2、S=2としてもよい。この場合、8×1MMIの原理損が9.0dB、2×2MMIの原理損が0.0dB、合計の原理損は9.0dBとなる。そのため、図1と比較して、ロスは1.2dB増えるが、LD1の個数が16となり、カバーできる光の波長範囲を1.3倍拡大できる。これにより、広帯域な波長範囲の変調信号が生成することができる。 In the present embodiment, M = 6, N = 2, and S = 2 in the above configuration A, but the present invention is not limited to this. For example, in configuration A, M = 8, N = 2, and S = 2 may be set. In this case, the principle loss of 8 × 1 MMI is 9.0 dB, the principle loss of 2 × 2 MMI is 0.0 dB, and the total principle loss is 9.0 dB. Therefore, compared with FIG. 1, the loss increases by 1.2 dB, but the number of LD1 is 16, and the wavelength range of light that can be covered can be expanded 1.3 times. Thereby, a modulation signal in a wide wavelength range can be generated.
以上説明したように、本実施の形態によれば、波長可変光源100において、12(M×N)個のLD1とマッハツェンダ変調器30のアーム部31との間に設けられるMMI素子の構成は、2個のMMI素子10を1段目のMMI素子とし、MMI素子20を2段目のMMI素子とした2段構成である。これにより、使用するLDの数が多い(例えば、12個)場合であっても、多くのLDを処理可能な高価なMMI素子(例えば、12×2MMI)を利用する必要はない。そのため、多くのLDを使用する構成においても、波長可変光源のコストの増加を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, in the wavelength tunable
なお、前述の従来技術である関連技術Bでは、12個のLDを使用する構成の場合、12×2MMIのような特殊なMMIを用いる必要がある。なお、12×2MMIは設計が複雑で実現性に乏しい。 In the related art B, which is the above-described prior art, in the case of a configuration using 12 LDs, it is necessary to use a special MMI such as 12 × 2 MMI. Note that 12 × 2 MMI is complicated in design and lacks feasibility.
一方、本実施の形態では、前述したように、6×1MMIおよび2×2MMIといった実績のある汎用のMMIを用いて構成している。そのため、波長可変光源の構成の実現が容易である。また、本実施の形態の波長可変光源100では、前述の関連技術Aと比較して、3.0dBのロスを低減できる。すなわち、本実施の形態によれば、汎用のMMIを適用することができ、かつ光の伝達のロスを低減することができる。
On the other hand, in the present embodiment, as described above, a general-purpose MMI with proven results such as 6 × 1 MMI and 2 × 2 MMI is used. Therefore, it is easy to realize the configuration of the wavelength variable light source. Moreover, in the wavelength tunable
(実施の形態1の変形例)
なお、実施の形態1に係る波長可変光源100は、図1の構成に限定されない。例えば、実施の形態1に係る波長可変光源は、以下の図4に示す波長可変光源100Aとしてもよい。
(Modification of Embodiment 1)
Note that the variable wavelength
図4は、本発明の実施の形態1の変形例に係る波長可変光源100Aの構成を示す図である。図4を参照して、波長可変光源100Aは、図1の波長可変光源100と比較して、マッハツェンダ変調器30の代わりにマッハツェンダ変調器30Aを備える点と、SOA(Semiconductor Optical Amplifier)62をさらに備える点とが異なる。波長可変光源100Aのそれ以外の構成は、波長可変光源100と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a wavelength tunable
マッハツェンダ変調器30Aは、マッハツェンダ変調器30と比較して、SOA61a,61bを有する点が異なる。マッハツェンダ変調器30Aのそれ以外の構成は、マッハツェンダ変調器30と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
The Mach-
SOA61aは、アーム部31aの一部に形成される。SOA61bは、アーム部31bの一部に形成される。また、SOA62は、接続導波路54に形成される。すなわち、SOA62は、マッハツェンダ変調器30Aの後段に形成される。
The
以上の構成を有する波長可変光源100Aでは、SOA(例えば、SOA61a)においては、当該SOAに電流を注入することで、当該SOAに入力される光の強度を増幅することができる。そのため、6×1MMIなどで発生したロスを補償し、光出力を増大させることが可能となる。
In the wavelength tunable
なお、波長可変光源100Aは、図4に示す構成に限定されない。例えば、波長可変光源100Aにおいて、SOA62を設けない構成としてもよい。また、例えば、波長可変光源100Aにおいて、SOA61a,61bを設けない構成としてもよい。すなわち、波長可変光源100Aは、マッハツェンダ変調器30Aのアーム部、および、マッハツェンダ変調器30Aの後段の少なくとも一方にSOAを形成した構成であってもよい。
The wavelength tunable
<実施の形態2>
図5は、本発明の実施の形態2に係る波長可変光源100Bの構成を示す図である。
<Embodiment 2>
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a wavelength tunable
波長可変光源100Bは、前述の構成Aで表現される。なお、波長可変光源100Bの構成は、上記構成Aにおいて、M=3、N=4、S=2とした構成である。
The wavelength tunable
具体的には、図5を参照して、波長可変光源100Bは、図1の波長可変光源100と比較して、半導体レーザ群LXの代わりに半導体レーザ群LXAを備える点と、MMI素子10a,10bの代わりにMMI素子11a,11b,11c,11dを備える点と、MMI素子20の代わりにMMI素子20Aを備える点とが異なる。波長可変光源100Bのそれ以外の構成は、波長可変光源100と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
Specifically, referring to FIG. 5, wavelength tunable
半導体レーザ群LXAは、半導体レーザ群LX11,LX12,LX21,LX22から構成される。半導体レーザ群LX11,LX12,LX21,LX22の各々は、3個のLD1から構成される。すなわち、半導体レーザ群LXAは、12(6×2=12)個のLD1を有する。 The semiconductor laser group LXA is composed of semiconductor laser groups LX11, LX12, LX21, and LX22. Each of the semiconductor laser groups LX11, LX12, LX21, and LX22 is composed of three LD1s. That is, the semiconductor laser group LXA has 12 (6 × 2 = 12) LD1s.
MMI素子11a,11b,11c,11dの各々は、3入力1出力のMMI素子(3×1MMI)である。以下においては、MMI素子11a,11b,11c,11dの各々を、単にMMI素子11ともいう。なお、MMI素子11が有する入力ポートおよび出力ポートについては、図1のMMI素子10と比較して、数のみ異なるだけであるので、詳細な説明は行わない。
Each of the
4個のMMI素子11の各々には、3本の接続導波路50と、1本の接続導波路51とが接続される。当該各接続導波路50は、MMI素子11の入力導波路である。接続導波路51は、MMI素子11の出力導波路である。
Three
12個のLD1は、4個のMMI素子11に接続される12本の入力導波路にそれぞれ接続される。具体的には、半導体レーザ群LX11,LX12,LX21,LX22は、それぞれ、MMI素子11a,11b,11c,11dに接続される。
The twelve
以下、半導体レーザ群LX11について説明する。半導体レーザ群LX11を構成する3個のLD1は、それぞれ、3本の接続導波路50(MMI素子11a)に接続される。すなわち、半導体レーザ群LX11を構成する3個のLD1は、3本の接続導波路50により、MMI素子11aに接続される。
Hereinafter, the semiconductor laser group LX11 will be described. The three
なお、半導体レーザ群LX12,LX21,LX22も、前述の半導体レーザ群LX11と同様な接続構成なので、詳細な説明は行わない。 The semiconductor laser groups LX12, LX21, and LX22 are also connected in the same manner as the semiconductor laser group LX11 described above, and will not be described in detail.
MMI素子20Aは、4入力2出力のMMI素子(4×2MMI)である。MMI素子20Aが有する入力ポートおよび出力ポートについては、図1のMMI素子20と比較して、数のみ異なるだけであるので、詳細な説明は繰り返さない。
The
MMI素子20Aには、2本の接続導波路51と、2本の接続導波路52とが接続される。各接続導波路51は、MMI素子20Aの入力導波路である。各接続導波路52は、MMI素子20Aの出力導波路である。
Two
MMI素子20Aの2本の接続導波路52(出力導波路)は、それぞれ、アーム部31a,31b(マッハツェンダ変調器30)と接続される。
The two connection waveguides 52 (output waveguides) of the
前述の関連技術Aでは、12×1MMIの出力導波路に結合できる光の強度は、当該12×1MMIに入力される光の強度の1/12となる。すなわち、原理損が10.8dB発生する。 In the related art A described above, the intensity of light that can be coupled to the output waveguide of 12 × 1 MMI is 1/12 of the intensity of light input to the 12 × 1 MMI. That is, a theoretical loss of 10.8 dB occurs.
一方、図5の構成を有する波長可変光源100Bにおいて、3×1MMI(MMI素子11)の出力導波路に結合できる光の強度は、当該3×1MMIに入力される光の強度の1/3となる。すなわち、原理損4.8dBが発生する。
On the other hand, in the wavelength tunable
なお、4×2MMI(MMI素子20A)においては、出力導波路に結合できる光強度は1/2となり、原理損3dBが発生する。すなわち、MMI素子11およびMMI素子20Aにおいて、合計で7.8dBの原理損失が発生する。
In the 4 × 2 MMI (
よって、前述の関連技術Aと比較して、図5の実施の形態2では、3.0dBだけロスを低減できる。 Therefore, compared with the above-described related art A, the loss can be reduced by 3.0 dB in the second embodiment of FIG.
また、関連技術Bでは、12×2MMIといった特殊なMMIを適用している。一方、本実施の形態では、3×1MMIおよび4×2MMIといった実績のある汎用のMMIを用いて構成しているため、実現が容易である。 In Related Technology B, a special MMI such as 12 × 2 MMI is applied. On the other hand, in the present embodiment, since it is configured by using general-purpose MMIs such as 3 × 1 MMI and 4 × 2 MMI, it is easy to realize.
なお、本実施の形態では、上記の構成Aにおいて、M=3、N=4、S=2としたが、これに限定されない。例えば、構成Aにおいて、M=4、N=4、S=2としてもよい。この場合、4×1MMIの原理損が6.0dB、4×2MMIの原理損が3.0dB、合計の原理損は9.0dBとなる。そのため、図5と比較して、ロスは1.2dB増えるが、LD1の個数が16となり、カバーできる光の波長範囲を1.3倍拡大できる。 In the present embodiment, M = 3, N = 4, and S = 2 in the configuration A, but the present invention is not limited to this. For example, in the configuration A, M = 4, N = 4, and S = 2 may be set. In this case, the principle loss of 4 × 1 MMI is 6.0 dB, the principle loss of 4 × 2 MMI is 3.0 dB, and the total principle loss is 9.0 dB. Therefore, compared with FIG. 5, the loss increases by 1.2 dB, but the number of LD1 becomes 16, and the wavelength range of light that can be covered can be expanded 1.3 times.
以上説明したように、本実施の形態の波長可変光源100Bは、実施の形態1と同様に、LD1とマッハツェンダ変調器30のアーム部31との間に設けられるMMI素子の構成は、2個のMMI素子11を1段目のMMI素子とし、MMI素子20Aを2段目のMMI素子とした2段構成である。そのため、多くのLDを使用する構成においても、波長可変光源のコストの増加を抑制することができる。
As described above, the wavelength tunable
なお、図5の波長可変光源100Bの構成は、実施の形態1の変形例(図4)の構成と同様に、マッハツェンダ変調器30のアーム部およびマッハツェンダ変調器30の後段の一方または両方にSOAを形成した構成としてもよい。この構成の場合、当該SOAに電流を注入することで、当該SOAに入力される光の強度を増幅することができる。そのため、3×1MMIなどで発生したロスを補償し、光出力を増大させることが可能となる。
The configuration of the wavelength tunable
<実施の形態3>
図6は、本発明の実施の形態3に係る波長可変光源100Cの構成を示す図である。図6を参照して、波長可変光源100Cは、図5の波長可変光源100Bと比較して、MMI素子20Aの代わりにMMI素子20Bを備える点と、マッハツェンダ変調器30の代わりに位相変調器40を備える点とが異なる。波長可変光源100Cのそれ以外の構成は、波長可変光源100Bと同様なので詳細な説明は繰り返さない。
<
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a wavelength tunable light source 100C according to
MMI素子20Bは、4入力4出力のMMI素子(4×4MMI)である。なお、MMI素子20Bが有する入力ポートおよび出力ポートについては、図1のMMI素子20と比較して、数のみ異なるだけであるので、詳細な説明は行わない。
The
位相変調器40は、マッハツェンダ変調器30a,30bと、MMI素子41と、位相シフタ42とを含む。
The
マッハツェンダ変調器30a,30bは、並列して設けられる。マッハツェンダ変調器30a,30bの各々は、図5のマッハツェンダ変調器30と同じ構成を有するので、詳細な説明は繰り返さない。
The Mach-
以下においては、マッハツェンダ変調器30a,30bの各々を、単に、マッハツェンダ変調器30ともいう。すなわち、位相変調器40(波長可変光源100C)において、2個のマッハツェンダ変調器30が、並列して設けられる。つまり、2個のマッハツェンダ変調器30は、パラレルに並ぶように設けられる。
Hereinafter, each of the Mach-
なお、マッハツェンダ変調器30a,30bの各々は、アーム部31a,31bを有する。以下においては、アーム部31a,31bの各々を、単に、アーム部31ともいう。すなわち、並列して設けられる2個のマッハツェンダ変調器30は、4本のアーム部31を有する。
Each of the Mach-
波長可変光源100Cでは、実施の形態2と同様、12個のLD1は、4個のMMI素子11に接続される12本の入力導波路にそれぞれ接続される。
In the wavelength tunable light source 100C, as in the second embodiment, the twelve
MMI素子20Bには、4本の接続導波路51と、4本の接続導波路52とが接続される。各接続導波路51は、MMI素子20Bの入力導波路である。各接続導波路52は、MMI素子20Bの出力導波路である。すなわち、4個のMMI素子11に接続される4本の出力導波路(接続導波路51)は、MMI素子20Bに接続される。
Four
MMI素子20Bに接続される4本の接続導波路52(出力導波路)は、それぞれ、4本のアーム部31(2個のマッハツェンダ変調器30のアーム部)に接続される。すなわち、MMI素子20Bに接続される4本の接続導波路52(出力導波路)は、2個のマッハツェンダ変調器30が有する4本のアーム部31とそれぞれ接続される。
The four connection waveguides 52 (output waveguides) connected to the
また、MMI素子41は、2入力1出力のMMI素子(2×1MMI)である。MMI素子41には、接続導波路54,55,56が接続される。MMI素子33に接続される接続導波路54は、マッハツェンダ変調器30aの出力導波路、および、MMI素子41の入力導波路である。すなわち、マッハツェンダ変調器30aの出力導波路(接続導波路54)は、MMI素子41と接続される。
The MMI element 41 is a 2-input 1-output MMI element (2 × 1 MMI).
また、接続導波路55は、MMI素子41の入力導波路である。接続導波路56は、MMI素子41の出力導波路である。マッハツェンダ変調器30bと、MMI素子41との間には、位相シフタ42が設けられる。
The
位相シフタ42は、光の位相をπ/2変化させる。位相シフタ42は、マッハツェンダ変調器30bの出力導波路(接続導波路54)と、MMI素子41の入力導波路(接続導波路55)とに接続される。
The phase shifter 42 changes the phase of light by π / 2. The phase shifter 42 is connected to the output waveguide (connection waveguide 54) of the Mach-
なお、波長可変光源100Cは、上記構成に限定されず、以下のような表現による構成(以下、構成Bという)で実現されてもよい。 The wavelength tunable light source 100C is not limited to the above configuration, and may be realized by a configuration based on the following expression (hereinafter referred to as configuration B).
構成Bは、M(2以上の自然数)×N(2以上の自然数)個のLDと、N個の第1のMMI素子と、N入力S出力の第2のMMI素子と、2個のマッハツェンダ変調器と、を備える構成である。Sは、N以下の偶数である。 The configuration B includes M (natural number greater than or equal to 2) × N (natural number greater than or equal to 2) LDs, N first MMI elements, N input S output second MMI elements, and two Mach-Zehnders. And a modulator. S is an even number equal to or less than N.
また、構成Bにおいて、上記のM×N個のLDの各々は、発振波長が異なる。また、構成Bにおいて、N個の第1のMMI素子の各々は、M入力1出力の素子である。また、構成Bにおいて、N個の第1のMMI素子の各々は、M本の第1の入力導波路および1本の第1の出力導波路と接続される。 In the configuration B, each of the M × N LDs has a different oscillation wavelength. In the configuration B, each of the N first MMI elements is an M-input 1-output element. In the configuration B, each of the N first MMI elements is connected to the M first input waveguides and one first output waveguide.
また、構成Bにおいて、第2のMMI素子は、当該N個の第1のMMI素子に接続されるN本の当該第1の出力導波路と、S本の第2の出力導波路とに接続される。また、構成Bにおいて、2個のマッハツェンダ変調器の各々は、当該S本の第2の出力導波路にそれぞれ接続されるS本のアーム部を有する。また、構成Bにおいて、当該N個の第1のMMI素子に接続される(M×N)本の当該第1の入力導波路の各々には、異なる各LDが接続される。また、構成Bにおいて、2個のマッハツェンダ変調器は、並列して設けられる。 In the configuration B, the second MMI element is connected to the N first output waveguides connected to the N first MMI elements and the S second output waveguides. Is done. In the configuration B, each of the two Mach-Zehnder modulators has S arm portions respectively connected to the S second output waveguides. In the configuration B, different LDs are connected to each of the (M × N) first input waveguides connected to the N first MMI elements. In the configuration B, two Mach-Zehnder modulators are provided in parallel.
本実施の形態に係る波長可変光源100Cの構成は、上記構成Bにおいて、M=3、N=4、S=4とした構成である。 The configuration of the wavelength tunable light source 100C according to the present embodiment is a configuration in which M = 3, N = 4, and S = 4 in the configuration B.
2個のマッハツェンダ変調器30をパラレルに接続した構成を有する波長可変光源100Cは、1個のマッハツェンダ変調器30を適用した波長可変光源100または波長可変光源100Bよりも、さらに原理損を低減できる。
The tunable light source 100C having a configuration in which two Mach-
図6の構成では、3×1MMI(MMI素子11)の出力導波路に結合できる光の強度は、当該3×1MMIに入力される光の強度の1/3となる。すなわち、原理損4.8dBが発生する。 In the configuration of FIG. 6, the intensity of light that can be coupled to the output waveguide of the 3 × 1 MMI (MMI element 11) is 1/3 of the intensity of the light input to the 3 × 1 MMI. That is, a principle loss of 4.8 dB occurs.
なお、4×4MMI(MMI素子20B)では、3×1MMIの出力導波路からの光が当該4×4MMIで4分岐されるだけなので、ロスは発生しない。12個のLD1のいずれかが光を出射し(発光し)、4×4MMIの4つの入力導波路のいずれかに光が入力された場合においても、4×4MMIの各出力導波路には、原理損なく、光が均等に出力される。
In the 4 × 4 MMI (
よって、7.8dBの原理損が発生する図1および図5の構成と比較して、図6の構成では、3.0dBだけロスを低減できる。また、3×1MMIまたは4×4MMIは一般的に用いられるものであり、容易に実現できる構成である。 Therefore, compared with the configuration of FIGS. 1 and 5 in which the principle loss of 7.8 dB occurs, the configuration of FIG. 6 can reduce the loss by 3.0 dB. Further, 3 × 1 MMI or 4 × 4 MMI is generally used and can be easily realized.
次に、位相変調の原理について説明する。DQPSK変調では、パラレルに配置された2つのマッハツェンダ変調器30が、それぞれIチャンネルおよびQチャンネルの位相変調に用いられる。なお、波長可変光源100Cでは、マッハツェンダ変調器30a,30bの各々から出力される各光間の位相を、π/2シフトさせるために、前述の位相シフタ42を設けている。
Next, the principle of phase modulation will be described. In DQPSK modulation, two Mach-
図7は、位相変調の原理を示す図である。以下においては、マッハツェンダ変調器30aのアーム部31a,31bを、それぞれ、アームA,Bともいう。また、以下においては、マッハツェンダ変調器30bのアーム部31a,31bを、それぞれ、アームC,Dともいう。
FIG. 7 is a diagram illustrating the principle of phase modulation. Hereinafter, the
図7を参照して、Iチャンネル側では、マッハツェンダ変調器30aは、アームAの変調電極32に、0〜Vπまでの電圧を印加する。また、Iチャンネル側では、マッハツェンダ変調器30aは、アームBの変調電極32に、0〜−Vπまでの電圧を印加する。位相がπ/2異なるQチャンネル側では、マッハツェンダ変調器30bは、アームCの変調電極32に、0〜Vπまでの電圧を印加する。また、Qチャンネル側では、マッハツェンダ変調器30bは、アームDの変調電極32に、0〜−Vπまでの電圧を印加する。
Referring to FIG. 7, on the I channel side, the Mach-
ここで、アームAとアームBとの合成(以下、合成ABともいう)は、図7の実軸上で変化し0と1を表す。合成ABは、ベクトルVC1で示される。また、アームCとアームDとの合成(以下、合成CDともいう)は、虚軸上で変化し0と1を表す。合成CDは、ベクトルVC2で示される。合成AB,CDの合成により、4種類の位相に対応する(0,1)(1,0)(1,1)(0,1)の2ビット信号を生成できる。 Here, the synthesis of arm A and arm B (hereinafter also referred to as synthesis AB) changes on the real axis in FIG. The composite AB is indicated by the vector VC1. Also, the combination of arm C and arm D (hereinafter also referred to as composite CD) varies on the imaginary axis and represents 0 and 1. The composite CD is indicated by the vector VC2. By combining the composites AB and CD, a 2-bit signal of (0, 1) (1, 0) (1, 1) (0, 1) corresponding to four types of phases can be generated.
なお、本実施の形態では、上記構成Bにおいて、M=3、N=4、S=4としたが、これに限定されない。例えば、構成Bにおいて、M=4、N=4、S=4としてもよい。この場合、4×1MMIの原理損が6.0dB、4×4MMIの原理損が0.0dB、合計の原理損は6.0dBとなる。そのため、図4と比較して、ロスは1.2dB増えるが、LD1の個数が16となり、カバーできる光の波長範囲を1.3倍拡大できる。 In the present embodiment, M = 3, N = 4, and S = 4 in Configuration B above, but the present invention is not limited to this. For example, in the configuration B, M = 4, N = 4, and S = 4 may be set. In this case, the principle loss of 4 × 1 MMI is 6.0 dB, the principle loss of 4 × 4 MMI is 0.0 dB, and the total principle loss is 6.0 dB. Therefore, compared with FIG. 4, the loss increases by 1.2 dB, but the number of LD1 is 16, and the wavelength range of light that can be covered can be expanded 1.3 times.
また、例えば、構成Bにおいて、M=8、N=4、S=4としてもよい。この場合、8×1MMIの原理損は9.0dB、4×4MMIの原理損が0.0dB、合計の原理損は9.0dBとなる。そのため、図4と比較してロスは4.2dB増えるが、LDの個数が32個となり、カバーできる光の波長範囲を2.7倍拡大できる。 Further, for example, in the configuration B, M = 8, N = 4, and S = 4 may be set. In this case, the principle loss of 8 × 1 MMI is 9.0 dB, the principle loss of 4 × 4 MMI is 0.0 dB, and the total principle loss is 9.0 dB. Therefore, the loss is increased by 4.2 dB compared to FIG. 4, but the number of LDs is 32, and the wavelength range of light that can be covered can be expanded by 2.7 times.
また、本実施の形態の波長可変光源100Cは、実施の形態1と同様に、LD1とマッハツェンダ変調器30のアーム部31との間に設けられるMMI素子の構成は、2個のMMI素子11を1段目のMMI素子とし、MMI素子20Bを2段目のMMI素子とした2段構成である。そのため、多くのLDを使用する構成においても、波長可変光源のコストの増加を抑制することができる。
Further, in the wavelength tunable light source 100C of the present embodiment, the configuration of the MMI element provided between the
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態、実施の形態の変形例を自由に組み合わせたり、実施の形態、実施の形態の変形例を適宜、変形、省略することが可能である。 It should be noted that within the scope of the invention, the present invention can be freely combined with the embodiments and modifications of the embodiments, or can be appropriately modified and omitted with reference to the embodiments and modifications of the embodiments. is there.
例えば、実施の形態1〜3では、LD1とマッハツェンダ変調器30のアーム部31との間に設けられるMMI素子の構成を、2段構成としたがこれに限定されない。当該MMI素子の構成は、3段以上の構成としてもよい。
For example, in the first to third embodiments, the configuration of the MMI element provided between the
1 LD、10,10a,10b,11,11a,11b,11c,11d,20,20A,20B,33,41 MMI素子、30,30A,30a,30b マッハツェンダ変調器、31,31a,31b アーム部、32 変調電極、40 位相変調器、42 位相シフタ、50,51,52,53,54,55,56 接続導波路、100,100A,100B,100C 波長可変光源。 1 LD, 10, 10a, 10b, 11, 11a, 11b, 11c, 11d, 20, 20A, 20B, 33, 41 MMI element, 30, 30A, 30a, 30b Mach-Zehnder modulator, 31, 31a, 31b arm part, 32 modulation electrode, 40 phase modulator, 42 phase shifter, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 connecting waveguide, 100, 100A, 100B, 100C wavelength variable light source.
Claims (2)
各々が、M本の第1の入力導波路および1本の第1の出力導波路と接続される、M入力1出力のN個の第1のMMI(Multi Mode Interference)素子と、
前記N個の第1のMMI素子に接続されるN本の前記第1の出力導波路と、S(N以下の偶数)本の第2の出力導波路とに接続される、N入力S出力の第2のMMI素子と、
前記S本の第2の出力導波路にそれぞれ接続されるS本のアーム部を有するマッハツェンダ変調器と、を備え、
前記N個の第1のMMI素子に接続される(M×N)本の前記第1の入力導波路の各々には、異なる各前記LDが接続される
波長可変光源。 M (natural number of 2 or more) × N (natural number of 2 or more) LDs (Laser Diodes) having different oscillation wavelengths,
N first MMI (Multi Mode Interference) elements each having M inputs and one output, each connected to M first input waveguides and one first output waveguide;
N input S outputs connected to the N first output waveguides connected to the N first MMI elements and S (even N or less) second output waveguides. A second MMI element of
A Mach-Zehnder modulator having S arm portions respectively connected to the S second output waveguides,
Each of the different LDs is connected to each of the (M × N) first input waveguides connected to the N first MMI elements.
前記波長可変光源には、前記マッハツェンダ変調器が2個並列して設けられ、
前記第2のMMI素子に接続される4本の前記第2の出力導波路は、2個の前記マッハツェンダ変調器が有する4本の前記アーム部とそれぞれ接続される
請求項1に記載の波長可変光源。 S is 4,
The wavelength variable light source is provided with two Mach-Zehnder modulators in parallel,
The wavelength tunable according to claim 1, wherein the four second output waveguides connected to the second MMI element are respectively connected to the four arm portions of the two Mach-Zehnder modulators. light source.
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