JP2014107076A

JP2014107076A - Method for manufacturing top emission type organic electroluminescent element and top emission type organic electroluminescent element

Info

Publication number: JP2014107076A
Application number: JP2012258158A
Authority: JP
Inventors: Nobukazu Negishi; 伸和根岸; Hitoshi Yoshikawa; 仁吉川; Kanako Hida; 加奈子肥田; Junichi Nagase; 純一長瀬
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2012-11-27
Filing date: 2012-11-27
Publication date: 2014-06-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a top emission type organic electroluminescent element, capable of suppressing the generation of dark spots.SOLUTION: A method for manufacturing a top emission type organic electroluminescent element of the present invention includes a step of forming an organic electroluminescent layer having a reflective electrode, an organic layer and a transparent electrode on a substrate, in the order. The reflective electrode is formed by vapor depositing a vapor deposition material comprising at least one of pure aluminum or an aluminum alloy at a deposition rate of 200 Å/s or more, on the substrate.

Description

本発明は、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a top emission type organic electroluminescence element and an organic electroluminescence element.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と、基板上に設けられた第１電極と、第１電極上に設けられた有機層と、有機層上に設けられた第２電極と、を有する。前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記２つの電極から有機層に注入された電子及び正孔が再結合することにより、励起子（エキシトン）を生じ、この励起子が基底状態に戻るときに発光する素子である。以下、有機エレクトロルミネッセンスを「有機ＥＬ」と記す。
有機ＥＬ素子は、代表的には、照明装置、画像表示装置などとして利用されている。 The organic electroluminescence element has a substrate, a first electrode provided on the substrate, an organic layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic layer. The organic electroluminescence element is an element that generates excitons (excitons) by recombination of electrons and holes injected from the two electrodes into the organic layer, and emits light when the excitons return to the ground state. It is. Hereinafter, organic electroluminescence is referred to as “organic EL”.
Organic EL elements are typically used as lighting devices, image display devices, and the like.

トップエミッション型有機ＥＬ素子においては、前記第１電極として反射電極が用いられる。多くのトップエミッション型有機ＥＬ素子の反射電極は、アノード電極（陽極）として用いられる。なお、トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板の表面側（有機層が電極などが設けられた面側）から光を取り出す方式の発光素子である。
特許文献１には、反射率を向上させる目的で、スパッタ法によって形成されたニッケル又はコバルト含有アルミニウム合金膜と、前記アルミニウム合金膜上に直接形成された酸化物導電膜とからなる積層構造の反射アノード電極が開示されている。 In the top emission type organic EL element, a reflective electrode is used as the first electrode. The reflective electrode of many top emission type organic EL elements is used as an anode electrode (anode). Note that the top emission type organic EL element is a light emitting element of a type in which light is extracted from the surface side of the substrate (the surface side on which the organic layer is provided with electrodes and the like).
In Patent Document 1, for the purpose of improving the reflectance, a reflection of a laminated structure comprising a nickel- or cobalt-containing aluminum alloy film formed by sputtering and an oxide conductive film directly formed on the aluminum alloy film is disclosed. An anode electrode is disclosed.

ところで、トップエミッション型有機ＥＬ素子においては、反射電極の製膜不均一に起因して、ダークスポット（光を生じないスポット的な欠陥）が生じることが知られている。前記特許文献１の［００２６］及び［００４１］には、このようなダークスポットを抑制するために、プレアニール処理を施すことにより表面粗さの小さい酸化物導電膜を形成することが開示されている。
しかしながら、前記酸化物導電膜は、アルミニウム合金膜の表面に直接形成されているので、アルミニウム合金膜の表面平滑性が悪いと、その影響により酸化物導電膜の表面粗さを小さく制御することが困難となる。他方、特許文献１には、表面平滑性に優れたアルミニウム合金膜の形成方法については一切開示されていない。 By the way, in the top emission type organic EL element, it is known that a dark spot (spot-like defect that does not generate light) occurs due to non-uniform film formation of the reflective electrode. [0026] and [0041] of Patent Document 1 disclose that an oxide conductive film having a small surface roughness is formed by performing a pre-annealing treatment in order to suppress such dark spots. .
However, since the oxide conductive film is directly formed on the surface of the aluminum alloy film, if the surface smoothness of the aluminum alloy film is poor, the surface roughness of the oxide conductive film can be controlled to be small due to the influence. It becomes difficult. On the other hand, Patent Document 1 does not disclose any method for forming an aluminum alloy film excellent in surface smoothness.

特開２０１２−０５９４７０号公報JP 2012-059470 A

本発明の目的は、ダークスポットの発生を抑制できるトップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法及びトップエミッション型有機ＥＬ素子を提供することである。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of a top emission type organic EL element which can suppress generation | occurrence | production of a dark spot, and a top emission type organic EL element.

本発明のトップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に、反射電極と有機層と透明電極とをこの順で有する有機ＥＬ層を形成する工程を有し、前記基板上に、純アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも何れか一方の蒸着材料を２００Å／秒以上の蒸着速度で蒸着することによって前記反射電極を形成する。 The manufacturing method of the top emission type organic EL element of this invention has the process of forming the organic EL layer which has a reflective electrode, an organic layer, and a transparent electrode in this order on a board | substrate. The reflective electrode is formed by vapor-depositing at least one vapor deposition material of aluminum alloy and aluminum alloy at a vapor deposition rate of 200 liters / second or more.

本発明の好ましい有機ＥＬ素子の製造方法は、前記工程において形成される純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面に、前記有機層を直接形成する。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ素子の製造方法は、前記工程において形成される純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面における平均結晶粒径が、３０ｎｍ以下である。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ素子の製造方法は、前記蒸着材料が、純アルミニウムである。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ素子の製造方法は、前記基板が長尺帯状であり、前記反射電極の形成を前記長尺帯状の基板をその長手方向に送る途中で行う。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ素子の製造方法は、前記長尺帯状の基板の短手方向長さが、１０ｍｍ〜１００ｍｍである。 In a preferred method for producing an organic EL device of the present invention, the organic layer is formed directly on the surface of the pure aluminum film or aluminum alloy film formed in the step.
In another preferred method for producing an organic EL device of the present invention, the average crystal grain size on the surface of the pure aluminum film or aluminum alloy film formed in the above step is 30 nm or less.
In another preferable method for producing an organic EL element of the present invention, the vapor deposition material is pure aluminum.
In another preferred method for producing an organic EL device of the present invention, the substrate is in the form of a long band, and the reflective electrode is formed while the long band-shaped substrate is fed in the longitudinal direction.
In another preferable method for producing an organic EL element of the present invention, the length of the long belt-like substrate in the short direction is 10 mm to 100 mm.

本発明の別の局面によれば、トップエミッション型有機ＥＬ素子を提供する。
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に形成された反射電極と、前記反射電極上に形成された有機層と、前記有機層上に形成された透明電極と、を有し、前記反射電極が、純アルミニウム又はアルミニウム合金を２００Å／秒以上の蒸着速度で前記基板上に蒸着することによって形成された純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜を有する。 According to another aspect of the present invention, a top emission type organic EL device is provided.
The top emission type organic EL device of the present invention comprises a substrate, a reflective electrode formed on the substrate, an organic layer formed on the reflective electrode, and a transparent electrode formed on the organic layer. And the reflective electrode has a pure aluminum film or an aluminum alloy film formed by vapor-depositing pure aluminum or an aluminum alloy on the substrate at a vapor deposition rate of 200 liters / second or more.

本発明の好ましいトップエミッション型有機ＥＬ素子は、前記反射電極が、前記純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜から構成され、前記有機層が、前記純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面に直接接して形成されている。
本発明の他の好ましいトップエミッション型有機ＥＬ素子は、前記純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面における平均結晶粒径が、３０ｎｍ以下である。
本発明の他の好ましいトップエミッション型有機ＥＬ素子は、前記反射電極が、純アルミニウム膜である。 In a preferred top emission type organic EL device of the present invention, the reflective electrode is composed of the pure aluminum film or the aluminum alloy film, and the organic layer is formed in direct contact with the surface of the pure aluminum film or the aluminum alloy film. ing.
In another preferable top emission type organic EL device of the present invention, an average crystal grain size on the surface of the pure aluminum film or the aluminum alloy film is 30 nm or less.
In another preferable top emission type organic EL device of the present invention, the reflective electrode is a pure aluminum film.

本発明の製造方法によれば、ダークスポットの発生を抑制できるトップエミッション型有機ＥＬ素子を比較的簡単に製造できる。
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ素子は、ダークスポットが生じ難い。 According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to relatively easily manufacture a top emission type organic EL element capable of suppressing the generation of dark spots.
In the top emission type organic EL device of the present invention, dark spots hardly occur.

本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an organic EL element according to one embodiment of the present invention. 本発明の製造方法における各工程を示す模式図。The schematic diagram which shows each process in the manufacturing method of this invention. 反射電極形成用の蒸着装置を示す構成図。The block diagram which shows the vapor deposition apparatus for reflection electrode formation. 防着壁の開口部と基板の位置関係を示す参考平面図。The reference top view which shows the positional relationship of the opening part of a deposition prevention wall, and a board | substrate.

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、「長尺帯状」とは、一方向における長さが他方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記長尺帯状は、例えば、前記一方向における長さが他方向における長さの１０倍以上の略長方形状であり、好ましくは３０倍以上であり、より好ましくは１００倍以上である。「長手方向」は、前記長尺帯状の一方向（長尺帯状の長辺と平行な方向）であり、「短手方向」は、前記長尺帯状の他方向（帯状の短辺と平行な方向）である。「ＰＰＰ〜ＱＱＱ］という表記は、「ＰＰＰ以上ＱＱＱ以下」を意味する。 The present invention will be described below with reference to the drawings. However, it should be noted that dimensions such as layer thickness and length in each figure are different from actual ones.
Further, the “long strip shape” means a substantially rectangular shape whose length in one direction is sufficiently longer than the length in the other direction. The long band shape is, for example, a substantially rectangular shape whose length in one direction is 10 times or more of the length in the other direction, preferably 30 times or more, and more preferably 100 times or more. The “longitudinal direction” is one direction of the long strip (direction parallel to the long side of the long strip), and the “short direction” is the other direction of the long strip (parallel to the short side of the strip). Direction). The notation “PPP to QQQ” means “PPP or more and QQQ or less”.

［有機ＥＬ素子］
図１は、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ素子の１つの構成例を示す概略断面図である。以下、トップエミッション型有機ＥＬ素子を、単に「有機ＥＬ素子」と記す場合がある。
図１において、有機ＥＬ素子１は、基板２と、前記基板２の表面上に形成された有機ＥＬ層３と、を有する。前記有機ＥＬ層３は、基板２の表面側から順に、反射電極３１と、有機層３２と、透明電極３３と、を有する。 [Organic EL device]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one structural example of the top emission type organic EL element of the present invention. Hereinafter, the top emission type organic EL element may be simply referred to as “organic EL element”.
In FIG. 1, the organic EL element 1 includes a substrate 2 and an organic EL layer 3 formed on the surface of the substrate 2. The organic EL layer 3 includes a reflective electrode 31, an organic layer 32, and a transparent electrode 33 in order from the surface side of the substrate 2.

本発明においては、前記反射電極３１が、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜を有する。前記反射電極３１は、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のみから構成されていてもよいし、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜と、この膜の表面に形成され且つ酸化物導電膜などの透明性又は光反射性を有する導電膜と、から構成されていてもよい。好ましくは、前記反射電極３１は、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のみから構成され、より好ましくは、純アルミニウム膜のみから構成される。前記反射電極３１が純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のみから構成される場合、前記有機層３２は、その純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面に直接接して形成されている。
前記純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜は、純アルミニウム又はアルミニウム合金を２００Å／秒以上の蒸着速度で蒸着することによって形成される。 In the present invention, the reflective electrode 31 has a pure aluminum film or an aluminum alloy film. The reflective electrode 31 may be composed of only a pure aluminum film or an aluminum alloy film, or may be formed of a pure aluminum film or an aluminum alloy film, and a transparent or light such as an oxide conductive film formed on the surface of the film. And a conductive film having reflectivity. Preferably, the reflective electrode 31 is composed of only a pure aluminum film or an aluminum alloy film, and more preferably is composed of only a pure aluminum film. When the reflective electrode 31 is composed only of a pure aluminum film or an aluminum alloy film, the organic layer 32 is formed in direct contact with the surface of the pure aluminum film or aluminum alloy film.
The pure aluminum film or aluminum alloy film is formed by depositing pure aluminum or an aluminum alloy at a deposition rate of 200 liters / second or more.

また、前記基板２は、例えば、シート２１と、シート２１の表面上に形成された平坦化層２２と、を有する。もっとも、基板２は、シート２１に、絶縁層などの他の層が形成されていてもよい。また、シート２１に平坦化層２２を設けずに、シート２１そのもの又は絶縁層が形成されたシート２１を基板２として用いることもできる。図示例のように平坦化層２２が設けられた基板２は、その平坦化層２２の表面が基板２の表面を構成する。前記反射電極３１は、基板２の表面上に設けられている。有機層３２は、２つ以上の層から構成されている。なお、有機層３２は、主として有機材料から形成されるが、一部に有機材料以外（無機材料）から形成された層又は有機材料と無機材料の混合物から形成された層を含んでいてもよい。
前記有機ＥＬ素子１は、基板２の表面側（透明電極３３側）から光を取り出すことができる。 Moreover, the said board | substrate 2 has the sheet | seat 21 and the planarization layer 22 formed on the surface of the sheet | seat 21, for example. However, the substrate 2 may have other layers such as an insulating layer formed on the sheet 21. Alternatively, the sheet 21 itself or a sheet 21 on which an insulating layer is formed can be used as the substrate 2 without providing the planarizing layer 22 on the sheet 21. In the substrate 2 provided with the planarization layer 22 as in the illustrated example, the surface of the planarization layer 22 constitutes the surface of the substrate 2. The reflective electrode 31 is provided on the surface of the substrate 2. The organic layer 32 is composed of two or more layers. The organic layer 32 is mainly formed of an organic material, but may partially include a layer formed of a material other than an organic material (inorganic material) or a layer formed of a mixture of an organic material and an inorganic material. .
The organic EL element 1 can extract light from the surface side (transparent electrode 33 side) of the substrate 2.

図１の有機ＥＬ素子１は、例えば、照明装置の構成部材として利用できる。この有機ＥＬ素子は、端子を形成するために、反射電極３１の一部３１ａ及び透明電極３３の一部３３ａが外側に露出されている。この露出した反射電極３１の一部３１ａ及び透明電極３３の一部３３ａ（各端子）に、外部電源を接続することにより、有機ＥＬ素子１が発光する。なお、照明装置は、通常、前記有機ＥＬ素子を複数組み合わせることによって構成される。
また、有機層の劣化を防止するため、前記端子を除いて、有機ＥＬ素子は、公知の封止部材１１によって気密的に被覆されている。
なお、本発明の有機ＥＬ素子は、画像表示装置の構成部材として利用することもできる。その画像表示装置は、発光素子として本発明の有機ＥＬ素子が用いられる点を除いて、特許文献１に開示されたような従来公知の構造である。
簡単に説明すると、本発明の有機ＥＬ素子を画像表示装置の構成部材とする場合、基板にパシベーション膜が設けられ且つその膜内にＴＦＴが設けられる。他方、有機ＥＬ素子の電極を露出させずに、前記反射電極を前記ＴＦＴに接続すると共に、有機ＥＬ素子の表面側に、カラーフィルターなどを形成することにより、前記画像表示装置を構成できる。 The organic EL element 1 in FIG. 1 can be used as, for example, a constituent member of a lighting device. In this organic EL element, in order to form a terminal, a part 31a of the reflective electrode 31 and a part 33a of the transparent electrode 33 are exposed to the outside. By connecting an external power source to the exposed part 31a of the reflective electrode 31 and part 33a (each terminal) of the transparent electrode 33, the organic EL element 1 emits light. The lighting device is usually configured by combining a plurality of the organic EL elements.
Further, in order to prevent the deterioration of the organic layer, the organic EL element is hermetically covered with a known sealing member 11 except for the terminal.
In addition, the organic EL element of this invention can also be utilized as a structural member of an image display apparatus. The image display apparatus has a conventionally known structure as disclosed in Patent Document 1 except that the organic EL element of the present invention is used as a light emitting element.
Briefly, when the organic EL element of the present invention is used as a constituent member of an image display device, a passivation film is provided on the substrate, and a TFT is provided in the film. On the other hand, the image display apparatus can be configured by connecting the reflective electrode to the TFT without exposing the electrode of the organic EL element and forming a color filter or the like on the surface side of the organic EL element.

（基板）
前記基板を構成するシートは、特に限定されないが、例えば、ガラス板、セラミック板、合成樹脂製フィルム、金属製薄板などが挙げられる。フレキシブルな基板を構成するために、前記シートはフレキシブルなものが好ましい。前記ガラス板、セラミック板、合成樹脂製フィルム及び金属製薄板の厚みや材質などを選択することにより、フレキシブルなシートを得ることができる。なお、金属製薄板のような導電性シートを用いる場合には、少なくともその表面に、絶縁層が形成される。絶縁層の形成材料としては、ポリイミド樹脂、ポリシラザン、シリカ、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィンなどが挙げられる。
前記基板は、透明又は不透明の何れでよい。また、駆動時に有機ＥＬ素子の温度上昇を防止するため、放熱性に優れた基板を用いることが好ましい。また、発光層などに酸素や水蒸気が浸入することを防止するため、ガス及び水蒸気バリア性を有する基板を用いることが好ましい。このような耐熱性、放熱性及びバリア性を考慮すると、前記シートとしては、金属製薄板を用いることが好ましい。
前記平坦化層としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。アクリル系樹脂からなる層は、特に平坦性に優れ、ポリイミド系樹脂からなる層は、特に耐熱性に優れる。
基板の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ〜２００μｍである。
なお、必要に応じて、基板の表面には、有機ＥＬ素子を駆動させるための各種配線、駆動回路、及び／又はスイッチング素子などが設けられていてもよい。 (substrate)
Although the sheet | seat which comprises the said board | substrate is not specifically limited, For example, a glass plate, a ceramic board, a synthetic resin film, a metal thin plate etc. are mentioned. In order to constitute a flexible substrate, the sheet is preferably flexible. A flexible sheet can be obtained by selecting the thickness and material of the glass plate, ceramic plate, synthetic resin film and metal thin plate. When a conductive sheet such as a metal thin plate is used, an insulating layer is formed at least on the surface thereof. Examples of the material for forming the insulating layer include polyimide resin, polysilazane, silica, acrylic resin, polyester resin, epoxy resin, and polyolefin.
The substrate may be transparent or opaque. Moreover, in order to prevent the temperature rise of the organic EL element during driving, it is preferable to use a substrate having excellent heat dissipation. In order to prevent oxygen and water vapor from entering the light emitting layer or the like, it is preferable to use a substrate having gas and water vapor barrier properties. In consideration of such heat resistance, heat dissipation and barrier properties, it is preferable to use a metal thin plate as the sheet.
Examples of the planarizing layer include acrylic resins and polyimide resins. The layer made of acrylic resin is particularly excellent in flatness, and the layer made of polyimide resin is particularly excellent in heat resistance.
Although the thickness of a board | substrate is not specifically limited, For example, they are 10 micrometers-200 micrometers.
If necessary, various wirings for driving the organic EL element, a drive circuit, and / or a switching element may be provided on the surface of the substrate.

（反射電極）
反射電極は、陽極又は陰極の何れでもよいが、一般的には、反射電極は、陽極として用いられる。
上述のように、反射電極は、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜を有し、必要に応じて、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の表面上に、それ以外の透明性を有する導電膜又は光反射性を有する導電膜を有していてもよい。
好ましくは、前記反射電極は、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のみから構成され、より好ましくは、純アルミニウム膜のみから構成される。以下、純アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜を、「Ａｌ膜」と記す場合がある。
ここで、純アルミニウムは、アルミニウムを９９．９原子％以上含むものをいう。
前記アルミニウム合金は、アルミニウムと、アルミニウム以外の金属と、を含み、前記アルミニウム以外の金属が、０．１原子％を越え５原子％以下含まれるものをいう。
前記原子％は、各成分の含有率を原子数比で算出した百分率である。
前記アルミニウム以外の金属としては、例えば、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。これらは、１種単独で又は２種以上含まれていてもよい。 (Reflective electrode)
The reflective electrode may be either an anode or a cathode, but in general, the reflective electrode is used as an anode.
As described above, the reflective electrode has a pure aluminum film or an aluminum alloy film, and, if necessary, on the surface of the pure aluminum film or the aluminum alloy film, a conductive film or light reflective property having other transparency. You may have the electrically conductive film which has.
Preferably, the reflective electrode is composed only of a pure aluminum film or an aluminum alloy film, and more preferably composed only of a pure aluminum film. Hereinafter, a pure aluminum film or an aluminum alloy film may be referred to as an “Al film”.
Here, pure aluminum means what contains 99.9 atomic% or more of aluminum.
The aluminum alloy includes aluminum and a metal other than aluminum, and the metal other than aluminum is included in an amount exceeding 0.1 atomic% and not more than 5 atomic%.
The atomic% is a percentage obtained by calculating the content ratio of each component by the atomic ratio.
Examples of the metal other than aluminum include Ni, Ag, Zn, Cu, Ge, La, Gd, Mg, Nd, Y, Fe, and Co. These may be used alone or in combination of two or more.

本発明の製法にて形成されるＡｌ膜の表面は、平滑性に優れているので、このＡｌ膜（反射電極）の表面に、直接、有機層が積層されることにより、その有機層に欠陥が生じることを抑制できる。
また、前記のようなＡｌ膜の表面に、前記導電膜を形成した場合でも、導電膜に影響するＡｌ膜の凹凸が小さいので、表面平滑性に優れた導電膜を形成できる。このような導電膜の表面上に、有機層を積層した場合でも、その欠陥を抑制できる。 Since the surface of the Al film formed by the production method of the present invention is excellent in smoothness, the organic layer is directly laminated on the surface of the Al film (reflective electrode). Can be suppressed.
Further, even when the conductive film is formed on the surface of the Al film as described above, since the unevenness of the Al film affecting the conductive film is small, a conductive film having excellent surface smoothness can be formed. Even when an organic layer is stacked on the surface of such a conductive film, the defects can be suppressed.

また、前記Ａｌ膜の表面における平均結晶粒径は、４０ｎｍ以下であり、好ましくは３５ｎｍ以下であり、より好ましくは３３ｎｍ以下であり、特に好ましくは３０ｎｍ以下である。なお、平均結晶粒径の下限値は、理論上、零であるが、実際には零を越え、例えば１ｎｍ以上である。
このようなＡｌ膜の表面は、緻密であり、このＡｌ膜（反射電極）の表面に、直接、有機層を積層することにより、その有機層に欠陥が生じることを抑制できる。また、前記のようなＡｌ膜の表面に、前記導電膜を形成した場合でも、導電膜に影響するＡｌ膜の凹凸が小さいので、表面平滑性に優れた導電膜を形成できる。
前記平均結晶粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定できる。 The average crystal grain size on the surface of the Al film is 40 nm or less, preferably 35 nm or less, more preferably 33 nm or less, and particularly preferably 30 nm or less. The lower limit value of the average crystal grain size is theoretically zero, but actually exceeds zero, for example, 1 nm or more.
The surface of such an Al film is dense, and it is possible to suppress the occurrence of defects in the organic layer by directly laminating the organic layer on the surface of the Al film (reflecting electrode). Further, even when the conductive film is formed on the surface of the Al film as described above, since the unevenness of the Al film affecting the conductive film is small, a conductive film having excellent surface smoothness can be formed.
The average crystal grain size can be measured using a scanning electron microscope (SEM).

本発明においては、反射電極は、真空蒸着法によって形成される。
反射電極の厚みは、特に限定されない。もっとも、反射電極の厚みが余りに小さいと反射電極の面内にピンホールが生じる虞があり、一方、余りに大きいと有機ＥＬ素子を薄く形成できない。このような観点から、反射電極の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜３００ｎｍであり、好ましくは、３０ｎｍ〜２００ｎｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。 In the present invention, the reflective electrode is formed by a vacuum deposition method.
The thickness of the reflective electrode is not particularly limited. However, if the thickness of the reflective electrode is too small, pinholes may occur in the surface of the reflective electrode. On the other hand, if the thickness is too large, the organic EL element cannot be formed thin. From such a viewpoint, the thickness of the reflective electrode is, for example, 10 nm to 300 nm, preferably 30 nm to 200 nm, and more preferably 50 nm to 150 nm.

（透明電極）
透明電極は、反射電極とは反対極である、陰極又は陰極として用いられる。一般的には、透明電極は、陰極として用いられる。透明電極は、有機層の表面（例えば、有機層の電子輸送層の表面）に設けられる。
透明電極の形成材料は、透明性を有することを条件として、特に限定されない。このような透明性及び導電性を有する形成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。
透明電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、ＩＴＯによって透明電極を形成する場合には、スパッタ法が用いられ、マグネシウム−銀合金又はマグネシウム−銀積層膜によって透明電極を形成する場合には、蒸着法が用いられる。
透明電極の厚みは、特に限定されないが、例えば、数ｎｍ〜数百ｎｍである。 (Transparent electrode)
The transparent electrode is used as a cathode or a cathode, which is the opposite electrode to the reflective electrode. In general, the transparent electrode is used as a cathode. The transparent electrode is provided on the surface of the organic layer (for example, the surface of the electron transport layer of the organic layer).
The material for forming the transparent electrode is not particularly limited as long as it has transparency. Examples of such a transparent and conductive forming material include indium tin oxide (ITO); indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO); zinc oxide to which a conductive metal such as aluminum is added (ZnO: Al ); Magnesium-silver alloy and the like.
As a method for forming the transparent electrode, an optimum method can be adopted depending on the forming material, and examples thereof include a sputtering method, a vapor deposition method, and an ink jet method. For example, when the transparent electrode is formed of ITO, a sputtering method is used, and when the transparent electrode is formed of a magnesium-silver alloy or a magnesium-silver laminated film, a vapor deposition method is used.
Although the thickness of a transparent electrode is not specifically limited, For example, they are several nm-several hundred nm.

（有機層）
前記有機層は、少なくとも２つの層からなる積層体である。有機層の構造としては、例えば、（Ａ）正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の、３つの層からなる構造、（Ｂ）正孔輸送層及び発光層の、２つの層からなる構造、（Ｃ）発光層及び電子輸送層、の２つの層からなる構造、などが挙げられる。
前記（Ｂ）の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記（Ｃ）の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の何れの構造であってもよい。
以下、前記（Ａ）の構造を有する有機層について簡単に説明する。ただし、下記の有機層の説明は、反射電極がアノード電極、透明電極がカソード電極として用いられる場合である。反射電極がカソード電極、透明電極がアノード電極として用いられる場合には、下記有機層の構成を天地逆転させる。 (Organic layer)
The organic layer is a laminate composed of at least two layers. As the structure of the organic layer, for example, (A) a structure composed of three layers, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, and (B) composed of two layers, a hole transport layer and a light emitting layer. Examples thereof include a structure, (C) a structure composed of two layers of a light emitting layer and an electron transport layer.
In the organic layer (B), the light emitting layer also serves as the electron transport layer. In the organic layer (C), the light emitting layer also serves as the hole transport layer.
The organic layer used in the present invention may have any of the structures (A) to (C).
Hereinafter, the organic layer having the structure (A) will be briefly described. However, the description of the organic layer below is a case where the reflective electrode is used as an anode electrode and the transparent electrode is used as a cathode electrode. When the reflective electrode is used as the cathode electrode and the transparent electrode is used as the anode electrode, the structure of the organic layer described below is reversed upside down.

正孔輸送層は、反射電極の表面上に設けられる。また、例えば、正孔注入層が、反射電極の表面に設けられ、前記正孔注入層の表面に正孔輸送層が設けられていてもよい。
前記正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。前記正孔輸送層の形成材料としては、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＴｃＴａ）などの芳香族アミン化合物；１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼンなどのカルバゾール誘導体；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９’−スピロビスフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）などのスピロ化合物；高分子化合物；などが挙げられる。正孔輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。
前記正孔輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。 The hole transport layer is provided on the surface of the reflective electrode. Further, for example, a hole injection layer may be provided on the surface of the reflective electrode, and a hole transport layer may be provided on the surface of the hole injection layer.
The material for forming the hole transport layer is not particularly limited as long as the material has a hole transport function. As a material for forming the hole transport layer, an aromatic amine compound such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (carbazol-9-yl) -triphenylamine (abbreviation: TcTa); 1,3-bis (N -Carbazole derivatives such as carbazolyl) benzene; N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9'-spirobisfluorene (abbreviation: Spiro-NPB) Examples of the material for forming the hole transport layer may be one kind or a combination of two or more kinds.
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, and is preferably 1 nm to 500 nm from the viewpoint of lowering the driving voltage.

発光層は、正孔輸送層の表面上に設けられる。
前記発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されない。前記発光層の形成材料としては、例えば、低分子蛍光発光材料や低分子燐光発光材料などの低分子発光材料を用いることができる。
前記低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；フルオレノン誘導体；アゾメチン亜鉛錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などの有機金属錯体；などが挙げられる。 The light emitting layer is provided on the surface of the hole transport layer.
The material for forming the light emitting layer is not particularly limited as long as it has a light emitting property. As a material for forming the light emitting layer, for example, a low molecular light emitting material such as a low molecular fluorescent light emitting material or a low molecular phosphorescent light emitting material can be used.
Examples of the low-molecular light-emitting material include aromatic dimethylidene compounds such as 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) -biphenyl (abbreviation: DPVBi); 5-methyl-2- [2- [4 Oxadiazole compounds such as-(5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole; 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2, Triazole derivatives such as 4-triazole; styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene; benzoquinone derivatives; naphthoquinone derivatives; anthraquinone derivatives; fluorenone derivatives; azomethine zinc complexes, tris (8-quinolinolato) aluminum ( Organometallic complexes such as Alq ₃ );

また、発光層の形成材料として、ホスト材料中に発光性のドーパント材料をドープしたものを用いてもよい。
前記ホスト材料としては、例えば、上述の低分子発光材料を用いることができ、これ以外に、１，３，５−トリス（カルバゾ−９−イル）ベンゼン（略称：ＴＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（略称：ＣＰＦ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（略称：ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）などのカルバゾール誘導体などを用いることができる。前記ドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体；ペリレン誘導体；トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））などの有機イリジウム錯体などの燐光発光性金属錯体；などを用いることができる。発光層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。
前記発光層の厚みは、特に限定されず、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。 Further, as a material for forming the light emitting layer, a host material doped with a light emitting dopant material may be used.
As the host material, for example, the above-described low-molecular light-emitting material can be used, and in addition, 1,3,5-tris (carbazo-9-yl) benzene (abbreviation: TCP), 1,3-bis (N-carbazolyl) benzene (abbreviation: mCP), 2,6-bis (N-carbazolyl) pyridine, 9,9-di (4-dicarbazole-benzyl) fluorene (abbreviation: CPF), 4,4′-bis A carbazole derivative such as (carbazol-9-yl) -9,9-dimethyl-fluorene (abbreviation: DMFL-CBP) or the like can be used. Examples of the dopant material include styryl derivatives; perylene derivatives; tris (2-phenylpyridyl) iridium (III) (Ir (ppy) ₃ ), tris (1-phenylisoquinoline) iridium (III) (Ir (piq) ₃ ), Phosphorescent metal complexes such as organic iridium complexes such as bis (1-phenylisoquinoline) (acetylacetonato) iridium (III) (abbreviation: Ir (piq) ₂ (acac)), and the like. The light emitting layer forming material may be used alone or in combination of two or more.
The thickness of the light emitting layer is not particularly limited, and is preferably 2 nm to 500 nm, for example.

電子輸送層は、発光層の表面上に設けられる。また、例えば、電子注入層が、電子輸送層の表面に設けられ、前記電子注入層の表面に透明電極が設けられていてもよい。
前記電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。前記電子輸送層の形成材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（略称：Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’,２’'−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）などの複素芳香族化合物；ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）などの高分子化合物；などが挙げられる。電子輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。 The electron transport layer is provided on the surface of the light emitting layer. Further, for example, an electron injection layer may be provided on the surface of the electron transport layer, and a transparent electrode may be provided on the surface of the electron injection layer.
The material for forming the electron transport layer is not particularly limited as long as the material has an electron transport function. Examples of the material for forming the electron transporting layer include tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq), and the like. 2,7-bis [2- (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] -9,9-dimethylfluorene (abbreviation: Bpy-FOXD) ), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butyl) Phenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-phenylene) -tris (1-phenyl) -1H-Benzimidazo Le) (abbreviation: TPBi) heteroaromatic compounds, such as poly (2,5-pyridine - diyl) (abbreviation: PPy) polymer compounds, such as and the like. The material for forming the electron transport layer may be used alone or in combination of two or more.

［封止部材］
封止部材は、有機層に外気が侵入することを防止するために設けられる。
前記封止部材の形成材料は、ガスバリア性を有することを条件として特に限定されず、例えば、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン６、ナイロン６６、ポリメタキシリレンアジパミド、非晶性ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹脂、これらの混合物などの合成樹脂が挙げられる。また、封止部材の形成材料として、珪素の酸化物、酸化窒化物、窒化物などの無機材料を用いることもできる。
封止部材の厚みは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは１０μｍ〜５００μｍである。 [Sealing member]
The sealing member is provided to prevent outside air from entering the organic layer.
The material for forming the sealing member is not particularly limited as long as it has gas barrier properties. For example, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyvinylidene chloride, nylon 6, nylon 66, polymetaxylylene adipamide, Examples thereof include synthetic resins such as crystalline polyamide, polyethylene terephthalate, epoxy resin, and a mixture thereof. In addition, as a material for forming the sealing member, an inorganic material such as silicon oxide, oxynitride, or nitride can be used.
Although the thickness of a sealing member is not specifically limited, For example, they are 5 micrometers-1 mm, Preferably they are 10 micrometers-500 micrometers.

［トップエミッション型の有機ＥＬ素子の製造方法］
本発明の製造方法は、基板上に、反射電極と有機層と透明電極とをこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程を有し、前記基板上に、純アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも何れか一方の蒸着材料を２００Å／秒以上の蒸着速度で蒸着することによって前記反射電極を形成する。
本発明の有機ＥＬ素子は、フレキシブルな長尺帯状の基板を用いたロールツーロール方式にて前記基板を送る途中で製造することが好ましいが、枚葉状の基板を用いたバッチ生産方式で製造することもできる。
以下、ロールツーロール方式を用いて有機ＥＬ素子を製造する場合について説明する。 [Method of manufacturing top emission type organic EL element]
The production method of the present invention includes a step of forming an organic electroluminescence layer having a reflective electrode, an organic layer, and a transparent electrode in this order on a substrate, and at least one of pure aluminum and an aluminum alloy is formed on the substrate. The reflective electrode is formed by vapor-depositing one of the vapor deposition materials at a vapor deposition rate of 200 liters / second or more.
The organic EL device of the present invention is preferably manufactured while the substrate is being sent by a roll-to-roll method using a flexible long strip substrate, but is manufactured by a batch production method using a single-wafer substrate. You can also
Hereinafter, the case where an organic EL element is manufactured using a roll-to-roll method will be described.

１つの実施形態では、有機ＥＬ素子は、長尺帯状の基板上に反射電極を形成する反射電極形成工程、前記反射電極上に有機層を形成する有機層形成工程、前記有機層上に透明電極を形成する工程、を経て製造される。必要に応じて、さらに、透明電極上に封止部材を設ける封止工程を有する。 In one embodiment, the organic EL element includes a reflective electrode forming step of forming a reflective electrode on a long strip substrate, an organic layer forming step of forming an organic layer on the reflective electrode, and a transparent electrode on the organic layer. To be manufactured through a step of forming If necessary, it further includes a sealing step of providing a sealing member on the transparent electrode.

図２は、各工程の模式図を示す。なお、図２乃至図４において、矢印は、基板の搬送方向（長手方向）を示す。
図２において、ロールから繰り出された長尺帯状の基板４は、その長手方向に搬送される。基板４は、洗浄部Ａにて純水洗浄され、乾燥された後、反射電極形成工程部Ｂに導入される。前記反射電極が形成された後の基板４は、有機層形成工程部Ｃに導入される。前記有機層が形成された後の基板４は、透明電極形成工程部Ｄに導入される。前記透明電極が形成された後の基板４は、封止工程部Ｅに導入される。前記封止部材が形成された後の基板４は、ロールに再び巻き取られる。 FIG. 2 shows a schematic diagram of each step. 2 to 4, the arrows indicate the substrate transport direction (longitudinal direction).
In FIG. 2, the long belt-like substrate 4 fed out from the roll is conveyed in the longitudinal direction. The substrate 4 is cleaned with pure water in the cleaning section A, dried, and then introduced into the reflective electrode forming process section B. The substrate 4 on which the reflective electrode has been formed is introduced into the organic layer forming step C. The substrate 4 after the organic layer is formed is introduced into the transparent electrode forming step D. The substrate 4 after the transparent electrode is formed is introduced into the sealing process part E. The substrate 4 after the sealing member is formed is taken up again on a roll.

図２は、全ての工程を、ロールに巻かれた長尺帯状の基板４を繰り出し、この基板４を再度ロールに巻き取るまでの間に、一連に行う方法を例示している。もっとも、本発明は、長尺帯状の基板４をロールからロールに巻き取るまでの間に各工程を一連に行う場合に限定されない。例えば、各工程について、それぞれ、ロールに巻かれた長尺帯状の基板４を繰り出し、この基板４を再度ロールに巻き取ってもよい。或いは、前記各工程のうち連続する２つ以上の工程について、ロールに巻かれた長尺帯状の基板４を繰り出し、この基板４を再度ロールに巻き取ってもよい。 FIG. 2 exemplifies a method in which all steps are performed in a series of steps from feeding out the long strip-like substrate 4 wound around a roll and winding the substrate 4 around the roll again. But this invention is not limited to when performing each process in series before winding the elongate strip | belt-shaped board | substrate 4 to a roll from a roll. For example, for each process, the long belt-like substrate 4 wound around a roll may be fed out, and the substrate 4 may be wound around the roll again. Or about two or more processes which are continuous among each said process, the elongate strip | belt-shaped board | substrate 4 wound by the roll may be let out, and this board | substrate 4 may be wound up by a roll again.

反射電極だけでなく、有機層及び透明電極も真空蒸着法によって形成する場合においては、前記反射電極形成工程部Ｂ、有機層形成工程部Ｃ及び透明電極形成工程部Ｄは、真空チャンバーを備える。
これらの工程部Ｂ，Ｃ，Ｄの各真空チャンバー内を適切な真空度に調整するため、各工程部の前後に、圧力調整部Ｙがそれぞれ独立して設けられる。 In the case where not only the reflective electrode but also the organic layer and the transparent electrode are formed by a vacuum deposition method, the reflective electrode forming step B, the organic layer forming step C, and the transparent electrode forming step D include a vacuum chamber.
In order to adjust the inside of each vacuum chamber of these process parts B, C, and D to an appropriate degree of vacuum, a pressure adjusting part Y is provided independently before and after each process part.

（引出し工程）
ロールに巻かれた長尺帯状の基板を繰り出し、反射電極形成工程部の真空チャンバー内に導入する。繰り出した基板は、必要に応じて、真空チャンバー内に導入する前に、従来公知の洗浄槽に導入されて洗浄された後、乾燥される。
長尺帯状の基板の短手方向の長さは、特に限定されない。例えば、短手方向の長さが１０ｍｍ〜１０００ｍｍの長尺帯状の基板を用いることもできるが、好ましくは、短手方向の長さが１０ｍｍ〜１００ｍｍ、より好ましくは、１０ｍｍ〜５０ｍｍの基板が用いられる。 (Drawing process)
A long strip-shaped substrate wound around a roll is fed out and introduced into the vacuum chamber of the reflective electrode forming step. The fed-out substrate is introduced into a conventionally known cleaning tank and cleaned before being introduced into the vacuum chamber, if necessary, and then dried.
The length of the long belt-like substrate in the short direction is not particularly limited. For example, a long belt-like substrate having a length in the short direction of 10 mm to 1000 mm can be used, but preferably a substrate having a length in the short direction of 10 mm to 100 mm, more preferably 10 mm to 50 mm is used. It is done.

（反射電極形成工程）
反射電極（Ａｌ膜）は、蒸着材料を前記基板４に蒸着することによって形成される。
図３は、反射電極を形成するための蒸着装置の概略の構成図である。
図３において、蒸着装置５は、内部が真空とされた真空チャンバー６と、前記真空チャンバー６内に配置された蒸着源７と、長尺帯状の基板４を搬送する搬送装置８と、を有する。真空チャンバー６の内部は、隔壁６３を介して２つの室（第１室６１及び第２室６２）に区画されている。第１室６１内には、搬送装置８が設けられている。搬送装置８は、第１室６１内の所定位置に配置された第１ロール８１と、回転するドラム８２と、第２ロール８３と、を有する。ただし、ドラム８２の一部分は、隔壁６３に形成された開口から第２室６２側に露出している。ドラム８２には、必要に応じて、基板４を加熱するための加熱装置（図示せず）が具備されている。また、真空チャンバー６には、真空ポンプ（図示せず）が具備されており、真空チャンバー６内を真空状態に保持できる。 (Reflective electrode formation process)
The reflective electrode (Al film) is formed by vapor-depositing a vapor deposition material on the substrate 4.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a vapor deposition apparatus for forming a reflective electrode.
In FIG. 3, the vapor deposition apparatus 5 includes a vacuum chamber 6 in which the inside is evacuated, a vapor deposition source 7 disposed in the vacuum chamber 6, and a transport apparatus 8 that transports the long belt-like substrate 4. . The inside of the vacuum chamber 6 is divided into two chambers (a first chamber 61 and a second chamber 62) through a partition wall 63. A transfer device 8 is provided in the first chamber 61. The transport device 8 includes a first roll 81 disposed at a predetermined position in the first chamber 61, a rotating drum 82, and a second roll 83. However, a part of the drum 82 is exposed to the second chamber 62 side from the opening formed in the partition wall 63. The drum 82 is provided with a heating device (not shown) for heating the substrate 4 as necessary. The vacuum chamber 6 is provided with a vacuum pump (not shown), and the inside of the vacuum chamber 6 can be kept in a vacuum state.

なお、図３に示す蒸着装置５は、図２に示すような全ての工程を、ロールからロールに巻き取るまでの間に一連に行う方式ではなく、反射電極形成工程のみをロールからロールに巻き取るまでの間の途中で行う方式の装置を例示している。
第１ロール８１から繰り出された基板４は、ドラム８２を通じて、第２室６２側を通過した後、第２ロール８３に巻き取られる。 In addition, the vapor deposition apparatus 5 shown in FIG. 3 is not a system in which all the steps as shown in FIG. 2 are performed in series until the roll is wound on the roll, but only the reflective electrode forming step is wound on the roll from the roll. The apparatus of the system performed in the middle before taking is illustrated.
The substrate 4 drawn out from the first roll 81 passes through the drum 82 and passes through the second chamber 62, and is then wound around the second roll 83.

前記第２室６２は、蒸着エリアを構成している。第２室６２内には、前記蒸着源７と、防着壁９１と、シャッター９３と、水晶モニター９４と、が設けられている。
前記蒸着源７は、気化した蒸着材料が基板４の表面に対して略直交する方向に衝突するように、基板４の表面に対向させて配置されている。例えば、前記蒸着源７は、第２室６２の底部に固定されている。蒸着源７は、蒸着材料を含んでいれば特に限定されず、例えば、蒸着材料を入れたるつぼ、又は、ボードなどを用いることができる。前記るつぼ又はボードの材質としては、例えば、タングステンやモリブデンなどの金属、アルミナやＰＢＮなどのセラミックなどが挙げられる。前記蒸着材料を気化させる方法は、従来公知の方法を採用でき、例えば、抵抗加熱、高周波誘導加熱、電子線又はイオンビーム加熱などが挙げられる。前記蒸着材料は、純アルミニウム又はアルミニウム合金であり、好ましくは、純アルミニウムである。 The second chamber 62 constitutes a vapor deposition area. In the second chamber 62, the vapor deposition source 7, a deposition preventing wall 91, a shutter 93, and a crystal monitor 94 are provided.
The vapor deposition source 7 is arranged to face the surface of the substrate 4 so that the vaporized vapor deposition material collides in a direction substantially orthogonal to the surface of the substrate 4. For example, the vapor deposition source 7 is fixed to the bottom of the second chamber 62. The vapor deposition source 7 is not particularly limited as long as it contains a vapor deposition material. For example, a crucible containing a vapor deposition material or a board can be used. Examples of the material for the crucible or board include metals such as tungsten and molybdenum, and ceramics such as alumina and PBN. A conventionally known method can be adopted as a method for vaporizing the vapor deposition material, and examples thereof include resistance heating, high frequency induction heating, electron beam or ion beam heating. The vapor deposition material is pure aluminum or an aluminum alloy, and is preferably pure aluminum.

前記防着壁９１は、蒸着源７の上方であって、蒸着源７とドラム８２の下端部（第２室６２を通過する基板４）の間に配置されている。図示例では、防着壁９１は、蒸着源７の上方及び側方を囲うように設けられている。この防着壁９１の天板の面内には、開口部９２が形成されている。この開口部９２は、図４に示すように、例えば、平面視略矩形状の開口とされている。前記開口部９２の上方を、基板４が通過する（図４において、基板４を二点鎖線で示す）。前記開口部９２は、その第１方向の長さＷ１（第１方向は、基板４の短手方向と平行な方向である）が基板４の短手方向の長さと略同じ又はそれよりも長く形成されている。また、開口部９２の第２方向の長さＷ２（第２方向は、基板４の長手方向と平行な方向である）は、形成したいＡｌ膜の厚みに応じて適宜設定される。つまり、この開口部９２の第２方向の長さＷ２を適宜設定することにより、所望の厚みのＡｌ膜を形成できる。
前記開口部９２の第２方向の長さＷ２は、例えば、５ｃｍ〜１０ｃｍに設定される。 The deposition preventing wall 91 is disposed above the vapor deposition source 7 and between the vapor deposition source 7 and the lower end portion of the drum 82 (the substrate 4 passing through the second chamber 62). In the illustrated example, the deposition preventing wall 91 is provided so as to surround the upper side and the side of the vapor deposition source 7. An opening 92 is formed in the surface of the top plate of the protective wall 91. As shown in FIG. 4, the opening 92 is, for example, an opening having a substantially rectangular shape in plan view. The substrate 4 passes above the opening 92 (in FIG. 4, the substrate 4 is indicated by a two-dot chain line). The opening 92 has a length W1 in the first direction (the first direction is a direction parallel to the short direction of the substrate 4) substantially the same as or longer than the length in the short direction of the substrate 4. Is formed. Further, the length W2 of the opening 92 in the second direction (the second direction is a direction parallel to the longitudinal direction of the substrate 4) is appropriately set according to the thickness of the Al film to be formed. That is, an Al film having a desired thickness can be formed by appropriately setting the length W2 of the opening 92 in the second direction.
A length W2 of the opening 92 in the second direction is set to 5 cm to 10 cm, for example.

前記水晶モニター９４としては、水晶振動式膜厚計などを用いることができる。前記水晶モニター９４は、ドラム８２の下部近傍であって、基板４の搬送方向下流側に配置されている。前記水晶モニター９４によって、蒸着材料の蒸着速度を計測でき、その速度を管理できる。 As the crystal monitor 94, a crystal vibration type film thickness meter or the like can be used. The crystal monitor 94 is disposed in the vicinity of the lower portion of the drum 82 and downstream of the substrate 4 in the transport direction. With the crystal monitor 94, the deposition rate of the deposition material can be measured and the rate can be managed.

前記真空チャンバー６内の真空度は、例えば、１×１０^−４Ｐａ以下に設定される。そして、前記蒸着源７を加熱して、蒸着材料を気化させる。蒸着源７の加熱温度は、純アルミニウム又はアルミニウム合金を気化させるに十分な温度であればよい。
本発明においては、前記蒸着材料は、２００Å／秒以上の蒸着速度で蒸着され、好ましくは、１０００Å／秒以上である。蒸着速度の上限は、特に限定されないが、例えば、４０００Å／秒以下である。
蒸着速度は、例えば、蒸着源７の加熱温度などを制御することにより調整できる。
前記シャッター９３を開け、搬送装置８を通じて基板４を搬送し、その基板４が第２室６２を通過する際、その表面上に前記蒸着材料が蒸着されていき、基板４上にＡｌ膜が形成される。 The degree of vacuum in the vacuum chamber 6 is set to 1 × 10 ⁻⁴ Pa or less, for example. And the said vapor deposition source 7 is heated and vapor deposition material is vaporized. The heating temperature of the vapor deposition source 7 should just be sufficient temperature to vaporize pure aluminum or an aluminum alloy.
In the present invention, the deposition material is deposited at a deposition rate of 200 Å / sec or more, and preferably 1000 Å / sec or more. Although the upper limit of a vapor deposition rate is not specifically limited, For example, it is 4000 kg / sec or less.
The vapor deposition rate can be adjusted, for example, by controlling the heating temperature of the vapor deposition source 7.
The shutter 93 is opened and the substrate 4 is transported through the transport device 8. When the substrate 4 passes through the second chamber 62, the deposition material is deposited on the surface, and an Al film is formed on the substrate 4. Is done.

前記基板の搬送速度は、形成したいＡｌ膜の厚みに応じて適宜設定できる。製造時間を短縮できることから、前記基板の搬送速度は、例えば、０．５ｍ／分以上であり、好ましくは、１ｍ／分以上である。
形成されるＡｌ膜の厚みは、次の式によって定まる。
Ａｌ膜の厚み＝開口部９２の第２方向長さＷ２÷基板４の搬送速度×蒸着速度。
従って、蒸着速度を２００Å／秒以上とし、開口部９２の第２方向長さＷ２及び基板４の搬送速度を適切な数値に設定することにより、所望の厚みのＡｌ膜を形成できる。 The conveyance speed of the substrate can be appropriately set according to the thickness of the Al film to be formed. Since the manufacturing time can be shortened, the conveyance speed of the substrate is, for example, 0.5 m / min or more, and preferably 1 m / min or more.
The thickness of the formed Al film is determined by the following equation.
The thickness of the Al film = the length W2 in the second direction of the opening 92 ÷ the conveyance speed of the substrate 4 × the vapor deposition speed.
Therefore, an Al film having a desired thickness can be formed by setting the vapor deposition rate to 200 Å / second or more and setting the second direction length W2 of the opening 92 and the transport speed of the substrate 4 to appropriate values.

本発明の製造方法によれば、表面平滑性に優れたＡｌ膜を形成できる。例えば、前記反射電極を形成した後のＡｌ膜の表面における平均結晶粒径は、３０ｎｍ以下となる。
上記蒸着材料として純アルミニウムを用いた場合には、特に優れた表面平滑性を有する反射電極を形成できる。また、純アルミニウムを用いた場合には、アルミニウム合金のようにアルミニウム以外の金属の含有濃度を制御する必要がなく、その取り扱いも容易である。 According to the manufacturing method of the present invention, an Al film excellent in surface smoothness can be formed. For example, the average crystal grain size on the surface of the Al film after forming the reflective electrode is 30 nm or less.
When pure aluminum is used as the deposition material, a reflective electrode having particularly excellent surface smoothness can be formed. In addition, when pure aluminum is used, it is not necessary to control the concentration of a metal other than aluminum as in an aluminum alloy, and handling thereof is easy.

蒸着速度を２００Å／秒以上として純アルミニウム又はアルミニウム合金を蒸着することにより、表面平滑性に優れたＡｌ膜が形成できる理由は明確ではないが、本発明者らは、その理由を次のように推定する。
比較的高速で蒸着することにより、形成されていくＡｌ膜中に、水分や酸素などの不純物が混入し難くなる。他方、蒸着速度を高速にすると、基板の搬送速度もそれに伴って高速にする必要があるので、蒸着源からの輻射熱が基板に影響することを抑制できる。このような要因により、Ａｌ膜形成時の結晶化などのモルフォロジー変化が抑制され、表面平滑性に優れたＡｌ膜を得ることができる。
このようなＡｌ膜を反射電極として用いた有機ＥＬ素子においては、ダークスポットの発生を抑制できる。 The reason why an Al film excellent in surface smoothness can be formed by depositing pure aluminum or an aluminum alloy at a deposition rate of 200 liters / second or more is not clear, but the present inventors explain the reason as follows. presume.
By depositing at a relatively high speed, impurities such as moisture and oxygen are hardly mixed in the Al film to be formed. On the other hand, if the deposition rate is increased, the substrate transport rate must be increased accordingly, so that it is possible to suppress radiant heat from the deposition source from affecting the substrate. Due to such factors, morphological changes such as crystallization during the formation of the Al film are suppressed, and an Al film having excellent surface smoothness can be obtained.
In an organic EL element using such an Al film as a reflective electrode, generation of dark spots can be suppressed.

（有機層形成工程及び透明電極形成工程）
有機層形成工程は、前記反射電極の上に、有機層を形成する工程であり、透明電極形成工程は、有機層の上に、透明電極を形成する工程である。
前記有機層及び透明電極の形成は、従来と同様な方法にて実施すればよい。簡単に説明すると、反射電極が形成された基板の前記反射層の表面上に、例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に形成することにより、有機層を形成する。好ましくは、有機層（前記例示の場合には、正孔輸送層）を、Ａｌ膜の表面に直接形成する。
正孔輸送層及び電子輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。発光層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、通常、蒸着法によって形成される。透明電極は、反射電極に重ならないように形成される。透明電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。 (Organic layer forming step and transparent electrode forming step)
The organic layer forming step is a step of forming an organic layer on the reflective electrode, and the transparent electrode forming step is a step of forming a transparent electrode on the organic layer.
The organic layer and the transparent electrode may be formed by a method similar to the conventional method. Briefly, an organic layer is formed by sequentially forming, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer on the surface of the reflective layer of the substrate on which the reflective electrode is formed. Preferably, an organic layer (in the above example, a hole transport layer) is formed directly on the surface of the Al film.
As a method for forming the hole transport layer and the electron transport layer, an optimum method can be adopted depending on the material to be formed, and examples thereof include a sputtering method, a vapor deposition method, and an ink jet method. As a method for forming the light emitting layer, an optimum method can be adopted depending on the forming material, but it is usually formed by vapor deposition. The transparent electrode is formed so as not to overlap the reflective electrode. As a method for forming the transparent electrode, an optimum method can be adopted depending on the forming material, and examples thereof include a sputtering method, a vapor deposition method, and an ink jet method.

（封止工程）
前記有機ＥＬ素子の表面を封止する封止部材の形成方法も、従来と同様な方法を採用できる。その方法としては、例えば、封止樹脂を有機ＥＬ素子の表面に塗工する、或いは、封止フィルムを有機ＥＬ素子の表面に貼付するなどが挙げられる。 (Sealing process)
As a method for forming a sealing member for sealing the surface of the organic EL element, a method similar to the conventional method can be adopted. As the method, for example, a sealing resin is applied to the surface of the organic EL element, or a sealing film is attached to the surface of the organic EL element.

以下、実施例を示して本発明をさらに説明する。ただし、本発明は、下記実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be further described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

［実施例１］
基板として、表面に絶縁層（材質：ポリイミド）が形成された厚み５０μｍのステンレス製基板であって、その短手方向の長さが２ｃｍの長尺帯状のステンレス製基板を準備した。
この長尺帯状の基板を、図３に示すような、搬送装置を有する蒸着装置の搬送装置に装填した。この蒸着装置の真空チャンバーの底部に、窒化ホウ素製のるつぼを固定し、そのるつぼ内に、純アルミニウム（純度：９９．９原子％）を入れた。また、前記るつぼの上方に、第１方向の長さ×第２方向の長さ＝５ｃｍ×約８．３ｃｍの開口部が形成された防着壁を装備した。
チャンバー内の真空度を、１×１０^−４Ｐａ以下に保ち、前記るつぼを抵抗加熱で加熱して、純アルミニウムを気化させた。前記蒸着装置に具備された水晶振動式膜厚計を用いて、蒸着速度を計測し、その速度が安定的に２００Å／秒となるように制御した。
そして、チャンバーの蒸着エリア内に、前記基板を搬送速度１ｍ／分で長手方向に送り、基板の表面に純アルミニウムを蒸着した。このようにして、基板の表面上に厚み１００ｎｍの純アルミニウム膜（反射電極）を形成した。 [Example 1]
As a substrate, a stainless steel substrate having a thickness of 50 μm with an insulating layer (material: polyimide) formed on the surface and having a length of 2 cm in the short direction was prepared.
This long belt-like substrate was loaded into a transport apparatus of a vapor deposition apparatus having a transport apparatus as shown in FIG. A boron nitride crucible was fixed to the bottom of the vacuum chamber of the vapor deposition apparatus, and pure aluminum (purity: 99.9 atomic%) was placed in the crucible. Further, an anti-adhesion wall in which an opening of length in the first direction × length in the second direction = 5 cm × about 8.3 cm was formed above the crucible.
The degree of vacuum in the chamber was kept at 1 × 10 ⁻⁴ Pa or less, and the crucible was heated by resistance heating to vaporize pure aluminum. Using a quartz vibrating film thickness meter provided in the vapor deposition apparatus, the vapor deposition rate was measured, and the rate was controlled to be stably 200 Å / second.
And the said board | substrate was sent to the longitudinal direction in the vapor deposition area of the chamber at the conveyance speed of 1 m / min, and pure aluminum was vapor-deposited on the surface of the board | substrate. In this way, a pure aluminum film (reflective electrode) having a thickness of 100 nm was formed on the surface of the substrate.

次に、前記陽極の表面に、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）を厚み１０ｎｍで真空蒸着することにより、正孔注入層を形成した。さらに、この正孔注入層の表面に、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（略称：ＮＰＢ）を厚み５０ｎｍで真空蒸着することにより、正孔輸送層を形成した。さらに、前記正孔輸送層の表面に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）を厚み５０ｎｍで蒸着することにより、発光層を形成した。前記発光層の表面に、フッ化リチウムを厚み１ｎｍで真空蒸着することにより、電子注入層を形成した。さらに、この電子注入層の表面に、マグネシウムと銀を厚み２０ｎｍで共蒸着（Ｍｇ：Ａｇ（体積比）＝１：３）することにより、透明電極を形成した。最後に、有機ＥＬ層を覆うように、ガラスキャップで封止することにより、実施例１の有機ＥＬ素子を作製した。なお、サンプル数は、１０個とした。 Next, a hole injection layer was formed on the surface of the anode by vacuum deposition of hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (abbreviation: HAT-CN) with a thickness of 10 nm. Further, by transporting N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (abbreviation: NPB) in a thickness of 50 nm on the surface of the hole injection layer, hole transport is performed. A layer was formed. Further, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ) was vapor-deposited with a thickness of 50 nm on the surface of the hole transport layer to form a light emitting layer. An electron injection layer was formed on the surface of the light emitting layer by vacuum deposition of lithium fluoride with a thickness of 1 nm. Further, a transparent electrode was formed on the surface of the electron injection layer by co-evaporating magnesium and silver with a thickness of 20 nm (Mg: Ag (volume ratio) = 1: 3). Finally, the organic EL element of Example 1 was produced by sealing with a glass cap so as to cover the organic EL layer. The number of samples was 10.

［実施例２］
蒸着速度を４００Å／秒に、及び基板の搬送速度を２ｍ／分に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、厚み１００ｎｍの反射電極を形成し、さらに、有機層などを形成して、実施例２の有機ＥＬ素子を作製した。 [Example 2]
A reflective electrode having a thickness of 100 nm was formed in the same manner as in Example 1 except that the deposition rate was changed to 400 Å / sec and the substrate conveyance rate was changed to 2 m / min, and an organic layer and the like were further formed. Then, an organic EL device of Example 2 was produced.

［実施例３］
蒸着速度を１０００Å／秒に、及び基板の搬送速度を５ｍ／分に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、厚み１００ｎｍの反射電極を形成し、さらに、有機層などを形成して、実施例３の有機ＥＬ素子を作製した。 [Example 3]
A reflective electrode having a thickness of 100 nm was formed in the same manner as in Example 1 except that the vapor deposition rate was changed to 1000 Å / sec and the substrate conveyance speed was changed to 5 m / min, and an organic layer and the like were further formed. Then, an organic EL element of Example 3 was produced.

［比較例１］
蒸着速度を１００Å／秒に、及び基板の搬送速度を０．５ｍ／分に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、厚み１００ｎｍの反射電極を形成し、さらに、有機層などを形成して、比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。 [Comparative Example 1]
A reflective electrode having a thickness of 100 nm is formed in the same manner as in Example 1 except that the deposition rate is changed to 100 Å / sec and the substrate transfer rate is changed to 0.5 m / min, and further an organic layer and the like are formed. Thus, an organic EL element of Comparative Example 1 was produced.

蒸着速度を２０Å／秒に、及び基板の搬送速度を０．１ｍ／分に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、厚み１００ｎｍの反射電極を形成し、さらに、有機層などを形成して、比較例２の有機ＥＬ素子を作製した。 A reflective electrode having a thickness of 100 nm is formed in the same manner as in Example 1 except that the vapor deposition rate is changed to 20 m / sec and the substrate conveyance speed is changed to 0.1 m / min, and an organic layer and the like are further formed. Thus, an organic EL element of Comparative Example 2 was produced.

［比較例３］
比較例３は、バッチ生産方式で反射電極を形成した。すなわち、基板を２ｃｍ×５ｃｍに裁断した。この枚葉状の基板を、実施例１で用いた蒸着装置の蒸着エリアのドラム表面に固定した。前記ドラムを回転させず（つまり、枚葉状の基板は動かさず）、蒸着速度を１０Å／秒として純アルミニウムを蒸着することにより、厚み１００ｎｍの反射電極を形成した。その後、実施例１と同様にして、その反射電極の表面上に、有機層などを形成して、比較例３の有機ＥＬ素子を作製した。 [Comparative Example 3]
In Comparative Example 3, the reflective electrode was formed by a batch production method. That is, the substrate was cut into 2 cm × 5 cm. This single wafer substrate was fixed to the drum surface in the vapor deposition area of the vapor deposition apparatus used in Example 1. A reflective electrode having a thickness of 100 nm was formed by depositing pure aluminum at a deposition rate of 10 速度 / sec without rotating the drum (that is, without moving the sheet-like substrate). Thereafter, in the same manner as in Example 1, an organic layer or the like was formed on the surface of the reflective electrode, and an organic EL element of Comparative Example 3 was produced.

［純アルミニウム膜（反射電極）の表面］
各実施例及び比較例において、有機ＥＬ層を形成する前に、純アルミニウム膜（反射電極）の表面を、電子走査型顕微鏡を用いて観察し、その表面における平均結晶粒径を測定した。その結果を表１に示す。 [Surface of pure aluminum film (reflection electrode)]
In each of the examples and comparative examples, before forming the organic EL layer, the surface of the pure aluminum film (reflection electrode) was observed using an electronic scanning microscope, and the average crystal grain size on the surface was measured. The results are shown in Table 1.

［有機ＥＬ素子の評価］
各実施例及び比較例で作製した有機ＥＬ素子に４Ｖの電圧をかけ、その表面を光学顕微鏡で観察し、単位面積当たりのダークスポット数を計測した。その結果を表１に示す。ただし、ダークスポット数の結果は、１０個のサンプルの平均値である。
また、前記各有機ＥＬ素子に２Ｖの電圧をかけ、電流密度（リーク密度）を測定した。その結果を表１に示す。ただし、表の結果は、１０個のサンプルの中で最も高い電流密度を、各実施例及び比較例のリーク密度として表示している。 [Evaluation of organic EL elements]
A voltage of 4 V was applied to the organic EL elements produced in each Example and Comparative Example, the surface was observed with an optical microscope, and the number of dark spots per unit area was measured. The results are shown in Table 1. However, the result of the number of dark spots is an average value of 10 samples.
Further, a voltage of 2 V was applied to each organic EL element, and the current density (leak density) was measured. The results are shown in Table 1. However, the results in the table indicate the highest current density among the ten samples as the leakage density of each of the examples and the comparative examples.

表１において、「Ａ１」は、ダークスポット数が５個／ｍｍ^２以下であったことを、「Ｂ１」は、ダークスポット数が６〜４９個／ｍｍ^２であったことを示す。また、「Ａ２」は、リーク電流が１×１０^−５ｍＡ／ｃｍ^２以下であったことを、「Ｂ２」は、リーク電流が１×１０^−５〜１×１０^−３ｍＡ／ｃｍ^２であったことを示す。 In Table 1, “A1” indicates that the number of dark spots is 5 / mm ² or less, and “B1” indicates that the number of dark spots is 6 to 49 / mm ² . “A2” indicates that the leakage current is 1 × 10 ⁻⁵ mA / cm ² or less, and “B2” indicates that the leakage current is 1 × 10 ⁻⁵ to 1 × 10 ⁻³ mA / cm ² . Indicates that there was.

１有機ＥＬ素子
２基板
３有機ＥＬ層
３１反射電極
３２有機層
３３透明電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 2 Board | substrate 3 Organic EL layer 31 Reflective electrode 32 Organic layer 33 Transparent electrode

Claims

Forming a reflective electrode, an organic layer, and a transparent electrode in this order on the substrate;
A method of manufacturing a top emission type organic electroluminescence device, wherein the reflective electrode is formed by depositing at least one of pure aluminum and an aluminum alloy on the substrate at a deposition rate of 200 liters / second or more.

The method of manufacturing a top emission type organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the organic layer is directly formed on a surface of a pure aluminum film or an aluminum alloy film formed in the step.

The manufacturing method of the top emission type organic electroluminescent element of Claim 1 or 2 whose average crystal grain diameter in the surface of the pure aluminum film or aluminum alloy film formed in the said process is 30 nm or less.

The manufacturing method of the top emission type organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1 thru | or 3 with which the said vapor deposition material is pure aluminum.

The top emission organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate has a long band shape, and the reflective electrode is formed in the middle of feeding the long band substrate in a longitudinal direction thereof. Device manufacturing method.

The manufacturing method of the top emission type organic electroluminescent element of Claim 5 whose width direction of the said elongate strip | belt-shaped board | substrate is 10 mm-100 mm.

A substrate, a reflective electrode formed on the substrate, an organic layer formed on the reflective electrode, and a transparent electrode formed on the organic layer,
A top emission type organic electroluminescence device, wherein the reflective electrode has a pure aluminum film or an aluminum alloy film formed by depositing pure aluminum or an aluminum alloy on the substrate at a deposition rate of 200 Å / sec or more.

The top emission type according to claim 7, wherein the reflective electrode is made of the pure aluminum film or the aluminum alloy film, and the organic layer is formed in direct contact with the surface of the pure aluminum film or the aluminum alloy film. Organic electroluminescence device.

The top emission type organic electroluminescence device according to claim 7 or 8, wherein an average crystal grain size on a surface of the pure aluminum film or the aluminum alloy film is 30 nm or less.

The top emission type organic electroluminescent element according to any one of claims 7 to 9, wherein the reflective electrode is a pure aluminum film.