JP2014112600A - Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell - Google Patents

Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell Download PDF

Info

Publication number
JP2014112600A
JP2014112600A JP2012266441A JP2012266441A JP2014112600A JP 2014112600 A JP2014112600 A JP 2014112600A JP 2012266441 A JP2012266441 A JP 2012266441A JP 2012266441 A JP2012266441 A JP 2012266441A JP 2014112600 A JP2014112600 A JP 2014112600A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
solar cell
substrate
type region
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012266441A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoki Takeda
直樹 武田
Ritsuo Kanetsuki
律夫 鐘築
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2012266441A priority Critical patent/JP2014112600A/en
Publication of JP2014112600A publication Critical patent/JP2014112600A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a back-electrode-type solar cell of high mass productivity capable of reducing pattern formation steps, and to provide a back-electrode-type solar cell.SOLUTION: A method for manufacturing a back-electrode-type solar cell comprises the steps of: forming a first conductivity type region by diffusing a first conductivity type impurity to a rear surface of a substrate; removing a part of the first conductivity type region; and forming a second conductivity type region by diffusing a second conductivity type impurity to at least a part of the portion from which the first conductivity type region was removed.

Description

本発明は、裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池に関する。   The present invention relates to a manufacturing method of a back electrode type solar cell and a back electrode type solar cell.

太陽光エネルギーを電気エネルギーに直接変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から次世代のエネルギー源としての期待が高まっている。太陽電池としては、化合物半導体を使ったもの、および有機材料を使ったものなど、様々な種類があるが、近年の主流は、シリコン結晶を用いたものである。   In recent years, solar cells that directly convert solar energy into electrical energy have been increasingly expected as next-generation energy sources, particularly from the viewpoint of global environmental problems. There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors and those using organic materials, but the mainstream in recent years is that using silicon crystals.

その中で、一般的な太陽電池は、太陽光を受ける受光面側には電極が設けられ、裏面には逆極性用の電極が設けられている構造を有するものである。このような構造を有する太陽電池においては、受光面側に設けられた電極は電流の取り出しのために必要である。しかしながら、受光面側の電極の下方の部分には太陽光が遮光されてしまうため、当該下方の部分では発電しない。したがって、電極面積が大きい場合には、太陽電池の変換効率が低下することになる。このような、太陽電池の受光面側の電極による損失は、シャドウロスと呼ばれている。この電極による損失を低減するために電極パターンを微細にする開発が行われている。   Among them, a general solar cell has a structure in which an electrode is provided on the light receiving surface side that receives sunlight, and an electrode for reverse polarity is provided on the back surface. In the solar cell having such a structure, the electrode provided on the light receiving surface side is necessary for extracting current. However, since sunlight is shielded in the lower part of the electrode on the light receiving surface side, power is not generated in the lower part. Therefore, when the electrode area is large, the conversion efficiency of the solar cell is lowered. Such a loss due to the electrode on the light receiving surface side of the solar cell is called a shadow loss. In order to reduce the loss due to this electrode, developments have been made to make the electrode pattern fine.

これに対し、受光面に電極がなく、Ｐ型領域用の電極およびＮ型領域用の電極の両方を裏面に形成した太陽電池も存在しており、裏面電極型太陽電池と呼ばれている。裏面電極型太陽電池においては、受光面に電極がないために、電極によるシャドウロスがなく、入射してくる太陽光のほぼ全てを基板内に取り込むことができるため、原理的には高効率が実現可能である。しかしながら、裏面電極型太陽電池は、両極の電極と拡散領域をパターニングして裏面に形成する必要があるため、製造プロセスが、従来の太陽電池よりも複雑化してしまう。製造プロセスの複雑化は、必然的に製造コストを増加させると共に、量産性を低下させるため、商業用として大量生産することが難しくなる。またＮ型基板を用いた場合は、Ｐ型領域を広く、基板よりＮ型不純物濃度が高い領域を狭くするほうが太陽電池の変換効率を向上し得ることが知られており、微細パターンの形成が必要となる。微細加工はさらに製造プロセスの複雑さをきたすこととなる。   On the other hand, there is a solar cell in which there is no electrode on the light receiving surface and both the electrode for the P-type region and the electrode for the N-type region are formed on the back surface, which is called a back electrode type solar cell. In the back electrode type solar cell, since there is no electrode on the light receiving surface, there is no shadow loss due to the electrode, and almost all of the incident sunlight can be taken into the substrate. It is feasible. However, since the back electrode type solar cell needs to be formed on the back surface by patterning electrodes and diffusion regions of both electrodes, the manufacturing process becomes more complicated than the conventional solar cell. The complexity of the manufacturing process inevitably increases the manufacturing cost and decreases the mass productivity, making it difficult to mass-produce for commercial use. In addition, when an N-type substrate is used, it is known that the conversion efficiency of the solar cell can be improved by widening the P-type region and narrowing the region where the N-type impurity concentration is higher than that of the substrate. Necessary. Microfabrication further increases the complexity of the manufacturing process.

そこで、たとえば特許文献１では、エッチングペーストなどを使用した製造方法が開発されている。   Therefore, for example, in Patent Document 1, a manufacturing method using an etching paste or the like has been developed.

しかしながら、エッチングペーストなどを印刷によりパターニングする方法では、特に細線化が求められるＮ型領域を２５０μｍ以下にパターニングすることは線幅精度が±３０μｍ程度は存在するため困難である。またＰ型領域、Ｎ型領域、電極等の複数の工程に対し適用する必要があるため、変換効率や歩留まりを低下させる要因となっている。   However, in a method of patterning an etching paste or the like by printing, it is difficult to pattern an N-type region that is particularly required to be thinned to 250 μm or less because the line width accuracy is about ± 30 μm. In addition, since it is necessary to apply to a plurality of processes such as a P-type region, an N-type region, and an electrode, it is a factor that reduces conversion efficiency and yield.

特開２００８−１８６９２７号公報JP 2008-186927 A

上記のように、裏面電極型太陽電池において裏面側に微細なパターニングを実施することは太陽電池の変換効率を向上させるために重要であるが、従来、微細なパターニングを実施するためには、Ｐ型領域、Ｎ型領域、電極のパターニングを独立に実施したり、複雑な熱酸化・エッチング工程が必要であった。   As described above, it is important to perform fine patterning on the back surface side in a back electrode type solar cell in order to improve the conversion efficiency of the solar cell. Conventionally, in order to perform fine patterning, P The patterning of the mold region, the N-type region, and the electrode was performed independently, and a complicated thermal oxidation / etching process was required.

上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、パターン形成工程を減少させ、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a manufacturing method of a back electrode type solar cell and a back electrode type solar cell that reduce the pattern forming process and have high mass productivity.

本発明は、基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域を形成する工程と、前記第１導電型領域の一部を除去する工程と、前記第１導電型領域が除去された部分の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域を形成する工程と、を有する裏面電極型太陽電池の製造方法である。   The present invention includes a step of diffusing impurities of a first conductivity type on a back surface of a substrate to form a first conductivity type region, a step of removing a part of the first conductivity type region, and the first conductivity type region. And forming a second conductivity type region by diffusing impurities of the second conductivity type into at least a part of the portion from which is removed.

また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域の一部を除去する工程にて、レーザ光照射により前記第１導電型領域を除去することができる。   In the method for manufacturing a back electrode type solar cell of the present invention, the first conductivity type region can be removed by laser light irradiation in the step of removing a part of the first conductivity type region.

また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域を形成する工程は、第２導電型の前記基板に前記第１導電型領域を形成する工程であることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the back electrode type solar cell of the present invention, the step of forming the first conductivity type region is preferably a step of forming the first conductivity type region on the second conductivity type substrate. .

また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域の一部を除去する工程にて、前記基板の厚み方向の除去量は、前記基板の厚さの１０％未満であることが好ましい。   In the method for manufacturing a back electrode type solar cell according to the present invention, in the step of removing a part of the first conductivity type region, the removal amount in the thickness direction of the substrate is less than 10% of the thickness of the substrate. It is preferable that

また、本発明は、上記に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法により製造された裏面電極型太陽電池であって、前記基板に前記レーザ光の照射跡を有する、裏面電極型太陽電池である。   Moreover, this invention is a back electrode type solar cell manufactured by the manufacturing method of the back electrode type solar cell as described above, and has the irradiation trace of the laser beam on the substrate. .

ここで、導電型はＰ型とＮ型があり、第１導電型がＰ型である場合には、第２導電型がＮ型となり、第１導電型がＮ型である場合には、第２導電型がＰ型となる。   Here, there are P-type and N-type conductivity, when the first conductivity type is P-type, the second conductivity type is N-type, and when the first conductivity type is N-type, The two conductivity type is P type.

本発明において、基板の裏面に第１導電型領域を形成して、その一部を除去して、第２導電型領域を形成することにより、第１導電型領域を形成する前にパターンを形成する必要がなく、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することができる。   In the present invention, a pattern is formed before forming the first conductivity type region by forming a first conductivity type region on the back surface of the substrate and removing a part thereof to form a second conductivity type region. Therefore, it is possible to provide a manufacturing method of a back electrode type solar cell and a back electrode type solar cell with high mass productivity.

（ａ）〜（ｈ）は、本発明の裏面電極型太陽電池の製造工程の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(h) is typical sectional drawing illustrating an example of the manufacturing process of the back electrode type solar cell of this invention.

以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

＜本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法＞
以下、図１に基づいて本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法を説明する。 <The manufacturing method of the back electrode type solar cell of this invention>
Hereinafter, based on FIG. 1, the manufacturing method of the back electrode type solar cell of this invention is demonstrated.

（保護層を形成する工程）
まず、基板１を準備する。基板１は受光面にテクスチャ構造が形成されていてもよい。ここで、基板１のテクスチャエッチングは、たとえば、数％の水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウム溶液に数％のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を７０〜８０℃に加熱した溶液を用いて、基板１の受光面をエッチングすることなどにより行なうことができる。 (Step of forming a protective layer)
First, the substrate 1 is prepared. The substrate 1 may have a texture structure on the light receiving surface. Here, the texture etching of the substrate 1 is performed by, for example, using a solution obtained by heating an alkali solution containing several percent isopropyl alcohol in several percent sodium hydroxide or potassium hydroxide solution to 70 to 80 ° C. This can be done by etching the light receiving surface.

次に、図１（ａ）に示すように、基板１の受光面に保護層３を形成する。保護層３の形成方法は、特に限定されていないが、たとえば、ＡＰＣＶＤ（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition）による方法、あるいは、水蒸気雰囲気中で熱酸化処理する方法、あるいは、マスク材料を含む溶液を塗布後乾燥して焼成を行う方法などを用いることができる。   Next, as shown in FIG. 1A, the protective layer 3 is formed on the light receiving surface of the substrate 1. The method for forming the protective layer 3 is not particularly limited. For example, the method by APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), the method of thermal oxidation treatment in a steam atmosphere, or the application of a solution containing a mask material. A method of drying and baking can be used.

上記基板１としては、Ｐ型、Ｎ型のどちらでもよく、種類に限定されるものではないが、便宜上、Ｎ型のシリコン基板を用いて説明する。基板１としてＮ型のシリコン基板を用いる場合には、所望の厚さにスライスされたシリコンウエハのスライスダメージを除去するため、片面につき１０〜２０μｍ程度の厚さをフッ酸と硝酸の混酸若しくは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液でエッチングしたものを用いることができる。基板１の大きさおよび形状は、特に限定されていないが、厚さを１００〜３００μｍとし、外形を１辺１００〜１５０ｍｍの擬似四角形の表面を有するものとすることができる。また、基板１におけるＮ型不純物濃度は、たとえば、１×１０15個／ｃｍ3以上１×１０16個／ｃｍ3以下とすることができる。 The substrate 1 may be either P-type or N-type, and is not limited to the type, but will be described using an N-type silicon substrate for convenience. When an N-type silicon substrate is used as the substrate 1, in order to remove the slice damage of the silicon wafer sliced to a desired thickness, a thickness of about 10 to 20 μm per side is mixed with hydrofluoric acid and nitric acid or water. What was etched with alkali solutions, such as sodium oxide, can be used. Although the magnitude | size and shape of the board | substrate 1 are not specifically limited, Thickness shall be 100-300 micrometers and it shall have a pseudo | quasi-rectangular surface whose external shape is 100-150 mm per side. Further, the N-type impurity concentration in the substrate 1 can be, for example, 1 × 10 15 / cm 3 or more and 1 × 10 16 / cm 3 or less.

上記保護層３としては、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえばＳｉＯ２層などの酸化物層を用いることができる。また、窒化物層としては、たとえばＳｉＮなどの窒化物層を用いることができる。したがって、保護層３としては、たとえば、ＳｉＯ２層の単層、ＳｉＮ層の単層、またはＳｉＯ２層とＳｉＮ層との積層体などを用いることができる。保護層３の厚さは、特に限定されていないが、たとえば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さとすることができる。 As the protective layer 3, for example, at least one of an oxide layer and a nitride layer can be used. As the oxide layer, for example, an oxide layer such as a SiO 2 layer can be used. Further, as the nitride layer, for example, a nitride layer such as SiN can be used. Therefore, as the protective layer 3, for example, a single layer of SiO 2, a single layer of SiN layer, or a laminate of SiO 2 layer and SiN layer can be used. Although the thickness of the protective layer 3 is not specifically limited, For example, it can be set as the thickness of 50 nm or more and 400 nm or less.

（第１導電型領域を形成する工程）
図１（ｂ）に示すように、基板１の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域６を形成する。第１導電型の不純物はＰ型、Ｎ型のどちらでもよいが、好ましくは基板１の導電型と異なる導電型である。ここでは、便宜上、Ｐ型を用いて説明する。基板１の裏面は図１（ｂ）では全面としたが、面方向の一部としてよい。Ｐ型領域６の形成方法は、たとえば、ホウ素拡散源であるＰＢＦを非受光にスピンコーティングで塗布する塗布拡散方法により行なうことができるが、これに限定されるものではなく、ＢＢｒ３を用いた気相拡散方法等により行なうこともできる。 (Process of forming first conductivity type region)
As shown in FIG. 1B, a first conductivity type region 6 is formed by diffusing impurities of the first conductivity type on the back surface of the substrate 1. The first conductivity type impurity may be either P-type or N-type, but preferably has a conductivity type different from that of the substrate 1. Here, for convenience, the description will be made using the P-type. The back surface of the substrate 1 is the entire surface in FIG. 1B, but may be a part of the surface direction. The P-type region 6 can be formed by, for example, a coating diffusion method in which PBF, which is a boron diffusion source, is applied to a non-light-receiving layer by spin coating. However, the method is not limited to this, and BBr 3 is used. It can also be carried out by a vapor phase diffusion method.

なお、塗布拡散方法によりＰ型領域を形成する場合には、たとえば１００℃〜２００℃の温度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜１０００℃の温度で熱拡散処理を行うことにより、Ｐ型不純物を拡散することが好ましい。第１導電型領域６におけるＰ型不純物濃度は１×１０19個／ｃｍ3以上１×１０21個／ｃｍ3以下が好ましい。 When forming the P-type region by the coating diffusion method, for example, a drying process is performed at a temperature of 100 ° C. to 200 ° C., and then a thermal diffusion process is performed at a temperature of 800 ° C. to 1000 ° C. It is preferable to diffuse impurities. The P-type impurity concentration in the first conductivity type region 6 is preferably 1 × 10 19 / cm 3 or more and 1 × 10 21 / cm 3 or less.

また、第１導電型領域６の厚さは５０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
（拡散防止マスク層を形成する工程）
図１（ｃ）に示すように、基板１の第１導電型領域６の上に拡散防止マスク層２を形成する。拡散防止マスク層２の形成方法は、特に限定されていないが、たとえば、ＡＰＣＶＤによる方法、あるいは、水蒸気雰囲気中で熱酸化処理する方法、あるいは、マスク材料を含む溶液を塗布後乾燥して焼成を行う方法などを用いることができる。 Moreover, it is preferable that the thickness of the 1st conductivity type area | region 6 is 50 nm-500 nm.
(Step of forming a diffusion prevention mask layer)
As shown in FIG. 1C, a diffusion prevention mask layer 2 is formed on the first conductivity type region 6 of the substrate 1. The method for forming the diffusion prevention mask layer 2 is not particularly limited. For example, the method by APCVD, the method of thermal oxidation treatment in a water vapor atmosphere, or the application of a solution containing a mask material, followed by drying and baking. The method of performing etc. can be used.

拡散防止マスク層２としては、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえばＳｉＯ２層などの酸化物層を用いることができる。また、窒化物層としては、たとえばＳｉＮなどの窒化物層を用いることができる。したがって、拡散防止マスク層２としては、たとえば、ＳｉＯ２層の単層、ＳｉＮ層の単層、またはＳｉＯ２層とＳｉＮ層との積層体などを用いることができる。拡散防止マスク層２の厚さは、特に限定されていないが、たとえば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さとすることができる。 As the diffusion preventing mask layer 2, for example, at least one of an oxide layer and a nitride layer can be used. As the oxide layer, for example, an oxide layer such as a SiO 2 layer can be used. Further, as the nitride layer, for example, a nitride layer such as SiN can be used. Therefore, as the diffusion prevention mask layer 2, for example, a single layer of SiO 2 layer, a single layer of SiN layer, or a laminate of SiO 2 layer and SiN layer can be used. Although the thickness of the diffusion preventing mask layer 2 is not particularly limited, it can be set to a thickness of 50 nm to 400 nm, for example.

（第１導電型領域の一部を除去する工程）
図１（ｄ）に示すように、まず拡散防止マスク層２の一部を除去し、その後拡散防止マスク層２を除去した領域の基板の一部を除去して除去部４を形成する。拡散防止マスク層２の除去方法は、特に限定されていないが、拡散防止マスク層２の除去された領域に第２導電型領域が形成され、拡散防止マスク層２が残っている領域が最終的には第１導電型領域となるので、拡散防止マスク層２の除去精度が第１導電型領域６及び第２導電型領域５のパターニング精度となり、高い加工精度を安価に形成する観点からは、レーザ光を照射して除去する方法が好ましい。 (Step of removing a part of the first conductivity type region)
As shown in FIG. 1D, first, a part of the diffusion preventing mask layer 2 is removed, and then a part of the substrate in the region where the diffusion preventing mask layer 2 is removed is removed to form the removal portion 4. The method for removing the diffusion prevention mask layer 2 is not particularly limited, but the second conductivity type region is formed in the removed region of the diffusion prevention mask layer 2 and the region where the diffusion prevention mask layer 2 remains is finally formed. Therefore, the removal accuracy of the anti-diffusion mask layer 2 becomes the patterning accuracy of the first conductivity type region 6 and the second conductivity type region 5, and from the viewpoint of forming high processing accuracy at a low cost, A method of removing by irradiating with laser light is preferable.

ここで、レーザ光の照射箇所は、除去部４に相当する。レーザ光の照射により拡散防止マスク層２の一部とともに第１導電型領域６の一部を除去する観点からはパルス幅が１〜１００ｎｓのナノ秒パルスレーザ光を用いることが好ましい。また、レーザ光の照射箇所における基板１の熱による溶融変形を抑制する観点からは、拡散防止マスク層１の除去にパルス幅が１００ｐｓ以下のピコ秒パルスレーザ光を用いることが好ましい。さらに、拡散防止マスク層２のパターニングをより高精度に、かつより高効率で行ない、基板１の熱による溶融変形をより効果的に抑える観点からは、パルスレーザ光の波長が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。   Here, the irradiated portion of the laser beam corresponds to the removing unit 4. From the viewpoint of removing a part of the first conductivity type region 6 together with a part of the diffusion prevention mask layer 2 by laser light irradiation, it is preferable to use a nanosecond pulsed laser light having a pulse width of 1 to 100 ns. Further, from the viewpoint of suppressing the melt deformation due to heat of the substrate 1 at the laser beam irradiation location, it is preferable to use a picosecond pulse laser beam having a pulse width of 100 ps or less for removing the diffusion preventing mask layer 1. Further, from the viewpoint of performing the patterning of the diffusion prevention mask layer 2 with higher accuracy and higher efficiency and more effectively suppressing the melt deformation of the substrate 1 due to heat, the wavelength of the pulse laser beam is 100 nm or more and 1000 nm or less. Preferably there is.

拡散防止マスク層２をレーザ光の照射によりパターニングする場合には、フォトリソグラフィを用いて拡散防止マスク層２をパターニングする場合と比較して、フォトレジスト塗布、パターン露光、現像およびフォトレジスト剥離などの工程が不要となるため、製造工程を簡略化することができる。さらに、エッチングペーストおよびフォトレジストなどの材料が不要となるため、太陽電池セルの製造コストも低減することができる。   When patterning the diffusion prevention mask layer 2 by laser light irradiation, compared with the case of patterning the diffusion prevention mask layer 2 using photolithography, photoresist coating, pattern exposure, development, photoresist stripping, etc. Since a process becomes unnecessary, a manufacturing process can be simplified. Furthermore, since materials such as an etching paste and a photoresist are not necessary, the manufacturing cost of the solar battery cell can be reduced.

また、上記の方法により拡散防止マスク層２を除去する場合、拡散防止マスク層２はその除去部４に対応する部分を厚さ方向で完全に除去する必要があるが、第１導電型領域６は、完全に除去しても一部残ってもよい。第１導電型領域６が一部残った場合には、ＨＦ等にてエッチングすることにより、第１導電型領域６の残渣と加工ダメージを除去することができる。   Further, when the diffusion prevention mask layer 2 is removed by the above method, it is necessary to completely remove the portion corresponding to the removal portion 4 in the thickness direction of the diffusion prevention mask layer 2. May be removed completely or partially. If a portion of the first conductivity type region 6 remains, the residue and processing damage of the first conductivity type region 6 can be removed by etching with HF or the like.

ここで、第１導電型領域６の除去による基板１の厚み方向の除去量は、基板１の厚さの１０％未満であることが好ましい。基板の厚み方向の除去量が基板の厚さの１０％以上であると、エッチング深さが大きくなってウエハの強度を低下させる恐れがあり、好ましくない。   Here, the removal amount in the thickness direction of the substrate 1 by removing the first conductivity type region 6 is preferably less than 10% of the thickness of the substrate 1. If the removal amount in the thickness direction of the substrate is 10% or more of the thickness of the substrate, the etching depth becomes large and the strength of the wafer may be reduced.

（第２導電型領域を形成する工程）
図１（ｅ）に示すように、第１導電型領域６が除去された部分（図１（ｅ）では除去部４）の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域５を形成する。ここでは、第２導電型の不純物として、Ｎ型を用いて説明する。Ｎ型領域５の形成は、たとえば、ＰＯＣｌ３雰囲気で熱拡散処理することにより行なうことができるが、これに限定されるものではなく、拡散材料を含む材料をスピンコート法や印刷法により塗布した後、１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより行なうこともできる。第２導電型領域５におけるＮ型不純物濃度は基板１におけるＮ型不純物濃度より高くなるようにし、さらに１×１０19個／ｃｍ3以上１×１０21個／ｃｍ3以下であることが好ましい。 (Step of forming second conductivity type region)
As shown in FIG. 1E, the second conductivity type is diffused by diffusing impurities of the second conductivity type into at least a part of the portion where the first conductivity type region 6 is removed (the removal portion 4 in FIG. 1E). A mold region 5 is formed. Here, description will be made using N-type as the second conductivity type impurity. The N-type region 5 can be formed by, for example, thermal diffusion treatment in a POCl 3 atmosphere, but is not limited thereto, and a material containing a diffusion material is applied by spin coating or printing. Then, it can also carry out by performing a drying process at about 150 to 200 degreeC, and performing a thermal diffusion process with the tube furnace set to about 800 to 900 degreeC after that. It is preferable that the N-type impurity concentration in the second conductivity type region 5 is higher than the N-type impurity concentration in the substrate 1 and is 1 × 10 19 / cm 3 or more and 1 × 10 21 / cm 3 or less.

また、第２導電型領域５の厚さは５０ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましい。
（パッシベーション層を形成する工程）
まず、保護層３と拡散防止マスク層２を除去し、その後図１（ｆ）に示すように、基板１の裏面側および受光面側のそれぞれにパッシベーション層７および８を形成する。 The thickness of the second conductivity type region 5 is preferably 50 nm to 300 nm.
(Step of forming a passivation layer)
First, the protective layer 3 and the diffusion preventing mask layer 2 are removed, and then passivation layers 7 and 8 are formed on the back surface side and the light receiving surface side of the substrate 1, respectively, as shown in FIG.

パッシベーション層７および８としては、それぞれ、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができる。また、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、パッシベーション層７および８としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。   As the passivation layers 7 and 8, for example, at least one of an oxide layer and a nitride layer can be used, respectively. As the oxide layer, for example, a silicon oxide layer or the like can be used. As the nitride layer, for example, a silicon nitride layer can be used. Therefore, as the passivation layers 7 and 8, for example, a single layer of a silicon oxide layer, a single layer of a silicon nitride layer, or a stacked body of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer can be used.

ここで、酸化シリコン層としては、たとえば、スチーム酸化法、ＡＰＣＶＤ法、ＳＯＧの塗布・焼成により形成された厚さ３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下のものを用いることができる。また、窒化シリコン層としては、たとえば、プラズマＣＶＤ法またはＡＰＣＶＤ法で形成された厚さ６０ｎｍ以上１００ｎｍのものを用いることができる。   Here, as the silicon oxide layer, for example, a layer formed by steam oxidation method, APCVD method, SOG coating / firing and having a thickness of 300 nm to 800 nm can be used. As the silicon nitride layer, for example, a layer formed by plasma CVD or APCVD and having a thickness of 60 nm to 100 nm can be used.

（コンタクトホールを形成する工程）
図１（ｇ）に示すように、パッシベーション層７にコンタクトホール９、１０を形成して、コンタクトホール９から第１導電型領域６の表面を露出させ、コンタクトホール１０から第２導電型領域５の表面を露出させる。コンタクトホール９、１０の形成方法は、特に限定されないが、上述の短パルスレーザ光の照射によって形成することが好ましい。この場合には、上述したように、太陽電池セルの製造工程を簡略化することができるとともに、製造コストを低減することができ、さらには高い変換効率が実現可能な太陽電池セルを作製することができる。 (Process for forming contact holes)
As shown in FIG. 1G, contact holes 9 and 10 are formed in the passivation layer 7 to expose the surface of the first conductivity type region 6 from the contact hole 9 and from the contact hole 10 to the second conductivity type region 5. To expose the surface. The method of forming the contact holes 9 and 10 is not particularly limited, but it is preferable to form the contact holes 9 and 10 by irradiation with the short pulse laser beam described above. In this case, as described above, the manufacturing process of the solar battery cell can be simplified, the manufacturing cost can be reduced, and further, the solar battery cell capable of realizing high conversion efficiency is manufactured. Can do.

（電極を形成する工程）
図１（ｈ）に示すように、パッシベージョン層７に、コンタクトホール９を通じて第１導電型領域６の表面に接触する第１電極１１を形成し、コンタクトホール１０を通じて第２導電型領域５の表面に接触する第２電極１２を形成する。第１電極１１および第２電極１２の形成は、たとえば、銀ペーストを塗布した後に、５００℃以上６００℃以下の温度で焼成することなどにより行なうことができる。 (Process for forming electrodes)
As shown in FIG. 1 (h), a first electrode 11 that contacts the surface of the first conductivity type region 6 through the contact hole 9 is formed in the passivation layer 7, and the second conductivity type region 5 through the contact hole 10. A second electrode 12 is formed in contact with the surface. The formation of the first electrode 11 and the second electrode 12 can be performed, for example, by baking at a temperature of 500 ° C. or higher and 600 ° C. or lower after applying a silver paste.

＜本発明の裏面電極型太陽電池＞
以上のようにして、受光面の反対側である裏面にＰＮ接合が形成された裏面電極型太陽電池が得られる。本発明の裏面電極型太陽電池は、レーザ光によって拡散防止マスク層２と第１導電型領域６が一工程で除去される形態も含まれており、この場合、基板１にレーザ光の照射跡を有することがある。 <Back Electrode Type Solar Cell of the Present Invention>
As described above, a back electrode type solar cell in which a PN junction is formed on the back surface opposite to the light receiving surface is obtained. The back electrode type solar cell of the present invention includes a mode in which the diffusion prevention mask layer 2 and the first conductivity type region 6 are removed in one step by laser light. In this case, the substrate 1 is irradiated with laser light. May have.

＜実施例１＞
以下、図１に基づいて、本実施例を説明する。 <Example 1>
Hereinafter, this embodiment will be described with reference to FIG.

受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。   A protective layer 3 having a thickness of 150 nm was formed by the APCVD method on the light receiving surface side of an N-type single crystal silicon substrate 1 having a thickness of 150 μm having a random texture formed on the light receiving surface side.

次に、ＰＢＦを非受光全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理を行なった。この拡散処理により厚さ約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。   Next, PBF was applied to the entire non-light-receiving surface by spin coating. A drying process was performed at about 150 ° C. to 200 ° C., and then a diffusion process was performed by performing a thermal diffusion process in a tube furnace set at about 800 ° C. to 900 ° C. By this diffusion treatment, a P-type region 6 having a thickness of about 100 nm was formed.

上記Ｐ型領域６が形成された基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板１の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。   The substrate 1 on which the P-type region 6 was formed was subjected to thermal oxidation treatment at about 900 ° C. in a water vapor atmosphere to form a diffusion prevention mask layer 2 of about 200 nm on the back surface of the substrate 1. At this stage, no patterning was performed, and the P-type region 6 and the diffusion prevention mask layer 2 were formed on the back surface of the substrate.

次に、パルス幅４ｎｓ、波長５３２ｎｍのナノ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２とＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。シリコン基板１の露出部にはレーザ照射跡が残った。   Next, a nanosecond pulsed laser beam having a pulse width of 4 ns and a wavelength of 532 nm is irradiated from above the substrate 1 to a part of the surface direction of the substrate 1 to remove the diffusion prevention mask layer 2 and the P-type region 6 in the laser beam irradiation part. did. As a result, the silicon substrate 1 in which the P-type impurities are not diffused only in the laser beam irradiation portion is exposed. A laser irradiation trace remained on the exposed portion of the silicon substrate 1.

さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。 Further, the obtained substrate 1 is put in a tube furnace, and thermal diffusion is performed at 800 ° C. to 900 ° C. in an atmosphere of POCl 3 , thereby diffusing phosphorus only in the opening portion formed by the laser beam, so that the N-type region 5 Formed.

保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。 After removing the protective layer 3 and the diffusion prevention mask layer 2 by HF treatment, a SiO 2 film was formed as a passivation layer 7 on the back surface by the APCVD method. On the light receiving side, a SiN film was formed as a passivation layer 8 by plasma CVD.

裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。   A part of the back surface passivation layer 7 was removed by patterning by laser light irradiation, and Ag electrodes 11 and 12 were formed thereon by screen printing to manufacture a back electrode type solar cell.

＜実施例２＞
受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。 <Example 2>
A protective layer 3 having a thickness of 150 nm was formed by the APCVD method on the light receiving surface side of an N-type single crystal silicon substrate 1 having a thickness of 150 μm having a random texture formed on the light receiving surface side.

次に、ＰＢＦを非受光面全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理工程を行なった。この拡散処理により約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。   Next, PBF was applied to the entire non-light-receiving surface by spin coating. A drying treatment was performed at about 150 ° C. to 200 ° C., followed by a thermal diffusion treatment in a tube furnace set at about 800 ° C. to 900 ° C. By this diffusion treatment, a P-type region 6 of about 100 nm was formed.

得られた基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板１の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。   The obtained substrate 1 was subjected to thermal oxidation treatment at about 900 ° C. in a water vapor atmosphere to form a diffusion prevention mask layer 2 having a thickness of about 200 nm on the back surface of the substrate. At this stage, no patterning was performed, and the P-type region 6 and the diffusion prevention mask layer 2 were formed on the back surface of the substrate 1.

次に、パルス幅１５ｐｓ、波長３５５ｎｍのピコ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２を除去した。その後、ＨＦエッチングにより、拡散防止マスク層が除去された部分のＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。   Next, a picosecond pulse laser beam having a pulse width of 15 ps and a wavelength of 355 nm was irradiated from above the substrate 1 to a part of the surface direction of the substrate 1 to remove the diffusion prevention mask layer 2 in the laser beam irradiation portion. Thereafter, the P-type region 6 where the diffusion preventing mask layer was removed was removed by HF etching. As a result, the silicon substrate 1 in which the P-type impurities are not diffused only in the laser beam irradiation portion is exposed.

さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。 Further, the obtained substrate 1 is put in a tube furnace, and thermal diffusion is performed at 800 ° C. to 900 ° C. in an atmosphere of POCl 3 , thereby diffusing phosphorus only in the opening portion formed by the laser beam, so that the N-type region 5 Formed.

保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。 After removing the protective layer 3 and the diffusion prevention mask layer 2 by HF treatment, a SiO 2 film was formed as a passivation layer 7 on the back surface by the APCVD method. On the light receiving side, a SiN film was formed as a passivation layer 8 by plasma CVD.

裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。   A part of the back surface passivation layer 7 was removed by patterning by laser light irradiation, and Ag electrodes 11 and 12 were formed thereon by screen printing to manufacture a back electrode type solar cell.

＜実施例３＞
受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。 <Example 3>
A protective layer 3 having a thickness of 150 nm was formed by the APCVD method on the light receiving surface side of an N-type single crystal silicon substrate 1 having a thickness of 150 μm having a random texture formed on the light receiving surface side.

次に、ＰＢＦを非受光面全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理工程を行なった。この拡散処理により約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。   Next, PBF was applied to the entire non-light-receiving surface by spin coating. A drying treatment was performed at about 150 ° C. to 200 ° C., followed by a thermal diffusion treatment in a tube furnace set at about 800 ° C. to 900 ° C. By this diffusion treatment, a P-type region 6 of about 100 nm was formed.

得られた基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板１の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。   The obtained substrate 1 was subjected to thermal oxidation treatment at about 900 ° C. in a water vapor atmosphere to form a diffusion prevention mask layer 2 having a thickness of about 200 nm on the back surface of the substrate. At this stage, no patterning was performed, and the P-type region 6 and the diffusion prevention mask layer 2 were formed on the back surface of the substrate 1.

次に、パルス幅１５ｐｓ、波長３５５ｎｍのピコ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２を除去した。その後、パルス幅４ｎｓ、波長５３２ｎｍのナノ秒パルスレーザ光の照射を行ない、拡散防止マスク層が除去された部分のＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。   Next, a picosecond pulse laser beam having a pulse width of 15 ps and a wavelength of 355 nm was irradiated from above the substrate 1 to a part of the surface direction of the substrate 1 to remove the diffusion prevention mask layer 2 in the laser beam irradiation portion. Thereafter, irradiation with nanosecond pulsed laser light having a pulse width of 4 ns and a wavelength of 532 nm was performed, and the P-type region 6 where the diffusion prevention mask layer was removed was removed. As a result, the silicon substrate 1 in which the P-type impurities are not diffused only in the laser beam irradiation portion is exposed.

さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。 Further, the obtained substrate 1 is put in a tube furnace, and thermal diffusion is performed at 800 ° C. to 900 ° C. in an atmosphere of POCl 3 , thereby diffusing phosphorus only in the opening portion formed by the laser beam, so that the N-type region 5 Formed.

保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。 After removing the protective layer 3 and the diffusion prevention mask layer 2 by HF treatment, a SiO 2 film was formed as a passivation layer 7 on the back surface by the APCVD method. On the light receiving side, a SiN film was formed as a passivation layer 8 by plasma CVD.

裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。   A part of the back surface passivation layer 7 was removed by patterning by laser light irradiation, and Ag electrodes 11 and 12 were formed thereon by screen printing to manufacture a back electrode type solar cell.

上記のように、実施の形態の裏面電極型太陽電池の製造方法によれば、第１導電型領域を形成する工程においてパターンを形成する必要がなく、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the back electrode type solar cell of the embodiment, it is not necessary to form a pattern in the step of forming the first conductivity type region, and the manufacturing of the back electrode type solar cell with high mass productivity is achieved. A method and a back electrode solar cell can be provided.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明は、裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池に好適に利用することができる。   The present invention can be suitably used for a manufacturing method of a back electrode type solar cell and a back electrode type solar cell.

１ 基板、２ 拡散防止マスク層、３ 保護層、４ 除去部、５ 第２導電型領域（Ｎ型領域）、６ 第１導電型領域（Ｐ型領域）、７，８ パッシベーション層、９，１０ コンタクトホール、１１ 第１電極、１２ 第２電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate, 2 Diffusion prevention mask layer, 3 Protective layer, 4 Removal part, 5 2nd conductivity type area | region (N-type area | region), 6 1st conductivity type area | region (P-type area | region), 7, 8 Passivation layer, 9, 10 Contact hole, 11 first electrode, 12 second electrode.

Claims (5)

基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域を形成する工程と、
前記第１導電型領域の一部を除去する工程と、
前記第１導電型領域が除去された部分の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域を形成する工程と、
を有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 Forming a first conductivity type region by diffusing impurities of the first conductivity type on the back surface of the substrate;
Removing a portion of the first conductivity type region;
Forming a second conductivity type region by diffusing a second conductivity type impurity into at least a part of the portion from which the first conductivity type region has been removed;
The manufacturing method of the back electrode type solar cell which has this. 前記第１導電型領域の一部を除去する工程において、レーザ光照射により前記第１導電型領域を除去する、請求項１に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。   The method for manufacturing a back electrode type solar cell according to claim 1, wherein in the step of removing a part of the first conductivity type region, the first conductivity type region is removed by laser light irradiation. 前記第１導電型領域を形成する工程は、第２導電型の前記基板に前記第１導電型領域を形成する工程である、請求項１または２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。   The method for manufacturing a back electrode type solar cell according to claim 1 or 2, wherein the step of forming the first conductivity type region is a step of forming the first conductivity type region on the second conductivity type substrate. 前記第１導電型領域の一部を除去する工程において、前記基板の厚み方向の除去量は、前記基板の厚さの１０％未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。   The process of removing a part of the first conductivity type region, the removal amount in the thickness direction of the substrate is less than 10% of the thickness of the substrate. Manufacturing method of back electrode type solar cell. 請求項２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法により製造された裏面電極型太陽電池であって、
前記基板に前記レーザ光の照射跡を有する、裏面電極型太陽電池。 A back electrode type solar cell manufactured by the method for manufacturing a back electrode type solar cell according to claim 2,
The back electrode type solar cell which has the irradiation trace of the said laser beam on the said board | substrate.
JP2012266441A 2012-12-05 2012-12-05 Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell Pending JP2014112600A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012266441A JP2014112600A (en) 2012-12-05 2012-12-05 Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012266441A JP2014112600A (en) 2012-12-05 2012-12-05 Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014112600A true JP2014112600A (en) 2014-06-19

Family

ID=51169558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012266441A Pending JP2014112600A (en) 2012-12-05 2012-12-05 Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014112600A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160139750A (en) * 2015-05-28 2016-12-07 엘지전자 주식회사 Solar cell and method for manufacturing the same
JP6220483B1 (en) * 2016-10-25 2017-10-25 信越化学工業株式会社 High photoelectric conversion efficiency solar cell and method for producing high photoelectric conversion efficiency solar cell
JP6246982B1 (en) * 2016-10-25 2017-12-13 信越化学工業株式会社 High photoelectric conversion efficiency solar cell and method for producing high photoelectric conversion efficiency solar cell
JP6257847B1 (en) * 2016-03-23 2018-01-10 三菱電機株式会社 Manufacturing method of solar cell
JP6291136B1 (en) * 2016-10-14 2018-03-14 信越化学工業株式会社 Solar cell manufacturing method and solar cell manufacturing system
JP2020043255A (en) * 2018-09-12 2020-03-19 東洋アルミニウム株式会社 Method of manufacturing back contact type solar cell

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388804B2 (en) 2015-05-28 2019-08-20 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
JP2016225627A (en) * 2015-05-28 2016-12-28 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド Solar cell and method of manufacturing the same
KR102373649B1 (en) * 2015-05-28 2022-03-11 엘지전자 주식회사 Solar cell and method for manufacturing the same
US10777694B2 (en) 2015-05-28 2020-09-15 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
KR20160139750A (en) * 2015-05-28 2016-12-07 엘지전자 주식회사 Solar cell and method for manufacturing the same
JP6257847B1 (en) * 2016-03-23 2018-01-10 三菱電機株式会社 Manufacturing method of solar cell
US10756223B2 (en) 2016-10-14 2020-08-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Manufacturing method of solar cell with high photoelectric conversion efficiency and solar cell with high photoelectric conversion efficiency
WO2018069951A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 信越化学工業株式会社 Method for manufacturing solar cell having high photoelectric conversion efficiency, and solar cell having high photoelectric conversion efficiency
JP6291136B1 (en) * 2016-10-14 2018-03-14 信越化学工業株式会社 Solar cell manufacturing method and solar cell manufacturing system
JP6246982B1 (en) * 2016-10-25 2017-12-13 信越化学工業株式会社 High photoelectric conversion efficiency solar cell and method for producing high photoelectric conversion efficiency solar cell
TWI695518B (en) * 2016-10-25 2020-06-01 日商信越化學工業股份有限公司 Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency
CN109906515A (en) * 2016-10-25 2019-06-18 信越化学工业株式会社 The manufacturing method of high photoelectricity conversion efficiency solar battery and high photoelectricity conversion efficiency solar battery
KR20190073372A (en) * 2016-10-25 2019-06-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Method for manufacturing high photoelectric conversion efficiency solar cell and high photoelectric conversion efficiency solar cell
KR20190073362A (en) * 2016-10-25 2019-06-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Method for manufacturing high photoelectric conversion efficiency solar cell and high photoelectric conversion efficiency solar cell
TWI649894B (en) * 2016-10-25 2019-02-01 日商信越化學工業股份有限公司 Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and manufacturing method of solar cell with high photoelectric conversion efficiency
KR102646477B1 (en) * 2016-10-25 2024-03-11 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 High photoelectric conversion efficiency solar cell and manufacturing method of high photoelectric conversion efficiency solar cell
TWI660521B (en) * 2016-10-25 2019-05-21 日商信越化學工業股份有限公司 Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and manufacturing method of solar cell with high photoelectric conversion efficiency
TWI699901B (en) * 2016-10-25 2020-07-21 日商信越化學工業股份有限公司 High photoelectric conversion efficiency solar cell and manufacturing method of high photoelectric conversion efficiency solar cell
WO2018078666A1 (en) * 2016-10-25 2018-05-03 信越化学工業株式会社 High photoelectric conversion efficiency solar-cell and manufacturing method for high photoelectric conversion efficiency solar-cell
WO2018078667A1 (en) * 2016-10-25 2018-05-03 信越化学工業株式会社 Solar cell having high photoelectric conversion efficiency, and method for manufacturing solar cell having high photoelectric conversion efficiency
JP6220483B1 (en) * 2016-10-25 2017-10-25 信越化学工業株式会社 High photoelectric conversion efficiency solar cell and method for producing high photoelectric conversion efficiency solar cell
KR102581702B1 (en) * 2016-10-25 2023-09-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 High photoelectric conversion efficiency solar cell and manufacturing method of high photoelectric conversion efficiency solar cell
JP7126909B2 (en) 2018-09-12 2022-08-29 東洋アルミニウム株式会社 Method for manufacturing back-contact solar cell
JP2020043255A (en) * 2018-09-12 2020-03-19 東洋アルミニウム株式会社 Method of manufacturing back contact type solar cell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2257991B1 (en) Fabrication method for back contact solar cell
JP4657068B2 (en) Manufacturing method of back junction solar cell
JP2009021494A (en) Method of manufacturing solar battery
JP2014112600A (en) Method for manufacturing back-electrode-type solar cell and back-electrode-type solar cell
WO2015133539A1 (en) Solar cell and method for manufacturing same
TWI538244B (en) Method for manufacturing solar cells
JP2010074134A (en) Differential doped solar cell and method of fabricating the same
JP2006080450A (en) Solar battery manufacturing method
JP2010161310A (en) Backside electrode type solar cell and method of manufacturing the same
JP2009246214A (en) Method for manufacturing of diffusion layer for photovoltaics and method for manufacturing of solar cell
JP2008282912A (en) Manufacturing method for solar battery element
JP2006156646A (en) Solar cell manufacturing method
JP2010232530A (en) Method of manufacturing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
JP5756352B2 (en) Manufacturing method of back electrode type solar cell
JP6426486B2 (en) Method of manufacturing solar cell element
JP2014110256A (en) Method of manufacturing solar cell, and solar cell
JP2014086589A (en) Method for manufacturing solar cell and solar cell
JP2014086590A (en) Method for manufacturing crystal solar cell and crystal solar cell
JP2014086587A (en) Method for manufacturing solar cell and solar cell
JP6116616B2 (en) Back electrode type solar cell and manufacturing method thereof
JP2014072288A (en) Method for manufacturing solar cell and solar cell
KR20120129292A (en) Fabrication method of solar cell
JP2014112601A (en) Method for manufacturing solar cell and solar cell
JP2012023139A (en) Etching method
JP2014112584A (en) Method of manufacturing solar battery cell and solar battery cell