JP2014118308A - Translucent substrate, method for producing the same and surface light emitting element using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透光性基板上に形成する有機ELなどの発光素子の光取出効率に優れる透光性基板とその製造方法、および該基板上に形成した有機ELなどの面発光素子に関する。 The present invention relates to a light-transmitting substrate excellent in light extraction efficiency of a light-emitting element such as an organic EL formed on the light-transmitting substrate, a manufacturing method thereof, and a surface light-emitting element such as an organic EL formed on the substrate.
有機エレクトロルミネッセンス素子を応用したディスプレイに用いられる基板としては、特にTFT型(薄膜トランジスタ)のアクティブ駆動方式などにおいて、基板中にアルカリ金属酸化物などが含有されていると、基板表面に金属または酸化物薄膜などを形成する薄膜形成工程にて、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散し、膜特性を著しく劣化させてしまう問題が存在する。そのため、優れた耐薬品性・耐熱性・高電気絶縁性・高弾性率を有するアルカリ酸化物を含まない無アルカリガラス基板が好ましく用いられる。 As a substrate used for a display to which an organic electroluminescence element is applied, in particular, in an active drive system of a TFT type (thin film transistor), when the substrate contains an alkali metal oxide or the like, a metal or oxide is present on the substrate surface. In a thin film forming process for forming a thin film or the like, there is a problem that alkali metal ions diffuse into the thin film and the film characteristics are significantly deteriorated. Therefore, an alkali-free glass substrate that does not contain an alkali oxide having excellent chemical resistance, heat resistance, high electrical insulation, and high elastic modulus is preferably used.
さらに近年、ディスプレイが著しく普及し大面積化の要求が高まりつつあるなか、使用される無アルカリガラス基板も大面積化が求められている。 Furthermore, in recent years, as displays have been remarkably spread and demands for a large area are increasing, a non-alkali glass substrate used is also required to have a large area.
特許文献1では、ベースとなる透光性ガラス基板表面に凹凸を設け、該凹凸面上にガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成することで取り出し効率を向上させている。このようにして形成された透光性基板は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子における薄膜導波光および基板導波光の両者を効率的に取り出すことが可能であるとともに、工業的な量産性も優れているためメリットが大きいことが報告されている。 In Patent Document 1, unevenness is provided on the surface of a translucent glass substrate serving as a base, and a high refractive material layer obtained by melting a glass frit material is formed on the uneven surface, thereby improving the extraction efficiency. The translucent substrate thus formed can efficiently extract both the thin-film waveguide light and the substrate waveguide light in the organic electroluminescence light-emitting device, and has excellent industrial mass productivity. It has been reported that the benefits are great.
特許文献2では、ベースとなる透光性ガラス基板上に、ガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成し、且つ該高屈折材料層中に異なる屈折率を有する散乱物質を透光性ガラス基板から電極に至る深さ方向に含有率分布を変化させた高屈折材料層を形成し、光散乱機能を付与することで、薄膜導波光および基板導波光の両者を効率的に取り出し、光取り出し効率を向上させた報告がされている。 In Patent Document 2, a high-refractive material layer obtained by melting a glass frit material is formed on a light-transmitting glass substrate serving as a base, and a scattering material having a different refractive index is transmitted through the high-refractive material layer. By forming a high-refractive material layer with a varying content distribution in the depth direction from the optical glass substrate to the electrode and adding a light scattering function, both thin-film guided light and substrate-guided light are efficiently extracted. There have been reports of improved light extraction efficiency.
特許文献1では、用いられるガラスフリット材料の線膨張係数(CTE)と透光性ガラス基板のCTEの差が大きいと歪みが発生し高屈折率材料層にクラック等の破壊が生じる場合があるため、両者のCTE差は10×10−7よりも小さくすることが好ましいとの記載がある。しかし、本発明者らの検討の結果、大面積の無アルカリガラス基板(CTE=32×10−7/℃)上に高屈折率材料層を形成した場合、10×10−7程度のCTE差を有するガラスフリットを用いても、充分な歪みレベルが確保されないことが分かった(歪みレベルの目標は、基板サイズ500mmとしたときの反り量が1mm以下)。また、一般的に無アルカリガラス基板と同等レベルのCTEを有するガラスフリット材料がなく、大面積ディスプレイへの適用に向け大きな課題がある。 In Patent Document 1, if the difference between the coefficient of linear expansion (CTE) of the glass frit material used and the CTE of the translucent glass substrate is large, distortion may occur and breakage such as cracks may occur in the high refractive index material layer. There is a description that the CTE difference between them is preferably smaller than 10 × 10 −7 . However, as a result of the study by the present inventors, when a high refractive index material layer is formed on a large area non-alkali glass substrate (CTE = 32 × 10 −7 / ° C.), a CTE difference of about 10 × 10 −7. It was found that a sufficient distortion level could not be secured even when using a glass frit having a thickness (the target of the distortion level is a warp amount of 1 mm or less when the substrate size is 500 mm). Further, there is generally no glass frit material having a CTE of the same level as that of an alkali-free glass substrate, and there is a big problem for application to a large area display.
特許文献2では、用いるガラスフリット材料のCTEは、歪みの問題から50×10−7/℃以上、好ましくは70×10−7/℃以上、より好ましくは95×10−7/℃以上と記載されている。しかしながら、大面積ディスプレイ用途の無アルカリガラス基板を前提とした場合、CTE差が大きくなるため基板歪みが生じ、高屈折材料層へのクラック発生が予想されるため、大面積ディスプレイへの適用に向け大きな課題がある。 In Patent Document 2, the CTE of the glass frit material used is 50 × 10 −7 / ° C. or higher, preferably 70 × 10 −7 / ° C. or higher, more preferably 95 × 10 −7 / ° C. or higher, due to distortion. Has been. However, assuming a non-alkali glass substrate for large area display applications, the difference in CTE will be large, resulting in substrate distortion and the occurrence of cracks in the high refractive material layer. There are major challenges.
無アルカリガラス基板上にガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成した構造の透光性基板は、無アルカリガラス基板と高屈折材料層の原料となるガラスフリット材料が、一般的にその材料組成の違いのためCTEを併せることは難しいため、図9(a)のような凹状または図9(b)のように凸状の基板反りが発生する。図9(c)は、無アルカリガラス基板上に高屈折材料層を形成した透光性基板の反り量と、高屈折材料層に用いたガラスフリット材料のCTEとの関係を示したグラフである。グラフ中の反り量は、該透光性基板上を10mm走査し得られた表面形状プロファイルから図9(a)または(b)に記載の反り量を求めたものである。 A translucent substrate having a structure in which a highly refractive material layer obtained by melting a glass frit material on an alkali-free glass substrate is formed, and a glass frit material as a raw material for the alkali-free glass substrate and the highly refractive material layer is generally used Further, since it is difficult to combine CTE due to the difference in material composition, a concave substrate as shown in FIG. 9A or a convex substrate warp as shown in FIG. 9B occurs. FIG. 9C is a graph showing the relationship between the amount of warpage of a translucent substrate in which a high refractive material layer is formed on an alkali-free glass substrate and the CTE of the glass frit material used for the high refractive material layer. . The warpage amount in the graph is obtained by calculating the warpage amount shown in FIG. 9A or 9B from the surface shape profile obtained by scanning the translucent substrate by 10 mm.
図10は、前述の反り量と大面積化したときの反り量をシミュレーションした結果を示すグラフであり、大面積化により基板反り量が大きくなるという問題があることが分かる。 FIG. 10 is a graph showing a result of simulating the warpage amount and the warpage amount when the area is increased, and it can be seen that there is a problem that the substrate warpage amount increases as the area is increased.
上記いずれの方法でも、無アルカリガラス基板上に高屈折材料層を形成した透光性基板において、面発光素子の光取り出し効率改善とともに、大面積化に対応できるように基板歪み(基板反り量)を解消する方法は未だ提案されていない。 In any of the above methods, in a translucent substrate in which a highly refractive material layer is formed on an alkali-free glass substrate, the substrate is strained (amount of substrate warpage) so that the light extraction efficiency of the surface light emitting element can be improved and the area can be increased. A method for solving this problem has not been proposed yet.
本発明は、上述の課題を鑑み、透光性基板の歪みの問題を解消し、光取り出し効率の優れた透光性基板を提供することを課題とする。 In view of the above-described problems, an object of the present invention is to solve the problem of distortion of a light-transmitting substrate and provide a light-transmitting substrate having excellent light extraction efficiency.
本発明の一実施形態による透光性基板は、無アルカリガラス基板と、前記無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数CTEglassより大きい少なくとも1種のガラス材料を含有し、かつ前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラス材料を含む高屈折材料層を有することを特徴としている。 The translucent substrate according to an embodiment of the present invention contains an alkali-free glass substrate, and on the alkali-free glass substrate, at least one glass material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the alkali-free glass substrate, And it has the high refractive material layer containing at least 1 sort (s) of glass material smaller than said CTE glass, It is characterized by the above-mentioned.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴としている。 The translucent substrate according to an embodiment of the present invention is characterized in that, in the above-described configuration, the interface between the alkali-free glass substrate and the high refractive material layer is uneven.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層が、前記ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴としている。 The translucent substrate according to an embodiment of the present invention is characterized in that, in the configuration, the high refractive material layer is made of a scattering material having a refractive index different from that of the glass material and the glass material. Yes.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と、前記CTEglassより大きい少なくとも1種のガラス材料からなる層と、前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラス材料からなる層を含む2層以上で構成された高屈折材料層を有することを特徴としている。 Further, the translucent substrate according to an embodiment of the present invention, in the structure, the alkali-free glass substrate, and the CTE Glass greater comprises at least one glass material layer, the CTE Glass smaller at least one It is characterized by having a high refractive material layer composed of two or more layers including a layer made of a glass material.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴としている Moreover, the translucent substrate according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above configuration, the interface between the alkali-free glass substrate and the high refractive material layer is uneven.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層の前記2層中の少なくとも1層が、ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴としている。 In the translucent substrate according to an embodiment of the present invention, in the configuration, at least one of the two layers of the high refractive material layer has a refractive index different from that of the glass material and the glass material. It consists of a scattering material.
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記CTEglassより小さいCTEを有するガラス材料を含有する高屈折材料層中に、結晶化ガラスが含まれることを特徴としている。 The translucent substrate according to an embodiment of the present invention is characterized in that, in the above configuration, crystallized glass is included in a high refractive material layer containing a glass material having a CTE smaller than the CTE glass . .
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層の膜厚が40μm以下であることを特徴としている。 The translucent substrate according to an embodiment of the present invention is characterized in that, in the above configuration, the high refractive material layer has a thickness of 40 μm or less.
また、本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記構成を有するいずれかに記載の透光性基板を用いたことを特徴としている。 Moreover, the organic electroluminescent element by one Embodiment of this invention is characterized by using the translucent board | substrate in any one which has the said structure.
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記CTEglassより大きい少なくとも1種のガラスフリット材料及び前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラスフリット材料を混合してペーストを調製し、前記ペーストを塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストを焼成して高屈折材料層を形成することを特徴としている。 In addition, a method for manufacturing a light-transmitting substrate according to an embodiment of the present invention includes a non-alkali glass substrate on which at least one glass frit material larger than the CTE glass and at least one glass frit material smaller than the CTE glass. A paste is prepared by mixing, the paste is applied, the paste is dried, and the dried paste is baked to form a high refractive material layer.
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数CTEglassより大きい少なくとも1種のガラスフリット材料を含むペーストA若しくは前記CTEglassよりも小さい少なくとも1種のガラスフリット材料を含むペーストBのいずれか一方のペーストを塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストにより得られた乾燥膜を焼成して第一の焼成膜(高屈折率材料層)を形成する工程と、前記第一塗布・乾燥・焼成工程によって形成された高屈折材料層上に、前記ペーストA及び前記ペーストBのうち、前記第一塗布・乾燥・焼成工程において塗布されていないペーストを前記第一の焼成膜(高屈折率材料層)上に塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストにより得られた乾燥膜を焼成する工程によって積層型高屈折材料層を形成することを特徴としている。 In addition, a method for manufacturing a light-transmitting substrate according to an embodiment of the present invention includes a paste A or a non-alkali glass substrate containing at least one glass frit material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the non-alkali glass substrate. Applying any one paste of paste B containing at least one glass frit material smaller than the CTE glass , drying the paste, firing the dried film obtained by the dried paste, A step of forming a fired film (high refractive index material layer), and the first application and drying of the paste A and the paste B on the high refractive material layer formed by the first application / drying / firing step. A paste that has not been applied in the drying / firing step is applied onto the first fired film (high refractive index material layer), the paste is dried, and the dry It is characterized by forming a stacked high refractive material layer by calcining the resulting dried film by paste.
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数CTEglassより大きい少なくとも1種のガラスフリット材料を含むペーストA若しくは前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラスフリット材料を含むペーストBのうちいずれか一方のペーストを塗布して乾燥する第一塗布・乾燥工程と、前記第一塗布・乾燥工程によって形成された乾燥膜上に、前記ペーストA及び前記ペーストBのうち、前記第一塗布・乾燥工程において塗布されていないペーストを塗布する第二塗布・乾燥工程と、前記第二塗布・乾燥工程によって形成された積層型乾燥膜を焼成することにより、積層型高屈折材料層を形成することを特徴としている。 In addition, a method for manufacturing a light-transmitting substrate according to an embodiment of the present invention includes a paste A or a non-alkali glass substrate containing at least one glass frit material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the non-alkali glass substrate. A first coating / drying step of applying and drying any one of pastes B containing at least one glass frit material smaller than the CTE glass, and a dry film formed by the first coating / drying step On top of this, the second application / drying step of applying the paste that has not been applied in the first application / drying step of the paste A and the paste B, and the laminated type formed by the second application / drying step A laminated high refractive material layer is formed by firing the dry film.
本発明によれば、高屈折材料層に用いるガラスフリット材料と無アルカリガラス基板のCTE差により生じる基板反り量を改善することが可能となるため基板歪みが少なく大面積化が可能であり、かつ光取り出し効率の優れた透光性基板が提供できる。 According to the present invention, it is possible to improve the amount of substrate warpage caused by the CTE difference between the glass frit material used for the high refractive material layer and the non-alkali glass substrate, so that the substrate distortion is small and the area can be increased. A light-transmitting substrate having excellent light extraction efficiency can be provided.
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.
(OLEDの一般的な構成)
まず、図8(a)、(b)を参照しながら、OLEDの一般的な構成について説明する。図8(a)はボトムエミッション型OLEDの一般的な断面構成を示す説明図であり、(b)はトップエミッション型OLEDの一般的な断面構成を示す説明図である。
(General configuration of OLED)
First, a general configuration of an OLED will be described with reference to FIGS. 8 (a) and 8 (b). FIG. 8A is an explanatory diagram showing a general cross-sectional configuration of a bottom emission type OLED, and FIG. 8B is an explanatory diagram showing a general cross sectional configuration of a top emission type OLED.
図8(a)に示すように、ボトムエミッション型OLED10は、ガラス等で構成される基板11上に、スパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成されたITO等の透明な導電性膜からなる第1電極12と、前記第1電極12上に同じく抵抗加熱蒸着法等により形成されたN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(以下、NPDと略称する。)等からなる正孔輸送層13と、正孔輸送層13上に抵抗加熱蒸着法等により形成された8−Hydroxyquinoline Alμminμm(以下、Alq3と略称する。)等からなる発光層14と、発光層14上に形成されたトリス(8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4-メチル-8-キノリノラート)アルミニウム、ビス(2-メチル−8−キノリノラート)−4−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[2-[2-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体等からなる電子輸送層15と、電子輸送層15上に抵抗加熱蒸着法等により形成されたアルミニウムなどの反射金属膜からなる第2電極16とを備えている。上記構成を有するボトムエミッション型OLED 10の第1電極12をプラス極として、また第2電極16をマイナス極として、直流電圧又は直流電流を印加すると、第1電極12から正孔輸送層13を介して発光層14に正孔が注入され、第2電極16から電子輸送層15を介して発光層14に電子が注入される。発光層14では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が生じる。 As shown in FIG. 8A, the bottom emission type OLED 10 includes a transparent conductive film such as ITO formed on a substrate 11 made of glass or the like by a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, or the like. One electrode 12 and N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine (hereinafter abbreviated as NPD) formed on the first electrode 12 by the resistance heating vapor deposition method or the like. And the like, a light emitting layer 14 made of 8-hydroxyquinoline Al μmin μm (hereinafter abbreviated as Alq3) formed on the hole transport layer 13 by a resistance heating vapor deposition method, and the like, and a light emitting layer 14. Tris (8-quinolinolato) aluminum, tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolino) formed above Lat) -4-phenylphenolate-aluminum, electron transport layer 15 made of a metal complex such as bis [2- [2-hydroxyphenyl] benzoxazolate] zinc, and resistance heating vapor deposition method on electron transport layer 15 And a second electrode 16 made of a reflective metal film made of aluminum or the like. When a DC voltage or a DC current is applied with the first electrode 12 of the bottom emission type OLED 10 having the above configuration as a positive electrode and the second electrode 16 as a negative electrode, the first electrode 12 passes through the hole transport layer 13. Then, holes are injected into the light emitting layer 14, and electrons are injected from the second electrode 16 into the light emitting layer 14 through the electron transport layer 15. In the light-emitting layer 14, recombination of holes and electrons occurs, and a light emission phenomenon occurs when excitons generated thereby shift from the excited state to the ground state.
図8(b)はトップエミッション型OLED 20の構造を示す断面図である。トップエミッション型OLED 20の場合、第1電極12がアルミニウムなどの反射性の高い金属層で構成され、第2電極16がITO等の透明な導電性膜からなる点で、前記ボトムエミッション型OLED 10の構造と相違する。このように、トップエミッション型OLEDの場合、第1電極12は反射性金属、第2電極16は薄膜金属或いは透明な導電性物質で構成されることが一般的である。 FIG. 8B is a cross-sectional view showing the structure of the top emission type OLED 20. In the case of the top emission type OLED 20, the bottom emission type OLED 10 in that the first electrode 12 is made of a highly reflective metal layer such as aluminum and the second electrode 16 is made of a transparent conductive film such as ITO. The structure is different. As described above, in the case of a top emission type OLED, the first electrode 12 is generally composed of a reflective metal and the second electrode 16 is composed of a thin film metal or a transparent conductive material.
前記の透明な導電性物質として、ITO(Indium Tin Oxide)、酸化錫、酸化亜鉛、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(Aluminum−doped Zinc Oxide)、またはGZO(Gallium−doped Zinc Oxide)を例示することができる。前記無機導電膜以外に、前記の透明電極を構成する導電性物質として、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の有機導電膜を用いることができ、或いは、前記無機導電膜及び前記有機導電膜を多層化した複合膜を用いることができる。 Examples of the transparent conductive material include ITO (Indium Tin Oxide), tin oxide, zinc oxide, IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide), and GZO (Gallium-doped Zinc Oxide). be able to. In addition to the inorganic conductive film, an organic conductive film such as a polyparaphenylene vinylene derivative, a polyfluorene derivative, a polythiophene derivative, or the like can be used as the conductive substance constituting the transparent electrode, or the inorganic conductive film and the A composite film in which an organic conductive film is multilayered can be used.
本発明は、前記ボトムエミッション型OLED或いはトップエミッション型OLEDのいずれに対しても適用可能である。 The present invention is applicable to both the bottom emission type OLED and the top emission type OLED.
[第1実施形態]
初めに、図1(a)を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係るOLEDの構成について説明する。図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係るOLED100の断面構成を示す説明図である。
[First Embodiment]
First, the configuration of the OLED according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of the OLED 100 according to the first embodiment of the present invention.
図1(a)に示すように、本発明の第1の実施形態に係るOLED100はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板110と、高屈折材料層120と、正極としての透明電極130と、有機発光層150と、陰極180とを主に備える。 As shown in FIG. 1A, the OLED 100 according to the first embodiment of the present invention is a bottom emission type, and includes an alkali-free glass substrate 110, a high refractive material layer 120, a transparent electrode 130 as a positive electrode, The organic light emitting layer 150 and the cathode 180 are mainly provided.
前記OLED100は、無アルカリガラス基板110の表面に凹凸面111が形成されており、この凹凸面111が高屈折材料層120により表面(透明電極130と接触する面)が平坦化された構造を有している。無アルカリガラス基板110と高屈折材料層120の界面に形成されている凹凸面111は、透明電極130側から入射した光を散乱させる機能を有する。以下、前記OLED100の各構成要素について詳細に説明する。 The OLED 100 has a structure in which a concavo-convex surface 111 is formed on the surface of an alkali-free glass substrate 110, and the concavo-convex surface 111 is flattened by a high refractive material layer 120 (surface that contacts the transparent electrode 130). doing. The uneven surface 111 formed at the interface between the alkali-free glass substrate 110 and the high refractive material layer 120 has a function of scattering light incident from the transparent electrode 130 side. Hereinafter, each component of the OLED 100 will be described in detail.
<無アルカリガラス基板110>
一般的にOLEDに適用可能な基板として、例えば、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、高歪点ガラス(PD200など)等のガラス材料や、例えば、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリアクリレート(PAR)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアリレート、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等に代表される絶縁性を有する透明なプラスチック材料が挙げられる。近年、OLEDを応用したディスプレイに用いられる基板として、特にTFT型(薄膜トランジスタ)のアクティブ駆動方式などにおいて、基板中にアルカリ金属酸化物などが含有されていると、基板表面に金属または酸化物薄膜などを形成する薄膜形成工程にて、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散し、膜特性を著しく劣化させてしまう問題が存在する。
<Non-alkali glass substrate 110>
As a substrate generally applicable to OLED, for example, glass materials such as alkali-free glass, soda lime glass, high strain point glass (PD200, etc.), for example, polyethersulfone (PES), polyacrylate (PAR), Polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate, polyimide (PI), polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate Examples thereof include transparent plastic materials having insulating properties such as (CAP). In recent years, as a substrate used for a display using OLED, especially in a TFT type (thin film transistor) active drive system, when the substrate contains an alkali metal oxide or the like, a metal or oxide thin film or the like is formed on the substrate surface. In the thin film formation process for forming the film, there is a problem that alkali metal ions diffuse into the thin film and the film characteristics are remarkably deteriorated.
また、アルカリ金属などの可動イオンの透過性を防ぐことを目的とし、基板表面に窒化シリコンや酸化シリコンなどのパッシベーション膜にて保護し信頼性を確保する手段も知られているが、パッシベーション膜形成プロセスが増えることによるコスト負担の問題が存在する。そのため、本発明では、優れた耐薬品性・耐熱性・高電機絶縁性・高弾性率を有するアルカリ酸化物を含まない無アルカリガラス基板が用いられる。 In addition, for the purpose of preventing the permeability of mobile ions such as alkali metals, a means for protecting the substrate surface with a passivation film such as silicon nitride or silicon oxide to ensure reliability is also known. There is a problem of cost burden due to an increase in processes. Therefore, in the present invention, an alkali-free glass substrate not containing an alkali oxide having excellent chemical resistance, heat resistance, high electrical insulation, and high elastic modulus is used.
<凹凸面111>
凹凸面111は、有機発光層150で発生した光が透明電極130を通過して無アルカリガラス基板110に入射する際の入射光の屈折角に乱れを生じさせるようなランダムな凹凸を有する面である。なお、本発明では、凹凸面111上にガラスフリット材料と樹脂からなる乾燥膜を形成した後、焼成工程にて樹脂が除去されガラスフリットが溶融されることにより高屈折材料層120を形成する。このため用いられるガラスフリット材料は、無アルカリガラス基板の融点よりも低い融点を有するガラスフリット材料を用いることが好ましい。
<Uneven surface 111>
The concavo-convex surface 111 is a surface having random concavo-convex such that light generated in the organic light emitting layer 150 passes through the transparent electrode 130 and is incident on the non-alkali glass substrate 110 to disturb the refraction angle of incident light. is there. In the present invention, after a dry film made of a glass frit material and a resin is formed on the concavo-convex surface 111, the high refractive material layer 120 is formed by removing the resin in a baking step and melting the glass frit. For this reason, it is preferable to use a glass frit material having a melting point lower than that of the alkali-free glass substrate.
この凹凸面111の凹凸の度合いは特に限定はされないが、JIS B 0601−2001で規定されている平均表面粗さRaで0.7μm以上5μm以下であることが好ましい。Raが0.7μmより小さい場合には、光取り出しの効果が十分ではない場合がある。また、Raが5μmを超えると、取り出し効率が低下する傾向にある。この理由としては、以下のように考えられる。本実施形態のように、光の散乱を利用して取り出し効率を高めようとする場合には、光は、前記OLED100内で散乱層(凹凸面111の存在する領域)を通るたびに、何度も反射を繰り返して、結果的に、前記OLED100の外部へ光を取り出すことができる。このような機構を考えた場合、Raが大きいと高屈折材料層120の表面(透明電極130と接触する面)を平坦化する為には必然的に高屈折材料層120は厚くなる。高屈折材料層120の厚みが厚すぎる場合、高屈折材料層120内での光の吸収による損失が無視できなくなるためである。この点、本発明で使用される高屈折材料層120の材料となるガラスフリットは、金属酸化物からなり、可視光領域の消衰係数kは非常に小さいため、少ない回数の反射や散乱による光の減衰は無視できるほど小さい。 The degree of unevenness of the uneven surface 111 is not particularly limited, but is preferably 0.7 μm or more and 5 μm or less in terms of the average surface roughness Ra specified in JIS B 0601-2001. When Ra is smaller than 0.7 μm, the light extraction effect may not be sufficient. Moreover, when Ra exceeds 5 μm, the extraction efficiency tends to decrease. The reason is considered as follows. As in the present embodiment, when light extraction is to be used to increase the extraction efficiency, the light passes through the scattering layer (the region where the uneven surface 111 is present) in the OLED 100 several times. As a result, light can be extracted to the outside of the OLED 100. Considering such a mechanism, if Ra is large, the high refractive material layer 120 inevitably becomes thick in order to flatten the surface of the high refractive material layer 120 (the surface in contact with the transparent electrode 130). This is because when the thickness of the high refractive material layer 120 is too thick, loss due to light absorption in the high refractive material layer 120 cannot be ignored. In this respect, the glass frit used as the material of the high refractive material layer 120 used in the present invention is made of a metal oxide and has an extremely small extinction coefficient k in the visible light region. The attenuation of is negligibly small.
<凹凸面111の凹凸の形状>
本実施形態における凹凸面111の凹凸の形状は、上述したランダムな形状であってもよいし、例えば、レンズ形状またはピラミッド形状のような均一な構造単位を有する規則的な形状であってもよい。このようなレンズ構造やピラミッド構造の具体的な形状や大きさについては特に制限はなく、発生する光の波長範囲に対して十分大きく、集光効果を発現できるサイズであって、画素サイズよりも小さな構造単位を有していればよい。一般的なディスプレイの画素サイズ(ピクセルサイズ)は、100〜600μm程度であり、RGBの各サイズがその1/3であることから、概ね30〜200μmである。従って、本変形例における凹凸面111の具体的な形状としては、数μmから数十μmの大きさ(凹凸の高さ)の構造単位を有するレンズ形状(略半球形状)やピラミッド形状(略四角錐形状)等が挙げられる。
<Uneven shape of uneven surface 111>
The uneven shape of the uneven surface 111 in the present embodiment may be the random shape described above, or may be a regular shape having a uniform structural unit such as a lens shape or a pyramid shape. . There are no particular restrictions on the specific shape or size of such a lens structure or pyramid structure, which is sufficiently large for the wavelength range of the generated light and capable of exhibiting a light condensing effect, which is larger than the pixel size. What is necessary is just to have a small structural unit. The pixel size (pixel size) of a general display is about 100 to 600 μm, and each size of RGB is 1/3 of the size, so it is about 30 to 200 μm. Therefore, as a specific shape of the uneven surface 111 in this modification, a lens shape (substantially hemispherical shape) or a pyramid shape (substantially four) having a structural unit with a size (uneven height) of several μm to several tens μm. Pyramid shape).
また、高屈折材料層120の膜厚は、無アルカリガラス基板110の凹凸面111を平坦化するのに十分な厚みであれば特に限定されないが、本発明者らの検討によれば、概ね、無アルカリガラス基板110の凹凸面111の最大高さの1.3倍以上であることが好ましい。すなわち、凹凸面111がレンズ構造を有しており、そのレンズの構造単位が直径10μmの半球形状であれば、無アルカリガラス基板110の凹凸面111の最大高さは5μmとなるので、高屈折材料層120の好適な厚みは6.5μm以上となり、レンズの構造単位が直径80μmの半球形状であれば、高屈折材料層120の好適な厚みは52μm以上となる。 Further, the thickness of the high refractive material layer 120 is not particularly limited as long as it is sufficient to flatten the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110, but according to the study by the present inventors, It is preferably 1.3 times or more the maximum height of the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110. That is, if the uneven surface 111 has a lens structure, and the structural unit of the lens is a hemispherical shape with a diameter of 10 μm, the maximum height of the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110 is 5 μm. The preferred thickness of the material layer 120 is 6.5 μm or more. If the structural unit of the lens is a hemispherical shape having a diameter of 80 μm, the preferred thickness of the high refractive material layer 120 is 52 μm or more.
<高屈折材料層120>
高屈折材料層120は、上述した無アルカリガラス基板110と透明電極130との間に配置され、無アルカリガラス基板110の屈折率以上の屈折率を有する層であり、透明電極130側から入射した光を散乱させる凹凸面111を有しており、かつ透明電極130と接する面は平坦であることを特徴とする。
<High refractive material layer 120>
The high refractive material layer 120 is disposed between the alkali-free glass substrate 110 and the transparent electrode 130 described above, and has a refractive index equal to or higher than the refractive index of the alkali-free glass substrate 110, and is incident from the transparent electrode 130 side. It has an uneven surface 111 that scatters light, and a surface in contact with the transparent electrode 130 is flat.
OLEDなどの面発光素子を作成する場合、基板には高い平滑性が求められる。多くの面発光素子が、薄膜(数十nm〜数μm)で構成されており、基板の表面に凹凸があると電流のリークが発生して素子の安定駆動ができないためである。そこで、本実施形態においては、無アルカリガラス基板110上に形成した凹凸面111を平坦化するために、ガラスフリットを含むガラスペーストを使用し、無アルカリガラス基板110の表面に形成された凹凸面111上にガラスフリット材料と樹脂からなる乾燥膜を形成した後、焼成工程にて樹脂を除去しガラスフリットを溶融した高屈折材料層120を設けることにより、透明電極130と接する面を平坦とした。基板表面の凹凸を平坦化するための材料は、例えば、SOG材料やCVD膜など、種々提案されているが、大きな粗さを有する凹凸を平坦化できるような膜厚を形成することができなかったり、製膜に非常に高価で高度な設備が必要で時間がかかったりするなど、実用上多くの問題を抱えている。本発明者らの検討によれば、SOG材料を用いた場合には、製膜できる最大膜厚は高々1〜2μm程度、CVD法を用いて製膜したSiNの膜でも実用的に製膜できる膜厚は数μmである。光の散乱や集光など、基板への入射光の屈折角を調整するための構造(凹凸)は、その入射光の波長よりも大きな構造物(入射光の波長よりも大きな粗さを有する凹凸面)である必要があり、SOG材料やCVD法を用いた場合には、凹凸面の平坦化を達成することは不可能である。 When creating a surface light emitting device such as an OLED, the substrate is required to have high smoothness. This is because many surface light-emitting elements are composed of thin films (several tens of nanometers to several micrometers), and if there are irregularities on the surface of the substrate, current leakage occurs and the elements cannot be driven stably. Therefore, in this embodiment, in order to flatten the uneven surface 111 formed on the alkali-free glass substrate 110, the uneven surface formed on the surface of the alkali-free glass substrate 110 using a glass paste containing glass frit. After forming a dry film made of a glass frit material and a resin on 111, the surface in contact with the transparent electrode 130 is flattened by providing a high refractive material layer 120 in which the resin is removed and the glass frit is melted in a baking process. . Various materials for flattening the unevenness of the substrate surface have been proposed, such as SOG material and CVD film, but it is not possible to form a film thickness that can flatten the unevenness having a large roughness. There are many problems in practical use, such as the need for highly expensive and sophisticated equipment for film formation, which takes time. According to the study by the present inventors, when an SOG material is used, the maximum film thickness that can be formed is at most about 1 to 2 μm, and even a SiN film formed using the CVD method can be practically formed. The film thickness is several μm. The structure (unevenness) for adjusting the refraction angle of the incident light to the substrate, such as light scattering and condensing, is a structure larger than the wavelength of the incident light (unevenness having a roughness larger than the wavelength of the incident light) If the SOG material or the CVD method is used, it is impossible to achieve flattening of the uneven surface.
これに対して、本実施形態のガラスフリットを用いて高屈折材料層を形成する方法では、ガラスフリットを、テルピネオールやブチルカルビトールアセテートなどの高沸点溶剤と、エチルセルロースやアクリル樹脂などの増粘性のバインダー樹脂と混合することにより作成されるガラスペーストを無アルカリガラス基板110上に塗布し、乾燥及び焼成するだけで、容易に凹凸面111の平坦化が可能であり、かつ、十分な膜厚の高屈折材料層120を形成することが可能である。この高屈折材料層120を形成するためのガラスペーストは、ガラスフリットと、溶剤と、樹脂とを含むペースト状の組成物であるが、以下、本実施形態に係るガラスペーストの各成分について説明する。 In contrast, in the method of forming a high refractive material layer using the glass frit of the present embodiment, the glass frit is made of a high boiling point solvent such as terpineol or butyl carbitol acetate and a thickening agent such as ethyl cellulose or acrylic resin. By simply applying a glass paste prepared by mixing with a binder resin onto the alkali-free glass substrate 110, drying and baking, the uneven surface 111 can be easily flattened, and a sufficient film thickness can be obtained. It is possible to form the high refractive material layer 120. The glass paste for forming the highly refractive material layer 120 is a paste-like composition containing glass frit, a solvent, and a resin. Hereinafter, each component of the glass paste according to this embodiment will be described. .
<ガラスフリット>
まず、本実施形態で用いられるガラスフリットは、無アルカリガラス基板110の歪みやひずみがおきない温度で透明なガラス層(高屈折材料層120)を形成することができるような熱特性を有している必要がある。無アルカリガラス基板110は、650℃以上の温度をかけると、歪みやひずみが発生するため好ましくない。650℃以下で高屈折材料層120を形成するためには、ガラスフリットのガラス転移温度(Tg)は好ましくは630℃以下である。
<Glass frit>
First, the glass frit used in the present embodiment has a thermal characteristic such that a transparent glass layer (high refractive material layer 120) can be formed at a temperature at which the alkali-free glass substrate 110 is not distorted or distorted. Need to be. When the alkali-free glass substrate 110 is subjected to a temperature of 650 ° C. or higher, distortion and strain are generated, which is not preferable. In order to form the high refractive material layer 120 at 650 ° C. or lower, the glass transition temperature (Tg) of the glass frit is preferably 630 ° C. or lower.
高屈折材料層120を形成する材料、すなわち、ガラスフリットの屈折率は、無アルカリガラス基板110の屈折率以上の屈折率を有する必要がある。また、ガラスフリットの屈折率は、透明電極130(例えば、ITOなどで形成される。)と同等程度であることが好ましい。一般的なOLED等の面発光素子の基板の屈折率は1.5程度であり、透明導電膜(透明電極)の屈折率は2程度である。仮に、高屈折材料層120の屈折率が、無アルカリガラス基板110と同程度では、透明電極130との界面での反射は、凹凸面111及び高屈折材料層120が無い場合と同様になり、光の取り出し効率の向上を望むことはできない。具体的には、本実施形態に係るOLED100では、高屈折材料層120の屈折率は、1.7〜2.5程度であることが好ましい。 The material forming the high refractive material layer 120, that is, the refractive index of the glass frit needs to be higher than the refractive index of the alkali-free glass substrate 110. The refractive index of the glass frit is preferably about the same as that of the transparent electrode 130 (for example, formed of ITO). The refractive index of a substrate of a surface light emitting element such as a general OLED is about 1.5, and the refractive index of a transparent conductive film (transparent electrode) is about 2. If the refractive index of the high-refractive material layer 120 is about the same as that of the alkali-free glass substrate 110, the reflection at the interface with the transparent electrode 130 is the same as when there is no uneven surface 111 and the high-refractive material layer 120, It cannot be desired to improve the light extraction efficiency. Specifically, in the OLED 100 according to the present embodiment, the refractive index of the high refractive material layer 120 is preferably about 1.7 to 2.5.
以上のような低いガラス転移温度や高い屈折率を有するガラスフリットの成分としては、例えば、ネットワークフォーマとして、P2O5、SiO2、B2O3、Ge2O、TeO2から選ばれる1種または2種以上の成分を含有し、高屈折率成分として、TiO2、Nb2O5、WO3、Bi2O3、La2O3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、ZnO、BaO、PbO、Sb2O3から選ばれる1種または2種以上の成分を含有する高屈折率ガラスを使用することができる。 Examples of the glass frit component having a low glass transition temperature and a high refractive index as described above are, for example, 1 selected from P 2 O 5 , SiO 2 , B 2 O 3 , Ge 2 O, and TeO 2 as a network former. It contains seeds or two or more kinds of components, and as a high refractive index component, TiO 2 , Nb 2 O 5 , WO 3 , Bi 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , ZnO, BaO, PbO, Sb 2 O 3 can be used. High refractive index glass containing one or more components selected from two or more components can be used.
実施形態1において、前記高屈折材料層120は、無アルカリガラス基板110のCTEglassより小さい少なくとも1種のガラスフリット材料Aと、CTEglassより大きい少なくとも1種のガラスフリット材料Bからなる2種以上のガラスフリット材料が混合溶融されることにより、所望の高屈折材料層が形成される。 In Embodiment 1, the high refractive material layer 120 includes at least one glass frit material A smaller than the CTE glass of the alkali-free glass substrate 110 and at least one glass frit material B larger than the CTE glass. These glass frit materials are mixed and melted to form a desired high refractive material layer.
実施形態1における前記高屈折材料層120は、使用する前記ガラスフリット材料A及びBのそれぞれのCTE(CTElow,CTEhigh)と配合比率(A%,B%)が以下のように規定されている。
CTEglass ≧ CTElow× ガラスフリット材料Aの配合比率A(%) + CTEhigh × ガラスフリット材料Bの配合比率B(=100−A)(%) ≧ CTEglass − 10×10−7・・(1)
In the high refractive material layer 120 in the first embodiment, the CTE (CTE low , CTE high ) and blending ratio (A%, B%) of the glass frit materials A and B to be used are defined as follows. Yes.
CTE glass ≧ CTE low × glass frit material A blending ratio A (%) + CTE high × glass frit material B blending ratio B (= 100−A) (%) ≧ CTE glass −10 × 10 −7. 1)
また、本実施形態におけるガラスフリットの成分として、上記の成分の他に、ガラスの特性を調整する意味で、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、フッ化物などを屈折率に対して要求される物性を損なわない範囲で使用してもよい。具体的なガラスフリットの成分系としては、例えば、B2O3−ZnO−La2O3系、P2O5−B2O3−R’2O−R”O−TiO2−Nb2O5−WO3−Bi2O3系、TeO2−ZnO系、B2O3−Bi2O3系、SiO2−Bi2O3系、SiO2−ZnO系、B2O3−ZnO系、P2O5−ZnO系、などが挙げられる。ここで、R’はアルカリ金属元素、R”はアルカリ土類金属元素を示す。 Further, as the glass frit component in this embodiment, in addition to the above components, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, fluorides, etc. are required for the refractive index in order to adjust the characteristics of the glass. You may use in the range which does not impair the physical property made. Specific examples of the glass frit component system include, for example, B 2 O 3 —ZnO—La 2 O 3 system, P 2 O 5 —B 2 O 3 —R ′ 2 O—R ″ O—TiO 2 —Nb 2. O 5 —WO 3 —Bi 2 O 3 system, TeO 2 —ZnO system, B 2 O 3 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —ZnO system, B 2 O 3 —ZnO System, P 2 O 5 —ZnO system, etc. Here, R ′ represents an alkali metal element, and R ″ represents an alkaline earth metal element.
<溶剤>
本実施形態のガラスペーストに用いる溶剤としては、有機溶剤であれば特に限定されない。ただし、製造工程を考慮すると、乾燥速度が早すぎる場合には、製造中に有機溶剤が乾燥してしまい、固形分の析出などが起こるため好ましくない。このような観点から、本実施形態のガラスペーストに用いる有機溶剤としては、沸点が150℃以上、より好ましくは180℃以上の溶剤が好ましく、このような溶剤として、例えば、テルペン系の溶剤(テルピネオールなど)やカルビトール系溶剤(ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート)等を使用することができる。
<Solvent>
The solvent used for the glass paste of the present embodiment is not particularly limited as long as it is an organic solvent. However, considering the production process, if the drying rate is too fast, the organic solvent is dried during production, and solids are precipitated, which is not preferable. From such a viewpoint, the organic solvent used in the glass paste of the present embodiment is preferably a solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher. As such a solvent, for example, a terpene solvent (terpineol) Etc.) and carbitol solvents (butyl carbitol, butyl carbitol acetate) and the like can be used.
<樹脂>
本実施形態のガラスペーストに用いる樹脂としては、ペーストを塗工するために適正な粘度を発現させるものであれば特に限定はされないが、ガラスフリットのガラス転移温度よりも低い温度で消失される樹脂が好ましい。ガラスフリットが流動性を発現する温度よりも低い温度で樹脂を焼成除去しておかないと、ガラスが焼成されている温度で樹脂がガス化し、ガラス内部の気泡の原因となるためである。このような樹脂として好適に用いることができる具体例を挙げると、セルロース系の樹脂として、エチルセルロースやニトロセルロース、アクリル系の樹脂として、アクリル樹脂とメタクリル樹脂などが挙げられる。
<Resin>
The resin used for the glass paste of the present embodiment is not particularly limited as long as it exhibits an appropriate viscosity for applying the paste, but the resin disappears at a temperature lower than the glass transition temperature of the glass frit. Is preferred. This is because if the resin is not baked and removed at a temperature lower than the temperature at which the glass frit exhibits fluidity, the resin gasifies at the temperature at which the glass is baked, causing bubbles inside the glass. Specific examples that can be suitably used as such a resin include ethyl cellulose and nitrocellulose as cellulosic resins, and acrylic resin and methacrylic resin as acrylic resins.
<その他の添加剤>
本実施形態のガラスペーストには、必要に応じて、ガラスフリット及び樹脂の分散性の向上やレオロジーの調整等を目的とした添加剤を添加してもよい。このような添加剤としては、例えば、スリットコーティング等の工程に適正な粘度の調整や、ガラスフリットの分散性の向上を目的として添加されるポリマー、レオロジー調整の目的で添加される増粘剤、分散性の良いガラスペーストの調製を目的として添加される分散剤等が挙げられる。ポリマーとしては、例えば、アクリル系ポリマーが挙げられる。また、増粘剤としては、例えば、エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリエチレングリコール等のポリオキシアルキレン樹脂などが挙げられる。また、分散剤としては、多価カルボン酸やそのアンモニウム塩等の分散剤を挙げることができる。多価カルボン酸は、例えば、低級〜高級脂肪族系の多価カルボン酸等が挙げられ、これらは、テトラブチルアンモニウム塩等のアンモニウム塩を形成していても良い。具体的には、例えば、楠本化成社製のHIPLAADシリーズやビックケミー社製のDisperbykシリーズ等が挙げられる。なお、上記のような添加剤の含有量は、例えば、ガラスペースト100質量部に対して3質量部以下であることが好ましい。
<Other additives>
If necessary, an additive for the purpose of improving the dispersibility of the glass frit and the resin and adjusting the rheology may be added to the glass paste of the present embodiment. As such an additive, for example, adjustment of viscosity suitable for processes such as slit coating, polymers added for the purpose of improving dispersibility of glass frit, thickeners added for the purpose of rheology adjustment, Examples thereof include a dispersant added for the purpose of preparing a glass paste with good dispersibility. Examples of the polymer include acrylic polymers. Examples of the thickener include cellulose resins such as ethyl cellulose, polyoxyalkylene resins such as polyethylene glycol, and the like. Examples of the dispersant include dispersants such as polyvalent carboxylic acids and ammonium salts thereof. Examples of the polyvalent carboxylic acid include lower to higher aliphatic polyvalent carboxylic acids, and these may form an ammonium salt such as a tetrabutylammonium salt. Specifically, for example, the HIPLAAD series manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd., the Disperbyk series manufactured by Big Chemie, and the like can be mentioned. In addition, it is preferable that content of the above additives is 3 mass parts or less with respect to 100 mass parts of glass pastes, for example.
<膜厚>
高屈折材料層120の膜厚は、無アルカリガラス基板110の凹凸面111を平坦化するのに十分な厚みであれば特に限定されないが、本発明者らの検討によれば、概ね、無アルカリガラス基板110の平均粗さRaの30倍以上40倍以下の厚みがあることが好ましい。高屈折材料層120の膜厚の絶対的な範囲としては、3μm以上100μm以下程度であることが好ましく、更に好ましくは3μm以上40μm以下である。これは、サンドブラストやウェットエッチングにより形成した凹凸面111の最大高さRzが、Raの概ね10倍〜20倍であるためである。
<Film thickness>
The film thickness of the high refractive material layer 120 is not particularly limited as long as it is sufficient to flatten the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110. It is preferable that the glass substrate 110 has a thickness not less than 30 times and not more than 40 times the average roughness Ra. The absolute range of the film thickness of the high refractive material layer 120 is preferably about 3 μm to 100 μm, and more preferably 3 μm to 40 μm. This is because the maximum height Rz of the concavo-convex surface 111 formed by sandblasting or wet etching is approximately 10 to 20 times Ra.
また、上記と同様の意味から、高屈折材料層120の厚みは、無アルカリガラス基板110の凹凸面111の最大粗さRz(JIS B 0601−2001に記載)の1.3倍以上であることが好ましい。Rzの1.3倍未満では、前述した駆動安定性に対して十分な信頼性となるような高屈折材料層120が得られないためである。 From the same meaning as described above, the thickness of the highly refractive material layer 120 is 1.3 times or more the maximum roughness Rz (described in JIS B 0601-2001) of the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110. Is preferred. This is because if it is less than 1.3 times Rz, the high refractive material layer 120 that provides sufficient reliability with respect to the driving stability described above cannot be obtained.
上述した繰り返しになるが、上記のような厚みの平坦化膜を容易に形成することは、SOG材料(ゾルゲル材料)や真空プロセス(CVDなど)では到底成しえない。一方で、厚膜の平坦化膜をポリマーなどの有機材料で得る方法が考えられるが、これらの方法では、ITOなどの透明導電膜(透明電極)を形成するための十分な耐熱性(300℃以上)を確保することが困難であり、さらに、上述したように、高屈折材料層120には高屈折率(好ましくは2以上)が要求されるが、有機材料でこのような屈折率を実現できる材料は存在し得ない。すなわち、本実施形態におけるガラスフリットを含有するガラスペーストを用いなければ、上記のような厚みの高屈折材料層120を容易に形成することはできない。 As described above, it is impossible to easily form a flattened film having the above thickness with an SOG material (sol-gel material) or a vacuum process (CVD or the like). On the other hand, methods of obtaining a thick planarized film with an organic material such as a polymer are conceivable. However, these methods have sufficient heat resistance (300 ° C.) for forming a transparent conductive film (transparent electrode) such as ITO. In addition, as described above, the high refractive index layer 120 is required to have a high refractive index (preferably 2 or more), but such a refractive index is realized with an organic material. There can be no material that can. That is, unless the glass paste containing the glass frit in the present embodiment is used, the high refractive material layer 120 having the above thickness cannot be easily formed.
高屈折材料層120の膜厚については、焼成後の膜厚を測定することで確認が可能であるが、無アルカリガラス基板110は、凹凸面111(凹凸構造)を有しているため、測定位置によって異なる膜厚となる。そこで、本実施形態における高屈折材料層120の膜厚としては、凹凸面111の最深部から高屈折材料層120の最上部までの高さを膜厚とするが、凹凸面111がランダムな凹凸形状である場合には、断面形状の分析をしても最深部を決定することが難しい場合もあるので、このような場合は、任意に選んだ10点以上の部位について膜厚を測定し、そのうちの最大の厚みの部分を膜厚として考えても問題はない。 The film thickness of the high refractive material layer 120 can be confirmed by measuring the film thickness after firing, but the non-alkali glass substrate 110 has a concavo-convex surface 111 (concavo-convex structure). The film thickness varies depending on the position. Therefore, the film thickness of the high refractive material layer 120 in this embodiment is the film thickness from the deepest part of the uneven surface 111 to the uppermost part of the high refractive material layer 120, but the uneven surface 111 has random unevenness. If it is a shape, it may be difficult to determine the deepest part even by analyzing the cross-sectional shape. In such a case, the film thickness is measured for 10 or more arbitrarily selected sites, There is no problem even if the maximum thickness portion is considered as the film thickness.
<高屈折材料層120と透明電極130との界面の平滑性>
上述した繰り返しになるが、OLEDなどの面発光素子を作成する場合、基板には高い平滑性が求められる。多くの面発光素子が、薄膜(数十nm〜数μm)で構成されており、基板の表面に凹凸があると電流のリークが発生して素子の安定駆動ができないためである。本発明において、高屈折材料層120と透明電極130との界面の平滑性は特に限定はされないが、本発明者らの検討によれば、Raで30nm以下であり、好ましくは1nm以下である。
<Smoothness of the interface between the high refractive material layer 120 and the transparent electrode 130>
Although it repeats above, when producing surface emitting elements, such as OLED, high smoothness is calculated | required by a board | substrate. This is because many surface light-emitting elements are composed of thin films (several tens of nanometers to several micrometers), and if there are irregularities on the surface of the substrate, current leakage occurs and the elements cannot be driven stably. In the present invention, the smoothness of the interface between the high refractive material layer 120 and the transparent electrode 130 is not particularly limited, but according to the study by the present inventors, Ra is 30 nm or less, preferably 1 nm or less.
<透明電極130>
透明電極130は、OLED100の陽極として機能する層であり、導電性を有するとともに、光をOLED100の外部に取り出すために透明な材料が使用される。具体的には、透明電極130を形成する材料としては、透明な酸化物半導体、特に、ITO、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO、In2O3等が好適に使用される。
<Transparent electrode 130>
The transparent electrode 130 is a layer that functions as an anode of the OLED 100, and has a conductivity, and a transparent material is used to extract light out of the OLED 100. Specifically, as a material for forming the transparent electrode 130, a transparent oxide semiconductor, particularly ITO, IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, In 2 O 3 or the like is preferably used.
<有機発光層150>
有機発光層150は、少なくとも発光層(略して「EL層」ともいう。)を含む。また、有機発光層150は、正孔注入層及び電子注入層を含んでいてもよい。また、有機発光層150が、正孔輸送層及び正孔注入層のいずれをも含む場合には、正孔注入層が正孔輸送層よりも透明電極130に近い側に配置される。また、有機発光層150に含まれるEL層は、正孔輸送層よりも透明電極130から遠い側に配置される。
<Organic light emitting layer 150>
The organic light emitting layer 150 includes at least a light emitting layer (also referred to as “EL layer” for short). The organic light emitting layer 150 may include a hole injection layer and an electron injection layer. When the organic light emitting layer 150 includes both the hole transport layer and the hole injection layer, the hole injection layer is disposed closer to the transparent electrode 130 than the hole transport layer. Further, the EL layer included in the organic light emitting layer 150 is disposed on the side farther from the transparent electrode 130 than the hole transport layer.
正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、例えば、α−NPD(NPB)、TPD、TACP、トリフェニル四量体などの公知の材料を使用することができる。また、正孔注入層を形成する正孔注入材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、銅フタロシアニン(CuPc)、PEDOT:PSSなどの公知の材料を使用することができる。 As a hole transport material for forming the hole transport layer, for example, known materials such as α-NPD (NPB), TPD, TACP, and triphenyl tetramer can be used. Moreover, as a hole injection material which forms a hole injection layer, well-known materials, such as polyaniline, a polypyrrole, copper phthalocyanine (CuPc), PEDOT: PSS, can be used, for example.
有機発光層150としては、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうち、1種または2種以上を含むことができる。 The organic light emitting layer 150 may include one or more of red, green and blue light emitting layers.
赤色発光層を形成する材料としては、例えば、テトラフェニルナフタセン(ルブレン:Rubrene)、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(Ir(piq)3)、ビス(2−ベンゾ[b]チオフェン−2−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(btp)2(acac))、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユウロピウム(III)(Eu(dbm)3(phen))、トリス[4,4’−ジ−tert−ブチル−(2,2’)−ビピリジン]ルテニウム(III)錯体(Ru(dtb−bpy)3*2(PF6))、DCM1、DCM2、Eu(テノイルトリフルオロアセトン)3(Eu(TTA)3,ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン)(DCJTB)などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することができる。 Examples of the material for forming the red light emitting layer include tetraphenylnaphthacene (rubrene), tris (1-phenylisoquinoline) iridium (III) (Ir (piq) 3), and bis (2-benzo [b] thiophene. 2-yl-pyridine) (acetylacetonate) iridium (III) (Ir (btp) 2 (acac)), tris (dibenzoylmethane) phenanthroline europium (III) (Eu (dbm) 3 (phen)), tris [4,4′-di-tert-butyl- (2,2 ′)-bipyridine] ruthenium (III) complex (Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PF6)), DCM1, DCM2, Eu (thenoyltrifluoro) Acetone) 3 (Eu (TTA) 3, butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyldurori) Le-9-enyl) -4H- pyran) (DCJTB) can be used like, Besides, polyfluorene-based polymer, a polymeric light emitting material, such as polyvinyl-based polymer can be used.
また、緑色発光層を形成する材料としては、例えば、Alq3、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)クマリン(Coumarin6)、2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7,−テトラメチル−1H,5H,11H−10−(2−ベンゾチアゾリル)キノリジン−[9,9a,1gh]クマリン(C545T)、N,N’−ジメチル−キナクリドン(DMQA)、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することもできる。 Examples of the material for forming the green light-emitting layer include Alq3, 3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin (Coumarin6), 2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7, 7, -Tetramethyl-1H, 5H, 11H-10- (2-benzothiazolyl) quinolidine- [9,9a, 1gh] coumarin (C545T), N, N′-dimethyl-quinacridone (DMQA), tris (2-phenyl) Pyridine) iridium (III) (Ir (ppy) 3) can be used, and in addition, polymer light-emitting substances such as polyfluorene-based polymers and polyvinyl-based polymers can also be used.
また、青色発光層を形成する材料としては、例えば、オキサジアゾールダイマー染料(Bis−DAPOXP)、スピロ化合物(Spiro−DPVBi、Spiro−6P)、トリアリールアミン化合物、ビス(スチリル)アミン(DPVBi、DSA)、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(TPBe)、9H−カルバゾール−3,3’−(1,4−フェニレン−ジ−2,1−エテン−ジイル)ビス[9−エチル−(9C)](BCzVB)、4,4−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル(DPAVBi)、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)、4,4’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル(BDAVBi)、ビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジル)フェニル−(2−カルボキシピリジル)イリジウムIII(FIrPic)などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することができる。 Examples of the material for forming the blue light emitting layer include oxadiazole dimer dye (Bis-DAPOXP), spiro compounds (Spiro-DPVBi, Spiro-6P), triarylamine compounds, bis (styryl) amine (DPVBi, DSA), 4,4′-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene) -1,1′-biphenyl (BCzVBi), perylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (TPBe), 9H -Carbazole-3,3 '-(1,4-phenylene-di-2,1-ethene-diyl) bis [9-ethyl- (9C)] (BCzVB), 4,4-bis [4- (di- p-tolylamino) styryl] biphenyl (DPAVBi), 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[(di-p-tolylamino) styri Ru] stilbene (DPAVB), 4,4′-bis [4- (diphenylamino) styryl] biphenyl (BDAVBi), bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) Iridium III (FIrPic) or the like can be used, and in addition, a polymer light-emitting substance such as a polyfluorene polymer or a polyvinyl polymer can be used.
前述したように、有機発光層150は、陰極180に近い側から順に、電子輸送層や電子注入層を含んでいてもよい。電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、オキサゾール誘導体(PBD、OXO−7)、トリアゾール誘導体、ボロン誘導体、シロール誘導体、Alq3などの公知の材料を使用することができる。また、電子注入材料としては、例えば、LiF、Li2O、CaO、CsO、CsF2などの公知の材料を使用することができる。 As described above, the organic light emitting layer 150 may include an electron transport layer and an electron injection layer in order from the side close to the cathode 180. As an electron transport material for forming the electron transport layer, known materials such as an oxazole derivative (PBD, OXO-7), a triazole derivative, a boron derivative, a silole derivative, and Alq3 can be used. As the electron injecting material, for example, be used LiF, Li 2 O, CaO, CsO, known materials such as CsF 2.
<陰極180>
陰極180を形成する材料としては、金属、特に、仕事関数の小さな金属である。Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びこれらの化合物などを使用することができる。
<Cathode 180>
A material for forming the cathode 180 is a metal, particularly a metal having a small work function. Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, and compounds thereof can be used.
〔第1実施形態(OLED100)の製造方法〕
以上、本実施形態に係るOLED100の構成について詳細に説明したが、続いて、上述した構成を有する本実施形態に係るOLED100の製造方法について詳細に説明する。
[Method of Manufacturing First Embodiment (OLED 100)]
The configuration of the OLED 100 according to the present embodiment has been described in detail above. Subsequently, a method for manufacturing the OLED 100 according to the present embodiment having the above-described configuration will be described in detail.
OLED100の基板となる本実施形態に係る透光性基板の製造方法は、表面粗化工程と、塗布工程と、乾燥工程と、焼成工程と、を含む。表面粗化工程は、無アルカリガラス基板110の表面に凹凸面111を形成する工程である。塗布工程は、凹凸面111が形成された無アルカリガラス基板110の表面に、無アルカリガラス基板110以上の屈折率を有し、無アルカリガラス基板110のCTEglassより小さい少なくとも1種のガラスフリット材料Aと、CTEglassより大きい少なくとも1種のガラスフリット材料Bからなる2種以上のガラスフリット材料と、溶剤と、樹脂とを含有するガラスペーストを塗布する工程である。乾燥工程は、無アルカリガラス基板110に塗布されたガラスペーストを乾燥し、溶剤を揮発させ乾燥膜を形成する工程である。焼成工程は、乾燥工程にて得られた乾燥膜を焼成し、樹脂を消失除去するとともにガラスフリットを溶融させ、無アルカリガラス基板110上に高屈折材料層120を形成する工程である。以下、これらの工程を含むOLED100の製造方法について述べる。 The manufacturing method of the translucent board | substrate which concerns on this embodiment used as the board | substrate of OLED100 contains a surface roughening process, an application | coating process, a drying process, and a baking process. The surface roughening step is a step of forming the uneven surface 111 on the surface of the alkali-free glass substrate 110. In the coating process, at least one kind of glass frit material having a refractive index higher than that of the alkali-free glass substrate 110 on the surface of the alkali-free glass substrate 110 on which the uneven surface 111 is formed and smaller than the CTE glass of the alkali-free glass substrate 110. This is a step of applying a glass paste containing A, at least one glass frit material B larger than CTE glass , a solvent, and a resin. A drying process is a process of drying the glass paste apply | coated to the alkali free glass substrate 110, volatilizing a solvent, and forming a dry film | membrane. The baking step is a step of baking the dried film obtained in the drying step to eliminate and remove the resin and melt the glass frit to form the high refractive material layer 120 on the alkali-free glass substrate 110. Hereinafter, a method for manufacturing the OLED 100 including these steps will be described.
(表面粗化工程)
表面粗化工程は、無アルカリガラス基板110の表面に、サンドブラスト法、ウェットエッチング法(フロスト法)またはプレス法等の方法により、有機発光層150で発生した光が透明電極130を通過して無アルカリガラス基板110に入射する際の入射光の屈折角に乱れを生じさせるようなランダムな凹凸面111を形成する。このときに形成する凹凸面111の凹凸の度合いは、上述したように、特に限定されないが、平均表面粗さRaで0.7μm以上5μm以下であることが好ましい。
(Surface roughening process)
In the surface roughening step, light generated in the organic light emitting layer 150 passes through the transparent electrode 130 by a method such as a sand blast method, a wet etching method (frost method) or a press method on the surface of the alkali-free glass substrate 110. Random uneven surfaces 111 that cause disturbance in the refraction angle of incident light when entering the alkali glass substrate 110 are formed. The degree of unevenness of the uneven surface 111 formed at this time is not particularly limited as described above, but is preferably 0.7 μm or more and 5 μm or less in terms of average surface roughness Ra.
また、前記した均一な構造単位を有する凹凸面111を形成する場合には、無アルカリガラス基板110の表面の凹凸面111の形状が、レンズ構造やピラミッド構造などのような均一な構造単位を有する凹凸となるように形成する。このようなレンズ構造やピラミッド構造は、例えば、モールドの熱転写法、フォトリソグラフィ/ウェットエッチング法、レーザー加工、砥石による研磨などを用いて形成することができる。 Moreover, when forming the uneven surface 111 having the above-described uniform structural unit, the shape of the uneven surface 111 on the surface of the alkali-free glass substrate 110 has a uniform structural unit such as a lens structure or a pyramid structure. It is formed to be uneven. Such a lens structure or pyramid structure can be formed using, for example, a mold thermal transfer method, a photolithography / wet etching method, laser processing, polishing with a grindstone, or the like.
(ガラスペーストの調製)
次に、上述したようなガラスフリットと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストを調製する。このガラスペーストの調製方法としては、ガラスフリット、(バインダー)樹脂、及びその他の成分を溶剤中に溶解混合した後、ロールミル等で混練し、ガラスフリットが分散したペーストを作製すればよい。ガラスフリットと溶剤と樹脂との配合比は、例えば、ガラスフリットを50〜80質量%、溶剤を10〜40質量%、樹脂を1〜10質量%程度とすればよい。なお、上述したように、無アルカリガラス基板110の融点を考慮し、後述する乾燥工程及び焼成工程を650℃以下の温度で実施することが好ましいが、そのためには、ガラスフリットのガラス転移温度は630℃以下であることが好ましい。
(Preparation of glass paste)
Next, a glass paste containing the glass frit as described above, a solvent, and a resin is prepared. As a method for preparing this glass paste, a glass frit, a (binder) resin, and other components are dissolved and mixed in a solvent, and then kneaded with a roll mill or the like to produce a paste in which the glass frit is dispersed. The mixing ratio of the glass frit, the solvent and the resin may be, for example, about 50 to 80% by mass of the glass frit, 10 to 40% by mass of the solvent, and about 1 to 10% by mass of the resin. As described above, in consideration of the melting point of the alkali-free glass substrate 110, it is preferable to carry out the drying process and the baking process described later at a temperature of 650 ° C. or lower. For this purpose, the glass transition temperature of the glass frit is It is preferable that it is 630 degrees C or less.
(塗布工程)
次に、調製したガラスペーストを、無アルカリガラス基板110の凹凸面111の表面にコーティング(塗布)する。ガラスペーストの塗布方法としては特に限定はされず、例えば、バーコート法、ドクターブレード、スリットコート、ダイコートによる塗布等の公知の方法を用いることができる。
(Coating process)
Next, the prepared glass paste is coated (applied) on the surface of the uneven surface 111 of the alkali-free glass substrate 110. The method for applying the glass paste is not particularly limited, and for example, a known method such as bar coating, doctor blade, slit coating, or die coating can be used.
(乾燥工程)
次いで、凹凸面111にガラスペーストが塗布された無アルカリガラス基板110を熱風乾燥機等に移して溶媒を除去し乾燥膜を形成する。このときの乾燥温度は、上述したように、無アルカリガラス基板110が溶融しないように、650℃以下の温度であることが好ましい。より好ましくは、100℃以上200℃以下である。
(Drying process)
Next, the alkali-free glass substrate 110 having the uneven surface 111 coated with glass paste is transferred to a hot air dryer or the like to remove the solvent and form a dry film. As described above, the drying temperature at this time is preferably 650 ° C. or lower so that the alkali-free glass substrate 110 does not melt. More preferably, it is 100 degreeC or more and 200 degrees C or less.
(焼成工程)
上記乾燥工程の後、溶媒が除去された乾燥膜を有する無アルカリガラス基板110を焼成炉に移し、ガラスフリットのガラス転移温度Tg以上、軟化温度Ts以下の温度で焼成することにより(バインダー)樹脂を焼失除去するとともに、ガラスフリットを溶融させる。さらに、焼成炉にて、ガラスフリットの軟化温度Ts以上(650℃以下であることが好ましい。)の温度で焼成することにより、高屈折材料層120を無アルカリガラス基板110表面に形成する。
(Baking process)
After the drying step, the non-alkali glass substrate 110 having the dried film from which the solvent has been removed is transferred to a firing furnace and fired at a temperature not lower than the glass transition temperature Tg and not higher than the softening temperature Ts of the glass frit (binder) resin. Is removed by burning and the glass frit is melted. Further, the high refractive material layer 120 is formed on the surface of the alkali-free glass substrate 110 by baking at a temperature not lower than the softening temperature Ts of the glass frit (preferably not higher than 650 ° C.) in a baking furnace.
(透明電極130、有機発光層150を含む有機薄膜層、陰極180の形成)
次に、高屈折材料層120により表面が平坦化された無アルカリガラス基板110上に、スピンコート、スパッタリング等の方法を用いてITO、IZO、ZnO、In2O3等を製膜して、透明電極130を形成する。さらに、透明電極130上に正孔輸送材料や発光材料等を蒸着することにより正孔輸送層及び有機発光層を形成した後に、電子輸送層を形成して有機発光層150を形成し、前記電子輸送層上に、Ag、Mg、Al等の金属を蒸着して陰極180を形成し、OLED100を製造することができる(図1(a)を参照)。なお、前記有機発光層150を構成する正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層や陰極180の形成方法としては、真空蒸着、キャスト法(スピンキャスト法、ディッピング法等)、インクジェット法、印刷法(活版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷等)などの公知の方法を用いることができる。
(Formation of transparent electrode 130, organic thin film layer including organic light emitting layer 150, and cathode 180)
Next, ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3 or the like is formed on the alkali-free glass substrate 110 whose surface is planarized by the high refractive material layer 120 by using a method such as spin coating or sputtering. A transparent electrode 130 is formed. Furthermore, after forming a hole transport layer and an organic light emitting layer by vapor-depositing a hole transport material or a light emitting material on the transparent electrode 130, an electron transport layer is formed to form the organic light emitting layer 150, and the electron An OLED 100 can be manufactured by depositing a metal such as Ag, Mg, or Al on the transport layer to form the cathode 180 (see FIG. 1A). The hole transport layer, the organic light emitting layer, the electron transport layer, and the cathode 180 forming the organic light emitting layer 150 may be formed by vacuum deposition, casting methods (spin casting method, dipping method, etc.), ink jet methods, printing methods. A known method such as a method (typographic printing, gravure printing, offset printing, screen printing, etc.) can be used.
〔第1実施形態OLED100の用途〕
本実施形態のOLED100に用いる透光性基板は、波長オーダー以上の凹凸(表面粗さ)を有しており、これにより透光性基板内に入射した光を散乱させ、全ての波長の光を効率良く取り出すことが可能である。従って、OLED100を白色のOLEDなどにも好適に用いることができ、高効率が要求される照明器具や表示装置用のバックライトなどにも適用できる。
[Use of First Embodiment OLED 100]
The translucent substrate used in the OLED 100 of the present embodiment has irregularities (surface roughness) that are equal to or greater than the wavelength order, and thereby scatters light incident on the translucent substrate, so that all wavelengths of light are scattered. It can be taken out efficiently. Therefore, the OLED 100 can be suitably used for a white OLED or the like, and can also be applied to a lighting fixture or a backlight for a display device that requires high efficiency.
[第2実施形態]
〔OLED200の構成〕
図1(b)は、本発明の第2の実施形態に係るOLED200の断面構成を示す説明図である。
[Second Embodiment]
[Configuration of OLED 200]
FIG.1 (b) is explanatory drawing which shows the cross-sectional structure of OLED200 which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.
図1(b)に示すように、本発明の第2の実施形態に係るOLED200はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板110と、高屈折材料層120と、正極としての透明電極130と、有機発光層150と、陰極180とを主に備える構造において、第1実施形態と共通する。 As shown in FIG.1 (b), OLED200 which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is a bottom emission type, Comprising: The alkali-free glass substrate 110, the high refractive material layer 120, the transparent electrode 130 as a positive electrode, The structure mainly including the organic light emitting layer 150 and the cathode 180 is common to the first embodiment.
第2実施形態は、高屈折材料層120中に高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー125が混合されている点と、無アルカリガラス基板110に凹凸面が形成されておらず、無アルカリガラス基板110及び高屈折材料層120との界面が平坦である点において、第1実施形態と相違する。 In the second embodiment, a filler 125 is mixed as a scattering material having a refractive index different from the refractive index of the glass frit that is a base material of the high refractive material layer in the high refractive material layer 120, and an alkali-free glass substrate. An uneven surface is not formed on 110, and the interface between the alkali-free glass substrate 110 and the high refractive material layer 120 is flat, which is different from the first embodiment.
[第3実施形態]
〔OLED300の構成〕
図1(c)は、本発明の第3の実施形態に係るOLED300の断面構成を示す説明図である。
[Third Embodiment]
[Configuration of OLED 300]
FIG.1 (c) is explanatory drawing which shows the cross-sectional structure of OLED300 which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.
図1(c)に示すように、本発明の第3の実施形態に係るOLED200はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板110と、高屈折材料層120と、正極としての透明電極130と、有機発光層150と、陰極と180とを主に備える構造において、第1実施形態と共通する。 As shown in FIG.1 (c), OLED200 which concerns on the 3rd Embodiment of this invention is a bottom emission type, Comprising: The alkali free glass substrate 110, the high refractive material layer 120, the transparent electrode 130 as a positive electrode, The structure mainly including the organic light emitting layer 150 and the cathode and 180 is common to the first embodiment.
第3実施形態は、高屈折材料層120中に高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー125が混合されている点において、第1実施形態と相違する。尚、第3実施形態は、第1実施形態と同様に、無アルカリガラス基板110に凹凸面が形成されている。 The third embodiment is that the filler 125 is mixed as a scattering material having a refractive index different from the refractive index of the glass frit that is the base material of the high refractive material layer in the high refractive material layer 120. Is different. In the third embodiment, the concavo-convex surface is formed on the alkali-free glass substrate 110 as in the first embodiment.
尚、第1乃至第3実施形態の高屈折材料層120形成に用いられる2種のガラスフリット材料(無アルカリガラス基板のCTEより低いCTE(CTELow)を有するガラスフリット材料A、および無アルカリガラス基板のCTEより高いCTE(CTEHigh)を有するガラスフリット材料Bからなる)の配合比率から前記式(1)にて定義される値(CTE計算値)と、反り量との関係を示す実験結果を図7(a)に示す。 Note that two types of glass frit materials (a glass frit material A having a CTE (CTE Low ) lower than the CTE of an alkali-free glass substrate) and an alkali-free glass are used for forming the highly refractive material layer 120 of the first to third embodiments. Experimental results showing the relationship between the value defined by the above formula (1) (CTE calculated value) and the amount of warpage from the blending ratio of the glass frit material B having a CTE (CTE High ) higher than the CTE of the substrate Is shown in FIG.
[第4実施形態]
〔OLED400の構成〕
図2(a)は、本発明の第4の実施形態に係るOLED400の断面構成を示す説明図である。
[Fourth Embodiment]
[Configuration of OLED 400]
FIG. 2A is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an OLED 400 according to the fourth embodiment of the present invention.
図2(a)に示すように、本発明の第4の実施形態に係るOLED400はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板110と、高屈折材料層120と、正極としての透明電極130と、有機発光層150と、180とを主に備える構造において、第1実施形態と共通する。 As shown in FIG. 2A, the OLED 400 according to the fourth embodiment of the present invention is a bottom emission type, and includes an alkali-free glass substrate 110, a highly refractive material layer 120, a transparent electrode 130 as a positive electrode, The structure mainly including the organic light emitting layer 150 and 180 is common to the first embodiment.
第4実施形態は、高屈折材料層120がガラスフリット材料Aを含む高屈折材料層120A及びガラスフリット材料Bを含む高屈折材料層120Bの2層で構成されている点において、第1実施形態と相違する。前記高屈折材料層120A及び前記高屈折材料層120Bは、図5(a)乃至図5(h)または図6(a)乃至図6(f)に示される工程を順次行うことによって製造することができる。 The fourth embodiment is that the high refractive material layer 120 is composed of two layers, a high refractive material layer 120A including the glass frit material A and a high refractive material layer 120B including the glass frit material B. Is different. The high refractive material layer 120A and the high refractive material layer 120B are manufactured by sequentially performing the steps shown in FIGS. 5A to 5H or FIGS. 6A to 6F. Can do.
尚、ガラスフリット材料A及びBのいずれか一方は、無アルカリガラス基板110のCTEglassより小さいCTE(CTElow)を有するガラスフリット材料であり、もう一方は無アルカリガラス基板110のCTEglassより大きいCTE(CTEhigh)を有するガラスフリット材料からなる。 One of the glass frit materials A and B is a glass frit material having a CTE (CTE low ) smaller than the CTE glass of the alkali-free glass substrate 110, and the other is larger than the CTE glass of the alkali-free glass substrate 110. It consists of a glass frit material with CTE (CTE high ).
また図5の製造方法において、第1層目の高屈折材料層を形成した際に、基板反りに起因するクラックが発生しないことが求められる。このため、母材となるガラスフリット材料のCTE(CTElow若しくはCTEhigh)と無アルカリガラス基板のCTEglassとの差は、50×10−7以下が好ましく、より好ましくは30×10−7以下である。 Further, in the manufacturing method of FIG. 5, it is required that cracks due to substrate warpage do not occur when the first highly refractive material layer is formed. For this reason, the difference between the CTE (CTE low or CTE high ) of the glass frit material as the base material and the CTE glass of the non-alkali glass substrate is preferably 50 × 10 −7 or less, more preferably 30 × 10 −7 or less. It is.
実施形態4における前記高屈折材料層120Aおよび前記高屈折材料層120Bの膜厚比率は、(2)式によって規定される。
0.5≦高屈折材料層膜厚(CTElow)/高屈折材料層膜厚(CTEhigh)≦2.0 ・・(2)
The film thickness ratio of the high refractive material layer 120A and the high refractive material layer 120B in Embodiment 4 is defined by the equation (2).
0.5 ≦ high refractive material layer thickness (CTE low ) / high refractive material layer thickness (CTE high ) ≦ 2.0 (2)
[第5実施形態]
〔OLED500の構成〕
図2(b)は、本発明の第5実施形態に係るOLED500の断面構成を示す説明図である。
[Fifth Embodiment]
[Configuration of OLED 500]
FIG. 2B is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an OLED 500 according to the fifth embodiment of the present invention.
図2(b)に示すように、本発明の第5実施形態に係るOLED500はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板110と、ガラスフリット材料Aを含む高屈折材料層120A及びガラスフリット材料Bを含む高屈折材料層120Bの2層で構成されている高屈折材料層120と、正極としての透明電極130と、有機発光層150と、陰極180とを主に備える構造において、第4実施形態と共通する。 As shown in FIG. 2B, the OLED 500 according to the fifth embodiment of the present invention is a bottom emission type, and includes a non-alkali glass substrate 110, a high refractive material layer 120A including a glass frit material A, and a glass frit material. In a structure mainly including a high refractive material layer 120 including two high refractive material layers 120B containing B, a transparent electrode 130 as a positive electrode, an organic light emitting layer 150, and a cathode 180, the fourth embodiment Common with form.
第5実施形態は、前記高屈折材料層120B中に、高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー125が混合されている点において、第4実施形態に対して相違する。 In the fifth embodiment, a filler 125 is mixed in the high refractive material layer 120B as a scattering material having a refractive index different from the refractive index of the glass frit that is a base material of the high refractive material layer. It differs from the embodiment.
[第6実施形態]
〔OLED600の構成〕
図2(c)は、本発明の第6の実施形態に係るOLED600の断面構成を示す説明図である。
[Sixth Embodiment]
[Configuration of OLED 600]
FIG. 2C is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an OLED 600 according to the sixth embodiment of the present invention.
第6実施形態は、前記高屈折材料層120A中にフィラー125が混合される一方、前記高屈折材料層120B中にフィラー125が混合されていない点を除き、第4実施形態及び第5実施形態と同様の構成を有する。
[第7実施形態]
〔OLED700の構成〕
図2(d)は、本発明の第7の実施形態に係るOLED700の断面構成を示す説明図である。
In the sixth embodiment, the filler 125 is mixed in the high refractive material layer 120A, while the filler 125 is not mixed in the high refractive material layer 120B. It has the same configuration as.
[Seventh Embodiment]
[Configuration of OLED 700]
FIG. 2D is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an OLED 700 according to the seventh embodiment of the present invention.
第7実施形態は、前記高屈折材料層120A及び前記高屈折材料層120Bのいずれにおいてもフィラー125が混合されている点を除き、第4実施形態乃至第6実施形態と同様の構成を有する。 The seventh embodiment has the same configuration as that of the fourth to sixth embodiments except that the filler 125 is mixed in both the high refractive material layer 120A and the high refractive material layer 120B.
[第8実施形態]
〔OLED800の構成〕
図3(a)は、本発明の第8実施形態に係るOLED800の断面構成を示す説明図である。第8実施形態に係るOLED800は、第5実施形態に係るOLED500に対応しており、無アルカリガラス基板110に凹凸面が形成されていない点を除き、前記OLED500と同じ構造を有する。
[Eighth Embodiment]
[Configuration of OLED 800]
FIG. 3A is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an OLED 800 according to the eighth embodiment of the present invention. An OLED 800 according to the eighth embodiment corresponds to the OLED 500 according to the fifth embodiment, and has the same structure as the OLED 500 except that an uneven surface is not formed on the alkali-free glass substrate 110.
[第9実施形態]
〔OLED900の構成〕
図3(b)は、本発明の第9実施形態に係るOLED900の断面構成を示す説明図であり、前記OLED900は、無アルカリガラス基板110に凹凸面が形成されていない点を除き、前記OLED600と同じ構造を有する。
[Ninth Embodiment]
[Configuration of OLED 900]
FIG. 3B is an explanatory view showing a cross-sectional configuration of an OLED 900 according to the ninth embodiment of the present invention, and the OLED 900 is the OLED 600 except that the uneven surface is not formed on the alkali-free glass substrate 110. Has the same structure.
[第10実施形態]
〔OLED1000の構成〕
図3(c)は、本発明の第10実施形態に係るOLED1000の断面構成を示す説明図であり、前記OLED1000は、無アルカリガラス基板110に凹凸面が形成されていない点を除き、前記OLED700と同じ構造を有する。
[Tenth embodiment]
[Configuration of OLED1000]
FIG. 3C is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of the OLED 1000 according to the tenth embodiment of the present invention. The OLED 1000 has the OLED 700 except that an uneven surface is not formed on the alkali-free glass substrate 110. Has the same structure.
[結晶化ガラス]
また、第1形態乃至第10形態において、無アルカリガラス基板のCTEglassより小さいCTE(CTElow)を有するガラスフリット材料を母材とする高屈折材料層の代わりに、結晶化ガラスからなる高屈折材料層を用いることができる。
[Crystallized glass]
Further, in the first to tenth embodiments, high refraction made of crystallized glass is used instead of the high refraction material layer whose base material is a glass frit material having a CTE (CTE low ) smaller than the CTE glass of the alkali-free glass substrate. A material layer can be used.
前記結晶化ガラスとは、ガラスを制御された条件のもとで再加熱して、多数の微小な結晶を均一に析出成長させて得られる陶磁器様の多結晶体である。まずガラス中に多数の核を均一に形成させ、その核をもとに多数の微小な結晶を均一に成長させることで、多結晶体が形成される。代表的な結晶化ガラスは、Li2O−Al2O3−SiO2、Na2O−Al2O3−SiO2、MgO−Al2O3−SiO2、Na2O−CaO−MgO−SiO2、PbO−ZnO−B2O3、ZnO−B2O3―SiO2系などが挙げられる。 The crystallized glass is a ceramic-like polycrystalline body obtained by reheating glass under controlled conditions to uniformly precipitate and grow a large number of fine crystals. First, a large number of nuclei are uniformly formed in the glass, and a large number of fine crystals are uniformly grown based on the nuclei, whereby a polycrystal is formed. Typical crystallized glass is Li 2 O—Al 2 O 3 —SiO 2 , Na 2 O—Al 2 O 3 —SiO 2 , MgO—Al 2 O 3 —SiO 2 , Na 2 O—CaO—MgO—. Examples thereof include SiO 2 , PbO—ZnO—B 2 O 3 , and ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 .
〔第4実施形態乃至第10実施形態の製造方法〕
第4実施形態乃至第10実施形態に係る前記高屈折材料層120A及び前記高屈折材料層120Bは、図5(a)乃至(f)または図6(a)乃至(f)に示される工程を順次行なうことによって製造することができる。
[Manufacturing Method of Fourth to Tenth Embodiments]
The high-refractive material layer 120A and the high-refractive material layer 120B according to the fourth to tenth embodiments perform the steps shown in FIGS. 5A to 5F or FIGS. 6A to 6F. It can manufacture by performing sequentially.
まず第1の製造方法(図5)について説明する。まず無アルカリガラス基板110上に、ガラスフリット材料Aと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストAを調製し、前記ガラスペーストAを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで乾燥膜を得る。次に得られた乾燥膜を焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストAを溶融し、第1の高屈折材料層を得る。その後、ガラスフリット材料Bと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストBを調製し、前記第1の高屈折材料層上に、前記ガラスペーストBを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで、乾燥膜を得る。これを焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストBを溶融し、第2の高屈折材料層を第1の高屈折材料層上に形成することで、高屈折材料層120A上に高屈折材料層120Bが積層された構造の高屈折材料層120が製造される。 First, the first manufacturing method (FIG. 5) will be described. First, a glass paste A containing a glass frit material A, a solvent, and a resin is prepared on an alkali-free glass substrate 110, and the glass paste A is applied so as to have a predetermined film thickness. Is removed to obtain a dry film. Next, the obtained dried film is baked to burn and remove the resin, and the glass paste A is melted to obtain a first highly refractive material layer. Thereafter, a glass paste B containing a glass frit material B, a solvent, and a resin is prepared, and the glass paste B is applied on the first highly refractive material layer so as to have a predetermined film thickness, followed by drying. A dry film is obtained by removing the solvent in the process. This is baked, the resin is burned off and the glass paste B is melted, and the second high refractive material layer is formed on the first high refractive material layer, so that the high refractive material is formed on the high refractive material layer 120A. The high refractive material layer 120 having a structure in which the layer 120B is laminated is manufactured.
次いで第2の製造方法(図6)について説明する。まず無アルカリガラス基板110上に、ガラスフリット材料Aと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストAを調製し、前記ガラスペーストAを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで乾燥膜を得る。次にガラスフリット材料Bと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストBを調製し、前記乾燥膜上に、前記ガラスペーストBを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで、無アルカリガラス基板110上に積層された乾燥膜を得る。これを焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストA及びガラスペーストBを溶融することで、高屈折材料層120A上に高屈折材料層120Bが積層された構造の高屈折材料層120が製造される。 Next, the second manufacturing method (FIG. 6) will be described. First, a glass paste A containing a glass frit material A, a solvent, and a resin is prepared on an alkali-free glass substrate 110, and the glass paste A is applied so as to have a predetermined film thickness. Is removed to obtain a dry film. Next, a glass paste B containing a glass frit material B, a solvent, and a resin is prepared, and the glass paste B is applied on the dry film so as to have a predetermined film thickness. By removing, a dry film laminated on the alkali-free glass substrate 110 is obtained. The high refractive material layer 120 having a structure in which the high refractive material layer 120B is laminated on the high refractive material layer 120A is manufactured by baking this, removing the resin by burning, and melting the glass paste A and the glass paste B. The
尚、実施形態4乃至実施形態10における前記高屈折材料層120Aおよび前記高屈折材料層120Bの膜厚比率(3)式と、反り量との関係を示す実験結果を図7(b)に示す。
膜厚比率(%)=高屈折材料層膜厚(CTElow)/高屈折材料層膜厚(CTEhigh) ・・(3)
FIG. 7B shows experimental results showing the relationship between the thickness ratio (3) of the high refractive material layer 120A and the high refractive material layer 120B in Embodiments 4 to 10 and the amount of warpage. .
Film thickness ratio (%) = high refractive material layer thickness (CTE low ) / high refractive material layer thickness (CTE high ) (3)
第4乃至第10実施形態における高屈折材料層120は、反り量(μm)が±1.0μmの範囲において、第1乃至第3実施形態における高屈折材料層120に比べて緩やかに変化していることから、反り量の制御がより容易であるため好ましい構造である。 The high-refractive material layer 120 in the fourth to tenth embodiments changes more slowly than the high-refractive material layer 120 in the first to third embodiments in the range where the amount of warpage (μm) is ± 1.0 μm. Therefore, it is a preferable structure because the amount of warpage can be controlled more easily.
[実施例]
以下、本発明の実施例1乃至12を説明する。なお実施例1乃至10は、前記の実施形態1乃至10にそれぞれ相当する構成を有する。また実施例11乃至12は、結晶化ガラスを用いて構成された透光性基板に相当する。以下の実施例1乃至12の「透光性基板」は、図1乃至図3における高屈折材料層120及び無アルカリガラス基板110からなる基板を意味する。
[Example]
Examples 1 to 12 of the present invention will be described below. Examples 1 to 10 have a configuration corresponding to each of Embodiments 1 to 10, respectively. Examples 11 to 12 correspond to a light-transmitting substrate formed using crystallized glass. The “translucent substrate” in Examples 1 to 12 below means a substrate composed of the high refractive material layer 120 and the alkali-free glass substrate 110 in FIGS. 1 to 3.
(実施例1)
CTE=10.5×10−7/℃のZnO系ガラスフリットとCTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリットを任意の比率で混合したガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストを作成した。
Example 1
Glass frit material prepared by mixing ZnTE glass frit with CTE = 10.5 × 10 −7 / ° C. and ZnO glass frit with CTE = 41 × 10 −7 / ° C. in an arbitrary ratio; 45 g, ethyl cellulose STD45 (Dow Chemical Company) 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g were dissolved and mixed, and then kneaded with a three-roll mill to prepare a glass paste.
上記ガラスペーストを、厚み0.7mm、サイズ50×50mmの無アルカリガラス基板(EagleXG;コーニング社製)に♯800のアルミナ粉を0.5kPaの条件で噴射して得られた凹凸付き無アルカリガラス基板上にドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成し樹脂を除去後、630℃で30min焼成して、透光性基板を作成した。 Concavity and convexity non-alkali glass obtained by spraying # 800 alumina powder under the condition of 0.5 kPa on an alkali-free glass substrate (EagleXG; manufactured by Corning) having a thickness of 0.7 mm and a size of 50 × 50 mm. It is coated on a substrate using a doctor blade, the solvent is removed with a 120 ° C. hot air dryer, transferred to a baking furnace, baked at 400 ° C. for 20 minutes, the resin is removed, baked at 630 ° C. for 30 minutes, and translucent. A substrate was created.
(実施例2)
CTE=10.5×10−7/℃のZnO系ガラスフリットとCTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリットを任意の比率で混合したガラスフリット材料;45g、フィラー材料としてユークリプタイト結晶(D50=2μm);6.8g、D50エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストを作成した。
(Example 2)
Glass frit material in which CTE = 10.5 × 10 −7 / ° C. ZnO glass frit and CTE = 41 × 10 −7 / ° C. ZnO glass frit are mixed at an arbitrary ratio; 45 g, eucryptite as a filler material Crystal (D50 = 2 μm); 6.8 g, D50 ethylcellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g were dissolved and mixed, and then kneaded by a three-roll mill. A filler-containing glass paste was prepared.
上記のフィラー含有ガラスペーストを、厚み0.7mm、サイズ50×50mmの無アルカリガラス基板(EagleXG;コーニング社製)上にドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成し樹脂を除去後、630℃で30min焼成して、透光性基板を作成した。 After applying the above filler-containing glass paste onto a non-alkali glass substrate (EagleXG; manufactured by Corning) having a thickness of 0.7 mm and a size of 50 × 50 mm using a doctor blade, the solvent was removed with a 120 ° C. hot air dryer. Then, after transferring to a baking furnace and baking at 400 ° C. for 20 minutes to remove the resin, baking was carried out at 630 ° C. for 30 minutes to prepare a translucent substrate.
(実施例3)
実施例2と同様にして、フィラー含有ガラスペーストを作成した。その後実施例1と同様の凹凸付き無アルカリガラス基板上に、実施例1と同様にして高屈折材料層を形成し、透光性基板を作成した。
(Example 3)
In the same manner as in Example 2, a filler-containing glass paste was prepared. Thereafter, a highly refractive material layer was formed on the alkali-free glass substrate with unevenness similar to that in Example 1 in the same manner as in Example 1 to prepare a translucent substrate.
(実施例4)
CTE=10.5×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストAを作成した。
Example 4
CTE = 10.5 × 10 −7 / ° C. ZnO glass frit material; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g A glass paste A was prepared by kneading with a three-roll mill.
また、CTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45gを用いた以外は、上記と同様にしてガラスペーストBを作成した。 A glass paste B was prepared in the same manner as described above except that 45 g of ZnO-based glass frit material with CTE = 41 × 10 −7 / ° C. was used.
上記のガラスペーストAを、厚み0.7mm、サイズ50×50mmの無アルカリガラス基板(EagleXG;コーニング社製)に♯800のアルミナ粉を0.5kPaの条件で噴射して得られた凹凸付き無アルカリガラス基板上にドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成し樹脂を除去後、630℃で30min焼成した。そのようにして形成された高屈折材料層上に、同様にしてガラスペーストBをドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成し樹脂を除去後、630℃で30min焼成して、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。 No unevenness obtained by spraying the above glass paste A onto a non-alkali glass substrate (Eagle XG; manufactured by Corning) having a thickness of 0.7 mm and a size of 50 × 50 mm under the condition of 0.5 kPa. It apply | coated using the doctor blade on the alkali glass board | substrate, after removing a solvent with a 120 degreeC hot-air dryer, it moved to the baking furnace, baked at 400 degreeC for 20 minutes, baked at 630 degreeC for 30 minutes after removing resin. On the high refractive material layer thus formed, glass paste B was applied in the same manner using a doctor blade, the solvent was removed with a 120 ° C. hot air dryer, transferred to a baking furnace, and the mixture was transferred to 400 ° C. for 20 minutes. After baking and removing the resin, baking was performed at 630 ° C. for 30 minutes to prepare a light-transmitting substrate on which a high refractive material layer was laminated.
(実施例5)
CTE=10.5×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、フィラー材料としてユークリプタイト結晶(D50=2μm);6.8g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストAを作成した。
(Example 5)
ZnO glass frit material with CTE = 10.5 × 10 −7 / ° C .; 45 g, eucryptite crystal (D50 = 2 μm) as filler material; 6.8 g, ethylcellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g and butyl carbitol acetate; 15.6 g were dissolved and mixed, and then kneaded with a three-roll mill to prepare a filler-containing glass paste A.
また、CTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストBを作成した。 Also, after dissolving and mixing ZnO glass frit material of CTE = 41 × 10 −7 / ° C .; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g A glass paste B was prepared by kneading with a three-roll mill.
これらのガラスフリット分散ペーストを実施例4と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。 These glass frit dispersion pastes were used in the same manner as in Example 4 to prepare a translucent substrate on which a high refractive material layer was laminated.
(実施例6)
CTE=10.5×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストAを作成した。
(Example 6)
CTE = 10.5 × 10 −7 / ° C. ZnO glass frit material; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g A glass paste A was prepared by kneading with a three-roll mill.
また、CTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、フィラー材料としてユークリプタイト結晶(D50=2μm);6.8g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストBを作成した。 In addition, CTE = 41 × 10 −7 / ° C. ZnO-based glass frit material; 45 g, eucryptite crystal (D50 = 2 μm) as filler material; 6.8 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g and butyl carbitol acetate; 15.6 g were dissolved and mixed, and then kneaded with a three-roll mill to prepare filler-containing glass paste B.
これらのガラスフリット分散ペーストを実施例4と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。 These glass frit dispersion pastes were used in the same manner as in Example 4 to prepare a translucent substrate on which a high refractive material layer was laminated.
(実施例7)
実施例5と同様にして、フィラー含有ガラスペーストAを作成した。また実施例6と同様にしてフィラー含有ガラスペーストBを作成した。
これらのガラスペーストを実施例4と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
(Example 7)
In the same manner as in Example 5, a filler-containing glass paste A was prepared. Further, a filler-containing glass paste B was prepared in the same manner as in Example 6.
Using these glass pastes in the same manner as in Example 4, a translucent substrate on which a high refractive material layer was laminated was prepared.
(実施例8)
実施例5と同様にして、フィラー含有ガラスペーストAおよびガラスペーストBを作成した。
(Example 8)
In the same manner as in Example 5, filler-containing glass paste A and glass paste B were prepared.
上記のフィラー含有ガラスペーストAを、厚み0.7mm、サイズ50×50mmの無アルカリガラス基板(EagleXG;コーニング社製)上にドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成して樹脂を除去後、630℃で30min焼成した。そのようにして形成された高屈折材料層上に、同様にしてガラスペーストBをドクターブレードを用いて塗布し、120℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、400℃で20min焼成して樹脂を除去後、630℃で30min焼成して、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。 The filler-containing glass paste A is applied onto a non-alkali glass substrate (Eagle XG; manufactured by Corning) having a thickness of 0.7 mm and a size of 50 × 50 mm using a doctor blade, and the solvent is removed with a hot air dryer at 120 ° C. Then, it moved to the baking furnace, baked for 20 minutes at 400 degreeC, removed the resin, and baked for 30 minutes at 630 degreeC. On the high refractive material layer thus formed, glass paste B was applied in the same manner using a doctor blade, the solvent was removed with a 120 ° C. hot air dryer, transferred to a baking furnace, and the mixture was transferred to 400 ° C. for 20 minutes. After baking and removing the resin, baking was performed at 630 ° C. for 30 minutes to prepare a light-transmitting substrate on which a high refractive material layer was laminated.
(実施例9)
実施例6と同様にして、ガラスペーストAおよびフィラー含有ガラスペーストBを作成した。これらのガラスペーストを実施例8と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
Example 9
In the same manner as in Example 6, glass paste A and filler-containing glass paste B were prepared. Using these glass pastes in the same manner as in Example 8, a translucent substrate on which a high refractive material layer was laminated was prepared.
(実施例10)
実施例7と同様にして、フィラー含有ガラスペーストAおよびフィラー含有ガラスペーストBを作成した。
これらのガラスペーストを実施例8と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
(Example 10)
In the same manner as in Example 7, filler-containing glass paste A and filler-containing glass paste B were prepared.
Using these glass pastes in the same manner as in Example 8, a translucent substrate on which a high refractive material layer was laminated was prepared.
(実施例11)
結晶化ガラスからなるZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストAを作成した。
(Example 11)
ZnO glass frit material made of crystallized glass; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g were dissolved and mixed, and then kneaded by a three-roll mill. A glass paste A was prepared.
また、CTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストBを作成した。 Also, after dissolving and mixing ZnO glass frit material of CTE = 41 × 10 −7 / ° C .; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; 15.6 g A glass paste B was prepared by kneading with a three-roll mill.
これらのガラスペーストを実施例8と同様にして、高屈折材料層120が積層された透光性基板1100を作成した(図4(a))。 Using these glass pastes, a translucent substrate 1100 on which a high refractive material layer 120 was laminated was produced in the same manner as in Example 8 (FIG. 4A).
(実施例12)
CTE=41×10−7/℃のZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストAを作成した。
(Example 12)
CTE = 41 × 10 −7 / ° C. ZnO-based glass frit material; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; A glass paste A was prepared by kneading with this roll mill.
また、結晶化ガラスからなるZnO系ガラスフリット材料;45g、エチルセルロースSTD45(ダウケミカル社製);3g、テルピネオール;36.4g、ブチルカルビトールアセテート;15.6gを溶解混合した後、3本ロールミルで混練してガラスペーストBを作成した。 In addition, ZnO-based glass frit material made of crystallized glass; 45 g, ethyl cellulose STD45 (manufactured by Dow Chemical Co.); 3 g, terpineol; 36.4 g, butyl carbitol acetate; A glass paste B was prepared by kneading.
これらのガラスペーストを実施例8と同様にして、高屈折材料層120が積層された透光性基板1200を作成した(図4(b))。 Using these glass pastes, a translucent substrate 1200 on which a high refractive material layer 120 was laminated was produced in the same manner as in Example 8 (FIG. 4B).
[反り量の測定方法]
実施例1乃至12の透光性基板のそれぞれについて、反り量測定を行った。前記反り量測定は、触針式表面粗さ測定機サーフコーダ((株)小坂研究所製)を用い、基板の両端を固定した状態で透光性基板上を10mm走査し、得られた表面形状プロファイルから図9(a)または(b)に記載のように反り量を規定した。
[Measurement method of warpage]
The amount of warpage was measured for each of the translucent substrates of Examples 1 to 12. For the measurement of the amount of warpage, a surface obtained by scanning a translucent substrate by 10 mm with a stylus type surface roughness measuring machine Surfcoder (manufactured by Kosaka Laboratory Ltd.) fixed at both ends of the substrate. The warpage amount was defined from the shape profile as shown in FIG. 9 (a) or (b).
その結果を表1に示す。本発明の透光性基板は反り量が改善することが分かる。 The results are shown in Table 1. It turns out that the amount of curvature improves the translucent board | substrate of this invention.
[大面積透光性基板の観察結果]
厚み0.7mm、G5サイズ(幅1100×長さ1250mm)の無アルカリガラス基板上に、実施例1乃至実施例12に記載の高屈折材料層が形成された透光性基板を作成し、その表面状態を観察した。その結果を表1に示す。本発明の透光性基板は高屈折材料層にクラックや剥離が認められず良好であることが分かる。
[Observation results of large area translucent substrate]
A translucent substrate in which the high refractive material layer described in Examples 1 to 12 is formed on an alkali-free glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a G5 size (width 1100 × length 1250 mm), The surface condition was observed. The results are shown in Table 1. It can be seen that the translucent substrate of the present invention is good because no cracks or peeling is observed in the high refractive material layer.
[有機EL素子の実施例]
本発明の透光性基板を用いて有機EL素子を作成した(素子面積は0.04cm2)。本発明の透光性基板上に、透明電極としてITOを150nmスパッタ法にて形成した。その後、前処理として、ITO透明電極を有する透光性基板をIPAと純粋で洗浄した後、UVオゾンクリーナーにて処理した。正孔注入層としてPEDOTを20nm、正孔輸送層としてNPDを60nm、緑色発光層としてAlq3を40nm真空蒸着法により形成した。更に電子注入層としてLiFを0.4nm、陰極としてAlを100nm蒸着して有機EL素子を作成した。上記のように作成した有機EL素子を、周囲大気に暴露することなしに、乾燥窒素雰囲気のグローブボックス中に搬送し、有機EL素子を、酸化バリウム粉末を含有する吸水材を貼付された封止板と紫外線硬化樹脂シール剤を用いて貼り合わせ、紫外線照射によりシール剤を硬化させて、有機EL素子を封止した。
[Examples of organic EL elements]
An organic EL element was produced using the translucent substrate of the present invention (element area was 0.04 cm 2 ). On the translucent substrate of the present invention, ITO was formed as a transparent electrode by a 150 nm sputtering method. Thereafter, as a pretreatment, the transparent substrate having the ITO transparent electrode was cleaned with IPA and then treated with a UV ozone cleaner. PEDOT was formed to 20 nm as a hole injection layer, NPD was formed to 60 nm as a hole transport layer, and Alq3 was formed as a green light emitting layer by a vacuum deposition method of 40 nm. Further, 0.4 nm of LiF was deposited as an electron injection layer, and 100 nm of Al was deposited as a cathode to prepare an organic EL device. The organic EL device created as described above is transported into a glove box in a dry nitrogen atmosphere without being exposed to the surrounding air, and the organic EL device is sealed with a water-absorbing material containing barium oxide powder. The organic EL element was sealed by laminating using a plate and an ultraviolet curable resin sealant, and curing the sealant by ultraviolet irradiation.
上記のようにして得られた有機EL素子を、KEITHLEY社ソースメータ2400、積分球および照度計を組み合わせた測定系で電流-電圧-全光束特性を測定し、電流輝度効率(cd/A)を算出した。なお、無アルカリガラス基板を用いて作成した有機EL素子の電流輝度効率を1.0とし、相対評価とした。結果を以下表2に示した。
本発明の透光性基板を用いた有機EL素子ではいずれも1.5倍以上の電流輝度効率が得られ、光取出効率が大幅に改善することが認められた。
The current-voltage-total luminous flux characteristics of the organic EL element obtained as described above were measured with a measurement system in which a KEITHLEY source meter 2400, an integrating sphere and an illuminometer were combined, and the current luminance efficiency (cd / A) was determined. Calculated. In addition, the current luminance efficiency of the organic EL element produced using an alkali free glass substrate was set to 1.0, and it was set as relative evaluation. The results are shown in Table 2 below.
In each of the organic EL elements using the translucent substrate of the present invention, it was confirmed that a current luminance efficiency of 1.5 times or more was obtained, and the light extraction efficiency was greatly improved.
以上のことから、無アルカリガラス基板のCTEglassより大きい少なくとも1種のガラス材料を含有し、かつ前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラス材料を用いて高屈折材料層を形成することにより、高屈折ガラス材料と無アルカリガラス基板とのCTE差により生じる基板歪みを解消することが可能となり、光取出効率改善とともに、大面積化が可能な透光性基板が提供できる。 From the above, by forming at least one glass material larger than the CTE glass of the alkali-free glass substrate and forming the highly refractive material layer using at least one glass material smaller than the CTE glass , Substrate distortion caused by the CTE difference between the refractive glass material and the alkali-free glass substrate can be eliminated, and a light-transmitting substrate capable of increasing the area as well as improving the light extraction efficiency can be provided.
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200 発光素子
110 無アルカリガラス基板
111 凹凸面
120 高屈折率材料層
130 透明電極
150 有機発光層(有機薄膜層)
180 陰極
191 高屈折材料層
192 無アルカリガラス基板
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200 Light emitting element 110 Non-alkali glass substrate 111 Concavity and convexity 120 High refractive index material layer 130 Transparent electrode 150 Organic light emitting layer (organic thin film layer )
180 Cathode 191 High refractive material layer 192 Non-alkali glass substrate
Claims (12)
前記無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数CTEglassより大きい少なくとも1種のガラス材料を含有し、かつ前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラス材料を含む高屈折材料層を有することを特徴とする透光性基板。 An alkali-free glass substrate;
On the non-alkali glass substrate, a high refractive material layer containing at least one glass material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the non-alkali glass substrate and containing at least one glass material smaller than the CTE glass is provided. A light-transmitting substrate comprising:
前記CTEglassより大きい少なくとも1種のガラス材料からなる層と、前記CTEglassより小さい少なくとも1種のガラス材料からなる層を含む2層以上で構成された高屈折材料層を有することを特徴とする透光性基板。 An alkali-free glass substrate;
It has a high refractive material layer composed of two or more layers including a layer made of at least one kind of glass material larger than the CTE glass and a layer made of at least one kind of glass material smaller than the CTE glass. Translucent substrate.
前記ペーストを塗布、乾燥して乾燥膜を形成し、
前記乾燥膜を焼成して高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。 On the alkali-free glass substrate, a paste is prepared by mixing at least one glass frit material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the alkali-free glass substrate and at least one glass frit material smaller than the CTE glass ,
Applying the paste and drying to form a dry film,
A method for producing a light-transmitting substrate, comprising baking the dry film to form a highly refractive material layer.
前記第一塗布・乾燥・焼成工程によって形成された高屈折材料層上に、前記ペーストA及び前記ペーストBのうち、前記第一塗布・乾燥・焼成工程において塗布されていないペーストを前記第一の高屈折率層上に塗布し、該ペーストを乾燥して乾燥膜を形成し、前記乾燥膜を焼成する工程によって積層型高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。 A paste A containing at least one glass frit material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the alkali free glass substrate or a paste B containing at least one glass frit material smaller than the CTE glass on the alkali free glass substrate. Applying one of the pastes, drying the paste to form a dry film, firing the dry film to form a first high refractive index layer, a first coating / drying / firing step;
On the high refractive material layer formed by the first application / drying / firing step, the paste that is not applied in the first application / drying / firing step among the paste A and the paste B is the first A method for producing a light-transmitting substrate, comprising: coating on a high refractive index layer; drying the paste to form a dry film; and firing the dry film to form a laminated high refractive material layer. .
前記第一塗布・乾燥工程によって形成された第一の乾燥膜上に、前記ペーストA及び前記ペーストBのうち、前記第一塗布・乾燥工程において塗布されていないペーストを塗布して第二の乾燥膜を得る第二塗布・乾燥工程と、
前記第二塗布・乾燥工程後に形成された積層型乾燥膜を焼成することにより、積層型高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。 Paste A containing at least one glass frit material larger than the linear expansion coefficient CTE glass of the alkali free glass substrate or paste B containing at least one glass frit material smaller than the CTE glass on the alkali free glass substrate A first application / drying step of applying one of the pastes to obtain a first dry film;
On the first dry film formed by the first application / drying step, a paste that has not been applied in the first application / drying step is applied to the second dry film. A second coating / drying step to obtain a film;
A method for producing a light-transmitting substrate, comprising forming a laminated high refractive material layer by firing a laminated dry film formed after the second coating / drying step.
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